KR20140002382U - 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너 - Google Patents
화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140002382U KR20140002382U KR2020120009347U KR20120009347U KR20140002382U KR 20140002382 U KR20140002382 U KR 20140002382U KR 2020120009347 U KR2020120009347 U KR 2020120009347U KR 20120009347 U KR20120009347 U KR 20120009347U KR 20140002382 U KR20140002382 U KR 20140002382U
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing pad
- arm
- pad conditioner
- load
- rotating
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 132
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 3
- 238000007665 sagging Methods 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/16—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
본 고안의 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너는 베이스부와, 상기 베이스부에 수직 방향으로 지지되고 연마 패드 상으로 이동할 수 있게 회전할 수 있는 회전부와, 상기 회전부와 연결되고 수평 방향으로 연장되어 있는 암부와, 상기 암부의 일단부에 연결되어 있고 상기 연마 패드에 접촉하여 상기 연마 패드의 표면을 컨디셔닝할 수 있는 컨디션닝 디스크와, 상기 수직 방향으로 상기 암부의 처짐을 검사할 수 있는 검사부를 포함한다.
Description
본 고안은 화학 기계적 연마 장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너에 관한 것이다.
메모리(memory) 소자와 같은 반도체 소자가 급격히 고집적화되고 패턴 크기가 축소됨에 따라, 웨이퍼(wafer) 상에 크게 유발되는 단차를 완화하기 위해서 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 장비를 이용한 평탄화 공정을 이용한다. 더욱이, 반도체 소자의 생산성 증대를 위해서 웨이퍼의 구경이 200㎜ 보다 큰 300㎜의 대구경 웨이퍼의 사용이 빈번해지며, CMP 공정 또한 더 많이 이용된다.
웨이퍼 구경이 커짐에 따라 CMP 장비의 연마 플레이튼(platen)의 구경이 커지고 있으며, 이에 따라 연마 패드(polishing pad)의 구경 또한 커지고 있다. 이와 같이 CMP 장비의 구경 또는 크기가 커짐에 따라, 웨이퍼를 CMP하는 과정에 스크래치(scratch) 발생 빈도 및 발생 가능성 또한 커지고 있다. 이러한 스크래치는 연마 과정에 소모되는 슬러리(slurry)의 잔류물 및 연마 부산물이 연마 패드의 포어(pore)에 잔류하는 데 기인될 수 있다.
연마 패드의 잔류물이나 부산물을 제거하기 위하여 CMP 장비는 연마 패드 컨디션너를 도입하여 사용한다. 연마 패드 컨디션너는 일단에 위치한 컨디셔닝 디스크(conditioning disk)를 연마 패드에 접촉시켜 연마 패드의 표면에 위치하는 잔류물이나 부산물을 제거한다. 컨디셔닝 디스크가 연마 패드와 접촉할 때, 접촉 정확성이나 접촉 정밀성이 떨어질 경우 연마 패드의 표면을 컨디셔닝하는 연마 패드 컨디셔닝 효율이 떨어질 수 있다.
본 고안이 해결하고자 하는 과제는 연마 패드 컨디셔닝 효율을 개선할 수 있는 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너를 제공하는 데 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 고안의 일 예에 의한 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너는 베이스부와, 상기 베이스부에 수직 방향으로 지지되고 연마 패드 상으로 이동할 수 있게 회전할 수 있는 회전부와, 상기 회전부와 연결되고 수평 방향으로 연장되어 있는 암부와, 상기 암부의 일단부에 연결되어 있고 상기 연마 패드에 접촉하여 상기 연마 패드의 표면을 컨디셔닝할 수 있는 컨디션닝 디스크와, 상기 수직 방향으로 상기 암부의 처짐을 검사할 수 있는 검사부를 포함하여 이루어진다.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 검사부는 상기 암부의 일측에 설치되어 상기 컨디셔닝 디스크의 위치를 촬영하는 비전 카메라와, 상기 비전 카메라로부터 촬영된 상기 컨디셔닝 디스크의 위치 정보를 입력받아 상기 암부의 처짐을 판단하는 판단부를 포함하여 이루어질 수 있다.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 검사부는 상기 암부 상의 상기 회전부의 회전축에 설치된 기둥부와, 상기 기둥부를 검사하여 상기 회전축의 편심을 측정하는 센서부로 이루어질 수 있다.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스부 및 암부에는 상기 암부의 하중을 분산하는 하중 분산부가 설치되어 있을 수 있다. 상기 하중 분산부는 상기 베이스부에 설치된 회전 베어링과 상기 회전 베어링 및 상기 암부에 연결된 하중 부재로 이루어질 수 있다. 상기 하중 부재는 상기 회전부의 중심축을 중심으로 상기 베이스부의 일측 또는 양측에 설치되어 있을 수 있다.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 회전부는 상기 베이스부에 고정되어 있는 내부 고정부와, 상기 내부 고정부의 외부에 설치되어 회전할 수 있는 외부 회전부와, 상기 내부 고정부와 외부 회전부 사이에는 상기 암부의 하중을 분산하는 내부 회전 베어링으로 이루어질 수 있다.
또한, 본 고안의 일 예에 의한 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너는 베이스부와, 상기 베이스부에 수직 방향으로 지지되고 연마 패드 상으로 이동할 수 있게 회전할 수 있는 회전부와, 상기 회전부와 연결되고 수평 방향으로 연장되어 있는 암부와, 상기 암부의 일단부에 연결되어 있고 상기 연마 패드에 접촉하여 상기 연마 패드의 표면을 컨디셔닝할 수 있는 컨디션닝 디스크와, 상기 베이스부 및 암부에 설치되고 상기 수직 방향으로 상기 암부의 하중을 분산할 수 있는 하중 분산부를 포함하여 이루어진다.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 하중 분산부는 상기 베이스부에 설치된 회전 베어링과 상기 회전 베어링 및 상기 암부에 연결된 하중 부재로 이루어질 수 있다.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 회전부는 상기 베이스부에 고정되어 있는 내부 고정부와, 상기 내부 고정부의 외부에 설치되어 회전할 수 있는 외부 회전부와, 상기 내부 고정부와 외부 회전부 사이에는 상기 암부의 하중을 분산하는 내부 회전 베어링으로 이루어질 수 있다.
본 고안의 일 실시예에 의한 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너는 연마 패드의 표면을 컨디셔닝할 수 있는 컨디션닝 디스크가 설치된 암부의 수직 방향으로의 처짐을 검사할 수 있는 검사부를 포함할 수 있다. 이에 따라, 암부가 처질 경우 컨디셔닝 효율이 낮아지므로 암부의 교체나 수리를 통해 컨디셔닝 효율을 개선할 수 있다.
본 고안의 일 실시예에 의한 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너는 연마 패드의 표면을 컨디셔닝할 수 있는 컨디션닝 디스크가 설치된 암부의 처짐을 감소시키기 위해, 암부 및 암부를 지지하는 베이스부에 하중 분산부가 설치될 수 있다. 이에 따라, 암부의 처짐을 감소시켜 컨디셔닝 효율을 개선할 수 있다.
도 1 및 도 2는 각각 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비의 단면도 및 평면도이고,
도 3 및 도 4는 도 1 및 도 2의 연마 패드 컨디션너를 설명하기 위하여 도시한 도면들이고,
도 5a 및 도 5b는 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비를 도시한 도면들이고,
도 6은 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비를 도시한 도면이고,
도 7은 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비를 도시한 도면이고,
도 8 및 도 9는 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비를 도시한 도면이다.
도 3 및 도 4는 도 1 및 도 2의 연마 패드 컨디션너를 설명하기 위하여 도시한 도면들이고,
도 5a 및 도 5b는 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비를 도시한 도면들이고,
도 6은 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비를 도시한 도면이고,
도 7은 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비를 도시한 도면이고,
도 8 및 도 9는 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비를 도시한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 고안의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 고안을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 본 고안은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 고안을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 고안의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 고안의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하거나 축소하여 도시한 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 고안을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 고안이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1 및 도 2는 각각 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비의 단면도 및 평면도이고, 도 3 및 도 4는 도 1 및 도 2의 연마 패드 컨디션너를 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 화학 기계적 연마 장비는 웨이퍼(w), 예컨대 300㎜ 웨이퍼의 연마에 사용될 연마 패드(110)가 부착되어 회전하는 플레이튼(platen: 100)을 포함하여 구성된다. 플레이튼(100) 의 연마 패드(110) 상에 연마될 웨이퍼(w)를 도입하는 웨이퍼 헤드부(wafer head: 200)가 위치한다. 웨이퍼 헤드부(200)는 웨이퍼(W)를 홀딩하는 링부(210)를 포함할 수 있다. 웨이퍼 헤드부(200)도 회전할 수 있다. 웨이퍼 헤드부(200)는 고정 상태에서 회전할 수 있다. 웨이퍼 헤드부(200)는 웨이퍼(w)의 균일한 연마를 위해서 연마 패드(110)의 중심부에서 가장자리부 쪽 방향 또는 이의 역 방향으로 미세하게 움직이는 동작을 할 수도 있다.
웨이퍼(w)의 연마를 위해서 슬러리나 탈이온수를 공급하는 노즐(nozzle: 300)이 도입되고, 노즐(300)을 통해 연마를 위한 슬러리나 탈이온수가 제공된다. 이러한 슬러리, 탈이온수 및 연마 패드(110)에 의한 연마 작용에 의해서 웨이퍼(W)는 화학 기계적 연마(CMP)된다. CMP 과정에서 손상을 받은 연마 패드(110)의 표면을 회복시키고, 연마 패드(110) 표면의 포어(pore) 내에 잔존하는 연마 부산물 또는 슬러리 잔류물 등을 긁어 제거하여, 웨이퍼(W)의 연마 표면에 스크래치 등과 같은 결함 발생을 억제하기 위해서 연마 패드 컨디셔너(400)가 도입된다.
연마 패드 컨디션너(400)는 연마 패드(110) 상에 대면되게 도입되어 연마 패드(110) 표면을 컨디셔닝(conditioning)하는 컨디셔닝 디스크(disk: 410)를 포함할 수 있다. 컨디셔닝 디스크(410)를 연마 패드(110) 상에 도입하고 지지하는 바(bar) 형태의 암부(arm, 420)를 포함하여 구성될 수 있다. 연마 패드 컨디션너(400)에 대하여는 도 3 및 도 4를 이용하여 보다 더 자세하게 설명한다.
연마 패드 컨디션너(400)는 베이스부(450)를 포함할 수 있다. 베이스부(450)는 화학 기계적 연마 장비의 바디에 고정될 수 있다. 베이스부(450)는 하부 베이스부(430) 및 상부 베이스부(440)로 구성될 수 있다. 하부 베이스부(430) 및 상부 베이스부(440)는 서로 수직으로 연결될 수 있다. 상부 베이스부(440)에 세정액 공급 라인(470)이 연결될 수 있다. 세정액 공급 라인(470)에는 노즐(480)이 설치될 수 있다. 세정액 공급 라인(470)에는 세정액 공급부(490)가 연결될 수 있다. 세정액 공급 라인(470) 및 노즐(480)을 통하여 컨디셔닝 디스크(410)에 세정액을 공급할 수 있다. 이에 따라, 컨디셔닝 디스크(410)를 세정할 수 있다.
베이스부(450)에는 수직 방향(Y축 방향)으로 지지되고 연마 패드(110) 상으로 이동할 수 있게 회전할 수 있는 회전부(460)가 설치될 수 있다. 베이스부(450)는 내부에 회전부재(도 8의 472, 473, 474)가 관통하도록 설치될 수 있어 회전부(460)는 회전될 수 있다.
연마 패드 컨디션너(40))는 회전부(460)와 연결되고 수평 방향(X축 방향)으로 연장되어 있는 암부(420, arm unit)를 포함할 수 있다. 연마 패드 컨디션너는 암부(420)의 일단부에 연결되어 있고 연마 패드(110)에 접촉하여 연마 패드(110)의 표면을 컨디셔닝할 수 있는 컨디션닝 디스크(410)를 포함할 수 있다. 암부(420)는 회전부(460)의 중심축(회전축)으로부터 수평 방향으로 길게 연장되고, 컨디셔닝 디스크(410)의 하중으로 인하여 도 3의 화살표로 도시한 바와 같이 회전축의 사선 방향의 전단 하중이 지속적으로 작용한다. 이에 따라, 암부(420)는 수직 방향으로 처짐이 발생할 수 있다. 암부(420)가 수직 방향으로 처질 경우 컨디셔닝 디스크(410)와 연마 패드(110)가 균일하게 접촉하지 않기 때문에, 컨디셔닝 효율이 크게 떨어질 수 있다.
연마 패드 컨디션너(400)는 일 실시예로 도 4에 도시한 바와 같이 수직 방향으로 암부(420)의 처짐을 검사할 수 있는 검사부(500)를 포함할 수 있다. 검사부(500)는 암부(420)의 일측에 설치되어 컨디셔닝 디스크(410)의 위치를 촬영하는 비전 카메라(510)를 포함할 수 있다. 비전 카메라(510)와 컨디셔닝 디스크(410)간의 이격 거리는 약 600 내지 700mm로 설정할 수 있다. 비전 카메라(510)에서 컨디셔닝 디스크(410)의 영상을 캡쳐하여 컨디셔닝 디스크(410)의 수직 방향의 상하 높이를 검출한다.
컨디셔닝 디스크(410)의 위치 검출은 세정액 등으로 인하여 센서로 검출할 경우 오류가 많을 수 있다. 이에 반하여, 비전 카메라(510)는 원거리에서 비접촉식으로 컨디션닝 디스크(410)의 위치를 촬영하므로 암부(420)의 처짐을 안정적이면서 신뢰성 있게 검출해낼 수 있다. 검사부(500)는 비전 카메라(510)로부터 촬영된 컨디셔닝 디스크(410)의 위치 정보를 입력받아 암부(420)의 처짐을 판단하는 판단부(520)를 포함할 수 있다.
판단부(520)는 컴퓨터일 수 있으며, 본체(522), 모니터(524) 및 입력부(526)를 포함할 수 있다. 검사부(500)를 통해 암부(420)가 처진 것으로 판단될 경우 컨디셔닝 효율이 낮아지므로 암부(420)의 교체나 수리를 통해 컨디셔닝 효율을 개선할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비를 도시한 도면들이다.
구체적으로, 도 5a 및 도 5b에 도시한 연마 패드 컨디션너(400-1)는 도 1 내지 도 4의 연마 패드 컨디션너(400)와 비교할 때 검사부(500-1)를 제외하고는 동일하다. 도 1 내지 도 3의 화학 기계적 연마 장비에 관한 내용은 도 5a 및 도 5b에도 동일하게 적용될 수 있으므로 중복되어 여기서는 설명을 생략한다.
도 5a 및 도 5b에 도시한 연마 패드 컨디션너(400-1)는 검사부(500-1)를 포함할 수 있다. 검사부(500-1)는 암부(420) 상의 회전부(460)의 회전축에 설치된 기둥부(530)와, 기둥부(530)를 검사하여 회전축의 편심을 측정하는 센서부(540)로 이루어질 수 있다. 센서부(540)는 기둥부(530)의 전후 또는 좌우에 설치될 수 있다.
센서부(540)는 포토센서로 구성될 수 있고, 제1 센서부(532)는 광을 출사하는 출사부이고 제2 센서부(534)는 광을 검출하는 검출부일 수 있다. 검사부(500-1)를 통해 암부(420)가 처진 것으로 판단될 경우 컨디셔닝 효율이 낮아지므로 암부(420)의 교체나 수리를 통해 컨디셔닝 효율을 개선할 수 있다.
도 6은 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비를 도시한 도면이다.
구체적으로, 도 6에 도시한 연마 패드 컨디션너(400-2)는 도 1 내지 도 3의 연마 패드 컨디션너(400)와 비교할 때 하중 분산부(600)가 더 설치된 것을 제외하고는 동일하다. 그리고, 도 6에 도시한 연마 패드 컨디션너(400-2)에 도 4에 도시한 검사부(500), 도 5a 및 도 5b에 도시한 검사부(500-1)가 더 설치될 수도 있다. 도 1 내지 도 3의 화학 기계적 연마 장비에 관한 내용은 도 6에도 동일하게 적용될 수 있으므로 중복되어 여기서는 설명을 생략한다.
하중 분산부(600)는 베이스부(450) 및 암부(420)에 설치될 수 있다. 하중 분산부(600)는 하부 베이스부(430) 및 암부(420)에 설치될 수 있다. 하중 분산부(600)는 암부(420)의 하중을 분산할 수 있다. 하중 분산부(600)는 베이스부(450)에 설치된 회전 베어링(610)과, 회전 베어링(610) 및 암부(420)에 연결된 하중 부재(620)로 이루어질 수 있다. 하중 부재(620)는 회전축을 중심으로 일측에 설치될 수 있다. 하중 부재(620)로 인해 회전축을 중심으로 양측에 균등하게 부하가 걸려 암부(420)의 수직 방향으로의 처짐을 억제할 수 있다.
도 7은 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비를 도시한 도면이다.
구체적으로, 도 7에 도시한 연마 패드 컨디션너(400-2)는 도 1 내지 도 3의 연마 패드 컨디션너(400)와 비교할 때 하중 분산부(600-1)가 더 설치된 것을 제외하고는 동일하다. 그리고, 도 6에 도시한 연마 패드 컨디션너(400-2)에 도 4에 도시한 검사부(500), 도 5a 및 도 5b에 도시한 검사부(500-1)가 더 설치될 수도 있다. 도 1 내지 도 3의 화학 기계적 연마 장비에 관한 내용은 도 7에도 동일하게 적용될 수 있으므로 중복되어 여기서는 설명을 생략한다.
하중 분산부(600-1)는 베이스부(450) 및 암부(420)에 설치될 수 있다. 하중 분산부(600-1)는 상부 베이스부(440) 및 암부(420)에 설치될 수 있다. 하중 분산부(600-1)는 세정액 공급 라인(470)의 상부에 설치될 수 있다. 하중 분산부(600-1)는 암부(420)의 하중을 분산할 수 있다. 하중 분산부(600-1)는 베이스부(450)에 설치된 회전 베어링(630)과, 회전 베어링(630) 및 암부(420)에 연결된 하중 부재(640)로 이루어질 수 있다. 하중 부재(640)는 회전축을 중심으로 양측에 설치될 수 있다. 하중 부재(640)로 인해 회전축을 중심으로 양측에 균등하게 부하가 걸려 암부(420)의 수직 방향으로의 처짐을 억제할 수 있다.
도 8 및 도 9는 본 고안의 일 실시예에 의한 연마 패드 컨디션너를 포함하는 화학 기계적 연마 장비를 도시한 도면이다.
구체적으로, 도 8 및 도 9에 도시한 연마 패드 컨디션너(400-4)는 도 1 내지 도 3의 연마 패드 컨디션너(400)와 비교할 때 회전부(460-1)의 구조가 다른 것을 제외하고는 동일하다. 그리고, 도 8 및 도 9에 도시한 연마 패드 컨디션너(400-4)에 도 4에 도시한 검사부(500), 도 5a 및 도 5b에 도시한 검사부(500-1)가 더 설치될 수도 있다. 도 1 내지 도 3의 화학 기계적 연마 장비에 관한 내용은 도 8 및 도 9에도 동일하게 적용될 수 있으므로 중복되어 여기서는 설명을 생략한다.
회전부(460-1)는 베이스부(450)에 고정되어 있는 내부 고정부(466)를 포함할 수 있다. 내부 고정부(466)는 구경이 큰 제1 내부 고정부(462)와, 제1 내부 고정부(462)에 연결되고 구경이 작은 제2 내부 고정부(464)로 이루어질 수 있다. 제1 내부 고정부(462)와 제2 내부 고정부(464) 사이에는 지지턱이 설치될 수 있다. 내부 고정부(466)의 외부에는 회전할 수 있는 외부 회전부(468)가 설치될 수 있다. 베이스부(450)의 내부에 회전부재(472, 473, 474)가 관통하도록 설치되어 외부 회전부(468)는 회전할 수 있다. 회전 부재(472, 473, 474)는 회전 수단, 예컨대 모터와 연결될 수 있다.
회전부(460-1)는 내부 고정부(466)와 외부 회전부(468) 사이에 암부(420)의 하중을 분산하는 내부 회전 베어링(482)이 설치될 수 있다. 내부 회전 베어링(482)이 암부(420)의 수직 방향으로의 하중을 분산하고 지탱하여 암부(420)의 처짐을 억제할 수 있다.
100: 플레이튼, 110: 연마 패드, 200: 웨이퍼 헤드부, 210: 홀딩부, 300: 노즐, 400, 400-1, 400-2, 400-3, 400-4: 연마 패드 컨디션너, 410: 컨디셔닝 디스크, 420: 암부, 430: 하부 베이스부, 440: 상부 베이스부, 450: 베이스부, 460, 460-1: 회전부, 466: 내부 고정부, 468: 외부 회전부, 470: 세정액 공급 라인, 472, 473, 474: 회전 부재, 482: 내부 회전 베어링, 490: 세정액 공급부, 500, 500-1: 검사부, 510: 비전 카메라, 520: 판단부, 530: 기둥부, 540: 센서부, 600, 600-1: 하중 분산부, 610, 630: 회전 베어링, 620, 640: 하중 부재
Claims (10)
- 베이스부;
상기 베이스부에 수직 방향으로 지지되고 연마 패드 상으로 이동할 수 있게 회전할 수 있는 회전부;
상기 회전부와 연결되고 수평 방향으로 연장되어 있는 암부;
상기 암부의 일단부에 연결되어 있고 상기 연마 패드에 접촉하여 상기 연마 패드의 표면을 컨디셔닝할 수 있는 컨디션닝 디스크; 및
상기 수직 방향으로 상기 암부의 처짐을 검사할 수 있는 검사부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너. - 제1항에 있어서, 상기 검사부는 상기 암부의 일측에 설치되어 상기 컨디셔닝 디스크의 위치를 촬영하는 비전 카메라와, 상기 비전 카메라로부터 촬영된 상기 컨디셔닝 디스크의 위치 정보를 입력받아 상기 암부의 처짐을 판단하는 판단부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너.
- 제1항에 있어서, 상기 검사부는 상기 암부 상의 상기 회전부의 회전축에 설치된 기둥부와, 상기 기둥부를 검사하여 상기 회전축의 편심을 측정하는 센서부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스부 및 암부에는 상기 암부의 하중을 분산하는 하중 분산부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디셔너.
- 제4항에 있어서, 상기 하중 분산부는 상기 베이스부에 설치된 회전 베어링과 상기 회전 베어링 및 상기 암부에 연결된 하중 부재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디셔너.
- 제4항에 있어서, 상기 하중 부재는 상기 회전부의 중심축을 중심으로 상기 베이스부의 일측 또는 양측에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디셔너.
- 제1항에 있어서, 상기 회전부는 상기 베이스부에 고정되어 있는 내부 고정부와, 상기 내부 고정부의 외부에 설치되어 회전할 수 있는 외부 회전부와, 상기 내부 고정부와 외부 회전부 사이에는 상기 암부의 하중을 분산하는 내부 회전 베어링으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디셔너.
- 베이스부;
상기 베이스부에 수직 방향으로 지지되고 연마 패드 상으로 이동할 수 있게 회전할 수 있는 회전부;
상기 회전부와 연결되고 수평 방향으로 연장되어 있는 암부;
상기 암부의 일단부에 연결되어 있고 상기 연마 패드에 접촉하여 상기 연마 패드의 표면을 컨디셔닝할 수 있는 컨디션닝 디스크; 및
상기 베이스부 및 암부에 설치되고 상기 수직 방향으로 상기 암부의 하중을 분산할 수 있는 하중 분산부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너. - 제8항에 있어서, 상기 하중 분산부는 상기 베이스부에 설치된 회전 베어링과 상기 회전 베어링 및 상기 암부에 연결된 하중 부재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디셔너.
- 제8항에 있어서, 상기 회전부는 상기 베이스부에 고정되어 있는 내부 고정부와, 상기 내부 고정부의 외부에 설치되어 회전할 수 있는 외부 회전부와, 상기 내부 고정부와 외부 회전부 사이에는 상기 암부의 하중을 분산하는 내부 회전 베어링으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디셔너.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2020120009347U KR20140002382U (ko) | 2012-10-16 | 2012-10-16 | 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2020120009347U KR20140002382U (ko) | 2012-10-16 | 2012-10-16 | 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140002382U true KR20140002382U (ko) | 2014-04-24 |
Family
ID=52442930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2020120009347U KR20140002382U (ko) | 2012-10-16 | 2012-10-16 | 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20140002382U (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109333335A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-02-15 | 长江存储科技有限责任公司 | 移动手臂、化学机械研磨修整器和研磨设备 |
KR20200061422A (ko) * | 2018-11-23 | 2020-06-03 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 편심 검사 장치 및 방법 |
-
2012
- 2012-10-16 KR KR2020120009347U patent/KR20140002382U/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200061422A (ko) * | 2018-11-23 | 2020-06-03 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 편심 검사 장치 및 방법 |
US11158079B2 (en) | 2018-11-23 | 2021-10-26 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and apparatus and method for eccentricity inspection |
CN109333335A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-02-15 | 长江存储科技有限责任公司 | 移动手臂、化学机械研磨修整器和研磨设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI601597B (zh) | Grinding device and grinding method | |
JP5160993B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR20150002483A (ko) | 기판 처리 장치 | |
CN110651356B (zh) | 清洗装置、基板处理装置、清洗装置的维护方法、以及计算机可读取记录介质 | |
US9011605B2 (en) | Substrate cleaning method and roll cleaning member | |
TWI508819B (zh) | 監控玻璃板拋光狀態之裝置與方法 | |
US11059145B2 (en) | Dressing apparatus and dressing method for substrate rear surface polishing member | |
JP2018015890A (ja) | 基板の表面を研磨する装置および方法 | |
TW201521888A (zh) | 基板洗淨裝置及基板處理裝置 | |
KR20160030855A (ko) | 처리 모듈, 처리 장치 및 처리 방법 | |
KR20220034162A (ko) | 기판 가공 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 | |
KR102074269B1 (ko) | 기판의 표면을 연마하는 장치 및 방법 | |
KR20140002382U (ko) | 화학 기계적 연마 장비의 연마 패드 컨디션너 | |
JP2007255957A (ja) | ウェハチャックの検査方法 | |
JP2019034400A (ja) | 基板裏面研磨部材のドレッシング装置及びドレッシング方法 | |
TWI812622B (zh) | 吸集層形成裝置、吸集層形成方法及電腦記錄媒體 | |
JP2007294490A (ja) | 基板の洗浄装置およびこれを用いた基板の洗浄方法 | |
US7155963B2 (en) | Cleaning evaluation method for a substrate | |
JP7133403B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20120325266A1 (en) | Method of predicting cleaning performance and substrate cleaning method | |
TW201324600A (zh) | 化學機械研磨製程及化學機械研磨系統 | |
KR102262800B1 (ko) | Cmp 장비용 스핀 베이스 구조체 | |
KR20100072907A (ko) | 화학기계적 연마 장치 | |
KR20080113710A (ko) | 웨이퍼 이면 연마 방법 및 장치 | |
KR20030031790A (ko) | 화학적 기계적 평탄화 설비의 크리너 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |