KR20130039170A - 발광소자 패키지 - Google Patents

발광소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20130039170A
KR20130039170A KR1020110103664A KR20110103664A KR20130039170A KR 20130039170 A KR20130039170 A KR 20130039170A KR 1020110103664 A KR1020110103664 A KR 1020110103664A KR 20110103664 A KR20110103664 A KR 20110103664A KR 20130039170 A KR20130039170 A KR 20130039170A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
device package
resin
thermal expansion
Prior art date
Application number
KR1020110103664A
Other languages
English (en)
Inventor
김호일
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110103664A priority Critical patent/KR20130039170A/ko
Publication of KR20130039170A publication Critical patent/KR20130039170A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

실시 예는, 발광소자 및 상기 발광소자가 배치된 리드프레임 상에 캐비티가 형성되며, 수지 및 글래스 파이버(Glass Fiber)를 포함하는 몸체를 포함하고, 상기 글래스 파이버의 함량은, 상기 수지의 함량 대지 0.2배 내지 0.7배인 발광소자 패키지를 제공한다.

Description

발광소자 패키지{Light emitting device package}
실시 예는, 발광소자 패키지에 관한 것이다.
발광소자의 대표적인 예로, LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
공개번호 10-2008-0060114에 기재된 바와 같이, 발광소자 패키지는 발광소자 및 발광소자가 배치되며, 캐비티가 형성된 몸체 및 캐비티 내에 충지된 수지물에 대하여 기재하고 있다.
최근들어, 발광소자 패키지는 수지물과 몸체 사이의 계면에 박리 현상이 발생되지 않도록 하기 위한 연구가 진행 중에 있다.
실시 예는, 몸체와 수지물 사이 및 몸체와 리드프레임 사이에서 열에 의한 팽창 및 수축의 변화를 낮추어 계면 박리 및 수분 침투를 방지하기 용이한 발광소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 발광소자 및 상기 발광소자가 배치된 리드프레임 상에 캐비티가 형성되며, 결정성 수지 및 글래스 파이버(Glass Fiber)를 포함하는 몸체를 포함하고, 상기 글래스 파이버의 함량은, 상기 결정성 수지의 함량 대지 0.2배 내지 0.7배일 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체에 포함되는 글래스 파이버의 함량을 조절하여 몸체의 열팽창을 낮춤으로써, 몸체 및 리드프레임의 열팽창이 유사하게 하여 수분 침투를 방지할 수 있으며, 몸체 및 수지물 사이에서 계면 박리를 방지할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광소자 패키지를 절단한 절단면을 나타낸 단면도이다.
도 3은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3에 나타낸 조명장치의 A-A` 단면을 나타낸 단면도이다.
도 5는 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 6은 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
본 실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서, 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의, 및 명확성을 위하여 과장되거나, 생략되거나, 또는 개략적으로 도시되었다. 따라서, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 본 명세서에서 발광소자 패키지의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자 패키지를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 1은 발광소자 패키지의 일부분을 투시하여 나타낸 투과 사시도이며, 실시 예에서 발광소자 패키지는 탑 뷰 타입인 것으로 나타내었으나, 사이드 뷰 타입일 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.
도 1을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 발광소자(10) 및 발광소자(10)가 배치된 몸체(20)를 포함할 수 있다.
몸체(20)는 제1 방향(미도시)으로 배치된 제1 격벽(22) 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향(미도시)으로 배치된 제2 격벽(24)을 포함할 수 있으며, 제1, 2 격벽(22, 24)은 서로 일체형으로 형성될 수 있으며, 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대하여 한정을 두지 않는다.
즉, 제1, 2 격벽(22, 24)은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 세라믹, 및 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
실시 예에서는, 몸체(20)는 예를 들어, 폴리프탈아미드( PPA:Polyphthalamide)과 글래스 파이버( Glass Fiber )를 포함하는 것으로 설명한다.
여기서, 상기 폴리프탈아미드는 팽창율이 50 내지 70 ppm /C 일 수 있으며, 상기 글래스 파이버의 함량은 상기 폴리프탈아미드 함량 대비 0.1 배 내지 0.8배이며, 5 내지 7 ppm /C의 열팽창율을 가질 수 있다.
이때, 몸체(20)에 포함되는 상기 글래스 파이버의 함량은 후술하는 제1, 2 리드프레임( 13, 14)의 열팽창율을 고려하여 가변할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
즉, 몸체(20)에 포함되는 상기 글래스 파이버는 함량이 증가할수록 강성( stiffness ) 및 강도( strength )가 증가함으로써, 후술하는 수지물(18)의 탄성계수가 낮기 때문에 수지물(18)의 팽창 및 수축에 의해 변형되는 비율이 낮아질 수 있다.
다시 말하면, 상기 폴리프탈아미드은 상기 글래스 파이버의 열팽창율 보다 높은 열팽창율을 가짐으로써 열에 의한 팽창 및 수축량이 크게되어 제1, 2 리드프 레임(13, 14) 및 수지물 (18) 사이의 계면 박리가 발생할 수 있으나, 상기 글래스 파이버의 함량을 상기 폴리프탈아미드의 함량 대비 0.1 배 내지 0.8배로 함으로써, 몸체(20)의 팽창 및 수축량을 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 열팽창율과 동일하거나 또는 열팽창 대비 1.1배 내지 3배로 유지되도록 함으로써, 몸체(20) 내로 수분이 유입되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 몸체(20)는 발광소자(10)에서 발생된 열에 의한 팽창 및 수축량이 낮아짐으로써, 몸체(20)의 내측면과 수지물 (18) 사이의 계면 박리를 방지할 수 있고, 몸체(20)와 제1, 2 리드프레임 (13, 14) 사이로 유입되는 플럭스 및 수분을 방지할 수 있다.
그리고, 제1, 2 격벽(22, 24)의 상면 형상은 발광소자(10)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
또한, 제1, 2 격벽(22, 24)은 발광소자(10)가 배치되는 캐비티(s)를 형성하며, 캐비티(s)의 단면 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 캐비티(s)를 이루는 제1, 2 격벽(22, 24)은 하부 방향으로 경사지게 형성될 수 있다.
그리고, 캐비티(s)의 평면 형상은 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
몸체(20)의 하부면에는 제1, 2 리드프레임(13, 14)이 배치될 수 있으며, 제1, 2 리드프레임(13, 14)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru) 및 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다.
그리고, 제1, 2 리드프레임(13, 14)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않으며, 13 ppm /C 내지 15 ppm /C의 열팽창율을 가질 수 있다.
제1, 2 격벽(22, 24)의 내측면은 제1, 2 리드프레임(13, 14) 중 어느 하나를 기준으로 소정의 경사각을 가지고 경사지게 형성되며, 상기 경사각에 따라 발광소자(10)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(10)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하는 반면, 광의 지향각이 클수록 발광소자(10)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.
몸체(20)의 내측면은 복수의 경사각을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
제1, 2 리드프레임(13, 14)은 발광소자(10)에 전기적으로 연결되며, 외부 전원(미도시)의 양(+)극 및 음(-)극에 각각 연결되어, 발광소자(10)로 전원을 공급할 수 있다.
실시 예에서, 제1 리드프레임(13) 상에는 발광소자(10)가 배치되며, 제2 리드프레임(14)은 제1 리드프레임(13)과 이격된 것으로 설명하며, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13)과 다이본딩되며, 제2 리드프레임(14)과 와이어(미도시)에 의한 와이어 본딩되어, 제1, 2 리드프레임(13, 14)로부터 전원을 공급받을 수 있다.
여기서, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13) 및 제2 리드프레임(14)에 서로 다른 극성을 가지며 본딩될 수 있다.
또한, 발광소자(10)는 제1, 2 리드프레임(13, 14) 각각에 와이어 본딩되거나, 또는 다이본딩 될수 있으며, 접속 방법에 대하여 한정을 두지 않는다.
실시 예에서, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13)에 배치된 것으로 설명하였으나, 이에 한정을 두지 않는다.
그리고, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13) 상에 접착부재(미도시)에 의해 접착될 수 있다.
여기서, 제1, 2 리드프레임(13, 14) 사이에는 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 전기적인 단락(쇼트)를 방지하기 위한 절연댐(16)이 형성될 수 있다.
실시 예에서, 절연댐(16)은 상부가 반원형으로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
몸체(13)에는 캐소드 마크(cathode mark, 17)가 형성될 수 있다. 캐소드 마크(17)는 발광소자(10)의 극성, 즉 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 극성을 구분하여, 제1, 2 리드프레임(13, 14)을 전기적으로 연결할 때, 혼동을 방지하는데 이용될 수 있을 것이다.
발광소자(10)는 발광 다이오드일 수 있다. 상기 발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 한정을 두지 않으며, 또한 제1 리드프레임(13)에 실장되는 발광소자(10)는 복수 개 일 수 있으며, 제1, 2 리드프레임(13, 14) 상에 각각 적어도 하나의 발광소자(10)가 실장될 수 있으며, 발광소자(10)의 개수 및 실장위치에 대하여 한정을 두지 않는다.
몸체(20)는 캐비티(s)에 충진된 수지물(18)을 포함할 수 있다. 즉, 수지물(18)은 이중몰딩구조 또는 삼중몰딩구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
이때, 수지물(18)의 열팽창율은 100 ppm /C 내지 210 ppm /C일 수 있다.
그리고, 수지물(18)은 필름형으로 형성될 수 있으며, 형광체 및 광확산재 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 또한 형광체 및 광확산재를 포함하지 않는 투광성재질, 예를 들면 투명 에폭시 및 실리콘계 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광소자 패키지를 절단한 절단면을 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1과 중복되는 구성에 대한 설명을 생략하거나, 간략하게 설명한다.
도 2를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 발광소자(10)와 전기적으로 연결되며, 서로 이격 배치된 제1, 2 리드프레임(13, 14) 상에 캐비티(s)를 형성하는 몸체(20) 및 캐비티(s) 내에 충진된 수지물(18)을 포함할 수 있다.
발광소자 패키지(100)는 도 1에서 자세하게 설명한바, 자세한 설명은 생략한다.
이때, 몸체(20)는 폴리프탈아미드 수지( PPA , 20a) 및 글래스 파이버( Glass fiber, 20b)를 포함할 수 있다.
여기서, 폴리프탈아미드 수지(20a)는 글래스 파이버(20b) 보다 열에 의한 팽 창 및 수축량, 즉 열팽창률이 높을 수 있다.
이때, 몸체(20)의 열팽창률은 글래스 파이버(20b)의 함량에 따라 낮아질 수 있으며, 글래스 파이버(20b)는 함량이 증가될수록 강성 및 탄성력이 증가될 수 있다.
몸체(20)는 강성 및 탄성력이 증가됨에 따라 수지물(18)의 팽창력 및 수축력에 의한 변형을 저감시킬 수 있다.
이때, 몸체(20)의 열팽창률은 제1 리드프레임(13)의 열팽창률과 동일하거나, 1.1배 내지 3배가 되도록 글래스 파이버(20b)의 함량을 조절할 수 있다.
예를 들면, 몸체(20)는 발광소자(10)의 발광에 의해 발생되는 열로 인하여 제1 리드프레임(13) 방향으로 제1 팽창력(fa1)이 작용되며, 제1 리드프레임(13)은 몸체(20) 방향으로 제2 팽창력(fa2)이 작용될 수 있다.
이때, 제1, 2 팽창력(fa1, fa2)은 서로 동일한 경우, 수축이 진행되는 경우 최소 상태로 균일하게 수축될 수 있으며, 제1 팽창력(fa1)이 제2 팽창력(fa2) 보다 1.1배 내지 3배가 되는 경우, 수축이 진행되는 경우 몸체(20)와 제1 리드프레임(13) 사이의 계면 박리가 발생되지 않을 수 있다.
이와 같이, 수지물(18)은 실리콘계 수지(18a) 및 형광체(18b)를 포함할 수 있다.
실시 예에서, 수지물(18)은 실리콘계 수지 및 형광체로 나타내었으나, 투명 에폭시 및 광확산재 일 수 있으며, 이중 적어도 2이상을 포함할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
이때, 몸체(20)의 캐비티(s)에 충진된 수지물(18)은 100ppm/C 내지 210ppm/일 수 있으며, 이는 실리콘계 수지(18a)의 열팽창율일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
몸체(20)의 내측면과 접착된 수지물(18)은 발광소자(10)에서 발광시 발생된 열에 의해 몸체(20) 방향으로, 즉 계면으로 제3 팽창력(fa3)으로 팽창될 수 있으며, 몸체(20)는 상술한 바와 같이 제1 팽창력(fa1)으로 계면에서 팽창될 수 있다.
이때, 몸체(20)의 열팽창율은 수지물(18)의 열팽창율보다 낮게 됨으로써, 계면에서의 박리가 발생되지 않으며, 몸체(20) 및 수지물(18)이 수축되는 경우, 몸체(20)의 수축량도 낮아지게 되어 계면에서의 몸체(20)와 수지물(18)의 팽창 및 수축량이 크지않아 계면 박리를 낮출 수 있는 이점이 있다.
도 3은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 4는 도 3에 나타낸 조명장치의 A-A` 단면을 나타낸 단면도이다.
이하에서는, 실시 예에 따른 조명장치(300)의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 조명장치(300)의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.
즉, 도 4는 도 3의 조명장치(300)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 조명장치(300)는 몸체(310), 몸체(310)와 체결되는 커버(330) 및 몸체(310)의 양단에 위치하는 마감캡(350)을 포함할 수 있다.
몸체(310)의 하부면에는 발광소자모듈(340)이 체결되며, 몸체(310)는 발광소자패키지(344)에서 발생된 열이 몸체(310)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.
여기서, 발광소자모듈(340)은 발광소자패키지(344) 및 인쇄회로기판(342)을 포함하는 발광소자 어레이(미도시)를 포함할 수 있다.
발광소자패키지(344)는 PCB(342) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 PCB(342)로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다.
커버(330)는 몸체(310)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.
커버(330)는 내부의 발광소자모듈(340)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(330)는 발광소자패키지(344)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다.
한편, 발광소자패키지(344)에서 발생한 광은 커버(330)를 통해 외부로 방출되므로 커버(330)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광소자패키지(344)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(330)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
마감캡(350)은 몸체(310)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(350)에는 전원핀(352)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(300)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.
도 5는 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 5는 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(400)는 액정표시패널(410)과 액정표시패널(410)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(470)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(410)은 백라이트유닛(470)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(410)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(412) 및 박막 트랜지스터 기판(414)을 포함할 수 있다.
컬러 필터 기판(412)은 액정표시패널(410)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(414)은 구동 필름(417)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(418)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(414)은 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(414)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다.
백라이트 유닛(470)은 빛을 출력하는 발광소자모듈(420), 발광소자모듈(420)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(410)로 제공하는 도광판(430), 도광판(430)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(450, 464, 466) 및 도광판(430)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(430)으로 반사시키는 반사 시트(447)로 구성된다.
발광소자모듈(420)은 복수의 발광소자패키지(424)와 복수의 발광소자패키지(424)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(422)을 포함할 수 있다.
한편, 백라이트유닛(470)은 도광판(430)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(410) 방향으로 확산시키는 확산필름(466)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(450)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(450)을 보호하기 위한 보호필름(464)을 포함할 수 있다.
도 6은 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
다만, 도 5에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.
도 6은 직하 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트유닛(570)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(510)은 도 5에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
백라이트유닛(570)은 복수의 발광소자모듈(523), 반사시트(524), 발광소자모듈(523)과 반사시트(524)가 수납되는 하부 섀시(530), 발광소자모듈(523)의 상부에 배치되는 확산판(540) 및 다수의 광학필름(560)을 포함할 수 있다.
발광소자모듈(523)은 복수의 발광소자패키지(522)와 복수의 발광소자패키지(522)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(521)을 포함할 수 있다.
반사시트(524)는 발광소자패키지(522)에서 발생한 빛을 액정표시패널(510)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.
한편, 발광소자모듈(523)에서 발생한 빛은 확산판(540)에 입사하며, 확산판(540)의 상부에는 광학필름(560)이 배치된다. 광학필름(560)은 확산필름(566), 프리즘필름(550) 및 보호필름(564)를 포함할 수 있다.
여기서, 조명장치(300) 및 액정표시장치(400, 500)는 조명시스템에 포함될 수 있으며, 이 외에도 발광소자 패키지를 포함하며 조명을 목적으로 하는 장치 등도 조명시스템에 포함될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 발광소자; 및
    상기 발광소자가 배치된 리드프레임 상에 캐비티가 형성되며, 수지 및 글래스 파이버(Glass Fiber)를 포함하는 몸체;를 포함하고,
    상기 글래스 파이버의 함량은,
    상기 수지의 함량 대지 0.2배 내지 0.7배인 발광소자 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 글래스 파이버의 열팽창은,
    상기 수지의 열팽창 대비 0.1 배 내지 0.8배인 발광소자 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 글래스 파이버의 열팽창은,
    5 ~ 8 ppm/C인 발광소자 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체의 열팽창은,
    상기 리드프레임의 열팽창과 동일하거나,
    또는 상기 리드프레임의 열팽창 대비 1.1배 내지 3배인 발광소자 패키지.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 리드프레임의 열팽창은,
    13ppm/C 내지 15ppm/C인 발광소자 패키지.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 리드프레임은,
    상기 발광소자와 전기적으로 연결되며 서로 이격된 제1, 2 리드프레임;을 포함하는 발광소자 패키지.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 수지는,
    폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO) 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 수지물은,
    형광체 및 광확산재 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지물은,
    투명 에폭시 및 실리콘계 수지 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 수지물의 열팽창은,
    100ppm/C 내지 210ppm/C인 발광소자 패키지.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 발광소자 패키지를 포함하는 조명 시스템.
KR1020110103664A 2011-10-11 2011-10-11 발광소자 패키지 KR20130039170A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110103664A KR20130039170A (ko) 2011-10-11 2011-10-11 발광소자 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110103664A KR20130039170A (ko) 2011-10-11 2011-10-11 발광소자 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130039170A true KR20130039170A (ko) 2013-04-19

Family

ID=48439430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110103664A KR20130039170A (ko) 2011-10-11 2011-10-11 발광소자 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130039170A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120118686A (ko) 발광소자 모듈
KR101886715B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101824886B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20120130956A (ko) 발광소자 패키지
KR101920211B1 (ko) 발광소자 어레이
KR101731810B1 (ko) 발광소자 어레이
KR101781043B1 (ko) 발광소자 어레이
KR101849130B1 (ko) 발광소자 어레이
KR101781047B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR20140099073A (ko) 발광소자 패키지
KR101849128B1 (ko) 발광소자 어레이
KR101818752B1 (ko) 발광소자 어레이
KR102042208B1 (ko) 인쇄회로기판
KR102075522B1 (ko) 발광소자패키지
KR20130039170A (ko) 발광소자 패키지
KR101843734B1 (ko) 발광소자 어레이
KR101849127B1 (ko) 발광소자 어레이
KR101843736B1 (ko) 발광소자 어레이
KR101852886B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20130039171A (ko) 발광소자 어레이
KR101877429B1 (ko) 발광소자 어레이
KR101929402B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101790052B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20120073932A (ko) 발광소자 어레이
KR101731811B1 (ko) 발광소자 어레이

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application