KR20130027611A - Led 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛, led 모듈의 제조방법 - Google Patents
Led 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛, led 모듈의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130027611A KR20130027611A KR1020110046759A KR20110046759A KR20130027611A KR 20130027611 A KR20130027611 A KR 20130027611A KR 1020110046759 A KR1020110046759 A KR 1020110046759A KR 20110046759 A KR20110046759 A KR 20110046759A KR 20130027611 A KR20130027611 A KR 20130027611A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- led
- layer
- base
- metal
- led module
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 139
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
- H05K1/0203—Cooling of mounted components
- H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
Abstract
LED 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있는 구조를 가진 LED 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛을 개시한다.
LED 모듈은 금속 재질의 베이스(Base)와, 베이스의 상부에 마련되는 절연층과, 절연층의 상부에 마련되는 회로층과, 회로층의 상부에 마련되는 LED 패키지(Package)와, 절연층과 회로층을 관통하여 LED 패키지와 베이스를 연결하는 접착층을 포함한다.
LED 모듈은 금속 재질의 베이스(Base)와, 베이스의 상부에 마련되는 절연층과, 절연층의 상부에 마련되는 회로층과, 회로층의 상부에 마련되는 LED 패키지(Package)와, 절연층과 회로층을 관통하여 LED 패키지와 베이스를 연결하는 접착층을 포함한다.
Description
본 발명은 백라이트 유닛에 사용되는 LED 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다.
디스플레이 장치 등에 장착되는 액정표시(LCD:Liquid Crystal Display)패널은 자체 발광 기능이 없으므로 그 후방에 백라이트 유닛(BLU:Back Light Unit)이 배치되어 광을 생성, 조사하게 된다.
최근에는 광을 생성하는 광원으로 제조원가나 제품의 크기 측면에서 유리한 LED 모듈을 포함한 백라이트 유닛의 사용이 증가하고 있는 추세이다.
LED 모듈은 인쇄회로기판(PCB) 상에 LED 칩을 실장하는 방법으로 생산되는데, 일반적으로는 LED 칩을 LED 패키지로 제작한 후, 배선층, 절연층 등으로 이루어진 인쇄회로기판(PCB) 상에 각각의 LED 패키지 단품을 실장하는 SMT(surface mount technology : 인쇄회로기판의 표면(회로층)에 LED 패키지를 실장하는 기술)공정을 이용하여 실장하게 된다.
이와 같이 LED 패키지를 SMT공정을 이용하여 인쇄회로기판에 실장할 경우 LED 칩에서 발생하는 열이 인쇄회로기판의 하부까지 전달되는 과정에서 여러가지 열저항을 거치기 때문에 방열 효율이 낮아지는 문제가 있으므로 방열 효율을 높이기 위한 LED 패키지의 실장 구조가 요구된다.
본 발명의 일 측면은 LED 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있는 구조를 가진 LED 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛을 제공한다.
본 발명의 사상에 따른 LED 모듈은 금속 재질의 베이스(Base);와, 상기 베이스의 상부에 마련되는 절연층;과, 상기 절연층의 상부에 마련되는 회로층;과, 상기 회로층의 상부에 마련되는 LED 패키지(Package);와, 상기 절연층과 상기 회로층을 관통하여 상기 LED 패키지와 상기 베이스를 연결하는 접착층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 접착층은 금속 재질의 솔더 페이스트(Solder Paste)인 것을 특징으로 한다.
상기 LED 패키지는, LED 칩(Chip)과, 상기 LED 칩의 하부에 결합되어 상기 LED 칩에서 발생하는 열을 상기 접착층으로 전달하는 방열(放熱)부를 포함할 수 있다.
상기 방열부는 금속 재질로 형성되며, 열전달 효율을 증가시키기 위한 히트 슬러그(Heat Slug)를 포함할 수 있다.
상기 LED 패키지는, 상기 LED 칩에 전원을 공급하는 전극부와, 상기 LED 칩과 상기 전극부를 연결하는 와이어를 포함할 수 있다.
상기 방열부는 상기 전극부와 전기적으로 분리될 수 있다.
상기 LED 칩은 도전성 접착제에 의해 상기 방열부의 바닥면에 결합될 수 있다.
상기 베이스의 하부에는 상기 LED 칩으로부터 상기 베이스에 전달된 열을 상기 베이스의 외부로 안내하는 히트 싱크(Heat Sink)가 결합될 수 있다.
또한 본 발명의 사상에 따른 LED 모듈은 금속 재질의 베이스(Base);와, 상기 베이스의 상부에 마련되는 회로층;과, 상기 베이스 및 상기 회로층 사이에 마련되는 절연층;과, 상기 회로층의 상부에 마련되는 LED 패키지(Package);와, 상기 절연층과 상기 회로층을 관통하는 관통홀에 마련되어 상기 LED 패키지(Package)를 상기 베이스에 고정시키는 접착층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 관통홀은 상기 LED 칩이 배치되는 위치와 대응하는 위치에 형성될 수 있다.
또한 본 발명의 사상에 따른 백라이트 유닛은 도광부재;와, 상기 도광부재의 측면을 향하여 광을 조사하는 LED 모듈을 포함하고, 상기 LED 모듈은, 금속 재질의 베이스;와, 상기 베이스의 상부에 마련되는 절연층;과, 상기 절연층의 상부에 마련되는 회로층;과, 상기 회로층의 상부에 마련되는 LED 패키지;와, 상기 절연층과 상기 회로층을 관통하여 상기 LED 패키지와 상기 베이스를 연결하는 접착층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
LED 모듈은 복수의 LED 패키지를 포함하며, 상기 복수의 LED 패키지는 상기 도광부재의 측면을 따라 어레이(Array)를 형성하여 배치될 수 있다.
상기 접착층은 금속 재질의 솔더 페이스트(Solder Paste)인 것을 특징으로 한다.
상기 LED 패키지는, LED 칩(Chip)과, 상기 LED 칩의 하부에 결합되어 상기 LED 칩에서 발생하는 열을 상기 접착층으로 전달하는 방열(放熱)부를 포함할 수 있다.
상기 방열부는 금속 재질로 형성되며, 열전달 효율을 증가시키기 위한 히트 슬러그(Heat Slug)를 포함할 수 있다.
상기 LED 패키지는, 상기 LED 칩에 전원을 공급하는 전극부와, 상기 LED 칩과 상기 전극부를 연결하는 와이어를 포함할 수 있다.
상기 방열부는 상기 전극부와 전기적으로 분리될 수 있다.
상기 LED 칩은 도전성 접착제에 의해 상기 방열부의 바닥면에 결합될 수 있다.
상기 베이스의 하부에는 상기 LED 칩으로부터 상기 베이스에 전달된 열을 상기 베이스의 외부로 안내하는 히트 싱크(Heat Sink)가 결합될 수 있다.
또한 본 발명의 사상에 따른 LED 모듈의 제조방법은 금속 재질의 베이스에 절연층 및 금속층을 적층하고, 상기 베이스가 노출될 수 있도록 상기 절연층 및 상기 금속층에 관통홀을 형성하고, 상기 금속층을 패터닝(Patterning)하여 회로층을 형성하고, 상기 관통홀에 금속 재질의 솔더 페이스트를 주입하고, 상기 솔더 페이스트의 위에 LED 패키지를 배치하여 고정시키는 것을 특징으로 한다.
상기 솔더 페이스트는 분말 형태로 상기 관통홀에 주입되고, 분말 형태의 상기 솔더 페이스트에 열을 가하여 용융 상태로 만든 후, 응고시키는 과정을 통하여 상기 LED 패키지를 고정시킬 수 있다.
상기 금속층은 동(Copper) 재질의 박판인 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 사상에 따른 LED 모듈의 제조방법은 금속 재질의 베이스에 절연층 및 금속층을 적층하고, 상기 금속층을 패터닝(Patterning)하여 회로층을 형성하고, 상기 베이스가 노출될 수 있도록 상기 절연층 및 상기 회로층에 관통홀을 형성하고, 상기 관통홀에 금속 재질의 솔더 페이스트를 주입하고, 상기 솔더 페이스트의 위에 LED 패키지를 배치하여 고정시키는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 사상에 따른 LED 모듈의 제조방법은 절연층 및 금속층에 관통홀을 형성하고, 금속 재질의 베이스에 관통홀이 형성된 상기 절연층 및 상기 금속층을 적층하고, 상기 금속층을 패터닝(Patterning)하여 회로층을 형성하고, 상기 관통홀에 금속 재질의 솔더 페이스트를 주입하고, 상기 솔더 페이스트의 위에 LED 패키지를 배치하여 고정시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예들에 따르면 LED 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있으므로 LED 칩의 수명을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 포함하는 디스플레이 모듈의 분리사시도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 포함하는 디스플레이 모듈의 일측 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈의 일부 단면도.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈의 제조방법을 도시한 도면.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 모듈의 제조방법을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 포함하는 디스플레이 모듈의 일측 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈의 일부 단면도.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈의 제조방법을 도시한 도면.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 모듈의 제조방법을 도시한 도면.
이하에서는 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 포함하는 디스플레이 모듈의 분리사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 포함하는 디스플레이 모듈의 일측 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 디스플레이 모듈(100)은 액정표시패널(10)과, 액정표시패널(10)의 하부에 이격 배치되는 백라이트 유닛(20)과, 액정표시패널(10)과 백라이트 유닛(20)을 상호 이격되게 지지하는 미들 몰드(30)와, 액정표시패널(10)과 백라이트 유닛(20)의 상부 및 하부에 각각 배치되는 탑 새시(40) 및 바텀 새시(50)를 포함하여 구성될 수 있다.
액정표시패널(10)은 박막트랜지스터가 형성되어 있는 박막트랜지스터 기판(11)과, 박막트랜지스터 기판(11)과 대면하고 있는 컬러필터 기판(12)과, 박막트랜지스터 기판(11)과 컬러필터 기판(12) 사이에 마련된 액정층(미도시)을 포함한다.
박막트랜지스터 기판(11)의 일측에는 연성 인쇄회로기판(13)과, 연성인쇄회로기판(13)에 장착되어 있는 구동칩(14), 연성 인쇄회로기판(13)의 타측에 연결되어 있는 패널 회로기판(15)을 포함한다.
액정표시패널(10)은 액정층의 배열을 조정하여 영상을 형성할 수 있지만, 자체적으로 발광할 수는 없기 때문에 액정표시패널(10)에 광을 공급하는 백라이트 유닛(20)이 액정표시패널(10)의 배면에 위치한다.
백라이트 유닛(20)은 액정표시패널(10)의 하부에 배치되는 복수의 광학시트(21, 22, 23)들과, 광학시트(21, 22, 23)들의 하부에 위치한 도광부재(24)와, 도광부재(24)의 하면에 위치한 반사시트(25)와, 도광부재(24)에 광을 공급하는 발광다이오드 모듈(26)을 포함하여 구성된다.
광학시트(21, 22, 23)들은 보호필름(21), 프리즘필름(22) 및 확산필름(23)을 포함한다.
보호필름(21)은 프리즘필름(22) 상부에 배치되어 먼지 등의 스크래치에 민감한 프리즘필름(22)을 보호한다.
프리즘필름(22)은 확산필름(23)에서 확산된 광을 상부의 액정표시패널(10)의 평면에 수직한 방향으로 집광할 수 있도록 상부면에 삼각기둥 모양의 프리즘이 일정한 배열을 갖고 형성된다. 프리즘필름(22)은 통상 2장이 사용되며 각 프리즘필름(22)에 형성된 마이크로 프리즘은 소정의 각도를 이루고 있다. 프리즘필름(22)을 통과한 광은 대부분이 수직하게 진행되어 균일한 휘도 분포를 제공하게 된다.
확산필름(23)은 도광부재(24)로부터 광을 확산시켜 액정표시패널(10)에 공급하도록 베이스판에 구슬 모양의 코팅층이 형성된다.
도광부재(24)는 폴리 메틸 메타 아크릴레이트(PMMA)와 같은 아크릴 계통의 수지 또는 폴리 메틸 스티렌(polymethylstyrene)으로 이루어져, 발광다이오드 모듈(26)로부터의 광을 확산필름(23)에 균일하게 공급한다. 여기서 발광다이오드 모듈(26)과 마주하는 도광부재(24)의 측면은 발광다이오드 모듈(26)로부터 방사된 광이 입사되는 입사면으로 동작하고, 확산필름(23)과 마주하는 도광부재(24)의 전면은 광이 출사되는 출사면으로 동작하며, 도광부재(24)의 출사면 반대측에 마련되어 반사시트(25)와 마주하는 후면은 광을 반사하는 반사면으로 동작한다.
반사시트(25)는 도광부재(24)의 하부에 배치되어 도광부재(24)의 하면을 통해 출사되는 광을 다시 도광부재(24)로 안내한다. 반사시트(25)는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)나 폴리카보네이트(PC)와 같은 플라스틱 재질로 만들어질 수 있다.
탑 새시(40)는 액정표시패널(10)의 가장자리를 감싸는 베젤부(41)와, 베젤부(41)의 단부에서 절곡된 탑 측면부(42)를 구비할 수 있다. 베젤부(41)는 액정표시패널(10)의 외곽 라인과 실제로 화면이 표시되는 유효표시영역(Active Area)까지의 폭을 의미한다.
바텀 새시(50)는 백라이트 유닛(20)이 안착되는 하면부(51)와, 하면부(51)의 둘레에서 상측으로 연장된 바텀 측면부(52)를 포함한다. 바텀 새시(50)는 열전도성 금속재질로 형성되어 LED 패키지(160)에서 전달된 열을 방열한다.
LED 모듈(150)은 도광부재(24)의 네 측면 중 서로 대칭되는 두 측면에 각각 대향되게 배치된다. LED 모듈(150)은 광을 발산하는 복수의 LED 패키지(160)와, 복수의 LED 패키지(160)에 전기적 신호가 흐를 수 있도록 하는 도전성 패턴이 형성된 인쇄회로기판(170)을 포함한다.
복수의 LED 패키지(160)는 광이 출사되는 LED 패키지(160)의 출사면이 도광부재(24)의 입사면과 마주하며, 출사면과 반대측에 위치한 면을 통해 인쇄회로기판(170)에 접속되고, 인쇄회로기판(170)의 길이 방향으로 어레이(Array)를 형성하여 서로 이격 배치된다.
인쇄회로기판(170)은 도광부재(24)의 측면과 대응하는 길이로 길게 형성되며, 도광부재(24)의 두께 방향으로 폭을 갖도록 형성된다. 인쇄회로기판(170)의 배면은 히트 싱크(190)에 바텀 새시(50)에 결합되어 LED 패키지(160)에서 발생한 열이 히트 싱크(190)를 통해 바텀 새시(50)로 전달되어 외부로 방열되도록 한다.
이하에서는 LED 패키지(160)와 인쇄회로기판(170)으로 구성되는 LED 모듈(150)의 구조에 대해 좀 더 자세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈의 일부 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, LED 모듈(150)은 금속 재질의 베이스(172)와, 베이스(172)의 상부에 마련되는 회로층(176)과, 베이스(172)와 회로층(176) 사이에 마련되는 절연층(174)과, 회로층(176)의 상부에 실장되는 LED 패키지(160)와, 절연층(174)과 회로층(176)을 관통하여 LED 패키지(160)를 베이스(172)에 직접 연결, 고정하는 접착층(178)을 포함하는 구조로 형성된다.
베이스(172)는 그 상부에 배치되는 절연층(174), 회로층(176) 및 LED 패키지(160)를 지지하며, LED 패키지(160)에서 발생하는 열을 방열(放熱)시키는 방열층의 역할을 수행한다. 베이스(172)의 재질로는 전기적 특성 및 열전달 특성이 우수한 동(Copper), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 강판 또는 도금강판 등의 금속이 사용될 수 있다.
회로층(176)은 그 일면에 회로패턴이 형성되어 LED 패키지(160)에 전기적인 신호가 흐를 수 있도록 한다. 회로층(176)의 재질로는 전기적 특성이 우수한 동(Copper), 구리(Cu) 등의 금속이 사용될 수 있다.
절연층(174)은 베이스(172)와 회로층(176) 사이에 마련되어 베이스(172)와 회로층(176)을 전기적으로 절연시킨다. 절연층(174)의 재질로는 수지, 세라믹, 폴리이미드(PI), 에폭시(Epoxy) 등이 사용될 수 있으며, 이 중에서도 전기적 특성 및 기계적 특정이 우수한 에폭시(Epoxy) 재질을 사용하는 것이 바람직하다.
이와 같은 베이스(172), 절연층(174) 및 회로층(176)은 그 상부에 LED 패키지(160)를 실장되는 인쇄회로기판(170)을 형성한다.
인쇄회로기판(170)의 상부에 실장되는 LED 패키지(160)는 광을 생성하는 LED 칩(Chip)(162)과, LED 칩(162)의 하부에 결합되는 제1방열부(164)와, 제1방열부(164)의 주위에 배치되는 제2방열부(165a, 165b)와, 형광체가 주입되는 공간을 형성하는 몰드부(166)를 포함하여 구성된다.
LED 칩(162) 실리콘(Si) 등을 포함한 에폭시(Epoxy) 등의 접착제에 의해 제1방열부(164)의 바닥면에 고정된다.
제1방열부(164) 및 제2방열부(165a, 165b)는 LED 패키지(160)에서 발생하는 열을 인쇄회로기판(170)으로 전달한다. 특히 제1방열부(164)는 LED 칩(162)과 접촉하여 LED 칩(162)에서 발생하는 열을 직접 인쇄회로기판(170)으로 전달하게 된다. 따라서 제1방열부(164) 및 제2방열부(165a, 165b)는 열전달 효율이 높은 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등의 금속 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
제1방열부(164) 및 제2방열부(165a, 165b)의 방열 효율을 더 높이기 위해 금속 재질의 히트 슬러그(Heat Slug)를 더 포함할 수 있다.
제2방열부(165a, 165b)에는 각각 LED 칩(162)에 전원을 공급하는 서로 극이 다른 전극부가 형성되며, 전극부는 와이어(168)을 통해 LED 칩(162)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급하게 된다.
LED 패키지(160)는 접착층(178)에 의해 인쇄회로기판(170) 상에 결합, 고정된다. 접착층(178)은 베이스(172)가 노출될 수 있도록 절연층(174)과 회로층(176)을 관통하여 형성된 관통홀(177, 도 4b 참조)에 주입되어 LED 패키지(160)와 베이스(172)를 연결시킨다.
접착층(178)으로는 연전달 효율이 높은 금속 재질의 도전성 솔더 페이스트(Solder Paste)가 사용될 수 있다.
LED 칩(162)에서 발생하는 열은 효과적으로 LED 모듈(150)의 외부로 방출된다. 이와 같은 이유는 LED 칩(162)에서 생성되는 열이 열전달의 저항 요소로 작용하는 절연층 등을 거치지 않고, 열전달 효율이 높은 금속 재질로 형성된 제1방열부(164), 접착층(178), 베이스(172)를 따라 형성되는 열방출 경로를 따라 전달되기 때문이다. LED 칩(162)에서 발생하는 열이 효과적으로 방출되므로 LED 칩(162)의 수명이 연장되며, 또한 LED 칩(162)이 접착층(178)을 통해 방열 역할을 수행하는 베이스(172)에 직접 연결되어 절연층에 의해 열전달 저항을 고려하지 않아도 방열 효율을 향상시킬 수 있기 때문에 다양한 재료 및 두께를 가지는 절연층 또는 회로층을 사용할 수 있다.
한편 제1방열부(164) 및 제2방열부(165a, 165b)는 서로 분리되는 구조를 가진다. 이는 제1방열부(164), 접착층(178), 베이스(172)가 금속 재질로 형성되므로 LED 칩(162) 및 LED 칩(162)의 하부에 순차적으로 배치되는 제1방열부(164), 접착층(178), 베이스(172)를 통해 전류가 흐르게 되는데, 만약 베이스(172)를 통해 흐르는 전류가 인접한 LED 패키지(160)의 전극부로 흐를 경우 LED 패키지(160) 간에 직접 전류가 통하는 단락(쇼트:short circuit) 현상이 발생할 수 있으므로 이를 방지하기 위함이다.
이하에서는 LED 모듈(150)의 제조방법에 대해 설명한다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈의 제조방법을 도시한 도면이고, 도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 모듈의 제조방법을 도시한 도면이다.
도 4a 내지 도 4d에 도시된 바와 같이, 먼저 금속 재질의 베이스(172)에 절연층(174) 및 금속층을 적층한 후, 베이스(170)가 노출될 수 있도록 절연층(174) 및 금속층에 관통홀(177)을 형성한다. 금속층은 회로층(176)을 형성하기 위한 동(Copper) 재질의 박판이며, 관통홀(177)은 기계적인 드릴링 공정을 이용하거나 또는 레이저를 이용한 컷팅 공정 등을 이용하는 방법 등을 통해 형성될 수 있다.
다음으로 금속층을 패터닝(Patterning)하여 회로층(176)을 형성한 후, 솔터 페이스트를 주입할 공간을 제외한 회로층(176)의 상면에 마스킹(Masking)층(182)을 적층한다.
마스킹(Masking)층(182)의 적층이 완료되면 마스킹(Masking)층(182)으로 가려지지 않은 부분, 즉 절연층(174) 및 금속층에 형성된 관통홀(177) 및 그 이외의 LED 패키지(160)를 접착하기 위한 부분에 분말 형태의 솔더 페이스트를 주입한다. 솔더 페이스트는 분말 형태로 관통홀(177) 및 그 이외의 LED 패키지(160)를 접착하기 위한 부분에 주입된다.
마지막으로 솔더 페이스트의 위에 LED 패키지(160)를 배치하고, 분말 형태의 솔더 페이스트에 열을 가하여 용융 상태로 만든 후, 응고시킴으로서 LED 패키지(160)를 고정시킨다. 솔더 페이스트 용융 및 응고되는 과정을 통해 접착층(178)을 형성하여 LED 패키지(160)이 인쇄회로기판(150)의 상면에 완전히 고정되도록 한다.
한편 위의 과정에서 절연층(174) 및 금속층에 관통홀(177)을 형성하는 과정과 금속층을 패터닝(Patterning)하여 회로층(176)을 형성하는 과정을 서로 바꿀 수 있다. 즉, 베이스(172)에 절연층(174) 및 금속층을 적층한 상태에서 먼저 금속층을 패터닝(Patterning)하여 회로층(176)을 형성한 뒤에 절연층(174) 및 금속층에 관통홀(177)을 형성할 수도 있다.
또한, 베이스(172)에 절연층(174) 및 금속층을 적층하는 과정과 절연층(174) 및 금속층에 관통홀(177)을 형성하는 과정을 서로 바꿀 수도 있다. 도 5a 내지 도 5d에 도시된 바와 같이, 절연층(174) 및 금속층을 서로 결합시킨 상태에서 LED 패키지(160)가 실장되는 위치에 먼저 관통홀(177)을 형성하고, 관통홀(177)이 형성된 절연층(174) 및 금속층을 베이스(172)의 상부에 적층시킬 수 있다. 이후의 과정은 앞서 설명한 LED 모듈의 제조방법과 동일하다.
10 : 액정표시패널 20 : 백라이트 유닛
30 : 미들몰드 40 : 탑 새시
50 : 바텀 새시 100 : 디스플레이 모듈
150 : LED 모듈 160 : LED 팩키지
170 : 인쇄회로기판 190 : 히트 싱크
30 : 미들몰드 40 : 탑 새시
50 : 바텀 새시 100 : 디스플레이 모듈
150 : LED 모듈 160 : LED 팩키지
170 : 인쇄회로기판 190 : 히트 싱크
Claims (24)
- 금속 재질의 베이스(Base);
상기 베이스의 상부에 마련되는 절연층;과,
상기 절연층의 상부에 마련되는 회로층;과,
상기 회로층의 상부에 마련되는 LED 패키지(Package);와,
상기 절연층과 상기 회로층을 관통하여 상기 LED 패키지와 상기 베이스를 연결하는 접착층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 모듈(Module). - 제1항에 있어서,
상기 접착층은 금속 재질의 페이스트(Paste)인 것을 특징으로 하는 LED 모듈. - 제2항에 있어서,
상기 LED 패키지는,
LED 칩(Chip)과,
상기 LED 칩의 하부에 결합되어 상기 LED 칩에서 발생하는 열을 상기 접착층으로 전달하는 방열(放熱)부를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 모듈. - 제3항에 있어서,
상기 방열부는 금속 재질로 형성되며, 열전달 효율을 증가시키기 위한 히트 슬러그(Heat Slug)를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 모듈. - 제4항에 있어서,
상기 LED 패키지는,
상기 LED 칩에 전원을 공급하는 전극부와,
상기 LED 칩과 상기 전극부를 연결하는 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 모듈. - 제5항에 있어서,
상기 방열부는 상기 전극부와 전기적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 LED 모듈. - 제6항에 있어서,
상기 LED 칩은 도전성 접착제에 의해 상기 방열부의 바닥면에 결합되는 것을 특징으로 하는 LED 모듈. - 제1항에 있어서,
상기 베이스의 하부에는 상기 LED 칩으로부터 상기 베이스에 전달된 열을 상기 베이스의 외부로 안내하는 히트 싱크(Heat Sink)가 결합되는 것을 특징으로 하는 LED 모듈. - 금속 재질의 베이스(Base);
상기 베이스의 상부에 마련되는 회로층;과,
상기 베이스 및 상기 회로층 사이에 마련되는 절연층;과,
상기 회로층의 상부에 마련되는 LED 패키지(Package);와,
상기 절연층과 상기 회로층을 관통하는 관통홀에 마련되어 상기 LED 패키지(Package)를 상기 베이스에 고정시키는 접착층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 모듈. - 제9항에 있어서,
상기 관통홀은 상기 LED 칩이 배치되는 위치와 대응하는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 모듈. - 도광부재;와,
상기 도광부재의 측면을 향하여 광을 조사하는 LED 모듈을 포함하고,
상기 LED 모듈은,
금속 재질의 베이스;와,
상기 베이스의 상부에 마련되는 절연층;과,
상기 절연층의 상부에 마련되는 회로층;과,
상기 회로층의 상부에 마련되는 LED 패키지;와,
상기 절연층과 상기 회로층을 관통하여 상기 LED 패키지와 상기 베이스를 연결하는 접착층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛(Back Light Unit). - 제11항에 있어서,
LED 모듈은 복수의 LED 패키지를 포함하며,
상기 복수의 LED 패키지는 상기 도광부재의 측면을 따라 어레이(Array)를 형성하여 배치되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛. - 제12항에 있어서,
상기 접착층은 금속 재질의 솔더 페이스트(Solder Paste)인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛. - 제13항에 있어서,
상기 LED 패키지는,
LED 칩(Chip)과,
상기 LED 칩의 하부에 결합되어 상기 LED 칩에서 발생하는 열을 상기 접착층으로 전달하는 방열(放熱)부를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛. - 제14항에 있어서,
상기 방열부는 금속 재질로 형성되며, 열전달 효율을 증가시키기 위한 히트 슬러그(Heat Slug)를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛. - 제15항에 있어서,
상기 LED 패키지는,
상기 LED 칩에 전원을 공급하는 전극부와,
상기 상기 LED 칩과 상기 전극부를 연결하는 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛. - 제16항에 있어서,
상기 방열부는 상기 전극부와 전기적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛. - 제17항에 있어서,
상기 LED 칩은 도전성 접착제에 의해 상기 방열부의 바닥면에 결합되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛. - 제11항에 있어서,
상기 베이스의 하부에는 상기 LED 칩으로부터 상기 베이스에 전달된 열을 상기 베이스의 외부로 안내하는 히트 싱크(Heat Sink)가 결합되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛. - 금속 재질의 베이스에 절연층 및 금속층을 적층하고,
상기 베이스가 노출될 수 있도록 상기 절연층 및 상기 금속층에 관통홀을 형성하고,
상기 금속층을 패터닝(Patterning)하여 회로층을 형성하고,
상기 관통홀에 금속 재질의 솔더 페이스트를 주입하고,
상기 솔더 페이스트의 위에 LED 패키지를 배치하여 고정시키는 것을 특징으로 하는 LED 모듈의 제조방법. - 제20항에 있어서,
상기 솔더 페이스트는 분말 형태로 상기 관통홀에 주입되고,
분말 형태의 상기 솔더 페이스트에 열을 가하여 용융 상태로 만든 후, 응고시키는 과정을 통하여 상기 LED 패키지를 고정시키는 것을 특징으로 하는 LED 모듈의 제조방법. - 제20항에 있어서,
상기 금속층은 동(Copper) 재질의 박판인 것을 특징으로 하는 LED 모듈의 제조방법. - 금속 재질의 베이스에 절연층 및 금속층을 적층하고,
상기 금속층을 패터닝(Patterning)하여 회로층을 형성하고,
상기 베이스가 노출될 수 있도록 상기 절연층 및 상기 회로층에 관통홀을 형성하고,
상기 관통홀에 금속 재질의 솔더 페이스트를 주입하고,
상기 솔더 페이스트의 위에 LED 패키지를 배치하여 고정시키는 것을 특징으로 하는 LED 모듈의 제조방법. - 절연층 및 금속층에 관통홀을 형성하고,
금속 재질의 베이스에 관통홀이 형성된 상기 절연층 및 상기 금속층을 적층하고,
상기 금속층을 패터닝(Patterning)하여 회로층을 형성하고,
상기 관통홀에 금속 재질의 솔더 페이스트를 주입하고,
상기 솔더 페이스트의 위에 LED 패키지를 배치하여 고정시키는 것을 특징으로 하는 LED 모듈의 제조방법.
로 하는 LED 모듈의 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110046759A KR20130027611A (ko) | 2011-05-18 | 2011-05-18 | Led 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛, led 모듈의 제조방법 |
US13/475,323 US8952396B2 (en) | 2011-05-18 | 2012-05-18 | LED module, backlight unit including the LED module, and method for manufacturing the LED module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110046759A KR20130027611A (ko) | 2011-05-18 | 2011-05-18 | Led 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛, led 모듈의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130027611A true KR20130027611A (ko) | 2013-03-18 |
Family
ID=47174799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110046759A KR20130027611A (ko) | 2011-05-18 | 2011-05-18 | Led 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛, led 모듈의 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8952396B2 (ko) |
KR (1) | KR20130027611A (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101522459B1 (ko) * | 2013-07-09 | 2015-05-28 | 인하대학교 산학협력단 | 발광소자패키지와 인쇄회로기판의 접합부 방열특성 개선 방법 |
WO2019132278A1 (ko) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2607949B1 (en) * | 2011-12-23 | 2018-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd | Display module and display apparatus having the same |
JP2014153437A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Funai Electric Co Ltd | 表示装置 |
US20140318758A1 (en) * | 2013-04-29 | 2014-10-30 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Composite laminae having thermal management features and thermal management apparatuses comprising the same |
CN103591512B (zh) * | 2013-11-15 | 2015-09-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 背光模组及用该背光模组的液晶显示模组 |
WO2015152568A1 (ko) * | 2014-04-04 | 2015-10-08 | 송창환 | 연성 led 광원 패널 및 이를 이용한 영상 촬영용 연성 led 조명 장치 |
US10028413B2 (en) | 2014-07-25 | 2018-07-17 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Heat transfer management apparatuses having a composite lamina |
US10257932B2 (en) * | 2016-02-16 | 2019-04-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc. | Laser diode chip on printed circuit board |
KR20230022492A (ko) * | 2021-08-09 | 2023-02-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 발광 다이오드 어셈블리용 회로 기판, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 화상 표시 장치 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6060777A (en) * | 1998-07-21 | 2000-05-09 | Intel Corporation | Underside heat slug for ball grid array packages |
TW594950B (en) * | 2003-03-18 | 2004-06-21 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diode and package scheme and method thereof |
US7868349B2 (en) * | 2005-02-17 | 2011-01-11 | Lg Electronics Inc. | Light source apparatus and fabrication method thereof |
WO2007004572A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光装置 |
JP4742761B2 (ja) | 2005-09-09 | 2011-08-10 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置 |
JP2008034622A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sharp Corp | 半導体発光素子アセンブリ |
TW200847468A (en) * | 2007-05-23 | 2008-12-01 | Tysun Inc | Heat-dissipating substrates for light-emitting diodes |
-
2011
- 2011-05-18 KR KR1020110046759A patent/KR20130027611A/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-05-18 US US13/475,323 patent/US8952396B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101522459B1 (ko) * | 2013-07-09 | 2015-05-28 | 인하대학교 산학협력단 | 발광소자패키지와 인쇄회로기판의 접합부 방열특성 개선 방법 |
WO2019132278A1 (ko) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
US11143903B2 (en) | 2017-12-27 | 2021-10-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8952396B2 (en) | 2015-02-10 |
US20120294042A1 (en) | 2012-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20130027611A (ko) | Led 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛, led 모듈의 제조방법 | |
KR101691818B1 (ko) | 광원모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 | |
TWI477821B (zh) | 導光構件 | |
JP4903393B2 (ja) | 光源装置、および液晶表示装置 | |
US8016448B2 (en) | Display device and light-emitting device | |
JP2002162626A (ja) | 液晶表示用光源の放熱装置及びその製造方法 | |
EP2068378A2 (en) | LED backlight for a liquid crystal display device | |
JP2009295989A (ja) | フレキシブル印刷回路基板 | |
US20140328082A1 (en) | Lighting panel | |
GB2468875A (en) | Light guide comprising rows and/or columns of LED's | |
KR20130030619A (ko) | 발광 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛 | |
EP2416190A1 (en) | Illumination device and display apparatus using the same | |
GB2468353A (en) | A light guide device | |
US20220172686A1 (en) | Display device and assembling method thereof | |
KR20110084788A (ko) | 라이트 유닛 및 이를 구비한 디스플레이 장치 | |
KR101121687B1 (ko) | 플렉서블 led 패키지 | |
KR101154790B1 (ko) | 블랑켓 일체형 방열회로기판 및 그를 포함하는 샤시 구조물 | |
KR20120080366A (ko) | 발광 모듈, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
KR101916030B1 (ko) | 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛 | |
GB2475511A (en) | Light guide with heat sink | |
KR20120038167A (ko) | 액정표시모듈 및 이를 구비한 액정표시장치 | |
KR101273009B1 (ko) | 블랑켓 일체형 방열회로기판의 제조 방법 및 그에 이용되는 패턴 마스크 | |
JP2006331969A (ja) | バックライト装置及びこれを用いた液晶表示装置 | |
KR101283068B1 (ko) | 블랑켓 일체형 방열회로기판, 이을 포함하는 백라이트 유닛 | |
KR101857422B1 (ko) | 인쇄 회로 기판 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |