KR20140017747A - Sensor panel with anti-reflection layer - Google Patents

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KR20140017747A
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김현수
이호준
고용남
황영윤
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Abstract

The present invention relates to a sensor panel comprising a substrate, a plurality of first sensor electrodes, a plurality of second sensor electrodes, a first bridge, a second bridge, an insulation layer, and an anti-reflection layer. A plurality of first sensor electrodes is formed on one side of the substrate in parallel with each other along a first direction. A plurality of second sensor electrodes which is separated from the first sensor electrodes is formed on one side of the substrate in parallel with each other along a second direction which crosses the first direction. The first bridge connects the first sensor electrodes which are adjacent to each other among the first sensor electrodes. The second bridge connects the second sensor electrodes which are adjacent to each other among the second sensor electrodes. The insulation layer is formed between the first bridge and the second bridge and electrically divides the first bridge and the second bridge. The anti-reflection layer is formed on the second bridge. A refractive index of the insulation layer is between 1.6 and 2.5, inclusively. The second bridge comprises metal.

Description

반사방지층을 포함하는 센서 패널{SENSOR PANEL WITH ANTI-REFLECTION LAYER}Sensor panel with antireflection layer {SENSOR PANEL WITH ANTI-REFLECTION LAYER}

본 발명은 터치 패널용 센서 패널에 관한 것으로서 특히, 반사방지층을 포함하는 센서 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a sensor panel for a touch panel, and more particularly, to a sensor panel including an antireflection layer.

터치 패널용 센서 패널은 스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 게임기, 학습보조장치 및 카메라 등의 전자 장치에 구비된 표시 패널의 표면을 손이나 펜을 사용하여 누름으로써, 2차원의 좌표 데이터를 입력하는 장치이다. 이러한 터치 패널용 센서 패널은 조작의 용이하고 각종 디스플레이 장치에 폭넓게 응용될 수 있다는 점에서 널리 사용되고 있다.The touch panel sensor panel is a device for inputting two-dimensional coordinate data by pressing a surface of a display panel provided in an electronic device such as a smart phone, a tablet computer, a game machine, a learning aid device, and a camera with a hand or a pen. . Such a sensor panel for a touch panel is widely used in that it is easy to operate and can be widely applied to various display devices.

터치 패널용 센서 패널은 고 투과율 전도성 필름 또는 글라스 소재의 기판 상에 매트릭스 형태로 구비된 센서전극, 상기 센서전극을 연결하는 브릿지 전극 및 상기 브릿지 전극 사이에 구비되는 절연층으로 구성된다.The sensor panel for a touch panel includes a sensor electrode provided in a matrix form on a substrate having a high transmittance conductive film or a glass material, a bridge electrode connecting the sensor electrode, and an insulating layer provided between the bridge electrodes.

이와 같이 기판 상부에 서로 다른 물리적, 광학적 특성을 가진 구성요소가 동일층 상에 형성되는 경우 각각의 구성요소를 통과하는 빛의 속력 차로 인한 굴절이 발생하고, 결과적으로 터치 패널의 광학적 특성을 저하시키게 된다.As such, when components having different physical and optical properties on the substrate are formed on the same layer, refraction occurs due to the difference in speed of light passing through each component, and as a result, the optical properties of the touch panel are degraded. do.

특히 브릿지 전극의 경우, 상기 브릿지 전극의 상부 및 하부를 구성하는 물질이 서로 다르기 때문에 이러한 굴절률 차이로 인한 반사율이 급격히 상승하거나 투과율 및 시인성이 저하되는 문제가 있다.In particular, in the case of the bridge electrode, since the materials constituting the upper and lower portions of the bridge electrode are different from each other, there is a problem in that the reflectance rapidly increases due to the difference in refractive index, or the transmittance and visibility are reduced.

이에 본 발명에서는 터치 패널용 센서 패널의 브릿지 전극 상에 반사 방지층을 형성함으로써, 외광으로 인한 반사율을 감소시키고 투과율 및 시인성을 개선시키고자 한다.Therefore, in the present invention, by forming an anti-reflection layer on the bridge electrode of the sensor panel for the touch panel, it is to reduce the reflectance due to external light and improve the transmittance and visibility.

기판, 상기 기판의 일면에서, 제 1 방향을 따라 서로 나란하게 형성된 복수개의 제 1 센서전극, 상기 기판의 일면에서, 상기 제 1 센서전극과 이격되어, 상기 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 서로 나란하게 형성된 복수개의 제 2 센서전극, 상기 복수개의 제 1 센서전극 가운데 인접한 제 1 센서전극을 서로 연결하는 제 1 브릿지, 상기 복수개의 제 2 센서전극 가운데 인접한 제 2 센서전극을 서로 연결하는 제 2 브릿지, 상기 제 1 브릿지와 제 2 브릿지 사이에 형성되어 상기 제 1 브릿지와 제 2 브릿지를 전기적으로 분리시키는 절연층 및 상기 제 2 브릿지 상에 형성되어 있는 반사방지층을 포함하며, 상기 절연층의 굴절률은 1.6 이상 2.5 이하로 형성되며, 상기 제 2 브릿지는 금속을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 패널을 제공한다.A substrate, a plurality of first sensor electrodes formed in parallel with each other along a first direction on one surface of the substrate, and spaced apart from the first sensor electrode on one surface of the substrate, along a second direction crossing the first direction. A plurality of second sensor electrodes formed in parallel to each other, a first bridge connecting the adjacent first sensor electrodes among the plurality of first sensor electrodes to each other, and a second connecting electrode adjacent to the second sensor electrodes among the plurality of second sensor electrodes. A second bridge, an insulating layer formed between the first bridge and the second bridge to electrically separate the first bridge and the second bridge, and an antireflection layer formed on the second bridge; The refractive index is formed to be 1.6 or more and 2.5 or less, and the second bridge provides a sensor panel, characterized in that it is formed containing a metal.

상기 제 1 센서전극, 제 2 센서전극 및 제 1 브릿지는 투명 전도성 산화물(TCO:Transparent Conductive Oxide)을 포함하여 형성될 수 있다.The first sensor electrode, the second sensor electrode, and the first bridge may include a transparent conductive oxide (TCO).

상기 투명 전도성 산화물(TCO:Transparent Conductive Oxide)은 ITO, IZO, ATO, AZO 및 ZnO 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The transparent conductive oxide (TCO) may include any one of ITO, IZO, ATO, AZO, and ZnO.

상기 금속성 물질은 Ag, Cu, Au, Cr, Al, Zn 및 Ni 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The metallic material may include any one of Ag, Cu, Au, Cr, Al, Zn, and Ni.

상기 제 2 브릿지의 두께는 5nm 이상 15nm 이하의 범위에서 형성될 수 있다.The thickness of the second bridge may be formed in the range of 5nm or more and 15nm or less.

상기 제 2 브릿지의 너비는 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위에서 형성될 수 있다.       The width of the second bridge may be formed in the range of 10㎛ 100㎛.

상기 반사방지층은 적어도 하나 이상의 저굴절층 및 고굴절층을 포함하여 형성될 수 있다.The anti-reflection layer may include at least one low refractive layer and a high refractive layer.

상기 저굴절층의 굴절률은 1.3 이상 1.5 이하의 값을 가질 수 있다.The refractive index of the low refractive index layer may have a value of 1.3 or more and 1.5 or less.

상기 저굴절층은 MgF2, NaF, SiO2 및 CaF2 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The low refractive index layer is MgF 2 , NaF, SiO 2 and CaF 2 It may be formed to include any one.

상기 고굴절층의 굴절률은 1.6 이상 2.5 이하의 값을 가질 수 있다.The refractive index of the high refractive layer may have a value of 1.6 or more and 2.5 or less.

상기 고굴절층은 CeF3, Al2O3, ZrO2 , TiO2 및 Nb2Ox 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The high refractive layer is CeF 3 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , TiO 2 And Nb 2 O x .

본 발명의 일실시예에 따른 센서 패널은 외광으로 인한 반사를 방지하여 시인성을 개선할 수 있다.The sensor panel according to an embodiment of the present invention may improve visibility by preventing reflection due to external light.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 센서 패널의 정면도이다.
도 2는 도 1의 센서 패널의 일부분인 A를 확대한 도이다.
도 3은 도 2에서 Ⅰ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 2에서 Ⅲ-Ⅳ를 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 센서 패널의 단면도이다.1 is a front view of a sensor panel according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of part A of the sensor panel of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view taken along line III-IV of FIG. 2.
5 is a cross-sectional view of a sensor panel according to another embodiment of the present invention.

이하, 구체적인 도면을 참조하여 본 발명의 예들을 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 범위가 하기 설명하는 실시예나 도면들로 한정되는 것은 아니다. 이하에서 설명되는 내용과 도면에 도시된 실시예들로부터 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.Hereinafter, examples of the present invention will be described in more detail with reference to specific drawings. The scope of the present invention is not limited to the embodiments or drawings described below. Various equivalents and modifications may be made from the embodiments described in the following description and the drawings.

본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 실시예를 표현하기 위해 사용된 용어들로써, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.The terminologies used herein are terms used to describe embodiments of the present invention, which may vary depending on the user, the intention of the operator, or the practice of the field to which the present invention belongs. Therefore, the definition of these terms should be based on the contents throughout this specification.

참고로, 상기 도면에서는, 이해를 돕기 위하여 각 구성요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하였다. 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.For reference, in order to facilitate understanding, each component and its shape or the like are briefly drawn or exaggerated in the above drawings. The same reference numerals denote the same elements in the drawings.

또한, 어떤 층이나 구성요소가 다른 층이나 또는 구성요소의 '상'에 있다 라고 기재되는 경우에는, 상기 어떤 층이나 구성요소가 상기 다른 층이나 구성요소와 직접 접촉하여 배치된 경우뿐만 아니라, 그 사이에 제3의 층이 개재되어 배치된 경우까지 모두 포함하는 의미이다.It will also be understood that where a layer or element is described as being on the " top " of another layer or element, it is to be understood that not only is the layer or element disposed in direct contact with the other layer or element, To the case where the third layer is disposed interposed between the first and second layers.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 센서 패널(100)의 정면도이다. 도 1을 참조하면 상기 센서패널(100)은 기판(110), 상기 기판의 일면에서, 제 1 방향을 따라 서로 나란하게 형성된 복수개의 제 1 센서전극(211), 상기 기판의 일면에서, 상기 제 1 센서전극(211)과 이격되어, 상기 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 서로 나란하게 형성된 복수개의 제 2 센서전극(221), 상기 복수개의 제 1 센서전극(211) 을 제 1 방향으로 서로 연결하는 제 1 브릿지(212), 상기 복수개의 제 2 센서전극(221)을 제 2 방향으로 서로 연결하는 제 2 브릿지(222), 상기 제 1 브릿지(212)와 상기 제 2 브릿지(222)의 사이에 형성되는 절연층(300) 및 상기 제 2 브릿지(222) 상에 형성되는 반사방지층(400)을 포함한다.1 is a front view of a sensor panel 100 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the sensor panel 100 includes a substrate 110, a plurality of first sensor electrodes 211 formed in parallel with each other along a first direction on one surface of the substrate, and on one surface of the substrate. The plurality of second sensor electrodes 221 and the plurality of first sensor electrodes 211 formed in parallel with each other along a second direction crossing the first direction and spaced apart from the first sensor electrode 211 in the first direction. A first bridge 212 that connects to each other, a second bridge 222 that connects the plurality of second sensor electrodes 221 to each other in a second direction, the first bridge 212 and the second bridge 222 It includes an insulating layer 300 formed between the and the anti-reflection layer 400 formed on the second bridge 222.

이하에서, 상기 제 1 센서전극(211) 및 제 1 브릿지(212)를 통칭하여 제 1 전극패턴(210)이라고 하며, 상기 제 2 센서전극(221) 및 제 2 브릿지(222)를 통칭하여 제 2 전극패턴(220)이라고 한다.Hereinafter, the first sensor electrode 211 and the first bridge 212 may be collectively referred to as a first electrode pattern 210, and the second sensor electrode 221 and the second bridge 222 may be collectively referred to as a first electrode pattern 210. It is referred to as a two-electrode pattern 220.

도 1에 개시된 실시예에서는 설명의 간략화를 위하여, 제 1 방향은 도면의 좌측에서 우측으로 향하는 방향으로 정하고, 제 2 방향은 도면의 위에서 아래로 향하는 방향으로 정하였다. 도 1에서 예시된 방향은 제 1 방향과 제 2 방향에 대한 일례로써 상기 제 1 방향과 제 2 방향은 도 1의 일례에서와 다른 방향으로 결정할 수도 있음은 물론이다.In the embodiment disclosed in FIG. 1, for the sake of simplicity, the first direction is determined from the left side to the right side of the figure, and the second direction is determined from the top side downward. The directions illustrated in FIG. 1 are examples of the first direction and the second direction, and the first direction and the second direction may be determined to be directions different from those in the example of FIG.

도 1에 개시된 실시예에서는 제 1 방향으로 6개의 제 1 센서전극(211)이 배치되어 있고, 제 2 방향으로 7개의 제 2 센서전극(221)이 배치되어 매트릭스 구조로 형성되어 있으나, 상기 제 1 센서전극(211) 및 제 2 센서전극(221)의 개수 및 크기는 센서 패널(100)의 해상도 및 상기 센서 패널이 적용되는 디스플레이의 종류와 크기에 따라 달라질 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 1, six first sensor electrodes 211 are arranged in a first direction, and seven second sensor electrodes 221 are arranged in a second direction to form a matrix structure. The number and size of the first sensor electrode 211 and the second sensor electrode 221 may vary depending on the resolution of the sensor panel 100 and the type and size of the display to which the sensor panel is applied.

도 1에서 상기 제 1 센서전극(211) 및 제 2 센서전극(221)의 모양은 마름모 형상으로 도시하였으나, 반드시 마름모 형태로 한정되는 것은 아니며 삼각형, 정사각형, 직사각형 및 원형과 같이 다양한 형태로 형성될 수 있다.Although the shapes of the first sensor electrode 211 and the second sensor electrode 221 are illustrated in a rhombus shape in FIG. 1, the shape of the first sensor electrode 211 and the second sensor electrode 221 is not necessarily limited to a rhombus shape but may be formed in various shapes such as a triangle, a square, a rectangle, and a circle. Can be.

또한, 도 1에서는 도시하지 않았지만, 상기 제 1 센서전극(211) 및 제 2 센서전극(221)의 말단에는 디스플레이의 구동부와 연결하기 위한 배선이 포함되어 형성될 수 있다.In addition, although not shown in FIG. 1, wires for connecting to the driving unit of the display may be formed at ends of the first sensor electrode 211 and the second sensor electrode 221.

상기 기판(110)은 고분자 필름, 플라스틱 또는 유리 중 어느 하나에 의하여 형성될 수 있다. 본 실시예에서 상기 기판(110)은 고분자 필름을 사용하는 것을 예로 들어 설명한다. 본 실시예에서 사용한 고분자 필름은 PET이다.The substrate 110 may be formed of a polymer film, plastic, or glass. In this embodiment, the substrate 110 is described using a polymer film as an example. The polymer film used in this example is PET.

상기 기판(110) 상에는 상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)이 동일층상에 패터닝되어 형성된다.The first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 are patterned on the same layer on the substrate 110.

상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)은 도전성을 갖는 투명재료로 형성될 수 있다. 이러한 도전성을 갖는 투명 재료로서 투명 전도성 산화물(TCO:Transparent Conductive Oxide)을 사용할 수 있다.The first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be formed of a transparent material having conductivity. A transparent conductive oxide (TCO: Transparent Conductive Oxide) can be used as the transparent material having such conductivity.

이러한 투명 전도성 산화물(TCO)로는 산화인듐-산화주석(ITO:Indium Tin Oxide), 산화인듐-산화아연(IZO:Indium Zinc Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), 산화아연(ZnO) 등을 사용할 수 있다.Such transparent conductive oxides (TCO) include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), antimony tin oxide (ATO), antimony zinc oxide (AZO), and zinc oxide (ZnO) etc. can be used.

상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)은 동일한 재료에 의하여 형성될 수도 있고, 서로 다른 재료에 의하여 형성될 수도 있다. 제조상 편의성을 고려할 때 상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)은 동일한 재료로 형성되는 것이 바람직하다.The first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be formed of the same material or may be formed of different materials. In consideration of manufacturing convenience, the first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be formed of the same material.

상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)은 상기 기판(110) 상에 투명 도전성 산화물을 스퍼터(sputerring)하거나 증착하여 형성될 수 있다. 또한 마스크를 이용한 포토 리소그라피(photo lithograpy) 방식을 사용하여 형성될 수도 있다.The first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be formed by sputtering or depositing a transparent conductive oxide on the substrate 110. Or may be formed using a photolithography method using a mask.

도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 일실시예에 따른 센서 패널(100)의 일부(A)를 확대한 도이다.FIG. 2 is an enlarged view of a portion A of the sensor panel 100 according to the exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 1.

상기 절연층(300)은 상기 제 1 브릿지(212)(도시되지 않음) 상에 형성되며, 후술할 제 2 브릿지(222) 및 제 1 브릿지(212)가 전기적으로 절연될 수 있도록 한다.The insulating layer 300 is formed on the first bridge 212 (not shown) and allows the second bridge 222 and the first bridge 212 to be described later to be electrically insulated.

상기 절연층(300)은 투명한 합성수지, PAC(photo-active compound) 등 전기 절연성의 투명한 재질의 잉크 타입을 포함한 고분자 물질로 형성될 수 있다.The insulating layer 300 may be formed of a polymer material including an ink type of an electrically insulating transparent material such as a transparent synthetic resin and a photo-active compound (PAC).

상기 절연층(300)은 굴절률이 1.0 이상 2.0 이하의 물질로 형성될 수 있다.The insulating layer 300 may be formed of a material having a refractive index of 1.0 or more and 2.0 or less.

상기 절연층(300)은 산화물 계열의 SiOX, 질화물 계열의 SiNX를 포함한 무기물로 형성될 수 있다.The insulating layer 300 may be formed of an inorganic material including an oxide-based SiO X and a nitride-based SiN X.

상기 절연층(300)을 고굴절 재료를 포함하여 형성하고, 후술할 제 2 브릿지(222)를 저굴절 재료를 포함하여 형성하는 경우, 상기 절연층(300) 및 제 2 브릿지의 굴절률 차이를 이용하여 반사 방지 기능을 할 수 있다.When the insulating layer 300 is formed by including a high refractive material and the second bridge 222 which will be described later is formed by including a low refractive material, the refractive index difference between the insulating layer 300 and the second bridge may be used. Anti-reflective function

상기 절연층(300)은 상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)이 패터닝된 기판(110) 상에 상기 절연층 형성용 물질을 전면 도포한 후, 식각하는 포토 리소그라피(photo lithograpy)방식을 사용할 수 있다. 또한 증착(evaportion) 및 스퍼터링(sputtering) 방식 등을 사용하여 형성할 수 있다.The insulating layer 300 is formed by coating the insulating layer forming material on the substrate 110 on which the first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 are patterned. For example, photo lithograpy may be used for etching. In addition, it may be formed using an deposition method, a sputtering method, or the like.

상기 절연층(300) 상에는 제 2 브릿지(222)가 형성될 수 있다. 상기 제 2 브릿지(222)는 상기 절연층(300)에 의해 상기 제 1 브릿지(212)와 전기적으로 절연되며, 상기 복수개의 제 2 센서전극(221)을 제 2 방향으로 연결시킬 수 있다.The second bridge 222 may be formed on the insulating layer 300. The second bridge 222 may be electrically insulated from the first bridge 212 by the insulating layer 300, and may connect the plurality of second sensor electrodes 221 in a second direction.

이하에서, 설명의 편의를 위하여 상기 절연층(300) 및 제 2 브릿지(222)의 제 1 방향으로의 거리를 폭(width)이라고 하며, 제 2 방향으로의 거리를 길이(length)라고 한다.Hereinafter, for convenience of description, the distance in the first direction of the insulating layer 300 and the second bridge 222 is called width, and the distance in the second direction is called length.

상기 제 2 브릿지(222)는 상기 제 2 브릿지(222)가 상기 제 1 센서전극(211)과 도전되는 것을 방지하기 위하여 상기 절연층(300)의 폭보다 작은 폭을 가져야 하며, 상기 제 2 센서전극(221)과는 도전되어야 하므로 상기 절연층(300)의 길이보다 길어야 한다.The second bridge 222 should have a width smaller than the width of the insulating layer 300 in order to prevent the second bridge 222 from conducting with the first sensor electrode 211, and the second sensor Since the electrode 221 is to be electrically conductive, it must be longer than the length of the insulating layer 300.

상기 제 2 브릿지(222)는 금속층을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 금속층은 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu)등을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 금속층의 두께는 5nm이상 10nm이하의 범위에서 형성될 수 있다.The second bridge 222 may be formed including a metal layer. The metal layer may include gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), and the like. The thickness of the metal layer may be formed in the range of 5nm or more and 10nm or less.

상기 제 2 브릿지(222) 상에는 반사방지층(400)이 형성될 수 있다.An antireflection layer 400 may be formed on the second bridge 222.

상기 반사방지층(400)은 굴절률이 서로 다른 적어도 두 층 이상의 박막으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 반사방지층(400)의 각 박막의 경계면에서 반사되는 빛의 파장들이 서로 간섭되어 소멸되도록 한다.The anti-reflection layer 400 may be formed of at least two or more thin films having different refractive indices. That is, the wavelengths of the light reflected from the interface of each thin film of the anti-reflection layer 400 interfere with each other and disappear.

상기 반사방지층(400)은 적어도 하나 이상의 저굴절층(410) 및 고굴절층(420)으로 형성될 수 있다.The antireflection layer 400 may be formed of at least one low refractive layer 410 and a high refractive layer 420.

상기 저굴절층(410)의 굴절률은 1.3 이상 1.5이하의 범위 값을 가질 수 있다.The refractive index of the low refractive layer 410 may have a range value of 1.3 or more and 1.5 or less.

상기 고굴절층(420)의 굴절률은 1.6 이상 2.5 이하의 범위 값을 가질 수 있다.The refractive index of the high refractive index layer 420 may have a range value of 1.6 or more and 2.5 or less.

상기 저굴절층(410)은 MgF2(n=1.38), NaF(n=1.33), SiO2(n=1.46) 및 CaF2(n=1.44) 중 어느 하나가 선택적으로 사용될 수 있으며, 상기 고굴절층(420)으로는 CeF3(n=1.65), Al2O3(n=1.76), ZrO2(n=2.10), TiO2(n=2.50) 및 Nb2OX(n=2.3) 중 어느 하나가 선택적으로 사용될 수 있다.The low refractive index layer 410 may be selectively used any one of MgF 2 (n = 1.38), NaF (n = 1.33), SiO 2 (n = 1.46) and CaF 2 (n = 1.44), the high refractive index Layer 420 includes CeF 3 (n = 1.65), Al 2 O 3 (n = 1.76), ZrO 2 (n = 2.10), TiO 2 (n = 2.50) and Nb 2 O X (n = 2.3). Either can be used selectively.

상기 반사방지층(400)은 상기 저굴절률 재료층(410) 및 고굴절률 재료층(420)간의 굴절률 차이가 클수록 반사율이 낮아질 수 있다.The antireflection layer 400 may have a lower reflectance as the difference in refractive index between the low refractive index material layer 410 and the high refractive index material layer 420 increases.

상기 반사방지층(400)은 상기 저굴절률 재료층(410) 및 고굴절률 재료층(420)이 교대로 적층되어 형성될 수 있다. 이와 같이 교대로 적층되는 층의 개수가 많을수록 상기 반사방지층(400)으로 인한 반사율이 낮아질 수 있다.The antireflection layer 400 may be formed by alternately stacking the low refractive index material layer 410 and the high refractive index material layer 420. As the number of layers stacked alternately, the reflectance due to the anti-reflection layer 400 may be lowered.

또한, 상기 절연층(300) 및 제 2 브릿지(222)가 하나의 고굴절층 및 저굴절층 역할을 하는 반사방지막을 형성할 수 있다.In addition, the insulating layer 300 and the second bridge 222 may form an antireflection film that serves as one high and low refractive layers.

도 3은 도 2에서 Ⅰ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 2.

도 3을 참조하면, 상기 제 2 브릿지(222)는 상기 절연층(300)에 의해 상기 제 1 브릿지(212)와 물리적으로 절연되며, 상기 제 2 센서전극(222)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.Referring to FIG. 3, the second bridge 222 may be physically insulated from the first bridge 212 by the insulating layer 300, and may electrically connect the second sensor electrode 222. .

또한, 상기 제 2 브릿지(222) 상부에는 다층 구조의 반사방지층(400)이 형성될 수 있다. 상기 반사방지층(400)은 굴절률이 서로 다른 적어도 두 층 이상의 다층 박막구조로 형성될 수 있다.In addition, an anti-reflection layer 400 having a multilayer structure may be formed on the second bridge 222. The anti-reflection layer 400 may be formed in a multilayer thin film structure of at least two layers having different refractive indices.

도 4는 도 2에서 Ⅲ-Ⅳ를 따라 절단한 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line III-IV of FIG. 2.

상기 제 1 센서전극(211)은 상기 제 1 브릿지(212)에 의해 서로 전기적으로 연결되며, 동일층상에 형성될 수 있다.The first sensor electrodes 211 may be electrically connected to each other by the first bridge 212 and may be formed on the same layer.

또한, 상기 절연층(300)은 상기 제 1 브릿지(212) 및 상기 제 1 센서전극(211) 일부에 오버랩 되도록 형성될 수 있다.In addition, the insulating layer 300 may be formed to overlap a portion of the first bridge 212 and the first sensor electrode 211.

상기 절연층(300) 상부에는 도 3과 마찬가지로 제 2 브릿지(222) 및 다층 박막 구조의 반사방지층(400)이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3, the second bridge 222 and the anti-reflection layer 400 having a multilayer thin film structure may be formed on the insulating layer 300.

상기 저굴절층 형성용 물질 및 고굴절층 형성용 물질은 각각 2회 이상 5회 이하로 전면 도포될 수 있다.The material for forming the low refractive index layer and the material for forming the high refractive index layer may be applied to the entire surface at least two times and at most five times.

도 5는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 센서 패널의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a sensor panel according to another embodiment of the present invention.

상기 도 1 내지 도 4에서는 상기 제 2 브릿지(222) 상에만 상기 반사방지층(400)이 형성되는 것에 대하여 개시하고 있으나, 상기 반사방지층(400)은 상기 도 5에 도시된 바와 같이 상기 제 2 브릿지(222)가 형성된 기판 전면에 도포될 수 있다.1 to 4 illustrate that the anti-reflection layer 400 is formed only on the second bridge 222, but the anti-reflection layer 400 is shown in FIG. 5 as the second bridge. 222 may be applied to the entire surface of the formed substrate.

이상에서 설명된 센서 패널의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.Embodiments of the sensor panel described above are merely exemplary, and the protection scope of the present invention may include various modifications and equivalents from those skilled in the art.

100 : 센서 패널 110 : 기판
210 : 제 1 전극패턴 211 : 제 1 센서전극 212 : 제 1 브릿지
220 : 제 2 전극패턴 221 : 제 2 센서전극 222 : 제 2 브릿지
300 : 절연층 400 : 반사방지층
410 : 저굴절층 420 : 고굴절층100: sensor panel 110: substrate
210: first electrode pattern 211: first sensor electrode 212: first bridge
220: second electrode pattern 221: second sensor electrode 222: second bridge
300: insulating layer 400: antireflection layer
410: low refractive layer 420: high refractive layer

Claims (10)

기판;
상기 기판의 일면에서, 제 1 방향을 따라 서로 나란하게 형성된 복수개의 제 1 센서전극;
상기 기판의 일면에서, 상기 제 1 센서전극과 이격되어, 상기 1 방향과 교차되는 제 2 방향을 따라 서로 나란하게 형성된 복수개의 제 2 센서전극;
상기 복수개의 제 1 센서전극 가운데 인접한 제 1 센서전극을 서로 연결하는 제 1 브릿지;
상기 복수개의 제 2 센서전극 가운데 인접한 제 2 센서전극을 서로 연결하는 제 2 브릿지;
상기 제 1 브릿지와 제 2 브릿지 사이에 형성되어 상기 제 1 브릿지와 제 2 브릿지를 전기적으로 분리시키는 절연층; 및
상기 제 2 브릿지 상에 형성되어 있는 반사방지층;을 포함하며,
상기 절연층의 굴절률은 1.0 이상 2.0 이하로 형성되며,
상기 제 2 브릿지는 금속을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 패널.Board;
A plurality of first sensor electrodes formed on one surface of the substrate in parallel with each other along a first direction;
A plurality of second sensor electrodes spaced apart from the first sensor electrode on one surface of the substrate and formed in parallel with each other in a second direction crossing the first direction;
A first bridge that connects adjacent first sensor electrodes among the plurality of first sensor electrodes to each other;
A second bridge that connects adjacent second sensor electrodes to each other among the plurality of second sensor electrodes;
An insulating layer formed between the first bridge and the second bridge to electrically separate the first bridge and the second bridge; And
And an anti-reflection layer formed on the second bridge.
The refractive index of the insulating layer is formed to 1.0 or more and 2.0 or less,
And the second bridge is formed of a metal. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 센서전극, 제 2 센서전극 및 제 1 브릿지는 투명 전도성 산화물(TCO:Transparent Conductive Oxide)을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 패널.The sensor panel of claim 1, wherein the first sensor electrode, the second sensor electrode, and the first bridge are formed of a transparent conductive oxide (TCO). 제 2 항에 있어서, 상기 투명 전도성 산화물(TCO:Transparent Conductive Oxide)은 ITO, IZO, ATO, AZO 및 ZnO 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 패널.The sensor panel of claim 2, wherein the transparent conductive oxide (TCO) comprises any one of ITO, IZO, ATO, AZO, and ZnO. 제 1 항에 있어서, 상기 금속성 물질은 Ag, Cu, Au, Cr, Al, Zn 및 Ni 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 센서 패널.The sensor panel of claim 1, wherein the metallic material is any one of Ag, Cu, Au, Cr, Al, Zn, and Ni. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 브릿지의 두께는 5nm 이상 15nm이하, 너비는 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 패널.The sensor panel according to claim 1, wherein the second bridge has a thickness of 5 nm or more and 15 nm or less and a width of 10 m or more and 100 m or less. 제 1 항에 있어서, 상기 반사방지층은 적어도 하나 이상의 저굴절층 및 고굴절층을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 패널.The sensor panel of claim 1, wherein the anti-reflection layer comprises at least one low refractive index layer and a high refractive index layer. 제 6 항에 있어서, 상기 저굴절층의 굴절률은 1.3 이상 1.5 이하인 것을 특징으로 하는 센서 패널.The sensor panel according to claim 6, wherein the low refractive index layer has a refractive index of 1.3 or more and 1.5 or less. 제 6 항에 있어서, 상기 저굴절층은 MgF2, NaF, SiO2 및 CaF2 중 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 패널.The method of claim 6, wherein the low refractive index layer is MgF 2 , NaF, SiO 2 and CaF 2 Sensor panel, characterized in that formed by including any one. 제 6 항에 있어서, 상기 고굴절층의 굴절률은 1.6 이상 2.5 이하인 것을 특징으로 하는 센서 패널.The sensor panel according to claim 6, wherein the high refractive index layer has a refractive index of 1.6 or more and 2.5 or less. 제 6 항에 있어서, 상기 고굴절층은 CeF3, Al2O3, ZrO2 , TiO2 및 Nb2Ox 중 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 패널.The method of claim 6, wherein the high refractive layer is CeF 3 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , TiO 2 And Nb 2 O x .
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