KR20130121455A

KR20130121455A - Deposition apparatus

Info

Publication number: KR20130121455A
Application number: KR1020120044675A
Authority: KR
Inventors: 최원진
Original assignee: 일진엘이디(주)
Priority date: 2012-04-27
Filing date: 2012-04-27
Publication date: 2013-11-06

Abstract

The present invention relates to a deposition apparatus. The deposition apparatus includes a reaction chamber, a susceptor mounted on substrates prepared in one side of the reaction chamber, a sealing member prepared in the other side facing the susceptor of the reaction chamber. A gap between the susceptpr and the sealing member is different from each region on the substrate.

Description

박막 증착 장치{Deposition apparatus}Thin film deposition apparatus

본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로, 특히 기판 상에 증착되는 박막의 두께 균일성 향상 및 생산 원가 절감을 확보할 수 있는 박막 증착 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and more particularly, to a thin film deposition apparatus capable of ensuring the thickness uniformity of the thin film deposited on the substrate and reducing the production cost.

최근 다양한 산업 분야에서 반도체 소자의 미세화와 고효율, 그리고 고출력 발광 소자(Light Emitting Device; LED) 개발 등의 요구가 점차 많아지고 있다. 그에 따라 품질이나 성능의 저하 없이 대량으로 생산할 수 있는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 장치가 요구되고 있다. 화학 기상 증착은 반응 챔버 내로 공급된 원료 가스가 기판의 상부 표면에서 화학 반응을 일으켜 박막을 성장시킨다.Recently, the demand for miniaturization of semiconductor devices, high efficiency, and development of high power light emitting devices (LEDs) has been increasing in various industrial fields. Accordingly, there is a need for a chemical vapor deposition (CVD) apparatus capable of mass production without deterioration of quality or performance. In chemical vapor deposition, the source gas supplied into the reaction chamber causes a chemical reaction on the upper surface of the substrate to grow the thin film.

이러한 화학 기상 증착은 액상 성장에 비해 성장시킨 박막의 막질이 뛰어나지만, 박막의 성장 속도가 상대적으로 느린 단점이 있다. 이를 극복하기 위해 복수의 기판 상에 동일 박막을 동시에 성장하는 방법이 이용되고 있다. 이러한 화학 기상 장치는 예를 들어 반응 챔버의 상부 중앙부에 원료 가스를 분사하는 노즐이 위치하고 이를 중심으로 복수의 기판이 방사형으로 배치되어 각 기판 상에 동일 박막을 성장시킨다. 또한, 반응 챔버는 도 1에 도시된 바와 같이 챔버 덮개(11)와 기판(10)이 안착되는 서셉터(12) 사이가 기판(10)의 각 영역에서 동일 간격을 유지하게 된다.Such chemical vapor deposition is excellent in the film quality of the grown thin film compared to the liquid growth, but has a disadvantage that the growth rate of the thin film is relatively slow. To overcome this, a method of simultaneously growing the same thin film on a plurality of substrates has been used. In such a chemical vapor deposition apparatus, for example, a nozzle for injecting a source gas in an upper central portion of a reaction chamber is positioned, and a plurality of substrates are radially disposed around the same to grow the same thin film on each substrate. In addition, in the reaction chamber, as shown in FIG. 1, the chamber cover 11 and the susceptor 12 on which the substrate 10 is mounted are maintained at equal intervals in each region of the substrate 10.

이러한 반응 챔버 내에 공급되는 원료 가스는 반응 챔버의 중앙부로부터 가장자리로 흐르는데, 도 1(a)에 도시된 바와 같이 지름 방향으로 중앙부로부터 가장자리로 갈수록 원료 가스의 유속이 점차적으로 줄어들게 된다. 이는 원료 가스가 공급되는 중앙부로부터 가장자리로 갈수록 반응 챔버의 부피가 커지게 되고, 그에 따라 원료 가스가 넓게 퍼지며 흘러나가기 때문이다. 이렇게 되면 도 1(a)에 도시된 바와 같이 기판 상에 박막이 형성되는데, 임계(critical)의 경계층(boundary layer)(A) 두께는 지름 방향으로 가장자리로 갈수록 그 두께가 증가하고, 최악의 경우는 챔버 덮개에 접촉하게 되어 이 부분에서 박막이 잘 성장되지 않을 수 있다. 즉, 반응 챔버의 중앙부에 가까운 영역에서 박막이 두껍게 증착되고, 그로부터 멀어질수록 박막이 얇게 증착된다.The source gas supplied into the reaction chamber flows from the center of the reaction chamber to the edge, and as shown in FIG. 1 (a), the flow rate of the source gas gradually decreases from the center to the edge in the radial direction. This is because the volume of the reaction chamber increases from the central portion to which the source gas is supplied to the edge, and thus the source gas is spread out and flows out. In this case, a thin film is formed on the substrate as shown in FIG. 1 (a). The critical boundary layer A increases in thickness in the radial direction, and in the worst case, Is in contact with the chamber lid and the thin film may not grow well in this part. That is, the thin film is deposited thickly in the region near the center of the reaction chamber, and the thinner the thin film is deposited away from it.

이렇게 동일 기판 상에서 영역마다 다른 두께로 박막이 증착되면 동일 기판 상에 제작된 소자들의 동작 특성이 다르고, 이에 따라 신뢰성이 저하되는 문제가 발생된다. 또한, 도 1(b)에 도시된 바와 같이 지름 방향의 가장자리에서의 유속이많이 낮아지는 이 문제를 조금이라도 개선하기 위해 기존의 장치에서는 사용 원료의 유량을 증가하여 유속을 증가시켰다. 그러나, 사용 원료의 증가로 인해 원가 부담이 더 증가하게 된다.As described above, when thin films are deposited at different thicknesses on the same substrate, the operation characteristics of devices fabricated on the same substrate are different, thereby causing a problem of deterioration of reliability. In addition, in order to alleviate this problem that the flow rate at the edge of the radial direction is much lowered as shown in FIG. However, the cost burden is further increased due to the increase of raw materials used.

본 발명은 기판 상에 증착되는 박막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있는 박막 증착 장치를 제공한다.The present invention provides a thin film deposition apparatus that can improve the thickness uniformity of the thin film deposited on the substrate.

본 발명은 복수의 기판 상에 동시에 박막을 증착하고 복수의 기판 및 각 기판의 각 위치에서의 박막의 두께 균일성을 향상킬 수 있는 박막 증착 장치를 제공한다.The present invention provides a thin film deposition apparatus capable of simultaneously depositing thin films on a plurality of substrates and improving thickness uniformity of the plurality of substrates and the thin films at respective positions of each substrate.

본 발명은 반응 챔버 내에서의 원료 가스의 흐름을 제어할 수 있는 박막 증착 장치를 제공한다.The present invention provides a thin film deposition apparatus capable of controlling the flow of source gas in the reaction chamber.

본 발명은 반응 챔버 내의 가장자리에서의 원료 가스의 유속을 증가시킴으로써 원료 가스의 유량을 줄일 수 있고, 그에 따라 원료를 절감할 수 있는 박막 증착 장치를 제공한다.
The present invention provides a thin film deposition apparatus that can reduce the flow rate of the source gas by increasing the flow rate of the source gas at the edge in the reaction chamber, thereby reducing the raw material.

본 발명의 일 실시 형태에 따른 박막 증착 장치는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내의 일 측에 마련되어 복수의 기판이 안착되는 서셉터; 및 상기 반응 챔버 내의 상기 서셉터와 대향되는 타 측에 마련된 밀폐 부재를 포함하고, 상기 서셉터와 상기 밀폐 부재 사이의 간격이 상기 기판 상의 각 영역에서 서로 다르다.A thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a reaction chamber; A susceptor provided on one side of the reaction chamber to seat a plurality of substrates; And a sealing member provided on the other side facing the susceptor in the reaction chamber, wherein a distance between the susceptor and the sealing member is different in each region on the substrate.

상기 복수의 기판은 상기 서셉터의 중앙부를 중심으로 방사형으로 배치된다.The plurality of substrates are disposed radially about a central portion of the susceptor.

상기 밀폐 부재는 상기 반응 챔버의 상측에 마련되고 상기 서셉터는 상기 반응 챔버의 하측에 마련될 수 있고, 상기 밀폐 부재는 상기 반응 챔버의 하측에 마련되고, 상기 서셉터는 상기 반응 챔버의 상측에 마련될 수도 있다.The closure member may be provided above the reaction chamber and the susceptor may be provided below the reaction chamber, the closure member may be provided below the reaction chamber, and the susceptor may be located above the reaction chamber. It may be arranged.

상기 밀폐 부재와 상기 서셉터 사이의 단면적이 상기 기판 상의 모든 영역에서 동일하다.The cross-sectional area between the closure member and the susceptor is the same in all areas on the substrate.

상기 밀폐 부재와 상기 서셉터 사이의 간격은 상기 반응 챔버의 중앙부로부터 외측으로 점차 줄어든다.The gap between the closure member and the susceptor gradually decreases outward from the center of the reaction chamber.

상기 밀폐 부재는 상기 반응 챔버의 중앙부로부터 가장자리로 두께가 두꺼워지도록 마련된다.The closure member is provided to have a thick thickness from the center portion of the reaction chamber to the edge.

상기 밀폐 부재는 챔버 덮개를 포함하고, 상기 밀폐 부재는 상기 챔버 덮개의 일면에 마련된 커버 부재를 더 포함할 수 있다.The sealing member may include a chamber cover, and the sealing member may further include a cover member provided on one surface of the chamber cover.

상기 챔버 덮개는 상기 일면이 평탄하게 마련되고, 상기 커버 부재는 상기 반응 챔버의 중앙부로부터 가장자리로 두께가 두꺼워지도록 마련된다.The chamber cover is provided to have one surface flat, and the cover member is provided to have a thick thickness from the center portion of the reaction chamber to the edge.

상기 서셉터는 상기 반응 챔버의 중앙부로부터 가장자리로 두께가 두꺼워지도록 마련된다.
The susceptor is provided to have a thick thickness from the center portion of the reaction chamber to the edge.

본 발명의 다른 실시 형태에 따른 박막 증착 장치는 내부에 공간을 형성하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내부에 마련되어 복수의 기판이 방사형으로 배치되어 지지되는 서셉터; 및 상기 서섭터와 이격 배치되는 밀폐 부재를 포함하고, 상기 서셉터의 중심에서 외측 방향으로의 제 1 위치에서 높이 방향으로 상기 밀폐 부재까지의 단면적인 제 1 단면적과, 상기 제 1 위치보다 외측의 제 2 위치에서 높이 방향으로 상기 밀폐 부재까지의 단면적인 제 2 단면적이 동일하다.A thin film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention includes a reaction chamber for forming a space therein; A susceptor provided inside the reaction chamber to support a plurality of substrates disposed radially; And a sealing member spaced apart from the susceptor, the cross-sectional first cross-sectional area from the first position in the outer direction to the sealing member in the height direction from the center of the susceptor, The second cross-sectional area of the cross-sectional area from the second position to the closure member in the height direction is the same.

상기 서셉터와 상기 밀폐 부재 사이의 간격이 상기 서셉터 중앙부에서 외측 방향으로 갈수록 감소한다.The distance between the susceptor and the closure member decreases toward the outside in the center of the susceptor.

상기 서셉터의 중앙부에서 상기 제 1 위치까지의 반경과 상기 제 1 위치에서의 상기 밀폐 부재까지의 간격의 곱이 상기 서셉터의 중앙부에서 상기 제 2 위치까지의 반경과 상기 제 2 위치에서의 상기 밀폐 부재까지의 간격의 곱과 동일하다.
The product of the radius from the central portion of the susceptor to the first position and the distance from the sealing member at the first position is the radius from the central portion of the susceptor to the second position and the closure at the second position. It is equal to the product of the intervals to the members.

본 발명의 실시 예들은 서셉터와 밀폐 부재 사이의 단면적 또는 부피가 기판 상의 모든 영역에서 모두 동일하게 하고, 그에 따라 기판 상의 모든 영역에서 공정 가스의 유속을 동일하게 할 수 있다.Embodiments of the present invention may allow the cross-sectional area or volume between the susceptor and the sealing member to be the same in all areas on the substrate, thereby making the flow rate of the process gas the same in all areas on the substrate.

따라서, 기판 상에 증착되는 박막의 두께가 기판 상의 모든 영역에서 동일하게 할 수 있고, 그에 따라 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Therefore, the thickness of the thin film deposited on the substrate can be the same in all regions on the substrate, thereby improving the reliability of the device.

또한, 반응 챔버 내의 가장자리에서의 원료 가스의 유속을 증가시킴으로써 원료 가스의 유량을 줄일 수 있고, 그에 따라 원료를 절감할 수 있다.
In addition, by increasing the flow rate of the source gas at the edge in the reaction chamber, the flow rate of the source gas can be reduced, thereby reducing the raw material.

도 1은 종래의 반응 챔버 내에서의 원료 가스의 흐름을 도시한 개략도.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 증착 장치의 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 증착 장치의 밀폐 부재의 사시도.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 증착 장치의 서셉터 및 그 상에 안착된 기판의 평면도.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 증착 장치의 기판 상의 각 영역에서의 단면적을 도시한 개략도.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반응 챔버 내에서의 원료 가스의 흐름을 도시한 개략도.
도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 박막 증착 장치의 밀페 부재의 단면도.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반응 챔버의 평면 및 서셉터와 챔버 덮개 사이의 간격을 도시한 개략도.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반응 챔버의 개략 단면도.1 is a schematic diagram showing a flow of source gas in a conventional reaction chamber.
2 is a cross-sectional view of a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view of a sealing member of the thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view of a susceptor of a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention and a substrate mounted thereon.
5 is a schematic diagram showing a cross-sectional area in each region on a substrate of the thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic diagram illustrating a flow of source gas in a reaction chamber according to an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view of the sealing member of the thin film deposition apparatus according to the embodiments of the present invention.
8 is a schematic view showing the plane of the reaction chamber and the spacing between the susceptor and the chamber lid in accordance with one embodiment of the present invention.
9 to 12 are schematic cross-sectional views of a reaction chamber according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 여러 층 및 각 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 표현하였으며 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭하도록 하였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art. It is provided for complete information. In the drawings, the thickness is enlarged to clearly illustrate the various layers and regions, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 증착 장치의 단면도이고, 도 3은 밀폐 부재의 사시도이며, 도 4는 서셉터 및 그 상에 안착된 기판의 평면도이다. 또한, 도 5는 기판 상의 각 영역에서의 단면적을 도시한 개략도이고, 도 6은 본 발명에 따른 박막 증착 장치 내에서의 원료 가스의 흐름을 도시한 개략도이다. 그리고, 도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 밀폐 부재의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a perspective view of a sealing member, and FIG. 4 is a plan view of a susceptor and a substrate seated thereon. 5 is a schematic diagram showing the cross-sectional area in each region on the substrate, and FIG. 6 is a schematic diagram showing the flow of source gas in the thin film deposition apparatus according to the present invention. And, Figure 7 is a cross-sectional view of the sealing member in accordance with embodiments of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 증착 장치는 소정의 내부 공간을 갖는 반응 챔버(100)와, 반응 챔버(100) 상에 마련되어 반응 챔버(100)를 기밀하게 유지하고 원료 가스의 흐름을 제어하는 밀폐 부재(200), 반응 챔버(100) 내부의 하측에 마련되어 적어도 하나의 기판(10)이 안착되는 서셉터(300)와, 반응 챔버(100) 내에 원료 가스를 공급하는 가스 공급부(400)를 포함한다. 여기서, 밀폐 부재(200)와 서셉터(300) 사이의 공간이 반응 공간(S)이 되며, 반응 공간(S)은 기판(10)의 영역별로 다른 단면적(또는 부피)를 갖는다.Referring to FIG. 2, a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention is provided on a reaction chamber 100 having a predetermined internal space, and is provided on the reaction chamber 100 to keep the reaction chamber 100 hermetically and supply source gas. A sealing member 200 for controlling the flow of the gas, a susceptor 300 provided below the inside of the reaction chamber 100, on which the at least one substrate 10 is seated, and a gas supplying the source gas into the reaction chamber 100. Supply unit 400 is included. Here, the space between the sealing member 200 and the susceptor 300 becomes the reaction space S, and the reaction space S has a different cross-sectional area (or volume) for each region of the substrate 10.

반응 챔버(100)는 대략 원형의 평면부 및 평면부로부터 상향 연장된 측벽부를 포함하여 소정의 내부 공간을 가진다. 또한, 반응 챔버(100)는 그 상에 위치하는 챔버 덮개(210)에 의해 내부 공간이 기밀하게 유지된다. 여기서, 반응 챔버(100)는 원형 이외에 다양한 형상으로 제작될 수 있는데, 예를 들어 기판(10) 형상에 대응하는 형상으로 제작될 수 있다. 이러한 반응 챔버(100)는 내마모성 및 내열성과 내부식성이 우수한 금속 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 반응 챔버(100)의 측면에는 적어도 하나의 배기구(110)가 마련되고, 배기구(110)에는 배기 장치(미도시)와 연결되는 배기관(120)이 연결된다. 배기구(110)는 예를 들어 챔버 덮개(210)와 서셉터(300) 사이, 즉 반응 공간(S)과 수평의 반응 챔버(100)의 측면에 마련될 수 있다. 이때, 배기 장치는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프가 사용될 수 있으며, 이에 따라 반응 챔버(100) 내부를 소정의 감압 분위기를 유지할 수 있고, 반응 챔버(100) 내의 원료 가스를 배기할 수 있다. 한편, 배기구(110)는 서셉터(300) 하부의 측면에 마련될 수도 있고, 반응 챔버(100) 하측에 마련될 수도 있다. 또한, 배기되는 시간을 줄이기 위해 복수의 배기구(110) 및 배기관(120)이 마련될 수도 있다.The reaction chamber 100 has a predetermined inner space including an approximately circular planar portion and a sidewall portion extending upwardly from the planar portion. In addition, the inner space of the reaction chamber 100 is kept airtight by a chamber cover 210 positioned thereon. Here, the reaction chamber 100 may be manufactured in various shapes other than a circular shape, for example, may be manufactured in a shape corresponding to the shape of the substrate 10. The reaction chamber 100 is preferably made of a metal material excellent in wear resistance, heat resistance and corrosion resistance. In addition, at least one exhaust port 110 is provided at a side of the reaction chamber 100, and an exhaust pipe 120 connected to an exhaust device (not shown) is connected to the exhaust port 110. The exhaust port 110 may be provided, for example, between the chamber cover 210 and the susceptor 300, that is, at the side of the reaction chamber 100 that is horizontal to the reaction space S. In this case, a vacuum pump such as a turbo molecular pump may be used as the exhaust device, and thus, the inside of the reaction chamber 100 may maintain a predetermined reduced pressure atmosphere and exhaust the raw material gas in the reaction chamber 100. On the other hand, the exhaust port 110 may be provided on the side of the lower susceptor 300, or may be provided below the reaction chamber 100. In addition, a plurality of exhaust ports 110 and exhaust pipes 120 may be provided to reduce the exhaust time.

밀폐 부재(200)는 반응 챔버(100) 상에 마련되어 반응 챔버(100)의 내부 공간을 기밀하게 유지한다. 밀폐 부재(200)는 챔버 덮개(210)를 포함하고, 커버 부재(220)를 더 포함할 수 있다. 챔버 덮개(210)는 소정 두께의 판 형상으로 제작되고, 반응 챔버(100)의 내부 공간의 형태에 따라 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 예를 들어, 챔버 덮개(210)는 원형의 판 형상으로 제작될 수 있으며, 그 외에 다각형 형상 등으로 마련될 수 있다. 또한, 챔버 덮개(210)는 예를 들어 중앙부에 관통홀이 마련되고, 그를 통해 가스 공급부(400)가 반응 챔버(100) 내부로 가스 공급부(400)가 마련될 수 있다. 한편, 반응 챔버(100)와 결합하는 챔버 덮개(210)의 하단부에는 확실한 밀봉을 유지하기 위해 오링(O-ring)과 같은 밀봉 부재(미도시)가 구비되는 것이 바람직하다. 또한, 챔버 덮개(210)의 일면, 즉 반응 챔버(100)의 내측을 향하는 일면에는 커버 부재(220)가 마련된다. 커버 부재(220)는 전체적으로 챔버 덮개(210)와 대응하는 형상, 예를 들어 원형의 형상으로 제작될 수 있다. 이러한 커버 부재(220)는 챔버 덮개(210)의 일면을 덮도록 챔버 덮개(210)의 일면에 탈착 가능하도록 마련된다. 커버 부재(220)는 증착 공정시 발생하는 더미 코팅(dummy coating)이 챔버 덮개(210) 상에 부착되지 않도록 원료 가스와의 접촉을 차단하고, 고온 분위기 하에서 챔버 덮개(210)에 열변형이 발생하지 않도록 열을 차단하는 역할을 한다. 이러한 커버 부재(220)는 내열성이 우수한 재질로 형성되도록 하며, 바람직하게는 석영(quartz) 또는 SiC이 코팅된 흑연(graphite)으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 따른 커버 부재(220)는 중앙부로부터 외측으로 소정의 기울기를 갖도록 제작된다. 즉, 커버 부재(220)는 도 3에 도시된 바와 같이 공정 가스가 공급되는 측으로부터 공정 가스가 배기되는 측으로 갈수록, 즉 중앙부로부터 가장자리로 갈수록 두께가 점차 두꺼워지는 형상으로 제작된다. 다시 말하면, 커버 부재(220)는 서셉터(300) 상에 안착된 기판(10)과 대응되는 영역의 두께가 점차 두꺼워지도록 제작된다. 즉, 복수의 기판(10)은 서셉터(300) 상에 중앙부를 제외한 영역에 방사형으로 배치될 수 있는데, 커버 부재(220)는 기판(10)이 안착되지 않은 중앙 영역에는 두께를 증가시키지 않고, 기판(10)의 내측으로부터 외측으로 갈수록 두께가 점차 증가되도록 마련된다. 이렇게 커버 부재(220)의 형상을 변경하면 도 4에 도시된 바와 같이 기판(10)의 영역별로 서로 동일한 단면적 또는 부피의 반응 공간(S)을 갖게 되어 반응 공간(S)을 흐르는 원료 가스가 기판(10) 상에서 균일하게 반응하게 된다. 즉, 본 발명의 커버 부재(220)는 기판(10)의 임의의 지점에서 그 상부의 단면적이 동일하도록, 예를 들어 도 5에 도시된 바와 같이 제 1 위치에서의 단면적(M1)이 그 외측의 제 2 위치에서의 단면적(M2)과 동일하도록 제작된다. 도 5는 도 4의 서셉터(300) 상에 안착된 기판(10)의 일부와 그 상의 커버 부재(220)의 일부를 확대 도시한 것이다. 그에 따라, 기판(10)의 임의의 두 지점(B1, B2)에서의 부피가 동일하게 된다. 이렇게 커버 부재(220)가 중앙부로부터 가장자리로 두께가 점차 두꺼워지도록 제작되어 기판(10)의 모든 영역에서 동일한 단면적 또는 부피를 갖게 되면 도 6에 도시된 바와 같이 원료 가스는 기판(10)의 모든 영역에서 동일한 유속(C)을 갖게 된다. 따라서, 기판(10)의 모든 영역에서 반응하는 원료 가스의 양이 동일해지고, 그에 따라 기판(10)의 모든 영역에서 동일한 두께로 박막이 성장될 수 있다. 한편, 커버 부재(220)는 다양한 형상으로 마련될 수 있는데, 도 3에 도시된 바와 같이 완만한 곡선 형태로 형성되거나, 직선 형태(도 7(a)) 또는 단차 구조(도 7(b))와 같이 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 커버 부재(220)는 서셉터(300)의 중앙 영역으로부터 서셉터(300)의 가장자리를 향해 챔버 덮개(210)와 서셉터(300) 사이의 간격이 점차 감소하는 다양한 구조로 제작될 수 있다. 한편, 커버 부재(220)는 복수 개로 분할되어 이들이 서로 결합되어 이루어지거나 단일의 부재로 이루어질 수 있다. 따라서, 반응 공간(S)에 노출된 커버 부재(220)의 표면에 부착된 더미 코팅을 제거하거나 크랙과 같이 하자가 발생된 커버 부재를 교체할 수 있으며, 특히 복수의 분할 부재로 결합된 경우 해당 분할 부재만을 교체함으로써 유지보수가 용이하다는 장점을 갖는다.The sealing member 200 is provided on the reaction chamber 100 to keep the inner space of the reaction chamber 100 airtight. The sealing member 200 may include a chamber cover 210 and may further include a cover member 220. The chamber cover 210 may be manufactured in a plate shape having a predetermined thickness and may be manufactured in various shapes according to the shape of the internal space of the reaction chamber 100. For example, the chamber cover 210 may be manufactured in a circular plate shape and may be provided in a polygonal shape or the like. In addition, the chamber cover 210 may be provided with, for example, a through hole at a central portion thereof, through which the gas supply unit 400 may be provided into the reaction chamber 100. On the other hand, the lower end of the chamber cover 210 to be coupled with the reaction chamber 100 is preferably provided with a sealing member (not shown) such as O-ring (O-ring) in order to maintain a secure seal. In addition, a cover member 220 is provided on one surface of the chamber cover 210, that is, one surface facing the inside of the reaction chamber 100. The cover member 220 may be manufactured in a shape corresponding to the chamber cover 210 as a whole, for example, in a circular shape. The cover member 220 is provided to be detachable from one surface of the chamber cover 210 to cover one surface of the chamber cover 210. The cover member 220 blocks contact with the source gas so that a dummy coating generated during the deposition process is not adhered to the chamber cover 210, and thermal deformation occurs in the chamber cover 210 under a high temperature atmosphere. It acts to block the heat to prevent it. The cover member 220 may be formed of a material having excellent heat resistance, and may preferably be made of quartz or graphite coated with SiC, but is not limited thereto. In addition, the cover member 220 according to the present invention is manufactured to have a predetermined inclination from the center to the outside. That is, as shown in FIG. 3, the cover member 220 is manufactured in a shape in which the thickness gradually increases from the side from which the process gas is supplied to the side from which the process gas is exhausted, that is, from the center to the edge. In other words, the cover member 220 is manufactured such that the thickness of the region corresponding to the substrate 10 seated on the susceptor 300 becomes thicker. That is, the plurality of substrates 10 may be radially disposed on the susceptor 300 in a region excluding the central portion, and the cover member 220 may not increase thickness in a central region where the substrate 10 is not seated. The thickness is gradually increased from the inside to the outside of the substrate 10. As such, when the shape of the cover member 220 is changed, as illustrated in FIG. 4, the reaction spaces S having the same cross-sectional area or volume are the same for each region of the substrate 10, so that the raw material gas flowing through the reaction space S is formed on the substrate. It reacts uniformly on (10). That is, the cover member 220 of the present invention is such that the cross-sectional area of the upper portion at any point of the substrate 10 is the same, for example, the cross-sectional area M1 at the first position is the outer side thereof as shown in FIG. It is manufactured to be equal to the cross-sectional area M2 at the second position of. FIG. 5 is an enlarged view of a portion of the substrate 10 seated on the susceptor 300 of FIG. 4 and a portion of the cover member 220 thereon. As a result, the volumes at any two points B1 and B2 of the substrate 10 are equal. When the cover member 220 is manufactured to have a thickness gradually increasing from the center portion to the edge to have the same cross-sectional area or volume in all regions of the substrate 10, as shown in FIG. 6, the raw material gas is formed in all regions of the substrate 10. Will have the same flow rate (C). Therefore, the amount of source gas reacting in all the regions of the substrate 10 becomes the same, so that the thin film can be grown to the same thickness in all the regions of the substrate 10. On the other hand, the cover member 220 may be provided in a variety of shapes, as shown in Figure 3 is formed in a gentle curved form, or straight (Fig. 7 (a)) or stepped structure (Fig. 7 (b)) It may be formed in a variety of forms, such as, but not limited to. That is, the cover member 220 may be manufactured in various structures in which the gap between the chamber cover 210 and the susceptor 300 gradually decreases from the central area of the susceptor 300 toward the edge of the susceptor 300. have. On the other hand, the cover member 220 may be divided into a plurality of them may be made to combine with each other or may be made of a single member. Therefore, the dummy coating attached to the surface of the cover member 220 exposed to the reaction space S may be removed or the cover member in which the defect is generated such as a crack may be replaced, and in particular, when the cover member is combined with a plurality of divided members, Maintenance is easy by replacing only the partition member.

서셉터(300)는 반응 챔버(100)의 내측에 마련되며, 적어도 하나의 기판(10)을 안착시킨다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이 서셉터(300) 상에 복수의 기판(10)이 방사형으로 배치될 수 있다. 즉, 서셉터(300)의 중앙부를 중심으로 복수의 기판(10)이 원형으로 소정 간격을 유지하며 배치될 수 있다. 또한, 서셉터(300) 상에는 기판(10)이 안착될 수 있도록 함몰 형성되는 적어도 하나의 포켓(310)을 구비할 수 있다. 포켓(310) 내에는 진공 배기할 수 있는 진공 통로(미도시)가 마련되어 기판(10)을 진공 흡착할 수 있다. 또한, 서셉터(300)의 하부측에는 가열 수단(320)을 구비하여 서셉터(300)에 복사열을 제공하며, 이를 통해 서셉터(300)에 안착된 기판(10)이 가열되도록 한다.가열 수단(320)은 전원 인가시 열을 발생시키는 전열 부재의 일종으로 포켓(310)과 대응하는 영역에 위치하도록 배치하는 것이 바람직하다. 가열 수단(320)은 예를 들어 코일을 이용할 수 있다. 여기서, 가열 수단(320)은 서셉터(300) 내에 마련될 수 있으며, 서셉터(300) 내에는 냉각 수단(미도시)이 더 마련되어 기판(10)의 온도를 조절할 수 있다. 또한, 서셉터(300)의 하측에는 구동축(330) 및 회전 모터(340)가 마련될 수 있고, 그에 따라 서셉터(300)를 회전시킬 수 있다. 한편, 서셉터(300)와 반응 챔버(100)의 측벽 사이에는 차단 부재(350)가 마련될 수 있다. 차단 부재(350)는 반응 공간(S) 이외의 영역, 예를 들어 서셉터(300)의 하측으로 원료 가스가 유입되는 것을 차단할 수 있다.The susceptor 300 is provided inside the reaction chamber 100 and seats at least one substrate 10. For example, as illustrated in FIG. 4, a plurality of substrates 10 may be radially disposed on the susceptor 300. That is, the plurality of substrates 10 may be disposed at a predetermined interval with a center around the central portion of the susceptor 300. In addition, the susceptor 300 may include at least one pocket 310 recessed to allow the substrate 10 to be seated thereon. A vacuum passage (not shown) for evacuating the vacuum may be provided in the pocket 310 to suck the substrate 10 in vacuum. In addition, the lower side of the susceptor 300 is provided with a heating means 320 to provide radiant heat to the susceptor 300, through which the substrate 10 seated on the susceptor 300 is heated. 320 is a type of heat transfer member that generates heat when power is applied, and is preferably disposed to be located in an area corresponding to the pocket 310. The heating means 320 may use a coil, for example. Here, the heating means 320 may be provided in the susceptor 300, and cooling means (not shown) may be further provided in the susceptor 300 to adjust the temperature of the substrate 10. In addition, a driving shaft 330 and a rotation motor 340 may be provided below the susceptor 300, and thus the susceptor 300 may be rotated. Meanwhile, a blocking member 350 may be provided between the susceptor 300 and the sidewall of the reaction chamber 100. The blocking member 350 may block the source gas from flowing into a region other than the reaction space S, for example, the lower side of the susceptor 300.

원료 가스 공급부(400)는 외부로부터의 원료 가스를 반응 챔버(100) 내에 공급한다. 이를 위해 원료 가스 공급부(400)는 원료 가스를 저장하는 원료 저장부(미도시)와, 원료 가스를 전달하는 공급관(미도시)과, 반응 챔버(100) 내에 마련되어 원료 가스를 분사하는 분사 노즐(미도시)을 포함할 수 있다. 원료 가스는 기판(10) 상에 증착되는 박막에 따라 다양한 물질이 공급될 수 있다. 예를 들어 이원계 이상의 질화물 박막을 형성하기 위한 갈륨 소오스, 질소 소오스, 인듐 소오스, 알루미늄 소오스 등의 다양한 물질이 공급될 수 있다. 또한, 분사 노즐은 복수의 원료 가스를 혼합하여 분사할 수도 있고, 복수의 원료 가스를 서로 다른 경로를 통해 별도로 분사할 수도 있다. 즉, 분사 노즐에는 수직 방향으로 서로 다른 복수의 원료 가스를 분사하는 복수의 분사구가 마련될 수 있다. 예를 들어, 수직 방향으로 세 영역에 복수의 분사구가 마련되어 서로 다른 소오스를 분사할 수 있다. 이를 위해 세 영역의 분사구는 서로 분리된 공급관으로부터 원료 가스를 공급받을 수 있다.
The source gas supply unit 400 supplies the source gas from the outside into the reaction chamber 100. To this end, the raw material gas supply unit 400 includes a raw material storage unit (not shown) for storing the raw material gas, a supply pipe (not shown) for transferring the raw material gas, and an injection nozzle provided in the reaction chamber 100 to inject the raw material gas ( Not shown). The source gas may be supplied with various materials according to the thin film deposited on the substrate 10. For example, various materials, such as gallium source, nitrogen source, indium source, aluminum source, etc., for forming a nitride thin film of binary or higher type, may be supplied. In addition, the injection nozzle may mix and inject a plurality of source gases, or may separately inject a plurality of source gases through different paths. That is, the injection nozzle may be provided with a plurality of injection holes for injecting a plurality of different source gases in the vertical direction. For example, a plurality of injection holes may be provided in three regions in the vertical direction to spray different sources. To this end, the injection holes of the three zones may receive the source gas from the supply pipes separated from each other.

상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 증착 장치는 중앙부로부터 가장자리로 서로 다른 두께로 밀폐 부재(200)를 마련하여 밀폐 부재(200)와 서셉터(300) 사이의 간격이 줄어들게 함으로써 기판(10) 상의 반응 공간(S)의 단면적 또는 부피가 기판(10)의 각 영역별로 서로 동일하도록 한다. 따라서, 반응 공간(S)으로 공급되는 원료 가스가 기판(10)의 각 영역에서 동일한 유속으로 공급됨으로써 기판(10)의 전 영역에서 균일한 두께로 박막을 증착할 수 있다. 또한, 상기 실시 예는 중앙부로부터 가장자리로 서로 다른 두께를 갖는 커버 부재(220)를 챔버 덮개(210)의 일면에 마련하여 밀폐 부재(200)를 제작하는 경우를 설명하였으나, 별도의 커버 부재(220)를 마련하지 않고 챔버 덮개(210)의 일면을 영역별로 서로 다른 두께를 갖도록 제작할 수도 있다.As described above, the thin film deposition apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention provides a sealing member 200 with different thicknesses from the center portion to the edge to reduce the distance between the sealing member 200 and the susceptor 300. The cross-sectional area or volume of the reaction space S on (10) is the same for each region of the substrate 10. Therefore, since the source gas supplied to the reaction space S is supplied at the same flow rate in each region of the substrate 10, the thin film can be deposited with a uniform thickness in all regions of the substrate 10. In addition, the embodiment described a case in which the cover member 220 having a different thickness from the center portion to the edge is provided on one surface of the chamber cover 210 to manufacture the sealing member 200, but a separate cover member 220 One surface of the chamber cover 210 may be manufactured to have a different thickness for each region without providing).

한편, 밀폐 부재(200)의 형상 변형에 따른 밀폐 부재(200)와 서셉터(300) 사이의 최적의 간격은 다음의 수학식들에 의해 구해질 수 있다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이 반응 챔버의 중앙부로부터 밀폐 부재(200)의 형상을 변경하는 위치까지의 반지름을 r0, 밀폐 부재(200)의 형상을 변경하는 위치에서 서셉터(300)와 밀폐 부재(200) 사이의 간격을 h0, 반응 챔버의 중앙부로부터 최외곽까지의 반지름을 rf, r0와 rf 사이의 임의의 지점에서의 반지름을 r1, r1에서의 미세 반지름 차이를 Δr, r1에서 서셉터(300)와 밀폐 부재(200) 사이의 간격을 h1이라 하는 경우 반응 챔버의 임의의 지점에서의 반응 챔버의 미세 부피는 [수학식 1]과 같이 계산된다.Meanwhile, an optimal distance between the sealing member 200 and the susceptor 300 according to the shape deformation of the sealing member 200 may be obtained by the following equations. That is, as shown in FIG. 8, the radius from the center of the reaction chamber to the position where the shape of the sealing member 200 is changed is r0, and the susceptor 300 is sealed at the position where the shape of the sealing member 200 is changed. The distance between the members 200 is h0, the radius from the center to the outermost part of the reaction chamber is rf, the radius at any point between r0 and rf is r1, and the fine radius difference at r1 is the susceptor at Δr, r1. When the interval between the 300 and the sealing member 200 is h1, the fine volume of the reaction chamber at any point of the reaction chamber is calculated as shown in [Equation 1].

또한, r1과 rf 사이에 다른 임의의 점 r2와 그 지점에서의 간격 h2에서의 반응 챔버의 미세 부피는 [수학식 2]에 의해 계산된다.Further, the microvolume of the reaction chamber at any point r2 other between r1 and rf and the interval h2 at that point is calculated by the following formula (2).

r0와 rf 사이의 임의의 지점에서 원료 가스의 유속을 일정하게 하려면 [수학식 1]의 값과 [수학식 2]의 값은 항상 같아야 한다.In order to make the flow rate of source gas constant at any point between r0 and rf, the value of [Equation 1] and [Equation 2] must always be the same.

따라서, r2에서의 간격 h2는 [수학식 3]과 같아야 r1와 r2의 원료 가스의 유속이 동일하게 유지될 수 있다.Therefore, the interval h2 at r2 must be equal to [Equation 3] so that the flow rates of the source gases of r1 and r2 can be kept the same.

[수학식 3]에서 Δr이 매우 작다면 h2는 [수학식 4]와 같이 나타낼 수 있다.If Δr is very small in [Equation 3], h2 can be expressed as [Equation 4].

[수학식 4]에 경계 조건(boundary condition)인 r=0일 때 h=h0를 적용하여 일반식을 만들면 임의의 지점 r에서의 서셉터와 밀폐 부재 사이의 간격 h는 [수학식 5]와 같이 나타낼 수 있다.If the formula is applied by applying h = h0 when the boundary condition r = 0 in [Equation 4], the distance h between the susceptor and the sealing member at any point r is expressed by [Equation 5]. Can be represented as:

상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예는 챔버 덮개(210) 또는 커버 부재(220)의 형상을 변경하여 원료 가스의 흐름을 일정하게 유지하도록 하였다. 즉, 반응 챔버(100)의 상측 구조를 변경함으로써 원료 가스의 흐름을 조절하였다. 그러나, 원료 가스의 흐름을 조절하기 위해 반응 챔버(100)의 하측 구조를 변경하는 다양한 방법이 이용될 수 있다. 예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이 서셉터(300)의 형상을 변경할 수 있는데, 중앙부로부터 외측으로 갈수록 두께가 두꺼워지도록 서셉터(300)의 형상을 변경할 수 있다. 즉, 서셉터(300)가 중앙부로부터 외측으로 소정의 기울기를 갖도록 마련될 수 있다. 이때, 반응 챔버(100)의 상측 구조, 즉 챔버 덮개(210) 또는 커버 부재(220)는 전 영역에서 동일 두께를 갖도록 마련될 수 있다. 물론, 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이 챔버 덮개(210) 또는 커버 부재(220)의 형상을 변경하는 동시에 서셉터(300)의 형상 또한 변경할 수 있다. 즉, 서셉터(300)가 중앙부로부터 외측으로 소정의 기울기를 갖도록 마련되고, 챔버 덮개(210) 또는 커버 부재(220)를 완만한 곡선 형태로 형성하거나(도 10), 직선 형태로 형성하거나(도 11), 또는 단차 구조로 형성할 수 있다(도 12).As described above, in one embodiment of the present invention, the shape of the chamber cover 210 or the cover member 220 is changed to maintain a constant flow of the source gas. That is, the flow of source gas was adjusted by changing the upper structure of the reaction chamber 100. However, various methods of changing the lower structure of the reaction chamber 100 may be used to control the flow of source gas. For example, as shown in FIG. 9, the shape of the susceptor 300 may be changed, but the shape of the susceptor 300 may be changed so that the thickness becomes thicker from the center to the outside. That is, the susceptor 300 may be provided to have a predetermined inclination from the center to the outside. In this case, the upper structure of the reaction chamber 100, that is, the chamber cover 210 or the cover member 220 may be provided to have the same thickness in all areas. Of course, as shown in FIGS. 10 to 12, the shape of the susceptor 300 may also be changed while changing the shape of the chamber cover 210 or the cover member 220. That is, the susceptor 300 is provided to have a predetermined inclination from the center to the outside, and the chamber cover 210 or the cover member 220 is formed in a gentle curved form (FIG. 10), or in a straight form ( FIG. 11) or a stepped structure (FIG. 12).

한편, 상시 실시 예들은 서셉터(300)가 반응 챔버(100)의 하부에 마련되고, 챔버 덮개(210), 즉 밀폐 부재가 상부에 마련되는 경우를 설명하였으나, 서셉터(300)가 상부에 마련될 수도 있다. 이때, 원료 가스 분사기는 반응 챔버(100)의 하부로부터 반응 챔버(100) 상부의 서셉터(300)를 향하여 원료 가스를 분사할 수 있다.
On the other hand, the embodiment has been described in the case where the susceptor 300 is provided in the lower portion of the reaction chamber 100, the chamber cover 210, that is, the sealing member is provided on the upper side, the susceptor 300 in the upper portion It may be arranged. At this time, the source gas injector may inject the source gas from the lower portion of the reaction chamber 100 toward the susceptor 300 above the reaction chamber 100.

본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
Although the technical idea of the present invention has been specifically described according to the above embodiments, it should be noted that the above embodiments are for explanation purposes only and not for the purpose of limitation. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.

100 : 반응 챔버 200 : 밀폐 부재
300 : 서셉터 400 : 원료 가스 공급부100: reaction chamber 200: sealing member
300: susceptor 400: source gas supply unit

Claims

반응 챔버;
상기 반응 챔버 내의 일 측에 마련되어 복수의 기판이 안착되는 서셉터; 및
상기 반응 챔버 내의 상기 서셉터와 대향되는 타 측에 마련된 밀폐 부재를 포함하고,
상기 서셉터와 상기 밀폐 부재 사이의 간격이 상기 기판 상의 각 영역에서 서로 다른 박막 증착 장치.
A reaction chamber;
A susceptor provided on one side of the reaction chamber to seat a plurality of substrates; And
It includes a sealing member provided on the other side facing the susceptor in the reaction chamber,
And a spacing between the susceptor and the sealing member in different regions on the substrate.

청구항 1에 있어서, 상기 복수의 기판은 상기 서셉터의 중앙부를 중심으로 방사형으로 배치된 박막 증착 장치.
The thin film deposition apparatus of claim 1, wherein the plurality of substrates are disposed radially about a central portion of the susceptor.

청구항 2에 있어서, 상기 밀폐 부재는 상기 반응 챔버의 상측에 마련되고, 상기 서셉터는 상기 반응 챔버의 하측에 마련되는 박막 증착 장치.
The thin film deposition apparatus of claim 2, wherein the sealing member is provided above the reaction chamber, and the susceptor is provided below the reaction chamber.

청구항 2에 있어서, 상기 밀폐 부재는 상기 반응 챔버의 하측에 마련되고, 상기 서셉터는 상기 반응 챔버의 상측에 마련되는 박막 증착 장치.The thin film deposition apparatus of claim 2, wherein the sealing member is provided below the reaction chamber, and the susceptor is provided above the reaction chamber.

청구항 2에 있어서, 상기 밀폐 부재와 상기 서셉터 사이의 단면적이 상기 기판 상의 모든 영역에서 동일한 박막 증착 장치.
The thin film deposition apparatus of claim 2, wherein a cross-sectional area between the sealing member and the susceptor is the same in all regions on the substrate.

청구항 3에 있어서, 상기 밀폐 부재와 상기 서셉터 사이의 간격은 상기 반응 챔버의 중앙부로부터 외측으로 점차 줄어드는 박막 증착 장치.
The thin film deposition apparatus of claim 3, wherein a distance between the sealing member and the susceptor gradually decreases outward from a center portion of the reaction chamber.

청구항 6에 있어서, 상기 밀폐 부재는 상기 반응 챔버의 중앙부로부터 가장자리로 두께가 두꺼워지도록 마련된 박막 증착 장치.
The thin film deposition apparatus of claim 6, wherein the sealing member is thickened from the center portion of the reaction chamber to an edge thereof.

청구항 7에 있어서, 상기 밀폐 부재는 챔버 덮개를 포함하는 박막 증착 장치.
The thin film deposition apparatus of claim 7, wherein the sealing member comprises a chamber cover.

청구항 8에 있어서, 상기 밀폐 부재는 상기 챔버 덮개의 일면에 마련된 커버 부재를 더 포함하는 박막 증착 장치.
The thin film deposition apparatus of claim 8, wherein the sealing member further comprises a cover member provided on one surface of the chamber cover.

청구항 9에 있어서, 상기 챔버 덮개는 상기 일면이 평탄하게 마련되고, 상기 커버 부재는 상기 반응 챔버의 중앙부로부터 가장자리로 두께가 두꺼워지도록 마련된 박막 증착 장치.
The thin film deposition apparatus of claim 9, wherein the chamber cover is provided to have a flat surface, and the cover member is thickened from a central portion of the reaction chamber to an edge thereof.

청구항 5 또는 7에 있어서, 상기 서셉터는 상기 반응 챔버의 중앙부로부터 가장자리로 두께가 두꺼워지도록 마련된 박막 증착 장치.
The thin film deposition apparatus of claim 5 or 7, wherein the susceptor is thickened from the center portion of the reaction chamber to the edge thereof.

박막 증착 장치로서,
내부에 공간을 형성하는 반응 챔버;
상기 반응 챔버 내부에 마련되어 복수의 기판이 방사형으로 배치되어 지지되는 서셉터; 및
상기 서섭터와 이격 배치되는 밀폐 부재를 포함하고,
상기 서셉터의 중심에서 외측 방향으로의 제 1 위치에서 높이 방향으로 상기 밀폐 부재까지의 단면적인 제 1 단면적과, 상기 제 1 위치보다 외측의 제 2 위치에서 높이 방향으로 상기 밀폐 부재까지의 단면적인 제 2 단면적이 동일한 박막 증착 장치.
As a thin film deposition apparatus,
A reaction chamber defining a space therein;
A susceptor provided inside the reaction chamber to support a plurality of substrates disposed radially; And
It includes a sealing member spaced apart from the susceptor,
A first cross-sectional area of the cross-section from the center of the susceptor to the sealing member in the height direction at a first position in the outward direction, and a cross-sectional area of the sealing member in the height direction from the second position outside of the first position Thin film deposition apparatus having the same second cross-sectional area.

청구항 12에 있어서, 상기 서셉터와 상기 밀폐 부재 사이의 간격이 상기 서셉터 중앙부에서 외측 방향으로 갈수록 감소하는 박막 증착 장치.
The thin film deposition apparatus of claim 12, wherein a distance between the susceptor and the sealing member decreases in an outward direction from the susceptor center.

청구항 13에 있어서, 상기 서셉터의 중앙부에서 상기 제 1 위치까지의 반경과 상기 제 1 위치에서의 상기 밀폐 부재까지의 간격의 곱이 상기 서셉터의 중앙부에서 상기 제 2 위치까지의 반경과 상기 제 2 위치에서의 상기 밀폐 부재까지의 간격의 곱과 동일한 박막 증착 장치.The method according to claim 13, wherein the product of the radius from the center portion of the susceptor to the first position and the distance from the sealing member at the first position is the radius from the center portion of the susceptor to the second position and the second position. And a thin film deposition apparatus equal to the product of the intervals from the position to the sealing member.