KR20140001277A - 반도체 웨이퍼 제조장치 및 그 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 비아홀에 전도체를 채우기 위한 반도체 웨이퍼 제조장치 및 그 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 비아홀이 형성된 웨이퍼의 배면을 지지고정하는 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼 척을 회동시키는 척 회동부와, 상기 웨이퍼 상에 처리액이 공급될 수 있도록 상기 웨이퍼 척에 고정된 상기 웨이퍼를 둘러싸는 챔버와, 상기 챔버 상측에 설치된 램프를 포함하며; 상기 램프는 상기 웨이퍼에 평행하고 대응하는 하나의 면을 이루며, 각각 독립적으로 구동 제어되거나 둘 이상으로 분류되어 독립 구동 제어되는 복수의 램프채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치를 제공한다.

Description

반도체 웨이퍼 제조장치 및 그 방법{Apparatus and Method for processing semiconductor}
본 발명은 웨이퍼의 비아홀에 절연체를 채우기 위한 반도체 웨이퍼 제조장치 및 그 방법에 관한 것이다.
전자제품이 소형화 및 대용량화로 인해, 반도체의 높은 집적도가 요구되어왔다. 이로 인해, 반도체의 직접도는 비약적인 발전을 하였으나, 최근들어 직접도만을 높이는 방법은 한계에 봉착하여, 복수개의 칩을 하나의 패키지에 적층하는 3D 패키지 방식이 개발되었다. 3D 패키징 방법으로 복수개의 칩을 적층한 후 모서리에서 와이어로 연결하는 방법이 있었다. 그러나, 이 방법은 약간의 면적이 늘어나는 문제점이 있을 뿐만 아니라, 칩들 사이의 중간층이 필요하다는 단점이 있다.
이와 같은 문제점을 해소하기 위해 칩내에 수직 전기연결부를 형성하여 적층하는 TSV(Through Silicon Via) 방법이 제시되었다. TSV 방식을 사용하기 위해서는 반도체 표면에 단순히 회로를 형성하는 것과 달리, 두께 방향으로 좁고 길게 형성된 비아홀에 전도체 및 절연체 등을 채워넣는 공정이 필요하다. 이는 평면면에 도금 혹은 코팅하는 것과는 전혀 다른 문제점을 발생시킨다.
특히, 좁고 길게 형성된 비아홀에 기포 내재 등에 의해 전도체 및 절연체 등이 채워지지 않아, 이에 대한 효과적이고 안정적인 대책이 필요하다.
본 발명의 실시예는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 웨이퍼의 비아홀에 효과적이고 안정적으로 절연체가 채워질 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 제조장치 및 그 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 상기와 같은 과제를 해결하고자, 비아홀이 형성된 웨이퍼의 배면을 지지고정하는 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼 척을 회동시키는 척 회동부와, 상기 웨이퍼 상에 처리액이 공급될 수 있도록 상기 웨이퍼 척에 고정된 상기 웨이퍼를 둘러싸는 챔버와, 상기 챔버 상측에 설치된 램프를 포함하며; 상기 램프는 상기 웨이퍼에 평행하고 대응하는 하나의 면을 이루며, 각각 독립적으로 구동 제어되거나 둘 이상으로 분류되어 독립 구동 제어되는 복수의 램프채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치를 제공한다.
상기 복수의 램프채널은 원판형 웨이퍼에 대응하여 동심원 구조로 이루어질 수 있다.
상기 복수의 램프채널 중 가운데 램프채널은 원판형이고, 그 나머지 램프채널은 환형일 수 있다.
상기 웨이퍼 척의 회동시 비산되는 상기 처리액을 회수할 수 있도록, 내주의 일부가 원주 방향으로 개구된 튜브형상으로 형성되며 웨이퍼 척의 외주를 감싸도록 형성된 처리액 회수부를 더 포함하고; 상기 챔버는 상기 처리액 회수부에 대하여 승하강 가능토록 설치될 수 있다.
상기 처리액의 공급, 회수시 상기 웨이퍼 상에 노즐을 위치시키고, 상기 처리액의 공급, 회수 후 상기 노즐을 상기 챔버 옆으로 옮기는 노즐 지지부; 상기 노즐과 연결되며 상기 처리액이 저장되는 탱크; 상기 탱크의 처리액이 상기 웨이퍼 상에 공급될 수 있도록, 상기 탱크의 처리액을 상기 노즐로 압송시키는 가압 가스를 공급하는 가압 가스 공급부; 상기 탱크와 연결되어 상기 노즐을 통해 상기 공급된 처리액을 상기 탱크로 회수시키는 이젝터; 상기 처리액의 공급시 상기 탱크와 상기 가압 가스 공급부를 연결하고, 상기 처리액의 회수시 상기 탱크와 상기 이젝터를 연결시키는 밸브;를 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명은 다른 카테고리로, 비아홀이 형성된 웨이퍼를 챔버에 의해 둘러싸이도록 세팅하고 상기 웨이퍼의 비아홀에 전도체를 채우기 위한 처리액을 공급하며, 상기 챔버의 상측에서 상기 웨이퍼를 향해 빛을 조사하는 비아홀 처리공정단계; 상기 비아홀 처리공정단계 후, 상기 처리액을 배출시키는 처리액제거단계; 상기 처리액제거단계 후, 상기 웨이퍼를 회전시켜 상기 웨이퍼 상에 잔존하는 처리액을 제거하는 건조단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조방법을 제공한다.
상기 처리액제거단계와 상기 건조단계 사이에는 상기 웨이퍼를 상기 건조단계시보다 저속으로 회전시키며 상기 웨이퍼의 표면에 세정액을 도포한 후, 상기 세정액을 배출시키는 세정단계를 더 포함할 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명의 과제해결 수단에 의하면 다음과 같은 사항을 포함하는 다양한 효과를 기대할 수 있다. 다만, 본 발명이 하기와 같은 효과를 모두 발휘해야 성립되는 것은 아니다.
먼저, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 램프를 복수의 램프채널로 분할 형성하여 독립 구동 제어함으로써 빛의 조도를 조절할 수 있기 때문에 빛이 난반사를 방지하여 웨이퍼 전체에 걸쳐 빛을 균일하게 조사시킬 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼 전체에 걸쳐 비아홀의 처리공정이 균일하고 고르게 이루어질 수 있다.
또한, 램프의 노화속도가 지역적으로 다르더라도 램프가 복수의 램프채널로 분할 구성되어 있어 각 램프채널을 개별적으로 노화정도에 따라 재세팅하여 전체적으로 조도가 균일하도록 조정할 수 있으며, 부분 교체가 가능하다.
또한, 처리액 회수부로 인해서 웨이퍼로부터 비산되는 처리액이 장비의 다른 부위로 스며드는 것을 방지할 수 있다.
또한, 노즐이 처리액 공급, 회수시에만 웨이퍼 상에 위치하고 처리액의 공급, 회수 후 챔버 옆으로 옮겨지기 때문에, 노즐에 의해 방해받지 않고 웨이퍼의 로딩/언로딩이 용이하게 이루어질 수 있으며, 처리액의 활성화를 위한 램프, 진동자 등의 작용이 노즐에 의해 방해받지 않는다. 따라서, 처리액이 균일하고 고르게 활성될 수 있어 웨이퍼의 비아홀에 전도체가 효과적으로 안정적으로 채워질 수 있다.
또한, 웨이퍼의 비아홀 처리공정과 세정, 건조를 하나의 장비로 해결할 수 있어, 효과적이다.
도 1은 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 제조장치의 개념단면도.
도 2는 도 1의 램프 작용 중심의 단면도.
도 3은 도 1의 램프의 평면도.
도 4는 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 제조방법을 도시한 순서도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 제조장치의 개념단면도이고, 도 2는 도 1의 램프 작용 중심의 단면도이고, 도 3은 도 1의 램프의 평면도이다.
이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 제조장치는 비아홀이 형성된 웨이퍼(200)의 배면을 지지고정하는 웨이퍼 척(110)과, 웨이퍼 척(110)을 회동시키는 척 회동부(120)와, 웨이퍼 척(110)에 고정된 웨이퍼(200)를 둘러싸는 환형의 챔버(100)와, 처리액(210)이 보다 활성화되어 웨이퍼(200)에 충분히 신속하게 도금될 수 있도록 챔버(100) 상측에 설치된 램프(500)를 포함할 수 있다.
챔버(100)는 후술할 처리액 처리부(170)에 대하여 웨이퍼 척(110)의 상측에서 챔버 승강장치(102)에 의해 상하 승하강 가능토록 설치될 수 있으며, 챔버 승강장치(102)는 랙, 피니언으로 구현되거나, 실린더 등 다양한 형태로 구현될 수 있으며 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
웨이퍼 척(110)은 하측 중앙에 척 구동부(120)의 구동축(122)이 일체로 결합되어 회전력을 전달받아 회동될 수 있다. 척 회동부(120)는 모터(124) 등이 될 수 있으며, 이때 모터(124)는 회전 속도 조절이 가능토록 서보모터가 적용될 수 있다.
램프(500)는 웨이퍼(200)의 전체 면에 걸쳐 빛이 고르고 균일하게 조사될 수 있도록, 웨이퍼(200)에 평행하게 설치됨과 아울러 웨이퍼(200)에 대응하게 형성될 수 있다. 램프(500)는 웨이퍼(200)에 대하여 평행하게 설치될 수 있도록, 챔버 승강장치(102)에 의해 지지되며 웨이퍼(200)에 평행한 램프 브라켓(510)의 하측면에 결합될 수 있다. 또한, 램프(500)는 원판형 웨이퍼(200)에 대하여 웨이퍼(200)와 동일, 비슷한 직경의 원판형으로 형성될 수 있다.
특히, 램프(500)는 웨이퍼(200)에 대응하고 평행한 하나의 면을 이루는 복수의 램프채널(501~505)로 분할 구성될 수 있다.
복수의 램프채널(501~505)은 엘이디, 할로겐 등 여러 램프 종류 중 동일한 종류의 램프로 구성될 수도 있고, 서로 상이한 종류의 램프로 구성될 수 있다.
복수의 램프채널(501~505)은 빛의 조도 균일성을 위해 다양한 레이아웃(lay-out)으로 구성될 수 있는데, 특히 웨이퍼(200)에 대응하여 동심원 구조를 취하는 것이 바람직하다. 즉, 복수의 램프채널(501~505) 중 가운데 램프채널(501)은 원판형으로 형성되며, 그 나머지 램프채널(502~505)들이 가운데 램프채널(501)과 동심을 이룸과 아울러 그 안쪽 램프채널(501~505)의 외주를 둘러싸는 환형으로 형성될 수 있다.
또한, 복수의 램프채널(501~505)은 빛의 조도 균일성을 위해 각각의 온/오프 여부 및 빛의 밝기 등이 조절될 수 있도록, 전기 회로적으로 각각 독립적으로 구동 제어되거나 둘 이상으로 분류되어 독립 구동 제어될 수 있다.
이와 같이, 형성됨으로써, 장시간 사용으로 램프의 빛의 세기가 달라져도, 각각의 램프채널(501~505)의 빛 밝기를 조절함으로써, 빛의 조도 균일성을 확보할 수 있다.
한편, 본 발명은 웨이퍼 척(110)의 회동시 비산되는 처리액(210)을 회수하는 처리액 회수부(170)와, 처리액(210)이 전자기적 상호작용에 의해 웨이퍼(200)에 용이하게 도금될 수 있도록 양극과 음극을 포함하는 전극부를 더 포함할 수 있다.
처리액 회수부(170)는 내주의 일부가 원주방향으로 개구된 환형 튜브형상으로 형성되며, 웨이퍼 척(110)의 외주를 감싸도록 형성된다. 따라서, 웨이퍼 척(110)이 회전하여, 웨이퍼(200) 상에 잔존하는 처리액(210)이 외부로 비산되는 것을 막아준다. 챔버(100)에는 처리액 회수부(170)로 액체가 배출될 수 있도록 배출구(미도시)가 형성된다. 아울러, 처리액 회수부(170)에는 챔버(100)가 하강하여 삽입되며, 챔버(100)가 처리액 회수부(170)의 상측으로 승강할 수 있다.
전극부는 웨이퍼(200)를 중심으로 양극과 음극이 대향 설치되며, 예컨대 웨이퍼 척(110)에 음극이 설치되고 챔버(110)의 하측면에 양극이 설치될 수 있다.
또한, 본 발명은 처리액(210)의 공급,회수시 웨이퍼(200) 상에 노즐(300)을 위치시키고 처리액(210)의 공급, 회수 후 노즐(300)을 챔버(100) 옆으로 옮기는 노즐 지지부(310)와, 노즐(300)과 결합되어 노즐(300)을 통해 처리액(210)을 공급, 회수하는 이젝터(400)를 포함할 수 있다.
노즐(300)은 처리액(210)이 공급, 회수 통로를 형성하거나, 처리액(210)의 공급, 회수를 위한 연결관(320)이 노즐(300)의 상측에 끼움 결합되거나, 연결관(320)이 상하 관통 설치될 수 있도록 상하 관통된 내부통로를 갖도록 형성될 수 있다. 연결관(320)은 유동성이 좋도록 고무 호스 등으로 이루어질 수 있으며, 노즐(300)에 끼움 결합 등에 의해 착탈될 수 있다.
노즐 지지부(310)는 노즐(300)이 웨이퍼(200) 상에 위치하는 제1포인트와 노즐(300)이 챔버(100) 옆으로 옮겨져 대기하는 제2포인트 사이에서, 노즐(300)이 단순하고 짧은 경로를 통해 이동하며 주변과 간섭 방지될 수 있도록, 노즐(300)이 상하방향을 축으로 회동될 수 있도록 구성될 수 있다.
이를 위한 바람직한 예로서, 노즐 지지부(310)는 챔버(100) 옆에 나란히 설치된 베이스(312)와, 상하방향을 축으로 회전 가능토록 베이스(312)에 설치되어 노즐(300)을 지지하는 회전 로드(314)를 포함할 수 있다. 베이스(312)는 웨이퍼 제조장치의 프레임에 고정된다. 회전 로드(310)는 노즐(300)이 전술한 제1포인트와 제2포인트 사이에서 회동될 수 있도록, 베이스(312)가 상하방향으로 회전 가능토록 결합된 수직 로드(314a)와, 수직 로드(314a)의 상측 끝단부에 수평하게 설치되며 그 자유단에 노즐(300)이 결합된 수평 로드(314b)를 포함할 수 있다. 회전 로드(310)는 베이스(312)에 설치된 모터의 회전축에 일체로 회전토록 결합되어, 모터에 의해 회전될 수 있다.
이젝터(400)는 처리액(210)의 안정적 공급,회수를 위해 특히 고속으로 유입,배출되는 압축공기에 의해 작용하는 진공방식 이젝터로 구성되는 것이 바람직하다.
이젝터(400)는 노즐(300)을 통한 처리액(210)의 공급, 회수를 위해 노즐(300)과 연결관(320)을 통해 연결될 수 있다. 이젝터(400)는 공급, 회수되는 처리액(300)이 저장되는 탱크(410)와 호스 등을 통해 연결될 수 있다.
특히, 이젝터(400)는 처리액(210)의 공급과 회수 중 회수시에만 처리액(210)의 압송을 위해 구성될 수 있다. 물론, 이젝터(400)는 처리액(210)의 공급시에만 구동되는 것으로 구성될 수도 있고, 처리액(210)의 공급, 회수시 모두 구동되는 것으로 구성될 수 있다. 다만, 처리액(210)의 공급은 가압 가스 공급부(420)로부터 공급되는 가압 가스에 의한 압송방식으로 이루어지는 것이 보다 유리할 수 있다. 즉, 탱크(410)은 가압 가스 공급부(420)와 호스 등을 통해 연결됨으로써, 탱크(410)에 가압 가스가 압입되면, 그 압입력에 의해 탱크(410)의 처리액(210)이 탱크(410)로부터 배출되어 공급될 수 있다. 가압 가스는 처리액(210)과 전혀 반응하지 않도록 처리액(210)의 화학적 특성에 따라 선택될 수 있다. 예컨대, 가압 가스는 처리액(210)이 니켈합금인 경우, 질소가스(N2)일 수 있다.
아울러, 탱크(410)와 가압 가스 공급부(420)의 연결부분, 그리고 탱크(410)와 이젝터(400)의 연결부분에는 개폐를 위한 밸브가 구성된다. 즉, 밸브는 처리액(210)의 공급시 탱크(410)와 가압 가스 공급부(420)를 연결시키고 탱크(410)와 이젝터(400) 사이를 차단시키며, 처리액(210)의 회수시 탱크(410)와 이젝터(400)를 연결시키고 탱크(410)와 가압 가스 공급부(420) 사이를 차단시킬 수 있다.
한편, 처리액(210)은 웨이퍼(200)의 비아 홀에 전도체를 채우기 위한 여러 공정 중 어느 공정에 해당되는지에 따라 결정될 수 있으며, 예컨대 웨이퍼(200)의 비아홀에 절연층을 형성하기 위한 공정인 경우 절연물질일 수 있다.
또한, 처리액(210)은 웨이퍼(200)의 비아홀에 전도체를 채우기 위한 주 처리액(210)은 물론, 주 처리액(210)에 의한 처리공정 후 웨이퍼(200)의 세정을 위해 후 처리액(210)으로서 세정액이 있을 수 있다. 주 처리액(210)과 후 처리액(210)은 화학적 특성 등에 따라 별도의 처리액공급회수장치를 통해 공급, 회수될 수 있다.
이하, 본 발명의 반도체 웨이퍼(200)의 비아홀에 절연체를 채우기 위한 처리 공정을 위한 제조방법을 기술하면서, 전술한 제조장치에 대한 동작을 함께 기술한다.
도 4는 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 제조방법을 도시한 순서도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 제조방법은 크게 웨이퍼(200)의 비아홀에 절연체를 채워넣기 위한 복수 공정 중 일 공정으로서 주 처리액(210)을 채워넣기 위한 비아홀 처리공정단계와, 그 다음의 후처리단계로 이루어질 수 있다.
비아홀 처리공정단계는 다음과 같이 이루어질 수 있다.
먼저, 챔버(100)가 위로 승강된 상태에서 웨이퍼 척(110)에 웨이퍼(200)를 로딩시킨 다음(S10) 챔버(100)를 하강시켜 웨이퍼(200)를 둘러싸도록 한 후(S20), 노즐(300)을 통해 웨이퍼(200)의 비아홀에 절연층을 코팅하기 위한 처리액(210)를 웨이퍼(200) 상에 공급하고(S30), 전극부에 전원을 인가하여 구동시킴과 아울러 램프(500)에 전원을 인가하여 처리액(210)에 빛을 조사한다(S40). 그러면, 전극부와 램프(500)에 의해 처리액(210)이 웨이퍼(200)의 전체 면에 걸쳐 고르고 균일하게 보다 활성화되어 웨이퍼(200)의 비아홀에 절연층이 형성될 수 있다.
웨이퍼(200)의 비아홀의 처리공정이 끝나면, 전극부와 램프(500)의 구동을 정지시키고(S50), 다음과 같이 바로 후처리단계로 넘어간다.
먼저, 노즐(300)를 통해 챔버(100)에 공급된 처리액(210)을 챔버(100) 밖으로 배출하여 회수한다(S60). 처리액(210)의 회수가 끝나면, 챔버(100)를 승강시킨다. 그 다음, 노즐(300)을 통해 웨이퍼(200) 상에 세정액을 균일하게 도포한다(S70). 그 다음, 웨이퍼를 회동시켜 세정액이 원심력에 의해 웨이퍼(200)를 보다 깨끗하게 세정할 수 있다. 이때, 웨이퍼 척(110)의 회전속도는 세정액에 의해 충분히 웨이퍼(200)의 세정이 이루어질 수 있도록 저속으로 설정한다.
웨이퍼(200)의 세정이 끝나면, 노즐(300)를 세정액을 챔버(100) 밖으로 배출하여 회수한 후(S80), 웨이퍼 척(110)을 고속으로 회동시킨다(S90). 그러면, 웨이퍼(200) 상에 잔존하던 세정액이 원심력에 의해 웨이퍼(200)로부터 비산하여 제거됨과 아울러 웨이퍼(200)의 회전 바람에 의해 웨이퍼(200)가 신속하게 건조될 수 있다.
웨이퍼(200)로부터 비산된 세정액은 처리액 회수부(170)를 통해 챔버(100) 밖으로 배출될 수 있다.
웨이퍼(200)가 충분히 건조되고 나면, 웨이퍼(200)의 회전을 멈춘다(S100).
전술한 바와 같이 웨이퍼(200)는 비아홀 처리공정 및 세정, 건조 등의 후처리가 하나의 장비에 의해 연속적으로 이루어지고 나면, 챔버(100)를 승강시키고 웨이퍼 척(110)으로부터 언로딩한다(S110).
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.
100; 챔버 110; 웨이퍼 척
120; 척 구동부 170; 처리액 회수부
300; 노즐 310; 노즐 지지부
400; 이젝터 410; 탱크
420; 가압 가스 공급부 500; 램프

Claims (7)

  1. 비아홀이 형성된 웨이퍼의 배면을 지지고정하는 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼 척을 회동시키는 척 회동부와, 상기 웨이퍼 상에 처리액이 공급될 수 있도록 상기 웨이퍼 척에 고정된 상기 웨이퍼를 둘러싸는 챔버와, 상기 챔버 상측에 설치된 램프를 포함하며;
    상기 램프는 상기 웨이퍼에 평행하고 대응하는 하나의 면을 이루며, 각각 독립적으로 구동 제어되거나 둘 이상으로 분류되어 독립 구동 제어되는 복수의 램프채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 램프채널은 원판형 웨이퍼에 대응하여 동심원 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 복수의 램프채널 중 가운데 램프채널은 원판형이고, 그 나머지 램프채널은 환형인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 웨이퍼 척의 회동시 비산되는 상기 처리액을 회수할 수 있도록, 내주의 일부가 원주방향으로 개구된 튜브형상으로 형성되며 웨이퍼 척의 외주를 감싸도록 형성된 처리액 회수부를 더 포함하고;
    상기 챔버는 상기 처리액 회수부에 대하여 승하강 가능토록 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리액의 공급, 회수시 상기 웨이퍼 상에 노즐을 위치시키고, 상기 처리액의 공급, 회수 후 상기 노즐을 상기 챔버 옆으로 옮기는 노즐 지지부;
    상기 노즐과 연결되며 상기 처리액이 저장되는 탱크;
    상기 탱크의 처리액이 상기 웨이퍼 상에 공급될 수 있도록, 상기 탱크의 처리액을 상기 노즐로 압송시키는 가압 가스를 공급하는 가압 가스 공급부;
    상기 탱크와 연결되어 상기 노즐을 통해 상기 공급된 처리액을 상기 탱크로 회수시키는 이젝터;
    상기 처리액의 공급시 상기 탱크와 상기 가압 가스 공급부를 연결하고, 상기 처리액의 회수시 상기 탱크와 상기 이젝터를 연결시키는 밸브;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.
  6. 비아홀이 형성된 웨이퍼를 챔버에 의해 둘러싸이도록 세팅하고 상기 웨이퍼의 비아홀에 전도체를 채우기 위한 처리액을 공급하며, 상기 챔버의 상측에서 상기 웨이퍼를 향해 빛을 조사하는 비아홀 처리공정단계;
    상기 비아홀 처리공정단계 후, 상기 처리액을 배출시키는 처리액제거단계;
    상기 처리액제거단계 후, 상기 웨이퍼를 회전시켜 상기 웨이퍼 상에 잔존하는 처리액을 제거하는 건조단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 처리액제거단계와 상기 건조단계 사이에는 상기 웨이퍼를 상기 건조단계시보다 저속으로 회전시키며 상기 웨이퍼의 표면에 세정액을 도포한 후, 상기 세정액을 배출시키는 세정단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조방법.
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