KR20130053005A - Light emitting device - Google Patents

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KR20130053005A
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device is provided to protect the light emitting device against ESD(Electrostatic Discharge) by separating a groove in which a sub finger electrode is connected to a first semiconductor layer from an electrode pad. CONSTITUTION: A light emitting structure includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer arranged on a support member. A first electrode(160) includes a first electrode pad and a first finger electrode. A second electrode(170) is formed on the side of the second semiconductor layer on which the first electrode is not arranged. A plurality of grooves vertically overlap with the first finger electrode and expose the first semiconductor layer. The sub finger electrode electrically connects the first finger electrode to the first semiconductor layer in the groove. An insulation layer is arranged between the first electrode and the second semiconductor layer.

Description

발광소자{Light emitting device}[0001]

실시예는 발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광소자를 ESD(Electrostatic Discharge)로부터 보호하고, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device capable of protecting the light emitting device from electrostatic discharge (ESD) and improving light extraction efficiency.

형광등은 흑점 현상, 짧은 수명 등으로 잦은 교체와 형광물질 사용으로 친환경을 지향하는 미래 조명시장의 흐름에 반하므로 점차 타 광원으로 대치되고 있는 추세이다.Fluorescent lamps are gradually replacing with other light sources because of the frequent replacement of black spots and short life span and the use of fluorescent materials, which is against the trend of the future lighting market which is aiming for environment friendly.

이에 타 광원으로 가장 주목받고 있는 것은 LED(Light Emitting Diode)로써, 반도체의 빠른 처리 속도와 낮은 전력 소모 등의 장점과 함께, 환경 친화적이면서도 에너지 절약 효과가 높아서 차세대 광원으로 꼽히고 있다. 따라서, 기존의 형광등을 대체하기 위한 LED의 활용은 활발히 진행 중에 있다.The most popular light source is LED (Light Emitting Diode), which has the advantages of fast processing speed and low power consumption of semiconductor, and it is considered as next generation light source because it is environmentally friendly and has high energy saving effect. Therefore, the use of LED to replace the existing fluorescent lamp is actively in progress.

현재, LED와 같은 반도체 발광 소자는 텔레비전, 모니터, 노트북, 휴대폰, 및 기타 디스플레이장치를 구비하는 다양한 장치에 적용되고 있으며, 특히 기존의 CCFL을 대체하여 백 라이트 유닛으로도 널리 사용되고 있다.Currently, semiconductor light emitting devices such as LEDs are applied to various devices including televisions, monitors, notebooks, mobile phones, and other display devices, and in particular, are widely used as backlight units in place of existing CCFLs.

발광소자의 광추출 효율을 향상시키기 위한 연구가 진행 중이고, 발광소자는 ESD에 취약하여 ESD로부터 보호하기 위한 연구가 진행 중이다.Research is underway to improve the light extraction efficiency of light emitting devices, and light emitting devices are vulnerable to ESD.

실시예는, 실시예에 따른 발광소자는 전극이 위치할 영역을 전부 식각하는 것 아니고, 보조핑거전극이 연결될 부분만 일부 식각하므로 외부에 노출되는 활성층의 영역이 감소하게 되어 전류누설을 줄일 수 있으며 광추출 효율 및 광효율이 증가하게 되는 발광소자를 제공한다.According to the embodiment, the light emitting device according to the embodiment does not etch all the regions where the electrodes are to be positioned, and only partially etches the portions to which the auxiliary finger electrodes are connected, thereby reducing the area of the active layer exposed to the outside, thereby reducing current leakage. Provided is a light emitting device in which light extraction efficiency and light efficiency are increased.

실시예는, 핑거전극이 발광소자의 중심부분에서 대칭으로 형성되어 전류확산효과가 향상된 발광소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device in which a finger electrode is formed symmetrically at a central portion of the light emitting device so that a current spreading effect is improved.

실시예에 따른 발광소자는 지지부재, 상기 지지부재 상에 배치되는 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 제2 반도체층 상의 일측에 배치되는 제1 전극패드 및 상기 제1 전극패드에 연결되어 타측 방향으로 확장되는 적어도 하나의 제1 핑거전극을 포함하는 제1 전극, 상기 제2 반도체층 상에 상기 제1 전극과 타측에 배치되는 제2 전극, 상기 제1 핑거전극과 수직으로 중첩되고, 상기 제2 반도체층 및 활성층이 제거되어 상기 제1 반도체층이 노출되게 형성되는 복수의 홈, 상기 홈 내부의 제1 반도체층과 상기 제1 핑거전극을 전기적으로 연결시키는 보조핑거전극 및 상기 제2 반도체층과 상기 제1 전극 사이에 배치되는 절연층을 포함하고, 상기 보조핑거전극이 상기 제1 반도체층과 접촉하는 면적은 상기 제1 전극 패드에서 멀수록 클 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a supporting member, a first semiconductor layer disposed on the supporting member, a second semiconductor layer, and a light emitting structure including an active layer between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A first electrode including a first electrode pad disposed on one side of the semiconductor layer and at least one first finger electrode connected to the first electrode pad and extending in the other direction, and the first electrode on the second semiconductor layer And a plurality of grooves formed to expose the first semiconductor layer by removing the second semiconductor layer and the active layer, the second electrode disposed on the other side, and vertically overlapping with the first finger electrode. An auxiliary layer electrically connecting the semiconductor layer and the first finger electrode, and an insulating layer disposed between the second semiconductor layer and the first electrode, wherein the auxiliary finger electrode is the first semiconductor layer. Contact area which may be higher farther from the first electrode pad.

실시예는 발광소자의 전극이 위치할 영역을 전부 식각하는 것 아니고, 보조핑거전극이 연결될 부분만 일부 식각하므로 외부에 노출되는 활성층의 영역이 감소하게 되어 전류누설을 줄일 수 있으며 광추출 효율 및 광효율이 증가하게 되는 장점이 있다.The embodiment does not etch all the regions where the electrodes of the light emitting device are to be etched, and only partially etches the portions to which the auxiliary finger electrodes are connected, thereby reducing the area of the active layer exposed to the outside, thereby reducing current leakage. This has the advantage of being increased.

또한, 실시예는 보조핑거전극이 제1 반도체층에 연결되는 홈이 전극패드로부터 이격되어 ESD(Electrostatic Discharge)로부터 발광소자가 보호될 수 있다.In addition, in the embodiment, a groove in which the auxiliary finger electrode is connected to the first semiconductor layer may be spaced apart from the electrode pad to protect the light emitting device from an electrostatic discharge (ESD).

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A 선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 B-B선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 1의 C-C선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 5는 발광소자의 ESD 파괴실험 데이터를 나타낸 도면이다.
도 6은 발광소자의 발광실험 데이터를 나타낸 도면이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이다.
도 10은 도 9의 D-D 선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 11은 도 9의 E-E 선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 12는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 13은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 14는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 15은 도 14 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.
도 16은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 17은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.1 is a plan view showing a light emitting device according to the embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 1.
4 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 1.
5 is a diagram illustrating ESD destruction test data of a light emitting device.
6 is a diagram illustrating light emission experiment data of a light emitting device.
7 is a plan view showing a light emitting device according to another embodiment.
8 is a plan view illustrating a light emitting device according to yet another embodiment.
9 is a plan view illustrating a light emitting device according to yet another embodiment.
FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. 9.
FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line EE of FIG. 9.
12 is a perspective view showing a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment.
13 is a cross-sectional view showing a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment.
14 is a perspective view showing a lighting apparatus including a light emitting device according to the embodiment.
15 is a cross-sectional view illustrating a CC ′ cross section of the lighting apparatus of FIG. 14.
16 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting device according to the embodiment.
17 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting device according to the embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Thus, in some embodiments, well known process steps, well known device structures, and well-known techniques are not specifically described to avoid an undesirable interpretation of the present invention. Like reference numerals refer to like elements throughout.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when flipping a device shown in the figure, a device described as "below" or "beneath" of another device may be placed "above" of another device. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The device can also be oriented in other directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

실시 예에 대한 설명에 앞서, 실시 예에서 언급하는 각 층(막), 영역, 패턴, 또는 구조물들의 기판, 각 층(막) 영역, 전극패드, 또는 패턴들의 "위(on)", "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와, "아래(under)"는 직접(directly)", 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 모든 것을 포함한다. 또한, 각 층의 위, 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Prior to the description of the embodiments, each layer (film), region, pattern, or structure referred to in the embodiment, each layer (film) region, electrode pad, or "on", "bottom" of the patterns "on" and "under" are all direct, or "indirectly" all other In addition, the reference | standard about the above or below of each layer is demonstrated based on drawing.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.

또한, 실시 예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도, 도 2는 도 1의 A-A 선을 따라 절단하여 나타낸 단면도, 도 3은 도 1의 B-B선을 따라 절단하여 나타낸 단면도, 도 4는 도 1의 C-C선을 따라 절단하여 나타낸 단면도, 도 5는 발광소자의 ESD 파괴실험 데이터를 나타낸 도면, 도 6은 발광소자의 발광실험 데이터를 나타낸 도면이다.1 is a plan view showing a light emitting device according to an embodiment, Figure 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of Figure 1, Figure 3 is a cross-sectional view taken along the line BB of Figure 1, Figure 4 is a CC of Figure 1 5 is a cross-sectional view cut along the line, Figure 5 is a view showing the ESD destruction test data of the light emitting device, Figure 6 is a view showing the light emission test data of the light emitting device.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 발광소자(100)는 지지부재(110), 버퍼층(112), 제1 반도체층(120), 제2 반도체층(140) 및 제1, 2 반도체층(120, 140) 사이에 활성층(130)을 포함할 수 있다.1 to 4, the light emitting device 100 includes a support member 110, a buffer layer 112, a first semiconductor layer 120, a second semiconductor layer 140, and first and second semiconductor layers 120. , 140 may include an active layer 130.

지지부재(110)은 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 바람직하게, 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며 사파이어 이외에, 지지부재(110)은 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN)로 형성될 수 있다.The support member 110 is a substrate suitable for growing a semiconductor single crystal. Preferably, the support member 110 is formed using a transparent material including sapphire. In addition to the sapphire, the support member 110 may be formed of zinc oxide (ZnO) or gallium nitrate. It may be formed of gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC), and aluminum nitride (AlN).

지지부재(110) 상에는 지지부재(110)과 제1 반도체층(120) 간의 격자 부정합을 완화하는 버퍼층(112)이 위치할 수 있다. 버퍼층(112)은 저온 분위기에서 형성할 수 있으며, GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, 및 InAlGaN 과 같은 재질 중 선택할 수 있다.The buffer layer 112 may be disposed on the support member 110 to mitigate lattice mismatch between the support member 110 and the first semiconductor layer 120. The buffer layer 112 may be formed in a low temperature atmosphere, and may be selected from materials such as GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, and InAlGaN.

버퍼층(112) 상에는 제1 반도체층(120)이 형성될 수 있다. 제1 반도체층(120)은 n형 반도체층을 포함하여 형성되어 활성층(130)에 전자를 제공할 수 있으며, 제1 반도체층(120)은 제1 도전형 반도체층으로만 형성되거나, 제1 도전형 반도체층 아래에 언도프트 반도체층(미도시)을 더 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정을 두지 않는다.The first semiconductor layer 120 may be formed on the buffer layer 112. The first semiconductor layer 120 may include an n-type semiconductor layer to provide electrons to the active layer 130, and the first semiconductor layer 120 may be formed of only the first conductive semiconductor layer or may be formed of a first conductive layer. An undoped semiconductor layer (not shown) may be further included below the conductive semiconductor layer, but the embodiment is not limited thereto.

n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The n-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1), for example, GaN, AlN , AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, and the like, and n-type dopants such as Si, Ge, Sn, and the like may be doped.

상기 언도프트 반도체층은 제1 도전형 반도체층의 결정성 향상을 위해 형성되는 층으로, n형 도펀트가 도핑되지 않아 제1 도전형 반도체층에 비해 낮은 전기전도성을 갖는 것을 제외하고는 제1 도전형 반도체층과 같을 것이다.The undoped semiconductor layer is a layer formed to improve the crystallinity of the first conductivity type semiconductor layer, except that the n-type dopant is not doped so that the first conductivity is lower than that of the first conductivity type semiconductor layer. It will be the same as the type semiconductor layer.

따라서, 제1 반도체층(120)에는 활성층(130) 및 제2 반도체층(140)이 순차적으로 적층될 수 있다.Therefore, the active layer 130 and the second semiconductor layer 140 may be sequentially stacked on the first semiconductor layer 120.

먼저, 활성층(130)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.First, the active layer 130 is an area where electrons and holes are recombined. The active layer 130 may transition to a low energy level as the electrons and holes recombine, and may generate light having a corresponding wavelength.

활성층(130)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 따라서, 더 많은 전자가 양자우물층의 낮은 에너지 준위로 모이게 되며, 그 결과 전자와 정공의 재결합 확률이 증가 되어 발광효과가 향상될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.The active layer 130 is, for example, including a semiconductor material having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) It may be formed, and may be formed of a single quantum well structure or a multi quantum well structure (MQW). Therefore, more electrons are collected at the lower energy level of the quantum well layer, and as a result, the probability of recombination of electrons and holes can be increased, thereby improving the light emitting effect. In addition, a quantum wire structure or a quantum dot structure may be included.

제2 반도체층(140)은 상술한 활성층(130)에 정공을 주입하며, 제2 반도체층(140)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 140 injects holes into the active layer 130 described above, and the second semiconductor layer 140 may be implemented as, for example, a p-type semiconductor layer, wherein the p-type semiconductor layer is In x Al. y Ga 1-xy N A semiconductor material having a composition formula of (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, or the like; P-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba may be doped.

상술한 제1 반도체층(120), 활성층(130) 및 제2 반도체층(140)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first semiconductor layer 120, the active layer 130, and the second semiconductor layer 140 may be, for example, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or chemical vapor deposition (CVD). It may be formed using a plasma chemical vapor deposition (PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), etc. It does not limit to this.

또한, 제1 반도체층(120) 및 제2 반도체층(140) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the doping concentrations of the conductive dopants in the first semiconductor layer 120 and the second semiconductor layer 140 may be uniformly or non-uniformly formed. That is, the structure of the plurality of semiconductor layers may be variously formed, but is not limited thereto.

또한, 상술한 바와는 달리 제1 반도체층(120)이 p형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(140)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 즉, 제1 반도체층(120)과 제2 반도체층(140)은 활성층(130)을 중심으로 서로 형성되는 위치가 바뀌어도 무방하나, 하기에서는 제1 반도체층(120)이 n형 반도체층을 포함하여 형성되고 지지부재(110) 상에 적층되는 것으로 기술한다.In addition, unlike the above, the first semiconductor layer 120 may include a p-type semiconductor layer, and the second semiconductor layer 140 may include an n-type semiconductor layer. That is, although the positions in which the first semiconductor layer 120 and the second semiconductor layer 140 are formed with respect to the active layer 130 may be changed, the first semiconductor layer 120 includes the n-type semiconductor layer below. It is described as being formed to be stacked on the support member 110.

다시 도 2를 참조하면, 제2 반도체층(140) 상에는 투광성전극층(150)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2 again, the transparent electrode layer 150 may be formed on the second semiconductor layer 140.

투광성전극층(150)은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 따라서, 활성층(130)에서 발생한 광을 외부로 발산할 수 있으며, 제2 반도체층(140)의 외측 일면 전체 또는 일부에 형성됨으로써, 전류군집현상을 방지할 수 있다. 또한, 이때, 제2 전극(170)은 투광성전극층(150)을 관통하여 제2 반도체층(140)과 접속될 수 있다. 이에 한정하지는 않는다.The transparent electrode layer 150 is formed of ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), IrO x , RuO x , RuO x / ITO, Ni / IrO x / Au, and Ni / IrO x / Au / ITO. Accordingly, light generated in the active layer 130 may be emitted to the outside, and the current group may be prevented by being formed on the whole or part of the outer surface of the second semiconductor layer 140. In this case, the second electrode 170 may pass through the transparent electrode layer 150 and be connected to the second semiconductor layer 140. It is not limited to this.

도 2, 도 3 및 도 4를 참조하면, 제2 반도체층(140) 상에는 제 1전극(160)이 배치되고, 제2 반도체층(140)과 제 1전극(160)의 사이에는 절연층(190)이 배치될 수 있다. 그리고, 제2 반도체층(140) 상의 타측에는 제2 전극(170)이 배치될 수 있다.2, 3, and 4, the first electrode 160 is disposed on the second semiconductor layer 140, and an insulating layer (between the second semiconductor layer 140 and the first electrode 160) is disposed. 190 may be disposed. The second electrode 170 may be disposed on the other side of the second semiconductor layer 140.

그리고, 제 1전극(160)은 제2 반도체층(140) 상의 일측에 배치되는 제1 전극패드(162) 및 제1 전극패드(162)에 연결되어 타측 방향으로 확장되는 적어도 하나의 제1 핑거전극(164, 166)을 포함할 수 있다.In addition, the first electrode 160 is connected to the first electrode pad 162 and the first electrode pad 162 disposed on one side of the second semiconductor layer 140 and at least one first finger extending in the other direction. Electrodes 164 and 166 may be included.

또한, 발광소자(100)는 제1 핑거전극(164, 166)과 수직으로 중첩되고, 제2 반도체층(140) 및 활성층(130)이 제거되어 제1 반도체층(120)이 노출되게 형성되는 복수의 홈(180)이 형성될 수 있고, 제1 핑거전극(164, 166)과 홈(180) 내부의 제1 반도체층(120)을 전기적으로 연결시키는 보조핑거전극(168)을 더 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device 100 is vertically overlapped with the first finger electrodes 164 and 166, and the second semiconductor layer 140 and the active layer 130 are removed to expose the first semiconductor layer 120. A plurality of grooves 180 may be formed and further include an auxiliary finger electrode 168 electrically connecting the first finger electrodes 164 and 166 to the first semiconductor layer 120 inside the grooves 180. Can be.

여기서, 제 1전극(160)은 제2 반도체층(140)의 어느 일측에 배치되는 제 1전극패드(162)와 제 1전극패드(162)에 연결되어 타측으로 확장되는 제 1핑거전극(예를 들면, 164, 166)를 포함할 수 있다. 도 1에서는 2개의 제1 핑거전극(164, 166)을 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않고, 발광소자의 종류, 크기 등을 고려하여 다양한 개수가 배치될 수 있다.Here, the first electrode 160 is connected to the first electrode pad 162 and the first electrode pad 162 disposed on one side of the second semiconductor layer 140 and extends to the other side of the first finger electrode (eg For example, 164, 166 may be included. In FIG. 1, two first finger electrodes 164 and 166 are illustrated, but the present invention is not limited thereto and various numbers may be arranged in consideration of the type, size, and the like of the light emitting device.

제 1전극(160)은 전도성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들면, 니켈(Ni), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 바나듐(V), 코발트(Co), 니오브(Nb), 지르코늄(Zr), 산화인듐주석(ITO, Indium Tin Oxide), 알루미늄산화아연(AZO, aluminum zinc oxide), 인듐 아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 중 적어도 하나로 형성될 수 있고, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않는다.The first electrode 160 may include a conductive material. For example, nickel (Ni), platinum (Pt), ruthenium (Ru), iridium (Ir), rhodium (Rh), tantalum (Ta), and molybdenum (Mo), titanium (Ti), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), palladium (Pd), vanadium (V), cobalt (Co), niobium (Nb), zirconium (Zr), indium tin oxide (ITO), aluminum zinc oxide (AZO), and indium zinc oxide (IZO), and may be formed of at least one of a single layer or multiple layers. Can be. However, the present invention is not limited thereto.

제2 반도체층(140)과 제 1전극(160) 사이에는 전기적 쇼트를 방지하는 절연층(190)이 형성될 수 있다.An insulating layer 190 may be formed between the second semiconductor layer 140 and the first electrode 160 to prevent an electrical short.

절연층(190)의 배치 형상은 제 1전극(160)과 대응하여 형성될 수 있고, 바람직하게는 제 1전극(160)의 폭보다 큰 폭을 가지게 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.An arrangement shape of the insulating layer 190 may be formed to correspond to the first electrode 160, and preferably, may be formed to have a width larger than the width of the first electrode 160, but is not limited thereto.

절연층(190)은 비전도성의 유기물질 또는 무기물질을 포함하며, 바람직하게는 유기물질로써 예를 들면, 우레탄, 폴리에스터 또는 아크릴로 형성될 수 있고, 또한 단층, 다층 구조로도 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되지 않는 것은 당연하다.The insulating layer 190 includes a non-conductive organic material or an inorganic material. Preferably, the insulating layer 190 may be formed of, for example, urethane, polyester, or acrylic, and may be formed of a single layer or a multilayer structure. have. However, it is not limited thereto.

또한, 제 1전극(160)은 제1 핑거전극(164, 166)에 연결되어 제1 반도체층(120)에 연결된 적어도 하나의 보조핑거전극(168)을 더 포함할 수 있다. 다시 설명하면, 제1 핑거전극(164, 166)에 연결된 보조핑거전극(168)이 절연층(190), 제2 반도체층(140) 및 활성층(130)을 관통하여 제1 반도체층(120)에 연결되는 것이다. In addition, the first electrode 160 may further include at least one auxiliary finger electrode 168 connected to the first finger electrodes 164 and 166 and connected to the first semiconductor layer 120. In other words, the auxiliary finger electrode 168 connected to the first finger electrodes 164 and 166 penetrates the insulating layer 190, the second semiconductor layer 140, and the active layer 130 to form the first semiconductor layer 120. To be connected.

이때에, 상기 발광구조물에는 보조핑거전극(168)에 대응하여, 제1 반도체층(120)이 노출되도록 제1 핑거전극(164, 166)에서 제1 반도체층(120)까지 이어지며 홈(180)이 형성될 수 있다. 즉, 보조핑거전극(168)이 제1 반도체층(120)과 연결되도록 그 사이에 형성된 제2 반도체층(140), 활성층(130)및 제1 반도체층(120)의 일부영역에 홈(180)이 형성되는 것이다. 이때에, 절연층(190)은 제2 반도체층(140) 상에서 홈(180)의 내측면과 보조핑거전극(168) 사이까지 배치될 수 있다.In this case, the light emitting structure corresponds to the auxiliary finger electrode 168 and extends from the first finger electrodes 164 and 166 to the first semiconductor layer 120 so as to expose the first semiconductor layer 120. ) May be formed. That is, the groove 180 may be formed in a portion of the second semiconductor layer 140, the active layer 130, and the first semiconductor layer 120 formed therebetween so that the auxiliary finger electrode 168 is connected to the first semiconductor layer 120. ) Is formed. In this case, the insulating layer 190 may be disposed between the inner surface of the groove 180 and the auxiliary finger electrode 168 on the second semiconductor layer 140.

그리고, 보조핑거전극(168) 이 제1 반도체층(120) 과 접촉하는 면적은 상기 제1 전극패드(162)에서 멀수록 클 수 있다. 이는, 제1 전극패드(162)의 근처에서 전류의 집중 현상을 방지하고, 전류 스프레딩을 향상시킬 수 있다. 또한, 발광소자의 발광효율을 향상시킬 수 있다.The area where the auxiliary finger electrode 168 contacts the first semiconductor layer 120 may be larger as far from the first electrode pad 162. This may prevent concentration of current near the first electrode pad 162 and improve current spreading. In addition, the luminous efficiency of the light emitting device can be improved.

여기서, 홈(180)의 면적은 제1 전극패드(162)에서 멀어질수록 클 수 있다. 즉, 보조핑거전극(168)의 면적과 대응되게 커질 수 있다. 전류 스프레딩을 고려하여서, 서로 인접한 복수의 홈(180)들 사이의 거리(d1)는 일정할 수 있다. 다만, 홈(180)이 너무 많으면, 홈(180)을 형성하기 위하여서 너무 많은 발광영역이 희생되는 문제점이 있고, 홈(180)이 너무 적으면 발광영역의 희생은 적을 수 있으나, 발광소자(100)에 전류공급이 충분하지 못하는 문제가 있으므로, 서로 인접한 홈(180)들 사이의 이격거리는 발광소자(100)의 길이 대비 0.1배 내지 0.4배를 포함할 수 있다. 즉, 홈(180) 은 발광소자(100)의 길이 방향으로 대략 2개 내지 10개 정도가 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.Here, the area of the groove 180 may be larger as it moves away from the first electrode pad 162. That is, it may increase to correspond to the area of the auxiliary finger electrode 168. In consideration of current spreading, the distance d1 between the plurality of grooves 180 adjacent to each other may be constant. However, if the groove 180 is too large, there is a problem in that too many light emitting regions are sacrificed to form the groove 180. If the groove 180 is too small, the sacrifice of the light emitting region may be small. Since there is a problem that the current supply is not sufficient, the separation distance between the grooves 180 adjacent to each other may include 0.1 times to 0.4 times the length of the light emitting device 100. That is, about 2 to about 10 grooves 180 may be disposed in the longitudinal direction of the light emitting device 100. However, the present invention is not limited thereto.

그리고, 홈(180)의 총면적도 상술한 바와 같이 너무 넓게 형성되면, 발광영역의 희생이 크고, 너무 좁게 형성되면 발광소자의 전류공급에 문제가 있으므로, 제2 반도체층(140)의 면적 대비 5% 내지 20%의 면적을 포함할 수 있다.In addition, if the total area of the groove 180 is formed too wide as described above, if the sacrifice of the light emitting area is large, if the narrow area is too narrow, there is a problem in supplying current to the light emitting device. It may comprise an area of% to 20%.

홈(180)은 습식식각(wet etching), 건식식각(dry etching) 또는 LLO(laser lift off) 방법에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 그리고, 보조핑거전극(168)과 대응되게 홈(180)을 상측에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 삼각형, 다각형의 형상을 포함할 수 있다.The groove 180 may be formed by a wet etching, dry etching, or laser lift off method, but is not limited thereto. In addition, the shape of the groove 180 viewed from above to correspond to the auxiliary finger electrode 168 may include a shape of a circle, a rectangle, a triangle, and a polygon.

홈(180)의 크기 또는 형상은 제한이 없으나, 바람직하게는 전기적 쇼트를 방지하기 위해서 보조핑거전극(168) 의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있다.The size or shape of the groove 180 is not limited, but may preferably have a width larger than that of the auxiliary finger electrode 168 to prevent electrical short.

그리고, 제1 반도체층(120)이 n형 반도체라면, 제 1전극(160)은 n형 전극으로 작동한다.If the first semiconductor layer 120 is an n-type semiconductor, the first electrode 160 operates as an n-type electrode.

도 4를 참조하면, 보조핑거전극(168)의 개수는 제한이 없고, 발광소자(100)의 크기, 면적, 발광용량에 따라 적당한 개수로 형성될 수 있다. 다만, 보조핑거전극(168)의 면적은 제1 전극패드(162)에서 멀어질수록 클 수 있다. 전류 스프레딩을 고려하여서, 서로 인접한 복수의 보조핑거전극(168)들 사이의 거리(d1)는 일정할 수 있다. 다만, 보조핑거전극(168)이 너무 많으면, 홈(180)을 형성하기 위하여서 너무 많은 발광영역이 희생되는 문제점이 있고, 보조핑거전극(168)이 너무 적으면 발광영역의 희생은 적을 수 있으나, 발광소자(100)에 전류공급이 충분하지 못하는 문제가 있으므로, 서로 인접한 보조핑거전극(168)들 사이의 이격거리는 발광소자(100)의 길이 대비 0.1배 내지 0.4배를 포함할 수 있다. 즉, 보조핑거전극(168)은 발광소자(100)의 길이 방향으로 대략 2개 내지 10개 정도가 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 보조핑거전극(168) 이 제1 반도체층(120)과 접촉하는 면적은 선형적 또는 비선형적으로 커질 수 있다.Referring to FIG. 4, the number of auxiliary finger electrodes 168 is not limited and may be formed in an appropriate number according to the size, area, and light emitting capacity of the light emitting device 100. However, the area of the auxiliary finger electrode 168 may be larger as it moves away from the first electrode pad 162. In consideration of current spreading, the distance d1 between the plurality of auxiliary finger electrodes 168 adjacent to each other may be constant. However, if the auxiliary finger electrode 168 is too large, there is a problem that too many light emitting regions are sacrificed to form the grooves 180. If the auxiliary finger electrode 168 is too small, the sacrifice of the light emitting region may be small. Since there is a problem that the current supply to the light emitting device 100 is not sufficient, the separation distance between the auxiliary finger electrodes 168 adjacent to each other may include 0.1 to 0.4 times the length of the light emitting device 100. That is, about 2 to about 10 auxiliary finger electrodes 168 may be disposed in the length direction of the light emitting device 100. However, the present invention is not limited thereto. In addition, the area where the auxiliary finger electrode 168 contacts the first semiconductor layer 120 may be increased linearly or nonlinearly.

그리고, 보조핑거전극(168)의 총면적도 상술한 바와 같이 너무 넓게 형성되면, 발광영역의 희생이 크고, 너무 좁게 형성되면 발광소자의 전류공급에 문제가 있으므로, 제2 반도체층(140)의 면적 대비 4% 내지 19%의 면적을 포함할 수 있다. 보조핑거전극(168)이 제1 반도체층(120)과 접촉하는 면적 중 가장 큰 면적은 가장 작은 면적의 2배 내지 4배를 포함할 수 있다.In addition, if the total area of the auxiliary finger electrode 168 is formed too large as described above, if the sacrifice of the light emitting region is large, if it is formed too narrow, there is a problem in supplying the current of the light emitting device, and thus the area of the second semiconductor layer 140. It may comprise an area of 4% to 19% relative to. The largest area of the area where the auxiliary finger electrode 168 contacts the first semiconductor layer 120 may include 2 to 4 times the smallest area.

보조핑거전극(168)은 복수 개가 형성될 수 있으며, 복수 개의 보조핑거전극(168)은 서로 인접한 두개의 보조핑거전극(168) 사이의 간격이 서로 동일할 수 있다. 보조핑거전극(168)의 간격이 동일하여서, 전류확산이 발광소자(100) 전체에 고루 이루어질 수 있다.A plurality of auxiliary finger electrodes 168 may be formed, and the plurality of auxiliary finger electrodes 168 may have the same spacing between two auxiliary finger electrodes 168 adjacent to each other. Since the interval between the auxiliary finger electrodes 168 is the same, current spreading may be uniformly performed throughout the light emitting device 100.

보조핑거전극(168)과 홈(180)의 내측면은 전기적으로 단락될 수 있다. 예를 들면, 보조핑거전극(168)과 홈(180)의 내측면은 이격되어 형성될 수 있다.Inner surfaces of the auxiliary finger electrode 168 and the groove 180 may be electrically shorted. For example, the inner side surfaces of the auxiliary finger electrode 168 and the groove 180 may be spaced apart from each other.

따라서 보조핑거전극(168)과 제2 반도체층(140) 및 활성층(130) 간의 전기적 쇼트를 방지할 수 있다.Accordingly, electrical short between the auxiliary finger electrode 168, the second semiconductor layer 140, and the active layer 130 may be prevented.

또한, 절연층(190)은 보조핑거전극(168)의 외주면을 감싸도록 연장되어 형성될 수 있다. 즉, 절연층(190)은 홈(180)의 내측면과 보조핑거전극(168) 사이의 공간에 형성될 수 있다. 따라서, 전기적 쇼트를 방지할 수 있다.In addition, the insulating layer 190 may be formed to extend to surround the outer circumferential surface of the auxiliary finger electrode 168. That is, the insulating layer 190 may be formed in the space between the inner surface of the groove 180 and the auxiliary finger electrode 168. Therefore, electrical short can be prevented.

홈(180)의 폭은 보조핑거전극(168)의 폭 대비 1.5배 내지 2배일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.The width of the groove 180 may be 1.5 to 2 times the width of the auxiliary finger electrode 168. However, the present invention is not limited thereto.

제 1핑거전극(164, 166)의 개수는 제한이 없으나 바람직하게는 2개를 포함할 수 있다. 즉, 발광소자(100)의 크기에 따라 다양하게 배치될 수 있다. The number of the first finger electrodes 164 and 166 is not limited but may preferably include two. That is, the light emitting device 100 may be arranged in various ways.

제1 핑거전극(164, 166)이 2개가 배치되는 경우, 제1 전극패드(162)를 기준으로 상하로 대칭되게 배치될 수 있다. 이때, 홈(180)과 보조핑거전극(168)도 제1 전극패드(162)를 기준으로 상하로 대칭되게 배치될 수 있다. 2개의 제1 핑거전극(164, 166)이 서로 대칭으로 배치됨으로써 효율적인 전류확산을 기대할 수 있다.When two first finger electrodes 164 and 166 are disposed, the first finger electrodes 164 and 166 may be symmetrically disposed up and down with respect to the first electrode pad 162. In this case, the groove 180 and the auxiliary finger electrode 168 may also be symmetrically disposed up and down with respect to the first electrode pad 162. Since the two first finger electrodes 164 and 166 are disposed symmetrically with each other, efficient current spreading can be expected.

또한, 제1 핑거전극(164, 166)중 어느 하나 이상은 절곡 또는 곡률을 포함 할 수 있다. 절곡은 발광소자(100)의 형상과 전류확산을 고려하여 다양한 형태로 배치될 수 있다. 그리고 상기 절곡은 곡률을 가질 수도 있지만 이에 한정되지 않는다.In addition, any one or more of the first finger electrodes 164 and 166 may include bending or curvature. The bending may be arranged in various forms in consideration of the shape and current spreading of the light emitting device 100. The bending may have a curvature, but is not limited thereto.

제 2 반도체층(140) 상에는 제 2전극(170)이 배치될 수 있다.The second electrode 170 may be disposed on the second semiconductor layer 140.

제 2전극(170)은 제 2반도체층의 일측에 배치되는 제2 전극패드(172) 및 제2 전극패드(172)에 연결되어 제1 전극패드 방향(162)으로 확장되는 적어도 하나의 제 2 핑거전극(174, 176, 178)를 포함할 수 있다.The second electrode 170 is connected to the second electrode pad 172 and the second electrode pad 172 disposed on one side of the second semiconductor layer and at least one second extending in the first electrode pad direction 162. Finger electrodes 174, 176, and 178 may be included.

제 2 핑거전극(174, 176, 178)는 적어도 하나가 배치될 수 있고, 개수의 제한이 없지만, 도 1에서 도시한 바와 같이 3개의 제 2 핑거전극(174, 176, 178)을 포함할 수 있다. 즉, 발광소자(100)의 크기에 따라 전류확산을 고려하여 다양하게 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않는다.At least one second finger electrode 174, 176, and 178 may be disposed, and the number of the second finger electrodes 174, 176, and 178 is not limited, but may include three second finger electrodes 174, 176, and 178 as shown in FIG. 1. have. That is, according to the size of the light emitting device 100 may be disposed in various ways in consideration of current diffusion. However, the present invention is not limited thereto.

제 2 핑거전극(174, 176, 178)은 복수 개가 배치될 수 있다, 도 3에서는 발광소자(100)의 중심부에 하나의 제 2 핑거전극(174)이 배치되고 중심부의 제 2 핑거전극(174)을 기준으로 상하로 대칭되게 제 2 핑거전극들(176, 178)이 배치되고 있다. 각각의 핑거전극들 사이의 거리(예를 들면, d2, d3, d4, d5)는 서로 동일할 수 있다. A plurality of second finger electrodes 174, 176, and 178 may be disposed. In FIG. 3, one second finger electrode 174 is disposed at the center of the light emitting device 100, and a second finger electrode 174 is located at the center of the light emitting device 100. The second finger electrodes 176 and 178 are disposed symmetrically up and down with reference to (). The distance (eg, d2, d3, d4, d5) between the respective finger electrodes may be the same.

즉, 각 핑거전극 간의 거리가 일정하고 서로 대칭되게 배치됨으로써 전류확산효과를 향상시킬 수 있다. That is, since the distance between each finger electrode is constant and arranged symmetrically, the current diffusion effect can be improved.

그리고, 제 2 핑거전극들(174, 176, 178) 중 적어도 하나 이상은 절곡을 포함하고, 상기 절곡은 곡률을 가지게 형성될 수 있다.At least one of the second finger electrodes 174, 176, and 178 may include a bend, and the bend may be formed to have a curvature.

또한, 전류확산을 위해 제2 전극(170)과 제2 반도체층(140) 사이에는 투광성전극층(150)이 포함할 수도 있다.In addition, the transparent electrode layer 150 may be included between the second electrode 170 and the second semiconductor layer 140 to spread current.

실시예는 전극패드에서 직접 반도체층으로 전류를 공급하는 것이 아니고, 전극패드로부터 이격된 부분에 메사식각하고 보조핑거전극을 통행 전류를 공급함으로써 ESD(Electrostatic Discharge)로부터 발광소자가 보호될 수 있다. 도 5를 참조하면, 종래 발명의 ESD 파괴실험에서는 52%의 양품률을 보인 반면, 실시예에서는 84%의 양품률을 보임으로써 훨씬 더 향상된 ESD 내성을 가지게 된다.According to the exemplary embodiment, the light emitting device may be protected from electrostatic discharge (ESD) by supplying a mesa-etched portion and a passage current through the auxiliary finger electrode instead of supplying a current to the semiconductor layer directly from the electrode pad. Referring to FIG. 5, the ESD breakdown test of the related art shows a yield of 52%, while the embodiment shows a yield of 84%, thereby providing much improved ESD resistance.

실시예는 제1 전극(160)이 위치할 모든 영역을 메사식각하는 것이 아니고, 제 1전극(160)과 제2 반도체층(140) 사이에 절연층(190)을 형성하고, 제1 핑거전극(164, 166)에 연결된 보조핑거전극(168)이 제1 반도체층(120)에 연결될 수 있도록 발광소자(100)의 일부 영역만 식각되므로, 외부에 노출되는 활성층(130)의 영역이 감소하게 되어 전류누설이 방지되고, 광추출 효율 및 광효율이 증가하게 된다. 도 6을 참조하면, 도 6에서 도시한 발광실험 데이터를 보면 종래발명은 발광영역률(Emission area ratio)이 76%인 반면, 실시예는 79%로 3% 향상되는 효과를 가진다.In an exemplary embodiment, the insulating layer 190 is formed between the first electrode 160 and the second semiconductor layer 140, instead of mesa etching all regions in which the first electrode 160 is to be located. Since only a portion of the light emitting device 100 is etched so that the auxiliary finger electrode 168 connected to the 164 and 166 may be connected to the first semiconductor layer 120, the area of the active layer 130 exposed to the outside may be reduced. This prevents current leakage and increases light extraction efficiency and light efficiency. Referring to FIG. 6, in the light emission experiment data shown in FIG. 6, the conventional invention has an emission area ratio of 76%, while the embodiment has an effect of improving 3% to 79%.

도 7은 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이다.7 is a plan view showing a light emitting device according to another embodiment.

도 7을 참조하면, 실시예의 발광소자(200)는 도 1의 실시예와 비교하면, 핑거전극(268, 274, 276)의 배치에 차이가 있다.Referring to FIG. 7, the light emitting device 200 according to the embodiment has a difference in arrangement of the finger electrodes 268, 274, and 276 as compared with the embodiment of FIG. 1.

여기서, 제 1전극(260)은 제2 반도체층(240) 상에 절연층(290)을 사이에 두고 배치되는 제1 전극패드(262)와 제1 전극패드(262)에서 타측방향으로 확장 배치되는 하나의 제1 핑거전극(264)을 포함할 수 있다. 제2 전극(270)은 제2 전극패드(272)와 2 전극패드(272)에서 타측방향으로 확장 배치되는 2개의 제 2 핑거전극(274, 276)을 포함할 수 있다. 전류스프레딩을 위해서, 제1 핑거전극(264)이 발광소자(200)의 길이 방향을 따라 중심부에 배치되고, 제 2 핑거전극(274, 276)들은 제1 핑거전극(264)을 기준으로 상하로 대칭되게 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고 다양한 전극구조를 가질 수 있다.Here, the first electrode 260 is extended in the other direction from the first electrode pad 262 and the first electrode pad 262 disposed on the second semiconductor layer 240 with the insulating layer 290 interposed therebetween. It may include one first finger electrode 264 to be. The second electrode 270 may include two second finger electrodes 274 and 276 extending in the other direction from the second electrode pad 272 and the second electrode pad 272. For current spreading, the first finger electrode 264 is disposed at the center portion in the longitudinal direction of the light emitting device 200, and the second finger electrodes 274 and 276 are positioned up and down relative to the first finger electrode 264. Can be arranged symmetrically. However, the present invention is not limited thereto and may have various electrode structures.

도 8은 또 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이다.8 is a plan view illustrating a light emitting device according to yet another embodiment.

도 8을 참조하면, 실시예의 발광소자(300)는 도 7읠 실시예와 비교하면, 제 1핑거전극(364)의 폭에 차이가 존재한다.Referring to FIG. 8, the light emitting device 300 of the embodiment has a difference in the width of the first finger electrode 364 compared to the embodiment of FIG. 7.

제 1핑거전극(364)의 폭은 제1 전극패드(362)에서 멀어질수록 증가하거나 클 수 있다. 제1 핑거전극(364)의 폭은 선형적 또는 비선형적으로 증가할 수 있고, 이에 한정되지는 않는다.The width of the first finger electrode 364 may increase or increase as the distance from the first electrode pad 362 increases. The width of the first finger electrode 364 may increase linearly or nonlinearly, but is not limited thereto.

제1 전극패드(362) 근처에서 전류의 집중현상이 생긴다. 따라서, 제1 전극패드(362)에서 멀수록 보조핑거전극(368)의 접촉면적을 넓게 하고 이에 대응하여서 제 1핑거전극(364)의 폭도 넓게 하면, 제1 전극패드(362)에서 먼 쪽까지 전류스프레딩을 향상시킬 수 있고, 발광소자의 발광효율도 향상시킬 수 있다. 즉, 보조핑거전극(368)이 제1 전극패드(362)에서 멀리 형성되어도 전류 공급을 원활하게 할 수 있다.Concentration of current occurs near the first electrode pad 362. Therefore, the farther from the first electrode pad 362, the wider the contact area of the auxiliary finger electrode 368 and the corresponding width of the first finger electrode 364 is, the farther from the first electrode pad 362. The current spreading can be improved, and the luminous efficiency of the light emitting device can also be improved. That is, even if the auxiliary finger electrode 368 is formed far from the first electrode pad 362, the current supply can be smoothly performed.

도 9는 또 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도, 도 10은 도 9의 D-D 선을 따라 절단하여 나타낸 단면도, 도 11은 도 9의 E-E 선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.9 is a plan view illustrating a light emitting device according to still another embodiment, FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line D-D of FIG. 9, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line E-E of FIG. 9.

도 9 내지 도 11을 참조하면, 실시예의 발광소자(300)는 도 7의 실시예와 비교하여서 홈(480)과 보조핑거전극(468)의 구조에 차이가 존재하고, 절연바(478)를 더 포함하는 점에서 차이가 존재한다.9 to 11, the light emitting device 300 according to the embodiment has a difference in structure between the groove 480 and the auxiliary finger electrode 468, and the insulation bar 478 is compared with the embodiment of FIG. 7. There is a difference in that it includes more.

도 9 및 도 10을 참조하면, 홈(480)의 폭은 발광구조물의 상부 방향으로 갈수록 크게 형성될 수 있다. 이때, 홈(480)의 하부의 면적이 제1 전극패드(462)에서 멀어질수록 커진다. 이때에, 보조핑거전극(468)은 도 1과 같이 기둥형태로 형성될 수도 있지만, 도 10과 같이 홈(480)의 경사면을 따라서, 일정 두께로 형성될 수 있다. 물론, 보조핑거전극(468)과 활성층(130) 및 제2 반도체층(140)의 사이에는 전기적 쇼트 방지를 위한 절연층(190)이 포함될 수 있다. 다만, 발광영역의 희생을 줄이기 위해서는 도 1과 같은 형태가 유리할 것 이다.9 and 10, the width of the groove 480 may be increased toward the upper direction of the light emitting structure. At this time, the area of the lower portion of the groove 480 increases as the distance from the first electrode pad 462 increases. In this case, the auxiliary finger electrode 468 may be formed in a pillar shape as shown in FIG. 1, but may be formed to a predetermined thickness along the inclined surface of the groove 480 as shown in FIG. 10. Of course, an insulating layer 190 may be included between the auxiliary finger electrode 468, the active layer 130, and the second semiconductor layer 140 to prevent electrical short. However, in order to reduce the sacrifice of the light emitting area, the shape as shown in FIG. 1 may be advantageous.

도 9 및 도 11을 참조하면, 절연바(478)는 제2 반도체층(140)과 제2 핑거전극(478) 사이에 서로 이격 배치될 수 있다.9 and 11, the insulating bar 478 may be spaced apart from each other between the second semiconductor layer 140 and the second finger electrode 478.

절연바(478)는 전류가 제2 핑거전극(478)의 하부에 집중되는 현상을 방지하여서, 전류의 스프레딩을 향상시키고, 발광효율을 향상시킬 수 있다. 절연바(478)는 비전도성의 유기물질 또는 무기물질을 포함하며, 예를 들면, 우레탄, 폴리에스터 또는 아크릴로 형성될 수 있고, 또한 단층, 다층 구조로도 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되지 않는 것은 당연하다.The insulating bar 478 prevents a current from being concentrated on the lower portion of the second finger electrode 478, thereby improving the spreading of the current and improving the luminous efficiency. The insulating bar 478 may include a non-conductive organic material or an inorganic material. For example, the insulating bar 478 may be formed of urethane, polyester, or acrylic, and may also be formed of a single layer or a multilayer structure. However, it is not limited thereto.

서로 인접한 절연바(478)들 사이의 이격거리는 제한이 없지만, 너무 먼 경우에는 제2 핑거전극(478) 하부에 전류집중현상을 해소할 수 없고, 너무 가까운 경우에는 제2 반도체층(140)에 충분한 전류가 공급될 수 없으므로, 서로 인접한 절연바(478)들 사이의 이격거리는 홈(480)들 사이의 이격거리 대비 0.3 내지 0.5 배를 포함할 수 있다. 그리고, 전자의 이동도가 정공의 이동도보다 빠르게 때문에, 절연바(478)들의 이격거리는 홈(480)들의 이격거리보다 작게 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 서로 인접한 절연바(478)들의 이격거리가 동일하여서 전류스프레딩을 더욱 더 향상시킬 수 있다. The separation distance between the insulating bars 478 adjacent to each other is not limited, but if it is too far, the current concentration phenomenon cannot be solved under the second finger electrode 478, and if it is too close to the second semiconductor layer 140. Since sufficient current cannot be supplied, the separation distance between the insulating bars 478 adjacent to each other may include 0.3 to 0.5 times the separation distance between the grooves 480. In addition, since the mobility of electrons is faster than the mobility of holes, the separation distance of the insulation bars 478 may be smaller than the separation distance of the grooves 480. However, the present invention is not limited thereto. In addition, since the separation distance between the insulating bars 478 adjacent to each other is the same, current spreading may be further improved.

실시예에서는 수평형 발광소자를 기준으로 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 수직형 발광소자, 플립형 발광소자 또는 비아홀 구조의 발광소자에도 적용될 수 있다. Although the embodiment has been described with reference to a horizontal light emitting device, the present invention is not limited thereto, and may be applied to a vertical light emitting device, a flip light emitting device, or a light emitting device having a via hole structure.

도 12은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이고, 도 13은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.12 is a perspective view illustrating a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment.

도 12 및 도 13을 참조하면, 발광소자 패키지(500)는 캐비티(520)가 형성된 몸체(510), 몸체(510)에 실장되는 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)과, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)과 전기적으로 연결되는 발광소자(530), 및 발광소자(530)를 덮도록 캐비티(520)에 충진되는 봉지재(미도시)를 포함할 수 있다. 12 and 13, the light emitting device package 500 includes a body 510 having a cavity 520, first and second lead frames 540 and 550 mounted on the body 510, and a first one. And a light emitting device 530 electrically connected to the second lead frames 540 and 550, and an encapsulant (not shown) filled in the cavity 520 to cover the light emitting device 530.

몸체(510)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(510)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 510 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), liquid crystal polymer (PSG), polyamide 9T (SPS), a metal material, sapphire (Al 2 O 3 ), beryllium oxide (BeO), and a printed circuit board (PCB). The body 510 may be formed by injection molding, etching, or the like, but is not limited thereto.

몸체(510)의 내면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(530)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. The inner surface of the body 510 may be formed with an inclined surface. The reflection angle of the light emitted from the light emitting device 530 can be changed according to the angle of the inclined surface, and thus the directivity angle of the light emitted to the outside can be controlled.

광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(530)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향각이 클수록 발광소자(530)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.Concentration of light emitted to the outside from the light emitting device 530 increases as the directivity angle of light decreases. Conversely, as the directivity angle of light increases, the concentration of light emitted from the light emitting device 530 decreases.

한편, 몸체(510)에 형성되는 캐비티(520)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The shape of the cavity 520 formed in the body 510 may be circular, rectangular, polygonal, elliptical, or the like, and may have a curved shape, but the present invention is not limited thereto.

발광소자(530)는 제1 리드 프레임(540) 상에 실장되며, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광소자(530)는 한 개 이상 실장될 수 있다.The light emitting device 530 is mounted on the first lead frame 540 and may be, for example, a light emitting device emitting light of red, green, blue, white, or UV (ultraviolet) light emitting device emitting ultraviolet light. But it is not limited thereto. In addition, one or more light emitting elements 530 may be mounted.

또한, 발광소자(530)는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩(flip chip) 모두에 적용 가능하다.The light emitting device 530 may be a horizontal type or a vertical type formed on the upper or lower surface of the light emitting device 530 or a flip chip Applicable.

봉지재(미도시)는 발광소자(530)를 덮도록 캐비티(520)에 충진될 수 있다.The encapsulant (not shown) may be filled in the cavity 520 to cover the light emitting device 530.

봉지재(미도시)는 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티(520) 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.The encapsulant (not shown) may be formed of silicon, epoxy, or other resin material. The encapsulant may be filled in the cavity 520 and ultraviolet or thermally cured.

또한 봉지재(미도시)는 형광체를 포함할 수 있으며, 형광체는 발광소자(530)에서 방출되는 광의 파장에 종류가 선택되어 발광소자 패키지(500)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다. In addition, the encapsulant (not shown) may include a phosphor, and the phosphor may be selected to be a wavelength of light emitted from the light emitting device 530 so that the light emitting device package 500 may emit white light.

이러한 형광체는 발광소자(530)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. The phosphor may be one of a blue light emitting phosphor, a blue light emitting phosphor, a green light emitting phosphor, a sulfur green light emitting phosphor, a yellow light emitting phosphor, a yellow red light emitting phosphor, an orange light emitting phosphor, and a red light emitting phosphor depending on the wavelength of light emitted from the light emitting device 530 Can be applied.

즉, 형광체는 발광소자(530)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(530)가 청색 발광 다이오드이고 형광체가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(500)는 백색 빛을 제공할 수 있다. That is, the phosphor may be excited by the light having the first light emitted from the light emitting device 530 to generate the second light. For example, when the light emitting element 530 is a blue light emitting diode and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to emit yellow light, and blue light and blue light emitted from the blue light emitting diode As the excited yellow light is mixed, the light emitting device package 500 can provide white light.

이와 유사하게, 발광소자(530)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체를 혼용하는 경우, 발광소자(530)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.Similarly, when the light emitting element 530 is a green light emitting diode, the magenta phosphor or the blue and red phosphors are mixed, and when the light emitting element 530 is a red light emitting diode, the cyan phosphors or the blue and green phosphors are mixed For example.

이러한 형광체는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 형광체일 수 있다.Such a fluorescent material may be a known fluorescent material such as a YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride or phosphate.

제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first and second lead frames 540 and 550 may be formed of a metal material such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium , Hafnium (Hf), ruthenium (Ru), and iron (Fe). Also, the first and second lead frames 540 and 550 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, but the present invention is not limited thereto.

제1 제2 리드 프레임(540, 550)은 서로 이격되어 서로 전기적으로 분리된다. 발광소자(530)는 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)상에 실장되며, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 발광소자(530)와 직접 접촉하거나 또는 솔더링 부재(미도시)와 같은 전도성을 갖는 재료를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광소자(530)는 와이어 본딩을 통해 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 따라서 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)에 전원이 연결되면 발광소자(530)에 전원이 인가될 수 있다. 한편, 수개의 리드 프레임(미도시)이 몸체(510)내에 실장되고 각각의 리드 프레임(미도시)이 발광소자(530)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The first and second lead frames 540 and 550 are separated from each other and electrically separated from each other. The light emitting element 530 is mounted on the first and second lead frames 540 and 550 and the first and second lead frames 540 and 550 are in direct contact with the light emitting element 530, And may be electrically connected through a conductive material such as a conductive material. In addition, the light emitting device 530 may be electrically connected to the first and second lead frames 540 and 550 through wire bonding, but is not limited thereto. Accordingly, when power is supplied to the first and second lead frames 540 and 550, power may be applied to the light emitting device 530. Meanwhile, a plurality of lead frames (not shown) may be mounted in the body 510 and each lead frame (not shown) may be electrically connected to the light emitting device 530, but is not limited thereto.

도 14는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 15 는 도 14 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.FIG. 14 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a C-C 'cross section of the lighting device of FIG.

도 14 및 도 15을 참조하면, 조명장치(600)는 몸체(610), 몸체(610)와 체결되는 커버(630) 및 몸체(610)의 양단에 위치하는 마감캡(650)을 포함할 수 있다.14 and 15, the lighting device 600 may include a body 610, a cover 630 fastened to the body 610, and a closing cap 650 located at both ends of the body 610. have.

몸체(610)의 하부면에는 발광소자 모듈(640)이 체결되며, 몸체(610)는 발광소자 패키지(644)에서 발생된 열이 몸체(610)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.A light emitting device module 640 is coupled to a lower surface of the body 610. The body 610 is electrically conductive so that heat generated from the light emitting device package 644 can be emitted to the outside through the upper surface of the body 610. [ And a metal material having an excellent heat dissipation effect.

발광소자 패키지(644)는 PCB(642) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 PCB(642)로 MPPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다.The light emitting device package 644 may be mounted on the PCB 642 in a multi-color, multi-row manner to form an array. The light emitting device package 644 may be mounted at equal intervals or may be mounted with various spacings as required. As the PCB 642, MPPCB (Metal Core PCB) or FR4 material PCB can be used.

발광소자 패키지(644)는 연장된 리드 프레임(미도시)를 포함하여 향상된 방열 기능을 가질 수 있으므로, 발광소자 패키지(644)의 신뢰성과 효율성이 향상될 수 있으며, 발광소자 패키지(622) 및 발광소자 패키지(644)를 포함하는 조명장치(600)의 사용 연한이 연장될 수 있다.Since the light emitting device package 644 may have an improved heat dissipation function including an extended lead frame (not shown), reliability and efficiency of the light emitting device package 644 may be improved, and the light emitting device package 622 and the light emitting device may be improved. The service life of the lighting device 600 including the device package 644 may be extended.

커버(630)는 몸체(610)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The cover 630 may be formed in a circular shape so as to surround the lower surface of the body 610, but is not limited thereto.

커버(630)는 내부의 발광소자 모듈(640)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(630)는 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 630 protects the internal light emitting element module 640 from foreign substances or the like. The cover 630 may include diffusion particles so as to prevent glare of light generated in the light emitting device package 644 and uniformly emit light to the outside, and may include at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 630 A prism pattern or the like may be formed on one side. Further, the phosphor may be applied to at least one of the inner surface and the outer surface of the cover 630.

한편, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광은 커버(630)를 통해 외부로 방출되므로 커버(630)는 광 투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(630)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.Since the light generated in the light emitting device package 644 is emitted to the outside through the cover 630, the cover 630 must have a high light transmittance and sufficient heat resistance to withstand the heat generated in the light emitting device package 644 The cover 630 may be formed of a material including polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or the like.

마감캡(650)은 몸체(610)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(650)에는 전원핀(652)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(600)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.The finishing cap 650 is located at both ends of the body 610 and can be used to seal the power supply unit (not shown). In addition, the finishing cap 650 is provided with the power supply pin 652, so that the lighting apparatus 600 according to the embodiment can be used immediately without a separate device on the terminal from which the conventional fluorescent lamp is removed.

도 16 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.16 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting device according to the embodiment.

도 16 은 에지-라이트 방식으로, 액정표시장치(700)는 액정표시패널(710)과 액정표시패널(710)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(770)을 포함할 수 있다.FIG. 16 illustrates an edge-light method, and the liquid crystal display 700 may include a liquid crystal display panel 710 and a backlight unit 770 for providing light to the liquid crystal display panel 710.

액정표시패널(710)은 백라이트 유닛(770)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(710)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(712) 및 박막 트랜지스터 기판(714)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 710 can display an image using light provided from the backlight unit 770. The liquid crystal display panel 710 may include a color filter substrate 712 and a thin film transistor substrate 714 facing each other with a liquid crystal therebetween.

컬러 필터 기판(712)은 액정표시패널(710)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 712 can realize the color of an image to be displayed through the liquid crystal display panel 710.

박막 트랜지스터 기판(714)은 구동 필름(717)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로 기판(718)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(714)은 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 714 is electrically connected to a printed circuit board 718 on which a plurality of circuit components are mounted via a driving film 717. The thin film transistor substrate 714 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 718 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 718. [

박막 트랜지스터 기판(714)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 714 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed as a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(770)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(720), 발광소자 모듈(720)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(710)로 제공하는 도광판(730), 도광판(730)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(752, 766, 764) 및 도광판(730)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(730)으로 반사시키는 반사 시트(747)로 구성된다.The backlight unit 770 includes a light emitting element module 720 that outputs light, a light guide plate 730 that changes the light provided from the light emitting element module 720 into a surface light source and provides the light to the liquid crystal display panel 710, A plurality of films 752, 766, and 764 for uniformly distributing the luminance of light provided from the light guide plate 730 and improving vertical incidence and a reflective sheet (reflective plate) for reflecting light emitted to the rear of the light guide plate 730 to the light guide plate 730 747).

발광소자 모듈(720)은 복수의 발광소자 패키지(724)와 복수의 발광소자 패키지(724)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(722)을 포함할 수 있다. 이 경우 굽어진 발광소자 패키지(724)의 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The light emitting device module 720 may include a PCB substrate 722 for mounting a plurality of light emitting device packages 724 and a plurality of light emitting device packages 724 to form an array. In this case, the reliability of the mounting of the bent light emitting device package 724 can be improved.

한편, 백라이트 유닛(770)은 도광판(730)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(710) 방향으로 확산시키는 확산필름(766)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(752)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(750)를 보호하기 위한 보호필름(764)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the backlight unit 770 includes a diffusion film 766 that diffuses light incident from the light guide plate 730 toward the liquid crystal display panel 710, and a prism film 752 that concentrates the diffused light to improve vertical incidence. It may be configured as), and may include a protective film 764 for protecting the prism film 750.

도 17은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 16 에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.17 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting device according to the embodiment. However, the parts illustrated and described in FIG. 16 will not be repeatedly described in detail.

도 17은 직하 방식으로, 액정표시장치(800)는 액정표시패널(810)과 액정표시패널(810)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(870)을 포함할 수 있다.17 illustrates a direct method, the liquid crystal display 800 may include a liquid crystal display panel 810 and a backlight unit 870 for providing light to the liquid crystal display panel 810.

액정표시패널(810)은 도 17에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 810 is the same as that described with reference to FIG. 17, a detailed description thereof will be omitted.

백라이트 유닛(870)은 복수의 발광소자 모듈(823), 반사시트(824), 발광소자 모듈(823)과 반사시트(824)가 수납되는 하부 섀시(830), 발광소자 모듈(823)의 상부에 배치되는 확산판(840) 및 다수의 광학필름(860)을 포함할 수 있다.The backlight unit 870 includes a plurality of light emitting element modules 823, a reflective sheet 824, a lower chassis 830 in which the light emitting element module 823 and the reflective sheet 824 are accommodated, And a plurality of optical films 860. The diffuser plate 840 and the plurality of optical films 860 are disposed on the light guide plate 840. [

발광소자 모듈(823) 복수의 발광소자 패키지(822)와 복수의 발광소자 패키지(822)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(821)을 포함할 수 있다.LED Module 823 A plurality of light emitting device packages 822 and a plurality of light emitting device packages 822 may be mounted to include a PCB substrate 821 to form an array.

반사 시트(824)는 발광소자 패키지(822)에서 발생한 빛을 액정표시패널(810)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflective sheet 824 reflects light generated from the light emitting device package 822 in a direction in which the liquid crystal display panel 810 is positioned, thereby improving light utilization efficiency.

한편, 발광소자 모듈(823)에서 발생한 빛은 확산판(840)에 입사하며, 확산판(840)의 상부에는 광학 필름(860)이 배치된다. 광학 필름(860)은 확산 필름(866), 프리즘필름(850) 및 보호필름(864)를 포함하여 구성될 수 있다.Light generated in the light emitting element module 823 is incident on the diffusion plate 840 and an optical film 860 is disposed on the diffusion plate 840. The optical film 860 may include a diffusion film 866, a prism film 850, and a protective film 864.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 발광소자 110: 지지부재
112: 버퍼층 120: 제1 반도체층
130: 활성층 140: 제2 반도체층
150: 투광성전극층 160: 제1 전극
170: 제2 전극 180: 홈
190: 절연층100: light emitting element 110: support member
112: buffer layer 120: first semiconductor layer
130: active layer 140: second semiconductor layer
150: transparent electrode layer 160: first electrode
170: second electrode 180: groove
190: insulation layer

Claims (20)

지지부재;
상기 지지부재 상에 배치되는 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물;
상기 제2 반도체층 상의 일측에 배치되는 제1 전극패드 및 상기 제1 전극패드에 연결되어 타측 방향으로 확장되는 적어도 하나의 제1 핑거전극을 포함하는 제1 전극;
상기 제2 반도체층 상에 상기 제1 전극과 타측에 배치되는 제2 전극;
상기 제1 핑거전극과 수직으로 중첩되고, 상기 제2 반도체층 및 활성층이 제거되어 상기 제1 반도체층이 노출되게 형성되는 복수의 홈;
상기 홈 내부의 제1 반도체층과 상기 제1 핑거전극을 전기적으로 연결시키는 보조핑거전극; 및
상기 제2 반도체층과 상기 제1 전극 사이에 배치되는 절연층; 을 포함하고,
상기 보조핑거전극이 상기 제1 반도체층과 접촉하는 면적은 상기 제1 전극 패드에서 멀수록 큰 발광소자.Support member;
A light emitting structure including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer disposed on the support member, and an active layer between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer;
A first electrode including a first electrode pad disposed on one side of the second semiconductor layer and at least one first finger electrode connected to the first electrode pad and extending in the other direction;
A second electrode disposed on the second semiconductor layer and the other side of the first electrode;
A plurality of grooves vertically overlapping the first finger electrode and formed to expose the first semiconductor layer by removing the second semiconductor layer and the active layer;
An auxiliary finger electrode electrically connecting the first semiconductor layer inside the groove to the first finger electrode; And
An insulating layer disposed between the second semiconductor layer and the first electrode; / RTI >
The area of the auxiliary finger electrode in contact with the first semiconductor layer is larger the greater the distance from the first electrode pad. 제1항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제2 반도체층 상에서 상기 홈 내측면과 상기 보조핑거전극 사이까지 배치되는 발광소자.The method of claim 1,
The insulating layer is disposed on the second semiconductor layer between the groove inner surface and the auxiliary finger electrode. 제1항에 있어서,
상기 홈의 면적은 상기 제1 전극 패드에서 멀수록 큰 발광소자.The method of claim 1,
The area of the groove is larger the greater the distance from the first electrode pad. 제1항에 있어서,
상기 홈은, 서로 인접한 홈들 사이의 이격거리가 서로 동일한 발광소자.The method of claim 1,
The groove is a light emitting device having the same separation distance between the grooves adjacent to each other. 제4항에 있어서,
상기 홈들 사이의 이격거리는 상기 발광소자의 길이 대비 0.1배 내지 0.4배를 포함하는 발광소자.5. The method of claim 4,
The spacing between the grooves is a light emitting device comprising 0.1 to 0.4 times the length of the light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 홈의 폭은, 상기 발광구조물의 상부 방향으로 갈수록 큰 발광소자.The method of claim 1,
The width of the groove, the light emitting device is larger toward the upper direction of the light emitting structure. 제1항에 있어서,
상기 제1 핑거전극의 폭은 상기 제1 전극패드에서 멀어질수록 큰 발광소자.The method of claim 1,
The light emitting device of claim 1, wherein the width of the first finger electrode is greater from the first electrode pad. 제1항에 있어서,
상기 보조핑거전극이 상기 제1 반도체층과 접촉하는 면적은 선형적으로 커지는 발광소자.The method of claim 1,
The area of the auxiliary finger electrode in contact with the first semiconductor layer is linearly increased. 제1항에 있어서,
상기 제1 핑거전극은 2개가 배치되고, 상기 제1 전극 패드를 기준으로 상하로 대칭되는 발광소자.The method of claim 1,
Two first finger electrodes are disposed, and the light emitting device is symmetrical up and down with respect to the first electrode pad. 제8항에 있어서,
상기 홈은 상기 제1 전극 패드를 기준으로 상하로 대칭되는 발광소자.9. The method of claim 8,
The groove is a light emitting device that is symmetrical up and down with respect to the first electrode pad. 제1항에 있어서,
상기 보조핑거전극이 상기 제1 반도체층과 접촉하는 면적 중 가장 큰 면적은 가장 작은 면적의 2배 내지 4배를 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The largest area of the area where the auxiliary finger electrode is in contact with the first semiconductor layer comprises two to four times the smallest area. 제1 항에 있어서,
제2 전극은,
제2 전극패드 및 상기 제2 전극패드에 연결되어 상기 제1 전극패드 방향으로 연장되는 적어도 하나의 제 2 핑거전극을 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
The second electrode,
A light emitting device comprising a second electrode pad and at least one second finger electrode connected to the second electrode pad and extending in the direction of the first electrode pad. 제12항에 있어서,
상기 제2 전극과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 투광성전극층을 포함하는 발광소자.The method of claim 12,
A light emitting device comprising a translucent electrode layer disposed between the second electrode and the second semiconductor layer. 제12항에 있어서,
상기 제2 반도체층과 상기 제2 핑거전극 사이에 서로 이격 배치되는 복수의 절연바를 더 포함하는 발광소자.The method of claim 12,
And a plurality of insulating bars spaced apart from each other between the second semiconductor layer and the second finger electrode. 제14항에 있어서,
상기 절연바는 서로 인접한 절연바들 사이의 이격거리가 상기 홈의 이격거리 대비 0.3 내지 0.5 배를 포함하는 발광소자.15. The method of claim 14,
The insulating bar is a light emitting device comprising a distance of 0.3 to 0.5 times the separation distance between the adjacent insulating bar between the grooves. 제14항에 있어서,
상기 절연바는 서로 인접한 절연바들 사이의 이격거리가 서로 동일한 발광소자.15. The method of claim 14,
The insulating bar is a light emitting device having the same separation distance between the insulating bars adjacent to each other. 제1항 또는 12항에 있어서,
상기 제1 및 제2 핑거전극 중 적어도 하나는 곡률을 포함하는 발광소자.The method of claim 1 or 12,
At least one of the first and second finger electrodes comprises a curvature. 제1항 또는 제12항에 있어서,
상기 제1 및 제2 핑거전극 중 적어도 하나는 절곡을 포함하는 발광소자.13. The method according to claim 1 or 12,
At least one of the first and second finger electrodes includes a bend. 제1항에 있어서,
상기 홈들의 총면적은 상기 제2 반도체층의 면적 대비 5% 내지 20%의 면적을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The total area of the grooves includes an area of 5% to 20% of the area of the second semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 홈의 폭은 상기 보조핑거전극의 폭 대비 1.5배 내지 2배인 발광소자.The method of claim 1,
The width of the groove is 1.5 to 2 times the width of the auxiliary finger electrode.
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