KR20140000142A - Ion beam irradiation apparatus and operation method of ion beam irradiation apparatus - Google Patents

Ion beam irradiation apparatus and operation method of ion beam irradiation apparatus Download PDF

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Abstract

The present invention is to perform a cleaning process on an ion beam irradiation apparatus and to greatly improve the working efficiency of the apparatus at the same time. The ion beam irradiation apparatus includes a substrate transfer part (102) for performing a surface exchange process many times on an ion-beam-irradiated substrate between a cassette (7) and a process room (5), and ion beam supply part (101) for supplying an ion beam (3) to the process room. The inner part of the ion beam supply part (101) is cleaned by changing the setting of the operation parameter of the ion beam supply part (101) and performing the surface exchange process at least one time. [Reference numerals] (A,F) Cassette; (AA) Substrate 1; (B,D) Vacuum; (BB,EE) Process room; (C,E) Spare room; (CC,FF) Time; (DD) Substrate 2; (GG) Period τ

Description

이온빔 조사장치 및 이온빔 조사장치의 운전방법{ION BEAM IRRADIATION APPARATUS AND OPERATION METHOD OF ION BEAM IRRADIATION APPARATUS}ION BEAM IRRADIATION APPARATUS AND OPERATION METHOD OF ION BEAM IRRADIATION APPARATUS}

본 발명은 실리콘 웨이퍼나 유리 기판에 이온빔을 조사하여, 그 기판에 이온빔 조사 처리를 실시하는 이온빔 조사장치의 클리닝에 관련된 것이다. This invention relates to the cleaning of the ion beam irradiation apparatus which irradiates an ion beam to a silicon wafer or a glass substrate, and performs an ion beam irradiation process to the board | substrate.

이온 주입장치나 이온 도핑장치, 이온빔 배향장치와 같은 이온빔 조사장치에서는 이온원으로부터 이온빔을 인출하는 운전을 장시간 계속하면, 이온원의 인출 전극계를 구성하는 전극에 퇴적물이 부착된다. 이것을 방치해 두면 전극간에 이상 방전이 야기된다. In ion beam irradiation apparatuses such as an ion implantation apparatus, an ion doping apparatus, and an ion beam alignment apparatus, deposits adhere to the electrodes constituting the extraction electrode system of the ion source when the operation of extracting the ion beam from the ion source is continued for a long time. If this is left to stand, abnormal discharge is caused between the electrodes.

이러한 이상 방전의 발생 횟수가 많아지면, 장치의 정상 운전을 유지할 수 없게 된다. 그렇기 때문에, 정기적으로 장치의 운전을 정지시키고 이상 방전의 원인이 되는 퇴적물을 제거하는 일이 이루어지고 있었다. When the number of occurrences of such abnormal discharges increases, the normal operation of the apparatus cannot be maintained. Therefore, the operation | movement of the apparatus was stopped regularly and the deposit which causes abnormal discharge was performed.

전극에 부착된 퇴적물을 제거하는 예로는, 전극간에 클리닝용 가스를 도입하여 그 전극간에서 글로우 방전을 발생시키는 수법(특허문헌 1)이 제안되어 있다. As an example of removing the deposit adhering to an electrode, the method (patent document 1) which introduces a cleaning gas between electrodes and produces a glow discharge between the electrodes is proposed.

일본국 공개특허공보 2012-38668호(도 1, 도 2, 단락 0029, 0040)Japanese Patent Laid-Open No. 2012-38668 (Fig. 1, Fig. 2, paragraph 0029, 0040)

특허문헌 1의 수법은 퇴적물의 제거는 기대할 수 있지만 이온원의 보수 점검 작업시에 사용되는 밸브를 닫고 전극의 클리닝이 이루어진다. 보통, 이온원의 보수 점검 작업은 장치의 운전을 정지시키고 이루어진다. 그렇기 때문에, 클리닝 효과는 기대할 수 있지만, 장치의 통상적인 운전을 일단 정지시키고 클리닝을 하기 위해 특별히 시간을 마련할 필요가 있다. Although the method of patent document 1 can expect removal of a deposit, the valve used at the maintenance check operation of an ion source is closed, and an electrode is cleaned. Normally, maintenance work on the ion source is performed by stopping the operation of the apparatus. For this reason, the cleaning effect can be expected, but it is necessary to set a special time to stop the normal operation of the apparatus once and perform the cleaning.

클리닝을 전혀 하지 않고 장치를 연속 운전하는 경우에 비하면, 특허문헌 1에 기재된 수법을 이용했을 경우, 전극을 클리닝함으로써 장치의 운전 상태를 안정시킬 수 있으므로 장기적으로는 장치의 가동률을 향상시킬 수 있다. 단, 장치 운전을 정지하고 있는 시간이 존재하기 때문에 장치의 가동률을 향상시키는 데에는 한계가 있다. Compared with the case where the apparatus is continuously operated without any cleaning at all, when the method described in Patent Literature 1 is used, the operating state of the apparatus can be stabilized by cleaning the electrode, so that the operation rate of the apparatus can be improved in the long term. However, there is a limit to improving the operation rate of the apparatus because there is a time during which the operation of the apparatus is stopped.

따라서 본 발명에서는 종래의 수법에 비해 이온빔 조사장치의 가동률을 각별히 향상시킬 수 있는 새로운 이온빔 조사장치 및 이온빔 조사장치의 운전방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다. Accordingly, it is a main object of the present invention to provide a novel ion beam irradiating device and an operating method of the ion beam irradiating device which can significantly improve the operation rate of the ion beam irradiating device as compared with the conventional method.

본 발명의 이온빔 조사장치는 복수장의 기판이 수납된 카세트(cassette); 상기 기판에 대한 이온빔 조사 처리가 이루어지는 처리실; 상기 카세트와 상기 처리실 사이에서, 상기 카세트에 수납된 미처리 기판과 상기 처리실 내에서 이온빔 조사 처리된 처리 완료 기판의 기판 교환을 복수회 실시하는 기판 반송부; 이온빔을 발생시켜 상기 처리실 내에 그 이온빔을 공급하는 이온빔 공급부;를 구비한 이온빔 조사장치로서, 상기 기판 반송부에 의해 복수회 실시되는 기판 교환 작업 중, 적어도 1회의 기판 교환 작업과 병행해서, 상기 이온빔 공급부의 운전 파라미터를 설정 변경하여, 상기 이온빔 공급부 내부를 클리닝한다. An ion beam irradiation apparatus of the present invention comprises: a cassette in which a plurality of substrates are accommodated; A processing chamber in which an ion beam irradiation process is performed on the substrate; A substrate transfer section for performing a plurality of times of substrate exchange between the cassette and the processing chamber between an unprocessed substrate accommodated in the cassette and a processed substrate subjected to ion beam irradiation in the processing chamber; An ion beam irradiation apparatus comprising: an ion beam supply unit for generating an ion beam and supplying the ion beam into the processing chamber, wherein the ion beam is in parallel with at least one substrate replacement operation performed a plurality of times by the substrate carrier. By setting and changing the operating parameters of the supply unit, the inside of the ion beam supply unit is cleaned.

이러한 장치라면, 기판 반송부에서의 기판 교환 작업과 병행해서 장치의 가동률을 저하시키는 원인을 제거하므로, 종래의 수법에 비해 각별히 장치의 가동률을 향상시킬 수 있다. Such a device eliminates the cause of lowering the operation rate of the device in parallel with the substrate replacement operation in the substrate transfer section, and thus can increase the operation rate of the device significantly compared to the conventional method.

또한 상기 이온빔 조사장치는 상기 이온빔 공급부 내부를 클리닝하기 위한 클리닝용 운전 파라미터가 저장된 기억장치를 가지고 있으며, 상기 이온빔 공급부 내부를 클리닝할 때에는 상기 기억장치로부터 상기 클리닝용 운전 파라미터의 판독이 이루어지도록 구성해 두는 것이 바람직하다. In addition, the ion beam irradiation apparatus has a storage device in which cleaning operation parameters for cleaning the inside of the ion beam supply unit are stored, and when the inside of the ion beam supply unit is cleaned, the cleaning operation parameters are read out from the storage device. It is desirable to put it.

이러한 구성이라면, 이온빔 공급부를 클리닝할 때에 클리닝용 운전 파라미터를 1에서부터 조정할 필요가 없다. 이로 인해, 클리닝에 걸리는 시간을 충분히 확보할 수 있으므로, 충분한 클리닝 효과를 얻을 수 있다. 그 결과, 보다 안정된 상태로 이온빔 조사장치를 계속 운전시킬 수 있다. With such a configuration, it is not necessary to adjust the cleaning operation parameter from 1 when cleaning the ion beam supply unit. For this reason, since the time required for cleaning can be sufficiently secured, a sufficient cleaning effect can be obtained. As a result, the ion beam irradiation apparatus can be continuously operated in a more stable state.

또, 상기 기억장치에는 상기 클리닝용 운전 파라미터가 복수개 저장되어 있으며, 상기 기억장치로부터 상기 운전 파라미터를 판독하는 것은 상기 이온빔 조사장치의 운전 시간, 이온빔 조사 조건, 혹은 상기 이온빔 공급부에서 발생한 방전 횟수 중 어느 하나에 기초해서 이루어지도록 해도 된다. The storage device stores a plurality of the operating parameters for cleaning, and the reading of the operating parameters from the storage device includes any one of an operation time of the ion beam irradiation device, an ion beam irradiation condition, or the number of discharges generated in the ion beam supply unit. It may be made based on one.

이러한 구성을 이용하면, 장치의 운전 상태에 따라 효율적으로 이온빔 공급부를 클리닝할 수 있다. Using such a configuration, the ion beam supply can be cleaned efficiently according to the operating state of the apparatus.

이온빔 공급부 내부를 클리닝한 후에 이온빔의 재시동이 정상적으로 이루어졌는지를 확인할 때에는 다음과 같이 실시하는 것이 바람직하다. 상기 이온빔 조사장치는, 상기 처리실 내에 마련되어 상기 이온빔의 전류를 계측하는 이온빔 전류 계측기를 구비하고 있으며, 상기 이온빔 공급부 내부의 클리닝이 종료되고 나서 소정 시간 경과 후에 상기 이온빔 전류 계측기로 계측을 개시한다. When cleaning the inside of the ion beam supply unit and checking whether the ion beam restarts normally, it is preferable to carry out as follows. The ion beam irradiation apparatus includes an ion beam current meter provided in the processing chamber to measure the current of the ion beam, and the measurement is started by the ion beam current meter after a predetermined time elapses after the cleaning of the inside of the ion beam supply unit is finished.

이러한 구성을 이용함으로써 정확하게 이온빔 전류를 계측할 수 있다. 나아가서는, 이온빔 재시동에 소요되는 시간을 단축하거나 그 후에 실시되는 기판에 대한 이온빔 조사 처리를 정상적으로 실시할 수 있다. By using this configuration, the ion beam current can be measured accurately. Further, the time required for restarting the ion beam can be shortened or the ion beam irradiation treatment can be normally performed on the substrate to be performed thereafter.

또한 이온빔 공급부 내부를 클리닝한 후에 이온빔의 재시동을 원활하게 하여, 방전의 원인이 되는 퇴적물의 부착을 방지하기 위해, 상기 이온빔 공급부는, 도펀트 가스가 도입되어 내부에서 플라즈마가 생성되는 플라즈마 생성 용기와, 상기 플라즈마 생성 용기 내에서 생성된 플라즈마로부터 이온빔을 인출하기 위한 복수장의 전극군으로 구성된 인출 전극계를 구비하고 있으며, 상기 이온빔 공급부 내부의 클리닝이 종료된 후이자, 상기 플라즈마 생성 용기 내에 도입되는 상기 도펀트 가스의 도입량이 소정량에 도달한 후에, 상기 인출 전극계에 소정 전압이 인가됨으로써 이온빔이 인출되도록 구성해 두는 것이 바람직하다. In addition, after cleaning the inside of the ion beam supply unit to smoothly restart the ion beam to prevent deposition of deposits that cause discharge, the ion beam supply unit includes a plasma generation container into which a dopant gas is introduced to generate plasma therein; And a lead electrode system composed of a plurality of electrode groups for extracting ion beams from the plasma generated in the plasma generation vessel, and after the cleaning of the inside of the ion beam supply unit is finished, the dopant introduced into the plasma generation vessel. After the introduction amount of the gas reaches a predetermined amount, it is preferable that the ion beam is drawn out by applying a predetermined voltage to the extraction electrode system.

또, 이온빔 조사장치의 운전방법으로서는, 복수장의 기판이 수납된 카세트; 상기 기판에 대한 이온빔 조사 처리가 이루어지는 처리실; 상기 카세트와 상기 처리실 사이에서, 상기 카세트에 수납된 미처리 기판과 상기 처리실 내에서 이온빔 조사 처리된 처리 완료 기판의 기판 교환을 복수회 실시하는 기판 반송부; 이온빔을 발생시켜 상기 처리실 내에 그 이온빔을 공급하는 이온빔 공급부;를 구비한 이온빔 조사장치로서, 상기 기판 반송부에 의해 복수회 실시되는 기판 교환 작업 중 적어도 1회의 기판 교환 작업과 병행해서 상기 이온빔 공급부 내부를 클리닝하는 것이면 된다. Moreover, as an operation method of an ion beam irradiation apparatus, the cassette which accommodated the several board | substrate; A processing chamber in which an ion beam irradiation process is performed on the substrate; A substrate transfer section for performing a plurality of times of substrate exchange between the cassette and the processing chamber between an unprocessed substrate accommodated in the cassette and a processed substrate subjected to ion beam irradiation in the processing chamber; And an ion beam supply unit for generating an ion beam and supplying the ion beam into the processing chamber, wherein the ion beam irradiation unit includes an inside of the ion beam supply unit in parallel with at least one substrate replacement operation performed a plurality of times by the substrate transfer unit. You just need to clean the.

기판 반송부에서의 기판 교환 작업과 병행해서 장치의 가동률을 저하시키는 원인을 제거하므로, 각별히 장치의 가동률을 향상시킬 수 있다. Since the cause which reduces the operation rate of an apparatus in parallel with the board | substrate exchange operation in a board | substrate conveyance part is eliminated, the operation rate of an apparatus can be improved especially.

도 1은 본 발명에서 이용되는 이온빔 조사장치의 일례이다.
도 2는 본 발명의 이온빔 조사장치에서 통상적인 운전시에 이루어지는 일련의 처리를 나타내는 플로우 차트이다.
도 3은 본 발명의 이온빔 조사장치에서 이루어지는 기판 반송의 일례이다.
도 4는 본 발명의 이온빔 조사장치에서 이루어지는 기판 반송의 다른 예이다.
도 5는 본 발명의 이온빔 조사장치에 있어서 기판 반송의 다른 예이다.
도 6은 본 발명의 이온빔 조사장치에 있어서 기판 반송의 또 다른 예이다.
도 7은 본 발명에서 이용되는 이온빔 조사장치의 다른 예이다.
도 8은 도 7의 이온빔 조사장치를 90도 다른 방향에서 보았을 때의 모습을 나타낸다.
도 9는 본 발명에서 이용되는 이온빔 조사장치를 일반화하여 그린 모식도이다. 1 is an example of an ion beam irradiation apparatus used in the present invention.
Fig. 2 is a flowchart showing a series of processes performed during normal operation in the ion beam irradiation apparatus of the present invention.
3 is an example of a substrate transfer made in the ion beam irradiation apparatus of the present invention.
4 is another example of the substrate conveyance made in the ion beam irradiation apparatus of the present invention.
5 is another example of substrate transfer in the ion beam irradiation apparatus of the present invention.
6 is still another example of substrate transfer in the ion beam irradiation apparatus of the present invention.
7 is another example of the ion beam irradiation apparatus used in the present invention.
FIG. 8 is a view of the ion beam irradiation device of FIG. 7 as viewed from another direction at 90 degrees. FIG.
Fig. 9 is a schematic diagram of a generalized ion beam irradiation apparatus used in the present invention.

이하, 본 발명에 따른 이온빔 조사장치의 운전방법에 관하여 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a method of operating the ion beam irradiation apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.

이온빔 조사장치의 예로서, 도 1에는 이온 주입 장치(IM1)가 도시되어 있다. 이 이온빔 조사장치(IM1)에 대하여 간단하게 설명한다. 이 이온빔 조사장치(IM1)는 플라즈마 생성 용기(1)에 이온빔(3)의 발생원이 되는 도펀트 가스(9)(예를 들면 3불화 붕소나 포스핀 등)을 도입하여, 도시되지 않은 음극으로부터 방출된 열전자에 의해 이 가스를 전리시켜, 플라즈마 생성 용기(1)에 인접 배치된 인출 전극계(2)(가속 전극(2a), 인출 전극(2b), 억제 전극(2c), 접지 전극(2d))를 통해 이온빔(3)을 인출하는 구성의 장치로, 종래부터 바케트형 이온원의 일종으로 알려져 있다.As an example of the ion beam irradiation apparatus, the ion implantation apparatus IM1 is shown in FIG. This ion beam irradiation apparatus IM1 will be described briefly. The ion beam irradiating apparatus IM1 introduces a dopant gas 9 (for example, boron trifluoride, phosphine, etc.) which is the source of the ion beam 3 into the plasma generating container 1 and emits it from the cathode (not shown). The gas is ionized by the heated hot electrons, and the extraction electrode system 2 (acceleration electrode 2a, extraction electrode 2b, suppression electrode 2c, and ground electrode 2d) disposed adjacent to the plasma generation container 1 is disposed. A device having a configuration in which the ion beams 3 are drawn out through N 2) is known in the art as a kind of baget type ion source.

이온원을 구성하는 플라즈마 생성 용기(1)와 인출 전극계(2)를 통해 인출된 이온빔(3)은 처리실(5) 내에 배치된 기판(4)(예를 들면 실리콘 웨이퍼나 유리 기판 등)에 조사된다. 여기서 기판(4)은 지면 안쪽 깊이방향으로도 길이를 가지고 있고, 그 길이는 기판(4)에 조사되는 이온빔(3)의 동일방향에서의 길이에 비해 길다. 이 경우, 기판(4)은 지면 안쪽 깊이방향을 향해 도시되지 않은 구동 수단에 의해 기판(4) 전면(全面)에 이온빔(3)이 조사되도록 이동된다. The ion beam 3 drawn out through the plasma generating vessel 1 constituting the ion source and the extraction electrode system 2 is transferred to a substrate 4 (for example, a silicon wafer or a glass substrate) disposed in the processing chamber 5. Is investigated. Here, the board | substrate 4 also has a length also in the depth direction inside the paper surface, and the length is long compared with the length in the same direction of the ion beam 3 irradiated to the board | substrate 4. In this case, the board | substrate 4 is moved so that the ion beam 3 may irradiate the whole surface of the board | substrate 4 by the drive means which is not shown toward the depth inside direction of paper.

처리실(5) 외측에 배치된 카세트(7)에는 복수장의 기판(4)이 수납되어 있다. 이 카세트(7)로부터 반송 로봇(8)으로 기판(4)을 꺼내 진공 예비실(6) 내에 반입한다. 다음으로 진공 예비실(6) 내부를 진공 분위기로 한 후, 처리실(5) 내부로 기판(4)이 반입된다. 기판(4)에 이온빔 조사 처리가 실시된 후, 처리 완료된 기판(4)은 처리실(5)로부터 반출되어 다시 진공 예비실(6) 내부로 반입된다. 그 후, 진공 예비실(6) 내의 분위기를 대기압으로 하고, 진공 예비실(6)에서 반송 로봇(8)으로 처리 완료된 기판(4)을 꺼내 카세트(7)에 수납한다. A plurality of substrates 4 are accommodated in the cassette 7 arranged outside the processing chamber 5. The board | substrate 4 is taken out from this cassette 7 with the conveyance robot 8, and it carries in into the vacuum preliminary chamber 6. Next, after making the inside of the vacuum preliminary chamber 6 into a vacuum atmosphere, the board | substrate 4 is carried in into the process chamber 5 inside. After the ion beam irradiation treatment is performed on the substrate 4, the processed substrate 4 is taken out of the processing chamber 5 and brought back into the vacuum preliminary chamber 6. Then, the atmosphere in the vacuum preliminary chamber 6 is made into atmospheric pressure, and the processed board | substrate 4 with the conveyance robot 8 is taken out from the vacuum preliminary chamber 6, and is stored in the cassette 7.

진공 예비실(6)과 처리실(5) 사이, 진공 예비실(6)의 대기측 면(도시한 처리실(5)과 반대측 면)에는 2개의 공간을 칸막이하는 도시하지 않은 밸브가 마련되어 있어, 진공 예비실(6) 내부의 분위기에 기초해서 개폐가 이루어지도록 구성되어 있다. 또한 진공 예비실(6)에는 실내의 진공도를 조정하는 기구로서 도시되지 않은 진공 펌프 등이 장착되어 있다. 또, 진공 예비실(6)과 처리실(5) 사이에는 기판(4)을 반송하기 위한 진공 로봇 등의 반송 수단이 진공 예비실(6)과 처리실(5) 중 어느 한쪽에 마련되어 있다. Between the vacuum preliminary chamber 6 and the processing chamber 5, an air valve (not shown) for partitioning two spaces is provided on the atmospheric side surface (opposite side of the processing chamber 5 shown) of the vacuum preliminary chamber 6, and a vacuum is provided. It is comprised so that opening and closing may be performed based on the atmosphere inside the preliminary chamber 6. The vacuum reserve chamber 6 is also equipped with a vacuum pump or the like not shown as a mechanism for adjusting the degree of vacuum in the room. Moreover, the conveyance means, such as a vacuum robot for conveying the board | substrate 4, between the vacuum preliminary chamber 6 and the process chamber 5 is provided in either of the vacuum preliminary chamber 6 and the process chamber 5.

보통, 카세트(7) 내에 수납된 기판(4)에 대해서는 동일 조건으로 이온빔(3)이 조사되므로, 상술한 기판(4)의 반송과 기판(4)에 대한 이온빔(3)의 조사는 카세트(7)에 수납된 모든 기판(4)에 대한 이온빔(3)의 조사가 종료될 때까지 반복해서 실시된다. 이 일련의 처리에 따른 플로우 차트가 도 2에 도시되어 있다. 한편, 여기서 말하는 동일 조건이란, 기판(4)에 조사되는 이온빔(3)의 이온종, 에너지, 조사량과 같은 조건이 동일하다는 것을 의미한다. Usually, since the ion beam 3 is irradiated with respect to the board | substrate 4 accommodated in the cassette 7, on the same conditions, the above-mentioned conveyance of the board | substrate 4 and irradiation of the ion beam 3 with respect to the board | substrate 4 are performed by the cassette ( It is repeated until the irradiation of the ion beam 3 with respect to all the board | substrates 4 accommodated in 7) is complete | finished. The flowchart according to this series of processes is shown in FIG. In addition, the same conditions here mean that the conditions, such as the ion species, energy, and irradiation amount of the ion beam 3 irradiated to the board | substrate 4, are the same.

도 2를 참조하여 상술한 처리를 설명한다. 먼저, 처리 S1에서 동일 조건으로 이온빔 조사 처리되는 기판(4)의 매수를 설정한다. 다음으로 처리 S2에서 소정 매수의 기판(4)을 처리실(5) 내에 반입한다. 여기서 소정 매수란, 처리실(5) 내에 반입되어, 한 번에 또는 연속해서 이온빔 조사 처리가 이루어지는 기판(4)의 매수이다. 이 매수는 1장 이상의 매수이며, 처리실(5), 진공 예비실(6), 반송 로봇(8) 등의 구성에 따라 이온빔 조사 처리 장치마다 정해져 있다. The above-described processing will be described with reference to FIG. First, the number of sheets of the substrate 4 subjected to the ion beam irradiation treatment under the same conditions in the process S1 is set. Next, in the process S2, the predetermined number of board | substrates 4 are carried in into the process chamber 5. Here, the predetermined number of sheets is the number of sheets 4 loaded into the processing chamber 5 and subjected to ion beam irradiation treatment at one time or continuously. This number of sheets is one or more sheets, and it is decided for every ion beam irradiation processing apparatus according to the structure of the processing chamber 5, the vacuum preliminary chamber 6, the transfer robot 8, etc.

처리 S3에서 처리실(5) 내에 반입된 기판(4)에 대한 이온빔(3)의 조사가 개시된다. 그 후, 처리 S4에서 기판(4)에 대한 이온빔(3)의 조사가 종료된다. 이온빔 조사 처리가 끝나면, 처리 S5에서 처리 대상으로 삼는 모든 기판에 대한 이온빔(3)의 조사가 완료되었는지 확인이 이루어진다. Irradiation of the ion beam 3 with respect to the board | substrate 4 carried in the process chamber 5 by process S3 is started. Thereafter, the irradiation of the ion beam 3 to the substrate 4 is terminated in the process S4. After the ion beam irradiation process is finished, it is checked whether the irradiation of the ion beam 3 to all the substrates to be treated in the process S5 is completed.

처리 S5에서, 처리 대상으로 한 모든 기판(4)에 대한 이온빔(3)의 조사가 종료되었다면, 일련의 처리는 종료된다. 한편, 처리 S5에서 미처리 기판(4)이 더 있다고 판단되면, 처리 S6에서 처리 완료 기판과 미처리 기판의 기판 교환이 이루어진다. 이 기판 교환은 처리 완료된 기판(4)을 처리실(5)에서 반출하여 카세트(7)에 수납하고, 미처리 기판(4)을 카세트(7)에서 꺼내서 처리실(5)에 반입하는 일련의 기판 교환 작업이다. 처리 S6의 기판 교환에 의해 미처리 기판(4)이 처리실(5)로 반입되고, 다시 처리 S3, 처리 S4, 처리 S5가 순서대로 이루어진다. In the process S5, if irradiation of the ion beams 3 to all the substrates 4 to be processed is completed, the series of processes is finished. On the other hand, if it is judged that there is further unprocessed substrate 4 in process S5, the process of board | substrate exchange of a processed board | substrate and an unprocessed board | substrate is performed in process S6. This substrate exchange is a series of substrate exchange operations in which the processed substrate 4 is taken out of the processing chamber 5 and stored in the cassette 7, and the unprocessed substrate 4 is taken out of the cassette 7 and brought into the processing chamber 5. to be. The unprocessed board | substrate 4 is carried in to the process chamber 5 by the board | substrate exchange of process S6, and process S3, process S4, and process S5 are performed in order again.

본 발명에서는 상술한 처리 S6에 따른 기판 교환 작업 사이에 클리닝 등의 처리를 한다. 기판 교환 작업을 하는 동안 이온빔 조사장치는 운전 상태에 있는데, 이 때 처리실(5) 내에는 이온빔(3)이 공급되고 있을 필요가 없다. 즉, 처리실(5) 내에서의 이온빔 조사 처리가 종료되고 나서, 다음에 조사 대상이 되는 기판(4)에 대한 이온빔 조사 처리가 개시되기까지의 사이에, 이온빔(3)은 발생시켜도 되고 발생시키지 않아도 된다. 본 발명에서는 이 틈새 시간을 효율적으로 활용하여 장치 내부의 클리닝 등을 실시하고 있다. In the present invention, a process such as cleaning is performed between the substrate exchange operations according to the above-described process S6. The ion beam irradiation apparatus is in an operating state during the substrate exchange operation, and the ion beam 3 does not need to be supplied to the processing chamber 5 at this time. That is, the ion beam 3 may or may not be generated from the end of the ion beam irradiation process in the processing chamber 5 until the next ion beam irradiation process for the substrate 4 to be irradiated is started. You don't have to. In the present invention, the clearance time is efficiently utilized to clean the inside of the apparatus.

클리닝 수법에 대해서는 다양한 수법을 생각할 수 있지만, 가장 간단하고 효과적인 수법으로서 다음에 설명하는 수법을 들 수 있다. Various methods can be considered for the cleaning method, but the method described below can be given as the simplest and most effective method.

이온빔 조사 처리용 이온빔(3)을 생성하는 도펀트 가스(9)와는 별도로, 도 1에 도시되어 있는 것과 같은 클리닝용 가스(10)(예를 들면 수소 가스나 아르곤 가스 등)를 봉입한 가스원을 마련해 둔다. 이러한 구성하에 기판(4)에 대한 이온빔 조사 처리 종료 후 바로 이온빔(3)의 발생을 정지시킨다. 이온빔(3)의 발생을 정지시키기 위해서는 예를 들면 도펀트 가스(9)의 공급을 정지시켜, 인출 전극계(2)에 접속되어 있는 도시되지 않은 전원의 출력을 정지하고, 도시되지 않은 음극에 접속되어 있는 전원의 출력을 정지하는 것과 같은 일을 하면 된다. 그 후, 이온빔 조사장치의 운전 파라미터를 클리닝용 운전 파라미터로 전환한다. 즉, 통상적인 운전 파라미터에서, 이온빔(3)의 발생을 정지시키는 운전 파라미터로의 전환을 거쳐, 클리닝용 운전 파라미터로의 설정 변경이 실시된다. 이 전환을 실시하기 위한 지령 신호는 예를 들면 도 1에 기재되어 있는 이온빔 조사장치에 구비된 제어장치(20)에서 발생시키도록 해 두면 된다. Apart from the dopant gas 9 which generates the ion beam 3 for ion beam irradiation treatment, a gas source enclosed with a cleaning gas 10 (for example, hydrogen gas or argon gas) as shown in FIG. Prepare. Under such a configuration, the generation of the ion beam 3 is stopped immediately after the ion beam irradiation treatment to the substrate 4 is finished. In order to stop the generation of the ion beam 3, for example, the supply of the dopant gas 9 is stopped, the output of the power supply (not shown) connected to the lead-out electrode system 2 is stopped, and the connection is made to the cathode not shown. You can do the same thing as stopping the output of the power supply. Thereafter, the operating parameters of the ion beam irradiation apparatus are switched to the cleaning operating parameters. That is, the setting change to the cleaning operation parameter is performed after switching from the normal operation parameter to the operation parameter for stopping the generation of the ion beam 3. The command signal for performing this switching may be generated by the control device 20 provided in the ion beam irradiation apparatus shown in FIG. 1, for example.

클리닝용 운전 파라미터로 전환되면, 클리닝용 가스(10)가 플라즈마 생성 용기(1) 내에 공급된다. 그리고 플라즈마 생성 용기(1) 내부의 도시되지 않은 음극으로부터 방출된 열전자에 의해 클리닝용 가스(10)가 플라즈마 생성 용기(1) 내에서 전리되어 플라즈마 상태가 된다. 이 플라즈마에 의해, 플라즈마 생성 용기(1)의 내부나 인출 전극계(2)를 구성하는 가속 전극(2a)이나 인출 전극(2b) 등의 표면에 부착된 퇴적물의 박리가 실시된다. 이러한 클리닝 방법은 플라즈마 클리닝이라고 불리고 있으며, 종래부터 자주 이용되고 있다. When switching to the cleaning operation parameter, the cleaning gas 10 is supplied into the plasma generation container 1. Then, the cleaning gas 10 is ionized in the plasma generating container 1 by the hot electrons emitted from the cathode (not shown) inside the plasma generating container 1 to become a plasma state. By this plasma, the deposit of the deposit adhered to the inside of the plasma generation container 1 or the surface of the acceleration electrode 2a, the extraction electrode 2b, etc. which comprise the extraction electrode system 2 is performed. This cleaning method is called plasma cleaning, and has been frequently used in the past.

클리닝을 개시하고 나서 소정 시간 경과한 후, 새 기판(4)에 대한 이온빔 조사 처리를 하기 위해, 일단 클리닝을 정지시키는 운전 파라미터로 설정 변경된 후, 통상적인 운전시의 운전 파라미터로 설정 변경된다. 이렇게 해서, 기판(4)의 반송 상태에 따라 통상적인 운전시의 운전 파라미터와 클리닝시의 운전 파라미터를 전환함으로써, 틈새 시간을 이용해서 장치 내부의 클리닝을 실현할 수 있다. After a predetermined time has elapsed since the start of cleaning, in order to perform the ion beam irradiation process on the new substrate 4, the setting is changed to an operation parameter for stopping cleaning once, and then changed to an operation parameter during normal operation. In this way, the cleaning of the inside of the apparatus can be realized by using the gap time by switching the operating parameters during normal operation and the operating parameters during cleaning in accordance with the conveyance state of the substrate 4.

한편, 클리닝 수법으로는 특허문헌 1에서 기술하고 있는 글로우 방전을 이용한 클리닝 방법이나 불소계의 반응성 가스를 플라즈마 생성 용기(1)나 인출 전극계(2) 등에 도입하는 클리닝 방법을 이용해도 된다. 어느 수법을 이용할지는 클리닝에 이용할 수 있는 시간이나 퇴적물이 부착되어 있는 정도와의 밸런스에 따른다. In addition, as a cleaning method, you may use the cleaning method using the glow discharge described in patent document 1, or the cleaning method which introduces a fluorine-type reactive gas into the plasma generation container 1, the extraction electrode system 2, etc. Which technique is used depends on the amount of time available for cleaning and the degree of deposition.

도 3~도 6에는 이온빔 조사장치에서의 기판의 반송예가 도시되어 있다. 도 3에는 1개의 반송 로봇과 1개의 진공 예비실을 구비한 이온빔 조사장치에서 기판(4)을 1장씩 반송하는 예가 도시되어 있다. 기판 1, 기판 2에 대하여 도시되어 있는 화살표는 시간축이며, 화살표의 방향은 시간 경과를 나타내고 있다. 3 to 6 show examples of conveying the substrate in the ion beam irradiation apparatus. In FIG. 3, the example which conveys the board | substrate 4 one by one by the ion beam irradiation apparatus provided with one conveyance robot and one vacuum reserve chamber is shown. The arrows shown for the substrates 1 and 2 are the time axis, and the direction of the arrows indicates the passage of time.

시간축 상에 기재된 A~F의 각 점은 어느 시간에서의 기판의 위치를 나타내고 있다. 먼저, 기판 1이 A점에서 카세트에서 꺼내진다. 그 후, 반송 로봇에 의해 반송된 기판은 B점에서 진공 예비실 내에 반입되고, C점에서 진공 예비실에서 꺼내져서 처리실 내에 반입된다. 처리실 내에 반입된 기판에는 이온빔 조사 처리가 실시되고, IBF점에 기판이 도달했을 때에 기판에 대한 이온빔 조사 처리가 완료된다. 처리 완료 기판은 D점에서 처리실에서 진공 예비실 내부로 반송되고, E점에서 진공 예비실로부터 반출된다. 그리고 F점에서 카세트 내에 수납된다. Each point of A to F described on the time axis represents the position of the substrate at a certain time. First, the substrate 1 is taken out of the cassette at the A point. Then, the board | substrate conveyed by the carrier robot is carried in in a vacuum preliminary chamber at point B, is taken out of a vacuum preliminary chamber at point C, and is carried in in a process chamber. The ion beam irradiation process is performed to the board | substrate carried in the process chamber, and the ion beam irradiation process with respect to a board | substrate is completed when the board | substrate reaches | attains the IBF point. The processed substrate is conveyed from the process chamber into the vacuum preliminary chamber at point D and taken out from the vacuum preliminary chamber at point E. Then, it is stored in the cassette at point F.

한편, 기판 2는 기판 1이 카세트에 수납된 후에 A점에서 반송 로봇에 의해 카세트에서 꺼내져서, B점에서 진공 예비실로 반입된다. 그 후 각 점에서의 처리는 기판 1에서 설명한 처리와 동일하다. 한편, 기판 2의 시간축 상에 있는 IBS점에 기판 2가 도달했을 때에 기판 2에 대한 이온빔 조사 처리가 개시된다. On the other hand, after the board | substrate 1 is accommodated in a cassette, the board | substrate 2 is taken out from a cassette by the conveyance robot at point A, and is carried in to the vacuum reserve chamber at point B. Thereafter, the processing at each point is the same as the processing described for the substrate 1. On the other hand, the ion beam irradiation process to the board | substrate 2 is started when the board | substrate 2 reaches | attains the IBS point on the time axis of the board | substrate 2.

이 예에서 클리닝은 도시되어 있는 기판 1의 시간축 상에 있는 IBF점에서 기판 2의 시간축 상에 있는 IBS점 사이의 기간인 기간(T) 중에 이루어진다. In this example, cleaning is performed during period T, which is the period between the IBF point on the time axis of substrate 1 shown and the IBS point on the time axis of substrate 2 shown.

그 밖에 도 4~도 6에 도시되어 있는 반송예에도 본 발명을 적용할 수 있다. 각 도면에 도시되어 있는 A점~F점, IBF점 및 IBS점의 의미에 대해서는 도 3에서 설명한 것과 같기 때문에, 각 도면의 설명에서 중복되는 설명은 생략한다. In addition, the present invention can be applied to a conveyance example shown in FIGS. 4 to 6. The meanings of points A to F, IBF, and IBS shown in each drawing are the same as those described with reference to FIG. 3, and therefore, redundant descriptions in the description of each drawing will be omitted.

도 4의 반송예에서는 2개의 반송 로봇과 1개의 진공 예비실을 구비한 이온빔 조사장치에서 카세트와 진공 예비실 사이에 2개의 반송 로봇를 마련해 두고, 각 반송 로봇에 의한 기판의 반송 경로는 위아래에서 간섭하지 않도록 구성되어 있다. 이로 인해, 카세트와 진공 예비실 사이에서 2장의 기판을 각 반송 로봇으로 동시에 반송할 수 있다. 이러한 반송예에도 도시된 바와 같이 기간(T)이 존재하므로, 이 시간을 이용해서 장치를 클리닝할 수 있다. In the example of conveyance of FIG. 4, in the ion beam irradiation apparatus provided with two conveyance robots and one vacuum reserve chamber, two conveyance robots are provided between a cassette and a vacuum reserve chamber, and the conveyance path | route of the board | substrate by each conveyance robot interferes up and down. It is configured not to. For this reason, two board | substrates can be simultaneously conveyed with each conveyance robot between a cassette and a vacuum preliminary chamber. Since the period T also exists in this conveyance example as shown, the apparatus can be cleaned using this time.

도 5의 반송예에서는 2개의 반송 로봇에 더하여, 각각의 반송 로봇에 대응하는 2개의 진공 예비실을 구비하고 있다. 이 예에서 처리실로의 기판의 반입과 반출은 각각 개별 진공 예비실을 통해서 이루어진다. 그 때문에, 기판 1이 처리실을 나왔을 때에 기판 2를 처리실에 넣을 수 있다. In the conveyance example of FIG. 5, in addition to two conveyance robots, the two vacuum reserve chambers corresponding to each conveyance robot are provided. In this example, the loading and unloading of the substrate into the processing chamber are performed through separate vacuum reserve chambers, respectively. Therefore, when the board | substrate 1 leaves the process chamber, the board | substrate 2 can be put into a process chamber.

또한 도 6의 반송예에서는 도 5의 반송예에서 기판의 매수를 늘렸을 경우를 상정하고 있다. 이 예에서 기판은 2장씩 동시에, 혹은 연속해서 반송된다. 또한 처리실 내에서는 각 기판에 대하여 동시에, 혹은 순번대로 이온빔이 조사된다. 기판에 대한 이온빔의 조사방법에 따라, 도 6의 반송예에서의 IBF점, IBS점의 의미가 약간 다르므로 이 점에 대하여 설명해 둔다. In addition, the conveyance example of FIG. 6 assumes the case where the number of sheets of a board | substrate is increased in the conveyance example of FIG. In this example, two substrates are conveyed at the same time or continuously. In addition, in the processing chamber, ion beams are irradiated to each substrate simultaneously or sequentially. Since the meanings of the IBF point and the IBS point in the conveyance example of FIG. 6 differ slightly depending on the method of irradiating the ion beam to the substrate, this point will be described.

복수장의 기판에 동시에 이온빔 조사 처리가 이루어질 경우, 지금까지와 마찬가지로 기판에 대한 이온빔의 조사 처리가 종료된 시점이 IBF점이 된다. 또한 기판에 대한 이온빔의 조사 처리가 개시된 시점이 IBS점이 된다. When the ion beam irradiation treatment is performed on a plurality of substrates at the same time, the IBF point is the point in time at which the ion beam irradiation treatment on the substrate is finished as before. In addition, the IBS point is the time point at which the ion beam irradiation treatment on the substrate is started.

한편, 복수장의 기판에 대하여 순번대로 이온빔 조사 처리가 이루어질 경우, IBF점은 마지막(도 6의 경우 2번째)에 처리되는 기판에 대한 이온빔 조사 처리가 종료된 시점을 의미한다. 그리고 IBS점은 제일 처음 처리되는 기판에 대한 이온빔 조사 처리가 개시된 시점을 의미한다. On the other hand, when the ion beam irradiation treatment is sequentially performed on a plurality of substrates, the IBF point means a time point when the ion beam irradiation treatment for the substrate to be processed last (second in FIG. 6) is finished. And IBS point means the time when the ion beam irradiation process with respect to the board | substrate processed first is started.

도 5나 도 6에 도시되어 있는 바와 같이, 이러한 반송예에서도 기간(T)이 존재한다. 그렇기 때문에, 이러한 예에서도 이 기간(T)을 이용해서 장치 내부를 클리닝할 수 있다. 한편, 처리실 내에 반송되는 기판의 매수는 3장 이상이어도 된다. 이 경우, IBF점과 IBS점에 관한 개념은 도 6의 예에서 설명한 개념이 적용된다. As shown in FIG. 5 or FIG. 6, the period T also exists in this conveyance example. Therefore, even in this example, this period T can be used to clean the inside of the apparatus. In addition, three or more sheets of the board | substrate conveyed in a process chamber may be sufficient. In this case, the concepts described in the example of FIG. 6 apply to the concept of the IBF point and the IBS point.

도 1의 이온빔 조사장치(IM1)의 구성에서는 기판(4)을 이동시키면서, 그 전면에 이온빔(3)을 조사하는 방식의 장치였지만, 복수장의 기판(4)에 대하여 동시에 이온빔 조사 처리를 할 경우, 도 1의 구성 대신에, 예를 들면 이온빔(3)이 조사되는 기판(4)의 전면보다 큰 면적의 이온빔(3)을 발생시키는 이온원을 구비한 이온빔 조사장치를 이용하는 것을 생각할 수 있다. In the configuration of the ion beam irradiation device IM1 shown in FIG. 1, the device is a method of irradiating the ion beam 3 to the entire surface while moving the substrate 4. However, when the ion beam irradiation treatment is performed on a plurality of substrates 4 simultaneously. Instead of the configuration of FIG. 1, for example, it is conceivable to use an ion beam irradiation apparatus having an ion source for generating an ion beam 3 having a larger area than the front surface of the substrate 4 to which the ion beam 3 is irradiated.

클리닝 수법으로는 지금까지 설명한 것과 같은 다양한 방법을 생각할 수 있는데, 이온빔 조사장치의 통상적인 운전시의 운전 파라미터와는 별도로, 최적의 클리닝이 가능한 장치의 운전 파라미터를 실험 등으로 미리 구해 두고, 이것을 이온빔 조사장치에 기억시켜 두어도 된다. As the cleaning method, various methods as described above can be considered. Apart from the normal operating parameters of the ion beam irradiation apparatus, the operating parameters of the apparatus which can be optimally cleaned are obtained in advance by experiments, and the ion beam is obtained in advance. You may store in the irradiation apparatus.

보통, 이온빔 조사장치에는 장치의 운전을 제어하는 제어장치(예를 들면 도 1에 기재된 제어장치(20))가 마련되어 있으므로, 이 제어장치 내부의 일부에 기억장치로서의 기능을 마련해 두거나, 제어장치와는 별도로 기억장치를 마련해 두는 방법을 생각할 수 있다. 이러한 기억장치에 클리닝용 운전 파라미터를 저장해 두고, 기간(T) 동안에 제어장치에 의해 기억장치 내에 저장된 클리닝용 운전 파라미터를 판독하여, 이온빔 조사장치를 클리닝하도록 구성해 두는 방법을 생각할 수 있다. Usually, since the ion beam irradiation apparatus is provided with a control device (for example, the control device 20 shown in Fig. 1) for controlling the operation of the device, a part of the inside of the control device is provided with a function as a storage device, or You can think of ways to have a separate storage device. It is conceivable to store a cleaning operation parameter in such a storage device, and to read the cleaning operation parameter stored in the storage device by the control device during the period T so as to clean the ion beam irradiation device.

클리닝용 운전 파라미터로는 사용하는 클리닝 수법에 따라 다양한 파라미터가 존재한다. 예를 들면 앞서 기술한 플라즈마 클리닝이라면, 클리닝 가스의 유량, 음극에 흐르는 전류량이나 플라즈마 생성 용기에 인가되는 전압값 등이 이에 상당한다. As the operation parameter for cleaning, various parameters exist according to the cleaning method to be used. For example, in the above-described plasma cleaning, the flow rate of the cleaning gas, the amount of current flowing through the cathode, the voltage value applied to the plasma generating vessel, and the like correspond to this.

이러한 수법이면, 장치를 클리닝할 때마다 클리닝용 운전 파라미터를 1에서부터 조정할 필요가 없다. 이로 인해, 클리닝에 걸리는 시간을 충분히 확보할 수 있으므로, 충분한 클리닝 효과를 얻을 수 있다. 그 결과, 보다 안정된 상태로 이온빔 조사장치를 계속 운전시킬 수 있다. With this technique, it is not necessary to adjust the cleaning operation parameter from 1 each time the device is cleaned. For this reason, since the time required for cleaning can be sufficiently secured, a sufficient cleaning effect can be obtained. As a result, the ion beam irradiation apparatus can be continuously operated in a more stable state.

또한 이온빔 조사장치의 운전 시간, 이온빔 조사 조건, 혹은 이온빔 조사장치에서 발생한 방전 횟수 등에 따라 클리닝에 걸리는 시간을 길게 하거나, 클리닝 시에 발생시키는 플라즈마 밀도를 짙게 하는 방법 등을 생각할 수 있다. 이를 위해, 클리닝용 운전 파라미터를 복수개 마련해 두고, 이것을 장치의 상태에 따라 구분해서 쓰도록 하는 방법을 생각할 수 있다. Further, a method of increasing the time required for cleaning or increasing the plasma density generated during cleaning may be considered depending on the operating time of the ion beam irradiation device, the ion beam irradiation condition, the number of discharges generated in the ion beam irradiation device, or the like. For this purpose, a method of providing a plurality of cleaning operation parameters and classifying them according to the state of the apparatus can be considered.

이온빔 조사장치의 운전 시간에 대해서는, 운전 시간이 길어지면 그만큼 퇴적물의 양도 많아진다고 생각되므로, 예를 들면 토탈 운전 시간이 3시간 경과할 때마다 클리닝용 운전 파라미터를 변경하여, 보다 밀도가 짙은 플라즈마를 발생시키도록 하거나, 클리닝 시간이 길어지도록 하는 방법을 생각할 수 있다. 또한 조건에 따라서, 클리닝용 운전 파라미터가 표준에서 다른 클리닝용 운전 파라미터로 변경되었을 경우, 보수 점검을 위해 장치를 정지시키고 실시되는 특별한 클리닝이 실시되었을 때에, 표준으로서 마련된 클리닝용 운전 파라미터로 전환되도록 해 두어도 된다. As for the operation time of the ion beam irradiation device, it is thought that the amount of deposits increases as the operation time becomes longer. For example, the cleaning operation parameter is changed every three hours after the total operation time, and a denser plasma is generated. It is possible to think of a method of generating the same or a longer cleaning time. Also, depending on the conditions, when the cleaning operation parameter is changed from the standard to another cleaning operation parameter, the device is stopped for maintenance inspection, and when special cleaning performed is performed, it is switched to the cleaning operation parameter provided as the standard. You can leave it.

또한 이온빔 발생에 이용되는 도펀트 가스의 종류에 따라서 퇴적물의 종류가 다른 경우를 생각할 수 있으므로, 클리닝용 가스를 복수개 마련해 두고, 예를 들면 도펀트 가스의 종류에 따라서 클리닝용 가스의 종류를 전환하도록 구성해도 된다. In addition, since the type of deposits may be different depending on the type of dopant gas used for generating the ion beam, a plurality of cleaning gases may be provided, and for example, the type of cleaning gas may be switched according to the type of dopant gas. do.

방전 횟수에 대해서는, 인출 전극계를 구성하는 전극에 흐르는 전류량이나 전극에 인가되어 있는 전압값을 상시 모니터해 두고, 모니터값과 미리 설정된 기준값을 비교하여 그 기준값을 넘을 때마다 방전이 발생한 것으로 해서 방전 횟수를 카운트해 두는 방법을 생각할 수 있다. 그리고 이 방전 횟수에 따라서 표준으로서 마련된 클리닝용 운전 파라미터를, 다른 클리닝용 운전 파라미터로 적절히 변경하도록 해도 된다. As for the number of discharges, the amount of current flowing through the electrode constituting the lead-out electrode system and the voltage value applied to the electrode are constantly monitored, and the discharge is generated every time the reference value is exceeded by comparing the monitor value with a preset reference value. You can think of how to count the number of times. The cleaning operation parameter provided as a standard may be appropriately changed to another cleaning operation parameter in accordance with the number of discharges.

또한 도 3~도 6을 이용해서 설명한 기간(T)을 이용한 클리닝은 1회의 기판 교환시에 출현하는 기간(T)마다 실시하는 것이 아니라, 기간(T)이 소정 횟수(예를 들면 2회나 3회) 출현한 후의 기간(T)을 이용해서 클리닝해도 된다. 즉, 1개의 카세트에 수납되어 있는 복수장의 기판을 처리하고 있는 동안 기판 교환은 복수회 이루어지므로, 그 중 적어도 1회의 기판 교환시에 출현하는 기간(T)을 이용해서 클리닝하도록 해도 된다. 물론, 매회의 기판 교환시에 클리닝을 실시해도 된다. 그렇게 하는 것이 장치 내부에 퇴적된 퇴적물을 제거하는 효과는 높아진다. The cleaning using the period T described with reference to Figs. 3 to 6 is not performed for each period T appearing at the time of replacing the substrate once, but the period T is a predetermined number of times (for example, two or three times). The cleaning may be performed using the period T after the appearance. That is, since the substrate exchange is performed a plurality of times while the plurality of substrates stored in one cassette are being processed, the cleaning may be performed using the period T which appears during at least one substrate exchange. Of course, you may perform cleaning at the time of every board exchange. Doing so increases the effectiveness of removing the deposits deposited inside the apparatus.

도 7과 도 8에는 이온빔 조사장치의 다른 예가 도시되어 있다. 도 7에는 이온빔 조사장치(IM2)를 옆에서 보았을 때의 모습이 도시되어 있고, 도 8에는 이온빔 조사장치(IM2)를 위에서 보았을 때의 모습이 도시되어 있다. 이 도면들에서 도 1에 기재된 부재와 동일한 것에는 동일한 부호가 부기되어 있다. 도 7과 도 8에 예시되는 이온빔 조사장치(IM2)는 질량분석 전자석(11)과 분석 슬릿(13)을 구비한 질량 분석형 이온빔 조사장치이다. 이 이온빔 조사장치(IM2)는 이온빔 전류 계측기(14)를 더 구비하고 있다. 이 이온빔 전류 계측기(14)에 의해, 이온빔(3)의 이온빔 전류가 계측되고, 이 계측 결과에 따라서 원하는 이온빔 전류량이나 이온빔 전류밀도분포가 얻어지도록 이온빔 조사장치(IM2)의 운전 파라미터가 조정된다.7 and 8 show another example of the ion beam irradiation apparatus. 7 shows the state when the ion beam irradiation device IM2 is seen from the side, and FIG. 8 shows the state when the ion beam irradiation device IM2 is seen from above. In these figures, the same reference numerals are given to the same members as those described in FIG. 1. The ion beam irradiation apparatus IM2 illustrated in FIGS. 7 and 8 is a mass spectrometry ion beam irradiation apparatus including a mass spectrometer electromagnet 11 and an analysis slit 13. This ion beam irradiation apparatus IM2 further includes an ion beam current meter 14. The ion beam current meter 14 measures the ion beam current of the ion beam 3, and the operating parameters of the ion beam irradiator IM2 are adjusted so that a desired amount of ion beam current and an ion beam current density distribution are obtained according to the measurement result.

질량분석 전자석(11)의 내부에는 전자석 내부를 보호하기 위한 분석관(12)이 마련되어 있다. 기판(4)에 조사되어야 할 원하는 이온 이외의 성분은 질량분석 전자석(11)을 통과하지 않고 분석관(12)의 내벽에 충돌하여 분석관(12)의 내벽에 부착되거나 분석관(12)의 내벽을 스퍼터링하거나 하여, 분석관(12) 내에 불필요한 퇴적물을 발생시키는 원인이 된다. An analysis tube 12 for protecting the inside of the electromagnet is provided inside the mass spectrometer electromagnet 11. Components other than the desired ions to be irradiated to the substrate 4 impinge on the inner wall of the analysis tube 12 without passing through the mass spectroscopic electromagnet 11 and adhere to the inner wall of the analysis tube 12 or sputter the inner wall of the analysis tube 12. As a result, unnecessary deposits are generated in the analysis tube 12.

이 충돌이 몇 번이고 반복되는 동안에 퇴적물은 큰 덩어리가 되고, 언젠가 원치 않는 이온과의 충돌에 의해 처리실(5)측에 비산되어 버릴 우려가 있다. 처리실(5)측에 비산되었을 경우, 기판(4)에 조사되는 이온빔(3)과는 다른 성분의 이온이 기판(4)에 혼입하게 되므로, 기판(4)의 제조 불량을 발생시킨다. 제조 불량이 발생했을 경우, 이온빔 조사장치를 정지시키고 제조 불량을 야기하는 원인을 제거하는 작업이 필요하게 된다. 이러한 작업으로 인해 이온빔 조사장치의 가동률이 저하될 염려가 있다. While this collision is repeated several times, the deposits may become large lumps and may be scattered to the processing chamber 5 side by collision with unwanted ions. When scattered to the processing chamber 5 side, ions of a different component from the ion beam 3 irradiated to the substrate 4 are mixed into the substrate 4, resulting in poor manufacturing of the substrate 4. When a manufacturing defect occurs, it is necessary to stop the ion beam irradiation apparatus and eliminate a cause causing the manufacturing defect. Due to this operation, there is a fear that the operation rate of the ion beam irradiation apparatus is lowered.

이러한 제조 불량에 따른 이온빔 조사장치의 가동률 저하를 예방하기 위해, 다음과 같은 수법을 이용해서 분석관(12) 내의 퇴적물을 제거하는 것을 생각할 수 있다. 예를 들면 인출 전극계(2)를 구성하는 가속 전극(2a)이나 인출 전극(2b)에 인가되는 전압값을 조정하여 인출되는 이온빔(3)의 치수가 통상보다 큰 치수가 되도록 해 두고, 이러한 이온빔을 일부러 분석관(12) 내벽에 충돌시키거나, 질량분석 전자석(11)의 도시되지 않은 코일에 흐르는 전류량을 조정하여 인출된 이온빔(3)의 진행방향을 일부러 분석관(12) 내벽에 충돌시키는 방향을 향하게 한다. In order to prevent the fall of the operation rate of the ion beam irradiation apparatus due to such a manufacturing defect, it is conceivable to remove the deposit in the analysis tube 12 using the following method. For example, the voltage value applied to the acceleration electrode 2a or the extraction electrode 2b constituting the extraction electrode system 2 is adjusted so that the dimension of the ion beam 3 to be taken out is larger than usual. The direction in which the ion beam is deliberately collided with the inner wall of the analyzer tube 12 or the current flows through the unillustrated coil of the mass spectrometer electromagnet 11 to deliberately collide with the inner wall of the analyzer tube 12 with the traveling direction of the extracted ion beam 3. To face.

이렇게 해서 이온빔(3)을 분석관(12)의 내벽에 일부러 충돌시킴으로써, 분석관(12) 내에 퇴적되어 있는 퇴적물을 처리실(5)측으로 비산시킬 수 있다. 비산된 퇴적물에 대해서는 진공 펌프(15)로 빨아들여, 이온빔(3)의 통상적인 비행 경로에서 제거해 둔다. In this way, the ion beam 3 is deliberately collided with the inner wall of the analysis tube 12, and the deposit deposited in the analysis tube 12 can be scattered to the process chamber 5 side. The scattered deposits are sucked into the vacuum pump 15 and removed from the normal flight path of the ion beam 3.

분석관(12) 내부를 클리닝할 경우, 클리닝용 가스(10)를 이용해서 이온빔(3)을 발생시키도록 해도 되고, 통상적인 이온빔 조사 처리에서 이용되는 도펀트 가스(9)를 이용해서 이온빔(3)을 발생시키도록 해도 된다. 도펀트 가스(9)를 이용할 경우에는 클리닝용 가스(10)가 불필요하게 되므로, 클리닝용 가스(10)를 도입하는 기구나 그 기구를 배치하기 위한 스페이스를 필요로 하지 않는다는 이점이 있다. 이러한 분석관(12)의 클리닝을 도 3~도 6의 예에서 기술한 기간(T) 중에 실시하도록 해도 된다. When the inside of the analysis tube 12 is cleaned, the ion beam 3 may be generated using the gas 10 for cleaning, and the ion beam 3 may be used using the dopant gas 9 used in a conventional ion beam irradiation process. May be generated. When the dopant gas 9 is used, the cleaning gas 10 becomes unnecessary, and thus there is an advantage that a mechanism for introducing the cleaning gas 10 or a space for disposing the mechanism is not required. Such an analysis tube 12 may be cleaned during the period T described in the examples of FIGS. 3 to 6.

클리닝용 가스(10)를 이용해서 클리닝을 실시할 경우, 기판(4)에 대한 이온빔 조사 처리에 이용되는 이온빔(3)은 발생되어 있지 않다. 그렇기 때문에, 클리닝 후에 다시 이온빔 조사 처리를 하기 위해 이온빔(3)을 재시동시킬 필요가 있게 된다. 이 이온빔(3)의 재시동에 있어서는 다음과 같은 궁리를 생각할 수 있다. When cleaning is performed using the cleaning gas 10, the ion beam 3 used for the ion beam irradiation process to the board | substrate 4 is not generated. Therefore, it is necessary to restart the ion beam 3 in order to perform the ion beam irradiation treatment again after cleaning. In restarting this ion beam 3, the following invention can be considered.

이온빔(3) 재시동 시에 이온빔 전류는 잠시 불안정한 상태가 된다. 이것은 플라즈마 생성 용기(1) 내에 도입되는 도펀트 가스(9)의 유량이 충분히 공급되고 있지 않거나, 펌프로 배기는 하고 있지만 이온빔(3)의 수송 경로에 잠시 클리닝용 가스(10)가 잔류해 있어, 이 잔류 가스에 재시동된 이온빔(3)이 충돌하는 등의 이유에 따른다. When the ion beam 3 is restarted, the ion beam current becomes unstable for a while. This is because the flow rate of the dopant gas 9 introduced into the plasma generation container 1 is not sufficiently supplied or is exhausted by a pump, but the cleaning gas 10 remains temporarily in the transport path of the ion beam 3, The reason is that the ion beams 3 restarted in the residual gas collide with each other.

이온빔 전류 계측기(14)에서 불안정한 이온빔 전류를 계측했을 경우, 기판(4)에 조사되어야 할 전류량의 이온빔(3)이 발생하지 않았다고 오인식해서 이온빔 조사장치가 에러 신호를 발생하여 장치 운전이 정지될 우려가 있다. 또한 기판(4)에 대한 이온빔 조사 처리 실시 전에 장치운전에 관련된 각종 파라미터를 조정하여 이온빔 전류량이나 이온빔 전류밀도분포를 조정하는 기능을 갖춘 이온빔 조사장치의 경우, 불안정한 이온빔 전류의 계측으로 인해 제어가 원활하게 수속되지 않을 우려가 있다. When the ion beam current meter 14 measures an unstable ion beam current, the ion beam irradiation device generates an error signal because the ion beam 3 of the amount of current to be irradiated to the substrate 4 has not been generated. There is. In addition, in the case of the ion beam irradiation apparatus having the function of adjusting the ion beam current amount or the ion beam current density distribution by adjusting various parameters related to the operation of the device before performing the ion beam irradiation processing on the substrate 4, the control is smooth due to the measurement of the unstable ion beam current. There is a possibility that the procedure will not be processed.

상술한 문제를 해결하기 위해, 본 발명에서는 클리닝이 종료되고 나서 소정 시간 경과한 후에 이온빔 전류를 계측하도록 하고 있다. 여기서 말하는 소정 시간이란, 미리 실험 등으로 구한 시간으로 이온빔 전류가 실질적으로 안정 상태가 되기까지의 시간을 의미한다. 이러한 구성을 채용함으로써, 클리닝 종료 후에 이어지는 이온빔의 재시동 처리와 재시동된 이온빔에 의한 이온빔 조사 처리를 지장 없이 실현할 수 있게 된다. In order to solve the above-mentioned problem, in the present invention, the ion beam current is measured after a predetermined time elapses after the cleaning is finished. The predetermined time referred to herein means a time obtained beforehand by an experiment or the like until the ion beam current becomes substantially stable. By adopting such a configuration, it is possible to realize the restarting process of the ion beam subsequent to the end of cleaning and the ion beam irradiation process by the restarted ion beam without any trouble.

한편, 소정 시간 경과 전에 이온빔 전류 계측기(14)에 이온빔(3)은 조사되고 있는 상태여도 된다. 그 경우에는 이온빔 전류의 계측값으로서 소정 시간 경과 후의 것을 사용하도록 해 둔다. 또한 도 7과 도 8의 예에서 이온빔 전류 계측기(14)는 처리실(5) 내의 소정 위치에 고정되어 있었지만, 이 대신에, 이온빔(3)이 조사되는 경로에 출입하는 이동식 이온빔 전류 계측기를 이용해도 된다. In addition, the ion beam 3 may be in the state irradiated to the ion beam current meter 14 before a predetermined time elapses. In that case, the thing after a predetermined time passes as a measured value of an ion beam current is used. In addition, although the ion beam current meter 14 was fixed to the predetermined position in the process chamber 5 in the example of FIG. 7 and FIG. 8, you may use the mobile ion beam current meter which enters and exits the path | route to which the ion beam 3 is irradiated instead. do.

또한 클리닝 후에 이루어지는 이온빔(3)의 재시동 시에는 도펀트 가스(9)의 유량이 충분하지 않기 때문에, 이 상태로 이온빔(3)의 인출을 실시하면 인출 전극계(2)를 구성하는 인출 전극(2b)에 인출되는 이온빔(3) 대부분이 충돌해 버린다. 이 이온빔(3)이 인출 전극(2b)에 충돌하는 것이 인출 전극(2b) 상에 퇴적물을 생성시키는 원인이 된다. In addition, since the flow rate of the dopant gas 9 is insufficient at the time of restarting the ion beam 3 formed after cleaning, when the ion beam 3 is taken out in this state, the extraction electrode 2b constituting the extraction electrode system 2 is used. Most of the ion beams 3 drawn out at) collide with each other. The collision of the ion beam 3 with the lead-out electrode 2b causes the deposits to form on the lead-out electrode 2b.

이러한 원인을 제거하기 위해, 본 발명에서는 클리닝 후이자, 도펀트 가스(9)의 플라즈마 생성 용기(1) 내부로의 도입량이 안정된 후에 이온빔을 인출하도록 하고 있다. 한편, 도펀트 가스(9)의 플라즈마 생성 용기(1) 내부로의 도입량이 안정되었는지 여부는 미리 실험을 해서 어느 정도의 시간에 안정된 이온빔을 인출할 수 있는지를 계측해 두고, 계측된 시간을 바탕으로 이온빔(3)을 인출하도록 해 두어도 된다. In order to eliminate such a cause, in the present invention, the ion beam is taken out after cleaning and after the introduction amount of the dopant gas 9 into the plasma generating container 1 is stabilized. On the other hand, whether or not the introduction amount of the dopant gas 9 into the plasma generating container 1 is stabilized is measured in advance by measuring how long the stable ion beam can be drawn out based on the measured time. The ion beam 3 may be taken out.

<그 밖의 변형예> <Other Modifications>

지금까지 기술한 본 발명에서 이용되는 이온빔 조사장치의 예는 카세트(7)를 대기측에 배치해 두는 타입이었지만, 카세트(7)를 진공 예비실(6) 내에 도입하는 타입의 이온빔 조사장치에도 적용할 수 있다. 이 경우, 지금까지의 예와 마찬가지로 미처리 기판과 처리 완료 기판을 교환할 때에 클리닝을 실시해도 되고, 이와는 달리, 처리 완료 기판이 수납된 카세트(7)와 미처리 기판이 수납된 카세트(7)를 교환하는 동안에 장치 내부를 클리닝해도 된다. An example of the ion beam irradiation apparatus used in the present invention described so far has been a type in which the cassette 7 is arranged on the atmospheric side, but is also applied to an ion beam irradiation apparatus of the type in which the cassette 7 is introduced into the vacuum reserve chamber 6. can do. In this case, the cleaning may be performed when the unprocessed substrate and the processed substrate are replaced as in the previous example. Alternatively, the cassette 7 in which the processed substrate is stored and the cassette 7 in which the unprocessed substrate is stored are replaced. You may clean the inside of the unit while

또한 동일 조건으로의 이온빔 조사 처리는 1개의 카세트뿐만 아니라 복수의 카세트에 수납된 기판에 걸쳐 이루어지는 경우도 있다. 본 발명은 이러한 복수의 카세트에 걸쳐서 이루어지는 이온빔 조사 처리 시에도 이용할 수 있다. In addition, the ion beam irradiation treatment under the same conditions may be performed not only on one cassette but also on a substrate housed in a plurality of cassettes. The present invention can also be used at the time of ion beam irradiation treatment that is applied to a plurality of such cassettes.

또, 본 발명이 적용되는 이온빔 조사장치로서는 다양한 변형을 생각할 수 있다. 이것을 일반적인 것으로서 도시했을 경우, 도 9에 도시되어 있는 모식도와 같이 된다. 본 발명이 적용되는 이온빔 조사장치의 예로는 복수장의 기판(4)이 수납된 카세트(7); 기판(4)에 대한 이온빔 조사 처리가 이루어지는 처리실(5); 카세트(7)와 처리실(5) 사이에서, 카세트(7)에 수납된 미처리 기판과 처리실(5) 내에서 이온빔 조사 처리된 처리 완료 기판의 기판 교환을 복수회 실시하는 기판 반송부(102)(반송 로봇(8), 진공 예비실(6), 도시되지 않은 진공 로봇 등으로 구성되는 부위에 상당함); 이온빔(3)을 발생시켜 처리실(5) 내에 이온빔(3)을 공급하는 이온빔 공급부(101)(플라즈마 생성 용기(1), 인출 전극계(2), 분석 전자석(11) 등으로 구성되는 부위에 상당함);를 구비한 이온빔 조사장치이다. Moreover, various modifications can be considered as an ion beam irradiation apparatus to which this invention is applied. When this is shown as a general thing, it becomes like the schematic diagram shown in FIG. Examples of the ion beam irradiation apparatus to which the present invention is applied include a cassette 7 in which a plurality of substrates 4 are accommodated; A processing chamber 5 in which an ion beam irradiation treatment is performed on the substrate 4; Between the cassette 7 and the processing chamber 5, the substrate conveyance part 102 which performs substrate replacement of the unprocessed board | substrate accommodated in the cassette 7 and the processed board | substrate processed by ion beam irradiation in the processing chamber 5 multiple times ( (Corresponds to a portion constituted by the transfer robot 8, the vacuum preliminary chamber 6, and a vacuum robot not shown); The ion beam supply unit 101 (the plasma generating vessel 1, the extraction electrode system 2, the analysis electromagnet 11, etc.) that generates the ion beam 3 and supplies the ion beam 3 into the processing chamber 5. Equivalent); and an ion beam irradiation apparatus.

이러한 이온빔 조사장치에 있어서, 기판 반송부(102)에 의해 복수회 실시되는 기판 교환 작업 중, 적어도 1회의 기판 교환 작업과 병행해서, 이온빔 공급부(101) 내부를 클리닝하도록 구성된 이온빔 조사장치이기 때문에 장치의 가동률을 각별히 향상시킬 수 있다. In such an ion beam irradiation apparatus, it is an ion beam irradiation apparatus configured to clean the inside of the ion beam supply unit 101 in parallel with at least one substrate exchange operation among the substrate exchange operations performed by the substrate transfer unit 102 a plurality of times. The operation rate of can be improved significantly.

한편, 본 발명에서는 기판 교환 작업과 병행해서 이온빔 공급부(101) 내부를 클리닝하고 있지만, 여기서 말한 병행이란, 기판 교환 작업을 하는 동안에 항상 클리닝 등이 이루어진다는 의미로 사용되는 것은 아니다. 기판 교환 작업이 이루어지고 있는 도중에 클리닝 처리를 끝내도 된다. 또한 도 3~도 6의 예에서 기술한 바와 같이, 본 발명에서는 기판 교환 작업이 이루어지지 않는 동안에 클리닝이 이루어져도 된다. 기판에 대한 이온빔 조사 처리가 종료된 직후나 다음 기판에 이온빔 조사 처리가 이루어지기 직전의 타이밍에는 엄밀하게는 기판 교환 작업이 이루어지지 않고 있다. 이 경우, 기판 교환 작업이 개시되려고 하고 있거나 기판 교환 작업이 완료된 상태에 있다. 이러한 타이밍과 중복되는 시간대에 클리닝 등을 실시하도록 해 두어도 된다. 즉, 본 발명에서 실시되는 클리닝은 기판 교환 작업이 이루어지고 있는 시간과 적어도 부분적으로 병행해서 실시되고 있으면 된다. On the other hand, in the present invention, the inside of the ion beam supply unit 101 is cleaned in parallel with the substrate replacement operation. However, the parallelism here is not used to mean that the cleaning is always performed during the substrate replacement operation. The cleaning process may be finished while the substrate replacement work is being performed. 3 to 6, in the present invention, cleaning may be performed while the substrate replacement operation is not performed. Substantially no substrate exchange operation is performed at the timing immediately after the ion beam irradiation process to the substrate is finished or just before the ion beam irradiation process is performed on the next substrate. In this case, the board replacement work is about to be started or the board replacement work is completed. Cleaning may be performed at a time period overlapping with such timing. That is, the cleaning performed in the present invention may be performed at least partially in parallel with the time at which the substrate replacement work is being performed.

또한 상술한 실시형태에서는 플라즈마 생성 용기(1)의 내부에서 플라즈마를 생성하는 수법으로서 전자 충격형의 구성을 예로 들어 설명했지만, 이러한 수법 대신에 고주파형이어도 된다. 고주파형인 것을 사용할 경우, 이온빔의 발생을 정지할 때, 음극에 접속된 전원의 출력을 정지시키는 대신에 안테나에 접속된 고주파 전원의 출력을 정지시키면 된다. In addition, although the above-mentioned embodiment demonstrated the structure of the electron impact type as a method of generating a plasma inside the plasma generation container 1 as an example, a high frequency type may be sufficient instead. In the case of using the high frequency type, when the generation of the ion beam is stopped, instead of stopping the output of the power source connected to the cathode, the output of the high frequency power source connected to the antenna may be stopped.

상술한 것 외에, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 각종 개량 및 변경을 해도 되는 것은 물론이다. It goes without saying that various improvements and modifications may be made without departing from the gist of the present invention.

1 플라즈마 생성 용기
2 인출 전극계
3 이온빔
4 기판
5 처리실
6 진공 예비실
7 카세트 1 plasma generating vessel
2 lead-out electrode system
3 ion beam
4 substrate
5 treatment rooms
6 vacuum reserve room
7 cassettes

Claims (7)

복수장의 기판이 수납되는 카세트(cassette);
상기 기판에 대한 이온빔 조사 처리가 이루어지는 처리실;
상기 카세트와 상기 처리실 사이에서, 상기 카세트에 수납된 미처리 기판과 상기 처리실 내에서 이온빔 조사 처리된 처리 완료 기판의 기판 교환을 복수회 실시하는 기판 반송부;
이온빔을 발생시켜 상기 처리실 내에 당해 이온빔을 공급하는 이온빔 공급부;를 구비한 이온빔 조사장치로서,
상기 기판 반송부에 의해 복수회 실시되는 기판 교환 작업 중 적어도 1회의 기판 교환 작업과 병행해서, 상기 이온빔 공급부의 운전 파라미터를 설정 변경하여, 상기 이온빔 공급부 내부를 클리닝하는 것을 특징으로 하는 이온빔 조사장치. A cassette for storing a plurality of substrates;
A processing chamber in which an ion beam irradiation process is performed on the substrate;
A substrate transfer section for performing a plurality of times of substrate exchange between the cassette and the processing chamber between an unprocessed substrate accommodated in the cassette and a processed substrate subjected to ion beam irradiation in the processing chamber;
An ion beam irradiation apparatus comprising: an ion beam supply unit for generating an ion beam to supply the ion beam into the processing chamber,
An ion beam irradiation apparatus for cleaning the inside of the ion beam supply unit by setting and changing an operating parameter of the ion beam supply unit in parallel with at least one substrate exchange operation performed by the substrate transport unit a plurality of times. 제1항에 있어서,
상기 이온빔 조사장치는 상기 이온빔 공급부 내부를 클리닝하기 위한 클리닝용 운전 파라미터가 저장된 기억장치를 가지고 있고,
상기 이온빔 공급부 내부의 클리닝 시에는 상기 기억장치로부터 상기 클리닝용 운전 파라미터의 판독(reading)이 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온빔 조사장치. The method of claim 1,
The ion beam irradiation apparatus has a memory device storing cleaning operation parameters for cleaning the inside of the ion beam supply unit,
And the cleaning operation parameters are read from the storage device when the inside of the ion beam supply unit is cleaned. 제2항에 있어서,
상기 기억장치에는 상기 클리닝용 운전 파라미터가 복수 저장되어 있고,
상기 기억장치로부터의 상기 클리닝용 운전 파라미터의 판독은 상기 이온빔 조사장치의 운전 시간, 이온빔 조사 조건, 혹은 상기 이온빔 공급부에서 발생한 방전 횟수 중 어느 하나에 기초해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온빔 조사장치. 3. The method of claim 2,
The storage device stores a plurality of the operating parameters for cleaning,
The reading of the cleaning operation parameter from the storage device is performed based on any one of an operation time of the ion beam irradiation device, an ion beam irradiation condition, or the number of discharges generated in the ion beam supply unit. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이온빔 조사장치는, 상기 처리실 내에 마련되어 상기 이온빔의 전류를 계측하는 이온빔 전류 계측기를 구비하고 있고,
상기 이온빔 공급부 내부의 클리닝이 종료되고 나서 소정 시간 경과한 후에, 상기 이온빔 전류 계측기로의 계측을 개시하는 것을 특징으로 하는 이온빔 조사장치. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The ion beam irradiation device includes an ion beam current meter provided in the processing chamber to measure the current of the ion beam,
And measuring the ion beam current measuring device after a predetermined time has elapsed since the cleaning of the inside of the ion beam supply unit is finished. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이온빔 공급부는,
도펀트 가스가 도입되어, 내부에서 플라즈마가 생성되는 플라즈마 생성 용기와,
상기 플라즈마 생성 용기 내에서 생성된 플라즈마로부터 이온빔을 인출하기 위한 복수장의 전극군으로 구성된 인출 전극계를 구비하고 있고,
상기 이온빔 공급부 내부의 클리닝이 종료된 후이자, 상기 플라즈마 생성 용기 내에 도입되는 상기 도펀트 가스의 도입량이 소정량에 도달한 후에, 상기 인출 전극계에 소정 전압이 인가됨으로써 상기 이온빔이 인출되는 것을 특징으로 하는 이온빔 조사장치. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The ion beam supply unit,
A plasma generation container into which a dopant gas is introduced to generate plasma therein;
An extraction electrode system composed of a plurality of electrode groups for extracting ion beams from the plasma generated in the plasma generation container;
After the cleaning of the inside of the ion beam supply unit is completed, and after the introduction amount of the dopant gas introduced into the plasma generation vessel reaches a predetermined amount, the ion beam is drawn out by applying a predetermined voltage to the extraction electrode system. Ion beam irradiation device. 제4항에 있어서,
상기 이온빔 공급부는,
도펀트 가스가 도입되어, 내부에서 플라즈마가 생성되는 플라즈마 생성 용기와,
상기 플라즈마 생성 용기 내에서 생성된 플라즈마로부터 이온빔을 인출하기 위한 복수장의 전극군으로 구성된 인출 전극계를 구비하고 있고,
상기 이온빔 공급부 내부의 클리닝이 종료된 후이자, 상기 플라즈마 생성 용기 내에 도입되는 상기 도펀트 가스의 도입량이 소정량에 도달한 후에, 상기 인출 전극계에 소정 전압이 인가됨으로써 상기 이온빔이 인출되는 것을 특징으로 하는 이온빔 조사장치. 5. The method of claim 4,
The ion beam supply unit,
A plasma generation container into which a dopant gas is introduced to generate plasma therein;
An extraction electrode system composed of a plurality of electrode groups for extracting ion beams from the plasma generated in the plasma generation container;
After the cleaning of the inside of the ion beam supply unit is completed, and after the introduction amount of the dopant gas introduced into the plasma generation vessel reaches a predetermined amount, the ion beam is drawn out by applying a predetermined voltage to the extraction electrode system. Ion beam irradiation device. 복수장의 기판이 수납된 카세트;
상기 기판에 대한 이온빔 조사 처리가 이루어지는 처리실;
상기 카세트와 상기 처리실 사이에서, 상기 카세트에 수납된 미처리 기판과 상기 처리실 내에서 이온빔 조사 처리된 처리 완료 기판의 기판 교환을 복수회 실시하는 기판 반송부;
이온빔을 발생시켜 상기 처리실 내에 당해 이온빔을 공급하는 이온빔 공급부;를 구비한 이온빔 조사장치로서,
상기 기판 반송부에 의해 복수회 실시되는 기판 교환 작업 중 적어도 1회의 기판 교환 작업과 병행해서, 상기 이온빔 공급부 내부를 클리닝하는 것을 특징으로 하는 이온빔 조사장치의 운전방법. A cassette containing a plurality of substrates;
A processing chamber in which an ion beam irradiation process is performed on the substrate;
A substrate transfer section for performing a plurality of times of substrate exchange between the cassette and the processing chamber between an unprocessed substrate accommodated in the cassette and a processed substrate subjected to ion beam irradiation in the processing chamber;
An ion beam irradiation apparatus comprising: an ion beam supply unit for generating an ion beam to supply the ion beam into the processing chamber,
A method of operating an ion beam irradiation apparatus, wherein the inside of the ion beam supply unit is cleaned in parallel with at least one substrate exchange operation among the substrate exchange operations performed by the substrate transfer unit a plurality of times.
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