KR20130068495A - 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트유닛 - Google Patents
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Abstract
실시 예에 따른 라이트유닛은, 도광판; 및 상기 도광판의 입사 면에 대응되는 발광 모듈을 포함하며, 상기 발광 모듈은, 기판; 상기 기판 위에 상기 도광판의입사면과 제1간격을 갖고 제1평균광도를 갖는 제1광을 발광하는 복수의 제1발광 소자; 및 상기 기판 위에 상기 도광판의 입사면과 제1간격보다 더 이격된 제2간격을 갖고 상기 제1평균광도와 다른 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하는 복수의 제2발광 소자를 포함한다.
Description
실시 예는 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트유닛에 관한 것이다.
발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.
실시 예는 새로운 구조의 발광 모듈을 제공한다.
실시 예는 제1평균광도를 갖는 제1열의 제1발광 소자와, 상기 제1광도보다 더 높은 제2평균광도를 갖는 제2열의 제2발광 소자를 포함하는 발광 모듈을 제공한다.
실시 예는 제1평균광도를 갖고 도광판과 제1간격으로 이격된 복수의 제1발광 소자와, 상기 제2평균광도를 갖고 상기 도광판과 상기 제1간격보다 더 넓은 제2간격으로 이격된 복수의 제2발광 소자를 포함하는 라이트유닛을 제공한다.
실시 예에 따른 발광 모듈은 기판; 상기 기판 위에 제1열로 배치되며 제1평균광도를 갖는 제1광을 제1방향으로 발광하는 복수의 제1발광 소자; 및 상기 기판 위에 상기 제1열로부터 이격된 제2열에 배치되고 인접한 상기 제1발광 소자들 사이의 영역으로 제2평균광도를 갖는 제2광을 제1방향으로 발광하며, 상기 제1평균광도와 다른 제2평균광도를 발광하는 복수의 제2발광 소자를 포함한다.
실시 예에 따른 라이트유닛은, 도광판; 및 상기 도광판의 입사 면에 대응되는 발광 모듈을 포함하며, 상기 발광 모듈은, 기판; 상기 기판 위에 상기 도광판의입사면과 제1간격을 갖고 제1평균광도를 갖는 제1광을 발광하는 복수의 제1발광 소자; 및 상기 기판 위에 상기 도광판의입사면과 제1간격보다 더 이격된 제2간격을 갖고 상기 제1평균광도와 다른 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하는 복수의 제2발광 소자를 포함한다.
실시 예는 발광 소자의 수율을개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 도광판에 입사되는 광량을 개선하여, 라이트유닛의휘도를 개선시켜 주는 효과가 있다.
실시 예는 발광 모듈 및 라이트유닛의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 3은 제1실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 4는 제2실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 5는 제3실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 6은 제4실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 7은 제5실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 8은 제6실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 3은 제1실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 4는 제2실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 5는 제3실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 6은 제4실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 7은 제5실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 8은 제6실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 칩을 나타낸 도면이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이며, 도 2는 도 1의 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사 부재(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트유닛(1050) 또는 조명 시스템으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethylmetaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판(1041)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에는 반사 패턴이 형성될 수 있다. 또한 상기 도광판(1041)의 측면 즉, 입사면(1042)에는 광의 입사 효율과 광 산란을 위해 요철 패턴이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)과상면 중 적어도 하나에는 산란제 또는 형광체가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 한 입사면(1042)에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 입사면(1042)에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다. 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)은 입광부로 정의될 수 있다.
상기 발광모듈(1031)은 상기 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)에 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 복수의 발광소자(101,102)를 포함하며, 상기 발광 소자(101,102)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 발광 소자(101,102)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광 소자(101,102)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.
상기 복수의 발광 소자(101,102)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(101,102)는 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)인 입광부에 적어도 한 파장대의 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있다.
도 2를 참조하면, 각 발광 소자(101,102)는 캐비티(113)을 갖는 몸체(111)과, 상기 캐비티(113)의 바닥에 제1 및 제2리드 프레임(121,131)과, 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩(1151)을 포함한다. 상기 발광 소자(101,102)의 캐비티(113)에는 몰딩 부재가 형성되어, 상기 발광 칩(151)을 보호할 수 있다. 상기 각 발광 소자(101,102)는 캐비티(113) 내에 하나 또는 그 이상의 발광 칩(151)이 배치될 수 있으며, 리드 프레임(121,131)의 개수도 2개 이상으로 배치될 수 있다.
상기 각 발광 소자(101,102)는 몸체(111)의 일 측면에 노출되며 상기 제1리드 프레임(121)으로부터 돌출된 제1리드부(123)와, 상기 제2리드 프레임(131)으로부터 돌출된 제2리드부(133)을 포함하며, 상기 제1리드부(123) 및 제2리드부(133)는 상기 기판(1033) 상의 회로 패턴에 탑재될 수 있다.상기의 발광 소자(101,102)는 사이드 뷰(Side view) 발광형 패키지로 설명하였으나, 탑 뷰(Top view) 발광형 패키지로 구현될 수 있다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 3은 제1실시 예에 따른 도광판의입사측에 배치된 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 발광 모듈(1031)은 기판(1033) 상에서 서로 다른 열로 배치되고 동일한 제1방향으로 광을 발광하는 복수의 제1발광 소자(101)와 복수의 제2발광 소자(102)를 포함한다. 상기 복수의 제1발광 소자(101)의 중심은 같은 선상에 배치되며, 복수의 제2발광 소자(102)의 중심은 같은 선상에 배치된다. 상기 제1발광 소자(101)와 상기 제2발광 소자(102)의 광 출사 면은 동일한 제1방향으로 형성되며, 상기 제2발광 소자(102)는 상기 제1발광 소자(101)의 광 출사면(114)의 반대측 방향 이격되게 배치된다.
상기 복수의 제1발광 소자(101)는제1피크 파장을 갖는 제1광(L1)을 발광하며, 상기 복수의 제2발광 소자(102)는 제2피크 파장을 갖는 제2광(L2)을 발광하게 된다. 상기 제1피크 파장과 상기 제2피크 파장의 범위는 동일한 컬러 범위 내에서 동일한 파장이거나 1nm 이상 차이를 갖는 파장일 수 있다. 상기 제1피크 파장과 상기 제2피크 파장은 서로 다른 컬러 대역의 피크 파장을 발광할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 복수의 제1발광 소자(101)는 제1광(L1)을 발광하며, 상기 복수의 제2발광 소자(102)는 제2광(L2)을 발광하게 된다. 상기 복수의 제1발광 소자(101)는 상기 복수의 제2발광 소자(102)로부터 방출된 제2광(L2)의 평균광도에 비해 낮은 평균광도의 제1광(L1)을 발광하게 된다. 상기 복수의 제1발광 소자(101)는 상기 복수의 제2발광 소자(102)로부터 방출된 제2광(L2)의 평균광량에 비해 낮은 평균광량을 갖는 제1광(L1)을 발광하게 된다.상기 복수의 제1발광 소자(101) 중에서 적어도 하나는 다른 광도를 갖는 광을 발광할 수 있다. 따라서, 상기 복수의 제1발광 소자들(101)로부터 발광된 제1광(L1)의 광도 평균은 제1평균 광도라 정의할 수 있다. 상기 복수의 제2발광 소자(102) 중에서 적어도 하나는 다른 광도를 갖는 광을 발광할 수 있다. 따라서, 상기 복수의 제2발광 소자들(102)로부터 발광된 제2광(L2)의 광도 평균은 제2평균 광도라 정의할 수 있다.
상기 복수의 제1발광 소자(101)의 제1평균 광도는미리 정해진 기준으로부터 제1범위 예컨대, 10% 범위 내에서 랭크(Rank)화하여 검출한 제1광의 광도들의 평균이며, 예컨대 2.5cd~2.7cd 범위의 광도들을 평균한 값이 될 수 있다. 상기 복수의 제2발광 소자(102)는 미리 정해진 기준으로부터 제2범위 예컨대, 10% 범위 내에서 랭크(Rank)화하여 검출한 제2광의 광도들의 평균이며, 예컨대 2.71cd~3.1cd 범위의 광도들을 평균한 값이 될 수 있다. 상기 제2발광 소자(102) 각각은 상기 복수의 제1발광 소자(101) 중 어느 하나의 광도와 겹치지 않고 상기 제1발광 소자(101) 내의 최대 광도 값보다 더 높은 광도로 발광할 수 있다.상기 복수의 제1발광 소자(101)의 제1평균광도는 예컨대 2.5cd-2.7cd 정도이고, 상기 복수의 제2발광 소자(102)의 제2평균광도는 상기 제1평균광도보다 큰 광도로서, 예컨대, 2.7cd 초과한 2.71cd-3.1cd 범위로 사용할 수 있다. 상기 제1발광 소자(101)의 제1평균광도와 상기 제2발광 소자(102)의 제2평균광도의 차이는 0.1cd 이상을 포함할 수 있다. 상기와 같이 서로 다른 평균광도를 갖는 광들을 발광하는 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102)를 서로 다른 수평면 상에 배열할 수 있으므로, 제2발광 소자(102)의 사용 수율을 개선시켜 줄 수 있다. 즉, 제1평균광도를 갖는 제1광을 발광하는 복수의 제1발광 소자(101)뿐만 아니라, 상기 제1평균광도보다 더 높은 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하는 제2발광 소자(102)를 서로 다른 수평면 상에 배치할 수 있어, 제2발광 소자(102)의 사용 수율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 복수의 제1발광 소자(101) 간의 주기(T1)는 12mm-14mm 범위이며, 상기 복수의 제2발광 소자(102) 간의 주기(T2)는 12mm-14mm 범위일 수 있다. 인접한 제1발광 소자(101) 간의 주기(T1)는 제2발광 소자(102)의 길이(즉, 수평 방향의 길이)와 같거나 0.1mm 이상 더 큰 간격일 수 있다.
상기 제1발광 소자(101)와 상기 제2발광 소자(102) 사이의 수평한 방향의 간격은 6.5mm-7.5mm 범위이며, 상기의 수평 간격은 상기 제1발광 소자(101)의 중심과 상기 제2발광 소자(102)의 중심 사이의 수평 방향의 거리이다. 상기의 수평 방향은 복수의 제1발광 소자(101)가 배열되는 방향이 될 수 있으며, 수직 방향은 상기의 수평 방향과 직교하는 방향이 될 수 있다.
상기 제1발광 소자(101)와 상기 제2발광 소자(102) 사이의 수직한 방향의 간격(D3)은 1-2.5mm 범위 예컨대, 2mm-0.1mm를 포함하며, 상기의 수직 간격은 상기 제1발광 소자(101)의 중심과 상기 제2발광 소자(102)의 중심 사이의 수직 방향의 거리이다. 상기 제1발광 소자(101)의 제1평균광도와 상기 제2발광 소자(102)의 제2평균광도의 차이에 따라 변경될 수 있다. 상기의 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 사이의 수직한 방향의 간격(D3)이 2mm 일 때, 제1발광 소자(101) 대비 제2발광 소자(102)의 입광 효율과의 차이는 0.1%-3% 범위의 차이를 가지게 된다. 또한 상기 복수의 제2발광 소자(102)는 인접한 제1발광 소자(101)들의 사이의 영역을 통해 발광하게 되며, 타켓에서의 제1평균광도와 제2평균광도는 거의 동일한 광도로 검출될 수 있다.예를 들면,복수의 발광 소자가 1열로 배치할 때 도광판(1041)의 입광 효율 및 평균 광도가 100%로 기준으로 정의할 때, 상기 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 간의 수직 간격이 1mm로 차이나게 배열된 경우 도광판(1041)에서의입광 효율은 99.8%이고, 1.5mm로 증가한 경우 도광판(1041)의 입광 효율은 99.6%로 감소된다. 또한 제1발광 소자(101)와 상기 제2발광 소자(102) 간의 수직 방향의 간격이 1mm인 경우 도광판(1041)의 입사면(1042)에서의 입사된 평균광도는 99.7%이고, 1.5mm인 경우 99.4%로 감소될 수 있다. 이러한 평균광도 차이는 기준과의 차이가 미미하므로, 제2발광 소자(102)를 추가적으로 이용하는 효과가 더 클 수 있다.
상기 복수의 제2발광 소자(102)와 상기 도광판(1041)의 입사면(1042) 사이의 간격(G2)은 상기 복수의 제1발광 소자(101)와 상기 도광판(1041)의 입사면(1042) 사이의 간격(G1)보다 더 멀리 배치된다. 여기서, 상기의 간격(G1,G2)은 각 발광 소자(101,102)의 광 출사면(114)과 상기 도광판(1041)의 입사면(1042) 사이의 거리이다. 실시 예는 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)으로부터 복수의 제1발광 소자(101)보다 상대적으로 높은 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하는 복수의 제2발광 소자(102)를 복수의 제1발광 소자(101)보다더 이격시켜 배치함으로써, 도광판(1041)의 입사면(1042)에서의 제2발광 소자(102)로부터 방출된 제2광의 입광 효율과 제1발광 소자(101)의 입광 효율의 차이를 줄여줄 수 있다.
상기 도광판(1041)의 입사면(1042)에서의 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102)의 입광 효율은 하나의 열로 배치한 발광 소자들의 입광 효율보다 저하될 수 있다. 실시 예는 복수의 제2발광 소자(102)를 상기 제1발광 소자(101)의 열로부터 이격시켜 배열할 수 있다.
도 4는 제2실시 예에 따른 도광판의입사측에 배치된 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 4를 참조하면, 발광 모듈(1031)은 복수의 제1발광 소자(101)와 복수의 제2발광 소자(102) 사이에 복수의 가이드 부재(201,202)가 배치된다. 상기 가이드 부재(201,202)는 인접한 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 사이에 각각 형성되며, 상기 제2발광 소자(102)로부터 방출된 제2광을 반사시켜 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)으로 가이드시켜 준다. 상기 가이드 부재(201,202)는 상기 기판(1033) 위에 반사 물질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속을 포함하는 수지 재질, 금속 재질, 비 금속 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 가이드 부재(201,202)는 인접한 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 사이의 영역(A1)에 경사진 구조로 형성될 수 있다. 상기 영역(A1)은 제1발광 소자(101)의 제2측면(S2)과제2발광 소자(102)의 제1측면(S3) 사이의 영역이고, 제1발광 소자(101)의 제1측면(S1)과 이에 인접한 제2발광 소자(102)의 제2측면(S4) 사이의 영역이 될 수 있다. 상기의 경사진 구조는 상기 제2발광 소자(102)의 광 출사 면(또는 몸체의 하면 또는 상면)의 수평한 선에 대해 소정 각도로 경사진 구조일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 가이드 부재(201,202)는 상기 제1발광 소자(101)의 하면과 상기 제2발광 소자(102)의 상면 사이의 거리(D2)와 같은 길이로 형성되거나, 더 길거나 짧은 길이로 형성될 수 있다. 이는 제2발광 소자(102)의 광 지향각에 따라 달라질 수 있다.
상기 가이드 부재(201,202) 간의 최소 간격(D4)은 제2발광 소자(102)의 길이보다 짧은 간격으로 형성될 수 있으며, 제2발광 소자(102)의 광 출사면(114)의 너비(D3)보다는 길게 형성될 수 있다.상기 가이드 부재(101,102) 간의 최대 간격은 인접한 제1발광 소자(101)의 서로 대응되는 측면 간의 거리(D5)보다 더 좁게 형성될 수 있다. 이러한 가이드 부재(101,102)를 제2발광 소자(102)의 광 출사면(114)보다 외측에 경사지게 배치함으로써, 광을 효과적으로 반사시켜 주어, 도광판(1041)의 입사면(1042)에서의 입광 효율은 제1실시 예에 비해 개선될 수 있다. 상기의 가이드 부재(201,202)는 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 5는 제3실시 예에 따른 도광판의입사측에 배치된 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 5를 참조하면, 발광 모듈(1031)은 복수의 제1발광 소자(101)와 복수의 제2발광 소자(102) 사이에 복수의 가이드 부재(203,204)가 배치된다. 상기 가이드 부재(203,204)는 인접한 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 사이에 수직하게 각각 형성되며, 상기 제2발광 소자(102)로부터 방출된 제2광을 반사시켜 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)으로 가이드시켜 준다. 상기 가이드 부재(203,204)는 상기 기판(1033) 위에 반사 물질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속을 포함하는 수지 재질, 금속 재질, 비 금속 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 복수의 가이드 부재(203,204)는 인접한 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 사이의 영역(A1)에 수직한 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제2발광 소자(102)의 각 측면(S3,S4)보다 상기 제1발광 소자(101)의 측면(S2,S1)에 더 가깝게 배치될 수 있다. 이는 제2발광 소자(102)의 광 지향각을 고려하여 상기 가이드 부재(201,202)를 상기 제2발광 소자(102)로부터 소정 거리(D7) 예컨대, 1mm 이상 이격시켜 줄 수 있다. 상기의 가이드 부재(203,204)의 수직한 구조는 상기 제2발광 소자(102)의 광 출사 면(또는 몸체의 하면 또는 상면)의 수평한 선에 대해 직교하는 방향으로 형성된 구조일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 가이드 부재(201,202)의 길이(즉, 수직 길이)는 상기 제1발광 소자(101)의 하면과 상기 제2발광 소자(102)의 상면 사이의 거리(D2)와 동일하거나 짧을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 가이드 부재(201,202) 간의 간격(D6)은 인접한 제1발광 소자(101)의 측면(S1,S2) 사이의 거리(D5)보다 좁고, 제2발광 소자(102)의 길이보다는 넓게 형성될 수 있다. 상기 제2발광 소자(102)의 길이 방향은 수평 방향의 너비일 수 있다.
이러한 가이드 부재(203,204)를 제2발광 소자(102)의 광 출사면(114)보다 외측에 각각 배치함으로써, 광을 효과적으로 반사시켜 주어, 도광판(1041)의 입사면(1042)에서의 입광 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기의 가이드 부재(203,204)는 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 6은 제4실시 예에 따른 도광판 입사측 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 발광 모듈(1031)은 기판(1033)의 센터 영역(A2)에 복수의 제1발광 소자(101)와 복수의 제2발광 소자(102)를 서로 다른 열로 배치하고, 기판(1033)의 사이드 영역(A3)에는 복수의 제1발광 소자(101)를 센터 영역(A2)의 제1발광 소자(101) 간의 간격(T1)보다 더 좁은 간격(T3)으로 배치할 수 있다. 기판(1033)의 센터 영역(A2)에는 서로 다른 평균광도를 갖는 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102)를 서로 다른 열로 배열하고, 양 사이드 영역(A3)에는 제2발광 소자(102)를 제외한 제1발광 소자(101)만 배치할 수 있다. 도광판(1041)의 입광 효율을 보면, 기판(1033)의 센터 영역(A2)에는 100% 미만의 입광 효율 및 평균광도를 갖는 광이 입사되고, 기판(1033)의 사이드 영역(A3)에서는 100%의 입광 효율 및 평균광도를 갖는 광이 입사될 수 있다. 상기 도광판(1041)을 기준으로 할 때, 기판(1033)의 센터 영역(A2)과 사이드 영역(A3)의 입광 효율 또는 평균광도의 차이는 0.2-0.9% 정도일 수 있다. 상기 센터 영역(A2)은 상기 기판(1033)의 전 영역에서 30%-60% 정도이다.
실시 예는 발광 모듈(1031)은 도광판(1041)의 입광 효율 및 평균광도가 센터 영역이 낮고, 사이드 영역이 높도록 배치하고, 도광판(1041) 내에서 혼합을 통해 평균광도를 조절할 수 있다.
실시 예는 기판의 상면에 수평한 방향으로 제1열의 제1발광 소자(101)와 제2열의 제2발광 소자(102)를 배치하였으나, 서로 다른 평면 상에 배치된 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102)로 구현될 수 있다.
도 7은 제5실시 예에 따른 도광판 입사측 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 발광 모듈(1031)은 인접한 제1발광 소자(101) 사이에 2개 또는 그 이상의 제2발광 소자(102)를 배열한 구성이다. 상기 제2발광 소자(102)는 2개 또는 그 이상의 그룹으로 인접한 제1발광 소자(101) 사이의 영역에 제1발광 소자(101)의 제1평균광도보다 높은 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하게 된다. 상기 인접한 제2발광 소자(102) 간의 간격(D7)은 상기 인접한 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 간의 간격(D1)보다 더 좁은 간격으로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시 예는 복수의 제1발광 소자(101)의 제1평균광도들보다 더 높은 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하는 복수의 제2발광 소자(102)의 사용 수율을 더 높여 줄 수 있다.
도 8은 제6실시 예에 따른 도광판 입사측 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 발광 모듈(1031)은 인접한 제2발광 소자(102) 사이에 복수의 제1발광 소자(101)가 배치된다.
상기 제1발광 소자(101)의 개수는 상기 제2발광 소자(102)의 개수보다 1.5 내지 2배 정도로 많게 배치될 수 있다. 여기서, 인접한 제1발광 소자(101) 간의 간격(T5)은 인접한 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 사이의 간격(D1)보다 더 좁을 수 있다. 이는 도광판(1041)으로의 입광 효율과 평균광도가 저하되는 것을 최소화하고, 제2발광 소자(102)의 사용 수율을 개선시켜 줄 수 있다.
다른실시 예는 2열의 발광 소자(101,102)를 배열한 구조를 설명하였으나, 3열 또는 그 이상의 열로 배열된 발광 소자를 서로 겹치지 않게 배열할 수 있다.
도 9는실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 9를참조하면, 발광 칩(51)은성장 기판(11), 버퍼층(13),저전도층(15), 제1도전형 반도체층(17), 활성층(19), 제2클래드층(21), 및 제2도전형 반도체층(23)을 포함할 수 있다.
상기 성장 기판(11)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 성장 기판(11)의 상면에는 복수의 돌출부(12)가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부(12)는 상기 성장 기판(11)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다.상기 돌출부(12)는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 성장 기판(11)의 두께는 30㎛~150㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 성장 기판(11) 위에는 복수의 화합물 반도체층이 성장될 수 있으며, 상기 복수의 화합물 반도체층의 성장 장비는전자빔증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다.
상기 성장 기판(11) 위에는 버퍼층(13)이 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층(13)은 II족 내지 VI족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 III족-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체층을 포함하며, 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체로서, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 버퍼층(13)은 서로 다른 반도체층을 교대로 배치하여 초 격자 구조로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(13)은 상기 성장 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층으로 정의될 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 상기 성장 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 버퍼층(13)은 30~500nm 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 버퍼층(13) 위에 저 전도층(15)이 형성되며, 상기 저 전도층(15)은 언도프드반도체층으로서, 제1도전형 반도체층(17)보다 낮은 전기 전도성을 가진다. 상기 저 전도층(15)은 3족-5족 화합물 반도체를 이용한 GaN계 반도체로 구현될 수 있으며, 이러한 언도프드반도체층은 의도적으로 도전형도펀트를도핑하지 않더라도 제1도전형 특성을 가지게 된다. 상기 언도프드반도체층은 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 저 전도층(15)은 복수의 제1도전형 반도체층(17) 사이에 형성될 수 있다.
상기 저 전도층(15) 위에는 제1도전형 반도체층(17)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(17)은 제1도전형 도펀트가도핑된III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(17)이 n형반도체층인 경우, 상기 제1도전형의도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다.
상기 저 전도층(15)와 상기 제1도전형 반도체층(17) 중 적어도 한 층에는 서로 다른 제1층과 제2층이 교대로 배치된 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층과 제2층의 두께는 수 Å 이상으로 형성될 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(17)과 상기 활성층(19) 사이에는 제1클래드층(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. 다른 예로서, 상기 제1 클래드층(미도시)은 InGaN층 또는InGaN/GaN초격자 구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 상기 제1 클래드층은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(17) 위에는 활성층(19)이 형성된다. 상기 활성층(19)은 단일 우물, 단일 양자 우물, 다중 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(19)은 우물층과 장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층은 에너지 준위가 연속적인 우물층일 수 있다. 또한 상기 우물층은 에너지 준위가 양자화된 양자 우물(Quantum Well)일 수 있다. 상기의우물층은 양자 우물층으로 정의될 수 있으며, 상기 장벽층은 양자 장벽층으로 정의될 수 있다. 상기 우물층과 상기 장벽층의 페어는2~30주기로 형성될 수 있다. 상기 우물층은 예컨대,InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 더 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체층으로 예컨대,InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다.상기 우물층과장벽층의 페어는 예컨대, InGaN/GaN, AlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 활성층(19)은 자외선 대역부터 가시광선 대역의 파장 범위 내에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 420nm~450nm 범위의 피크 파장을 발광할 수 있다.
상기 활성층(19) 위에는 제2클래드층(21)이 형성되며, 상기 제2클래드층(21)은 상기 활성층(19)의 장벽층의 밴드 갭보다 더 높은 밴드 갭을 가지며, III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN 계 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 클래드층(21)은 GaN,AlGaN,InAlGaN,InAlGaN, 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 클래드층(21)은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제2도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.
상기 제2클래드층(21) 위에는 제2도전형 반도체층(23)이 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(23)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(23)은 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있으며, 단층 또는 다층을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(23)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
발광 구조물(50)의 층들의 전도성 타입은 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층(23)은 n형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(17)은 p형반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(23) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 n형반도체층이더 형성할 수도 있다. 상기 발광 칩(51)은 상기 제1도전형 반도체층(17), 활성층(19) 및 상기 제2도전형 반도체층(23)을 발광 구조물(50)로 정의될 수 있으며, 상기 발광 구조물(50)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 적어도 한 구조를 포함할 수 있다. 상기 n-p 및 p-n 접합은 2개의 층 사이에 활성층이 배치되며, n-p-n 접합 또는 p-n-p 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층을 포함하게 된다.
발광 구조물(50) 위에 전극층(41) 및 제2전극(45)이 형성되며, 상기 제1도전형 반도체층(17) 위에 제1전극(43)이 형성된다.
상기 전극층(41)은 전류 확산층으로서, 투과성 및 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 전극층(41)은 화합물 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률로 형성될 수 있다.
상기 전극층(41)은 제2도전형 반도체층(23)의 상면에 형성되며, 그 물질은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 등 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(41)은 반사전극층으로 형성될 수 있으며,그 물질은 예컨대, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir 및 이들 중 2이상의 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다.
상기 제2전극(45)은 상기 제2도전형 반도체층(23) 및/또는 상기 전극층(41) 위에 형성될 수 있으며, 전극 패드를 포함할 수 있다. 상기 제2전극(45)은 암(arm) 구조 또는 핑거(finger) 구조의 전류 확산 패턴이 더 형성될 수 있다. 상기 제2전극(45)은 오믹 접촉, 접착층, 본딩층의 특성을 갖는 금속으로 비 투광성으로 이루어질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1도전형 반도체층(17)의 일부에는 제1전극(43)이 형성된다. 상기 제1전극(43)과 상기 제2전극(45)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.
상기 발광 소자(51)의 표면에 절연층이 더 형성될 수 있으며, 상기 절연층은 발광 구조물(50)의 층간 쇼트(short)를 방지하고, 습기 침투를 방지할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
101,102: 발광 소자 1011: 바텀 커버
1022: 반사부재 1031: 발광 모듈
1033: 기판 1041: 도광판
1051: 광학 시트 1061: 표시 패널
1022: 반사부재 1031: 발광 모듈
1033: 기판 1041: 도광판
1051: 광학 시트 1061: 표시 패널
Claims (16)
- 기판;
상기 기판 위에 제1열로 배치되며 제1평균광도를 갖는 제1광을 제1방향으로 발광하는 복수의 제1발광 소자; 및
상기 기판 위에 상기 제1열로부터 이격된 제2열에 배치되며 인접한 상기 제1발광 소자들 사이의 영역으로 제2평균광도를 갖는 제2광을 제1방향으로 발광하며, 상기 제1평균광도와 다른 제2평균광도를 발광하는 복수의 제2발광 소자를 포함하는 발광 모듈. - 제1항에 있어서, 상기 복수의 제2발광 소자는 상기 복수의 제1발광 소자의 광 출사면의 반대측으로부터 이격되는 발광 모듈.
- 제2항에 있어서, 상기 복수의 제2발광 소자는 상기 복수의 제1발광 소자의 제1평균광도보다 높은 제2평균광도를 발광하는 발광 모듈.
- 제3항에 있어서, 상기 복수의 제1발광 소자의 제1평균광도와 상기 복수의 제2발광 소자의 제2평균광도의 광도 차이는 0.1cd 이상인 발광 모듈.
- 제3항에 있어서, 인접한 상기 제1발광 소자의 중심과 상기 제2발광 소자의 중심 사이의 수평한 방향의 간격은 6.5mm-7.5mm 범위를 포함하는 발광 모듈.
- 제5항에 있어서, 인접한 제1발광 소자의 중심과 상기 제2발광 소자의 중심 사이의 수직한 방향의 간격은 1mm-2.5mm 범위를 포함하는 발광 모듈.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,인접한 상기 제1발광 소자와 제2발광 소자 사이에 배치되며 상기 제2발광 소자로부터 방출된 일부 광을 반사하는 복수의 가이드 부재를 포함하는 발광 모듈.
- 제7항에 있어서, 상기 복수의 가이드 부재는 상기 제2발광 소자와 상기 제1발광 소자 사이의 영역에 배치되고 상기 제2발광 소자의 광 출사면에 대해 경사지거나 수직하게 배치되는 발광 모듈.
- 제7항에 있어서, 상기 복수의 가이드 부재 간의 간격은 인접한 제1발광 소자의 양 측면 사이의 거리보다 좁게 형성되는 발광 모듈.
- 제7항에 있어서, 상기 복수의 가이드 부재의 길이는 인접한 제1발광 소자의 하면과 제2발광 소자의 상면 사이의 거리 이하로 형성되는 발광 모듈.
- 도광판; 및
상기 도광판의입사 면에 대응되는 발광 모듈을 포함하며,
상기 발광 모듈은,
기판;
상기 기판 위에 상기 도광판의입사면과 제1간격을 갖고 제1평균광도를 갖는 제1광을 발광하는 복수의 제1발광 소자;
상기 기판 위에 상기 도광판의 입사면과 제1간격보다 더 이격된 제2간격을 갖고 상기 제1평균광도와 다른 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하는 복수의 제2발광 소자를 포함하는 라이트유닛. - 제11항에 있어서, 상기 복수의 제2발광 소자는 인접한 제1발광 소자들 사이의 영역에 상기 제1평균광도보다 높은 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하는 라이트유닛.
- 제12항에 있어서, 상기 복수의 제2발광 소자는 상기 기판의 센터 영역에 배치되는 라이트유닛.
- 제12항에 있어서, 상기 발광 모듈은 상기 복수의 제1발광 소자가 상기 제2발광 소자의 개수보다 더 많은 개수로 배치되는 라이트유닛.
- 제12항에 있어서, 인접한 상기 제2발광 소자 사이에 2개 이상의 제1발광 소자가 배치되는 라이트유닛.
- 제12항에 있어서, 상기 복수의 제1발광 소자와 상기 제2발광 소자의 입광 효율과의 차이는 0.1%~3% 범위인 라이트유닛.
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-
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