KR20130068667A - Light emitting diode and methods of manufacturing for the same using imprint stemp - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 발광다이오드 소자 및 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 또는 박막 상면에 유전체 마스크층 또는 임프린트 레진층(Imprint resin) 중 어느 하나 이상을 형성하고, 임프린트 레진층을 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태로 형성된 나노 요철 패턴을 포함하는 임프린트 스템프(Imprint stemp)로 가압 및 건식 식각하고, n형 반도체층 또는 p형 반도체층 상부에 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 나노 요철 패턴을 형성하여, 광 추출 효율을 증가시키는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 소자 및 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode device and a fabrication method, and more particularly, any one or more of a dielectric mask layer or an imprint resin layer is formed on an upper surface of a substrate or a thin film, and the imprint resin layer is formed of a polygonal pyramid or a cone. Pressing and dry etching with an imprint stemp including a nano-concave-convex pattern formed in one shape, and a nano-concave-convex pattern including any one of a polygonal pyramid or a cone on the n-type semiconductor layer or the p-type semiconductor layer The present invention relates to a light emitting diode device and an manufacturing method using an imprint stamp to increase the light extraction efficiency.
최근 발광 빛의 발광 효율이 좋고, 소비전력이 적으며, 램프 수명이 긴 발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)에 대한 관심이 증가하고 있다. 일반적으로 발광다이오드는 광 추출 효율을 증가시키기 위해 PSS(Patterned Sapphire Substrate) 표면가공기술, p-GaN Roughess 성장기술, PBG(Photonic Band Gap) 기술, 수직형 구조를 통한 전류 확산 개선, 발광다이오드 소자 하부에 고반사막 삽입, 발광다이오드 소자 표면의 요철화 등과 같은 기술이 연구되어 지고 있다.Recently, interest in light emitting diodes (LEDs) having good luminous efficiency, low power consumption, and long lamp life has increased. In general, light emitting diodes have a PSS (Patterned Sapphire Substrate) surface processing technology, p-GaN Roughess growth technology, PBG (Photonic Band Gap) technology, improved current diffusion through a vertical structure, and a lower part of a light emitting diode device to increase light extraction efficiency. Techniques such as high reflective film insertion and irregularities on the surface of the light emitting diode device have been studied.
일반적으로 발광다이오드 소자 표면의 요철화는 습식 식각, 포토레지스트(Photoresist) 또는 건식 식각을 통해 발광다이오드 소자 최상부 층에 요철 패턴을 형성하는 기술이다.In general, the unevenness of the surface of the light emitting diode device is a technique of forming an uneven pattern on the top layer of the light emitting diode device through wet etching, photoresist or dry etching.
한국등록특허 제 10-0735488호는 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 기판 상에 n형 질화갈륨층, 활성층, p형 질화갈륨층, 요철 형성층을 순서대로 형성하고, 감광막 패턴을 식각 마스크로 요철 형성층을 선택적으로 습식 식각하여, p형 질화갈륨층 상에 표면 요철을 형성하는 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에 관한 것이다.Korean Patent No. 10-0735488 relates to a method for manufacturing a gallium nitride-based LED device, and in particular, an n-type gallium nitride layer, an active layer, a p-type gallium nitride layer, and an uneven layer are sequentially formed on a substrate to form a photoresist pattern. The present invention relates to a method of manufacturing a gallium nitride-based LED device that selectively wet-etches an uneven layer to form an uneven surface on a p-type gallium nitride layer by using an etching mask.
나아가, 질화갈륨층 상면에 유사한 굴절율을 가지는 매질을 사용하여 사진 식각 공정을 통해 표면 요철을 형성함으로써, 표면 요철의 피치 및 높이를 균일하게 광추출 효율을 극대화시킬 수 있는 조건으로 조절 가능하다.Furthermore, by forming the surface irregularities through the photolithography process using a medium having a similar refractive index on the upper surface of the gallium nitride layer, the pitch and height of the surface irregularities can be adjusted to a condition that can maximize the light extraction efficiency uniformly.
그러나, 한국등록특허 제 10-0735488호 기술을 n-AlGaInP 또는 p-AlGaInP 반도체층에 적용하여 발광다이오드 소자 n-AlGaInP 또는 p-AlGaInP 반도체층에 요철 패턴이 형성될 때, n-AlGaInP 또는 p-AlGaInP 반도체층의 극성과 결정면에 따른 에치-레이트(etch-rate) 차이에 의해 요철 구조가 기울어져 형성되는 단점이 있다.However, when the uneven pattern is formed on the light emitting diode device n-AlGaInP or p-AlGaInP semiconductor layer by applying Korean Patent No. 10-0735488 technology to the n-AlGaInP or p-AlGaInP semiconductor layer, n-AlGaInP or p- The uneven structure is inclined due to the difference in the etch-rate depending on the polarity and the crystal surface of the AlGaInP semiconductor layer.
또한, 광 추출 효율은 발광다이오드 내부에서 생성된 광자(Photon)들 중에서 발광다이오드 표면으로 방출된 광자의 개수로 정의되는데, 식각 공정에 의해 요철 구조가 기울어짐으로써, n-AlGaInP 또는 p-AlGaInP 반도체층 표면에 입사되는 광자의 입사각과 n-AlGaInP 또는 p-AlGaInP 반도체층 표면에 입사 후 반사되는 각도가 임계각보다 감소하여 내부 전반사가 일어나고, 내부 전반사에 의해 빛이 밖으로 빠져나오지 못하여 발광다이오드 소자의 광 추출 효율이 감소하는 단점이 있다.In addition, the light extraction efficiency is defined as the number of photons emitted to the surface of the light emitting diode among photons generated inside the light emitting diode, and the n-AlGaInP or p-AlGaInP semiconductor is inclined by the uneven structure by the etching process. The angle of incidence of photons incident on the surface of the layer and the angle reflected after the incident on the surface of the n-AlGaInP or p-AlGaInP semiconductor layer decreases than the critical angle to cause total internal reflection, and light is not escaped by the total internal reflection so that the light of the light emitting diode device There is a disadvantage that the extraction efficiency is reduced.
나아가, 습식 식각은 용액성 화학 물질을 사용하는 공정으로, 재현성이 낮은 단점이 있다.Furthermore, wet etching is a process using a solution chemical, and has a disadvantage of low reproducibility.
따라서, 본 발명은 위에서 서술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 임프린트 스템프를 이용하여 발광다이오드 소자의 n형 반도체층 또는 p형 반도체층의 요철 패턴을 형성함으로써, 요철 패턴 모양은 n형 반도체층 또는 p형 반도체층을 이루는 물질의 에치-레이트에 영향을 받지 않고, 요철 패턴의 상부가 n형 반도체층 또는 p형 반도체층 방향으로 기울어져 형성되지 않는다.Accordingly, the present invention is to solve the above-described problems, by forming an uneven pattern of the n-type semiconductor layer or p-type semiconductor layer of the light emitting diode element using the imprint stamp, the uneven pattern shape is n-type semiconductor layer or p It is not affected by the etch-rate of the material forming the type semiconductor layer, and the upper portion of the uneven pattern is not formed to be inclined in the direction of the n-type semiconductor layer or the p-type semiconductor layer.
나아가, n형 반도체층 또는 p형 반도체층에 형성된 요철 구조가 기울어지지 않음으로써, 광자가 n형 반도체층 또는 p형 반도체층 표면에 입사되는 각도와, 입사 후 반사되는 각도가 임계각보다 증가하게 된다. 따라서, 요철 패턴을 통해 공기층으로 방출되는 광자가 증가하고, 발광다이오드 소자의 광 추출 효율이 증가된 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 소자 및 제조 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.Furthermore, since the uneven structure formed in the n-type semiconductor layer or the p-type semiconductor layer is not inclined, the angle at which photons are incident on the surface of the n-type semiconductor layer or the p-type semiconductor layer and the angle reflected after the incidence increase than the critical angle. . Accordingly, an object of the present invention is to provide a light emitting diode device and a manufacturing method using an imprint stamp in which photons emitted to the air layer through the uneven pattern are increased and light extraction efficiency of the light emitting diode device is increased.
아울러, 임프린트 스템프를 이용함으로써, n형 반도체층 또는 p형 반도체층에 요철 패턴을 형성하는 제조 공정을 단축시켜 생산성을 향상시켜, 재현성을 증가시키는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 소자 및 제조 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.In addition, the use of an imprint stamp provides a light emitting diode device and a manufacturing method using an imprint stamp that improves productivity by shortening a manufacturing process of forming an uneven pattern on an n-type semiconductor layer or a p-type semiconductor layer, thereby increasing reproducibility. For that purpose.
위와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 소자는 n-전극, n-전극 하면에 형성되고, 요철 패턴을 포함하는 n형 반도체층, n형 반도체층 하면에 형성되고, 정공과 전자를 발생시켜 빛을 방출하는 활성층, 활성층 하부에 형성된 p형 반도체층, p형 반도체층 하부에 형성되고, 활성층에서 발생한 빛을 반사시키는 결합 금속층, 결합 금속층 하부에 형성된 기판 또는 박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a light emitting diode device using an imprint stamp according to the present invention is formed on an n-electrode, an n-electrode lower surface, an n-type semiconductor layer including an uneven pattern, and an n-type semiconductor layer lower surface, An active layer emitting holes and electrons to emit light, a p-type semiconductor layer formed under the active layer, a coupling metal layer formed under the p-type semiconductor layer and reflecting light generated from the active layer, and a substrate or thin film formed under the coupling metal layer Characterized in that.
나아가, n형 반도체층은 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상으로 이루어진 요철 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하며, 요철 패턴은 오목한 부분의 최하부에서 최상부까지의 높이가 0.1~2.3㎛ 이고, 상기 오목한 부분의 최하부의 선폭이 0.3~3.3㎛의 범위에 속하며, 밀도는 107~1010 개/㎠ 인 것을 특징으로 한다.Further, the n-type semiconductor layer is characterized in that to form a concave-convex pattern consisting of any one of a polygonal pyramid or a cone, the concave-convex pattern has a height from the bottom to the top of the concave portion is 0.1 ~ 2.3㎛, The bottom line width is in the range of 0.3 ~ 3.3㎛, the density is characterized in that 10 7 ~ 10 10 / / ㎠.
더 나아가, 요철 패턴은 수직 방향으로 좌우 대칭을 이루고, 요철 패턴의 하부가 상부보다 넓으며, 상부가 n형 반도체층의 수직 방향으로 형성된 것을 특징으로 한다.Further, the uneven pattern is symmetrical in the vertical direction, the lower portion of the uneven pattern is wider than the upper, the upper portion is characterized in that formed in the vertical direction of the n-type semiconductor layer.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 발광다이오드 소자의 n형 반도체층 상면에 유전체 마스크층 또는 임프린트 레진층 중 어느 하나 이상을 형성하고, 임프린트 레진층 상면을 임프린트 스템프로 가압하고, 열 또는 빛 조사 방법 중 하나 또는 혼용 방법으로 각뿔, 원뿔, 다각기둥 또는 원기둥 모양의 요철 패턴이 생성된 레진 패턴 층을 형성함으로써, 요철 패턴의 상부가 n형 반도체층 또는 p형 반도체층의 수직 방향으로 형성된다.As described above, the present invention forms at least one of a dielectric mask layer or an imprint resin layer on the upper surface of the n-type semiconductor layer of the light emitting diode device, and presses the upper surface of the imprint resin layer with an imprint stamp, and during the heat or light irradiation method By forming a resin pattern layer in which pyramidal, conical, polygonal or cylindrical uneven patterns are produced by one or a mixed method, an upper portion of the uneven pattern is formed in the vertical direction of the n-type semiconductor layer or the p-type semiconductor layer.
나아가, n형 반도체층은 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상으로 이루어진 요철 패턴을 형성하고, 요철 패턴은 수직 방향으로 좌우 대칭을 이루며, 요철 패턴의 하부가 상부보다 넓고, 상부가 n형 반도체의 수직 방향으로 형성됨으로써, 활성층에서 생성되어 n형 반도체층 요철 패턴에 부딪히는 광자의 입사각 및 반사각은 임계각보다 넓게 형성되고, 광자는 n형 반도체층을 통해 공기층으로 굴절되며, 발광다이오드 광 추출 효율이 증가하게 된다.Further, the n-type semiconductor layer forms a concave-convex pattern formed of any one of a polygonal pyramid or a cone, the concave-convex pattern is symmetrical in the vertical direction, the lower portion of the concave-convex pattern is wider than the upper portion, the upper portion of the n-type semiconductor vertical Direction, the incident and reflective angles of photons generated in the active layer and hitting the n-type semiconductor layer uneven pattern are formed to be wider than the critical angle, and the photons are refracted into the air layer through the n-type semiconductor layer, thereby increasing the light emitting diode light extraction efficiency. do.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 구조를 설명하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시 예에 따른 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른, 임프린트 스템프 제조 방법에 관한 도면이다.
도 4은 본 발명의 일 실시 예에 따른 각뿔 형태의 요철 구조를 설명하는 SEM 이미지이다.1 is a view illustrating a light emitting diode structure using an imprint stamp according to an embodiment of the present invention.
2A to 2F illustrate a method of manufacturing a light emitting diode using an imprint stamp according to an embodiment of the present invention.
3A to 3B are views illustrating an imprint stamp manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
4 is a SEM image illustrating the concave-convex structure of the pyramid shape according to the embodiment of the present invention.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적인 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Prior to this, the terms or words used in this specification and claims should not be construed as being limited to the ordinary or dictionary meanings, and the inventors properly define the concept of terms in order to explain their invention in the best way. It should be interpreted as meanings and concepts in accordance with the technical idea of the present invention based on the principle that it can.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시 예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all the technical ideas of the present invention. Therefore, It is to be understood that equivalents and modifications are possible.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 구조를 설명하는 도면이다. 도시된 바와 같이, n-전극(106), n-전극(106) 하면에 형성되고, 요철 패턴을 포함하는 n형 반도체층(105), n형 반도체층(105) 하면에 형성되고, 정공과 전자를 발생시켜 빛을 방출하는 활성층(104), 활성층(104) 하부에 형성된 p형 반도체층(103), p형 반도체층(103) 하부에 형성되고, 활성층(104)에서 발생한 빛을 반사시키는 결합 금속층(102), 결합 금속층(102) 하부에 형성된 기판 또는 박막(101)을 포함한다.1 is a view illustrating a light emitting diode structure using an imprint stamp according to an embodiment of the present invention. As shown, the n-
나아가, n형 반도체층(105)은 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상으로 이루어진 요철 패턴을 포함하고 있고, 요철 패턴은 높이가 0.1~2.5㎛ 이고, 선폭이 0.3 ~ 3.3㎛의 범위에 속하며, 밀도는 107 ~ 1010 개/㎠ 이다.Furthermore, the n-
더 나아가, 요철 패턴은 n형 반도체층(105)의 수직 방향으로 좌우 대칭을 이루고, 요철 패턴의 하부가 상부보다 넓게 형성되며, 요철 패턴 상부가 n형 반도체층의 수직 방향으로 형성된다.Further, the uneven pattern is symmetrical in the vertical direction of the n-
이 때, 좌우 대칭은 요철 패턴 상부가 n형 반도체의 수직 방향으로 형성되었을 때, 요철 패턴의 상부가 실험 오차 또는 공정 한도(resolution) 범위 내에서 좌우 대칭 축을 벗어난 것을 포함한다.At this time, the left and right symmetry includes that the top of the uneven pattern deviates from the left and right symmetry axis within an experimental error or process resolution range when the uneven pattern top is formed in the vertical direction of the n-type semiconductor.
아울러, 요철 패턴은 요철 패턴 내부의 수직축과 요철 패턴의 한쪽 면 사이 각도가 10~50°를 이루는 다각뿔 또는 원뿔 모양으로 형성되고, 요철 패턴 내부의 수직축과 요철 패턴의 한쪽 면 사이 각도가 23.7°일 때 광 추출 효율이 최대가 된다.In addition, the concave-convex pattern is formed in a polygonal or conical shape having an angle between 10 and 50 ° between the vertical axis in the concave-convex pattern and one side of the concave-convex pattern, and the angle between the vertical axis in the concave-convex pattern and one side of the concave-convex pattern is 23.7 °. When the light extraction efficiency is maximum.
나아가, 요철 패턴 내부의 수직축은 요철 패턴 상부에서 요철 패턴 하부면에 수직하게 그은 선이다.Further, the vertical axis inside the uneven pattern is a line drawn perpendicular to the uneven pattern lower surface at the top of the uneven pattern.
또한, n형 반도체층(105)은 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 또는 분자 빔 결정법(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 중 어느 하나의 방법을 통해 높이 2.5㎛이상 증착된다.In addition, the n-
아울러, 결합 금속층(102)은 In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb, Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn 또는 AuZn 중 어느 하나 또는 하나 이상의 물질로 이루어지고, 결합 금속층(102)은 기판 또는 박막(110)과 p형 반도체층(103)를 결합시켜주며, 활성층(104)에서 생성되어 하부로 방출된 빛을 반사시키는 역할을 한다.In addition, the
일 실시 예에 있어서, 활성층(104)은 AlGaAs, InGaAlP, GaAsP, GaP, InGaN, SiC 또는 InGaAlN 중 어느 하나의 물질로 이루어지고, 활성층(104)을 이루는 물질에 따라 발광다이오드의 색이 달라진다. AlGaAs는 적색, InGaAlP는 적색, 주황색, 황색 또는 녹색, GaAsP는 주황색 또는 황색, GaP 또는 InGaN은 녹색, SiC는 청색, InGaAlN은 자외선을 띈다.In one embodiment, the
나아가, 활성층(104)은 p형 반도체층(103)에서 생성된 정공과 n형 반도체층(105)에서 생성된 전자가 결합하여, 에너지 준위가 낮아지고, 에너지 준위가 낮아짐과 동시에 방출되는 에너지가 빛의 형태로 발산된다. 하부로 발산된 빛은 결합 금속층에 반사되어 n형 반도체층(105)를 통해 공기층으로 발산되고, 상부로 발산된 빛은 n형 반도체층(105)를 통해 공기층으로 발산된다.Further, in the
또한, 임프린트 스템프(109)를 이용하여 n형 반도체층(105) 상면에 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철 패턴이 형성됨으로써, 요철 상부가 n형 반도체층(105)의 수직 방향으로 향하게 되고, 활성층(104)에서 방출된 광자가 요철 패턴에 반사되는 각도가 임계각보다 커지게 된다.In addition, by using the
나아가, 요철 패턴을 통해 공기층으로 굴절되는 광자가 증가하게 되어, 발광다이오드(100)의 광 추출 효율이 증가하게 된다.Furthermore, photons refracted into the air layer through the uneven pattern are increased, thereby increasing the light extraction efficiency of the light emitting diode 100.
본 발명은 이에 국한되지 않고, 기판 또는 박막(101) 상면에 결합 금속층(102), n형 반도체층(105), 활성층(104) 및 p형 반도체층(103)을 순차적으로 형성하고, 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철 패턴이 형성된 p형 반도체층 상면에 p-전극이 형성할 수 있다.The present invention is not limited thereto, and the
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시 예에 따른 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법을 설명하는 도면이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드를 제조하는 방법에 있어서, 기판 또는 박막(101) 상면에 결합 금속층(Bonding Metal)(102), p형 반도체층(103), 활성층(104) 및 n형 반도체층(105)를 형성하는 단계(s101), n형 반도체층(105) 상면에 임프린트 레진층(Imprint resin)(108)을 형성하는 단계(s102), 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상을 포함하는 요철이 형성된 임프린트 스템프(Imprint stemp)를 준비하는 단계(s103), 임프린트 레진층(108) 상면을 임프린트 스템프(109)로 가압하고, 열 또는 빛 조사 방법 중 하나 또는 혼용 방법으로 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철 패턴이 생성된 레진 패턴 층(110)을 형성하는 단계(s104), 건식 식각을 통해 레진 패턴 층(110)을 제거하여, n형 반도체층(105)에 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철 패턴이 형성하는 단계(s105), 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철 패턴이 형성된 n형 반도체층(105)에 n-전극(120)을 형성하여 발광다이오드(100)를 취득하는 단계(s106)를 포함하는 것을 특징으로 한다.2A to 2F illustrate a method of manufacturing a light emitting diode using an imprint stamp according to an embodiment of the present invention. As shown, in the method of manufacturing a light emitting diode using an imprint stamp according to the present invention, a
도 2a에 도시된 바와 같이, 기판 또는 박막(101) 상면에 결합 금속층(Bonding Metal)(102), p형 반도체층(103), 활성층(104) 및 n형 반도체층(105)를 순차적으로 형성하는 단계(s101)는 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 또는 분자 빔 결정법(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 중 어느 하나의 방법으로 이루어진다.As shown in FIG. 2A, a
나아가, 기판(101)은 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), SiC, 실리카, 사파이어, 석영, 유리 기판 중 어느 하나를 포함하고, Al, TiN, Cu, Ni, Au, W 또는 Ti 중 어느 하나 또는 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.Further, the
도 2b에 도시된 바와 같이, n형 반도체층(105) 상면에 임프린트 레진층(Imprint resin)(108)을 형성하는 단계(s102)는 가교성 모노머, 아크릴산 에스테르 모노머, 방향족 비닐계 모노머, 수산기를 갖는 불포화 모노머, 산기를 갖는 불포화 모노머, 중합 연쇄 이동제, 산화 안정제 또는 중합 개시제 중 어느 하나 이상을 포함하여 이루어진 임프린트 레진층(108)이 n형 반도체층 상면에 형성된다.As shown in FIG. 2B, the step (s102) of forming an
나아가, 가교성 모노머는 N-메틸로메타크릴 아마이드, 메톡시메틸메타크릴 아마이드, N-에톡시메틸메타크릴 아마이드, N-프로폭시메틸메타크릴 아마이드, N-이소프로폭시메틸메타크릴 아마이드, N-부톡시메틸메타크릴 아마이드, N-이소부톡시메틸메타크릴 아마이드 또는 N-터셔리부톡시메틸메타크릴 아마이드 중 어느 하나 이상으로 이루어지고, 아크릴산 에스테르 모노머는 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 노말부틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, 터셔리부틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 스테아릭메타크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트 또는 라우릴메타크릴레이트 중 어느 하나 이상으로 이루어진다.Furthermore, the crosslinkable monomer may be N-methyl methacrylate amide, methoxymethyl methacrylate amide, N-ethoxymethyl methacrylate amide, N-propoxymethyl methacrylate amide, N-isopropoxymethyl methacrylate amide, N -Butoxymethyl methacrylate amide, N-isobutoxymethyl methacrylate amide or N- tert-butoxymethyl methacrylate amide, and the acrylic acid ester monomer is methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl Methacrylate, normal butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, tertiary butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, benzyl methacrylate, phenyl methacrylate, stearic methacrylate, cyclohexyl methacrylate It consists of at least one of acrylate or lauryl methacrylate.
더 나아가, 방향족 비닐계 모노머는 스티렌, 트랜스메틸 스티렌, 메타메틸 스티렌, 알파메틸 스티렌, 베타메틸 스티렌 또는 4-메틸 스티렌 중 어느 하나 이상으로 이루어지고, 수산기를 갖는 불포화 모노머는 베타-히드록시 에틸메타크릴레이트, 히드록시프로필메타크릴레이트, 히드록시부틸메타크릴레이트 또는 ε-카프로락톤을 부가한 히드록시에틸메타크릴레이트로 중 어느 하나 이상으로 이루어지며, 산기를 갖는 불포화 모노머는 아크릴산, 메타크릴산, 말레인산, 푸말산 또는 이타콘산 중 어느 하나 이상으로 이루어진다.Furthermore, the aromatic vinyl monomer consists of any one or more of styrene, transmethyl styrene, metamethyl styrene, alphamethyl styrene, betamethyl styrene, or 4-methyl styrene, and the unsaturated monomer having a hydroxyl group is beta-hydroxy ethylmetha. Acrylate, hydroxypropyl methacrylate, hydroxybutyl methacrylate or hydroxyethyl methacrylate to which ε-caprolactone is added, and the unsaturated monomer having an acid group is acrylic acid or methacrylic acid. , Maleic acid, fumaric acid or itaconic acid.
또한, s101 단계와 s102 단계 사이 n형 반도체층 상면에 유전체 마스크 층(107)을 형성하는 단계(s101-2)를 더 포함할 수 있다. 유전체 마스크층(107)이 n형 반도체층(105)와 임프린트 레진층(108) 사이에 형성됨으로써, 건식 식각을 이용하여 n형 반도체층(105) 상면에 요철 패턴을 형성할 때, 에치-레이트를 조절하여 요철의 모양을 조절할 수 있다.The method may further include forming a dielectric mask layer 107 on the n-type semiconductor layer upper surface between steps s101 and s102 (s101-2). The dielectric mask layer 107 is formed between the n-
도 2c에 도신된 바와 같이, 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철이 형성된 임프린트 스템프(109)를 준비하는 단계(s103)는 습식 식각 또는 포토케미컬 에칭을 통해 템플레이트를 형성하고, 몰딩(Moding)을 통해 임프린트 스템프(109)를 형성하는데, 임프린트 스템프(109)를 형성하는 방법은 도 3에 설명되어 있다.As illustrated in FIG. 2C, the step (s103) of preparing the
도 2d에 도시된 바와 같이, 임프린트 레진층(108) 상면을 임프린트 스템프(109)로 가압하고, 열 또는 빛 조사 방법 중 하나 또는 혼용 방법으로 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철 패턴이 생성된 레진 패턴 층(110)을 형성하는 단계(s104)는 임프린트 스템프(109)를 임프린트 레진층(108) 상면에 압착하고, 마이크로웨이브(Microwave), X선, 감마선 또는 자외선 중 어느 하나를 30℃ ~ 300℃ 온도에서, 1초 ~ 5초간 조사하여, 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철 패턴이 형성된 레진 패턴 층(110)을 형성한다.As shown in FIG. 2D, the upper surface of the
나아가, 레진 패턴 층(110)은 건식 식각할 때, 포토레지스트 마스크(Photoresist mask) 역할을 하여 레진 패턴 층(110)에 형성된 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철 패턴이 n형 반도체층(105)에 형성된다.Further, when the
아울러, 임프린트 레진층(108) 또는 레진 패턴 층(110)은 임프린트 스템프(109)와의 접착력을 감소시키고, 임프린트 레진층(108) 상면에 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철 패턴을 형성한 후 임프린트 스템프(109)를 제거할 때, 임프린트 스템프(109)가 원활하게 제거될 수 있게 한다.In addition, the
도 2e에 도시된 바와 같이, 건식 식각을 통해 레진 패턴 층(110)을 제거하여, n형 반도체층(105)에 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철 패턴이 형성하는 단계(s105)는 스퍼터 에칭(Sputter Etching), 리엑티브 레디컬 에칭(Reactive Radical Etching) 또는 리엑티브 이온 에칭(Reactive Lon Etching) 중 어느 하나의 방법의 건식 식각 공정에 의해 이루어진다.As shown in FIG. 2E, by removing the
나아가, 건식 식각은 Cl2, HBr, HCl, SF6, CF4, CHF3, NF3, O2 , BCl3 또는 CFCs(ChloroFluoroCarbons)로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 가스를 이용하여 이루어지고, N2, Ar, C 또는 He 중 하나 이상의 불활성 가스를 더 포함할 수 있다.Furthermore, dry etching is performed using one or more gases selected from the group consisting of Cl 2 , HBr, HCl, SF 6 , CF 4 , CHF 3 , NF 3 , O 2 , BCl 3 or CFCs (ChloroFluoroCarbons), N 2 One or more inert gas of Ar, C or He may be further included.
더 나아가, 건식 식각은 10~30 mTorr의 공정압력, RF power 50~200W의 조건에서 이루어진다.Further, the dry etching is performed at a process pressure of 10-30 mTorr and RF power 50-200 W.
도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른, 임프린트 스템프 제조 방법에 관한 도면이다. 도 3a는 N-face n-GaN 기판(301)을 사용하여 임프린트 스템프(109)를 형성하는 제조 방법을 설명한 도면이고, 도 3b는 실리콘 웨이퍼(302)를 이용하여 임프린트 스템프(109)를 형성하는 제조 방법을 설명한 도면이다. 도시된 바와 같이, 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철이 형성된 임프린트 스템프 제조 방법은 습식 식각을 통해 N-face n-GaN 기판(301)에 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철이 형성된 n-GaN 템플레이트(Template)(303)를 형성하거나, 실리콘 웨이퍼(Si wafer)(302) 상부에 포토레지스트 패턴(Photoresist Pattern)(305)을 형성하고, 빛을 이용한 포토케미컬 에칭(Photochemical etching)을 통해 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철이 형성된 실리콘 템플레이트(304)를 형성하는 단계(s301), n-GaN 템플레이트(303) 또는 실리콘 템플레이트(304)에 실리콘(Si), 석영(Quartz) 또는 고분자 중 어느 하나의 물질을 주입하여 임프린트 스템프(Imprint stemp)(109)를 형성하는 단계(s302)를 포함한다.3A to 3B are views illustrating an imprint stamp manufacturing method according to an embodiment of the present invention. 3A illustrates a manufacturing method of forming an
나아가, n-GaN 템플레이트(303)는 불산(HF), 염산(HCl), 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 인산(H3PO4), 옥살산(Oxalic Acid), 완충 산화물 에칭체(Buffered Oxide Etchant, BOE), 수산화나트륨(NaOH) 또는 과산화수소(H2O2) 중 어느 하나 또는 이들의 조합에 의한 혼합용액을 15℃ ~ 90℃ 온도에서, 3초 ~ 3시간 동안 습식 식각에 의해 형성된다.Further, the n-
N-face n-GaN 기판(301)은 단결정 물질로 이루어진 기판으로 습식 식각 시, (111)면이 (100)면보다 조밀하게 밀집되어 있음으로, (100)면의 에치-레이트가 (111)면의 에치-레이트 보다 크다. 따라서, n형 반도체층(105) 또는 p형 반도체층(103) 상면에 형성되는 요철의 상부는 n형 반도체층(105) 또는 p형 반도체층(103)의 수직 방향으로 향하게 된다.The N-face n-
도 4은 본 발명의 일 실시 예에 따른 각뿔 형태의 요철 구조를 설명하는 SEM 이미지이다. 더욱 상세하게는, (a)는 종래 습식 식각을 통해 형성된 각뿔 형태의 요철 구조를 설명하는 SEM 이미지이고, (b)는 본 발명에 따른 임프린트 스템프(109)를 통해 형성된 각뿔 형태의 요철 구조를 설명하는 SEM 이미지이다. 또한, (c)는 종래 습식 식각 공정과 본 발명의 임프린트 스템프(109) 공정을 통해 형성된 요철을 통해 빠져나가는 광자를 표현한 도면이다. 도시된 바와 같이, 습식 식각 공정을 통해 n형 반도체층(105) 또는 p형 반도체층(103)에 형성된 요철은 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태로 형성되고, 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철 패턴 상부가 n형 반도체층(105) 또는 p형 반도체층(103) 방향으로 기울어져 있으나, 임프린트 스템프(109) 공정을 통해 형성된 요철은 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 하고 있고, 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 요철 패턴 상부가 n형 반도체층(105) 또는 p형 반도체층(103)의 수직 방향으로 향하고 있다.4 is a SEM image illustrating the concave-convex structure of the pyramid shape according to the embodiment of the present invention. More specifically, (a) is a SEM image for explaining the pyramidal concave-convex structure formed through conventional wet etching, and (b) describes the pyramidal concave-convex structure formed through the
나아가, 습식 식각 공정을 통해 형성된 요철은 상부가 n형 반도체층(105) 또는 p형 반도체층(103) 방향과 밀접하게 형성됨으로써, 광자가 n형 반도체층(105) 또는 p형 반도체층(103) 표면에 입사될 때 생성되는 입사각과, 광자가 n형 반도체층(105) 또는 p형 반도체층(103) 표면에 입사된 후 반사되는 반사각 간의 각도가 내부 전반사를 일으키는 임계각보다 좁게 형성된다. 따라서, 광자는 발광다이오드(100) 내부로 전반사 되어, 광 추출 효율이 감소된다.Further, the unevenness formed through the wet etching process is formed in the upper portion closely to the n-
그러나, 임프린트 스템프(109) 공정을 통해 형성된 요철은 상부이 n형 반도체층(105) 또는 p형 반도체층(103)의 수직 방향으로 형성됨으로써, 광자의 입사각과 반사각 간의 각도가 임계각보다 넓게 형성되고, 광자는 n형 반도체층(105) 또는 p형 반도체층(103) 표면에 입사한 후 굴절되어, 광자는 공기층으로 방출되고, 발광다이오드 소자의 광 추출 효율이 증가한다.However, the unevenness formed through the
본 발명 명세서 전반에 걸쳐 사용되는 용어들은 본 발명 실시 예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서, 사용자 또는 운용자의 의도, 관례 등에 따라 충분히 변형될 수 있는 사항이므로, 이 용어들의 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.The terms used throughout the specification of the present invention have been defined in consideration of the functions of the embodiments of the present invention and can be sufficiently modified according to the intentions and customs of the user or operator. It should be based on the contents of.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능함은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and various forms of substitution, modification, and alteration are possible without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims. It will be apparent to those of ordinary skill in the art.
100: 발광다이오드
101: 기판 또는 박막
102: 결합 금속층
103: p형 반도체층
104: 활성층
105: n형 반도체층
106: n-전극
107: 유전체 마스크층
108: 임프린트 레진층
109: 임프린트 스템프
110: 레진 패턴 층
120: n-전극
301: N-face n-GaN 기판
302: 실리콘 웨이퍼
303: n-GaN 템플레이트
304: 실리콘 템플레이트
305: 포토레지스트 패턴100: light emitting diode
101: substrate or thin film
102: bonding metal layer
103: p-type semiconductor layer
104: active layer
105: n-type semiconductor layer
106: n-electrode
107: dielectric mask layer
108: imprint resin layer
109: imprint stamp
110: resin pattern layer
120: n-electrode
301: N-face n-GaN substrate
302 silicon wafer
303: n-GaN template
304: silicon template
305 photoresist pattern
Claims (14)
상기 n-전극 하면에 형성되고, 요철 패턴을 포함하는 n형 반도체층;
상기 n형 반도체층 하면에 형성되고, 정공과 전자를 발생시켜 빛을 방출하는 활성층;
상기 활성층 하부에 형성된 p형 반도체층;
상기 p형 반도체층 하부에 형성되고, 상기 활성층에서 발생한 빛을 반사시키는 결합 금속층;
상기 결합 금속층 하부에 형성된 기판 또는 박막;
을 포함하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 소자.
n-electrode;
An n-type semiconductor layer formed on the bottom surface of the n-electrode and including an uneven pattern;
An active layer formed on a lower surface of the n-type semiconductor layer and emitting light by generating holes and electrons;
A p-type semiconductor layer formed below the active layer;
A coupling metal layer formed under the p-type semiconductor layer and reflecting light generated from the active layer;
A substrate or a thin film formed under the bonding metal layer;
Light emitting diode device using an imprint stamp comprising a.
상기 활성층에서 발생한 빛의 상기 요철 패턴에 입사되는 입사각과 굴절되는 반사각 간의 각도가 임계각 이하인 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 소자.
The light emitting diode device using the imprint stamp according to claim 1,
The light emitting diode device using an imprint stamp, characterized in that the angle between the incident angle and the refracted reflection angle incident on the uneven pattern of light generated in the active layer is less than a critical angle.
수직 방향으로 좌우 대칭을 이루고, 상기 요철 패턴의 하부가 상부보다 넓으며, 상기 상부가 상기 n형 반도체의 수직 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 소자.
The method of claim 1, wherein the uneven pattern,
A light emitting diode device using an imprint stamp, which has left and right symmetry in a vertical direction, a lower portion of the uneven pattern is wider than an upper portion, and the upper portion is formed in a vertical direction of the n-type semiconductor.
요철 패턴 내부의 수직축과 상기 요철 패턴의 한쪽 면 사이 각도가 10~50°인 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 소자.
The method of claim 1, wherein the uneven pattern,
An LED device using an imprint stamp, wherein an angle between the vertical axis inside the uneven pattern and one side of the uneven pattern is 10 to 50 °.
다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상으로 이루어진 요철 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하며, 상기 요철 패턴은 오목한 부분의 최하부에서 최상부까지의 높이가 0.1~2.3㎛ 이고, 상기 오목한 부분의 최하부의 선폭이 0.3~3.3㎛의 범위에 속하며, 밀도는 107~1010 개/㎠ 인 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 소자.
The method of claim 1, wherein the n-type semiconductor layer,
The concave-convex pattern is formed to form any one of a polygonal pyramid or a cone, the concave-convex pattern has a height from the bottom to the top of the concave portion is 0.1 ~ 2.3㎛, the line width of the bottom of the concave portion is 0.3 ~ A light emitting diode device using an imprint stamp, characterized in that it belongs to the range of 3.3㎛, density is 10 7 ~ 10 10 / / ㎠.
In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb, Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn 또는 AuZn 중 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 소자.
The method of claim 1, wherein the bonding metal,
Light emission using an imprint stamp comprising any one or more of In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb, Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn or AuZn Diode elements.
상기 n형 반도체층 상면에 임프린트 레진층(Imprint resin)을 형성하는 단계;
다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상을 포함하는 요철이 형성된 임프린트 스템프(Imprint stemp)를 준비하는 단계;
상기 임프린트 레진 상면을 상기 임프린트 스템프로 가압하고, 열 또는 빛 조사 방법 중 하나 또는 혼용 방법으로 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상이 포함된 요철 패턴이 생성된 레진 패턴 층을 형성하는 단계;
건식 식각을 통해 상기 레진 패턴을 제거하여, 상기 n형 반도체에 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상이 포함된 요철 패턴을 형성하는 단계;
다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상이 포함된 요철 패턴이 형성된 상기 n형 반도체에 n-전극을 형성하여 발광다이오드 소자를 취득하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법.
Forming a bonding metal layer, a p-type semiconductor layer, an active layer, and an n-type semiconductor layer on an upper surface of the substrate or the thin film;
Forming an imprint resin layer on an upper surface of the n-type semiconductor layer;
Preparing an imprint stem formed with irregularities including a shape of a polygonal pyramid or a cone;
Pressing an upper surface of the imprint resin onto the imprint stamp and forming a resin pattern layer having a concave-convex pattern including one of a polygonal pyramid or a cone by one or a combination of heat and light irradiation methods;
Removing the resin pattern through dry etching to form an uneven pattern including one of a polygonal pyramid or a cone in the n-type semiconductor;
Obtaining an LED device by forming an n-electrode on the n-type semiconductor having a concave-convex pattern including one of a polygonal pyramid or a cone;
Light emitting diode manufacturing method using an imprint stamp comprising a.
상기 n형 반도체 상면에 유전체 마스크 층을 형성하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법.The method of claim 7, after sequentially forming a bonding metal, a p-type semiconductor, an active layer, and an n-type semiconductor on the upper surface of the substrate or the thin film,
Forming a dielectric mask layer on the n-type semiconductor;
Light emitting diode manufacturing method using an imprint stamp further comprising a.
습식 식각을 통해 N-face n-GaN 기판에 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상을 포함하는 요철이 형성된 n-GaN 템플레이트(Template)를 형성하거나, 실리콘 웨이퍼(Si wafer) 상부에 포토레지스트 패턴(Photoresist Pattern)을 형성하고, 빛을 이용한 포토케미컬 에칭(Photochemical etching)을 통해 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상을 포함하는 요철이 형성된 실리콘 템플레이트를 형성하는 단계;
상기 n-GaN 템플레이트 또는 실리콘 템플레이트에 실리콘(Si), 석영(Quartz) 또는 고분자 중 어느 하나의 물질을 주입하여 임프린트 스템프(Imprint stemp)를 형성하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법.
8. The method of claim 7, wherein the preparing of the imprint stemp including the unevenness of the polygonal pyramid or the cone comprises:
Wet etching forms an n-GaN template having irregularities including one of a polygonal cone or a cone on an N-face n-GaN substrate, or a photoresist pattern on a Si wafer. Forming a pattern, and forming a silicon template having irregularities including a shape of one of a polygonal cone and a cone through photochemical etching using light;
Implanting any one of silicon (Si), quartz (Quartz), or a polymer into the n-GaN template or silicon template to form an imprint stem;
Light emitting diode manufacturing method using an imprint stamp further comprising a.
불산(HF), 염산(HCl), 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 인산(H3PO4), 옥살산(Oxalic Acid), 완충 산화물 에칭체(Buffered Oxide Etchant, BOE), 수산화나트륨(NaOH) 또는 과산화수소(H2O2) 중 어느 하나 또는 이들의 조합에 의한 혼합용액을 15℃~90℃ 온도에서, 3초~3시간 동안 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법.
The method of claim 9, wherein the wet etching,
Hydrofluoric acid (HF), hydrochloric acid (HCl), nitric acid (HNO 3 ), sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (H 3 PO 4 ), oxalic acid, buffered oxide etchant (BOE), Mixing solution of any one of sodium hydroxide (NaOH) or hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) or a combination thereof at 15 ℃ ~ 90 ℃ temperature, wet etching for 3 seconds to 3 hours using an imprint stamp Method of manufacturing light emitting diodes.
SiO2(Silicon diocide), Si3N4(Silicon Nitride), Al2O3, TiO2, ZnS 또는 CaF2 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법.
The method of claim 8, wherein the dielectric mask,
A method of manufacturing a light emitting diode using an imprint stamp comprising any one of SiO 2 (Silicon diocide), Si 3 N 4 (Silicon Nitride), Al 2 O 3 , TiO 2 , ZnS or CaF 2 .
가교성 모노머, 아크릴산 에스테르 모노머, 방향족 비닐계 모노머, 수산기를 갖는 불포화 모노머, 산기를 갖는 불포화 모노머, 중합 연쇄 이동제, 산화 안정제 또는 중합 개시제 중 어느 하나 이상을 포함하며,
임프린트용 스탬프를 압착하고, 마이크로웨이브(Microwave), X선, 감마선 또는 자외선 중 어느 하나를 30℃ ~ 300℃ 온도에서, 1초 ~ 5초간 조사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법.
The method of claim 7, wherein the imprint resin,
At least one of a crosslinkable monomer, an acrylic ester monomer, an aromatic vinyl monomer, an unsaturated monomer having a hydroxyl group, an unsaturated monomer having an acid group, a polymerization chain transfer agent, an oxidation stabilizer or a polymerization initiator,
Light-emitting diode using an imprint stamp is formed by pressing an imprint stamp and irradiating any one of microwave, X-ray, gamma ray or ultraviolet ray at a temperature of 30 ° C. to 300 ° C. for 1 second to 5 seconds. Manufacturing method.
스퍼터 에칭(Sputter Etching), 리엑티브 레디컬 에칭(Reactive Radical Etching) 또는 리엑티브 이온 에칭(Reactive Lon Etching) 중 어느 하나의 방법으로 이루어지고,
Cl2, HBr, HCl, SF6, CF4, CHF3, NF3, O2 , BCl3 또는 CFCs(ChloroFluoroCarbons)로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법.
The method of claim 7, wherein the dry etching,
By sputter etching, reactive radical etching, or reactive ion etching,
Manufacture of light emitting diodes using imprint stamps using at least one gas selected from the group consisting of Cl 2 , HBr, HCl, SF 6 , CF 4 , CHF 3 , NF 3 , O 2 , BCl 3 or CFCs (ChloroFluoroCarbons) Way.
N2, Ar, C 및 He 중 하나 이상의 불활성 가스를 더 포함하며,
10~30 mTorr의 공정압력, RF power 50~200W의 조건으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법.The method of claim 13, wherein the dry etching,
Further comprises at least one inert gas of N 2 , Ar, C and He,
Method of manufacturing a light emitting diode using an imprint stamp, characterized in that the process pressure of 10 ~ 30 mTorr, RF power 50 ~ 200W conditions.
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