KR20130056113A - Solar cell module and method of fabricating the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 168
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 chalcopyrite compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N digallium;selenium(2-) Chemical compound [Ga+3].[Ga+3].[Se-2].[Se-2].[Se-2] ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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Description
실시예는 태양전지 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a solar cell module and a method of manufacturing the same.
태양전지는 p-n 접합 다이오드에 빛을 쪼이면 전자가 생성 되는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자로 정의할 수 있다. 태양전지는 접합 다이오드로 사용되는 물질에 따라, 실리콘 태양전지, I-III-VI족 또는 III-V족 화합물로 대표되는 화합물 반도체 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기물 태양전지로 나눌 수 있다. A solar cell can be defined as a device that converts light energy into electric energy by using a photovoltaic effect that generates electrons when light is applied to a p-n junction diode. The solar cell can be classified into a silicon solar cell, a compound semiconductor solar cell represented by group I-III-VI or III-V, a dye-sensitized solar cell, and an organic solar cell, depending on materials used as a junction diode.
I-III-VI족 Chalcopyrite계 화합물 반도체 중 하나인 CIGS(CuInGaSe) 태양전지는 광 흡수가 뛰어나고, 얇은 두께로도 높은 광전 변환효율을 얻을 수 있으며, 전기 광학적 안정성이 매우 우수하여 기존 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 태양전지로 부각되고 있다. CIGS (CuInGaSe) solar cell, which is one of the I-III-VI family chalcopyrite compound semiconductors, has excellent light absorption, high photoelectric conversion efficiency even at a thin thickness, and excellent electro- It is emerging as an alternative solar cell.
상기 언급한 바와 같이, CIGS 태양전지 모듈은 빛 에너지를 직접 전기에너지로 바꿔주는 소자이다. 따라서 태양전지 모듈의 효율을 높이기 위해서는, 광 흡수층에서 빛이 얼마나 흡수되는 가와 표면에서 빛이 반사되지 않고 전달되는 반사율 감소와 밀접한 관련이 있다. As mentioned above, the CIGS solar cell module is a device that directly converts light energy into electrical energy. Therefore, in order to increase the efficiency of the solar cell module, it is closely related to how much light is absorbed in the light absorbing layer and the decrease in reflectance that is transmitted without reflecting light from the surface.
이 중, 빛의 반사를 줄이는 방법으로 인위적으로 줄무늬 형식의 스크래칭 작업(texturing)하여 10% 정도로 반사를 줄일 수 있으며, 표면반사를 줄이기 위해 반도체 표면에 투명하고 굴절률이 반도체와 공기의 사이값을 갖는 박막 층을 적당한 두께로 만드는 반사방지막(Anti reflecting coating)이 있다. Among them, the reflection of light can be reduced by 10% by artificially streaking-type scratching, and the transparent surface of the semiconductor has a refractive index between semiconductor and air to reduce surface reflection. There is an anti reflecting coating that makes the thin layer a suitable thickness.
일반적으로, 반사방지막을 형성하는 방법은 광이 통과하는 매질(공기)과 물질(유리)의 굴절율 사이값을 가지는 물질을 유리표면에 코팅하는 것이다. 이때, 반사방지 효과를 증대시키기 위하여 특정한 파장에 대해서 표면에 코팅하는 코팅물질의 두께를 그 파장의 λ/4로 맞추면 코팅물질의 표면과 코팅물질과 유리의 계면에서 반사되는 빛이 서로 간섭하여 상쇄되는 조건이 되므로 반사방지막 효과가 증대된다.In general, a method of forming an antireflection film is to coat a glass surface with a material having a value between the refractive index of the medium (air) and the material (glass) through which light passes. At this time, in order to increase the antireflection effect, if the thickness of the coating material coated on the surface for a specific wavelength is set to λ / 4 of the wavelength, the light reflected from the surface of the coating material and the interface between the coating material and the glass interferes with each other. In this case, the anti-reflection film effect is increased.
실시예는 반사방지입자층을 포함하는 태양전지 모듈을 제공함으로써, 태양광을 효과적으로 포획하여 그 효율을 높일 수 있는 태양전지 모듈 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다. The embodiment provides a solar cell module including an anti-reflective particle layer, and thus provides a solar cell module and a method of manufacturing the same, which effectively capture sunlight and increase its efficiency.
제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 포함하는 태양전지 패널; 상기 태양전지 패널 상에 배치되며, 다수개의 반사방지입자들을 포함하는 고분자층; 상기 고분자층 상에 배치되는 상부 패널을 포함한다.A solar cell module according to a first embodiment includes a solar cell panel including a rear electrode layer, a light absorbing layer, and a front electrode layer sequentially disposed on a supporting substrate; A polymer layer disposed on the solar cell panel and including a plurality of antireflection particles; And an upper panel disposed on the polymer layer.
제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 포함하는 태양전지 패널; 상기 태양전지 패널 상에 배치되는 제 1 고분자층; 상기 제 1 고분자층 상에 배치되는 반사방지입자층; 상기 반사방지입자층 상에 배치되는 제 2 고분자층; 및 상기 제 2 고분자층 상에 배치되는 상부 패널을 포함하고, 상기 태양전지 패널은 고반사층을 포함한다.A solar cell module according to a second embodiment includes a solar cell panel including a rear electrode layer, a light absorbing layer, and a front electrode layer sequentially disposed on a support substrate; A first polymer layer disposed on the solar cell panel; An anti-reflection particle layer disposed on the first polymer layer; A second polymer layer disposed on the antireflective particle layer; And an upper panel disposed on the second polymer layer, wherein the solar cell panel includes a high reflection layer.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 지지기판 상에 순차적으로 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 증착하여 태양전지 패널을 형성하는 단계; 상기 태양전지 패널 상에 제 1 고분자층을 형성하는 단계; 상기 제 1 고분자층 상에 반사방지입자층을 형성하는 단계; 상기 반사방지입자층 상에 제 2 고분자층을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 고분자층 상에 상부 패널을 정렬하고, 라미네이션(lamination)하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a solar cell according to an embodiment includes forming a solar cell panel by sequentially depositing a rear electrode layer, a light absorbing layer, and a front electrode layer on a support substrate; Forming a first polymer layer on the solar cell panel; Forming an anti-reflection particle layer on the first polymer layer; Forming a second polymer layer on the antireflective particle layer; And aligning and laminating an upper panel on the second polymer layer.
제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈은 다수개의 반사방지입자들을 포함하는 고분자층을 제공함으로써, 태양광이 반사로 손실되는 것을 방지하고, 광 흡수층으로의 입사량을 증가시킨다. 또한, 실시예에 따른 반사방지입자들은 종래 반사방지층보다 표면적이 향상되어, 빛의 흡수율을 높일 수 있는 최대면적을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, EVA층과의 접착력을 높일 수 있다. The solar cell module according to the first embodiment provides a polymer layer including a plurality of antireflective particles, thereby preventing the sunlight from being lost by reflection and increasing the incident amount to the light absorbing layer. In addition, the anti-reflective particles according to the embodiment is improved in surface area than the conventional anti-reflection layer, not only can secure the maximum area to increase the absorption of light, it can also increase the adhesion with the EVA layer.
또한, 제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈은 반사방지입자층 뿐만 아니라 고반사층을 추가로 제공한다. 이에 따라, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 태양광을 광 흡수층으로 효과적으로 포획하여 변환 효율을 높일 수 있다. In addition, the solar cell module according to the second embodiment further provides a high reflection layer as well as the anti-reflection particle layer. Accordingly, the solar cell module according to the embodiment can effectively capture the sunlight into the light absorbing layer to increase the conversion efficiency.
도 1 및 도 2는 제 1 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시하는 단면도들이다.
도 3 및 도 4는 제 2 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시하는 단면도들이다.
도 5 내지 도 8은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시하는 단면도들이다.1 and 2 are cross-sectional views showing a cross section of the solar cell according to the first embodiment.
3 and 4 are cross-sectional views showing a cross section of the solar cell according to the second embodiment.
5 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the solar cell according to the embodiment.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, where each substrate, layer, film, or electrode is described as being formed "on" or "under" of each substrate, layer, film, or electrode, etc. , “On” and “under” include both “directly” or “indirectly” other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.
도 1은 제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시하는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 태양전지 패널(100), 고분자층(200), 반사방지입자층(300) 및 상부 패널(400)을 포함한다. 더 자세하게, 상기 태양전지 모듈(10)은 지지기판(10), 후면 전극층(20), 광 흡수층(30), 버퍼층(40), 고저항 버퍼층(50) 및 전면 전극층(60)을 포함한다. 1 is a cross-sectional view showing a cross section of the solar cell module according to the first embodiment. Referring to FIG. 1, a
상기 지지기판(10)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 상기 지지기판(10)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다. 예를 들어, 상기 지지기판(10)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판 또는 유연성이 있는 고분자 기판 등이 사용될 수 있다. The
상기 후면 전극층(20)은 상기 지지기판(10) 상에 배치된다. 상기 후면 전극층(20)은 도전층이다. 상기 후면 전극층(20)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이 가운데, 특히 몰리브덴(Mo)은 다른 원소에 비해 상기 지지기판(10)과 열팽창 계수의 차이가 적기 때문에, 접착성이 우수하여 박리현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The
상기 광 흡수층(30)은 상기 후면 전극층(20) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(30)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(30)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)(Se,S)2; CIGSS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.The
상기 버퍼층(40)은 상기 광 흡수층(30) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(40)은 황화 카드뮴, ZnS, InXSY 및 InXSeYZn(O, OH) 등을 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(50)은 상기 버퍼층(40) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(50)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. The
상기 전면 전극층(60)은 상기 광 흡수층(30) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 전면 전극층(60)은 상기 광 흡수층(30) 상의 고저항 버퍼층(50)과 직접 접촉하여 배치될 수 있다. 이 때, 상기 전면 전극층(60)은 상기 버퍼층(40)과 함께 n 형 반도체층을 형성하여 p 형 반도체층인 상기 광 흡수층(30)과 pn 접합을 형성할 수 있다. 상기 전면 전극층(60)은, 예를 들어, 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)로 형성될 수 있다. The
상기 고분자층(200)은 상기 태양전지 패널(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 고분자층들(200)은 상기 태양전지 패널(100)과 상기 상부 패널(400) 사이에 배치되어, 외부 충격에 약한 태양전지 패널(100)을 보호할 뿐만 아니라, 상기 태양전지 패널(100)과 상기 상부 패널(400) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 고분자층 (200)은 당업계에서 태양전지 패널의 보호를 위해 통상적으로 사용되는 것들, 예를 들어, EVA필름 또는 PVB(Poly vinyl butylo) 필름 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The
또한, 상기 고분자층(200)은 도 1에서와 같이 상기 태양전지 패널 상에 배치되는 제 1 고분자층(210) 및 상기 제 1 고분자층(210) 상에 배치되는 제 2 고분자층(220)으로 구분될 수 있다. 다만, 상기 제 1 고분자층(210) 및 상기 제 2 고분자층(220)은 설명의 편의를 위하여 관념적으로 구분한 것일 뿐, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 즉, 상기 제 1 고분자층(210) 및 상기 제 2 고부자층(220)은 일체로 형성될 수 있다. In addition, the
상기 고분자층(200)은 다수개의 반사방지입자들을 포함한다. 상기 다수개의 반사방지입자들은 상기 고분자층(200) 내에서 규칙적 또는 불규칙적으로 분산되어 있을 수 있다. The
상기 다수개의 반사방지입자들의 평균 크기는 약 1 nm 내지 약 15 nm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 반사방지입자들의 굴절율은 약 1.4 내지 약 2.9 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 반사방지입자들은 SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, ZnO, Al2O3, SiN, AllnGaP 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 형성될 수 있다.The average size of the plurality of antireflective particles may be about 1 nm to about 15 nm, but is not limited thereto. In addition, the refractive index of the antireflective particles may be about 1.4 to about 2.9, but is not limited thereto. In addition, the antireflective particles may be formed of a material selected from the group consisting of SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , ZnO, Al 2 O 3 , SiN, AllnGaP, and combinations thereof. .
상기 반사방지입자들은 규칙적으로 정렬되어 하나의 층(이하, “반사방지입자층(300)”이라함)을 이룰 수 있다. 일 구현예로, 상기 반사방지입자층(300)은 상기 제 1 고분자층(210)과 상기 제 2 고분자층(220) 사이의 계면에 형성될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 반사방지입자층(300)은 종래 사용되던 플랫(flat)한 형태의 반사방지층보다 표면적이 향상되어, 빛의 흡수율을 높일 수 있는 최대면적을 확보할 수 있다.The antireflective particles may be regularly aligned to form one layer (hereinafter referred to as “
상기 상부 패널(400)은 외부의 물리적인 충격 및/또는 이물질로부터 상기 태양전지 패널(100)을 보호한다. 상기 상부 패널(400)은 투명하며, 예를 들어, 강화 유리 등을 포함할 수 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저(low) 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다.The
상기 상부 패널(400)은 도 1에서와 같이 플레이트 형상이거나, 패턴층(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 패턴층의 형상은 상기 태양전지 패널(100)로 입사되는 태양광의 반사를 최소화할 수 있는 형상이라면 특별히 제한 없이 사용 가능하다. 예를 들어, 상기 패턴층의 단면은 구형, 반구형, 타원형, 또는 다각형으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The
도 2는 제 1 실시예에 따른 반사방지입자층(300)의 기능을 설명하는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 태양전지 모듈로 입사되는 태양광(L11)은 상기 상기 반사방지입자층(300)에 의해 반사가 최소화되고, 대부분의 광(L21)이 투과된다. 또한, 상기 투과된 광(L21)은 상기 제 1 고분자층(210)과 상기 태양전지 패널(100)의 계면에서 일부 광은 반사(L22)되고, 일부 광(L31)은 투과된다. 이어서, 일부 투과된 광(L31) 또한 일부는 반사(L32)된다. 실시예 는 상기 반사방지입자층(300)을 상기 상부 패널(400)의 하측면에 배치시키고 굴절률을 조절함으로써, 각 층에서 반사되어 나오는 광들(L22, L32)을 다시 태양전지 패널(100)로 입사시킬 수 있다. 이에 따라, 태양전지 패널로 입사되는 태양광의 양은 최대화될 수 있으며, 광전 효율 역시 향상될 수 있다. 2 is a cross-sectional view illustrating the function of the
한편, 지금까지는 단일층의 반사방지입자층(300)만을 기재하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 즉, 상기 반사방지입자층(300)은 다수개의 층들로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사방지입자층(300)은 상기 상부 패널(400)의 하측면에 배치되는 제 1 반사방지입자층 및 상기 제 1 반사방지입자층의 하측면에 배치되는 제 2 반사방지입자층을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 제 1 반사방지입자층의 굴절률은 상기 제 2 반사방지입자층의 굴절률 보다 작은 것이 바람직하다, On the other hand, so far only a single layer of the
도 3은 제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시하는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 제 2 실시예에 따른 태양전지 패널(100)은 고반사층(500)을 포함한다. 더 자세하게, 상기 고반사층(500)은 상기 지지기판(10)과 상기 광 흡수층(30) 사이에 배치될 수 있다. 상기 고반사층(100)은 상기 광 흡수층(30)에서 흡수하지 못하고 투과되는 광을 다시 상기 광 흡수층(30)으로 반사시킴으로써, 상기 광 흡수층(30)으로 입사되는 태양광량을 최대화할 수 있다. 즉, 제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈은 상기 광 흡수층(30)의 상측에는 반사방지입자층(300)을, 상기 광 흡수층(30)의 하측에는 고반사층(500)을 형성함으로써, 태양광을 효과적으로 포획할 수 있는 구조를 제공한다. 3 is a cross-sectional view showing a cross section of the solar cell module according to the second embodiment. Referring to FIG. 3, the
상기 고반사층(500)은 당업계에서 통상적으로 사용되는 금속 반사 물질 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 고반사층(500)은 다수개의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 4를 참조하면, 상기 고반사층(500)은 상기 후면 전극층(20) 상에 배치되는 제 1 고반사층(510) 내지 제 4 고반사층(540)을 포함할 수 있다. 이 때, 굴절율은 상기 제 1 고반사층(510)에서 상기 제 4 고반사층(540)으로 갈수록 굴절율은 커질 수 있다. 즉, 상기 고반사층(500)을 상기 언급한 다수개의 층을 가지는 반사방지입자층(300)의 구조가 역전된 구조로, 상기 고반사층(500)에서의 흡수를 효과적으로 차단할 수 있다.
The
도 5 내지 도 9는 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법을 설명하는 단면도들이다. 본 제조방법에 관한 설명은 앞서 설명한 태양전지 모듈에 대한 설명을 참고한다. 5 to 9 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the solar cell module according to the embodiment. The description of this manufacturing method refers to the description of the solar cell module described above.
도 5을 참조하면, 먼저 태양전지 패널(100)을 형성한다. 상기 태양전지 패널(100)은 지지기판(10) 상에 후면 전극층(20), 광 흡수층(30), 버퍼층(40), 고저항 버퍼층(50), 및 전면 전극층(60)을 순차적으로 형성함으로써 제조될 수 있다. Referring to FIG. 5, first, a
상기 후면 전극층(20)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금의 방법으로 형성될 수 있다. 이어서, 상기 후면 전극층(20) 상에 광 흡수층(30)을 형성한다. 상기 광 흡수층(30)은 예를 들어, 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2; CIGS계)의 광 흡수층(30)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.The
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(300) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다. 이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2; CIGS계)의 광 흡수층(30)이 형성된다.When the metal precursor film is formed and selenization is subdivided, a metal precursor film is formed on the
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.Alternatively, the copper target, the indium target, the sputtering process using the gallium target, and the selenization process may be performed simultaneously.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(30)이 형성될 수 있다.Alternatively, the CIS-based or CIG-based
이후, 상기 광 흡수층 상에 버퍼층(40) 및 고저항 버퍼층(50)이 순차적으로 형성된다. 상기 버퍼층(40)은 상기 광 흡수층(30) 상에 황화 카드뮴이 화학 용액 증착법(chemical bath deposition; CBD)에 의해서 증착되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(40) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(50)이 형성된다. Thereafter, the
마지막으로, 상기 고저항 버퍼층(50) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 전면 전극층(60)을 형성한다. 상기 전면 전극층(60)은 상기 광 흡수층(30)과 pn 접합을 형성하는 윈도우(window)층으로서, 태양전지 전면의 투명전극의 기능을 하기 때문에 광투과율이 높고 전기 전도성이 좋은 산화 아연(ZnO)으로 형성될 수 있다. 이 때, 상기 산화 아연에 알루미늄을 도핑함으로써 낮은 저항값을 가지는 전면 전극층(60)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 전면 전극층(60)은 RF 스퍼터링방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링, 그리고 유기금속화학증착법 등으로 형성될 수 있다. Finally, a transparent conductive material is stacked on the high
이후, 도 6 내지 도 8을 참조하면, 상기 태양전지 패널(100) 상에 제 1 고분자층(210), 반사방지입자층(300) 및 제 2 고분자층(220)을 순차적으로 형성한다. 상기 반사방지입자층(300)을 형성하기 위하여, 상기 제 1 고분자층(210) 상에 반사방지입자를 포함하는 분산 용액을 도포한다. 상기 반사방지입자는 반사방지입자층(300)을 형성하는 일종의 전구물질로써, SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, ZnO, Al2O3, SiN AllnGaP 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 상기 분산 용액은 상기 반사방지입자층(300)이 분산될 수 있는 유기 용매라면 특별히 제한 없이 사용가능하며, 예를 들어, 알코올계 용매를 사용할 수 있다. 이어서, 상기 분산 용액을 스핀 코팅, 스프레이, 닥터 블레이드 공정 등을 사용하여 상기 제 1 고분자층(210) 상에 도포헌 후, 상기 분산 용액을 열처리하여 상기 분산 용액 중 용매를 증발시킴으로써, 상기 반사방지입자층(300)이 형성될 수 있다. 이후, 상기 반사방지입자층(300)이 형성된 제 1 고분자층(210) 상에는 제 2 고분자층(220)이 추가로 증착된다. 6 to 8, the
또한, 도 10을 참조하면, 상기 제 2 고분자층(220) 상에 상부 패널을 정렬시키고, 라미네이션함으로써, 태양전지 모듈을 제조할 수 있다. 라미네이션 공정을 수행하기 전에, 상기 상부 패널(400)에 대하여 식각 공정 또는 연마 공정을 수행함으로써 상부 패널(400)을 패터닝할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
In addition, referring to FIG. 10, a solar cell module may be manufactured by aligning and laminating an upper panel on the
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
Claims (14)
상기 태양전지 패널 상에 배치되며, 다수개의 반사방지입자들을 포함하는 고분자층; 및
상기 고분자층 상에 배치되는 상부 패널을 포함하는 태양전지 모듈.
A solar cell panel including a rear electrode layer, a light absorbing layer, and a front electrode layer sequentially disposed on a support substrate;
A polymer layer disposed on the solar cell panel and including a plurality of antireflection particles; And
A solar cell module comprising an upper panel disposed on the polymer layer.
상기 반사방지입자들은 상기 고분자층 내에서 규칙적 또는 불규칙적으로 분산되어 있는 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
The anti-reflection particles are solar cells modules that are regularly or irregularly dispersed in the polymer layer.
상기 고분자층은 상기 태양전지 패널 상에 배치되는 제 1 고분자층 및 상기 제 1 고분자층 상에 배치되는 제 2 고분자층을 포함하는 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
The polymer layer is a solar cell module including a first polymer layer disposed on the solar cell panel and a second polymer layer disposed on the first polymer layer.
상기 다수개의 반사방지입자들은 상기 제 1 고분자층과 상기 제 2 고분자층 간의 계면에서 층을 형성하는 태양전지 모듈.
The method of claim 3, wherein
The plurality of anti-reflective particles to form a layer at the interface between the first polymer layer and the second polymer layer.
상기 반사방지입자층은 상기 제 1 고분자층 상에 배치되는 제 1 반사방지입자층 및 상기 제 1 반사방지입자층 상에 배치되는 제 2 반사방지 입자층을 포함하고,
상기 제 1 반사방지입자층의 굴절률은 상기 제 2 반사방지입자층의 굴절률 보다 작은 태양전지 모듈.
The method of claim 4, wherein
The antireflective particle layer includes a first antireflective particle layer disposed on the first polymer layer and a second antireflective particle layer disposed on the first antireflective particle layer,
The refractive index of the first anti-reflective particle layer is less than the refractive index of the second anti-reflective particle layer.
상기 다수개의 반사방지입자들의 평균 크기는 1 nm 내지 15 nm 인 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
The average size of the plurality of anti-reflection particles is a solar cell module 1 nm to 15 nm.
상기 다수개의 반사방지입자들의 굴절률은 1.4 내지 2.9 인 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
Refractive index of the plurality of anti-reflection particles is a solar cell module.
상기 반사방지입자들은 SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, ZnO, Al2O3, SiN AllnGaP 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 형성되는 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
The antireflective particles are formed of a material selected from the group consisting of SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , ZnO, Al 2 O 3 , SiN AllnGaP, and a combination thereof.
상기 태양전지 패널 상에 배치되는 제 1 고분자층;
상기 제 1 고분자층 상에 배치되는 반사방지입자층;
상기 반사방지입자층 상에 배치되는 제 2 고분자층; 및
상기 제 2 고분자층 상에 배치되는 상부 패널을 포함하고,
상기 태양전지 패널은 고반사층을 포함하는 태양전지 모듈.
A solar cell panel including a rear electrode layer, a light absorbing layer, and a front electrode layer sequentially disposed on a support substrate;
A first polymer layer disposed on the solar cell panel;
An anti-reflection particle layer disposed on the first polymer layer;
A second polymer layer disposed on the antireflective particle layer; And
An upper panel disposed on the second polymer layer,
The solar cell panel is a solar cell module comprising a high reflection layer.
상기 고반사층은 상기 후면 전극층과 상기 광 흡수층 사이에 배치되는 태양전지 모듈.
The method of claim 9,
The high reflection layer is a solar cell module disposed between the back electrode layer and the light absorbing layer.
상기 고반사층은 상기 후면 전극층 상에 배치되는 제 1 고반사층과 상기 제 1 고반사층 상에 배치되는 제2 고반사층을 포함하고,
상기 제 2 고반사층의 굴절률은 상기 제 1 고반사층의 굴절률보다 큰 태양전지 모듈.
11. The method of claim 10,
The high reflection layer includes a first high reflection layer disposed on the back electrode layer and a second high reflection layer disposed on the first high reflection layer,
The refractive index of the second high reflection layer is greater than the refractive index of the first high reflection layer solar cell module.
상기 반사방지입자층은 상기 제 1 고분자층 상에 배치되는 제 1 반사방지입자층 및 상기 제 1 반사방지입자층 상에 배치되는 제 2 반사방지 입자층을 포함하고, 상기 제 2 반사방지입자층의 굴절률은 상기 제 1 반사방지입자층의 굴절률 보다 작은 태양전지 모듈.
The method of claim 9,
The antireflective particle layer includes a first antireflection particle layer disposed on the first polymer layer and a second antireflection particle layer disposed on the first antireflection particle layer, and the refractive index of the second antireflection particle layer is 1 Solar cell module smaller than the refractive index of the antireflective particle layer.
상기 태양전지 패널 상에 제 1 고분자층을 형성하는 단계;
상기 제 1 고분자층 상에 반사방지입자층을 형성하는 단계;
상기 반사방지입자층 상에 제 2 고분자층을 형성하는 단계; 및
상기 제 2 고분자층 상에 상부 패널을 정렬하고, 라미네이션(lamination)하는 단계를 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법.
Forming a solar cell panel by sequentially depositing a rear electrode layer, a light absorbing layer, and a front electrode layer on a support substrate;
Forming a first polymer layer on the solar cell panel;
Forming an anti-reflection particle layer on the first polymer layer;
Forming a second polymer layer on the antireflective particle layer; And
Arranging and laminating the upper panel on the second polymer layer manufacturing method of a solar cell module.
상기 반사방지입자층을 형성하는 단계는,
상기 제 1 고분자층 상에 반사방지입자를 포함하는 분산 용액을 도포하고, 상기 분산 용액을 열처리하는 것을 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법.The method of claim 13,
Forming the anti-reflection particle layer,
A method of manufacturing a solar cell module comprising coating a dispersion solution including antireflective particles on the first polymer layer and heat treating the dispersion solution.
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|---|---|
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| KR101306450B1 KR101306450B1 (en) | 2013-09-09 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| CN103594531A (en) * | 2013-11-28 | 2014-02-19 | 湖南大学 | Hydrophilic irregular multi-layer antireflection film and manufacturing method thereof |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| FPAY | Annual fee payment |
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Payment date: 20170804 Year of fee payment: 5 |
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