KR20130102204A - Solar cell apparatus and method of fabricating the same - Google Patents

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KR20130102204A
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박경은
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A solar cell apparatus and a method for fabricating the same are provided to obtain visibility by forming transmission parts for exposing the upper surface of a supporting substrate. CONSTITUTION: Cell parts (CP) are located on the surface of a substrate. The cell parts include solar cells (C1,C2,C3). Transmission parts (TP) are adjacent to the cell parts. The transmission parts expose the upper surface of the substrate. The solar cells are extended in a first direction. [Reference numerals] (AA) First direction; (BB) Second direction

Description

태양광 발전장치 및 이의 제조방법{SOLAR CELL APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solar cell,

실시예는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a photovoltaic device and a method of manufacturing the same.

최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양광 발전장치에 대한 개발이 진행되고 있다. Recently, as the demand for energy increases, the development of a photovoltaic device for converting solar energy into electrical energy is in progress.

특히, 유리기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고 저항 버퍼층, n형 윈도우층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양광 발전장치가 널리 사용되고 있다. In particular, a CIGS-based photovoltaic device, which is a pn heterojunction device having a substrate structure including a glass substrate, a metal back electrode layer, a p-type CIGS-based light absorbing layer, a high resistance buffer layer, an n-type window layer, and the like, is widely used.

이러한 태양광 발전장치에 있어서 낮은 저항, 높은 투과율 등의 전기적인 특성을 향상시키기 위한 연구가 진행되고 있다.In such a photovoltaic device, research is being conducted to improve electrical characteristics such as low resistance and high transmittance.

특히, 이러한 태양광 발전장치를 창문 등의 건축용 유리로 활용하고자 하는 요구가 있어 태양광 발전장치의 투과율 확보가 중요하다.In particular, there is a demand to utilize such a photovoltaic device as a building glass such as a window, so it is important to secure a transmittance of the photovoltaic device.

실시예는 일사 조절이 가능한 태양광 발전장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a solar power generation apparatus capable of controlling solar radiation and a method of manufacturing the same.

실시예예 따른 태양광 발전장치는, 기판 상에 위치하고, 다수 개의 태양전지 셀을 포함하는 다수 개의 셀부; 및 상기 셀부에 인접하여 위치하는 다수 개의 투과부를 포함한다. Embodiments provide a solar cell apparatus comprising: a plurality of cell units positioned on a substrate and including a plurality of solar cell cells; And a plurality of transmission parts positioned adjacent to the cell part.

실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조 방법은 다수 개의 태양전지 셀을 형성하는 단계; 및 상기 태양전지 셀을 포함하는 셀부 및 상기 셀부에 인접하여 위치하는 투과부를 형성하는 단계를 포함한다.Method of manufacturing a solar cell apparatus according to the embodiment comprises the steps of forming a plurality of solar cells; And forming a cell unit including the solar cell and a transmission unit positioned adjacent to the cell unit.

실시예에 따른 태양광 발전장치는 지지기판의 상면을 노출하는 투과부를 포함한다. 따라서, 상기 태양광 발전장치가 창문 등에 활용되었을 때, 상기 투과부를 통해 시인성을 확보할 수 있다. 즉, 투과부의 면적이 많은 부분에서는 입사되는 빛의 양이 더 많아 투과율을 확보할 수 있다. The solar cell apparatus according to the embodiment includes a transmission portion exposing an upper surface of the support substrate. Therefore, when the photovoltaic device is utilized in a window or the like, visibility can be secured through the transmission part. That is, in a portion where the area of the transmissive part is large, the amount of incident light is greater, thereby ensuring transmittance.

이를 통해, 태양전지 패널에 그라데이션(gradation) 효과를 줄 수 있다. 이로 인해, 태양광 발전 장치의 일사 조절 역할을 할 수 있고, 미관을 개선할 수 있다.Through this, a gradation effect may be given to the solar cell panel. For this reason, it can play the role of solar radiation control of a photovoltaic device, and can improve aesthetics.

실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법에서는 상술한 효과를 가지는 태양광 발전장치를 제조할 수 있다. In the method of manufacturing a solar cell apparatus according to the embodiment, it is possible to manufacture a solar cell apparatus having the above-described effect.

도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.1 is a schematic plan view of a photovoltaic device according to an embodiment.
2 is a plan view showing a photovoltaic device according to an embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 2.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of embodiments, each layer, region, pattern, or structure may be “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad, or pattern. Substrate formed in ”includes all formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 실시예예 따른 태양광 발전장치를 상세하게 설명한다.First, referring to FIGS. 1 to 3, a photovoltaic device according to an embodiment will be described in detail.

도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치의 개략적인 평면도이다. 도 2는 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 평면도이다. 도 3은 도 2에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.1 is a schematic plan view of a photovoltaic device according to an embodiment. 2 is a plan view showing a photovoltaic device according to an embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 2.

도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 셀부(CP) 및 투과부(TP)를 포함한다.1 and 2, the solar cell apparatus according to the embodiment includes a cell unit CP and a transmission unit TP.

상기 셀부(CP)는 다수 개의 태양전지 셀(C1, C2, C3)을 포함한다. 상기 태양전지 셀(C1, C2, C3) 각각은 제1 방향으로 연장된다. The cell unit CP includes a plurality of solar cells C1, C2, and C3. Each of the solar cells C1, C2, and C3 extends in a first direction.

구체적으로, 도 3을 참조하면, 상기 셀부(CP)는 지지기판(100), 후면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 전면전극층(600)을 포함한다. Specifically, referring to FIG. 3, the cell unit CP includes a support substrate 100, a back electrode layer 200, a light absorbing layer 300, a buffer layer 400, a high resistance buffer layer 500, and a front electrode layer 600. It includes.

상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 전면전극층(600)을 지지한다.The support substrate 100 has a plate shape and supports the back electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, and the front electrode layer 600.

상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.The support substrate 100 may be an insulator. The support substrate 100 may be a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate. In more detail, the support substrate 100 may be a soda lime glass substrate. The supporting substrate 100 may be transparent. The support substrate 100 may be rigid or flexible.

상기 지지기판(100)은 활성 영역(AR) 및 비활성 영역(NAR)을 포함한다. 즉, 상기 지지기판(100)은 상기 활성 영역(AR) 및 비활성 영역(NAR)으로 구분된다.The support substrate 100 includes an active region AR and an inactive region NAR. That is, the support substrate 100 is divided into the active area AR and the inactive area NAR.

상기 활성 영역(AR)은 상기 지지기판(100)의 중앙 부분에 정의된다. 상기 활성 영역(AR)은 상기 지지기판(100)의 대부분의 면적을 차지한다. 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 활성 영역(AR)에서 태양광을 전기에너지로 변환시킨다.The active area AR is defined at a central portion of the support substrate 100. The active area AR occupies most of the area of the support substrate 100. The solar cell apparatus according to the embodiment converts sunlight into electrical energy in the active region AR.

상기 비활성 영역(NAR)은 상기 활성 영역(AR)의 주위를 둘러싼다. 상기 비활성 영역(NAR)은 상기 지지기판(100)의 외곽에 대응된다. 상기 비활성 영역(NAR)은 상기 활성 영역(AR)에 비하여 매우 작은 면적을 가질 수 있다. 상기 비활성 영역(NAR)은 발전되지 않는 영역이다.The inactive region NAR surrounds the active region AR. The non-active area NAR corresponds to the outside of the support substrate 100. The inactive region NAR may have a very small area compared to the active region AR. The inactive area NAR is an area in which no power is generated.

상기 후면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 후면전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴 등의 금속을 들 수 있다. 상기 후면전극층(200)은 상기 활성 영역(AR) 및 상기 비활성 영역(NAR)에 형성된다. The rear electrode layer 200 is disposed on the supporting substrate 100. The rear electrode layer 200 is a conductive layer. Examples of the material used as the back electrode layer 200 include a metal such as molybdenum. The back electrode layer 200 is formed in the active region AR and the inactive region NAR.

또한, 상기 후면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.In addition, the rear electrode layer 200 may include two or more layers. At this time, the respective layers may be formed of the same metal or may be formed of different metals.

상기 후면전극층(200)에는 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.First through holes TH1 are formed in the back electrode layer 200. The first through holes TH1 are open regions that expose the top surface of the support substrate 100. The first through holes TH1 may have a shape extending in one direction when viewed in a plan view.

상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 80㎛ 내지 200㎛ 일 수 있다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 후면전극층(200)은 다수 개의 후면전극들(230) 및 두 개의 연결전극들(210, 220)로 구분된다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 후면전극들(230), 제 1 연결전극(210) 및 제 2 연결전극(220)이 정의된다. 상기 후면전극층(200)은 상기 후면전극들(230), 상기 제 1 연결전극(210) 및 상기 제 2 연결전극(220)을 포함한다.The width of the first through holes TH1 may be about 80 μm to 200 μm. By the first through holes TH1, the back electrode layer 200 is divided into a plurality of back electrodes 230 and two connection electrodes 210 and 220. That is, the back electrodes 230, the first connection electrode 210, and the second connection electrode 220 are defined by the first through holes TH1. The back electrode layer 200 includes the back electrodes 230, the first connection electrode 210, and the second connection electrode 220.

상기 후면전극들(230)은 상기 활성 영역(AR)에 배치된다. 상기 후면전극들(230)은 나란히 배치된다. 상기 후면전극들(230)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서 서로 이격된다. 상기 후면전극들(230)은 스트라이프 형태로 배치된다.The back electrodes 230 are disposed in the active region AR. The back electrodes 230 are disposed side by side. The back electrodes 230 are spaced apart from each other by the first through holes TH1. The back electrodes 230 are arranged in a stripe shape.

이와는 다르게, 상기 후면전극들(230)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 격자 형태로 형성될 수 있다.Alternatively, the back electrodes 230 may be arranged in a matrix form. At this time, the first through grooves TH1 may be formed in a lattice form when viewed from a plane.

상기 제 1 연결전극(210) 및 상기 제 2 연결전극(220)은 상기 비활성 영역(NAR)에 배치된다. 즉, 상기 제 1 연결전극(210) 및 상기 제 2 연결전극(220)은 상기 활성 영역(AR)으로부터 상기 비활성 영역(NAR)으로 연장된다.The first connection electrode 210 and the second connection electrode 220 are disposed in the inactive region NAR. That is, the first connection electrode 210 and the second connection electrode 220 extend from the active region AR to the inactive region NAR.

더 자세하게, 상기 제 1 연결전극(210)은 상기 제 1 셀(C1)의 전면전극과 연결된다. 또한, 상기 제 2 연결전극(220)은 제 2 셀(C2)의 후면전극으로부터 상기 비활성 영역(NAR)으로 연장된다. 즉, 상기 제 2 연결전극(220)은 상기 제 2 셀(C2)의 후면전극(202)과 일체로 형성된다.In more detail, the first connection electrode 210 is connected to the front electrode of the first cell C1. In addition, the second connection electrode 220 extends from the back electrode of the second cell C2 to the inactive region NAR. That is, the second connection electrode 220 is integrally formed with the back electrode 202 of the second cell C2.

상기 광 흡수층(300)은 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다. 또한, 상기 광 흡수층(300)에 포함된 물질은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 채워진다. 상기 광 흡수층(300)은 상기 활성 영역(AR)에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)의 외곽은 상기 활성 영역(AR)의 외곽에 대응될 수 있다.The light absorbing layer 300 is disposed on the back electrode layer 200. In addition, the material included in the light absorbing layer 300 is filled in the first through holes TH1. The light absorbing layer 300 is disposed in the active region AR. In more detail, the outside of the light absorbing layer 300 may correspond to the outside of the active area AR.

상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.The light absorbing layer 300 includes a group I-III-VI compound. For example, the light absorption layer 300 may be formed of a copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS) crystal structure, a copper- Crystal structure.

상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.The energy band gap of the light absorption layer 300 may be about 1 eV to 1.8 eV.

상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 또한, 상기 버퍼층(400)은 상기 활성 영역(AR) 내에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS)를 포함하며, 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 2.2eV 내지 2.4eV이다.The buffer layer 400 is disposed on the light absorbing layer 300. In addition, the buffer layer 400 is disposed in the active region AR. The buffer layer 400 includes cadmium sulfide (CdS), and an energy band gap of the buffer layer 400 is about 2.2 eV to 2.4 eV.

상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 또한, 상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 활성 영역(AR) 내에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV이다.The high resistance buffer layer 500 is disposed on the buffer layer 400. In addition, the high resistance buffer layer 500 is disposed in the active region AR. The high-resistance buffer layer 500 includes zinc oxide (i-ZnO) that is not doped with impurities. The energy bandgap of the high resistance buffer layer 500 is about 3.1 eV to 3.3 eV.

상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)에는 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 광 흡수층(300)을 관통한다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 후면전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈영역이다.Second through holes (TH2) are formed in the light absorbing layer (300), the buffer layer (400), and the high resistance buffer layer (500). The second through holes (TH2) penetrate the light absorbing layer (300). In addition, the second through holes TH2 are open regions exposing the top surface of the back electrode layer 200.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 인접하여 형성된다. 즉, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 일부는 평면에서 보았을 때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 옆에 형성된다.The second through grooves TH2 are formed adjacent to the first through grooves TH1. That is, a part of the second through grooves TH2 is formed on the side of the first through grooves TH1 when viewed in plan.

상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.The width of the second through holes TH2 may be about 80 μm to about 200 μm.

또한, 상기 광 흡수층(300)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 광 흡수부들을 정의한다. 즉, 상기 광 흡수층(300)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 광 흡수부들로 구분된다.In addition, the light absorbing layer 300 defines a plurality of light absorbing portions by the second through holes TH2. That is, the light absorbing layer 300 is divided into the light absorbing portions by the second through holes TH2.

또한, 상기 버퍼층(400)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 버퍼들로 구분된다. 마찬가지로, 상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 고저항 버퍼들로 구분된다.In addition, the buffer layer 400 is divided into a plurality of buffers by the second through holes TH2. Similarly, the high resistance buffer layer 500 is divided into a plurality of high resistance buffers by the second through holes TH2.

상기 전면전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다. 상기 전면전극층(600)은 상기 활성 영역(AR)에 배치된다.The front electrode layer 600 is disposed on the high-resistance buffer layer 500. The front electrode layer 600 is disposed in the active region AR.

상기 전면전극층(600)은 투명하며, 도전층이다. 또한, 상기 전면전극층(600)의 저항은 상기 후면전극층(200)의 저항보다 높다. 예를 들어, 상기 전면전극층(600)의 저항은 상기 후면전극층(200)의 저항보다 약 10배 내지 200배 더 클 수 있다.The front electrode layer 600 is transparent and is a conductive layer. In addition, the resistance of the front electrode layer 600 is higher than the resistance of the back electrode layer 200. For example, the resistance of the front electrode layer 600 may be about 10 to 200 times greater than the resistance of the back electrode layer 200.

상기 전면전극층(600)은 산화물을 포함한다. 예를 들어, 상기 전면전극층(600)은 징크 옥사이드(zinc oxide), 인듐 틴 옥사이드(induim tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(induim zinc oxide;IZO) 등을 포함할 수 있다. The front electrode layer 600 includes an oxide. For example, the front electrode layer 600 may include zinc oxide, indium tin oxide (ITO), or indium zinc oxide (IZO).

또한, 상기 산화물은 알루미늄(Al), 알루미나(Al2O3), 마그네슘(Mg) 또는 갈륨(Ga) 등의 도전성 불순물을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 전면전극층(600)은 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide;AZO) 또는 갈륨 도핑된 징크 옥사이드(Ga doped zinc oxide;GZO) 등을 포함할 수 있다. 상기 전면전극층(600)의 두께는 약 800㎚ 내지 약 1200㎚일 수 있다.In addition, the oxide may include conductive impurities such as aluminum (Al), alumina (Al 2 O 3), magnesium (Mg), or gallium (Ga). In more detail, the front electrode layer 600 may include aluminum doped zinc oxide (AZO), gallium doped zinc oxide (GZO), or the like. The front electrode layer 600 may have a thickness of about 800 nm to about 1200 nm.

상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 전면전극층(600)에는 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 후면전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 예를 들어, 상기 제 3 관통홈들(TH3)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛일 수 있다.Third through holes TH3 are formed in the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, and the front electrode layer 600. The third through holes TH3 are open regions exposing the top surface of the back electrode layer 200. For example, the width of the third through holes TH3 may be about 80 μm to about 200 μm.

상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 인접하는 위치에 형성된다. 더 자세하게, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 배치된다. 즉, 평면에서 보았을 때, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 나란히 배치된다.The third through grooves TH3 are formed at positions adjacent to the second through grooves TH2. More specifically, the third through-holes TH3 are disposed beside the second through-holes TH2. That is, when viewed in plan, the third through grooves TH3 are arranged next to the second through grooves TH2.

상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 전면전극층(600)은 다수 개의 윈도우들로 구분된다. 즉, 상기 윈도우들은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 정의된다.The front electrode layer 600 is divided into a plurality of windows by the third through holes TH3. That is, the windows are defined by the third through holes TH3.

상기 윈도우들은 상기 후면전극들(230)과 대응되는 형상을 가진다. 즉, 상기 윈도우들은 스트라이프 형태로 배치된다. 이와는 다르게, 상기 윈도우들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.The windows have a shape corresponding to that of the back electrodes 230. That is, the windows are arranged in a stripe shape. Alternatively, the windows may be arranged in a matrix form.

상기 전면전극층(600)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 투명한 도전물질이 채워져서 형성되는 다수 개의 접속부들(700)을 포함한다.The front electrode layer 600 includes a plurality of connection parts 700 formed by filling a transparent conductive material in the second through holes TH2.

또한, 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 제 1 셀(C1), 상기 제 2 셀(C2) 및 다수 개의 제 3 셀들(C3)이 정의된다. 더 자세하게, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 및 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 제 1 셀(C1), 상기 제 2 셀(C2) 및 상기 제 3 셀들(C3)이 정의된다. 즉, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 지지기판(100) 상에 배치되는 상기 제 1 셀(C1), 상기 제 2 셀(C2) 및 상기 제 3 셀들(C3)을 포함한다.In addition, the first cell C1, the second cell C2, and the plurality of third cells C3 are defined by the third through holes TH3. In more detail, the first cell C1, the second cell C2, and the third cells C3 are defined by the second through holes TH2 and the third through holes TH3. do. That is, the solar cell apparatus according to the embodiment includes the first cell C1, the second cell C2, and the third cells C3 disposed on the support substrate 100.

상기 제 3 셀들(C3)은 상기 제 1 셀(C1) 및 상기 제 2 셀(C2) 사이에 배치된다. 상기 제 1 셀(C1), 상기 제 2 셀(C2) 및 상기 제 3 셀들(C3)은 서로 직렬로 연결된다. 즉, 상기 제 1 셀(C1), 상기 제 2 셀(C2) 및 상기 제 3 셀들(C3)은 상기 제1 방향으로 연장된다. The third cells C3 are disposed between the first cell C1 and the second cell C2. The first cell C1, the second cell C2, and the third cells C3 are connected in series with each other. That is, the first cell C1, the second cell C2, and the third cells C3 extend in the first direction.

상기 접속부들(700)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 배치된다. 상기 접속부들(700)은 상기 전면전극층(600)으로부터 하방으로 연장되며, 상기 후면전극층(200)에 접속된다.The connection parts 700 are disposed inside the second through holes TH2. The connection parts 700 extend downward from the front electrode layer 600 and are connected to the back electrode layer 200.

따라서, 상기 접속부들(700)은 서로 인접하는 셀들을 연결한다. 더 자세하게, 상기 접속부들(700)은 서로 인접하는 셀들에 각각 포함된 윈도우과 후면전극을 연결한다. Thus, the connection parts 700 connect adjacent cells to each other. In more detail, the connection parts 700 connect the windows and the rear electrodes included in the cells adjacent to each other.

상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 전면전극층(600)의 외곽은 실질적으로 일치할 수 있다. 즉, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 전면전극층(600)의 외곽은 서로 대응될 수 있다. 이때, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 전면전극층(600)의 외곽은 상기 활성 영역(AR) 및 상기 비활성 영역(NAR)의 경계와 일치할 수 있다.The outer edges of the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, and the front electrode layer 600 may substantially coincide with each other. That is, the outer edges of the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, and the front electrode layer 600 may correspond to each other. In this case, an outer edge of the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, and the front electrode layer 600 may coincide with a boundary between the active region AR and the inactive region NAR. Can be.

한편, 상기 셀부(CP)는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된다. 상기 셀부(CP)는 다수 개로 구비된다. Meanwhile, the cell part CP extends in a second direction crossing the first direction. The cell unit CP is provided in plurality.

구체적으로, 상기 셀부(CP)는 제1 셀부(1CP) 및 제2 셀부(2CP)를 포함할 수 있다. 상기 제1 셀부(1CP) 및 상기 제2 셀부(2CP)는 상기 제1 방향을 따라 위치할 수 있다. In detail, the cell unit CP may include a first cell unit 1CP and a second cell unit 2CP. The first cell unit 1CP and the second cell unit 2CP may be located along the first direction.

상기 투과부(TP)는 상기 셀부(CP)에 인접하여 위치한다. 상기 투과부(TP)는 상기 제2 방향으로 연장된다. 상기 투과부(TP)는 다수 개로 구비된다.The transmission part TP is positioned adjacent to the cell part CP. The transmission part TP extends in the second direction. The transmission part TP is provided in plurality.

구체적으로, 상기 투과부(TP)는 제1 투과부(1TP) 및 제2 투과부(2TP)를 포함할 수 있다. 상기 제1 투과부(1TP) 및 상기 제2 투과부(2TP)는 상기 제1 방향을 따라 위치할 수 있다. Specifically, the transmission part TP may include a first transmission part 1TP and a second transmission part 2TP. The first transmission part 1TP and the second transmission part 2TP may be located along the first direction.

상기 투과부(TP)는 상기 지지기판(100)의 상면을 노출한다. 따라서, 상기 투과부(TP)는 상기 셀부(CP)가 포함하는 후면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 전면전극층(600)이 생략된다. The transmission part TP exposes an upper surface of the support substrate 100. Accordingly, in the transmission part TP, the back electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, and the front electrode layer 600 included in the cell part CP are omitted.

상기 셀부(CP)는 상기 투과부(TP) 사이에 위치한다. 구체적으로, 상기 제1 셀부(1CP)는 상기 제1 투과부(1TP) 및 상기 제2 투과부(2TP) 사이에 위치한다. 이와 유사하게, 상기 제2 투과부(2TP)는 상기 제1 셀부(1CP) 및 상기 제2 셀부(2CP) 사이에 위치한다. The cell part CP is positioned between the transmission part TP. In detail, the first cell part 1CP is positioned between the first transmission part 1TP and the second transmission part 2TP. Similarly, the second transmission part 2TP is positioned between the first cell part 1CP and the second cell part 2CP.

한편, 상기 지지기판(100)은 제1 영역(1A) 및 상기 제1 영역(1A)과 인접하여 위치하는 제2 영역(2A)을 포함한다. 상기 제1 영역(1A) 및 상기 제2 영역(2A)에 포함되는 상기 투과부(TP)의 총 면적이 서로 다를 수 있다. On the other hand, the support substrate 100 includes a first region 1A and a second region 2A positioned adjacent to the first region 1A. The total area of the transmission part TP included in the first area 1A and the second area 2A may be different from each other.

일례로, 도 1에 도시한 바와 같이, 태양전지 패널의 윗부분이 제1 영역(1A)으로 정의되고, 상기 제1 영역(1A)의 아랫부분이 제2 영역(2A)으로 정의될 때, 상기 제1 영역(1A)과 상기 제2 영역(2A)에 포함되는 투과부(TP)의 총 면적이 서로 다를 수 있다. For example, as shown in FIG. 1, when the upper portion of the solar cell panel is defined as the first region 1A and the lower portion of the first region 1A is defined as the second region 2A, The total area of the transmission part TP included in the first area 1A and the second area 2A may be different from each other.

도 2를 참조하면, 상기 제1 영역(1A)에 포함되는 투과부(TP)의 총 면적이 상기 제2 영역(2A)에 포함되는 투과부(TP)의 총 면적보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제2 영역(2A)에 포함되는 투과부(TP)의 수가 상기 제1 영역(1A)보다 많거나, 상기 투과부(TP)끼리의 간격이 상기 제1 영역(1A)보다 좁을 수 있다. 따라서, 상기 태양광 발전장치가 창문 등에 활용되었을 때, 상기 제2 영역(2A)을 통해 시인성을 확보할 수 있다. 즉, 상기 제2 영역(2A)으로 입사되는 빛의 양이 더 많아 투과율을 확보할 수 있다. Referring to FIG. 2, the total area of the transmission portion TP included in the first region 1A may be smaller than the total area of the transmission portion TP included in the second region 2A. That is, the number of transmission parts TP included in the second area 2A may be greater than the first area 1A, or the interval between the transmission parts TP may be narrower than that of the first area 1A. Therefore, when the photovoltaic device is utilized in a window or the like, visibility can be secured through the second area 2A. That is, the amount of light incident on the second region 2A is greater, thereby ensuring transmittance.

이를 통해, 태양전지 패널에 그라데이션(gradation) 효과를 줄 수 있다. 이로 인해, 태양광 발전 장치의 일사 조절 역할을 할 수 있고, 미관을 개선할 수 있다. Through this, a gradation effect may be given to the solar cell panel. For this reason, it can play the role of solar radiation control of a photovoltaic device, and can improve aesthetics.

한편, 상기 제 1 버스 바(11)는 상기 비활성 영역(NAR)에 배치된다. 상기 제 1 버스 바(11)는 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 1 버스 바(11)는 상기 제 1 연결전극(210) 상에 배치된다. 상기 제 1 버스 바(11)는 상기 제 1 연결전극(210)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.Meanwhile, the first bus bar 11 is disposed in the inactive area NAR. The first bus bar 11 is disposed on the back electrode layer 200. In more detail, the first bus bar 11 is disposed on the first connection electrode 210. The first bus bar 11 may directly contact an upper surface of the first connection electrode 210.

상기 제 1 버스 바(11)는 상기 제 1 셀(C1)과 나란히 연장된다. 상기 제 1 버스 바(11)는 상기 지지기판(100)에 형성된 홀을 통하여, 상기 지지기판(100)의 배면으로 연장될 수 있다. 상기 제 1 버스 바(11)는 상기 제 1 셀(C1)에 접속된다. 더 자세하게, 상기 제 1 버스 바(11)는 상기 제 1 연결전극(210)을 통하여 상기 제 1 셀(C1)에 접속된다.The first bus bar 11 extends in parallel with the first cell C1. The first bus bar 11 may extend to the rear surface of the support substrate 100 through a hole formed in the support substrate 100. The first bus bar 11 is connected to the first cell C1. In more detail, the first bus bar 11 is connected to the first cell C1 through the first connection electrode 210.

상기 제 2 버스 바(12)는 상기 비활성 영역(NAR)에 배치된다. 상기 제 2 버스 바(12)는 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 2 버스 바(12)는 상기 제 2 연결전극(220) 상에 배치된다. 상기 제 2 버스 바(12)는 상기 제 2 연결전극(220)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.The second bus bar 12 is disposed in the inactive area NAR. The second bus bar 12 is disposed on the back electrode layer 200. In more detail, the second bus bar 12 is disposed on the second connection electrode 220. The second bus bar 12 may directly contact an upper surface of the second connection electrode 220.

상기 제 2 버스 바(12)는 상기 제 2 셀(C2)과 나란히 연장된다. 상기 제 2 버스 바(12)는 상기 지지기판(100)에 형성된 홀을 통하여, 상기 지지기판(100)의 배면으로 연장될 수 있다. 상기 제 2 버스 바(12)는 상기 제 2 셀(C2)에 접속된다. 더 자세하게, 상기 제 2 버스 바(12)는 상기 제 2 연결전극(220)을 통하여 상기 제 2 셀(C2)에 접속된다.The second bus bar 12 extends in parallel with the second cell C2. The second bus bar 12 may extend to the rear surface of the support substrate 100 through a hole formed in the support substrate 100. The second bus bar 12 is connected to the second cell C2. In more detail, the second bus bar 12 is connected to the second cell C2 through the second connection electrode 220.

상기 제 1 버스 바(11) 및 상기 제 2 버스 바(12)는 서로 마주본다. 또한, 상기 제 1 버스 바(11) 및 상기 제 2 버스 바(12)는 서로 대칭될 수 있다. 상기 제 1 버스 바(11) 및 상기 제 2 버스 바(12)는 도전체이다. 상기 제 1 버스 바(11) 및 상기 제 2 버스 바(12)는 은 등의 높은 도전성을 가지는 금속을 포함할 수 있다.The first bus bar 11 and the second bus bar 12 face each other. In addition, the first bus bar 11 and the second bus bar 12 may be symmetrical to each other. The first bus bar 11 and the second bus bar 12 are conductors. The first bus bar 11 and the second bus bar 12 may include a metal having high conductivity such as silver.

상기 제 1 버스 바(11)는 상기 제 1 연결전극(210)을 통하여, 상기 1 셀에 연결된다. 더 자세하게, 상기 제 1 버스 바(11)는 상기 제 1 연결전극(210)을 통하여 상기 제 1 셀(C1)의 윈도우와 연결된다.The first bus bar 11 is connected to the first cell through the first connection electrode 210. In more detail, the first bus bar 11 is connected to the window of the first cell C1 through the first connection electrode 210.

상기 제 2 버스 바(12)는 상기 제 2 연결전극(220)을 통하여, 상기 제 2 셀(C2)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 제 2 버스 바(12)는 상기 제 2 연결전극(220)을 통하여, 상기 제 2 셀(C2)의 후면전극과 연결된다.The second bus bar 12 is connected to the second cell C2 through the second connection electrode 220. In more detail, the second bus bar 12 is connected to the rear electrode of the second cell C2 through the second connection electrode 220.

상기 제 1 버스 바(11) 및 상기 제 2 버스 바(12)는 상기 후면전극층(200)에 직접 접촉에 의해서 접속될 수 있다. 이때, 상기 제 1 버스 바(11) 및 상기 제 2 버스 바(12)는 은 등과 같은 금속을 포함하고, 마찬가지로, 상기 후면전극층(200)도 몰리브덴 등과 같은 금속을 포함할 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 1 버스 바(11) 및 상기 제 2 버스 바(12)와 상기 후면전극층(200) 사이의 접촉 특성이 향상된다.The first bus bar 11 and the second bus bar 12 may be connected to the back electrode layer 200 by direct contact. In this case, the first bus bar 11 and the second bus bar 12 may include a metal such as silver, and likewise, the back electrode layer 200 may also include a metal such as molybdenum. Accordingly, the contact characteristics between the first bus bar 11 and the second bus bar 12 and the back electrode layer 200 are improved.

상기 제 1 버스 바(11) 및 상기 제 2 버스 바(12)는 상기 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. The first bus bar 11 and the second bus bar 12 may extend along the first direction.

이하, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조 방법을 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위하여 앞서 설명한 부분과 동일 또는 유사한 부분은 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, the manufacturing method of the solar cell apparatus according to the embodiment. For the sake of clarity and simplicity, the same or similar parts as those described above will be omitted.

실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조 방법은, 다수 개의 태양전지 셀(C1, C2, C3)을 형성하는 단계 및 투과부(TP)를 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a solar cell apparatus according to an embodiment includes forming a plurality of solar cells C1, C2, and C3, and forming a transmission part TP.

상기 태양전지 셀(C1, C2, C3)을 형성하는 단계는, 후면전극층(200)을 형성하는 단계, 광 흡수층(300)을 형성하는 단계, 버퍼층(400)을 형성하는 단계, 고저항 버퍼층(500)을 형성하는 단계 및 전면전극층(600)을 형성하는 단계를 포함한다. Forming the solar cells (C1, C2, C3), forming the back electrode layer 200, forming the light absorbing layer 300, forming the buffer layer 400, high resistance buffer layer ( Forming the front electrode layer 600 and forming the front electrode layer 600.

먼저, 지지기판(100) 상에 후면전극층(200)이 형성되고, 상기 후면전극층(200)은 패터닝되어 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 지지기판(100) 상에 다수 개의 후면전극들(230), 제 1 연결전극(210) 및 제 2 연결전극(220)이 형성된다. 상기 후면전극층(200)은 레이저에 의해서 패터닝된다.First, the back electrode layer 200 is formed on the support substrate 100, and the back electrode layer 200 is patterned to form first through holes TH1. Accordingly, a plurality of back electrodes 230, a first connection electrode 210, and a second connection electrode 220 are formed on the support substrate 100. The rear electrode layer 200 is patterned by a laser.

상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하며, 약 80㎛ 내지 약 200㎛의 폭을 가질 수 있다.The first through holes TH1 expose the upper surface of the supporting substrate 100 and may have a width of about 80 mu m to about 200 mu m.

또한, 상기 지지기판(100) 및 상기 후면전극층(200) 사이에 확산방지막 등과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있고, 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 추가적인 층의 상면을 노출하게 된다.An additional layer such as a diffusion barrier layer may be interposed between the supporting substrate 100 and the back electrode layer 200. The first through holes TH1 expose the upper surface of the additional layer .

상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 형성된다. 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 활성 영역(AR)에 형성된다.The light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the high resistance buffer layer 500 are formed on the back electrode layer 200. The light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the high resistance buffer layer 500 are formed in the active region AR.

상기 광 흡수층(300)은 상기 지지기판(100)에 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.The light absorbing layer 300 may be formed on the support substrate 100 by a sputtering process or an evaporation method.

예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.For example, a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) light-emitting layer is formed while simultaneously evaporating copper, indium, gallium, A method of forming the light absorbing layer 300 and a method of forming the metal precursor film by a selenization process are widely used.

금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 후면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.When a metal precursor film is formed and then subjected to selenization, a metal precursor film is formed on the rear electrode 200 by a sputtering process using a copper target, an indium target, and a gallium target.

이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.Thereafter, the metal precursor film is formed of a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) light absorbing layer 300 by a selenization process.

이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.Alternatively, the copper target, the indium target, the sputtering process using the gallium target, and the selenization process may be performed simultaneously.

이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.Alternatively, the CIS-based or CIG-based optical absorption layer 300 can be formed by using only a copper target and an indium target, or by a sputtering process and a selenization process using a copper target and a gallium target.

황화 카드뮴이 스퍼터링 공정 또는 용액성장법(chemical bath depositon;CBD) 등에 의해서 증착되고, 상기 버퍼층(400)이 형성된다.Cadmium sulfide is deposited by a sputtering process, a chemical bath depositon (CBD), or the like, and the buffer layer 400 is formed.

이후, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.Then, zinc oxide is deposited on the buffer layer 400 by a sputtering process or the like, and the high-resistance buffer layer 500 is formed.

상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)은 낮은 두께로 증착된다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)의 두께는 약 1㎚ 내지 약 80㎚이다.The buffer layer 400 and the high resistance buffer layer 500 are deposited to a low thickness. For example, the thickness of the buffer layer 400 and the high resistance buffer layer 500 is about 1 nm to about 80 nm.

이후, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)의 일부가 제거되어 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다.Thereafter, a portion of the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the high resistance buffer layer 500 is removed to form second through holes TH2.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 팁 등의 기계적인 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 형성될 수 있다.The second through grooves TH2 may be formed by a mechanical device such as a tip or a laser device.

예를 들어, 약 40㎛ 내지 약 180㎛의 폭을 가지는 팁에 의해서, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)은 패터닝될 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 약 200 내지 600㎚의 파장을 가지는 레이저에 의해서 형성될 수 있다.For example, the light absorbing layer 300 and the buffer layer 400 may be patterned by a tip having a width of about 40 μm to about 180 μm. In addition, the second through holes TH2 may be formed by a laser having a wavelength of about 200 to 600 nm.

이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 100㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 후면전극층(200)의 상면의 일부를 노출하도록 형성된다.In this case, the width of the second through holes TH2 may be about 100 μm to about 200 μm. In addition, the second through holes TH2 are formed to expose a portion of the top surface of the back electrode layer 200.

상기 광 흡수층(300) 상 및 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 전면전극층(600)이 형성된다. 즉, 상기 전면전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상 및 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 투명한 도전물질이 증착되어 형성된다.The front electrode layer 600 is formed on the light absorbing layer 300 and inside the second through holes TH2. That is, the front electrode layer 600 is formed by depositing a transparent conductive material on the high resistance buffer layer 500 and inside the second through holes TH2.

이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 상기 투명한 도전물질이 채워지고, 상기 전면전극층(600)은 상기 후면전극층(200)에 직접 접촉하게 된다.In this case, the transparent conductive material is filled in the second through holes TH2, and the front electrode layer 600 is in direct contact with the back electrode layer 200.

이후, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 전면전극층(600)의 일부가 제거되어 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 전면전극층(600)은 패터닝되어, 다수 개의 윈도우들 및 제 1 셀(C1), 제 2 셀(C2) 및 제 3 셀들(C3)이 정의된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.Thereafter, a portion of the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, and the front electrode layer 600 is removed to form third through holes TH3. Accordingly, the front electrode layer 600 is patterned to define a plurality of windows, a first cell C1, a second cell C2, and a third cell C3. The width of the third through holes TH3 may be about 80 μm to about 200 μm.

이어서, 상기 투과부(TP)를 형성하는 단계에서는 상기 태양전지 셀의 일부를 스크라이빙(scribing)하여 투과부(TP)를 형성할 수 있다. 이때, 스크라이빙 하는 간격 또는 수에 따라 상기 투과부(TP)의 면적이 달라질 수 있다. Subsequently, in the forming of the transmission part TP, the transmission part TP may be formed by scribing a part of the solar cell. In this case, an area of the transmission part TP may vary according to the interval or number of scribing.

상기 투과부(TP)를 형성하는 단계에서는 상기 후면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 전면전극층(600)을 스크라이빙할 수 있다. 따라서, 상기 투과부(TP)를 형성하는 단계를 통해 상기 지지기판(100)의 상면이 노출될 수 있다. In the forming of the transmission part TP, the back electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, and the front electrode layer 600 may be scribed. Therefore, the upper surface of the support substrate 100 may be exposed by forming the transmission part TP.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.  The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (15)

기판 상에 위치하고, 다수 개의 태양전지 셀을 포함하는 다수 개의 셀부; 및
상기 셀부에 인접하여 위치하는 다수 개의 투과부를 포함하는 태양광 발전장치.A plurality of cell units disposed on the substrate and including a plurality of solar cell cells; And
A photovoltaic device comprising a plurality of transmission portions positioned adjacent to the cell portion. 제1항에 있어서,
상기 투과부는 상기 기판의 상면을 노출하는 태양광 발전장치.The method of claim 1,
The transmission unit is a solar cell apparatus for exposing the upper surface of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 셀부는 상기 투과부 사이에 위치하는 태양광 발전장치.The method of claim 1,
The cell unit is located between the transmission unit. 제1항에 있어서,
상기 태양전지 셀은 제1 방향으로 연장되고,
상기 셀부는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 태양광 발전장치.The method of claim 1,
The solar cell extends in the first direction,
The cell unit extends in a second direction crossing the first direction. 제4항에 있어서,
상기 셀부는 제1 셀부 및 상기 제1 셀부로부터 제1 방향을 따라 위치하는 제2 셀부를 포함하고,
상기 투과부는 제1 투과부 및 상기 제1 투과부로부터 상기 제1 방향을 따라 위치하는 제2 투과부를 포함하는 태양광 발전장치.5. The method of claim 4,
The cell part includes a first cell part and a second cell part located in a first direction from the first cell part.
The transmission part includes a first transmission part and a second transmission part located along the first direction from the first transmission part. 제5항에 있어서,
상기 제1 셀부는 상기 제1 투과부 및 상기 제2 투과부 사이에 위치하는 태양광 발전장치.The method of claim 5,
The first cell unit is located between the first transmission unit and the second transmission unit. 제5항에 있어서,
상기 제2 투과부는 상기 제1 셀부 및 상기 제2 셀부 사이에 위치하는 태양광 발전장치.The method of claim 5,
The second transmission portion is a solar cell apparatus located between the first cell portion and the second cell portion. 제4항에 있어서,
상기 셀부는
기판;
상기 기판의 상면에 배치되는 후면전극층;
상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하는 태양광 발전장치.5. The method of claim 4,
The cell unit
Board;
A rear electrode layer disposed on the upper surface of the substrate;
A light absorbing layer disposed on the rear electrode layer; And
A photovoltaic device comprising a front electrode layer disposed on the light absorbing layer. 제8항에 있어서,
상기 광 흡수층 옆에 배치되고 상기 후면전극층에 접속되는 버스 바를 포함하고,
상기 버스 바는 상기 제1 방향을 따라 연장되는 태양광 발전장치.9. The method of claim 8,
A bus bar disposed next to the light absorbing layer and connected to the back electrode layer;
The bus bar extends along the first direction. 제1항에 있어서,
상기 기판은 제1 영역 및 상기 제1 영역과 인접하여 위치하는 제2 영역을 포함하고,
상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 포함되는 상기 투과부의 총 면적이 서로 다른 태양광 발전장치.The method of claim 1,
The substrate includes a first region and a second region positioned adjacent to the first region,
The solar cell apparatus of claim 1, wherein the total area of the transmission part included in the first area and the second area is different from each other. 다수 개의 태양전지 셀을 형성하는 단계; 및
상기 태양전지 셀을 포함하는 셀부 및 상기 셀부에 인접하여 위치하는 투과부를 형성하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조 방법.Forming a plurality of solar cells; And
And forming a cell unit including the solar cell and a transmission unit positioned adjacent to the cell unit. 제11항에 있어서,
상기 태양전지 셀을 형성하는 단계는,
지지기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;
상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계; 및
상기 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조 방법.12. The method of claim 11,
Forming the solar cell is,
Forming a back electrode layer on the support substrate;
Forming a light absorbing layer on the back electrode layer;
Forming a buffer layer on the light absorbing layer;
Forming a front electrode layer on the buffer layer; And
The method of manufacturing a solar cell apparatus comprising the step of forming the front electrode layer. 제11항에 있어서,
상기 투과부를 형성하는 단계는 상기 태양전지 셀의 일부를 스크라이빙(scribing)하는 태양광 발전장치의 제조 방법.12. The method of claim 11,
The forming of the transmitting part is a method of manufacturing a photovoltaic device for scribing a portion of the solar cell. 제12항에 있어서,
상기 투과부를 형성하는 단계는 상기 후면전극층, 광 흡수층, 버퍼층 및 전면전극층을 스크라이빙하는 태양광 발전장치의 제조 방법.The method of claim 12,
The forming of the transmitting part may include scribing the back electrode layer, the light absorbing layer, the buffer layer, and the front electrode layer. 제12항에 있어서,
상기 투과부를 형성하는 단계에서는 상기 지지기판의 상면이 노출되는 태양광 발전장치의 제조 방법.The method of claim 12,
In the step of forming the transmission portion manufacturing method of a photovoltaic device that the upper surface of the support substrate is exposed.
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