KR20130068137A - Manufacturing method for focus ring of dry etching device - Google Patents

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KR20130068137A
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윤종성
원종화
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주식회사 티씨케이
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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a focus ring of a dry etching device is provided to form SiC focus rings in one deposition process and to increase the number of SiC rings at a time. CONSTITUTION: A cylindrical graphite ingot(10) is prepared. A SiC layer(20) is formed in the front surface of the graphite ingot. The SiC layer and the graphite ingot are cut down. The graphite ingot is removed. Several SiC rings are obtained.

Description

건식식각장치의 포커스링 제조방법{Manufacturing method for focus ring of dry etching device}Manufacturing method for focus ring of dry etching device

본 발명은 건식식각장치의 포커스링 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다수의 포커스링을 동시에 제조할 수 있는 건식식각장치의 포커스링 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a focus ring manufacturing method of a dry etching apparatus, and more particularly, to a focus ring manufacturing method of a dry etching apparatus capable of manufacturing a plurality of focus rings at the same time.

일반적으로, 반도체 제조공정에서 사용되는 건식식각장치는, 기체상의 식각가스를 사용하는 플라즈마식각 등이 있다. 이는 식각가스를 반응용기내로 인입시키고, 이온화시킨 후, 웨이퍼 표면으로 가속시켜 웨이퍼 표면의 최상층을 물리적, 화학적으로 제거하며, 식각의 조절이 용이하고, 생산성이 높으며, 수십 nm 수준의 미세 패턴형성이 가능하여 널리 사용되고 있다.2. Description of the Related Art In general, a dry etching apparatus used in a semiconductor manufacturing process includes plasma etching using a gaseous etching gas. This is because the etching gas is introduced into the reaction vessel, ionized and then accelerated to the wafer surface to physically and chemically remove the uppermost layer of the wafer surface. The etching is easily controlled, the productivity is high, And is widely used.

플라즈마 식각에서의 균일한 식각을 위하여 고려되어야 할 변수(parameter)들로는 식각할 층의 두께와 밀도, 식각가스의 에너지 및 온도, 포토레지스트의 접착성과 웨이퍼 표면의 상태 및 식각가스의 균일성 등을 들 수 있다. 특히, 식각가스를 이온화시키고, 이온화된 식각가스를 웨이퍼 표면으로 가속시켜 식각을 수행하는 원동력이 되는 고주파(RF: Radio frequency)의 조절은 중요한 변수가 될 수 있으며, 또한 실제 식각과정에서 직접적으로 그리고 용이하게 조절할 수 있는 변수로 고려된다.Parameters to be considered for uniform etching in plasma etching include the thickness and density of the layer to be etched, the energy and temperature of the etching gas, the adhesion of the photoresist, the state of the wafer surface and the uniformity of the etching gas . In particular, the control of radio frequency (RF), which is the driving force for ionizing the etching gas and accelerating the ionized etch gas to the wafer surface, can be an important parameter, It is considered as a variable that can be easily adjusted.

그러나, 실제로 식각이 이루어지는 웨이퍼를 기준으로 볼 때, 웨이퍼 표면 전체에 대한 균일한 에너지 분포를 갖도록 하는 고른 고주파의 적용은 필수적이며, 이러한 고주파의 적용시의 균일한 에너지 분포의 적용은 고주파의 출력의 조절만으로는 달성될 수 없으며, 이를 해결하기 위하여는 고주파를 웨이퍼에 인가하는데 사용되는 고주파 전극으로서의 스테이지와 애노우드의 형태 및 실질적으로 웨이퍼를 고정시키는 기능을 하는 포커스링 등에 의하여 크게 좌우된다.
However, it is necessary to apply a uniform high-frequency wave to the wafer surface to obtain a uniform energy distribution over the entire surface of the wafer, and the application of a uniform energy distribution in the application of such a high- And it is highly dependent on the stage as the high-frequency electrode used for applying the high frequency to the wafer, the shape of the anode, and the focus ring functioning to substantially fix the wafer in order to solve this problem.

상기 포커스링은 플라즈마가 존재하는 가혹한 조건의 반응챔버내에서 플라즈마의 확산을 방지하고, 식각 처리가 이루어지는 웨이퍼 주변에 플라즈마가 한정되도록 하는 역할을 하는 것이다.
The focus ring serves to prevent the diffusion of the plasma in the reaction chamber under the harsh conditions in which the plasma exists and to limit the plasma around the wafer on which the etching process is performed.

이처럼 포커스링은 웨이퍼의 직경에 비해 더 큰 직경의 내경을 가지는 것이며, 종래에는 웨이퍼보다 더 큰 실리콘 포커스링을 제조하기 위하여 더 큰 직경의 실리콘 잉곳(ingot)을 성장시키고, 그 실리콘 잉곳을 소정 두께의 원판 형태로 절단 한 후, 그 실리콘 원판의 중앙부를 가공하여 제거하여 제조하였다.
As such, the focus ring has an inner diameter of a larger diameter than the diameter of the wafer, and conventionally, a silicon ingot of a larger diameter is grown to produce a silicon focus ring larger than the wafer, and the silicon ingot has a predetermined thickness. After cutting to the disk shape of the silicon disc was processed by removing the center portion was prepared.

그러나 웨이퍼의 대형화가 심화되면서 직경이 더 큰 포커스링의 사용이 필요하고, 대형의 포커스링을 제조하기 위한 잉곳의 형성 및 가공면적의 증가 등에 의하여 제조가 용이하지 않은 문제점이 발생하였다.
However, as the size of the wafer has become larger, the use of a larger diameter focus ring is required, and ingot formation and an increase in the processing area for manufacturing a large focus ring have caused problems that are not easy to manufacture.

또한 앞서 설명한 바와 같이 포커스링은 그 역할이 웨이퍼의 주변에서 플라즈마의 확산을 방지하는 역할을 하기 때문에 항상 플라즈마에 노출되어 있다. 따라서 표면이 식각되어지며 그 식각에 의해 수명이 단축되어 빈번하게 교체를 해줘야 한다.In addition, as described above, the focus ring is always exposed to the plasma because its role prevents the diffusion of the plasma around the wafer. Therefore, the surface is etched and its life is shortened by the etching, so it must be replaced frequently.

이와 같은 포커스링의 빈번한 교체는 그 포커스링의 교체를 위하여 건식식각공정을 중단해야 하기 때문에 생산성이 저하되는 문제점이 있었으며, 그 포커스링의 식각에 따른 식각부산물의 양이 증가하여 식각공정의 원활한 진행이 어려운 문제점이 있었다.Such frequent replacement of the focus ring had a problem in that the productivity was reduced because the dry etching process had to be stopped for the replacement of the focus ring, and the amount of etching by-products increased due to the etching of the focus ring. There was this difficult issue.

또한 그 포커스링의 수명이 짧기 때문에 소모품으로서의 포커스링의 사용량이 많아 제조비용이 증가하는 문제점이 있었다.
In addition, since the life of the focus ring is short, the amount of use of the focus ring as a consumable increases, leading to an increase in manufacturing cost.

아울러 종래 포커스링은 웨이퍼에 비해 직경이 더 큰 실리콘 잉곳을 형성하고, 그 잉곳을 절단하여 원판을 획득한 후, 그 원판의 중앙부를 제거하는 공정이 필요하기 때문에, 그 실리콘 잉곳의 대부분을 사용할 수 없어 재료의 낭비가 심하고, 그 버려지는 실리콘의 처리가 용이하지 않은 문제점이 있었다.
In addition, since the conventional focus ring requires a process of forming a silicon ingot larger in diameter than the wafer, cutting the ingot to obtain a disc, and then removing the center of the disc, most of the silicon ingot can be used. There was a problem that the waste of the material is severe, and the disposal of the discarded silicon is not easy.

이러한 문제점을 감안하여 본 발명의 출원인이 출원 공개한 공개특허 10-2011-0033355호에는 원판형의 그라파이트 베이스에 SiC를 증착하고, 그 그라파이트 베이스의 측면을 노출시키는 절단 가공을 수행하여, 그 베이스의 측면부에 위치하는 SiC링을 획득하여 포커스링으로 사용하도록 한 것입니다.In view of such a problem, Patent Application Publication No. 10-2011-0033355, filed by the applicant of the present invention, deposits SiC on a disk-shaped graphite base, and performs cutting to expose the side surface of the graphite base. SiC ring located in the side part is acquired and used as a focus ring.

그러나 이와 같은 공개특허 10-2011-0033355호에 기재된 발명은 1회의 공정으로 하나의 포커스링을 제작할 수 있는 것이었으며, 시장에서 생산성 향상이 요구되고 있다.
However, the invention described in Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2011-0033355 is one that can produce one focus ring in one process, and productivity is required in the market.

상기한 바와 같은 시장의 요구를 해결하기 위한 본 발명의 과제는, 1회의 공정으로 다수의 SiC 포커스링을 얻을 수 있는 건식식각장치의 포커스링 제조방법을 제공함에 있다.
An object of the present invention for solving the market demand as described above is to provide a focus ring manufacturing method of a dry etching apparatus that can obtain a plurality of SiC focus ring in one process.

상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명 건식식각장치의 포커스링 제조방법은, a) 원주형의 그라파이트괴를 준비하는 단계와, b) 상기 그라파이트괴의 전면에 화학적 기상 증착법으로 SiC를 증착하여 SiC층을 형성하는 단계와, c) 상기 SiC층과 상기 그라파이트괴를 원판형으로 다분할 되도록 절단하는 단계와, d) 상기 원판형으로 절단된 상기 그라파이트괴와 상기 절단된 그라파이트괴의 외측을 둘러싼 형태의 SiC층 구조에서, 상기 그라파이트괴를 제거하여 SiC재질의 다수의 SiC링을 획득하는 단계를 포함한다.
Focus ring manufacturing method of the present invention for achieving the above object is a) preparing a cylindrical columnar graphite ingot, and b) SiC by depositing SiC on the entire surface of the graphite ingot by chemical vapor deposition; Forming a layer, c) cutting the SiC layer and the graphite ingot to be divided into discs, and d) surrounding the outside of the graphite ingots and the cut graphite ingots. In the SiC layer structure of the, comprising removing the graphite ingot to obtain a plurality of SiC ring of SiC material.

본 발명은, 원주형의 그라파이트괴의 전면에 SiC를 증착하고, 그 SiC층을 원주형의 그라파이트괴의 지름방향으로 다수회 절단하고, 그 절단된 구조에서 그라파이트를 선택적으로 제거함으로써, 1회의 증착공정으로 다수의 SiC 포커스링을 제조할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
In the present invention, SiC is deposited on the entire surface of the columnar graphite ingot, the SiC layer is cut a plurality of times in the radial direction of the columnar graphite ingot, and the graphite is removed from the cut structure. Since a plurality of SiC focus rings can be manufactured by the process, there is an effect of improving productivity.

도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 건식식각장치의 포커스링의 제조공정 수순 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d는 상기 도 1a 내지 도 1d에 각각 대응하는 제조공정 수순 사시도이다.1A to 1D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a focus ring of a dry etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
2A to 2D are perspective views illustrating a manufacturing process procedure corresponding to FIGS. 1A to 1D, respectively.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 건식식각장치의 포커스링 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
Hereinafter, a method of manufacturing a focus ring of a dry etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 건식식각장치의 포커스링 제조공정 수순 단면도이고, 도 2a 내지 도 2d는 도 1a 내지 도 1d에 대응하는 제조공정 수순 사시도이다.1A to 1D are cross-sectional views illustrating a procedure for manufacturing a focus ring of a dry etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, and FIGS. 2A to 2D are perspective views illustrating a manufacturing process procedure corresponding to FIGS. 1A to 1D.

도 1a 내지 도 1d와, 도 2a 내지 도 2d를 각각 참조하면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 건식식각장치의 포커스링 제조방법은, 원주형의 그라파이트괴(10)를 준비하는 단계(도 1a, 도 2a)와, 상기 원주형의 그라파이트괴(10)의 전면에 SiC를 증착하여 SiC층(20)을 형성하는 단계(도 1b, 도 2b)와, 상기 SiC층(20)과 그 내측의 그라파이트괴(10)를 절단면이 원형이 되도록 일정한 두께로 다수회 절단하여 원판형으로 절단된 그라파이트괴(10)와 그 주변을 소정의 폭으로 감싸는 SiC층(20) 구조를 다수로 획득하는 단계(도 1c, 도 2c)와, 상기 다수의 절단된 그라파이트괴(10)와 SiC(20) 결합구조에서 그라파이트괴(10)를 제거하여 SiC층(20)으로 이루어진 다수의 SiC링(30)을 획득하는 단계(도 1d, 도 2d)를 포함한다.
1A to 1D and 2A to 2D, respectively, a method of manufacturing a focus ring of a dry etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention includes preparing a cylindrical graphite ingot 10 (FIGS. 1A and 1A). FIG. 2A) and the step of depositing SiC on the entire surface of the columnar graphite ingot 10 to form an SiC layer 20 (FIGS. 1B and 2B), and the SiC layer 20 and graphite inside thereof. Obtaining a plurality of SiC layer 20 structures in which the ingot 10 is cut a plurality of times with a predetermined thickness so that the cut surface is circular, and the graphite ingot 10 cut into a disc shape and the surroundings are surrounded by a predetermined width (Fig. 1c, 2c), and the plurality of cut graphite ingots 10 and SiC20 to remove the graphite ingots 10 to obtain a plurality of SiC rings 30 made of the SiC layer 20 Steps (FIGS. 1D, 2D).

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 건식식각장치의 포커스링 제조방법의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.
Hereinafter, the configuration and operation of the focus ring manufacturing method of the dry etching apparatus according to the preferred embodiment of the present invention configured as described above in more detail.

먼저, 도 1a 및 도 2a에 도시한 바와 같이 원주형의 그라파이트괴(10)를 준비한다. 재료로서 그라파이트의 선택은 가공이 매우 용이하고, 이후에 SiC의 증착 온도에서 변형이 없는 재질이며, 또한 SiC와는 물리적, 화학적 특성이 달라 선택적인 제거가 용이하다는 것이다.First, as shown in Figs. 1A and 2A, a columnar graphite ingot 10 is prepared. The choice of graphite as a material is that it is very easy to process, and there is no deformation at the deposition temperature of SiC, and the selective removal is easy because of its physical and chemical properties different from that of SiC.

즉, 그라파이트괴(10)의 재질로서 위의 가공성, 내열성 및 선택적 제거가능성이 있는 재질이라면 어떤 재질이라도 사용함이 가능하게 된다.
That is, as the material of the graphite ingot 10, any material can be used as long as the material has the above workability, heat resistance and selective removal.

상기 그라파이트괴(10)의 직경은 제조하고자 하는 포커스링의 내경과 동일하게 하며, 그 그라파이트괴(10)의 길이는 하나의 포커스링의 두께와 1회의 공정으로 제조하고자 하는 포커스링의 수 및 절단가공시 소실되는 두께를 고려하여 결정된다.
The diameter of the graphite ingot 10 is equal to the inner diameter of the focus ring to be manufactured, and the length of the graphite ingot 10 is the thickness of one focus ring and the number and cutting of the focus ring to be manufactured in one step. Determined by taking into account the thickness lost during processing.

그 다음, 도 1b 및 도 2b에 도시한 바와 같이 상기 원주형의 그라파이트괴(10)를 수평상태로 거치하고, 그 그라파이트괴(10)의 전면에 SiC를 화학적 기상증착법(CVD)으로 증착하여 SiC층(20)을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 1B and 2B, the columnar graphite ingot 10 is mounted in a horizontal state, and SiC is deposited on the entire surface of the graphite ingot 10 by chemical vapor deposition (CVD). Form layer 20.

상기 SiC층(20)의 두께는 CVD 증착의 특성상 상부측에 더 두껍게 증착될 수 있으며, 따라서 CVD 공정을 수회로 나누어 그 그라파이트괴(10)를 일정한 각도로 회전시켜 SiC를 증착함으로써, 균일한 두께의 SiC층(20)을 획득할 수 있게 된다.
The thickness of the SiC layer 20 can be deposited on the upper side due to the nature of the CVD deposition, and thus by dividing the CVD process several times to rotate the graphite ingot 10 at a constant angle to deposit SiC, a uniform thickness The SiC layer 20 can be obtained.

이때 상기 원주형 그라파이트괴(10)의 양측면인 원형부분에는 상대적으로 SiC층(20)의 두께가 더 얇게 형성되나, 이 부분은 포커스링을 제작할 때 제거되는 부분으로 그 부분에서의 SiC층(20)의 두께는 본 발명과는 무관하며, 그라파이트괴(10)의 측면부분의 SiC층(20)의 두께는 곧 SiC링(30)의 폭이 되기 때문에 그 그라파이트괴(10)의 측면부분의 SiC층(20)의 두께를 조절하여 적당한 두께가 되도록 증착한다.
At this time, the thickness of the SiC layer 20 is formed to be relatively thinner in the circular portions that are both sides of the columnar graphite ingot 10, but this portion is removed when fabricating the focus ring and the SiC layer 20 in that portion. ) Is independent of the present invention, and the thickness of the SiC layer 20 on the side of the graphite ingot 10 becomes the width of the SiC ring 30, so that the SiC on the side of the graphite ingot 10 is reduced. The thickness of the layer 20 is adjusted to deposit the appropriate thickness.

그 다음, 도 1c 및 도 2c에 도시한 바와 같이 상기 그라파이트괴(10)와, 그 그라파이트괴(10)의 전면에 증착된 SiC층(20)을 다분할하여 절단한다.
1C and 2C, the graphite ingot 10 and the SiC layer 20 deposited on the entire surface of the graphite ingot 10 are divided and cut into pieces.

즉, 먼저 그라파이트괴(10)의 길이방향 양단 측면의 SiC층(20)을 절단하여 그 그라파이트괴(10)의 원형인 측면부를 노출시킨다.That is, the SiC layer 20 of the both ends of the longitudinal direction of the graphite ingot 10 is cut | disconnected, and the circular side part of the graphite ingot 10 is exposed.

그 다음, 그라파이트괴(10)와 그 둘레에 증착된 SiC층(20)을 최초 결정된 포커스링의 수와 동일하게 절단하여, 원판형으로 절단된 그라파이트괴(10)와 그 그라파이트괴(10)를 감싸는 링형의 SiC(20)의 구조를 가지는 다수의 구조를 획득한다.
Then, the graphite ingot 10 and the SiC layer 20 deposited thereon are cut in the same manner as the number of the focus rings initially determined, and the graphite ingot 10 and the graphite ingot 10 that are cut into discs are cut. A plurality of structures having the structure of the ring-shaped SiC 20 are obtained.

상기 그라파이트괴(10)는 그 길이를 포커스링의 두께와 1회의 증착공정으로 얻을 수 있는 포커스링의 수에 맞게 정해진 것으로, 그 길이에 비례하여 획득할 수 있는 포커스링의 수량이 증가하게 된다.
The graphite ingot 10 has a length determined according to the thickness of the focus ring and the number of focus rings that can be obtained in one deposition process, and the number of focus rings that can be obtained in proportion to the length increases.

그 다음, 도 1d 및 도 2d에 도시한 바와 같이 상기 원판형으로 절단된 그라파이트괴(10)와 그 외측을 링형으로 감싸는 SiC층(20)을 포함하는 구조에서 그라파이트괴(10)를 제거하여 링형의 SiC층(20)을 남겨 SiC링(30)을 획득할 수 있게 된다.
Next, as shown in FIGS. 1D and 2D, the graphite ingot 10 is removed from the structure including the graphite ingot 10 cut into the disc and the SiC layer 20 surrounding the outside in a ring. The SiC ring 30 can be obtained by leaving the SiC layer 20 of.

상기 그라파이트괴(10)를 제거하는 방법은 물리적인 가공이나 화학적 처리 또는 산소분위기에서의 열처리를 통해 용이하게 그 그라파이트괴(10)와 SiC층(20)을 분리할 수 있게 된다.
In the method of removing the graphite ingot 10, the graphite ingot 10 and the SiC layer 20 can be easily separated through physical processing, chemical treatment, or heat treatment in an oxygen atmosphere.

상기와 같이 1회의 증착공정을 통해 획득할 수 있는 SiC링(30)의 수를 증가시켜, SiC링(30)의 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.
As described above, by increasing the number of SiC rings 30 that can be obtained through one deposition process, the productivity of the SiC rings 30 can be improved.

이처럼 제조된 SiC링(30)의 내경의 직경은 상기 그라파이트괴(10)의 직경에 의해 결정되며, SiC링(30)의 내경과 외경을 연결하는 최단 직선거리인 SiC링(30)의 폭은 상기 SiC층(20)의 증착 두께에 해당하는 것으로 SiC링(30)을 제조한 후에 후처리 과정이 요구되지 않는다.
The diameter of the inner diameter of the SiC ring 30 manufactured as described above is determined by the diameter of the graphite ingot 10, and the width of the SiC ring 30 which is the shortest linear distance connecting the inner diameter and the outer diameter of the SiC ring 30 is The post-treatment process is not required after the SiC ring 30 is manufactured to correspond to the deposition thickness of the SiC layer 20.

전술한 바와 같이 본 발명에 대하여 바람직한 실시예를 들어 상세히 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And this also belongs to the present invention.

10:그라파이트괴 20:SiC층
30:SiC링10: graphite ingot 20: SiC layer
30: SiC ring

Claims (5)

a) 원주형의 그라파이트괴를 준비하는 단계;
b) 상기 그라파이트괴의 전면에 화학적 기상 증착법으로 SiC를 증착하여 SiC층을 형성하는 단계;
c) 상기 SiC층과 상기 그라파이트괴를 원판형으로 다분할 되도록 절단하는 단계; 및
d) 상기 원판형으로 절단된 상기 그라파이트괴와 상기 절단된 그라파이트괴의 외측을 둘러싼 형태의 SiC층 구조에서, 상기 그라파이트괴를 제거하여 SiC재질의 다수의 SiC링을 획득하는 단계를 포함하는 건식식각장치의 포커스링 제조방법.
a) preparing columnar graphite ingots;
b) depositing SiC by chemical vapor deposition on the entire surface of the graphite ingot to form a SiC layer;
c) cutting the SiC layer and the graphite ingot to be divided into discs; And
d) in the SiC layer structure having a shape surrounding the outer side of the graphite ingot and the cut graphite ingot, and removing the graphite ingot to obtain a plurality of SiC rings of SiC material. Method for manufacturing a focus ring of a device.
제1항에 있어서,
상기 b) 단계는,
상기 SiC의 증착과정을 다수회로 분할하여, 상기 그라파이트괴를 원형인 양단부의 중심을 기준으로 회전시키면서 단계적으로 증착하는 것을 특징으로 하는 건식식각장치의 포커스링 제조방법.
The method of claim 1,
The step b)
The process of manufacturing a focus ring of a dry etching apparatus, comprising: dividing the SiC deposition process into a plurality of circuits and depositing the graphite ingots while rotating the graphite ingots with respect to the centers of both circular ends.
제1항에 있어서,
상기 c) 단계는,
상기 그라파이트괴의 원형인 양단부의 측면에 증착된 SiC층을 절단하여 제거하고, 상기 그라파이트괴와 상기 그라파이트괴의 둘레를 감싸는 SiC층을 원판형으로 절단하는 것을 특징으로 하는 건식식각장치의 포커스링 제조방법.
The method of claim 1,
The step c)
The focus ring of the dry etching apparatus, characterized in that the SiC layer deposited on both sides of the circular end of the graphite ingot is cut and removed, and the SiC layer surrounding the graphite ingot and the graphite ingot is cut into a disc shape. Way.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 그라파이트괴는,
직경이 상기 SiC링의 내경과 동일하며,
길이는 상기 SiC링의 두께와 제조할 SiC링의 수량 및 절단에 의해 소실되는 두께를 감안하여 결정되는 것을 특징으로 하는 건식식각장치의 포커스링 제조방법.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The graphite ingot,
The diameter is the same as the inner diameter of the SiC ring,
Length is determined in consideration of the thickness of the SiC ring, the number of SiC rings to be produced and the thickness lost by cutting, the focus ring manufacturing method of a dry etching apparatus.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 d) 단계는,
상기 원판형의 그라파이트괴를 물리적 또는 화학적인 방법으로 제거하거나, 산소분위기에서 열처리하여 제거하는 것을 특징으로 하는 건식식각장치의 포커스링 제조방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The step d)
The disk-shaped graphite ingot is removed by a physical or chemical method, or heat treatment in an oxygen atmosphere to remove the focus ring manufacturing method of a dry etching apparatus.
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