KR20140004761A - Film forming apparatus, film forming method, method for manufacturing organic light emitting element, and organic light emitting element - Google Patents

Film forming apparatus, film forming method, method for manufacturing organic light emitting element, and organic light emitting element Download PDF

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Abstract

원하는 공증착을 행할 수 있는 성막 장치, 성막 방법, 유기 발광 소자의 제조 방법 및 유기 발광 소자를 제공한다. 성막 장치의 성막 헤드는 유기 성막 재료의 증기를 피처리 기판(G)을 향해 분출하는 유기 성막 재료 공급부(4)와, 무기 성막 재료의 증기를 피처리 기판(G)을 향해 분출하는 무기 성막 재료 공급부(5)를 구비한다. 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)는 수평 방향 및 수직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 분출구(41a, 51a)로부터 분출되는 유기 재료, 무기 재료의 혼합 비율이 두께 방향으로 상이한 상태로 성막되도록, 배치가 제어된다.Provided are a film forming apparatus, a film forming method, a method for producing an organic light emitting element, and an organic light emitting element capable of performing desired co-deposition. The film forming head of the film forming apparatus includes an organic film forming material supply unit 4 for ejecting vapor of the organic film forming material toward the processing target substrate G, and an inorganic film forming material for ejecting vapor of the inorganic film forming material toward the processing target substrate G. The supply part 5 is provided. The organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 are comprised so that a movement in the horizontal direction and the vertical direction is possible, The mixing ratio of the organic material and inorganic material which are ejected from the ejection opening 41a, 51a is carried out in the thickness direction. The arrangement is controlled so as to deposit in different states.

Description

성막 장치, 성막 방법, 유기 발광 소자의 제조 방법 및 유기 발광 소자{FILM FORMING APPARATUS, FILM FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT, AND ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT}Film-forming apparatus, film-forming method, manufacturing method of organic light emitting element, and organic light-emitting element {FILM FORMING APPARATUS, FILM FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT, AND ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT}

본 발명은, 유기 성막 재료 및 무기 성막 재료 중 2 종 이상의 혼합 증기를 피처리 기판으로 공급함으로써 공증착(共蒸着)을 행하는 성막 장치, 성막 방법, 이 성막 방법에 의해 성막하는 공정을 가지는 유기 발광 소자의 제조 방법 및 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention provides a film forming apparatus for performing co-deposition by supplying two or more kinds of mixed vapors from an organic film forming material and an inorganic film forming material to a substrate to be treated, an organic film having a film forming method, and a step of forming a film by the film forming method. A method for manufacturing a device and an organic light emitting device.

최근, 일렉트로루미네선스(EL : electroluminescence)를 이용한 유기 EL 소자가 개발되고 있다. 유기 EL 소자는 브라운관 등에 비해 소비 전력이 작고 또한 자발광이기 때문에, 액정 디스플레이(LCD)에 비해 시야각이 뛰어나다는 등의 이점이 있어, 향후의 발전이 기대되고 있다.Recently, organic EL devices using electroluminescence (EL: electroluminescence) have been developed. Since the organic EL element consumes less power and is self-luminous than a cathode ray tube or the like, there is an advantage that the viewing angle is superior to that of a liquid crystal display (LCD), and future development is expected.

유기 EL 소자의 가장 기본적인 구조는, 글라스 기판 상에 애노드(양극)층, 발광층 및 음극(캐소드)층을 적층하여 형성된 샌드위치 구조이다. 발광층의 광을 밖으로 취출하기 위하여, 글라스 기판 상의 애노드층에는 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 투명 전극이 이용된다.The most basic structure of an organic EL element is a sandwich structure formed by laminating an anode (anode) layer, a light emitting layer and a cathode (cathode) layer on a glass substrate. A transparent electrode made of ITO (Indium Tin Oxide) is used for the anode layer on the glass substrate in order to take out light from the light emitting layer to the outside.

또한 유기 EL 소자의 음극측에는, 음극층으로부터 발광층으로의 전자의 이동의 중개를 행하기 위하여, 발광층 상에 전자 수송층 및 전자 주입층(일함수 조정층)이 차례로 성막되어 있다. 전자 주입층으로서는 일함수가 작은 알칼리 금속, 예를 들면 세슘(Cs), 리튬(Li) 등이 이용되고, 전자 수송층에는 전자 수송성의 유기 재료, 예를 들면 Alq3(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)가 이용되고 있다. 전자 수송층 및 전자 주입층은, 각각 증착에 의해 성막된다.Further, on the cathode side of the organic EL element, an electron transport layer and an electron injection layer (work function adjusting layer) are sequentially formed on the light emitting layer in order to mediate the movement of electrons from the cathode layer to the light emitting layer. As the electron injection layer, an alkali metal having a small work function such as cesium (Cs), lithium (Li), or the like is used, and an electron transporting organic material such as Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum) is used as the electron transporting layer. ) Is used. The electron transport layer and the electron injection layer are each formed by vapor deposition.

특허 문헌 1, 2에는, 상술한 유기 EL 소자를 제조하는 성막 장치가 개시되어 있다. 이 성막 장치는, 피처리 기판인 글라스 기판을 성막 처리하는 처리실을 구비하고 있고, 성막 재료의 증기를 발생시키는 증기 발생부가 처리실의 외부에 배치되어 있다. 처리실의 내부에는, 배관을 통하여 증기 발생부에 접속되고, 증기 발생부에서 발생한 성막 재료의 증기를 글라스 기판을 향해 분출하는 증착 헤드가 설치되어 있다.Patent documents 1 and 2 disclose a film forming apparatus for manufacturing the above-described organic EL device. This film-forming apparatus is equipped with the process chamber which forms into a film the glass substrate which is a to-be-processed substrate, and the steam generation part which produces | generates the vapor of film-forming material is arrange | positioned outside the process chamber. Inside the processing chamber, a vapor deposition head which is connected to a steam generating unit via a pipe and blows vapor of the film forming material generated in the steam generating unit toward the glass substrate is provided.

종래의 유기 EL 소자는, 상술한 바와 같이, 유기 성막 재료로 이루어지는 전자 수송층의 성막 후에, 무기 성막 재료의 전자 주입층을 성막하고 있고, 음극으로부터 전자가 전자 수송층으로 주입되도록 구성되고, 또한 홀(정공)이 전자 주입층을 관통하여 음극 계면이 열화되는 것을 억제하고 있다. 이상의 구성이기 때문에, 전자 수송층과 전자 주입층의 계면의 에너지 장벽이 커, 구동 전압을 높게 하지 않으면 충분한 발광 강도를 얻을 수 없다고 하는 문제가 있었다.As described above, the conventional organic EL device is configured to form an electron injection layer of an inorganic film formation material after film formation of an electron transport layer made of an organic film formation material, and is configured such that electrons are injected into the electron transport layer from a cathode, and further comprises a hole ( Hole) penetrates through the electron injection layer to suppress deterioration of the cathode interface. Because of the above configuration, the energy barrier at the interface between the electron transport layer and the electron injection layer is large, and there is a problem that sufficient light emission intensity cannot be obtained unless the driving voltage is increased.

계면의 에너지 장벽의 높이를 조정하는 방법으로서, 유기 성막 재료와 무기 성막 재료를 공증착시켜 전자 주입층을 구성하는 것이 고려된다. As a method of adjusting the height of the energy barrier of an interface, it is considered to construct an electron injection layer by co-depositing an organic film-forming material and an inorganic film-forming material.

예를 들면 증착 헤드의 내압, 특히 유기 성막 재료의 증기압이 10 Pa, 처리실의 내압이 0.01 Pa, 성막 재료의 온도가 450℃인 경우를 상정한다.For example, it is assumed that the internal pressure of the deposition head, in particular, the vapor pressure of the organic film forming material is 10 Pa, the internal pressure of the processing chamber is 0.01 Pa, and the temperature of the film forming material is 450 ° C.

전자 주입층에는 Li, Na, Cs 등의 알칼리 금속 또는 Ca, Ba 등의 알칼리 토류 금속이 이용된다. Li 및 Cs의 450℃에서의 증기압은 0.01 Pa보다 높고, Na의 증기압은 약 0.01 Pa, Ca의 증기압은 104 Pa보다 높기 때문에, 원리적으로는 각 무기 성막 재료를 증착 헤드로부터 처리실 내로 분출시킬 수 있다. 그러나, 특히 이용이 요망되고 있는 Li는 비점이 높고, 증기압을 10 Pa 이상으로 하기 위해서는 성막 재료의 온도를 700℃ 이상으로 할 필요가 있다. 특허 문헌 2의 성막 장치를 이용하여, 2 개의 성막 재료를 미리 혼합하고(Pre-Mix), 얻어진 혼합물을 증착 헤드로부터 피처리 기판으로 분출하기로 했을 경우, 증착 헤드 내에서 유기 성막 재료가 열에 의한 데미지를 받아, 원하는 공증착을 행하는 것은 곤란하다.Alkali metals, such as Li, Na, Cs, or alkaline-earth metals, such as Ca and Ba, are used for an electron injection layer. Since the vapor pressure at 450 ° C of Li and Cs is higher than 0.01 Pa, the vapor pressure of Na is about 0.01 Pa, and the vapor pressure of Ca is higher than 104 Pa, in principle, each inorganic film-forming material can be ejected from the deposition head into the process chamber. have. However, Li, which is particularly desired to be used, has a high boiling point, and in order to make the vapor pressure 10 Pa or more, the temperature of the film forming material needs to be 700 ° C or more. When the two film forming materials are premixed (Pre-Mix) using the film forming apparatus of Patent Document 2 and the resulting mixture is ejected from the deposition head to the substrate to be processed, the organic film forming material is formed by heat in the deposition head. It is difficult to take damage and perform desired co-deposition.

특허 문헌 1의 성막 장치는, 전자 수송층을 성막하는 제 1 성막 기구와, 캐소드층을 성막하는 제 2 성막 기구를 구비하고 있는데, 이 제 1 성막 기구를 이용하여, 유기 성막 재료 및 무기 성막 재료를 피처리 기판 상에 공증착시키는 것으로 했을 경우, 상기와 동일한 문제가 발생한다.The film-forming apparatus of patent document 1 is equipped with the 1st film-forming mechanism which forms an electron carrying layer, and the 2nd film-forming mechanism which forms a cathode layer, The organic film-forming material and inorganic film-forming material are formed using this 1st film-forming mechanism. When it is co-deposited on the to-be-processed substrate, the same problem as the above arises.

따라서, 저비점측의 성막 재료가 열화되지 않고 공증착을 행할 수 있고, 막 두께 방향으로 원하는 농도 분포를 형성하여 계면의 에너지 장벽의 높이를 조정하는 것이 요구되고 있었다.Therefore, co-evaporation can be performed without deterioration of the film-forming material on the low boiling point side, and it is desired to form a desired concentration distribution in the film thickness direction and to adjust the height of the energy barrier at the interface.

한편 유기 EL 소자의 발광층은, 통상, 유기 화합물로 이루어지는 호스트 재료에, 유기 화합물로 이루어지는 도펀트 재료를 혼합하여 형성된다. 종래, 호스트 재료 및 도펀트 재료의 증기를 각각 별도의 증기 발생부에 의해 발생시키고, 1 개의 증착 헤드 내에서 혼합하고(Pre-Mix), 얻어진 혼합물을 증착 헤드로부터 피처리 기판으로 분출하여 발광층을 형성하고 있었다. 그러나, 호스트 재료와 도펀트 재료는 비점의 차가 100℃ 이상이 되는 경우도 있어, 증착 헤드 내에서 저비점측 재료가 고비점측 재료로부터의 전열에 의해 열화되고, 고비점측 재료가 증착 헤드의 벽면에 퇴적하여 크로스 컨태미네이션이 발생한다고 하는 문제가 있었다.On the other hand, the light emitting layer of an organic electroluminescent element is normally formed by mixing the dopant material which consists of organic compounds with the host material which consists of organic compounds. Conventionally, vapors of the host material and the dopant material are each generated by separate steam generators, mixed in one deposition head (Pre-Mix), and the resulting mixture is ejected from the deposition head to the substrate to be processed to form a light emitting layer. Was doing. However, the host material and the dopant material may have a difference in boiling point of 100 ° C. or more, so that the low boiling point material deteriorates by heat transfer from the high boiling point material in the deposition head, and the high boiling point material is deposited on the wall surface of the deposition head. There was a problem that cross contamination occurred.

일본특허공개공보 2008-38225호Japanese Patent Publication No. 2008-38225 국제공개 제2008/066103호 팜플렛International Publication No. 2008/066103

이상과 같이, 저비점측의 성막 재료를 열화시키지 않고 각 성막 재료를 소요 조건으로 증발시켜, 공증착을 행하는 것을 가능하게 하는 것이 요구되고 있다. 그리고, 요구 성능에 따른 공증착을 가능하게 하는 것이 요구되고 있다. 예를 들면, 유기 EL 소자의 발광층과 음극의 사이에 공증착층을 성막할 경우, 성막 방향의 농도 분포를 제어하여, 발광층측 및 음극측의 계면의 에너지 장벽의 크기를 조정할 수 있고, 또한 성막 방향으로 혼합 비율을 균일하게 하고자 할 경우에는, 이 혼합 비율이 균일한 상태에서 공증착을 행하는 것을 가능하게 하는 것이 요구되고 있다.As described above, it is required to make it possible to perform evaporation by evaporating each film forming material under required conditions without deteriorating the film forming material on the low boiling point side. And it is desired to enable co-deposition according to the required performance. For example, when the co-deposition layer is formed between the light emitting layer and the cathode of the organic EL element, the concentration distribution in the film formation direction can be controlled to adjust the size of the energy barrier at the interface between the light emitting layer side and the cathode side, and also to form a film. In order to make a mixing ratio uniform in the direction, it is desired to be able to perform co-deposition in the state in which this mixing ratio is uniform.

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 원하는 공증착을 행할 수 있는 성막 장치, 성막 방법, 이 성막 방법에 의해 성막하는 공정을 가지는 유기 발광 소자의 제조 방법 및 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.This invention is made | formed in view of such a situation, and it is providing the film-forming apparatus which can perform desired co-deposition, the film-forming method, the manufacturing method of the organic light emitting element which has the process of film-forming by this film-forming method, and an organic light emitting element.

본 발명자들은 예의 연구한 결과, 복수의 성막 재료의 증기를 각각 별도로 발생시키고, 각 성막 재료의 증기의 분출 위치를 제어한 상태에서, 피처리 기판 상에서 각 증기를 혼합하여 성막하도록 구성함으로써, 저비점측의 성막 재료를 열화시키지 않고 각 성막 재료를 소요 조건으로 증발시킬 수 있는 것을 발견했다. 그리고, 예를 들면 유기 EL 소자의 발광층과 음극의 사이에 공증착층을 성막할 경우, 기판의 성막 방향(막 두께 방향)에서 성막 재료의 혼합 비율(농도 분포)을 변화시켜, 발광층측 및 음극측의 계면의 에너지 장벽을 조정할 수 있고, 발광층 등에서 막 두께 방향으로 혼합 비율을 균일하게 하고자 할 경우에 균일하게 할 수 있는 것을 발견했다.As a result of intensive studies, the present inventors have configured the vapor deposition of a plurality of film forming materials to be separately generated and configured to mix and form the respective vapors on the substrate to be treated in a state in which the ejection positions of the vapors of the film forming materials are controlled. It has been found that each film forming material can be evaporated to a required condition without deteriorating the film forming material of the film. For example, when a co-deposition layer is formed between the light emitting layer of the organic EL element and the cathode, the mixing ratio (density distribution) of the film forming material is changed in the film formation direction (film thickness direction) of the substrate, so that the light emitting layer side and the cathode It was found that the energy barrier of the interface on the side can be adjusted and that the mixing ratio can be made uniform in the film thickness direction in the light emitting layer or the like.

즉, 본 발명에 따른 성막 장치는, 피처리 기판에 성막하는 처리실과, 성막 재료의 증기를 상기 피처리 기판을 향해 분출하는 복수의 증기 공급부를 구비하는 성막 장치에 있어서, 복수의 증기 공급부를 소정의 위치에 배치하여, 복수의 성막 재료를, 성막 방향의 혼합 비율을 제어한 상태에서, 상기 피처리 기판을 향해 분출하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.That is, the film-forming apparatus which concerns on this invention is a film-forming apparatus provided with the process chamber which forms into a to-be-processed substrate, and the some steam supply part which blows off the vapor of film-forming material toward the said to-be-processed substrate, WHEREIN: The several vapor supply part is prescribed | regulated. It is arrange | positioned at the position, and it is comprised so that the some film-forming material may be ejected toward the said to-be-processed substrate in the state which controlled the mixing ratio of the film-forming direction.

본 발명에 따른 성막 방법은, 피처리 기판을 처리실 내에 수용하고, 수용된 상기 피처리 기판을 향해 복수의 성막 재료의 증기를 공급함으로써 성막을 행하는 성막 방법에 있어서, 상기 처리실 내에서 복수의 성막 재료의 증기의 분출 위치를 제어하고, 성막 방향의 혼합 비율을 제어한 상태에서 상기 피처리 기판을 향해 분출하고, 공증착층을 형성하는 공증착층 형성 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.A film forming method according to the present invention is a film forming method in which a film is processed by accommodating a substrate to be processed into a processing chamber and supplying vapors of a plurality of film formation materials toward the accommodated substrate. And a co-deposition layer forming step of ejecting toward the substrate to be treated while controlling the ejection position of the vapor, controlling the mixing ratio in the film formation direction, and forming a co-deposition layer.

본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법은, 기판 상에 양극, 발광층 및 음극을 형성하는 유기 발광 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 발광층과 음극의 사이에, 전술한 성막 방법에 의해 상기 공증착층을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.In the method for manufacturing an organic light emitting device according to the present invention, in the method for manufacturing an organic light emitting device in which an anode, a light emitting layer, and a cathode are formed on a substrate, the co-deposition layer is formed between the light emitting layer and the cathode by the film forming method described above. It characterized by having a step of forming a.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 복수의 성막 재료로 이루어지고, 막 두께 방향으로 상기 복수의 성막 재료의 소정의 농도 분포를 가지는 공증착층을 가지는 것을 특징으로 한다.The organic light emitting device according to the present invention is characterized by having a co-deposition layer made of a plurality of film forming materials and having a predetermined concentration distribution of the plurality of film forming materials in the film thickness direction.

복수의 성막 재료의 증기를 각각 별도로 발생시키고, 피처리 기판 상에서 각 증기를 혼합하여 성막하도록 구성함으로써, 저비점측의 성막 재료를 열화시키지 않고 각 성막 재료를 소요 조건으로 증발시킬 수 있다. By generating steam of a plurality of film forming materials separately, and mixing each film on a to-be-processed board | substrate, it is possible to evaporate each film-forming material on a required condition, without degrading the film-forming material of a low boiling point side.

또한 본 발명에 따르면, 성막 재료의 혼합 비율을 성막 방향으로 상이하게 한 공증착이 가능하게 된다. 또한, 성막 재료의 혼합 비율을 균일하게 해야 하는 공증착층을 성막할 경우, 혼합 비율을 균일하게 할 수 있다. 따라서, 발광 효율을 향상시킬 수 있어, 양호한 발광 강도를 가지는 유기 발광 소자의 제조가 가능해진다.Moreover, according to this invention, co-deposition which made the mixing ratio of film-forming materials different in the film-forming direction becomes possible. In addition, when forming the co-deposition layer which should make the mixing ratio of film-forming materials uniform, the mixing ratio can be made uniform. Therefore, luminous efficiency can be improved and manufacture of the organic light emitting element which has favorable luminous intensity is attained.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 성막 시스템의 구성을 개념적으로 설명한 설명도이다.
도 2는 성막 장치의 구성을 모식적으로 도시한 사시도이다.
도 3은 성막 장치의 구성을 모식적으로 도시한 측단면도이다.
도 4는 성막 헤드를 도시한 측단면도이다.
도 5는 가열 장치의 측면도이다.
도 6은 가열 장치의 정면도이다.
도 7은 도 5의 VII - VII 선 단면도이다.
도 8은 무기 성막 재료 분출홀의 배치예를 도시한 모식도이다.
도 9는 성막 헤드의 동작을 제어하는 제어 장치의 일구성예를 도시한 블록도이다.
도 10은 제 1 히터 및 제 2 히터로의 급전과, 용기의 온도 변화를 나타낸 타이밍 차트이다.
도 11은 다른 예의 제 1 히터 및 제 2 히터로의 급전과, 용기의 온도 변화를 나타낸 타이밍 차트이다.
도 12는 유기 성막 재료 공급부 및 무기 성막 재료 공급부의 배치와, 유기 성막 재료 및 무기 성막 재료의 반송 방향에서의 증기량을 개념적으로 나타낸 설명도이다.
도 13은 실시예 1에 따른 성막 시스템을 이용하여 성막된 유기 EL 소자를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 14는 유기 성막 재료 공급부 및 무기 성막 재료 공급부의 다른 배치예 및 농도 분포를 나타낸 설명도이다.
도 15는 상기 배치예로 성막된 유기 EL 소자를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 16은 유기 성막 재료 공급부 및 무기 성막 재료 공급부의 다른 배치예 및 농도분 분포를 나타낸 설명도이다.
도 17은 상기 배치예로 성막된 유기 EL 소자를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 18은 본 발명의 실시예 2에 따른 성막 장치를 도시한 사시도이다.
도 19는 실시예 2에 따른 성막 장치를 이용하여 성막된 유기 EL 소자를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 20은 본 발명의 실시예 3에 따른 성막 장치의 일부를 개념적으로 설명한 설명도이다.
도 21은 실시예 3에 따른 성막 헤드를 도시한 측단면도이다.
도 22는 본 발명의 실시예 4에 따른 성막 장치의 구성을 모식적으로 도시한 사시도이다.
도 23은 실시예 4에 따른 성막 장치의 구성을 모식적으로 도시한 측단면도이다.
도 24는 실시예 4에 따른 제 1 성막 재료 공급부 및 제 2 성막 재료 공급부의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 사시도이다.
도 25는 도 24의 일부 확대도이다.
도 26은 실시예 4에 따른 제 1 성막 재료 공급부 및 제 2 성막 재료 공급부의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 정면도이다.
도 27은 실시예 4에 따른 제 1 성막 재료 공급부 및 제 2 성막 재료 공급부의 배치의 일례와, 제 1 성막 재료 및 제 2 성막 성막 재료의 반송 방향에서의 증기량을 개념적으로 나타낸 설명도이다.
도 28은 본 발명의 실시예 5에 따른 성막 장치의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 사시도이다.
도 29는 실시예 5에 따른 성막 장치의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 측단면도이다.
도 30은 실시예 5에 따른 제 1 성막 재료 공급부 및 제 2 성막 재료 공급부의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 사시도이다.
도 31은 도 30의 일부 확대도이다.
도 32는 실시예 5에 따른 제 1 성막 재료 공급부 및 제 2 성막 재료 공급부의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 정면도이다.
도 33은 본 발명의 실시예 6에 따른 제 1 성막 재료 공급부, 제 2 성막 재료 공급부, 및 제 3 성막 재료 공급부의 구성을 모식적으로 도시한 정면도이다.
도 34는 실시예 6에 따른 제 1 성막 재료 공급부, 제 2 성막 재료 공급부 및 제 3 성막 재료 공급부의 구성을 모식적으로 도시한 일부 저면도이다.1 is an explanatory diagram conceptually illustrating a configuration of a film forming system according to a first embodiment of the present invention.
2 is a perspective view schematically showing the configuration of a film forming apparatus.
3 is a side cross-sectional view schematically showing the configuration of a film forming apparatus.
4 is a side sectional view showing the film formation head.
5 is a side view of the heating apparatus.
6 is a front view of the heating apparatus.
FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG. 5.
8 is a schematic diagram showing an arrangement example of the inorganic film-forming material ejection hole.
9 is a block diagram showing an example of the configuration of a control device for controlling the operation of the film forming head.
10 is a timing chart showing power feeding to the first heater and the second heater and a temperature change of the container.
11 is a timing chart showing power feeding to the first heater and the second heater of another example, and a temperature change of the container.
12 is an explanatory diagram conceptually showing the arrangement of the organic film forming material supply unit and the inorganic film forming material supply unit, and the amount of vapor in the conveying directions of the organic film forming material and the inorganic film forming material.
FIG. 13 is a sectional view schematically showing an organic EL element formed by using the film formation system according to Example 1. FIG.
14 is an explanatory diagram showing another arrangement example and concentration distribution of the organic film forming material supply unit and the inorganic film forming material supply unit.
FIG. 15 is a sectional view schematically showing an organic EL element formed by the above arrangement example. FIG.
16 is an explanatory diagram showing another arrangement example and concentration distribution of the organic film forming material supply unit and the inorganic film forming material supply unit.
17 is a cross-sectional view schematically showing an organic EL element formed into a film by the above arrangement example.
18 is a perspective view showing a film forming apparatus according to Embodiment 2 of the present invention.
19 is a sectional view schematically showing an organic EL element formed by using the film forming apparatus according to the second embodiment.
20 is an explanatory diagram conceptually explaining a part of the film forming apparatus according to the third embodiment of the present invention.
21 is a side sectional view showing a film forming head according to the third embodiment.
Fig. 22 is a perspective view schematically showing the configuration of a film forming apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 23 is a side sectional view schematically showing the configuration of a film forming apparatus according to Example 4. FIG.
24 is a perspective view schematically showing an example of the configuration of the first film forming material supply unit and the second film forming material supply unit according to the fourth embodiment.
25 is an enlarged view of a portion of FIG. 24.
26 is a front view schematically showing an example of the configuration of the first film forming material supply unit and the second film forming material supply unit according to the fourth embodiment.
27 is an explanatory diagram conceptually showing an example of the arrangement of the first film forming material supply unit and the second film forming material supply unit according to the fourth embodiment, and the amount of vapor in the conveying directions of the first film forming material and the second film forming film forming material.
28 is a perspective view schematically showing an example of the configuration of a film forming apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
29 is a side sectional view schematically showing an example of the configuration of a film forming apparatus according to the fifth embodiment.
30 is a perspective view schematically showing an example of the configuration of the first film forming material supply unit and the second film forming material supply unit according to the fifth embodiment.
FIG. 31 is an enlarged view of a portion of FIG. 30. FIG.
32 is a front view schematically showing an example of the configuration of the first film forming material supply unit and the second film forming material supply unit according to the fifth embodiment.
33 is a front view schematically showing the configuration of the first film forming material supply unit, the second film forming material supply unit, and the third film forming material supply unit according to the sixth embodiment of the present invention.
34 is a partial bottom view schematically showing the configuration of the first film forming material supply unit, the second film forming material supply unit, and the third film forming material supply unit according to the sixth embodiment.

이하에, 본 발명을 그 실시예를 나타낸 도면에 기초하여 상술한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, this invention is explained in full detail based on drawing which showed the Example.

실시예 1Example 1

도 1은, 본 발명의 실시예 1에 따른 성막 장치를 구비하는 성막 시스템의 구성을 개념적으로 설명한 설명도이다. 본 실시예에 따른 성막 시스템은, 피처리 기판(G)(도 3 참조)의 반송 방향을 따라 직렬로 배열된 로더(90), 트랜스퍼 챔버(91), 성막 장치(1), 트랜스퍼 챔버(92), 에칭 장치(93), 트랜스퍼 챔버(94), 스퍼터링 장치(95), 트랜스퍼 챔버(96), CVD 장치(97), 트랜스퍼 챔버(98) 및 언로더(99)를 구비한다. 또한 각각의 장치 간에는, 게이트 밸브(도시하지 않음)를 구비한다.1 is an explanatory diagram conceptually illustrating a configuration of a film forming system including a film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention. The film forming system according to the present embodiment includes a loader 90, a transfer chamber 91, a film forming apparatus 1, and a transfer chamber 92 arranged in series along the conveying direction of the substrate G (see FIG. 3). ), An etching apparatus 93, a transfer chamber 94, a sputtering apparatus 95, a transfer chamber 96, a CVD apparatus 97, a transfer chamber 98, and an unloader 99. In addition, a gate valve (not shown) is provided between each device.

로더(90)는 피처리 기판(G), 예를 들면 미리 표면에 ITO층(31)이 형성된 피처리 기판(G)을 성막 시스템 내로 반입한다. 트랜스퍼 챔버(91, 92, 94, 96, 98)는 각 처리 장치 사이에서 피처리 기판(G)을 전달한다. The loader 90 carries in the film-forming system the to-be-processed substrate G, for example, the to-be-processed substrate G in which the ITO layer 31 was previously formed in the surface. Transfer chambers 91, 92, 94, 96, and 98 transfer the processing target substrate G between the respective processing devices.

성막 장치(1)는, 진공 증착법으로 피처리 기판(G) 상에 홀 주입층, 홀 수송층, 청색 발광층, 적색 발광층, 녹색 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층(음극층)을 형성한다. 상세는 후술한다. The film forming apparatus 1 forms a hole injection layer, a hole transport layer, a blue light emitting layer, a red light emitting layer, a green light emitting layer, an electron transporting layer and an electron injection layer (cathode layer) on the substrate G to be processed by vacuum deposition. Details will be described later.

에칭 장치(93)는, 유기층의 형상을 소정 형상으로 조정하기 위한 장치이다.The etching apparatus 93 is an apparatus for adjusting the shape of an organic layer to a predetermined shape.

스퍼터링 장치(95)는 패턴 마스크를 이용하여, 예를 들면 은(Ag), 마그네슘 은(Mg / Ag) 합금 등을 스퍼터링함으로써, 전자 수송층 상에 음극층을 형성하는 장치이다. The sputtering apparatus 95 is an apparatus which forms a cathode layer on an electron carrying layer by sputtering silver (Ag), magnesium silver (Mg / Ag) alloy, etc. using a pattern mask.

CVD 장치(97)는, 예를 들면 질화 규소(SiN) 등의 질화막 등으로 이루어지는 밀봉층을 화학 기상 성장(CVD)법에 의해 성막하여, 피처리 기판(G) 상에 형성된 각 층을 밀봉하기 위한 장치이다. The CVD apparatus 97 forms a sealing layer made of, for example, a nitride film such as silicon nitride (SiN) by chemical vapor deposition (CVD) to seal each layer formed on the substrate G to be processed. It is a device for.

언로더(99)는, 피처리 기판(G)을 성막 시스템 밖으로 반출하기 위한 장치이다.The unloader 99 is an apparatus for carrying out the processing target substrate G out of the film formation system.

도 2는, 성막 장치(1)의 구성을 모식적으로 도시한 사시도, 도 3은, 성막 장치(1)의 구성을 모식적으로 도시한 측단면도이다. 성막 장치(1)는, 피처리 기판(G)을 수용하고, 내부에서 피처리 기판(G)에 대하여 증착에 의해 성막 처리를 행하기 위한 처리실(11)을 구비한다. 처리실(11)은 반송 방향을 길이 방향으로 하고, 중앙 부분이 폭이 넓은 중공 대략 직육면체 형상을 이루고, 알루미늄, 스테인리스 등으로 이루어진다. 처리실(11)의 길이 방향 일단측의 면(도 2 중 배면측의 면)에는, 피처리 기판(G)을 처리실(11) 내로 반입하기 위한 반입구(11a)가 형성되고, 길이 방향 타단측의 면(도 2 중 앞측의 면)에는, 피처리 기판(G)을 처리실(11) 밖으로 반출하기 위한 반출구(11b)가 형성되어 있다. 반입구(11a) 및 반출구(11b)는, 반입 방향에 대하여 직교한 길이 방향을 가지는 슬릿 형상이며, 반입구(11a) 및 반출구(11b)의 길이 방향은 대략 동일하다. 이하, 반입구(11a) 및 반출구(11b)의 길이 방향을 횡방향, 이 횡방향 및 반송 방향에 직교하는 방향을 상하 방향이라 한다. 또한, 처리실(11)의 적당 개소에는 배기홀(11c)이 형성되어 있고, 배기홀(11c)에는, 처리실(11)의 외부에 배치된 진공 펌프(15)가 배기관(14)을 개재하여 접속되어 있다. 진공 펌프(15)가 구동함으로써, 처리실(11)의 내부는 소정의 압력, 예를 들면 0.01 Pa로 감압된다.FIG. 2: is a perspective view which shows typically the structure of the film-forming apparatus 1, and FIG. 3 is a side cross-sectional view which shows typically the structure of the film-forming apparatus 1. FIG. The film-forming apparatus 1 is equipped with the processing chamber 11 for accommodating the to-be-processed substrate G, and performing a film-forming process with respect to the to-be-processed substrate G by vapor deposition inside. The processing chamber 11 makes a conveyance direction the longitudinal direction, forms the hollow substantially rectangular parallelepiped shape with a wide center part, and consists of aluminum, stainless steel, etc. In the surface (surface of the back side in FIG. 2) of the longitudinal direction one end side of the process chamber 11, the carrying in opening 11a for carrying in the to-be-processed board | substrate G into the process chamber 11 is formed, and the other end side in the longitudinal direction is provided. On the surface (front side in FIG. 2), a carrying out port 11b for carrying out the processing target substrate G out of the processing chamber 11 is formed. The carry-in port 11a and the carry-out port 11b are slit shape which has the longitudinal direction orthogonal to the carry-in direction, and the longitudinal direction of the carry-in port 11a and the carry-out port 11b is substantially the same. Hereinafter, the longitudinal direction of the delivery opening 11a and the delivery opening 11b is called a horizontal direction, and the direction orthogonal to this horizontal direction and a conveyance direction is called an up-down direction. In addition, an exhaust hole 11c is formed in an appropriate location of the processing chamber 11, and a vacuum pump 15 disposed outside the processing chamber 11 is connected to the exhaust hole 11c via the exhaust pipe 14. It is. By driving the vacuum pump 15, the inside of the processing chamber 11 is reduced in pressure to a predetermined pressure, for example, 0.01 Pa.

처리실(11) 내부의 저부(底部)에는, 피처리 기판(G)을 반입구(11a)로부터 반출구(11b)로 반송하는 반송 장치(12)가 설치되어 있다. 반송 장치(12)는, 처리실(11)의 저부에 길이 방향을 따라 설치된 안내 레일(12a)과, 이 안내 레일(12a)로 안내되어 반송 방향, 즉 상기 길이 방향으로 이동 가능하게 설치된 이동 부재(12b)와, 이동 부재(12b)의 상면에 설치되어 있고, 피처리 기판(G)을 저부에 대하여 대략 평행이 되도록 지지하는 지지대(12c)를 구비한다. 지지대(12c)의 내부에는 피처리 기판(G)을 보지(保持)하는 정전 척, 피처리 기판(G)의 온도를 일정하게 유지하기 위한 피처리 기판 가열 히터, 냉매관 등이 설치되어 있다. 또한 지지대(12c)는, 리니어 모터에 의해 이동하도록 구성되어 있다.In the bottom part of the process chamber 11, the conveying apparatus 12 which conveys the to-be-processed board | substrate G from the carrying in opening 11a to the carrying out opening 11b is provided. The conveying apparatus 12 is the guide rail 12a provided along the longitudinal direction in the bottom part of the process chamber 11, and the moving member guided by this guide rail 12a, and provided so that a movement to the conveyance direction, ie, the said longitudinal direction, is possible 12b) and the support 12c which is provided in the upper surface of the moving member 12b, and supports the to-be-processed substrate G so that it may become substantially parallel with respect to a bottom part. The support 12c is provided with an electrostatic chuck holding the substrate G, a substrate heating heater, a refrigerant pipe, etc. for maintaining the temperature of the substrate G constant. Moreover, the support stand 12c is comprised so that it may move with a linear motor.

또한 처리실(11)의 상부, 반송 방향 대략 중앙부에는, 피처리 기판(G)에 대하여 진공 증착법으로 성막을 행하는 복수의 증착 헤드(13)가 설치되어 있다. 증착 헤드(13)는, 홀 주입층을 증착시키는 제 1 헤드(13a), 홀 수송층을 증착시키는 제 2 헤드(13b), 청색 발광층을 증착시키는 제 3 헤드(13c), 적색 발광층을 증착시키는 제 4 헤드(13d), 녹색 발광층을 증착시키는 제 5 헤드(13e), 본 발명에 따른 전자 수송층을 증착시키는 성막 헤드(2) 및 전자 주입층을 증착시키는 제 6 헤드(13f)를 반송 방향을 따라 차례로 배치하여 구성되어 있다. Moreover, the some deposition head 13 which forms into a film by the vacuum deposition method with respect to the to-be-processed substrate G in the upper part of the process chamber 11 and the substantially center part of a conveyance direction is provided. The deposition head 13 includes a first head 13a for depositing a hole injection layer, a second head 13b for depositing a hole transport layer, a third head 13c for depositing a blue light emitting layer, and a agent for depositing a red light emitting layer. The four heads 13d, the fifth head 13e for depositing the green light emitting layer, the film formation head 2 for depositing the electron transporting layer according to the present invention, and the sixth head 13f for depositing the electron injection layer along the transport direction. It is arranged in order.

성막 헤드(2)는 예를 들면 Alq3 등의 유기 성막 재료와, 무기 성막 재료를 공증착 시키기 위한 헤드이다. 성막 헤드(2)는, 후술하는 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)로 이루어진다. 성막 헤드(2)에는, 처리실(11)의 외부에 배치된 증기 발생부(17)로부터 배관(16)을 거쳐 유기 성막 재료가 공급된다. 상기 무기 성막 재료로서는, 일함수가 Alq3의 일함수 3.0(eV)보다 낮은 것을 들 수 있고, 예를 들면 Li(일함수 : 2.5(eV)), Na(일함수 : 2.28(eV)), K(일함수 : 2.24(eV)), Ca(일함수 : 2.71(eV)), Cs(일함수 : 1.81(eV)) 및 Ba(일함수 : 2.11(eV)) 등을 들 수 있다.The film forming head 2 is a head for co-depositing an organic film forming material such as Alq 3 and an inorganic film forming material. The film formation head 2 consists of the organic film-forming material supply part 4 and inorganic film-forming material supply part 5 mentioned later. The film forming head 2 is supplied with an organic film forming material from the steam generating unit 17 disposed outside the processing chamber 11 via a pipe 16. Examples of the inorganic film forming material include a work function lower than the work function 3.0 (eV) of Alq 3 , for example, Li (work function: 2.5 (eV)), Na (work function: 2.28 (eV)), K (work function: 2.24 (eV)), Ca (work function: 2.71 (eV)), Cs (work function: 1.81 (eV)), and Ba (work function: 2.11 (eV)).

증기 발생부(17)는 용기(17a)와, 용기(17a)의 내부에 배치된 가열 기구(17b)를 구비한다. 가열 기구(17b)는, 상기 유기 성막 재료의 증기를 수용 가능한 용기 형상 부분을 가지고, 전원(17c)으로부터 공급된 전력에 의해 유기 성막 재료를 가열하도록 구성되어 있다. 예를 들면, 전기 저항체로 가열하도록 구성되어 있다. 이 가열 기구(17b) 내에 수납한 유기 성막 재료를 가열하여, 유기 성막 재료의 증기를 발생시킨다. 또한 용기(17a)에는, 피처리 기판(G)에 대하여 예를 들면 Ar 등의 불활성 가스로 이루어지는 수송 가스를 공급하는 수송 가스 공급관(17d)이 접속되어 있고, 수송 가스 공급관으로부터 용기(17a)로 공급된 수송 가스와 함께, 유기 성막 재료의 증기를 증기 발생부(17)로부터 배관(16)을 거쳐 성막 헤드(2)로 공급하도록 구성되어 있다.The steam generator 17 includes a vessel 17a and a heating mechanism 17b disposed inside the vessel 17a. The heating mechanism 17b has a container-shaped portion that can accommodate vapor of the organic film forming material, and is configured to heat the organic film forming material by the electric power supplied from the power source 17c. For example, it is comprised so that it may heat with an electrical resistor. The organic film-forming material stored in the heating mechanism 17b is heated to generate steam of the organic film-forming material. In addition, a transport gas supply pipe 17d for supplying a transport gas made of, for example, an inert gas, such as Ar, to the substrate 17a is connected to the container 17a, and the container 17a is connected to the container 17a from the transport gas supply pipe. It is comprised so that the vapor of the organic film-forming material may be supplied to the film-forming head 2 from the steam generation part 17 via the piping 16 with the transport gas supplied.

또한, 제 1 ~ 제 5 헤드(13a, 13b, 13c, 13d, 13e)에 대해서도 마찬가지로, 도시하지 않은 증기 발생부로부터 소정의 유기 성막 재료의 증기가 공급되도록 구성되어 있다. 제 6 헤드(13f)에 대해서도, 도시하지 않은 증기 발생부로부터 소정의 무기 성막 재료의 증기가 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 증기 발생부로부터 상기 무기 성막 재료를 수급하지 않고, 제 6 헤드(13f) 내에서 상기 무기 성막 재료의 증기를 발생시키는 것으로 해도 되고, 또한 처리실(11)의 외부의 처리실에서 스퍼터링 등에 의해 성막하는 것으로 해도 된다.Similarly, the first to fifth heads 13a, 13b, 13c, 13d, and 13e are configured to supply steam of a predetermined organic film-forming material from a steam generator not shown. The sixth head 13f is also configured to supply steam of a predetermined inorganic film forming material from a steam generator not shown. It is also possible to generate steam of the inorganic film forming material in the sixth head 13f without supplying the inorganic film forming material from the steam generator, and to form the film by sputtering or the like in the processing chamber outside of the processing chamber 11. You may do it.

도 4는, 성막 헤드(2)를 도시한 측단면도이다. 4 is a side cross-sectional view showing the film forming head 2.

성막 헤드(2)는, 유기 성막 재료의 증기를 피처리 기판(G)을 향해 분출하는 유기 성막 재료 공급부(유기 증기 공급부)(4)와, 무기 성막 재료의 증기를 피처리 기판(G)을 향해 분출하는 무기 성막 재료 공급부(5)(무기 증기 공급부)를 가진다. 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)는, 유기 성막 재료 및 무기 성막 재료의 피분출 개소가 피처리 기판(G) 상에서 중복되도록 배치되어 있다.The film forming head 2 includes an organic film forming material supply unit (organic vapor supply unit) 4 that ejects vapor of the organic film forming material toward the substrate G, and vapor of the inorganic film forming material to be processed. It has an inorganic film-forming material supply part 5 (inorganic vapor supply part) which blows in toward. The organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 are arrange | positioned so that the injection part of an organic film-forming material and an inorganic film-forming material may overlap on the to-be-processed substrate G. FIG.

유기 성막 재료 공급부(4)는, 유기 성막 재료의 증기를 분출하는 유기 성막 재료 분출홀(41a)을 가지고, 외부로부터 유기 성막 재료의 증기가 유입되는 유기 성막 재료용 하우징(41)과, 도시하지 않은 급전 부재에 의해 급전되어 상기 유기 성막 재료용 하우징(41)을 가열하는 유기 성막 재료 가열 히터(42a, 42b, 42c, 42d)와, 공기 등의 열매체를 통류시키는 열매체 통유로(43a, 43b)를 구비한다. 유기 성막 재료 가열 히터(42a, 42b, 42c, 42d) 및 열매체 통유로(43a, 43b)는 히터 고정 부재(41b, 41c, 41d, 41e)에 의해 유기 성막 재료용 하우징(41)의 내부에 매설되어 있다.The organic film forming material supply unit 4 has an organic film forming material ejection hole 41a for ejecting vapor of the organic film forming material, an organic film forming material housing 41 into which vapor of the organic film forming material flows from the outside, and is not shown. Organic film forming material heating heaters 42a, 42b, 42c, and 42d that are fed by a non-feeding member to heat the housing 41 for organic film forming material, and heat medium flow passages 43a and 43b which flow heat medium such as air. It is provided. The organic film-forming material heating heaters 42a, 42b, 42c, 42d and the heat medium flow passages 43a, 43b are embedded in the housing 41 for organic film-forming material by the heater fixing members 41b, 41c, 41d, 41e. It is.

유기 성막 재료용 하우징(41)은, 길이 방향이 지면에 대략 수직인 대략 장방형의 프레임 부재(411)를 가지고, 이 프레임 부재(411)의 하면 대략 중앙부로부터 무기 성막 재료 공급부(5)측으로, 중공판 부재(412)가 돌출되어 있다. 이 중공판 부재(412)의 선단부에, 프레임 부재(411) 및 중공판 부재(412)의 내부를 통류한 유기 성막 재료를 분출하는 상기 유기 성막 재료 분출홀(41a)이 형성되어 있다.The housing 41 for organic film-forming materials has a substantially rectangular frame member 411 whose longitudinal direction is substantially perpendicular to the ground, and is hollowed from the center of the lower surface of this frame member 411 to the inorganic film-forming material supply part 5 side. The plate member 412 protrudes. The organic film forming material ejection hole 41a for ejecting the organic film forming material flowing through the frame member 411 and the hollow plate member 412 is formed at the front end of the hollow plate member 412.

중공판 부재(412)의 외면에는, 유기 성막 재료 가열 히터(42a, 42b)와 열매체 통유로(43a, 43b)를 매설하기 위한 복수의 오목부가 형성되어 있다. 오목부는, 예를 들면 측면에서 봤을 때 대략 원호 형상을 이루고 있다. 유기 성막 재료 가열 히터(42a, 42b) 및 열매체 통유로(43a, 43b)는 외형이 각각 원주 형상이며, 이 외주면에는 양호한 열전도성의 막, 예를 들면 카본 그라파이트막이 감겨, 상기 복수의 오목부에 감입되어 있다. 상기 오목부에 감입된 유기 성막 재료 가열 히터(42a, 42b) 및 열매체 통유로(43a, 43b)는, 히터 고정 부재(41d, 41e)에 의해 고정되어 있다. 히터 고정 부재(41d, 41e)는 중공판 부재(412)의 상기 외면에 대응하는 판상(板狀)의 부재이며, 유기 성막 재료 가열 히터(42a, 42b) 및 열매체 통유로(43a, 43b)에 감입되는 오목부를 가지고 있다. 이 오목부의 형상은, 중공판 부재(412)에 형성된 오목부와 마찬가지로, 측면에서 봤을 때 대략 반원형이다. 또한 히터 고정 부재(41d, 41e)는, 유기 성막 재료용 하우징(41)에 고정되어 있다.On the outer surface of the hollow plate member 412, a plurality of recesses for embedding the organic film forming material heating heaters 42a and 42b and the heat medium flow passages 43a and 43b are formed. For example, the concave portion has a substantially arc shape when viewed from the side. The organic film forming material heating heaters 42a and 42b and the heat medium flow passages 43a and 43b each have a circumferential shape, and a good thermal conductive film, for example, a carbon graphite film, is wound around the outer circumferential surface thereof, and is inserted into the plurality of recesses. It is. The organic film-forming material heating heaters 42a and 42b and the heat medium flow passages 43a and 43b penetrated into the recesses are fixed by the heater fixing members 41d and 41e. The heater fixing members 41d and 41e are plate-shaped members corresponding to the outer surface of the hollow plate member 412, and are provided to the organic film forming material heating heaters 42a and 42b and the heat medium flow passages 43a and 43b. It has a recess to be inserted. The shape of this recess is substantially semicircular when viewed from the side, similarly to the recess formed in the hollow plate member 412. In addition, the heater fixing members 41d and 41e are fixed to the housing 41 for organic film-forming materials.

마찬가지로, 프레임 부재(411)의 상면에는 다른 유기 성막 재료 가열 히터(42c, 42d)가 감입되어 있고, 히터 고정 부재(41b, 41c)에 의해 프레임 부재(411)에 고정되어 있다. 프레임 부재(411)의 상부의 대략 중앙부에는, 증기 발생부(17)에서 발생한 유기 성막 재료의 증기를 유기 성막 재료용 하우징(41)으로 유입시키는 유기 성막 재료 공급관(40)이 접속되어 있다. 유기 성막 재료 공급관(40)은 예를 들면 스테인리스제이며, 유기 성막 재료 공급관(40)의 외측 혹은 내측 표면 중 어느 하나, 또는 외측 및 내측 표면은, 열전도를 향상시키기 위하여, 구리 도금 등의 도전성막이 코팅되어 있다. 그리고, 성막 헤드(2)는 유기 성막 재료 공급관(40)을 가열하는 공급관 가열 히터(61, 62)를 구비하고 있다.Similarly, other organic film-forming material heating heaters 42c and 42d are fitted into the upper surface of the frame member 411 and are fixed to the frame member 411 by the heater fixing members 41b and 41c. An organic film forming material supply pipe 40 for introducing vapor of the organic film forming material generated in the steam generating unit 17 into the housing 41 for organic film forming material is connected to the substantially center portion of the upper portion of the frame member 411. The organic film-forming material supply pipe 40 is made of, for example, stainless steel, and either the outer or the inner surface of the organic film-forming material supply pipe 40, or the outer and the inner surface is a conductive film such as copper plating in order to improve thermal conductivity. Is coated. The film forming head 2 is provided with supply pipe heaters 61 and 62 for heating the organic film forming material supply pipe 40.

유기 성막 재료 공급부(4)는 이상과 같이 구성되어 있으므로, 증기 발생부(17)로부터 배관(16) 및 유기 성막 재료 공급관(40)을 거쳐 통류된 유기 성막 재료의 재료는 보온된 상태에서, 분출홀(41a)로부터 분출된다.Since the organic film-forming material supply part 4 is comprised as mentioned above, the material of the organic film-forming material which flowed through the piping 16 and the organic film-forming material supply pipe 40 from the steam generation part 17 is blown off in the state which kept warm. It blows off from the hole 41a.

무기 성막 재료 공급부(5)는, 중공의 무기 성막 재료용 하우징(51)을 구비한다. 무기 성막 재료 하우징은, 길이 방향이 지면에 대하여 대략 수직인 중공 대략 통 형상을 이루고, 하부가 유기 성막 재료 공급부(4)측으로 돌출되어 있다. 돌출되어 있는 부분의 하면부에는, 길이 방향 양 단부를 따라 균일하게 복수의 무기 성막 재료 분출홀(51a)이 형성되어 있다. 또한, 무기 성막 재료용 하우징(51)의 내부에는, 전자 주입층의 재료인 무기 성막 재료, 예를 들면 알칼리 금속이 장입(裝入)되는 용기(57)가 가열 장치(54)에 의해 지지되어 있다. 용기(57)는, 사각 쟁반 형상으로 무기 성막 재료의 증기를 무기 성막 재료용 하우징(51)의 내부로 송출하기 위한 개구(57a)를 상면에 가진다.The inorganic film-forming material supply part 5 is provided with the hollow housing | casing 51 for inorganic film-forming materials. The inorganic film-forming material housing has a hollow substantially cylindrical shape whose longitudinal direction is substantially perpendicular to the ground, and the lower portion protrudes toward the organic film-forming material supply part 4 side. In the lower surface part of the part which protrudes, the some inorganic film-forming material blowing hole 51a is formed uniformly along the both ends of the longitudinal direction. Further, inside the housing 51 for inorganic film forming material, a container 57 into which an inorganic film forming material, for example, an alkali metal, which is a material of the electron injection layer is charged, is supported by the heating device 54. have. The container 57 has an opening 57a on the upper surface for sending vapor of the inorganic film forming material into the inside of the housing 51 for inorganic film forming material in a rectangular tray shape.

도 5는 가열 장치(54)를 도시한 측면도, 도 6은 가열 장치(54)를 도시한 정면도, 도 7은 도 5의 VII - VII 선 단면도이다. 가열 장치(54)는, 이 가열 장치(54)의 하측을 구성하는 제 1 반체(半體)(54a)와, 가열 장치(54)의 상측을 구성하는 제 2 반체(54b)를 가지고, 제 2 반체(54b)의 상면에는 용기가 감입되는 홈부가 형성되어 있다. 제 1 및 제 2 반체(54a, 54b)는 금속제이다.FIG. 5 is a side view showing the heating device 54, FIG. 6 is a front view showing the heating device 54, and FIG. 7 is a sectional view taken along the line VII-VII of FIG. The heating apparatus 54 has the 1st half body 54a which comprises the lower side of this heating apparatus 54, and the 2nd half body 54b which comprises the upper side of the heating apparatus 54, The upper surface of the half body 54b has a groove portion into which the container is inserted. The first and second half bodies 54a and 54b are made of metal.

제 1 반체(54a)의 상면에는, 제 1 히터(55a, 55b)와 제 1 열매체 통유로(56)를 매설하기 위한 복수의 오목부가 형성되어 있다. 오목부는, 예를 들면 측면에서 봤을 때 대략 원호 형상을 이루고 있다. 도시하지 않은 급전 부재에 의해 급전되어 용기(57)를 가열하는 제 1 히터(55a, 55b) 및 제 1 열매체 통유로(56)는, 외형이 각각 원주 형상이며, 이 외주면에는 양호한 열전도성을 가지는 예를 들면 카본 그라파이트막 등의 막이 감겨, 상기 복수의 오목부에 감입되어 있다. 상기 오목부에 감입된 제 1 히터(55a, 55b) 및 제 1 열매체 통유로(56)는, 제 2 반체(54b)에 의해 감입되도록 하여 고정되어 있다. 제 2 반체(54b)는, 제 1 반체(54a)에 대응하는 판상의 부재이며, 제 1 히터(55a, 55b) 및 제 1 열매체 통유로(56)에 감입되는 오목부를 가지고 있다. 이 오목부의 형상은, 중공판 부재(412)에 형성된 오목부와 마찬가지로, 측면에서 봤을 때 대략 반원형이다. 제 1 및 제 2 반체(54a, 54b)는 전 둘레 용접되어 있지만, 나사에 의해 제 1 및 제 2 반체(54a, 54b)를 접합하는 것으로 해도 된다. 제 1 열매체 통유로(56)의 양 단부는, 도시하지 않은 공냉 장치에 접속되어 있고, 이 공냉 장치는 제 1 열매체 통유로(56b, 56c)에 공기를 통류시키고 있다.On the upper surface of the first half body 54a, a plurality of recesses for embedding the first heaters 55a and 55b and the first heat medium flow passage 56 are formed. For example, the concave portion has a substantially arc shape when viewed from the side. The first heaters 55a and 55b and the first heating medium passage 56 which are fed by a power feeding member (not shown) and heat the container 57 each have a cylindrical shape, and the outer peripheral surface has good thermal conductivity. For example, a film, such as a carbon graphite film, is wound up and is inserted in the plurality of recesses. The first heaters 55a and 55b and the first heat medium passage 56 penetrated into the concave portion are fixed by being penetrated by the second half body 54b. The 2nd half body 54b is a plate-shaped member corresponding to the 1st half body 54a, and has the recessed part penetrated by the 1st heaters 55a and 55b and the 1st heat medium flow path 56. As shown in FIG. The shape of this recess is substantially semicircular when viewed from the side, similarly to the recess formed in the hollow plate member 412. Although the 1st and 2nd half bodies 54a and 54b are welded around the periphery, you may join the 1st and 2nd half bodies 54a and 54b with a screw. Both ends of the first heat medium passage 56 are connected to an air cooling apparatus (not shown), which air flows through the first heat medium passages 56b and 56c.

또한 무기 성막 재료용 하우징(51)의 외주면에는, 도시하지 않은 급전 부재에 의해 급전되는 제 2 히터(52a, 52b, 52c, 52d, 52e, 52f)와, 제 2 열매체 통유로(53a, 53b, 53c)를 갑입하기 위한 복수의 오목부가 형성되고, 이 오목부에 제 2 히터(52a, 52b, 52c, 52d, 52e, 52f) 및 제 2 열매체 통유로(53a, 53b, 53c)가 감입되어 있다. 그리고, 제 2 히터(52a, 52b, 52c, 52d, 52e, 52f) 및 제 2 열매체 통유로(53a, 53b, 53c)는 히터 고정 부재(51b, 51c, 51d)에 의해 무기 성막 재료용 하우징(51)에 매설되도록 고정된다. 제 2 열매체 통유로(53a, 53b, 53c)의 양 단부는, 도시하지 않은 공냉 장치에 접속되어 있고, 이 공냉 장치는, 제 2 열매체 통유로(53a, 53b, 53c)에 공기를 통류시키고 있다. 또한 상기 공냉 장치는, 예를 들면, 공기를 통류시키는 방향을 주기적으로 전환하도록 구성되어 있다. 공기를 통류시키는 방향을 주기적으로 전환함으로써, 무기 성막 재료용 하우징(51)의 일단부와 타단부의 사이에서 온도차가 발생하는 것을 방지하고, 용기(57)의 길이 방향에서의 열 균일성을 향상시키는 것이 가능해진다.Further, on the outer circumferential surface of the housing 51 for inorganic film forming material, second heaters 52a, 52b, 52c, 52d, 52e, 52f, which are fed by a power supply member (not shown), and second heat flow passages 53a, 53b, A plurality of recesses for enclosing 53c are formed, and the second heaters 52a, 52b, 52c, 52d, 52e, 52f and the second heat passages 53a, 53b, 53c are recessed in the recesses. . In addition, the second heaters 52a, 52b, 52c, 52d, 52e, 52f and the second heat medium flow passages 53a, 53b, 53c are formed of a housing for the inorganic film-forming material by the heater fixing members 51b, 51c, 51d. 51) is fixed to be embedded. Both ends of the 2nd heat medium flow paths 53a, 53b, 53c are connected to the air cooling apparatus which is not shown in figure, and this air cooling device flows air through the 2nd heat medium flow paths 53a, 53b, 53c. . In addition, the said air cooling apparatus is comprised so that the direction which flows air can be changed periodically, for example. By periodically switching the direction through which air flows, a temperature difference is prevented from occurring between one end and the other end of the housing 51 for inorganic film forming material, and the thermal uniformity in the longitudinal direction of the container 57 is improved. It becomes possible.

도 8은, 무기 성막 재료 분출홀(51a)의 배치예를 도시한 모식도이다. 무기 성막 재료 분출홀(51a)은, 예를 들면 도 8에 도시한 바와 같이 지그재그로 배치되어 있다. 이 무기 성막 재료 분출홀(51a)의 배치는 일례이다.FIG. 8: is a schematic diagram which shows the example of arrangement | positioning of the inorganic film-forming material blowing hole 51a. The inorganic film-forming material blowing holes 51a are arranged in a zigzag, for example, as shown in FIG. 8. Arrangement of this inorganic film-forming material blowing hole 51a is an example.

이상과 같이 구성된 무기 성막 재료 공급부(5)에서는, 제 1 히터(55a, 55b)가 가열되어 발생한 무기 성막 재료의 증기가 제 2 히터(52a, 52b, 52c, 52d, 52e, 52f)에 의해 보온된 상태에서, 분출홀(51a)로부터 분출된다.In the inorganic film-forming material supply part 5 comprised as mentioned above, the vapor | steam of the inorganic film-forming material which generate | occur | produced by heating the 1st heaters 55a and 55b is heat-retained by the 2nd heaters 52a, 52b, 52c, 52d, 52e, 52f. In the state of being blown out, it blows out from the blowing hole 51a.

성막 헤드(2)는, 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)로부터 피처리 기판(G)으로 방사되는 열을 차단하는 유기 재료 공급부용의 차열 커버(71)와, 무기 성막 재료 공급부(5)용의 차열 커버(72)를 가진다(도 4 참조). 차열 커버(71)와 차열 커버(72)의 사이에는, 냉각수 또는 냉각 가스가 통류되는 통유로(73a)를 가지는 차열판(73)이 설치되어 있다. 또한, 차열 커버(71) 및 차열 커버(72)의 차열 커버와, 차열판(73)을 가지는 경우에 한정되지 않고, 차열 커버 및 차열판(73) 중 어느 하나를 가지는 것으로 해도 된다.The film forming head 2 includes a heat shield cover 71 for an organic material supply unit for blocking heat radiated from the organic film forming material supply unit 4 and the inorganic film forming material supply unit 5 to the processing target substrate G, and an inorganic film forming unit. It has the heat shield cover 72 for the material supply part 5 (refer FIG. 4). Between the heat shield cover 71 and the heat shield cover 72, a heat shield plate 73 having a flow passage 73a through which cooling water or cooling gas flows is provided. The heat shield cover 71 and the heat shield cover 72 and the heat shield plate 73 are not limited to the case where the heat shield cover 71 and the heat shield cover 73 are provided.

도 9는, 성막 헤드(2)의 동작을 제어하는 제어 장치(59)의 일구성예를 도시한 블록도이다. 제어 장치(59)는, CPU(Central Processing Unit) 등의 제어부(59a)를 가진다. 제어부(59a)에는 버스를 개재하여, 적어도, 성막 헤드(2)의 제 1 히터(55a, 55b)(이하, 제 1 히터(55)라고 함) 및 제 2 히터(52a, 52b, 52c, 52d, 52e, 52f)(이하, 제 2 히터(52)라고 함)의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터 프로그램을 기억한 ROM(59b)과, 일시 기억용의 RAM(59c)과, 키보드, 마우스 등의 입력 장치(59d)와, 표시 장치 등의 출력장치(59e)와, 제 1 히터(55)와, 제 2 히터(52)와, 제 1 온도 검출부(59f)와, 제 2 온도 검출부(59g)와, 후술하는 제 1 구동부(81)와 제 2 구동부(82)가 접속되어 있다. 제 1 온도 검출부(59f)는 제 1 히터(55)의 주변 온도(T1), 예를 들면 가열 장치(54)의 제 1 반체(54a)(용기(57))의 온도를 검출하고, 검출한 온도를 제어부(59a)에 부여한다. 제 2 온도 검출부(59g)는 제 2 히터(52)의 주변 온도(T2), 예를 들면 무기 성막 재료용 하우징(51)의 온도를 검출하고, 검출한 온도를 제어부(59a)에 부여한다. 또한 엄밀하게는, 제 1 및 제 2 히터(55, 52), 제 1 및 제 2 구동부(81, 82)는, I / O 포트에 접속된 전원 회로를 개재하여 버스에 접속되어 있지만, I / O 포트 및 전원 회로는 도시하고 있지 않다.9 is a block diagram showing an example of a configuration of a control device 59 that controls the operation of the film forming head 2. The control device 59 has a control unit 59a such as a central processing unit (CPU). The control unit 59a is provided with at least a first heater 55a, 55b (hereinafter referred to as a first heater 55) and a second heater 52a, 52b, 52c, 52d via a bus. ROM 59b storing a computer program for controlling the operation of the first, second, and second (52e, 52f) (hereinafter referred to as second heater 52), RAM 59c for temporary storage, keyboard, mouse, etc. Device 59d, an output device 59e such as a display device, a first heater 55, a second heater 52, a first temperature detector 59f, a second temperature detector 59g, The 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82 mentioned later are connected. The first temperature detector 59f detects and detects the ambient temperature T1 of the first heater 55, for example, the temperature of the first half body 54a (container 57) of the heating device 54. The temperature is applied to the controller 59a. The second temperature detector 59g detects the ambient temperature T2 of the second heater 52, for example, the temperature of the housing 51 for inorganic film forming material, and gives the detected temperature to the controller 59a. In addition, strictly, the 1st and 2nd heaters 55 and 52 and the 1st and 2nd drive parts 81 and 82 are connected to the bus via the power supply circuit connected to the I / O port, O ports and power supply circuits are not shown.

제어부(59a)는, 무기 성막 재료 공급부(5)의 상기 주변 온도(T1)가 특정의 목표 온도에 도달하도록, 제 1 및 제 2 온도 검출부(59f, 59g)의 검출 결과에 기초하여, 제 1 및 제 2 히터(55, 52)로의 급전을 제어한다. 목표 온도란, 성막 시에 필요한 무기 성막 재료(증착 재료)의 증기량이 얻어지는 온도이다.The control part 59a is based on the detection result of the 1st and 2nd temperature detection parts 59f and 59g so that the said ambient temperature T1 of the inorganic film-forming material supply part 5 may reach | attain the specific target temperature, The 1st And power feeding to the second heaters 55 and 52. The target temperature is a temperature at which the amount of vapor of the inorganic film forming material (deposition material) necessary for the film formation is obtained.

도 10은, 제 1 히터(55) 및 제 2 히터(52)로의 급전과, 용기(57)의 온도 변화를 나타낸 타이밍 차트이다. 도 10의 그래프에서 횡축은 시간, 종축은 온도를 나타낸다. 상술한 주변 온도(T1), 주변 온도(T2)의 경시적 변화를 그래프로 나타낸다.FIG. 10: is a timing chart which showed the electric power feeding to the 1st heater 55 and the 2nd heater 52, and the temperature change of the container 57. As shown in FIG. In the graph of FIG. 10, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents temperature. The above-mentioned change of the ambient temperature T1 and the ambient temperature T2 is shown graphically.

우선, 제어부(59a)는 전원 회로에 제어 신호를 부여함으로써, 제 1 히터(55) 및 제 2 히터(52)로의 급전을 개시한다. First, the control part 59a starts supplying power to the 1st heater 55 and the 2nd heater 52 by giving a control signal to a power supply circuit.

제어부(59a)는 제 1 및 제 2 온도 검출부(59f, 59g)를 이용하여, 제 1 히터(55)의 주변 온도(용기(57)의 온도)(T1) 및 제 2 히터(52)의 주변 온도(T2)를 각각 검출하고, 적어도 후술하는 제 1 온도에서 주변 온도(T2)가 주변 온도(T1)보다 높아지도록, 제 1 히터(55) 및 제 2 히터(52)의 출력을 제어한 상태에서 승온을 행한다. 적어도 제 1 온도에서 주변 온도(T2)를 주변 온도(T1)보다 높게 함으로써, 무기 성막 재료의 증기가 무기 성막 재료용 하우징(51)의 내벽에 부착하는 것이 확실히 방지된다.The control part 59a uses the 1st and 2nd temperature detection parts 59f and 59g, and the surrounding temperature (temperature of the container 57) T1 of the 1st heater 55, and the periphery of the 2nd heater 52. FIG. The temperature T2 is detected respectively, and the output of the 1st heater 55 and the 2nd heater 52 is controlled so that the ambient temperature T2 may become higher than the ambient temperature T1 at the 1st temperature mentioned later at least. The temperature is raised at. By making the ambient temperature T2 higher than the ambient temperature T1 at least at the first temperature, the vapor of the inorganic film forming material is surely prevented from adhering to the inner wall of the housing 51 for the inorganic film forming material.

제어부(59a)는 제 1 히터(55)의 주변 온도(T1)가 제 1 온도에 도달한 경우, 제 1 히터(55)로의 급전량을 감소시킨다. 제 1 온도는 무기 성막 재료의 증기가 발생하기 시작하는 온도이며, 상기 목표 온도보다 낮은 온도이다.When the ambient temperature T1 of the first heater 55 reaches the first temperature, the controller 59a decreases the amount of feeding to the first heater 55. The first temperature is a temperature at which vapor of the inorganic film forming material starts to be generated, and is lower than the target temperature.

이어서, 제어부(59a)는 제 2 온도 검출부(59g)를 이용하여, 제 2 히터(52)의 주변 온도(T2)가 제 2 온도에 도달했는지 여부를 판정한다. 제 2 온도는 목표 온도보다 높은 온도이며, 제 2 히터(52)의 주변 온도(T2)가 제 2 온도에 도달했을 때, 제 1 히터(55) 및 제 2 히터(52)로의 급전을 PID 제어함으로써, 제 2 히터(52)의 주변으로부터 방사된 열 및 제 1 히터(55)로부터의 가열에 의해, 용기(57) 및 무기 성막 재료의 온도가 목표 온도에 수속될 수 있는 온도이다. 제 2 온도는 실험 등으로 결정되는 소정의 온도이어도 되고, 입력된 목표 온도에 기초하여 산출되는 온도이어도 된다. 예를 들면 목표 온도가 500 도일 경우, 제 2 온도로서 520 도를 설정한다. 제어부(59a)는 제 2 히터(52)의 주변 온도(T2)가 제 2 온도에 도달했다고 판정한 경우, 제 1 히터(55) 및 제 2 히터(52)를 PID 제어하고, 성막 처리를 행한다. 구체적으로, 제어부(59a)는 제 1 및 제 2 온도 검출부(59f, 59g)에서 검출되는 온도를 감시하고, 주변 온도(T1)가 목표 온도에 일치하도록, 전원 회로에 제어 신호를 부여함으로써, 제 1 히터(55) 및 제 2 히터(52)로의 급전을 제어한다. 보다 구체적으로, 제어부(59a)는, 주변 온도(T2)가 제 2 온도 이상이 된 경우, 제 2 히터(52)에 의한 가열을 일시 정지 또는 출력을 저하시키고, 주변 온도(T2)가 제 2 온도 미만이 된 경우, 제 2 히터(52)에 의한 가열을 재개 또는 증대시킨다. 또한, 주변 온도(T1)가 목표 온도 혹은 목표 온도 이상이 된 경우, 제 1 히터(55)에 의한 가열을 정지 또는 출력을 저하시키고, 주변 온도(T1)가 목표 온도 미만이 된 경우, 제 1 히터(55)에 의한 가열을 재개 또는 증대시킨다.Next, the control part 59a uses the 2nd temperature detection part 59g, and determines whether the ambient temperature T2 of the 2nd heater 52 reached the 2nd temperature. The second temperature is a temperature higher than the target temperature, and when the ambient temperature T2 of the second heater 52 reaches the second temperature, PID control is provided to feed the first heater 55 and the second heater 52. Thereby, by the heat radiated from the periphery of the 2nd heater 52 and the heating from the 1st heater 55, the temperature of the container 57 and an inorganic film-forming material is the temperature which can converge to a target temperature. The second temperature may be a predetermined temperature determined by an experiment or the like, or may be a temperature calculated based on the input target temperature. For example, when the target temperature is 500 degrees, 520 degrees is set as the second temperature. When the control unit 59a determines that the ambient temperature T2 of the second heater 52 has reached the second temperature, the control unit 59a performs PID control on the first heater 55 and the second heater 52 and performs a film forming process. . Specifically, the control unit 59a monitors the temperatures detected by the first and second temperature detection units 59f and 59g, and gives a control signal to the power supply circuit so that the ambient temperature T1 matches the target temperature. Power supply to the first heater 55 and the second heater 52 is controlled. More specifically, the controller 59a temporarily stops heating by the second heater 52 or lowers the output when the ambient temperature T2 is equal to or higher than the second temperature, and the ambient temperature T2 is second. When it becomes below temperature, heating by the 2nd heater 52 is restarted or increased. In addition, when the ambient temperature T1 becomes the target temperature or the target temperature or more, the heating by the first heater 55 is stopped or the output is lowered, and when the ambient temperature T1 becomes the target temperature, the first Heating by the heater 55 is resumed or increased.

이상의 처리를 행함으로써, 주변 온도(T1)가 목표 온도로 유지된다. 또한 무기 성막 재료의 가열을 정지시킬 경우에도, 주변 온도(T1)가 주변 온도(T2) 이하가 되는 조건을 유지한 채로, 용기(57) 및 무기 성막 재료의 온도를 저하시킨다. 이에 의해, 무기 성막 재료의 증기가 무기 성막 재료용 하우징(51)의 내벽에 부착하는 것이 방지된다. By performing the above process, the ambient temperature T1 is maintained at the target temperature. In addition, even when heating of an inorganic film-forming material is stopped, the temperature of the container 57 and an inorganic film-forming material is reduced, maintaining the conditions to which ambient temperature T1 becomes below ambient temperature T2. This prevents the vapor of the inorganic film forming material from adhering to the inner wall of the housing 51 for the inorganic film forming material.

상술한 처리에 의해, 소정의 길이를 가지고, 제 1 히터(55)에 의한 가열 제어만으로는 길이 방향에 불균일이 발생하기 쉬운 용기(57)에서, 무기 성막 재료를 균일하게 목표 온도로 가열하는 것이 가능해진다. 즉, 용기(57)의 길이 방향에서의 온도 균일성을 향상시킬 수 있다.By the above-mentioned process, in the container 57 which has predetermined length and it is easy to produce a nonuniformity in a longitudinal direction only by the heating control by the 1st heater 55, it is possible to heat an inorganic film-forming material uniformly to a target temperature. Become. That is, the temperature uniformity in the longitudinal direction of the container 57 can be improved.

또한, 용기(57)의 온도를 목표 온도로 유지하기 위한 처리는 특별히 한정되지 않는다. In addition, the process for maintaining the temperature of the container 57 to a target temperature is not specifically limited.

도 11은, 다른 예의 제 1 히터(55) 및 제 2 히터(52)로의 급전과, 용기(57)의 온도 변화를 나타낸 타이밍 차트이다. 이 경우, 제어부(59a)는 주변 온도(T1)와 주변 온도(T2)가 대략 일치하는 상태에서 승온하고(단, 상시 주변 온도(T2)가 주변 온도(T1)와 동일하거나, 그보다 높아지도록 제어함), 주변 온도(T1)가 제 1 온도에 도달한 경우, 제 1 히터(55)로의 급전량을 감소시킨다. 그리고, 주변 온도(T2)가 제 2 온도에 도달한 경우, 제 2 히터(52)를 PID 제어하여, 주변 온도(T1)가 목표 온도에 수속되도록 제어한다. 이 때, 제 1 히터로의 급전을 정지시키거나 혹은 급전량을 감소시킨다. 이 처리에 의해서도 용기(57)를 길이 방향으로 균일하게 목표 온도까지 가열할 수 있고, 무기 성막 재료를 균일하게 목표 온도로 가열할 수 있다. 단, 이 처리의 제 1 온도 및 제 2 온도는 도 10의 처리의 제 1 온도 및 제 2 온도와는 상이한 값이 설정될 수 있다.FIG. 11: is a timing chart which showed the electric power feeding to the 1st heater 55 and the 2nd heater 52 of another example, and the temperature change of the container 57. As shown in FIG. In this case, the control unit 59a controls the temperature so that the ambient temperature T1 and the ambient temperature T2 approximately coincide with each other (except that the constant ambient temperature T2 is equal to or higher than the ambient temperature T1). When the ambient temperature T1 reaches the first temperature, the feed amount to the first heater 55 is reduced. When the ambient temperature T2 reaches the second temperature, the second heater 52 is PID controlled so that the ambient temperature T1 converges to the target temperature. At this time, the power supply to the first heater is stopped or the power supply amount is reduced. Also by this process, the container 57 can be heated uniformly to a target temperature in the longitudinal direction, and an inorganic film-forming material can be heated to a target temperature uniformly. However, the first temperature and the second temperature of this process may be set to values different from the first and second temperatures of the process of FIG. 10.

도 12는, 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)의 배치와, 유기 성막 재료 및 무기 성막 재료의 반송 방향(성막 헤드(2)의 하측에서의 반입구(11a)측의 단부(端部)로부터의 거리)에서의 증기량을 개념적으로 나타낸 설명도이다. 도 12 중 A는 무기 성막 재료의 증기량을 나타낸 그래프, B는 유기 성막 재료의 증기량을 나타낸 그래프이다. 12 shows the arrangement of the organic film forming material supply unit 4 and the inorganic film forming material supply unit 5 and the conveying direction of the organic film forming material and the inorganic film forming material (on the inlet 11a side under the film forming head 2). It is explanatory drawing which showed conceptually the amount of vapor in the distance from an edge part. In FIG. 12, A is a graph which shows the vapor amount of an inorganic film-forming material, and B is a graph which shows the vapor amount of an organic film-forming material.

유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)에는 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)를 상하 방향(수직 방향) 및 수평 방향(피처리 기판(G)의 반송 방향)으로 이동시키기 위한 상기 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)가 장착되어 있다. 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)는 처리실(11)의 상부에 설치되어 있다. 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)는 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)를 지지하는 지지부(81a, 82a)와 나사축부(81b, 82b)를 구비한다. 지지부(81a, 82a)는 도 12의 지면에 수직인 방향으로 돌출된 축부(81c, 82c)를 각 2 개 구비하고, 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)의 차열 커버(71), 차열 커버(72)는 축부(81c, 82c)에 감합되는 돌출 설치부(4c, 5c)를 각 2 개 구비하고 있다. The organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 carry the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 in the vertical direction (vertical direction) and the horizontal direction (the conveyance of the processing target substrate G). Direction, and the first drive unit 81 and the second drive unit 82 are mounted. The 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82 are provided in the upper part of the process chamber 11. The 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82 are provided with the organic-film-forming material supply part 4, the support part 81a, 82a which supports the inorganic film-forming material supply part 5, and the screw shaft part 81b, 82b. The support portions 81a and 82a each have two shaft portions 81c and 82c protruding in a direction perpendicular to the surface of FIG. 12, and include a heat shield cover of the organic film forming material supply part 4 and the inorganic film forming material supply part 5. 71 and the heat shield cover 72 are each provided with two protrusion mounting portions 4c and 5c fitted to the shaft portions 81c and 82c.

제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)는 볼 나사 기구에 의해 나사축(81b, 82b)이 회전함으로써, 지지부(81a, 82a)를 개재하여 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)가 상하 방향의 직선 운동을 하도록 구성되어 있다. 또한, 지지부(81a, 82a)는 마이크로 스테이지에 의해 수평 방향으로 이동 가능하며, 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)가 수평 방향으로 이동하도록 구성되어 있다. 그리고, 돌출 설치부(4c, 5c)가 축부(81c, 82c)를 중심으로 회전함으로써, 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)가 θ 방향으로 회전하도록 구성되어 있다. 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)는 제어부(59a)에 의해 제어되어 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)를 적절한 위치로 이동시킨다. The screw shafts 81b and 82b are rotated by the ball screw mechanism of the 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82, and the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material via support parts 81a and 82a. The supply part 5 is comprised so that linear movement of the up-down direction may be performed. In addition, the support parts 81a and 82a are movable in a horizontal direction by a micro stage, and the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 are comprised so that it may move to a horizontal direction. And the protrusion installation part 4c, 5c is rotated about the shaft part 81c, 82c, and it is comprised so that the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 may rotate in (theta) direction. The 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82 are controlled by the control part 59a, and move the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 to an appropriate position.

또한 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)를 상하 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 구성, 및 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)를 θ 방향으로 회전시키는 구성은 상술한 경우에 한정되지 않는다. 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)를 마이크로 미터에 의해 상하 방향으로 이동시키는 것으로 해도 되고, 볼 나사 기구 또는 리니어 모터에 의해 수평 방향으로 이동시키는 것으로 해도 된다.Moreover, the structure which moves the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 to an up-down direction and a horizontal direction, and the structure which rotates the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 to (theta) direction Is not limited to the above-mentioned case. The organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 may be moved in the vertical direction by a micrometer, or may be moved in the horizontal direction by a ball screw mechanism or a linear motor.

도 12에 나타낸 바와 같이, 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)를 배치한 경우, 피처리 기판(G)의 반송에 따라, 발광층의 직상(直上)에 무기 성막 재료가 대부분 포함되는 상태로 성막되고, 점차 유기 성막 재료의 혼합량이 증가되도록 성막된다. 막 두께 방향의 대략 중앙부에서 무기 성막 재료와 유기 성막 재료의 혼합비(체적비)가 대략 50 : 50이 되고, 이 후에는 유기 성막 재료의 비율이 높은 상태로 성막되고, 마지막에는 유기 성막 재료가 대부분 포함되는 상태로 성막 되어, 성막 처리가 종료된다.As shown in FIG. 12, when the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 are arrange | positioned, most inorganic film-forming materials are directly in the light emitting layer according to conveyance of the to-be-processed substrate G. FIG. The film is formed in an included state, and the film is gradually formed so that the mixed amount of the organic film forming material is increased. The mixing ratio (volume ratio) of the inorganic film forming material and the organic film forming material is approximately 50:50 at approximately the center portion of the film thickness direction, after which the film is formed with a high proportion of the organic film forming material, and finally most organic film forming materials are included. The film is formed in such a state that the film forming process is completed.

도 13은, 본 실시예 1에 따른 성막 시스템을 이용하여 성막된 유기 EL 소자(3)를 모식적으로 도시한 단면도이다. 13 is a cross-sectional view schematically showing the organic EL element 3 formed by using the film formation system according to the first embodiment.

우선, 미리 표면에 ITO층(31)이 형성된 피처리 기판(G)이 로더(90)로부터 성막 시스템 내로 반입되고, 트랜스퍼 챔버(91)에 의해 더 내측의 성막 장치(1)로 반입된다. 또한, 트랜스퍼 챔버(91)와 로더(90)는 게이트 밸브(도시하지 않음)를 개재하여 접속되어 있다.First, the to-be-processed substrate G in which the ITO layer 31 was previously formed in the surface is carried in from the loader 90 into the film forming system, and is carried into the film forming apparatus 1 on the inner side by the transfer chamber 91. In addition, the transfer chamber 91 and the loader 90 are connected via a gate valve (not shown).

성막 장치(1)의 처리실(11)로 반입된 피처리 기판(G)은 표면, 즉 ITO층(31)을 위로 향한 자세로 도 3에 도시한 지지대(12c)에 정전 흡착되고, 일정 온도로 유지된다. 또한 피처리 기판(G)이 반입되기 전에, 처리실(11)의 내부는 진공 펌프(15)의 구동에 의해 미리 소정 압력, 예를 들면 0.01 Pa 이하로 감압되어 있다. 그리고, 지지대(12c)가 안내 레일(12a)을 따라 반송 방향으로 이동하고, 피처리 기판(G)이 증착 헤드(13)의 하방을 통과한다. 증착 헤드(13)의 하방을 통과하는 과정에서, 도 13에 도시한 바와 같이, 피처리 기판(G)에는 홀 주입층(33a), 홀 수송층(33b), 청색 발광층(33c), 적색 발광층(33d) 및 녹색 발광층(33e)이 순차적으로 성막된다. 그리고 성막 헤드(2)에서, 유기 성막 재료 및 무기 성막 재료의 증기가 성막 방향으로 혼합 비율이 제어된 상태에서, 유기 성막 재료 및 무기 성막 재료의 공증착이 행해지고, 전자 수송층(33f)이 형성된다. 마지막으로, 전자 주입층(33g)이 형성된다.The substrate G to be carried into the processing chamber 11 of the film forming apparatus 1 is electrostatically adsorbed onto the support 12c shown in FIG. maintain. In addition, before the processing substrate G is carried in, the inside of the processing chamber 11 is previously decompressed to a predetermined pressure, for example, 0.01 Pa or less, by the driving of the vacuum pump 15. And the support stand 12c moves to a conveyance direction along the guide rail 12a, and the to-be-processed board | substrate G passes under the vapor deposition head 13. As shown in FIG. In the process of passing under the deposition head 13, as shown in FIG. 13, the substrate G has a hole injection layer 33a, a hole transport layer 33b, a blue light emitting layer 33c, and a red light emitting layer ( 33d) and the green light emitting layer 33e are sequentially formed. In the film forming head 2, co-deposition of the organic film forming material and the inorganic film forming material is performed in a state where the mixing ratio of the vapor of the organic film forming material and the inorganic film forming material is controlled in the film forming direction, and the electron transport layer 33f is formed. . Finally, the electron injection layer 33g is formed.

이어서, 유기층 및 무기층의 성막 처리를 종료한 피처리 기판(G)은, 트랜스퍼 챔버(92)에 의해 에칭 장치(93)로 반입된다. 에칭 장치(93)에서는, 각종 막의 형상 등이 조정된다. 이어서, 트랜스퍼 챔버(94)에 의해 스퍼터링 장치(95)로 반입된다. 스퍼터링 장치(95)에서는 음극층(32)이 형성된다. 이어서, 트랜스퍼 챔버(96)에 의해 피처리 기판(G)은 CVD 장치(97)로 반입된다. CVD 장치(97)에서는, 피처리 기판(G)에 성막된 각 층이 질화 규소(SiN)막 등의 밀봉층(34)에 의해 밀봉된다. 그리고 밀봉 처리된 피처리 기판(G)은, 트랜스퍼 챔버(98)를 거쳐 언로더(99)로부터 성막 처리 시스템 밖으로 반출된다.Next, the to-be-processed substrate G which finished the film-forming process of the organic layer and the inorganic layer is carried in to the etching apparatus 93 by the transfer chamber 92. In the etching apparatus 93, the shape of various films and the like are adjusted. Subsequently, it is carried in to the sputtering apparatus 95 by the transfer chamber 94. FIG. In the sputtering apparatus 95, the cathode layer 32 is formed. Subsequently, the substrate G to be processed is transferred into the CVD apparatus 97 by the transfer chamber 96. In the CVD apparatus 97, each layer formed on the substrate G to be processed is sealed by a sealing layer 34 such as a silicon nitride (SiN) film. And the to-be-processed substrate G sealed is carried out from the unloader 99 through the transfer chamber 98 out of the film-forming processing system.

본 실시예에 따르면, 소요 조건 하에서, 성막 방향으로 유기 성막 재료 및 무기 성막 재료의 혼합 비율을 조정하고, 유기 성막 재료 및 무기 성막 재료를 공증착 하는 것이 가능하다. 예를 들면 450℃에서의 증기압이 10 Pa의 유기 성막 재료 Alq3 를 유기 성막 재료 공급부(4)로 공급하여 분출시키고, 또한 700℃에서의 증기압이 10 Pa의 무기 성막 재료 Ba를 분출시키고, 소정의 농도 분포를 가지도록 혼합시킨 다음 공증착시킬 수 있다.According to the present embodiment, it is possible to adjust the mixing ratio of the organic film forming material and the inorganic film forming material in the film forming direction and co-deposit the organic film forming material and the inorganic film forming material under the required conditions. For example, the organic film forming material Alq 3 having a vapor pressure of 450 ° C. at 10 ° C. is supplied to the organic film forming material supplying part 4, and the organic film forming material Ba having a vapor pressure at 700 ° C. emits 10 Pa. The mixture may be mixed to have a concentration distribution of and then co-deposited.

본 실시예에서는, 예를 들면 도 12와 같이 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부를 배치한 경우, 전자 수송층(33g)의 성막 방향(막 두께 방향)에서, 전자 주입층(33g)으로부터 녹색 발광층(33e)을 향함에 따라 무기 성막 재료의 혼합 비율이 높아진다. 도 13에서는, 이 경우의 농도 분포를 모식적으로 도시하고 있다.In this embodiment, for example, when the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part are arranged as shown in FIG. 12, the electron injection layer 33g is formed in the film formation direction (film thickness direction) of the electron transport layer 33g. From the side toward the green light emitting layer 33e, the mixing ratio of the inorganic film forming material increases. In FIG. 13, the density distribution in this case is shown typically.

유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)의 배치는 도 12에 나타낸 배치에는 한정되지 않는다. 원하는 전자 주입 효율을 얻기 위하여, 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)의 위치를 조절할 수 있다. 구체적으로, 무기 성막 재료 및 유기 성막 재료의 전자 수송 특성 등에 기초하여, 홀의 막의 관통 방지성을 충분히 확보하면서 녹색 발광층(33e)측 및 전자 주입층(33g)측 계면의 에너지 장벽의 높이를 조절하도록, 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)의 위치를 조절하고, 무기 성막 재료의 성막 방향의 농도 분포를 제어한다.The arrangement of the organic film forming material supply unit 4 and the inorganic film forming material supply unit 5 is not limited to the arrangement shown in FIG. 12. In order to obtain a desired electron injection efficiency, the positions of the organic film forming material supply unit 4 and the inorganic film forming material supply unit 5 can be adjusted. Specifically, based on the electron transporting properties of the inorganic film forming material and the organic film forming material, the height of the energy barrier at the interface between the green light emitting layer 33e side and the electron injection layer 33g side is adjusted while ensuring sufficient penetration prevention of the hole film. , The positions of the organic film forming material supply unit 4 and the inorganic film forming material supply unit 5 are adjusted, and the concentration distribution in the film forming direction of the inorganic film forming material is controlled.

도 14는 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)의 다른 배치예 및 농도 분포를 나타낸 설명도, 도 15는 상기 배치예에 따라 성막된 유기 EL 소자를 모식적으로 도시한 단면도이다. 도 14 중 A는 무기 성막 재료의 증기량을 나타낸 그래프, B는 유기 성막 재료의 증기량을 나타낸 그래프이다. 14 is an explanatory view showing another arrangement example and concentration distribution of the organic film forming material supply unit 4 and the inorganic film forming material supply unit 5, and FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing an organic EL element formed in accordance with the arrangement example. to be. In FIG. 14, A is a graph which shows the vapor amount of an inorganic film-forming material, and B is a graph which shows the vapor amount of an organic film-forming material.

유기 성막 재료 공급부(4)를 무기 성막 재료 공급부(5)보다 하측으로 돌출시키고 있다. 이에 의해 도 15에 도시한 바와 같이, 무기 성막 재료의 농도를 녹색 발광층(33e)측과 전자 주입층(33g)측에서 높게 되도록 하고 있다.The organic film-forming material supply part 4 protrudes below the inorganic film-forming material supply part 5. Thereby, as shown in FIG. 15, the density | concentration of an inorganic film-forming material is made high on the green light emitting layer 33e side and the electron injection layer 33g side.

도 16은 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)의 다른 배치예 및 농도분 분포를 나타낸 설명도, 도 17은 상기 배치예에 따라 성막된 유기 EL 소자를 모식적으로 도시한 단면도이다. 도 16 중 A는 무기 성막 재료의 증기량을 나타낸 그래프, B는 유기 성막 재료의 증기량을 나타낸 그래프이다. FIG. 16 is an explanatory view showing another arrangement example and concentration distribution of the organic film forming material supply unit 4 and the inorganic film forming material supply unit 5, and FIG. 17 schematically shows an organic EL element formed in accordance with the arrangement example. It is a cross section. In FIG. 16, A is a graph which shows the vapor amount of an inorganic film-forming material, and B is a graph which shows the vapor amount of an organic film-forming material.

유기 성막 재료 공급부(4)를 피처리 기판(G)의 반송 방향의 상류측에, 무기 성막 재료 공급부(5)를 반송 방향의 하류측에 배치하고 있다. 이에 의해 도 17에 도시한 바와 같이, 녹색 발광층(33e)측으로부터 전자 주입층(33g)측을 향함에 따라, 무기 성막 재료의 농도가 높아지도록 하고 있다.The organic film-forming material supply part 4 is arrange | positioned in the upstream of the conveyance direction of the to-be-processed substrate G, and the inorganic film-forming material supply part 5 is arrange | positioned downstream of the conveyance direction. As a result, as shown in FIG. 17, the concentration of the inorganic film forming material is increased from the green light emitting layer 33e side toward the electron injection layer 33g side.

이상과 같이 구성되어 있으므로, 본 실시예에서는, 전자 수송층(33f)의 녹색 발광층(33e)과의 계면, 및 전자 주입층(33g)과의 계면의 에너지 장벽의 높이가 조절되어, 전자 주입 효율이 조정되고, 또한 녹색 발광층(33e)측으로부터 홀이 음극층(32)으로 관통하는 것이 확실히 방지되어 음극 계면의 열화가 억제되고, 발광 효율이 향상된다. 즉 본 실시예에서는, 유기 성막 재료 및 무기 성막 재료에 따라 막 두께 방향의 농도 분포를 적절히 설정하고, 전자 수송층(33f)의 녹색 발광층(33e)측 및 전자 주입층(33g)측의 계면 상태를 조정하여, 전자 주입율을 제어할 수 있다.Since it is comprised as mentioned above, in this embodiment, the height of the energy barrier of the interface with the green light emitting layer 33e of the electron carrying layer 33f, and the interface with the electron injection layer 33g is adjusted, and electron injection efficiency is adjusted. Adjusting and reliably preventing the hole from penetrating into the cathode layer 32 from the green light emitting layer 33e side, deterioration of the cathode interface is suppressed, and the luminous efficiency is improved. That is, in this embodiment, the concentration distribution in the film thickness direction is appropriately set according to the organic film forming material and the inorganic film forming material, and the interface state of the green light emitting layer 33e side and the electron injection layer 33g side of the electron transporting layer 33f is adjusted. By adjusting, the electron injection rate can be controlled.

이상과 같이 본 실시예에서는, 유기 발광 소자의 발광층과 음극의 사이에 공증착층을 성막할 경우, 막의 발광층측 계면 및 음극측 계면의 에너지 장벽의 높이를 제어하여 전자 주입 효율을 조정하고, 발광 효율을 향상시키고, 양호한 발광 강도를 가지는 유기 발광 소자를 제조한다고 하는 과제를 해결할 수 있다.As described above, in the present embodiment, when the co-deposition layer is formed between the light emitting layer and the cathode of the organic light emitting element, the electron injection efficiency is adjusted by controlling the height of the energy barrier at the light emitting layer side interface and the cathode side interface of the film, It is possible to solve the problem of improving the efficiency and manufacturing an organic light emitting device having a good emission intensity.

또한 본 실시예에서는, 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)가 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)를 수평 방향 및 상하 방향으로 이동 가능하게 구성하고, θ 방향으로 회전 가능하게 구성한 경우에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않는다. 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)가 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)를 수평 방향으로만 이동시키는 것이어도 된다. 단, 상하 방향으로도 이동 가능하며, θ 방향으로도 회전 가능하게 구성하는 것이 세밀하게 농도 분포를 제어할 수 있으므로 바람직하다. In addition, in this embodiment, the 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82 comprise the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 so that a movement to a horizontal direction and a vertical direction is possible, Although the case where it was comprised rotatably was demonstrated, it is not limited to this. The 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82 may move the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 only in a horizontal direction. However, it is preferable to move in the up-down direction and to be rotatable in the θ direction because the concentration distribution can be controlled in detail.

또한 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)를 자동으로 이동시키는 경우에 한정되지 않고, 수동으로 이동시키는 것으로 해도 된다.Moreover, it is not limited to the case where the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 are moved automatically, You may make it move manually.

또한 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)를 처리실(11)의 상부에 설치한 경우에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 예를 들면 증기를 처리실(11)의 하측으로부터 분출시켜 성막할 경우 등에서는, 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)를 처리실(11)의 하부에 설치하는 것으로 해도 된다. Moreover, although the case where the 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82 were provided in the upper part of the process chamber 11 was demonstrated, it is not limited to this, For example, steam is blown out from the lower side of the process chamber 11, for example. In the case of film formation, the first drive unit 81 and the second drive unit 82 may be provided below the processing chamber 11.

그리고, 본 실시예에서는 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)의 양방이 이동 가능하게 구성되어 있는 경우에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 어느 일방만 이동 가능하게 구성하는 것으로 해도 된다. 이 경우, 유기 성막 재료 공급부(4)는 선단부가 처리실(11)의 상면으로부터 돌출되는 유기 성막 재료 공급관(40)을 구비하므로, 처리실(11)에 내부에 설치되어 있는 무기 성막 재료 공급부(5)를 이동 가능하게 구성하는 것이 바람직하다.In the present embodiment, the case where both the organic film forming material supply unit 4 and the inorganic film forming material supply unit 5 are configured to be movable is described. However, the present invention is not limited thereto, and only one of the organic film forming material supply units 4 is movable. You may use it. In this case, since the organic film-forming material supply part 4 has an organic film-forming material supply pipe 40 whose tip portion protrudes from the upper surface of the process chamber 11, the inorganic film-forming material supply part 5 provided inside the processing chamber 11 is provided. It is preferable to configure the to be movable.

실시예 2Example 2

본 발명의 실시예 2에 따른 성막 시스템은, 실시예 1에 따른 성막 시스템과 동일한 구성을 가지고, 제 6 헤드(13f)를 갖지 않는 점이 실시예 1에 따른 성막 시스템과 상이하다.The film forming system according to the second embodiment of the present invention has the same configuration as the film forming system according to the first embodiment, and differs from the film forming system according to the first embodiment in that it does not have the sixth head 13f.

도 18은, 실시예 2에 따른 성막 장치(101)를 도시한 사시도이다. 도면 중 도 2와 동일 부분은 동일 부호를 부여하여 상세한 설명은 생략한다.18 is a perspective view showing a film forming apparatus 101 according to the second embodiment. In the drawings, the same parts as in FIG. 2 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

성막 장치(101)는, 상술한 바와 같이 증착 헤드(13)로서 제 6 헤드(13f)를 가지지 않고, 홀 주입층을 증착시키는 제 1 헤드(13a), 홀 수송층을 증착시키는 제 2 헤드(13b), 청색 발광층을 증착시키는 제 3 헤드(13c), 적색 발광층을 증착시키는 제 4 헤드(13d), 녹색 발광층을 증착시키는 제 5 헤드(13e) 및 성막 헤드(202)를, 반송 방향을 따라 차례로 배치하여 구성되어 있다. 성막 헤드(202)는, 실시예 1에 따른 성막 헤드(2)와 동일한 구성을 가진다. 즉, 도 4에 도시한 구성과 동일한 구성을 가진다.The film forming apparatus 101 does not have the sixth head 13f as the deposition head 13 as described above, the first head 13a for depositing the hole injection layer, and the second head 13b for depositing the hole transport layer. ), A third head 13c for depositing a blue light emitting layer, a fourth head 13d for depositing a red light emitting layer, a fifth head 13e for depositing a green light emitting layer, and a film forming head 202 in this order along the conveyance direction. It is arrange | positioned. The film forming head 202 has the same structure as the film forming head 2 according to the first embodiment. That is, it has the same structure as the structure shown in FIG.

이하에, 도 12에 나타낸 배치와 마찬가지로, 반입구(11a)측에 무기 성막 재료 공급부(5)를, 반출구(11b)측에 유기 성막 재료 공급부(4)를 배치한 경우에 대하여 설명한다.12, the case where the inorganic film-forming material supply part 5 is arrange | positioned at the inlet 11a side, and the organic film-forming material supply part 4 is arrange | positioned at the outlet 11b side is demonstrated.

도 19는, 본 실시예 2에 따른 성막 장치(101)를 이용하여 성막된 유기 EL 소자(303)를 모식적으로 도시한 단면도이다. 도 19에 도시한 바와 같이, 피처리 기판(G)에는 홀 주입층(33a), 홀 수송층(33b), 청색 발광층(33c), 적색 발광층(33d), 녹색 발광층(33e)이 순차적으로 성막된다. 그리고 마지막 성막 헤드(202)에서, 유기 성막 재료 및 무기 성막 재료의 증기가 성막 방향으로 혼합 비율이 제어된 상태에서, 피처리 기판(G)에 유기 성막 재료 및 무기 성막 재료의 공증착이 행해진다. 즉 피처리 기판(G)에는, 유기 성막 재료와 무기 성막 재료가 혼합된 전자 수송 · 주입층(33h)이 형성된다. 여기서는, 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)가 상술한 바와 같이 배치되어 있으므로, 음극층(32)측으로부터 녹색 발광층측(33e)측을 향함에 따라, 무기 성막 재료의 농도가 증가하도록 성막되어 있다.19 is a cross-sectional view schematically showing the organic EL element 303 formed by using the film forming apparatus 101 according to the second embodiment. As shown in FIG. 19, a hole injection layer 33a, a hole transport layer 33b, a blue light emitting layer 33c, a red light emitting layer 33d, and a green light emitting layer 33e are sequentially formed on the substrate G to be processed. . In the last film forming head 202, the organic film forming material and the inorganic film forming material are co-deposited on the substrate to be processed G while the mixing ratio of the vapor of the organic film forming material and the inorganic film forming material is controlled in the film forming direction. . That is, in the to-be-processed substrate G, the electron carrying and injection layer 33h which mixed the organic film-forming material and the inorganic film-forming material is formed. Here, since the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 are arrange | positioned as mentioned above, the density | concentration of an inorganic film-forming material goes from the cathode layer 32 side toward the green light emitting layer side 33e side. Is formed to increase.

본 실시예에서는, 전자 수송 · 주입층(33h)의 무기 성막 재료의 성막 방향의 농도 분포를 제어하고 있으므로, 실시예 1과 마찬가지로, 녹색 발광층측(33e)측으로부터 음극층(32)측으로의 홀이 관통을 양호하게 방지하여 음극 계면의 열화를 방지하면서, 녹색 발광층(33e)과 전자 수송 · 주입층(33h)의 계면 및 전자 수송 · 주입층(33h)과 음극층(32)의 계면의 에너지 장벽을 원하는 값으로 조절하여 소정의 전자 주입 효율을 얻을 수 있고, 얻어진 유기 EL 소자는 양호한 발광 강도를 가진다.In this embodiment, since the concentration distribution in the film-forming direction of the inorganic film-forming material of the electron transporting / injecting layer 33h is controlled, the hole from the green light emitting layer side 33e side to the cathode layer 32 side as in Example 1 is controlled. The energy of the interface between the green light emitting layer 33e and the electron transporting and injecting layer 33h and the interface between the electron transporting and injecting layer 33h and the cathode layer 32 can be prevented from penetrating well to prevent deterioration of the cathode interface. By adjusting the barrier to a desired value, a predetermined electron injection efficiency can be obtained, and the obtained organic EL device has good emission intensity.

실시예 3Example 3

본 발명의 실시예 3에 따른 성막 시스템의 성막 장치(102)는, 처리실(11)에서는 녹색 발광층(33e)까지의 성막을 행하고, 전자 수송 · 주입층(33i)을 처리실(11)로부터 독립된 처리실(111)에서 행하도록 구성되어 있는 것 이외에는, 실시예 1 및 2에 따른 성막 시스템과 동일한 구성을 가진다. In the film forming apparatus 102 of the film forming system according to the third embodiment of the present invention, the film forming apparatus 102 forms a film up to the green light emitting layer 33e in the processing chamber 11, and the electron transport / injection layer 33i is separated from the processing chamber 11. Except having been configured to perform at 111, it has the same structure as the film forming systems according to the first and second embodiments.

전자 수송층(33f)까지의 성막은 실시예 1 및 2와 동일하게 하여 행하므로 상세한 설명은 생략한다.Film formation up to the electron transport layer 33f is performed in the same manner as in the first and second embodiments, and thus detailed description thereof is omitted.

도 20은, 실시예 3에 따른 성막 장치(102)의 일부를 개념적으로 설명하는 설명도, 도 21은 실시예 3에 따른 성막 헤드(203)를 도시한 측단면도이다. 20 is an explanatory diagram conceptually illustrating a part of the film forming apparatus 102 according to the third embodiment, and FIG. 21 is a side cross-sectional view showing the film forming head 203 according to the third embodiment.

성막 헤드(203)는, 실시예 1에 따른 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)를 내부에 설치한다. 도면 중 도 4와 동일 부분은 동일 부호를 부여하여 상세한 설명은 생략한다. The film forming head 203 has the organic film forming material supply part 4 and the inorganic film forming material supply part 5 which concern on Example 1 inside. In the drawings, the same parts as in FIG. 4 are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

상자 형상을 이루는 금속제의 성막 헤드(203)는, 유기 성막 재료 공급부(4)로부터 분출되는 유기 성막 재료와, 무기 성막 재료 공급부(5)로부터 분출되는 무기 성막 재료를 혼합하기 위한 혼합실(204)을 저면에 구비한다. 혼합실(204)의 저면에는, 혼합된 성막 재료를 분출시키기 위한 분출구(203a)가 형성되어 있다.The metal film forming head 203 having a box shape is a mixing chamber 204 for mixing the organic film forming material ejected from the organic film forming material supply unit 4 and the inorganic film forming material ejected from the inorganic film forming material supply unit 5. It is provided on the bottom. At the bottom of the mixing chamber 204, a jet port 203a for ejecting the mixed film forming material is formed.

유기 성막 재료 공급부(4)의 유기 성막 재료 공급관(40)은 성막 헤드(203)의 상면을 관통하고, 이 상면으로부터 돌출된 부분에는 유량 조정부(80)가 설치되어 있다. 이 유량 조정부(80)에 의해 증기 발생부(17)로부터 공급되는 유기 성막 재료의 유량이 제어된 상태에서, 이 유기 성막 재료가 성막 헤드(203)로 공급된다. The organic film-forming material supply pipe 40 of the organic film-forming material supply part 4 penetrates the upper surface of the film-forming head 203, and the flow volume adjusting part 80 is provided in the part which protruded from this upper surface. The organic film forming material is supplied to the film forming head 203 while the flow rate of the organic film forming material supplied from the steam generator 17 is controlled by the flow rate adjusting unit 80.

성막 장치(102)에서 처리실(11)과 처리실(111)은, 게이트 밸브(113), 트랜스퍼 모듈(112) 및 게이트 밸브(113)를 개재하여 접속되어 있다. 녹색 발광층(33e)까지 성막된 피처리 기판(G)은 처리실(11)로부터 처리실(111)로 트랜스퍼 모듈(112)을 거쳐 로봇 암 등에 의해 반송되도록 구성되어 있다. 그리고, 피처리 기판(G)을 지지하는 지지대(12c)가, 이동 부재(12b)에 의해 처리실(111) 내를 성막 장치(102)의 길이 방향으로 반송되도록 구성되어 있다. 또는, 성막 헤드(203)를 피처리 기판(G)의 상측을 상기 길이 방향으로 이동할 수 있도록 구성하는 것으로 해도 된다.In the film forming apparatus 102, the processing chamber 11 and the processing chamber 111 are connected via the gate valve 113, the transfer module 112, and the gate valve 113. The processing target substrate G formed to the green light emitting layer 33e is configured to be conveyed by the robot arm or the like from the processing chamber 11 to the processing chamber 111 via the transfer module 112. And the support stand 12c which supports the to-be-processed board | substrate G is comprised so that the inside of the process chamber 111 may be conveyed in the longitudinal direction of the film-forming apparatus 102 by the moving member 12b. Alternatively, the film forming head 203 may be configured to be able to move the upper side of the substrate G in the longitudinal direction.

본 실시예에서는, 무기 성막 재료에 대한 유기 성막 재료의 혼합량(공급량)을 단계적으로 제어하고, 각 단계에서 성막 헤드(203)의 분출구(203a)의 하측에 녹색 발광층(33e)까지 성막된 피처리 기판(G)을 상기 길이 방향으로 반송하고, 또는 성막 헤드(203)를 상기 길이 방향으로 이동시키고, 혼합된 성막 재료를 이 피처리 기판(G)에 분출시킴으로써, 막 두께 방향으로 농도 분포가 제어된 전자 수송 · 주입층(33i)이 성막된다.In this embodiment, the mixed amount (supply amount) of the organic film-forming material with respect to the inorganic film-forming material is controlled step by step, and in each step, the object to be formed up to the green light emitting layer 33e under the ejection opening 203a of the film forming head 203. Concentration distribution is controlled in the film thickness direction by conveying the board | substrate G to the said longitudinal direction, or moving the film forming head 203 to the said longitudinal direction, and spraying the mixed film-forming material to this to-be-processed substrate G. The formed electron transporting and injecting layer 33i is formed.

실시예 1 및 2에서는, 처리 기판(G)의 반송 방향으로 유기 성막 재료 공급부(4) 및 무기 성막 재료 공급부(5)를 나란히 설치하고, 피처리 기판(G)을 반송하면서 전자 수송층(33f) 또는 전자 수송 · 주입층(33h)을 성막하므로, 도 12에 나타난 바와 같이, 성막의 막 두께 방향의 단부측의 조성을 가지는 부분의 두께보다 중앙부측의 조성을 가지는 부분의 두께가 두꺼워진다.In Examples 1 and 2, the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 are provided side by side in the conveyance direction of the process board | substrate G, and the electron carrying layer 33f conveys the to-be-processed board | substrate G. Alternatively, since the electron transporting / injecting layer 33h is formed, as shown in FIG. 12, the thickness of the portion having the composition at the center side is thicker than the thickness of the portion having the composition at the end side in the film thickness direction of the film formation.

본 실시예에서는, 소정 시간마다 일정량, 유기 성막 재료의 혼합량을 증가시킬 수 있고, 성막 방향의 각 조성의 두께를 대략 균일하게 할 수 있다. In this embodiment, the predetermined amount and the mixing amount of the organic film-forming material can be increased every predetermined time, and the thickness of each composition in the film-forming direction can be made substantially uniform.

본 실시예에서는, 전자 수송 · 주입층(33i)의 유기 성막 재료의 성막 방향의 농도 분포를 제어하므로, 실시예 1과 마찬가지로, 녹색 발광층(33e)측으로부터 음극층(32)측으로의 홀의 관통을 양호하게 방지하여 음극 계면의 열화를 방지하면서, 녹색 발광층(33e)과 전자 수송 · 주입층(33i)의 계면, 음극층(32)과 전자 수송 · 주입층(33i)의 계면의 에너지 장벽을 조절하여 전자 주입 효율을 조정할 수 있어, 발광 강도가 향상된다.In this embodiment, since the concentration distribution in the film-forming direction of the organic film-forming material of the electron transporting / injecting layer 33i is controlled, the penetration of the hole from the green light emitting layer 33e side to the cathode layer 32 side as in the first embodiment is prevented. The energy barrier at the interface between the green light emitting layer 33e and the electron transport and injection layer 33i and the interface between the cathode layer 32 and the electron transport and injection layer 33i is controlled while preventing the deterioration of the cathode interface. The electron injection efficiency can be adjusted to improve the light emission intensity.

또한 본 실시예에서는, 성막 장치(102)에 의해 전자 수송 · 주입층(33i)을 형성한 경우에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 녹색 발광층측(33e)까지 성막된 피처리 기판(G)에 성막 장치(102)에 의해 전자 수송층을 형성하고, 또한 전자 주입층을 형성하는 것으로 해도 된다. In addition, although the case where the electron transport and injection layer 33i was formed by the film-forming apparatus 102 was demonstrated in this Example, it is not limited to this, The to-be-processed substrate G formed into the green light emitting layer side 33e was formed. ), The electron transport layer may be formed by the film forming apparatus 102, and the electron injection layer may be formed.

또한, 유기 성막 재료의 공급량을 제어하여 무기 성막 재료와 혼합할 경우에 한정되지 않고, 무기 성막 재료의 공급량을 제어하는 것으로 해도 되고, 유기 성막 재료 및 무기 성막 재료의 양방의 공급량을 제어하는 것으로 해도 된다.In addition, the supply amount of the organic film forming material is controlled and not mixed with the inorganic film forming material, and the supply amount of the inorganic film forming material may be controlled, or the supply amount of both the organic film forming material and the inorganic film forming material may be controlled. do.

또한 이상의 실시예 1 ~ 3에서는, 본 발명의 성막 방법에 의해, 전자 수송층(33f) 또는 전자 수송 · 주입층(33h, 33i)을 형성한 경우에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않는다.In addition, although the case where the electron carrying layer 33f or the electron carrying and injection layer 33h, 33i was formed by the film-forming method of this invention was demonstrated in the above Examples 1-3, it is not limited to this.

실시예 4Example 4

본 발명의 실시예 4에 따른 성막 시스템은, 실시예 1에 따른 성막 시스템과 동일한 구성을 가지고, 성막 시스템에 구비되는 성막 장치(121)의 제 3 헤드(13g)의 구성이 실시예 1에 따른 성막 장치(1)의 제 3 헤드(13c)의 구성과 상이하다. The film forming system according to the fourth embodiment of the present invention has the same configuration as the film forming system according to the first embodiment, and the configuration of the third head 13g of the film forming apparatus 121 included in the film forming system is related to the first embodiment. It is different from the structure of the 3rd head 13c of the film-forming apparatus 1.

도 22는 실시예 4에 따른 성막 장치(121)의 구성을 모식적으로 도시한 사시도, 도 23은 성막 장치(121)의 구성을 모식적으로 도시한 측단면도이다. 도면 중 도 2 및 도 3과 동일 부분은 동일 부호를 부여하여 상세한 설명을 생략한다.FIG. 22: is a perspective view which shows typically the structure of the film-forming apparatus 121 which concerns on Example 4, and FIG. 23 is a side sectional view which shows the structure of the film-forming apparatus 121 typically. In the drawings, the same parts as in Fig. 2 and Fig. 3 are given the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

성막 장치(121)의 처리실(11)의 상부, 반송 방향 대략 중앙부에는, 피처리 기판(G)에 대하여 진공 증착법으로 성막을 행하는 복수의 증착 헤드(13)가 설치되어 있다. 증착 헤드(13)는, 홀 주입층을 증착시키는 제 1 헤드(13a), 홀 수송층을 증착시키는 제 2 헤드(13b), 청색 발광층을 증착시키는 제 3 헤드(13g), 적색 발광층을 증착시키는 제 4 헤드(13d), 녹색 발광층을 증착시키는 제 5 헤드(13e), 전자 수송층을 증착시키는 제 6 헤드(13f) 및 실시예 1에 따른 발명과 동일한 구성의 성막 헤드(122)를, 반송 방향을 따라 차례로 배치하여 구성되어 있다. 성막 헤드(122)는 실시예 1의 성막 장치(1)의 성막 헤드(2)와 마찬가지로, 유기 성막 재료 공급부(4)와 무기 성막 재료 공급부(5)의 위치가 변경 가능해도 되고, 상기 위치를 고정하고 있어도 된다.In the upper part of the process chamber 11 of the film-forming apparatus 121, and the substantially center part of a conveyance direction, the several deposition head 13 which forms into a film by the vacuum vapor deposition method with respect to the to-be-processed substrate G is provided. The deposition head 13 includes a first head 13a for depositing a hole injection layer, a second head 13b for depositing a hole transport layer, a third head 13g for depositing a blue light emitting layer, and a agent for depositing a red light emitting layer. 4th head 13d, the 5th head 13e which deposits a green light emitting layer, the 6th head 13f which deposits an electron carrying layer, and the film formation head 122 of the same structure as the invention which concerns on Example 1, the conveyance direction They are arranged in order. As for the film formation head 122, similarly to the film formation head 2 of the film-forming apparatus 1 of Example 1, the position of the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 may be changeable, and the said position is changed. It may be fixed.

제 3 헤드(13g)는 제 1 성막 재료와 제 2 성막 재료를 공증착시키기 위한 장치이다. 일례로서, 제 1 성막 재료가 유기 화합물로 이루어지는 호스트 재료이며, 제 2 성막 재료가 유기 화합물로 이루어지는 도펀트 재료인 경우를 들 수 있다. 제 3 헤드(13g)는, 피처리 기판(G)의 반송 방향의 상류측으로부터 차례로 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 배치하여 이루어진다. The third head 13g is an apparatus for co-depositing the first film forming material and the second film forming material. As an example, the case where a 1st film-forming material is a host material which consists of organic compounds, and a 2nd film-forming material is a dopant material which consists of organic compounds is mentioned. 13 g of 3rd heads arrange | position the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 in order from the upstream of the conveyance direction of the to-be-processed substrate G. FIG.

제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)에는 증기 발생부(145, 146)로부터 기체 형상의 제 2 성막 재료, 제 1 성막 재료가 공급된다.The gaseous second film forming material and the first film forming material are supplied to the second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125 from the steam generators 145 and 146.

증기 발생부(145, 146)는 용기(145a, 146a)와, 용기(145a, 146a)의 내부에 배치된 가열부(145b, 146b)를 구비한다. 가열부(145b, 146b)는 제 2 성막 재료, 제 1 성막 재료를 각각 수용 가능한 용기 형상 부분을 가지고, 이 용기 형상 부분에 수용된 제 2 성막 재료, 제 1 성막 재료를 각각 가열하여, 각 재료의 증기를 발생시킨다. 또한 용기(145a, 146a)에는, 피처리 기판(G)에 대하여 예를 들면 Ar 등의 불활성 가스로 이루어지는 수송 가스를 공급하는 수송 가스 공급관(145c, 146c)이 접속되어 있다. 수송 가스 공급관(145c, 146c)으로부터 용기(145a, 146a)로 공급된 수송 가스와 함께, 제 2 성막 재료, 제 1 성막 재료의 증기가 증기 발생부(145, 146)로부터 배관(147, 148)을 거쳐 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)로 공급된다. 이와 같이 구성하여, 제 1 성막 재료 및 제 2 성막 재료의 증기를 각각 별도로 발생시키고, 피처리 기판 상에서 각 증기를 혼합하여 성막함으로써, 저비점측의 성막 재료를 열화시키지 않고, 각 성막 재료를 소요 조건으로 증발시킬 수 있다. 또한, 제 1 성막 재료 및 제 2 성막 재료의 증기의 양(증기 농도)을 수송 가스 공급관(146c, 145c)으로부터 공급된 수송 가스에 의해 조정할 수 있기 때문에, 온도에 의해서만 제어할 경우에 비해 응답성이 높고, 안정적으로 성막 재료의 증기를 공급하는 것이 가능해진다.The steam generators 145 and 146 include containers 145a and 146a and heating parts 145b and 146b disposed inside the containers 145a and 146a. The heating sections 145b and 146b each have a container-shaped portion capable of accommodating the second film-forming material and the first film-forming material, respectively, and heat the second film-forming material and the first film-forming material accommodated in the container-shaped portion, respectively. Generates steam. Moreover, the transport gas supply pipes 145c and 146c which supply the transport gas which consists of inert gas, such as Ar, for example with respect to the to-be-processed substrate G are connected to the container 145a, 146a. In addition to the transport gas supplied from the transport gas supply pipes 145c and 146c to the containers 145a and 146a, the vapor of the second film forming material and the first film forming material flows from the steam generators 145 and 146 to the pipes 147 and 148. The second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125 are supplied to each other. By constructing in this way, the vapors of the first film forming material and the second film forming material are generated separately, and the respective vapors are mixed and formed on the substrate to be treated, so that the film forming materials on the low boiling point side are not deteriorated and the respective film forming materials are required. Can be evaporated. In addition, since the amount (vapor concentration) of the vapor of the first film forming material and the second film forming material can be adjusted by the transport gas supplied from the transport gas supply pipes 146c and 145c, it is more responsive compared to the case of controlling only by temperature. This makes it possible to supply the vapor of the film forming material stably and stably.

도 24는, 제 2 성막 재료 공급부(124) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 사시도, 도 25는 도 24의 일부 확대도, 도 26은 제 2 성막 재료 공급부(124) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 정면도이다.24 is a perspective view schematically showing an example of the configuration of the second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125, FIG. 25 is a partially enlarged view of FIG. 24, and FIG. 26 is a second film forming material. It is a front view which shows typically an example of the structure of the supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125. FIG.

제 2 성막 재료 공급부(124) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)는 사각 통 형상을 이루고, 피처리 기판(G)의 반송 방향에 직교하는 방향으로 긴 이측면을 가진다.The 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 form a square cylinder shape, and have a back side long in the direction orthogonal to the conveyance direction of the to-be-processed substrate G. FIG.

제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)는 하부에, 처리실(11)의 중앙부 하측을 향해 비스듬히 연장되는 연장부(124a, 125a)를 구비한다. 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 연장부(124a, 125a)의 상측에는, 예를 들면 금속 등으로 이루어지는 정류판(124d, 125d)이 설치되어 있다. 정류판(124d, 125d)은 복수의 개구를 가지고, 전열성이 양호하다. 이 정류판(124d, 125d)에 의해, 연장부(124a, 125a) 내를 증기가 균일하게 통류된다. The 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 are equipped with the extension part 124a, 125a extended obliquely toward the center part lower part of the process chamber 11 in the lower part. The rectifying plates 124d and 125d made of, for example, metal are provided above the second film forming material supply part 124 and the extension parts 124a and 125a of the first film forming material supply part 125. The rectifying plates 124d and 125d have a plurality of openings and have good heat transfer properties. The rectifying plates 124d and 125d allow steam to flow uniformly through the extension portions 124a and 125a.

제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125) 내에는 가열 히터 및 공기 등의 열매체를 통류시키는 열매체 통유로를 구비하는 것으로 해도 된다.In the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125, you may be provided with the heat medium flow path which flows heat medium, such as a heating heater and air.

연장부(124a, 125a)는 단부에, 피처리 기판(G)의 반송 방향으로 돌출되고, 증기를 분출하는 복수의 분출홀(124c, 125c)을 가지는 노즐(124b, 125b)을 구비한다. 노즐(124b, 125b)은 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 길이 방향으로 복수, 톱니 형상으로 병설되어 있다. 노즐(124b, 125b)은 하면이 처리실(11)의 저면에 대향하도록 배치되어 있고, 분출홀(124c, 125c)의 개구면이 상기 저면에 대향하고 있다. 제 2 성막 재료 공급부(124) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)는 전체를 정면에서 봤을 때, 굽이 없는 부츠 형상을 이루고 있다. The extension parts 124a and 125a are provided with the nozzle 124b and 125b which protrude in the conveyance direction of the to-be-processed board | substrate G, and have some injection hole 124c and 125c which blows off steam at the edge part. The nozzles 124b and 125b are provided in plural and serrated shape in the longitudinal direction of the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125. As shown in FIG. The nozzle 124b, 125b is arrange | positioned so that the lower surface may oppose the bottom face of the process chamber 11, and the opening surface of the blowing holes 124c, 125c opposes the said bottom face. The 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 have comprised the boot shape which does not have a bend when the whole is seen from the front.

분출홀(124c, 125c)의 저면은 대략 원 형상을 이루고, 내경은 대략 3 mm ~ 8 mm이다. 분출홀(124c, 125c)의 분포 밀도는, 노즐(124b, 125b)의 돌출 방향의 중앙부측이 단부측보다 높아지도록 하고 있다. 분출홀(124c, 125c)의 1 노즐당 개수의 일례로서, 8 개를 들 수 있다.Bottom surfaces of the ejection holes 124c and 125c have a substantially circular shape, and the inner diameter is approximately 3 mm to 8 mm. The distribution density of the blowing holes 124c and 125c is such that the central portion side in the protruding direction of the nozzles 124b and 125b is higher than the end portion side. Eight is mentioned as an example of the number per nozzle of the blower holes 124c and 125c.

도 24 및 도 25에 도시한 바와 같이, 노즐(124b 및 125b) 중 일방의 노즐이 타방의 노즐 사이로 들어가, 노즐(124b, 125b)이, 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 길이 방향으로 대략 일직선 상에 교호로 배치될 수 있도록 구성되어 있다. 이 경우, 동일한 센터 라인 상에 2 종의 성막 재료의 분출홀(124c, 125c)이 배열되게 된다.As shown in FIG. 24 and FIG. 25, one of the nozzles 124b and 125b enters between the other nozzles, and the nozzles 124b and 125b are the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part. It is comprised so that it may be alternately arrange | positioned substantially in a straight line in the longitudinal direction of 125. As shown to FIG. In this case, the ejection holes 124c and 125c of two kinds of film forming materials are arranged on the same center line.

제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)는 예를 들면 구리 모재로 이루어진다. 내면은 예를 들면 니켈 등에 의해 코팅되어 있고, 본체 부분은 광택 제거에 의해, 방사율이 예를 들면 0.9 이상이 되도록 하고 있다. 본체 부분의 내면은 흑색화하는 것으로 해도 된다. 연장부(124a, 125a)의 내면은 연마를 행하여 광택을 내고, 방사율이 예를 들면 0.05 ~ 0.1로 낮아지도록 하고 있다. The 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 consist of a copper base material, for example. The inner surface is coated with, for example, nickel, and the main body portion is made to have an emissivity of, for example, 0.9 or more by removing gloss. The inner surface of the body portion may be blackened. The inner surfaces of the extended portions 124a and 125a are polished to give gloss, and the emissivity is lowered to 0.05 to 0.1, for example.

또한, 제 2 성막 재료 공급부(124)와 제 1 성막 재료 공급부(125)의 사이의, 노즐(124b) 및 노즐(125b)의 상방에 차열판을 설치하는 것으로 해도 된다.In addition, a heat shield plate may be provided above the nozzle 124b and the nozzle 125b between the second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125.

제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)에는 성막 헤드(2)의 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)와 마찬가지로, 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 상하 방향(수직 방향) 및 수평 방향(피처리 기판(G)의 반송 방향)으로 이동시키기 위한 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)가 장착되어 있다. 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)는 처리실(11)의 상부에 설치되어 있다. 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)는, 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 지지하는 지지부(81a, 82a)와, 나사축부(81b, 82b)를 구비한다. 지지부(81a, 82a)는 도 26의 지면에 수직인 방향으로 돌출된 축부(81c, 82c)를 각 2 개 구비하고, 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)는 축부(81c, 82c)에 감합되는 돌출 설치부(124e, 125e)를 측면에 각 2 개 구비하고 있다.The second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125 are similar to the organic film forming material supply unit 4 and the inorganic film forming material supply unit 5 of the film forming head 2. And a first driver 81 and a second driver 82 for moving the first film forming material supply part 125 in the vertical direction (vertical direction) and the horizontal direction (the conveying direction of the substrate G). have. The 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82 are provided in the upper part of the process chamber 11. The 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82 are the support part 81a, 82a which supports the 2nd film-forming material supply part 124, the 1st film-forming material supply part 125, and the screw shaft part 81b, 82b. It is provided. The support portions 81a and 82a each have two shaft portions 81c and 82c protruding in a direction perpendicular to the surface of Fig. 26, and the second film forming material supply portion 124 and the first film forming material supply portion 125 are shaft portions. Two protruding mounting portions 124e and 125e fitted to the 81c and 82c are provided on each side.

제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)는 볼 나사 기구에 의해 나사축(81b, 82b)이 회전함으로써, 지지부(81a, 82a)를 개재하여 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)가 상하 방향의 직선 운동을 하도록 구성되어 있다. 또한, 지지부(81a, 82a)는 마이크로 스테이지에 의해 수평 방향으로 이동 가능하며, 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)가 수평 방향으로 이동하도록 구성되어 있다. 그리고, 돌출 설치부(124e, 125e)가 축부(81c, 82c)를 중심으로 회전함으로써, 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)가 θ 방향으로 회전하도록 구성되어 있다. 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)는 제어부(59a)에 의해 제어되어 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 적절한 위치로 이동시킨다.As the screw shafts 81b and 82b rotate by the ball screw mechanism, the 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82 rotate the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st through the support parts 81a and 82a. The film-forming material supply part 125 is comprised so that linear motion of the up-down direction may be performed. In addition, the support parts 81a and 82a are movable in a horizontal direction by a micro stage, and the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 are comprised so that it may move to a horizontal direction. Then, the projecting portions 124e and 125e are rotated about the shaft portions 81c and 82c, so that the second film forming material supply section 124 and the first film forming material supply section 125 are configured to rotate in the θ direction. The 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82 are controlled by the control part 59a, and move the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 to an appropriate position.

또한 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 상하 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 구성, 및 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 θ 방향으로 회전시키는 구성은 상술한 경우에 한정되지 않는다. 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 마이크로 미터에 의해 상하 방향으로 이동시키는 것으로 해도 되고, 볼 나사 기구 또는 리니어 모터에 의해 수평 방향으로 이동시키는 것으로 해도 된다.Moreover, the structure which moves the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 to an up-down direction and a horizontal direction, and the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 in a (theta) direction The configuration of rotating in the above manner is not limited to the case described above. The second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125 may be moved in the vertical direction by a micrometer, or may be moved in the horizontal direction by a ball screw mechanism or a linear motor.

도 24 ~ 도 26은, 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 위치를 제어하여, 노즐(124b, 125b)이 교호로 배열된 상태를 도시하고 있다. 여기서, 노즐(124b, 125b)의 하면과 피처리 기판(G)의 간격은 대략 50 mm ~ 150 mm로 제어하는 것이 바람직하고, 일례로서 100 mm인 경우를 들 수 있다. 24 to 26 show a state where the nozzles 124b and 125b are alternately arranged by controlling the positions of the second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125. Here, it is preferable to control the space | interval of the lower surface of nozzle 124b, 125b and the to-be-processed board | substrate G to about 50 mm-150 mm, for example, the case where it is 100 mm.

이 경우, 노즐(124b, 125b)의 분출홀(124c, 125c)로부터 분출되는 제 2 성막 재료, 제 1 성막 재료의 증기가 센터 라인 상에서 양호하게 혼합된 상태에서, 피처리 기판(G)으로 공급된다. In this case, the second film forming material and the first film forming material which are ejected from the ejection holes 124c and 125c of the nozzles 124b and 125b are supplied to the processing target substrate G in a state where the vapor of the first film forming material is well mixed on the center line. do.

따라서, Post-Mix형의 성막 장치를 이용하여, 균일한 혼합 비율로 성막하고자 할 경우, 제 1 성막 재료와 제 2 성막 재료의 혼합 상태에 불균일이 있어, 피처리 기판(G)의 반송 방향의 단부측에서 제 1 성막 재료와 제 2 성막 재료의 혼합이 불완전하거나, 어느 하나의 재료의 비율이 많아지지 않는다. 즉, 전후의 공정에 의해 형성되는 막과의 계면에, 불완전 혼합층이 형성되는 것이 억제된다. Therefore, when it is going to form into a film at a uniform mixing ratio using the post-mix type film-forming apparatus, there exists a nonuniformity in the mixed state of a 1st film-forming material and a 2nd film-forming material, and it carries out the conveyance direction of the to-be-processed board | substrate G. On the end side, the mixing of the first film forming material and the second film forming material is incomplete or the proportion of either material does not increase. That is, formation of an incomplete mixed layer in the interface with the film | membrane formed by the front-back process is suppressed.

그리고 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 연장부(124a, 125a)의 방사율을 타부보다 낮게 하고 있으므로 열전도성이 낮고, 예를 들면 제 1 성막 재료를 380℃로, 제 2 성막 재료를 230℃로 가열할 경우와 같이, 양자의 비점차가 클 때에도, 노즐(124b, 125b)이 교호로 배열됨으로써 서로 영향을 받지 않는다. 즉, 제 2 성막 재료가 제 1 성막 재료로부터의 전열에 의해 열화되지 않는다.And since the emissivity of the 2nd film-forming material supply part 124 and the extension parts 124a and 125a of the 1st film-forming material supply part 125 is lower than other parts, thermal conductivity is low, for example, a 1st film-forming material is made into 380 degreeC. When the second film formation material is heated to 230 ° C., even when both of the boiling points are large, the nozzles 124b and 125b are alternately arranged so that they are not affected by each other. That is, the second film forming material is not deteriorated by the heat transfer from the first film forming material.

또한 본 실시예의 성막 장치(121)는, 실시예 1에 따른 성막 장치(1)의 성막 헤드(2)와 마찬가지로, 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 위치를 제어하고, 막 두께 방향에서 제 2 성막 재료 및 제 1 성막 재료의 혼합 비율(농도 분포)을 변화시킬 수 있다.In addition, the film forming apparatus 121 of the present embodiment, similarly to the film forming head 2 of the film forming apparatus 1 according to the first embodiment, positions the second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125. It can control and change the mixing ratio (concentration distribution) of a 2nd film-forming material and a 1st film-forming material in a film thickness direction.

도 27은, 제 2 성막 재료 공급부(124) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)의 배치의 일례와, 제 2 성막 재료 및 제 1 성막 성막 재료의 반송 방향(제 3 헤드(13g)의 하측에서의 반입구(11a)측의 단부로부터의 거리)에서의 증기량을 개념적으로 나타낸 설명도이다. 도 27 중 A는 제 2 성막 재료의 증기량을 나타낸 그래프, B는 제 1 성막 재료의 증기량을 나타낸 그래프이다.FIG. 27 shows an example of the arrangement of the second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125 and the conveying direction of the second film forming material and the first film forming film forming material (below the third head 13g). Is an explanatory diagram conceptually showing the amount of steam at the distance from an end portion on the side of the inlet port 11a. In FIG. 27, A is a graph showing the amount of steam of the second film forming material, and B is a graph showing the amount of steam of the first film forming material.

도 27에 나타낸 바와 같이 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 배치한 경우, 피처리 기판(G)의 반송에 따라, 홀 수송층의 직상에 제 2 성막 재료가 대부분 포함되는 상태로 성막되고, 점차 제 1 성막 재료의 혼합량이 증가하도록 성막된다. 막 두께 방향의 대략 중앙부에서 무기 성막 재료와 유기 성막 재료의 혼합비(체적비)가 대략 50 : 50이 되고, 이 후에는 제 1 성막 재료의 비율이 높은 상태로 성막되고, 마지막에 제 1 성막 재료가 대부분 포함되는 상태로 성막되어, 성막 처리가 종료된다. 따라서, 막 두께 방향의 상측을 향함에 따라, 제 1 성막 재료의 혼합 비율이 높아지도록 성막된다.As shown in FIG. 27, when the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 are arrange | positioned, most of the 2nd film-forming material directly on the hole transport layer by conveyance of the to-be-processed substrate G is carried out. It is formed into a film in an included state, and is formed to gradually increase the mixing amount of the first film forming material. The mixing ratio (volume ratio) of the inorganic film forming material and the organic film forming material is approximately 50:50 at approximately the central portion in the film thickness direction, after which the film is formed with a high ratio of the first film forming material, and finally the first film forming material is formed. The film is formed in a state of being mostly included, and the film forming process is completed. Therefore, it forms into a film so that the mixing ratio of a 1st film-forming material may become high as it goes to the upper side of a film thickness direction.

또한, 제 2 성막 재료 공급부(124)가 제 1 성막 재료 공급부(125)보다 하측으로 돌출되도록 배치한 경우, 그래프 A의 분포폭이 그래프 B의 분포폭보다 좁아지므로, 제 1 성막 재료의 농도를, 막 두께 방향의 양 단부측을 향함에 따라 높아지도록 할 수 있다. In addition, when the second film forming material supply unit 124 is arranged to protrude downward from the first film forming material supply unit 125, the distribution width of the graph A becomes narrower than the distribution width of the graph B, so that the concentration of the first film formation material is increased. It can be made high as it goes to both end sides of a film thickness direction.

그리고, 제 1 성막 재료 공급부(125)를 피처리 기판(G)의 반송 방향의 상류측에, 제 2 성막 재료 공급부(124)를 반송 방향의 하류측에 배치함으로써, 막 두께 방향의 상측을 향함에 따라, 제 2 성막 재료의 혼합 비율이 높아지도록 할 수 있다.And the 1st film-forming material supply part 125 is located upstream of the conveyance direction of the to-be-processed board | substrate G, and the 2nd film-forming material supply part 124 is arrange | positioned downstream of a conveyance direction, and faces to the upper side of the film thickness direction. As a result, the mixing ratio of the second film forming material can be increased.

본 실시예에서는, 이상과 같이, 형성하는 공증착층의 요구 성능에 따라, 성막 재료의 혼합 비율을 성막 방향으로 균일하게 하고, 또는 상기 혼합 비율을 성막 방향으로 상이하게 하여 공증착을 행할 수 있다. 즉, 형성하는 발광층 등의 공증착층의 요구 성능에 따라, 성막 재료의 혼합 비율을 성막 방향(막 두께 방향)으로 제어한다고 하는 과제를 해결할 수 있다.In the present embodiment, as described above, according to the required performance of the co-deposited layer to be formed, co-deposition can be performed by making the mixing ratio of the film forming material uniform in the film forming direction or by making the mixing ratio different in the film forming direction. . That is, the problem of controlling the mixing ratio of film-forming materials in the film-forming direction (film thickness direction) can be solved according to the required performance of co-deposition layers, such as the light emitting layer to form.

또한 본 실시예에서는, 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)가 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 수평 방향, 및 상하 방향으로 이동 가능하게 구성하고, θ 방향으로 회전 가능하게 구성한 경우에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않는다. 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)가 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 수평 방향으로만 이동시키는 것이어도 된다. 단, 상하 방향으로도 이동 가능하며, θ 방향으로도 회전 가능하게 구성하는 것이 세밀하게 농도 분포를 제어할 수 있으므로 바람직하다.In the present embodiment, the first driver 81 and the second driver 82 constitute the second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125 so as to be movable in the horizontal direction and the vertical direction. Although the case where it was comprised so that rotation in the (theta) direction was demonstrated, it is not limited to this. The 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82 may move the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 only in a horizontal direction. However, it is preferable to move in the up-down direction and to be rotatable in the θ direction because the concentration distribution can be controlled in detail.

또한 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 자동으로 이동시킬 경우에 한정되지 않고, 수동으로 이동시키는 것으로 해도 된다.In addition, it is not limited to the case where the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 are moved automatically, You may make it move manually.

또한 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)를 처리실(11)의 상부에 설치한 경우에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 예를 들면 증기를 처리실(11)의 하측으로부터 분출시켜 성막할 경우 등에서는, 제 1 구동부(81), 제 2 구동부(82)를 처리실(11)의 하부에 설치하는 것으로 해도 된다.Moreover, although the case where the 1st drive part 81 and the 2nd drive part 82 were provided in the upper part of the process chamber 11 was demonstrated, it is not limited to this, For example, steam is blown out from the lower side of the process chamber 11, for example. In the case of film formation, the first drive unit 81 and the second drive unit 82 may be provided below the processing chamber 11.

그리고, 본 실시예에서는 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 양방이 이동 가능하게 구성되어 있는 경우에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 어느 일방만 이동 가능하게 구성하는 것으로 해도 된다.In the present embodiment, the case where both the second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125 are configured to be movable is described. However, the present invention is not limited thereto, and only one of them can be moved. It may be configured.

또한, 노즐(124b, 125b)은 교호로 감합되도록 구성되는 경우에 한정되지 않는다. 예를 들면 동일한 노즐이 2 개씩 배열되도록 해도 된다.In addition, the nozzles 124b and 125b are not limited to the case comprised so that it may alternately fit. For example, two identical nozzles may be arranged.

그리고 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 재질, 내면의 코팅의 내용도 상술한 경우에 한정되지 않는다.In addition, the content of the material of the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125, and the coating of an inner surface is not limited to the case mentioned above.

또한 이 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 구성은 청색 발광층을 형성할 때에 적용하는 경우에 한정되지 않고, 타색의 발광층을 형성하는 경우에도 적용할 수 있고, 다른 기능을 가지는 층을 형성할 경우에도 적용할 수 있다. 그리고, 제 1 성막 재료 및 제 2 성막 재료가 유기 재료인 경우에 한정되지 않고, 적어도 일방이 무기 재료여도 된다.In addition, the structure of this 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 is not limited to the case where it is applied when forming a blue light emitting layer, It is applicable also when forming a light emitting layer of another color, It can also be applied when forming a layer having a function. In addition, it is not limited to the case where a 1st film-forming material and a 2nd film-forming material are organic materials, At least one may be an inorganic material.

실시예 5Example 5

본 발명의 실시예 5에 따른 성막 시스템은, 실시예 4에 따른 성막 시스템과 동일한 구성을 가지고, 성막 장치(122)의 제 3 헤드(13i)의 제 2 성막 재료 공급부(124) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)가 고정되어 있는 점이, 실시예 4에 따른 성막 장치(121)의 제 3 헤드(13g)와 상이하다. 이와 같이 구성하여, 제 1 성막 재료 및 제 2 성막 재료의 증기를 각각 별도로 발생시키고, 피처리 기판 상에서 각 증기를 혼합하여 성막함으로써, 저비점측의 성막 재료를 열화시키지 않고, 각 성막 재료를 소요 조건으로 증발시킬 수 있다. 또한, 제 1 성막 재료 및 제 2 성막 재료의 증기의 양(증기 농도)을 수송 가스 공급관(146c, 145c)으로부터 공급된 수송 가스에 의해 조정할 수 있기 때문에, 온도에 의해서만 제어할 경우에 비해 응답성이 높고, 안정적으로 성막 재료 증기를 공급하는 것이 가능해진다. The film forming system according to the fifth embodiment of the present invention has the same configuration as the film forming system according to the fourth embodiment, and the second film forming material supply part 124 and the first film forming of the third head 13i of the film forming apparatus 122 are formed. The point where the material supply part 125 is fixed differs from the 3rd head 13g of the film-forming apparatus 121 which concerns on Example 4. FIG. By constructing in this way, the vapors of the first film forming material and the second film forming material are generated separately, and the respective vapors are mixed and formed on the substrate to be treated, so that the film forming materials on the low boiling point side are not deteriorated and the respective film forming materials are required. Can be evaporated. In addition, since the amount (vapor concentration) of the vapor of the first film forming material and the second film forming material can be adjusted by the transport gas supplied from the transport gas supply pipes 146c and 145c, it is more responsive than the case of controlling only by temperature. This becomes possible to supply the film-forming material steam stably and stably.

특히, 불완전한 혼합층이 형성되는 것을 억제하고자 할 경우에는, 후술하는 바와 같이, 노즐(124b, 125b)이 교호로 배열된 상태로 고정하는 것으로 하면 된다. 이하, 불완전한 혼합층이 형성되는 것을 억제하고자 할 경우의 실시예에 대하여 도 28 및 도 29를 참조하여 설명한다. In particular, when it is desired to suppress the formation of an incomplete mixed layer, the nozzles 124b and 125b may be fixed in an alternately arranged state as described later. An embodiment in the case where it is desired to suppress the formation of an incomplete mixed layer will be described with reference to FIGS. 28 and 29.

도 28은 성막 장치(122)의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 사시도, 도 29는 성막 장치(122)의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 측단면도이다. 도면 중 도 2 및 도 3과 동일 부분은 동일 부호를 부여하여 상세한 설명을 생략한다.28 is a perspective view schematically showing an example of the configuration of the film forming apparatus 122, and FIG. 29 is a side cross-sectional view schematically showing an example of the configuration of the film forming apparatus 122. In the drawings, the same parts as in Fig. 2 and Fig. 3 are given the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

성막 장치(122)의 처리실(11)의 상부, 반송 방향 대략 중앙부에는, 피처리 기판(G)에 대하여 진공 증착법으로 성막을 행하는 복수의 증착 헤드(13)가 설치되어 있다. 증착 헤드(13)는, 홀 주입층을 증착시키는 제 1 헤드(13a), 홀 수송층을 증착시키는 제 2 헤드(13b), 청색 발광층을 증착시키는 제 3 헤드(13i), 적색 발광층을 증착시키는 제 4 헤드(13d), 녹색 발광층을 증착시키는 제 5 헤드(13e), 전자 수송층을 증착시키는 제 6 헤드(13f), 및 실시예 1에 따른 발명과 동일한 구성의 성막 헤드(122)를, 반송 방향을 따라 차례로 배치하여 구성되어 있다. 성막 헤드(122)는 실시예 1의 성막 장치(1)의 성막 헤드(2)와 마찬가지로, 유기 성막 재료 공급부(4)와 무기 성막 재료 공급부(5)의 위치가 변경 가능해도 되고, 상기 위치를 고정하고 있어도 된다.In the upper part of the processing chamber 11 of the film-forming apparatus 122 and the substantially center part of a conveyance direction, the several deposition head 13 which forms into a film by the vacuum vapor deposition method with respect to the to-be-processed substrate G is provided. The deposition head 13 includes a first head 13a for depositing a hole injection layer, a second head 13b for depositing a hole transport layer, a third head 13i for depositing a blue light emitting layer, and a agent for depositing a red light emitting layer. The 4th head 13d, the 5th head 13e which deposits a green light emitting layer, the 6th head 13f which deposits an electron carrying layer, and the film-forming head 122 of the same structure as the invention which concerns on Example 1 are conveyed direction It is arranged in order along the configuration. As for the film formation head 122, similarly to the film formation head 2 of the film-forming apparatus 1 of Example 1, the position of the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5 may be changeable, and the said position is changed. It may be fixed.

제 3 헤드(13i)는, 제 1 성막 재료와 제 2 성막 재료를 공증착시키기 위한 장치이다. 일례로서, 제 1 성막 재료가 유기 화합물로 이루어지는 호스트 재료이며, 제 2 성막 재료가 유기 화합물로 이루어지는 도펀트 재료인 경우를 들 수 있다. 제 3 헤드(13g)는, 피처리 기판(G)의 반송 방향의 상류측으로부터 차례로 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 배치하여 이루어진다.The third head 13i is an apparatus for co-depositing the first film forming material and the second film forming material. As an example, the case where a 1st film-forming material is a host material which consists of organic compounds, and a 2nd film-forming material is a dopant material which consists of organic compounds is mentioned. 13 g of 3rd heads arrange | position the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 in order from the upstream of the conveyance direction of the to-be-processed substrate G. FIG.

제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)에는 증기 발생부(145, 146)로부터 기체 형상의 제 2 성막 재료, 제 1 성막 재료가 공급된다.The gaseous second film forming material and the first film forming material are supplied to the second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125 from the steam generators 145 and 146.

증기 발생부(145, 146)는 용기(145a, 146a)와, 용기(145a, 146a)의 내부에 배치된 가열부(145b, 146b)를 구비한다. 가열부(145b, 146b)는 제 2 성막 재료, 제 1 성막 재료를 각각 수용 가능한 용기 형상 부분을 가지고, 이 용기 형상 부분에 수용된 제 2 성막 재료, 제 1 성막 재료를 각각 가열하여, 각 재료의 증기를 발생시킨다. 또한 용기(145a, 146a)에는, 피처리 기판(G)에 대하여 예를 들면 Ar 등의 불활성 가스로 이루어지는 수송 가스를 공급하는 수송 가스 공급관(145c, 146c)이 접속되어 있다. 수송 가스 공급관(145c, 146c)으로부터 용기(145a, 146a)로 공급된 수송 가스와 함께, 제 2 성막 재료, 제 1 성막 재료의 증기가 증기 발생부(145, 146)로부터 배관(147, 148)을 거쳐 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)로 공급된다.The steam generators 145 and 146 include containers 145a and 146a and heating parts 145b and 146b disposed inside the containers 145a and 146a. The heating sections 145b and 146b each have a container-shaped portion capable of accommodating the second film-forming material and the first film-forming material, respectively, and heat the second film-forming material and the first film-forming material accommodated in the container-shaped portion, respectively. Generates steam. Moreover, the transport gas supply pipes 145c and 146c which supply the transport gas which consists of inert gas, such as Ar, for example with respect to the to-be-processed substrate G are connected to the container 145a, 146a. In addition to the transport gas supplied from the transport gas supply pipes 145c and 146c to the containers 145a and 146a, the vapor of the second film forming material and the first film forming material flows from the steam generators 145 and 146 to the pipes 147 and 148. The second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125 are supplied to each other.

도 30은 제 2 성막 재료 공급부(124) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 사시도, 도 31은 도 30의 일부 확대도, 도 32는 제 2 성막 재료 공급부(124) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 정면도이다. 30 is a perspective view schematically showing an example of the configuration of the second film forming material supply unit 124 and the first film forming material supply unit 125, FIG. 31 is a partially enlarged view of FIG. 30, and FIG. 32 is a second film forming material supply unit. It is a front view which shows typically an example of the structure of 124 and the 1st film-forming material supply part 125. FIG.

제 2 성막 재료 공급부(124) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)는 사각 통 형상을 이루고, 피처리 기판(G)의 반송 방향에 직교하는 방향으로 긴 이측면을 가진다. The 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 form a square cylinder shape, and have a back side long in the direction orthogonal to the conveyance direction of the to-be-processed substrate G. FIG.

제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)는 하부에, 처리실(11)의 중앙부 하측을 향해 비스듬히 연장되는 연장부(124a, 125a)를 구비한다. 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 연장부(124a, 125a)의 상측에는, 연장부(124a, 125a) 내를 증기가 균일하게 통류할 수 있도록, 다공판(124d, 125d)이 설치되어 있다. The 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 are equipped with the extension part 124a, 125a extended obliquely toward the center part lower part of the process chamber 11 in the lower part. On the upper side of the extending portions 124a and 125a of the second film forming material supplying portion 124 and the first film forming material supplying portion 125, the porous plate ( 124d and 125d are provided.

제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125) 내에는 가열 히터 및 공기 등의 열매체를 통류시키는 열매체 통유로를 구비하는 것으로 해도 된다.In the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125, you may be provided with the heat medium flow path which flows heat medium, such as a heating heater and air.

연장부(124a, 125a)는 단부에, 피처리 기판(G)의 반송 방향으로 돌출되고, 증기를 분출하는 복수의 분출홀(124c, 125c)을 가지는 노즐(124b, 125b)을 구비한다. 노즐(124b, 125b)은 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 길이 방향으로 복수, 톱니 형상으로 병설되어 있다. 노즐(124b, 125b)은 하면이 처리실(11)의 저면에 대향하도록 배치되어 있고, 분출홀(124c, 125c)의 개구면이 상기 저면에 대향하고 있다. 제 2 성막 재료 공급부(124) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)는, 전체를 정면에서 봤을 때, 굽이 없는 부츠 형상을 이루고 있다. The extension parts 124a and 125a are provided with the nozzle 124b and 125b which protrude in the conveyance direction of the to-be-processed board | substrate G, and have some injection hole 124c and 125c which blows off steam at the edge part. The nozzles 124b and 125b are provided in plural and serrated shape in the longitudinal direction of the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125. As shown in FIG. The nozzle 124b, 125b is arrange | positioned so that the lower surface may oppose the bottom face of the process chamber 11, and the opening surface of the blowing holes 124c, 125c opposes the said bottom face. The 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 have comprised the boot shape which does not have a bend when the whole is seen from the front.

분출홀(124c, 125c)의 저면은 대략 원 형상을 이루고, 내경은 대략 3 mm ~ 8 mm이다. 분출홀(124c, 125c)의 분포 밀도는, 노즐(124b, 125b)의 돌출 방향의 중앙부측이 단부측보다 높아지도록 하고 있다. 분출홀(124c, 125c)의 1 노즐당 개수의 일례로서, 8 개를 들 수 있다.Bottom surfaces of the ejection holes 124c and 125c have a substantially circular shape, and the inner diameter is approximately 3 mm to 8 mm. The distribution density of the blowing holes 124c and 125c is such that the central portion side in the protruding direction of the nozzles 124b and 125b is higher than the end portion side. Eight is mentioned as an example of the number per nozzle of the blower holes 124c and 125c.

도 30 및 도 31에 도시한 바와 같이, 노즐(124b 및 125b) 중 일방의 노즐이 타방의 노즐 사이에 들어가 있고, 노즐(124b, 125b)이, 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 길이 방향으로 대략 일직선 상에 교호로 배열되어 있다. 즉, 동일한 센터 라인 상에 2 종의 성막 재료의 분출홀(124c, 125c)이 배열되게 된다. As shown in FIG. 30 and FIG. 31, one of the nozzles 124b and 125b enters between the other nozzles, and the nozzles 124b and 125b are the 2nd film-forming material supply part 124 and 1st film-forming. It is arranged alternately on a substantially straight line in the longitudinal direction of the material supply part 125. That is, the ejection holes 124c and 125c of two kinds of film forming materials are arranged on the same center line.

노즐(124b, 125b)의 하면과 피처리 기판(G)의 간격은 대략 50 mm ~ 150 mm로 제어하는 것이 바람직하고, 일례로서 100 mm인 경우를 들 수 있다.It is preferable to control the space | interval of the lower surface of the nozzle 124b, 125b and the to-be-processed substrate G to about 50 mm-150 mm, and the case where it is 100 mm as an example is mentioned.

제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)는 예를 들면 구리 모재로 이루어진다. 내면은 예를 들면 니켈 등에 의해 코팅되어 있고, 본체 부분은 광택 제거에 의해, 방사율이 예를 들면 0.9 이상이 되도록 하고 있다. 본체 부분의 내면은 흑색화하는 것으로 해도 된다. 연장부(124a, 125a)의 내면은 연마를 행하여 광택을 내고, 방사율이 예를 들면 0.05 ~ 0.1로 낮아지도록 하고 있다.The 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 consist of a copper base material, for example. The inner surface is coated with, for example, nickel, and the main body portion is made to have an emissivity of, for example, 0.9 or more by removing gloss. The inner surface of the body portion may be blackened. The inner surfaces of the extended portions 124a and 125a are polished to give gloss, and the emissivity is lowered to 0.05 to 0.1, for example.

본 실시예에서는, 노즐(124b, 125b)의 분출홀(124c, 125c)로부터 분출되는 제 2 성막 재료, 제 1 성막 재료의 증기가 센터 라인 상에서 양호하게 혼합되도록, 피처리 기판(G)으로 공급된다.In the present embodiment, the second film forming material and the first film forming material which are ejected from the ejection holes 124c and 125c of the nozzles 124b and 125b are supplied to the processing target substrate G so as to mix well on the center line. do.

따라서, 복수의 재료 증기를 보다 균일하게 공급할 수 있다. 즉, 전후의 공정에 의해 형성되는 막과의 계면에, 불완전 혼합층이 형성되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. Therefore, a some material vapor can be supplied more uniformly. That is, formation of an incomplete mixed layer at the interface with the film | membrane formed by the front-back process can be suppressed effectively.

그리고 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 연장부(124a, 125a)의 방사율을 타부보다 낮게 하고 있으므로 열전도성이 낮고, 예를 들면 제 1 성막 재료를 380℃로, 제 2 성막 재료를 230℃로 가열할 경우와 같이, 양자의 비점차가 클 때에도, 노즐(124b, 125b)이 교호로 배열됨으로써 서로 영향을 받지 않는다. 즉, 제 2 성막 재료가 제 1 성막 재료로부터의 전열에 의해 열화되지 않는다.And since the emissivity of the 2nd film-forming material supply part 124 and the extension parts 124a and 125a of the 1st film-forming material supply part 125 is lower than other parts, thermal conductivity is low, for example, a 1st film-forming material is made into 380 degreeC. When the second film formation material is heated to 230 ° C., even when both of the boiling points are large, the nozzles 124b and 125b are alternately arranged so that they are not affected by each other. That is, the second film forming material is not deteriorated by the heat transfer from the first film forming material.

또한, 노즐(124b, 125b)은 교호로 감합되도록 구성되는 경우에 한정되지 않는다. 예를 들면 동일한 노즐이 2 개씩 배열되도록 해도 된다.In addition, the nozzles 124b and 125b are not limited to the case comprised so that it may alternately fit. For example, two identical nozzles may be arranged.

그리고 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 재질, 내면의 코팅의 내용도 상술한 경우에 한정되지 않는다.In addition, the content of the material of the 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125, and the coating of an inner surface is not limited to the case mentioned above.

또한 이 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 구성은 청색 발광층을 형성할 때에 적용하는 경우에 한정되지 않고, 타색의 발광층을 형성할 경우에도 적용할 수 있고, 다른 기능을 가지는 층을 형성할 경우에도 적용할 수 있다. 그리고, 제 1 성막 재료 및 제 2 성막 재료가 유기 재료인 경우에 한정되지 않고, 적어도 일방이 무기 재료여도 된다.In addition, the structure of this 2nd film-forming material supply part 124 and the 1st film-forming material supply part 125 is not limited to the case where it is applied when forming a blue light emitting layer, It is applicable also when forming a light emitting layer of other colors, It can also be applied when forming a layer having a function. In addition, it is not limited to the case where a 1st film-forming material and a 2nd film-forming material are organic materials, At least one may be an inorganic material.

실시예 6Example 6

본 발명의 실시예 6에 따른 성막 시스템은, 실시예 4에 따른 성막 시스템과 동일한 구성을 가지고, 성막 장치의 제 3 헤드(13h)가 제 3 성막 재료 공급부(126)를 구비하는 점이, 실시예 4에 따른 성막 장치(1)의 제 3 헤드(13g)와 상이하다. 예를 들면 발광층을 성막할 경우에는, 제 1 성막 재료 공급부(125), 제 2 성막 재료 공급부(124) 및 제 3 성막 재료 공급부(126) 중 어느 하나의 성막 재료 공급부가 호스트 재료를 공급하고, 다른 2 개의 성막 재료 공급부가 도펀트 재료를 공급한다. 이 구성으로, 제 1 성막 재료, 제 2 성막 재료 및 제 3 성막 재료의 증기를 각각 별도로 발생시키고, 피처리 기판 상에서 각 증기를 혼합하여 성막함으로써, 저비점측의 성막 재료를 열화시키지 않고, 각 성막 재료를 소요 조건으로 증발시킬 수 있다. 또한 제 1 성막 재료, 제 2 성막 재료 및 제 3 성막 재료의 증기의 양(증기 농도)을 각각의 수송 가스 공급관으로부터 공급된 수송 가스에 의해 조정할 수 있기 때문에, 온도에 의해서만 제어할 경우에 비해 응답성이 높고, 안정적으로 성막 재료의 증기를 공급하는 것이 가능해진다. The film forming system according to the sixth embodiment of the present invention has the same configuration as the film forming system according to the fourth embodiment, and the third head 13h of the film forming apparatus includes the third film forming material supply unit 126. It differs from the 3rd head 13g of the film-forming apparatus 1 concerning 4. For example, when the light emitting layer is formed, any one of the first film forming material supply unit 125, the second film forming material supply unit 124, and the third film forming material supply unit 126 supplies the host material. The other two deposition material supplies supply the dopant material. In this configuration, the vapors of the first film forming material, the second film forming material, and the third film forming material are generated separately, and the respective vapors are mixed and formed on the substrate to be treated, thereby forming each film without deteriorating the film forming material on the low boiling point side. The material can be evaporated to the required conditions. In addition, since the amount (vapor concentration) of the vapor of the first film forming material, the second film forming material, and the third film forming material can be adjusted by the transport gas supplied from the respective transport gas supply pipes, the response is compared with the case of controlling only by temperature. It is possible to supply the vapor of the film-forming material stably with high properties.

도 33은 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 정면도, 도 34는 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 일부 저면도이다. 도면 중 도 24 ~ 도 26과 동일 부분은 동일 부호를 부여하여 상세한 설명을 생략한다.33 is a front view schematically showing an example of the configuration of the second film forming material supply unit 124, the third film forming material supply unit 126, and the first film forming material supply unit 125, and FIG. 34 is a second film forming material supply unit. It is a partial bottom view which shows typically an example of the structure of 124, the 3rd film-forming material supply part 126, and the 1st film-forming material supply part 125. FIG. In the drawings, the same parts as in FIGS. 24 to 26 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

제 3 헤드(13h)는, 피처리 기판(G)의 반송 방향의 상류측으로부터 차례로, 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)를 구비한다. 제 3 성막 재료 공급부(126)는 하부에, 처리실(11)의 중앙부 하측을 향해 연장되는 연장부(126a)를 구비한다. 제 3 성막 재료 공급부(126)의 연장부(126)의 상측에는, 연장부(126a) 내를 증기가 균일하게 통류할 수 있도록, 정류판이 설치되어 있어도 된다(도시하지 않음). The third head 13h sequentially moves the second film forming material supply unit 124, the third film forming material supply unit 126, and the first film forming material supply unit 125 from the upstream side in the transport direction of the substrate G to be processed. Equipped. The 3rd film-forming material supply part 126 is provided in the lower part with the extension part 126a extended toward the center part lower side of the process chamber 11. Above the extension part 126 of the 3rd film-forming material supply part 126, the rectifying plate may be provided so that steam may flow uniformly inside the extension part 126a (not shown).

연장부(126a)는 단부에, 처리실(11)의 저면을 향하도록 돌출되고, 증기를 분출하는 복수의 분출홀(126c)을 가지는 노즐(126b)을 구비한다. 노즐(126b)은, 제 3 성막 재료 공급부(126)의 길이 방향으로 복수, 톱니 형상으로 병설되어 있다.The extension part 126a is provided in the edge part with the nozzle 126b which protrudes toward the bottom face of the process chamber 11, and has some injection hole 126c which blows out steam. A plurality of nozzles 126b are provided in a sawtooth shape in the longitudinal direction of the third film forming material supply part 126.

제 3 성막 재료 공급부(126)는 예를 들면 구리 모재로 이루어진다. 내면은 예를 들면 니켈 등에 의해 코팅되어 있고, 본체 부분은 광택 제거에 의해, 방사율이 예를 들면 0.9 이상이 되도록 하고 있다. 본체 부분의 내면은 흑색화하는 것으로 해도 된다. 연장부(126a)의 내면은 연마를 행하여 광택을 내고, 방사율이 예를 들면 0.05 ~ 0.1이 되도록 하고 있다.The third film forming material supply unit 126 is made of, for example, a copper base material. The inner surface is coated with, for example, nickel, and the main body portion is made to have an emissivity of, for example, 0.9 or more by removing gloss. The inner surface of the body portion may be blackened. The inner surface of the extended portion 126a is polished to give gloss, and the emissivity is, for example, 0.05 to 0.1.

제 3 성막 재료 공급부(126)에는, 증기 발생부(도시하지 않음)로부터 기체 형상의 제 3 성막 재료로서의 유기 재료가 공급된다.The third film forming material supply unit 126 is supplied with an organic material as a gaseous third film forming material from a steam generator (not shown).

그리고 제 3 성막 재료 공급부(126)에는, 이 제 3 성막 재료 공급부(126)를 상하 방향 및 피처리 기판(G)의 반송 방향으로 이동시키기 위한 제 3 구동부(83)가 장착되어 있다. 제 3 구동부(83)는 처리실(11)의 상부에 설치되어 있다. 제 3 구동부(83)는, 제 3 성막 재료 공급부(126)를 지지하는 지지부(83a)와 나사축부(83b)를 구비한다. 지지부(83a)는 도 28의 지면에 수직인 방향으로 돌출된 축부(83c)를 2 개 구비하고, 제 3 성막 재료 공급부(126)는 축부(83c)에 감합되는 돌출 설치부(126e)를 측면에 2 개 구비하고 있다.And the 3rd film-forming material supply part 126 is equipped with the 3rd drive part 83 for moving this 3rd film-forming material supply part 126 to an up-down direction and the conveyance direction of the to-be-processed substrate G. As shown in FIG. The third drive unit 83 is provided above the processing chamber 11. The 3rd drive part 83 is equipped with the support part 83a which supports the 3rd film-forming material supply part 126, and the screw shaft part 83b. The support portion 83a has two shaft portions 83c protruding in a direction perpendicular to the ground of Fig. 28, and the third film forming material supply portion 126 has a protruding portion 126e fitted to the shaft portion 83c. Equipped with two.

제 3 구동부(83)는 볼 나사 기구에 의해 나사축(83b)이 회전함으로써, 지지부(83a)를 개재하여 제 3 성막 재료 공급부(126)가 상하 방향의 직선 운동을 하도록 구성되어 있다. 또한, 지지부(83a)는 마이크로 스테이지에 의해 수평 방향으로 이동 가능하며, 제 3 성막 재료 공급부(126)가 수평 방향으로 이동하도록 구성되어 있다. 그리고, 돌출 설치부(126e)가 축부(83c)를 중심으로 회전함으로써, 제 3 성막 재료 공급부(126)가 θ 방향으로 회전하도록 구성되어 있다. 제 3 구동부(83)는 제어부(59a)에 의해 제어되어 제 3 성막 재료 공급부(126)를 적절한 위치로 이동시킨다. The 3rd drive part 83 is comprised so that the 3rd film-forming material supply part 126 may perform the linear movement of an up-down direction through the support part 83a by rotating the screw shaft 83b by the ball screw mechanism. In addition, the support part 83a is movable by the micro stage in a horizontal direction, and is comprised so that the 3rd film-forming material supply part 126 may move in a horizontal direction. And the 3rd film-forming material supply part 126 rotates in (theta) direction by the protrusion installation part 126e rotating about the axial part 83c. The third drive unit 83 is controlled by the control unit 59a to move the third film forming material supply unit 126 to an appropriate position.

또한, 제 3 성막 재료 공급부(126)를 상하 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 구성, 및 제 3 성막 재료 공급부(126)를 θ 방향으로 회전시키는 구성은 상술한 경우에 한정되지 않는다. 제 3 성막 재료 공급부(126)를 마이크로 미터에 의해 상하 방향으로 이동시키는 것으로 해도 되고, 볼 나사 기구 또는 리니어 모터에 의해 수평 방향으로 이동시키는 것으로 해도 된다.In addition, the structure which moves the 3rd film-forming material supply part 126 to an up-down direction and a horizontal direction, and the structure which rotates the 3rd film-forming material supply part 126 to (theta) direction are not limited to the case mentioned above. The third film forming material supply unit 126 may be moved in the vertical direction by a micrometer, or may be moved in the horizontal direction by a ball screw mechanism or a linear motor.

본 실시예에서는, 도 34에 도시한 바와 같이, 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 노즐(124b, 126b, 125b)은 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125), 제 3 성막 재료 공급부(126)의 길이 방향에, 각각 노즐 2 개분의 간격을 취한 상태로 병설되어 있다. 따라서, 세 개의 노즐 중 하나의 노즐 간에 다른 2 개의 노즐이 들어가, 노즐(125b, 124b, 126b)이 제 1 성막 재료 공급부(125), 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126)의 길이 방향으로 대략 일직선 상에 차례로 배열될 수 있도록 구성되어 있다. 이 경우, 동일한 센터 라인 상에 3 종의 성막 재료의 분출홀(125c, 124c, 126c)이 배치되게 된다.34, the nozzles 124b, 126b, and 125b of the second film forming material supply unit 124, the third film forming material supply unit 126, and the first film forming material supply unit 125 are formed as shown in FIG. 2 film-forming material supply part 124, the 1st film-forming material supply part 125, and the 3rd film-forming material supply part 126 are provided in the state which took the space | interval for two nozzles, respectively. Therefore, two other nozzles enter between one of the three nozzles, and the nozzles 125b, 124b, and 126b are formed by the first film forming material supply 125, the second film forming material supply 124, and the third film forming material supply ( 126), so that they can be arranged in sequence in a substantially straight line in the longitudinal direction. In this case, the ejection holes 125c, 124c, and 126c of three kinds of film forming materials are arranged on the same center line.

이 경우, 노즐(125b, 124b, 126b)의 분출홀(125c, 124c, 126c)로부터 분출되는 제 1 성막 재료, 제 2 성막 재료, 제 3 성막 재료의 증기가 센터 라인 상에서 양호하게 혼합된 상태에서, 피처리 기판(G)으로 공급된다. In this case, the vapor of the first film forming material, the second film forming material, and the third film forming material ejected from the ejection holes 125c, 124c, and 126c of the nozzles 125b, 124b, and 126b is well mixed on the center line. The substrate G is supplied to the processing target substrate G.

따라서, 전후의 공정에 의해 형성되는 막과의 계면에, 불완전 혼합층이 형성되는 것이 억제되지 않는다. Therefore, formation of an incomplete mixed layer in the interface with the film | membrane formed by the front-back process is not suppressed.

그리고 제 1 성막 재료 공급부(125), 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126)의 연장부(125a, 124a, 126a)의 방사율을 타부보다 낮게 하고 있으므로, 성막 재료 간의 비점차가 클 경우에도, 노즐(125b, 124b, 126b)이 교호로 배열됨으로써, 서로 영향을 받지 않는다.Since the emissivity of the extended portions 125a, 124a, and 126a of the first film forming material supply part 125, the second film forming material supply part 124, and the third film forming material supply part 126 is lower than the other parts, the ratio between the film forming materials is reduced. Even if gradually larger, the nozzles 125b, 124b, and 126b are alternately arranged so that they are not affected by each other.

또한 본 실시예의 성막 장치의 제 3 헤드(13h)는, 실시예 4에 따른 성막 장치(121)의 제 3 헤드(13g)와 마찬가지로, 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 위치를 제어하고, 막 두께 방향에서 제 2 성막 재료, 제 3 성막 재료 및 제 1 성막 재료의 혼합 비율(농도 분포)을 변화시킬 수 있다.In addition, the 3rd head 13h of the film-forming apparatus of this embodiment is similar to the 3rd head 13g of the film-forming apparatus 121 which concerns on Example 4, The 2nd film-forming material supply part 124 and the 3rd film-forming material supply part ( 126), the position of the 1st film-forming material supply part 125 can be controlled, and the mixing ratio (concentration distribution) of a 2nd film-forming material, a 3rd film-forming material, and a 1st film-forming material can be changed in a film thickness direction.

이상, 본 실시예에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 성막 재료 공급부의 연장부의 구성 및 위치 제어의 구성은, 성막 재료 공급부의 개수가 3 이상일 경우에도 적용할 수 있다. As described above, as described in the present embodiment, the configuration of the extension portion and the position control of the film formation material supply portion of the present invention can be applied even when the number of the film deposition material supply portions is three or more.

또한 본 실시예에서는, 제 1 구동부(81), 제 3 구동부(83), 제 2 구동부(82)가 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 수평 방향 및 상하 방향으로 이동 가능하게 구성하고, θ 방향으로 회전 가능하게 구성한 경우에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않는다. 제 1 구동부(81), 제 3 구동부(83), 제 2 구동부(82)가 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 적어도 어느 일방향으로 이동시키는 것이어도 된다.In the present embodiment, the first driver 81, the third driver 83, and the second driver 82 are the second film forming material supply unit 124, the third film forming material supply unit 126, and the first film forming material supply unit. Although the case where the 125 is comprised so that a movement in a horizontal direction and an up-down direction, and was comprised so that rotation in the (theta) direction was demonstrated, it is not limited to this. The first driving unit 81, the third driving unit 83, and the second driving unit 82 are at least any of the second film forming material supply unit 124, the third film forming material supply unit 126, and the first film forming material supply unit 125. It may be moved in one direction.

또한 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126), 제 1 성막 재료 공급부(125)를 자동으로 이동시키는 경우에 한정되지 않고, 수동으로 이동시키는 것으로 해도 된다. In addition, it is not limited to the case where the 2nd film-forming material supply part 124, the 3rd film-forming material supply part 126, and the 1st film-forming material supply part 125 are moved automatically, You may make it move manually.

또한 제 1 구동부(81), 제 3 구동부(83), 제 2 구동부(82)를 처리실(11)의 상부에 설치한 경우에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않는다. In addition, although the case where the 1st drive part 81, the 3rd drive part 83, and the 2nd drive part 82 are provided in the upper part of the process chamber 11 is demonstrated, it is not limited to this.

그리고, 본 실시예에서는 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126), 제 1 성막 재료 공급부(125) 전부가 이동 가능하게 구성되어 있는 경우에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 적어도 어느 하나가 이동 가능하게 구성하는 것으로 해도 된다.In the present embodiment, the second film forming material supply unit 124, the third film forming material supply unit 126, and the first film forming material supply unit 125 are all described as being movable, but not limited thereto. At least one of them may be configured to be movable.

또한, 노즐(125b, 124b, 126b)이 차례로 감합되도록 구성되는 경우에 한정되지 않고, 임의의 배치 방식을 설정할 수 있다.In addition, it is not limited to the case where the nozzles 125b, 124b, and 126b are comprised so that it may be fitted in order, arbitrary arrangement methods can be set.

그리고 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 재질, 내면의 코팅의 내용도 상술한 경우에 한정되지 않는다. In addition, the contents of the material of the second film forming material supply unit 124, the third film forming material supply unit 126, and the first film forming material supply unit 125 and the inner surface of the coating are not limited to those described above.

또한 이 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126), 제 1 성막 재료 공급부(125)의 구성은 청색 발광층을 형성할 때에 적용하는 경우에 한정되지 않고, 타색의 발광층을 형성할 경우에도 적용할 수 있고, 다른 기능을 가지는 층을 형성할 경우에도 적용할 수 있다. 그리고 제 1 성막 재료, 제 2 성막 재료 및 제 3 성막 재료가 유기 재료인 경우에 한정되지 않고, 적어도 하나가 무기 재료여도 된다. In addition, the structure of this 2nd film-forming material supply part 124, the 3rd film-forming material supply part 126, and the 1st film-forming material supply part 125 is not limited to what is applied when forming a blue light emitting layer, and forms a light emitting layer of a different color. It can be applied also when it is, and also when forming a layer having a different function. The first film forming material, the second film forming material, and the third film forming material are not limited to the case where the organic material is an organic material, and at least one inorganic material may be used.

그리고 상기 실시예 5와 마찬가지로, 전후의 공정에 의해 형성되는 막과의 계면에, 불완전 혼합층이 형성하지 않도록 한다고 하는 과제를 해결하기 위하여, 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 3 성막 재료 공급부(126) 및 제 1 성막 재료 공급부(125)를 이동 가능하게 구성하지 않고, 노즐(125b, 124b, 126b)이 센터 라인 상에 차례로 배열된 상태로 고정되어 있도록 구성할 수도 있다.As in the fifth embodiment, in order to solve the problem that the incomplete mixed layer is not formed at the interface with the film formed by the step before and after, the second film forming material supply unit 124 and the third film forming material supply unit ( 126 and the 1st film-forming material supply part 125 may be comprised so that the nozzle 125b, 124b, 126b may be fixed so that it may be arranged in order on a center line in order.

또한 이상의 실시예 1 ~ 6에서 설명한 경우, 유기 성막 재료 공급부(4), 무기 성막 재료 공급부(5)의 구성, 및 제 2 성막 재료 공급부(124), 제 1 성막 재료 공급부(125), 제 3 성막 재료 공급부(126)의 구성은 한정되지 않는다.In addition, when it demonstrated in Examples 1-6 mentioned above, the structure of the organic film-forming material supply part 4 and the inorganic film-forming material supply part 5, the 2nd film-forming material supply part 124, the 1st film-forming material supply part 125, and 3rd The structure of the film-forming material supply part 126 is not limited.

또한 실시예 1 ~ 3에서는, 공증착의 재료가 유기 재료 및 무기 재료인 경우에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 증기 공급부의 위치를 제어하여 막 두께 방향의 혼합 비율을 제어하는 방법은, 공증착의 재료가 모두 유기 재료, 또는 모두 무기 재료일 경우에도 적용하는 것이 가능하다.In addition, in Examples 1-3, although the case where the material of co-deposition is an organic material and an inorganic material was demonstrated, it is not limited to this. The method of controlling the mixing ratio in the film thickness direction by controlling the position of the vapor supply part of the present invention can be applied even when all of the co-deposition materials are organic materials or all inorganic materials.

본 발명의 성막 방법에 의해, 예를 들면 유기 EL 소자의 양극과 발광층의 사이에, 성막 방향에서 유기 성막 재료와 무기 성막 재료의 혼합비가 변화하도록 성막 할 수 있다. 생성된 막은, 발광층측으로부터 양극층측으로의 전자의 관통을 양호하게 방지하여 양극 계면의 열화를 방지하면서, 성막의 발광층측 및 양극층측의 계면의 에너지 장벽의 높이를 조절하여 홀 주입 효율을 조정할 수 있어, 발광 강도가 향상된다. According to the film forming method of the present invention, for example, the film can be formed so as to change the mixing ratio of the organic film forming material and the inorganic film forming material in the film forming direction between the anode of the organic EL element and the light emitting layer. The resulting film can satisfactorily prevent the penetration of electrons from the light emitting layer side to the anode layer side to prevent deterioration of the anode interface, while adjusting the height of the energy barrier at the interface between the light emitting layer side and the anode layer side of the film formation to adjust the hole injection efficiency. Light emission intensity is improved.

또한 본 발명의 성막 방법에 의해, 구성 성막 재료의 혼합 비율을 균일하게 한 상태에서 발광층 등의 공증착층을 형성하거나, 상기 혼합 비율을 막 두께 방향으로 변화시킨 상태에서 발광층 등의 공증착층 등을 형성할 수 있다.Further, according to the film forming method of the present invention, a co-deposition layer such as a light emitting layer is formed in a state where the mixing ratio of the constituent film forming materials is uniform, or a co-deposition layer such as a light emitting layer in the state where the mixing ratio is changed in the film thickness direction. Can be formed.

본 발명의 성막 방법에 의해, 발광 효율이 향상되고, 양호한 발광 강도를 가지는 유기 발광 소자의 제조가 가능하게 된다.By the film-forming method of this invention, luminous efficiency improves and manufacture of the organic light emitting element which has favorable luminous intensity is attained.

그리고, 본 발명의 성막 방법은 유기 EL 소자 이외의 소자의 성막에도 적용하는 것이 가능하다. And the film-forming method of this invention can be applied also to film-forming of elements other than organic electroluminescent element.

이상과 같이 설명한 실시예는 본 발명의 예시이며, 본 발명은 청구의 범위에 기재된 사항 및 청구의 범위의 기재에 기초하여 정해지는 범위 내에서 각종 변경한 형태로 실시할 수 있다.The embodiment described above is an illustration of the present invention, and the present invention can be implemented in various modified forms within the scope determined based on the matter described in the claims and the description of the claims.

1, 101, 102, 121, 122 : 성막 장치
2, 122, 202, 203 : 성막 헤드
3 : 유기 EL 소자
33f : 전자 수송층
33h, 33i : 전자 수송 · 주입층
11 : 처리실
12 : 반송 장치
13 : 증착 헤드
13c, 13g, 13h, 13i : 제 3 헤드
14 : 배기관
15 : 진공 펌프
16, 147, 148 : 배관
17, 145, 146 : 증기 발생부
4 : 유기 성막 재료 공급부
40 : 유기 성막 재료 공급관
41 : 유기 성막 재료용 하우징
41a : 분출홀
41a, 41b, 41c, 41d : 히터 고정 부재
42a, 42b, 42c, 42d : 히터
43a, 43b : 열매체 통유로
5 : 무기 성막 재료 공급부
51 : 무기 성막 재료용 하우징
51a : 분출홀
51b, 51c, 51d : 히터 고정 부재
52a, 52b, 52c, 52d, 52e, 52f : 제 2 히터
53a, 53b, 53c : 제 2 열매체 통유로
54 : 가열 장치
55a, 55b : 제 1 히터
56 : 제 1 열매체 통유로
57 : 용기
61, 62 : 공급관 가열 히터
71, 72 : 차열 커버
124 : 제 2 성막 재료 공급부
125 : 제 1 성막 재료 공급부
126 : 제 3 성막 재료 공급부
124a, 125a, 126a : 연장부
124b, 125b, 126b : 노즐
124c, 125c, 126c : 분출홀
124d, 125d : 정류판
124e, 125e, 126e : 돌출 설치부
G : 피처리 기판1, 101, 102, 121, 122: film forming apparatus
2, 122, 202, 203: film formation head
3: organic EL element
33f: electron transport layer
33h, 33i: electron transport and injection layer
11: Treatment room
12: conveying device
13: deposition head
3rd head: 13c, 13g, 13h, 13i
14 exhaust pipe
15: vacuum pump
16, 147, 148: piping
17, 145, 146: steam generator
4: organic film forming material supply unit
40: organic film forming material supply pipe
41: housing for organic film-forming material
41a: blowout hole
41a, 41b, 41c, 41d: heater fixing member
42a, 42b, 42c, 42d: heater
43a, 43b: heat exchange channel
5: inorganic film forming material supply unit
51: housing for inorganic film-forming material
51a: blowout hole
51b, 51c, 51d: heater fixing member
52a, 52b, 52c, 52d, 52e, 52f: second heater
53a, 53b, 53c: second heat medium channel
54: heating device
55a, 55b: first heater
56: first heat medium channel
57: container
61, 62: supply pipe heating heater
71, 72: heat shield cover
124: second film forming material supply unit
125: first film forming material supply unit
126: third film forming material supply unit
124a, 125a, 126a: extension part
124b, 125b, 126b: nozzle
124c, 125c, 126c: blowout hole
124d, 125d: Rectification Plate
124e, 125e, 126e: projecting parts
G: substrate to be processed

Claims (15)

피처리 기판에 성막하는 처리실과, 성막 재료의 증기를 상기 피처리 기판을 향해 분출하는 복수의 증기 공급부를 구비하는 성막 장치에 있어서,
복수의 증기 공급부를 소정의 위치에 배치하여, 복수의 성막 재료를, 성막 방향의 혼합 비율을 제어한 상태에서, 상기 피처리 기판을 향해 분출하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.A film forming apparatus comprising a processing chamber for forming a film on a substrate to be processed and a plurality of vapor supply units for ejecting vapor of the film forming material toward the substrate to be processed.
A film forming apparatus, wherein the plurality of vapor supply units are arranged at predetermined positions, and the plurality of film forming materials are ejected toward the substrate to be processed in a state in which the mixing ratio in the film forming direction is controlled. 제 1 항에 있어서,
증기 공급부 중 적어도 하나를 이동시키는 증기 공급부 이동 수단을 구비하고, 상기 증기 공급부 이동 수단에 의해 복수의 증기 공급부를 소정의 위치에 배치하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method of claim 1,
And a vapor supply part moving means for moving at least one of the steam supply parts, wherein the vapor supply part moving means is configured to arrange a plurality of vapor supply parts at a predetermined position. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
각 증기 공급부에는 각각, 증기를 분출하는 복수의 분출홀을 가지는 노즐이, 상기 처리실의 중앙부를 향해 돌출되는 상태로 복수 병설되고,
각 증기 공급부의 각 노즐이 대략 일직선 상에 배열될 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
A plurality of nozzles each having a plurality of ejection holes for ejecting steam are provided in each of the steam supply parts in a state of projecting toward the center of the processing chamber.
A film forming apparatus, wherein each nozzle of each steam supply unit is configured to be arranged in a substantially straight line. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리실의 외부에 설치되어 있고, 유기 성막 재료의 증기를 발생시키는 유기 증기 발생부와,
상기 유기 증기 발생부에서 발생시킨 유기 성막 재료의 증기를 상기 피처리 기판을 향해 분출하는 유기 증기 공급부와,
무기 성막 재료의 증기를 상기 피처리 기판을 향해 분출하는 무기 증기 공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
An organic vapor generating unit which is provided outside the processing chamber and generates steam of an organic film forming material;
An organic vapor supply unit that ejects the vapor of the organic film-forming material generated by the organic vapor generator toward the substrate to be processed;
And an inorganic vapor supply unit for ejecting vapor of an inorganic film forming material toward the substrate to be processed. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리실의 외부에 설치되어 있고, 유기 성막 재료의 증기를 발생시키는 유기 증기 발생부와,
상기 유기 증기 발생부에서 발생시킨 유기 성막 재료의 증기를 상기 피처리 기판을 향해 분출하는 유기 증기 공급부를 각각 복수 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
An organic vapor generating unit which is provided outside the processing chamber and generates steam of an organic film forming material;
And a plurality of organic vapor supply units for ejecting the vapor of the organic film forming material generated by the organic vapor generating unit toward the substrate to be processed, respectively. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 피처리 기판을 상기 처리실 내에서 이동시키는 수단을 구비하고,
상기 증기 공급부 이동 수단은, 증기 공급부 중 적어도 하나를, 상기 피처리 기판의 이동 방향과 대략 일치하는 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Means for moving the substrate to be processed in the processing chamber,
The vapor supply part moving means moves the at least one of the vapor supply parts in a direction substantially coincident with the moving direction of the substrate to be processed. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증기 공급부 이동 수단은, 증기 공급부 중 적어도 하나를, 성막 방향과 대략 일치하는 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The vapor supply unit moving means moves the at least one of the vapor supply units in a direction substantially coincident with the film formation direction. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
증기 공급부 중 적어도 하나를 θ 방향으로 회전시키는 증기 공급부 회전 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to any one of claims 1 to 7,
And a vapor supply part rotating means for rotating at least one of the vapor supply parts in the θ direction. 제 4 항에 있어서,
상기 증기 공급부 이동 수단은, 상기 무기 증기 공급부를 이동시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치.5. The method of claim 4,
The vapor supply unit moving unit moves the inorganic vapor supply unit. 피처리 기판을 처리실 내에 수용하고, 수용된 상기 피처리 기판을 향해 복수의 성막 재료의 증기를 공급함으로써 성막을 행하는 성막 방법에 있어서,
상기 처리실 내에서 복수의 성막 재료의 증기의 분출 위치를 제어하고, 성막 방향의 혼합 비율을 제어한 상태에서 상기 피처리 기판을 향해 분출하고, 공증착층을 형성하는 공증착층 형성 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 성막 방법.A film forming method in which a substrate to be processed is accommodated in a processing chamber and film formation is performed by supplying vapors of a plurality of film formation materials toward the accommodated substrate.
Having a co-deposition layer forming process which controls the jet position of the some vapor deposition material in the said process chamber, blows toward the said to-be-processed substrate in the state which controlled the mixing ratio of the film-forming direction, and forms a co-deposition layer. The film formation method characterized by the above-mentioned. 제 10 항에 있어서,
상기 처리실의 외부에서 유기 성막 재료의 증기를 발생시키는 공정을 가지고,
상기 공증착층 형성 공정은, 상기 처리실의 외부에서 발생시킨 유기 성막 재료의 증기 및 무기 성막 재료의 증기 각각을, 상기 피처리 기판을 향해 분출하여 공증착층을 형성하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.11. The method of claim 10,
Having a process of generating steam of an organic film forming material outside of the processing chamber,
In the co-deposition layer forming step, the vapor deposition of the organic film-forming material generated from the outside of the processing chamber and the vapor of the inorganic film-forming material are blown toward the substrate to be treated to form a co-deposition layer. 기판 상에 양극, 발광층 및 음극을 형성하는 유기 발광 소자의 제조 방법에 있어서,
상기 발광층과 음극의 사이에, 제 10 항에 기재된 성막 방법에 의해 상기 공증착층을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법.In the manufacturing method of the organic light emitting element which forms an anode, a light emitting layer, and a cathode on a board | substrate,
A method of manufacturing an organic light emitting element, comprising the step of forming the co-deposition layer between the light emitting layer and the cathode by the film forming method according to claim 10. 기판 상에 양극, 발광층 및 음극을 형성하는 유기 발광 소자의 제조 방법에 있어서,
상기 발광층과 음극의 사이에, 제 11 항에 기재된 성막 방법에 의해 상기 공증착층을 형성하는 공정을 가지고,
상기 무기 성막 재료는 Li, Na, K, Ca, Cs, 및 Ba로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법.In the manufacturing method of the organic light emitting element which forms an anode, a light emitting layer, and a cathode on a board | substrate,
It has a process of forming the said co-deposition layer between the said light emitting layer and a cathode by the film-forming method of Claim 11,
The inorganic film forming material is a metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Ca, Cs, and Ba. 복수의 성막 재료로 이루어지고, 막 두께 방향으로 상기 복수의 성막 재료의 소정의 농도 분포를 가지는 공증착층을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.An organic light emitting element comprising a plurality of film formation materials, and having a co-deposition layer having a predetermined concentration distribution of the plurality of film formation materials in a film thickness direction. 제 14 항에 있어서,
상기 복수의 성막 재료는, 유기 성막 재료와 무기 성막 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
15. The method of claim 14,
The plurality of film forming materials comprise an organic film forming material and an inorganic film forming material.
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