KR20140011127A - Etching paste, method for preparing the same and method of forming a pattern using the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an etching paste, a manufacturing method thereof, and a pattern forming method using the same and, more specifically, to an etching paste comprising: an acidic compound; an organic binder; at least one selected among an ammonium-based compound and an amine-based compound; a cobalt aluminum oxide; and a solvent, a manufacturing method thereof and a pattern forming method using the same.

Description

에칭 페이스트, 그 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성방법{ETCHING PASTE, METHOD FOR PREPARING THE SAME AND METHOD OF FORMING A PATTERN USING THE SAME}Etching paste, manufacturing method thereof and pattern forming method using the same {ETCHING PASTE, METHOD FOR PREPARING THE SAME AND METHOD OF FORMING A PATTERN USING THE SAME}

본 발명은 에칭 페이스트, 그 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 에칭이 되는 정도를 시인할 수 있고, 낮은 건조 온도에서 에칭이 가능하며, 에칭 과정 중 또는 완료 후 생성된 패턴의 끝단부에서 에칭의 번짐을 막아 저항 상승을 방지할 수 있고, 에칭 부위의 선택성(해상도)을 높일 수 있으며, 미세 선폭의 구현이 가능하고, 에칭성이 좋으며, 설비에 영향도가 적은 에칭 페이스트, 그 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성방법에 관한 것이다. The present invention relates to an etching paste, a method for producing the same, and a pattern forming method using the same. More specifically, the present invention can recognize the degree to which the etching is performed, it is possible to etch at a low drying temperature, to prevent the spread of etching at the end of the pattern generated during or after the etching process to prevent the increase in resistance The present invention relates to an etching paste capable of increasing selectivity (resolution) of an etching site, realizing a fine line width, having good etching property, and having low influence on equipment, and a method of manufacturing the same and a pattern forming method using the same.

패턴형성 공정은 반도체 소자, LCD, OLED, PDP 등과 같은 평판 표시 소자(Flat Panel Display device) 등에도 필수적으로 사용된다. 가장 많이 사용되고 있는 패턴형성 공정은 감광성물질인 포토레지스트(photoresist)를 이용한 공정으로, 유리와 같은 절연물질 또는 반도체물질로 이루어진 기판 위에 형성된 금속층위에 감광성물질인 포토레지스트를 적층하여 포토레지스트층을 형성한 후, 포토레지스트층 위에 포토마스크를 이용한 노광, 현상 공정이 수행된다. 이후 에칭액을 이용하여 금속만을 에칭한 다음 스트리퍼(stripper)를 작용하여 상기 포토레지스트 패턴을 제거하면, 기판 위에는 금속 패턴만이 남게 되어 패턴을 형성하게 된다.The pattern forming process is essentially used in flat panel display devices such as semiconductor devices, LCDs, OLEDs, and PDPs. The most commonly used pattern forming process is photoresist, a photoresist material. Thereafter, an exposure and development process using a photomask are performed on the photoresist layer. After etching only the metal using an etchant and then removing the photoresist pattern by applying a stripper, only the metal pattern remains on the substrate to form a pattern.

상기와 같은 포토레지스트를 이용한 금속 패턴 형성방법은 포토레지스트 도포, 베이킹, 노광, 현상을 거쳐 형성되므로 제조공정이 복잡하고, 특히 포토레지스트를 베이킹하기 위해서는 특정 온도에서 실행되는 소프트베이킹 공정과 상기 소프트베이킹 온도보다 높은 온도에서 실행되는 하드베이킹 공정을 거쳐야만 하기 때문에, 공정이 더욱 복잡하게 된다. 이로 인해 제조 비용이 상승할 뿐만 아니라, 도포시 폐기되는 포토레지스트로 인해 환경이 오염되는 문제가 있고, 미제거된 포토레지스트의 잔류로 인해 불량이 발생하는 원인이 된다. Since the metal pattern forming method using the photoresist is formed through photoresist coating, baking, exposure, and development, a manufacturing process is complicated, and in particular, a soft baking process performed at a specific temperature and the soft baking are performed to bake the photoresist. The process becomes more complicated because it must undergo a hardbaking process that runs at temperatures higher than the temperature. This not only increases manufacturing costs, but also contaminates the environment due to photoresist discarded during application, and causes defects due to the remaining of unremoved photoresist.

이에 따라 산 등을 이용하여 에칭 페이스트를 제조하는 방법이 개발되었다. 산 화합물을 이용한 에칭 페이스트는 기판 위에 피식각물을 증착한 후 마스크를 이용하여 에칭 페이스트를 인쇄하고, 열 처리에 의한 건조 및 수세 과정을 통해 패턴을 제조할 수 있다. Accordingly, a method of manufacturing an etching paste using an acid or the like has been developed. In the etching paste using an acid compound, the etching paste is deposited on a substrate, and then the etching paste is printed using a mask, and a pattern may be manufactured by drying and washing with heat.

그러나, 열 처리에 의해 피식각물이 에칭된다고 하더라도 피식각물 전체에서 에칭이 동일한 정도로 이루어지는 것은 아니고, 이는 피시각물의 두께에 따라 달라질 수도 있다. 또한, 열처리에 의해 에칭이 완료되었음을 확인할 수 있다면 부가적인 열처리없이 바로 수세 과정을 거침으로써 패턴 형성을 완료할 수 있다. 따라서, 열 처리 온도 및 시간에 따라 에칭 완료 정도를 판별할 수 있는 방법이 필요하다. 또한, 일반적인 에칭 페이스트의 경우 열처리 과정에서 피식각물의 끝단부의 번짐 현상이 발생할 수 있고, 이러한 번짐 현상은 최종 제조된 패턴의 저항을 상승시킬 수 있다. 이러한 문제점이 해결된다면, 제조 비용, 제조 시간을 줄이면서 고 효율의 미세 패턴을 형성할 수 있다. However, even if the object is etched by the heat treatment, the etching is not performed to the same degree in the entire object, and this may vary depending on the thickness of the object. In addition, if the etching is completed by the heat treatment can be confirmed that the pattern formation can be completed by going through the washing process immediately without additional heat treatment. Therefore, there is a need for a method capable of determining the degree of completion of etching in accordance with the heat treatment temperature and time. In addition, in the case of a general etching paste, a bleeding phenomenon may occur in the end portion of the object to be etched during the heat treatment process, and the bleeding phenomenon may increase the resistance of the final manufactured pattern. If this problem is solved, it is possible to form a high efficiency fine pattern while reducing the manufacturing cost, manufacturing time.

한국공개특허 제2010-0068833호는 반도체 기판 위에 상기 반도체 기판과 반대의 전도성 타입을 갖는 반도체부를 형성하고 상기 반도체부 위에 보호막을 형성하고 보호막에 에칭 페이스트를 인쇄하여 에칭한 후 도전성 금속 재료를 도포하여 전극을 형성하는 방법을 개시하고 있다. 그러나, 이 기술에 따르면, 에칭이 되는 정도를 시인할 수 없다. Korean Laid-Open Patent Publication No. 2010-0068833 discloses forming a semiconductor portion having a conductivity type opposite to that of a semiconductor substrate on a semiconductor substrate, forming a protective film on the semiconductor portion, printing an etching paste on the protective film, and then applying a conductive metal material. A method of forming an electrode is disclosed. However, according to this technique, the degree to which etching is performed cannot be visually recognized.

본 발명의 목적은 에칭이 되는 정도를 시인할 수 있고, 낮은 건조 온도에서 에칭이 가능하고, 에칭 과정 중 또는 완료 후 패턴의 끝단부에서 에칭의 번짐을 막아 저항 상승을 방지할 수 있는 에칭 페이스트를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an etching paste which can visually recognize the degree of etching, which can be etched at a low drying temperature, and which prevents the bleeding of the etching at the end of the pattern during or after the etching process to prevent an increase in resistance. To provide.

본 발명의 다른 목적은 에칭 부위의 선택성(해상도)을 높일 수 있으며, 미세 선폭의 구현이 가능하고, 에칭성이 좋으며, 설비에 영향도가 적은 에칭 페이스트를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an etching paste capable of increasing selectivity (resolution) of an etching site, realizing fine line width, having good etching property, and having low influence on equipment.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 에칭 페이스트를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a method for producing the etching paste.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 에칭 페이스트를 사용한 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다. Still another object of the present invention is to provide a pattern forming method using the etching paste.

발명의 일 관점인 에칭 페이스트는 산 화합물; 유기 바인더; 아민계 화합물 및 암모늄계 화합물 중 하나 이상 선택된 화합물; 코발트 알루미늄 산화물 ; 및 용제를 포함할 수 있다. Etching paste in one aspect of the invention is an acid compound; Organic binders; At least one compound selected from an amine compound and an ammonium compound; Cobalt aluminum oxide; And a solvent.

일 구체예에서, 상기 코발트 알루미늄 산화물은 상기 에칭 페이스트 중 1~20중량%로 포함될 수 있다.In one embodiment, the cobalt aluminum oxide may be included in 1 to 20% by weight of the etching paste.

일 구체예에서, 상기 에칭 페이스트 중 상기 산 화합물은 15~50중량%, 상기 유기 바인더는 3~20중량%, 상기 아민계 화합물 및 암모늄계 화합물 중 하나 이상 선택된 화합물은 0.1~10중량%, 상기 코발트 알루미늄 산화물은 1~20중량%, 상기 용제는 잔량으로 포함될 수 있다.In one embodiment, 15 to 50% by weight of the acid compound of the etching paste, 3 to 20% by weight of the organic binder, 0.1 to 10% by weight of one or more compounds selected from the amine compound and the ammonium compound, Cobalt aluminum oxide is 1 to 20% by weight, the solvent may be included in the remaining amount.

일 구체예에서, 상기 에칭 페이스트는 유기산, 무기입자, 발포제, 레벨링제, 소포제, 증점제, 틱소제, 가소제, 분산제, 점도 안정제, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 더 포함될 수 있다.In one embodiment, the etching paste is at least one selected from the group consisting of organic acids, inorganic particles, blowing agents, leveling agents, defoamers, thickeners, thixotropic agents, plasticizers, dispersants, viscosity stabilizers, ultraviolet stabilizers, antioxidants and coupling agents. It may be further included.

본 발명의 다른 관점인 패턴 형성 방법은 피식각물이 증착된 기판에 상기 제 에칭 페이스트를 인쇄하고; 상기 페이스트를 건조하고; 그리고 상기 페이스트를 수세하여 패턴을 형성시키는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of forming a pattern, the method comprising: printing the etching paste on a substrate on which an etching target is deposited; Drying the paste; And washing the paste to form a pattern.

본 발명은 에칭이 되는 정도를 시인할 수 있고, 낮은 건조 온도에서 에칭이 가능하고, 에칭 과정 중 또는 완료 후 형성된 패턴의 끝단부에서 에칭의 번짐을 막아 저항 상승을 방지할 수 있는 에칭 페이스트를 제공하였다. 또한, 본 발명은 에칭 부위의 선택성(해상도)을 높일 수 있으며, 미세 선폭의 구현이 가능하고, 에칭성이 좋으며, 설비에 영향도가 적은 에칭 페이스트를 제공하였다. 또한, 본 발명은 상기 에칭 페이스트의 제조 방법 및 이를 사용한 패턴 형성 방법을 제공하였다. The present invention provides an etching paste which can visually recognize the degree of etching, can be etched at a low drying temperature, and prevents the bleeding of the etching at the end of the formed pattern during or after the etching process, thereby preventing a rise in resistance. It was. In addition, the present invention provides an etching paste capable of increasing selectivity (resolution) of an etching site, realizing fine line width, having good etching property, and having low influence on equipment. In addition, the present invention provides a method of manufacturing the etching paste and a pattern forming method using the same.

도 1은 본 발명에 따른 패턴 형성 과정을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 패턴 형성방법의 순서도이다.
도 3은 실시예 1에 따른 에칭 후 패턴의 끝단부를 나타낸 것이다.
도 4는 비교예 1에 따른 에칭 후 패턴의 끝단부를 나타낸 것이다.1 schematically illustrates a pattern forming process according to the present invention.
2 is a flow chart of the pattern forming method of the present invention.
3 shows the end portion of the pattern after etching according to Example 1. FIG.
Figure 4 shows the end of the pattern after the etching according to Comparative Example 1.

본 발명의 일 관점인 에칭 페이스트는 산 화합물; 유기 바인더; 아민계 화합물 및 암모늄계 화합물 중 하나 이상 선택된 화합물; 코발트 알루미늄 산화물 ; 및 용제를 포함할 수 있다.Etching paste in one aspect of the present invention is an acid compound; Organic binders; At least one compound selected from an amine compound and an ammonium compound; Cobalt aluminum oxide; And a solvent.

산 화합물Acid compound

산 화합물은 에칭 페이스트가 작용할 피식각물, 예를 들면 금속 또는 ITO(indium tin oxide)를 식각할 수 있는 화합물이라면 제한없이 사용 가능하다. 예를 들면, 산 화합물은 인산(phosphoric acid), 플루오르화 수소(hydrogen fluoride), 플루오르화 암모늄(ammonium fluoride), 플루오르화 수소 암모늄(ammonium hydrogen fluoride) 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.The acid compound may be used without limitation as long as it is a compound capable of etching an etchant, for example, a metal or indium tin oxide (ITO), to which the etching paste will act. For example, the acid compound may include phosphoric acid, hydrogen fluoride, ammonium fluoride, ammonium hydrogen fluoride or mixtures thereof.

바람직하게는 인산을 사용할 수 있다.Preferably phosphoric acid can be used.

산 화합물은 80% 이상, 바람직하게는 85~90%의 농도(중량 기준)를 갖는 산 용액(예를 들면, 인산 수용액)으로 사용할 수 있다. The acid compound can be used as an acid solution (for example, an aqueous solution of phosphoric acid) having a concentration (by weight) of 80% or more, preferably 85 to 90%.

산 화합물 또는 산 화합물을 포함하는 용액은 에칭 페이스트 중 15~50중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 식각력이 우수하고, 설비 손상에 대한 영향이 적을 수 있다. 바람직하게는 20~35중량%, 더 바람직하게는 25~30중량%로 포함될 수 있다. The acid compound or the solution containing the acid compound may be included in 15 to 50% by weight of the etching paste. Within this range, the etching power is excellent, and the influence on the damage of the equipment may be small. Preferably it may be included in 20 to 35% by weight, more preferably 25 to 30% by weight.

유기 바인더Organic binder

유기 바인더는 에칭 페이스트의 인쇄를 위해 에칭 페이스트의 점도와 도포 (printability) 특성을 좋게 할 수 있다. The organic binder can improve the viscosity and printability characteristics of the etching paste for printing the etching paste.

유기 바인더는 메틸 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스, 히드록시 에틸 셀룰로오스, 히드록시 프로필 셀룰로오스, 카르복실 메틸 셀룰로오스, 카르복실 메틸 셀룰로오스 나트륨, 카복시메틸 히드록시 에틸 셀룰로오스 나트륨, 니트로 셀룰로오스 등을 포함하는 셀룰로오스계 유도체, 잔탄검, 스타치, 젤라틴, 폴리비닐부티랄, 폴리아미드 레진, 틱소톤(thixoton), 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐 알코올, 히드록시기 또는 카르복실기 등의 친수성을 가지는 아크릴 모노머로 공중합시킨 아크릴계 고분자 등을 포함하는 수용성 (메타)아크릴 수지, 폴리에테르-폴리올, 및 폴리에테르우레아-폴리우레탄 등이 사용될 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다. Organic binders include cellulose derivatives, xanthan gum, including methyl cellulose, ethyl cellulose, hydroxy ethyl cellulose, hydroxy propyl cellulose, carboxy methyl cellulose, carboxy methyl cellulose sodium, carboxymethyl hydroxy ethyl cellulose sodium, nitrocellulose, and the like. And acrylic polymers copolymerized with acrylic monomers having hydrophilic properties such as starch, gelatin, polyvinyl butyral, polyamide resin, thixoton, polyvinylpyrrolidone, polyvinyl alcohol, hydroxy or carboxyl groups, and the like. Water-soluble (meth) acrylic resins, polyether-polyols, polyetherurea-polyurethanes, and the like may be used, but are not necessarily limited thereto. These may be used alone or in combination of two or more.

유기 바인더는 에칭 페이스트 중 3~20중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 적절한 점도를 유지하여 도포성을 좋게 할 수 있다. 바람직하게는 5~15중량%, 더 바람직하게는 5~10중량%로 포함될 수 있다.The organic binder may be included in 3 to 20% by weight of the etching paste. Within this range, the applicability can be improved by maintaining an appropriate viscosity. Preferably it may be included in 5 to 15% by weight, more preferably 5 to 10% by weight.

아민계Amine system 화합물 및 암모늄계 화합물 중 하나 이상 선택된 화합물 At least one compound selected from compounds and ammonium compounds

아민계 화합물 및 암모늄계 화합물은 산 화합물과 반응하여 착물을 형성하고, 상기 착물은 100~250℃에서 분리되어 에칭 기능을 갖는다. The amine compound and the ammonium compound react with an acid compound to form a complex, and the complex is separated at 100 to 250 ° C. to have an etching function.

아민계 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있다: The amine compound may be represented by the following Chemical Formula 1:

<화학식 1>&Lt; Formula 1 >

(R)n-N-Hm (R) n- NH m

(상기에서 R은 탄소수 1~12의 알킬기, 탄소수 6~12의 치환 혹은 비치환된 아릴기, 탄소수 7~15의 치환 혹은 비치환된 아릴알킬기이고, n은 1~3, m은 0~2이고, n+m은 3임)(Wherein R is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylalkyl group having 7 to 15 carbon atoms, n is 1 to 3, and m is 0 to 2) N + m is 3)

바람직하게는, R은 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 탄소수 7~10의 아릴알킬기이다.Preferably, R is a C1-C10 alkyl group or a C7-C10 arylalkyl group.

바람직하게는 n은 1~2이고, m은 1~2이다. Preferably n is 1-2 and m is 1-2.

아민계 화합물의 예로는 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 부틸아민, 도데실아민, 벤질아민 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.Examples of the amine compound include methylamine, ethylamine, propylamine, butylamine, dodecylamine, benzylamine, and the like, but are not necessarily limited thereto. These may be used alone or in combination of two or more.

'치환 또는 비치환된'에서 치환기는 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 6~10의 아릴기가 될 수 있다. In 'substituted or unsubstituted', the substituent may be an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.

암모늄계 화합물은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다: Ammonium compounds can be represented by the following formula (2):

<화학식 2> (2)

(NH4)kX(NH 4 ) k X

(상기에서 X는 OH, CO3 또는 CO2NH2이고, k는 1~2이다).(Wherein X is OH, CO 3 or CO 2 NH 2 , and k is 1-2).

상기 암모늄계 화합물의 예로는 암모니아수, 암모늄 카보네이트 및 암모늄 카바메이트 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다. Examples of the ammonium-based compound include ammonia water, ammonium carbonate and ammonium carbamate, but are not necessarily limited thereto. These may be used alone or in combination of two or more.

바람직하게는, 암모늄계 화합물로 암모니아수가 사용될 수 있다. Preferably, ammonia water may be used as the ammonium compound.

아민계 화합물과 암모늄계 화합물을 서로 혼합하여 사용할 수도 있다. An amine compound and an ammonium compound can also be mixed and used.

아민계 화합물 및 암모늄계 화합물은 상기 산 화합물에 대한 몰 비가 1~1.5일 수 있다. 상기 범위에서, 인쇄성을 저하시키지 않고 중화시킬 수 있다. 바람직하게는 산 화합물:아민계 화합물, 암모늄계 화합물 또는 이들의 혼합물의 몰비는 1:1.1 내지 1:1.3이다. The amine compound and the ammonium compound may have a molar ratio of 1 to 1.5 with respect to the acid compound. Within this range, it is possible to neutralize without degrading the printability. Preferably the molar ratio of acid compound: amine compound, ammonium compound or mixture thereof is from 1: 1.1 to 1: 1.3.

아민계 화합물 및 암모늄계 화합물 중 하나 이상 선택된 화합물은 에칭 페이스트 중 0.1~10중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 에칭성이 우수하고, 설비 손상에 대한 영향이 적을 수 있다. 바람직하게는 0.1~1중량%, 더 바람직하게는 0.1~0.5중량%로 포함될 수 있다.The at least one compound selected from the amine compound and the ammonium compound may be included in an amount of 0.1 to 10% by weight in the etching paste. Within this range, the etching property is excellent, and the influence on equipment damage can be small. Preferably 0.1 to 1% by weight, more preferably 0.1 to 0.5% by weight may be included.

코발트 알루미늄 산화물Cobalt aluminum oxide

본 발명의 에칭 페이스트는 스크린 인쇄법을 통해 금속 패턴을 형성할 수 있다. 에칭 페이스트를 피시각물 위에 인쇄하고, 열 처리 등을 포함하여 건조시키고, 수세함으로써 금속 패턴을 형성한다. The etching paste of the present invention can form a metal pattern through screen printing. The etching paste is printed on the object to be dried, dried including water treatment, and washed with water to form a metal pattern.

이러한 금속 패턴 현성에 있어서, 열 처리 온도를 높일수록 에칭이 더 많이 진행되게 된다. 에칭 정도에 따라 코발트 알루미늄 산화물은 청색에서 흑색으로 변한다. 이를 통해, 에칭이 되는 정도, 기판에서 에칭이 되는 위치, 또는 열 처리 전후 기판의 상태를 육안으로 확인할 수 있게 한다.In this metal pattern development, the higher the heat treatment temperature, the more the etching proceeds. Depending on the degree of etching, the cobalt aluminum oxide changes from blue to black. As a result, the degree of etching, the position of etching on the substrate, or the state of the substrate before and after the heat treatment can be visually confirmed.

또한, 코발트 알루미늄 산화물은 저온 예를 들면 열처리 온도 100~150℃에서도 에칭이 가능하게 하여 일정 범위의 패턴, 예를 들면 미세 선폭 50㎛~200㎛을 확보하게 할 수 있다. 물론, 열처리 온도를 높일수록 미세 패턴의 구현이 가능함은 당연하다. In addition, the cobalt aluminum oxide can be etched at a low temperature, for example, a heat treatment temperature of 100 to 150 ° C., thereby ensuring a pattern in a predetermined range, for example, a fine line width of 50 μm to 200 μm. Of course, as the heat treatment temperature is increased, the fine pattern can be realized.

또한, 코발트 알루미늄 산화물은 산화물 자체도 에칭이 되어 에칭이 일어나는 금속의 말단부에서 에칭의 번짐을 막아주는 효과도 있어 기존의 에칭 번짐으로 인한 저항 상승을 방지할 수 있다. In addition, the cobalt aluminum oxide also has the effect of preventing the bleeding of the etching at the end portion of the metal where the oxide itself is also etched to prevent the increase in resistance due to the conventional etch spread.

코발트 알루미늄 산화물의 예로는 CoAl2O4가 될 수 있다.An example of cobalt aluminum oxide may be CoAl 2 O 4 .

코발트 알루미늄 산화물은 나노 크기의 분말로서, 평균 입경(D50)은 제한되지 않지만, 0.001㎛~5㎛, 바람직하게는 0.1㎛~2㎛, 더 바람직하게는 0.1㎛~1.0㎛가 될 수 있다.Cobalt aluminum oxide is a nano-sized powder, the average particle diameter (D50) is not limited, but may be 0.001㎛ ~ 5㎛, preferably 0.1㎛ ~ 2㎛, more preferably 0.1㎛ ~ 1.0㎛.

코발트 알루미늄 산화물은 에칭 페이스트 중 1~20중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 인쇄성 및 인쇄 후 해상도가 우수하고, 또한 우수한 시인성을 가질 수 있다. 바람직하게는 1~15중량%로 포함될 수 있다.Cobalt aluminum oxide may be included in 1 to 20% by weight of the etching paste. It is excellent in printability and the post-printing resolution in the said range, and can also have the outstanding visibility. Preferably it may be included in 1 to 15% by weight.

용제solvent

용제는 에칭 페이스트의 수용성을 현저하게 저해하는 것이 아니면 특별히 제한은 없다. 예를 들면, 물(증류수 포함), NMP(n-methylpyrrolidone), 에틸렌 글리콜 부틸 에테르, 프로필렌 카보네이트, 에틸렌 글리콜, N-메틸-2-피리돈, 에틸렌 글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 아세테이트, 테트라에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리메틸렌 글리콜, 글리세릴 디아세테이트, 헥실렌 글리콜, 디프로필 글리콜, 옥실렌 글리콜, 1, 2, 6-헥산트리올, 글리세린 등이 사용될 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. The solvent is not particularly limited as long as it does not significantly inhibit the water solubility of the etching paste. For example, water (including distilled water), n-methylpyrrolidone (NMP), ethylene glycol butyl ether, propylene carbonate, ethylene glycol, N-methyl-2-pyridone, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol, diethylene glycol acetate , Tetraethylene glycol, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, trimethylene glycol, glyceryl diacetate, hexylene glycol, dipropyl glycol, oxylene glycol, 1, 2, 6-hexanetriol, glycerin and the like can be used. It is not necessarily limited thereto. These may be used alone or in combination of two or more.

용제는 에칭 페이스트 중 산 화합물, 유기 바인더, 아민계 화합물 및 암모늄계 화합물 중 하나 이상 선택된 화합물, 및 코발트 알루미늄 산화물, 추가로 하기의 첨가제를 제외한 잔량으로 포함될 수 있다. 구체예에서는, 에칭 페이스트 중 25~60중량%, 더욱 바람직하게는 35~55중량%로 포함될 수 있다.The solvent may be included in the remaining amount of the etching paste except for an acid compound, an organic binder, an amine compound and an ammonium compound, and cobalt aluminum oxide, and the following additives. In embodiments, it may be included in 25 to 60% by weight, more preferably 35 to 55% by weight of the etching paste.

본 발명의 에칭 페이스트는 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 유기산, 무기입자, 발포제, 레벨링제, 소포제, 증점제, 틱소제, 가소제, 분산제, 점도 안정제, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 포함한다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다. 이들은 모두 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상용적으로 구입하여 사용할 수 있을 정도로 공지된 것이므로 구체적인 예와 이에 대한 설명은 생략하기로 한다. The etching paste of the present invention may further include conventional additives as necessary to improve the flow characteristics, process characteristics and stability. The additives include organic acids, inorganic particles, blowing agents, leveling agents, antifoaming agents, thickeners, thixotropic agents, plasticizers, dispersants, viscosity stabilizers, ultraviolet stabilizers, antioxidants, coupling agents and the like. These may be used alone or in combination of two or more. These are all known enough to be commercially available to those of ordinary skill in the art, so specific examples and descriptions thereof will be omitted.

유기산은 아세트산, 젖산, 말론산 및 시트르산 등이 사용될 수 있다. 상기 유기산은 에칭 페이스트 중 0.1~10중량%, 바람직하게는 1~5중량%로 투입할 수 있다. The organic acid may be acetic acid, lactic acid, malonic acid, citric acid and the like. The organic acid may be added at 0.1 to 10% by weight, preferably 1 to 5% by weight in the etching paste.

또한 무기입자는 실리카, 카본블랙, 철계 안료, 티타늄 디옥사이드 등이 사용될 수 있다. 상기 무기 입자에 대한 상기 코발트 알루미늄 산화물의 중량비는 0.1~7, 바람직하게는 0.4~6.5가 될 수 있다. 상기 무기입자는 에칭 페이스트 중 1~15중량%, 바람직하게는 1~5중량%로 투입할 수 있다. In addition, the inorganic particles may be used, such as silica, carbon black, iron pigments, titanium dioxide. The weight ratio of the cobalt aluminum oxide to the inorganic particles may be 0.1 to 7, preferably 0.4 to 6.5. The inorganic particles may be added in 1 to 15% by weight, preferably 1 to 5% by weight of the etching paste.

본 발명의 에칭 페이스트의 제조방법은 유기 바인더를 용제에 용해시켜 바인더 용액을 제조하고; 코발트 알루미늄 산화물; 및 추가로 첨가제를 투입하고; 얻은 용액에 산 화합물과 상기 화학식 1로 표시되는 아민계 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 암모늄계 화합물 중 하나 이상 선택된 화합물을 투입하여 반응시키는 단계를 포함한다. The method for producing an etching paste of the present invention comprises dissolving an organic binder in a solvent to prepare a binder solution; Cobalt aluminum oxide; And further adding an additive; And reacting an acid compound with one or more selected compounds of an amine compound represented by Formula 1 and an ammonium compound represented by Formula 2 to the obtained solution.

본 발명의 다른 관점은 상기 페이스트를 이용한 패턴 형성방법에 관한 것이다. 도 1은 본 발명에 따른 패턴 형성 과정을 개략적으로 도시한 것이며, 도 2는 본 발명의 패턴 형성방법의 순서도이다. Another aspect of the present invention relates to a pattern forming method using the paste. 1 is a view schematically showing a pattern forming process according to the present invention, Figure 2 is a flow chart of a pattern forming method of the present invention.

도시된 바와 같이, 기판(30)에 피식각물(20)을 증착시켜 피식각물(20)이 증착된 기판(30)을 형성한다(단계 a). 구체예에서 상기 피식각물은 금속 또는 ITO 일 수 있다. 상기 금속으로는 ATO, 알루미늄 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 증착은 금속 타겟을 이용, 진공 증착하여 수 Å~ 수 nm로 증착 시킬 수 있다.As shown, the etching target 20 is deposited on the substrate 30 to form the substrate 30 on which the etching target 20 is deposited (step a). In embodiments, the object may be a metal or ITO. The metal includes ATO, aluminum, and the like, but is not necessarily limited thereto. The deposition may be deposited by vacuum deposition using a metal target to a few Å ~ several nm.

이와 같이 피식각물이 증착된 기판에 상기 에칭 페이스트(10)를 인쇄한다(단계 b) 상기 에칭 페이스트(10)의 인쇄방법은 스크린 인쇄, 옵셋, 잉크젯 인쇄, 도포 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. As such, the etching paste 10 is printed onto the substrate on which the etching target is deposited (step b). The printing method of the etching paste 10 includes screen printing, offset, inkjet printing, and coating, but is not limited thereto. no.

이후, 상기 인쇄된 페이스트 (10)는 건조된다. 상기 건조는 벨트 건조로 혹은 box 건조로를 이용하여 건조할 수 있으며, 100 내지 250 ℃에서 수행할 수 있다. 상기 온도 범위에서 산과 착물이 분리되면서 에칭기능을 발휘할 수 있는 것이다. 바람직하게는 160 내지 230 ℃이다. 상기 건조 후 상온에서 5~60분 정도 방치하는 과정을 더 거칠 수 있다. Thereafter, the printed paste 10 is dried. The drying may be dried using a belt drying furnace or a box drying furnace, it may be carried out at 100 to 250 ℃. In the above temperature range, the acid and the complex are separated to exhibit an etching function. Preferably it is 160-230 degreeC. After the drying may be further subjected to the process of leaving for about 5 to 60 minutes at room temperature.

다음에 상기 건조된 페이스트를 수세하면 페이스트는 제거되고, 페이스트가 있던 자리는 식각되어 패턴을 형성할 수 있는 것이다(단계 c) 한 구체예에서는 물로 수세하여 페이스트를 제거할 수 있으며, 다른 구체예에서는 현상액을 사용하는 현상기로 페이스트를 제거할 수 있다.Next, when the dried paste is washed with water, the paste is removed, and the place of the paste is etched to form a pattern (step c). In one embodiment, the paste may be washed with water to remove the paste. The paste can be removed with a developer using a developer.

본 발명의 또 다른 관점인 패턴 형성체는 상기 에칭 페이스트를 사용하여 제조된 패턴을 포함할 수 있다. 패턴 형성체는 제한되지 않지만, 태양전지, LCD, OLED, PDP 등이 될 수 있다.
A pattern former, which is another aspect of the present invention, may include a pattern manufactured using the etching paste. The pattern forming body is not limited, but may be a solar cell, an LCD, an OLED, a PDP, or the like.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다. Hereinafter, the configuration and operation of the present invention through the preferred embodiment of the present invention will be described in more detail. It is to be understood, however, that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed in a limiting sense.

여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.The contents not described here are sufficiently technically inferior to those skilled in the art, and a description thereof will be omitted.

실시예Example 및  And 비교예Comparative Example

하기 표 1에 기재된 성분 및 함량(단위:중량%)으로 에칭 페이스트를 제조하였다.An etching paste was prepared using the ingredients and contents (unit: wt%) described in Table 1 below.

증류수를 0~5℃로 냉각하여 2000rpm으로 교반하면서 히드록시 프로필 셀룰로오즈(에쉬랜드社, L-IND)를 투입하여 2시간 동안 용해시킨 후, 상온으로 올려 NMP(알드리치社)를 투입하여 유기 바인더 용액을 제조하였다. 상기 제조된 용액에 실리카(데구사, A200), 아세트산(알드리치社), 코발트 알루미늄 산화물(토마텍, grade:5462, CoAl2O4, 평균입경(D50):0.8㎛)을 투입하여 비드 밀(beads mill) 또는 3-롤밀(roll mill)로 페이스트를 제조하였다. 상기 제조된 페이스트를 교반하면서 인산(알드리치社, 인산 수용액, 농도:85%)을 적하하면서 교반 후 암모니아수(알드리치社, 농도:35%) 또는 메틸아민(알드리치社)을 적하하면서 3시간 교반하여 에칭 페이스트를 제조하였다. After distilled water was cooled to 0 ~ 5 ℃, hydroxypropyl cellulose (Hashland, L-IND) was added and dissolved for 2 hours while stirring at 2000rpm. Was prepared. Silica (Degussa, A200), acetic acid (Aldrich), cobalt aluminum oxide (Tomatec, grade: 5462, CoAl 2 O 4 , an average particle diameter (D 50): 0.8 μm was added thereto to prepare a paste in a bead mill or a 3-roll mill. Phosphoric acid (Aldrich, aqueous solution of phosphoric acid, concentration: 85%) was added dropwise while stirring the prepared paste, followed by ammonia water (Aldrich, concentration: 35%) after stirring. Or methylamine (Aldrich Co., Ltd.) was dripped for 3 hours, and the etching paste was prepared.

비교예 2에서 코발트 알루미늄 산화물 대신에 카본 블랙(미츠비시사, grade:L600, ketjen black)을 포함시켰다.In Comparative Example 2, instead of cobalt aluminum oxide, carbon black (Mitsubishi Corporation, grade: L600, ketjen black) was included.

실시예Example 비교예Comparative Example 1One 22 33 44 1One 22 산 화합물(인산)Acid compound (phosphate) 29.129.1 27.827.8 29.129.1 29.129.1 29.129.1 29.129.1 유기 바인더Organic binder 9.09.0 8.68.6 9.09.0 9.09.0 9.09.0 9.09.0 아민 또는
암모늄 화합물Amine or
Ammonium compound 암모니아수ammonia 0.40.4 0.40.4 -- 0.40.4 0.40.4 0.40.4 메틸아민Methylamine -- -- 0.40.4 -- -- -- 코발트 알루미늄 산화물Cobalt aluminum oxide 10.110.1 13.913.9 10.110.1 1.01.0 -- -- 첨가제additive 실리카Silica 2.22.2 2.22.2 2.22.2 2.22.2 2.22.2 2.22.2 아세트산Acetic acid 4.54.5 4.34.3 4.54.5 4.54.5 4.54.5 4.54.5 용제solvent 증류수Distilled water 33.533.5 32.132.1 33.533.5 42.642.6 43.643.6 33.533.5 NMPNMP 11.211.2 10.710.7 11.211.2 11.211.2 11.211.2 11.211.2 카본 블랙Carbon black -- -- -- -- -- 10.110.1 합계Sum 100100 100100 100100 100100 100100 100100

상기 실시예 및 비교예에서 제조한 에칭 페이스트로 하기와 같이 금속 패턴을 제조하였다. The metal pattern was manufactured as follows with the etching paste manufactured by the said Example and the comparative example.

금속패턴의 형성Formation of metal patterns

ITO가 증착된 유리 기판(PD200 ; 아사히 글라스)에 30~150㎛의 패턴을 갖는 Sus 400 mesh 스크린 마스크를 이용하여 에칭 페이스트를 인쇄하였다. 100, 150 또는 200℃로 온도를 변경하면서 벨트 건조로 또는 box 건조로를 이용하여 건조시키고, 상온에서 20분 방치하였다. sodium carbonate 0.1% 농도의 현상액을 사용하는 현상기로 도포된 에칭 페이스트를 제거하여 패턴을 제조하였다. An etching paste was printed on a glass substrate (PD200; Asahi Glass) on which ITO was deposited using a Sus 400 mesh screen mask having a pattern of 30 to 150 μm. It dried using the belt drying furnace or box drying furnace, changing temperature to 100, 150, or 200 degreeC, and it was left to stand at room temperature for 20 minutes. The pattern was prepared by removing the etching paste applied with a developer using a developer at a concentration of 0.1% sodium carbonate.

실험예Experimental Example

상기 제조한 패턴에 대해 인쇄 resolution, 에칭 정도 시인성 여부 및 에칭 완료 후 저항값(패턴 사진 포함)을 측정하고, 그 결과를 도 3~4 및 표 2~3에 나타내었다. The printed resolution, the degree of visibility of the etching degree, and the resistance value (including the pattern photograph) after the completion of etching were measured for the prepared pattern, and the results are shown in FIGS. 3 to 4 and Tables 2-3.

(1)인쇄 resolution: 30 - 200 ㎛까지 형성된 screen 마스크를 이용하여 ITO가 증착된 유리 기판(PD200; 아사히 글라스)에 에칭 페이스트를 인쇄 후 패턴의 끊김 혹은 비에칭 영역의 침범이 없는 패턴을 해상도의 한계치로 표현하였다. (1) Printing resolution: After etching paste was printed on ITO-deposited glass substrate (PD200; Asahi Glass) using screen mask formed up to 30-200 ㎛, the pattern without breakage of pattern or invasion of non-etching area was Expressed as limit value.

(2)에칭 정도 시인성 여부: 50㎛의 패턴을 갖는 Sus 400 mesh 스크린 마스크를 이용하여 에칭 페이스트를 인쇄하였다. 100, 150 또는 200℃로 온도를 변경하면서 벨트 건조로 또는 box 건조로를 이용하여 동일 시간 동안 건조시켰다. 상온에서 20분 방치한 후, 실체 현미경(배율 1.5배)로 배선이미지를 촬영 후, 이미지 분석프로그램(image pro)을 사용하여 청색 면적에 대한 흑색 면적의 비를 구한다. 열면적비 값이 높을수록 에칭이 더 많이 이루어졌음을 나타낸다. (2) Etching degree visibility: An etching paste was printed using a Sus 400 mesh screen mask having a pattern of 50 µm. It was dried for the same time using a belt drying furnace or a box drying furnace while changing the temperature to 100, 150 or 200 ° C. After standing at room temperature for 20 minutes, the wiring image was taken with a stereo microscope (magnification of 1.5 times), and then a ratio of the black area to the blue area was obtained using an image analysis program. Higher thermal area ratio values indicate more etching.

(3)에칭 후 저항값: 에칭된 배선에서 50mm 길이로 저항측정계인 2-probe 저항측정기(키엔스社)로 저항을 측정하였다.(3) Resistance value after etching: Resistance was measured by 2-probe resistance measuring instrument (Keyence Co., Ltd.) which is 50mm in length in the etched wiring.

실시예 Example 비교예 Comparative Example 1One 22 33 44 1One 22 100℃ 열처리 후
인쇄 resolution(㎛)After 100 ℃ Heat Treatment
Printing resolution (μm) 200200 200200 에칭 안됨Not etched 에칭 안됨Not etched 에칭 안됨Not etched 에칭 안됨Not etched 150℃ 열처리 후
인쇄 resolution(㎛)After 150 ℃ heat treatment
Printing resolution (μm) 100100 100100 200200 200200 200200 200200 200℃ 열처리 후
인쇄 resolution(㎛)After 200 ℃ Heat Treatment
Printing resolution (μm) 6060 5050 100100 8080 150150 6060

실시예 Example 비교예 Comparative Example 1One 22 33 44 1One 22 100℃ 열처리 후 면적비Area ratio after 100 ℃ heat treatment 5050 5050 2020 3030 00 100100 150℃ 열처리 후 면적비Area ratio after 150 ℃ heat treatment 7575 7575 4040 7070 00 100100 200℃ 열처리 후 면적비Area ratio after 200 ℃ heat treatment 100100 100100 8080 9595 00 100100 에칭 후 저항값(Ω)
＠200℃, 50㎛Resistance value after etching (Ω)
＠ 200 ℃, 50㎛ 5,0005,000 ∞∞ 160160 400400 200200 3,8003,800

상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명의 에칭 페이스트는 100℃, 150℃의 저온 열처리에서도 에칭이 가능하여 100㎛ 이상의 미세 선폭의 구현이 가능하였다. 그에 비해 코발트 알루미늄 산화물을 포함하지 않거나 카본 블랙을 포함하는 페이스트는 동일 저온 열처리에서 에칭특성이 부족하였다.As shown in Table 2, the etching paste of the present invention can be etched even at low temperature heat treatment of 100 ℃, 150 ℃ it was possible to implement a fine line width of 100㎛ or more. In contrast, pastes containing no cobalt aluminum oxide or containing carbon black lacked etching characteristics at the same low temperature heat treatment.

또한, 상기 표 3에서 나타난 바와 같이, 본 발명의 에칭 페이스트는 열 처리 온도를 높일수록 청색 면적에 대한 흑색 면적의 비율이 점차적으로 높아지고 이러한 양상을 육안으로 확인할 수 있음에 따라 에칭 정도를 색상의 변화로 판별할 수 있게 하였다. 그에 반해, 코발트 알루미늄 산화물을 포함하지 않거나 카본 블랙을 포함하는 페이스트는 본 발명의 효과를 얻을 수 없었다. 또한, 본 발명의 에칭 페이스트는 도 3에서와 같이 패턴 끝단부의 번짐 없이 깨끗한 단면을 보여주었고 저항값도 낮았다. 반면에, 도 4에서와 같이 코발트 알루미늄 산화물을 포함하지 않거나 카본 블랙을 포함하는 페이스트는 본 발명의 효과를 얻을 수 없었다.
In addition, as shown in Table 3, the etching paste of the present invention gradually increases the ratio of the black area to the blue area as the heat treatment temperature is increased, and the degree of etching may be changed according to the naked eye. It can be determined as. In contrast, pastes containing no cobalt aluminum oxide or containing carbon black could not obtain the effects of the present invention. In addition, the etching paste of the present invention showed a clean cross section without bleeding at the end of the pattern as shown in FIG. 3 and had a low resistance. On the other hand, a paste containing no cobalt aluminum oxide or containing carbon black as in FIG. 4 could not obtain the effect of the present invention.

이상 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the embodiments described above are in all respects illustrative and not restrictive.

Claims (11)

산 화합물; 유기 바인더; 아민계 화합물 및 암모늄계 화합물 중 하나 이상 선택된 화합물; 코발트 알루미늄 산화물; 및 용제를 포함하는 에칭 페이스트.Acid compounds; Organic binders; At least one compound selected from an amine compound and an ammonium compound; Cobalt aluminum oxide; And a solvent comprising a solvent. 제1항에 있어서, 상기 코발트 알루미늄 산화물은 상기 에칭 페이스트 중 1~20중량%로 포함되는 에칭 페이스트.The etching paste of claim 1, wherein the cobalt aluminum oxide is included in an amount of 1 to 20% by weight of the etching paste. 제1항에 있어서, 상기 코발트 알루미늄 산화물은 평균입경(D50)이 0.001㎛~5㎛인 에칭 페이스트.The etching paste of claim 1, wherein the cobalt aluminum oxide has an average particle diameter (D50) of 0.001 μm to 5 μm. 제1항에 있어서, 상기 아민계 화합물 및 암모늄계 화합물중 하나 이상 선택된 화합물은 상기 산 화합물에 대한 몰비가 1~1.5인 에칭 페이스트.The etching paste of claim 1, wherein the compound selected from at least one of the amine compound and the ammonium compound has a molar ratio of 1 to 1.5 with respect to the acid compound. 제1항에 있어서, 상기 아민계 화합물은 하기 화학식 1로 표시되고, 상기 암모늄계 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 에칭 페이스트:
<화학식 1>
(R)n-N-Hm
(상기에서 R은 탄소수 1~12의 알킬기, 탄소수 6-12의 치환 혹은 비치환된 아릴기, 탄소수 7~15의 치환 혹은 비치환된 아릴알킬기이고, n은 1~3, m은 0~2이고, n+m은 3이다)
<화학식 2>
(NH4)kX
(상기에서 X는 CO3, OH 또는 CO2NH2이고, k는 1~2이다).The etching paste of claim 1, wherein the amine compound is represented by Formula 1, and the ammonium compound is represented by Formula 2:
&Lt; Formula 1 >
(R) n- NH m
(Wherein R is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl alkyl group having 7 to 15 carbon atoms, n is 1 to 3, and m is 0 to 2) N + m is 3)
(2)
(NH 4 ) k X
(Wherein X is CO 3 , OH or CO 2 NH 2 , and k is 1-2). 제1항에 있어서, 상기 산 화합물은 인산(phosphoric acid), 플루오르화 수소(hydrogen fluoride), 플루오르화 암모늄(ammonium fluoride), 플루오르화 수소 암모늄(ammonium hydrogen fluoride) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 에칭 페이스트.The etching paste of claim 1, wherein the acid compound comprises phosphoric acid, hydrogen fluoride, ammonium fluoride, ammonium hydrogen fluoride, or a mixture thereof. . 제1항에 있어서, 상기 유기 바인더는 메틸 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스, 히드록시 에틸 셀룰로오스, 히드록시 프로필 셀룰로오스, 카르복실 메틸 셀룰로오스, 카르복실 메틸 셀룰로오스 나트륨, 카복시메틸 히드록시 에틸 셀룰로오스 나트륨, 니트로 셀룰로오스, 잔탄검, 스타치, 젤라틴, 폴리비닐부티랄, 폴리아미드 레진, 틱소톤(thixoton), 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐 알코올, 히드록시기 또는 카르복실기를 갖는 아크릴 모노머로 공중합시킨 아크릴계 고분자, 수용성 (메타)아크릴 수지, 폴리에테르-폴리올, 및 폴리에테르우레아-폴리우레탄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 에칭 페이스트.The method of claim 1, wherein the organic binder is methyl cellulose, ethyl cellulose, hydroxy ethyl cellulose, hydroxy propyl cellulose, carboxy methyl cellulose, carboxy methyl cellulose sodium, carboxymethyl hydroxy ethyl cellulose sodium, nitro cellulose, xanthan gum , Acrylic polymer copolymerized with acrylic monomer having starch, gelatin, polyvinyl butyral, polyamide resin, thixoton, polyvinylpyrrolidone, polyvinyl alcohol, hydroxy group or carboxyl group, water-soluble (meth) acrylic resin , At least one selected from the group consisting of polyether-polyols, and polyetherurea-polyurethanes. 제1항에 있어서, 상기 에칭 페이스트 중
상기 산 화합물은 15~50중량%,
상기 유기 바인더는 3~20중량%,
상기 아민계 화합물 및 암모늄계 화합물 중 하나 이상 선택된 화합물은 0.1-10중량%,
상기 코발트 알루미늄 산화물은 1~20중량%,
상기 용제는 잔량으로 포함되는 에칭 페이스트. The method of claim 1, wherein in the etching paste
The acid compound is 15 to 50% by weight,
The organic binder is 3 to 20% by weight,
0.1-10% by weight of at least one compound selected from the amine compound and the ammonium compound,
The cobalt aluminum oxide is 1 to 20% by weight,
Etching paste is contained in the remaining amount of the solvent. 제1항에 있어서, 상기 에칭 페이스트는 유기산, 무기입자, 발포제, 레벨링제, 소포제, 증점제, 틱소제, 가소제, 분산제, 점도 안정제, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 더 포함하는 에칭 페이스트. The method of claim 1, wherein the etching paste is at least one selected from the group consisting of organic acids, inorganic particles, foaming agents, leveling agents, defoamers, thickeners, thixotropic agents, plasticizers, dispersants, viscosity stabilizers, ultraviolet stabilizers, antioxidants and coupling agents. Etching paste further comprising. 제1항에 있어서, 상기 에칭 페이스트는 무기 입자를 더 포함하고,
상기 무기 입자에 대한 상기 코발트 알루미늄 산화물의 중량비는 0.1~7인 에칭 페이스트.The method of claim 1, wherein the etching paste further comprises inorganic particles,
An etching paste having a weight ratio of the cobalt aluminum oxide to the inorganic particles is 0.1 to 7. 피식각물이 증착된 기판에 상기 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 에칭 페이스트를 인쇄하고;
상기 페이스트를 건조하고; 그리고
상기 페이스트를 수세하여 패턴을 형성시키는;
단계를 포함하여 이루어지는 패턴 형성방법.

Printing the etching paste of any one of claims 1 to 10 on a substrate on which an etching target is deposited;
Drying the paste; And
Washing the paste to form a pattern;
Pattern forming method comprising the step.

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