KR20130121611A - 표시장치, 광 변환 부재 및 광 변환 부재의 제조방법 - Google Patents

표시장치, 광 변환 부재 및 광 변환 부재의 제조방법 Download PDF

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Abstract

실시예에 따른 광 변환 부재는, 하부 기판; 상기 하부 기판 상에 위치하는 파장 변환층; 및 상기 파장 변환층 상에 위치하는 상부 기판을 포함하고, 상기 하부 기판은 상기 하부 기판의 적어도 일면에 형성되는 반사층을 포함한다.
실시예에 따른 표시장치는, 광원; 상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 광 변환 부재; 및 상기 광 변환 부재에 의해서 변환되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고, 상기 광 변환 부재는, 하부 기판; 상기 하부 기판 상에 위치하는 파장 변환층; 및 상기 파장 변환층 상에 위치하는 상부 기판을 포함하고, 상기 하부 기판은 상기 하부 기판의 적어도 일면에 형성되는 반사층을 포함한다.

Description

표시장치, 광 변환 부재 및 광 변환 부재의 제조방법{DISPLAY, LIGHT CONVERSION MEMBER AND METHOD OF FABRICATING LIGHT CONVERSION MEMBER}
실시예는 표시장치, 광 변환 부재 및 광 변환 부재의 제조방법에 관한 것이다.
최근 종래의 CRT를 대신하여 액정표시장치(LCD), PDP(plasma display panel), OLED(organic light emitting diode) 등의 평판표시장치가 많이 개발되고 있다.
이 중 액정표시장치는 박막트랜지스터 기판, 컬러필터 기판 그리고 양 기판 사이에 액정이 주입되어 있는 액정표시패널을 포함한다. 액정표시패널은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판의 하면에는 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛이 위치한다. 백라이트 유닛에서 조사된 빛은 액정의 배열상태에 따라 투과량이 조정된다.
백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 에지형과 직하형으로 구분된다. 에지형은 도광판의 측면에 광원이 설치되는 구조이다.
직하형은 액정표시장치의 크기가 대형화되면서 중점적으로 개발된 구조로서, 액정표시패널의 하부면에 하나 이상의 광원을 배치시켜 액정표시패널에 전면적으로 빛을 공급하는 구조이다.
이러한 직하형 백라이트 유닛은 에지형 백라이트 유닛에 비해 많은 수의 광원을 이용할 수 있어 높은 휘도를 확보할 수 있는 장점이 있는 반면, 휘도의 균일성을 확보하기 위하여 에지형에 비하여 두께가 두꺼워지는 단점이 있다.
이를 극복하기 위해, 백라이트 유닛을 구성하는 청색 광을 발진하는 블루 LED의 전방에 청색 광을 받으면 적색파장 또는 녹색파장으로 변환되는 다수의 양자점이 분산된 양자점바를 구비시켜, 상기 양자점바에 청색 광을 조사함으로써, 양자점바에 분산된 다수의 양자점들에 의해 청색광, 적색 광 및 녹색 광이 혼합된 광이 도광판으로 입사되어 백색광을 제공한다.
이때, 상기 양자점바를 이용하여 도광판에 백색광을 제공할 경우 고색재현을 구현할 수 있다.
상기 백라이트 유닛은 청색 광을 발진하는 블루 LED의 일측에 LED와 신호를 전달하고, 전원공급하기 위한 FPCB(Flexible Printed Circuits Board)가 구비되며, FPCB의 하면에는 접착부재가 더 구비될 수 있다.
이와 같이, 블루 LED로부터 발진하는 광이 누출되면 양자점바를 통해 도광판에 제공되는 백색광을 사용하여 다양한 형태로 영상을 표시하는 표시장치가 널리 사용되고 있다.
이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0068110 등에 개시되어 있다.
실시예는 향상된 휘도 및 신뢰성을 가지는 표시장치, 광 변환 부재 및 광 변환 부재의 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 광 변환 부재는, 하부 기판; 상기 하부 기판 상에 위치하는 파장 변환층; 및 상기 파장 변환층 상에 위치하는 상부 기판을 포함하고, 상기 하부 기판은 상기 하부 기판의 적어도 일면에 형성되는 반사층을 포함한다.
실시예에 따른 광 변환 부재의 제조 방법은, 하부 기판을 준비하는 단계; 상기 하부 기판 상에 반사층을 형성하는 단계; 상기 반사층 상에 파장 변환층을 형성하는 단계; 및 상기 파장 변환층 상에 상부 기판을 준비하는 단계를 포함하고, 상기 반사층은 금을 포함한다.
실시예에 따른 표시장치는, 광원; 상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 광 변환 부재; 및 상기 광 변환 부재에 의해서 변환되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고, 상기 광 변환 부재는, 하부 기판; 상기 하부 기판 상에 위치하는 파장 변환층; 및 상기 파장 변환층 상에 위치하는 상부 기판을 포함하고, 상기 하부 기판은 상기 하부 기판의 적어도 일면에 형성되는 반사층을 포함한다.
실시예에 따른 광 변환 부재 및 표시장치는, 파장 변환층을 지지하는 하부 기판의 적어도 일면에 형성되는 반사층을 포함한다. 이에 따라서, 광원으로부터 출사되어 상기 파장 변환층에 의해서 변환된 광은 상부 기판에 효과적으로 입사될 수 있다.
즉, 상기 반사층은 상기 파장 변환 부재를 통과하는 광을 반사시켜서, 상기 상부 기판에 입사시킨다. 또한, 상기 반사층은 상기 파장 변환 부재에 의해서 변환된 광을 반사시켜, 상기 상부 기판에 입사시킨다.
이에 따라서, 상기 반사층은 광이 새는 것을 방지하고, 보다 많은 광을 상기 상부 기판으로 입사시킨다. 따라서, 실시예에 따른 표시장치는 향상된 휘도를 가질 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 실시예에 따른 반사부의 종류에 따른 반사율을 나타낸 그래프를 도시한 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 반사부의 두께에 따른 투과율을 나타낸 그래프를 도시한 도면이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이고, 도 2는 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이며, 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이고, 도 4는 실시예에 따른 반사부의 종류에 따른 반사율을 나타낸 그래프를 도시한 도면이며, 도 5는 실시예에 따른 반사부의 두께에 따른 투과율을 나타낸 그래프를 도시한 도면이다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 실시예에 따른 광 변환 부재, 광 변환 부재의 제조 방법 및 표시 장치를 설명한다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는, 백라이트 유닛(10) 및 액정 패널(20)을 포함한다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정 패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정 패널(20)의 하면에 균일하게 광을 조사할 수 있다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정 패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사 시트(300), 광원, 예를 들어, 다수 개의 발광 다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.
상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광 다이오들들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사 시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.
상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사 시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.
상기 반사 시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사 시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사 시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.
상기 발광 다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광 다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광 다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.
상기 발광 다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광 다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광 다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광 다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.
상기 발광 다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광 다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광 다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.
상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광 다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광 다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.
상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.
상기 광학 시트들(500)은 광 변환 부재(510), 확산 시트(520), 제 1 프리즘 시트(530) 및 제 2 프리즘 시트(540)일 수 있다.
상기 광 변환 부재(510)는 상기 광원 및 상기 액정 패널(20) 사이의 광 경로 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 변환 부재(510)는 상기 도광판(200) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(510)는 상기 도광판(200) 및 상기 확산 시트(520) 사이에 개재될 수 있다. 상기 광 변환 부재(510)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광 다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 부재(510)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(510)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 발광다이오드들(400)이 UV 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 부재(510)는 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(510)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 변환되지 않고 상기 광 변환 부재(510)를 통과하는 광 및 상기 파장 변환 부재(510)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.
즉, 상기 광 변환 부재(510)는 입사광의 특성을 변환시키는 광학 부재이다. 상기 광 변환 부재(510)는 시트 형상을 가진다. 즉, 상기 광 변환 부재(510)는 광학 시트일 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재(510)는 하부 기판(501), 상부 기판(502), 파장 변환층(503) 및 반사층(504)을 포함한다.
상기 하부 기판(501)은 상기 파장 변환층(503) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(501)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(501)은 상기 파장 변환층(503)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 하부 기판(501)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 상부 기판(502)은 상기 파장 변환층(503) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(502)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(502)은 상기 파장 변환층(503)의 상면에 밀착될 수 있다.
상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 하부 기판(501) 및 상기 상부 기판(502)은 상기 파장 변환층(503)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(501) 및 상기 상부 기판(502)은 상기 파장 변환층(503)을 지지한다. 상기 하부 기판(501) 및 상기 상부 기판(502)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(503)을 보호한다. 상기 하부 기판(501) 및 상기 상부 기판(502)은 상기 파장 변환층(503)에 직접 접촉될 수 있다.
또한, 상기 하부 기판(501) 및 상기 상부 기판(502)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(501) 및 상기 상부 기판(502)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(503)을 보호할 수 있다.
상기 파장 변환층(503)은 상기 하부 기판(501) 및 상기 상부 기판(502) 사이에 개재된다. 바람직하게는, 상기 파장 변환층(503)은 상기 하부 기판(501) 및 상기 상부 기판(502)에 대해 중앙 영역 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 파장 변환층(503)은 상기 하부 기판(501)의 상면에 밀착되고, 상기 상부 기판(502)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 파장 변환층(503)은 다수 개의 파장 변환 입자들(505) 및 호스트층(506)을 포함한다.
상기 파장 변환 입자들(505)은 상기 하부 기판(501) 및 상기 상부 기판(502) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(505)은 상기 호스트층(506)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트층(506)은 상기 하부 기판(501) 및 상기 상부 기판(502) 사이에 배치된다.
상기 파장 변환 입자들(505)은 상기 발광 다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 파장 변환 입자들(505)은 상기 발광 다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 입자들(505)은 상기 발광 다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(505) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(505) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이와는 다르게, 상기 파장 변환 입자들(505)은 상기 발광 다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(505) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(505) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자들(505) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
즉, 상기 발광 다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광 다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(505)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광 다이오드들(400)이 자외선을 발생시키는 UV 발광 다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(505)이 사용될 수 있다.
상기 파장 변환 입자들(505)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1nm 내지 10nm일 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화시킬 수 있다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기 되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄 한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100배 내지 1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
상기 호스트층(506)은 상기 파장 변환 입자들(505)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트층(506)은 상기 파장 변환 입자들(505)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트층(506)은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트층(506)은 투명하다. 즉, 상기 호스트층(506)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 호스트층(506)은 상기 하부 기판(501) 및 상기 상부 기판(502) 사이에 배치된다. 바람직하게는, 상기 호스트층(506)은 상기 하부 기판(501) 및 상기 상부 기판(502)에 대해 중앙 영역 상에 배치된다. 또한, 상기 호스트층(506)은 상기 하부 기판(501)의 상면 및 상기 상부 기판(502)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 반사층(504)은 상기 하부 기판(501) 상에 위치한다. 자세하게, 상기 반사층(504)은 상기 하부 기판(501)의 적어도 일 면에 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 반사층(504)은 상기 하부 기판(501)의 외면, 내면 등에 형성될 수 있다. 그러나, 실시예가 이에 제한되지는 않으며, 상기 반사층(504)은 상기 하부 기판(501)의 모든 영역에 형성될 수 있다.
도 3을 참고하면, 상기 반사층(504)은 상기 하부 기판(501)과 상기 파장 변환층(503)의 사이에 위치할 수 있다. 상기 반사층은 상기 파장 변환층(503)을 통과하는 빛 중 상기 상부 기판(502)을 통과하지 않고 다시 하부 기판(501)으로 향하는 빛들을 다시 상부 기판(502) 방향으로 반사시킬 수 있다.
즉, 상기 발광 다이오드들(400)에 의해서 입사되는 청색광은 상기 하부 기판(501)을 통과하여 상기 파장 변화층(502) 내에 수용되는 상기 파장 변환 입자들(505)을 통과한다. 상기 파장 변환 입자들(505)을 통과하는 상기 청색광은 파장이 변환되어 녹색광 또는 적색광으로 변환되어, 상기 상부 기판(501) 방향으로 통과될 수 있다.
그러나, 상기 파장 변환층(503)을 통과하는 빛은 상기 상부 기판(502) 방향만으로 이동하는 것이 아닌 전 방향으로 빛을 발하기 때문에, 상기 파장 변환층(503)에 의해 변환되는 녹색광 또는 적색광 중 일부는 상기 상부 기판(502) 방향이 아닌 반대 방향 즉, 상기 하부 기판(501) 방향으로 이동하기 때문에, 광손실이 발생하여 휘도 및 효율이 떨어질 수 있다.
이에 따라, 실시예에 따른 광 변환 부재 및 표시 장치는, 상기 하부 기판(501) 상에 반사층(504)을 코팅하여, 상기 하부 기판(501) 방향으로 이동하는 녹색광 또는 적색광을 다시 상부 기판(502) 방향으로 반사시킬 수 있다.
상기 반사층(504)은 금속을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 반사층은 금(Au), 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 더 바람직하게, 상기 반사층(504)은 금을 포함할 수 있다.
도 4는 금, 은 또는 알루미늄에 대한 파장대별 반사율을 나타낸 그래프이다.
도 4를 참조하면, 상기 반사층(504)이 금을 포함하는 경우에 녹색광 및 적색광의 반사율이 높은 것을 알 수 있다. 즉, 금을 포함하는 상기 반사층(504)은 청색광의 반사율은 작은 반면에, 녹색광 및 적색광의 반사율은 우수하여, 상기 파장 변환층에 의해 변환된 녹색광 또는 적색광이 상기 하부 기판(501) 방향으로 이동시 효과적으로 반사시켜 상기 녹색광 또는 적색광을 상기 상부 기판(502) 방향으로 이동시킬 수 있는 것을 알 수 있다.
또한, 상기 반사층(504)의 두께는 0.1㎚ 이상일 수 있다. 바람직하게는, 상기 반사층(504)의 두께는 0.1㎚ 내지 5㎚ 일 수 있다.
도 5는 상기 반사층(504)의 두께에 대한 파장대별 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 5를 참고하면, 상기 반사층(504)이 금을 포함하고 두께가 5㎚의 두께로 하부 기판(501) 상에 형성하는 경우, 광 투과율 즉, 청색광의 투과율이 70% 이상이 되는 것을 알 수 있다. 반면에, 반사층(504)의 두께가 5㎚를 초과하여 형성되는 경우 상기 청색광의 투과율이 매우 낮아 효율을 감소시킬 수 있다.
이에 따라, 상기 반사층(504)의 두께는 0.1㎚ 내지 5㎚로 형성하여 청색광의 투과율 및 변환된 녹색광 적색광의 반사율을 동시에 향상시킬 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 광 변환 부재 및 표시장치는, 상기 반사층(504)이 에 의해 향상된 휘도 및 광손실을 감소할 수 있다.
즉, 상기 반사층(504)이 상기 파장 변환층(503)을 통과하여 변환되는 녹색광 또는 적색광이 상기 하부 기판(501) 방향으로 이동하는 것을 반사층에 의해 다시 상부 기판(502) 방향으로 반사시키므로, 광손실을 감소할 수 있고, 휘도를 향상시킬 수 있다.
이에 따라서, 상기 반사층은 광이 새는 것을 방지하고, 보다 많은 광을 상기 상부 기판으로 입사시킨다. 따라서, 실시예에 따른 표시장치는 향상된 휘도를 가질 수 있다.
상기 확산 시트(520)는 상기 파장 변환 부재(510) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(520)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(520)는 다수 개의 비드들을 포함할 수 있다.
상기 제 1 프리즘 시트(530)는 상기 확산 시트(520) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(540)는 상기 제 1 프리즘 시트(530) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(530) 및 상기 제 2 프리즘 시트(540)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.
상기 액정패널(20)은 상기 광학 시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.
상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.
도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.
액정표시패널(210)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.
상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.
앞서 설명하였듯이, 실시예에 따른 광 변환 부재 및 표시장치는, 파장 변환층을 지지하는 하부 기판의 적어도 일면에 형성되는 반사층을 포함한다. 이에 따라서, 광원으로부터 출사되어 상기 파장 변환층에 의해서 변환된 광은 상부 기판에 효과적으로 입사될 수 있다.
즉, 상기 반사층은 상기 파장 변환 부재를 통과하는 광을 반사시켜서, 상기 상부 기판에 입사시킨다. 또한, 상기 반사층은 상기 파장 변환 부재에 의해서 변환된 광을 반사시켜, 상기 상부 기판에 입사시킨다.
이에 따라서, 상기 반사층은 광이 하부 기판으로 새는 것을 방지하고, 보다 많은 광을 상기 상부 기판에 입사시킨다. 따라서, 실시예에 따른 표시장치는 새는 광을 줄이고 향상된 휘도를 가질 수 있어, 향상된 광학적 특성을 가질 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (17)

  1. 하부 기판;
    상기 하부 기판 상에 위치하는 파장 변환층; 및
    상기 파장 변환층 상에 위치하는 상부 기판을 포함하고,
    상기 하부 기판은 상기 하부 기판의 적어도 일면에 형성되는 반사층을 포함하는 광 변환 부재.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 반사층은 금속을 포함하는 광 변환 부재.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 금속은 금(Au)을 포함하는 광 변환 부재.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 반사층의 두께는 0.1㎚ 내지 5㎚ 인 광 변환 부재.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 반사층은 상기 하부 기판의 외면 또는 내면에 형성되는 광 변환 부재.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 하부 기판 또는 상기 상부 기판은 폴리머를 포함하고,
    상기 폴리머는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET)를 포함하는 광 변환 부재.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 파장 변환층은,
    호스트; 및
    상기 호스트에 수용되는 파장 변환 입자를 포함하는 광 변환 부재.
  8. 하부 기판을 준비하는 단계;
    상기 하부 기판 상에 반사층을 형성하는 단계;
    상기 반사층 상에 파장 변환층을 형성하는 단계; 및
    상기 파장 변환층 상에 상부 기판을 준비하는 단계를 포함하고,
    상기 반사층은 금을 포함하는 광 변환 부재 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 하부 기판 상에 반사층을 형성하는 단계는,
    열증착, E-beam 증착 또는 무전극 도금으로 형성되는 광 변환 부재 제조 방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 하부 기판 상에 반사층을 형성하는 단계는,
    상기 하부 기판 상에 상기 반사층을 0.1㎚ 내지 5㎚의 두께로 형성하는 광 변환 부재 제조 방법.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 하부 기판 상에 반사층을 형성하는 단계는,
    상기 반사층은 상기 하부 기판의 적어도 일면에 형성되는 광 변환 부재 제조 방법.
  12. 광원;
    상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 광 변환 부재; 및
    상기 광 변환 부재에 의해서 변환되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
    상기 광 변환 부재는,
    하부 기판;
    상기 하부 기판 상에 위치하는 파장 변환층; 및
    상기 파장 변환층 상에 위치하는 상부 기판을 포함하고,
    상기 하부 기판은 상기 하부 기판의 적어도 일면에 형성되는 반사층을 포함하는 표시장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 반사층은 금속을 포함하는 표시장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 금속은 금을 포함하는 표시장치.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 반사층의 두께는 0.1㎚ 내지 5㎚ 인 표시장치.
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 하부 기판 또는 상기 상부 기판은 폴리머를 포함하고,
    상기 폴리머는 폴리에틸렌테레프탈레이트를 포함하는 표시장치.
  17. 제 12항에 있어서,
    상기 파장 변환층은,
    호스트; 및
    상기 호스트에 수용되는 파장 변환 입자를 포함하는 표시장치.
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