KR20130101862A - Capacitive touch pannel - Google Patents

Abstract

PURPOSE: A capacitive touch panel is provided to measure touch position accurately by reducing distortion of the measured touch time by compensating resistance difference between both ends of a touch sensor and a capacitive sensing circuit. CONSTITUTION: A plurality of touch sensors (120) is comprised. An electrostatic capacity measurement circuit is connected to both ends of each touch sensor, and measures touch position by sensing the variation of the electrostatic capacity of the touch sensor. The touch sensors have bar shape, and a pattern-neck (PN) narrower than the width of the touch sensor is formed in one side of the touch sensor so that a first resistance value through a first sensing path connecting one side of the touch sensor and the electrostatic capacity measurement circuit is equal to a second resistance value through a second sensing path connecting the other side of the touch sensor and the electrostatic capacity measurement circuit.

Description

정전용량식 터치패널{CAPACITIVE TOUCH PANNEL}Capacitive Touch Panels {CAPACITIVE TOUCH PANNEL}

본 발명은 정전용량식 터치패널에 관한 것으로서, 상세하게는 저항값 차이에 의해 발생되는 터치 시간의 왜곡을 줄여 터치 위치를 측정하기 위한 정전용량식 터치패널에 관한 것이다.The present invention relates to a capacitive touch panel, and more particularly, to a capacitive touch panel for measuring the touch position by reducing the distortion of the touch time caused by the difference in resistance value.

최근 휴대형 전자장치는 사용자의 요구에 맞추어 점점 소형화, 슬림화되어 가고 있다. 비단 소형 기기뿐 아니라 일반 ATM 기기, TV 및 일반 가전제품에도 거추장스러운 별도의 버튼을 없애고 디자인의 세련미를 위해서도 터치스크린을 이용한 방식이 선호되고 있는 추세이다. 특별히 소형화가 더욱 요구되는 휴대용 전화기, PMP, PDA, e-book 등은 이동과 휴대에 용이하도록 그 크기가 점점 소형화되어가고 있는데, 이러한 휴대용 기기의 소형화를 위해서는 입력 버튼을 화면과 일체시키는 방법이 각광받고 있다. 이러한 방식을 위해서는 터치패널의 터치를 인식하여 인터페이스가 가능한 터치스크린의 터치 인식 기술이 중요한 기술로 대두되고 있다.Recently, portable electronic devices are becoming smaller and slimmer in accordance with user demand. In addition to small devices, general ATM devices, TVs, and consumer electronics have been eliminated from cumbersome buttons, and touch screens have been preferred for design sophistication. In particular, portable phones, PMPs, PDAs, e-books, etc., which require further miniaturization, are becoming smaller and smaller in size for easy portability and portability. I am getting it. For this method, a touch recognition technology of a touch screen capable of interfacing by recognizing touch of a touch panel is emerging as an important technology.

일반적으로, 터치스크린은 각종 디스플레이를 이용하는 정보통신기기와 사용자간의 인터페이스를 구성하는 입력 장치 중 하나로 사용자가 손이나 펜 등의 입력도구를 이용하여 화면을 직접 접촉함으로써, 상기 정보통신기 만으로 남녀노소 누구나 쉽게 사용할 수 있게 해주는데, 이러한 터치스크린은 저항막 방식(Resistive Overlay), 정전용량 방식(Capacitive Overlay), 표면초음파 방식(Surface Acoustic Wave), 적외선 방식(Infrared), 표면탄성파 방식 등 다양한 방식이 사용될 수 있다.In general, the touch screen is one of the input devices constituting the interface between the user and the information communication device using a variety of displays, and the user directly touches the screen using an input tool such as a hand or a pen, so that everyone can easily reach The touch screen can be used in various ways such as resistive overlay, capacitive overlay, surface acoustic wave, infrared, surface acoustic wave, and the like. .

저항막 방식의 터치스크린은 유리나 투명 플라스틱판 위에 저항 성분의 물질을 코팅하고 그 위에 폴리에스테르 필름을 덮어씌운 형태로, 두 면이 서로 닿지 않도록 일정한 간격으로 절연봉이 설치되어 있는데 이 때 저항값이 변하게 되고 전압도 변하게 되는데 이러한 전압의 변화 정도로 접촉된 손의 위치를 인식한다.The resistive touch screen is formed by coating a resistive material on a glass or transparent plastic plate and covering a polyester film thereon, and insulating bars are installed at regular intervals so that the two surfaces do not touch each other. It changes and the voltage changes, which recognizes the position of the touched hand as much as the change in voltage.

표면초음파 방식의 터치스크린은 음파를 발사하는 트랜스미터(transmitter)를 유리의 한쪽 모서리에 부착하고 일정한 간격으로 음파를 반사시키는 리플렉터(reflector)를 부착하고 그 반대쪽에 리시버(receiver)를 부착한 형태로 구성되는데, 손가락 같이 음파를 방해하는 물체가 음파의 진행 경로를 방해하게 될 때 그 시점을 계산하여 터치 지점을 인식한다.The surface ultrasonic touch screen is composed of a transmitter that emits sound waves at one corner of the glass, a reflector that reflects sound waves at regular intervals, and a receiver at the opposite side. When an object disturbing sound waves, such as a finger, interferes with the path of sound waves, the point of time is calculated to recognize the touch point.

적외선방식의 터치스크린은 사람의 눈에 보이지 않는 적외선의 직진성을 이용하는 방법으로 발광 소자인 적외선 LED와 수광소자인 포토트랜지스터를 서로 마주보게 배치하여 매트릭스를 구성하고 이 매트릭스 안에 손가락과 같은 물체에 의해 빛이 차단되는 것을 감지하여 터치 지점을 인식하게 된다.Infrared touch screen is a method that uses the straightness of infrared light which is invisible to the human eye. The infrared LED and the phototransistor, which are light emitting elements, are arranged to face each other to form a matrix. The touch point is recognized by detecting the blocking.

현재, 휴대형 전자장치에는 값이 싸고, 손가락, 펜 등의 다양한 입력 도구를 사용할 수 있는 저항막 방식이 주로 사용되고 있다. 하지만, 최근 멀티 터치를 이용한 사용자 인터페이스에 대한 연구가 활발해지면서 멀티 터치 인식이 가능한 정전용량 방식의 터치스크린이 주목을 받고 있다.Currently, a resistive film type which is inexpensive and can use various input tools such as a finger and a pen is mainly used in a portable electronic device. However, recently, as research on a user interface using multi-touch has been actively conducted, a capacitive touch screen capable of multi-touch recognition has attracted attention.

정전용량 측정회로와 터치센서를 연결하는 연결배선으로 일반적으로 실버 입자가 포함된 도전성 잉크를 사용하여 인쇄를 하거나 금속 재질의 배선을 증착하여 터치스크린 장치를 제작한다. 이러한 연결배선은 일반적으로 터치를 감지하는데 사용되는 감지신호의 감쇄에 영향을 줄 수 있는 수준의 저항 성분을 갖는다. 응용 제품의 형태와 연결배선의 길이에 따라 약 10 오옴 내지 수백 오옴 정도의 저항값을 갖는다.As a connection wiring connecting the capacitance measuring circuit and the touch sensor, a touch screen device is manufactured by printing using a conductive ink containing silver particles or by depositing metal wires. Such connection wiring generally has a level of resistance that can affect the attenuation of a sensing signal used to sense a touch. Depending on the type of application and the length of the interconnection wire, the resistance ranges from about 10 ohms to several hundred ohms.

터치센서의 일측과 정전용량 측정회로를 연결하는 제1 연결배선의 길이는 상기 터치센서의 타측과 상기 정전용량 측정회로를 연결하는 제2 연결배선의 길이보다 길 수 있다. 이러한 경우, 감지경로에서 연결배선의 저항값의 차이로 인해 터치센서 내부의 터치위치를 감지하는데 어려움이 있다. 즉, 연결배선의 경로가 상대적으로 짧아 저항성분이 작으면 감지신호의 감쇄가 적은 반면에, 연결배선의 경로가 상대적으로 길면 연결배선의 저항성분이 증가하게 되어 정전용량 감지신호의 감쇄가 크게 나타나게 된다.The length of the first connection wire connecting the one side of the touch sensor and the capacitance measuring circuit may be longer than the length of the second connection wiring connecting the other side of the touch sensor and the capacitance measuring circuit. In this case, it is difficult to detect the touch position inside the touch sensor due to the difference in the resistance value of the connection wiring in the sensing path. That is, when the path of the connection wire is relatively short and the resistance component is small, the attenuation of the detection signal is small. On the other hand, when the path of the connection wire is relatively long, the resistance component of the connection wiring increases, resulting in a large attenuation of the capacitance detection signal.

상기 연결배선의 저항과 길이의 차이에 의한 감지신호의 감쇄가 동일한 터치센서의 양단에서 서로 다르게 발생되면, 터치가 발생한 위치와 전기적으로 측정된 정전용량의 값에 의한 위치상에 편차가 발생하여 정밀한 터치위치를 판별하는데 어려움이 발생한다.If the attenuation of the detection signal due to the difference in the resistance and the length of the connection wiring occurs differently at both ends of the same touch sensor, a deviation occurs in the position due to the position of the touch and the value of the electrically measured capacitance to precisely Difficulties in determining the touch position.

즉, 터치센서의 물리적 중심점과 감지신호의 지연의 시간적 중심점이 서로 일치하지 않게 되고, 각각 터치센서의 좌우측 종단 또는 상하측 종단의 신호 지연에 대한 시간과 물리적인 위치간의 비선형적인 왜곡 현상이 발생된다.That is, the physical center point of the touch sensor and the temporal center point of the delay of the detection signal do not coincide with each other, and a nonlinear distortion phenomenon occurs between the time and the physical position of the signal delay of the left and right ends or the top and bottom ends of the touch sensor, respectively. .

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 터치센서의 양단과 정전용량감지회로간의 저항값 차이를 보상하여 측정되는 터치 시간의 왜곡을 줄여 터치 위치를 정밀하게 측정하기 위한 정전용량식 터치패널을 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem of the present invention is to solve such a conventional problem, and an object of the present invention is to compensate for the difference in resistance value between the both ends of the touch sensor and the capacitance sensing circuit, thereby reducing the distortion of the measured touch time to precisely adjust the touch position. It is to provide a capacitive touch panel for measuring.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위하여 일실시예에 따른 정전용량식 터치패널은, 복수의 터치센서들 및 정전용량 측정회로를 포함한다. 상기 정전용량 측정회로는 상기 터치센서들 각각의 양단에 연결되어 상기 터치센서의 정전용량 변화를 감지하여 터치위치를 측정한다. 상기 터치센서들은 막대 형상을 갖는다. 상기 터치센서의 일측부와 상기 정전용량 측정회로를 연결하는 제1 감지경로를 통한 제1 저항값과, 상기 터치센서의 타측부와 상기 정전용량 측정회로를 연결하는 제2 감지경로를 통한 제2 저항값은 동일하도록, 상기 터치센서의 일측부에는 상기 터치센서의 폭보다 좁은 폭을 갖는 패턴-넥(pattern neck)이 형성된다.In order to realize the above object of the present invention, a capacitive touch panel includes a plurality of touch sensors and a capacitance measuring circuit. The capacitance measuring circuit is connected to both ends of each of the touch sensors to sense a change in capacitance of the touch sensor to measure the touch position. The touch sensors have a rod shape. A first resistance value through a first sensing path connecting one side of the touch sensor and the capacitive measuring circuit, and a second sensing path connecting the other side of the touch sensor and the capacitance measuring circuit A pattern neck having a width narrower than the width of the touch sensor is formed at one side of the touch sensor so that the resistance value is the same.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위하여 다른 실시예에 따른 정전용량식 터치패널은, 복수의 터치센서들 및 정전용량 측정회로를 포함한다. 상기 정전용량 측정회로는 상기 터치센서들 각각의 양단에 연결되어 상기 터치센서의 정전용량 변화를 감지하여 터치위치를 측정한다. 상기 터치센서의 일측부와 상기 정전용량 측정회로를 연결하는 제1 감지경로를 통한 제1 저항값과, 상기 터치센서의 타측부와 상기 정전용량 측정회로를 연결하는 제2 감지경로를 통한 제2 저항값은 동일하도록, 상기 터치센서는 복수의 V자 형상을 갖는 단위패턴들이 수평방향으로 연속하여 연결된 지그재그 형상을 갖는다.In order to achieve the above object of the present invention, a capacitive touch panel according to another embodiment includes a plurality of touch sensors and a capacitance measuring circuit. The capacitance measuring circuit is connected to both ends of each of the touch sensors to sense a change in capacitance of the touch sensor to measure the touch position. A first resistance value through a first sensing path connecting one side of the touch sensor and the capacitive measuring circuit, and a second sensing path connecting the other side of the touch sensor and the capacitance measuring circuit The touch sensor has a zigzag shape in which unit patterns having a plurality of V-shapes are continuously connected in a horizontal direction so that resistance values are the same.

본 실시예에서, 상기 터치센서들이 형성된 메인 터치영역, 상기 메인 터치영역에 인접하는 버튼 터치영역, 및 상기 메인 터치영역 및 상기 버튼 터치영역을 둘러싸되, 상기 정전용량 측정회로가 실장되는 주변영역을 갖는 베이스 기판을 더 포함할 수 있다. 상기 버튼 터치영역에는 하나의 버튼에 대응하는 하나의 버튼 터치센서가 복수개 형성되고, 서로 인접하는 버튼 터치센서들은 연결배선에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 정전용량 측정회로에 가까운 버튼 터치센서와 상기 정전용량 측정회로를 연결하는 제1 감지경로를 통한 제1 저항값과 상기 정전용량 측정회로에 먼 버튼 터치센서와 상기 정전용량 측정회로를 연결하는 제2 감지경로를 통한 제2 저항값이 동일하도록 상기 버튼 터치센서들 각각의 측부에는 서로 다른 크기의 홈들이 형성될 수 있다.In the present exemplary embodiment, a main touch area in which the touch sensors are formed, a button touch area adjacent to the main touch area, and a peripheral area surrounding the main touch area and the button touch area, and in which the capacitance measuring circuit is mounted. It may further include a base substrate having. A plurality of button touch sensors corresponding to one button may be formed in the button touch area, and the button touch sensors adjacent to each other may be electrically connected by a connection wiring. A first resistance value through a first sensing path connecting the button touch sensor close to the capacitance measuring circuit and the capacitance measuring circuit, and a button connecting the remote button touch sensor and the capacitance measuring circuit to the capacitance measuring circuit. Grooves of different sizes may be formed in the side portions of the button touch sensors so that the second resistance values through the second sensing paths are the same.

이러한 정전용량식 터치패널에 의하면, 터치센서의 일측부에 기준신호를 인가하고, 터치시 터치센서에 형성된 저항과 커패시턴스에 의해 상기 터치센서를 종단하며 전압 변화된 기준신호를 터치센서의 타측부를 통해 수신하도록 구성된 정전용량 측정회로와 상기 터치센서간의 저항값 차이를 보정하므로써, 측정된 터치 시간의 왜곡을 줄여 전압변화를 정밀하게 측정할 수 있다.According to the capacitive touch panel, a reference signal is applied to one side of the touch sensor, and when the touch is terminated, the touch signal is terminated by a resistance and capacitance formed in the touch sensor, and the reference signal whose voltage is changed is transferred to the other side of the touch sensor. By correcting the difference in resistance between the capacitance measuring circuit configured to receive and the touch sensor, it is possible to precisely measure the voltage change by reducing the distortion of the measured touch time.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 정전용량식 터치패널을 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 정전용량 측정회로(130)를 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 도 2에 도시된 정전용량 측정회로(130)의 동작을 개략적으로 설명하기 위한 파형도들이다.
도 4는 도 2에 도시된 충방전회로부의 일례를 설명하기 위한 회로도이다.
도 5는 도 2에 도시된 충방전회로부의 다른 예를 설명하기 위한 회로도이다.
도 6은 도 1에 도시된 정전용량식 터치패널을 통한 정전용량 감지 원리를 개략적으로 설명하기 위한 개념도이다.
도 7은 도 6에 도시된 제1 감지방향 및 제2 감지방향에 따른 감지 신호 지연 현상을 개략적으로 설명하기 위한 그래프이다.
도 8은 도 1에 도시된 영역 A에 대응하는 패턴-넥을 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 정전용량식 터치패널을 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다.
도 10a는 일반적인 막대 형상을 갖는 터치센서의 저항값 계산을 개략적으로 설명하기 위한 평면도이고, 도 10b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 지그재그 형상을 갖는 터치센서의 저항값 계산을 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 정전용량식 터치패널을 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다.1 is a plan view schematically illustrating a capacitive touch panel according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram schematically illustrating the capacitance measurement circuit 130 shown in FIG. 1.
3 is a waveform diagram for schematically describing an operation of the capacitance measuring circuit 130 illustrated in FIG. 2.
4 is a circuit diagram illustrating an example of the charge / discharge circuit unit shown in FIG. 2.
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating another example of the charge / discharge circuit unit shown in FIG. 2.
FIG. 6 is a conceptual diagram schematically illustrating a capacitive sensing principle through the capacitive touch panel illustrated in FIG. 1.
FIG. 7 is a graph for schematically explaining a detection signal delay phenomenon according to the first and second sensing directions shown in FIG. 6.
FIG. 8 is a plan view schematically illustrating the pattern-neck corresponding to the region A illustrated in FIG. 1.
9 is a plan view schematically illustrating a capacitive touch panel according to another exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 10A is a plan view for schematically explaining a resistance value calculation of a touch sensor having a general bar shape, and FIG. 10B is a view for schematically explaining a resistance value calculation of a touch sensor having a zigzag shape according to another embodiment of the present invention. Top view.
11 is a plan view schematically illustrating a capacitive touch panel according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Also, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 정전용량식 터치패널을 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다. 특히, 정전용량 측정회로가 정전용량식 터치패널의 단변에 인접하게 배치된 경우가 도시된다.1 is a plan view schematically illustrating a capacitive touch panel according to an embodiment of the present invention. In particular, the case where the capacitance measuring circuit is arranged adjacent to the short side of the capacitive touch panel is shown.

도 1을 참조하면, 정전용량식 터치패널(100)은 베이스 기판(110), 복수의 터치센서들(120), 정전용량 측정회로(130), 복수의 제1 연결배선들(140) 및 복수의 제2 연결배선들(150)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the capacitive touch panel 100 includes a base substrate 110, a plurality of touch sensors 120, a capacitive measurement circuit 130, a plurality of first connection wires 140, and a plurality of touch panels. Second connection wires 150.

상기 베이스 기판(110)은 메인 터치영역(MTA)과 주변영역(PA)을 갖는다. 본 실시예에서, 상기 베이스 기판(110)은 장변과 단변에 의해 정의되는 직사각 형상을 갖는다.The base substrate 110 has a main touch area MTA and a peripheral area PA. In the present embodiment, the base substrate 110 has a rectangular shape defined by long sides and short sides.

상기 터치센서들(120)은 상기 메인 터치영역(MTA)에 형성된다. 특히, 상기 터치센서들(110)은 상기 베이스 기판(110)의 장변과 평행하게 형성된다. 본 실시예에서, 상기 터치센서(120)의 일측부와 상기 정전용량 측정회로(130)를 연결하는 제1 감지경로를 통한 제1 저항값과, 상기 터치센서(120)의 타측부와 상기 정전용량 측정회로(130)를 연결하는 제2 감지경로를 통한 제2 저항값은 동일하도록, 상기 터치센서들 각각의 일측부에는 패턴-넥(pattern-neck)이 형성된다. 즉, 상기 터치센서들(120) 각각은 막대 형상을 갖고, 원하는 저항값을 구현하기 위해 상기 터치센서(120)의 일측부에는 상기 터치센서(120)의 폭보다 좁은 폭을 갖는 패턴-넥이 형성된다. 상기한 패턴-넥에 대한 설명은 후술되는 도 6에서 설명한다.The touch sensors 120 are formed in the main touch area MTA. In particular, the touch sensors 110 are formed parallel to the long side of the base substrate 110. In the present embodiment, a first resistance value through a first sensing path connecting one side portion of the touch sensor 120 and the capacitance measurement circuit 130, the other side portion of the touch sensor 120 and the electrostatic A pattern-neck is formed on one side of each of the touch sensors so that the second resistance value through the second sensing path connecting the capacitance measuring circuit 130 is the same. That is, each of the touch sensors 120 has a rod shape, and a pattern-neck having a width smaller than the width of the touch sensor 120 is formed at one side of the touch sensor 120 to realize a desired resistance value. Is formed. Description of the above-described pattern-neck will be described in FIG.

상기 정전용량 측정회로(130)는 상기 베이스 기판(110)의 단변과 평행하게 상기 주변영역(PA)에 형성되고, 상기 제1 및 제2 연결배선들(140, 150) 각각을 통해 상기 터치센서들(120) 각각의 양단에 연결된다. 상기 정전용량 측정회로(130)는 상기 터치센서(120)의 정전용량 변화를 감지하여 터치위치를 측정한다.The capacitive measurement circuit 130 is formed in the peripheral area PA in parallel with a short side of the base substrate 110, and the touch sensor is formed through each of the first and second connection wires 140 and 150. Are connected at both ends of each of the poles 120. The capacitance measuring circuit 130 detects a change in capacitance of the touch sensor 120 and measures a touch position.

상기 제1 연결배선들(140) 각각은 상기 터치센서(120)의 일단 각각에 연결되고 상기 정전용량 측정회로(120)에 연결된다. 본 실시예에서, 상기 제1 연결배선들(140) 각각은 상기 정전용량 측정회로(130)에서 출력된 감지신호를 상기 터치센서(120)에 전달하는 역할을 수행할 수도 있고, 상기 터치센서(120)에서 감지된 감지신호를 상기 정전용량 측정회로(130)에 전달하는 역할을 수행할 수도 있다. 상기 제1 연결배선들(140) 각각은 실버 재질이나 금속 재질로 구성될 수 있다.Each of the first connection wires 140 is connected to one end of the touch sensor 120 and is connected to the capacitance measuring circuit 120. In the present exemplary embodiment, each of the first connection wires 140 may serve to transmit a sensing signal output from the capacitance measuring circuit 130 to the touch sensor 120 or the touch sensor ( The sensing signal sensed at 120 may be transferred to the capacitance measuring circuit 130. Each of the first connection wires 140 may be made of silver or metal.

상기 제2 연결배선들(150) 각각은 상기 터치센서(120)의 타단 각각에 연결되고 상기 정전용량 측정회로(130)에 연결된다. 본 실시예에서, 상기 제1 연결배선들(140) 각각은 상기 정전용량 측정회로(130)에서 출력된 감지신호를 터치센서(120)에 전달하는 역할을 수행할 수도 있고, 상기 터치센서(120)에서 감지된 감지신호를 상기 정전용량 측정회로(130)에 전달하는 역할을 수행할 수도 있다. 예를들어, 상기 제1 연결배선(140)이 상기 정전용량 측정회로(130)에서 출력된 감지신호를 상기 터치센서(120)에 전달하는 역할을 수행하면, 상기 제2 연결배선(150)은 상기 터치센서(120)에서 감지된 감지신호를 상기 정전용량 측정회로(130)에 전달하는 역할을 수행한다. 한편, 상기 제1 연결배선(140)이 상기 터치센서(120)에서 감지된 감지신호를 상기 정전용량 측정회로(130)에 전달하는 역할을 수행하면, 상기 제2 연결배선(150)은 상기 정전용량 측정회로(130)에서 출력된 감지신호를 상기 터치센서(120)에 전달하는 역할을 수행한다. 상기 제2 연결배선들(150) 각각은 실버 재질이나 금속 재질로 구성될 수 있다.Each of the second connection wires 150 is connected to each other end of the touch sensor 120 and is connected to the capacitance measuring circuit 130. In the present embodiment, each of the first connection wires 140 may serve to transfer the detection signal output from the capacitance measuring circuit 130 to the touch sensor 120, or the touch sensor 120. It may also serve to transfer the sensed signal detected in the) to the capacitance measuring circuit 130. For example, when the first connection line 140 transfers the detection signal output from the capacitance measurement circuit 130 to the touch sensor 120, the second connection line 150 is It serves to transfer the sensing signal sensed by the touch sensor 120 to the capacitance measuring circuit 130. On the other hand, when the first connection line 140 serves to transfer the detection signal detected by the touch sensor 120 to the capacitance measurement circuit 130, the second connection line 150 is the electrostatic It serves to transfer the detection signal output from the capacitance measuring circuit 130 to the touch sensor 120. Each of the second connection wires 150 may be made of silver or metal.

도 2는 도 1에 도시된 정전용량 측정회로(130)를 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다. 도 3은 도 2에 도시된 정전용량 측정회로(130)의 동작을 개략적으로 설명하기 위한 파형도들이다.FIG. 2 is a block diagram schematically illustrating the capacitance measurement circuit 130 shown in FIG. 1. 3 is a waveform diagram for schematically describing an operation of the capacitance measuring circuit 130 illustrated in FIG. 2.

도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 터치센서의 정전용량 측정회로(130)는 기준전압발생부(410), 전압비교부(420), 제어부(430), 타이머부(440), 충방전회로부(450) 및 복합스위치(460)를 포함하고, 복수의 터치센서들(120)에 연결되어 터치센서들(120) 각각에 정전류를 인가하고, 터치센서(120)와 인체에 의해서 생성된 정전용량의 캐패시턴스를 기준전압까지 방전되는데 소요되는 시간을 측정하여 해당 터치센서(120)의 정전용량을 측정한다.1, 2 and 3, the capacitance measuring circuit 130 of the touch sensor according to an embodiment of the present invention is the reference voltage generator 410, the voltage comparator 420, the controller 430, And a timer unit 440, a charge / discharge circuit unit 450, and a composite switch 460, connected to the plurality of touch sensors 120 to apply a constant current to each of the touch sensors 120, and the touch sensor 120 ) And the capacitance of the capacitance generated by the human body to measure the time required to discharge to the reference voltage to measure the capacitance of the corresponding touch sensor 120.

구체적으로, 상기 충방전회로부(450)는 일정주기의 충방전을 N회 계속적으로 수행하되, 복합스위치(460)에 연결된 터치센서(120)로부터 정전용량이 입력되면 상기 일정주기에 시간차가 발생되어 N회 주기 동안의 누적된 시간차를 상기 타이머부(440)가 측정함으로써 정전용량 입력여부를 결정하며, 상기 충방전 횟수가 증가할수록 상기 터치센서(120)를 통해 정전용량이 측정되면 충방전에 소요되는 시간은 비례적으로 증가한다.Specifically, the charging and discharging circuit unit 450 continuously performs the charging and discharging of a predetermined period N times, when the capacitance is input from the touch sensor 120 connected to the composite switch 460 is generated a time difference in the predetermined period The timer unit 440 determines whether the capacitance is input by measuring the accumulated time difference for N cycles, and as the number of charge / discharge cycles increases, it takes charge / discharge when the capacitance is measured through the touch sensor 120. The time to be increased proportionally.

상기 기준전압발생부(410)는 직렬 연결된 제1 저항(R1), 제2 저항(R2) 및 제3 저항(R3)을 포함하고, 제1 기준전압(refh)과 제2 기준전압(refl)을 생성하여 전압비교부(20)에 제공한다. 본 실시예에서, 제1 내지 제3 저항들(R1, R2, R3)은 가변 저항이다. 상기한 가변 저항의 저항값은 프로그램으로 변경될 수 있다. 따라서, 상기 제1 기준전압(refh) 및 상기 제2 기준전압(refl) 역시 가변 전압이다.The reference voltage generator 410 includes a first resistor R1, a second resistor R2, and a third resistor R3 connected in series, and includes a first reference voltage refh and a second reference voltage refl. Is generated and provided to the voltage comparison unit 20. In the present embodiment, the first to third resistors R1, R2, and R3 are variable resistors. The resistance value of the variable resistor may be changed by a program. Therefore, the first reference voltage refh and the second reference voltage refl are also variable voltages.

이처럼, 정전용량 측정회로에 인가되는 전원의 노이즈가 많거나 외부에서 유입되는 노이즈가 많을 경우, 각각 제1 기준전압(vrefh)과 제2 기준전압(vrefl)을 프로그램으로 변경하여 노이즈에 영향을 받지 않는 기준전압을 설정할 수 있다.As such, when there is a lot of noise of the power applied to the capacitance measuring circuit or a lot of noise flowing in from the outside, the first reference voltage vrefh and the second reference voltage vrefl are changed by a program to be affected by the noise. Reference voltage can be set.

특히, 정전용량을 감지하기 위해 형성된 터치센서(120)의 면적이 넓을수록 외부 환경에 의한 영향으로 노이즈가 많이 유입되어 정전용량 감지특성이 저하된다. 하지만, 제1 기준전압(vrefh)과 제2 기준전압(vrefl)간의 차이를 작게 제어하면, 보다 노이즈 특성을 줄일 수 있다. 다만, 제1 기준전압(vrefh)과 제2 기준전압(vrefl)의 전압의 차이를 작게 설정한 경우, 동일한 시간 동안의 정전용량 측정 결과가 SNR(신호 대 잡음비)는 향상되지만, 정전용량 감지신호의 감소도 발생하게 됨으로 응용에 따라 적절한 제1 기준전압(vrefh)과 제2 기준전압(vrefl)의 전압값을 선택하게 된다.In particular, the larger the area of the touch sensor 120 formed to detect the capacitance, the more noise is introduced due to the influence of the external environment, and thus the capacitance sensing characteristic is degraded. However, if the difference between the first reference voltage vrefh and the second reference voltage vrefl is controlled to be small, the noise characteristic may be further reduced. However, when the difference between the voltage between the first reference voltage vrefh and the second reference voltage vrefl is set small, the capacitance measurement result during the same time improves the signal-to-noise ratio (SNR), but the capacitance detection signal In addition, since the decrease of, the appropriate voltage value of the first reference voltage vrefh and the second reference voltage vrefl is selected according to the application.

상기 전압비교부(420)는 외부로부터 제공되는 제1 제어신호에 응답하여 상기 기준전압발생부(410)에서 생성된 전압들과 상기 터치센서(120)로부터 입력되는 감지전압을 비교한다. 예를들어, 상기 전압비교부(420)는 제1 전압비교기(COM1) 및 제2 전압비교기(COM2)를 포함한다. 본 실시예에서, 상기 제1 제어신호는 제1 및 제2 전압비교기들(COM1, COM2)을 인에이블 또는 디스에이블한다. 예를들어, H 레벨을 갖는 제1 제어신호는 상기 제1 및 제2 전압비교기들(COM1, COM2)을 인에이블하고, L 레벨을 갖는 제1 제어신호는 상기 제1 및 제2 전압비교기들(COM1, COM2)을 디스에이블한다.The voltage comparing unit 420 compares the voltages generated by the reference voltage generator 410 with the sensed voltage input from the touch sensor 120 in response to a first control signal provided from the outside. For example, the voltage comparator 420 includes a first voltage comparator COM1 and a second voltage comparator COM2. In the present embodiment, the first control signal enables or disables the first and second voltage comparators COM1 and COM2. For example, a first control signal having an H level enables the first and second voltage comparators COM1 and COM2, and a first control signal having an L level is the first and second voltage comparators. Disable (COM1, COM2).

상기 제1 전압비교기(COM1)는 H 레벨을 갖는 제1 제어신호에 응답하여 상기 기준전압발생부(10)에서 생성된 제1 기준전압(refh)과 상기 터치센서(120)로부터 입력되는 감지전압을 비교하여 제1 비교신호(O_up)를 출력한다. 제1 비교신호(O_up)는 상기 제1 전압비교기(COM1)에서 비교한 신호의 전압이 제1 기준전압(refh)의 전압과 같거나 높을 때 소정의 H 레벨의 출력을 발생하며, 그렇지 않은 경우는 L 레벨의 출력을 발생시킨다. H 레벨의 제1 비교신호(O_up)가 출력되면, 상기 제어부(430)에서 출력되는 충방전 제어신호(ctl)가 제어되어 정상 동작 기간(제2 제어신호가 H인 구간) 중에는 회로내에 존재하는 소정의 지연시간 내에 즉시 H 레벨에서 L 레벨로 변화된다.The first voltage comparator COM1 has a first reference voltage refh generated by the reference voltage generator 10 and a sensing voltage input from the touch sensor 120 in response to a first control signal having an H level. Are compared to output the first comparison signal O_up. The first comparison signal O_up generates an output of a predetermined H level when the voltage of the signal compared by the first voltage comparator COM1 is equal to or higher than the voltage of the first reference voltage refh. Generates an L level output. When the first comparison signal O_up having the H level is output, the charge / discharge control signal ctl output from the controller 430 is controlled to be present in the circuit during the normal operation period (section in which the second control signal is H). It immediately changes from H level to L level within a predetermined delay time.

상기 제2 전압비교기(COM2)는 H 레벨을 갖는 제1 제어신호에 응답하여 상기 기준전압발생부(10)에서 생성된 제2 기준전압(refl)과 상기 터치센서(120)로부터 입력되는 감지전압을 비교하여, 제2 비교신호(O_dn)를 출력한다. 제2 비교신호(O_dn)는 상기 제2 전압비교기(COM2)에서 비교한 신호의 전압이 제2 기준전압(refl)의 전압과 같거나 낮을 때 H 레벨의 출력을 발생하며, 그렇지 않은 경우는 L 레벨의 출력을 발생시킨다. H 레벨의 제2 비교신호(O_dn)가 출력되면, 상기 제어부(430)에서 출력되는 충방전 제어신호(ctl)가 제어되어 정상 동작 기간(제2 제어신호가 H인 구간) 중에는 회로내에 존재하는 소정의 지연 시간 내에 즉시 L 레벨에서 H 레벨로 변화된다.The second voltage comparator COM2 has a second reference voltage refl generated by the reference voltage generator 10 and a sensing voltage input from the touch sensor 120 in response to a first control signal having an H level. Are compared to output the second comparison signal O_dn. The second comparison signal O_dn generates an H level output when the voltage of the signal compared by the second voltage comparator COM2 is equal to or lower than the voltage of the second reference voltage refl. Generate the output of the level. When the second comparison signal O_dn having the H level is output, the charge / discharge control signal ctl output from the controller 430 is controlled to be present in the circuit during the normal operation period (section in which the second control signal is H). It immediately changes from L level to H level within a predetermined delay time.

본 실시예에서, 상기 제1 및 제2 전압비교기들(COM1, COM2) 각각은 히스테리시스를 갖는 전압비교기를 포함할 수 있다. 히스테리시스를 갖는 전압비교기들은 쉬미트 트리거(Schmitt trigger)를 갖는 비교기라고도 불리며, 이를 사용함으로써, 정전용량 측정회로에 인가되는 VDD 공급 전압의 노이즈나 GND 레벨의 전압에 대한 노이즈가 인가될 경우 너무 민감하게 비교기가 동작하게 하는 것을 방지하여 실제 본 명세서를 기반으로 개발된 반도체가 응용회로에서 동작하게 될 경우 공급 전원에 의한 노이즈로부터 신호 대 잡음비(SNR)를 향상시킬 수 있다.In the present embodiment, each of the first and second voltage comparators COM1 and COM2 may include a voltage comparator having hysteresis. Voltage comparators with hysteresis are also called comparators with Schmitt triggers, and by using them, they are too sensitive when the noise of the VDD supply voltage or the voltage of the GND level is applied to the capacitance measuring circuit. By preventing the comparator from operating, it is possible to improve the signal-to-noise ratio (SNR) from noise caused by a power supply when a semiconductor developed based on the present specification is operated in an application circuit.

상기 제어부(430)는 상기 전압비교부(420)의 상기 제1 전압비교기(COM1) 및 상기 제2 전압비교기(COM2) 각각의 출력신호인 제1 비교신호(O_up) 및 제2 비교신호(O_dn)와 외부로부터 제공되는 제2 제어신호를 입력받아, 상기 충방전회로부(450)의 동작과 상기 타이머부(440)의 동작을 제어한다. 예를들어, 상기 제어부(430)는 상기 충방전회로부(450)의 동작을 제어하기 위해 충방전 제어신호(ctl)를 상기 충방전회로부(450)에 제공한다. 제2 제어신호가 L 레벨에서 H 레벨로 천이되면, 상기 충방전 제어신호(ctl)는 L 레벨에서 H 레벨로 천이되고, 제1 비교신호가 L 레벨에서 H 레벨로 천이되면, 상기 충방전 제어신호(ctl)는 H 레벨에서 L 레벨로 천이된다. 또한, 제2 비교신호가 L 레벨에서 H 레벨로 천이되면, 상기 충방전 제어신호는 L 레벨에서 H 레벨로 천이되고, 제1 비교신호가 L 레벨에서 H 레벨로 천이되면 H 레벨에서 L 레벨로 천이된다. 즉, 충방전 제어신호(ctl)는 제2 제어신호에 의해 H 레벨로 천이된 후, 제1 비교신호에 의해 L 레벨로 천이되며, 제2 비교신호에 의해 H 레벨로 천이되는 동작을 반복한다.The controller 430 is a first comparison signal O_up and a second comparison signal O_dn which are output signals of the first voltage comparator COM1 and the second voltage comparator COM2 of the voltage comparator 420. And a second control signal provided from the outside to control the operation of the charge / discharge circuit unit 450 and the operation of the timer unit 440. For example, the controller 430 provides a charge / discharge control signal ctl to the charge / discharge circuit unit 450 to control the operation of the charge / discharge circuit unit 450. When the second control signal transitions from the L level to the H level, the charge / discharge control signal ctl transitions from the L level to the H level, and when the first comparison signal transitions from the L level to the H level, the charge / discharge control The signal ctl transitions from the H level to the L level. Further, when the second comparison signal transitions from the L level to the H level, the charge / discharge control signal transitions from the L level to the H level, and from the H level to the L level when the first comparison signal transitions from the L level to H level Transition. That is, after the charge / discharge control signal ctl is shifted to the H level by the second control signal, the charge / discharge control signal ctl is shifted to the L level by the first comparison signal, and the operation of transitioning to the H level by the second comparison signal is repeated. .

상기 충방전회로부(450)는 상기 제어부(430) 및 상기 복합스위치(460)에 각각에 연결되고, 상기 제어부(430)에서 제공되는 충방전 제어신호(ctl)에 응답하여 상기 복합스위치(460)를 통해 입력된 감지전압(signal)을 상기 제1 기준전압(refh)에서 상기 제2 기준전압(refl)까지 충전하거나 상기 제2 기준전압(refl)에서 상기 제1 기준전압(refh)까지 방전시킨다. 본 실시예에서, 충방전 제어신호(ctl)를 입력받아 온/오프되는 스위치(SW)는 상기 감지신호에 대응하는 노드(VN)와 접지단자측 간에 연결된다. 즉, 스위치(SW)가 턴오프되면 전원전압단자의 전원전압을 근거로 생성된 충전전류(i1)를 상기 노드에 제공하여 터치센서(120)를 충전시키고, 스위치(SW)가 턴온되면 터치센서(120)의 충전전압에 대응하는 방전전류(i2)를 상기 접지단자를 통해 방전시킨다.The charge / discharge circuit unit 450 is connected to the control unit 430 and the composite switch 460, respectively, and the composite switch 460 in response to the charge / discharge control signal ctl provided from the control unit 430. Charges a sensing voltage signal input through the first reference voltage (refh) to the second reference voltage (refl) or discharges from the second reference voltage (refl) to the first reference voltage (refh). . In the present embodiment, the switch SW that is turned on / off by receiving the charge / discharge control signal ctl is connected between the node VN corresponding to the detection signal and the ground terminal side. That is, when the switch SW is turned off, the touch sensor 120 is charged by providing the charging current i1 generated based on the power voltage of the power voltage terminal to the node, and when the switch SW is turned on, the touch sensor The discharge current i2 corresponding to the charging voltage of 120 is discharged through the ground terminal.

상기 복합스위치(460)는 외부로부터 제공되는 제3 제어신호에 응답하여 감지신호의 출력과 입력의 방향을 전환한다. 본 실시예에서, 상기 제3 제어신호는 상기 복합스위치(460)의 신호 전달 경로를 결정하는 역할을 수행한다. 즉, 상기 복합스위치(460)는 제3 제어신호의 제어를 받아 상기 충방전회로부(450)에서 출력되는 정전용량 감지신호가 터치센서의 왼쪽에서 오른쪽으로 종단하는 경로를 설정하거나 터치센서의 오른쪽에서 왼쪽으로 종단하는 경로를 설정할 수 있다.The composite switch 460 switches the direction of the output and the input of the detection signal in response to the third control signal provided from the outside. In this embodiment, the third control signal serves to determine the signal transmission path of the composite switch 460. That is, the composite switch 460 sets a path in which the capacitance detection signal output from the charge / discharge circuit unit 450 terminates from the left side to the right side of the touch sensor under the control of a third control signal or at the right side of the touch sensor. You can set the path to the left.

상기 타이머부(440)는 외부로부터 제4 제어신호에 응답하여 상기 충방전회로부(450)에 의해 이루어지는 충전시간 및 방전시간 그리고 전체 충전과 방전에 소요되는 시간을 각각 측정하고 이에 따른 출력신호를 측정결과로서 출력한다. 본 실시예에서, 상기 제4 제어신호는 상기 타이머부(440)의 동작을 제어한다. 예컨대, 상기 제4 제어신호가 첫번째로 H 레벨의 에지인 구간에서는 상기 타이머부(440)를 초기화함과 동시에 상기 타이머부(440)가 동작을 개시하여 감지신호(signal)의 정해진 주기만큼 상기 타이머부(440)를 동작시켜 클럭의 숫자를 계산한다. 첫번째 H 레벨의 에지 구간 이후에 발생하는 L 레벨의 에지 구간에서는 상기 타이머부(440)의 동작을 정지하고, 그때까지 계산된 상기 타이머부(440)의 값을 유지하여 측정 결과를 전송하는 역할을 수행한다.The timer unit 440 measures a charging time and a discharging time and a time required for total charging and discharging by the charging and discharging circuit unit 450 in response to a fourth control signal from the outside, and measures the output signal accordingly. Output as a result. In the present embodiment, the fourth control signal controls the operation of the timer unit 440. For example, in the period where the fourth control signal is the first edge of the H level, the timer unit 440 is initialized at the same time as the timer unit 440 starts to operate the timer for a predetermined period of the signal. The unit 440 is operated to calculate the number of clocks. In the L level edge section occurring after the first H level edge section, the timer unit 440 stops the operation, and maintains the value of the timer unit 440 calculated until then to transmit a measurement result. To perform.

제2 제어신호가 H 레벨인 구간에서 상술된 동작을 지속적으로 반복한다. 출력되는 상기 타이머부(440)의 값은 제3 제어신호에 의해 각각의 패드의 정전용량값으로 인식한다.The above operation is continuously repeated in the section where the second control signal is at the H level. The output value of the timer 440 is recognized as a capacitance value of each pad by a third control signal.

최초 시작은 충방전회로부(450)의 출력신호, 즉 정전용량 감지신호가 0V의 접지 레벨에서 시작한다. 이때 신호는 제1 기준전압(vrefh) 및 제2 기준전압(vrefl) 보다 낮은 값을 갖는다. 상기 제2 기준전압(vrefl)은 통상적으로 GND 0V보다 조금 높은 전압이다. 예를들어, 상기 제2 기준전압(vrefl)은 300mV로 설정될 수 있다. 상기 제1 기준전압(vrefh)은 1/2 VDD 내지 VDD-300mV로 설정될 수 있다.Initially, the output signal of the charge / discharge circuit unit 450, that is, the capacitance detection signal, starts at a ground level of 0V. In this case, the signal has a lower value than the first reference voltage vrefh and the second reference voltage vrefl. The second reference voltage vrefl is typically a voltage slightly higher than GND 0V. For example, the second reference voltage vrefl may be set to 300 mV. The first reference voltage vrefh may be set to 1/2 VDD to VDD-300mV.

정상상태에서 정전용량 측정회로가 동작하면, 비교기(420)와 제어부(430)는 신호가 vref보다 낮은 경우는 제어부(430)의 출력 충방전 제어신호(ctl)가 0V가 되어 신호가 제2 기준전압(vrefl)부터 제1 기준전압(vrefh)까지 삼각파의 형태로 상승하는 기울기가 있는 직선 형태의 모양을 갖도록 동작한다. 한편, 신호의 전압이 제1 기준전압(vrefh)에 도달하게 되면 스위치(SW)를 연결하여 정전용량 감지신호가 삼각형 형태에서 하강하는 기울기 있는 직선 형태의 모양을 갖도록 동작한다.When the capacitance measuring circuit operates in the steady state, the comparator 420 and the control unit 430 output the charge / discharge control signal ctl of the control unit 430 to 0V when the signal is lower than vref, so that the signal is the second reference. It operates to have a straight shape with a slope rising in the form of a triangular wave from the voltage vrefl to the first reference voltage vrefh. On the other hand, when the voltage of the signal reaches the first reference voltage (vrefh) is connected to the switch (SW) to operate the capacitive sensing signal has a straight line shape of the slope falling from the triangular form.

상기 충방전회로부(450)의 감지신호(signal)는 충전전류(i1)와 방전전류(i2)에 의해서 패드에 연결된 터치센서(120)에 대한 전하를 충전 및 방전을 진행하는 동작을 함으로 상승 또는 하강할 때의 파형은 직선형태가 된다.The detection signal (signal) of the charge and discharge circuit unit 450 is increased by charging and discharging the charges to the touch sensor 120 connected to the pad by the charging current i1 and the discharge current i2. The waveform at the time of falling becomes a linear form.

도 4는 도 2에 도시된 충방전회로부(450)의 일례를 설명하기 위한 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating an example of the charge / discharge circuit unit 450 shown in FIG. 2.

도 4를 참조하면, 충방전회로부(450)는 터치센서(120)를 충전하기 위한 충전전류를 출력하는 충전부(452), 상기 터치센서(120)를 방전하기 위한 방전전류를 제공받는 방전부(454), 및 상기 충전부(452)와 상기 터치센서(120)간의 연결을 스위칭하거나 상기 터치센서(120)와 상기 방전부(454)간의 연결을 스위칭하는 충방전스위치(SW)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the charge / discharge circuit unit 450 may include a charging unit 452 for outputting a charging current for charging the touch sensor 120, and a discharge unit for receiving a discharge current for discharging the touch sensor 120 ( 454, and a charge / discharge switch SW for switching the connection between the charging unit 452 and the touch sensor 120 or switching the connection between the touch sensor 120 and the discharge unit 454.

상기 충전부(452)는 제1 PMOS(P0) 및 제2 PMOS(P1)을 포함한다. 상기 제1 NMOS(N0)의 소스와 상기 제2 NMOS(N1)의 소스는 각각 전원전압(VDD)을 공급하는 전원전압 노드에 연결되고, 상기 제1 NMOS(N0)의 게이트 및 드레인은 공통 연결되며, 상기 제1 NMOS(N0)와 상기 제2 NMOS(N1)의 게이트는 서로 연결되어 커런트미러형(Current-mirror)으로 구성된다. 즉, 상기 제1 PMOS(P0) 및 상기 제2 PMOS(P1)는 제1 커런트미러를 정의한다. 상기 제2 NMOS(N1)의 드레인은 터치센서(120) 및 상기 충방전스위치(SW)에 연결된다.The charging unit 452 includes a first PMOS P0 and a second PMOS P1. The source of the first NMOS N0 and the source of the second NMOS N1 are respectively connected to a power supply voltage node that supplies a power supply voltage VDD, and the gate and the drain of the first NMOS N0 are commonly connected. The gates of the first NMOS N0 and the second NMOS N1 are connected to each other to form a current-mirror. That is, the first PMOS P0 and the second PMOS P1 define a first current mirror. The drain of the second NMOS N1 is connected to the touch sensor 120 and the charge / discharge switch SW.

상기 방전부(454)는 가변정전류원(VI), 제1 NMOS(N0), 제2 NMOS(N1) 및 제3 NMOS(N2)를 포함한다. 상기 제1 NMOS(N0), 상기 제2 NMOS(N1) 및 상기 제3 NMOS(N2)는 제2 커런트미러를 정의한다.The discharge unit 454 includes a variable constant current source VI, a first NMOS N0, a second NMOS N1, and a third NMOS N2. The first NMOS N0, the second NMOS N1, and the third NMOS N2 define a second current mirror.

상기 가변정전류원(VI)은 제2 커런트미러에 흐르는 전류량을 결정한다. 상기 가변정전류원(VI)은 제1 NMOS(N0)의 바이어스의 전류량을 결정하는 가변저항을 포함할 수 있다. 상기 가변저항의 저항값에 의해 제1 NMOS(N0)의 드레인과 소스(GND)사이에 흐르는 전류량이 결정된다.The variable constant current source VI determines the amount of current flowing in the second current mirror. The variable constant current source VI may include a variable resistor that determines a current amount of a bias of the first NMOS N0. The amount of current flowing between the drain and the source GND of the first NMOS N0 is determined by the resistance value of the variable resistor.

상기 제1 NMOS(N0)의 소스는 가변정전류원(VI)에 연결되고, 드레인은 접지노드(GND)에 연결되며, 게이트는 상기 제2 NMOS(N1)의 게이트에 연결된다.The source of the first NMOS N0 is connected to the variable constant current source VI, the drain is connected to the ground node GND, and the gate is connected to the gate of the second NMOS N1.

상기 제2 NMOS(N1)의 소스는 제1 NMOS(N0)의 드레인에 연결되고, 게이트는 제1 NMOS(N0)의 게이트 및 소스에 공통 연결되며, 드레인은 접지노드(GND)에 연결된다.The source of the second NMOS N1 is connected to the drain of the first NMOS N0, the gate is commonly connected to the gate and the source of the first NMOS N0, and the drain is connected to the ground node GND.

상기 제3 NMOS(N2)의 소스는 충방전스위치(SW)에 연결되고, 게이트는 상기 제2 NMOS(N1)의 게이트에 공통 연결되며, 드레인은 접지노드(GND)에 연결된다. 상기 제1 NMOS(N0)의 소스 및 게이트는 공통 연결되고, 상기 제2 NMOS(N1)의 게이트 및 제3 NOMOS(N2)가 서로 연결되어 커런트미러형(Current-mirror)으로 구성된다. 즉, 상기 제1 NMOS(N0), 상기 제2 NMOS(N1) 및 상기 제3 NMOS(N2)는 제2 커런트미러를 정의한다.The source of the third NMOS N2 is connected to the charge / discharge switch SW, the gate is commonly connected to the gate of the second NMOS N1, and the drain is connected to the ground node GND. The source and the gate of the first NMOS N0 are commonly connected, and the gate and the third NOMOS N2 of the second NMOS N1 are connected to each other to form a current mirror. That is, the first NMOS N0, the second NMOS N1, and the third NMOS N2 define a second current mirror.

상기 충방전스위치(SW)는 상기 충전부(452)에 연결된 제1 단, 상기 방전부(454) 및 상기 터치센서(120)에 연결된 제2 단 및 외부로부터 제공되는 충방전 제어신호(ctl)를 제공받는 제어단을 포함한다. 상기 충방전스위치(SW)는 상기 충방전 제어신호(ctl)에 의해 턴온 또는 턴오프된다.The charge / discharge switch SW may be configured to receive a charge / discharge control signal ctl provided from the first terminal connected to the charging unit 452, the second terminal connected to the discharge unit 454 and the touch sensor 120, and the outside. It includes a control stage provided. The charge / discharge switch SW is turned on or off by the charge / discharge control signal ctl.

상기 충방전스위치(SW)가 턴온되는 경우, 충전부(452)와 터치센서(120)간의 전기적 경로가 형성되어, 충전부(452)에서 출력되는 충전전류는 상기 터치센서(120)에 제공되어 상기 터치센서(120)를 충전시킨다.When the charge / discharge switch SW is turned on, an electrical path is formed between the charging unit 452 and the touch sensor 120, and the charging current output from the charging unit 452 is provided to the touch sensor 120 to provide the touch. The sensor 120 is charged.

상기 충방전스위치(SW)가 턴오프되는 경우, 충전부(452)와 터치센서(120)간의 전기적 경로는 차단되고 터치센서(120)와 방전부(454)간의 전기적 경로는 형성되어, 상기 터치센서(120)에 충전된 전류는 상기 방전부(454)에 제공되어 상기 터치센서(120)를 방전시킨다.When the charge / discharge switch SW is turned off, the electrical path between the charging unit 452 and the touch sensor 120 is cut off and the electrical path between the touch sensor 120 and the discharge unit 454 is formed, thereby the touch sensor The current charged in the 120 is provided to the discharge unit 454 to discharge the touch sensor 120.

이처럼, 상기 제1 PMOS(P0) 및 상기 제2 NMOS(N1)는 상기 제2 PMOS(P1)의 전류를 미러링(mirroring)하기 위한 것이다.As such, the first PMOS P0 and the second NMOS N1 are for mirroring the current of the second PMOS P1.

상기 제2 PMOS(P1) 및 상기 제3 NMOS(N2)은 터치센서(120)에 정전용량을 충전하거나 방전하기 위한 것으로, 상기 가변정전류원(VI)으로부터 결정된 상기 제1 NMOS(N0)의 전류와 동일한 양의 전류를 공급하는 기능을 수행한다.The second PMOS P1 and the third NMOS N2 are for charging or discharging capacitance in the touch sensor 120, and the current of the first NMOS N0 determined from the variable constant current source VI. Supply the same amount of current as.

본 실시예에서, 충전전류(i1)와 방전전류(i2)의 크기는 서로 갖지 않고 방전전류(i2)가 충전전류(i1)보다 크도록 설계하며, 정전용량을 감지한 감지신호의 삼각파가 상승시간과 하강시간이 동일하게 하기 위해, 방전전류(i2)는 충전전류(i1)의 두배가 되도록 설계될 수 있다.In this embodiment, the charge current i1 and the discharge current i2 do not have the magnitude of each other, and the discharge current i2 is designed to be larger than the charge current i1, and the triangular wave of the sensing signal sensing the capacitance rises. In order to make the time and the fall time the same, the discharge current i2 may be designed to double the charge current i1.

커런트미러에서 i1 * 2 = i2의 전류를 신호라인으로 구동하기 위하여 NMOS의 채널 폭은 아래의 수학식 1 및 수학식 2를 만족하도록 설계될 수 있다.In order to drive a current of i1 * 2 = i2 in the current mirror as a signal line, the channel width of the NMOS may be designed to satisfy Equations 1 and 2 below.

[수학식 1][Equation 1]

N0 = N1N0 = N1

[수학식 2]&Quot; (2) "

N2 = N0 * 2N2 = N0 * 2

반면에, 제1 PMOS(P0) 및 제2 PMOS(P1)는 동일한 크기의 채널 폭을 같도록 설계될 수 있다. 여기서, 모든 FET의 채널 길이는 동일하다고 가정한다.On the other hand, the first PMOS P0 and the second PMOS P1 may be designed to have the same channel width. Here, it is assumed that the channel lengths of all the FETs are the same.

따라서, 충방전 제어신호(ctl)에 의해서 동작하는 충방전스위치(SW)가 0인 구간(OFF상태)에서는 감지신호의 전압은 충전전류(i1)만큼의 전류를 사용하여 충전하기 때문에 직선형으로 기울기를 갖고 상승한다.Therefore, in the section in which the charge / discharge switch SW operating by the charge / discharge control signal ctl is 0 (OFF state), since the voltage of the detection signal is charged using the current equal to the charge current i1, the slope is linear. To rise.

한편, 충방전스위치(SW)가 1인 구간(ON)인 구간에는 i2-i1 = i1, (i2 = i1 * 2인 경우) 즉 방전전류(i2)의 전류를 사용하여 방전을 개시하나, 방전전류(i2)의 1/2에 해당하는 전류값을 갖는 충전전류(i1)에 의해서 충전도 동시에 이루어지므로 결국 터치센서신호(signal)에 인가되는 최종 방전 전류는 전류의 식에 의해 충전전류(i1)만큼의 전류량으로 방전을 하며 신호의 전압을 선형적으로 감소시킨다.On the other hand, in the section where the charge / discharge switch SW is 1, the discharge is started using i2-i1 = i1 (when i2 = i1 * 2), that is, the current of the discharge current i2. Since charging is simultaneously performed by the charging current i1 having a current value corresponding to one-half of the current i2, the final discharge current applied to the touch sensor signal is ultimately determined by the expression of the current. It discharges with the amount of current as) and reduces the voltage of the signal linearly.

이렇게 i2=i1*2의 전류 관계식과 충방전스위치(SW)의 동작을 사용하게 되면, 정전용량을 감지하는 신호의 신호선에는 어떠한 순간에도 전류가 0이 되는 구간이 발생하지 않아 외부 노이즈에도 강하게 되어 정전용량 감지특성이 향상되게 된다.Using i2 = i1 * 2 and the operation of the charge / discharge switch (SW) in this way, the signal line of the capacitance-sensitive signal does not generate a section where the current is zero at any moment, and thus becomes strong against external noise. The capacitance sensing characteristic is improved.

이상의 실시예에서는 상기 제1 및 제2 PMOS들(P0, P1)과 상기 제1 내지 제3 NMOS들(N0, N1, N2) 각각의 채널 길이는 동일할 때, 상기 제1 PMOS(P0)의 채널 폭과 상기 제2 PMOS(P1)의 채널 폭은 서로 동일하고, 상기 제1 NMOS(N0)의 채널 폭과 상기 제2 NMOS(N1)의 채널 폭은 서로 동일하며, 상기 제3 NMOS(N2)의 채널 폭은 상기 제1 NMOS(N0)의 채널 폭의 두 배인 것을 그 예로 설명하였다. 상기한 FET들의 채널 길이이나 채널 폭은, 전류 미러링 동작을 수행하기 위해, 다양하게 가변시킬 수 있다.In the above embodiment, when the channel length of each of the first and second PMOSs P0 and P1 and the first to third NMOSs N0, N1 and N2 is the same, the first and second PMOSs P0 and P2 have the same length. A channel width and a channel width of the second PMOS P1 are equal to each other, a channel width of the first NMOS N0 and a channel width of the second NMOS N1 are equal to each other, and the third NMOS (N2). ) Is twice as wide as the channel width of the first NMOS N0. The channel length or channel width of the FETs may be varied in order to perform a current mirroring operation.

예를들어, 상기 제1 및 제2 PMOS들(P0, P1)과 상기 제1 내지 제3 NMOS들(N0, N1, N2) 각각의 채널 길이는 동일할 때, 상기 제1 PMOS(P0)의 채널 폭과 상기 제2 PMOS(P1)의 채널 폭간의 비율은 1 : N (N은 자연수), 상기 제1 NMOS(N0)의 채널 폭과 상기 제2 NMOS(N1)의 채널 폭간의 비율은 1 : N이며, 상기 제1 NMOS(N0)의 채널 폭과 상기 제3 NMOS(N2)의 채널 폭간의 비율은 1 : N*M(여기서, M은 2*N)일 수 있다.For example, when the channel length of each of the first and second PMOSs P0 and P1 and the first to third NMOSs N0, N1 and N2 is the same, the first and second PMOSs P0 and P2 may be equal to each other. The ratio between the channel width and the channel width of the second PMOS P1 is 1: N (N is a natural number), and the ratio between the channel width of the first NMOS N0 and the channel width of the second NMOS N1 is 1. : N, and the ratio between the channel width of the first NMOS N0 and the channel width of the third NMOS N2 may be 1: N * M, where M is 2 * N.

예를들어, N이 1이고 M이 2인 경우, FET들간의 채널 폭 관계는 아래의 수학식 3과 같다.For example, when N is 1 and M is 2, the channel width relationship between FETs is expressed by Equation 3 below.

[수학식 3]&Quot; (3) "

P0:P1=1:1, P0: P1 = 1: 1,

N0:N1:N3=1:1:2N0: N1: N3 = 1: 1: 2

한편, N이 4이고 M이 2인 경우, FET들간의 채널 폭 관계는 아래의 수학식 4와 같다.On the other hand, when N is 4 and M is 2, the channel width relationship between FETs is expressed by Equation 4 below.

[수학식 4]&Quot; (4) "

P0:P1=1:4,P0: P1 = 1: 4,

N0:N1:N2=1:4:8N0: N1: N2 = 1: 4: 8

도 5는 도 2에 도시된 충방전회로부(450)의 다른 예를 설명하기 위한 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram illustrating another example of the charge / discharge circuit unit 450 illustrated in FIG. 2.

도 5를 참조하면, 충방전회로부(450)는 충방전스위치(610), 제1 커런트미러(620), 제2 커런트미러(630), 방전제어부(640), 방전부(650), 제3 커런트미러(660), 충전제어부(670) 및 충전부(680)를 포함한다.Referring to FIG. 5, the charge / discharge circuit unit 450 includes a charge / discharge switch 610, a first current mirror 620, a second current mirror 630, a discharge control unit 640, a discharge unit 650, and a third device. And a current mirror 660, a charging control unit 670, and a charging unit 680.

상기 충방전스위치(610)는 외부로부터 제공되는 충방전 제어신호에 따라 온/오프된다. 상기 충방전스위치(610)는 게이트를 통해 수신되는 충방전 제어신호에 따라 턴온 또는 턴-오프되는 NMOS(N11)를 포함한다. H 레벨의 충반전 제어신호가 입력되면, NMOS(N11)는 턴-온되고, L 레벨의 충방전 제어신호가 입력되면, NMOS(N11)는 턴-오프된다.The charge / discharge switch 610 is turned on / off according to a charge / discharge control signal provided from the outside. The charge / discharge switch 610 includes an NMOS N11 that is turned on or off according to a charge / discharge control signal received through a gate. When the H level charge / discharge control signal is input, the NMOS N11 is turned on, and when the L level charge / discharge control signal is input, the NMOS N11 is turned off.

상기 제1 커런트미러(620)는 전원전압에 대응하는 제1 바이어스 전류를 공급한다. 상기 제1 커런트미러(620)는 PMOS(P21), PMOS(P22), PMOS(P23) 및 PMOS(P24)를 포함한다. 본 실시예에서, PMOS(P21)와 PMOS(P22)는 직렬 연결되고, PMOS(P23)와 PMOS(P24)는 직렬 연결된다. PMOS(P21)의 게이트와 PMOS(P23)의 게이트는 공통 연결되고, PMOS(P22)의 게이트와 PMOS(P24)의 게이트는 공통 연결된다. PMOS(P21)의 소스와 PMOS(P23)의 소스는 전원전압단에 연결되어 전원전압(VDD)을 공급받고, PMOS(P22)의 드레인은 접지단에 연결된다.The first current mirror 620 supplies a first bias current corresponding to the power supply voltage. The first current mirror 620 includes a PMOS P21, a PMOS P22, a PMOS P23, and a PMOS P24. In this embodiment, PMOS P21 and PMOS P22 are connected in series, and PMOS P23 and PMOS P24 are connected in series. The gate of the PMOS P21 and the gate of the PMOS P23 are commonly connected, and the gate of the PMOS P22 and the gate of the PMOS P24 are commonly connected. The source of the PMOS P21 and the source of the PMOS P23 are connected to the power supply voltage terminal to receive the power supply voltage VDD, and the drain of the PMOS P22 is connected to the ground terminal.

상기 제2 커런트미러(630)는 상기 제1 바이어스 전류에 미러링되어 제2 바이어스 전류를 공급한다. 상기 제2 커런트미러(630)는 PMOS(P31), PMOS(P32), PMOS(P33) 및 PMOS(P34)를 포함한다. 본 실시예에서, PMOS(P31)와 PMOS(P32)는 직렬연결되고, PMOS(P33)와 PMOS(P34)는 직렬 연결된다. PMOS(P31)의 소스 및 PMOS(P33)의 소스는 각각 전원전압단에 연결되어 전원전압(VDD)을 공급받는다. PMOS(P31)의 게이트 및 PMOS(P33)의 게이트는 제1 커런트미러(620)의 PMOS(P21)의 게이트 및 소스에 연결된다. PMOS(P32)의 게이트 및 PMOS(P34)의 게이트는 제1 커런트미러(620)의 PMOS(P22)의 게이트 및 소스에 연결된다.The second current mirror 630 is mirrored to the first bias current to supply a second bias current. The second current mirror 630 includes a PMOS P31, a PMOS P32, a PMOS P33, and a PMOS P34. In this embodiment, PMOS P31 and PMOS P32 are connected in series, and PMOS P33 and PMOS P34 are connected in series. The source of the PMOS P31 and the source of the PMOS P33 are respectively connected to a power supply voltage terminal to receive a power supply voltage VDD. The gate of the PMOS P31 and the gate of the PMOS P33 are connected to the gate and the source of the PMOS P21 of the first current mirror 620. The gate of the PMOS P32 and the gate of the PMOS P34 are connected to the gate and the source of the PMOS P22 of the first current mirror 620.

상기 방전제어부(640)는 상기 제2 바이어스 전류를 근거로 방전제어신호를 출력한다. 상기 방전제어부(640)는 NMOS(N41), NMOS(N42) 및 NMOS(N43)를 포함한다. 본 실시예에서, NMOS(N41)의 소스 및 게이트는 공통 연결되어 제2 커런트미러(630)의 PMOS(P32)의 드레인에 연결되고, 드레인은 접지단에 연결된다. NMOS(N42)의 소스는 제2 커런트미러(630)의 PMOS(P34)의 드레인에 연결되고, 게이트는 NMOS(N41)의 소스 및 게이트에 연결된다. NMOS(N43)의 소스는 NMOS(N42)의 드레인에 연결되고, 게이트는 제2 커런트미러(630)의 PMOS(P34)의 드레인에 연결되고, 드레인은 접지단에 연결된다.The discharge control unit 640 outputs a discharge control signal based on the second bias current. The discharge control unit 640 includes an NMOS N41, an NMOS N42, and an NMOS N43. In this embodiment, the source and gate of the NMOS N41 are commonly connected to be connected to the drain of the PMOS P32 of the second current mirror 630, and the drain is connected to the ground terminal. The source of the NMOS N42 is connected to the drain of the PMOS P34 of the second current mirror 630, and the gate is connected to the source and gate of the NMOS N41. The source of the NMOS N43 is connected to the drain of the NMOS N42, the gate is connected to the drain of the PMOS P34 of the second current mirror 630, and the drain is connected to the ground terminal.

상기 방전부(650)는 터치센서에 전기적으로 연결되고, 상기 방전제어신호에 응답하여 상기 터치센서의 전하를 방전한다. 상기 방전부(650)는 NMOS(N51) 및 NMOS(N52)를 포함한다. 본 실시예에서, NMOS(N51) 및 NMOS(N52)는 직렬 연결된다. NMOS(N51)의 게이트는 방전제어부(640)의 NMOS(N42)의 게이트에 연결되고, NMOS(N52)의 게이트는 방전제어부(640)의 NMOS(N43)의 게이트에 연결된다. NMOS(N51)의 소스는 터치센서에 연결된다. NMOS(N52)의 드레인은 접지단에 연결된다.The discharge unit 650 is electrically connected to the touch sensor, and discharges the charge of the touch sensor in response to the discharge control signal. The discharge unit 650 includes an NMOS N51 and an NMOS N52. In this embodiment, the NMOS N51 and NMOS N52 are connected in series. The gate of the NMOS N51 is connected to the gate of the NMOS N42 of the discharge control unit 640, and the gate of the NMOS N52 is connected to the gate of the NMOS N43 of the discharge control unit 640. The source of the NMOS N51 is connected to the touch sensor. The drain of the NMOS N52 is connected to the ground terminal.

상기 제3 커런트미러(660)는 상기 충방전스위치(610)가 오프되면, 상기 제1 바이어스 전류를 상응하는 전류를 미러링한다. 상기 제3 커런트미러(660)는 NMOS(N61), NMOS(N62), NMOS(N63), NMOS(N64), NMOS(N65) 및 NMOS(N66)을 포함한다. 본 실시예에서, NMOS(N61)와 NMOS(N63)는 직렬연결되고, NMOS(N62)와 NMOS(N64)는 직렬연결되며, NMOS(N65)와 NMOS(N66)는 직렬 연결된다. NMOS(N61)의 소스 및 게이트는 공통 연결되어 제1 커런트미러(620)의 PMOS(P24)의 드레인, NMOS(N62)의 게이트 및 NMOS(N65)의 게이트에 연결된다. NMOS(N62)의 소스는 충전제어부(670)와 연결된다. NMOS(N65)의 소스는 충전제어부(670)에 연결된다. NMOS(N63)의 소스 및 게이트는 공통 연결되어 NMOS(N61)의 드레인, NMOS(N64)의 게이트 및 NMOS(N66)의 게이트에 연결된다. NMOS(N63)의 드레인은 접지단에 연결되고, NMOS(N64)의 드레인은 접지단에 연결되며, NMOS(N66)의 드레인은 접지단에 연결된다.When the charge / discharge switch 610 is turned off, the third current mirror 660 mirrors the current corresponding to the first bias current. The third current mirror 660 includes an NMOS N61, an NMOS N62, an NMOS N63, an NMOS N64, an NMOS N65, and an NMOS N66. In this embodiment, NMOS N61 and NMOS N63 are connected in series, NMOS N62 and NMOS N64 are connected in series, and NMOS N65 and NMOS N66 are connected in series. The source and gate of the NMOS N61 are commonly connected to be connected to the drain of the PMOS P24 of the first current mirror 620, the gate of the NMOS N62, and the gate of the NMOS N65. The source of the NMOS N62 is connected to the charge control unit 670. The source of the NMOS N65 is connected to the charge control unit 670. The source and gate of the NMOS N63 are commonly connected to be connected to the drain of the NMOS N61, the gate of the NMOS N64, and the gate of the NMOS N66. The drain of the NMOS N63 is connected to the ground terminal, the drain of the NMOS N64 is connected to the ground terminal, and the drain of the NMOS N66 is connected to the ground terminal.

상기 충전제어부(670)는 상기 제3 커런트미러(660)의 미러링에 의해 충전제어신호를 출력한다. 상기 충전제어부(670)는 PMOS(P71), PMOS(P72) 및 PMOS(P73)을 포함한다. 본 실시예에서, PMOS(P71)와 PMOS(P72)는 직렬 연결된다. PMOS(P71)의 소스는 전원전압단에 연결되어 전원전압을 수신하고, 게이트는 PMOS(P72)의 드레인과 공통 연결되어 충전부(680)에 연결된다. 또한, PMOS(P72)의 드레인은 제3 커런트미러(660)의 NMOS(N62)의 소스에 연결된다. PMOS(P73)의 소스는 전원전압단에 연결되어 전원전압을 수신하고, 게이트는 PMOS(P72)의 게이트와 공통 연결되어 충전부에 연결된다. PMOS(P73)의 드레인은 제3 커런트미러(660)의 NMOS(N65)의 소스에 연결된다.The charging control unit 670 outputs a charging control signal by mirroring the third current mirror 660. The charge controller 670 includes a PMOS P71, a PMOS P72, and a PMOS P73. In this embodiment, the PMOS P71 and the PMOS P72 are connected in series. The source of the PMOS P71 is connected to the power supply voltage terminal to receive the power supply voltage, and the gate is commonly connected to the drain of the PMOS P72 to be connected to the charging unit 680. In addition, the drain of the PMOS P72 is connected to the source of the NMOS N62 of the third current mirror 660. The source of the PMOS P73 is connected to the power supply voltage terminal to receive the power supply voltage, and the gate is commonly connected to the gate of the PMOS P72 to be connected to the charging unit. The drain of the PMOS P73 is connected to the source of the NMOS N65 of the third current mirror 660.

상기 충전부(380)는 상기 터치센서에 전기적으로 연결되고, 상기 충전제어신호에 응답하여 상기 터치센서에 전하를 충전한다. 상기 충전부(380)는 PMOS(P81), PMOS(P82), PMOS(P83) 및 PMOS(P84)를 포함한다. 본 실시예에서, PMOS(P81)와 PMOS(P82)는 직렬연결되고, PMOS(P83)와 PMOS(P84)는 연결된다. PMOS(P81)의 소스는 PMOS(P83)의 소스는 공통 연결되어 전원전압단에 연결되어 전원전압(VDD)을 공급받는다. PMOS(P81)의 게이트와 PMOS(P83)의 게이트는 공통 연결되어 충전제어부(670)의 PMOS(P71)의 게이트 및 PMOS(P72)의 드레인에 연결된다. PMOS(P82)의 게이트 및 PMOS(P84)의 소스는 공통 연결되어 충전제어부(670)의 PMOS(P72)의 게이트에 연결된다. PMOS(P82)의 드레인 및 PMOS(P84)의 드레인은 공통 연결되어 터치센서 및 방전부(650)의 NMOS(N51)의 소스에 연결된다.The charging unit 380 is electrically connected to the touch sensor, and charges the touch sensor in response to the charge control signal. The charging unit 380 includes a PMOS P81, a PMOS P82, a PMOS P83, and a PMOS P84. In this embodiment, PMOS P81 and PMOS P82 are connected in series, and PMOS P83 and PMOS P84 are connected. A source of the PMOS P81 is commonly connected to a source of the PMOS P83 and is connected to a power supply voltage terminal to receive a power supply voltage VDD. The gate of the PMOS P81 and the gate of the PMOS P83 are commonly connected to each other and are connected to the gate of the PMOS P71 of the charge control unit 670 and the drain of the PMOS P72. The gate of the PMOS P82 and the source of the PMOS P84 are connected in common and are connected to the gate of the PMOS P72 of the charge control unit 670. The drain of the PMOS P82 and the drain of the PMOS P84 are connected in common and are connected to the source of the NMOS N51 of the touch sensor and the discharge unit 650.

그러면, 이하에서, 도 5에 도시된 충방전회로부(450)의 동작을 간략히 설명한다.Next, the operation of the charge / discharge circuit unit 450 illustrated in FIG. 5 will be briefly described.

L 레벨의 충방전 제어신호(ctl)가 상기 충방전스위치(610)에 공급되면, NMOS로 구성되는 상기 충방전스위치(610)는 턴-오프된다. 상기 제1 커런트미러(620)에서 출력되는 제1 미러링 전류에 의해 상기 제2 커런트미러(630)는 활성화되어 상기 제2 커런트미러(630)는 제2 미러링 전류를 상기 방전제어부(640)에 공급한다. 상기 방전제어부(640)는 제2 미러링 전류를 근거로 상기 방전부(650)를 활성화시킨다. 활성화된 상기 방전부(650)는 터치센서에 충전된 전하를 접지단을 통해 방전시킨다. 이때, 상기 제1 커런트미러(620)에서 출력되는 제1 미러링 전류는 상기 제3 커런트미러(660)에도 공급되어 바이어스 전류 역할을 수행한다.When the charge / discharge control signal ctl of L level is supplied to the charge / discharge switch 610, the charge / discharge switch 610 configured of NMOS is turned off. The second current mirror 630 is activated by the first mirroring current output from the first current mirror 620 so that the second current mirror 630 supplies the second mirroring current to the discharge controller 640. do. The discharge control unit 640 activates the discharge unit 650 based on the second mirroring current. The activated discharge unit 650 discharges the charge charged in the touch sensor through the ground terminal. In this case, the first mirroring current output from the first current mirror 620 is also supplied to the third current mirror 660 to serve as a bias current.

H 레벨의 충방전 제어신호(ctl)가 상기 충방전스위치(610)에 공급되면, NMOS로 구성되는 상기 충방전스위치(610)는 턴-온된다. 상기 충방전스위치(610)가 턴온되면, 상기 제1 커런트미러(620)에서 출력되는 제1 미러링 전류는 상기 충방전스위치(610)에도 공급되므로 상기 제3 커런트미러(660)는 상대적으로 낮은 레벨의 전류를 미러링한다. 상기 제3 커런트미러(660)가 상대적으로 낮은 레벨의 전류를 미러링하므로, PMOS들로 구성된 상기 충전제어부(670)는 활성화되어 상기 충전부(680)를 활성화시킨다. 상기 충전부(680)가 활성화되면 전원전압에 상응하는 전하를 터치센서에 공급하여 터치센서를 충전시킨다. 이때, 상기 방전부(650)에 의해 방전되는 터치센서의 전압보다 상기 충전부(680)에 의해 충전되는 전압이 높다. 따라서, 상기 충전부(680)가 비활성화되면 터치센서에 충전된 전하는 상기 방전부(650)를 통해 방전되지만, 상기 충전부(680)가 활성화되면 전원전압(VDD)에 상응하는 전류가 터치센서에 공급되어 터치센서를 충전시킨다.When the charge / discharge control signal ctl of the H level is supplied to the charge / discharge switch 610, the charge / discharge switch 610 configured of NMOS is turned on. When the charge / discharge switch 610 is turned on, the first mirroring current output from the first current mirror 620 is also supplied to the charge / discharge switch 610 so that the third current mirror 660 is at a relatively low level. Mirror the current. Since the third current mirror 660 mirrors a relatively low level of current, the charge control unit 670 composed of PMOS is activated to activate the charging unit 680. When the charging unit 680 is activated, a charge corresponding to the power supply voltage is supplied to the touch sensor to charge the touch sensor. In this case, the voltage charged by the charging unit 680 is higher than the voltage of the touch sensor discharged by the discharge unit 650. Therefore, when the charging unit 680 is deactivated, electric charges charged in the touch sensor are discharged through the discharge unit 650. However, when the charging unit 680 is activated, a current corresponding to the power supply voltage VDD is supplied to the touch sensor. Charge the touch sensor.

도 6은 도 1에 도시된 정전용량식 터치패널을 통한 정전용량 감지 원리를 개략적으로 설명하기 위한 개념도이다.FIG. 6 is a conceptual diagram schematically illustrating a capacitive sensing principle through the capacitive touch panel illustrated in FIG. 1.

도 1 및 도 6을 참조하면, 정전용량식 터치패널(100)에는 복수의 터치센서들(120)이 배치된다. 상기 터치센서(120)는 단위 면적당 일정한 저항을 갖는 ITO(Indium Thin Oxide)나 CNT(Carbon Nano Tube) 등의 도전성 매질을 특정한 형태의 패턴으로 제작된다. 본 실시예에서, 상기 터치센서(120)는 단일층으로 구성된다.1 and 6, a plurality of touch sensors 120 are disposed in the capacitive touch panel 100. The touch sensor 120 is made of a conductive medium such as ITO (Indium Thin Oxide) or CNT (Carbon Nano Tube) having a certain resistance per unit area in a specific pattern. In this embodiment, the touch sensor 120 is composed of a single layer.

상기 터치센서(120)는 왼쪽으로부터 오른쪽으로 일정한 저항성분(r)을 갖게 되며, 해당 저항성분과 공기 중 또는 가상의 접지로 매우 작은 값이지만 기생 정전용량(c)을 갖고 있다.The touch sensor 120 has a constant resistance component (r) from the left to the right, and has a parasitic capacitance (c), although the value is very small due to the resistance component and air or virtual ground.

이 상태에서 f 위치에 인체에 의한 터치가 발생하였다는 가정하에 좌측에서 우측(즉, 제1 감지방향)으로 감지신호를 인가할 경우, 신호는 5*(r//c)+Cf의 지연 현상이 발생하며, 우측에서 좌측(즉, 제2 감지방향)으로 감지신호를 인가할 경우 신호는 3*(r//c)+Cf의 지연 현상이 발생된다.In this state, when a sensing signal is applied from the left to the right (i.e., the first sensing direction) on the assumption that touch by the human body occurs at the f position, the signal is delayed by 5 * (r // c) + Cf. When the detection signal is applied from the right side to the left side (ie, the second sensing direction), a delay of 3 * (r // c) + Cf occurs.

이러한 지연된 시간 차이를 이용하여 터치가 발생한 지점의 터치센서상의 물리적인 위치를 계산할 수 있다.The delayed time difference may be used to calculate a physical location on the touch sensor at the point where the touch occurs.

상기한 내용을 일반화하기 위하여 각각의 a, b, c, d, e, f, g, h, i의 지점에 인체에 의한 터치(Cf)가 발생하였을 경우에 대한 제1 감지방향과 제2 감지방향의 감지신호에 대한 지연 현상을 도식화하면 도 5와 같다.In order to generalize the above contents, the first and second sensing directions for the case where a touch Cf by the human body occurs at the points a, b, c, d, e, f, g, h and i 5 is a diagram illustrating a delay phenomenon for a detection signal of a direction.

도 7은 도 6에 도시된 제1 감지방향 및 제2 감지방향에 따른 감지 신호 지연 현상을 개략적으로 설명하기 위한 그래프이다.FIG. 7 is a graph for schematically explaining a detection signal delay phenomenon according to the first and second sensing directions shown in FIG. 6.

도 7을 참조하면, 제1 감지방향은 터치의 위치가 a에서 i로 진행함에 따라 감지신호의 지연 시간이 증가하는 현상이 발생한다. 제2 감지방향은 터치의 위치가 a에서 i로 진행함에 따라 감지신호의 지연 시간이 감소하는 현상을 나타낸다.Referring to FIG. 7, in the first sensing direction, a delay time of the sensing signal increases as the touch position progresses from a to i. The second sensing direction represents a phenomenon in which a delay time of the sensing signal decreases as the touch position progresses from a to i.

상기 제1 감지방향을 따라 측정한 지연 시간과 상기 제2 감지방향을 따라 측정한 지연 시간간의 차이는 각각의 터치센서상의 물리적 위치에 대응하는 구조를 갖는다.The difference between the delay time measured along the first sensing direction and the delay time measured along the second sensing direction has a structure corresponding to the physical position on each touch sensor.

도 7에서, 각각의 제1, 제2 감지방향에 의한 시간 지연 효과는 실제 현상에서는 도 5와 같이 일정 기울기를 갖는 직선형상은 아니지만 직선형상과 매우 유사한 형상을 갖고 있어 이를 직선으로 표현하였다.In FIG. 7, the time delay effect of each of the first and second sensing directions is not a linear shape having a predetermined slope as in FIG. 5, but has a shape very similar to that of the linear shape, and is represented by a straight line.

도 8은 도 1에 도시된 영역 A에 대응하는 패턴-넥을 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다.FIG. 8 is a plan view schematically illustrating the pattern-neck corresponding to the region A illustrated in FIG. 1.

도 8을 참조하면, 상기 터치센서들(120) 각각은 막대 형상을 갖는다. 원하는 저항값을 구현하기 위해 상기 터치센서(120)의 일측부에는 상기 터치센서(120)의 폭보다 좁은 폭을 갖는 패턴-넥(PN)이 형성된다.Referring to FIG. 8, each of the touch sensors 120 has a rod shape. In order to realize a desired resistance value, a pattern-neck PN having a width smaller than the width of the touch sensor 120 is formed at one side of the touch sensor 120.

상기 터치센서(120)의 단위 면적당 저항값을 a라고 하면, 상기 패턴-넥(PN)의 폭(W)과 길이(L)를 조정하여 보정값을 찾아낼 수 있다. 즉, 상기 패턴-넥(PN) 부분의 저항값을 r이라고 하면 r= a * W / L의 관계식이 성립된다. 예를들어, 상기 터치센서(120)의 재질이 ITO, 기본 저항값이 270 ohm/sq, W를 1mm, L을 0.5mm로 설정할 경우, 상기 패턴-넥(PN)에 설정된 저항값은 270 * 0.5 / 1 = 약 135 Ohm이다.When the resistance value per unit area of the touch sensor 120 is a, the correction value may be found by adjusting the width W and the length L of the pattern-neck PN. In other words, assuming that the resistance value of the pattern-neck PN is r, a relation of r = a * W / L is established. For example, when the material of the touch sensor 120 is ITO, the basic resistance value is 270 ohm / sq, W is 1mm, and L is 0.5mm, the resistance value set in the pattern-neck PN is 270 *. 0.5 / 1 = about 135 Ohm.

따라서, 터치스크린 장치의 화면으로 보여지는 액티브 영역의 외곽 영역에 대응하여 터치센서(120)에 패턴-넥을 형성하므로써, 상기 터치센서(120)상의 좌/우 또는 상/하에 연결되는 연결배선들간의 저항 차이를 보상하여 연결배선의 길이와 저항의 차이에 의한 편차를 줄일 수 있다.Therefore, by forming a pattern-neck on the touch sensor 120 corresponding to the outer region of the active area shown on the screen of the touch screen device, between the connection wires connected to the left / right or up / down on the touch sensor 120. By compensating for the difference in resistance, the deviation caused by the difference in length and resistance of the connection wiring can be reduced.

또한, 동일한 터치센서(120) 상에 터치위치를 감지할 때, 터치가 발생한 지점의 정확도를 높일 수 있다.In addition, when detecting the touch position on the same touch sensor 120, it is possible to increase the accuracy of the point where the touch occurs.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 정전용량식 터치패널을 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다. 특히, 정전용량 측정회로가 정전용량식 터치패널의 장변에 인접하게 배치된 경우가 도시된다.9 is a plan view schematically illustrating a capacitive touch panel according to another exemplary embodiment of the present invention. In particular, the case where the capacitance measuring circuit is arranged adjacent to the long side of the capacitive touch panel is shown.

도 9를 참조하면, 정전용량식 터치패널(200)은 베이스 기판(210), 복수의 터치센서들(220), 정전용량 측정회로(230), 복수의 제1 연결배선들(240) 및 복수의 제2 연결배선들(250)을 포함한다.Referring to FIG. 9, the capacitive touch panel 200 may include a base substrate 210, a plurality of touch sensors 220, a capacitance measuring circuit 230, a plurality of first connection wires 240, and a plurality of capacitive touch panels 200. Second connection wires 250.

상기 베이스 기판(210)은 메인 터치영역(MTA)과 주변영역(PA)을 갖는다. 본 실시예에서, 상기 베이스 기판(110)은 장변과 단변에 의해 정의되는 직사각 형상을 갖는다.The base substrate 210 has a main touch area MTA and a peripheral area PA. In the present embodiment, the base substrate 110 has a rectangular shape defined by long sides and short sides.

상기 터치센서들(220)은 상기 메인 터치영역(MTA)에 형성된다. 특히, 상기 터치센서들(220)은 상기 베이스 기판(210)의 장변과 평행하게 형성된다. 본 실시예에서, 상기 터치센서들(220) 각각은 지그재그형상을 갖고, 원하는 저항값을 구현하기 위해 상기 터치센서(220)의 길이 방향과 수직하게 형성된 돌출부의 각도나 요입부의 각도는 서로 다르게 형성된다. 즉, 동일한 터치센서에서, 상기 돌출부의 각도나 상기 요입부의 각도는 서로 동일하다. 하지만, 서로 인접하는 터치센서들에서, 상기 돌출부의 각도나 상기 요입부의 각도는 서로 다르다. 상기한 재그재그 형상의 터치센서들에 대한 설명은 후술되는 도 8a 및 도 8b에서 설명한다.The touch sensors 220 are formed in the main touch area MTA. In particular, the touch sensors 220 are formed parallel to the long side of the base substrate 210. In this embodiment, each of the touch sensors 220 has a zigzag shape, and in order to implement a desired resistance value, angles of protrusions or recesses formed to be perpendicular to the longitudinal direction of the touch sensor 220 are different from each other. do. That is, in the same touch sensor, the angle of the protrusion or the angle of the recess is the same. However, in touch sensors adjacent to each other, the angle of the protrusion or the angle of the recess is different from each other. A description of the zigzag touch sensors will be described with reference to FIGS. 8A and 8B.

상기 정전용량 측정회로(230)는 상기 베이스 기판(210)의 장변과 평행하게 상기 주변영역(PA)에 형성되고, 상기 제1 및 제2 연결배선들(240, 250) 각각을 통해 상기 터치센서들(220) 각각의 양단에 연결된다. 상기 정전용량 측정회로(230)는 상기 터치센서(220)의 정전용량 변화를 감지하여 터치위치를 측정한다. 상기 정전용량 측정회로(230)에 대한 설명은 도 2 및 도 3에서 설명되었으므로 그 상세한 설명은 생략한다.The capacitance measuring circuit 230 is formed in the peripheral area PA in parallel with the long side of the base substrate 210, and the touch sensor is formed through each of the first and second connection wires 240 and 250. Are connected at both ends of each of the fields 220. The capacitance measuring circuit 230 detects a change in capacitance of the touch sensor 220 and measures a touch position. Since the description of the capacitance measuring circuit 230 has been described with reference to FIGS. 2 and 3, a detailed description thereof will be omitted.

상기 제1 연결배선들(240) 각각은 상기 터치센서(220)의 일단 각각에 연결되고 상기 정전용량 측정회로(220)에 연결된다. 본 실시예에서, 상기 제1 연결배선들(240) 각각은 상기 정전용량 측정회로(230)에서 출력된 감지신호를 상기 터치센서(220)에 전달하는 역할을 수행할 수도 있고, 상기 터치센서(220)에서 감지된 감지신호를 상기 정전용량 측정회로(230)에 전달하는 역할을 수행할 수도 있다. 상기 제1 연결배선들(240) 각각은 실버 재질이나 금속 재질로 구성될 수 있다.Each of the first connection wires 240 is connected to one end of the touch sensor 220 and is connected to the capacitance measuring circuit 220. In the present exemplary embodiment, each of the first connection wires 240 may serve to transmit a sensing signal output from the capacitance measuring circuit 230 to the touch sensor 220 or the touch sensor ( The sensing signal sensed by 220 may be transferred to the capacitance measuring circuit 230. Each of the first connection wires 240 may be made of silver or metal.

상기 제2 연결배선들(250) 각각은 상기 터치센서(220)의 타단 각각에 연결되고 상기 정전용량 측정회로(230)에 연결된다. 본 실시예에서, 상기 제1 연결배선들(240) 각각은 상기 정전용량 측정회로(230)에서 출력된 감지신호를 상기 터치센서(220)에 전달하는 역할을 수행할 수도 있고, 상기 터치센서(220)에서 감지된 감지신호를 상기 정전용량 측정회로(230)에 전달하는 역할을 수행할 수도 있다. 예를들어, 상기 제1 연결배선(240)이 상기 정전용량 측정회로(230)에서 출력된 감지신호를 상기 터치센서(220)에 전달하는 역할을 수행하면, 상기 제2 연결배선(250)은 상기 터치센서(220)에서 감지된 감지신호를 상기 정전용량 측정회로(230)에 전달하는 역할을 수행한다. 한편, 상기 제1 연결배선(240)이 상기 터치센서(220)에서 감지된 감지신호를 상기 정전용량 측정회로(230)에 전달하는 역할을 수행하면, 상기 제2 연결배선(250)은 상기 정전용량 측정회로(230)에서 출력된 감지신호를 상기 터치센서(220)에 전달하는 역할을 수행한다. 상기 제2 연결배선들(250) 각각은 실버 재질이나 금속 재질로 구성될 수 있다.Each of the second connection wires 250 is connected to each other end of the touch sensor 220 and is connected to the capacitance measuring circuit 230. In the present exemplary embodiment, each of the first connection wires 240 may serve to transmit a sensing signal output from the capacitance measuring circuit 230 to the touch sensor 220 or the touch sensor ( The sensing signal sensed by 220 may be transferred to the capacitance measuring circuit 230. For example, when the first connection line 240 serves to transfer the detection signal output from the capacitance measurement circuit 230 to the touch sensor 220, the second connection line 250 is It serves to transfer the sensing signal sensed by the touch sensor 220 to the capacitance measuring circuit 230. On the other hand, when the first connection line 240 serves to transfer the detection signal sensed by the touch sensor 220 to the capacitance measurement circuit 230, the second connection line 250 is the electrostatic It serves to transfer the detection signal output from the capacitance measuring circuit 230 to the touch sensor 220. Each of the second connection wires 250 may be made of silver or metal.

도 10a는 일반적인 막대 형상을 갖는 터치센서의 저항값 계산을 개략적으로 설명하기 위한 평면도이고, 도 10b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 지그재그 형상을 갖는 터치센서의 저항값 계산을 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다.FIG. 10A is a plan view schematically illustrating a resistance value calculation of a touch sensor having a general bar shape, and FIG. 10B is a schematic view illustrating a resistance value calculation of a touch sensor having a zigzag shape according to another embodiment of the present invention. Top view.

도 10a를 참조하면, 막대 형상을 갖는 터치센서의 단위 면적당 저항값을 A라고 하면, 막대 형상을 갖는 터치센서의 전체 종단 저항값은 A * L0 / W0이다(여기서, LO는 막대 형상을 갖는 터치센서의 길이이고, W0은 막대 형상을 갖는 터치센서의 폭이다). 이때, 막대 형상을 갖는 터치센서의 저항값이 원하는 저항값보다 작을 경우, 간단하게 막대 형상을 갖는 터치센서의 폭(W0)을 줄이면 된다. 하지만, 막대 형상을 갖는 터치센서의 폭을 줄이면, 일정 면적에 배치하기 위한 터치센서의 숫자가 필요 이상으로 증가하게 되는 문제점이 있다.Referring to FIG. 10A, when the resistance value per unit area of the bar-shaped touch sensor is A, the total termination resistance value of the bar-shaped touch sensor is A * L0 / W0 (where LO is a bar-shaped touch). The length of the sensor, W0 is the width of the touch sensor with a rod shape). In this case, when the resistance value of the touch sensor having a bar shape is smaller than the desired resistance value, the width W0 of the touch sensor having a bar shape may be simply reduced. However, if the width of the touch sensor having a rod shape is reduced, there is a problem that the number of touch sensors to be disposed in a predetermined area increases more than necessary.

따라서, 도 10b와 같이, 터치센서의 측면부에 길이 방향으로 수직한 돌출부 또는 요입부를 형성하여 지그재그 형상을 갖는 터치센서를 형성한다. 따라서, 전체적인 길이(L1)는 도 8a에 도시된 막대 형상을 갖는 터치센서의 길이(L0)와 동일하고, 폭(W1)은 막대 형상을 갖는 터치센서의 폭(W0)과 동일하더라도 터치센서의 실제 저항 측정시 이용되는 유효 길이는 L2로 증가한다. 이때 L1 < L2의 관계식이 성립되며, L2에 의해 증가된 양만큼 터치센서의 종단 저항은 증가한다.Accordingly, as illustrated in FIG. 10B, a protrusion or recess is vertically formed in the side portion of the touch sensor to form a touch sensor having a zigzag shape. Accordingly, the overall length L1 is equal to the length L0 of the touch sensor having the bar shape shown in FIG. 8A, and the width W1 is the same as the width W0 of the touch sensor having the bar shape. The effective length used in the actual resistance measurement increases to L2. At this time, the relationship of L1 <L2 is established, and the termination resistance of the touch sensor is increased by the amount increased by L2.

또한, 증가하는 터치센서의 저항값을 제어하기 위하여, PI라는 각도로 패턴을 성형하고, 패턴의 성형 각도(PI)에 따라서 전체 저항값은 쉽게 제어된다. 예를들어, PI가 45도의 각도를 갖는다면, 삼각함수의 특성을 이용하여 유효 저항 길이 L2가 구해지며, L2 = L1 *(1 + √2), 즉 1.414배 증가한 저항값을 갖게 설계가 가능하다.In addition, in order to control the resistance value of the increasing touch sensor, the pattern is molded at an angle PI, and the overall resistance value is easily controlled according to the molding angle PI of the pattern. For example, if PI has an angle of 45 degrees, the effective resistance length L2 is obtained by using the trigonometric function, and L2 = L1 * (1 + √2), that is, it can be designed with a resistance value increased by 1.414 times. Do.

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 정전용량식 터치패널을 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다. 특히, 버튼 터치영역에 버튼 터치센서가 형성된 경우가 도시된다.11 is a plan view schematically illustrating a capacitive touch panel according to another embodiment of the present invention. In particular, the case where the button touch sensor is formed in the button touch area is shown.

도 11을 참조하면, 정전용량식 터치패널(300)은 베이스 기판(310), 복수의 터치센서들(320), 정전용량 측정회로(330), 복수의 제1 연결배선들(340), 복수의 제2 연결배선들(350), 제3 연결배선(360), 제4 연결배선(370) 및 복수의 버튼 터치센서들(380)을 포함한다.Referring to FIG. 11, the capacitive touch panel 300 includes a base substrate 310, a plurality of touch sensors 320, a capacitive measurement circuit 330, a plurality of first connection wires 340, and a plurality of touch panels. Second connection wires 350, a third connection wire 360, a fourth connection wire 370, and a plurality of button touch sensors 380.

상기 베이스 기판(310)은 메인 터치영역(MTA), 상기 메인 터치영역(MTA)에 인접하는 버튼 터치영역(BTA) 및 상기 메인 터치영역(MTA) 및 상기 버튼 터치영역(BTA)을 둘러싸는 주변영역(PA)을 갖는다. 본 실시예에서, 상기 베이스 기판(110)은 장변과 단변에 의해 정의되는 직사각 형상을 갖는다.The base substrate 310 has a main touch area MTA, a button touch area BTA adjacent to the main touch area MTA, and a periphery surrounding the main touch area MTA and the button touch area BTA. Has an area PA. In the present embodiment, the base substrate 110 has a rectangular shape defined by long sides and short sides.

상기 터치센서들(320)은 상기 메인 터치영역(MTA)에 형성된다. 특히, 상기 터치센서들(320)은 상기 베이스 기판(310)의 장변과 평행하게 형성된다. 본 실시예에서, 상기 터치센서들(320) 각각은 도 1에 도시된 바와 같이 막대 형상을 가질 수도 있고, 도 9에 도시된 바와 같이 지그재그 형상을 가질 수도 있다.The touch sensors 320 are formed in the main touch area MTA. In particular, the touch sensors 320 are formed parallel to the long side of the base substrate 310. In this embodiment, each of the touch sensors 320 may have a rod shape as shown in FIG. 1, or may have a zigzag shape as shown in FIG. 9.

상기 정전용량 측정회로(330)는 상기 베이스 기판(310)의 장변과 평행하게 상기 주변영역(PA)에 형성되고, 상기 제1 및 제2 연결배선들(340, 350) 각각을 통해 상기 터치센서들(320) 각각의 양단에 연결된다. 상기 정전용량 측정회로(330)는 상기 터치센서(320)의 정전용량 변화를 감지하여 터치위치를 측정한다. 상기 정전용량 측정회로(330)에 대한 설명은 도 2 및 도 3에서 설명되었으므로 그 상세한 설명은 생략한다.The capacitance measuring circuit 330 is formed in the peripheral area PA in parallel with the long side of the base substrate 310, and the touch sensor is formed through each of the first and second connection wires 340 and 350. Are connected at both ends of each of the holes 320. The capacitance measuring circuit 330 detects a change in capacitance of the touch sensor 320 and measures a touch position. Since the description of the capacitance measuring circuit 330 has been described with reference to FIGS. 2 and 3, a detailed description thereof will be omitted.

상기 제1 연결배선들(340) 각각은 상기 터치센서(320)의 일단 각각에 연결되고 상기 정전용량 측정회로(320)에 연결된다. 본 실시예에서, 상기 제1 연결배선들(340) 각각은 상기 정전용량 측정회로(330)에서 출력된 감지신호를 상기 터치센서(320)에 전달하는 역할을 수행할 수도 있고, 상기 터치센서(320)에서 감지된 감지신호를 상기 정전용량 측정회로(330)에 전달하는 역할을 수행할 수도 있다. 상기 제1 연결배선들(340) 각각은 실버 재질이나 금속 재질로 구성될 수 있다.Each of the first connection wires 340 is connected to one end of the touch sensor 320 and is connected to the capacitance measuring circuit 320. In the present exemplary embodiment, each of the first connection wires 340 may serve to transmit a detection signal output from the capacitance measuring circuit 330 to the touch sensor 320 or the touch sensor ( The sensing signal sensed at 320 may be transmitted to the capacitance measuring circuit 330. Each of the first connection wires 340 may be formed of a silver material or a metal material.

상기 제2 연결배선들(350) 각각은 상기 터치센서(320)의 타단 각각에 연결되고 상기 정전용량 측정회로(330)에 연결된다. 본 실시예에서, 상기 제1 연결배선들(340) 각각은 상기 정전용량 측정회로(330)에서 출력된 감지신호를 상기 터치센서(320)에 전달하는 역할을 수행할 수도 있고, 상기 터치센서(320)에서 감지된 감지신호를 상기 정전용량 측정회로(330)에 전달하는 역할을 수행할 수도 있다. 예를들어, 상기 제1 연결배선(340)이 상기 정전용량 측정회로(330)에서 출력된 감지신호를 상기 터치센서(320)에 전달하는 역할을 수행하면, 상기 제2 연결배선(350)은 상기 터치센서(320)에서 감지된 감지신호를 상기 정전용량 측정회로(330)에 전달하는 역할을 수행한다. 한편, 상기 제1 연결배선(340)이 상기 터치센서(320)에서 감지된 감지신호를 상기 정전용량 측정회로(330)에 전달하는 역할을 수행하면, 상기 제2 연결배선(350)은 상기 정전용량 측정회로(330)에서 출력된 감지신호를 상기 터치센서(320)에 전달하는 역할을 수행한다. 상기 제2 연결배선들(350) 각각은 실버 재질이나 금속 재질로 구성될 수 있다.Each of the second connection wires 350 is connected to each other end of the touch sensor 320 and is connected to the capacitance measuring circuit 330. In the present exemplary embodiment, each of the first connection wires 340 may serve to transmit a detection signal output from the capacitance measuring circuit 330 to the touch sensor 320 or the touch sensor ( The sensing signal sensed at 320 may be transmitted to the capacitance measuring circuit 330. For example, when the first connection line 340 transfers the detection signal output from the capacitance measurement circuit 330 to the touch sensor 320, the second connection line 350 is The sensing signal sensed by the touch sensor 320 serves to transfer the capacitance measurement circuit 330. Meanwhile, when the first connection line 340 transfers the detection signal detected by the touch sensor 320 to the capacitive measurement circuit 330, the second connection line 350 causes the power failure. It serves to transfer the detection signal output from the capacitance measuring circuit 330 to the touch sensor (320). Each of the second connection wires 350 may be made of silver or metal.

상기 제3 연결배선(360)은 상기 버튼 터치센서들(380)의 일단과 상기 정전용량 측정회로(320)에 연결된다. 상기 제3 연결배선(360)은 실버 재질이나 금속 재질로 구성될 수 있다. 상기 제4 연결배선(370)은 상기 버튼 터치센서들(380)의 타단과 상기 정전용량 측정회로(320)에 연결된다. 상기 제4 연결배선(370)은 실버 재질이나 금속 재질로 구성될 수 있다.The third connection wire 360 is connected to one end of the button touch sensors 380 and the capacitance measurement circuit 320. The third connection wire 360 may be made of silver or metal. The fourth connection line 370 is connected to the other ends of the button touch sensors 380 and the capacitance measurement circuit 320. The fourth connection wire 370 may be made of silver or metal.

상기 버튼 터치센서들(380)은 상기 버튼 터치영역(BTA)에 형성된다. 서로 인접하는 버튼 터치센서들(380)은 연결배선(382)에 의해 연결된다. 상기 연결배선(382)은 실버 재질이나 금속 재질로 구성될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 제3 연결배선(360)의 길이는 상기 제4 연결배선(370)의 길이보다 작다. 따라서, 상기 정전용량 측정회로(330)에 가까운 버튼 터치센서와 상기 정전용량 측정회로(330)를 연결하는 제1 감지경로를 통한 제1 저항값과 상기 정전용량 측정회로(330)에 먼 버튼 터치센서와 상기 정전용량 측정회로(330)를 연결하는 제2 감지경로를 통한 제2 저항값이 실질적으로 동일하도록, 상기 버튼 터치센서들의 측부에는 서로 다른 크기의 복수의 홈들이 교호로 형성될 수 있다. 상기 홈들의 깊이나 폭을 조정하므로써 원하는 저항값을 얻을 수 있다. 구체적으로, 버튼 터치센서들 각각이 서로 동일한 폭과 서로 동일한 길이를 갖는다고 가정할 때, 상기 정전용량 측정회로(380)에 먼 영역에 형성된 버튼 터치센서에는 제1 크기를 갖는 홈들이 형성되고, 상기 정전용량 측정회로(380)에 가까운 버튼 터치센서에는 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기를 갖는 홈들이 형성된다. 예를들어, 홈들의 폭이 동일하다고 가정할 때, 상기 정전용량 측정회로(380)에 먼 영역에 형성된 버튼 터치센서에는 제1 깊이를 갖는 홈들이 형성되고, 상기 정전용량 측정회로(380)에 가까운 버튼 터치센서에는 상기 제1 깊이보다 큰 제2 깊이를 갖는 홈들이 형성된다. 여기서, 상기 버튼 터치센서들 각각에 형성되는 홈들의 깊이는 상기 정전용량 측정회로(380)에 가까울수록 점차적으로 증가한다.The button touch sensors 380 are formed in the button touch area BTA. Button touch sensors 380 adjacent to each other are connected by a connection wire 382. The connection wiring 382 may be made of silver or metal. In this embodiment, the length of the third connection line 360 is smaller than the length of the fourth connection line 370. Therefore, the first resistance value through the first sensing path connecting the button touch sensor close to the capacitance measuring circuit 330 and the capacitance measuring circuit 330 and the button touch far from the capacitance measuring circuit 330. A plurality of grooves of different sizes may be alternately formed on the sides of the button touch sensors so that the second resistance value through the second sensing path connecting the sensor and the capacitance measuring circuit 330 is substantially the same. . The desired resistance value can be obtained by adjusting the depth or width of the grooves. Specifically, assuming that each of the button touch sensors has the same width and the same length, grooves having a first size are formed in the button touch sensor formed in a region far from the capacitance measuring circuit 380. Grooves having a second size larger than the first size are formed in the button touch sensor close to the capacitance measuring circuit 380. For example, assuming that the widths of the grooves are the same, grooves having a first depth are formed in the button touch sensor formed in a region far from the capacitance measuring circuit 380, and the grooves having the first depth are formed in the capacitance measuring circuit 380. Grooves having a second depth greater than the first depth are formed in the close button touch sensor. Here, the depth of the grooves formed in each of the button touch sensors increases gradually as the capacitance measuring circuit 380 approaches.

한편, 상기 정전용량 측정회로(330)에 가까운 버튼 터치센서와 상기 정전용량 측정회로(330)를 연결하는 제1 감지경로를 통한 제1 저항값과 상기 정전용량 측정회로(330)에 먼 버튼 터치센서와 상기 정전용량 측정회로(330)를 연결하는 제2 감지경로를 통한 제2 저항값이 실질적으로 동일하도록, 상기 정전용량 측정회로(330)에 가장 가까운 버튼 터치센서에 패턴-넥을 형성할 수 있다.Meanwhile, the first resistance value through the first sensing path connecting the button touch sensor close to the capacitance measuring circuit 330 and the capacitance measuring circuit 330 and the button touch far from the capacitance measuring circuit 330. A pattern-neck is formed on the button touch sensor closest to the capacitance measuring circuit 330 such that the second resistance value through the second sensing path connecting the sensor and the capacitance measuring circuit 330 is substantially the same. Can be.

이처럼, 터치센서에서 풀터치 스크린용 좌표를 찾는 응용과 달리 일부 영역에 버튼 터치가 필요한 경우, 터치센서와 연결배선을 순차적으로 연결하여 각각의 터치센서에 대한 버튼 ON/OFF를 감지하는 응용이 가능하다. 이러한 응용은 정전용량 기반의 휴대폰이나 타블렛 PC, 터치 패드 등의 터치 스크린 영역 외의 터치 버튼 영역을 구현하는데 효과적인 이용될 수 있다.As such, unlike the application of finding the coordinates for the full touch screen in the touch sensor, if a button touch is required in some areas, the application can detect the button ON / OFF for each touch sensor by connecting the touch sensor and the connection wiring sequentially. Do. Such applications can be effectively used to implement touch button areas other than touch screen areas such as capacitive-based mobile phones, tablet PCs, and touch pads.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 터치센서의 일측부에 기준신호를 인가하고, 터치시 터치센서에 형성된 저항과 커패시턴스에 의해 상기 터치센서를 종단하며 전압 변화된 기준신호를 터치센서의 타측부를 통해 수신하도록 구성된 정전용량 측정회로와 상기 터치센서간의 저항값 차이를 보정하므로써, 측정된 터치 시간의 왜곡을 줄여 전압변화를 정밀하게 측정할 수 있다.As described above, according to the present invention, the reference signal is applied to one side of the touch sensor, and the touch signal is terminated by the resistance and capacitance formed in the touch sensor when the touch is applied, and the other side of the touch sensor receives the voltage changed. By correcting the difference in the resistance value between the capacitance measuring circuit and the touch sensor configured to receive through, it is possible to accurately measure the voltage change by reducing the distortion of the measured touch time.

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 터치센서의 일측부에 기준신호를 인가하고, 터치시 터치센서에 형성된 저항과 커패시턴스에 의해 상기 터치센서를 종단하며 전압 변화된 기준신호를 터치센서의 타측부를 통해 수신하도록 구성된 정전용량 측정회로와 상기 터치센서간의 저항값 차이를 보정하므로써, 측정된 터치 시간의 왜곡을 줄여 전압변화를 정밀하게 측정할 수 있다.As described above, according to the present invention, the reference signal is applied to one side of the touch sensor, and the touch signal is terminated by the resistance and capacitance formed in the touch sensor when the touch is applied, and the other side of the touch sensor receives the voltage changed. By correcting the difference in the resistance value between the capacitance measuring circuit and the touch sensor configured to receive through, it is possible to accurately measure the voltage change by reducing the distortion of the measured touch time.

또한, 본 발명에 따른 정전용량식 터치패널은 터치 위치를 감지하는 감지 장치에 탑재되어 다양한 제품에 탑재되어 응용될 수 있다. 현재 터치스크린 방식의 제품은 폭넓은 분야에서 사용되고 있고, 공간상의 이점으로 빠르게 버튼 방식의 기기들을 대체하고 있다. 가장 폭발적인 수요는 역시 휴대폰 분야라고 할 수 있다. 특히 휴대폰에서는 그 편의성뿐만 아니라 단말의 크기가 민감한 분야라서 별도의 키를 마련하지 않거나 키를 최소화하는 터치 폰 방식이 요즘 크게 각광을 받고 있는 것이 주지의 사실이다. 따라서 본 발명에 따른 정전용량식 터치패턴이 탑재된 감지장치는 휴대폰에 채용할 수 있음을 물론이고, 터치스크린을 채용한 TV, 은행의 현금 입출납을 자동적으로 대행하는 ATM기, 엘리베이터, 지하철 등에서 사용되는 티켓 발급기, PMP, e-book 단말기, 네비게이션 등에 폭넓게 사용될 수 있다. 이 외에도 사용자 인터페이스가 필요한 모든 분야에서 터치 스크린은 빠르게 기존의 버튼식 인터페이스를 대체해가고 있음은 자명하다.In addition, the capacitive touch panel according to the present invention may be mounted on a sensing device that detects a touch position and may be mounted and applied to various products. Currently, touch-screen products are used in a wide range of fields, and are rapidly replacing button-type devices due to space advantages. The most explosive demand is also in the mobile phone sector. In particular, it is well known that a touch phone method that does not provide a separate key or minimizes a key because the size of the terminal is sensitive as well as the convenience of a mobile phone. Therefore, the sensing device equipped with the capacitive touch pattern according to the present invention can be employed not only in a mobile phone, but also in a TV adopting a touch screen, an ATM machine for automatically entering and receiving cash in a bank, an elevator, A ticket issuer, a PMP, an e-book terminal, navigation, and the like. In addition, it is obvious that touch screens are rapidly replacing the conventional button interface in all fields requiring a user interface.

100, 200, 300 : 정전용량식 터치패널 110, 210, 310 : 베이스 기판
120, 220, 320 : 터치센서들 140, 240, 340 : 제1 연결배선들
130, 230, 330 : 정전용량 측정회로 150, 250, 350 : 제2 연결배선들
360 : 제3 연결배선 370 : 제4 연결배선
380 : 버튼 터치센서들 410 : 기준전압발생부
420 : 전압비교부 430 : 제어부
440 : 타이머부 450 : 충방전회로부
460 : 복합스위치 COM1 : 제1 전압비교기
COM2 : 제2 전압비교기 PN : 패턴-넥
MTA : 메인 터치영역 PA : 주변영역
BTA : 버튼 터치영역100, 200, 300: capacitive touch panel 110, 210, 310: base substrate
120, 220, 320: touch sensors 140, 240, 340: first connection wirings
130, 230, 330: capacitance measuring circuit 150, 250, 350: second connection wirings
360: third connection wiring 370: fourth connection wiring
380: button touch sensors 410: reference voltage generator
420: voltage comparison unit 430: control unit
440: timer unit 450: charge and discharge circuit
460: composite switch COM1: first voltage comparator
COM2: Second Voltage Comparator PN: Pattern-Neck
MTA: Main Touch Area PA: Peripheral Area
BTA: Button Touch Area

Claims (12)

복수의 터치센서들; 및
상기 터치센서들 각각의 양단에 연결되어 상기 터치센서의 정전용량 변화를 감지하여 터치위치를 측정하는 정전용량 측정회로를 포함하되,
상기 터치센서들은 막대 형상을 갖고, 상기 터치센서의 일측부와 상기 정전용량 측정회로를 연결하는 제1 감지경로를 통한 제1 저항값과, 상기 터치센서의 타측부와 상기 정전용량 측정회로를 연결하는 제2 감지경로를 통한 제2 저항값은 동일하도록, 상기 터치센서의 일측부에는 상기 터치센서의 폭보다 좁은 폭을 갖는 패턴-넥(pattern neck)이 형성된 것을 특징으로 하는 정전용량식 터치패널.A plurality of touch sensors; And
A capacitance measurement circuit connected to both ends of each of the touch sensors to sense a change in capacitance of the touch sensor to measure a touch position;
The touch sensors have a rod shape, a first resistance value through a first sensing path connecting one side of the touch sensor and the capacitance measuring circuit, and the other side of the touch sensor and the capacitance measuring circuit. Capacitive touch panel characterized in that a pattern neck having a width smaller than the width of the touch sensor is formed on one side of the touch sensor so that the second resistance value through the second sensing path is the same. . 제1항에 있어서, 상기 터치센서들이 형성된 직사각 형상의 베이스 기판을 더 포함하고,
상기 터치센서들은 상기 베이스 기판의 장변과 평행하게 형성되고,
상기 정전용량 측정회로는 상기 베이스 기판의 단변의 일측부에 배치되고,
상기 패턴-넥은 상기 정전용량 측정회로에 가까운 상기 터치센서의 일측부에 형성된 것을 특징으로 하는 정전용량식 터치패널.The method of claim 1, further comprising a rectangular base substrate on which the touch sensors are formed.
The touch sensors are formed parallel to the long side of the base substrate,
The capacitance measuring circuit is disposed on one side of the short side of the base substrate,
The pattern neck is formed on one side of the touch sensor close to the capacitance measuring circuit capacitive touch panel. 제2항에 있어서, 상기 패턴-넥들 각각의 폭은 상기 정전용량 측정회로에 가까울수록 감소하는 것을 특징으로 하는 정전용량식 터치패널.The capacitive touch panel as claimed in claim 2, wherein the width of each of the pattern necks decreases closer to the capacitance measuring circuit. 제2항에 있어서, 상기 패턴-넥들 각각의 길이는 상기 정전용량 측정회로에 가까울수록 증가하는 것을 특징으로 하는 정전용량식 터치패널.The capacitive touch panel of claim 2, wherein a length of each of the pattern-necks increases as the capacitance-circuit measuring circuit approaches. 제1항에 있어서, 상기 터치센서들이 형성된 직사각 형상의 베이스 기판을 더 포함하고,
상기 터치센서들은 상기 베이스 기판의 장변과 평행하게 형성되고,
상기 정전용량 측정회로는 상기 베이스 기판의 장변의 일측부에 배치되고,
상기 패턴-넥은 상기 터치센서의 양측부에 형성된 것을 특징으로 하는 정전용량식 터치패널.The method of claim 1, further comprising a rectangular base substrate on which the touch sensors are formed.
The touch sensors are formed parallel to the long side of the base substrate,
The capacitance measuring circuit is disposed on one side of the long side of the base substrate,
The pattern neck is formed on both sides of the touch sensor capacitive touch panel. 제5항에 있어서, 상기 패턴-넥들 각각의 폭(W)은 상기 정전용량 측정회로에 가까울수록 증가하는 것을 특징으로 하는 정전용량식 터치패널.The capacitive touch panel as claimed in claim 5, wherein the width (W) of each of the pattern-necks increases as closer to the capacitance measuring circuit. 제5항에 있어서, 상기 패턴-넥들 각각의 길이(L)는 상기 정전용량 측정회로에 가까울수록 감소하는 것을 특징으로 하는 정전용량식 터치패널.6. The capacitive touch panel as claimed in claim 5, wherein the length (L) of each of the pattern-necks decreases closer to the capacitance measuring circuit. 복수의 터치센서들; 및
상기 터치센서들 각각의 양단에 연결되어 상기 터치센서의 정전용량 변화를 감지하여 터치위치를 측정하는 정전용량 측정회로를 포함하되,
상기 터치센서의 일측부와 상기 정전용량 측정회로를 연결하는 제1 감지경로를 통한 제1 저항값과, 상기 터치센서의 타측부와 상기 정전용량 측정회로를 연결하는 제2 감지경로를 통한 제2 저항값은 동일하도록, 상기 터치센서는 복수의 V자 형상을 갖는 단위패턴들이 수평방향으로 연속하여 연결된 지그재그 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 정전용량식 터치패널.A plurality of touch sensors; And
A capacitance measurement circuit connected to both ends of each of the touch sensors to sense a change in capacitance of the touch sensor to measure a touch position;
A first resistance value through a first sensing path connecting one side of the touch sensor and the capacitive measuring circuit, and a second sensing path connecting the other side of the touch sensor and the capacitance measuring circuit The touch sensor is a capacitive touch panel, characterized in that the touch sensor has a zigzag shape in which the unit patterns having a plurality of V-shape are continuously connected in the horizontal direction. 제8항에 있어서, 상기 터치센서들이 형성된 직사각 형상의 베이스 기판을 더 포함하고,
상기 터치센서들은 상기 베이스 기판의 장변과 평행하게 형성되고,
상기 정전용량 측정회로는 상기 베이스 기판의 장변의 일측부에 배치되고,
상기 터치센서의 유효폭은 동일하고,
상기 터치센서의 내각은 상기 정전용량 측정회로에 가까울수록 증가하는 것을 특징으로 하는 정전용량식 터치패널.The method of claim 8, further comprising a rectangular base substrate on which the touch sensors are formed.
The touch sensors are formed parallel to the long side of the base substrate,
The capacitance measuring circuit is disposed on one side of the long side of the base substrate,
The effective width of the touch sensor is the same,
The interior of the touch sensor is capacitive touch panel, characterized in that increases as closer to the capacitance measuring circuit. 제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 터치센서들이 형성된 메인 터치영역, 상기 메인 터치영역에 인접하는 버튼 터치영역, 및 상기 메인 터치영역 및 상기 버튼 터치영역을 둘러싸되, 상기 정전용량 측정회로가 실장되는 주변영역을 갖는 베이스 기판을 더 포함하고,
상기 버튼 터치영역에는 하나의 버튼에 대응하는 하나의 버튼 터치센서가 복수개 형성되고, 서로 인접하는 버튼 터치센서들은 연결배선에 의해 전기적으로 연결되며,
상기 정전용량 측정회로에 가까운 버튼 터치센서와 상기 정전용량 측정회로를 연결하는 제1 감지경로를 통한 제1 저항값과 상기 정전용량 측정회로에 먼 버튼 터치센서와 상기 정전용량 측정회로를 연결하는 제2 감지경로를 통한 제2 저항값이 동일하도록, 상기 버튼 터치센서들 각각의 측부에는 서로 다른 크기의 홈들이 형성된 것을 특징으로 하는 정전용량식 터치패널.The method of claim 1 or 8, wherein the capacitive measuring circuit includes a main touch area in which the touch sensors are formed, a button touch area adjacent to the main touch area, and the main touch area and the button touch area. Further comprising a base substrate having a peripheral region to be mounted,
A plurality of one button touch sensors corresponding to one button are formed in the button touch area, and the button touch sensors adjacent to each other are electrically connected by a connection wiring.
A first resistance value through a first sensing path connecting the button touch sensor close to the capacitance measuring circuit and the capacitance measuring circuit, and a button connecting the remote button touch sensor and the capacitance measuring circuit to the capacitance measuring circuit. 2. The capacitive touch panel of claim 2, wherein grooves having different sizes are formed at sides of each of the button touch sensors so that the second resistance values through the sensing paths are the same. 제10항에 있어서, 상기 홈들은 상기 버튼 터치센서의 측부에 교호로 형성된 것을 특징으로 하는 정전용량식 터치패널.The capacitive touch panel as set forth in claim 10, wherein the grooves are alternately formed on the side of the button touch sensor. 제10항에 있어서, 상기 버튼 터치센서들 각각이 서로 동일한 폭과 서로 동일한 길이를 가질 때,
상기 정전용량 측정회로에 먼 영역에 형성된 버튼 터치센서에는 제1 크기를 갖는 홈들이 형성되고, 상기 정전용량 측정회로에 가까운 버튼 터치센서에는 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기를 갖는 홈들이 형성되며,
상기 홈들의 크기는 상기 정전용량 측정회로에 가까울수록 점차적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 정전용량식 터치패널.The method of claim 10, wherein each of the button touch sensors has the same width and the same length as each other.
Grooves having a first size are formed in the button touch sensor formed in an area far from the capacitance measuring circuit, and grooves having a second size larger than the first size are formed in the button touch sensor close to the capacitance measuring circuit. ,
The size of the grooves is capacitive touch panel, characterized in that gradually increases closer to the capacitance measuring circuit.

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