KR20130015370A - 인광 물질 및 이를 이용하는 유기전계발광소자 - Google Patents

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조남성
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배재한
윤대위
신인애
배숙영
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Abstract

본 발명은 하기 화학식으로 표시되며, X, Y, Z 중 하나는 질소이고 나머지는 탄소이며, 또한, R은 C1~C13인 방향족 화합물, C1~C13인 이형고리 화합물, 수소, 실리콘 화합물, phoshporyl화합물 중에서 선택되는 것이 특징인 인광 물질을 제공한다.
Figure pat00054

Description

인광 물질 및 이를 이용하는 유기전계발광소자 {Phosphorescent material and Organic electroluminescent device using the same}
본 발명은 인광 물질에 관한 것으로, 특히 높은 삼중항 에너지를 가져 향상된 발광 효율을 갖는 인광 물질 및 이를 이용함으로써 저전압에 의해 구동되는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
최근 표시장치의 대형화에 따라 공간 점유가 적은 평면표시소자의 요구가 증대되고 있는데, 이러한 평면표시소자 중 하나로서 유기발광다이오드(organic light emitting diode: OLED)라고도 불리는 유기전계발광소자의 기술이 빠른 속도로 발전하고 있으며, 이미 여러 시제품들이 발표된 바 있다.
유기 전계 발광 소자는 전자 주입 전극(음극)과 정공 주입 전극(양극) 사이에 형성된 발광물질층에 전하를 주입하면 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다. 플라스틱 같은 휠 수 있는(flexible) 투명 기판 위에도 소자를 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)이나 무기 전계발광(EL) 디스플레이에 비해 낮은 전압에서 (10V이하) 구동이 가능하고, 또한 전력 소모가 비교적 적으며, 색감이 뛰어나다는 장점이 있다. 또한 유기 전계 발광(EL) 소자는 녹색, 청색, 적색의 3가지 색을 나타낼 수가 있어 차세대 풍부한 색 디스플레이 소자로 많은 사람들의 많은 관심의 대상이 되고 있다. 여기서 유기전계발광소자를 제작하는 과정을 간단히 살펴보면,
(1) 먼저, 투명기판 위에 인듐-틴-옥사이드(indium tin oxide; ITO)와 같은 물질을 증착하여 양극(anode)을 형성한다.
(2) 상기 양극 상에 정공주입층(HIL:hole injecting layer)을 형성한다. 정공주입층은 주로 하기 화학식1-1로 표시되는 4,4'-bis[N-[4-{N,N-bis(3-methylphenyl)amino}phenyl]-N-phenylamino]biphenyl (DNTPD)를 10nm 내지 60nm 두께로 증착하여 형성된다.
(3) 다음, 상기 정공주입층 상에 정공수송층(HTL: hole transport layer)을 형성한다. 이러한 정공수송층은 하기 화학식1-2로 표시되는 4,4'-bis[N-(1-naphtyl)-N-phenylamino]-biphenyl (NPD)을 30nm 내지 60nm 정도 증착하여 형성된다.
(4) 다음, 상기 정공수송층 상에 발광물질층 (EML: emitting material layer)을 형성한다. 이때 필요에 따라 도펀트(dopant)를 첨가한다. 예를 들어, 하기 화학식1-3으로 표시되는 Bis(N-carbazolyl)biphenyl (CBP)에 하기 화학식1-4로 표시되는 적색 Dopant로 Bis(2-phenylquinoline)(acetylacetonate) iridium(III) (Ir(phq)2acac)를 약 5~10%도핑하여 이용된다.
(5) 다음, 상기 발광물질층 상에 전자수송층(ETL:electron transport layer) 및 전자주입층(EIL: electron injecting layer)을 연속적으로 형성한다.
(6) 다음, 상기 전자주입층 상에 음극(cathode)을 형성하고, 마지막으로 상기 음극 상에 보호막을 형성한다.
화학식1 -1
Figure pat00001
화학식1 -2
Figure pat00002
화학식1 -3
Figure pat00003
화학식1 -4
Figure pat00004

최근에는 발광물질층에 형광 물질보다 인광 물질이 많이 사용되는 추세이다. 형광 물질의 경우 발광물질층에서 형성되는 엑시톤 중에 약 25%의 단일항만이 빛을 만드는 데 사용되고 75%의 삼중항은 대부분 열로 소실되는 반면, 인광 물질은 단일항과 삼중항 모두를 빛으로 전환 시키는 발광 메커니즘을 가지고 있기 때문이다. 인광 도펀트(dopant)는 일반적으로 유기물의 중심부에 Ir, Pt, Eu와 같은 무거운 원소(heavy atom)를 포함하며 삼중항에서 단일항으로의 전자 전이 확률이 높다.
하지만 이러한 도펀트는 농도 소광 현상으로 급격한 효율감소가 발생하기 때문에, 단독으로 발광물질층을 구성할 수는 없다. 따라서, 도펀트보다 열안정성 및 삼중항 에너지가 높은 호스트 물질과 함께 발광층을 이루게 된다.
인광물질을 포함하는 유기전계발광소자의 발광 프로세스를 간단히 살펴 보면, 양극으로부터 주입된 홀과 음극으로부터 주입된 전자가 발광층의 호스트 물질에서 만나게 되고, 호스트에서 형성된 단일항 엑시톤은 도펀트의 단일항 또는 삼중항으로 에너지 전이가 일어나며, 삼중항 엑시톤은 도펀트의 삼중항으로 에너지 전이가 일어나게 된다. 도펀트의 단일항으로 전이된 엑시톤은 다시 도펀트의 삼중항으로 전이되기 때문에, 모든 엑시톤의 종착지는 도펀트의 삼중항 준위이다. 이렇게 형성된 엑시톤은 기저상태(ground state)로 전이되며 빛을 발생한다.
이때, 도펀트로의 효율적인 에너지 전이를 위해 호스트 물질의 삼중항 에너지는 도펀트의 삼중항 에너지보다 반드시 커야만 한다. 하지만 도 1을 참조하면, 종래 호스트 물질로 널리 사용되는 CBP의 경우 삼중항 에너지가 2.6eV 이므로 잘 알려진 Firpic 인광 도펀트의 삼중항 에너지보다 작기 때문에, 호스트 물질에서 도펀트로의 에너지 역 전이현상이 발생하여 효율이 떨어진다. 특히 저온에서 효율 감소가 크게 발생한다. 따라서, 삼중항 에너지가 2.6eV이상이면서 높은 Tg 값을 가져 열안정성이 우수한 신규 인광 물질의 개발이 요구된다.
또한, 발광효율을 높이기 위해 발광물질층과 음극 사이에 전자 수송층이 위치할 수 있는데, 전자 수송층의 삼중항 에너지가 도펀트의 삼중항 에너지보다 작을 경우는 도펀트 또는 호스트에서 전자 수송층으로 에너지 역 전이가 발생하여 효율을 급격히 떨어뜨린다. 따라서 발광층의 호스트 물질뿐만 아니라 전자 수송층 물질의 삼중항 에너지도 인광 소자에 있어 매우 중요한 요소이다.
본 발명은 삼중항 에너지가 2.6eV 이상인 인광 물질을 제공하여, 유기전계발광소자의 발광효율 저하 문제를 방지하고자 한다. 특히, 호스트 물질의 삼중항 에너지를 도펀트의 삼중항 에너지보다 높게 함으로써, 발광 효율의 저하를 방지하고자 한다.
또한, 전자 수송층에 이용할 수 있으며 높은 삼중항 에너지를 갖는 인광 물질을 제공하여, 유기전계발광소자의 효율 향상을 목적으로 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은 하기 화학식으로 표시되며, X, Y, Z 중 하나는 질소이고 나머지는 탄소이며, 또한, R은 C1~C13인 방향족 화합물, C1~C13인 이형고리 화합물, 수소, 실리콘 화합물, phoshporyl화합물 중에서 선택되는 것이 특징인 인광 물질을 제공한다.
Figure pat00005
상기 R은 6번 또는 7번 위치에 치환되는 것이 특징이다.
상기 R은 치환 또는 비치환된 카바졸 (carbazole), α-Carboline, β-Carboline, γ-Carboline, 플로렌(fluorene), 디벤조티오펜 (dibenzothiophene), 디펜조퓨란 (dibenzofuran), 트리페닐실란 (triphenylsilane), 테트라페닐실란 (tetraphenylsilane), 피리딘(pyridine), 퀴놀린(quinoline), 아이소퀴놀린(isoquinoline), 피리미딘(pyrimidine), 디페닐포스핀옥사이드 (diphenylphosphineoxide) 중에서 선택되는 것이 특징이다.
상기 R의 치환체는 C1~C13의 아릴(aryl), 피리딜(pyridyl), 알킬(alkyl), 아케닐(alkenyl), 알킬닐(alkynyl), 알콕시(alkoxy), 알킬실릴(alkylsilyl), 페닐실릴(Phenylsilyl), 할로겐(halogen), 시아노(cyano) 중에서 선택되는 것이 특징이다.
상기 R은 하기 화학식으로 표시되는 다수의 물질 중에서 선택되는 것이 특징이다.
Figure pat00006
Figure pat00007
상기 화학식의 물질은 하기 화학식으로 표시되는 다수의 물질 중 하나인 것이 특징이다.
Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019

다른 관점에서, 본 발명은 제 1 전극과; 상기 제 1 전극과 마주보는 제 2 전극과; 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하며, 적색, 녹색 및 청색 발광물질패턴으로 구성되는 발광물질층을 포함하고, 상기 청색 발광물질패턴은 하기 화학식으로 표시되며, X, Y, Z 중 하나는 질소이고 나머지는 탄소이며, 또한, R은 C1~C13인 방향족 화합물, C1~C13인 이형고리 화합물, 수소, 실리콘 화합물, phoshporyl화합물 중에서 선택되는 것이 특징인 인광 물질을 포함하여 이루어지는 것이 특징인 유기전계발광소자를 제공한다.
Figure pat00020
상기 제 1 전극과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 정공주입층과; 상기 정공주입층과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 정공수송층과; 상기 발광물질층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 전자주입층과; 상기 전자주입층과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층 및 상기 전자주입층 중 적어도 어느 하나는 상기 인광 물질로 이루어지는 것이 특징이다.
본 발명의 인광 물질은 2.9eV이상의 삼중항 에너지를 갖기 때문에 유기전계발광소자의 효율을 높일 수 있다.
본 발명의 인광 물질은 발광물질층에 호스트로 이용되며 도펀트의보다 큰 삼중항 에너지를 갖기 때문에, 발광 효율의 저하 문제를 방지할 수 있다.
또한, 2.9eV이상의 삼중항 에너지를 갖는 본 발명의 인광 물질을 전자 수송층에 이용함으로써, 유기전계발광소자의 발광효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 단일항 에너지와 삼중항 에너지의 차이가 작기 때문에, 전자 주입층으로 이용되는 경우 소자의 전압 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래 유기전계발광소자용 호스트 물질인 CBP의 PL 스펙트럼이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자용 인광 물질의 UV 스펙트럼 및 PL 스펙트럼이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자용 인광 물질의 UV 스펙트럼 및 PL 스펙트럼이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.
이하, 본 발명에 따른 인광 물질의 구조 및 그 합성예와, 이를 이용한 유기전계발광소자에 대해 설명한다.
본 발명의 인광 물질은 청색 발광물질층의 호스트 또는 전자 수송층에 이용되며, 벤젠링의 1, 3번 위치에 carboline기가 대칭적으로 치환된 구조를 가짐으로써, 높은 삼중항 에너지를 갖는 것이 특징이며, 하기 화학식2로 표시된다.
화학식2
Figure pat00021
즉, 상기 화학식2에서 X, Y, Z 중 하나는 질소(N)이며 나머지는 탄소(C)이다.
예를 들어, X는 질소이고 Y, Z는 탄소인 경우 알파-카볼린 (α-Carboline)기이며, Y는 질소이고 X, Z는 탄소인 경우 베타-카볼린 (β-Carboline)기이고, Z는 질소 X, Y는 탄소인 경우 감마-카볼린 (γ-Carboline)기가 된다.
또한, 상기 화학식2에서 R은 C1~C13인 방향족 화합물, C1~C13인 이형고리 화합물, 수소, 실리콘 화합물, phoshporyl화합물 중에서 선택될 수 있으며, carboline기의 6번 또는 7번 위치에 치환될 수 있다.
예를 들어, 상기 R 은 카바졸 (carbazole), α-Carboline, β-Carboline, γ-Carboline, 플로렌(fluorene), 디벤조티오펜 (dibenzothiophene), 디펜조퓨란 (dibenzofuran), 트리페닐실란 (triphenylsilane), 테트라페닐실란 (tetraphenylsilane), 피리딘(pyridine), 퀴놀린(quinoline), 아이소퀴놀린(isoquinoline), 피리미딘(pyrimidine), 디페닐포스핀옥사이드 (diphenylphosphineoxide) 및 이들의 치환체 중에서 선택될 수 있다.
또한, 상기 R 의 치환체로는 C1~C13의 아릴(aryl), 피리딜(pyridyl), 알킬(alkyl), 아케닐(alkenyl), 알킬닐(alkynyl), 알콕시(alkoxy), 알킬실릴(alkylsilyl), 페닐실릴(Phenylsilyl), 할로겐(halogen), 시아노(cyano) 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 R은 하기 화학식3에 표시된 다수의 물질 중에서 선택될 수 있다.
화학식3
Figure pat00022
Figure pat00023

R의 선택에 따라 상기 화학식2에 표시된 본 발명의 인광 물질은 하기 화학식4에 표시된 다수의 물질로 표시될 수 있다.
화학식4
Figure pat00024
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
Figure pat00029
Figure pat00030
Figure pat00031
Figure pat00032
Figure pat00033
Figure pat00034
Figure pat00035

이와 같은 인광 물질은 청색 발광물질층의 호스트 또는 전자 수송층에 이용되며, 벤젠링의 1, 3번 위치에 carboline기가 대칭적으로 치환된 구조를 가짐으로써, 높은 삼중항 에너지를 갖게 되며 이에 따라 유기전계발광소자의 발광효율이 향상된다.
또한, 단일항 에너지와 삼중항 에너지의 차이가 작기 때문에, 전자 주입 특성이 향상된다. 따라서, 전자 주입층에 이용되는 경우, 소자의 전압 특성을 향상시킬 수 있다.
이하에서는, 본 발명에 따른 인광 물질의 합성예을 설명한다.
제 1 합성예
A-1로 표시된 1,3-di(α-carbolinyl)benzene은 아래와 같은 반응식1에 의해 합성된다.
반응식1
Figure pat00036
100ml 이구 플라스크(two-neck flask)에 1,3-diiodobenzene 1.5g(4.54mmol), α-carboline(10mmol)과 K3PO4(13.6mmol), CuI (1.36mmol), trans-1,2-cyclohexanediamine(1.36mmol), 1,4-dioxane (50ml)을 넣고 질소 분위기 하에서 24시간 환류(reflux)시켰다. 반응 종결 후 1,4-dioxane을 감압증류하여 제거하였다. Dichloromethane과 물을 사용하여 추출하고, 감압 증류하여 silica gel column 후 용매를 감압 증류하였다. 이후, Dichloromethane과 Petrolium ether을 사용하여 재결정하고 여과(filtering)를 하여 흰색 파우더인 1,3-di(α-carbolinyl)benzene 1.2g을 얻었다.
제 2 합성예
A-2로 표시된 1,3-di(α-(6-N-carbazole)carbolinyl)benzene은 아래와 같은 반응식2에 의해 합성된다.
반응식2
Figure pat00037
100ml 이구 플라스크(two-neck flask)에 1,3-diiodobenzene 1.7g(5.15mmol), α-(6-N-carbazole)-carboline(11.3mmol) 과 K3PO4(15.5mmol), CuI (1.55mmol), trans-1,2-cyclohexanediamine(1.55mmol) 1,4-dioxane (50ml)을 넣고 질소 분위기 하에서 24시간 환류(reflux)시켰다. 반응 종결 후 1,4-dioxane을 감압증류하여 제거하였다. Dichloromethane과 물을 사용하여 추출하고, 감압 증류하여 silica gel column 후 용매를 감압 증류하였다. 이후, Dichloromethane과 Petrolium ether을 사용하여 재결정하고 여과(filtering)하여 1,3-di(α-(6-N-carbazole)carbolinyl)benzene 1.3g을 얻었다.
상기 A-1 및 A-2 물질의 UV 흡수 스펙트럼과 저온(77K)에서의 PL(photoluminescence) 스펙트럼을 측정하여 도 2 및 도 3에 나타내었으며, 아래 표1에 정리하였다.
Tg (℃) HOMO ( eV ) LUMO ( eV ) Band gap Energy ( eV ) Triplet Energy ( eV )
CBP 62 6.3 2.8 3.5 2.6
A-1 115 5.6 2.2 3.4 2.9
A-2 116 6.0 2.7 3.3 2.9
도 2, 도 3 및 표1에서 보여지는 바와 같이, 본 발명의 인광 물질은 2.9eV이상의 삼중항 에너지를 갖는다. 따라서, 종래 발광물질층의 호스트 물질로 이용되는 CBP보다 높은 삼중항 에너지를 가지며, 또한 일반적으로 이용되는 도펀트의 삼중항 에너지인 2.7eV보다 크기 때문에, 호스트 물질에서 도펀트로의 에너지 역 전이현상을 방지할 수 있다. 따라서, 발광효율이 향상되는 장점을 갖는다.
또한, 삼중항 에너지와 단일항 에너지의 차이가 작기 때문에 전자 주입이 용이한 장점을 갖는다.
또한, CBP에 비해 높은 Tg를 갖기 때문에, 소자의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.
상기한 인광 물질을 포함하여 이루어지는 유기전계발광소자에 대한 일 실시예를 도 4에 도시하였다.
도시한 바와 같이, 유기전계발광소자는 서로 마주보는 제 1 및 제 2 기판(미도시)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(미도시) 사이에 형성되어 있는 유기발광다이오드(E)를 포함한다.
상기 유기발광다이오드(E)는 양극 역할을 하는 제 1 전극(110), 음극 역할을 하는 제 2 전극(130) 및 상기 제 1 및 제 2 전극(110, 130) 사이에 형성되는 유기발광층(120)으로 이루어진다.
상기 제 1 전극(110)은 일함수 값이 비교적 높은 물질, 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 이루어지며, 상기 제 2 전극(130)은 일함수 값이 비교적 낮은 물질, 예를 들어, 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)로 이루어진다. 또한, 상기 유기발광층(120)은 적색, 녹색, 청색은 유기발광패턴으로 이루어진다.
상기 유기발광층(120)은 발광효율을 극대화하기 위해, 다중층 구조 즉, 제 1 전극(110)으로부터 순차적으로 정공주입층(hole injection layer; HTL) (121), 정공수송층(hole transporting layer; HIL) (122), 발광물질층(emitting material layer; EML) (123), 전자수송층(electron transporting layer)(124) 및 전자주입층(electron injection layer)(125)으로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 청색 유기발광패턴은 상기 화학식2로 표시된 인광 물질을 호스트로 포함하여 이루어지며, 도펀트가 약 1~10wt% 첨가될 수 있다. 즉, 벤젠링의 1, 3번 위치에 carboline기가 대칭적으로 치환된 구조를 가져 높은 삼중항 에너지를 갖는 인광 물질을 호스트로 이용함으로써, 유기전계발광소자의 발광효율이 향상된다. 상기 인광 물질은 도펀트보다 큰 약 2.9eV 정도의 삼중항 에너지를 갖기 때문에, 호스트 물질에서 도펀트로의 에너지 역 전이현상의 발생이 방지된다. 따라서, 발광효율을 높일 수 있다.
또한, 상기 인광물질을 전자수송층(124) 또는 전자주입층(125)으로 이용하는 경우, 전자의 수송/주입이 용이하여 소자의 전압특성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 소자의 소모 전력을 줄일 수 있다.
또한, 상기 인광물질은 높은 Tg를 갖기 때문에, 소자의 열적 안정성을 향상시킬 수 있으며, 이에 따라 소자의 수명이 증가하는 효과를 갖는다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110: 제 1 전극
120: 유기발광층
121: 정공주입층
122: 정공수송층
123: 발광물질층
124: 전자수송층
125: 전자주입층
130: 제 2 전극

Claims (8)

  1. 하기 화학식으로 표시되며, X, Y, Z 중 하나는 질소이고 나머지는 탄소이며, 또한, R은 C1~C13인 방향족 화합물, C1~C13인 이형고리 화합물, 수소, 실리콘 화합물, phoshporyl화합물 중에서 선택되는 것이 특징인 인광 물질.
    Figure pat00038

  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 R은 6번 또는 7번 위치에 치환되는 것이 특징인 인광물질.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 R은 치환 또는 비치환된 카바졸 (carbazole), α-Carboline, β-Carboline, γ-Carboline, 플로렌(fluorene), 디벤조티오펜 (dibenzothiophene), 디펜조퓨란 (dibenzofuran), 트리페닐실란 (triphenylsilane), 테트라페닐실란 (tetraphenylsilane), 피리딘(pyridine), 퀴놀린(quinoline), 아이소퀴놀린(isoquinoline), 피리미딘(pyrimidine), 디페닐포스핀옥사이드 (diphenylphosphineoxide) 중에서 선택되는 것이 특징인 인광 물질.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 R의 치환체는 C1~C13의 아릴(aryl), 피리딜(pyridyl), 알킬(alkyl), 아케닐(alkenyl), 알킬닐(alkynyl), 알콕시(alkoxy), 알킬실릴(alkylsilyl), 페닐실릴(Phenylsilyl), 할로겐(halogen), 시아노(cyano) 중에서 선택되는 것이 특징인 인광 물질.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 R은 하기 화학식으로 표시되는 다수의 물질 중에서 선택되는 것이 특징인 인광 물질.
    Figure pat00039

    Figure pat00040

  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식의 물질은 하기 화학식으로 표시되는 다수의 물질 중 하나인 것이 특징인 인광 물질.
    Figure pat00041

    Figure pat00042

    Figure pat00043

    Figure pat00044

    Figure pat00045

    Figure pat00046

    Figure pat00047

    Figure pat00048

    Figure pat00049

    Figure pat00050

    Figure pat00051

    Figure pat00052

  7. 제 1 전극과;
    상기 제 1 전극과 마주보는 제 2 전극과;
    상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하며, 적색, 녹색 및 청색 발광물질패턴으로 구성되는 발광물질층을 포함하고,
    상기 청색 발광물질패턴은 하기 화학식으로 표시되며, X, Y, Z 중 하나는 질소이고 나머지는 탄소이며, 또한, R은 C1~C13인 방향족 화합물, C1~C13인 이형고리 화합물, 수소, 실리콘 화합물, phoshporyl화합물 중에서 선택되는 것이 특징인 인광 물질을 포함하여 이루어지는 것이 특징인 유기전계발광소자.
    Figure pat00053

  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제 1 전극과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 정공주입층과;
    상기 정공주입층과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 정공수송층과;
    상기 발광물질층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 전자주입층과;
    상기 전자주입층과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 전자수송층을 포함하고,
    상기 전자수송층 및 상기 전자주입층 중 적어도 어느 하나는 상기 인광 물질로 이루어지는 것이 특징인 유기전계발광소자.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140078407A (ko) * 2012-12-17 2014-06-25 엘지디스플레이 주식회사 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
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CN104387369A (zh) * 2014-10-28 2015-03-04 南京工业大学 一种热激活延迟荧光材料的合成方法及其应用
KR20150113754A (ko) * 2014-03-31 2015-10-08 엘지디스플레이 주식회사 카바졸 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자

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