KR20130031155A

KR20130031155A - Oganic electro-luminesence display panel and manufactucring method of the same

Info

Publication number: KR20130031155A
Application number: KR1020110094911A
Authority: KR
Inventors: 김화경; 한미영
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2011-09-20
Filing date: 2011-09-20
Publication date: 2013-03-28
Also published as: KR101862605B1

Abstract

PURPOSE: An organic electro-luminescence display panel and a method for manufacturing the same are provided to prevent a color shift effect by using an optical compensation layer. CONSTITUTION: A driving thin film transistor includes a red(R), a green(G), a blue(B) and a white sub pixel region(W). The organic electro-luminescence display includes a first electrode(122), an organic common level(134), and a second electrode(136). An optical compensation layer(128) is formed in the white sub pixel region and compensates for color shift according to a viewing angle. An organic passivation layer(118) is formed on the driving thin film transistor.

Description

유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법{OGANIC ELECTRO-LUMINESENCE DISPLAY PANEL AND MANUFACTUCRING METHOD OF THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic electroluminescence display panel and an organic electroluminescent display panel,

본 발명은 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 시야각에 따른 컬러 쉬프트 현상을 억제하면서 효율을 증가시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent display panel and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic electroluminescent display panel and a method of manufacturing the same, which can increase efficiency while suppressing a color shift phenomenon according to a viewing angle.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기 전계 발광 표시 장치 등이 각광받고 있다. 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Device: OLED)는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 종이와 같이 박막화가 가능하다는 장점을 갖고 있다. 이러한, 유기 전계 발광 표시 장치(OLED)는 능동형 매트릭스 OLED(PMOLED)와 수동형 매트릭스 OLED(AMOLED)로 나눠지게 된다. The image display device that realizes various information on the screen is a core technology of the information communication age and it is becoming thinner, lighter, more portable and higher performance. Accordingly, as a flat panel display device that can reduce the weight and volume, which is a disadvantage of the cathode ray tube (CRT), an organic light emitting display device for displaying an image by controlling the amount of light emitted from the organic light emitting layer has been in the spotlight. An organic light emitting display (OLED) is a self-luminous element using a thin light emitting layer between electrodes and has an advantage that it can be thinned like a paper. Such an organic light emitting display (OLED) is divided into an active matrix OLED (PMOLED) and a passive matrix OLED (AMOLED).

이때, 액티브 매트릭스 OLED(AMOLED)는 3색(R, G, B) 서브 화소로 구성된 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 각 서브 화소는 유기 전계 발광 소자와, 그 유기 전계 발광 소자를 구동하는 셀 구동부를 포함한다. 셀 구동부는 스캔 신호를 공급하는 게이트 라인과, 비디오 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인과, 공통 전원 신호를 공급하는 공통 전원 라인 사이에 접속된 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 스토리지 캐패시터로 구성되어 유기 전계 발광 소자의 양극을 구동한다. At this time, the active matrix OLED (AMOLED) displays images by arranging pixels composed of three color (R, G, B) sub-pixels in a matrix form. Each sub-pixel includes an organic electroluminescent element and a cell driver for driving the organic electroluminescent element. The cell driver includes at least two thin film transistors and a storage capacitor connected between a gate line for supplying a scan signal, a data line for supplying a video data signal, and a common power supply line for supplying a common power supply signal, As shown in Fig.

이러한, 유기 전계 발광 소자는 도 1에 도시된 바와 같이 시야각에 따른 청색(Blue)과 옐로우-그린(Yellow-Green)의 Intensity 감소량의 차이로 인해 도 2에 도시된 바와 같이 컬러 쉬프트 현상이 발생된다. As shown in FIG. 1, the organic electroluminescent device has a color shift as shown in FIG. 2 due to a difference in the decrease in intensity of blue and yellow-green according to the viewing angle. .

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 시야각에 따른 컬러 쉬프트 현상을 억제하면서 효율을 증가시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and provides an organic electroluminescent display panel and a method of manufacturing the same, which can increase efficiency while suppressing a color shift phenomenon according to a viewing angle.

이를 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널은 게이트 라인, 데이터 라인 및 전원 라인이 교차되게 형성되어 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 형성된 구동 박막 트랜지스터와, 상기 구동 박막 트랜지스터와 접속된 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 형성된 유기 공통층과, 상기 유기 전계 발광 소자 상에 형성된 제2 전극을 구비한 유기 전계 발광 소자와, 상기 녹색 및 청색 서브 화소 영역 중 적어도 어느 한 영역에 형성되며, 상기 백색 서브 화소 영역에 형성되어 색시야각에 따른 컬러 쉬프트를 보상하는 광보상층을 포함하는 것을 특징으로 한다. To this end, the organic light emitting display panel according to the present invention is connected to a driving thin film transistor formed by crossing gate lines, data lines, and power lines and formed in each of the red, green, blue, and white sub pixel regions, and the driving thin film transistor. At least one of the green and blue subpixel regions, the organic electroluminescent element having a first electrode formed thereon, an organic common layer formed on the first electrode, a second electrode formed on the organic electroluminescent element, And an optical compensation layer formed in the white sub-pixel region to compensate for color shift according to the color viewing angle.

그리고, 상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 형성된 구동 박막 트랜지스터 상에 형성된 유기 보호막과, 상기 유기 보호막 상에 상기 적색, 녹색, 청색 서브 화소 영역 각각에 대응되도록 형성된 R,G,B 컬러 필터와, 상기 R,G,B 컬러 필터 상에 형성된 오버코트층을 더 포함한다. And an organic passivation layer formed on a driving thin film transistor formed in each of the red, green, blue, and white subpixel regions, and R, G, and B formed to correspond to each of the red, green, and blue subpixel regions on the organic passivation layer. It further comprises a color filter, and an overcoat layer formed on the R, G, B color filters.

또한, 상기 광보상층은 유기물 또는 무기물 또는 유기 금속 화합물로 형성되는 것을 특징으로 한다. In addition, the light compensation layer is characterized in that it is formed of an organic material or an inorganic material or an organometallic compound.

그리고, 상기 광보상층은 TiOx, SiNx, SiO₂,TaO₂, NIOx, MgF, CaF 중 한 층으로 이루어지거나, 적어도 두 층으로 형성되는 것을 특징으로 한다. The optical compensation layer is formed of one of TiOx, SiNx, SiO ₂ , TaO ₂ , NIOx, MgF, CaF, or at least two layers.

또한, 상기 광보상층과 제1 전극 및 유기 공통층의 총 두께는 5000~5500Å으로 형성되는 것을 특징으로 한다. In addition, the total thickness of the light compensation layer, the first electrode and the organic common layer is characterized in that formed in 5000 ~ 5500Å.

본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법은 게이트 라인, 데이터 라인 및 전원 라인이 교차되게 형성되어 마련된 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 녹색 및 청색 서브 화소 영역 중 적어도 어느 한 영역과, 상기 백색 서브 화소 영역에 광보상층을 형성하는 단계와, 상기 구동 박막 트랜지스터와 접속된 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 전극 상에 유기 공통층을 형성하는 단계와, 상기 유기 공통층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. A method of manufacturing an organic light emitting display panel according to the present invention includes the steps of forming a driving thin film transistor in each of the red, green, blue, and white sub-pixel regions formed by crossing gate lines, data lines, and power lines; And forming an optical compensation layer in at least one of the blue sub pixel areas, the white sub pixel area, forming a first electrode connected to the driving thin film transistor, and forming an organic layer on the first electrode. Forming a common layer, and forming a second electrode on the organic common layer.

그리고, 상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각의 구동 박막 트랜지스터 상에 유기 보호막을 형성하는 단계와, 상기 유기 보호막 상에 상기 적색, 녹색, 청색 서브 화소 영역 각각에 대응되도록 R,G,B 컬러 필터를 형성하는 단계와, 상기 R,G,B 컬러 필터 상에 오버코트층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. Forming an organic passivation layer on driving thin film transistors of each of the red, green, blue, and white subpixel regions, and R, G, Forming a B color filter, and forming an overcoat layer on the R, G, and B color filters.

또한, 상기 광보상층은 유기물 또는 무기물 또는 유기 금속 화합물로 형성하는 것을 특징으로 한다. The light compensation layer may be formed of an organic material, an inorganic material, or an organometallic compound.

그리고, 상기 광보상층은 TiOx, SiNx, SiO₂,TaO₂, NIOx, MgF, CaF 중 한 층으로 이루어지거나, 적어도 두 층으로 형성하는 것을 특징으로 한다. The optical compensation layer is formed of one of TiOx, SiNx, SiO ₂ , TaO ₂ , NIOx, MgF, CaF, or at least two layers.

또한, 광보상층과 제1 전극 및 유기 공통층의 총 두께는 5000~5500Å으로 형성되는 것을 특징으로 한다. In addition, the total thickness of the light compensation layer, the first electrode and the organic common layer is characterized in that formed in 5000 ~ 5500Å.

본 발명의 유기 전계 발광 표시 패널은 G,B,W 서브 화소 영역 각각에 광보상층을 형성하여 시야각에 따른 컬러 쉬프트 현상을 억제하면서 R 서브 화소 영역에는 광보상층을 형성하지 않음으로써 효율을 증가시킬 수 있으며, 구동 전압을 감소시킬 수 있다.The organic electroluminescent display panel of the present invention increases the efficiency by forming a light compensation layer in each of the G, B, and W sub pixel areas to suppress color shift according to the viewing angle, and not forming a light compensation layer in the R sub pixel area. Can reduce the driving voltage.

도 1은 시야각에 따른 청색(B)과 옐로우-그린(YG)의 Intensity를 나타낸 그래프이다.
도 2는 시야각에 따른 컬러 쉬프트 현상을 나타낸 그래프이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 R,G,B 서브 화소 영역에 대한 등가 회로도들이다.
도 4는 도 3a 내지 도 3d에 도시된 R,G,B 서브 화소 영역에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 단면도이다.
도 5는 R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성한 경우에 따른 EM Peak과 R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성하지 않은 경우에 따른 EM Peak을 나타낸 그래프이다.
도 6은 구동 전압에 전류 밀도 변화를 나타낸 그래프이다.
도 7a 내지 도 7f는 도 4에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 1 is a graph showing the intensity of blue (B) and yellow-green (YG) according to a viewing angle.
2 is a graph illustrating a color shift phenomenon according to a viewing angle.
3A to 3D are equivalent circuit diagrams for the R, G, and B sub pixel areas according to the present invention.
4 is a cross-sectional view of an organic light emitting display panel in accordance with the R, G, and B sub-pixel regions shown in FIGS. 3A to 3D.
FIG. 5 is a graph showing EM peak when the optical compensation layer is formed in the R sub pixel area and EM peak when the optical compensation layer is not formed in the R sub pixel area.
6 is a graph illustrating a change in current density with respect to a driving voltage.
7A through 7F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display panel according to an exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 4.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 구성 및 그에 따른 작용 효과는 이하의 상세한 설명을 통해 명확하게 이해될 것이다. 본 발명의 상세한 설명에 앞서, 동일한 구성 요소에 대해서는 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호로 표시하며, 공지된 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 구체적인 설명은 생략하기로 함에 유의한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The configuration of the present invention and the operation and effect thereof will be clearly understood through the following detailed description. Before describing the present invention in detail, the same components are denoted by the same reference symbols as possible even if they are displayed on different drawings. In the case where it is judged that the gist of the present invention may be blurred to a known configuration, do.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도 3 내지 도 7e를 참조하여 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 7E.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 R,G,B 서브 화소 영역에 대한 등가 회로도들이고, 도 4는 도 3a 내지 도 3d에 도시된 R,G,B 서브 화소 영역에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 단면도이다. 3A to 3D are equivalent circuit diagrams for the R, G, and B subpixel areas according to the present invention, and FIG. 4 is an organic electroluminescent display panel according to the R, G, and B subpixel areas shown in FIGS. 3A to 3D. It is a cross section of.

도 3a 내지 도 3d를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널은 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 및 전원 라인(PL)의 교차로 형성된 다수의 서브 화소 영역을 구비한다. 3A to 3D, an organic light emitting display panel according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of sub pixel regions formed by intersections of a gate line GL, a data line DL, and a power line PL. .

다수의 서브 화소 영역은 R 서브 화소 영역, G 서브 화소 영역, B 서브 화소, W 서브 화소 영역으로 구성되며, R,G,B,W 서브 화소 영역들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 이러한, 다수의 서브 화소 영역은 도 3a에 도시된 바와 같이 R,G,B,W 서브 화소 영역들이 게이트 라인과 나란하게 일렬로 1행 X 4열과 같이 배치될 수 있으며, 도 3b에 도시된 바와 같이 데이터 라인과 나란하게 일렬로 4행 X 1열과 같이 배치될 수 있다. R,G,B,W 서브 화소 영역 순서로 배치되었으나, R,B,G,W 서브 화소 영역 순서로 배치되거나, W,R,G,B 화소 영역 순서로 배치될 수 있으므로 배치 순서는 한정되지 않으며, 사용자의 필요에 따라 변경 가능하다. The R, G, B, and W sub-pixel regions are arranged in a matrix form to display an image. The sub-pixel region includes an R sub-pixel region, a G sub-pixel region, a B sub-pixel, and a W sub-pixel region. As shown in FIG. 3A, the plurality of sub pixel regions may be arranged in a row, four rows, and four rows of R, G, B, and W sub pixel regions in parallel with the gate line, as shown in FIG. 3B. Likewise, the data lines may be arranged in parallel with the data lines such as 4 rows X 1 columns. R, G, B, and W sub pixel areas, but the arrangement order may not be limited because it may be arranged in the order of R, B, G, and W sub pixel areas or in the order of W, R, G, It can be changed according to the needs of the user.

또한, R,B,G,W 서브 화소 영역은 도 3c 및 도 3d에 도시된 바와 같이 2행 X 2열로 배열될 수 있다. 예를 들어, 도 3c에 도시된 바와 같이 R 서브 화소 영역은 제2i(여기서, i=1 이상의 자연수)-1 번째 데이터 라인(DL2i-1)과 제2i-1 번째 게이트 라인(GL2i-1)의 교차 영역에 형성되며, G 서브 화소 영역은 제2i번째 데이터 라인(DL2i)과 제2i-1번째 게이트 라인(GL2i-1)의 교차 영역에 형성되며, B 서브 화소 영역은 제2i-1번째 데이터 라인(DL2i-1)과 제2i번째 게이트 라인(GL2i)의 교차 영역에 형성되며, W 서브 화소 영역은 제2i번째 데이터 라인(DL2i)과 제2i번째 게이트 라인(GL2i)의 교차 영역에 형성되어 배치될 수 있다. In addition, the R, B, G, and W sub pixel regions may be arranged in two rows by two columns as shown in FIGS. 3C and 3D. For example, as illustrated in FIG. 3C, the R sub pixel area includes a second i (where i = 1 or more natural number) -first data line DL2i-1 and a second i-1th gate line GL2i-1. And the G sub pixel area is formed at the cross area of the second i-th data line DL2i and the second i-th gate line GL2i-1, and the B sub pixel area is the second i-first time. The W sub-pixel region is formed at the intersection of the data line DL2i-1 and the second i-th gate line GL2i, and the W sub-pixel region is formed at the intersection of the second i-th data line DL2i and the second i-th gate line GL2i. Can be arranged.

그리고, 도 1d에 도시된 바와 같이 R 서브 화소 영역은 제2i-1 번째 데이터 라인인(DL2i-1)과 제2i-1 번째 게이트 라인인(GL2i-1)의 교차 영역에 형성되며, B 서브 화소 영역은 제2i번째 데이터 라인인(DL2i)과 제2i-1번째 게이트 라인(GL2i-1)의 교차 영역에 형성되며, G 서브 화소 영역은 제2i-1 번째 데이터 라인(DL2i-1)과 제2i번째 게이트 라인(GL2i)의 교차 영역에 형성되며, W 서브 화소 영역은 제2i번째 데이터 라인(DL2i)과 제2i번째 게이트 라인(GL2i)의 교차 영역에 형성되어 배치될 수 있다. As shown in FIG. 1D, the R sub-pixel region is formed in the intersection region of the (2i-1) th data line DL2i-1 and the (2i-1) th gate line GL2i-1, The pixel region is formed in the intersection region of the (2i) -th data line DL2i and the (2i-1) th gate line GL2i-1, Th second gate line GL2i and the W sub pixel region may be formed in an intersection region of the second i-th data line DL2i and the second i-th gate line GL2i.

이러한, R,G,B,W 서브 화소 영역 각각에는 셀 구동부(200)와, 셀 구동부(200)와 접속된 유기 전계 발광 소자를 구비한다. Each of the R, G, B, and W sub pixel regions includes a cell driver 200 and an organic EL device connected to the cell driver 200.

셀 구동부(200)는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 접속된 스위치 박막 트랜지스터(TS)와, 스위치 박막 트랜지스터(TS) 및 전원 라인(PL)과 유기 전계 발광 소자의 제1 전극(122) 사이에 접속된 구동 박막 트랜지스터(TD)와, 전원 라인(PL)과 스위치 박막 트랜지스터(TS)의 드레인 전극(110) 사이에 접속된 스토리지 커패시터(C)를 구비한다. The cell driver 200 includes a switch thin film transistor TS connected to a gate line GL and a data line DL, a switch thin film transistor TS, a power supply line PL, and a first electrode of an organic light emitting diode. A driving thin film transistor TD connected between 122 and a storage capacitor C connected between the power supply line PL and the drain electrode 110 of the switch thin film transistor TS.

스위치 박막 트랜지스터(TS)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)과 접속되고 소스 전극은 데이터 라인(DL)과 접속되며 드레인 전극은 구동 박막 트랜지스터(TD)의 게이트 전극 및 스토리지 캐패시터(C)와 접속된다. 구동 박막 트랜지스터(TD)의 소스 전극은 전원 라인(PL)과 접속되고 드레인 전극(110)은 제1 전극(122)과 접속된다. 스토리지 캐패시터(C)는 전원 라인(PL)과 구동 박막 트랜지스터(TD)의 게이트 전극 사이에 접속된다. The gate electrode of the switch thin film transistor TS is connected to the gate line GL, the source electrode is connected to the data line DL, and the drain electrode is connected to the gate electrode and the storage capacitor C of the driving thin film transistor TD. . The source electrode of the driving thin film transistor TD is connected to the power line PL and the drain electrode 110 is connected to the first electrode 122. The storage capacitor C is connected between the power line PL and the gate electrode of the driving thin film transistor TD.

스위치 박막 트랜지스터(TS)는 게이트 라인(GL)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 캐패시터(C) 및 구동 박막 트랜지스터(TD)의 게이트 전극으로 공급한다. 구동 박막 트랜지스터(TD)는 게이트 전극으로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 전원 라인(PL)으로부터 유기 전계 발광 소자로 공급되는 전류(I)을 제어함으로써 유기 전계 발광 소자의 발광량을 조절하게 된다. 그리고, 스위치 박막 트랜지스터(TS)가 턴-오프되더라도 스토리지 캐패시터(C)에 충전된 전압에 의해 구동 박막 트랜지스터(TD)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류(I)를 공급하여 유기 전계 발광 소자가 발광을 유지하게 한다.The switch thin film transistor TS is turned on when a scan pulse is supplied to the gate line GL, and supplies the data signal supplied to the data line DL to the gate electrode of the storage capacitor C and the driving thin film transistor TD. do. The driving thin film transistor TD controls the amount of light emitted from the organic EL device by controlling the current I supplied from the power supply line PL to the organic EL device in response to a data signal supplied to the gate electrode. Also, even when the switch thin film transistor TS is turned off, the driving thin film transistor TD is supplied with a constant current I until the data signal of the next frame is supplied by the voltage charged in the storage capacitor C. The electroluminescent element keeps luminescence.

구동 박막 트랜지스터(TD)는 도 4에 도시된 바와 같이 기판(100) 상에 게이트 전극(102), 유기 전계 발광 소자의 제1 전극(122)과 접속된 드레인 전극(110), 드레인 전극(110)과 마주하는 소스 전극(108), 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 게이트 전극(102)과 중첩되게 형성되어 소스 전극(108)과 드레인 전극(110) 사이에 채널을 형성하는 활성층(114), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)과의 오믹 접촉을 위하여 채널부를 제외한 활성층(114) 사이에 형성된 오믹 접촉층(116)을 구비한다. 또한, 구동 박막 트랜지스터(TD) 상에는 구동 박막 트랜지스터가 형성된 기판(100)을 평탄화시키기 위해 유기 절연 물질의 유기 보호막(118)이 형성된다. 또는, 구동 박막 트랜지스터(TD) 상의 보호막은 무기 절연 물질로 형성된 무기 보호막과 유기 절연 물질로 형성된 유기 보호막으로 두 층으로 형성될 수 있다. As shown in FIG. 4, the driving thin film transistor TD is connected to the gate electrode 102 and the drain electrode 110 and the drain electrode 110 connected to the first electrode 122 of the organic electroluminescent device on the substrate 100. ) And an active layer 114 formed to overlap the gate electrode 102 with the source electrode 108 and the gate insulating layer 112 interposed therebetween to form a channel between the source electrode 108 and the drain electrode 110. And an ohmic contact layer 116 formed between the active layer 114 except for the channel portion for ohmic contact with the source electrode 108 and the drain electrode 110. An organic passivation layer 118 of an organic insulating material is formed on the driving thin film transistor TD to planarize the substrate 100 on which the driving thin film transistor is formed. Alternatively, the passivation layer on the driving thin film transistor TD may be formed of two layers, an inorganic passivation layer formed of an inorganic insulating material and an organic passivation layer formed of an organic insulating material.

유기 전계 발광 소자는 구동 박막 트랜지스터(TD)의 드레인 전극(110)과 접속된 제1 전극(122)과, 제1 전극(122)을 노출시키는 뱅크홀(132)이 형성된 뱅크 절연막(130)과, 제1 전극(122) 상에 유기 공통층(134)과, 유기 공통층(134) 위에 형성된 제2 전극(136)이 구비된다. The organic electroluminescent device includes a bank insulating layer 130 having a first electrode 122 connected to the drain electrode 110 of the driving thin film transistor TD, and a bank hole 132 exposing the first electrode 122. The organic common layer 134 and the second electrode 136 formed on the organic common layer 134 are provided on the first electrode 122.

제1 전극(122)은 양극(Anode)으로 TCO(Transparent Conductive Oxide; 이하, TCO), ITO(Indum Tin Oxide; 이하,ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; 이하,IZO) 등과 같은 투명 도전 전극으로 형성된다. 그리고, 제2 전극(136)은 음극(Cathode)으로 알루미늄(Al)과 같이 반사성 금속 재질로 형성된다. 도 4에 도시된 바와 같이 본 발명은 배면 발광을 할 수 있지만, 제1 및 제2 전극(122,136)의 재질에 따라 배면, 전면, 양면 발광을 할 수 있다. The first electrode 122 may be a transparent conductive electrode such as a transparent conductive oxide (TCO), an indium tin oxide (ITO), or an indium zinc oxide (IZO) . The second electrode 136 is a cathode and is formed of a reflective metal material such as aluminum (Al). As shown in FIG. 4, the present invention may emit the bottom surface, but may emit the bottom, the front side, or the both sides depending on the material of the first and second electrodes 122 and 136.

유기 공통층(134)은 제1 전극(122) 상에 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL), 발광층(Emitting Layer;EML), 전자 수송층(Electron Transport Layer;ETL), 전자 주입층(Electron Injection Layer;EIL)이 순차적으로 적층된 구조를 가진다. 이때, 발광층은 하나의 호스트에 인광 Yellow-Green 도펀트(phosphorescence Yellow-phosphorescence Green)를 도핑하여 이루어지거나, 두 개의 호스트에 인광 Yellow-Green 도펀트를 도핑하여 이루어진다. The organic common layer 134 may include a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL) are sequentially stacked. In this case, the light emitting layer is formed by doping a phosphorescent Yellow-Green dopant (phosphorescence yellow-phosphorescence Green) to one host, or by doping a phosphorescent Yellow-Green dopant to two hosts.

이러한, 유기 전계 발광 소자는 제1 전극(122)과 제2 전극(136) 사이에 전압을 인가하면 제1 전극(122)으로부터 정공(hole)이 제2 전극(136)으로부터 전자(electron)가 주입되어 발광층에서 재결합하여 이로 인해 엑시톤(exiciton)이 생성되며, 이 엑시톤이 기저상태로 떨어지면서 빛이 배면(Bottom)으로 방출하게 된다. In the organic electroluminescent device, when a voltage is applied between the first electrode 122 and the second electrode 136, holes are generated from the first electrode 122 and electrons are discharged from the second electrode 136. It is injected and recombined in the light emitting layer, which causes excitons to be generated. As the excitons fall to the ground state, light is emitted to the bottom.

컬러 필터는 R 서브 화소 영역의 보호막 상에 R 컬러 필터(124R)가 형성되어 적색(R)을 출사하며, G 서브 화소 영역의 보호막 상에 G 컬러 필터(124G)가 형성되어 녹색(G)을 출사하며, B 서브 화소 영역의 보호막 상에 B 컬러 필터(124B)가 형성되어 청색(B)을 출사하며, W 서브 화소 영역의 보호막 상에는 컬러 필터가 형성되지 않으며, 백색(W)을 출사한다. 또한, 각 R,G,B 컬러 필터(124R,124G,124B) 상에 평탄화를 위해 오버코트층(126)을 형성한다. In the color filter, an R color filter 124R is formed on the passivation layer of the R sub pixel region to emit red (R), and a G color filter 124G is formed on the passivation layer of the G sub pixel region to form green (G). It emits light, and the B color filter 124B is formed on the passivation film of the B sub pixel region to emit blue (B). The color filter is not formed on the passivation film of the W sub pixel region, and emits white (W). In addition, an overcoat layer 126 is formed on each R, G, B color filter 124R, 124G, 124B for planarization.

광보상층(128)은 시야각 개선을 위해 오버코트층(126)과 제1 전극(122) 사이에 유기물 또는 무기물 또는 유기 금속 화합물로 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이 광보상층(128)은 R 서브 화소 영역에는 형성되지 않으며, G 서브 화소 영역, B 서브 화소 영역, W 서브 화소 영역에 형성될 수 있다. 이때, W 서브 화소 영역에는 광보상층(128)을 필히 형성해야하며, G 서브 화소 영역 및 B 서브 화소 영역 중 어느 적어도 한 영역에 형성할 수 있다. 하지만, R 서브 화소 영역에는 유기 전계 발광 소자의 구동 전압을 낮추며, 효율을 증가시키기 위해 필히 광보상층을 형성하지 않아야 된다. 이에 대한 설명은 도 5 및 도 6, [표 1] 및 [표 2]를 결부하여 추후 설명하기로 한다. The light compensation layer 128 is formed of an organic material, an inorganic material, or an organic metal compound between the overcoat layer 126 and the first electrode 122 to improve the viewing angle. As shown in FIG. 2, the light compensation layer 128 is not formed in the R sub pixel area, but may be formed in the G sub pixel area, the B sub pixel area, and the W sub pixel area. In this case, the light compensation layer 128 must be formed in the W sub pixel area, and may be formed in at least one of the G sub pixel area and the B sub pixel area. However, in order to lower the driving voltage of the organic EL device and increase the efficiency, an optical compensation layer should not be formed in the R sub pixel region. The description thereof will be described later with reference to FIGS. 5 and 6, Table 1, and Table 2.

광보상층(128) 재료로는 TiOx, SiNx, SiO₂,TaO₂, NIOx, MgF, CaF 중 한 층으로 이루어지거나, 적어도 두 층으로 형성할 수 있다. 광보상층(128)과 제1 전극(122) 및 유기 공통층(134)의 총 두께는 5000~5500Å의 범위를 갖도록 형성되며, 이 두께는 하기의 [수학식 1]을 만족해야 된다. The light compensation layer 128 may be formed of one of TiOx, SiNx, SiO ₂ , TaO ₂ , NIOx, MgF, and CaF, or may be formed of at least two layers. The total thickness of the light compensation layer 128, the first electrode 122 and the organic common layer 134 is formed to have a range of 5000 ~ 5500Å, this thickness must satisfy the following [Equation 1].

[수학식 1]에서 n은 굴절율, d는 두께, λ는 블루 피크 파장을 의미한다. In Equation 1, n denotes a refractive index, d denotes a thickness, and λ denotes a blue peak wavelength.

도 5는 R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성한 경우에 따른 EM Peak과 R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성하지 않은 경우에 따른 EM Peak을 나타낸 그래프이다. 또한, 도 6은 구동 전압에 전류 밀도 변화를 나타낸 그래프이다. FIG. 5 is a graph showing EM peak when the optical compensation layer is formed in the R sub pixel area and EM peak when the optical compensation layer is not formed in the R sub pixel area. 6 is a graph showing a change in current density with respect to a driving voltage.

우선, 유기 발광 전계 발광 소자의 발광 피크(EL Peak)는 각 발광층 물질이 가지고 있는 고유의 색을 표시하는 광발광의 피크(Photoluminesecence Peak;이하, PL Peak)와 유기 발광 소자 구조 내부의 유기물 적층체의 발광 피크(Emittance Peak; 이하, EM Peak)의 곱에 의해 결정된다.First, an EL peak of an organic light emitting device includes photoluminesecence peaks (PL peaks) indicating a unique color of each light emitting layer material, and an organic material stack in an organic light emitting device structure. It is determined by the product of an emission peak (hereinafter referred to as EM peak).

이때, 시야각 관점에서 보면 광발광의 피크(PL Peak)와 유기물 적층체의 발광 피크(EM Peak)의 Peak가 일치하거나 EM Peak 가 PL Peak 대비 단파장에 있어야 시야각 특성이 향상된다. 이는 Blue PL Peak과 Yellow-Green Peak 모두 적용되는 내용이다. In this case, from the viewpoint of the viewing angle, the viewing angle characteristic is improved when the peak of the photoluminescence peak (PL Peak) and the peak of the emission peak (EM Peak) of the organic laminate are equal or the EM peak is shorter than the PL peak. This applies to both Blue PL Peak and Yellow-Green Peak.

도 1에 도시된 바와 같이 시야각에 따른 청색(Blue)와 옐로우-그린(Yellow-Green)의 Intensity 감소량의 차이로 인해 도 2에 도시된 바와 같이 컬러 쉬프트(Color Shift) 현상이 발생된다. 이에 따라, R,G,B,W 서브 화소 영역 각각에 광보상층을 형성하여 EM Peak을 단파장 방향으로 이동시켜 PL Peak와 EM Peak을 일치시킨다. 이와 같이, 광보상층을 형성함으로써 컬러 쉬프트가 억제되어 색시야각 특성이 향상될 수 있다. As shown in FIG. 1, the color shift phenomenon occurs as shown in FIG. 2 due to the difference in the decrease in intensity of blue and yellow-green according to the viewing angle. Accordingly, an optical compensation layer is formed in each of the R, G, B, and W sub-pixel regions to move the EM peak in the short wavelength direction so that the PL peak coincides with the EM peak. As such, by forming the light compensation layer, color shift can be suppressed and color viewing angle characteristics can be improved.

하지만, R,G,B,W 서브 화소 영역 모두에 광보상층을 형성할 경우에 색시야각의 특성은 향상되나, EM Peak이 단파장으로 이동하게 됨으로써 장파장 영역인 Red의 Intensity는 감소하게 된다. 이에 따라, R 서브 화소 영역의 효율이 감소하게 된다. However, when the optical compensation layer is formed in all of the R, G, B, and W sub-pixel regions, the color viewing angle is improved, but the EM peak is shifted to the shorter wavelength, thereby reducing the intensity of the red wavelength region. Accordingly, the efficiency of the R sub pixel region is reduced.

따라서, 본 발명의 R 서브 화소 영역에는 광보상층을 형성하지 않음으로써 효율은 상승시키고, 구동 전압을 감소시켰다. 이를 도 5 및 도 6을 결부하여 설명하기로 한다. Therefore, the efficiency is increased and the driving voltage is reduced by not forming the light compensation layer in the R sub pixel region of the present invention. This will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

도 5는 광보상층을 R,G,B,W 서브 화소 영역에 모두 적용한 표시 장치에 따른 그래프와, R 서브 화소 영역을 제외한 G,B,W 서브 화소 영역에 적용한 본 발명에 따른 그래프를 나타낸 도면이다. 5 is a graph illustrating a display device in which an optical compensation layer is applied to all of the R, G, B, and W sub pixel areas, and a graph according to the present invention is applied to the G, B, and W sub pixel areas except the R sub pixel area. Drawing.

구체적으로, 제1 곡선(20)은 광보상층의 두께를 1200Å으로 R,G,B,W 서브 화소 영역에 모두 형성한 경우이며, 제2 곡선(22)은 광보상층의 두께를 1600Å으로 R,G,B,W 서브 화소 영역에 모두 형성한 경우이며, 제3 곡선(24)은 광보상층의 두께를 2400Å으로 R,G,B,W 서브 화소 영역에 모두 형성한 경우이며, 제4 곡선(26)은 광보상층을 R 서브 화소 영역에는 형성하지 않고, 나머지 G,B,W 서브 화소 영역에 형성한 경우를 나타낸 그래프이다. Specifically, the first curve 20 is a case where the thickness of the light compensation layer is formed in the R, G, B, and W sub-pixel regions at 1200Å, and the second curve 22 is the thickness of the light compensation layer as 1600Å. The third curve 24 is a case where the thickness of the optical compensation layer is formed in the R, G, B, and W sub pixel areas at 2400 Å. 4 curve 26 is a graph showing the case where the optical compensation layer is formed in the remaining G, B, and W sub-pixel regions without being formed in the R sub-pixel region.

도 5에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3 곡선(20,22,24)은 광보상층을 R,G,B,W 서브 화소 영역에 모두 형성한 경우에 A 영역과 같이 R 서브 화소 영역의 EM Peak의 Intensity가 감소된 것을 알 수 있다. 하지만, 본 발명(제4 곡선;26)은 R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성하지 않으므로 R 서브 화소 영역의 EM Peak의 Intensity가 감소되지 않음을 알 수 있다. As shown in FIG. 5, the first to third curves 20, 22, and 24 are formed in the R sub pixel region like the A region when the optical compensation layer is formed in the R, G, B, and W sub pixel regions. It can be seen that the intensity of the EM peak is reduced. However, according to the present invention (fourth curve) 26, since the optical compensation layer is not formed in the R sub pixel region, the intensity of the EM peak of the R sub pixel region is not reduced.

또한, [표 1] 및 [표 2]는 R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성한 경우에 따른 비교예와, R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성하지 않은 경우에 따른 본 발명의 실시예를 나타낸 결과값이다. [Table 1] and [Table 2] are comparative examples when the optical compensation layer is formed in the R sub-pixel region and embodiments of the present invention when the optical compensation layer is not formed in the R sub-pixel region. Is the result value.

　 비교예Comparative example
(R,G,B,W 서브 화소 영역에 (R, G, B, W sub-pixel areas 광보상층Light compensation layer 모두 형성) All formed) RedRed 광보상층Light compensation layer 제거( remove( 본발명Invention )) 　 RR GG BB WW TotalTotal /Of AveAve .. RR GG BB WW TotalTotal /Of AveAve .. WhiteWhite 효율 ( efficiency ( CdCD /A)/ A) 5.65 5.65 29.97 29.97 2.67 2.67 69.98 69.98 　 6.55 6.55 29.97 29.97 2.67 2.67 69.98 69.98 　 패널 panel 휘도Luminance (( CdCD /m2)/ m2) 3.0 3.0 4.0 4.0 2.9 2.9 43.1 43.1 53.0 53.0 3.0 3.0 4.0 4.0 2.9 2.9 43.1 43.1 53.0 53.0 패널 전류 (A)Panel Current (A) 1.04 1.04 0.27 0.27 2.15 2.15 1.22 1.22 4.68 4.68 0.900.90 0.27 0.27 2.15 2.15 1.22 1.22 4.53 4.53 전류밀도 (Current density ( mAmA /Of cm2cm2 )) 1.56 1.56 0.40 0.40 2.15 2.15 1.22 1.22 1.33 1.33 1.34 1.34 0.40 0.40 2.15 2.15 1.22 1.22 1.28 1.28 전류비Current ratio 0.48 0.48 0.12 0.12 1.00 1.00 0.57 0.57 　 0.42 0.42 0.12 0.12 1.00 1.00 0.57 0.57 　 패널 효율Panel efficiency 5.9 5.9 8.0 8.0 5.7 5.7 85.6 85.6 22.5 22.5 5.9 5.9 8.0 8.0 5.7 5.7 85.6 85.6 23.2 23.2

비교예Comparative example
(R,G,B,W 서브 화소 영역에 (R, G, B, W sub-pixel areas 광보상층Light compensation layer 모두 형성) All formed) RedRed 광보상층Light compensation layer 제거(본 발명) Removal (Invention) cdCD /A/ A 5.60 5.60 6.55 6.55 전류(w Current (w PolPol .).) 36.446 36.446 31.160 31.160 pixelpixel 별 전류 (Star current ( uAuA )) 17.576 17.576 15.027 15.027 전류 밀도 (Current density ( mAmA /Of cm2cm2 )) 43.704 43.704 37.365 37.365 VoledVoled (V) (V) 8.18.1 7.97.9

[표 1] 및 [표 2]에 기재된 바와 같이, 비교 예의 효율은 5.6(cd/A)이며, 본 발명의 실시 예에 따른 효율은 6.55(cd/A)으로 비교 예에 비해 5.6--> 6.55(cd/A)로 증가하였다. As shown in [Table 1] and [Table 2], the efficiency of the comparative example is 5.6 (cd / A), and the efficiency according to the embodiment of the present invention is 6.55 (cd / A), which is 5.6-> compared with the comparative example. Increased to 6.55 (cd / A).

또한, [표 1],[표 2] 및 도 6에 도시된 바와 같이 비교 예의 구동 전압은 8.1(V)이며, 본 발명의 실시 예에 따른 전압은 7.9(V)으로 비교 예에 비해 본 발명의 실시 예의 구동 전압이 0.2(V) 감소하게 되었다. In addition, as shown in [Table 1], [Table 2] and FIG. 6, the driving voltage of the comparative example is 8.1 (V), and the voltage according to the embodiment of the present invention is 7.9 (V), compared to the comparative example. The driving voltage of the embodiment was reduced by 0.2 (V).

이와 같이, 본 발명은 광보상층을 G,B,W 서브 화소 영역에는 형성하여 시야각에 따른 컬러 쉬프트를 억제하였으며, R 서브 화소 영역에는 광보상층을 형성하지 않아 효율은 증가시키고, 소비 전력은 감소시켰다. As described above, in the present invention, the optical compensation layer is formed in the G, B, and W sub pixel regions to suppress color shift according to the viewing angle, and the optical compensation layer is not formed in the R sub pixel region to increase efficiency and consume power. Reduced.

한편, 패널 효율 관점에서는 EM Peak와 PL Peak이 최대로 일치할 때 패널 효율이 최대가 되기 때문에 이를 고려하여 광보상층(128)과 제1 전극(122) 및 유기 공통층(134)의 총 두께는 5000~5500Å의 범위를 갖도록 형성되어야 한다. 이에 대한 수치는 소자의 효율과 시야각특성을 고려한 최적의 수치이다In view of panel efficiency, the panel efficiency is maximized when the EM peak and the PL peak coincide with each other. Therefore, the total thicknesses of the light compensation layer 128, the first electrode 122, and the organic common layer 134 are taken into consideration. Should be formed in the range of 5000 ~ 5500Å. This value is the optimal value considering the efficiency and viewing angle characteristics of the device.

도 7a 내지 도 7e는 도 4에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 7A to 7E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display panel according to an exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 4.

도 7a를 참조하면, 기판(100) 상에 게이트 전극(106), 게이트 절연막(112), 반도체 패턴(115), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)이 포함된 구동 박막 트랜지스터가 형성된다. 7A, a driving thin film transistor including a gate electrode 106, a gate insulating film 112, a semiconductor pattern 115, a source electrode 108, and a drain electrode 110 is formed on a substrate 100 .

구체적으로, 기판(100) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층이 형성된다. 게이트 금속층으로는 Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Mo 합금, Cu 합금, Al 합금, Mo-Ti 합금 등과 같이 금속 물질로 이용된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 게이트 금속층이 패터닝됨으로써 게이트 전극(102)이형성된다. Specifically, a gate metal layer is formed on the substrate 100 through a deposition method such as a sputtering method. The gate metal layer is used as a metal material, such as Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Mo alloy, Cu alloy, Al alloy, Mo-Ti alloy and the like. Subsequently, the gate metal layer is patterned by the photolithography process and the etching process, thereby forming the gate electrode 102.

그런 다음, 게이트 전극(102)이 형성된 기판(100) 상에 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연 물질이 전면 형성됨으로써 게이트 절연막(112)이 형성된다. 그런 다음, 게이트 절연막(112)이 형성된 기판(100) 상에 비정질 실리콘층 및 불순물(n+ 또는 p+)이 도핑된 비정질 실리콘층이 순차적으로 형성된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 비정질 실리콘층 및 불순물(n+ 또는 p+)이 도핑된 비정질 실리콘층이 패터닝됨으로써 활성층(114) 및 오믹 접촉층(116)을 포함하는 반도체 패턴(115)이 형성된다.An inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) is formed on the entire surface of the substrate 100 on which the gate electrode 102 is formed, thereby forming the gate insulating film 112. Then, an amorphous silicon layer and an amorphous silicon layer doped with impurities (n + or p +) are sequentially formed on the substrate 100 on which the gate insulating film 112 is formed. Subsequently, the amorphous silicon layer doped with the amorphous silicon layer and the impurity (n + or p +) is patterned by the photolithography process and the etching process, thereby forming the semiconductor pattern 115 including the active layer 114 and the ohmic contact layer 116 .

이후, 반도체 패턴이 형성된 기판(100) 상에 스퍼터링 방ㅂ버 등의 증착 방법을 통해 데이터 금속층이 형성된다. 여기서 데이터 금속층으로는 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 알루미늄(Al)계 금속, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등이 이용된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 데이터 금속층이 패터닝됨으로써 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)이 형성된다. 그런 다음, 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)을 마스크로 이들(108,110) 사이에 위치하는 오믹 접촉층(116)이 제거됨으로써 활성층(114)이 노출된다.Thereafter, a data metal layer is formed on the substrate 100 on which the semiconductor pattern is formed through a deposition method such as a sputtering method. As the data metal layer, titanium (Ti), tungsten (W), aluminum (Al) -based metal, molybdenum (Mo), copper (Cu), or the like is used. Subsequently, the data metal layer is patterned by a photolithography process and an etching process to form the source electrode 108 and the drain electrode 110. Then, the active layer 114 is exposed by removing the ohmic contact layer 116 located between the source electrode 108 and the drain electrode 110 as a mask.

상술한 바와 같이 반도체 패턴(115)과, 소스 및 드레인 전극(108,110) 각각은 개별적으로 형성되므로 이들을 형성하기 위해서는 2개의 마스크가 필요하다. 이외에도 마스크 수를 줄이기 위해 반도체 패턴(115), 소스 및 드레인 전극(108,110)은 회절 마스크 또는 반투과 마스크를 이용하여 한 번의 마스크 공정을 통해 동시에 형성가능하다. As described above, since the semiconductor pattern 115 and the source and drain electrodes 108 and 110 are formed separately, two masks are required to form them. In addition, in order to reduce the number of masks, the semiconductor patterns 115, the source and drain electrodes 108 and 110 may be simultaneously formed through one mask process using a diffraction mask or a transflective mask.

도 7b를 참조하면, 소스 및 드레인 전극(108,110)이 형성된 기판(100) 상에 유기 보호막(118)이 형성되며, R,G,B 컬러 필터(124R,124G,124B) 각각이 해당 서브 화소 영역 각각에 형성된다. 7B, the organic protective layer 118 is formed on the substrate 100 on which the source and drain electrodes 108 and 110 are formed, and the R, G, and B color filters 124R, 124G, Respectively.

구체적으로, 소스 및 드레인 전극(108,110)이 형성된 기판(100) 상에 아크릴계 수지와 같은 유기 절연 물질이 전면 형성됨으로써 유기 보호막(118)이 형성된다. 이어서, 적색(R)이 착색된 적색 컬러 레지스트를 도포한 후, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 R 서브 화소 영역의 유기 보호막(118) 상에 적색 컬러 필터(124R)가 형성된다. 이후, 녹색(G)이 착색된 녹색 컬러 레지스트를 도포한 후, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 G 서브 화소 영역의 유기 보호막(118) 상에 녹색 컬러 필터(124G)가 형성된다. 그리고, 청색(B)이 착색된 청색 컬러 레지스트를 도포한 후, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 B 서브 화소 영역의 유기 보호막(118) 상에 청색 컬러 필터(124B)가 형성된다. 이에 따라, R,G,B 서브 화소 영역 각각에 R,G,B 컬러 필터(124R,124G,124B)가 형성된다. Specifically, an organic insulating material such as an acrylic resin is formed on the entire surface of the substrate 100 on which the source and drain electrodes 108 and 110 are formed, thereby forming the organic passivation layer 118. Subsequently, a red color resist with red (R) color is applied, and then a red color filter 124R is formed on the organic protective film 118 in the R sub pixel area by a photolithography process and an etching process. Thereafter, a green color filter 124G colored green (G) is applied, and then a green color filter 124G is formed on the organic protective film 118 in the G sub pixel region by a photolithography process and an etching process. After the blue color resist with blue (B) color is applied, a blue color filter 124B is formed on the organic protective film 118 in the B sub pixel area by a photolithography process and an etching process. Thus, R, G, and B color filters 124R, 124G, and 124B are formed in the R, G, and B sub pixel regions, respectively.

도 7c를 참조하면, R,G,B 컬러 필터(124R,124G,124B)이 형성된 기판(100) 상에 오버코트층(126)이 형성되며, G,B,W 서브 화소 영역 각각에 광보상층(128)이 형성된다. Referring to FIG. 7C, an overcoat layer 126 is formed on the substrate 100 on which the R, G, and B color filters 124R, 124G, and 124B are formed, and an optical compensation layer is formed in each of the G, B, and W subpixel regions. 128 is formed.

구체적으로, R,G,B 컬러 필터(124R,124G,124B)이 형성된 기판 상에 아크릴계 수지와 같은 유기 절연 물질로 오버코트층(126)이 형성된다. 그런 다음, 오버코트(126)층 상에 유기물 또는 무기물 또는 유기 금속 화합물 전면 도포하여 광보상층(128)이 형성된다. 광보상층(128)은 TiOx, SiNx, SiO₂,TaO₂, NIOx, MgF, CaF 중 한 층으로 이루어지거나, 적어도 두 층으로 형성할 수 있다. 광보상층(128)과 제1 전극(122) 및 유기 공통층(134)의 총 두께는 5000~5500Å의 범위를 갖도록 형성된다. Specifically, the overcoat layer 126 is formed of an organic insulating material such as an acrylic resin on the substrate on which the R, G, and B color filters 124R, 124G, and 124B are formed. Then, the photocompensation layer 128 is formed by applying the organic, inorganic or organometallic compound over the overcoat 126 layer. The light compensation layer 128 may be formed of one of TiOx, SiNx, SiO ₂ , TaO ₂ , NIOx, MgF, and CaF, or may be formed of at least two layers. The total thickness of the light compensation layer 128, the first electrode 122, and the organic common layer 134 is formed to have a range of 5000 ~ 55005.

이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 오버코트층과 광보상층이 패터닝됨으로써 해당 서브 화소 영역의 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 화소 컨택홀을 형성하며, G,B,W 서브 화소 영역 각각에 광보상층이 형성된다. 또한, 광보상층은 G 서브 화소 영역 및 B 서브 화소 영역 중 적어도 어느 한 영역에 형성할 수 있으며, W 서브 화소 영역에는 필히 형성한다. Subsequently, the overcoat layer and the light compensation layer are patterned by a photolithography process and an etching process to form a pixel contact hole exposing the drain electrode of the driving thin film transistor of the corresponding sub pixel region, and to form light in each of the G, B, and W sub pixel regions. A compensation layer is formed. In addition, the light compensation layer may be formed in at least one of the G subpixel area and the B subpixel area, and is necessarily formed in the W subpixel area.

도 7d를 참조하면, 광 보상층(128)이 형성된 기판(100) 상에 제1 전극(122)이 형성된다. Referring to FIG. 7D, the first electrode 122 is formed on the substrate 100 on which the light compensation layer 128 is formed.

구체적으로, 유기 보호막(126)이 형성된 기판(100) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 TCO(Transparent Conductive Oxide; 이하, TCO), ITO(Indum Tin Oxide; 이하,ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; 이하,IZO) 등의 투명한 금속 재질이 형성된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 투명한 금속 재질이 패터닝됨으로써 제1 전극(122)이 형성된다. Specifically, TCO (Transparent Conductive Oxide; TCO), ITO (Indum Tin Oxide; ITO), IZO (Indum Zinc) through a deposition method such as a sputtering method on the substrate 100 on which the organic passivation layer 126 is formed. Or a transparent metal material such as IZO). Then, the first electrode 122 is formed by patterning a transparent metal material by a photolithography process and an etching process.

도 7e를 참조하면, 제1 전극(122)이 형성된 기판(100) 상에 뱅크홀(132)을 가지는 뱅크 절연막(130)이 형성된다. Referring to FIG. 7E, a bank insulating film 130 having a bank hole 132 is formed on a substrate 100 having a first electrode 122 formed thereon.

구체적으로, 제1 전극이 형성된 기판 상에 포토 아크릴과 같은 유기 절연 물질로 형성된 뱅크 절연막이 전면 도포된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 뱅크 절연막이 패터닝됨으로써 제1 전극이 노출된 뱅크 홀을 가지는 뱅크 절연막이 형성된다. Specifically, a bank insulating film formed of an organic insulating material such as photoacrylic is coated on the entire surface of the substrate on which the first electrode is formed. Subsequently, the bank insulating film is patterned by a photolithography process and an etching process to form a bank insulating film having a bank hole in which the first electrode is exposed.

도 7f를 참조하면, 뱅크 절연막(130)이 형성된 기판(100) 상에 유기 공통층(134)이 형성되고, 유기 공통층(134) 상에 제2 전극(136)이 형성된다. 7F, the organic common layer 134 is formed on the substrate 100 on which the bank insulating layer 130 is formed, and the second electrode 136 is formed on the organic common layer 134.

구체적으로, 제1 전극(122) 상에 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL), 발광층(Emitting Layer;EML), 전자 수송층(Electron Transport Layer;ETL), 전자 주입층(Electron Injection Layer;EIL)이 포함된 유기 공통층(134)이 형성된다. 그런 다음, 유기 공통층(134) 상에 은(Ag)이 증착됨으로써 제2 전극(136)이 형성된다. Specifically, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), a light emitting layer An organic common layer 134 including an electron injection layer (EIL) is formed. Then, silver (Ag) is deposited on the organic common layer 134 to form the second electrode 136.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the present invention, and various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the specification of the present invention are not intended to limit the present invention. The scope of the present invention should be construed according to the following claims, and all the techniques within the scope of equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention.

100 : 기판 102 : 게이트 전극
108 : 소스 전극 110: 드레인 전극
112 : 게이트 절연막 114: 액티브층
116 : 버퍼막 118 : 유기 보호막
120 : 화소 컨택홀 122 : 제1 전극
124R,124G,124B : 적색, 녹색, 청색 컬러 필터
128 : 광보상층 130 : 뱅크 절연막
132 : 뱅크홀 134 : 유기 공통층
136 : 제2 전극100 substrate 102 gate electrode
108: source electrode 110: drain electrode
112: gate insulating film 114: active layer
116: buffer film 118: organic protective film
120: pixel contact hole 122: first electrode
124R, 124G, 124B: Red, Green, Blue Color Filters
128: optical compensation layer 130: bank insulating film
132: bank hole 134: organic common layer
136: second electrode

Claims

게이트 라인, 데이터 라인 및 전원 라인이 교차되게 형성되어 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 형성된 구동 박막 트랜지스터와;
상기 구동 박막 트랜지스터와 접속된 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 형성된 유기 공통층과, 상기 유기 전계 발광 소자 상에 형성된 제2 전극을 구비한 유기 전계 발광 소자와;
상기 녹색 및 청색 서브 화소 영역 중 적어도 어느 한 영역에 형성되며, 상기 백색 서브 화소 영역에 형성되어 색시야각에 따른 컬러 쉬프트를 보상하는 광보상층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널. A driving thin film transistor formed to cross the gate line, the data line, and the power line to be formed in each of the red, green, blue, and white sub-pixel regions;
An organic electroluminescent element having a first electrode connected to the driving thin film transistor, an organic common layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the organic electroluminescent element;
And an optical compensation layer formed in at least one of the green and blue sub-pixel areas, and configured to compensate for the color shift according to the color viewing angle.

제1항에 있어서,
상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 형성된 구동 박막 트랜지스터 상에 형성된 유기 보호막과;
상기 유기 보호막 상에 상기 적색, 녹색, 청색 서브 화소 영역 각각에 대응되도록 형성된 R,G,B 컬러 필터와;
상기 R,G,B 컬러 필터 상에 형성된 오버코트층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널. The method of claim 1,
An organic passivation layer formed on the driving thin film transistor formed in each of the red, green, blue, and white sub-pixel regions;
R, G, and B color filters formed on the organic passivation layer to correspond to the red, green, and blue sub pixel regions, respectively;
And an overcoat layer formed on the R, G and B color filters.

제1항에 있어서,
상기 광보상층은 유기물 또는 무기물 또는 유기 금속 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널. The method of claim 1,
The light compensation layer is formed of an organic material, an inorganic material, or an organic metal compound.

제1항에 있어서,
상기 광보상층은 TiOx, SiNx, SiO₂,TaO₂, NIOx, MgF, CaF 중 한 층으로 이루어지거나, 적어도 두 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널. The method of claim 1,
The light compensation layer is formed of one of TiOx, SiNx, SiO ₂ , TaO ₂ , NIOx, MgF, CaF, or at least two layers.

제1항에 있어서
상기 광보상층과 제1 전극 및 유기 공통층의 총 두께는 5000~5500Å으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널. The method of claim 1, wherein
The total thickness of the light compensation layer, the first electrode and the organic common layer is formed to be 5000 ~ 5500Å.

게이트 라인, 데이터 라인 및 전원 라인이 교차되게 형성되어 마련된 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 녹색 및 청색 서브 화소 영역 중 적어도 어느 한 영역과, 상기 백색 서브 화소 영역에 광보상층을 형성하는 단계와;
상기 구동 박막 트랜지스터와 접속된 제1 전극을 형성하는 단계와;
상기 제1 전극 상에 유기 공통층을 형성하는 단계와;
상기 유기 공통층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법. Forming a driving thin film transistor in each of the red, green, blue, and white sub-pixel regions formed by crossing the gate line, the data line, and the power line;
Forming an optical compensation layer in at least one of the green and blue sub pixel areas and the white sub pixel area;
Forming a first electrode connected to the driving thin film transistor;
Forming an organic common layer on the first electrode;
And forming a second electrode on the organic common layer.

제6항에 있어서,
상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각의 구동 박막 트랜지스터 상에 유기 보호막을 형성하는 단계와;
상기 유기 보호막 상에 상기 적색, 녹색, 청색 서브 화소 영역 각각에 대응되도록 R,G,B 컬러 필터를 형성하는 단계와;
상기 R,G,B 컬러 필터 상에 오버코트층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법. The method according to claim 6,
Forming an organic passivation layer on the driving thin film transistors of each of the red, green, blue, and white sub-pixel regions;
Forming R, G, and B color filters on the organic passivation layer to correspond to each of the red, green, and blue sub pixel regions;
And forming an overcoat layer on the R, G and B color filters.

제6항에 있어서,
상기 광보상층은 유기물 또는 무기물 또는 유기 금속 화합물로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법. The method according to claim 6,
The light compensation layer is formed of an organic material, an inorganic material, or an organic metal compound.

제6항에 있어서,
상기 광보상층은 TiOx, SiNx, SiO₂,TaO₂, NIOx, MgF, CaF 중 한 층으로 이루어지거나, 적어도 두 층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법. The method according to claim 6,
The light compensation layer may be formed of one of TiOx, SiNx, SiO ₂ , TaO ₂ , NIOx, MgF, and CaF, or may be formed of at least two layers.

제6항에 있어서,
광보상층과 제1 전극 및 유기 공통층의 총 두께는 5000~5500Å으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법. The method according to claim 6,
The total thickness of the light compensation layer, the first electrode, and the organic common layer is 5000 to 5500 GPa, wherein the organic light emitting display panel is manufactured.