KR20130118425A - 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템 - Google Patents

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신중욱
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김성민
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Abstract

상압 플라즈마 에칭 처리 시스템이 개시된다. 본 발명의 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템은 재료 표면을 플라즈마 에칭 처리하는 시스템에 있어서, 상부에 표면 처리 대상인 재료가 안착되는 접지 치구; 플라즈마 에칭 처리를 위한 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부; 및 RF 에너지를 인가받아 접지 치구와의 사이에 고주파 전계를 발생시킴으로써, 공정가스를 플라즈마화하여 재료의 표면을 플라즈마 에칭 처리하는 에칭 전극부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

상압 플라즈마 에칭 처리 시스템{System For Etching Processing Under Atmospheric Pressure Plasma}
본 발명은 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 재료 표면을 상압 플라즈마 에칭 처리함으로써 친수성 및 오염 방지 특성을 부여할 수 있는 시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마(Plasma)는 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 이러한 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.
특히, 글로우 방전(Glow Discharge)에 의한 플라즈마 생성은 직류나 고주파 전자계에 의해 여기된 자유전자에 의해 이루어지는데, 여기된 자유전자는 가스 분자와 충돌하여 이온, 라디칼, 전자 등과 같은 활성족(Active Species)을 생성한다. 그리고, 이와 같은 활성족은 물리 혹은 화학적으로 물질의 표면에 작용하여 표면의 특성을 변화시킨다. 이와 같이 활성족에 의해 물질의 표면 특성을 변화시키는 것을 표면처리라고 한다.
플라즈마 처리 방법이란, 반응 물질을 플라즈마 상태로 만들어 기판상에 증착하거나, 플라즈마 상태의 반응 물질을 이용하여 세정, 애슁(Ashing) 또는 식각을 하는 처리방법을 말한다.
이러한 플라즈마 처리방법은, 플라즈마 상태가 이루어지는 챔버 내의 기압이 어떠한 압력 상태에 있는가에 따라, 저압 플라즈마 처리 방법과 상압 플라즈마 처리 방법 등으로 분류될 수 있다.
저압 플라즈마 처리 방법은, 진공에 가까운 저압 하에서 글로우 방전 플라즈마(Glow Discharge Plasma)를 발생시켜, 기판상에 박막을 형성하거나, 기판상에 형성된 소정 물질을 식각 혹은 애슁하는 처리방법이다. 그러나, 이러한 저압 플라즈마 처리방법은 진공 챔버, 진공 배기장치 등의 고가 장비가 요구되며, 또한 장치 내의 구성이 복잡하기 때문에 장비 유지 관리 및 진공 펌핑 시간이 길어지는 문제점이 있었다.
이로 인해, 진공 조건의 장비가 요구되지 않는 대기압 하에서 방전 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 상압 플라즈마 처리방법이 제안되어 왔다. 그러나, 상압 플라즈마 처리방법은, 대기압 하에서 챔버 내 두 전극 사이의 방전시 발생되는 글로우 방전 상태가 열역학적 평형 상태인 아크 방전(Arc Discharge) 상태로 전환되어, 안정적인 플라즈마 특성을 나타내지 못해 플라즈마 처리 공정을 진행하기에 적합하지 않았다.
이 경우, 플라즈마 처리를 하는 챔버 내의 두 전극 중 일측 전극을 절연 특성이 좋은 유전체 물질로 절연한 후, 고주파(RF, Radio Frequency) 전원을 인가하면, 대기압 상태에서도 상기 두 전극 사이에 사일런트(Silent) 방전이 일어나고, 캐리어 가스(Carrier gas)로 준안정 상태인 불활성 기체, 예를 들어 헬륨, 아르곤을 이용하면 대기압 중에서도 균일하고 안정된 상태의 플라즈마를 얻을 수 있다.
한편, 태양광 전지나 온실, 건축자재 등으로 사용되는 평판유리는 용도에 맞추어 친수성, 오염 방지 특성 등을 부여하기 위해 다양한 공정으로 표면 처리하고 있다.
기존에 개발된 친수성 부여 방법으로는 재료표면의 화학 조성을 변화시키는 방식과 물리적 구조를 변화시키는 방식이 있다.
화학 조성 변화 방식은, 진공 플라즈마를 이용하여 표면을 개질시키는 방법으로 화학적으로 활성화된 플라즈마와 이온 빔을 사용하여 아르곤, 수소, 산소 가스를 RF 영역에서 인가 전력을 증가시키며 플라즈마를 활성화한 후 재료 표면을 처리하는 경우, 아르곤, 수소, 산소를 각각 처리하기 전 후의 증류수에 대한 접촉각의 변화 특성을 부여한 기술과 아르곤 가스를 RF 플라즈마를 이용하여 직접 처리할 경우 초기 증류수에 대한 접촉각이 감소하는 기술 등이 개발되어 있다. 이와 같이 재료 표면을 진공상태에서 플라즈마 방전 영역에 노출시킴으로써 친수성을 부여한 재료들은 의료용 인공 생체재료 제작에 사용되고 있다.
물리적 구조 변화 방식은 친수성을 가진 액상 무기물 코팅재를 사용하여 재료표면에 코팅막을 형성시킴으로써 친수성을 향상시키는 기술이 개발되어 있으며, 재료 표면을 에칭함으로써 표면 조도를 변화시키고 이에 따라 친수 또는 발수 특성을 부여할 수 있다.
이와 같이 종래 친수성 부여를 위해 유리 및 필름 표면에 코팅 물질을 도포하거나 표면 개질을 통한 특성부여 기술이 개발되어 있지만, 종래의 기술을 몇 가지 문제점을 가진다.
우선 코팅 물질을 도포하는 방식의 경우, 코팅막의 밀착력 및 경도에 따라 친수성 유지 여부에 따른 내구성 문제가 지적되고 있다. 또한 표면 개질 방식의 경우는 개질된 활성기가 시간이 지날수록 소멸하면서 부여된 특성이 감소하게 되므로 마찬가지로 내구성이 문제된다. 재료 표면을 에칭하여 젖음성을 향상시키는 기술의 경우 진공 플라즈마를 이용하는 방식으로써 공정 시 진공 챔버에 처리대상인 재료를 넣고 공정이 완료되면 이를 꺼내야 하므로, 진공 챔버 설치에 따라 시스템 설치 면적이 많이 필요하며 공정 과정이 번거롭고 진공 챔버에 넣고 꺼내는 과정에서 재료가 파손 내지 손상될 위험도 있었다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 재료 표면을 에칭 처리함으로써 코팅막 방식이나 표면 개질 방식이 지닌 내구성 문제를 해결하고, 상압 플라즈마 방전 방식을 적용함으로써 진공 플라즈마 방식이 지닌 공정상의 번거로움과 설치 면적 문제를 해결하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 재료 표면을 플라즈마 에칭 처리하는 시스템에 있어서,
상부에 표면 처리 대상인 재료가 안착되는 접지 치구;
플라즈마 에칭 처리를 위한 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부; 및
RF 에너지를 인가받아 상기 접지 치구와의 사이에 고주파 전계를 발생시킴으로써, 상기 공정가스를 플라즈마화하여 상기 재료의 표면을 플라즈마 에칭 처리하는 에칭 전극부를 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템이 제공된다.
상기 공정가스는 헬륨(He) 및 과불화탄소(CF4)일 수 있다.
상기 공정가스 공급부는 상기 공정가스의 공급을 위한 공정가스 공급원과, 상기 공정가스 공급원으로부터 상기 에칭 전극부로 상기 공정가스를 유도하는 공정가스 유로와, 상기 공정가스 유로에 마련되어 상기 공정가스를 혼합시키는 공정가스 혼합기를 포함할 수 있다.
상기 에칭 전극부는 에칭 전극 몸체와, 상기 에칭 전극 몸체에 마련되며 RF 전원 장치에 연결되어 상압에서 유전체 장벽 방전을 일으키는 에칭 전극과, 상기 에칭 전극을 감싸는 유전체 물질을 포함할 수 있다.
상기 재료는 유리 또는 필름을 포함할 수 있다.
상기 접지 치구는 직선왕복 이동이 가능하도록 마련될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 친수성 또는 오염방지 특성을 갖춘 유리를 생산하는 방법에서, 헬륨(He) 및 과불화탄소(CF4)를 공정가스로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 과정이 적용된 것을 특징으로 하는 유리 생산 방법이 제공된다.
유리의 생산 단계 중 서냉 단계 이후 출하 단계 전의 단계에서 상압 플라즈마 에칭 처리 과정이 적용될 수 있다.
상기 유리의 생산 단계는 원료투입, 용융, 성형, 서냉, 검사, 절단 및 출하의 단계를 포함하며 서냉 단계 이후 출하 단계 전의 단계에서 상압 플라즈마 에칭 처리 과정이 적용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 물방울 접촉각 0도 이상 10도 이하인, 친수성 및 오염방지 특성을 가진 상압 플라즈마 에칭 처리된 유리가 제공된다.
상기 유리는 표면 조도 2㎚ 이상 1OO㎚ 이하인 상압 플라즈마 에칭 처리된 유리일 수 있다.
본 발명은 유리를 비롯한 재료 표면을 친수성 부여를 위해 에칭 처리함으로써 코팅막 방식이나 표면 개질 방식이 지닌 내구성 문제를 해결하고, 상압 플라즈마 방전 방식을 적용함으로써 진공 플라즈마 방식이 지닌 공정상의 번거로움과 설치 면적 문제를 해결할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템을 개략적으로 도시한 정면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템을 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템을 통한 에칭 처리 전 후의 유리의 표면 조도 AFM, FE-SEM 미세 표면 관찰 및 물방울 접촉각 측정 사진이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템을 개략적으로 도시한 정면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템을 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 1 및 2에서 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템은, 재료(400) 표면을 플라즈마 에칭 처리하는 시스템으로서, 상부에 표면 처리 대상인 재료(400)가 안착되는 접지 치구(100)와, 플라즈마 에칭 처리를 위한 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부(200)와, RF 에너지를 인가받아 상기 접지 치구(100)와의 사이에 고주파 전계를 발생시킴으로써, 공정가스를 플라즈마화하여 재료(400)의 표면을 플라즈마 에칭 처리하는 에칭 전극부(300)를 포함한다.
본 실시예에서 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템은 DBD(Dielectric Barrier Discharge:유전체 절연막 방전) 플라즈마 에칭 장치를 사용하는데, 구성은 에칭 대상인 유리가 안착되는 접지 치구(ground electrode, 100), RF에너지를 인가받아 대기압에 노출된 상태에서 플라즈마 방전을 일으키는 에칭 전극부(300), 그리고 에칭 전극부(300) 주위에 혼합 공정가스를 분사하도록 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부(200)로 이루어진다.
대기압에 노출된 상태의 DBD 에칭 전극부(300)에 인가되는 RF 에너지는 13.56MHz를 사용하는 RF 전원 장치(500)를 채택하여, 공정가스 유량에 따라 RF 에너지를 300~600W로 인가한다. 공정가스 공급부(200)로 공급된 공정가스는 에칭 대상이 안착된 접지 치구(100)와 에칭 전극부(300) 사이의 방전영역에서 발생된 플라즈마 방전에 의한 화학적 작용에 의해 처리 대상 표면에 에칭 공정을 수행하며, 에칭 공정에 의하여 변화된 유리 표면의 조도에 따라 친수성이 부여된다.
공정가스는 헬륨(He) 및 과불화탄소(CF4)이다.
본 실시예에서 공정가스는 헬륨(He) 가스 3~5 slm, 과불화탄소(CF4)가스 2~150 sccm이 사용되었다. 공정가스의 혼합 유량은 에칭 대상인 유리의 규소(Si) 함량에 따라 조절할 수 있으며 플라즈마에 노출시키는 에칭시간 또한 공정변수로 조절하여 표면 조도 및 에칭률(etching rate)을 조절한다.
공정가스 공급부(200)는 공정가스의 공급을 위한 공정가스 공급원(210)과, 공정가스 공급원(210)으로부터 에칭 전극부(300)로 공정가스를 유도하는 공정가스 유로(220)와, 공정가스 유로(220)에 마련되어 공정가스를 혼합시키는 공정가스 혼합기(230)를 포함할 수 있다.
공정가스 공급원(210)에 저장된 헬륨과 과불화탄소는 공정가스 혼합기(230)를 사용하여 전극 인입 전에 혼합된 후, 공정가스 유로(220)를 통해 에칭 전극부(300)로 투입시킨다.
에칭 전극부(300)는 에칭 전극 몸체(310)와, 에칭 전극 몸체(310)에 마련되며 RF 전원 장치(500)에 연결되어 상압에서 유전체 장벽 방전을 일으키는 에칭 전극(320)과, 에칭 전극(320)을 감싸는 유전체 물질(330)을 포함할 수 있다. 에칭 전극(320)을 감싸는 유전체 물질(330)은, 예를 들면 쿼츠 유리관을 사용할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이 에칭 전극(320)은 에칭 전극 몸체(310)를 횡단하며 관통하는데, 양단부가 브래킷(bracket, 미도시)으로 에칭 전극 몸체(310)에 연결될 수 있다.
혼합된 공정가스는 공정가스 유로(220)를 통해 인입되어 에칭 전극(320) 주위에 고르게 분사되며, RF에너지의 인가에 따라 유전체 물질(330)로 둘러싸인 에칭 전극(320)이 유전체 장벽 방전을 일으키며 플라즈마를 형성하게 되고, 이러한 플라즈마 영역을 접지 치구(100)상에 놓인 표면 처리 대상 재료(400)가 지나며 상압 플라즈마 에칭 처리된다.
상압 플라즈마 에칭 처리되는 재료(400)는 유리 또는 필름일 수 있다.
접지 치구(100)는 직선왕복 이동이 가능하도록 마련될 수 있다.
접지 치구(100)의 직선 왕복 이동을 통해 에칭시간을 제어할 수 있는데, 접지 치구(100)는 상부에 설치되어 있는 DBD 에칭 전극(320)과 일정 간격을 유지하며 정속도로 직선왕복 이동하면서 플라즈마에 노출되는 공정시간이 조절된다.
본 실시예는 진공 플라즈마가 아닌 상압 플라즈마 방식을 채택함으로써, 유리 생산에 바로 적용되어 표면 처리까지 이루어지도록 공정을 설계할 수 있다.
유리 생산 공장에서 인라인으로 제품이 각각의 공정을 거치며 지나갈 때 공정 단계를 크게 원료투입-용융-성형-서냉-검사-절단-출하의 단계로 보았을 때, 서냉(냉각 공정) 다음 단계 또는 절단 후 출하 전에 본 실시예의 시스템을 적용할 수 있으며, 플라즈마 공정을 위하여 진공 챔버에 삽입하고 처리 후 빼내야하는 번거로움 없이 상압에서 바로 에칭 표면 처리 공정이 가능함으로써 간편하게 친수성을 지닌 유리를 제조할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 친수성 또는 오염방지 특성을 갖춘 유리를 생산하는 방법에서, 헬륨(He) 및 과불화탄소(CF4)를 공정가스로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 과정이 적용된 것을 특징으로 하는 유리 생산 방법이 제공된다.
유리의 생산 단계 중 서냉 단계 이후 출하 단계 전의 단계에서 상압 플라즈마 에칭 처리 과정이 적용될 수 있다.
유리의 생산 단계는 원료투입, 용융, 성형, 서냉, 검사, 절단 및 출하의 단계를 포함하며 서냉 단계 이후 출하 단계 전의 단계에서 상압 플라즈마 에칭 처리 과정이 적용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 물방울 접촉각 0도 이상 10도 이하인, 친수성 및 오염방지 특성을 가진 상압 플라즈마 에칭 처리된 유리가 제공된다.
상압 플라즈마 에칭 처리된 유리는 표면 조도 2㎚ 이상 1OO㎚ 이하이다.
물방울 접촉각을 통해 친수성이 확인된 상압 플라즈마 에칭 처리된 유리는, 태양광 전지나 농업용 온실 외벽 등에 적용하여 옥외 설치할 수 있다. 이러한 경우 황사나 먼지 등으로 표면이 오염되었을 경우에도, 비가 오면 유리 표면의 친수성으로 인해 유리 표면에 빗물이 넓게 퍼지면서 오염물질들을 바깥쪽으로 밀어냄으로써 자가세정작용을 하게 되고, 오염방지 특성을 띠게 된다.
유리에 대한 성능 평가
상압 플라즈마 에칭 처리 시스템 및 에칭 처리된 유리에 대한 성능평가는 다음과 같은 분석을 통해 이루어졌다.
1. 성능 평가를 위해 본 실시예에 따라 상압 플라즈마 에칭 처리된 유리의 샘플을 제작하였다. 대상 시료인 유리를 접지 치구에 안착시키고, 헬륨(He) 가스 3~5 slm, 과불화탄소(CF4)가스 2~150 sccm을 투입하고 13.56MHz RF 전원을 300~600 w로 인가하여 플라즈마를 형성시켜, 접지 치구를 2 mm/sec 속도로 이송시키며 유리 표면을 상압 플라즈마 방전영역에 노출시켜 에칭 처리하였다.
2. 표면 조도 변화를 확인하기 위하여 AFM 분석을 실시하였다. AFM 분석은 HR-AFM(High Resolution Atomic Force Microscope, 모델명 SPA-300HV, 제조사 SII)를 사용하여 실시하였다.
3. 에칭 처리된 유리의 미세표면을 관찰하기 위하여 FE-SEM(Field Emission Scanning Electron Microscope, 모델명 JSM-6700F, 제조사 JEOL) 분석을 실시하였다.
4. 친수성을 확인하기 위해 SEO300A으로 물방울 접촉각 시험을 실시하였다.
5. 조도변화에 따른 유리판의 투명도 변화를 알아보기 위하여 가시광 투과성을 PERKIN ELMER 사의 UV spectrometer(모델명 Lambda 19)으로 측정하였다.
상압 플라즈마 에칭 처리를 통해 유리 표면 조도의 경우 AFM 분석 결과 1.25 (rms, nm)에서 8.07 (rms, nm)로 변화하였으며, FE-SEM(전자주사현미경)으로 미세표면 관찰 결과 표면 거칠기 및 형상에 현저한 변화를 확인하였다. 또한 물방울 접촉각 측정 결과 38°에서 5°로 초친수 특성을 나타냄을 확인하였으며 가시광선 영역인 300~700nm 대역에서의 광투과율을 측정해본 결과 중간 파장인 550 nm에서의 처리 전 투과율은 90.83 % 이고 에칭 공정 처리 후 광투과율은 91.55 %을 나타냈다. 이로써 상압 플라즈마 에칭 처리에 의한 표면 조도 변화에도 불구하고 표면 손상에 의한 유리판의 투명도 및 광 투과율 저하 문제는 발생하지 않음을 확인하였다.
이러한 결과를 하기 표에 나타내었다.
에칭 처리 전 에칭 처리 후
표면 조도 AFM (rms) 1.25 nm 8.07 nm
FE-SEM 관찰결과 - 거칠어지고 형상 변화 확인
물방울 접촉각 38° 5°
가시광 파장 500nm에서 광 투과도(%) 90.83% 91.55%
본 실시예는 유리를 비롯한 재료 표면을 친수성 부여를 위해 에칭 처리함으로써 코팅막 방식이나 표면 개질 방식이 지닌, 코팅막의 밀착력 및 경도 감소 및 개질된 활성기의 시간에 따른 소멸로 인한 내구성 문제를 해결할 수 있다.
또한 본 실시예는 상압 플라즈마 방전 방식을 적용함으로써, 진공 플라즈마 방식이 지니고 있던 진공 챔버 설치에 따른 시스템 설치 면적 문제와 공정 과정이 번거롭고 진공 챔버에 넣고 꺼내는 과정에서 재료가 파손 내지 손상될 위험이 초래되는 등의 문제들을 해결할 수 있다. 이와 같은 본 실시예의 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템을 유리 생산 공정에 추가함으로써 비교적 간편하게 경제성 높은 기능성 유리를 생산할 수 있다.
이와 같은 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형될 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
100: 접지 치구
200: 공정가스 공급부
210: 공정가스 공급원
220: 공정가스 유로
230: 공정가스 혼합기
300: 에칭 전극부
310: 에칭 전극 몸체
320: 에칭 전극
330: 유전체 물질
400: 재료
500: RF 전원 장치

Claims (11)

  1. 재료 표면을 플라즈마 에칭 처리하는 시스템에 있어서,
    상부에 표면 처리 대상인 재료가 안착되는 접지 치구;
    플라즈마 에칭 처리를 위한 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부; 및
    RF 에너지를 인가받아 상기 접지 치구와의 사이에 고주파 전계를 발생시킴으로써, 상기 공정가스를 플라즈마화하여 상기 재료의 표면을 플라즈마 에칭 처리하는 에칭 전극부를 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 공정가스는 헬륨(He) 및 과불화탄소(CF4)인 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 공정가스 공급부는
    상기 공정가스의 공급을 위한 공정가스 공급원;
    상기 공정가스 공급원으로부터 상기 에칭 전극부로 상기 공정가스를 유도하는 공정가스 유로; 및
    상기 공정가스 유로에 마련되어 상기 공정가스를 혼합시키는 공정가스 혼합기를 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 에칭 전극부는
    에칭 전극 몸체;
    상기 에칭 전극 몸체에 마련되며 RF 전원 장치에 연결되어 상압에서 유전체 장벽 방전을 일으키는 에칭 전극; 및
    상기 에칭 전극을 감싸는 유전체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 재료는 유리 및 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 접지 치구는 직선왕복 이동이 가능하도록 마련되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템.
  7. 친수성 또는 오염방지 특성을 갖춘 유리를 생산하는 방법에서, 헬륨(He) 및 과불화탄소(CF4)를 공정가스로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 과정이 적용된 것을 특징으로 하는 유리 생산 방법.
  8. 제 7항에 있어서, 유리의 생산 단계 중 서냉 단계 이후 출하 단계 전의 단계에서 상압 플라즈마 에칭 처리 과정이 적용된 유리 생산 방법.
  9. 제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 유리의 생산 단계는 원료투입, 용융, 성형, 서냉, 검사, 절단 및 출하의 단계를 포함하며 서냉 단계 이후 출하 단계 전의 단계에서 상압 플라즈마 에칭 처리 과정이 적용된 유리 생산 방법.
  10. 물방울 접촉각 0도 이상 10도 이하인, 친수성 및 오염방지 특성을 가진 상압 플라즈마 에칭 처리된 유리.
  11. 제 10항에 있어서, 표면 조도 2㎚이상 1OO㎚이하인 상압 플라즈마 에칭 처리된 유리.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109168243A (zh) * 2018-10-15 2019-01-08 南京苏曼等离子科技有限公司 一种常温常压等离子体板材、膜片材和微小材料处理设备

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