KR20130110215A - 타겟 및 백플레이트를 솔더링하기 위한 방법 - Google Patents

타겟 및 백플레이트를 솔더링하기 위한 방법 Download PDF

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콘풍 매테리얼스 인터네셔널 컴퍼니 리미티드
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Abstract

타겟(202) 및 백플레이트(201)을 솔더링하기 위한 방법은 아래의 단계들을 포함한다: 타겟(202) 및 백플레이트(201)를 준비하는 단계; 타겟(202) 및 백플레이트(201)의 솔더면 위에 솔더를 부가하고, 타겟(202) 및 백플레이트(201)를 매칭하는 단계; 매칭된 타겟(202) 및 백플레이트를 코일(21)안으로 배치하는 단계; 전류를 코일(21)에 흐르게 하고, 타겟 조립을 형성하기 위한 유도가열에 의해 매칭된 타겟(202) 및 백플레이트(201)를 처리하는 단계; 타겟 조립체를 냉각하는 단계. 이 방법은 타겟(202), 백플레이트(201), 및 솔더(203)를 빠르게 가열할 수 있다. 그 결과 타겟(202) 및 백플레이트(201)의 솔더링은 타켓조립체를 형성하기 위해 완료된다. 그러므로 생산효율이 향상될 수 있고 타겟조립체의 대량 생산이 성취될 수 있다.

Description

타겟 및 백플레이트를 솔더링하기 위한 방법{METHOD FOR SOLDERING TARGET AND BACK PLATE}
관련출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2011년 1월 26일자로 출원된 “타겟 및 백플레이트를 솔더링하기 위한 방법”로 명칭된 중국출원 제 201110029201.0호에 대한 우선권을 주장하고, 본 명세서에서 인용함으로 중국출원의 전체내용이 여기에 포함된다.
본 발명은 일반적으로 반도체제조 분야에 관련된 것으로, 보다 상세하게는 타겟과 백플레이트의 웰딩(welding)방법에 관한 것이다.
반도체 산업에서, 타겟조립체(target assembly)는 스퍼터링(sputtering)성능을 충족시키는 타겟 및 적정 강도로 타겟과 결합한 백플레이트를 포함한다. 백플레이트는 타겟조립체가 스퍼터링 기계에 설치될 때 지지해주는 멤버로써 기능을 하고 열을 전달시킬 수 있다. 대규모 직접회로(LSI circuits) 제조에 있어서, 알루미늄 타겟은 물리적 증기 증착(Phisical Vapor Deposition, PVD)으로 형성된 도전층으로 일반적으로 사용된다. 마그네트론 스퍼터링(Magnetron sputtering)은 일반적으로 알루미늄 타겟을 증착하는데 사용된다. 카파(Copper)는 높은 강도, 높은 열전도성 및 전기전도성을 갖고 있어 일반적으로 백플레이트로 사용된다. 알루미늄 타겟 및 백플레이트는 함께 웰딩(welding)될 필요가 있고 반도체산업에서 적용되기 위한 타겟조립체를 형성하기 위해 함께 처리될 필요가 있다. 이를 통해, 타겟조립체는 스퍼터링 기계에 견고하게 설치될 필요가 있고 효과적으로 전자기장의 제어를 받으면서 스퍼터링될 필요가 있다.
브레이징(Brazing)은 고순도 알루미늄 또는 카파가 함유된 알루미늄합금 또는 카파합금을 웰딩(welding, 용접의 일종)하기 위한 일반적인 방법이다. 브레이징 방법에서, 용가재(소위 브레이징 필러 메탈 또는 솔더)는 기초물질의 경우보다 녹는점이 낮고, 용가재는 녹기위해 가열되고, 액상 용가재는 기초물질을 습하게 하고 결합공간을 채운다. 액상 솔더는 기초물질 속으로 분산되어 봉합된 결합부위를 형성한다. 도 1 내지 도 3은 종래기술의 타겟 및 백플레이트의 브레이징 과정을 도시한다.
도 1을 참조하면, 타겟조립체를 형성하는 구성요소들이 준비된다. 구성요소들은 타겟(102) 및 백플레이트(101)를 포함한다. 구성요소들은 가열판(104) 위에 배치된다(타겟(102) 및 백플레이트(101)은 가열판(104)위에 각각 배치될 수 있거나, 타겟(102) 및 백플레이트(101)가 우선 결합되고 가열판(104)에 함께 배치될 수도 있는데, 본 실시예에서는 전자를 적용한다). 구성요소들이 적정 온도에 도달하면 솔더(103)는 타겟(102) 및 백플레이트(101)의 웰딩표면에 부가될 수 있다.
도 2를 참조하면, 솔더(103)가 용융된 후에, 타겟(102) 및 백플레이트(101)는 하나로 결합된다. 적정 압력이 결합된 타겟(102) 및 백플레이트(101)에 얼마간 가해진다. 그러면 타겟(102) 및 백플레이트(101)는 타겟조립체를 형성하기 위해 함께 웰딩된다.
도 3을 참조하면, 냉각 후의 타겟조립체가 도시되어 있다. 획득된 타겟조립체는 타겟(102) 및 백플레이트(101)를 포함한다. 도 3의 흑색영역(103’)은 타겟(102) 및 백플레이트(101)가 용융된 솔더(103’)에 의해 웰딩된 결합영역(103’)이다.
전통적 방법에서, 가열판은 일반적으로 브레이징 과정에서 구성요소 및 솔더를 가열하는데 사용된다. 가열판은, 가열근원으로서, 구성요소 및 솔더를 천천히 가열시켜, 타겟조립체의 대량 생산에는 적합하지 않다.
브레이징 과정의 더 자세한 정보는 중국특허출원 200610146033.2 에서 찾을 수 있어서, 큰 영역의 이재용접을 위한 브레이징 방법이 개시되어 있다.
본 발명의 실시예들은 타겟 및 백플레이트의 브레이징 속도를 개선하는 방법을 제공하여 타겟조립체의 생산을 용이하게 할 수 있다.
한 실시예에서, 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법은 다음과 같은 단계들을 포함할 수 있다:
타겟 및 백플레이트를 준비하는 단계;
타겟 및 백플레이트의 웰딩표면에 솔더를 부가하고 타겟 및 백플레이트를 함께 고정하는 단계;
고정된 타겟 및 백플레이트를 코일속으로 배치하는 단계;
타겟조립체 형성을 위해 상기 코일로 전류를 인가하여 상기 고정된 타겟 및 백플레이트에 유도가열을 수행하는 단계;및
타겟조립체 냉각단계.
선택적으로, 타겟 및 백플레이트의 웰딩방법은 솔더를 부가하기 전 타겟 및 백플레이트의 웰딩표면을 연마 및 클리닝하는 단계를 더 포함할 수 있다
선택적으로, 유도가열은 5분 내지 20분 지속할 수 있다.
선택적으로, 코일에 인가되는 전류는 100A 내지 2000A 일 수 있고 100KHz 내지 250KHz 범위의 주파수를 가질 수 있다.
선택적으로, 타겟 및 백플레이트의 웰딩방법은 다음의 단계를 더 포함할 수 있다: 타겟조립체 냉각단계 전, 및 고정된 타겟 및 백플레이트에 유도가열 수행단계 후에, 타겟 및 백플레이트에 압력을 가하는 단계.
선택적으로, 압력은 5분 내지 15분간 지속될 수 있고 타겟 및 백플레이트의 웰딩표면에 가해지는 압력의 강도는 0Mpa 내지 1Mpa이 될 수 있다.
선택적으로 타겟조립체를 냉각하는 것은 타겟조립체를 냉각하기 위한 냉각재를 주입하는 것을 포함할 수 있다.
선택적으로, 타겟은 알루미늄 혹은 알루미늄 합금으로 구성될 수 있다.
선택적으로, 백플레이트는 카파, 카파합금, 알루미늄, 알루미늄 합금으로 구성될 수 있다.
선택적으로, 솔더는 주석(tin)으로 구성될 수 있다.
기존의 방법들과 비교하면, 본 발명은 다음과 같은 장점을 가질 수 있다.
유도가열은 타겟, 백플레이트 및 솔더를 빠르게 가열할 수 있고, 그 결과 솔더가 가열되어 녹고, 타겟조립체 형성을 위해 타겟 백플레이트는 함께 결합된다. 따라서 생산효율은 크게 개선되고 타겟조립체의 대량 생산도 실현될 수 있다.
도 1 내지 3은 종래기술에서 타겟 및 백플레이트의 브레이징 과정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명에서 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법의 흐름도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
발명의 목적, 특징, 이점들을 명확히 하기위해, 본 발명의 실시예들이 관련 도면들과 함께 상세하게 기술된다.
아래 설명에서, 구체적이고 다양한 상세사항들이 본 발명의 철저한 이해를 돕기위해 제시될 것이다. 하지만, 본 발명의 기술분야의 통상적인 기술자에게 아래 기술된 실시예와 다른 실시예들로 본 발명이 구현될 수 있다는 것은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 기술이 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
배경기술에 기재한바와 같이, 종래기술에서는, 브레이징 과정에서 가열판은 일반적으로 구성요소들(타겟 및 백플레이트) 및 솔더를 가열하는데 사용된다. 열근원으로서, 가열판은 구성요소들 및 솔더를 천천히 가열하는 것을 제공하고, 이는 타겟조립체 의 대량 생산을 위해서는 적합하지 않다.
한 실시예에서, 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법이 개시된다. 도 4는 본 발명에서 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법의 흐름도를 개략적으로 도시한다. 도 4를 참조하면, 상기 방법은 다음의 단계를 포함할 수 있다:
단계 S101는, 타겟 및 백플레이트를 준비하는 단계;
단계 S102는, 타겟 및 백플레이트의 웰딩표면에 솔더를 부가하고 타겟 및 백플레이트를 함께 고정하는 단계;
단계 S103는, 고정된 타겟 및 백플레이트를 코일속으로 배치하는 단계;
단계 S104는, 타겟조립체 형성을 위해 상기 코일로 전류를 인가하여 상기 고정된 타겟 및 백플레이트에 유도가열을 수행하는 단계;및
단계 S105는, 타겟조립체 냉각 단계.
위의 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 상기 방법은 실시예들과 함께 상세하게 기술될 수 있다. 도 5 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4 및 도5를 참조하면, 단계 S101이 실행될 수 있다. 타겟(202) 및 백플레이트(201)가 준비된다. 특별히, 스퍼터링 장치의 적용환경 및 실제의 요구사항에 따라, 타겟(202)은 원, 사각형, 링, 뿔 등 (규칙, 불규칙모양을 포함)의 모양일 수 있다. 일부의 실시예에서, 타겟(202)은 알루미늄, 알루미늄합금, 카파 또는 카파합금로 구성될 수 있다. 일부의 실시예에서, 타겟(202)은 원모양일 수 있고(도 5는 단면도이다.) 가급적 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 구성될 수 있다. 백플레이트(201)의 모양은 스퍼터링 장치에 따라 달리질 수 있다. 백플레이트(201)의 재료는 특정요구사항에 따라 결정될 수 있다. 일반적으로 백플레이트(201)는 카파, 카파합금, 알루미늄또는 알루미늄합금으로 구성될 수 있다. 일부의 실시예에서 백플레이트(201)는 가급적 카파 또는 카파합금으로 구성될 수 있다.
계속 이어서 도 4 및 도 5를 참조하면, 단계 S102가 수행될 수 있다. 솔더(203)는 타겟(202) 및 백플레이트(201)의 웰딩표면에 부가되고, 타겟(202) 및 백플레이트(201)는 함께 고정된다. 일부의 실시예에서, 솔더(203)는 백플레이트(201)의 웰딩표면에 부가되고 백플레이트(201)의 웰딩표면을 덮을 수 있다. 그리고나서 타겟(202)은 백플레이트(201)와 함께 고정될 수 있고, 타겟(202)의 웰딩표면은 솔더(203)를 덮을 수 있다. 일부의 실시예에서, 솔더(203)는 타겟(202)의 웰딩표면에 부가되거나 타겟(202)의 웰딩표면 및 백플레이트(201)의 웰딩표면 모두에 부가될 수 있다. 일부의 실시예에서, 솔더(203)는 주석(tin)으로 구성될 수 있다. 도 5에 도시된 백플레이트(201)는 타겟(202)의 모양과 매치되는 그루부(groove)를 가질 수 있음이 주목되어야 한다. 솔더(203)은 홈안으로 부가될 수 있고 타겟(202)은 백플레이트(201)와 함께 고정될 수 있다. 이런 방식으로, 솔더(203)가 용융된 후에, 솔더(203)는 이어지는 단계의 처리과정에서 타겟(202) 및 백플레이트(201)의 웰딩표면을 넘치지 않을 수 있다. 게다가, 고정된 타겟(202) 및 백플레이트(201)의 구조는 웰딩의 품질을 보장할 수 있다. 일부의 실시예에서, 백플레이트(201)는 그루브를 가지지 않고 평평할 수 있다.
일부의 실시예에서, 단계S102를 수행하기 전에 상기 방법은 플로윙(flowing) 단계를 더 포함할 수 있다: 플로윙 단계는 솔더(203) 부가하기 전 타겟(202) 및 백플레이트(201)의 웰딩표면을 연마하고 클리닝하는 단계이다. 일부의 실시예에서, 연마용 부재는 타겟(202) 및 백플레이트(201)의 웰딩표면 전체의 산화층을 제거하기 위해서 상기 웰딩표면 전체를 연마는데 사용될 수 있어서, 타겟(202) 및 백플레이트(201)의 웰딩표면의 거침을 줄일 수 있음으로 후속 처리단계에서 더 나은 웰딩의 효과를 보장할 수 있다. 또한, 유기용제가 연마한후 웰딩표면을 깨끗하게 하는데 사용될 수 있다. 유기용제는 이소부틸 알코올(IBA), 이소프로필 알코올(IPA), 또는 혼합 알코올(IPB) 등이 사용될 수 있다. 일부의 실시예에서 유기용제는 가급적 IPA 가 선호된다.
도 4 및 6을 참조하면, 단계 S103이 수행될 수 있다. 고정된 타겟(202) 및 백플레이트(201)는 코일(21)속으로 배치된다. 특별히, 유도가열장치가 제공될 수 있다. 유도가열장치는 대상체를 위해 가열챔버(22)를 가질 수 있다. 코일(21)은 가열챔버(22)내에 배치될 수 있고 고주파 빔을 발생시켜 진동시키게 구성될 수 있다. 코일의 감은수는 5 내지 50회일 수 있다. 또한, 냉각장치(24)는 가열챔버(22)내에 배치될 수 있다. 냉각장치(24)는 유도가열 후 냉각을 수행하기 위해 구성될 수 있다. 유도가열장치는 고주파 전원 장치를 더 포함할 수 있다. 일부의 실시에에서, 고주파전원장치는 고주파생성기(23)가 될 수 있다. 고주파생성기(23)은 코일(21)과 연결되고 코일(21)에 고주파전류를 제공할 수 있도록 구성된다. 유도가열장치는 위의 기술된 구조를 사용하고 복잡한 동작은 불필요할 수 있다. 가열된 대상체는 웰딩을 마치기 위해 짧은 시간동안 내외부가 가열될 수 있다.
유도가열의 원리는 다음을 포함한다: 고주파 대전류가 링모양 또는 다른 모양으로 말아진 코일(일반적으로 적색 카파튜브로 구성됨)로 흐르고; 즉각적으로 극성변화와 함께 강한 자기장이 코일안에서 생성되고; 자기장은 코일안에 배치된 금속과 같은 전체 대상체를 통해 동작하고 대상체가 가열될 때 발생되는 가열전류의 방향과 반대되는 큰 와전류에 대응한다. 가열되기 위한 대상체는 저항을 가지므로 매우 큰 줄열(joule heat)이 발생되어 대상체의 온도를 급격하게 올린다.
일부의 실시예에서, 고정된 타겟(202) 및 백플레이트(201)는 유도가열장치 안의 코일(21)내에 배치될 수 있고 냉각장치(24)에 배치될 수 있다.
도 4, 도 6, 및 도 7을 참조하면, 단계 S104가 수행될 수 있다. 전류가 코일에 인가된다. 유도가열은 타겟조립체를 형성하기 위해 고정된 타겟(202) 및 백플레이트에 수행된다. 일부의 실시예에서, 고주파 생성기(23)는 링모양으로 말아진 코일에 인가되는 고주파대전류(교류, 일반적인 100Kz 내지 500KHz범위내의 고주파)를 생성하기 시작한다. 전류의 다양화는 강한 자기장을 발생시키고, 자기선들은 전체의 타겟(202), 백플레이트(201), 솔더(203)를 통해 동작할 수 있다. 강한 와전류는 타겟(202), 백플레이트(201), 및 솔더(203)를 포함하는 금속내의 가열전류의 방향 반대편에 생성될 수 있다. 타겟(202) 및 백플레이트(201)는 저항이 있어 줄열이 발생될 수 있고, 이는 타겟(202), 백플레이트(201) 및 솔더(203)의 온도가 250℃ 내지 300℃에 도달하여 웰딩되도록 한다. 솔더(203)의 녹는점은 타겟(202) 및 백플레이트(201)의 녹는점보다 크게 낮으므로, 용융된 솔더(203)(도 7의 흑색영역으로 도시)는 타겟(202) 및 백플레이트(201)를 습하게 만들 수 있고 결합공간을 채울 수 있다. 그렇게 함으로, 타겟(202) 및 백플레이트(201)는 타겟조립체 형성을 위해 함께 웰딩된다. 일부의 실시예에서, 유도가열을 하는동안, 고주파생성기에 의해 코일(21)에 인가된 교류전류는 100A 내지 2000A일 수 있고 100KHz 내지 250KHz 범위의 주파수를 가질 수 있다. 유도가열은 5분 내지 20분 지속될 수 있다. 위의 기술로부터, 본 발명에 적용된 유도가열과정은 타겟 및 백플레이트의 웰딩을 가속화시킬 수 있어서 큰 생산효율성 개선 및 타겟조립체의 대량 생산을 구현할 수 있다.
단계 S104에서, 상기 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법은 타겟조립체를 냉각하는 단계 전, 및 고정된 타겟(202) 및 백플레이트(201)에 유도가열을 수행하는 단계 후에, 타겟(202) 및 백플레이트(201)에 압력을 가하는 단계를 더 포함할 수 있다. 가급적, 압력은 5분 내지 15분 동안 지속될 수 있다. 타겟(202) 및 백플레이트(201)의 웰딩표면에 가해지는 압력의 강도는 0Mpa내지 1MPa(0Mpa보다 크고 1Mpa보다 작거나, 0Mpa보다 크고 1Mpa와 동일)가 될 수 있다. 일부의 실시예에서, 공압장치와 같은 가압장치(도 6에 화살표로 도시됨)는 유도가열장치 안에 설치될 수 있다. 압력은 힐블록을 통해 균형을 맞추면서 타겟(202) 및 백플레이트(201)에 가해질 수 있다. 이러한 방식에서, 압력의 강도는 0Mpa보다 크고 1Mpa보다 작거나, 0Mpa보다 크고 1Mpa와 같고 타겟(202) 및 백플레이트(201)의 웰딩 표면에서 발생될 수 있다. 압력은 약 10분간 지속될 수 있어 더 나은 효과의 웰딩을 이끌 수 있다.
도 4 및 도7을 참조하면, 단계 S105가 수행될 수 있다. 타겟조립체는 냉각된다. 가급적, 타겟조립체를 냉각하는 것은 냉각재를 주입하고 타겟조립체를 냉각하는 것을 포함한다. 냉각재 일부의 실시예에서, 냉각장치(24)는 밀(meal) 또는 금속합금으로 구성된 플레이트일 수 있다. 냉각재를 포함한 파이프는 밀 또는 금속합금으로 구성된 플레이트 내에 배치될 수 있다. 일부의 실시예에서, 냉각재는 순환냉각수일 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이(도 6에 도시된 코일(21) 및 고주파 생성기(23)는 도 7에는 도시되지 않음), 냉각장치(24)는 물유입구(24a) 및 순환냉각수의 물배출구(24b)를 포함할 수 있다. 일부의 실시예에서, 타겟(202) 및 백플레이트(201)에 압력을 가한 후(압력이 가해진 상태 중), 냉각장치(24)에서 냉각수의 순환은 시작될 수 있다. 냉각수의 순환은 다음을 포함 할 수 있다: 냉각수가 유입구(24a)를 통해 유입되고 뜨거워진 냉각장치(24)에 들어가고, 순환에 의해, 냉각수는 열을 빼앗고 유출구(24b)로 고온의 물 및 플로우를 배출한다; 그리고 상기 과정이 반복적으로 실시된다. 이런 방식으로, 타겟(202) 및 백플레이트(201)는 냉각된다. 일부의 실시예에서, 공기의 냉각 또는 찬 공기와의 혼합에 의한 냉각과 같은 다른 냉각 방법들이 쓰일 수 있다. 냉각 후, 타겟(202) 및 백플이트(201)의 웰딩이 구현된다.
위의 실시예들에서, 코일과 고주파생성기 외에, 유도가열장치 안에서 가압장치 및 냉각장치는 통합된다. 일부의 실시예에서, 유도가열장치는 코일 및 고주파생성기만을 포함할 수 있다. 유도가열후에, 고정된 타겟 및 백플레이트는 압력이 적용되는 개개의 가압장치 내에 배치되고, 그리고나서 냉각된 개개의 냉각장치에 배치된다.. 따라서, 본 발명에서 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법은 공개의 범위를 제한하지 않는다.
결론적으로 실시예들에 나타난 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법은 적어도 다음과 같은 이점을 가질 수 있다.
유도가열은 타겟, 백플레이트, 솔더를 빠르게 가열할 수 있다. 그래서 솔더는 가열되어 녹게 되고, 타겟조립체를 형성하기 위해 타겟 및 백플레이트는 함께 결합하게 된다. 그러므로 생산효율은 크게 개선되고 타겟조립체의 대량 생산이 구현될 수 있다.
본 발명에서의 바람직한 실시예를 참조하여 위와 같이 발명을 개시하였으나 발명의 범위를 제한할 수는 없을 것이다. 본 발명의 기술분야의 통상의 기술자는 본 발명의 명세서에 개시된 사상과 범위에서 기인하지 않고 실시예들을 변경하고 다양하게 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술개시에 범위에 기인하지 않고 간단한 변경 및 동등한 변화는 본 발명의 기술범위의 보호범위에 속한다.

Claims (10)

  1. 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법에 있어서,
    타겟 및 백플레이트를 준비하는 단계;
    상기 타겟 및 상기 백플레이트의 웰딩표면에 솔더를 부가하고 상기 타겟 및 상기 백플레이트를 함께 고정하는 단계;
    상기 고정된 타겟 및 백플레이트를 코일속으로 배치하는 단계;
    타겟조립체 형성을 위해 상기 코일로 전류를 인가하여 상기 고정된 타겟 및 백플레이트에 유도가열을 수행하는 단계; 및
    상기 타겟조립체를 냉각하는 단계를 포함하는 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 솔더를 부가하기 전 상기 타겟 및 상기 백플레이트의 상기 웰딩표면을 연마하고 클리닝하는 단계를 더 포함하는 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    유도가열은 5분 내지 20분동안 지속하는 것을 특징으로 하는 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 코일에 인가되는 상기 전류는 100A 내지 2000A이고, 100KHz 내지 250KHz 범위의 주파수를 가지는 것을 특징으로 하는 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 고정된 타겟 및 백플레이트로 유도가열을 수행하는 단계 후 및 상기 타겟 조립체를 냉각하는 단계 전에 상기 타겟 및 백플레이트로 압력을 가하는 단계를 더 포함하는 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 압력은 5분 내지 15분동안 유지되고 상기 타겟 및 상기 백플레이트의 상기 웰딩표면에 가해지는 상기 압력의 강도는 0Mpa 내지 1MPa인 것을 특징으로 하는 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법.
  7. 제 1항에 있어서
    상기 타겟조립체를 냉각하는 단계는 상기 타겟조립체를 냉각하기 위한 냉각재를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 타겟은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 백플레이트는 카파, 카파합금, 알루미늄 또는 알루미늄합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 솔더는 주석(tin)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 타겟 및 백플레이트를 웰딩하기 위한 방법.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103692041A (zh) * 2012-09-28 2014-04-02 宁波江丰电子材料有限公司 一种硅靶材组件的钎焊方法
CN104588810B (zh) * 2013-10-30 2016-08-31 宁波江丰电子材料股份有限公司 铝靶材组件的焊接方法
TWI612025B (zh) * 2015-09-23 2018-01-21 住華科技股份有限公司 製作濺鍍靶材的銲料及其應用方法
JP6277309B2 (ja) * 2016-07-13 2018-02-07 住友化学株式会社 スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット
CN108070834B (zh) * 2016-11-18 2020-02-04 宁波江丰电子材料股份有限公司 背板及其形成方法
CN106891070B (zh) * 2017-02-23 2023-11-07 深圳市科达利实业股份有限公司 一种铜铝复合板、极柱连接板结构及电池
CN109382559B (zh) * 2017-08-09 2021-02-23 宁波江丰电子材料股份有限公司 背板制造方法及背板
CN110270732A (zh) * 2018-03-16 2019-09-24 合肥江丰电子材料有限公司 靶材焊接装置、吊装治具及靶材焊接方法
CN109262255B (zh) * 2018-09-19 2022-08-02 芜湖市星东塑胶模具制品有限公司 一种压缩机吸气***装配装置
CN109590560B (zh) * 2018-12-13 2020-11-27 有研亿金新材料有限公司 一种大面积铁磁性靶材焊接方法及装置
CN110484876B (zh) * 2019-08-21 2020-07-03 东莞市欧莱溅射靶材有限公司 一种平面靶的校平方法
CN110666281B (zh) * 2019-11-01 2021-07-23 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种铝靶材和含铜背板的钎焊焊接方法
CN111515484B (zh) * 2020-05-11 2022-04-15 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种高纯铝靶材的焊接方法
CN113210785A (zh) * 2021-06-02 2021-08-06 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种铝钪合金靶材的钎焊方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2569137B1 (fr) * 1984-08-16 1994-03-04 Constructions Telephoniques Cie Procede de soudage par magnetopropulsion
CN2103394U (zh) * 1991-09-29 1992-05-06 西安交通大学 带锯条高频焊接装置
JP3470953B2 (ja) * 1999-08-02 2003-11-25 アオイ電子株式会社 プリント配線板に電子部品を着脱する方法
JP2001064771A (ja) * 1999-08-27 2001-03-13 Kojundo Chem Lab Co Ltd スパッタリングターゲット
JP2003039192A (ja) * 2001-07-30 2003-02-12 Sony Corp 半田ブロック及び半田付け方法
JP2003053520A (ja) * 2001-08-22 2003-02-26 Toyota Central Res & Dev Lab Inc Ｔｉ−Ａｌ系合金部材の接合方法
CN100566904C (zh) * 2005-07-21 2009-12-09 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 一种涂层用靶极材料的内外套钎焊工艺方法
JP2007090379A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Nihon Dennetsu Keiki Co Ltd はんだ付け装置及びはんだ付け装置の始動方法
CN100491039C (zh) * 2006-07-28 2009-05-27 宁波江丰电子材料有限公司 一种钎焊方法
JP2009119510A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Toyota Motor Corp 半田付け用加熱装置およびその方法
JP2009154195A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Toyota Industries Corp 半田付け装置
CN101543924A (zh) * 2009-03-12 2009-09-30 宁波江丰电子材料有限公司 靶材与背板的焊接方法
JP2010240670A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Toyota Industries Corp 半田付け装置
CN101648307A (zh) * 2009-05-08 2010-02-17 宁波江丰电子材料有限公司 靶材组件的制作方法
CN201979187U (zh) * 2011-01-26 2011-09-21 宁波江丰电子材料有限公司 焊接靶材与背板的快速感应钎焊装置

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