KR20130129656A - Solar cell and method for manufacuring the same - Google Patents
Solar cell and method for manufacuring the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130129656A KR20130129656A KR1020120053686A KR20120053686A KR20130129656A KR 20130129656 A KR20130129656 A KR 20130129656A KR 1020120053686 A KR1020120053686 A KR 1020120053686A KR 20120053686 A KR20120053686 A KR 20120053686A KR 20130129656 A KR20130129656 A KR 20130129656A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- impurity
- layer
- solar cell
- passivation film
- semiconductor substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 185
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 103
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 62
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 29
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 8
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 179
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 13
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 13
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Description
본 발명은 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 불순물층 및 이를 패시베이션하는 패시베이션 막을 포함하는 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell and a method for manufacturing the same, and more particularly to a solar cell and a method for manufacturing the same comprising an impurity layer and a passivation film for passivating the same.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다. With the recent depletion of existing energy sources such as oil and coal, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, solar cells are attracting attention as a next-generation battery that converts solar energy into electric energy.
이러한 태양 전지에서는 광전 변환을 일으킬 수 있도록 불순물층을 형성하여 pn 접합 등을 형성하고, n형 불순물층 및/또는 p형 불순물층에 연결되는 전극을 형성한다. 불순물층의 표면 등에서는 전자와 정공의 재결합이 일어나기 쉬우므로, 불순물층 위에 표면 재결합을 방지하기 위한 패시베이션 막을 형성한다. In such a solar cell, an impurity layer is formed so as to cause photoelectric conversion to form a pn junction and the like, and an electrode connected to an n-type impurity layer and / or a p-type impurity layer is formed. Since the recombination of electrons and holes is likely to occur on the surface of the impurity layer or the like, a passivation film is formed on the impurity layer to prevent surface recombination.
불순물층의 도전형에 따라 패시베이션 특성을 향상할 수 있는 패시베이션 물질에 차이가 있다. 그런데 패시베이션 특성을 향상하기 위한 패시베이션 물질을 사용할 경우 제조 비용 또는 제조 시간이 길어져서 태양 전지의 제조 생산성을 저하시킬 수 있다. 이에 따라 패시베이션 특성과 제조 생산성을 함께 향상하는 데 어려움이 있었다. Depending on the conductivity type of the impurity layer, there is a difference in a passivation material capable of improving passivation characteristics. However, when using a passivation material for improving the passivation characteristics, the manufacturing cost or manufacturing time may increase, which may lower the manufacturing productivity of the solar cell. As a result, it has been difficult to improve both the passivation characteristics and manufacturing productivity.
본 발명의 실시예는 불순물층의 도전형에 따라 최적화된 패시베이션 특성을 가지도록 하면서도 제조 공정은 단순화할 수 있는 태양 전지 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다. An embodiment of the present invention is to provide a solar cell and a method for manufacturing the same, which can have a passivation characteristic optimized according to the conductivity type of the impurity layer, but can simplify the manufacturing process.
본 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판에 제1 도전형을 가지는 제1 불순물 및 상기 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형을 가지는 제1 카운트 불순물을 도핑하여 제1 불순물층을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 기판을 열처리하여 상기 제1 불순물층을 활성화하는 열처리 단계를 포함한다. 상기 제1 불순물층을 형성하는 단계에서 상기 제1 카운트 불순물의 도핑량이 상기 제1 불순물의 도핑량보다 작다. 상기 열처리 단계는 산소 분위기에서 수행되는 산소 열처리 공정을 포함한다. 상기 산소 열처리 공정에서는 상기 제1 불순물층의 위에 제1 패시베이션 막이 형성되면서 상기 제1 불순물층과 상기 제1 패시베이션 막 사이에 상기 제2 도전형 또는 진성의 플로팅 접합(floating junction)층이 형성된다. A method of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention includes: preparing a semiconductor substrate; Doping a first impurity layer having a first conductivity type and a first count impurity having a second conductivity type opposite to the first conductivity type in the semiconductor substrate to form a first impurity layer; And heat treating the semiconductor substrate to activate the first impurity layer. In the forming of the first impurity layer, the doping amount of the first count impurity is smaller than the doping amount of the first impurity. The heat treatment step includes an oxygen heat treatment process performed in an oxygen atmosphere. In the oxygen heat treatment process, a first passivation film is formed on the first impurity layer, and a second conductive or intrinsic floating junction layer is formed between the first impurity layer and the first passivation film.
본 실시예에 따른 태양 전지는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 적어도 일면에 형성되며 제1 도전형을 가지는 제1 불순물층; 상기 제1 불순물층 상에 상기 제1 불순물층보다 얇은 두께로 형성되며, 진성 또는 상기 제1 도전형에 반대되는 제2 도전형을 가지는 플로팅 접합층; 상기 플로팅 접합층 상에 형성되는 제1 패시베이션 막; 및 상기 제1 불순물층에 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함한다. 상기 제1 패시베이션 막은 상기 반도체 기판을 구성하는 원소를 구비하는 산화물로 구성된다. 상기 제1 불순물층, 상기 플로팅 접합층, 상기 제1 패시베이션 막은, 상기 제1 도전형의 제1 불순물 및 상기 제2 도전형의 제1 카운트 불순물을 포함한다. A solar cell according to the present embodiment includes a semiconductor substrate; A first impurity layer formed on at least one surface of the semiconductor substrate and having a first conductivity type; A floating bonding layer formed on the first impurity layer in a thickness smaller than that of the first impurity layer and having a second conductivity type opposite to the intrinsic or first conductivity type; A first passivation film formed on the floating bonding layer; And a first electrode electrically connected to the first impurity layer. The first passivation film is composed of an oxide having an element constituting the semiconductor substrate. The first impurity layer, the floating bonding layer, and the first passivation film include a first impurity of the first conductivity type and a first count impurity of the second conductivity type.
본 실시예에서는, 제1 불순물 및 제1 카운트 불순물을 포함하는 제1 불순물층에 산소 열처리 공정을 수행하여, 제1 불순물층 위에 제1 패시베이션 막을 성장시키면서 에미터층과 제1 패시베이션 막 사이에 얇은 두께의 플로팅 접합층이 형성되도록 한다. 이에 따라 간단한 공정에 의하여 플로팅 접합층 및 제1 패시베이션 막을 형성할 수 있으며, 플로팅 접합층의 두께를 효과적으로 제어할 수 있다. In this embodiment, an oxygen heat treatment process is performed on the first impurity layer including the first impurity and the first count impurity to grow a first passivation film on the first impurity layer, and a thin thickness between the emitter layer and the first passivation film. To form a floating bonding layer. Accordingly, the floating bonding layer and the first passivation film can be formed by a simple process, and the thickness of the floating bonding layer can be effectively controlled.
이에 따라 본 실시예에 따라 제조된 태양 전지는, p형을 나타내는 불순물층을 얇은 두께의 플로팅 접합층에 의하여 효과적으로 패시베이션 할 수 있고, 이에 의하여 태양 전지의 특성을 향상할 수 있다. Accordingly, the solar cell manufactured according to the present embodiment can effectively passivate the p-type impurity layer by using a thin-floating floating bonding layer, thereby improving the characteristics of the solar cell.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 전극 구조를 도시한 평면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
도 6은 실험예에 따라 제조된 태양 전지의 에미터층 쪽에서 보론 및 인의 농도를 나타낸 그래프이다.
도 7은 비교예에 따라 제조된 태양 전지의 에미터층 쪽에서 보론 및 인의 농도를 나타낸 그래프이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a solar cell according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view showing an electrode structure of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing a solar cell according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a solar cell according to another embodiment of the present invention.
Figure 6 is a graph showing the concentration of boron and phosphorus in the emitter layer side of the solar cell prepared according to the experimental example.
7 is a graph showing concentrations of boron and phosphorus on the emitter layer side of solar cells manufactured according to Comparative Examples.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it is needless to say that the present invention is not limited to these embodiments and can be modified into various forms.
도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, the same reference numerals are used for the same or similar parts throughout the specification. In the drawings, the thickness, the width, and the like are enlarged or reduced in order to make the description more clear, and the thickness, width, etc. of the present invention are not limited to those shown in the drawings.
그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다. Wherever certain parts of the specification are referred to as "comprising ", the description does not exclude other parts and may include other parts, unless specifically stated otherwise. Also, when a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it also includes the case where another portion is located in the middle as well as the other portion. When a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "directly on" another portion, it means that no other portion is located in the middle.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 및 이의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 본 실시예에 따른 태양 전지를 상세하게 설명한 후에 이의 제조 방법을 상세하게 설명한다. Hereinafter, a solar cell and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. After explaining the solar cell according to the present embodiment in detail, a method for producing the same will be described in detail.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 전극 구조를 도시한 평면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a solar cell according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a plan view showing the electrode structure of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(100)는, 반도체 기판(10)과, 반도체 기판(10)의 적어도 일면에 형성되는 제1 불순물층(이하 "에미터층")(20)과, 제1 불순물층(20) 상에 형성되는 플로팅 접합층(26)과, 플로팅 접합층(26) 상에 형성되는 제1 패시베이션 막(21)과, 제1 불순물층(20)에 전기적으로 연결되는 제1 전극(24)을 포함한다. 그리고 제1 패시베이션 막(21) 위에는 반사 방지막(22)이 더 형성될 수 있다. 이와 함께, 반도체 기판(10)의 후면에는 제2 도전형을 나타내는 제2 불순물층(이하 "후면 전계층")(30)과, 후면 전계층(30) 상에 형성되는 제2 패시베이션 막(32)과, 후면 전계층(30)에 전기적으로 연결되는 제2 전극(34)을 더 포함할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다.1 and 2, the
반도체 기판(10)은 다양한 반도체 물질을 포함할 수 있는데, 일례로 제2 불순물을 포함하는 실리콘을 포함할 수 있다. 실리콘으로는 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘이 사용될 수 있으며, 제2 도전형은 일례로 n형일 수 있다. 즉, 반도체 기판(10)은 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등의 5족 원소가 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. The
이와 같이 n형의 반도체 기판(10)을 사용하면, 반도체 기판(10)의 전면에 p형을 가지는 에미터층(20)이 형성되어 pn 접합(junction)을 이루게 된다. 이러한 pn 접합에 광이 조사되면 광전 효과에 의해 생성된 정공이 반도체 기판(10)의 전면 쪽으로 이동하여 제1 전극(24)에 의하여 수집되고, 전자가 반도체 기판(10)의 후면 쪽으로 이동하여 후면 전극(34)에 의하여 수집된다. 이에 의하여 전기 에너지가 발생한다. When the n-
이때, 전자보다 이동 속도가 느린 정공이 반도체 기판(10)의 후면이 아닌 전면으로 이동하여 변환 효율이 향상될 수 있다. In this case, holes having a slower moving speed than electrons may move to the front surface of the
도면에는 도시하지 않았지만, 반도체 기판(10)의 전면 및/또는 후면은 텍스쳐링(texturing)에 의하여 피라미드 등의 형태의 요철을 가질 수 있다. 이와 같은 텍스쳐링에 의해 반도체 기판(10)의 전면 등에 요철이 형성되어 표면 거칠기가 증가되면, 반도체 기판(10)의 전면 등을 통하여 입사되는 광의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 반도체 기판(10)과 에미터층(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달하는 광량을 증가시킬 수 있어, 광 손실을 최소화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 전면에만 요철이 형성되는 것도 가능하며, 요철이 형성되지 않는 것도 가능하다.Although not illustrated, the front and / or rear surfaces of the
반도체 기판(10)의 전면 쪽에는 제1 도전형을 나타내는 에미터층(20)이 형성될 수 있다. 이때, 본 실시예에서 에미터층(20)은 제1 도전형을 구현하기 위한 제1 불순물(202)과 함께, 이와 반대되는 제2 도전형을 나타내는 제1 카운트 불순물(204)을 함께 포함한다. 이에 대해서는 추후에 제조 방법에서 좀더 상세하게 설명한다. An
제1 불순물(202)로 3족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 등의 p형 불순물을 사용할 수 있다. 그리고 제1 카운트 불순물(204)로는 5족 원소인 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등의 n형 불순물을 사용할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 원소 또는 물질을 사용할 수 있음은 물론이다. As the
이때, 에미터층(20)은 제1 카운트 불순물(204)보다 제1 불순물(202)의 농도가 많아 제1 도전형을 나타낼 수 있다. In this case, the
그리고 에미터층(20) 상에는 진성 또는 제2 도전형을 가지는 플로팅 접합층(26)이 형성될 수 있다. 이러한 플로팅 접합층(26)은 에미터층(20)과 마찬가지로 제1 불순물(202) 및 제1 카운트 불순물(204)을 포함하는데, 다만 그 농도에 있어서 차이가 있다. 즉, 플로팅 접합층(26)이 제1 불순물(202)과 동일 또는 극히 유사한 농도의 제1 카운트 불순물(204)을 포함하여 진성을 나타낼 수 있다. 또는, 플로팅 접합층(26)이 제1 카운트 불순물(204)을 제1 불순물(202)보다 낮은 농도로 포함하여, 제2 도전형을 나타낼 수 있다. In addition, a floating
이러한 플로팅 접합층(26)은, 열 성장 산화물을 포함하는 제1 패시베이션 막(21)을 형성할 때 산화물에 대한 제1 불순물(202) 및 제1 카운트 불순물(204)의 특성 차이에 의하여 생성된다. 즉, 제1 불순물(202)은 산화물 부근에서 고갈(depletion)되고 제1 카운트 불순물(204)은 산화물 부근에서 축적(pile up)되므로, 다른 부분에서보다 산화물을 포함하는 제1 패시베이션 막(21) 부근에서 제1 카운트 불순물(204)의 농도가 높아져서 형성되는 층이다. 이에 대해서는 제조 방법에서 좀더 상세하게 설명한다. This floating
이와 같이 플로팅 접합층(26)은 제1 불순물(202) 및 제1 카운트 산화물(204)의 농도가 변화하여 형성된 층으로서, 에미터층(20)과 제1 패시베이션 막(21) 사이에서 얇은 두께로 형성된다. 일례로, 에미터층(20)의 두께(T1)에 대한 플로팅 접합층(26)의 두께(T2) 비율은 0.001~0.1일 수 있다. 상기 두께 비율이 0.1을 초과하면 에미터층(20)과 제1 전극(24)의 접촉 특성이 저하될 수 있고, 상기 두께 비율이 0.001 미만이면 플로팅 접합층(26)에 의한 효과가 충분하지 않을 수 있다. 태양 전지(100)의 설계 사양 등에 따라 차이가 있을 수 있지만, 상기 플로팅 접합층의 두께는 1~100nm(좀더 구체적으로는 3~20nm)일 수 있다. As such, the floating
플로팅 접합층(26) 상에는 제1 패시베이션 막(21) 및 반사 방지막(22)이 형성될 수 있다. The
본 실시예에서 제1 패시베이션 막(21)은 활성화 열처리 단계에서 형성된 열 성장된 반도체 기판(10) 상에 형성된 산화물일 수 있다. 즉, 제1 패시베이션 막(21)은 열 성장 산화물(thermally grown oxide)(좀더 구체적으로는, 반도체 기판(10)을 구성하는 원소를 구비하는 산화물로 구성된다. 예를 들어, 반도체 기판(10)이 실리콘으로 구성될 때 제1 패시베이션 막(21)은 열 성장 실리콘 산화물 포함할 수 있다. In the present embodiment, the
이때, 제1 패시베이션 막(21)은 에미터층(20) 상에서 열성장되므로 에미터층(20) 상에 포함되는 제1 불순물(202) 및 제1 카운트 불순물(204)을 포함하게 된다. 이때, 제1 패시베이션 막(21)에서 제1 불순물(202)의 용해도가 제1 카운트 불순물(204)의 용해도보다 높기 때문에 제1 패시베이션 막(21) 내에서 제1 불순물(202)의 농도가 제1 카운트 불순물(204)의 농도보다 높은 값을 가지게 된다. 좀더 구체적으로는, 제1 패시베시션 막(21)에서 제1 불순물(202)의 최고 농도는 에미터층(20)에서의 제1 불순물(202)의 최고 농도보다 클 수 있다. In this case, since the
상술한 바에서 제1 불순물(202) 및 제1 카운트 불순물(204)의 농도는 이차 이온 질량 분석(SIMS) 등의 방법에 의하여 측정될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 방법에 의하여 측정될 수 있다. As described above, the concentration of the
이러한 제1 패시베이션 막(21)의 형성 방법 등은 추후에 제조 방법에서 좀더 상세하게 설명한다. The formation method of the
제1 패시베이션 막(21)은 에미터층(20)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화하는 역할을 한다. 이때, 에미터층(20) 상에 형성된 아주 얇은 두께로 진성 또는 제2 도전형의 제2 도전형 플로팅 접합층(26)에 의하여 제1 패시베이션 막(21)에 의한 패시베이션 효과를 향상할 수 있다. 즉, 플로팅 접합층(26)이 p형이 아닌 진성 또는 n형을 가지므로 열 성장 실리콘 산화물을 포함하는 제1 패시베이션 막(21)에 의하여 충분히 패시베이션될 수 있다. 또한, 이러한 플로팅 접합층(26) 및 제1 패시베이션 막(21)은 간단한 공정에 의하여 형성될 수 있는데, 이에 대해서는 추후에 제조 방법에서 좀더 상세하게 설명한다. The
일례로, 제1 패시베이션 막(21)의 두께(T3)는 5~50nm(좀더 구체적으로는 5~50nm)일 수 있다. 상기 두께 비율이 50nm을 초과하면 제1 패시베이션 막(21)을 형성하기 위한 공정 시간이 길어질 수 있고, 상기 두께 비율이 5nm 미만이면 패시베이션 특성이 좋지 않을 수 있다. For example, the thickness T3 of the
반사 방지막(22)은 제1 전극(24)이 형성된 부분을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(10)의 전면 전체에 형성될 수 있다. 이러한 반사 방지막(22)은 반도체 기판(10)의 전면을 통해 입사되는 광의 반사율을 감소시킨다. 이에 의하여 반도체 기판(10)과 에미터층(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달되는 광량을 증가시킬 수 있다. 이에 따라 태양 전지(100)의 단락 전류(Isc)를 증가시킬 수 있다. The
반사 방지막(22)은 반사를 방지할 수 있는 다양한 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 반사 방지막(22)은 실리콘 질화막을 포함할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 반사 방지막(22)이 다양한 물질을 가질 수 있음은 물론이다. 즉, 반사 방지막(22)이 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, MgF2, ZnS, TiO2, CeO2 등으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다.The
제1 전극(24)은 반도체 기판(10)의 전면에서 반사 방지막(22)을 관통하여 에미터층(20)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 제1 전극(24)이 플로팅 접합층(26)을 관통하여 에미터층(20)에 접촉되므로 제1 전극(24)과 에미터층(20)의 접촉 특성은 우수하게 유지된다. 또는, 플로팅 접합층(26)이 매우 얇은 두께를 가지므로 제1 전극(24)과 에미터층(20) 사이에 플로팅 접합층(26)이 위치하더라도 전기적 특성에 악영향을 미치지는 않는다.The
이러한 제1 전극(24)은 다양한 평면 형상을 가질 수 있다. 일례로, 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 전극(24)은 제1 간격(D1)을 가지면서 서로 평행하게 배치되는 핑거 전극(24a)을 포함할 수 있다. 이와 함께 제1 전극(24)은 핑거 전극들(24a)과 교차하는 방향으로 형성되어 핑거 전극(24a)을 연결하는 버스 전극(24b)을 포함할 수 있다. 이러한 버스 전극(24b)은 하나만 구비될 수도 있고, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 간격(D1)보다 더 큰 제2 간격(D2)을 가지면서 복수 개로 구비될 수도 있다. 이때, 핑거 전극(24a)의 폭(W1)보다 버스바 전극(24b)의 폭(W2)이 클 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 동일한 폭을 가질 수 있다. 즉, 상술한 제1 전극(24)의 형상은 일례로 제시한 것에 불과하며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 제1 전극(24)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. The
그리고 반도체 기판(10)의 후면 쪽에는 반도체 기판(10)보다 높은 도핑 농도로 제2 도전형을 나타내는 후면 전계층(30)이 형성된다. 후면 전계층(30)은 전자와 정공의 후면 재결합을 최소화하여 태양전지의 효율 향상에 기여할 수 있다. 이러한 후면 전계층(30)은 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등을 포함할 수 있다.In addition, a rear surface
이와 함께 반도체 기판(10)의 후면에는 제2 패시베이션 막(32)과 제2 전극(34)이 형성될 수 있다. In addition, a
제2 패시베이션 막(32)은 제2 전극(34)이 형성된 부분을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(10)의 후면 전체에 형성될 수 있다. 이러한 제2 패시베이션 막(32)은 반도체 기판(10)의 후면에 존재하는 결함을 부동화하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거할 수 있다. 이에 의하여 태양 전지(100)의 개방 전압을 증가시킬 수 있다.The
이러한 제2 패시베이션 막(32)은 광이 투과될 수 있도록 투명한 절연 물질로 이루어질 수 있다. 따라서, 이러한 제2 패시베이션 막(32)을 통하여 반도체 기판(10)의 후면을 통해서도 광이 입사될 수 있도록 하여 태양 전지(100)의 효율을 향상할 수 있다. 일례로, 제2 패시베이션 막(32)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제2 패시베이션 막(32)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. The
제2 전극(34)은 전기 전도성이 우수한 다양한 금속 등을 포함할 수 있다. 그리고, 제2 전극(34)은 도 2에 도시한 제1 전극(24)과 유사한 구조를 가질 수 있는바, 제2 전극(34)의 구체적인 구조에 대해서는 상세한 설명을 생략한다. The
본 실시예에서는 p형의 불순물층인 에미터층(20)의 패시베이션을 위하여 에미터층(20) 상에 얇은 진성 또는 n형의 플로팅 접합층(26)을 형성하고, 이 플로팅 접합층(26) 상에 열성장 산화물을 포함하는 제1 패시베이션 막(26)이 위치하도록 한다. 따라서, p형의 불순물층인 에미터층(20)의 패시베이션 효과를 크게 향상할 수 있다. 또한, 진성 또는 n형의 플로팅 접합층(26) 및 제1 패시베이션 막(26)을 간단한 제조 공정에 의하여 제조할 수 있으며, n형의 플로팅 접합층(26)의 두께 또한 효과적으로 제어할 수 있다. 이하에서 설명하는 제조 방법에서 이를 좀더 상세하게 설명한다. In this embodiment, a thin intrinsic or n-type floating
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 도시한 단면도들이다. 앞에서 설명한 내용에 대해서는 상세한 설명을 생략하고, 설명하지 않은 내용에 대해서 상세하게 설명한다. 3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention. The details described above will be omitted, and details not described will be described in detail.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 제2 도전형의 반도체 기판(10)을 준비한다. 도면에 도시하지는 않았지만, 반도체 기판(10)의 전면 및 후면은 텍스쳐링에 의하여 요철을 가질 수 있다. 텍스처링으로는 습식 또는 건식 텍스처링을 사용할 수 있다. 습식 텍스처링은 텍스처링 용액에 반도체 기판(10)을 침지하는 것에 의해 수행될 수 있으며, 공정 시간이 짧은 장점이 있다. 건식 텍스처링은 다이아몬드 그릴 또는 레이저 등을 이용하여 반도체 기판(10)의 표면을 깍는 것으로, 요철을 균일하게 형성할 수 있는 반면 공정 시간이 길고 반도체 기판(10)에 손상이 발생할 수 있다. 이와 같이 본 발명에서는 다양한 방법으로 반도체 기판(10)을 텍스쳐링 할 수 있다. First, as shown in FIG. 3A, the second
이어서, 도 3b에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(10)에 제1 도전형을 가지는 제1 불순물(202) 및 제2 도전형을 가지는 제1 카운트 불순물(204)을 도핑하여 에미터 형성층(201)을 형성한다. 이때, 제1 불순물(202)을 먼저 도핑한 후에 제1 카운트 불순물(204)을 도핑할 수도 있고, 제1 카운트 불순물(204)을 먼저 도핑한 후에 제1 불순물(202)을 도핑할 수도 있다. 도핑 방법으로는 다양한 방법을 사용할 수 있는데, 일례로 이온 주입 방법을 사용할 수 있다. Subsequently, as shown in FIG. 3B, the
이때, 제1 불순물(202)의 도핑량(또는 주입량(dose))보다 제1 카운트 불순물(204)의 도핑량이 작도록 하여 에미터층(201)이 제1 도전형을 나타낼 수 있도록 한다. 일례로, 제1 불순물(202)의 도핑량에 대한 제1 카운트 불순물(204)의 도핑량의 비율이 0.1~0.5일 수 있다. 상기 비율이 0.1 미만이면, 제1 카운트 불순물(204)에 의한 효과가 충분하지 않을 수 있다. 상기 비율이 0.5를 초과하면, 제1 불순물(202)이 많이 손실되어 비효율적이며 벌크 수명(bulk life time)이 저하될 수 있다. At this time, the doping amount of the
그리고 제1 카운트 불순물(204)의 주입 에너지는 제1 불순물(202)의 주입 에너지보다 작도록 하여 제1 카운트 불순물(204)에 의한 반도체 손상을 최소화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 카운트 불순물(204)의 주입 에너지는 다양하게 달라질 수 있다. In addition, the implantation energy of the
이어서, 도 3c에 도시한 바와 같이, 활성화 열처리에 의하여 제1 불순물층인 에미터층(20)을 활성화하면서, 플로팅 접합층(26) 및 제1 패시베이션 막(21)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 3C, the floating
제1 불순물(202) 및 제1 카운트 불순물(204)을 반도체 기판(10)에 이온 주입하게 되면, 주입된 불순물들은 격자 위치가 아닌 위치에 위치하여 활성화되어 있지 않는다. 이런 상태의 반도체 기판(10)을 어닐링하면 제1 불순물(202) 및 제1 카운트 불순물(204)이 격자 위치로 옮겨져 활성화된다. 이러한 활성화에 의하여 반도체 기판(10)의 전면에 형성된 에미터 형성층(201)으로부터 에미터층(20)이 형성된다. When the
활성화 열처리를 위한 열처리 온도는 900~1300℃일 수 있다. 열처리 온도가 1300℃를 초과하면 반도체 기판(10)이 손상될 수 있으며 높은 공정 온도에 의하여 비용이 증가할 수 있다. 열처리 온도가 900℃ 미만이면 불순물들이 충분히 활성화 되기 어렵다. The heat treatment temperature for the activation heat treatment may be 900 ~ 1300 ℃. When the heat treatment temperature exceeds 1300 ° C., the
이때, 본 실시예에서는 산소 분위기에서 활성화 열처리를 수행하는 산소 열처리 공정을 포함하여 열 성장 산화물을 포함하는 제1 패시베이션 막(21)을 함께 성장시킬 수 있다. 좀더 상세하게는, 활성화 열처리는, 불활성 기체 분위기에서 수행되는 불활성 열처리 공정과, 산소 기체 분위기에서 수행되는 산소 열처리 공정을 포함할 수 있다. In this embodiment, the
먼저, 불활성 열처리 공정을 수행하여 제1 불순물(202) 등을 충분히 활성화한 다음, 산소 열처리 공정을 수행하여 제1 패시베이션 막(21)을 형성하면서 에미터층(20)과 제1 패시베이션 막(21) 사이에 플로팅 접합층(26)을 형성할 수 있다. 이와 같이 불활성 열처리 공정을 먼저 수행하여야 제1 불순물(202)의 손실을 줄일 수 있다. First, the inert heat treatment process is performed to sufficiently activate the
이때, 산소 열처리 공정의 시간을 불활성 열처리 공정의 시간보다 길게 하여 제1 패시베이션 막(21) 및 플로팅 접합층(26)이 원하는 두께로 형성될 수 있도록 할 수 있다. 일례로, 불활성 열처리 공정은 1~20분 동안 수행될 수 있고, 산소 열처리 공정은 2~80분 동안 수행될 수 있다. 시간이 상술한 범위보다 짧으면 활성화 및/또는 제1 패시베이션 막(21) 등의 두께가 충분하지 않을 수 있다. 시간이 상술한 범위보다 길면 공정 시간이 지나치게 증가할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 불활성 열처리 공정 및 산소 열처리 공정의 시간이 다양하게 변형될 수 있음은 물론이다. In this case, the time of the oxygen heat treatment process may be longer than the time of the inert heat treatment process so that the
산소 열처리 공정에서 성장되는 제1 패시베이션 막(21)은 산소 분위기에 의해 제공된 산소와 에미터층(20)을 구성하는 실리콘 원자가 결합하여 형성된 열 성장 실리콘 산화물로 구성될 수 있다. The
이때, 에미터층(20) 내에 제1 불순물(202) 및 제2 불순물(204)이 포함되므로 제1 패시베이션 막(21)에도 제1 불순물(202) 및 제2 불순물(204)이 포함된다. 제1 패시베이션 막(21)을 구성하는 실리콘 산화물 내에서 제1 불순물(202)의 용해도가 제1 카운트 불순물(204)의 용해도보다 높다. 따라서, 제1 패시베이션 막(21) 내에서 제1 불순물(202)의 농도가 제1 카운트 불순물(204)의 농도보다 높은 값을 가지게 된다. 그러면, 제1 패시베이션 막(21)의 경계 부근에 위치한 제1 불순물(202)이 제1 패시베이션 막(21) 내로 용해되면서 제1 패시베이션 막(21)에 경계 부근에서 제1 불순물(202)이 고갈된다. 반면, 제1 패시베이션 막(21)의 경계 부근에 위치한 제1 카운트 불순물(204)은 제1 패시베이션 막(21)에서의 용해도가 높지 않으므로, 제1 패시베이션 막(21)의 경계 부근에서 축적된다. In this case, since the
이에 따라, 에미터층(20)과 제1 패시베이션 막(21)의 사이에는 제1 불순물(202)의 농도가 상대적으로 작아지고 제1 카운트 불순물(204)의 농도가 다른 부분보다 상대적으로 커지게 된다. 이에 따라 에미터층(20)과 제1 패시베이션 막(21) 사이에 얇은 두께로 진성 또는 제2 도전형을 가지는 플로팅 접합층(26)이 형성된다. 이에 따라 플로팅 접합층(26)이 에미터층(20)과 제1 패시베이션 막(21) 사이에서 이들에 접촉하여 형성된다. Accordingly, the concentration of the
플로팅 접합층(26) 및 제1 패시베이션 막(21)의 두께 등은 앞서 설명하였으므로 이에 대한 설명을 생략한다. Since the thickness of the floating
이어서, 도 3d에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(10)의 전면에 반사 방지막(22)을 형성하고, 반도체 기판(10)의 후면에 후면 전계층(30) 및 제2 패시베이션 막(32)을 형성한다. 반사 방지막(22), 후면 전계층(30) 및 제2 패시베이션 막(32)의 형성 순서는 다양하게 변형될 수 있으며 본 발명이 이에 한정되지 않는다. Subsequently, as shown in FIG. 3D, an
반사 방지막(22) 및 제2 패시베이션 막(32)은 진공 증착법, 화학 기상 증착법, 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅 등과 같은 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있다. 후면 전계층(30)은 이온 주입법, 열 확산법 등에 의하여 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 후면 전계층(30)을 형성하지 않거나, 제2 전극(34)을 형성하는 단계에서 형성하는 등 다양하게 변형 가능하다. The
이어서, 도 3g에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(10)의 전면에 에미터층(20)의 제1 부분(20a)에 접촉하는 제1 전극(24)을 형성하고, 반도체 기판(10)의 후면에 후면 전계층(30)의 제1 부분(30a)에 접촉하는 제2 전극(34)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 3G, a
층(26), 제1 패시베이션 막(21) 및 반사 방지막(22)에 개구부를 형성하고 개구부 내에 도금법, 증착법 등의 다양한 방법으로 제1 전극(24)을 형성할 수 있다. 그리고 제2 패시베이션 막(32)에 개구부를 형성하고, 이 개구부 내에 도금법, 증착법 등의 다양한 방법으로 제2 전극(34)을 형성할 수 있다. An opening may be formed in the
또는, 제1 및 제2 전극 형성용 페이스트를 반사 방지막(22) 및 패시베이션 막(32) 상에 각기 스크린 인쇄 등으로 도포한 후에 파이어 스루(fire through) 또는 레이저 소성 컨택(laser firing contact) 등을 하여 상술한 형상의 제1 및 제2 전극(24, 34)을 형성하는 것도 가능하다. 이 경우에는 별도로 개구부를 형성하는 공정을 수행하지 않아도 된다. Alternatively, the first and second electrode formation paste may be applied on the
이와 같이 본 실시예에서는 제1 카운트 불순물(204)을 도핑한 후에 수행되는 활성화 열처리가 산소 열처리 공정을 구비하여, 에미터층(20) 상에 제1 패시베이션 막(21)을 성장시키면서 에미터층(20)과 제1 패시베이션 막(21) 사이에 얇은 두께의 플로팅 접합층(26)이 형성되도록 한다. 이에 따라 간단한 공정에 의하여 플로팅 접합층(26) 및 제1 패시베이션 막(21)을 형성할 수 있으며, 플로팅 접합층(26)의 두께를 효과적으로 제어할 수 있다. As described above, in the present embodiment, the activation heat treatment performed after the doping of the
종래에는 p형의 불순물층인 에미터층(20)의 패시베이션을 위해서 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등을 사용하였다. 그러나 이러한 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물은 고정 양전하(positive fixed charge)를 가지므로 p형의 불순물층을 패시베이션하는 데는 적당하지 않았다. Conventionally, silicon oxide, silicon nitride, or the like is used for passivation of the
이를 고려하여 p형의 불순물층에 음전하를 나타내는 알루미늄 산화물을 포함하는 패시베이션 막을 사용하는 방법이 제안되었다. 알루미늄 산화물을 포함하는 패시베이션 막은 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)에 의하여 형성될 수 있는데, 이 방법에 따르면 공정 시간이 길어 생산성이 높지 않다. 또는, 열확산법 또는 이온 주입법으로 n형 불순물을 주입하여 p형 불순물층 상에 얇은 두께의 n형의 플로팅 접합층을 형성하는 방법이 제안되었다. 그런데 열확산법 또는 이온 주입법에 의하여 n형 플로팅 접합층을 형성할 경우에는 두께 제어가 쉽지 않으며 p형의 불순물층이 손상되는 등의 문제가 있었다. In consideration of this, a method of using a passivation film containing aluminum oxide exhibiting a negative charge in a p-type impurity layer has been proposed. The passivation film containing aluminum oxide can be formed by atomic layer deposition (ALD). According to this method, the process time is long and productivity is not high. Alternatively, a method of forming a thin n-type floating bonding layer on a p-type impurity layer by implanting n-type impurities by thermal diffusion or ion implantation has been proposed. However, when the n-type floating junction layer is formed by thermal diffusion or ion implantation, thickness control is not easy and there is a problem that the p-type impurity layer is damaged.
반면, 본 실시예에서는 제1 불순물(202) 및 제1 카운트 불순물(204)을 포함하는 에미터층(20)에 산소 열처리 공정을 포함하는 활성화 열처리를 수행한다. 이에 따라 열 성장 산화물로 구성되는 제1 패시베이션 막(21)을 형성하는 공정에서 자연스럽게 플로팅 접합층(26)이 형성되도록 한다. 이에 따라 공정을 단순화하면서도 플로팅 접합층(26)을 아주 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 에미터층(20)의 손상을 최소화할 수 있다. In contrast, in the present exemplary embodiment, an activation heat treatment including an oxygen heat treatment is performed on the
본 실시예에서는 에미터층(20)을 위한 제1 불순물(202) 및 제1 카운트 불순물(204)을 먼저 도핑하여 활성화 열처리한 후에, 후면 전계층(30)을 위한 제2 불순물을 도핑하는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 에미터층(20)의 형성을 위한 제1 불순물(202) 및 제1 카운트 불순물(204), 후면 전계층(30)의 형성을 위한 제2 불순물(302)의 도핑 순서 등을 다양하게 변형할 수 있다.
In this embodiment, the
상술한 실시예에서는 일례로 p형의 불순물층이 에미터층(20)인 것을 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 p형의 불순물층이 후면 전계층(30)일 수도 있다. 이러한 실시예를 도 4를 참조하여 설명한다.In the above-described embodiment, for example, the p-type impurity layer is an
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다. 4 is a cross-sectional view of a solar cell according to another embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 본 실시예에서는 후면 전계층(30)이 p형의 제2 불순물(302)와 함께 n형의 제2 카운트 불순물(304)을 포함한다. 이에 따라 제2 패시베이션 막(32)이 열 성장 산화물로 구성되며, 제2 도전형의 제2 불순물(302)과 제2 카운트 불순물(304)을 포함한다. 그리고 후면 전계층(30)과 제2 패시베이션 막(32) 사이에 제2 카운트 불순물(304)을 제1 불순물(302)과 유사하게 포함하거나 더 많이 포함하여 진성 또는 n형을 나타내는 플로팅 접합층(36)이 형성된다. Referring to FIG. 4, in the present exemplary embodiment, the back
에미터층(20) 대신 후면 전계층(30)에 본 발명의 실시예를 적용하였다는 점 이외에는 도 1에서 설명한 바와 동일 또는 극히 유사하므로, 이에 대한 설명은 생략한다. Except that the embodiment of the present invention is applied to the rear
또한, 상술한 실시예에서는 일례로 불순물층인 에미터층(20) 또는/및 후면 전계층(30)이 균일한 도핑 농도를 가지는 것을 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 에미터층(20) 또는/및 후면 전계층(30)이 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 이러한 실시예를 도 5를 참조하여 설명한다.In addition, in the above-described embodiment, for example, the
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다. 5 is a cross-sectional view of a solar cell according to another embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지는 제1 비정질층인 에미터층(20)이 선택적 에미터(selective emitter) 구조를 가지고, 제2 비정질층인 후면 전계층(30)이 선택적 후면 전계(selective back surface field) 구조를 가진다. Referring to FIG. 5, in the solar cell according to the present embodiment, the
선택적 에미터 구조를 가지는 에미터층(20)은, 제1 전극(24)과 인접하여 형성되어 제1 전극(24)과 접촉 형성되는 제1 부분(20a)과, 제1 부분(20a) 이외의 부분에 형성되는 제2 부분(20b)을 포함할 수 있다. An
제1 부분(20a)은 제1 불순물(202)의 농도가 상대적으로 커서 상대적으로 낮은 저항을 가지고, 제2 부분(20b)은 제1 불순물(202)의 농도가 상대적으로 작아서 상대적으로 높은 저항을 가질 수 있다. 이와 같이, 본 실시예에서는 광이 입사되는 제1 전극(24) 사이에 대응하는 부분에 상대적으로 높은 저항의 제2 부분(20b)를 형성하여 얕은 에미터(shallow emitter)를 구현한다. 이에 의하여 태양 전지(100)의 전류 밀도를 향상할 수 있다. 이와 함께, 제1 전극(24)과 인접하는 부분에 상대적으로 낮은 저항의 제1 부분(20a)을 형성하여 제1 전극(24)과의 접촉 저항을 저감시킬 수 있다. 즉, 본 실시예의 에미터층(20)은 선택적 에미터 구조에 의하여 태양 전지(100)의 효율을 최대화할 수 있다. The first portion 20a has a relatively low resistance because the concentration of the
이를 위하여 제1 불순물(202)은 제1 부분(20a)에서 상대적으로 많이 도핑되고, 제2 부분(20b)에서 상대적으로 적게 주입될 수 있다. 이와 같이 제1 부분(20a)과 제2 부분(20b)의 주입량을 서로 다르게 하기 위하여 콤 마스크(comb mask)를 사용할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 부분(20a)의 도핑 횟수를 제2 부분(20b)의 도핑 횟수보다 많게 하는 등의 다양한 방법을 사용할 수 있다. To this end, the
이때, 본 실시예에서 제1 카운트 불순물(204)은 반도체 기판(10)의 전면에서 전체적으로 균일하게 주입될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 카운트 불순물(204)의 도핑량도 제1 및 제2 부분(20a, 20b)에서 서로 다를 수 있다. At this time, in the present exemplary embodiment, the
그리고 선택적 후면 전계 구조를 가지는 후면 전계층(30)은, 제2 전극(34)과 인접하여 형성되어 제2 전극(34)과 접촉 형성되는 제1 부분(30a)과, 제1 부분(30a) 이외의 부분에 형성되는 제2 부분(30b)을 포함할 수 있다. In addition, the backside
제1 부분(30a)은 제2 불순물의 농도가 상대적으로 커서 상대적으로 낮은 저항을 가지고, 제2 부분(30b)은 제2 불순물의 농도가 상대적으로 작아서 상대적으로 높은 저항을 가질 수 있다. 이와 같이, 본 실시예에서는 제2 전극(34) 사이에 대응하는 부분에 상대적으로 높은 저항의 제2 부분(30b)를 형성하여 정공과 전자의 재결합을 방지할 수 있다. 이에 의하여 태양 전지(100)의 전류 밀도를 향상할 수 있다. 이와 함께, 제2 전극(34)과 인접하는 부분에 상대적으로 낮은 저항의 제1 부분(30a)을 형성하여 제2 전극(34)과의 접촉 저항을 저감시킬 수 있다. 즉, 본 실시예의 후면 전계층(30)은 선택적 후면 전계 구조에 의하여 태양 전지(100)의 효율을 최대화할 수 있다. The
이를 위하여 제2 불순물은 제1 부분(30a)에서 상대적으로 많이 도핑되고, 제2 부분(30b)에서 상대적으로 적게 주입될 수 있다. 이와 같이 제1 부분(30a)과 제2 부분(30b)의 주입량을 서로 다르게 하기 위하여 콤 마스크(comb mask)를 사용할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 부분(30a)의 도핑 횟수를 제2 부분(30b)의 도핑 횟수보다 많게 하는 등의 다양한 방법을 사용할 수 있다. To this end, the second impurity may be relatively doped in the
이와 같이 본 실시예에서는 에미터층(20) 및 후면 전계층(30)이 서로 다른 저항을 가지는 부분들을 포함하는 선택적 구조를 가져 태양 전지(100)의 효율을 향상할 수 있다. As such, in the present exemplary embodiment, the
이때, 도 5 및 상술한 설명에서는 에미터층(20) 및 후면 전계층(30)이 모두 선택적 구조를 가지는 것을 예시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 에미터층(20) 및 후면 전계층(30) 중 적어도 어느 하나만이 선택적 구조를 가질 수 있다. 또한, 도 5 및 상술한 설명에서는 에미터층(20)이 p형인 경우를 예시하였으나, 도 4의 실시예에서와 같이 후면 전계층(30)이 p형인 경우에도 적용이 가능함은 물론이다.
5 and the above description illustrate that both the
이하에서는 본 발명의 실험예를 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 그러나 아래의 실험예는 본 발명을 예시하는 것에 불과하며 본 발명이 아래 실험예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples of the present invention. However, the following experimental examples are merely illustrative of the present invention and the present invention is not limited to the following experimental examples.
실험예Experimental Example 1 One
n형의 반도체 기판을 준비하였다. 반도체 기판의 전면에 이온 주입법에 의하여 보론(B)을 도핑하고, 반도체 기판의 후면에 이온 주입법에 의하여 인(P)을 도핑하고, 반도체 기판의 전면에 이온 주입법에 의하여 인(P)을 도핑하였다. 반도체 기판의 전면에 주입된 보론의 주입량은 인의 주입량의 2배였다. 인의 주입 에너지는 보론을 도핑할 때의 보론의 주입 에너지보다 낮은 수준이었다. 반도체 기판을 1000℃에서 활성화 열처리하였다. 활성화 열처리는 불활성 분위기에서 10분간 유지한 다음 산소 분위기에서 30분간 수행되었다. an n-type semiconductor substrate was prepared. Boron (B) was doped on the front surface of the semiconductor substrate by ion implantation, phosphorus (P) was doped on the back surface of the semiconductor substrate by ion implantation, and phosphorus (P) was doped on the front surface of the semiconductor substrate by ion implantation. . The amount of boron injected into the front surface of the semiconductor substrate was twice the amount of phosphorus injected. The implantation energy of phosphorus was lower than that of boron when doping boron. The semiconductor substrate was activated heat treated at 1000 ° C. The activation heat treatment was performed for 10 minutes in an inert atmosphere and then for 30 minutes in an oxygen atmosphere.
반도체 기판의 전면에 반사 방지막을 형성하고, 반도체 기판의 후면에 제2 패시베이션 막을 형성하였다. 그리고 에미터층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 후면 전계층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 형성하여 태양 전지를 제조하였다. An antireflection film was formed on the front surface of the semiconductor substrate, and a second passivation film was formed on the back surface of the semiconductor substrate. The solar cell was manufactured by forming a first electrode electrically connected to the emitter layer and a second electrode electrically connected to the rear field layer.
비교예Comparative Example
활성화 열처리를 불활성 분위기에서 40분간 유지하여 수행하고 산소 분위기에서는 수행하지 않았다는 점을 제외하고는 실험예와 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
The solar cell was manufactured in the same manner as in Experimental Example, except that the activation heat treatment was performed in an inert atmosphere for 40 minutes and not in an oxygen atmosphere.
실험예 및 비교예에 따라 제조된 태양 전지의 에미터층 쪽에서 보론 및 인의 농도를 측정하여 이를 각기 도 6 및 도 7에 나타내었다. 도 6 및 도 7에서 x축은 반도체 기판의 상면에서부터의 거리이고, y축은 보론 또는 인의 농도를 로그(log) 값으로 환산하여 나타낸 것이다. The concentrations of boron and phosphorus at the emitter layer side of the solar cells manufactured according to the experimental and comparative examples were measured and shown in FIGS. 6 and 7, respectively. In FIG. 6 and FIG. 7, the x axis represents a distance from an upper surface of the semiconductor substrate, and the y axis represents a concentration of boron or phosphorus in terms of a log value.
도 7을 참조하면, 실험예에서는 A 부분에서 보론의 농도가 인보다 높은 제1 패시베이션 막이 형성되고, B 부분에서 보론의 농도가 인보다 적은 플로팅 접합층이 형성되었음을 알 수 있다. 이때, B 부분의 플로팅 접합층은 매우 얇은 두께로 형성되어 패시베이션 특성을 향상하게 된다. Referring to FIG. 7, it can be seen that in the experimental example, a first passivation film having a higher boron concentration than phosphorus in the A portion is formed, and a floating bonding layer having a lower boron concentration than the phosphorus in the B portion is formed. At this time, the floating bonding layer of the B portion is formed to a very thin thickness to improve the passivation characteristics.
반면, 도 7을 참조하면, 비교예에서는 실험예의 A 부분 및 B 부분에 해당하는 부분이 존재하지 않음을 알 수 있다. On the other hand, referring to Figure 7, it can be seen that in the comparative example there is no portion corresponding to the A portion and B portion of the experimental example.
상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects and the like according to the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
100: 태양 전지
20: 에미터층
21: 제1 패시베이션 막
26: 플로팅 접합층
30: 후면 전계층
202: 제1 불순물
204: 제1 카운트 불순물 100: Solar cell
20: Emitter layer
21: First passivation film
26: floating bonding layer
30: rear front layer
202: first impurity
204: First count impurity
Claims (20)
상기 반도체 기판에 제1 도전형을 가지는 제1 불순물 및 상기 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형을 가지는 제1 카운트 불순물을 도핑하여 제1 불순물층을 형성하는 단계; 및
상기 반도체 기판을 열처리하여 상기 제1 불순물층을 활성화하는 열처리 단계
를 포함하고,
상기 제1 불순물층을 형성하는 단계에서 상기 제1 카운트 불순물의 도핑량이 상기 제1 불순물의 도핑량보다 작고,
상기 열처리 단계는 산소 분위기에서 수행되는 산소 열처리 공정을 포함하고, 상기 산소 열처리 공정에서는 상기 제1 불순물층의 위에 제1 패시베이션 막이 형성되면서 상기 제1 불순물층과 상기 제1 패시베이션 막 사이에 상기 제2 도전형 또는 진성의 플로팅 접합(floating junction)층이 형성되는 태양 전지의 제조 방법. Preparing a semiconductor substrate;
Doping a first impurity layer having a first conductivity type and a first count impurity having a second conductivity type opposite to the first conductivity type in the semiconductor substrate to form a first impurity layer; And
A heat treatment step of activating the first impurity layer by heat treating the semiconductor substrate
Lt; / RTI >
In the step of forming the first impurity layer, the doping amount of the first count impurity is less than the doping amount of the first impurity,
The heat treatment step includes an oxygen heat treatment process performed in an oxygen atmosphere, and in the oxygen heat treatment process, a first passivation film is formed on the first impurity layer, and the second impurity layer is formed between the first impurity layer and the first passivation film. A method of manufacturing a solar cell in which a conductive or intrinsic floating junction layer is formed.
상기 제1 패시베이션 막은 상기 반도체 기판을 구성하는 원소를 구비하는 산화물로 구성되고, 상기 제1 카운트 불순물 및 상기 제1 불순물을 포함하는 포함하는 태양 전지의 제조 방법. The method of claim 1,
And the first passivation film is composed of an oxide comprising an element constituting the semiconductor substrate, and includes the first count impurity and the first impurity.
상기 플로팅 접합층에서는 상기 제1 카운트 불순물의 농도와 상기 제1 불순물의 농도가 같거나 상기 제1 카운트 불순물의 농도보다 상기 제1 불순물의 농도가 낮고,
상기 제1 패시베이션 막에서는 상기 제1 카운트 불순물의 농도보다 상기 제1 불순물의 농도가 높은 태양 전지의 제조 방법. 3. The method of claim 2,
In the floating bonding layer, the concentration of the first count impurity is equal to the concentration of the first impurity, or the concentration of the first impurity is lower than that of the first count impurity,
And the first passivation film has a higher concentration of the first impurity than that of the first count impurity.
상기 반도체 기판이 상기 제2 도전형을 가지고,
상기 제1 도전형이 p형이고, 상기 제2 도전형이 n형이며,
상기 제1 불순물층이 에미터층인 태양 전지의 제조 방법. The method of claim 1,
The semiconductor substrate has the second conductivity type,
The first conductivity type is p-type, the second conductivity type is n-type,
The method of manufacturing a solar cell, wherein the first impurity layer is an emitter layer.
상기 제1 불순물층을 형성하는 단계에서, 상기 제1 불순물의 도핑량에 대한 상기 제1 카운트 불순물의 도핑량의 비율이 0.1~0.5인 태양 전지의 제조 방법.The method of claim 1,
In the forming of the first impurity layer, the ratio of the doping amount of the first count impurity to the doping amount of the first impurity is 0.1 to 0.5.
상기 제1 불순물층을 형성하는 단계에서, 상기 제1 불순물 및 상기 제1 카운트 불순물은 이온 주입법에 의하여 도핑되고,
상기 제1 불순물의 주입 에너지보다 상기 카운트 불순물의 주입 에너지가 더 작은 태양 전지의 제조 방법. The method of claim 1,
In the forming of the first impurity layer, the first impurity and the first count impurity are doped by an ion implantation method,
The manufacturing method of the solar cell of which the injection energy of the said count impurity is smaller than the implantation energy of the said 1st impurity.
상기 플로팅 접합층의 두께가 1~100nm인 태양 전지의 제조 방법. The method of claim 1,
The manufacturing method of the solar cell whose thickness of the said floating bonding layer is 1-100 nm.
상기 플로팅 접합층의 두께가 3~20nm인 태양 전지의 제조 방법. The method of claim 7, wherein
The manufacturing method of the solar cell whose thickness of the said floating bonding layer is 3-20 nm.
상기 제1 불순물층의 두께에 대한 상기 플로팅 접합층의 두께 비율이 0.001~0.1인 태양 전지의 제조 방법. The method of claim 1,
The thickness ratio of the said floating bonding layer with respect to the thickness of a said 1st impurity layer is a manufacturing method of the solar cell.
상기 열처리 단계는, 불활성 기체 분위기에서 수행되는 불활성 열처리 공정을 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.The method of claim 1,
The heat treatment step, the method of manufacturing a solar cell further comprises an inert heat treatment process performed in an inert gas atmosphere.
상기 불활성 열처리 공정 이후에 상기 산소 열처리 공정이 수행되는 태양 전지의 제조 방법. The method of claim 10,
The method of manufacturing a solar cell is the oxygen heat treatment step is performed after the inert heat treatment step.
상기 불활성 열처리 공정 시간보다 상기 산소 열처리 공정 시간이 더 긴 태양 전지의 제조 방법. The method of claim 10,
The method of manufacturing a solar cell having a longer oxygen heat treatment process time than the inert heat treatment process time.
상기 반도체 기판의 적어도 일면에 형성되며 제1 도전형을 가지는 제1 불순물층;
상기 제1 불순물층 상에 상기 제1 불순물층보다 얇은 두께로 형성되며, 진성 또는 상기 제1 도전형에 반대되는 제2 도전형을 가지는 플로팅 접합층;
상기 플로팅 접합층 상에 형성되는 제1 패시베이션 막; 및
상기 제1 불순물층에 전기적으로 연결되는 제1 전극
을 포함하고,
상기 제1 패시베이션 막은 상기 반도체 기판을 구성하는 원소를 구비하는 산화물로 구성되며,
상기 제1 불순물층, 상기 플로팅 접합층, 상기 제1 패시베이션 막은, 상기 제1 도전형의 제1 불순물 및 상기 제2 도전형의 제1 카운트 불순물을 포함하는 태양 전지. A semiconductor substrate;
A first impurity layer formed on at least one surface of the semiconductor substrate and having a first conductivity type;
A floating bonding layer formed on the first impurity layer in a thickness smaller than that of the first impurity layer and having a second conductivity type opposite to the intrinsic or first conductivity type;
A first passivation film formed on the floating bonding layer; And
A first electrode electrically connected to the first impurity layer
/ RTI >
The first passivation film is composed of an oxide having an element constituting the semiconductor substrate,
The first impurity layer, the floating bonding layer, and the first passivation film include a first impurity of the first conductivity type and a first count impurity of the second conductivity type.
상기 플로팅 접합층에서는 상기 제1 카운트 불순물의 농도와 상기 제1 불순물의 농도가 같거나 상기 제1 카운트 불순물의 농도보다 상기 제1 불순물의 농도가 낮고,
상기 제1 패시베이션 막에서는 상기 제1 카운트 불순물의 농도보다 상기 제1 불순물의 농도가 높은 태양 전지. The method of claim 13,
In the floating bonding layer, the concentration of the first count impurity is equal to the concentration of the first impurity, or the concentration of the first impurity is lower than that of the first count impurity,
And a concentration of the first impurity in the first passivation film is higher than that of the first count impurity.
상기 반도체 기판이 상기 제2 도전형을 가지고,
상기 제1 도전형이 p형이고, 상기 제2 도전형이 n형이며,
상기 제1 불순물층이 에미터층인 태양 전지. The method of claim 13,
The semiconductor substrate has the second conductivity type,
The first conductivity type is p-type, the second conductivity type is n-type,
The solar cell of which the first impurity layer is an emitter layer.
상기 플로팅 접합층의 두께가 1~100nm인 태양 전지. The method of claim 13,
A solar cell having a thickness of the floating bonding layer is 1 ~ 100nm.
상기 플로팅 접합층의 두께가 3~20nm인 태양 전지. 17. The method of claim 16,
A solar cell having a thickness of the floating bonding layer is 3 ~ 20nm.
상기 제1 불순물층의 두께에 대한 상기 플로팅 접합층의 두께 비율이 0.001~0.1인 태양 전지. The method of claim 13,
The solar cell having a thickness ratio of the floating bonding layer to the thickness of the first impurity layer is 0.001 ~ 0.1.
상기 제1 패시베이션 막의 두께가 10~30nm인 태양 전지. The method of claim 1,
The solar cell having a thickness of the first passivation film is 10 ~ 30nm.
상기 플로팅 접합층이 상기 제1 불순물층 및 상기 제1 패시베이션 막에 접촉 형성되는 태양 전지.
20. The method of claim 19,
And the floating bonding layer is in contact with the first impurity layer and the first passivation film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120053686A KR101850326B1 (en) | 2012-05-21 | 2012-05-21 | Solar cell and method for manufacuring the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120053686A KR101850326B1 (en) | 2012-05-21 | 2012-05-21 | Solar cell and method for manufacuring the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130129656A true KR20130129656A (en) | 2013-11-29 |
KR101850326B1 KR101850326B1 (en) | 2018-04-19 |
Family
ID=49856209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120053686A KR101850326B1 (en) | 2012-05-21 | 2012-05-21 | Solar cell and method for manufacuring the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101850326B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200001332A (en) * | 2018-06-27 | 2020-01-06 | 한국생산기술연구원 | High efficiency PERC solar cell |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090223549A1 (en) | 2008-03-10 | 2009-09-10 | Calisolar, Inc. | solar cell and fabrication method using crystalline silicon based on lower grade feedstock materials |
US8110431B2 (en) | 2010-06-03 | 2012-02-07 | Suniva, Inc. | Ion implanted selective emitter solar cells with in situ surface passivation |
-
2012
- 2012-05-21 KR KR1020120053686A patent/KR101850326B1/en active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200001332A (en) * | 2018-06-27 | 2020-01-06 | 한국생산기술연구원 | High efficiency PERC solar cell |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101850326B1 (en) | 2018-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6059173B2 (en) | Solar cell | |
KR101889775B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the smae | |
US9978888B2 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
KR101872786B1 (en) | Method for manufacturing solar cell and dopant layer thereof | |
KR20140135881A (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
KR101699743B1 (en) | Solar cell | |
KR100990864B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
KR102320551B1 (en) | Method for manufacturing solar cell | |
KR101879781B1 (en) | Solar cell, method for manufacturing dopant layer, and method for manufacturing solar cell | |
KR101625876B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
KR102053140B1 (en) | Solar cell | |
KR20140140200A (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
KR20150029203A (en) | Solar cell | |
KR20140140201A (en) | Method for manufacturing solar cell and dopant region thereof | |
KR101850326B1 (en) | Solar cell and method for manufacuring the same | |
KR20140114537A (en) | Method for manufacturing solar cell | |
KR20130061346A (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
KR20160111623A (en) | Solar cell | |
KR20160097922A (en) | Solar cell | |
KR101889774B1 (en) | Solar cell | |
KR101929444B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
KR102132741B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
KR101929445B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
KR20160063010A (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
KR102024084B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |