KR20130075302A - Silicon manganese slag ball and method for the same - Google Patents
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- 239000002893 slag Substances 0.000 title claims abstract description 206
- PYLLWONICXJARP-UHFFFAOYSA-N manganese silicon Chemical compound [Si].[Mn] PYLLWONICXJARP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 197
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000004567 concrete Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 claims description 3
- 239000002986 polymer concrete Substances 0.000 claims description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 17
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 10
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 28
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 15
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 13
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 12
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 9
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 8
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 6
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 229910000616 Ferromanganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 4
- 239000003570 air Substances 0.000 description 4
- DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N iron manganese Chemical compound [Mn].[Fe] DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 241001279686 Allium moly Species 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001021 Ferroalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000863 Ferronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000295146 Gallionellaceae Species 0.000 description 1
- 229910000805 Pig iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007380 fibre production Methods 0.000 description 1
- 239000003673 groundwater Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002440 industrial waste Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B5/00—Treatment of metallurgical slag ; Artificial stone from molten metallurgical slag
- C04B5/06—Ingredients, other than water, added to the molten slag or to the granulating medium or before remelting; Treatment with gases or gas generating compounds, e.g. to obtain porous slag
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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Abstract
Description
본 발명은 실리콘망간 슬래그 볼 및 그 제조방법에 관한 것으로, 중량퍼센트로 SiO2 30 내지 42wt%, CaO 12wt 내지 24wt%, MnO 14 내지 20wt%, Al2O3 12 내지 24wt%, MgO 3 내지 9wt%를 함유하고, 구형(spherical)으로 구형도가 0.9 내지 1.0, 입경이 0.15 내지 3mm, 비커스 경도가 750 내지 770HV인 것을 특징으로 하는 실리콘망간 슬래그 볼 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a silicon manganese slag ball and a method for manufacturing the same, by weight percent SiO 2 30 to 42wt%, CaO 12wt to 24wt%, MnO 14 to 20wt%, Al 2 O 3 12 to 24wt%, MgO 3 to 9wt The present invention relates to a silicon manganese slag ball containing a%, and having a spherical shape of 0.9 to 1.0, a particle diameter of 0.15 to 3 mm, and a Vickers hardness of 750 to 770 HV.
합금철이란, 탄소 이외의 원소를 다량으로 함유하는 선철의 일종으로 대표적인 합금철로는 페로니켈, 페로망간, 페로실리콘, 실리콘망간 등이 있다.
Ferroalloy is a kind of pig iron containing a large amount of elements other than carbon, and representative iron alloys include ferronickel, ferromanganese, ferrosilicon and silicon manganese.
통상적으로, 실리콘망간은 고탄소 페로망간 제조용 전기로와 동일형태의 전기로에서 제조되며, 고탄소 페로망간에서 발생된 슬래그와 망간광석, 규석, 코크스 등을 원료로 사용한다. 페로망간 슬래그는 망간과 실리콘을 다량 함유하고 있을 뿐만 아니라, 용융에 요구되는 에너지도 적어 실리콘망간의 제조원료로서 많이 사용된다.
Typically, silicon manganese is manufactured in the same type of electric furnace as the furnace for manufacturing high carbon ferro manganese, and uses slag generated from high carbon ferro manganese, manganese ore, silica, coke, and the like as raw materials. Ferro-manganese slag not only contains a large amount of manganese and silicon, but is also used as a raw material for producing silicon manganese due to its low energy required for melting.
상기 전기로에서 실리콘망간을 제조하고 남은 실리콘망간 슬래그는 일반적으로 용융상태에서 야드로 배출하여 고압살수를 통해 냉각시키고, 고화된 슬래그는 파쇄과정을 거치게 된다.
After the silicon manganese is manufactured in the electric furnace, the remaining silicon manganese slag is generally discharged to the yard in the molten state, cooled by high pressure water, and the solidified slag is subjected to the crushing process.
이러한 실리콘망간 슬래그는 이를 활용하지 않고 그대로 폐기시키는 경우, 비산먼지, 침출수와 같은 환경문제의 발생은 물론, 대규모의 처리장을 확보해야 하는 것에 따른 경제적인 문제 등이 생긴다. 특히, 지하수 중에 망간이 0.02 mg/L 이상 존재할 경우, 철박테리아에 의한 이취미 발생과 더불어 수산화물, 산화망간 등이 급수관, 배수관에 피복되어 세탁물에 갈색침전물을 피복시키는 등의 문제를 일으키게 된다. 또한, 상기 실리콘망간 슬래그는 그 재활용 용도에 관한 연구가 제대로 이루어지지 않아 대부분 매립으로 처리하고 있는 실정이다.
When the silicon manganese slag is disposed of without using it, environmental problems such as scattering dust and leachate are generated, as well as economic problems due to securing a large-scale treatment plant. In particular, when manganese is present in the ground water more than 0.02 mg / L, the odor caused by the iron bacteria and the hydroxide, manganese oxide, etc. are coated on the water supply pipe, the drain pipe causes a problem such as coating the brown precipitate on the laundry. In addition, the silicon manganese slag is a situation that most of it is treated as landfill because the research on the recycling use is not properly made.
따라서, 실리콘망간 슬래그를 기존 방식으로 처리함에 따라 발생하는 비산먼지, 침출수와 같은 환경문제의 발생을 해결하고, 그 재활용 범위를 확대할 수 있는 실리콘망간 슬래그의 처리방법이 끊임없이 요구되고 있다.
Therefore, there is a continuous demand for a method of treating silicon manganese slag that can solve the environmental problems such as scattering dust and leachate generated by treating the silicon manganese slag in a conventional manner and extend the recycling range thereof.
본 발명은 실리콘망간 슬래그를 기존 방식으로 처리함으로써 발생하는 환경 오염 문제를 해결하고, 그 재활용 범위를 확대하기 위한 실리콘망간 슬래그 볼의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. 본 발명의 다른 목적은, 상기 실리콘망간 슬래그 볼의 제조방법에 따라 제조된 실리콘망간 슬래그 볼을 제공하는 데 있다.
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing silicon manganese slag balls to solve the environmental pollution problem caused by the conventional treatment of silicon manganese slag and to expand the recycling range. Another object of the present invention is to provide a silicon manganese slag ball prepared according to the method for producing the silicon manganese slag ball.
본 발명은 상기 과제 해결을 위하여 다음과 같은 실리콘망간슬래그 볼 및 그 제조방법이 제공된다.The present invention provides the following silicon manganese slag ball and its manufacturing method for solving the above problems.
본 발명의 제1태양에 따르면, 실리콘망간을 생산하는 과정에서 발생하는 용융 실리콘망간 슬래그를 턴디시를 통해 낙하시키는 단계; 상기 낙하하는 용융 실리콘망간 슬래그에 노즐로부터 고압의 에어를 분사하여 상기 용융 실리콘망간 슬래그를 미세 액적으로 분리하는 단계; 및 상기 미세액적을 상기 분사되는 고압의 에어와 주위 분위기에 의해 급냉시키는 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘망간 슬래그 볼의 제조방법을 제공한다.According to a first aspect of the invention, the step of dropping the molten silicon manganese slag generated in the process of producing silicon manganese through a tundish; Spraying high pressure air from a nozzle onto the falling molten silicon manganese slag to separate the molten silicon manganese slag into fine droplets; And quenching the microdroplets by the injected high pressure air and the surrounding atmosphere. It provides a method for producing silicon manganese slag ball comprising a.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 낙하되는 실리콘망간 슬래그는 1300 내지 1900℃를 유지한 상태로 낙하되는 것을 특징으로 한다.According to a preferred embodiment of the present invention, the falling silicon manganese slag is characterized in that the drop in the state maintained at 1300 to 1900 ℃.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 노즐이 50 내지 100℃의 에어를 분사하는 것을 특징으로 한다.According to a preferred embodiment of the present invention, the nozzle is characterized in that the injection of 50 to 100 ℃ air.
본 발명의 다른 태양에 따르면, 상기 제1태양에 따른 실리콘망간 슬래그 볼이 제공되는 바, 상기 실리콘망간 슬래그 볼은 중량퍼센트로 SiO2 30 내지 42wt%, CaO 12 내지 24wt%, MnO 14 내지 20wt%, Al2O3 12 내지 24wt%, MgO 3 내지 9wt%를 함유하고 구형인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a silicon manganese slag ball according to the first aspect, the silicon manganese slag ball in terms of weight percent SiO 2 30 to 42wt%, CaO 12 to 24wt%, MnO 14 to 20wt% , Al 2 O 3 12 to 24wt%, MgO 3 to 9wt% and characterized in that the sphere.
또한, 상기 실리콘망간 슬래그 볼은 구형도가 0.9 내지 1.0, 입경이 0.15 내지 5mm, 경도가 750 내지 770HV인 것을 특징으로 한다.In addition, the silicon manganese slag ball is characterized in that the sphericity of 0.9 to 1.0, the particle diameter of 0.15 to 5mm, the hardness of 750 to 770HV.
가급적 상기 실리콘망간 슬래그 볼은 건자재, 콘크리트 골재, 아스팔트 포장용 골재, 폴리머콘크리트용 골재, 수처리여재, 복토재 또는 미끄럼방지재로 사용하는 것이 바람직하다.
Preferably, the silicon manganese slag ball is preferably used as a dry material, concrete aggregate, asphalt pavement aggregate, polymer concrete aggregate, water treatment media, cover material or anti-slip material.
본 발명의 실리콘망간 슬래그 볼은 실리콘망간 슬래그에 함유된 산화망간 성분을 안정적으로 고정함으로써 산화망간에 의해 유발될 수 있는 환경오염을 방지함은 물론, 폐기물을 활용하여 건자재, 콘크리트 골재 등 산업적인 타용도로의 활용가치가 크다는 잇점을 가진다.
Silicon manganese slag ball of the present invention by stably fixing the manganese oxide components contained in the silicon manganese slag to prevent environmental pollution that can be caused by manganese oxide, as well as industrial wastes, such as building materials, concrete aggregate using waste The advantage of using roads is great.
도 1은 본 발명에 따른 용융 실리콘망간 슬래그를 아토마이징시켰을 때 제조되는 실리콘망간 슬래그 볼1 is a silicon manganese slag ball produced when atomizing molten silicon manganese slag according to the present invention
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.
본 발명에 의한 실리콘망간 슬래그 볼을 제조하는 방법은 후술하는 처리장비에 의해 1) 실리콘 망간을 생산하는 과정에서 발생하는 용융 실리콘망간 슬래그를 턴디시를 통해 낙하시키는 단계, 2) 상기 낙하하는 용융 실리콘망간 슬래그에 노즐로부터 고압의 에어를 분사하여 상기 용융 실리콘망간 슬래그를 미세액적으로 분리하는 단계, 3) 상기 미세액적을 상기 분사되는 고압의 에어와 주위 분위기에 의해 급냉시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.Method for producing a silicon manganese slag ball according to the present invention comprises the steps of 1) dropping the molten silicon manganese slag generated in the process of producing silicon manganese through a tundish by the processing equipment described below, 2) the molten silicon falling Injecting high pressure air into the manganese slag from the nozzle to separate the molten silicon manganese slag into microdroplets; and 3) quenching the microdroplets by the injected high pressure air and the surrounding atmosphere. do.
상기 1)단계에서 용융 실리콘망간 슬래그의 조건과 2)단계에서 에어분사 조건에 따라 구형의 실리콘망간 슬래그와 섬유상의 실리콘망간 슬래그의 제조 비율이 달라지게 된다.According to the conditions of the molten silicon manganese slag in step 1) and the air spraying condition in step 2), the production ratio of the spherical silicon manganese slag and the fibrous silicon manganese slag is changed.
또한, 본 발명에 의한 실리콘망간 슬래그 처리장치는 턴디시 및 분사장치를 포함하는 구성으로 이루어진다.In addition, the silicon manganese slag treatment apparatus according to the present invention comprises a configuration comprising a tundish and injection device.
상기 턴디시는 전기로에서 용융된 실리콘망간 슬래그가 일정량 출탕되면서 공급될 경우, 용융된 실리콘망간 슬래그를 일정 방향으로 가이드하여 흘려보내면서 낙하시키기 위한 것이다.The tundish is to fall while guiding the molten silicon manganese slag flowing in a predetermined direction when the molten silicon manganese slag is supplied while tapping in a predetermined amount.
이를 위하여, 상기 턴디시는 전기로에서 공급되는 용융상태의 실리콘망간 슬래그가 체류 및 배출되도록 일정각도 경사지게 형성된다.To this end, the tundish is formed to be inclined at a predetermined angle so that the molten silicon manganese slag supplied from the electric furnace stays and is discharged.
상기 분사장치는 상기 턴디시에서 낙하되는 용융상태의 실리콘망간 슬래그를 비산시킨다. 즉, 상기 분사장치는 상기 턴디시의 하측에 위치하여 턴디시로부터 낙하되는 용융상태의 실리콘망간을 분사물을 분사하여 냉각 및 고체화시킨다.The injector scatters molten silicon manganese slag falling from the tundish. That is, the injector is located below the tundish to cool and solidify by spraying the injection to the molten silicon manganese falling from the tundish.
상기한 바와 같은 구조에 의하여 상기 분사장치는 턴디시에서 낙하되는 용융상태의 실리콘망간 슬래그에 분사물을 분사함으로써 비산되는 실리콘망간 슬래그를 실리콘망간 슬래그 볼 형태로 만든다.By the structure as described above, the injector makes the silicon manganese slag scattered by spraying the injection to the molten silicon manganese slag falling in the tundish to form a silicon manganese slag ball.
여기서, 상기 분사장치는 용융상태로 낙하하는 실리콘망간 슬래그에 에어를 분사하여 상기 실리콘망간 슬래그를 비산시키는 에어 분사장치로 이루어진다. 즉, 상기 턴디시에서 낙하하는 용융상태의 실리콘망간 슬래그에 분사물을 분사하여 상기 실리콘망간 슬래그를 비산시키기 위한 분사장치가 에어를 분사하는 에어 분사장치로 이루어져 용융상태의 실리콘망간 슬래그를 비산시키도록 이루어진다.Here, the injector is composed of an air injector for injecting air to the silicon manganese slag falling in the molten state to scatter the silicon manganese slag. That is, the injection device for spraying the silicon manganese slag in the molten state falling from the tundish to scatter the silicon manganese slag comprises an air injector for injecting air to scatter the molten silicon manganese slag Is done.
상기한 바와 같은 구조에 의하여 상기 턴디시에서 낙하하는 용융상태의 실리콘망간 슬래그가 분사되는 고압의 에어에 의해 비산되어 실리콘망간 슬래그 볼 형태로 낙하된다. 또한, 상기 에어 분사장치에서 분사되는 에어에 의하여 상기 턴디시에서 낙하하는 용융상태의 실리콘망간 슬래그가 일정 거리를 비행한 후 요구하는 위치에 적재된다.By the structure as described above, the molten silicon manganese slag falling from the tundish is scattered by the high-pressure air to be sprayed to fall into the silicon manganese slag ball form. In addition, the molten silicon manganese slag falling from the tundish by the air injected from the air injector is loaded in a required position after flying a predetermined distance.
이때, 상기 에어 분사장치에서 분사되는 에어의 압력, 유량 및 온도 등의 분사환경은 상기 턴디시에서 낙하하는 용융상태의 실리콘망간 슬래그의 양에 따라 다양하게 가변가능하며, 상기 에어 분사장치의 위치 및 각도 등의 분사조건, 또한 상기 실리콘망간 슬래그의 양 또는 실리콘망간 슬래그 볼 등의 제조형태에 따라 다양하게 가변가능하다.At this time, the injection environment, such as pressure, flow rate and temperature of the air injected from the air injector can be variously changed according to the amount of the molten silicon manganese slag falling in the tundish, the position of the air injector Depending on the injection conditions, such as angle, and also the amount of the silicon manganese slag or the manufacturing form of the silicon manganese slag ball or the like can be variously changed.
본 발명의 일 실시예에서는 상기 분사장치가 에어를 분사하는 에어 분사장치로 이루어져 있으나, 상기 분사장치가 가스를 분사하는 가스 분사장치로 이루어지는 것도 가능하다. 즉, 상기 분사장치가 턴디시로부터 낙하하는 용융상태의 실리콘망간 슬래그를 냉각 및 고체화시키도록 실리콘망간 슬래그에 가스를 분사하여 비산시키는 가스 분사장치로 이루어지는 것도 가능하다.In one embodiment of the present invention, the injector is made of an air injector for injecting air, but the injector may be made of a gas injector for injecting gas. That is, the injector may be made of a gas injector for injecting and scattering gas into the silicon manganese slag to cool and solidify the molten silicon manganese slag falling from the tundish.
이때, 상기 가스 분사장치에서 분사되는 가스가 용융상태의 실리콘망간 슬래그를 비산 및 냉각시키기 용이하도록 질소 등으로 이루어지는 것이 바람직하나, 이에 한정하지 아니한다.At this time, the gas injected from the gas injector is preferably made of nitrogen or the like so as to easily scatter and cool the molten silicon manganese slag, but is not limited thereto.
본 실시예에서도, 상기 가스 분사장치에서 분사되는 가스의 압력, 유량 및 온도 등의 분사환경과 가스 분사장치의 위치 및 각도 등의 분사조건은 상기 턴디시에서 낙하하는 용융상태의 실리콘망간 슬래그의 양에 따라 다양하게 가변가능하다.Also in the present embodiment, the injection conditions such as the pressure, flow rate and temperature of the gas injected from the gas injector, and the injection conditions such as the position and angle of the gas injector are the amount of silicon manganese slag in the molten state falling in the tundish. It is variously variable according to.
한편, 상기 분사장치가 실리콘망간 슬래그에 냉각수를 분사하여 상기 실리콘망간 슬래그를 비산시키는 냉각수 분사장치로 이루어지는 것도 가능하다. 즉, 상기 분사장치가 턴디시에서 용융상태로 낙하하는 실리콘망간 슬래그에 냉각수를 분사하여 실리콘망간 슬래그를 비산시켜 냉각 및 고체화시키는 냉각수 분사장치로 이루어지는 것도 가능하다.On the other hand, the injection device may be made of a cooling water injector for spraying the cooling water to the silicon manganese slag to scatter the silicon manganese slag. That is, the injector may be configured as a coolant injector for spraying coolant onto silicon manganese slag falling in the molten state from the tundish to scatter silicon manganese slag to cool and solidify it.
이때에도, 상기 냉각수 분사장치에서 분사되는 냉각수의 압력, 유량 및 온도 등의 분사환경과 냉각수 분사장치의 위치 및 각도 등의 분사조건은 상기 턴디시에서 낙하하는 용융상태의 실리콘망간 슬래그의 양에 따라 다양하게 가변가능하다.In this case, the injection conditions such as the pressure, flow rate and temperature of the coolant injected from the coolant injector and the position and angle of the coolant injector depend on the amount of molten silicon manganese slag falling in the tundish. It is variously variable.
한편, 상기 분사장치에서 분사되는 에어, 가스 또는 냉각수 등 분사물의 양과 속도를 조절하여 비산되는 실리콘망간 슬래그의 비산 궤적 및 냉각 속도를 조절할 수 있는 라미나 플로우 챔버가 연결설치된다.On the other hand, the lamina flow chamber that can control the scattering trajectory and cooling rate of the silicon manganese slag scattered by adjusting the amount and speed of the spray, such as air, gas or cooling water injected from the injector is connected.
즉, 상기 분사장치에서 분사되어 실리콘망간 슬래그를 비산시키는 에어, 가스 또는 냉각수 등 분사물의 양과 속도 등을 조절하여 상기 실리콘망간 슬래그의 비산 궤적 및 냉각 속도를 조절하기 위한 라미나 플로우 챔버가 분사장치에 연결설치된다.That is, a lamina flow chamber for controlling the scattering trajectory and cooling rate of the silicon manganese slag by adjusting the amount and speed of the injection, such as air, gas or cooling water sprayed from the injector to scatter silicon manganese slag Is connected to the installation.
여기서, 상기 라미나 플로우 챔버는 일측과 타측에 입구와 출구를 갖되, 상기 입구와 출구에서 중심부를 향하여 직경이 증가하는 형상으로 형성되고, 그 내부에 분사물이 통과하기 위하여 구획된 통로가 적어도 하나 이상 형성된다.Here, the lamina flow chamber has an inlet and an outlet on one side and the other side, and is formed in a shape of increasing in diameter from the inlet and the outlet toward the center, and at least one passage partitioned therein for the injection therethrough. It is formed over.
그리고, 상기 각 통로의 중심에 에어, 가스 또는 냉각수 등 분사물의 양과 속도를 조절하기 위하여 개/폐가능하게 이루어지는 밸브 형태의 댐퍼가 구비된다.In addition, a valve-type damper is provided at the center of each passage so as to be open / closeable in order to adjust the amount and speed of the injection, such as air, gas or cooling water.
상기한 바와 같이, 상기 밸브 형태의 댐퍼가 상기 라미나 플로우 챔버의 각 통로 중심에 설치되어 그 중심축을 중심으로 회전 및 가변되어 각 통로를 개/폐하도록 이루어짐으로써 상기 분사장치로 공급됨과 동시에 실리콘망간 슬래그에 분사되는 분사물의 양과 속도 및 분포 등을 다양하게 조절하여 상기 실리콘망간 슬래그의 비산 궤적 및 냉각 속도를 조절하게 된다.As described above, the valve-type damper is installed at the center of each passage of the lamina flow chamber and rotated and varied about its central axis to open / close each passage, thereby being supplied to the injector and simultaneously with silicon manganese. By varying the amount, speed and distribution of the injection sprayed on the slag, it is possible to control the scattering trajectory and cooling rate of the silicon manganese slag.
한편, 상기 분사장치를 통하여 비산되는 실리콘망간 슬래그의 비산 방향, 낙하 거리 및 비산 궤적을 조절하기 위하여 상기 턴디시의 전면에 플로우 가이드가 구비된다. 즉, 상기 분사장치를 통하여 실리콘망간 슬래그의 비산 시 상방향 및 좌, 우방향으로 비산되는 고온의 실리콘망간 슬래그의 비산 방향, 낙하 거리 및 비산 궤적을 조절하기 위한 플로우 가이드가 턴디시의 전면에 구비된다.On the other hand, the flow guide is provided on the front of the tundish to adjust the scattering direction, the fall distance and the scattering trajectory of the silicon manganese slag scattered through the injector. That is, a flow guide is provided on the front of the tundish to adjust the scattering direction, the fall distance, and the scattering trajectory of the hot silicon manganese slag that is scattered upward and left and right when the silicon manganese slag is scattered through the injector. do.
이를 위하여 상기 플로우 가이드는 그 외부에 냉각수가 공급되기 위한 냉각수 자켓이 형성되고, 상기 냉각수 자켓을 통해 공급된 냉각수를 분사하기 위한 냉각수 분사노즐이 그 내부에 형성된다.To this end, the flow guide has a coolant jacket for supplying coolant to the outside thereof, and a coolant spray nozzle for spraying coolant supplied through the coolant jacket is formed therein.
상기한 바와 같은 구조에 의하여 상기 냉각수 자켓으로부터 공급되는 냉각수가 냉각수 분사노즐로 분사됨으로써 비산되는 상기 실리콘망간 슬래그의 비산 방향, 낙하 거리 및 비산 궤적을 조절 시 플로우 가이드 표면에 실리콘망간 슬래그의 접촉으로 플로우 가이드의 면 마모 및 슬래그 축적 현상(Accumulation)에 의한 분사장치의 분사 흐름 방해를 방지할 수 있다.According to the structure as described above, the flow of the silicon manganese slag in contact with the flow guide surface when adjusting the scattering direction, the drop distance and the scattering trajectory of the silicon manganese slag scattered by the coolant supplied from the coolant spray nozzle is sprayed by the coolant spray nozzle It is possible to prevent the injection flow of the injector due to the surface wear of the guide and the accumulation of slag.
본 발명의 일 실시예에서는 상기 플로우 가이드의 냉각수 자켓에 냉각수가 공급되고, 공급된 냉각수가 냉각수 분사노즐을 통하여 분사됨으로써 플로우 가이드에 발생되는 면 마모 및 슬래그 축적 현상을 방지하도록 이루어져 있으나, 상기 플로우 가이드에 냉각된 에어 또는 가스를 공급한 후 이를 분사하여 플로우 가이드에 발생되는 면 마모 및 슬래그 축적 현상을 방지하도록 이루어지는 것도 가능하다.In an embodiment of the present invention, the coolant is supplied to the coolant jacket of the flow guide, and the supplied coolant is sprayed through the coolant spray nozzle to prevent surface wear and slag accumulation occurring in the flow guide. After supplying the cooled air or gas to the spray it may be made to prevent the surface wear and slag accumulation phenomenon generated in the flow guide.
그리고, 상기 분사장치를 통하여 비산된 후 낙하한 실리콘망간 슬래그가 분사장치의 전면측에 구비되어 상기 실리콘망간 슬래그를 이송하기 위한 이송용 컨베이어로 흘러가도록 상기 분사장치와 이송용 컨베이어 사이에 슬로프 슈트가 구비된다.Then, a slope chute is provided between the injector and the conveying conveyor so that the silicon manganese slag dropped after being scattered through the injector is provided on the front side of the injector and flows to the conveying conveyor for conveying the silicon manganese slag. It is provided.
이때, 상기 슬로프 슈트는 상기 분사장치를 통하여 비산된 후 낙하한 실리콘망간 슬래그를 이송용 컨베이어로 흘러가도록 일정각도 경사지게 형성된다.At this time, the slope chute is formed to be inclined at a predetermined angle so that the silicon manganese slag dropped after being scattered through the injector flows to the transport conveyor.
한편, 상기 분사장치를 통하여 비산된 후 낙하한 상기 실리콘망간 슬래그 중 슬로프 슈트로 도달하지 못하고, 상기 슬로프 슈트 전단에 낙하되어 쌓이는 실리콘망간 슬래그를 슬로프 슈트로 이송하기 위하여 상기 슬로프 슈트의 전단에 링크 컨베이어가 구비된다.On the other hand, the link conveyor at the front end of the slope chute in order to transfer the silicon manganese slag dropped to the slope chute to fall into the slope chute not reach the slope chute of the silicon manganese slag that has been dropped through the injector and dropped to the slope chute. Is provided.
즉, 상기 분사장치를 통하여 비산된 후 낙하하되, 상기 슬로프 슈트에 도달하지 못하고, 그 전단 측에 낙하한 실리콘망간 슬래그를 슬로프 슈트로 이송시킴으로써 이송용 컨베이어로 흘러들어가게 하기 위하여 상기 슬로프 슈트 전단에 링크 컨베이어가 구비된다.That is, it is dropped through the injector and then falls, but fails to reach the slope chute, and transfers the silicon manganese slag dropped to the slope chute to the slope chute so as to flow into the conveying conveyor to link to the front of the chute chute. A conveyor is provided.
이를 위하여 상기 링크 컨베이어는 낙하된 실리콘망간 슬래그의 고온을 견디기 위하여 내열성이 강한 체인 컨베이어의 일종으로서, 상기 실리콘망간 슬래그를 슬로프 슈트로 강제 이송시켜 자동 처리가능하게 이루어진다.To this end, the link conveyor is a kind of chain conveyor having a high heat resistance in order to withstand the high temperature of the dropped silicon manganese slag, and is made to be automatically processed by forcibly transferring the silicon manganese slag to the slope chute.
상기한 바와 같은 구조에 의하여 상기 분사장치를 통하여 비산된 후 낙하하되, 슬로프 슈트 전단 측에 낙하한 실리콘망간 슬래그는 링크 컨베이어가 상기 슬로프 슈트로 이송시키고, 상기 슬로프 슈트는 링크 컨베이어를 통하여 이송된 실리콘망간 슬래그와 기존에 낙하된 실리콘망간 슬래그가 이송용 컨베이어로 흘러들어가게 된다.The silicon manganese slag dropped through the injector and then dropped by the structure as described above is dropped on the slope chute front side, and the link conveyor transfers the slope chute to the slope chute, and the slope chute transfers the silicon through the link conveyor. Manganese slag and the previously dropped silicon manganese slag flow into the transport conveyor.
한편, 상기 분사장치를 통하여 비산한 후 낙하된 상기 실리콘망간 슬래그에 에어 또는/및 물을 분사하여 강제냉각시키는 인렛 쿨링 슈트가 구비된다. 즉, 상기 분사장치를 통하여 비산된 후 낙하하되, 고온으로 이루어지는 실리콘망간 슬래그 볼 등의 실리콘망간 슬래그를 냉각 및 고체화시키기 위하여 에어 또는/및 물을 분사함으로써 실리콘망간 슬래그를 강제냉각시키는 인렛 쿨링 슈트가 구비된다.On the other hand, there is provided an inlet cooling chute for forced cooling by injecting air or / and water to the silicon manganese slag dropped after flying through the injector. That is, the inlet cooling chute is forced to cool the silicon manganese slag by spraying air or / and water in order to cool and solidify the silicon manganese slag, such as silicon manganese slag ball made of high temperature, after falling through the injector It is provided.
이를 위하여 상기 인렛 쿨링 슈트는 공기 분사부와 냉각수 분사부를 포함하여 이루어진다.To this end, the inlet cooling chute comprises an air jet and a coolant jet.
상기한 바와 같이, 상기 인렛 쿨링 슈트를 통하여 분사장치에서 비산된 후 낙하하는 실리콘망간 슬래그 볼에 에어 또는/및 물을 분사함으로써 실리콘망간 슬래그를 완전히 냉각시킬 수 있으며, 버킷 엘리베이터 등 후단에 설치되는 이송 설비 등의 수명 및 구동 효율이 향상된다.As described above, the silicon manganese slag can be completely cooled by injecting air or / and water into the silicon manganese slag ball falling after being scattered from the injector through the inlet cooling chute and being installed at a rear end such as a bucket elevator. The service life and the driving efficiency of the facility are improved.
즉, 상기 분사장치를 통하여 비산된 후 슬로프 슈트에 낙하된 고온의 실리콘망간 슬래그가 후단에 설치되는 버킷 엘리베이터로 이송되기 전에, 상기 인렛 쿨링 슈트를 통과하면서 인렛 쿨링 슈트 내의 공기 분사부 및/또는 냉각수 분사부에서 에어 및/또는 냉각수에 의해 급속도로 냉각되어 버킷 엘리베이터로 이송됨으로써 버킷 엘리베이터 및 후속 벨트 컨베이어 등의 이송 장비를 보호하고, 수명을 연장시킨다.In other words, before the hot silicon manganese slag that has been scattered through the injector and dropped onto the slope chute is transferred to the bucket elevator installed at the rear end, the air inlet and / or cooling water in the inlet cooling chute passes through the inlet cooling chute. It is rapidly cooled by air and / or cooling water in the spray section and transported to the bucket elevator to protect conveying equipment such as bucket elevators and subsequent belt conveyors and extend their life.
한편, 실리콘망간 슬래그 처리장치에는 폐열 회수장치가 구비되어 상기 실리콘망간 슬래그에서 발생되는 고온의 열을 회수한 후 이를 재사용한다. 즉, 상기 분사장치에서 분사물을 분사하여 턴디시로부터 낙하하는 용융상태의 실리콘망간 슬래그의 비산시킬 경우, 실리콘망간 슬래그가 비산하는 방향의 상측에 폐열 회수장치가 설치되어 실리콘망간 슬래그에서 발생되는 고온의 열을 회수한 후 이를 재사용한다.On the other hand, the silicon manganese slag treatment apparatus is provided with a waste heat recovery device to recover the high temperature heat generated from the silicon manganese slag and reuse it. That is, when spraying the injection in the injector to scatter the silicon manganese slag of the molten state falling from the tundish, the waste heat recovery device is installed on the upper side in the direction in which the silicon manganese slag is scattered, the high temperature generated in the silicon manganese slag Recover the heat from and reuse it.
이를 위하여 상기 폐열 회수장치는 폐회로로 구비되어 실리콘망간 슬래그에서 발생되는 고온의 공기에서의 열 회수율을 높이기 위하여 실리콘망간 슬래그에서 발생되는 온도를 특정 온도까지 상승하도록 폐회로 내에 계속적으로 가두어 순환시키고, 특정 온도 이상으로 상승할 경우, 고온의 공기를 폐열 회수장치로 공급하며, 이러한 과정을 반복순환함으로써 상기 실리콘망간 슬래그에서 발생되는 폐열을 재활용 및 재사용한다.To this end, the waste heat recovery apparatus is provided as a closed circuit to continuously confine and circulate in the closed circuit to increase the temperature generated in the silicon manganese slag to a certain temperature in order to increase the heat recovery rate in the hot air generated from the silicon manganese slag, When the temperature rises above, hot air is supplied to the waste heat recovery apparatus, and the waste heat generated from the silicon manganese slag is recycled and reused by repeating this process.
상기 폐열 회수장치는 실리콘망간 슬래그의 비산 방향 상측에 설치되어 상기 실리콘망간 슬래그에서 발생되는 폐열을 회수하도록 이루어져 있으나, 상기 실리콘망간 슬래그에서 발생되는 폐열을 회수하기 용이하다면 상기 폐열 회수장치가 턴디시에 근접되게 설치되거나, 전기로의 상측에 설치되는 것도 가능하다.The waste heat recovery apparatus is installed above the silicon manganese slag in the scattering direction to recover the waste heat generated from the silicon manganese slag, but if it is easy to recover the waste heat generated from the silicon manganese slag, the waste heat recovery apparatus is tundish It may be installed in close proximity or on the upper side of the electric furnace.
상기한 바와 같이, 상기 폐열 회수장치로 회수된 고온의 폐열은 케이크, 조개탄 등의 건조에 활용되거나, 폐열 회수 보일러에 사용되어 전기를 생산하는 등 다양한 용도로 사용 가능함과 동시에 스팀 생산이나 난방 등에 활용될 수 있다.As described above, the high-temperature waste heat recovered by the waste heat recovery apparatus may be used for drying cakes, briquettes, or the like, or used in waste heat recovery boilers to produce electricity, and at the same time, for steam production or heating. Can be.
한편, 상기 전기로에서 턴디시로 공급되는 용융상태의 실리콘망간 슬래그의 공급량, 토출량 및 전체 공정의 이상 유무를 판단하기 위한 모니터링 장치가 구비된다.On the other hand, there is provided a monitoring device for determining the supply amount, discharge amount and abnormality of the overall process of the molten silicon manganese slag supplied to the tundish in the electric furnace.
이를 위하여, 상기 모니터링 장치는 상기 턴디시를 감시하기 위하여 턴디시의 일측에 구비되는 카메라와 상기 카메라에 연결되어 실리콘망간 슬래그의 공급량, 토출량 및 전체 공정을 모니터링 및 디스플레이하기 위한 컴퓨터 및 상기 컴퓨터에 연결되어 이상 발생 시 경고등을 점등하거나, 경고음을 발생시키는 경고장치를 포함하는 구성으로 이루어진다.To this end, the monitoring device is connected to the camera and a computer provided on one side of the tundish to monitor the tundish and the camera to monitor and display the supply amount, discharge amount and overall process of the silicon manganese slag When the abnormality occurs, the warning light is turned on, or a configuration including a warning device for generating a warning sound.
상기한 바와 같은 구조에 의하여, 상기 전기로에서 턴디시로 출탕되는 공급량 및 토출량을 카메라에서 실시간으로 촬영하고, 촬영된 공급량 및 토출량이 컴퓨터로 전송되며, 전송된 데이터를 연산처리한 다음, 실리콘망간 슬래그의 공급량, 토출량을 조절한다.According to the structure as described above, the supply amount and discharge amount tapping out of the electric furnace in a tundish is taken in real time by the camera, the photographed supply amount and discharge amount are transferred to the computer, the processed data is processed and then the silicon manganese slag Adjust the supply amount and discharge amount.
또한, 상기 전기로에서 턴디시로 실리콘망간 슬래그의 공급 시 이상이 발생할 경우, 컴퓨터가 경고등을 점등하거나, 경고음을 발생시켜 현장 작업자에게 이를 전달한다.In addition, when an abnormality occurs in the supply of silicon manganese slag to the tundish in the electric furnace, the computer lights a warning light or generates a warning sound and delivers it to the field worker.
이렇게 상기 모니터링 시스템을 통하여 측정 및 연산된 각종 데이터는 중앙관리시스템으로 전송되고, 이를 통해 자동으로 전체 공정을 제어하게 된다.The various data measured and calculated through the monitoring system is transmitted to the central management system, thereby automatically controlling the entire process.
이상 발생 시 상기 경고장치는 경고등을 점등하거나, 경고음을 발생시킴으로써 현장 작업자에게 이상 상황을 전달하도록 이루어져 있으며, 이상 발생 시 작업자의 휴대폰, 스마트폰, PDA 등의 무선장치에 이상 유무 메시지를 전송하여 현장 작업자에게 이상 상황을 전달하도록 이루어지는 것도 가능하다.When an error occurs, the warning device is configured to deliver an abnormal situation to a site worker by lighting a warning light or generating a warning sound.In case of an error, the warning device transmits an error message to a wireless device such as a mobile phone, a smartphone, a PDA, etc. of the worker. It is also possible to be made to communicate the abnormal situation to the worker.
그리고, 상기 턴디시의 고장 시 비상 조업이 가능하도록 턴디시를 대체하기 위한 비상조업용 턴디시와 상기 비상조업용 턴디시의 일측에 연결되는 출탕론더(Launder)가 구비되어 비상 발생 시 비상조업이 가능하도록 이루어진다. 즉, 본 발명에 의한 실리콘망간 슬래그 처리장치의 고장 등 비상상황 발생 시 비상조업용 턴디시를 통해 출탕론더 방향으로 전환시켜 비상 조업이 가능하도록 이루어진다.In addition, an emergency operation tundish for replacing the tundish and a tapping loader (Launder) connected to one side of the emergency operation tundish are provided so that emergency operation is possible in case of failure of the tundish. This is done to make it possible. That is, when an emergency situation occurs, such as a failure of the silicon manganese slag treatment apparatus according to the present invention is made to switch to the tapping loader direction through the emergency operation tundish to enable emergency operation.
이때, 상기 턴디시에서 비상조업용 턴디시로의 전환은 유압 또는 동력 모터에 의해 동작되며, 상기 출탕론더의 위치에 따라 비상조업용 턴디시는 수평회전하여 이동되며, 이로 인해 비상상황 발생 시 연속적인 조업이 가능해진다.
At this time, the switch from the tundish to the emergency operation tundish is operated by a hydraulic or power motor, and the emergency operation tundish is moved in a horizontal rotation according to the position of the tapping loader, and when an emergency occurs Continuous operation is possible.
이하, 본 발명에 의한 실리콘망간 슬래그 처리장치의 동작과정을 설명한다.Hereinafter, an operation process of the silicon manganese slag processing apparatus according to the present invention will be described.
먼저, 전기로에서 실리콘망간 슬래그를 일정량 출탕하고, 출탕된 용융상태의 상기 실리콘망간 슬래그가 턴디시로 공급된다.First, a predetermined amount of silicon manganese slag is tapped in an electric furnace, and the silicon manganese slag in the melted molten state is supplied to the tundish.
이때, 상기 전기로에서 턴디시로 공급되는 실리콘망간 슬래그는 대략 1300 내지 1900℃ 정도이며, 상기 턴디시는 일정각도 경사지게 위치한다.At this time, the silicon manganese slag supplied to the tundish in the electric furnace is about 1300 to 1900 ℃ degree, the tundish is positioned at an angle inclined.
한편, 상기 전기로에서 턴디시로 출탕되는 용융상태의 실리콘망간 슬래그 공급량 및 토출량을 모니터링 장치의 카메라에서 실시간으로 촬영하고, 촬영된 공급량 및 토출량에 따른 데이터를 연산처리한 후 실리콘망간 슬래그의 공급량 및 토출량을 조절한다.On the other hand, the silicon manganese slag supply amount and discharge amount of the molten state tapping in the electric furnace in real time with a camera of the monitoring device in real time, and after the data processing according to the photographed supply amount and discharge amount, the supply amount and discharge amount of the silicon manganese slag Adjust.
상기한 바와 같이, 상기 전기로에서 턴디시로 출탕되되, 고온의 용융상태로 이루어지는 실리콘망간 슬래그는 턴디시의 하측에 위하되어 분사물을 분사하는 분사장치에 의하여 상기 턴디시의 전면 측으로 비산된다.As described above, the silicon manganese slag which is tapping into the tundish in the electric furnace, which is in a molten state at a high temperature, is scattered to the front side of the tundish by an injector for spraying the injection for the lower side of the tundish.
여기서, 상기 턴디시의 전면 측으로 비산되는 실리콘망간 슬래그는 일정한 궤적으로 비산됨과 동시에 실리콘망간 슬래그 볼 형태로 비산된다.Here, the silicon manganese slag scattered to the front side of the tundish is scattered in a certain trajectory and at the same time as the silicon manganese slag ball.
이때, 상기 분사장치가 에어 분사장치 또는 가스 분사장치 또는 냉각수 분사장치로 이루어져 용융상태의 상기 실리콘망간 슬래그에 에어 또는 가스 또는 냉각수를 분사하도록 이루어진다.At this time, the injector is composed of an air injector or gas injector or a coolant injector to inject air or gas or coolant to the silicon manganese slag in a molten state.
한편, 상기 분사장치에서 실리콘망간 슬래그에 분사물의 분사 시 라미나 플로우 챔버가 분사장치에서 분사되는 분사물의 양과 속도를 조절함으로써 비산하는 실리콘망간 슬래그의 비산 궤적 및 냉각 속도 등이 조절된다. 즉, 상기 전기로에서 턴디시로 출탕되는 용융상태의 실리콘망간 슬래그의 공급량 및 토출량에 따라 라미나 플로우 챔버의 댐퍼를 개/폐 조절함으로써 분사장치에서 분사되는 분사물의 양과 속도가 조절된다.On the other hand, when the injection of the injection to the silicon manganese slag in the injector, the scattering trajectory and cooling rate of the silicon manganese slag scattered by adjusting the amount and speed of the injection injected from the injector. That is, by controlling the opening and closing of the damper of the lamina flow chamber according to the supply amount and discharge amount of the molten silicon manganese slag tapping into the tundish in the electric furnace, the amount and speed of the injection injected from the injector is controlled.
이를 위하여 상기 라미나 플로우 챔버는 모니터링 장치에 연결되고, 상기 모니터링 장치에서 연산처리된 실리콘망간 슬래그의 실시간 공급량 및 토출량에 따라 분사장치의 분사물의 양과 속도를 조절함으로써 실리콘망간 슬래그의 비산 궤적 및 냉각 속도를 조절하도록 이루어지는 것이 바람직하다.To this end, the lamina flow chamber is connected to a monitoring device, and the scattering trajectory and cooling of the silicon manganese slag is controlled by adjusting the amount and velocity of the injection of the injector according to the real-time supply and discharge amount of the silicon manganese slag computed by the monitoring device. It is preferably made to adjust the speed.
그리고, 상기 분사장치에서 분사되는 분사물에 의하여 비산되는 용융상태의 실리콘망간 슬래그는 실리콘망간 슬래그 볼 형태가 변형되면서 슬로프 슈트로 낙하된다.Then, the silicon manganese slag in the molten state scattered by the spray injected from the injector is dropped into the slope chute while the silicon manganese slag ball shape is deformed.
여기서, 상기 실리콘망간 슬래그 볼은 상기 턴디시의 전면에 설치되는 플로우 가이드에 의해 가이드됨으로써 실리콘망간 슬래그가 상, 하, 좌, 우 및 불규칙적으로 비산되지 않고, 일정한 비산 방향 및 비산 궤적을 형성하면서 슬로프 슈트로 낙하된다.Here, the silicon manganese slag ball is guided by a flow guide installed on the front of the tundish, so that the silicon manganese slag does not fly up, down, left, right and irregularly, and forms a constant scattering direction and scattering trajectory. Fall into the suit.
한편, 상기 분사장치에서 분사되는 분사물에 의해 비산되는 용융상태의 실리콘망간 슬래그에서 발생되는 고온의 열은 폐열 회수장치를 통하여 회수된 후 재활용된다.On the other hand, the high temperature heat generated from the molten silicon manganese slag scattered by the spray injected from the injector is recovered through the waste heat recovery apparatus is recycled.
이렇게 비산된 후 슬로프 슈트로 낙하한 실리콘망간 슬래그 볼은 상기 슬로프 슈트의 경사면을 따라 인렛 쿨링 슈트로 이송되며, 슬로프 슈트에 도달하지 못한 실리콘망간 슬래그 볼는 링크 컨베이어를 통하여 다시 슬로프 슈트로 자동 이송된다.The silicon manganese slag balls scattered and dropped into the slope chute are transferred to the inlet cooling chute along the slope of the slope chute, and the silicon manganese slag balls that do not reach the slope chute are automatically transferred back to the slope chute through the link conveyor.
그리고, 실리콘망간 슬래그 볼은 상기 슬로프 슈트의 경사면을 따라 인렛 쿨링 슈트로 이송되어 냉각된다. 이때, 상기 인렛 쿨링 슈트는 자동화된 밸브 및 온도 센서에 의한 공기 분사부와 냉각수 분사부를 통하여 상기 실리콘망간 슬래그 볼에 에어 또는/및 냉각수를 분사하여 실리콘망간 슬래그 볼을 냉각시키고, 후단의 버킷 엘리베이터를 통해 실리콘망간 슬래그 볼을 이송한다.Then, the silicon manganese slag ball is transferred to the inlet cooling chute along the inclined surface of the slope chute and cooled. At this time, the inlet cooling chute cools the silicon manganese slag ball by spraying air or / and cooling water to the silicon manganese slag ball through the air spray unit and the coolant spray unit by the automated valve and the temperature sensor, and the bucket elevator of the rear stage is Feed the silicon manganese slag ball through.
그 다음, 상기 전기로에서 턴디시로 공급되는 실리콘망간 슬래그의 공급량, 토출량 및 전체 공정을 모니터링 장치가 실시간으로 감시하고, 이상 발생 시 경고등을 점등하거나, 경고음을 발생하여 작업자에게 이상 상황을 알림으로써 작업 현장의 안전사고 등을 예방할 수 있다.Then, the monitoring device monitors the supply amount, the discharge amount and the entire process of silicon manganese slag supplied to the tundish in the electric furnace in real time, and when an abnormality occurs, the warning light is turned on or a warning sound is generated to notify the operator of the abnormal situation. Safety accidents on site can be prevented.
또한, 본 발명에 의한 실리콘망간 슬래그 처리장치의 고장 및 비상 발생 시 비상조업용 턴디시를 통하여 출탕론더로 방향을 전환하여 비상 조업이 가능할 뿐만 아니라, 연속적인 조업이 가능하다.
In addition, in case of failure and emergency of the silicon manganese slag treatment apparatus according to the present invention, not only the emergency operation is possible by switching the direction to the tapping loader through the emergency operation tundish, but also continuous operation is possible.
이하, 용융실리콘망간 슬래그의 조건과 에어 분사 조건에 대하여 상세히 설명한다.
Hereinafter, the conditions of molten silicon manganese slag and air injection conditions are explained in full detail.
[용융 실리콘망간 슬래그의 조건][Conditions of molten silicon manganese slag]
실리콘망간 슬래그의 경우 SiO2 성분이 다량 함유되어 용융슬래그의 점도가 상대적으로 높은 편이다. 그러므로 낙하하는 용융 실리콘망간 슬래그에 고압의 에어를 분사하여 용융 실리콘 망간 슬래그를 미세 액적으로 분리하는 단계에서 용융 실리콘망간 슬래그의 온도에 따라 섬유상의 실리콘 망간 슬래그가 발생하게 된다. 즉, 용융 실리콘망간 슬래그의 온도가 낮아짐에 따라 점도가 증가하여 섬유상의 실리콘 망간 슬래그가 발생하게 된다. 일반적으로 낙하시의 용융 실리콘망간 슬래그의 온도는 1300 내지 1900℃로 하는 것이 실리콘망간 슬래그 볼을 제조하는데 바람직하다. 이때, 온도가 1300℃ 미만이면 점도가 지나치게 높아져 턴디시에서 막힘 현상이 발생하고, 1900℃ 초과하면 산화에 의해 실리콘망간 슬래그 볼의 물성이 떨어진다.
In the case of silicon manganese slag, the molten slag has a relatively high viscosity because a large amount of SiO 2 is contained. Therefore, fibrous silicon manganese slag is generated in accordance with the temperature of the molten silicon manganese slag in the step of separating the molten silicon manganese slag into fine droplets by spraying a high pressure air to the falling molten silicon manganese slag. That is, as the temperature of the molten silicon manganese slag is lowered, the viscosity increases, so that the fibrous silicon manganese slag is generated. Generally, the temperature of molten silicon manganese slag at the time of falling is 1300-1900 degreeC, and it is preferable to manufacture a silicon manganese slag ball. At this time, if the temperature is less than 1300 ℃ excessively high viscosity clogging phenomenon occurs in the tundish, if it exceeds 1900 ℃, the physical properties of the silicon manganese slag ball by oxidation is inferior.
[에어 분사 조건][Air injection condition]
용융 실리콘망간 슬래그는 슬래그 포트로부터 턴디시를 경유하여 낙하된다. 상기한 용융 실리콘망간 슬래그가 출탕되어 수직으로 낙하시 노즐과의 거리는 본 발명에서 규정하지 않았으나, 그 거리가 멀수록 에어의 에너지가 슬래그에 전달되는 효율이 낮기 때문에 노즐 선단과 낙하하는 슬래그가 닿지 않는 범위에서 최대한 가깝게 분사노즐을 설치하는 것이 바람직하며, 에어 분사 높이도 최대한 상부쪽으로 유도하여 슬래그의 상태가 가급적 에어 분사 전에 용융상태로 남아있도록 하는 것이 바람직하다.Molten silicon manganese slag falls from the slag port via tundish. Although the distance from the nozzle when the molten silicon manganese slag is dropped out and falls vertically is not defined in the present invention, the farther the distance is, the lower the efficiency of transferring energy of air to the slag, so that the tip of the nozzle and the slag falling down do not touch. It is preferable to install the spray nozzles as close as possible in the range, and it is preferable that the air injection height is also directed to the upper side as much as possible so that the state of the slag remains in the molten state before the air injection as possible.
에어를 분사하는 노즐의 경우 통상적으로 단공의 스트레이트 노즐을 사용하여 구형의 입자를 얻는 것이 바람직하나, 처리량을 증대시키고자 할 경우, 라발 형태의 제트 노즐을 사용함으로써 에어의 냉각효과를 높이거나, 다공형의 노즐을 사용할 수도 있다.In the case of nozzles for injecting air, it is generally desirable to obtain spherical particles by using a single-hole straight nozzle. However, in order to increase throughput, the cooling effect of air is enhanced by using a Laval jet nozzle. It is also possible to use a nozzle.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 노즐이 50 내지 100℃의 에어를 분사하는 것을 특징으로 한다. 이때, 온도가 50℃ 미만이면 점도가 지나치게 높아져 섬유의 발생량이 증가하고, 100℃를 초과하면 경제성이 떨어진다.According to a preferred embodiment of the present invention, the nozzle is characterized in that the injection of 50 to 100 ℃ air. At this time, when temperature is less than 50 degreeC, a viscosity will become high too much and the quantity of fiber generation will increase, and when it exceeds 100 degreeC, economic efficiency will fall.
또한, 노즐 선단에서의 에어의 선속도는 50 내지 90m/s, 보다 바람직하게는 60 내지 90m/s인 것이 바람직하며, 제트 노즐의 경우에는 노즐에서 슬래그로 도달할 때까지 감속되는 정도를 감안하여 마하 1.5 내지 3을 사용할 수가 있다.
In addition, the linear velocity of air at the tip of the nozzle is preferably 50 to 90 m / s, more preferably 60 to 90 m / s, and in the case of a jet nozzle, in consideration of the degree of deceleration until reaching the slag from the nozzle Mach 1.5 to 3 can be used.
이하, 본 발명의 제조방법에 의해 제조된 실리콘망간 슬래그 볼의 화학적 특성 및 물리적 특성에 대하여 설명한다.Hereinafter, the chemical and physical properties of the silicon manganese slag ball produced by the production method of the present invention will be described.
상기 실리콘망간 슬래그 볼은 중량퍼센트로 SiO2 30 내지 42wt%, CaO 12 내지 24wt%, MnO 14 내지 20wt%, Al2O3 12 내지 24wt%, MgO 3 내지 9wt%를 함유하고 구형인 것을 특징으로 한다.The silicon manganese slag ball contains 30 to 42 wt% of SiO 2 , 12 to 24 wt% of CaO, 14 to 20 wt% of MnO, 12 to 24 wt% of Al 2 O 3 , and 3 to 9 wt% of MgO, and are spherical. do.
본 발명의 실리콘망간 슬래그 볼의 구형도는 하기 식 1에 의하여 산출된다.
The sphericity of the silicon manganese slag ball of this invention is computed by following formula (1).
[식 1][Formula 1]
구형도=입자와 동등한 부피를 갖는 구의 표면적/입자의 표면적
Sphericity = surface area of a sphere with a volume equal to the particle / surface area of the particle
상기 [식1]에 따르면, 완전한 구는 구형도가 1의 값을 가지며, 구형도 값이 1에 가까울수록 완전한 구형에 가까워진다는 것을 알 수 있다.According to [Equation 1], it can be seen that a perfect sphere has a sphericity of 1, and the closer the sphericity is to 1, the closer to a perfect sphere.
"입자의 표면적"이란 실제 특정 입자의 표면적을 의미한다."Particle surface area" means the actual surface area of a particular particle.
"입자와 동등한 부피를 갖는 구의 표면적"이란 특정 입자와 동등한 부피를 가지는 가상의 구의 표면적을 의미한다.By "surface area of a sphere having a volume equivalent to a particle" is meant the surface area of an imaginary sphere having a volume equivalent to a particular particle.
본 발명의 실리망간 슬래그 볼의 구형도는 측정 결과 0.9 내지 1.0으로 나타났다.The sphericity of the silicon manganese slag ball of the present invention was found to be 0.9 to 1.0.
본 발명의 실리망간 슬래그 볼의 경도는 측정 결과 750 내지 770HV(비커스 경도)로 나타났다.
The hardness of the silicide manganese slag ball of the present invention was found to be 750 to 770 HV (Vickers hardness).
이하에서는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 통하여 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments of the present invention so that those skilled in the art may easily implement the present invention. However, the present invention can be implemented in various different forms, and is not limited to the embodiments described herein.
(실시예)
(Example)
처리장비Processing Equipment
1) 용융로1) melting furnace
용융로는 발열체로 Moly Heater를 사용하였고, 상용온도는 1700℃, 승온률은 최대 3℃/min로 하였다. 상기 용융로의 가열공간은 가로 300mm, 세로 300mm, 높이 230mm로 하였다.
The molten furnace used Moly Heater as a heating element, the commercial temperature was 1700 ℃, the temperature increase rate was up to 3 ℃ / min. The heating space of the melting furnace was 300mm long, 300mm long, 230mm high.
2) 아토마이징 시스템(atomizing system)2) atomizing system
아토마이징 시스템은 턴디시와 에어분사노즐로 구성되어 있다. 상기 턴디시는 용융 실리콘망간 슬래그를 일정량씩 출탕되게 하면서 낙하하도록 하는 장치이다. 상기 에어분사노즐은 낙하하는 용융 실리콘망간 슬래그에 고압의 에어를 분사하는 장치이다.
The atomizing system consists of tundish and air spray nozzles. The tundish is a device for dropping while melting the molten silicon manganese slag by a predetermined amount. The air spray nozzle is a device for injecting high pressure air to the molten silicon manganese slag falling.
사용 재료Material used
사용 재료는 실리콘망간 슬래그를 사용하였고 주성분은 아래와 같다.The material used is silicon manganese slag and its main component is as follows.
실험 과정Experiment process
용융되어 있는 실리콘망간 슬래그를 제조하기 위하여 용융로에서 실리콘 망간 슬래그를 3시간에 걸쳐 승온을 실시하였다. 온도는 1700℃까지 승온한 후 유지하였다. 실리콘망간 슬래그가 용융되어 있는 것을 확인 한 후 용융 슬래그를 턴디시를 통해 낙하시켜면서 하부에서 에어분사노즐로부터 에어를 분사하였다.In order to manufacture molten silicon manganese slag, the silicon manganese slag was heated in a melting furnace over 3 hours. The temperature was maintained after raising the temperature to 1700 ° C. After confirming that the silicon manganese slag was molten, air was injected from the air spray nozzle at the bottom while the molten slag was dropped through the tundish.
사용된 노즐은 슬릿형 노즐을 사용하였다. 아토마이징 시간은 총 1분 35초였다.
The nozzle used was a slit nozzle. The atomizing time was 1 minute 35 seconds in total.
실험 결과Experiment result
아토마이징 실시 결과, 실리콘망간 슬래그 볼 이외에 실리콘망간 슬래그 섬유도 발생하였다.As a result of atomizing, silicon manganese slag fibers were generated in addition to silicon manganese slag balls.
시료 투입량 대비 아토마이징 비율은 하기 표에 나타난 바와 같이 50.51%였다.The atomizing ratio to the sample dose was 50.51% as shown in the table below.
잔여분爐 內
Residual
아토마이징 결과, 하기 표에 나타난 바와 같이 실리콘망간 슬래그 볼과 실리콘망간 슬래그 섬유의 발생비율은 55.67% : 45.33%였다.As a result of atomizing, the generation ratio of silicon manganese slag ball and silicon manganese slag fiber was 55.67%: 45.33% as shown in the following table.
추가적으로 열송풍기의 에어 온도를 달리하여 아토마이징 한 결과 실리콘망간 슬래그 볼 및 실리콘망간 슬래그 섬유의 발생비율은 다음과 같이 나타났다.In addition, the atomization rate of silicon manganese slag ball and silicon manganese slag fiber was as follows.
(5.40)55.67%
(5.40)
(4.48)45.33%
(4.48)
(7.44)75.32%
(7.44)
(2.44)24.67%
(2.44)
50% 감소Fiber production
50% reduction
(실리콘망간 슬래그 볼 물성 분석결과)(Analysis Results of Silicon Manganese Slag Ball Properties)
상기 실시예에 의하여 제조된 실리콘망간 슬래그 볼의 물성 분석 결과는 다음과 같다.Physical property analysis results of the silicon manganese slag ball prepared by the above embodiment are as follows.
실리콘망간 슬래그 볼은 1) 초코색에 가까운 갈색형태로 표면에 유리와 같은 광택을 가지고 있었고, 2) Fe함량이 적어 강도가 낮고 취성이 약한 특징을 가지고 있었다.The silicon manganese slag ball was 1) brownish, almost brown, and had a glass-like gloss on the surface.
상기 실리콘망간 슬래그 볼의 조성성분별 함량은 다음과 같다.The content of each component of the silicon manganese slag ball is as follows.
(wt%)Mass percent
(wt%)
실리콘망간 슬래그 볼의 실적율은 60%내외였다.
The silicon manganese slag ball's performance was around 60%.
다음은 실리콘 망간 슬래그 볼의 입자사이즈별로 측정된 절건밀도, 단위용적중량(kg/L) 및 실적율을 나타낸 표이다.The following is a table showing the dry density, unit volume weight (kg / L), and yield measured by particle size of silicon manganese slag balls.
(kg/L)Unit volume weight
(kg / L)
(%)Performance rate
(%)
상기와 같은 실리콘망간 슬래그 볼은 일반 실리콘망간 슬래그에 비하여 구형이며 약 5mm이하의 다양한 사이즈를 지니고, 기존 슬래그에 비하여 조직이 치밀하고 경도가 높은 특징을 지닌다. 또한, 수쇄 슬래그에 비하여 단위용적중량이 높고, 흡수율이 낮으며, 실적률이 높은 특징을 지닌다. 이러한 특성을 이용하여 건자재, 콘크리트 골재, 아스팔트 포장용 골재, 폴리머콘크리트용 골재, 수처리여재, 복토재 또는 미끄럼방지재 등 다양한 용도로 사용 가능하다.
The silicon manganese slag ball as described above is spherical compared to the general silicon manganese slag and has a variety of sizes of about 5mm or less, and has a dense structure and high hardness as compared to the existing slag. In addition, it has a high unit volume weight, a low water absorption rate, and a high performance rate compared to the hydrated slag. By using these characteristics, it can be used for various purposes such as construction materials, concrete aggregates, asphalt pavement aggregates, polymer concrete aggregates, water treatment media, cover materials or anti-slip materials.
본 발명은 특정의 실시예와 관련하여 도시 및 설명하지만, 첨부 특허청구의 범위에 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.
While the invention has been shown and described in connection with particular embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the appended claims. Anyone can easily know.
Claims (7)
상기 낙하하는 용융 실리콘망간 슬래그에 노즐로부터 고압의 에어를 분사하여 상기 용융 실리콘망간 슬래그를 미세 액적으로 분리하는 단계; 및
상기 미세액적을 상기 분사되는 고압의 에어와 주위 분위기에 의해 급냉시키는 단계;
를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘망간 슬래그 볼의 제조방법.
Dropping molten silicon manganese slag generated in the course of producing silicon manganese through a tundish;
Spraying high pressure air from a nozzle onto the falling molten silicon manganese slag to separate the molten silicon manganese slag into fine droplets; And
Quenching the microdroplets by the injected high-pressure air and an ambient atmosphere;
Method of producing a silicon manganese slag ball comprising a.
상기 턴디시를 통해 낙하되는 슬래그는 1300 내지 1900℃의 온도를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘망간 슬래그 볼의 제조방법.
The method of claim 1,
The slag falling through the tundish has a temperature of 1300 to 1900 ℃ characterized in that the silicon manganese slag ball manufacturing method.
상기 노즐이 50 내지 100℃의 에어를 분사하는 것을 특징으로 하는 실리콘망간 슬래그 볼의 제조방법.
The method of claim 1,
Method for producing a silicon manganese slag ball, characterized in that the nozzle injects air of 50 to 100 ℃.
Silicon manganese slag ball produced by the manufacturing method of any one of claims 1 to 3.
상기 실리콘망간 슬래그 볼은 중량퍼센트로 SiO2 30 내지 42wt%, CaO 12 내지 24wt%, MnO 14 내지 20wt%, Al2O3 12 내지 24wt%, MgO 3 내지 9wt%를 함유하고 구형인 것을 특징으로 하는 실리콘망간 슬래그 볼.
5. The method of claim 4,
The silicon manganese slag ball contains 30 to 42 wt% of SiO 2 , 12 to 24 wt% of CaO, 14 to 20 wt% of MnO, 12 to 24 wt% of Al 2 O 3 , and 3 to 9 wt% of MgO, and are spherical. Silicon manganese slag ball.
상기 실리콘망간 슬래그 볼은 구형도가 0.9 내지 1.0, 입경이 0.15 내지 5mm, 경도가 750 내지 770HV인 것을 특징으로 하는 실리콘망간 슬래그 볼.
5. The method of claim 4,
The silicon manganese slag ball is a silicon manganese slag ball, characterized in that the sphericity of 0.9 to 1.0, the particle size of 0.15 to 5mm, the hardness of 750 to 770HV.
상기 실리콘망간 슬래그 볼은 건자재, 콘크리트 골재, 아스팔트 포장용 골재, 폴리머콘크리트용 골재, 수처리여재, 복토재 또는 미끄럼방지재로 사용되는 것을 특징으로 하는 실리콘망간 슬래그 볼.
5. The method of claim 4,
The silicon manganese slag ball is a silicon manganese slag ball, characterized in that used as a dry material, concrete aggregate, asphalt pavement aggregate, polymer concrete aggregate, water treatment media, cover material or anti-slip material.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110143618A KR101355460B1 (en) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | Silicon manganese slag ball and method for the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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KR20130075302A true KR20130075302A (en) | 2013-07-05 |
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180064006A (en) * | 2016-12-05 | 2018-06-14 | 주식회사 에코마이스터 | Silicon manganese slag light weight aggregate and it's manufacturing method |
KR102227173B1 (en) * | 2020-06-02 | 2021-03-12 | 한국생산기술연구원 | Method of recovering metal from waste material using used molding sand and manufacturing artificial molding sand and artificial molding sand manufactured by the same |
Family Cites Families (4)
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---|---|---|---|---|
JP4252883B2 (en) * | 2003-01-17 | 2009-04-08 | Jfeマテリアル株式会社 | Method for producing high carbon ferrochrome-crushed slag and abrasive |
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KR101014400B1 (en) * | 2006-06-14 | 2011-02-15 | 주식회사 에코마이스터 | A method for stabilizing slag and novel materials produced thereby |
KR100889859B1 (en) * | 2008-05-06 | 2009-03-24 | 주식회사 동부메탈 | Process for production of ultra low phosphorous and carbon ferromananganese by using of ferromanganese slag |
-
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180064006A (en) * | 2016-12-05 | 2018-06-14 | 주식회사 에코마이스터 | Silicon manganese slag light weight aggregate and it's manufacturing method |
KR102227173B1 (en) * | 2020-06-02 | 2021-03-12 | 한국생산기술연구원 | Method of recovering metal from waste material using used molding sand and manufacturing artificial molding sand and artificial molding sand manufactured by the same |
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A201 | Request for examination | ||
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
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