KR20130015518A - The method of stage development for thin film coating of the scintillator in vacuum equipment. - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 박막 증착 장비 내에서 섬광체 표면 박막 코팅을 위한 스테이지 개발방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속(Al, Au, Ag, Pt, Ti, Cu 등) 및 금속 산화물(SiO2, TiO2, Al2O3 등)을 박막 증착 장비(E-beam evaporator, Sputter, CVD 등) 내에서 섬광체 표면에 균일한 두께로 박막 코팅하기 위한 스테이지 개발 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a stage development method for coating a scintillator surface thin film in a thin film deposition apparatus, and more particularly, metal (Al, Au, Ag, Pt, Ti, Cu, etc.) and metal oxides (SiO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3, etc.) to a stage development method for coating a thin film with a uniform thickness on the surface of the scintillator in a thin film deposition equipment (E-beam evaporator, Sputter, CVD, etc.).
일반적으로 진공증착(Vacuum evaporation, 眞空蒸着) 이라 함은 금속 또는 비금속 물질을 진공 속에서 가열하여 그 증기를 물체 표면에 박막 형태로 응착 시키는 일 또는 화학적 방법에 의해 피막을 형성시켜 부착하는 공정 등을 진공증착 이라 한다.In general, vacuum evaporation refers to a process of heating a metal or non-metallic material in a vacuum to deposit the vapor on the surface of an object in a thin film form, or by forming a film by chemical method. It is called vacuum deposition.
박막을 제조하는 기술은 크게 물리적 증착 방식을 이용하는 Physical Vapor Deposition(PVD) 방법과 화학적 증착 방식을 이용하는 Chemical Vapor Deposition(CVD) 방법으로 분류할 수 있다. PVD는 CVD에 비해 작업조건이 깨끗하고 진공상태에서 저항 열이나 전자 빔, 레이저 빔 또는 플라즈마를 이용하여 고체상태의 물질을 기체 상태로 만들어 기판에 직접 증착 시키는 박막제조 방식이다. 반면 CVD는 증착하고 싶은 필름을 가스 형태로 웨이퍼 표면으로 이동시켜 가스의 반응으로 표면에 필름을 증착시키는 방법이다. 표 1은 진공증착 방식을 분류한 표이다.Techniques for manufacturing thin films can be broadly classified into Physical Vapor Deposition (PVD) method using physical vapor deposition method and Chemical Vapor Deposition (CVD) method using chemical vapor deposition method. Compared with CVD, PVD is a thin film manufacturing method in which the working conditions are cleaner and a solid material is made into a gaseous state and deposited directly on a substrate using a resistive heat, an electron beam, a laser beam or a plasma in a vacuum state. On the other hand, CVD is a method of depositing a film on the surface by the reaction of the gas by moving the film to be deposited in the form of gas to the wafer surface. Table 1 is a table classifying the vacuum deposition method.
[표 1][Table 1]
진공증착법(Evaporation)은 10-4Torr 이하의 진공 중에서 증착하고자 하는 물질을 가열하여 기화시켜 기체로 만들었을 때, 기화된 물질이 원자 또는 분자 상태로 증발하여 증착 되도록 하는 방법이며 박막 제조를 위해 가장 널리 이용되는 비교적 간단한 방법이다.Evaporation is a method to vaporize the vaporized material in the atomic or molecular state when vaporized by heating and vaporizing the material to be deposited in a vacuum of 10 -4 Torr or less. It is a relatively simple method that is widely used.
Evaporation의 방법으로는 Thermal evaporation(열증착법)과 E-beam evaporation(전자빔증착법) 그리고 이 둘을 조합하는 방식이 있다. Evaporation 방법은 오래된 film deposition 방법으로서 공정이 단순하고 증착 속도가 빠르며 장비의 가격이 저렴하다. Thermal evaporation은 용용점이 낮은 재료(Al, Cu, Ag, Au 등)의 증착에 유리하며 증착 속도는 filament에 공급하는 전류량을 조절함으로써 변화시킬 수 있다. E-beam evaporation은 증착재료의 용융점이 넓은 재료(W, Nb, Si 등)의 증착에 유리하며 electron beam source인 hot filament에 전류를 공급하여 나오는 전자빔을 전자석에 의한 자기장으로 유도하여 증착재료에 위치시키면 집중적인 전자의 충돌로 증착재료가 가열되어 증발한다. 이 때 기판에 박막이 형성된다.Evaporation methods include thermal evaporation and E-beam evaporation, and a combination of both. The evaporation method is an old film deposition method, which has a simple process, high deposition rate, and low cost of equipment. Thermal evaporation is advantageous for the deposition of low melting point materials (Al, Cu, Ag, Au, etc.) and the deposition rate can be changed by controlling the amount of current supplied to the filament. E-beam evaporation is advantageous for the deposition of materials with a large melting point (W, Nb, Si, etc.) of the deposition material, and is located in the deposition material by inducing an electron beam from a current supplied to the hot filament, an electron beam source, by a magnetic field by an electromagnet. In this case, the deposited material is heated and evaporated due to intense electron collisions. At this time, a thin film is formed on the substrate.
Sputter deposition 방법은 높은 에너지를 가진 입자들이 target에 충돌하여 target 원자들에게 에너지를 전달해줌으로써 target 원자들이 방출되는 현상을 이용한 방법이며 이온들의 수와 전자들의 수가 거의 같아 전체적으로는 전기적 중성 상태를 유지하게 되는 플라즈마를 이용하여 기판에 박막을 형성시킨다. Sputtering은 막 두께가 균일하고 내화재료 및 절연막의 증착이 가능하며 박막의 밀착력이 양호하다. 또한 코팅될 대상의 구성 재질에 관계없이 성막속도가 안정하며 비교적 큰 target material의 이용이 가능하다. Sputter deposition 방법은 크게 DC, RF, Magnetron sputtering으로 구분이 된다.Sputter deposition method is a method that emits target atoms by delivering energy to target atoms by colliding particles with high energy and maintaining electric neutral state as the number of ions and electrons is almost same A thin film is formed on a substrate using plasma. Sputtering has a uniform film thickness, enables deposition of refractory materials and insulating films, and good adhesion of thin films. In addition, regardless of the material to be coated, the film formation rate is stable and relatively large target materials can be used. Sputter deposition methods are largely divided into DC, RF, Magnetron sputtering.
진공증착이나 분자선 에피택시에서는 기판에 도달된 증착입자의 운동에너지는 열속도의 크기로 증착입자의 운동에너지를 크게 할 수 없다. 이에 비하여 열속도 보다 큰 에너지로 가속된 이온을 증착입자에 포함시켜 박막항성을 하는 기술이 Ion plating 방법이다.In vacuum deposition or molecular beam epitaxy, the kinetic energy of the deposited particles reaching the substrate cannot increase the kinetic energy of the deposited particles at the magnitude of the thermal velocity. On the other hand, the ion plating method is a technology for forming thin film stars by incorporating ions accelerated at energy greater than the thermal velocity into the deposited particles.
Physical vapor deposition 방식은 화학적 기계적, 광학적, 전기적, 장식성 및 기능성 등의 다양한 분야에 활용되고 있다. 표 2는 그 응용을 분류한 표이다.Physical vapor deposition is used in various fields such as chemical mechanical, optical, electrical, decorative and functional. Table 2 is a table of the applications.
[표 2][Table 2]
섬광체(Scintillator)는 높은 유효원자번호로 이루어진 무기섬광체(Inorganic scintillator)와 낮은 원자번호로 이루어진 유기섬광체(Organic scintillator)로 나누어진다.Scintillator is divided into Inorganic scintillator with high effective atomic number and Organic scintillator with low atomic number.
무기섬광체는 에너지가 높고 투과력이 강한 감마선(Gamma ray)의 검출에 유리하고 유기섬광체는 투과력이 낮은 알파선(Alpha ray), 베타선(Beta ray)의 검출에 주로 사용이 된다.Inorganic scintillators are useful for the detection of gamma rays with high energy and high permeability. Organic scintillators are mainly used for detecting alpha rays and Beta rays with low permeability.
무기섬광체는 반사체에 둘러 싸여져서 하나의 배열형태로 제작이 되며 PMT(Photo Multiplier Tube) 또는 SiPM(Silicom Photon Multiplier) 등의 센서와 결합하여 하나의 방사선 검출 모듈로서 완성이 된다.The inorganic scintillator is surrounded by a reflector and manufactured in a single arrangement. The inorganic scintillator is combined with a sensor such as PMT (Photo Multiplier Tube) or SiPM (Silicom Photon Multiplier) to complete as a radiation detection module.
무기섬광체를 사용한 방사선 검출기는 갑상선, 유방암 등 인체의 종양을 진단할 때 쓰이는 감마카메라와 인체의 생리, 화학적 기능적 영상을 3차원으로 나타낼 수 있는 양전자단층촬영기기(PET, Positron Emission Thomography) 등의 의료분야, 보안검사, 유전탐사, 원자력발전소 방사선량 측정, 환경방사선량 측정 등 산업분야, 입자 및 천체물리 등 기초과학 연구 분야 등에서 다양하게 응용되어 사용되고 있다.Radiation detectors using inorganic scintillators include gamma cameras for diagnosing tumors of the human body, such as thyroid and breast cancer, and positron emission tomography (PET, Positron Emission Thomography). It is widely used in various fields such as security inspection, oil field exploration, radiation dose measurement of nuclear power plant, environmental radiation dose measurement, and basic scientific research fields such as particle and astrophysics.
그러나 현대 의·과학 기술에서는 더 높은 방사선 에너지 검출 효율 및 에너지 분해능, 정확하고 빠른 방사선 영상 이미지의 획득이 요구되며 그에 따른 방사선 검출 모듈의 고집적화·소형화 개발 및 다품종 대량생산 기술이 필요하다.However, in modern medical science and technology, higher radiation energy detection efficiency and energy resolution, accurate and fast radiographic image acquisition are required, and accordingly, high integration and miniaturization of radiation detection module and mass production technology are needed.
방사선 검출 모듈의 고집적화·소형화를 현실화하기 위해서는 크기가 작은 다량의 단위 섬광체(Scintillator)를 도 1과 같이 격자구조로 배열해야 하기 때문에 얇고 높은 반사율을 갖는 반사체를 사용해야 하며 또한 이러한 반사체를 사용한 섬광체 배열모듈을 다품종 대량생산을 하기 위해서는 단위 섬광체 표면에 반사효율이 뛰어난 금속 혹은 금속산화물 등의 물질을 진공증착 장비를 사용하여 박막 코팅을 해야 한다.In order to realize high integration and miniaturization of the radiation detection module, a large number of small unit scintillators should be arranged in a lattice structure as shown in FIG. 1, so that a thin and high reflector should be used. In order to mass-produce multi-products, thin films should be coated on the surface of unit scintillator using vacuum deposition equipment.
종래 기술에서는 테프론 테이프(Teflon tape), 백색 에폭시(White epoxy), 광학필름(Optical film), 금속산화물(TiO2, MgO 등)이 주성분으로 되어있는 반사페인트 등이 사용되어 왔고 이러한 반사체는 50~250㎛의 두께를 가지고 있어 고분해능 검출기를 제작하는데 제약이 있다. 또한 이들을 사용하여 완성되어지는 섬광체 배열모듈은 제작시간이 오래 걸리거나, 섬광체 사이즈에 정확히 맞는 필름을 제작해야한다거나, 부분 파손 시 전부 폐기해야 하는 단점이 있다.In the prior art, Teflon tape, white epoxy, optical film, reflective paint mainly composed of metal oxides (TiO 2 , MgO, etc.) and the like have been used. Since it has a thickness of 250 μm, there is a limitation in manufacturing a high resolution detector. In addition, the scintillator arrangement module completed by using them has a drawback in that it takes a long time to produce, must produce a film that exactly matches the size of the scintillator, or discards it in case of partial breakage.
또한 도 2와 같이 일반적인 Physical vapor deposition 장비 내에 장착되어있는 스테이지(Stage)에 섬광체를 올려 그대로 박막 증착을 하면 섬광체 표면에 고르게 박막 코팅이 되질 않는다.Also, as shown in FIG. 2, when the scintillator is deposited on the stage mounted in the general physical vapor deposition apparatus, the thin film is not evenly coated on the scintillator surface.
본 발명에서는 섬광체 배열 모듈의 다품종 대량생산 및 섬광체 표면에 균일한 박막 형성을 위해 Physical vapor deposition 방식을 기반으로 한 진공증착 장비 내에서 단위 섬광체의 표면을 박막 코팅 할 수 있는 스테이지를 개발하는데 목적이 있다.It is an object of the present invention to develop a stage for thin film coating of the surface of a unit scintillator in a vacuum deposition apparatus based on physical vapor deposition for mass production of multi-class scintillator array modules and uniform film formation on the scintillator surface. .
본 발명은 진공증착 장비(Evaporator, Sputter 등) 내에서 단위 섬광체 표면 박막 코팅을 위한 스테이지 개발방법에 관한 것으로, 단위 섬광체 표면에 균일도가 높은 고효율의 반사막을 형성시켜 높은 반사율을 얻을 수 있으며 고집적화·소형화, 생산속도 단축, 다품종 대량생산이 가능하다. 또한 기존 방식으로 제작을 할 경우에 문제되는 불량 픽셀 발생 시 불량 픽셀만의 교체가 가능하도록 하는데 그 목적이 있다.The present invention relates to a stage development method for coating a unit scintillator surface thin film in a vacuum deposition equipment (Evaporator, Sputter, etc.), to form a highly efficient reflective film with high uniformity on the surface of the unit scintillator to obtain a high reflectivity and high integration and miniaturization It is possible to reduce production speed and mass production of various kinds. In addition, the purpose is to enable the replacement of only bad pixels when a bad pixel problem occurs when manufacturing in the conventional manner.
하나의 진공 장비에 다량의 증착 시료에 균일한 증착 두께를 유지하며 증착하기 위한 증착 소스로는 E-beam 소스를 이용한 증착원을 사용하나, E-beam 증착의 경우 전자빔의 증착 소스에서의 충돌 위치 및 각도에 따라 각각의 증착시료의 위치에서 일정한 evaporation이 어렵게 된다. 이를 해결하기 위하여 증착원에서 일정 거리에서 증착 시료를 도 2와 같이 회전하여 등방성 evaporation을 가능하게 한다. 그러나 상기의 회전 방식으로는 한 면을 갖는 증착 시료에서의 균일한 증착은 용이하나 본 발명에서 구현하고자 하는 복수개의 면을 가진 단위 섬광체의 표면에 균일하게 증착하기는 어려운 점이 있다.As a deposition source for depositing and maintaining a uniform deposition thickness on a large number of deposition samples in one vacuum equipment, a deposition source using an E-beam source is used.However, in the case of E-beam deposition, the collision position in the deposition source of an electron beam And it is difficult to constant evaporation at each deposition sample position depending on the angle. In order to solve this problem, the deposition sample is rotated as shown in FIG. 2 at a predetermined distance from the deposition source to enable isotropic evaporation. However, the above-described rotation method is easy to uniformly deposit in the deposition sample having one side, but it is difficult to uniformly deposit on the surface of the unit scintillator having a plurality of sides to be implemented in the present invention.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 기존 박막 증착 장비 내부에 장착되어있는 스테이지를 대체함에 있어서, 복수개의 면을 갖는 단위 섬광체의 표면에 균일하게 증착하기 위하여 스테이지를 중심 회전축에 고정하여 회전하는 것과 동시에 그 회전력을 이용한 자전의 힘으로 각 단위 섬광체의 표면에 균일한 두께의 박막 코팅이 이루어지도록 하는 단계, 작은 섬광체를 진공상태에서 안전하게 고정하기 위하여 특수한 스프링 고정 장치를 사용하는 단계에 특징이 있다.The present invention in order to solve the above problems in replacing the stage mounted in the existing thin film deposition equipment, to rotate the stage fixed to the central axis of rotation to uniformly deposit on the surface of the unit scintillator having a plurality of faces At the same time, a thin film coating having a uniform thickness is formed on the surface of each unit scintillator by the rotational force using the rotational force, and a special spring fixing device is used to safely fix the small scintillator under vacuum. .
본 발명은 진공증착 장비 내부에 섬광체 표면 박막 증착을 위한 스테이지 개발방법으로 회전축을 이용하여 자전의 힘으로 다각면을 가진 단위 섬광체 표면을 균일한 두께로 증착할 수가 있다. 이로 인해 생산 시간을 단축 할 수 있고, 다품종 대량생산 및 고효율의 반사율을 얻을 수 있으며 섬광체 배열 모듈의 고집적화·소형화를 현실화 할 수 있다. 또한 불량 픽셀의 발생 시 그 불량 픽셀만 대체할 수도 있다.The present invention is a stage development method for depositing the scintillator surface thin film inside the vacuum deposition equipment can be deposited to a uniform thickness of the unit scintillator surface having a polygonal surface by the rotational force by using the rotation axis. As a result, production time can be shortened, mass production of large quantities, high efficiency of reflectance can be achieved, and high integration and miniaturization of the scintillator array module can be realized. Also, when a bad pixel is generated, only the bad pixel may be replaced.
도 1은 단위 섬광체에 반사체를 코팅하여 제작한 섬광체 배열모듈 구조도.
도 2는 일반적인 박막 증착 장비의 구조도.
도 3은 본 발명의 전체 구조도.
도 4는 본 발명의 회전부 구조도.
도 5는 본 발명의 단위 섬광체 고정틀 구조도.
도 6은 본 발명의 단위 섬광체 스프링 고정핀 구조도.
도 7은 본 발명을 진공 증착 장비에 적용한 구조도.1 is a structure diagram of a scintillator array module manufactured by coating a reflector on a unit scintillator;
2 is a structural diagram of a general thin film deposition equipment.
3 is an overall structural diagram of the present invention.
Figure 4 is a structural diagram of the rotating part of the present invention.
5 is a structural diagram of the unit scintillator fixing frame of the present invention.
Figure 6 is a structural diagram of the unit scaffold spring fixing pin of the present invention.
7 is a structural diagram applying the present invention to a vacuum deposition equipment.
본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 단위 섬광체(1) 표면에 반사체(White epoxy, Optical film, Teflon tape 등)를 코팅하여 제작한 섬광체 배열모듈 구조도 이다.1 is a diagram illustrating a structure of a scintillator array module manufactured by coating a reflector (White epoxy, Optical film, Teflon tape, etc.) on a
도 2는 일반적인 진공증착 장비(예: E-beam evaporation) 대표 구조도이며 wafer stage(2) 부분을 제거한 후 본 발명을 회전축(3')에 적용한다.2 is a representative structural diagram of a general vacuum evaporation equipment (eg, E-beam evaporation), and the present invention is applied to the rotating
도 3은 본 발명의 전체 구조도이다. 진공증착 장비 중심 회전축(3')의 회전력을 이용하여 고정판(4)에 연결된 스테이지(Stage)전체가 회전하게 되고 섬광체 고정틀 부분이(5)이 자전하게 되며 단위 섬광체(1') 표면에 균일한 두께의 박막이 형성 된다. 분사된 target material의 방향과 각도를 고려하여 회전부(6, 도 4)는 일정각도 기울여 제작된다. 각각의 섬광체를 고진공 및 충격에서 보호하기 위한 고정핀(7)을 끼운다.3 is an overall structural diagram of the present invention. The entire stage connected to the
도 4는 본 발명의 회전부 구조도이다. 회전부에서 중앙 상부 톱니바퀴(8)는 중심 회전축(3')에서 이어지는 작은 회전축(9)에 고정되어 회전되며 그와 맞물려 우측 상부 톱니바퀴(10)는 작은 회전축(11)에 고정되어 회전한다. 우측 하부 톱니바퀴(12)는 중앙 하부 톱니바퀴(13)와 맞물려 회전한다. 회전축에 톱니바퀴 보호 캡(14)을 고정시켜 톱니바퀴의 이탈을 방지한다.4 is a structural diagram of a rotating part of the present invention. In the rotating part, the central
도 5는 본 발명의 단위 섬광체 고정틀 구조도이다. 섬광체 고정틀은 회전부(6, 도 4)의 중앙 하부의 작은 회전축(15)에 고정되어 회전한다. 고정틀의 상부(16)와 하부(17)는 원판 형태이며 단위 섬광체 스프링 고정핀(7, 도 6)을 끼울 수 있다. 챔버(Chamber)의 크기와 고정틀의 크기, 섬광체의 크기에 따라 복수개의 스프링 고정핀을 끼울 수 있다.5 is a structural diagram of the unit scintillator fixing frame of the present invention. The scintillator fixing frame is fixed to the small
도 6은 본 발명의 스프링 고정핀 구조도이다. 높은 진공 상태와 섬광체 고정틀의 회전 시 발생하는 충격에 단위 섬광체가 잘 견딜 수 있도록 스프링(18) 처리한다. 피스톤(19)의 헤드부분은 섬광체가 잘 접착될 수 있도록 평평해야 하며 헤드 부분에 섬광체를 고정 시키기 위한 특수한 테이프(20)를 붙인다. 이는 열과 진공에 잘 견디며 접착 시 섬광체 표면에 영향을 주지 않는 내열테이프 혹은 세라믹테이프 등이 있는데 이중 어느 하나를 선택한다.Figure 6 is a structural diagram of the spring fixing pin of the present invention. The spring 18 is treated so that the unit scintillator can withstand the high vacuum and the impact generated during the rotation of the scintillator fixture. The head portion of the piston 19 should be flat to allow the scintillator to adhere well and attach a special tape 20 to fix the scintillator to the head portion. It is a heat resistant tape or ceramic tape that resists heat and vacuum well and does not affect the surface of the scintillator during adhesion.
도 7은 본 발명을 진공 증착 장비에 적용한 구조도이다. 진공증착 장비의 사용 용도에 따라 E-gun의 배치 위치가 다라질 수 있으나 본 발명에서는 가장 일반적인 E-gun이 하부에 배치된 진공증착 장비의 구조도를 사용하였다. 본 발명의 크기, 회전속도, 섬광체 삽입 량, 진공증착 장비 자체의 다양한 조건에 따라 단위 섬광체 겉면의 코팅 두께 및 코팅된 단위 섬광체의 총수량은 달라질 수 있다.7 is a structural diagram applying the present invention to a vacuum deposition equipment. The location of the E-gun may vary depending on the use of the vacuum deposition equipment, but in the present invention, the structural diagram of the vacuum deposition equipment in which the most common E-gun is disposed is used. Depending on the size of the present invention, the rotational speed, the amount of scintillator insertion, various conditions of the vacuum deposition equipment itself, the coating thickness of the surface of the unit scintillator and the total number of coated unit scintillators may vary.
Claims (10)
가공된 단위 섬광체(Scintillator)의 종류는 LYSO, LSO, YSO, BGO12, YAG, GSO, CsI:Na, NaI:TI, CsI:TI, LGSO, LaBr3, LuYAP 등이며 이 중 어느 하나를 택하여 사용.The method of claim 1,
The types of scintillators processed are LYSO, LSO, YSO, BGO 12 , YAG, GSO, CsI: Na, NaI: TI, CsI: TI, LGSO, LaBr 3 , LuYAP, etc. use.
가공된 단위 섬광체의 크기(가로×세로×높이)는 무관하나 진공 증착 장비 챔버의 사이즈와 본 발명의 사이즈에 따라 조절되어야 함.The method of claim 1,
The size of the processed unit scintillator (width × length × height) is irrelevant but should be adjusted according to the size of the vacuum deposition equipment chamber and the size of the present invention.
가공된 단위 섬광체(Scintillator)는 진공증착 장비를 이용하여 박막 코팅.The method of claim 1,
The processed unit scintillator is thin film coated using vacuum deposition equipment.
적용 가능한 박막 증착 장비는 물리적 증착 방식(Physical Vapor Deposition)을 기반으로 한 전자-빔 증발기(E-baam evaporator), 열 증발기(Thermal evaporator), RF 스퍼터(RF Sputter), DC 스퍼터(DC Sputter)장비 등이며 이 중 어는 한 가지를 선택하여 사용.5. The method of claim 4,
Applicable thin film deposition equipment is based on physical vapor deposition (E-baam evaporator), thermal evaporator (Thermal evaporator), RF Sputter (RF Sputter), DC Sputter (DC Sputter) equipment And one of them is used.
본 발명은 탈부착이 용이하게 되어있어 위의 진공 증착 장비 내부에 장착되어있는 스테이지(2)를 빼내고 설치하여 사용 가능.The method of claim 5,
The present invention is easy to attach and detach, and can be used by removing and installing the stage (2) mounted inside the vacuum deposition equipment.
본 발명은 진공 증착 장비의 중심 회전축(3')을 중심으로 연결되어 그 회전력을 이용하여 회전부(6)가 작동하여 섬광체 고정틀(5, 도 5)을 회전 시킨다.The method according to claim 6,
The present invention is connected around the central rotation axis (3 ') of the vacuum deposition equipment by using the rotational force of the rotating part 6 to rotate the scintillator fixing frame (5, Figure 5).
섬광체 고정틀은 회전부 중간 하부 회전축(15)에 고정되어 회전하며, 섬광체 고정틀에는 복수개의 섬광체 고정핀(7)이 끼워진다.The method of claim 7, wherein
The scintillator fixing frame is fixed to and rotated by the lower middle rotating shaft 15 of the rotating part, and the scintillator fixing frame is fitted with a plurality of scintillator fixing pins 7.
섬광체 고정핀은 높은 진공 상태와 섬광체 고정틀의 회전 시 발생하는 충격에 단위 섬광체가 잘 견딜 수 있도록 스프링(18) 처리한다.9. The method of claim 8,
The scintillator fixing pin is treated with a spring 18 so that the unit scintillator can withstand the high vacuum and the shock generated when the scintillator fixing frame rotates.
피스톤(16)의 헤드부분은 평평해야하며 헤드 부분에 섬광체를 고정 시키기 위한 특수한 테이프(20)를 붙인다. 이는 열과 진공에 잘 견디며 접착 시 섬광체 표면에 영향을 주지 않는 내열테이프 혹은 세라믹테이프 등이 있는데 이중 어느 하나를 선택한다.10. The method of claim 9,
The head portion of the piston 16 should be flat and attach a special tape 20 to secure the scintillator to the head portion. It is a heat resistant tape or ceramic tape that resists heat and vacuum well and does not affect the surface of the scintillator during adhesion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110077550A KR20130015518A (en) | 2011-08-04 | 2011-08-04 | The method of stage development for thin film coating of the scintillator in vacuum equipment. |
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KR20130015518A true KR20130015518A (en) | 2013-02-14 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101493718B1 (en) * | 2013-05-27 | 2015-02-16 | (주)에이엠티솔루션 | Thin film deposition device |
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2011
- 2011-08-04 KR KR1020110077550A patent/KR20130015518A/en not_active Application Discontinuation
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