KR20130066452A - Organic light-emitting display device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An organic light emitting display device is provided to prevent luminance non-uniformity by compensating threshold voltage. CONSTITUTION: A first transistor(M1) controls supply of reference voltage. A second transistor(M2) is connected to a third node to control supply of initialization voltage. A third transistor is connected to the third node to control supply of power supply voltage. A fourth transistor is connected to a first node to control supply of data voltage. A driving transistor generates driving current for supplying the driving current to an organic light-emitting device(OLED). A storage capacitor(Cst) is connected between the first node and the second node to maintain the data voltage.

Description

유기발광 표시장치{Organic light-emitting display device}[0001] The present invention relates to an organic light-emitting display device,

실시예는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.Embodiments relate to an organic light emitting display device.

정보를 표시하기 위한 표시장치가 널리 개발되고 있다.Display devices for displaying information have been widely developed.

표시장치는 액정표시장치, 유기발광 표시장치, 전기영동 표시장치, 전계방출 표시장치, 플라즈마 표시장치를 포함한다.The display device includes a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, an electrophoretic display device, a field emission display device, and a plasma display device.

이 중에서, 유기발광 표시장치는 액정표시장치에 비해, 소비 전력이 낮고, 시야각이 넓으며, 더욱 가볍고, 휘도가 높아, 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.Among them, the organic light emitting display device is lower in power consumption, wider in viewing angle, lighter in weight, and higher in brightness than the liquid crystal display device, and has attracted attention as a next generation display device.

유기발광 표시장치에 사용되는 박막 트랜지스터는 아몰포스 실리콘을 결정화를 통해 폴리실리콘으로 형성한 반도체층에 의해 이동도를 증가시켜 고속 구동이 가능하게 되었다.The thin film transistor used in the organic light emitting diode display has increased the mobility by the semiconductor layer formed of polysilicon through the crystallization of amorphous silicon, thereby enabling high speed driving.

결정화는 레이저를 이용한 스캔 방식이 널리 이용되고 있다. 이러한 결정화 공정시, 레이저의 파워 불안정으로 인해, 스캔이 지나간 자리를 의미하는 스캔 라인에 형성된 박막 트랜지스터의 문턱 전압이 서로 상이해지게 되어, 각 화소 영역에서의 화질 불균일이 초래되는 문제가 있다.A laser scanning method is widely used for crystallization. In such a crystallization process, the threshold voltages of the thin film transistors formed on the scan lines, which means the scan passes, are different from each other due to the unstable power of the laser, resulting in a problem of uneven image quality in each pixel area.

이러한 화질 불균일은 각 화소의 박막 트랜지스터의 문턱 전압의 편차나 이동도의 편차에 기인한다.This image quality nonuniformity is caused by the deviation of the threshold voltage and the mobility of the thin film transistor of each pixel.

실시예는 문턱 전압을 보상하여 화질 불균일을 방지할 수 있는 유기발광 표시장치를 제공한다.The embodiment provides an organic light emitting display device capable of compensating threshold voltages and preventing image quality irregularities.

실시예는 이동도를 보상하여 화질 불균일을 방지할 수 있는 유기발광 표시장치를 제공한다.The embodiment provides an organic light emitting display device capable of compensating for mobility to prevent image quality irregularities.

실시예에 따르면, 유기발광 표시장치는 다수의 화소 영역을 포함하고, 상기 각 화소 영역은, 기준 전압의 공급을 제어하기 위해 제1 노드에 연결되는 제1 트랜지스터; 초기화 전압의 공급을 제어하기 위해 제3 노드에 연결되는 제2 트랜지스터; 전원 전압의 공급을 제어하기 위해 상기 제3 노드에 연결되는 제3 트랜지스터; 데이터 전압의 공급을 제어하기 위해 상기 제1 노드에 연결되는 제4 트랜지스터; 광을 발광하기 위해 제2 노드에 연결되는 유기발광 소자; 상기 유기발광 소자로 공급하기 위한 구동 전류를 생성하기 위해 상기 제1 내지 제3 노드 사이에 연결되는 구동 트랜지스터; 및 상기 데이터 전압을 유지시켜 주기 위해 상기 제1 및 제2 노드 사이에 연결되는 스토리지 캐패시터를 포함한다.According to an embodiment, the organic light emitting diode display includes a plurality of pixel regions, each pixel region comprising: a first transistor connected to a first node to control a supply of a reference voltage; A second transistor coupled to the third node for controlling the supply of an initialization voltage; A third transistor coupled to the third node for controlling a supply of a power supply voltage; A fourth transistor coupled to the first node for controlling the supply of a data voltage; An organic light emitting device connected to the second node to emit light; A driving transistor connected between the first to third nodes to generate a driving current for supplying the organic light emitting device; And a storage capacitor connected between the first and second nodes to maintain the data voltage.

실시예는 문턱 전압 보상뿐만 아니라 전원 전압의 변동도 보상하여 줌으로써, 휘도 불균일을 방지할 수 있다. The embodiment compensates for not only the threshold voltage compensation but also the fluctuation of the power supply voltage, thereby preventing luminance unevenness.

실시예는 각 화소 영역의 구동 전류가 이동도의 대소에 반비례하여 가변됨으로써, 이동도 보상으로 인해 휘도 불균일이 방지될 수 있다. According to the embodiment, the driving current of each pixel region is changed in inverse proportion to the magnitude of the mobility, whereby luminance unevenness can be prevented due to the mobility compensation.

도 1은 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 도시한 블록도이다.
도 2는 도 1의 유기발광 패널을 도시한 회로도이다.
도 3은 도 2의 화소 영역의 상세 회로도이다.
도 4는 도 2의 화소 영역을 구동하기 위한 제1 파형도이다.
도 5a 내지 도 5d는 시간별로 화소 영역을 구동할 때의 트랜지스터의 스위칭 모습을 도시한 회로도이다.
도 6은 도 2의 화소 영역을 구동하기 위한 제2 파형도이다.
도 7a 및 도 7b는 시간별로 화소 영역을 구동할 때의 트랜지스터의 스위칭 모습을 도시한 회로도이다.
도 8a 및 도 8b는 종래와 실시예의 문턱 전압 편차를 도시한 도면이다.
도 9a 및 도 9b는 종래와 실시예의 이동도 편차를 도시한 도면이다.
도 10a 및 도 10b는 종래와 실시예의 제1 전원 전압의 편차를 도시한 도면이다.1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment.
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating the organic light emitting panel of FIG. 1.
3 is a detailed circuit diagram of the pixel area of FIG. 2.
FIG. 4 is a first waveform diagram for driving the pixel region of FIG. 2.
5A through 5D are circuit diagrams illustrating a switching state of a transistor when driving a pixel region according to time.
FIG. 6 is a second waveform diagram for driving the pixel region of FIG. 2.
7A and 7B are circuit diagrams illustrating a switching state of a transistor when driving a pixel region with time.
8A and 8B illustrate threshold voltage deviations of the prior art and the embodiment.
9A and 9B are diagrams showing mobility deviations of the prior art and the embodiment.
10A and 10B are diagrams showing deviations of the first power supply voltage of the prior art and the embodiment.

발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In describing an embodiment according to the invention, in the case of being described as being formed "above" or "below" each element, the upper (upper) or lower (lower) Directly contacted or formed such that one or more other components are disposed between the two components. In addition, when expressed as "up (up) or down (down)" may include the meaning of the down direction as well as the up direction based on one component.

도 1은 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 도시한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 유기발광 패널(10), 제어부(30), 전원 생성부(20), 감마전압 생성부(50), 스캔 드라이버(40) 및 데이터 드라이버(60)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, an organic light emitting display device according to an embodiment includes an organic light emitting panel 10, a controller 30, a power generator 20, a gamma voltage generator 50, a scan driver 40, and a data driver. 60 may be included.

상기 스캔 드라이버(40)는 스캔 신호를 상기 유기발광 패널(10)으로 제공할 수 있다.The scan driver 40 may provide a scan signal to the organic light emitting panel 10.

상기 데이터 드라이버(60)는 데이터 전압을 상기 유기패널 패널(10)으로 제공할 수 있다.The data driver 60 may provide a data voltage to the organic panel panel 10.

상기 감마전압 생성부(50)는 상기 제어부(30)로부터 제공된 영상 신호(RGB)에 대응하는 데이터 전압을 생성하도록 도와주는 감마전압을 생성할 수 있다. The gamma voltage generator 50 may generate a gamma voltage to help generate a data voltage corresponding to the image signal RGB provided from the controller 30.

즉, 상기 데이터 드라이버(60)는 상기 영상 신호에 대응하는 데이터 전압을 상기 감마전압 생성부(50)에서 제공된 감마전압을 이용하여 생성할 수 있다. That is, the data driver 60 may generate a data voltage corresponding to the image signal by using the gamma voltage provided from the gamma voltage generator 50.

상기 유기발광 패널(10)은 도 2에 도시한 바와 같이, 다수의 게이트 라인(GL1 내지 GLn), 다수의 데이터 라인(DL1 내지 DLm), 다수의 제1 전원전압 라인 및 다수의 제2 전원전압 라인을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, the organic light emitting panel 10 includes a plurality of gate lines GL1 to GLn, a plurality of data lines DL1 to DLm, a plurality of first power voltage lines, and a plurality of second power voltages. It may include a line.

도시되지 않았지만, 상기 유기발광 패널(10)은 이 이외에 필요에 따라 다수의 신호 라인들을 더 포함할 수 있다. Although not shown, the organic light emitting panel 10 may further include a plurality of signal lines as necessary.

상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차에 의해 다수의 화소 영역(P)이 정의될 수 있다. A plurality of pixel regions P may be defined by the intersection of the gate line and the data line.

상기 화소 영역(P)들은 매트릭스로 배열될 수 있다. The pixel regions P may be arranged in a matrix.

상기 각 화소 영역(P)은 게이트 라인, 데이터 라인 및 제1 및 제2 전원전압 라인에 전기적으로 연결될 수 있다. Each pixel area P may be electrically connected to a gate line, a data line, and first and second power voltage lines.

예컨대, 상기 게이트 라인은 수평 방향으로 배열된 다수의 화소 영역(P)들에 전기적으로 연결되고, 상기 데이터 라인은 수직 방향으로 배열된 다수의 화소 영역(P)들에 전기적으로 연결될 수 있다. For example, the gate line may be electrically connected to the plurality of pixel regions P arranged in the horizontal direction, and the data line may be electrically connected to the plurality of pixel regions P arranged in the vertical direction.

상기 화소 영역(P)에는 스캔 신호(Scan), 데이터 전압(DATA), 제1 및 제2 전원 전압(ELVDD, ELVSS) 등이 공급될 수 있다. 즉, 상기 스캔 신호(Scan)는 상기 게이트 라인을 통해 상기 화소 영역(P)에 공급되고, 상기 데이터 전압(DATA)은 상기 데이터 라인을 통해 상기 화소 영역(P)에 공급되며, 상기 제1 및 제2 전원 전압(ELVDD, ELVSS)은 상기 제1 및 제2 전원전압 라인을 통해 상기 화소 영역(P)에 공급될 수 있다. A scan signal Scan, a data voltage DATA, first and second power voltages ELVDD and ELVSS may be supplied to the pixel area P. FIG. That is, the scan signal Scan is supplied to the pixel region P through the gate line, the data voltage DATA is supplied to the pixel region P through the data line, and the first and Second power supply voltages ELVDD and ELVSS may be supplied to the pixel region P through the first and second power supply voltage lines.

각 화소 영역(P)은 도 3에 도시한 바와 같이, 제1 내지 제5 트랜지스터(M1 내지 M5), 스토리지 캐패시터(Cst) 및 유기발광 소자(OLED)가 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 즉, 각 화소 영역(P)에 형성된 트랜지스터의 개수와 이들 간의 연결 구조는 설계자에 의해 다양하게 변형 가능할 수 있으며, 실시예는 설계자에 의해 변형 가능한 모든 화소 영역의 회로 구조에 적용될 수 있다.As illustrated in FIG. 3, each pixel area P may include, but is not limited to, first to fifth transistors M1 to M5, a storage capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED. . That is, the number of transistors formed in each pixel region P and the connection structure therebetween may be variously modified by a designer, and the embodiment may be applied to a circuit structure of all pixel regions that may be modified by a designer.

상기 제1 내지 제4 트랜지스터(M1 내지 M4)는 신호의 전달을 위한 스위칭 트랜지스터일 수 있고, 상기 제5 트랜지스터(M5)는 상기 유기발광 소자(OLED)를 구동하기 위한 구동 전류(Ioled)를 생성하여 주는 구동 트랜지스터일 수 있다.The first to fourth transistors M1 to M4 may be switching transistors for transmitting signals, and the fifth transistor M5 generates a driving current Ioled for driving the organic light emitting diode OLED. It may be a driving transistor.

상기 스토리지 캐패시터(Cst)는 데이터 전압(DATA)을 한 프레임 동안 유지시켜주는 역할을 할 수 있다.The storage capacitor Cst may serve to maintain the data voltage DATA for one frame.

상기 유기발광 소자(OLED)는 광을 생성하는 부재로서, 구동 전류(Ioled)의 세기에 따라 서로 상이한 휘도를 갖는 광이 생성될 수 있다.The organic light emitting diode OLED is a member that generates light, and light having different luminance may be generated according to the intensity of the driving current Ioled.

상기 유기발광 소자(OLED)는 적색 광을 생성하는 적색 유기발광 소자(OLED), 녹색 광을 생성하는 녹색 유기발광 소자(OLED) 및 청색 광을 생성하는 청색 유기발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. The organic light emitting diode OLED may include a red organic light emitting diode OLED for generating red light, a green organic light emitting diode OLED for generating green light, and a blue organic light emitting diode OLED for generating blue light. have.

상기 제1 내지 제5 트랜지스터(M1 내지 M5)는 NMOS형 박막 트랜지스터일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제1 내지 제5 트랜지스터(M1 내지 M5)는 하이 레벨의 신호에 의해 턴 온되고, 로우 레벨의 신호에 의해 턴 오프될 수 있다. The first to fifth transistors M1 to M5 may be NMOS thin film transistors, but are not limited thereto. The first to fifth transistors M1 to M5 may be turned on by a high level signal and turned off by a low level signal.

여기서, 로우 레벨은 그라운드 전압이나 이에 근접한 전압일 수 있고, 하이 레벨은 그라운드 전압보다 낮은 전압일 수 있다. Here, the low level may be a ground voltage or a voltage close thereto, and the high level may be a voltage lower than the ground voltage.

예컨대, 로우 레벨은 -11V이고, 하이 레벨은 22V일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.For example, the low level may be -11V and the high level may be 22V, but is not limited thereto.

상기 제1 전원전압(ELVDD)은 하이 레벨의 신호이고 상기 제2 전원전압(ELVSS)은 로우 레벨의 신호일 수 있다. The first power supply voltage ELVDD may be a high level signal and the second power supply voltage ELVSS may be a low level signal.

상기 제1 및 제2 전원전압(ELVDD, ELVSS)은 항상 일정한 레벨을 갖는 DC 전압일 수 있다. The first and second power supply voltages ELVDD and ELVSS may always be DC voltages having a constant level.

상기 제1 트랜지스터(M1)는 제1 노드(n1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 제1 트랜지스터(M1)는 게이트 전극이 제2 선택 신호의 라인에 연결되고, 소오스 전극이 기준 전압의 라인에 연결되며, 드레인 전극이 상기 제1 노드(n1)에 연결될 수 있다. 따라서, 상기 제1 트랜지스터(M1)는 제2 선택 신호(S2)의 하이 레벨에 의해 턴온되어 기준 전압(REF)이 상기 제1 노드(n1)에 공급될 수 있다. 상기 기준 전압(REF)은 하이 레벨과 같거나 이에 근접한 값을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first transistor M1 may be electrically connected to the first node n1. That is, the first transistor M1 may have a gate electrode connected to the line of the second selection signal, a source electrode connected to the line of the reference voltage, and a drain electrode connected to the first node n1. Accordingly, the first transistor M1 may be turned on by the high level of the second select signal S2 so that the reference voltage REF is supplied to the first node n1. The reference voltage REF may have a value equal to or close to a high level, but is not limited thereto.

상기 제2 트랜지스터(M2)는 제3 노드(n3)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 제2 트랜지스터(M2)는 게이트 전극이 제1 선택 신호의 라인에 연결되고, 소오스 전극이 초기화 전압의 라인에 연결되며, 드레인 전극이 상기 제3 노드(n3)에 연결될 수 있다. 따라서, 상기 제2 트랜지스터(M2)는 제1 선택 신호(S1)의 하이 레벨에 의해 턴온되어 제3 노드(n3)가 초기화 전압(VINI)으로 초기화될 수 있다. 상기 초기화 전압(VINI)은 로우 레벨과 같거나 이에 근접한 값을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The second transistor M2 may be electrically connected to the third node n3. That is, the second transistor M2 may have a gate electrode connected to the line of the first selection signal, a source electrode connected to the line of the initialization voltage, and a drain electrode connected to the third node n3. Accordingly, the second transistor M2 may be turned on by the high level of the first selection signal S1 so that the third node n3 may be initialized to the initialization voltage VINI. The initialization voltage VINI may have a value equal to or close to a low level, but is not limited thereto.

상기 제3 트랜지스터(M3)는 상기 제3 노드(n3)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 제3 트랜지스터(M3)는 게이트 전극이 제3 선택 신호의 라인에 연결되고, 소오스 전극이 제1 전원 전압의 라인에 연결되며, 드레인 전극이 상기 제3 노드(n3)에 연결될 수 있다. 따라서, 상기 제3 트랜지스터(M3)는 제3 선택 신호(S3)에 의해 턴온되어 제3 노드(n3)를 경유하여 상기 제5 트랜지스터(M5)에 공급될 수 있다. The third transistor M3 may be electrically connected to the third node n3. That is, in the third transistor M3, a gate electrode may be connected to a line of a third select signal, a source electrode may be connected to a line of a first power supply voltage, and a drain electrode may be connected to the third node n3. . Therefore, the third transistor M3 may be turned on by the third select signal S3 and supplied to the fifth transistor M5 via the third node n3.

상기 제4 트랜지스터(M4)는 상기 제1 노드(n1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 제4 트랜지스터(M4)는 게이트 전극이 제4 선택 신호의 라인에 연결되고, 소오스 전극은 데이터 라인에 연결되며, 드레인 전극은 상기 제1 노드(n1)에 연결될 수 있다. 따라서, 상기 제4 트랜지스터(M4)는 제4 선택 신호(S4)에 의해 턴온되어 데이터 전압(DATA)이 상기 제1 노드(n1)에 공급될 수 있다. The fourth transistor M4 may be electrically connected to the first node n1. That is, the fourth transistor M4 may have a gate electrode connected to the line of the fourth select signal, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode connected to the first node n1. Accordingly, the fourth transistor M4 may be turned on by the fourth select signal S4 to supply the data voltage DATA to the first node n1.

상기 제5 트랜지스터(M5)는 상기 제1 노드(n1), 상기 제2 노드(n2) 및 상기 제3 노드(n3)에 연결될 수 있다. 즉, 상기 제5 트랜지스터(M5)는 게이트 전극이 상기 제1 노드(n1)에 연결되고, 드레인 전극이 상기 제3 노드(n3)에 연결되며, 소오스 전극이 상기 제2 노드(n2)에 연결될 수 있다. 따라서, 상기 제5 트랜지스터(M5)는 상기 제1 노드(n1)에 충전된 데이터 전압(DATA)에 따른 구동 전류(Ioled)를 생성하여 상기 제2 노드(n2)를 경유하여 상기 유기발광 소자(OLED)로 공급될 수 있다. The fifth transistor M5 may be connected to the first node n1, the second node n2, and the third node n3. That is, in the fifth transistor M5, a gate electrode is connected to the first node n1, a drain electrode is connected to the third node n3, and a source electrode is connected to the second node n2. Can be. Accordingly, the fifth transistor M5 generates the driving current Ioled according to the data voltage DATA charged in the first node n1 and passes through the second node n2. OLED).

상기 스토리지 캐패시터(Cst)는 상기 제1 및 제2 노드(n1, n2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉 상기 스토리지 캐패시터는 제1 단자가 상기 제1 노드(n1)에 연결되고 제2 단자가 상기 제2 노드(n2)에 연결될 수 있다. 따라서, 상기 스토리지 캐패시터(Cst)는 상기 제1 노드(n1)에 충전된 전압, 예컨대 기준 전압(REF) 또는 데이터 전압(DATA)을 상기 제2 노드(n2)에도 충전되도록 할 수 있다. The storage capacitor Cst may be electrically connected between the first and second nodes n1 and n2. That is, the storage capacitor may have a first terminal connected to the first node n1 and a second terminal connected to the second node n2. Therefore, the storage capacitor Cst may charge the second node n2 with the voltage charged at the first node n1, for example, the reference voltage REF or the data voltage DATA.

상기 유기발광 소자(OLED)는 상기 제2 노드(n2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 유기발광 소자(OLED)는 제1 단자가 상기 제2 노드(n2)에 연결되고, 제2 단자가 제2 전원 전압의 라인에 연결될 수 있다. 상기 유기발광 소자(OLED)는 상기 제5 트랜지스터(M5)에서 생성된 구동 전류(Ioled)를 제공받아, 상기 구동 전류(Ioled)에 상응하는 휘도 또는 계조의 광을 발광되도록 한다.The organic light emitting diode OLED may be electrically connected to the second node n2. That is, the organic light emitting diode OLED may have a first terminal connected to the second node n2 and a second terminal connected to a line of a second power voltage. The organic light emitting diode OLED receives the driving current Ioled generated by the fifth transistor M5 to emit light having a luminance or gradation corresponding to the driving current Ioled.

도 3의 화소 영역의 회로 구조는 도 4 또는 도 6에 도시한 파형에 의해 구동될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The circuit structure of the pixel region of FIG. 3 may be driven by the waveforms shown in FIG. 4 or 6, but is not limited thereto.

도 4에 도시한 바와 같이, 화소 영역의 회로 구조는 4개의 개별 구간에 의해 구동될 수 있다. As shown in FIG. 4, the circuit structure of the pixel region may be driven by four separate sections.

초기화 구간은 유기발광 소자(OLED)를 초기화하는 구간일 수 있다.The initialization section may be a section for initializing the OLED.

문턱 전압 센싱 구간은 제5 트랜지스터(M5)의 문턱 전압을 센싱하는 구간일 수 있다. The threshold voltage sensing period may be a period for sensing the threshold voltage of the fifth transistor M5.

라이팅 구간은 데이터 전압(DATA)을 공급하는 구간일 수 있다.The writing period may be a period for supplying the data voltage DATA.

발광 구간은 유기발광 소자(OLED)를 발광시키는 구간일 수 있다. The emission period may be a period for emitting the organic light emitting diode OLED.

각 구간의 동작을 도 5a 내지 도 5d를 참고로 상세히 설명한다.
The operation of each section will be described in detail with reference to FIGS. 5A to 5D.

<초기화 구간><Initialization section>

도 5a에 도시한 바와 같이, 초기화 구간에서 하이 레벨의 제1 및 제2 선택 신호(S1, S2)가 화소 영역으로 공급될 수 있다. 이때, 상기 제3 및 제4 선택 신호(S3, S4)는 로우 레벨로 유지될 수 있다.As shown in FIG. 5A, the first and second selection signals S1 and S2 having high levels may be supplied to the pixel area in the initialization period. In this case, the third and fourth selection signals S3 and S4 may be maintained at a low level.

하이 레벨의 제1 선택 신호(S1)에 의해 상기 제2 트랜지스터(M2)가 턴온되어, 초기화 전압(VINI)에 의해 제3 노드(n3)가 초기화될 수 있다. 즉, 상기 제3 노드(n3)의 전압은 상기 초기화 전압(VINI)으로 방전될 수 있다. The second transistor M2 is turned on by the first select signal S1 having a high level, and the third node n3 may be initialized by the initialization voltage VINI. That is, the voltage of the third node n3 may be discharged to the initialization voltage VINI.

하이 레벨의 제2 선택 신호(S2)에 의해 상기 제1 트랜지스터(M1)가 턴온되어, 기준 전압(REF)이 상기 제1 트랜지스터(M1)를 경유하여 제1 노드(n1)로 공급될 수 있다. 이때, 제2 노드(n2), 즉 제5 트랜지스터(M5)의 소오스 전극 또한 제3 노드(n3)의 초기화 전압(VINI)으로 초기화될 수 있다.
The first transistor M1 may be turned on by the second select signal S2 having a high level, and the reference voltage REF may be supplied to the first node n1 via the first transistor M1. . In this case, the source electrode of the second node n2, that is, the fifth transistor M5 may also be initialized to the initialization voltage VINI of the third node n3.

<문턱 전압 센싱 구간>Threshold Voltage Sensing Section

도 5b에 도시한 바와 같이, 문턱 전압 센싱 구간에서 하이 레벨의 제2 및 제3 선택 신호(S2, S3)가 화소 영역으로 공급될 수 있다. 이때, 상기 제1 및 제4 선택 신호(S1, S4)는 로우 레벨로 유지될 수 있다.As illustrated in FIG. 5B, the second and third selection signals S2 and S3 having high levels may be supplied to the pixel area in the threshold voltage sensing period. In this case, the first and fourth selection signals S1 and S4 may be maintained at a low level.

하이 레벨의 제2 선택 신호(S2)에 의해 상기 제1 트랜지스터(M1)의 턴온이 계속하여 유지되므로, 상기 제1 노드(n1) 또한 기준 전압(REF)으로 유지될 수 있다. Since the turn-on of the first transistor M1 is continuously maintained by the second select signal S2 having a high level, the first node n1 may also be maintained at the reference voltage REF.

하이 레벨의 제3 선택 신호(S3)에 의해 상기 제3 트랜지스터(M3)가 턴온되어, 제1 전원 전압(ELVDD)이 상기 제3 트랜지스터(M3)를 경유하여 제3 노드(n3)로 공급될 수 있다. The third transistor M3 is turned on by the high level third select signal S3 so that the first power voltage ELVDD is supplied to the third node n3 via the third transistor M3. Can be.

상기 제2 노드(n2), 즉 제5 트랜지스터(M5)의 드레인 전극은 스토리지 캐패시터(Cst)에 의해 상기 제1 노드(n1)에 충전된 기준 전압(REF)과 상기 제5 트랜지스터(M5)의 문턱 전압 사이의 차이값이 될 수 있다. 이에 따라, 상기 제5 트랜지스터(M5)의 문턱 전압이 센싱될 수 있다.
The drain electrode of the second node n2, that is, the fifth transistor M5 is connected to the reference voltage REF charged in the first node n1 by the storage capacitor Cst and the fifth transistor M5. It can be the difference between the threshold voltages. Accordingly, the threshold voltage of the fifth transistor M5 may be sensed.

<라이팅 구간><Writing section>

도 5c에 도시한 바와 같이, 라이팅 구간에서 하이 레벨의 제4 선택 신호(S4)가 화소 영역으로 공급될 수 있다. 이때, 상기 제1 내지 제3 선택 신호(S1 내지 S3)는 로우 레벨로 유지될 수 있다.As illustrated in FIG. 5C, the fourth selection signal S4 having a high level may be supplied to the pixel area in the writing period. In this case, the first to third selection signals S1 to S3 may be maintained at a low level.

하이 레벨의 제4 선택 신호(S4)에 의해 제4 트랜지스터(M4)가 턴온되어, 데이터 전압(DATA)이 상기 제4 트랜지스터(M4)를 경유하여 상기 제1 노드(n1)로 공급될 수 있다. 상기 제1 노드(n1)가 데이터 전압(DATA)으로 충전됨에 따라 상시 스터리지 캐패시터에 연결된 제2 노드(n2), 즉 상기 제5 트랜지스터(M5)의 소오스 전극에는 데이터 전압(DATA)과 기준 전압(REF)의 차이값이 더해질 수 있다.
The fourth transistor M4 is turned on by the high level fourth select signal S4 so that the data voltage DATA can be supplied to the first node n1 via the fourth transistor M4. . As the first node n1 is charged with the data voltage DATA, a data voltage DATA and a reference voltage are provided at the second node n2, that is, the source electrode of the fifth transistor M5, connected to the constant capacitor. The difference in (REF) can be added.

<발광 구간><Light emission section>

도 5d에 도시한 바와 같이, 발광 구간에서 하이 레벨의 제3 선택 신호(S3)가 화소 영역으로 공급될 수 있다. 이때, 상기 제1 및 제2 선택 신호(S1, S2) 및 제4 선택 신호(S4)는 로우 레벨로 유지될 수 있다. As illustrated in FIG. 5D, the third selection signal S3 having a high level may be supplied to the pixel area in the emission period. In this case, the first and second selection signals S1 and S2 and the fourth selection signal S4 may be maintained at a low level.

하이 레벨의 제3 선택 신호(S3)에 의해 제3 트랜지스터(M3)가 턴온되어, 제1 전원 전압(ELVDD)이 상기 제3 트랜지스터(M3)를 경유하여 제3 노드(n3)로 공급될 수 있다. The third transistor M3 is turned on by the high level third select signal S3 so that the first power voltage ELVDD can be supplied to the third node n3 via the third transistor M3. have.

따라서, 상기 제5 트랜지스터(M5)는 상기 제1 노드(n1)에 충전된 데이터 전압(DATA)에 의해 변경된 제2 노드(n2)의 전압에 의한 구동 전류(Ioled)가 발생되어 상기 유기발광 소자(OLED)로 공급될 수 있다. 상기 유기발광 소자(OLED)는 상기 구동 전류(Ioled)에 의해 발광될 수 있다. Accordingly, the fifth transistor M5 generates a driving current Ioled due to the voltage of the second node n2 changed by the data voltage DATA charged in the first node n1 to generate the organic light emitting diode. (OLED) can be supplied. The organic light emitting diode OLED may emit light by the driving current Ioled.

이때, 문턱 전압이 보상되어 상기 구동 전류(Ioled)와 무관한 인자(factor)가 될 수 있다. 따라서, 각 화소 영역 모두 이와 같은 방식으로 문턱 전압이 보상되므로, 휘도 불균일이 방지될 수 있다. At this time, the threshold voltage may be compensated and become a factor independent of the driving current Ioled. Therefore, since the threshold voltage is compensated in this manner in each pixel area, luminance unevenness can be prevented.

각 구간에서의 제2 노드(n2), 즉 제5 트랜지스터(M5)의 드레인 전극에 충전된 전압을 수식으로 표현하면 다음의 표 1과 같다.The voltage charged in the drain node of the second node n2, that is, the fifth transistor M5 in each section is expressed by the following formula.

구간section 게이트 전극(제1 노드)Gate electrode (first node) 드레인 전극(제2 노드)Drain electrode (second node) 초기화 구간Initialization section REFREF VINIVINI 문턱전압 센싱구간Threshold Voltage Sensing Section REFREF REF-VthREF-Vth 라이팅구간Writing section DATADATA REF-Vth+(DATA-REF)*C'REF-Vth + (DATA-REF) * C ' 발광 구간Emission section Iold=k*(DATA(1-C')-REF(1+C'))2 Iold = k * (DATA (1-C ')-REF (1 + C')) 2

여기서, C'=Cst/(Cst+Coled)일 수 있다. Coled는 유기발광 소자(OLED)의 캐패시터일 수 있다.Herein, C ′ = Cst / (Cst + Coled) may be used. Coled may be a capacitor of an organic light emitting diode (OLED).

아우러, k는 상수일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.In addition, k may be a constant, but is not limited thereto.

구동 전류(Ioled)의 수식을 구하는 과정을 설명한다.A process of obtaining a formula of the driving current Ioled will be described.

발광 구간에서 제4 트랜지스터(M4)는 턴오프가 되므로, 상기 제1 노드(n1)의 데이터 전압(DATA)은 플로팅 상태(floating state)가 될 수 있다. 상기 제3 트랜지스터(M3)의 턴온에 의해 제3 노드(n3)로 공급된 제1 전원 전압(ELVDD)이 외부 요인에 의해 변동이 발생하면, 상기 제1 노드(n1)의 데이터 전압(DATA) 또한 변동이 발생될 수 있다 데이터 전압(DATA)의 변동폭을 α라 명명한다.Since the fourth transistor M4 is turned off in the emission period, the data voltage DATA of the first node n1 may be in a floating state. When the first power supply voltage ELVDD supplied to the third node n3 is changed by an external factor due to the turn-on of the third transistor M3, the data voltage DATA of the first node n1 is changed. In addition, fluctuations may occur. The fluctuation range of the data voltage DATA is referred to as α.

따라서, 제1 노드(n1)의 전압은 DATA+α로 변동될 수 있고, 이에 따라, 스토리지 캐패시터(Cst)에 연결된 제2 노드(n2) 또한 REF-Vth+(DATA-REF)*C'+α로 변동될 수 있다.Accordingly, the voltage of the first node n1 may change to DATA + α, and accordingly, the second node n2 connected to the storage capacitor Cst may also change to REF-Vth + (DATA-REF) * C ′ + α. Can vary.

최종적으로 구동 전류(Ioled)는 수학식 1로 표현될 수 있다.Finally, the driving current Ioled may be represented by Equation 1.

[수학식1][Equation 1]

Ioled=k*(Vgs-Vth)2=k*(Vg-Vs-Vth)2=k*(DATA+α-REF+Vth-(DATA-REF)*C'-α-Vth)2=k*(DATA-REF-(DATA-REF)*C')2=k*(DATA(1-C')-REF(1-C'))2 Ioled = k * (Vgs-Vth) 2 = k * (Vg-Vs-Vth) 2 = k * (DATA + α-REF + Vth- (DATA-REF) * C'-α-Vth) 2 = k * (DATA-REF- (DATA-REF) * C ') 2 = k * (DATA (1-C')-REF (1-C ')) 2

Vg는 제5 트랜지스터(M5)의 게이트 전극, 즉 제1 노드(n1)의 전압을 나타내고, Vs는 제5 트랜지스터(M5)의 드레인 전극, 즉 제2 노드(n2)의 전압을 나타낼 수 있다.Vg may represent the gate electrode of the fifth transistor M5, that is, the voltage of the first node n1, and Vs may represent the drain electrode of the fifth transistor M5, that is, the voltage of the second node n2.

상기 구동 전류(Ioled)의 수식으로부터 상기 구동 전류(Ioled)는 제5 트랜지스터(M5)의 문턱 전압에 관계없이 그리고 제1 전원 전압(ELVDD)의 변동에 관계없음을 알 수 있다.It can be seen from the equation of the driving current Ioled that the driving current Ioled is independent of the variation of the first power voltage ELVDD regardless of the threshold voltage of the fifth transistor M5.

따라서, 실시예에 따르면, 문턱 전압 보상뿐만 아니라 제1 전원 전압(ELVDD)의 변동도 보상하여 줌으로써, 휘도 불균일을 방지할 수 있다. Therefore, according to the exemplary embodiment, luminance unevenness may be prevented by compensating not only the threshold voltage compensation but also the fluctuation of the first power supply voltage ELVDD.

한편, 도 6에 도시한 바와 같이, 화소 영역의 회로 구조는 4개의 개별 구간에 의해 구동될 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 6, the circuit structure of the pixel region may be driven by four separate sections.

도 6의 제2 파형도는 이동도 센싱 구간이 추가되는 것을 제외하고는 도 4의 제1 파형도와 거의 유사하다.The second waveform diagram of FIG. 6 is almost similar to the first waveform diagram of FIG. 4 except that a mobility sensing section is added.

따라서, 도6의 제2 파형도에서 초기화 구간, 문턱 전압 센싱 구간 및 라이팅 구간은 도 4의 제1 파형도와 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하고, 이동도 센싱 구간과 발광 구간을 중심으로 설명한다.
Accordingly, since the initialization section, the threshold voltage sensing section, and the writing section in the second waveform diagram of FIG. 6 are the same as the first waveform diagram of FIG. .

<이동도 센싱 구간><Mobility sensing section>

도 6에 도시한 바와 같이, 이동도 센싱 구간에서 제3 선택 신호(S3)는 로우 레벨에서 하이 레벨로 전위되고 제4 선택 신호(S4)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 전위될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.As illustrated in FIG. 6, in the mobility sensing period, the third selection signal S3 may be shifted from the low level to the high level and the fourth selection signal S4 may be shifted from the high level to the low level. It is not limited.

상기 제3 선택 신호(S3)는 이동도 센싱 구간의 시작 시점부터 로우 레벨에서 하이 레벨로 전위되는데 반해, 상기 제4 선택 신호(S4)는 이동도 센싱 구간의 적어도 중간 시점부터 하이 레벨에서 로우 레벨로 전위될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The third selection signal S3 is shifted from the low level to the high level from the beginning of the mobility sensing period, while the fourth selection signal S4 is at the low level from the high level from at least an intermediate point of the mobility sensing period. It may be transposed to, but is not limited thereto.

따라서, 이동도 센싱 구간은 상기 제3 및 제4 선택 신호(S3, S4)가 동시에 하이 레벨을 갖는 구간을 포함할 수 있다. Therefore, the mobility sensing section may include a section in which the third and fourth selection signals S3 and S4 simultaneously have a high level.

이동도 센싱은 이와 같이 동시에 하이 레벨을 갖는 제3 및 제4 선택 신호(S3, S4)에 의해 수행될 수 있다. Mobility sensing may be performed by the third and fourth selection signals S3 and S4 having high levels at the same time.

도 7a에 도시한 바와 같이, 동시에 하이 레벨을 갖는 제3 및 제4 선택 신호(S3, S4)에 의해 제3 및 제4 트랜지스터(M3, M4)가 동시에 턴온될 수 있다. As shown in FIG. 7A, the third and fourth transistors M3 and M4 may be simultaneously turned on by the third and fourth selection signals S3 and S4 having high levels at the same time.

따라서, 라이팅 구간에서 공급되었던 데이터 전압(DATA)이 계속하여 제4 트랜지스터(M4)를 경유하여 제1 노드(n1)에 공급되고, 제1 전원 전압(ELVDD)이 제3 트랜지스터(M3)를 경유하여 제3 노드(n3)로 공급될 수 있다. Accordingly, the data voltage DATA supplied in the writing period is continuously supplied to the first node n1 via the fourth transistor M4, and the first power voltage ELVDD is supplied via the third transistor M3. Can be supplied to the third node n3.

상기 제3 노드(n3)로 공급된 제1 전원 전압(ELVDD)에 의해 제5 트랜지스터(M5)가 서서히 턴온되게 되어 구동 전류(Ioled)가 생성될 수 있다. The fifth transistor M5 is gradually turned on by the first power voltage ELVDD supplied to the third node n3 to generate a driving current Ioled.

이에 따라, 상기 제5 트랜지스터(M5)의 드레인 전극, 즉 제2 노드(n2)에는 제5 트랜지스터(M5)의 이동도를 반영하는 예컨대 이동도 센싱 전압(ΔV)이 추가될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Accordingly, for example, a mobility sensing voltage ΔV reflecting the mobility of the fifth transistor M5 may be added to the drain electrode of the fifth transistor M5, that is, the second node n2. It is not limited.

다시 말해 이동도 센싱 전압(ΔV)은 제5 트랜지스터(M5)의 이동도의 대소에 비례하여 가변될 수 있다. In other words, the mobility sensing voltage ΔV may vary in proportion to the magnitude of the mobility of the fifth transistor M5.

예컨대, 제5 트랜지스터(M5)의 이동도가 큰 경우, 상기 이동도 센싱 전압(ΔV) 또한 비교적 큰 값을 가질 수 있다.For example, when the mobility of the fifth transistor M5 is large, the mobility sensing voltage ΔV may also have a relatively large value.

예컨대, 제5 트랜지스터(M5)의 이동도가 작은 경우, 상기 이동도 센싱 전압(ΔV) 또한 비교적 작은 값을 가질 수 있다.
For example, when the mobility of the fifth transistor M5 is small, the mobility sensing voltage ΔV may also have a relatively small value.

<발광 구간><Light emission section>

도 7b에 도시한 바와 같이, 발광 구간에서 하이 레벨의 제3 선택 신호(S3)가 화소 영역으로 공급될 수 있다. 이때, 상기 제1 및 제2 선택 신호(S1, S2) 및 제4 선택 신호(S4)는 로우 레벨로 유지될 수 있다. As shown in FIG. 7B, the third selection signal S3 having a high level may be supplied to the pixel area in the emission period. In this case, the first and second selection signals S1 and S2 and the fourth selection signal S4 may be maintained at a low level.

하이 레벨의 제3 선택 신호(S3)에 의해 제3 트랜지스터(M3)가 턴온되어, 제1 전원 전압(ELVDD)이 상기 제3 트랜지스터(M3)를 경유하여 제3 노드(n3)로 공급될 수 있다. The third transistor M3 is turned on by the high level third select signal S3 so that the first power voltage ELVDD can be supplied to the third node n3 via the third transistor M3. have.

따라서, 상기 제5 트랜지스터(M5)는 상기 제1 노드(n1)에 충전된 데이터 전압(DATA)에 의해 변경된 제2 노드(n2)의 전압에 의한 구동 전류(Ioled)가 발생되어 상기 유기발광 소자(OLED)로 공급될 수 있다. 상기 유기발광 소자(OLED)는 상기 구동 전류(Ioled)에 의해 발광될 수 있다. Accordingly, the fifth transistor M5 generates a driving current Ioled due to the voltage of the second node n2 changed by the data voltage DATA charged in the first node n1 to generate the organic light emitting diode. (OLED) can be supplied. The organic light emitting diode OLED may emit light by the driving current Ioled.

이때의 구동 전류(Ioled)에는 이동도 센싱 구간에서 반영된 이동도 센싱 전압(ΔV)이 포함될 수 있다. In this case, the driving current Ioled may include the mobility sensing voltage ΔV reflected in the mobility sensing period.

즉, 상기 구동 전류(Ioled)는 다음과 같은 수학식 2로 표현될 수 있다.That is, the driving current Ioled may be represented by Equation 2 below.

[수학식2]&Quot; (2) &quot;

Ioled=k*(DATA(1-C')-REF(1-C')-ΔV)2 Ioled = k * (DATA (1-C ')-REF (1-C')-ΔV) 2

따라서, 제5 트랜지스터(M5)의 이동도 센싱 전압이 커지는 경우 구동 전류(Ioled)는 작아지게 되며, 제5 트랜지스터(M5)의 이동도 센싱 전압이 작아지는 경우 구동 전류(Ioled)는 커지게 될 수 있다.Therefore, when the mobility sensing voltage of the fifth transistor M5 is increased, the driving current Ioled becomes small, and when the mobility sensing voltage of the fifth transistor M5 is reduced, the driving current Ioled becomes large. Can be.

다시 말해, 상기 구동 전류(Ioled)는 제5 트랜지스터(M5)의 이동도 센싱 전압의 대소에 반비례하여 가변될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.In other words, the driving current Ioled may vary in inverse proportion to the magnitude of the mobility sensing voltage of the fifth transistor M5, but is not limited thereto.

그러므로, 이동도가 큰 화소 영역의 구동 전류(Ioled)는 작아지고 이동도가 작은 화소 영역의 구동 전류(Ioled)는 커지게 됨으로써, 전체적으로 각 화소 영역은 동일한 데이터 전압(DATA)에 대해 동일한 구동 전류(Ioled)가 생성될 수 있으므로, 이동도 보상으로 인해 휘도 불균일이 방지될 수 있다. Therefore, the driving current Ioled of the pixel region having high mobility becomes small and the driving current Ioled of the pixel region having low mobility becomes large, so that each pixel region has the same driving current for the same data voltage DATA as a whole. Since (Ioled) can be generated, luminance unevenness can be prevented due to mobility compensation.

도 8a 및 도 8b는 종래와 실시예의 문턱 전압 편차를 도시한 도면이고, 도 9a 및 도 9b는 종래와 실시예의 이동도 편차를 도시한 도면이며, 도 10a 및 도 10b는 종래와 실시예의 제1 전원 전압(ELVDD)의 편차를 도시한 도면이다.8A and 8B are diagrams illustrating threshold voltage deviations of the conventional art and the embodiment, and FIGS. 9A and 9B are diagrams illustrating mobility deviations of the conventional art and the embodiment, and FIGS. 10A and 10B are first views of the conventional art and the embodiment. It is a figure which shows the deviation of the power supply voltage ELVDD.

도 8a에 도시한 바와 같이, 종래는 문턱 전압의 편차가 0.5V인 경우 7% 내지 9%의 에러율을 보이는데 반해, 실시예는 문턱 전압의 편차가 0.5V인 경우 1%의 에러율을 보이고 있다. As shown in FIG. 8A, in the prior art, an error rate of 7% to 9% is shown when the deviation of the threshold voltage is 0.5V, whereas the embodiment shows an error rate of 1% when the deviation of the threshold voltage is 0.5V.

도 9a에 도시한 바아 같이, 종래는 이동도의 편차가 5%인 경우 저계조 영역에서 9%의 에러율을 보이는데 반해, 실시예는 이동도의 편차가 5%인 경우 계조와 관계없이 1%의 에러율을 보이고 있다.As shown in FIG. 9A, in the conventional case, when the deviation of mobility is 5%, an error rate of 9% is shown in the low gradation region, whereas the embodiment shows that when the deviation of mobility is 5%, 1% is used regardless of the gray level. Error rate is shown.

도 10a에 도시한 바와 같이, 종래는 제1 전원 전압(ELVDD)이 정상(12V)보다 약간만 낮아져도 5% 내지 9%의 에러율을 보이는데 반해, 실시예는 제1 전원 전압(ELVDD)이 정상(12)보다 낮은 11.5V이더라도 1% 이내의 에러율을 보이고 11V인 경우 3%의 에러율을 보인다.As shown in FIG. 10A, while the first power supply voltage ELVDD is slightly lower than the normal (12V), an error rate of 5% to 9% is shown, whereas in the embodiment, the first power supply voltage ELVDD is normal ( Even if it is lower than 11.5V, it shows error rate within 1%, and 11V shows error rate of 3%.

따라서, 도 8 내지도 10에 도시한 바와 같이, 종래에 비해 실시예는 문턱 전압, 이동도 및 제1 전원 전압의 변동 모두 보상이 되어 휘도 불균일이 방지될 수 있다.Therefore, as shown in FIGS. 8 to 10, compared to the conventional embodiment, all variations of the threshold voltage, mobility, and the first power supply voltage are compensated for, thereby preventing luminance unevenness.

10: 유기발광 패널 20: 전원 생성부
30: 제어부 40: 스캔 드라이버
50: 감마전압 생성부 60: 데이터 드라이버10: organic light emitting panel 20: power generation unit
30: control unit 40: scan driver
50: gamma voltage generator 60: data driver

Claims (11)

다수의 화소 영역을 포함하고,
상기 각 화소 영역은,
기준 전압의 공급을 제어하기 위해 제1 노드에 연결되는 제1 트랜지스터;
초기화 전압의 공급을 제어하기 위해 제3 노드에 연결되는 제2 트랜지스터;
전원 전압의 공급을 제어하기 위해 상기 제3 노드에 연결되는 제3 트랜지스터;
데이터 전압의 공급을 제어하기 위해 상기 제1 노드에 연결되는 제4 트랜지스터;
광을 발광하기 위해 제2 노드에 연결되는 유기발광 소자;
상기 유기발광 소자로 공급하기 위한 구동 전류를 생성하기 위해 상기 제1 내지 제3 노드 사이에 연결되는 구동 트랜지스터; 및
상기 데이터 전압을 유지시켜 주기 위해 상기 제1 및 제2 노드 사이에 연결되는 스토리지 캐패시터를 포함하는 유기발광 표시장치.Including a plurality of pixel regions,
Each pixel area is,
A first transistor coupled to the first node for controlling the supply of the reference voltage;
A second transistor coupled to the third node for controlling the supply of an initialization voltage;
A third transistor coupled to the third node for controlling a supply of a power supply voltage;
A fourth transistor coupled to the first node for controlling the supply of a data voltage;
An organic light emitting device connected to the second node to emit light;
A driving transistor connected between the first to third nodes to generate a driving current for supplying the organic light emitting device; And
And a storage capacitor connected between the first and second nodes to maintain the data voltage. 제1항에 있어서,
제1 구간 동안 상기 기준 전압이 상기 제1 노드로 공급되고 상기 초기화 전압으로 상기 제3 노드가 초기화되도록 상기 제1 및 제2 트랜지스터가 턴온되는 유기발광 표시장치.The method of claim 1,
The first and second transistors are turned on so that the reference voltage is supplied to the first node and the third node is initialized with the initialization voltage during a first period. 제1항에 있어서,
제2 구간 동안 상기 기준 전압이 상기 제1 노드로 공급되고 상기 전원 전압이 상기 제3 노드로 공급되도록 상기 제1 및 제3 트랜지스터가 턴온되는 유기발광 표시장치.The method of claim 1,
And the first and third transistors are turned on so that the reference voltage is supplied to the first node and the power supply voltage is supplied to the third node during a second period. 제1항 내지 제3항의 어느 한 항에 있어서,
제3 구간 동안 상기 데이터 전압이 상기 제1 노드로 공급되도록 상기 제4 트랜지스터가 턴온되는 유기발광 표시장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
And the fourth transistor is turned on to supply the data voltage to the first node during a third period. 제4항에 있어서,
상기 제3 구간 동안 상기 제5 트랜지스터의 문턱 전압이 센싱되는 유기발광 표시장치.5. The method of claim 4,
An organic light emitting display device in which a threshold voltage of the fifth transistor is sensed during the third period. 제4항에 있어서,
제4 구간 동안 상기 전원 전압이 상기 제3 노드로 공급되도록 상기 제3 트랜지스터가 턴온되어 상기 제5 트랜지스터로부터 상기 구동 전류가 생성되는 유기발광 표시장치.5. The method of claim 4,
And the third transistor is turned on to generate the driving current from the fifth transistor such that the power supply voltage is supplied to the third node during a fourth period. 제6항에 있어서,
제 5 구간 동안 상기 데이터 전압이 상기 제1 노드로 공급되고 상기 전원 전압이 상기 제3 노드로 공급되도록 상기 제3 및 제4 트랜지스터가 턴온되는 유기발광 표시장치.The method according to claim 6,
And the third and fourth transistors are turned on so that the data voltage is supplied to the first node and the power supply voltage is supplied to the third node during a fifth period. 제7항에 있어서,
상기 제5 구간 동안 상기 제5 트랜지스터의 이동도가 센싱되는 유기발광 표시장치.The method of claim 7, wherein
An organic light emitting display device in which a mobility of the fifth transistor is sensed during the fifth period. 제8항에 있어서,
상기 구동 전류은 상기 이동도를 반영하는 이동도 센싱 전압을 포함하는 유기발광 표시장치.9. The method of claim 8,
The driving current includes a mobility sensing voltage reflecting the mobility. 제9항에 있어서,
상기 구동 전류는 상기 이동도 센싱 전압의 대소에 반비례하여 가변되는 유기발광 표시장치. 10. The method of claim 9,
The driving current is variable in inverse proportion to the magnitude of the mobility sensing voltage. 제7항에 있어서,
상기 제5 구간은 상기 제3 구간과 상기 제4 구간 사이에 위치되는 유기발광 표시장치.The method of claim 7, wherein
The fifth section is positioned between the third section and the fourth section.
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