KR20130103433A - Fluorescent light emitting apparatus and method of forming fluorescent substance layer thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A fluorescent light-emitting device and a method of forming a fluorescent substance layer of the fluorescent light-emitting device increase the luminous intensity by firmly fixing the fluorescent substance layer to an anode electrode. CONSTITUTION: A fluorescent substance layer (2) is composed of first and second fluorescent substance layers (21,22) successively laminated on an anode electrode (12). The first fluorescent substance layer is composed of fluorescent substance particles (31), binder particles (32), and conductive particles (33). The second fluorescent substance layer is composed of the fluorescent substance particles. The first fluorescent substance layer has light-emitting, fixing, conductive functions, and the second fluorescent substance layer has the light-emitting function.

Description

형광 발광 장치와 형광 발광 장치의 형광체층의 형성 방법{FLUORESCENT LIGHT EMITTING APPARATUS AND METHOD OF FORMING FLUORESCENT SUBSTANCE LAYER THEREOF}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a fluorescent light emitting device and a method of forming a fluorescent layer of a fluorescent light emitting device,

본 발명은 형광 표시 장치 등의 형광 발광 장치에 관한 것으로서, 특히 형광 발광 장치의 형광체층과 형광체층의 형성 방법에 관한 것이다．BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fluorescent light emitting device such as a fluorescent display device, and more particularly to a method of forming a fluorescent substance layer and a fluorescent substance layer of a fluorescent light emitting device.

형광 발광 장치는 필라멘트나 전계 방출 소자 등의 전자원으로부터 방출되는 전자에 의해 발광하는 형광체층을 구비한다. 도 3을 참조하여 종래의 형광 발광 장치의 형광체층에 대해 설명한다. The fluorescent light emitting device has a phosphor layer that emits light by electrons emitted from an electron source such as a filament or a field emission device. The phosphor layer of the conventional fluorescent light emitting device will be described with reference to FIG.

도 3은 유리 기판에 형성한 알루미늄 등의 도체로 이루어지는 애노드 전극 상에 형성한 형광체층의 확대 단면도이다. 3 is an enlarged cross-sectional view of a phosphor layer formed on an anode electrode made of a conductor such as aluminum formed on a glass substrate.

도 3에 있어서, 부재번호 11은 유리 기판, 부재번호 12는 애노드 전극, 부재번호 51∼53은 형광체층이다. 또한, 큰 흰 원(61)은 형광체의 입자, 작은 흰 원(62)은 SiO2 등의 초미립자로 이루어지는 고착재의 입자이다. In Fig. 3, reference numeral 11 denotes a glass substrate, reference numeral 12 denotes an anode electrode, and reference numerals 51 to 53 denote phosphor layers. In addition, the large white circle 61 is a particle of a phosphor, and the small white circle 62 is a particle of a fixing material made of ultrafine particles such as SiO 2.

형광체층은 통상, 도 3(a)의 형광체층(51)과 같이, 형광체 입자(61)와 고착재 입자(62)에 의해서 형성되고, 필요에 따라 도전재의 입자(도시하지 않음)를 첨가하고 있다. The phosphor layer is usually formed of the phosphor particles 61 and the fixing material particles 62 like the phosphor layer 51 of Fig. 3 (a), and particles (not shown) of a conductive material are added as needed have.

고착재 입자(62)는 형광체층(51)을 애노드 전극(12)에 고착하는 접착재의 역할을 하고 있다. The fixing material particles 62 serve as an adhesive material for fixing the phosphor layer 51 to the anode electrode 12.

고착재 입자(62)나 도전재 입자는 발광 물질이 아니기 때문에, 이 입자들을 형광체층(51)에 첨가하면, 형광체층(51)의 발광 휘도가 저하하는 원인 중의 하나가 된다. 구체적으로, 고착재 입자(62) 등의 비발광 입자는 형광체 입자(61)로부터 방사된 광의 진행을 방해하거나, 전자원으로부터 방출되고 형광체 입자(61)를 향하는 전자의 진행을 방해하기 때문에, 형광체층(51)의 발광 휘도가 저하하게 된다. Since the fixing material particles 62 and the conductive material particles are not luminescent materials, the addition of these particles to the phosphor layer 51 is one of the causes for lowering the luminescence brightness of the phosphor layer 51. Specifically, since the non-luminescent particles such as the fixing material particles 62 interfere with the progress of the light emitted from the phosphor particles 61 or hinder the progress of electrons emitted from the electron source and toward the phosphor particles 61, The light emission luminance of the layer 51 is lowered.

따라서, 형광체층(51)의 발광 휘도를 개선하기 위해, 도 3(b)와 같이, 형광체층에 고착재 입자나 도전재 입자를 첨가하지 않은 형광체층(52)이 제안되어 있다(특허문헌 1). Therefore, in order to improve the luminescence brightness of the phosphor layer 51, there has been proposed a phosphor layer 52 to which the fixing material particles and the conductive material particles are not added to the phosphor layer, as shown in Fig. 3 (b) ).

형광체층(52)은 비발광 입자인 고착재 입자나 도전재 입자를 포함하지 않기 때문에, 형광체층(52)의 발광 휘도는 개선되지만, 고착재 입자를 포함하지 않기 때문에 애노드 전극(12)에 대한 고착력이 약하고, 애노드 전극(12)으로부터 박리되어 버린다. Since the phosphor layer 52 does not contain the fixing material particles or the conductive material particles which are non-luminescent particles, the luminescence brightness of the phosphor layer 52 is improved. However, since the phosphor layer 52 does not contain the fixing material particles, The fixing force is weak and the anode electrode 12 is peeled off.

따라서, 형광체층의 발광 휘도를 저하시키지 않고 애노드 전극(12)에 대한 형광체층의 고착력을 높이기 위해, 도 3(c)와 같이, 애노드 전극(12)의 표면에만 고착재 입자(62)를 부착시킨 형광체층(53)이 제안되어 있다(특허문헌 1). 3 (c), only the surface of the anode electrode 12 is coated with the fixation material particles 62 in order to increase the fixation force of the phosphor layer to the anode electrode 12 without lowering the luminescence brightness of the phosphor layer. A phosphor layer 53 attached to the phosphor layer 53 is proposed (Patent Document 1).

고착재 입자(62)는 절연체이기 때문에, 도 3(c)의 경우, 애노드 전극상의 고착재 입자(62)의 분포 밀도가 높아지면, 형광체층(53)과 애노드 전극(12) 사이의 전기 저항이 커지고, 형광체층(53)은 챠지 업해서 발광을 방해한다. 그래서, 도 3(c)의 형광체층(53)은 애노드 전극(12)의 표면에 고착재 입자(62)를 점점이 분포시키고 있지만, 형광체층(53)과 애노드 전극(12)간에 충분한 접착 강도가 얻어지지 않아 박리되어 버리는 경우가 있다. 따라서, 애노드 전극(12)에 고착재 입자(62)를 부착하는 것에 의해, 소정의 고착력과 도전성을 확보하는 것은 곤란함을 알 수 있다. 3 (c), when the distribution density of the fixing material particles 62 on the anode electrode is increased, the electric resistance between the fluorescent material layer 53 and the anode electrode 12 And the phosphor layer 53 is charged up to interfere with light emission. 3 (c), the bonding material particles 62 are gradually distributed on the surface of the anode electrode 12, but the bonding material particles 62 between the phosphor layer 53 and the anode electrode 12 have sufficient adhesion strength There is a case in which it is peeled off. Therefore, it can be seen that it is difficult to secure a predetermined fixing force and conductivity by attaching the fixing material particles 62 to the anode electrode 12. [

또, 고착재 입자(62)를 애노드 전극(12)에 부착하는 방법으로서는 소정량의 고착재 입자(62)를 첨가한 페이스트를 애노드 전극(12)에 도포하고, 용제를 증발시켜 고착재 입자(62)를 애노드 전극(12)에 부착하는 방법이 취해지고 있지만, 이 방법은 애노드 전극 상에 고착재 입자(62)를 저밀도로 부착하는 것이 곤란하여 고착재 입자(62)의 분포 밀도가 높아져 버린다. As a method for attaching the fixing material particles 62 to the anode electrode 12, a paste to which a predetermined amount of the fixing material particles 62 are added is applied to the anode electrode 12, and the solvent is evaporated to form a fixing material particle 62 is attached to the anode electrode 12 in this method. However, in this method, it is difficult to attach the fixing material particles 62 on the anode electrode at a low density, and the distribution density of the fixing material particles 62 increases .

일본국 특허공개공보 제2011-49095호Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-49095

종래의 형광 발광 장치의 형광체층은 전술한 바와 같이, 고착 강도를 크게 하면서 동시에 발광 휘도를 높게 하는 것은 곤란하였다. As described above, it has been difficult to increase the fixation strength and simultaneously increase the luminescence brightness of the phosphor layer of the conventional fluorescent light emitting device.

본 발명은 종래의 형광 발광 장치의 형광체층의 상기 문제점을 개선하는 것을 목적으로 하고, 고착력이 크고 발광 휘도가 높은 형광체층을 구비한 형광 발광 장치와 그 형광체층의 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. A fluorescent light emitting device having a phosphor layer having a high fixing force and a high luminescence brightness and a method for forming the phosphor layer are provided for the purpose of improving the above problems of the fluorescent layer of the conventional fluorescent light emitting device .

본 발명은 그 목적을 달성하기 위해, 청구항 1에 기재된 형광 발광 장치는 전자원으로부터 방출되는 전자에 의해서 발광하는 형광체층을 구비한 형광 발광 장치에 있어서, 상기 형광체층은 애노드 전극 상에 형성한 제 1 형광체층과 상기 제 1 형광체층 상에 적층해서 형성한 제 2 형광체층으로 이루어지고, 상기 제 1 형광체층은 형광체와 고착재로 이루어지고, 상기 제 2 형광체층은 형광체로 이루어지는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the object, the fluorescent light emitting device according to claim 1 is a fluorescent light emitting device having a fluorescent substance layer that emits light by electrons emitted from an electron source, wherein the fluorescent substance layer is a fluorescent substance, 1 phosphor layer and a second phosphor layer laminated on the first phosphor layer, wherein the first phosphor layer is made of a phosphor and a fixing material, and the second phosphor layer is made of a phosphor .

청구항 2에 기재된 형광 발광 장치는 전자원으로부터 방출되는 전자에 의해서 발광하는 형광체층을 구비한 형광 발광 장치에 있어서, 상기 형광체층은 애노드 전극 상에 형성한 제 1 형광체층과 상기 제 1 형광체층 상에 적층해서 형성한 제 2 형광체층으로 이루어지고, 상기 제 1 형광체층은 형광체와 고착재와 도전재로 이루어지고, 상기 제 2 형광체층은 형광체로 이루어지는 것을 특징으로 한다. A fluorescent light emitting device according to a second aspect of the present invention is a fluorescent light emitting device having a fluorescent layer that emits light by electrons emitted from an electron source, wherein the fluorescent layer includes a first fluorescent substance layer formed on the anode electrode, Wherein the first phosphor layer comprises a phosphor, a fixing material and a conductive material, and the second phosphor layer comprises a phosphor.

청구항 3에 기재된 형광 발광 장치는 전자원으로부터 방출되는 전자에 의해서 발광하는 형광체층을 구비한 형광 발광 장치에 있어서, 상기 형광체층은 애노드 전극 상에 형성한 제 1 형광체층과 상기 제 1 형광체층 상에 적층해서 형성한 제 2 형광체층으로 이루어지고, 상기 제 1 형광체층은 ZnO : Zn 형광체와 고착재와 도전재와 WO3으로 이루어지고, 상기 제 2 형광체층은 ZnO : Zn 형광체와 WO3으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. A fluorescent light emitting device according to a third aspect of the present invention is a fluorescent light emitting device having a fluorescent substance layer that emits light by electrons emitted from an electron source, wherein the fluorescent substance layer comprises a first fluorescent substance layer formed on the anode electrode, Wherein the first phosphor layer comprises a ZnO: Zn phosphor, a fixing material, a conductive material and WO 3 , and the second phosphor layer comprises a ZnO: Zn phosphor and WO 3 .

청구항 4에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 3에 기재된 형광 발광 장치에 있어서, 상기 제 2 형광체층의 ZnO : Zn 형광체는 실리카 코팅 형광체인 것을 특징으로 한다. The fluorescent light emitting device according to claim 4 is the fluorescent light emitting device according to claim 3, wherein the ZnO: Zn phosphor of the second phosphor layer is a silica coated phosphor.

청구항 5에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 4에 기재된 형광 발광 장치에 있어서, 상기 제 1 형광체층의 ZnO : Zn 형광체는 실리카 코팅 형광체인 것을 특징으로 한다. The fluorescent light emitting device of claim 5 is the fluorescent light emitting device of claim 4, wherein the ZnO: Zn phosphor of the first phosphor layer is a silica coated phosphor.

청구항 6에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 5에 기재된 발광 표시 장치에 있어서, 상기 제 2 형광체층의 실리카 코팅 형광체의 실리카 코팅량을 상기 제 1 형광체층의 실리카 코팅 형광체의 실리카 코팅량보다 많게 한 것을 특징으로 한다. The fluorescent light emitting device according to claim 6, wherein in the light emitting display device according to claim 5, the silica coating amount of the silica coated phosphor of the second phosphor layer is larger than the silica coating amount of the silica coated phosphor of the first phosphor layer. It is done.

청구항 7에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 하나의 청구항에 기재된 형광 발광 장치에 있어서, 상기 제 2 형광체층의 막 두께를 상기 제 1 형광체층의 막 두께보다 얇게 한 것을 특징으로 한다. The fluorescent light emitting device according to claim 7 is characterized in that in the fluorescent light emitting device according to any one of claims 1 to 3, the film thickness of the second fluorescent substance layer is made thinner than the film thickness of the first fluorescent substance layer .

청구항 8에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 하나의 청구항에 기재된 형광 발광 장치에 있어서, 상기 제 2 형광체층의 크기를 상기 제 1 형광체층의 크기보다 작게 한 것을 특징으로 한다. The fluorescent light emitting device according to claim 8 is characterized in that, in the fluorescent light emitting device according to any one of claims 1 to 3, the size of the second fluorescent material layer is made smaller than the size of the first fluorescent material layer.

청구항 9에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 하나의 청구항에 기재된 형광 발광 장치에 있어서, 상기 제 2 형광체층의 형광체의 평균 입경을 상기 제 1 형광체층의 형광체의 평균 입경보다 작게 한 것을 특징으로 한다. The fluorescent light emitting device according to claim 9 is the fluorescent light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the average particle diameter of the fluorescent substance of the second fluorescent substance layer is made smaller than the average particle diameter of the fluorescent substance of the first fluorescent substance layer .

청구항 10에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 하나의 청구항에 기재된 형광 발광 장치에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 형광체층의 막 두께의 합은 40㎛ 이하인 것을 특징으로 한다. The fluorescent light emitting device according to claim 10 is the fluorescent light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the sum of the film thicknesses of the first and second fluorescent substance layers is 40 탆 or less.

청구항 11에 기재된 형광 발광 장치의 형광체층의 형성 방법은 청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 하나의 청구항에 기재된 형광 발광 장치의 형광체층의 형성 방법으로서, 상기 애노드 전극에 제 1 형광체층 형성용의 페이스트를 도포하고, 상기 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 건조시켜 상기 제 1 형광체층을 형성하고, 상기 제 1 형광체층에 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포하고, 상기 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 건조시켜 상기 제 2 형광체층을 형성하고, 상기 제 1 및 제 2 형광체층을 소성<燒成>하는 것을 특징으로 한다. A method of forming a phosphor layer of a fluorescent light emitting device according to claim 11 is the method of forming a phosphor layer of a fluorescent light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the paste for forming the first phosphor layer And drying the first phosphor layer forming paste to form the first phosphor layer, applying a second phosphor layer forming paste to the first phosphor layer, drying the second phosphor layer forming paste To form the second phosphor layer, and firing and firing the first and second phosphor layers.

본 발명의 형광체층은 애노드 전극에 형성한 제 1 형광체층과 제 1 형광체층에 적층해서 형성한 제 2 형광체층으로 이루어지고, 제 1 형광체층은 형광체와 비발광 물질로 형성되고, 제 2 형광체층은 형광체로 형성된다. 따라서, 본 발명의 형광체층은 애노드 전극에 강고하게 고착되면서, 발광 휘도를 높인다. The phosphor layer of the present invention comprises a first phosphor layer formed on the anode electrode and a second phosphor layer formed by laminating on the first phosphor layer, wherein the first phosphor layer is formed of a phosphor and a non-luminescent material, The layer is formed of a phosphor. Therefore, the phosphor layer of the present invention is strongly adhered to the anode electrode, thereby increasing the light emission luminance.

본 발명의 형광체층은 제 1 형광체층에 도전재를 첨가하기 때문에, 도전성이 높아지고, 챠지 업하는 일이 없다. Since the conductive material is added to the first phosphor layer of the present invention, the conductivity of the first phosphor layer is increased, and charge up is not caused.

본 발명의 형광체층은 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 건조시킨 후, 소성하는 일 없이 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포하기 때문에, 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포할 때, 스크린에 의해 제 1 형광체층이 박리되는 일이 없다. Since the paste for forming the second phosphor layer is applied without drying the paste after forming the first phosphor layer forming paste of the present invention, The phosphor layer is not peeled off.

도 1은 본 발명의 실시예에 관한 형광체층의 확대 단면도,
도 2는 본 발명의 실시예에 관한 형광체층의 형성 수순을 나타내는 도면,
도 3은 종래의 형광체층의 확대 단면도. 1 is an enlarged cross-sectional view of a phosphor layer according to an embodiment of the present invention,
Fig. 2 is a view showing a procedure for forming a phosphor layer according to an embodiment of the present invention, Fig.
3 is an enlarged cross-sectional view of a conventional phosphor layer.

본 발명의 실시형태에 관한 형광체층은 애노드 전극에 형성하는 제 1 형광체층과 제 1 형광체층 상에 적층해서 형성하는 제 2 형광체층으로 이루어지고, 제 1 형광체층은 고착재나 도전재 등의 비발광 물질을 포함하지만, 제 2 형광체층은 비발광 물질을 포함하지 않는 형광체로 형성된다. 즉, 형광체층은 2개의 층으로 이루어지고, 제 1 형광체층은 발광 기능과 고착력이나 도전성을 높이는 기능을 구비하고, 제 2 형광체층은 발광 기능만을 구비하여, 2층의 형광체층은 각각 고착 및 도전 기능과 발광 기능을 분담한다. The phosphor layer according to the embodiment of the present invention is composed of a first phosphor layer formed on the anode electrode and a second phosphor layer formed on the first phosphor layer by lamination, and the first phosphor layer is formed of a non- Emitting material but the second phosphor layer is formed of a phosphor that does not contain a non-luminescent material. That is, the phosphor layer is composed of two layers, and the first phosphor layer has a function of enhancing the light emitting function, the bonding strength and the conductivity, and the second phosphor layer has only the light emitting function, And shares the conductive function and the light emitting function.

본 실시형태에 관한 형광체층은 2층 구조로 해서 양 형광체층의 주된 기능을 나누어서 분담하는 것에 의해, 고착력을 크게 하고 발광 휘도를 높게 할 수 있다. The phosphor layer related to the present embodiment has a two-layer structure, and the main functions of both phosphor layers are divided and shared, whereby the fixing strength can be increased and the luminescence brightness can be increased.

도 1에 의해 본 발명의 실시예에 관한 형광체층을 설명한다. A phosphor layer according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Fig.

도 1은 형광 표시 장치의 애노드 전극 상에 형성한 형광체층의 확대 단면도이다. 1 is an enlarged cross-sectional view of a phosphor layer formed on an anode electrode of a fluorescent display device.

도 1에 있어서, 부재번호 11은 유리 등의 절연재로 이루어지는 기판, 부재번호 12는 알루미늄 등의 도전재로 이루어지는 애노드 전극, 부재번호 2는 형광체층, 큰 흰 원(31)은 형광체의 입자, 작은 흰 원(32)은 고착재의 입자, 검은 원(33)은 도전재의 입자, F는 텅스텐 등의 심선(코어선)의 표면에 삼원 탄산염 등의 전자 방출 물질을 피착시킨 필라멘트 등의 전자원이다. 형광체(저속 전자선용)는 ZnO : Zn을, 고착재는 SiO2의 초미립자(평균 입경수㎚∼수 십㎚)를, 도전재는 In2O3을 이용하고 있다. 또, SiO2의 초미립자는 아에로질<Aerosil>(등록상표)을 이용하고 있다. In Fig. 1, reference numeral 11 denotes a substrate made of an insulating material such as glass, reference numeral 12 denotes an anode electrode made of a conductive material such as aluminum, reference number 2 denotes a phosphor layer, a large white circle 31 denotes phosphor particles, The white circle 32 is an electron source such as a particle of a fixing material, the black circle 33 is a particle of a conductive material, and F is a filament in which an electron emitting substance such as a trivalent carbonate is deposited on the surface of a core wire (core wire) such as tungsten. The phosphor (for low-speed electron beams) uses ZnO: Zn, the fixed material is SiO 2 ultrafine particles (average particle size nm to several tens nm), and the conductive material is In 2 O 3 . Aerosil (registered trademark) is used as ultra fine particles of SiO 2 .

또, 형광 표시 장치는 내부가 고진공 분위기로 된 기밀 용기부(도시하지 않음)를 갖는다. 그 기밀 용기부는 기판(11)과 대향하는 기판(도시하지 않음)을 소정 간격을 두고 서로 평행하게 배치하며, 그 주위를 시일재(도시하지 않음)로 밀봉하고 있다. 또한, 필요에 따라 기밀 용기부는 대향하는 양 기판의 사이에 측면 부재를 두고, 이들을 시일 유리로 밀봉한 상자형으로 해도 좋다. The fluorescent display device has an airtight container portion (not shown) having a high vacuum atmosphere inside. The airtight container portion is provided with a substrate (not shown) facing the substrate 11 in parallel with each other at a predetermined interval, and the periphery thereof is sealed with a sealing material (not shown). If necessary, the airtight container portion may have a box-like shape in which side members are provided between the opposing substrates and sealed with sealing glass.

형광체층(2)은 애노드 전극(12) 상에 형성한 제 1 형광체층(21)과, 제 1제 1 형광체층(21) 상에 적층해서 형성한 제 2 형광체층(22)으로 이루어진다. 제 2 형광체층(22)은 전자원 F에 가까운 측의 형광체층이다. The phosphor layer 2 is composed of a first phosphor layer 21 formed on the anode electrode 12 and a second phosphor layer 22 formed by laminating on the first phosphor layer 21. The second phosphor layer 22 is a phosphor layer nearer to the electron source F.

제 1 형광체층(21)은 형광체 입자(31), 고착재 입자(32), 도전재 입자(33)에 의해 형성된다. 그러므로, 고착재 입자(32)에 의해 애노드 전극(12)에 강고하게 고착되고, 또 도전재 입자(33)에 의해 높은 도전성을 갖는다. 또, 도전재 입자(33)는 형광체의 종류 등에 따라 혼입할 필요가 없는 경우도 있으며, 그러한 경우에는 고착재 입자(32)만을 첨가한다. 제 2 형광체층(22)은 형광체 입자(31)만으로 이루어지며, 고착재 입자(32), 도전재 입자(33)는 포함하지 않는다. 제 2 형광체층(22)은 고착재 입자(32), 도전재 입자(33) 등의 비발광 입자를 포함하지 않기 때문에, 발광 휘도가 높아진다. The first phosphor layer 21 is formed of the phosphor particles 31, the fixing material particles 32, and the conductive material particles 33. Therefore, it is firmly fixed to the anode electrode 12 by the fixing material particles 32, and has high conductivity by the conductive material particles 33. [ The conductive material particles 33 may not necessarily be mixed depending on the kind of the fluorescent material or the like. In such a case, only the fixing material particles 32 are added. The second phosphor layer 22 is composed of only the phosphor particles 31 and does not include the fixing material particles 32 and the conductive material particles 33. Since the second phosphor layer 22 does not contain non-luminescent particles such as the fixing material particles 32 and the conductive material particles 33, the luminescence brightness is increased.

형광체층(2)은 제 1 형광체층(21)이 주로 고착?도전 기능을 담당하고, 제 2 형광체층(22)이 발광 기능을 담당하고 있기 때문에, 고착 강도가 높고, 도전성도 높으며, 또한 발광 휘도도 높다. In the phosphor layer 2, since the first phosphor layer 21 mainly serves as a fixing and conducting function, and the second phosphor layer 22 serves as a light emitting function, the phosphor layer 2 has a high fixing strength, high conductivity, and emits light. The brightness is also high.

형광체층(2)의 발광 휘도는, 층 두께와 성분이 제 1 형광체층(21)과 동일한 종래의 1층으로 된 형광체층에 비해, 30%정도 상승되는 것을 알 수 있었다. It was found that the light emission luminance of the phosphor layer 2 is increased by about 30% compared with the conventional phosphor layer composed of the same layer as the first phosphor layer 21 with the layer thickness and components.

형광체층(2)은 후술하는 바와 같이, 우선, 애노드 전극(12) 상에 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 도포하여 건조시키고, 제 1 형광체층(21) 상에 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포해서 형성한다. 따라서, 가령 제 1 형광체층(21)의 도포층에 핀홀이 생겨도 제 2 형광체층(22)의 도포층에 의해 그 핀홀은 막아지기 때문에, 형광체층(2)의 핀홀의 발생 개소를 줄일 수 있거나, 또는 형광체층(2)에 핀홀이 생기는 일이 없다. As described later, the phosphor layer 2 is formed by first applying a first phosphor layer forming paste on the anode electrode 12 and drying it, and forming a second phosphor layer forming paste on the first phosphor layer 21 . Therefore, even if pinholes are formed in the coating layer of the first phosphor layer 21, the pinholes are blocked by the coating layer of the second phosphor layer 22, so that the occurrence of pinholes in the phosphor layer 2 can be reduced , Or the pinhole is not generated in the phosphor layer (2).

형광체층(2)의 층두께는 고착 강도의 면에서 40㎛ 이하(제 1 형광체층(21)의 층 두께의 2배 이하), 양산을 고려한 경우에는 35㎛ 이하(마찬가지로 1.75배 이하)가 바람직하고, 제 2 형광체층(22)의 층 두께는 제 1 형광체층(21)의 층 두께와 동일하거나, 제 1 형광체층(21)보다도 얇게 하는 것이 바람직하다. 또, 제 2 형광체층(22)의 형광체의 입경은 발광 효율의 면에서 제 1 형광체층(21)의 입경(평균 입경)과 동일하거나, 제 1 형광체층(21)의 입경(평균 입경)보다도 작게 하는 것이 바람직하다. 본 실시예는 제 1 형광체층(21)에 입경이 3㎛인 형광체를, 제 2 형광체층(22)에 입경이 2.5㎛인 형광체를 이용하였다. The thickness of the phosphor layer 2 is preferably not more than 40 탆 (not more than twice the thickness of the first phosphor layer 21) in terms of adhesion strength, and not more than 35 탆 (similarly, not more than 1.75 times) And the thickness of the second phosphor layer 22 is preferably equal to or smaller than the thickness of the first phosphor layer 21. The particle size of the phosphor of the second phosphor layer 22 is preferably equal to or smaller than the particle diameter (average particle diameter) of the first fluorescent substance layer 21 in terms of light emitting efficiency, . In this embodiment, a phosphor having a particle diameter of 3 mu m is used for the first phosphor layer 21, and a phosphor having a particle diameter of 2.5 mu m is used for the second phosphor layer 22. [

제 2 형광체층(22)은 그 크기(도포한 패턴의 면적)를 제 1 형광체층(21)과 동일하게 하거나, 제 1 형광체층(21)보다도 작게 하면 페이스트의 도포가 용이하게 된다. When the size of the second phosphor layer 22 (the area of the coated pattern) is made equal to or smaller than that of the first phosphor layer 21, the application of the paste is facilitated.

인가하는 애노드 전압이 높은 경우, 예를 들면, 70V이상인 경우에는 종래 형광체의 내전압성을 높이기 위해, 형광체 입자에 실리카를 코팅한, 소위 실리카 코팅 형광체를 이용한다. 그러나, 본 실시예의 형광체층(2)에서는, 단지 제 2 형광체층(22)에 실리카 코팅 형광체를 이용하면 내전압성이 높아지는 것을 알 수 있었다. 이 경우, 제 2 형광체층(22)만 실리카 코팅 형광체를 이용하거나, 또는 제 1및 제 2 형광체층(21, 22) 양쪽에 실리카 코팅 형광체를 이용하면서 제 2 형광체층(22)의 실리카 코팅 형광체의 양을 제 1 형광체층(21)보다 많게 한다. 또한, 종래, 형광 표시 장치의 구동 중에 형광체층에 발생하는 가스에 의해 형광체층의 발광 효율이 저하하는 것을 방지하기 위해, 형광체 입자를 WO3로 피복하는 경우가 있다. 본 실시예에 있어서도 제 1 및 제 2 형광체층(21, 22) 양쪽에 또는 적어도 제 2 형광체층(22)에 WO3(휘도 개선 물질)을 이용할 수 있다. 이 경우, 제 2 형광체층은 형광체와 WO3로 이루어지고, 고착재를 포함하지 않는다. When the anode voltage to be applied is high, for example, 70 V or more, so-called silica coated phosphors in which silica particles are coated on the phosphor particles are used to increase the withstand voltage of the conventional phosphors. However, in the phosphor layer 2 of the present embodiment, it was found that the use of the silica-coated phosphor for the second phosphor layer 22 only increased the voltage resistance. In this case, the silica-coated phosphor of the second phosphor layer 22 using only the silica-coated phosphor or the silica-coated phosphor on both the first and second phosphor layers 21 and 22. Is made larger than the first phosphor layer 21. Conventionally, in order to prevent the emission efficiency of the phosphor layer from being lowered by the gas generated in the phosphor layer during driving of the fluorescent display device, the phosphor particles are sometimes coated with WO 3 . WO 3 (brightness enhancement material) can be used for both the first and second phosphor layers 21 and 22 or at least for the second phosphor layer 22 in this embodiment. In this case, the second phosphor layer is composed of the phosphor and WO 3 , and does not include a fixing material.

제 1 및 제 2 형광체층(21, 22)에 이용하는 형광체는 ZnO : Zn에 한정되지 않으며, 다른 형광체를 이용해도 좋다. 또, 제 1 및 제 2 형광체층(21, 22)에 이용하는 형광체는 동일한 종류의 것을 이용해도 좋고, 형광체층마다 다른 종류의 것을 이용해도 좋다. The phosphor used for the first and second phosphor layers 21 and 22 is not limited to ZnO: Zn, and other phosphors may be used. The same or different phosphor layers may be used for the first and second phosphor layers 21 and 22, respectively.

다음에, 도 2를 참조하여, 도 1의 형광체층(2)의 형성 수순(공정)과 형광체층 형성용 페이스트에 대해 설명한다. Next, with reference to Fig. 2, description will be given of the formation process (process) of the phosphor layer 2 of Fig. 1 and the paste for forming the phosphor layer.

우선, 도 2(a)를 참조하여 형광체층(2)의 형성 수순(공정)을 설명한다. First, the formation process (process) of the phosphor layer 2 will be described with reference to Fig. 2 (a).

스텝 S1에서 애노드 전극 상에 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 소정의 패턴(그래픽, 7 세그먼트, 캐릭터 등)으로 도포하고, 스텝 S2에서 100℃의 오븐에서 30분간 건조시켜 제 1 형광체층(21)을 형성한다. 스텝 S3에서 제 1 형광체층(21) 위에 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 소정의 패턴으로 도포하고, 스텝 S4에서 100℃의 오븐에서 30분간 건조시켜 제 2 형광체층(22)을 형성한다. 스텝 S5에서 제 1, 제 2 형광체층(21, 22)을 500℃에서 소성한다. The first phosphor layer forming paste is applied on the anode electrode in a predetermined pattern (graphics, 7 segments, characters, etc.) in step S1 and dried in an oven at 100 deg. . The second phosphor layer forming paste is applied on the first phosphor layer 21 in a predetermined pattern in step S3 and the second phosphor layer 22 is formed by drying in an oven at 100 DEG C for 30 minutes in step S4. In step S5, the first and second phosphor layers 21 and 22 are fired at 500 deg.

제 1, 제 2 형광체층 형성용 페이스트의 도포는 스크린 인쇄, 포토리소그래피 중 어느 것을 사용하여도 좋다. 스크린 인쇄의 경우, 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 건조시킨 후 바로 소성하면, 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포할 때, 소성한 제 1 형광체층(21)에 스크린이 닿아 제 1 형광체층(21)이 박리되는 경우가 있지만, 본 실시예에서는 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 건조시킨 후, 소성하지 않고 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포하기 때문에, 제 1 형광체층(21)이 박리되는 일은 없다. The application of the paste for forming the first and second phosphor layers may be performed by either screen printing or photolithography. In the case of screen printing, if the first phosphor layer forming paste is dried and immediately fired, when the paste for forming the second phosphor layer is applied, the screen is brought into contact with the fired first phosphor layer 21 to form the first phosphor layer 21 may be peeled off. However, in this embodiment, since the paste for forming the second phosphor layer is applied without drying after the first phosphor layer forming paste is dried, the first phosphor layer 21 is peeled off There is no work.

다음에, 도 2(b)를 참조하여, 도 2(a)의 제 1 및 제 2 형광체층(21, 22)의 형성에 이용하는 페이스트에 대해 설명한다. Next, referring to Fig. 2 (b), the paste used for forming the first and second phosphor layers 21 and 22 in Fig. 2 (a) will be described.

제 1 형광체층 형성용 페이스트는 형광체(ZnO : Zn)가 60wt%，도전재(In2O3)가 3wt%，고착재(SiO2의 초미립자)가 1wt%、유기용제(테르피네올<terpineol>)가 36wt%의 것을 이용하고, 제 2 형광체층 형성용 페이스트는 형광체(ZnO : Zn)가 60wt%，도전재와 고착재가 0wt%、유기용제(테르피네올)가 40wt%의 것을 이용한다. 또한 각 페이스트에 수지를 더해도 좋다. The first phosphor layer forming paste had a phosphor (ZnO: Zn) of 60 wt%, a conductive material (In2O3) of 3 wt%, a fixing material (ultrafine particles of SiO 2 ) of 1 wt%, an organic solvent (terpineol). 36 wt% of the paste was used, and the second phosphor layer-forming paste was 60 wt% of the phosphor (ZnO: Zn), 0 wt% of the conductive material and the fixing material, and 40 wt% of the organic solvent (terpineol). Resins may also be added to each paste.

형광체층(2)의 발광 휘도는, 제 1 형광체층(21)에 첨가하는 도전재를 0.5wt%부터 늘리면, 그 첨가량의 증가에 수반해서 상승하고, 첨가량 2wt%에서 피크에 달한다. 따라서, 제 1 형광체층(21)의 도전재의 첨가량은 3wt%에 한정되지 않고 0.5∼3wt%의 범위이면 좋다. The light emission luminance of the phosphor layer 2 increases as the amount of the conductive material to be added to the first phosphor layer 21 is increased from 0.5 wt% to reach the peak at the addition amount of 2 wt%. Therefore, the amount of the conductive material added to the first phosphor layer 21 is not limited to 3 wt%, but may be in the range of 0.5 to 3 wt%.

도전재료는 너무 적으면 형광체층의 저항이 커져 형광체층이 챠지 업되기 쉬워지고, 너무 많으면 발광에 기여하지 않는 무효 전류가 커진다. 또, 형광체에 첨가하는 도전재의 양은 형광체 자체의 저항(형광체의 모체 저항)에 따라 다르다. 예를 들면, 현재 사용되고 있는 컬러 형광체는 일반적으로 모체 저항이 크기 때문에 도전재를 15wt% 정도 첨가하는 경우도 있다. If the conductive material is too small, the resistance of the phosphor layer becomes large and the phosphor layer becomes easy to charge up. If too large, the reactive current which does not contribute to light emission becomes large. The amount of the conductive material added to the phosphor varies depending on the resistance of the phosphor itself (the resistivity of the phosphor). For example, color phosphors currently in use generally have a large resistivity, and therefore, a conductive material may be added in an amount of about 15 wt%.

형광체에 첨가하는 도전재나 고착재, 유기용제는 상기 이외의 것이어도 좋다. The conductive material, the fixing material, and the organic solvent to be added to the phosphor may be other than those described above.

상기 실시예는 열전자 방출용 필라멘트를 구비한 형광 표시 장치에 대해 설명했지만, 전계 방출형 전자원(FEC)을 구비한 것이어도 좋다. 또, 형광 표시 장치에 한정되지 않고, 광원 등의 형광체층을 구비한 형광 발광 장치라도 좋다.
Although the above embodiment has been described with respect to a fluorescent display device having a thermionic emission filament, it may be provided with a field emission electron source (FEC). Further, the present invention is not limited to a fluorescent display device, and may be a fluorescent light emitting device having a fluorescent layer such as a light source.

11 유리 기판
12 애노드 전극
2 형광체층
21 제 1 형광체층
22 제 2 형광체층
31 형광체의 입자
32 고착재의 입자
33 도전재의 입자11 glass substrate
12 anode electrode
2 phosphor layer
21 First phosphor layer
22 Second phosphor layer
31 Particles of phosphor
32 Particles of Fixture
33 Particles of conductive material

Claims (11)

전자원으로부터 방출되는 전자에 의해서 발광하는 형광체층을 구비한 형광 발광 장치에 있어서,
상기 형광체층은 애노드 전극 상에 형성한 제 1 형광체층과 상기 제 1 형광체층 상에 적층해서 형성한 제 2 형광체층으로 이루어지고,
상기 제 1 형광체층은 형광체와 고착재로 이루어지고,
상기 제 2 형광체층은 형광체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
A fluorescent light emitting device comprising a fluorescent layer that emits light by electrons emitted from an electron source,
Wherein the phosphor layer comprises a first phosphor layer formed on the anode electrode and a second phosphor layer formed by being laminated on the first phosphor layer,
The first phosphor layer is made of a phosphor and a fixing material,
And said second phosphor layer is made of a phosphor.
전자원으로부터 방출되는 전자에 의해서 발광하는 형광체층을 구비한 형광 발광 장치에 있어서,
상기 형광체층은 애노드 전극 상에 형성한 제 1 형광체층과 상기 제 1 형광체층 상에 적층해서 형성한 제 2 형광체층으로 이루어지고,
상기 제 1 형광체층은 형광체와 고착재와 도전재로 이루어지고,
상기 제 2 형광체층은 형광체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.

A fluorescent light emitting device comprising a fluorescent layer that emits light by electrons emitted from an electron source,
Wherein the phosphor layer comprises a first phosphor layer formed on the anode electrode and a second phosphor layer formed by being laminated on the first phosphor layer,
The first phosphor layer is made of a phosphor, a fixing material and a conductive material,
And said second phosphor layer is made of a phosphor.

전자원으로부터 방출되는 전자에 의해서 발광하는 형광체층을 구비한 형광 발광 장치에 있어서,
상기 형광체층은 애노드 전극 상에 형성한 제 1 형광체층과 상기 제 1 형광체층 상에 적층해서 형성한 제 2 형광체층으로 이루어지고,
상기 제 1 형광체층은 ZnO : Zn 형광체와 고착재와 도전재와 WO3으로 이루어지고,
상기 제 2 형광체층은 ZnO : Zn 형광체와 WO3으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
A fluorescent light emitting device comprising a fluorescent layer that emits light by electrons emitted from an electron source,
Wherein the phosphor layer comprises a first phosphor layer formed on the anode electrode and a second phosphor layer formed by being laminated on the first phosphor layer,
Wherein the first phosphor layer comprises a ZnO: Zn phosphor, a fixing material, a conductive material and WO 3 ,
Wherein the second phosphor layer comprises a ZnO: Zn phosphor and WO 3 .
제 3 항에 있어서,
상기 제 2 형광체층의 ZnO : Zn 형광체는 실리카 코팅 형광체인 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
The method of claim 3, wherein
The ZnO: Zn phosphor of the second phosphor layer is a silica coated phosphor.
제 4 항에 있어서,
상기 제 1 형광체층의 ZnO : Zn 형광체는 실리카 코팅 형광체인 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치. 5. The method of claim 4,
The ZnO: Zn phosphor of the first phosphor layer is a silica-coated phosphor. 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 형광체층의 실리카 코팅 형광체의 실리카 코팅량을 상기 제 1 형광체층의 실리카 코팅 형광체의 실리카 코팅량보다 많게 한 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
The method of claim 5, wherein
And a silica coating amount of the silica coating phosphor of the second phosphor layer is greater than that of the silica coating phosphor of the first phosphor layer.
청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 형광체층의 막 두께를 상기 제 1 형광체층의 막 두께보다 얇게 한 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3,
And the thickness of the second phosphor layer is made thinner than the thickness of the first phosphor layer.
청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 형광체층의 크기를 상기 제 1 형광체층의 크기보다 작게 한 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3,
And the size of the second phosphor layer is smaller than that of the first phosphor layer.
청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 형광체층의 형광체의 평균 입경을 상기 제 1 형광체층의 형광체의 평균 입경보다 작게 한 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein an average particle diameter of the fluorescent substance of the second fluorescent substance layer is made smaller than an average particle diameter of the fluorescent substance of the first fluorescent substance layer. 청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 형광체층의 막 두께의 합은 40㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the sum of the film thicknesses of the first and second phosphor layers is 40 占 퐉 or less.
청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 하나의 청구항에 기재된 형광 발광 장치의 형광체층의 형성 방법으로서,
상기 애노드 전극에 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 도포하고, 상기 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 건조시켜 상기 제 1 형광체층을 형성하고, 상기 제 1 형광체층에 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포하고, 상기 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 건조시켜 상기 제 2 형광체층을 형성하고, 상기 제 1 및 제 2 형광체층을 소성하는 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치의 형광체층의 형성 방법. As a method for forming a phosphor layer of the fluorescent light emitting device according to any one of claims 1 to 3,
A first phosphor layer forming paste is applied to the anode electrode, the first phosphor layer forming paste is dried to form the first phosphor layer, and the second phosphor layer forming paste is applied to the first phosphor layer And drying the paste for forming the second phosphor layer to form the second phosphor layer and firing the first and second phosphor layers.
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