KR20130007421A - Method of forming an inclided structure in an insulation layer, organic light emitting device and method of manufcaturing an organic light emitting device - Google Patents

Abstract

PURPOSE: A method for forming an inclined structure on an insulation layer, an organic light emitting device, and a manufacturing method of the organic light emitting device are provided to improve luminance efficiency by forming an insulation layer with an inclined structure. CONSTITUTION: An insulation layer(110) is arranged on a first substrate(50) and has an inclined structure. A first electrode is arranged on the insulation layer. A pixel defining layer(130) are arranged on the insulation layer and the first electrode and defines a luminous area and a non-luminous area. An organic light emitting structure(135) is arranged on the first electrode on the luminous area. A second electrode is arranged on the pixel defining layer and the organic light emitting structure. A second substrate is arranged on the second electrode.

Description

절연층의 경사 구조 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{METHOD OF FORMING AN INCLIDED STRUCTURE IN AN INSULATION LAYER, ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFCATURING AN ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}Method of forming an inclined structure of an insulating layer, a method of manufacturing an organic light emitting display device and an organic light emitting display device TECHNICAL FIELD OF ORIGINAL LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFCATURING AN ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 절연층의 경사 구조 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 절연층에 원하는 경사각을 갖는 경사 구조를 형성하는 방법, 이러한 경사 구조를 갖는 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 절연층의 경사 구조 형성 방법을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming an inclined structure of an insulating layer, an organic light emitting display device, and a method of manufacturing an organic light emitting display device. More specifically, the present invention provides an organic light emitting display device using a method of forming an inclined structure having a desired inclination angle on the insulating layer, an organic light emitting display including the insulating layer having such an inclined structure, and an inclined structure forming method of the insulating layer. It relates to a method for producing.

평판 표시 장치 중에서 유기 발광 표시(OLED) 장치는 고속의 응답 속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광 방식에 따라 시야각이 넓어서 장치의 크기에 상관없이 화상 표시 매체로서 여러 가지 장점들은 가진다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치는 상대적으로 저온에서 간단한 공정들을 통해 제조할 수 있기 때문에, 차세대 평판 표시 장치로 주목 받고 있다.Among the flat panel display devices, the organic light emitting display (OLED) device has a high response speed, low power consumption, and a wide viewing angle according to a self-luminous method, thereby having various advantages as an image display medium regardless of the size of the device. Further, since the organic light emitting display device can be manufactured through simple processes at a relatively low temperature, it is attracting attention as a next generation flat panel display device.

종래의 유기 발광 표시 장치는, 기판 상에 제공된 박막 트랜지스터를 커버하는 평탄한 절연막 상에 양극과 음극이 순차적으로 배치되고, 이와 같은 양극과 음극 사이에 다층 구조의 유기층이 개재되는 구조를 가진다. 그러나, 종래의 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 유기층과 상기 전극들 사이에서 상기 유기층에서 발생되는 광이 부분적으로 또는 전체적으로 반사되기 때문에 외부로 취출되는 광의 효율이 감소하게 된다. 즉, 종래의 유기 발광 소자는 상기 유기층과 전극들 사이에서의 광의 반사로 인하여 약 30% 정도의 광 손실이 발생한다. 이러한 문제점을 개선하기 위하여, 적색광, 녹색광 및 청색광의 보강 간섭이 일어날 수 있도록 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소에서 유기층들의 두께를 조절하여 광 효율을 증가시키는 공진 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치가 제안되었다. 그러나, 이와 같은 공진 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치는 비록 증가된 광 효율을 갖지만, 이로 인하여 측면에서의 컬러 쉬프트(color shift)에 따라 시인성이 저하되는 문제가 발생한다.A conventional organic light emitting display device has a structure in which an anode and a cathode are sequentially disposed on a flat insulating film covering a thin film transistor provided on a substrate, and an organic layer having a multilayer structure is interposed between the anode and the cathode. However, in the related art organic light emitting diode display, since the light generated in the organic layer is partially or totally reflected between the organic layer and the electrodes, the efficiency of light emitted to the outside is reduced. That is, the conventional organic light emitting device generates about 30% light loss due to the reflection of light between the organic layer and the electrodes. In order to improve this problem, the resonant structure increases the light efficiency by adjusting the thickness of the organic layers in the red (R) pixel, green (G) pixel and blue (B) pixel so that constructive interference of red light, green light and blue light can occur. An organic light emitting display device having a has been proposed. However, although the organic light emitting diode display having such a resonant structure has increased light efficiency, this causes a problem in that visibility is reduced due to color shift in the side surface.

본 발명의 일 목적은 절연층에 원하는 경사 각도를 확보할 수 있는 경사 구조를 형성하는 방법을 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a method of forming an inclined structure that can ensure a desired inclination angle in the insulating layer.

본 발명의 다른 목적은 원하는 경사 각도의 경사 구조를 갖는 절연층을 구비하여 광 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device having an insulating layer having an inclined structure having a desired inclination angle to improve light efficiency.

본 발명의 또 다른 목적은 절연층에 원하는 경사 각도를 갖는 경사 구조를 형성하는 과정을 이용하여 향상된 광 효율을 갖는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light emitting display device having improved light efficiency by using a process of forming an inclined structure having a desired inclination angle in an insulating layer.

그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상술한 과제들에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved by the present invention is not limited to the above-described problems, and may be variously expanded within a range without departing from the spirit and scope of the present invention.

전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 절연층의 경사 구조 형성 방법에 있어서, 제1 절연막에 제1 리세스를 형성한 후, 상기 제1 리세스를 개재하여 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성할 수 있다. 상기 제2 절연막에 제2 리세스를 형성한 다음, 상기 제1 및 제2 절연막을 리플로우시켜 상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스로부터 경사 구조를 형성할 수 있다.In order to achieve the above object of the present invention, in the inclined structure forming method of the insulating layer in the exemplary embodiments of the present invention, after forming the first recess in the first insulating film, the first recess A second insulating layer may be formed on the first insulating layer through the second insulating layer. After forming a second recess in the second insulating layer, the first and second insulating layers may be reflowed to form an inclined structure from the first recess and the second recess.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 절연막은 각기 유기 물질, 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 절연막은 각기 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.In example embodiments, the first and second insulating layers may be formed using an organic material, a silicon compound, a metal, a metal oxide, or the like, respectively. For example, each of the first and second insulating films may be a photoresist, an acrylic polymer, a polyimide polymer, a polyamide polymer, a siloxane polymer, a polymer containing a photosensitive acrylic carboxyl group, a novolak resin, an alkali-soluble resin, and a silicon oxide. , Silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxycarbide, silicon carbonitride, aluminum, magnesium, zinc, hafnium, zirconium, titanium, tantalum, aluminum oxide, titanium oxide, tantalum oxide, magnesium oxide, zinc oxide, hafnium oxide, zirconium oxide , Titanium oxide, or the like. These may be used alone or in combination with each other.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 리세스는 각기 차광 영역과 반투과 영역을 포함하는 마스크를 사용하여 형성될 수 있다. 상기 제1 리세스는 상기 제2 리세스 보다 실질적으로 큰 깊이를 가질 수 있으며, 상기 제2 리세스는 상기 제1 리세스 보다 실질적으로 큰 폭을 가질 수 있다.In example embodiments, the first and second recesses may be formed using a mask including a light blocking area and a transflective area, respectively. The first recess may have a depth substantially greater than the second recess, and the second recess may have a substantially greater width than the first recess.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제1 리세스를 형성한 다음, 상기 제1 리세스의 측벽과 저면에 대하여 표면 처리 공정을 수행할 수 있다.In example embodiments, a surface treatment process may be performed on the sidewall and the bottom surface of the first recess after the first recess is formed.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 리플로우 공정은 상기 제1 및 제2 절연막의 녹는 점의 약 50% 내지 약 80% 정도의 온도에서 수행될 수 있다.In example embodiments, the reflow process may be performed at a temperature of about 50% to about 80% of the melting points of the first and second insulating layers.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 경사 구조는 리세스 형상 또는 돌출되는 형상을 가질 수 있다. 상기 경사 구조의 측벽의 경사각과 상기 제1 및 제2 리세스의 측벽들의 경사각 사이의 비는 약 1.0: 0.2 내지 약 1.0: 1.8 정도가 될 수 있다.In example embodiments, the inclined structure may have a recessed shape or a protruding shape. The ratio between the inclination angle of the sidewalls of the inclined structure and the inclination angles of the sidewalls of the first and second recesses may be about 1.0: 0.2 to about 1.0: 1.8.

상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는, 제1 기판, 경사 구조를 구비하는 절연층, 제1 전극, 화소 정의막, 유기 발광 구조물, 제2 전극 및 제2 기판을 포함할 수 있다. 상기 절연층은 상기 제1 기판 상에 배치될 수 있으며, 상기 제1 전극은 상기 절연층 상에 위치할 수 있다. 상기 화소 정의막은 상기 절연층 및 상기 제1 전극 상에 배치되어 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역을 정의할 수 있다. 상기 유기 발광 구조물은 상기 발광 영역의 상기 제1 전극 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극은 상기 유기 발광 구조물 상에 배치될 수 있고, 상기 제2 기판은 상기 제2 전극 상에 위치할 수 있다.In order to achieve the above object of the present invention, the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiments of the present invention, a first substrate, an insulating layer having an inclined structure, a first electrode, a pixel defining layer, organic light emitting It may comprise a structure, a second electrode and a second substrate. The insulating layer may be disposed on the first substrate, and the first electrode may be positioned on the insulating layer. The pixel defining layer may be disposed on the insulating layer and the first electrode to define a light emitting area and a non-light emitting area of the organic light emitting diode display. The organic light emitting structure may be disposed on the first electrode of the emission area. The second electrode may be disposed on the organic light emitting structure, and the second substrate may be positioned on the second electrode.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 기판 상에는 상기 제1 전극에 전기적으로 연결되는 스위칭 소자가 제공될 수 있다. 예를 들면, 상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터 또는 산화물 반도체 소자를 포함할 수 있다.In example embodiments, a switching device electrically connected to the first electrode may be provided on the first substrate. For example, the switching device may include a thin film transistor or an oxide semiconductor device.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 경사 구조의 측벽 상에 위치하는 상기 제1 전극 상으로 연장될 수 있다.In example embodiments, the pixel defining layer may extend on the first electrode on the sidewall of the inclined structure.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 화소 정의막은 상기 경사 구조의 상면 상에 위치하는 상기 제1 전극 상으로 연장될 수 있으며, 상기 발광 영역에서 상기 제1 전극을 노출시키는 개구를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 유기 발광 구조물은 상기 화소 정의막의 개구에 매립될 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 발광 구조물의 측벽은 상기 제1 기판에 평행한 방향에 대해 약 110°내지 약 160°의 경사각을 가질 수 있다.In example embodiments, the pixel defining layer may extend on the first electrode positioned on the top surface of the inclined structure, and may include an opening exposing the first electrode in the emission area. In this case, the organic light emitting structure may be embedded in the opening of the pixel defining layer. For example, sidewalls of the organic light emitting structure may have an inclination angle of about 110 ° to about 160 ° with respect to a direction parallel to the first substrate.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 경사 구조는 리세스의 형상 또는 돌출되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 경사 구조의 측벽은 상기 제1 기판에 실질적으로 평행한 방향에 대해 약 20°내지 약 70°정도의 경사각을 가질 수 있다. In example embodiments, the inclined structure may have a shape of a recess or a protruding shape. For example, the sidewalls of the inclined structure may have an inclination angle of about 20 ° to about 70 ° with respect to a direction substantially parallel to the first substrate.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 경사 구조 상에 배치되는 상기 제1 전극의 측부, 상기 제2 전극의 측부 등은 각기 상기 경사 구조의 측벽과 실질적으로 동일한 경사각을 가질 수 있다.In example embodiments, the side of the first electrode, the side of the second electrode, and the like disposed on the inclined structure may have substantially the same inclination angle as the sidewall of the inclined structure.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연층은 상기 경사 구조 내에 배치되는 복수의 돌기들을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 전극은 상기 절연층의 돌기들로부터 유래되는 복수의 돌출부들을 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 구조물은 상기 제1 전극의 돌출부들에 의하여 구분되는 복수의 부분들을 포함할 수 있다.In example embodiments, the insulating layer may include a plurality of protrusions disposed in the inclined structure. In this case, the first electrode may include a plurality of protrusions derived from the protrusions of the insulating layer. In addition, the organic light emitting structure may include a plurality of portions separated by protrusions of the first electrode.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 경사 구조는 리세스의 형상을 가질 수 있다. 이 때, 상기 경사 구조의 측벽과 상기 유기 발광 구조물의 측부는 실질적으로 동일한 경사각을 가질 수 있다.In example embodiments, the inclined structure may have a shape of a recess. In this case, the sidewalls of the inclined structure and the side of the organic light emitting structure may have substantially the same inclination angle.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 경사 구조는 돌출되는 형상을 가질 수 있다. 여기서, 상기 경사 구조의 측벽의 경사각과 상기 유기 발광 구조물의 측부의 경사각 사이의 비는 약 1.0: 0.2 내지 약 1.0: 1.8 정도 또는 약 1.0: 1.6 내지 약 1.0: 8.0 정도가 될 수 있다.In example embodiments, the inclined structure may have a protruding shape. Here, the ratio between the inclination angle of the side wall of the inclined structure and the inclination angle of the side portion of the organic light emitting structure may be about 1.0: 0.2 to about 1.0: 1.8 or about 1.0: 1.6 to about 1.0: 8.0.

전술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 기판 상에 절연층을 형성한 후, 상기 절연층에 경사 구조를 형성할 수 있다. 상기 절연층 상에 제1 전극을 형성한 다음, 상기 절연층 및 상기 제1 전극 상에 화소 정의막을 형성할 수 있다. 상기 화소 정의막을 부분적으로 식각하여 상기 경사 구조 상에 위치하는 상기 제1 전극을 노출시키는 개구를 형성할 수 있다. 상기 개구에 의해 노출된 제1 전극 상에 유기 발광 구조물을 형성한 후, 상기 유기 발광 구조물 상에 제2 전극을 형성할 수 있다. 상기 제2 전극 상에는 제2 기판이 형성될 수 있다.In order to achieve the above object of the present invention, in the method of manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, after forming an insulating layer on a first substrate, inclined to the insulating layer. The structure can be formed. After forming a first electrode on the insulating layer, a pixel defining layer may be formed on the insulating layer and the first electrode. The pixel defining layer may be partially etched to form an opening exposing the first electrode on the inclined structure. After forming an organic light emitting structure on the first electrode exposed by the opening, a second electrode may be formed on the organic light emitting structure. A second substrate may be formed on the second electrode.

예시적인 실시예들에 따른 경사 구조를 형성하는 과정에 있어서, 상기 제1 기판 상에 제1 절연막을 형성한 후, 상기 제1 절연막에 제1 리세스를 형성할 수 있다. 상기 제1 리세스를 개재하여 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성한 다음, 상기 제2 절연막에 제2 리세스를 형성할 수 있다. 상기 제1 및 제2 절연막을 리플로우시켜, 상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스로부터 상기 경사 구조를 형성할 수 있다.In the process of forming the inclined structure according to the exemplary embodiments, after the first insulating film is formed on the first substrate, a first recess may be formed in the first insulating film. A second insulating layer may be formed on the first insulating layer through the first recess, and then a second recess may be formed in the second insulating layer. The first and second insulating layers may be reflowed to form the inclined structure from the first recess and the second recess.

예시적인 실시예들에 따른 경사 구조를 형성하는 과정에 있어서, 상기 제1 기판 상에 제1 절연막을 형성한 다음, 상기 제1 절연막에 서로 이격되는 제1 리세스들을 형성할 수 있다. 상기 제1 리세스들을 개재하여 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성한 후, 상기 제1 리세스들 상부의 상기 제2 절연막에 제2 리세스들을 형성할 수 있다. 상기 제1 및 제2 절연막을 리플로우시켜, 인접하는 리세스들 사이에 돌출되는 형상을 갖는 상기 경사 구조를 형성할 수 있다.In the process of forming the inclined structure according to example embodiments, a first insulating film may be formed on the first substrate, and then first recesses spaced apart from each other may be formed on the first insulating film. After forming the second insulating layer on the first insulating layer through the first recesses, the second recesses may be formed in the second insulating layer on the first recesses. The inclined structure may be formed by reflowing the first and second insulating layers to protrude between adjacent recesses.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 경사 구조의 저면에 해당되는 절연층에는 복수의 돌기들이 형성될 수 있다. 이러한 절연층의 돌기들에 의해 상기 제1 전극에 복수의 돌출부들이 형성될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 구조물은 상기 제1 전극의 돌출부들에 의해 복수의 부분들로 구분될 수 있다. In example embodiments, a plurality of protrusions may be formed on an insulating layer corresponding to the bottom of the inclined structure. A plurality of protrusions may be formed on the first electrode by the protrusions of the insulating layer. In addition, the organic light emitting structure may be divided into a plurality of parts by protrusions of the first electrode.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층의 경사 구조에 위치하는 화소 정의막, 제1 전극 및 제2 전극의 측부들이 각기 상기 유기 발광 구조물로부터 발생되는 광의 전반사를 방지할 수 있는 경사각을 가질 수 있기 때문에, 유기 발광 표시 장치가 종래의 유기 발광 표시 장치에 비하여 적어도 약 30% 이상 향상된 광 효율을 가질 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치는 광의 광학적 공진을 위하여 상대적으로 복잡한 구성을 가질지 필요가 없기 때문에 광학적 공진 구조를 갖는 종래의 유기 발광 표시 장치에 비하여 간단한 구성을 가지면서 측면 시인성을 보다 향상시킬 수 있다.According to exemplary embodiments of the present invention, side portions of the pixel defining layer, the first electrode, and the second electrode positioned in the inclined structure of the insulating layer may each have an inclination angle to prevent total reflection of light generated from the organic light emitting structure. The organic light emitting diode display may have a light efficiency improved by at least about 30% or more as compared to the conventional organic light emitting diode display. In addition, since the organic light emitting diode display does not need to have a relatively complicated configuration for optical resonance of light, it is possible to improve side visibility while having a simpler configuration as compared to a conventional organic light emitting diode display having an optical resonance structure. .

도 1 내지 도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 절연층의 경사 구조 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5 내지 도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14 내지 도 19는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 20 및 도 21은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 22 내지 도 24는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 to 4 are cross-sectional views illustrating a method of forming an inclined structure of an insulating layer according to exemplary embodiments of the present invention.
5 through 11 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device in accordance with some example embodiments of the present invention.
12 and 13 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
14 to 19 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to still another exemplary embodiment of the present invention.
20 and 21 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to still another exemplary embodiment of the present invention.
22 to 24 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to still another exemplary embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 절연층의 경사 구조 형성 방법, 경사 구조를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의해 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.Hereinafter, a method of forming an inclined structure of an insulating layer, an organic light emitting display including an inclined structure, and a method of manufacturing the organic light emitting display according to exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited by the following examples, and those skilled in the art may implement the present invention in various other forms without departing from the technical spirit of the present invention.

본 명세서에 있어서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접촉되어"있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접촉되어 있을 수도 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 또한, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접촉되어"있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.In this specification, specific structural to functional descriptions are merely illustrated for the purpose of describing embodiments of the present invention, and embodiments of the present invention may be embodied in various forms and are limited to the embodiments described herein. It is not to be understood that the present invention is to be construed as including all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. When a component is described as being "connected" or "contacted" to another component, it is to be understood that it may be directly connected to or in contact with another component, but there may be another component in between. something to do. In addition, when a component is described as being "directly connected" or "directly contacted" with another component, it may be understood that there is no other component in between. Other expressions that describe the relationship between components, for example, "between" and "directly between" or "adjacent to" and "directly adjacent to", and the like may also be interpreted.

본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지는 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing exemplary embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. As used herein, the terms "comprise", "comprise" or "have" are intended to designate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof that is practiced, and that one or the same. It is to be understood that the present invention does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Does not.

제1, 제2 및 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.Terms such as first, second and third may be used to describe various components, but such components are not limited by the terms. The terms are used to distinguish one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second or third component, and similarly, the second or third component may be alternatively named.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 절연층의 경사 구조 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 to 4 are cross-sectional views illustrating a method of forming an inclined structure of an insulating layer according to exemplary embodiments of the present invention.

도 1을 참조하면, 대상체(도시되지 않음) 상에 제1 절연막(5)을 형성한다. 상기 대상체는 기판, 절연층, 도전층 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 대상체 상에는 스위칭 소자, 콘택, 패드, 플러그, 전극, 도전 패턴, 절연 패턴 등을 포함하는 하부 구조물이 제공될 수 있다. 여기서, 제1 절연막(5)은 상기 하부 구조물들을 충분히 덮을 수 있는 두께를 가질 수 있다.Referring to FIG. 1, a first insulating layer 5 is formed on an object (not shown). The object may include a substrate, an insulating layer, a conductive layer, and the like. In addition, a lower structure including a switching element, a contact, a pad, a plug, an electrode, a conductive pattern, an insulating pattern, and the like may be provided on the object. Here, the first insulating layer 5 may have a thickness sufficient to cover the lower structures.

다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대상체 상에 형성되는 제1 절연막(5)의 평탄도를 향상시키기 위하여, 상기 대상체에 대해 평탄화(planarization) 공정을 수행할 수 있다. 예를 들면, 상기 대상체에 화학 기계적 연마(CMP) 공정, 에치 백(etch-back) 공정 등을 적용하여, 상기 대상체가 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.In other example embodiments, a planarization process may be performed on the object to improve the flatness of the first insulating layer 5 formed on the object. For example, by applying a chemical mechanical polishing (CMP) process, an etch-back process, etc. to the object, the object may have a substantially flat top surface.

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 절연막(5)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 절연막(5)은 포토레지스트, 아크릴계(acryl-based) 폴리머, 폴리이미드계(polyimide-based) 폴리머, 폴리아미드계(polyamide-based) 폴리머, 실록산계(siloxane-based) 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기(photosensitive acryl carboxyl group)를 포함하는 폴리머, 노볼락(novolak) 수지, 알칼리 가용성(alkali-soluble) 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 절연막(5)은 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등의 무기 물질을 사용하여 형성될 수도 있다. 예를 들면, 제1 절연막(5)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 알루미늄 산화물(AlOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 아연 산화물(ZnOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 제1 절연막(5)은 그 구성 물질에 따라 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 원자층 적층(ALD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 상기 대상체 상에 형성될 수 있다.In example embodiments, the first insulating layer 5 may include an organic material. For example, the first insulating film 5 may be a photoresist, an acryl-based polymer, a polyimide-based polymer, a polyamide-based polymer, or a siloxane-based polymer. , Polymers containing photosensitive acryl carboxyl groups, novolak resins, alkali-soluble resins, and the like. These may be used alone or in combination with each other. According to other exemplary embodiments, the first insulating layer 5 may be formed using an inorganic material such as a silicon compound, a metal, a metal oxide, or the like. For example, the first insulating layer 5 may include silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy), silicon oxycarbide (SiOxCy), silicon carbonitride (SiCxNy), aluminum (Al), magnesium (Mg), zinc (Zn), hafnium (Hf), zirconium (Zr), titanium (Ti), tantalum (Ta), aluminum oxide (AlOx), titanium oxide (TiOx), tantalum oxide (TaOx), magnesium oxide ( MgOx), zinc oxide (ZnOx), hafnium oxide (HfOx), zirconium oxide (ZrOx), titanium oxide (TiOx), and the like. These may be used alone or in combination with each other. Further, the first insulating film 5 may be a spin coating process, a printing process, a sputtering process, a chemical vapor deposition (CVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, depending on the constituent material thereof. It may be formed on the object using a high density plasma-chemical vapor deposition (HDP-CVD) process, a vacuum deposition process and the like.

다시 도 1을 참조하면, 차광 영역과 반투과 영역을 구비하는 제1 마스크(도시되지 않음)를 제1 절연막(5) 상에 위치시킨 다음, 상기 제1 마스크를 이용하여 제1 절연막(5)에 자외선, 레이저 등의 광을 조사하는 제1 노광 공정을 수행하거나 제1 절연막(5)을 부분적으로 식각하는 제1 식각 공정을 수행한다. 이와 같은 제1 노광 공정 또는 제1 식각 공정은 제1 절연막(5)의 구성 물질에 따라 선택적으로 수행될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 마스크는 하프 톤(haft tone) 마스크, 하프 톤 슬릿(haft tone slit) 마스크 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 마스크는 상기 차광 영역 및/또는 상기 반투과 영역에 인접하는 투과 영역을 추가적으로 포함할 수도 있다.Referring back to FIG. 1, a first mask (not shown) having a light blocking region and a transflective region is positioned on the first insulating film 5, and then the first insulating film 5 is formed using the first mask. A first exposure process of irradiating light such as ultraviolet rays, lasers, or the like, or a first etching process of partially etching the first insulating layer 5 is performed. The first exposure process or the first etching process may be selectively performed according to the constituent material of the first insulating layer 5. In example embodiments, the first mask may include a half tone mask, a half tone slit mask, and the like. In addition, the first mask may further include a transmission region adjacent to the light blocking region and / or the transflective region.

노광된 제1 절연막(5)에 대해 제1 현상 공정 또는 제1 식각 공정을 선택적으로 수행하여 노광된 제1 절연막(5)을 부분적으로 제거함으로써, 제1 절연막(5)에 제1 리세스(recess)(10)를 형성한다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 리세스(10)는 제1 절연막(5)의 상면으로부터 상대적으로 큰 제1 깊이를 가질 수 있으며, 상대적으로 작은 제1 폭을 가질 수 있다. 또한, 제1 리세스(10)의 측벽은 상기 대상체에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 상대적으로 큰 제1 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 리세스(10) 측벽의 제1 경사각은 상기 대상체에 실질적으로 평행한 축선에 대하여 약 40°내지 약 90°정도가 될 수 있다.By selectively performing a first developing process or a first etching process on the exposed first insulating film 5 to partially remove the exposed first insulating film 5, the first recesses in the first insulating film 5 ( recesses 10 are formed. In example embodiments, the first recess 10 may have a relatively large first depth from an upper surface of the first insulating layer 5, and may have a relatively small first width. In addition, the sidewall of the first recess 10 may have a relatively large first inclination angle with respect to a direction substantially parallel to the object. For example, the first inclination angle of the sidewall of the first recess 10 may be about 40 ° to about 90 ° with respect to an axis substantially parallel to the object.

도 2를 참조하면, 제1 리세스(10)를 갖는 제1 절연막(5) 상에 제2 절연막(15)을 형성한다. 제2 절연막(15)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 절연막(15)은 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 또한, 제2 절연막(15)은 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 제1 절연막(5) 상에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연막(15)은 제1 절연막(5)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 절연막(5)과 제2 절연막(15)은 서로 상이한 물질들을 사용하여 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 2, a second insulating film 15 is formed on the first insulating film 5 having the first recess 10. The second insulating layer 15 may be formed using an organic material, an inorganic material, or the like. For example, the second insulating film 15 may be a photoresist, an acrylic polymer, a polyimide polymer, a polyamide polymer, a siloxane polymer, a polymer containing a photosensitive acrylic carboxyl group, a novolak resin, an alkali soluble resin, a silicon oxide, Silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxycarbide, silicon carbonitride, aluminum, magnesium, zinc, hafnium, zirconium, titanium, tantalum, aluminum oxide, titanium oxide, tantalum oxide, magnesium oxide, zinc oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, Titanium oxide, and the like. In addition, the second insulating film 15 may be a spin coating process, a printing process, a sputtering process, a chemical vapor deposition process, an atomic layer deposition process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, a high density plasma-chemical vapor deposition process, a vacuum deposition process, or the like. Can be formed on the first insulating film 5. In example embodiments, the second insulating layer 15 may be formed using a material substantially the same as or substantially similar to that of the first insulating layer 5. According to other exemplary embodiments, the first insulating film 5 and the second insulating film 15 may be formed using different materials.

예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연막(15)은 제1 리세스(10)를 채우지 않으면서 제1 절연막(5) 상에 형성될 수 있다. 즉, 제1 절연막(5)과 제2 절연막(15) 사이에는 제1 리세스(10)가 제2 절연막(15)으로 채워지지 않고 개재될 수 있다. 이러한 구성을 위하여, 제1 리세스(10)의 측벽과 저면에 대하여 표면 처리 공정이 수행될 수 있다. 예를 들면, 제1 리세스(10)의 측벽과 저면에 대하여 선택적으로 플라즈마 처리 공정, 소수성 처리 공정 등을 수행할 수 있다.In example embodiments, the second insulating layer 15 may be formed on the first insulating layer 5 without filling the first recess 10. That is, the first recess 10 may be interposed between the first insulating film 5 and the second insulating film 15 without being filled with the second insulating film 15. For this configuration, a surface treatment process may be performed on the sidewalls and bottom of the first recess 10. For example, a plasma treatment process, a hydrophobic treatment process, or the like may be selectively performed on the sidewalls and the bottom surface of the first recess 10.

도 3을 참조하면, 제2 절연막(15)에 대하여 차광 영역과 반투과 영역을 갖는 제2 마스크(도시되지 않음)를 이용하는 제2 노광 공정을 수행한 다음, 노광된 제2 절연막(15)에 대해 제2 현상 공정 또는 제2 식각 공정을 수행하여 제2 절연막(15)에 제2 리세스(20)를 형성한다. 상기 제2 마스크는 하프 톤 마스크, 하프 톤 슬릿 마스크 등을 포함할 수 있으며, 상기 차광 영역 및/또는 상기 반투과 영역에 인접하는 투과 영역을 추가적으로 구비할 수도 있다.Referring to FIG. 3, a second exposure process using a second mask (not shown) having a light blocking area and a transflective area is performed on the second insulating film 15, and then the exposed second insulating film 15 is applied to the second insulating film 15. The second recess 20 is formed in the second insulating layer 15 by performing a second development process or a second etching process. The second mask may include a halftone mask, a halftone slit mask, or the like, and may further include a transmission region adjacent to the light blocking region and / or the transflective region.

예시적인 실시예들에 있어서, 제2 리세스(20)는 제1 리세스(10)에 연통된다. 제2 리세스(20)는 상대적으로 큰 제2 폭을 가질 수 있고, 상대적으로 작은 제2 깊이를 가질 수 있다. 즉, 제2 리세스(20)의 제2 폭은 제1 리세스(10)의 제1 폭에 비하여 실질적으로 클 수 있는 반면, 제2 리세스(20)의 제2 깊이는 제1 리세스(10)의 제1 깊이보다 실질적으로 작을 수 있다. 또한, 제2 리세스(20)는 제1 절연막(5)에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 상대적으로 큰 제2 경사각을 갖는 측벽을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 리세스(20)의 측벽의 제2 경사각은 상기 대상체에 실질적으로 수평한 축선에 대해 약 40°내지 약 90°정도가 될 수 있다. 즉, 제2 리세스(20)의 측벽의 제2 경사각은 제1 리세스(10)의 측벽의 제1 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사할 수 있다. 제1 및 제2 절연막(5, 15)에 각기 제1 및 제2 리세스(10, 20)가 형성됨에 따라 제1 및 제2 절연막(5, 15) 사이에는 단차부(stepped portion)가 제공된다.In example embodiments, the second recess 20 is in communication with the first recess 10. The second recess 20 may have a relatively large second width and may have a relatively small second depth. That is, the second width of the second recess 20 may be substantially larger than the first width of the first recess 10, while the second depth of the second recess 20 is the first recess. It may be substantially smaller than the first depth of (10). In addition, the second recess 20 may include a sidewall having a second large inclination angle with respect to a direction substantially parallel to the first insulating layer 5. For example, the second inclination angle of the sidewall of the second recess 20 may be about 40 ° to about 90 ° with respect to an axis substantially horizontal to the object. That is, the second inclination angle of the sidewall of the second recess 20 may be substantially the same as or substantially similar to the first inclination angle of the sidewall of the first recess 10. Stepped portions are provided between the first and second insulating layers 5 and 15 as the first and second recesses 10 and 20 are formed in the first and second insulating layers 5 and 15, respectively. do.

도 4를 참조하면, 제1 및 제2 절연막(5, 15)에 대해 리플로우(reflow) 공정을 수행하여 제1 및 제2 리세스(10, 20)로부터 경사 구조(25)를 형성한다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 리플로우 공정은 제1 및 제2 절연막(5, 15)을 구성하는 물질들의 녹는점(Tm)의 약 50% 내지 약 80% 정도의 온도에서 수행될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 절연막(5, 15)의 구성 물질에 따라 제1 및 제2 절연막(5, 15)을 약 100℃ 내지 약 300℃ 정도의 온도에서 약 30분 내지 약 2시간 정도 리플로우시켜 경사 구조(25)를 형성할 수 있다. 이러한 제1 및 제2 절연막(5, 15)의 구성 물질들에 따라 상기 리플로우 공정의 공정 시간과 공정 온도를 조절하여 원하는 측벽 경사각을 갖는 경사 구조(25)를 수득할 수 있다.Referring to FIG. 4, the inclined structure 25 is formed from the first and second recesses 10 and 20 by performing a reflow process on the first and second insulating layers 5 and 15. In example embodiments, the reflow process may be performed at a temperature of about 50% to about 80% of the melting point (Tm) of the materials constituting the first and second insulating layers 5 and 15. . For example, the first and second insulating films 5 and 15 may be in the range of about 100 ° C. to about 300 ° C. for about 30 minutes to about 2 hours depending on the material of the first and second insulating films 5 and 15. The inclined structure 25 can be formed by reflowing to a degree. According to the constituent materials of the first and second insulating layers 5 and 15, the inclination structure 25 having the desired sidewall inclination angle may be obtained by adjusting the process time and the process temperature of the reflow process.

예시적인 실시예들에 따른 리플로우 공정에 있어서, 제1 및 제2 절연막(5, 15)이 실질적으로 일체로 결합되면서 상기 대상체 상에 절연층(30)이 형성된다. 즉, 상기 리플로우 공정 동안 제1 및 제2 리세스(10, 20)가 경사 구조(25)로 변화되면서 상기 대상체 상에 경사 구조(25)를 구비하는 절연층(30)이 형성된다.In the reflow process according to example embodiments, the insulating layer 30 is formed on the object while the first and second insulating layers 5 and 15 are substantially integrally bonded to each other. That is, as the first and second recesses 10 and 20 are changed into the inclined structure 25 during the reflow process, the insulating layer 30 having the inclined structure 25 is formed on the object.

경사 구조(25)는 상대적으로 큰 제3 깊이를 가질 수 있으며, 경사 구조(25)의 측벽은 상대적으로 작은 제3 경사각(θ1)을 가질 수 있다. 즉, 경사 구조(25)의 제3 깊이는 제1 리세스(10)의 제1 깊이 보다 실질적으로 클 수 있다. 예를 들면, 경사 구조(25)의 제3 깊이는 제1 리세스(10)의 제1 깊이와 제2 리세스(20)의 제2 깊이의 합에 실질적으로 대응될 수 있다. 또한, 경사 구조(25)의 측벽의 제3 경사각(θ1)은 제1 리세스(10) 측벽의 제1 경사각 또는 제2 리세스(20) 측벽의 제2 경사각에 비하여 실질적으로 작을 수 있다.The inclined structure 25 may have a relatively large third depth, and the sidewalls of the inclined structure 25 may have a relatively small third inclination angle θ1. That is, the third depth of the inclined structure 25 may be substantially larger than the first depth of the first recess 10. For example, the third depth of the inclined structure 25 may correspond substantially to the sum of the first depth of the first recess 10 and the second depth of the second recess 20. In addition, the third inclination angle θ1 of the sidewall of the inclined structure 25 may be substantially smaller than the first inclination angle of the sidewall of the first recess 10 or the second inclination angle of the sidewall of the second recess 20.

경사 구조(25)가 제3 경사각(θ1)을 갖는 측벽을 구비함에 따라, 경사 구조(25)는 하부 폭에 비하여 실질적으로 넓은 상부 폭을 가질 수 있다. 예를 들면, 경사 구조(25)의 제3 경사각(θ1)은 상기 대상체에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 약 20°내지 약 70°정도가 될 수 있다. 이에 따라, 제1 리세스(10) 측벽의 제1 경사각 또는 제2 리세스(20) 측벽의 제2 경사각과 경사 구조(25)의 측벽의 제3 경사각(θ1) 사이의 비는 약 1.0: 0.2 내지 약 1.0: 1.8 정도가 될 수 있다. 그러나, 이러한 경사 구조(25)의 측벽의 제3 경사각(θ1)은 전술한 리플로우 공정의 공정 시간, 공정 온도 등의 공정 조건들에 따라 변화될 수 있다. 즉, 상기 리플로우 공정의 공정 조건들을 조절하여 경사 구조(25)의 측벽이 원하는 제3 경사각(θ1)을 갖게 할 수 있다.As the inclined structure 25 has sidewalls having a third inclination angle θ1, the inclined structure 25 may have a substantially wider upper width than the lower width. For example, the third inclination angle θ1 of the inclined structure 25 may be about 20 ° to about 70 ° with respect to a direction substantially parallel to the object. Accordingly, the ratio between the first inclination angle of the sidewall of the first recess 10 or the second inclination angle of the sidewall of the second recess 20 and the third inclination angle θ1 of the sidewall of the inclined structure 25 is about 1.0: 0.2 to about 1.0: about 1.8. However, the third inclination angle θ1 of the sidewall of the inclined structure 25 may vary according to process conditions such as the process time and the process temperature of the reflow process described above. That is, the sidewalls of the inclined structure 25 may have a desired third inclination angle θ1 by adjusting process conditions of the reflow process.

상술한 경사 구조(25)을 갖는 절연층(30)에 광이 입사될 경우, 입사된 광은 제3 경사각(θ1)을 갖는 경사 구조(25)의 측벽에서 반사될 수 있다. 이 때, 경사 구조(25)에 위치하는 다층 구조를 갖는 발광 구조물(도시되지 않음)로부터 발생되는 광이 상기 발광 구조물의 여러 층들 사이 및/또는 상부 혹은 하부의 반사층들 사이에서 전반사가 일어나는 현상을 방지할 수 있도록 경사 구조(25)의 측벽이 제3 경사각(θ1)을 가질 수 있다. 이에 따라, 경사 구조(25) 내에 위치하는 상기 발광 구조물로부터 외부로 방출되는 광의 효율을 향상시킬 수 있다.When light is incident on the insulating layer 30 having the inclined structure 25, the incident light may be reflected on the sidewall of the inclined structure 25 having the third inclination angle θ1. At this time, the light generated from a light emitting structure (not shown) having a multi-layered structure located in the inclined structure 25 may cause total reflection between various layers of the light emitting structure and / or between upper or lower reflective layers. Sidewalls of the inclined structure 25 may have a third inclination angle θ1 so as to prevent them. Accordingly, the efficiency of light emitted to the outside from the light emitting structure positioned in the inclined structure 25 can be improved.

전술한 바에 있어서는, 절연층(30)에 대체적으로 리세스 형상의 경사 구조(25)를 형성하는 과정을 예시적으로 설명하였으나, 다른 예시적인 실시예들에 따라 절연층(30)에 돌출되는 형상의 경사 구조를 형성할 수도 있다. 즉, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 공정들과 유사한 공정들을 통해 절연층(30)에 소정의 간격으로 이격된 2개 이상의 리세스 형태를 갖는 경사 구조들이 형성될 경우, 인접하는 리세스 형상의 경사 구조들 사이에는 돌출되는 형상의 경사 구조가 제공될 수 있다. 따라서, 절연층(30)은 돌출되는 형태의 경사 구조를 구비할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대상체 상에 제1 절연막(5)을 형성한 후, 제1 절연막(5)에 소정의 간격으로 이격되는 제1 리세스들을 형성할 수 있다. 이러한 제1 리세스들을 개재하여 제1 절연막(5) 상에 제2 절연막(15)을 형성한 다음, 상기 제1 리세스들 상부에 위치하는 제2 절연막(15)에 제2 리세스들을 형성할 수 있다. 제1 및 제2 절연막(5, 15)을 리플로우시키면, 절연층(30)에 인접하는 리세스들 사이에 돌출되는 형상의 경사 구조가 형성될 수 있다. 여기서, 상기 돌출되는 형상의 경사 구조의 측벽의 경사각은 상기 리세스 형상의 경사 구조의 측벽의 경사각과 실질적으로 동일하게 된다. 즉, 리세스 형상의 경사 구조와 인접하는 돌출되는 형상의 경사 구조가 하나의 측벽을 공유할 수 있다.In the above description, the process of forming the recessed inclined structure 25 generally in the insulating layer 30 has been described as an example, but the shape protruding from the insulating layer 30 according to other exemplary embodiments. It is also possible to form an inclined structure. That is, when the inclined structures having two or more recessed shapes spaced at predetermined intervals are formed in the insulating layer 30 through processes similar to those described with reference to FIGS. 1 to 4, adjacent recess shapes are formed. Between the inclined structures of the inclined structure of the protruding shape may be provided. Therefore, the insulating layer 30 may have an inclined structure that protrudes. In other exemplary embodiments, after forming the first insulating layer 5 on the object, first recesses spaced at predetermined intervals may be formed in the first insulating layer 5. A second insulating film 15 is formed on the first insulating film 5 through the first recesses, and then second recesses are formed in the second insulating film 15 located above the first recesses. can do. When the first and second insulating layers 5 and 15 are reflowed, an inclined structure protruding between recesses adjacent to the insulating layer 30 may be formed. Here, the inclination angle of the side wall of the inclined structure of the protruding shape is substantially the same as the inclination angle of the side wall of the inclined structure of the recessed shape. That is, the recessed inclined structure and the protruding inclined structure adjacent to each other may share one sidewall.

도 5 내지 도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따라 경사 구조를 갖는 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.5 through 11 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device including an insulating layer having an inclined structure, according to some example embodiments.

도 5를 참조하면, 제1 기판(50) 상에 버퍼층(55)을 형성한다. 제1 기판(50)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(50)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 이루어질 수 있다. 제1 기판(50)으로 사용될 수 있는 투명 수지 기판은 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 술폰산 수지 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, a buffer layer 55 is formed on the first substrate 50. The first substrate 50 may include a transparent insulating substrate. For example, the first substrate 50 may be made of a glass substrate, a quartz substrate, a transparent resin substrate, or the like. The transparent resin substrate that may be used as the first substrate 50 may include polyimide resin, acrylic resin, polyacrylate resin, polycarbonate resin, polyether resin, polyethylene terephthalate resin, sulfonic acid resin, and the like.

다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(50) 상에 버퍼층(55)을 형성하기 전에 제1 기판(50)에 대하여 평탄화 공정을 수행할 수 있다. 예를 들면, 화학 기계적 연마 공정 및/또는 에치 백 공정을 제1 기판(50)에 대해 수행하여 제1 기판(50)이 실질적으로 평탄한 상면을 확보할 수 있다. 또 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 기판(50)의 표면 평탄도, 구성 물질 등에 따라 제1 기판(50) 상에 버퍼층(55)이 형성되지 않을 수도 있다.In other example embodiments, the planarization process may be performed on the first substrate 50 before the buffer layer 55 is formed on the first substrate 50. For example, a chemical mechanical polishing process and / or an etch back process may be performed on the first substrate 50 to secure a substantially flat upper surface of the first substrate 50. According to still other exemplary embodiments, the buffer layer 55 may not be formed on the first substrate 50 according to the surface flatness, the constituent material, or the like of the first substrate 50.

버퍼층(55)은 제1 기판(50)으로부터 금속 원자들, 불순물들 등이 확산되는 현상을 방지하는 기능을 수행할 수 있으며, 버퍼층(55)으로 인하여 후속하는 반도체 패턴(60)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도가 조절되어 실질적으로 균일한 반도체 패턴(60)을 수득할 수 있다. 또한, 버퍼층(55)은 제1 기판(50)이 표면이 균일하지 않을 경우, 제1 기판(50)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할도 수행할 수 있다. 버퍼층(55)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(55)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(55)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(55)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막, 실리콘 산탄화막 및/또는 실리콘 탄질화막을 포함할 수 있다.The buffer layer 55 may function to prevent diffusion of metal atoms, impurities, and the like from the first substrate 50. The buffer layer 55 may be formed to form a subsequent semiconductor pattern 60 due to the buffer layer 55. The rate of heat transfer during the crystallization process can be controlled to yield a substantially uniform semiconductor pattern 60. In addition, when the surface of the first substrate 50 is not uniform, the buffer layer 55 may also serve to improve the flatness of the surface of the first substrate 50. The buffer layer 55 may be formed using a silicon compound. For example, the buffer layer 55 may include silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxycarbide, silicon carbonitride, or the like. These may be used alone or in combination with each other. In other exemplary embodiments, the buffer layer 55 may have a single layer structure or a multi layer structure including a silicon compound. For example, the buffer layer 55 may include a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, a silicon oxycarbide film, and / or a silicon carbonitride film.

버퍼층(55) 상에는 반도체 패턴(60)이 형성된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(55) 상에 반도체층(도시되지 않음)을 형성한 후, 이러한 반도체층을 패터닝하여 버퍼층(55)의 일측 상에 예비 반도체 패턴(도시되지 않음)을 형성할 수 있다. 다음에, 상기 예비 반도체 패턴을 결정화시켜 버퍼층(55) 상에 반도체 패턴(60)을 수득할 수 있다. 상기 반도체층은 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 저압 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 반도체층이 아몰퍼스 실리콘을 포함할 경우, 반도체 패턴(60)은 폴리실리콘으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 예비 반도체 패턴으로부터 반도체 패턴(60)을 형성하기 위한 결정화 공정은 레이저 조사 공정, 열처리 공정, 촉매를 이용하는 열처리 공정 등을 포함할 수 있다.The semiconductor pattern 60 is formed on the buffer layer 55. In example embodiments, after forming a semiconductor layer (not shown) on the buffer layer 55, the semiconductor layer is patterned to form a preliminary semiconductor pattern (not shown) on one side of the buffer layer 55. can do. Next, the preliminary semiconductor pattern may be crystallized to obtain a semiconductor pattern 60 on the buffer layer 55. The semiconductor layer may be formed using a chemical vapor deposition process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, a low pressure chemical vapor deposition process, a sputtering process, or the like. When the semiconductor layer includes amorphous silicon, the semiconductor pattern 60 may be made of polysilicon. The crystallization process for forming the semiconductor pattern 60 from the preliminary semiconductor pattern may include a laser irradiation process, a heat treatment process, a heat treatment process using a catalyst, and the like.

다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 반도체 패턴을 형성한 후, 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 반도체 패턴에 대하여 탈수소(dehydrogenation) 공정을 수행할 수 있다. 이에 따라, 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 반도체 패턴 내의 수소 원자들의 농도를 감소시켜, 반도체 패턴(60)의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.In example embodiments, after the semiconductor layer and / or the preliminary semiconductor pattern are formed, a dehydrogenation process may be performed on the semiconductor layer and / or the preliminary semiconductor pattern. Accordingly, the concentration of hydrogen atoms in the semiconductor layer and / or the preliminary semiconductor pattern may be reduced, thereby improving electrical characteristics of the semiconductor pattern 60.

도 6을 참조하면, 버퍼층(55) 상에 반도체 패턴(60)을 커버하는 게이트 절연막(65)을 형성한다. 게이트 절연막(65)은 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 게이트 절연막(65)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 게이트 절연막(65)에 사용될 수 있는 금속 산화물은, 하프늄 산화물(HfOx), 알루미늄 산화물(AlOx) 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.Referring to FIG. 6, a gate insulating layer 65 covering the semiconductor pattern 60 is formed on the buffer layer 55. The gate insulating layer 65 may be formed using a chemical vapor deposition process, a spin coating process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, a sputtering process, a vacuum deposition process, a high density plasma-chemical vapor deposition process, a printing process, or the like. In addition, the gate insulating layer 65 may be formed using silicon oxide, metal oxide, or the like. The metal oxide that may be used for the gate insulating layer 65 may include hafnium oxide (HfOx), aluminum oxide (AlOx) zirconium oxide (ZrOx), titanium oxide (TiOx), tantalum oxide (TaOx), and the like. These may be used alone or in combination with each other.

게이트 절연막(65)은 반도체 패턴(60)의 프로파일(profile)을 따라 버퍼층(55) 상에 실질적으로 균일하게 형성될 수 있다. 게이트 절연막(65)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 게이트 절연막(65)에는 반도체 패턴(60)에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 절연막(65)은 반도체 패턴(60)을 충분히 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이 경우, 게이트 절연막(65)은 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다.The gate insulating layer 65 may be formed substantially uniformly on the buffer layer 55 along the profile of the semiconductor pattern 60. The gate insulating layer 65 may have a relatively thin thickness, and the stepped portion adjacent to the semiconductor pattern 60 may be formed in the gate insulating layer 65. According to other exemplary embodiments, the gate insulating layer 65 may have a substantially flat upper surface while sufficiently covering the semiconductor pattern 60. In this case, the gate insulating layer 65 may have a relatively thick thickness.

게이트 절연막(65) 상에는 게이트 전극(70)이 형성된다. 게이트 전극(70)은 게이트 절연막(65) 중에서 아래에 반도체 패턴(60)이 위치하는 부분 상에 형성한다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(65) 상에 제1 도전막(도시되지 않음)을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 통해 상기 제1 도전막을 패터닝함으로써, 게이트 절연막(65) 상에 게이트 전극(70)을 형성할 수 있다. 상기 제1 도전막은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.The gate electrode 70 is formed on the gate insulating film 65. The gate electrode 70 is formed on a portion of the gate insulating film 65 where the semiconductor pattern 60 is positioned below. In example embodiments, a first conductive layer (not shown) is formed on the gate insulating layer 65, and then the first conductive layer is patterned through a photolithography process or an etching process using an additional etching mask. The gate electrode 70 may be formed on the gate insulating layer 65. The first conductive layer may be formed using a sputtering process, a chemical vapor deposition process, a pulsed laser deposition process, a vacuum deposition process, an atomic layer deposition process, a printing process, or the like.

게이트 전극(70)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(70)은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrOx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 전극(70)은 상술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 또는 투명 도전성 물질로 이루어진 단층 구조를 가질 수 있다. 이와는 달리, 게이트 전극(70)은 전술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 및/또는 투명 도전성 물질로 구성된 다층 구조로 형성될 수도 있다.The gate electrode 70 may include a metal, an alloy, a metal nitride, a conductive metal oxide, a transparent conductive material, or the like. For example, the gate electrode 70 is made of aluminum (Al), an alloy containing aluminum, aluminum nitride (AlNx), silver (Ag), an alloy containing silver, tungsten (W), tungsten nitride (WNx), copper (Cu), alloys containing copper, nickel (Ni), chromium (Cr), chromium nitride (CrOx), molybdenum (Mo), alloys containing molybdenum, titanium (Ti), titanium nitride (TiNx ), Platinum (Pt), tantalum (Ta), tantalum nitride (TaNx), neodymium (Nd), scandium (Sc), strontium ruthenium oxide (SrRuxOy), zinc oxide (ZnOx), indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnOx), indium oxide (InOx), gallium oxide (GaOx), indium zinc oxide (IZO), and the like. These may be used alone or in combination with each other. According to example embodiments, the gate electrode 70 may have a single layer structure made of the above-described metal, alloy, metal nitride, conductive metal oxide, or transparent conductive material. Alternatively, the gate electrode 70 may be formed in a multi-layer structure composed of the above-described metal, alloy, metal nitride, conductive metal oxide, and / or transparent conductive material.

도 6에 도시하지는 않았으나, 게이트 전극(70)의 형성과 동시에 게이트 절연막(65) 일측 상에는 게이트 라인이 형성된다. 게이트 전극(70)은 이와 같은 게이트 라인에 연결되며, 상기 게이트 라인은 게이트 절연막(65) 상에서 제1 방향을 따라 연장될 수 있다.Although not shown in FIG. 6, a gate line is formed on one side of the gate insulating layer 65 simultaneously with the formation of the gate electrode 70. The gate electrode 70 is connected to such a gate line, and the gate line may extend along the first direction on the gate insulating layer 65.

게이트 전극(70)을 주입 마스크로 이용하여 반도체 패턴(60)에 불순물들을 주입함으로써, 반도체 패턴(60)에 소스 영역(75)과 드레인 영역(80)을 형성한다. 상기 불순물들의 주입을 위한 이온 주입 에너지의 조절에 따라 상기 불순물들이 게이트 절연막(65)을 통과하여 반도체 패턴(60)의 양측부에 주입될 수 있다. 여기서, 게이트 전극(70) 아래에 위치하는 반도체 패턴(60)의 중앙부에는 상기 불순물들이 주입되지 않으며, 이에 따라 반도체 패턴(60)의 중앙부는 소스 영역(75)과 드레인 영역 사이의 채널 영역(85)이 된다. 다시 말하면, 소스 및 드레인 영역(75, 80)의 형성에 따라 반도체 패턴(60)에 채널 영역(85)이 정의된다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 절연막(65) 상에 게이트 전극(70)에 인접하는 게이트 절연막(65)의 부분들을 노출시키는 마스크를 형성한 다음, 이와 같은 마스크와 게이트 전극(70)을 함께 주입 마스크들로 이용하여 소스 영역(75) 및 드레인 영역(80)을 형성할 수도 있다.By injecting impurities into the semiconductor pattern 60 using the gate electrode 70 as an injection mask, the source region 75 and the drain region 80 are formed in the semiconductor pattern 60. The impurities may be injected to both sides of the semiconductor pattern 60 through the gate insulating layer 65 according to the control of the ion implantation energy for the implantation of the impurities. Here, the impurities are not implanted in the central portion of the semiconductor pattern 60 positioned below the gate electrode 70, so that the central portion of the semiconductor pattern 60 is a channel region 85 between the source region 75 and the drain region. ) In other words, the channel region 85 is defined in the semiconductor pattern 60 according to the formation of the source and drain regions 75 and 80. According to other exemplary embodiments, a mask is formed on the gate insulating film 65 to expose portions of the gate insulating film 65 adjacent to the gate electrode 70, and then the mask and the gate electrode 70 are formed. The source region 75 and the drain region 80 may be formed together as implantation masks.

예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 전극(70)은 반도체 패턴(60)에 비하여 실질적으로 작은 폭을 가질 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(70)은 채널 영역(85)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 폭을 가질 수 있다. 그러나, 게이트 전극(70)의 치수 및/또는 채널 영역(85)의 치수는 이들을 포함하는 스위칭 소자에 요구되는 전기적인 특성에 따라 변화될 수 있다.In example embodiments, the gate electrode 70 may have a substantially smaller width than the semiconductor pattern 60. For example, the gate electrode 70 may have a width substantially the same as or substantially similar to that of the channel region 85. However, the dimensions of the gate electrode 70 and / or the dimensions of the channel region 85 may vary depending on the electrical properties required for the switching element comprising them.

도 7을 참조하면, 게이트 절연막(65) 상에 게이트 전극(70)을 덮는 층간 절연막(90)을 형성한다. 층간 절연막(90)은 게이트 전극(70)의 프로파일을 따라 게이트 절연막(65) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 층간 절연막(90)에는 게이트 전극(70)에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 층간 절연막(90)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(90)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 층간 절연막(90)은 전술한 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 층간 절연막(90)은 스핀 코팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 층간 절연막(90)은 후속하여 형성되는 소스 전극(95)과 드레인 전극(100)으로부터 게이트 전극(70)을 절연시키는 역할을 수행할 수 있다.Referring to FIG. 7, an interlayer insulating film 90 covering the gate electrode 70 is formed on the gate insulating film 65. The interlayer insulating layer 90 may be formed on the gate insulating layer 65 to have a substantially uniform thickness along the profile of the gate electrode 70. Therefore, the stepped portion adjacent to the gate electrode 70 may be generated in the interlayer insulating layer 90. The interlayer insulating film 90 may be formed using a silicon compound. For example, the interlayer insulating film 90 may be formed using silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon carbonitride, silicon oxycarbide, or the like. These may be used alone or in combination with each other. In addition, the interlayer insulating layer 90 may have a single layer structure or a multilayer structure including the above-described silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon carbonitride, silicon oxycarbide, and the like. In this case, the interlayer insulating film 90 can be obtained using a spin coating process, a chemical vapor deposition process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, a high density plasma-chemical vapor deposition process, or the like. The interlayer insulating layer 90 may serve to insulate the gate electrode 70 from the subsequently formed source electrode 95 and the drain electrode 100.

층간 절연막(90) 상에 소스 전극(95)과 드레인 전극(100)을 형성한다. 소스 및 드레인 전극(95, 100)은 게이트 전극(70)을 중심으로 소정의 간격으로 이격되며, 게이트 전극(70)에 인접하여 배치된다. 예를 들면, 소스 및 드레인 전극(95, 100)은 각기 소스 및 드레인 영역(75, 80) 상부에 위치하는 층간 절연막(90)으로부터 게이트 전극(70) 상에 위치하는 층간 절연막(90)까지 연장될 수 있다. 또한, 소스 및 드레인 전극(95, 100)은 층간 절연막(90)을 관통하여 소스 및 드레인 영역(75, 80)에 각기 접촉된다.The source electrode 95 and the drain electrode 100 are formed on the interlayer insulating film 90. The source and drain electrodes 95 and 100 are spaced apart at predetermined intervals from the gate electrode 70, and are disposed adjacent to the gate electrode 70. For example, the source and drain electrodes 95 and 100 extend from the interlayer insulating film 90 positioned above the source and drain regions 75 and 80 to the interlayer insulating film 90 positioned on the gate electrode 70, respectively. Can be. In addition, the source and drain electrodes 95 and 100 penetrate through the interlayer insulating film 90 to contact the source and drain regions 75 and 80, respectively.

예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연막(90)을 부분적으로 식각하여 소스 및 드레인 영역(75, 80)을 부분적으로 노출시키는 홀들을 형성한 후, 이러한 홀들을 채우면서 층간 절연막(90) 상에 제2 도전막(도시되지 않음)을 형성한다. 다음에, 상기 제2 도전막을 패터닝하여 도 7에 예시적으로 도시한 바와 같은 소스 및 드레인 전극(95, 100)을 형성한다. 상기 제2 도전막은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 소스 및 드레인 전극(95, 100)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 소스 및 드레인 전극(95, 100)은 각기 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 한편, 소스 및 드레인 전극(95, 100)은 각기 전술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 이루어진 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.In example embodiments, the interlayer insulating film 90 is partially etched to form holes partially exposing the source and drain regions 75 and 80, and then filled on the interlayer insulating film 90 while filling the holes. A second conductive film (not shown) is formed. Next, the second conductive film is patterned to form source and drain electrodes 95 and 100 as illustrated in FIG. 7. The second conductive film may be obtained using a sputtering process, a chemical vapor deposition process, a pulse laser deposition process, a vacuum deposition process, an atomic layer deposition process, a printing process, or the like. The source and drain electrodes 95 and 100 may each include a metal, an alloy, a metal nitride, a conductive metal oxide, a transparent conductive material, or the like. For example, the source and drain electrodes 95, 100 may be aluminum, alloy containing aluminum, aluminum nitride, silver, alloy containing silver, tungsten, tungsten nitride, copper, alloy containing copper, nickel, chromium, respectively. , Chromium nitride, molybdenum, molybdenum-containing alloys, titanium, titanium nitride, platinum, tantalum, tantalum nitride, neodymium, scandium, strontium ruthenium oxide, zinc oxide, indium tin oxide, tin oxide, indium oxide, gallium Oxide, indium zinc oxide, and the like. These may be used alone or in combination with each other. Meanwhile, the source and drain electrodes 95 and 100 may each have a single layer structure or a multilayer structure made of the above-described metal, alloy, metal nitride, conductive metal oxide, transparent conductive material, or the like.

도시하지는 않았으나, 층간 절연막(90) 상에는 제2 방향을 따라 연장되는 데이터 라인이 소스 및 드레인 전극(95, 100)과 함께 형성된다. 여기서, 상기 제2 방향은 상기 게이트 라인이 연장되는 제1 방향과 실질적으로 직교할 수 있다. 이와 같은 데이터 라인에 소스 전극(95)이 접속된다.Although not illustrated, a data line extending along the second direction is formed on the interlayer insulating layer 90 together with the source and drain electrodes 95 and 100. The second direction may be substantially orthogonal to the first direction in which the gate line extends. The source electrode 95 is connected to such a data line.

층간 절연막(90) 상에 소스 및 드레인 전극(95, 100)이 형성됨에 따라, 제1 기판(50) 상에는 상기 유기 발광 표시 장치의 스위칭 소자로서 반도체 패턴(60), 게이트 절연막(65), 게이트 전극(70), 소스 전극(95) 및 드레인 전극(100)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공된다.As the source and drain electrodes 95 and 100 are formed on the interlayer insulating layer 90, the semiconductor pattern 60, the gate insulating layer 65, and the gate as the switching elements of the organic light emitting diode display are formed on the first substrate 50. A thin film transistor (TFT) is provided that includes an electrode 70, a source electrode 95, and a drain electrode 100.

도 8을 참조하면, 층간 절연막(90) 상에 소스 및 드레인 전극(95, 100)을 커버하는 제1 보호막(105)을 형성한다. 제1 보호막(105)은 소스 및 드레인 전극(95, 100)을 완전하게 덮을 수 있는 충분한 두께를 가질 수 있다. 제1 보호막(105)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 보호막(105)은 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제1 보호막(105)을 구성하는 물질에 따라 제1 보호막(105)은 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 후속하여 형성되는 절연층(110)의 구성 물질, 치수 등에 따라 상기 스위칭 소자를 커버하는 제1 보호막(105)이 제공되지 않을 수도 있다.Referring to FIG. 8, a first passivation layer 105 covering the source and drain electrodes 95 and 100 is formed on the interlayer insulating layer 90. The first passivation layer 105 may have a sufficient thickness to completely cover the source and drain electrodes 95 and 100. The first passivation layer 105 may be formed using an organic material, an inorganic material, or the like. For example, the first protective film 105 may be a photoresist, an acrylic polymer, a polyimide polymer, a polyamide polymer, a siloxane polymer, a polymer including a photosensitive acrylic carboxyl group, a novolak resin, an alkali soluble resin, a silicon oxide, Silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxycarbide, silicon carbonitride, aluminum, magnesium, zinc, hafnium, zirconium, titanium, tantalum, aluminum oxide, titanium oxide, tantalum oxide, magnesium oxide, zinc oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, Titanium oxide, and the like. These may be used alone or in combination with each other. The first passivation layer 105 may be formed by spin coating, printing, sputtering, chemical vapor deposition, atomic layer deposition, plasma enhanced chemical vapor deposition, and high density plasma-chemistry, depending on the material of the first passivation layer 105. It can be obtained using a vapor deposition process, a vacuum deposition process, a printing process and the like. According to other example embodiments, the first passivation layer 105 may not be provided to cover the switching element according to a material, a dimension, and the like of the subsequently formed insulating layer 110.

도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 보호막(105) 상에는 경사 구조(120)를 갖는 절연층(110)이 형성된다. 절연층(110)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 2이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(110)은 제1 보호막(105) 상에 순차적으로 형성된 제1 절연막 및 제2 절연막을 포함할 수 있다. 이러한 제1 및 제2 절연막을 포함하는 절연층(110)을 형성하기 위한 공정들은 각기 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 제1 및 제2 절연막(5, 15)을 형성하는 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사하다. 또한, 절연층(110)의 제1 및 제2 절연막은 각기 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 제1 및 제2 절연막(5, 15)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질을 포함할 수 있다.8 and 9, an insulating layer 110 having an inclined structure 120 is formed on the first passivation layer 105. The insulating layer 110 may be formed in a single layer structure, but may be formed in a multilayer structure including at least two insulating layers. In example embodiments, the insulating layer 110 may include a first insulating film and a second insulating film sequentially formed on the first passivation layer 105. The processes for forming the insulating layer 110 including the first and second insulating films are substantially the same as the processes for forming the first and second insulating films 5 and 15 described with reference to FIGS. 1 and 2, respectively. Same or substantially similar. In addition, the first and second insulating layers of the insulating layer 110 may include materials substantially the same as or similar to those of the first and second insulating layers 5 and 15 described with reference to FIGS. 1 and 2, respectively. .

도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이, 절연층(110)에는 측벽이 제4 경사각(θ2)을 갖는 경사 구조(120)가 형성된다. 또한, 절연층(110)과 제1 보호막(105)을 관통하여 드레인 전극(100)을 부분적으로 노출시키는 홀(115)이 형성된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 홀(115)은 절연층(110)에 경사 구조(120)를 형성하는 동안 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층(110)에 경사 구조(120)를 형성한 후, 절연층(110)과 제1 보호막(105)을 관통하여 드레인 전극(100)의 일부를 노출시키는 홀(115)을 형성할 수도 있다.8 and 9, an inclined structure 120 having sidewalls having a fourth inclination angle θ2 is formed in the insulating layer 110. In addition, a hole 115 is formed through the insulating layer 110 and the first passivation layer 105 to partially expose the drain electrode 100. In example embodiments, the hole 115 may be formed while forming the inclined structure 120 in the insulating layer 110. According to other exemplary embodiments, after the inclined structure 120 is formed in the insulating layer 110, a portion of the drain electrode 100 is exposed through the insulating layer 110 and the first passivation layer 105. The hole 115 may be formed.

절연층(110)의 경사 구조(120)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 절연층(30)의 경사 구조(25)를 형성하는 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 절연층(110)의 경사 구조(120) 측벽의 제4 경사각(θ2)은 상술한 경사 구조(25)의 측벽의 제3 경사각(θ1)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사할 수 있다. 예를 들면, 경사 구조(120)의 측벽의 제4 경사각(θ2)은 제1 기판(50)에 실질적으로 평행한 축선에 대하여 약 20°내지 약 70°정도가 될 수 있다.The inclined structure 120 of the insulating layer 110 is formed using processes substantially the same as or similar to those of forming the inclined structure 25 of the insulating layer 30 described with reference to FIGS. 1 to 4. Can be. In addition, the fourth inclination angle θ2 of the sidewall of the inclined structure 120 of the insulating layer 110 may be substantially the same as or substantially similar to the third inclination angle θ1 of the sidewall of the inclined structure 25. For example, the fourth inclination angle θ2 of the sidewall of the inclined structure 120 may be about 20 ° to about 70 ° with respect to an axis substantially parallel to the first substrate 50.

도 9에 예시한 바와 같이, 절연층(110)에는 리세스 형상(recessed shape)을 갖는 경사 구조(120)가 형성된다. 절연층(110)의 경사 구조(120)가 이와 같은 리세스 형상을 가질 경우, 경사 구조(120)를 갖는 절연층(110)을 포함하는 상기 유기 발광 표시 장치는 전면 발광 방식을 가질 수 있다.As illustrated in FIG. 9, an inclined structure 120 having a recessed shape is formed in the insulating layer 110. When the inclined structure 120 of the insulating layer 110 has such a recessed shape, the organic light emitting diode display including the insulating layer 110 having the inclined structure 120 may have a top emission method.

도 10을 참조하면, 경사 구조(120)를 갖는 절연층(110) 상에 홀(115)을 채우면서 제1 전극(125)을 형성한다. 제1 전극(125)은 드레인 전극(100)에 접속되며, 경사 구조(120)의 측벽과 저면 상으로 연장된다. 이에 따라, 경사 구조(120) 내에 위치하는 제1 전극(125)의 측부도 경사 구조(120)의 제4 경사각(θ2)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 경사 구조(120) 내에서의 제1 전극(125) 측부의 경사각은 제1 기판(50)에 실질적으로 평행한 방향에 대해 약 20°내지 약 70°정도가 될 수 있다.Referring to FIG. 10, the first electrode 125 is formed while filling the hole 115 on the insulating layer 110 having the inclined structure 120. The first electrode 125 is connected to the drain electrode 100 and extends on the sidewall and the bottom surface of the inclined structure 120. Accordingly, the side portion of the first electrode 125 positioned in the inclined structure 120 may also have an inclination angle substantially the same as or substantially similar to the fourth inclination angle θ2 of the inclined structure 120. For example, the inclination angle of the side of the first electrode 125 in the inclined structure 120 may be about 20 ° to about 70 ° with respect to the direction substantially parallel to the first substrate 50.

상기 유기 발광 표시 장치가 전면 발광 방식을 가질 경우, 제1 전극(125)은 반사성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(125)은 알루미늄, 은, 백금, 금(Au), 크롬, 텅스텐, 몰리브데늄, 티타늄, 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 등과 같은 금속, 이들의 합금 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 제1 전극(125)은 전술한 금속 및/또는 합금을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.When the organic light emitting diode display has a top emission type, the first electrode 125 may be formed using a reflective material. For example, the first electrode 125 may be formed of a metal such as aluminum, silver, platinum, gold (Au), chromium, tungsten, molybdenum, titanium, palladium (Pd), iridium (Ir), or an alloy thereof. It may include. These may be used alone or in combination with each other. In addition, the first electrode 125 may be formed in a single layer structure or a multilayer structure including the metal and / or alloy described above.

예시적인 실시예들에 있어서, 드레인 전극(100)을 노출시키는 홀(115)을 채우면서 절연층(110) 상에 제1 전극층(도시되지 않음)을 형성한 다음, 이와 같은 제1 전극층을 패터닝하여, 경사 구조(120)를 갖는 절연층(110) 상에 제1 전극(125)을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 제1 전극층은 제1 전극(125)을 구성하는 물질에 따라 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 프린팅 공정, 원자층 적층 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 후술하는 바와 같이, 제1 전극(125)은 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역(luminescent region)을 중심으로 인접하는 비발광 영역(non-luminescent region)의 일부까지 연장될 수 있다.In example embodiments, a first electrode layer (not shown) is formed on the insulating layer 110 while filling the hole 115 exposing the drain electrode 100, and then patterning the first electrode layer. Thus, the first electrode 125 may be formed on the insulating layer 110 having the inclined structure 120. Here, the first electrode layer may be formed using a sputtering process, a vacuum deposition process, a chemical vapor deposition process, a pulsed laser deposition process, a printing process, an atomic layer deposition process, etc. according to the material constituting the first electrode 125. have. As described below, the first electrode 125 may extend to a portion of an adjacent non-luminescent region around the luminescent region of the organic light emitting diode display.

다른 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층(110) 및 제1 보호막(105)을 관통하는 홀(115)의 내부와 노출된 드레인 전극(100) 상에 콘택 구조물 또는 패드 구조물 등을 형성한 후, 절연층(110) 상에 상기 콘택 구조물 또는 상기 패드 구조물에 접속되는 제1 전극(125)을 형성할 수도 있다. 이 경우, 제1 전극(125)은 상기 콘택 구조물 또는 상기 패드 구조물을 통해 드레인 전극(100)에 전기적으로 연결될 수 있다.In example embodiments, a contact structure or a pad structure may be formed on the inside of the hole 115 passing through the insulating layer 110 and the first passivation layer 105 and the exposed drain electrode 100. The first electrode 125 connected to the contact structure or the pad structure may be formed on the insulating layer 110. In this case, the first electrode 125 may be electrically connected to the drain electrode 100 through the contact structure or the pad structure.

다시 도 10을 참조하면, 절연층(110)과 제1 전극(125) 상에 화소 정의막(130)을 형성한다. 화소 정의막(130)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(130)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등의 유기 물질이나 실리콘 화합물과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10 again, the pixel defining layer 130 is formed on the insulating layer 110 and the first electrode 125. The pixel defining layer 130 may be formed using an organic material, an inorganic material, or the like. For example, the pixel defining layer 130 may include an organic material such as a photoresist, a polyacrylic resin, a polyimide resin, an acrylic resin, or an inorganic material such as a silicon compound.

화소 정의막(130)을 부분적으로 식각하여 제1 전극(125)의 일부를 노출시키는 개구를 형성한다. 예를 들면, 상기 개구는 사진 식각 공정이나 추가적인 식각 마스크를 사용하는 식각 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(130)의 개구의 측벽은 경사 구조(120)의 제4 경사각(θ2)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(130)의 개구의 측벽은 제1 기판(50)에 실질적으로 수평한 방향에 대해 약 20°내지 약 70°정도의 경사각을 가질 수 있다.The pixel defining layer 130 is partially etched to form an opening exposing a portion of the first electrode 125. For example, the opening may be formed using a photolithography process or an etching process using an additional etching mask. In example embodiments, the sidewall of the opening of the pixel defining layer 130 may have an inclination angle that is substantially the same as or substantially similar to the fourth inclination angle θ2 of the inclination structure 120. For example, the sidewall of the opening of the pixel defining layer 130 may have an inclination angle of about 20 ° to about 70 ° with respect to the direction substantially horizontal to the first substrate 50.

화소 정의막(130)에 개구가 형성됨에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역이 정의된다. 즉, 화소 정의막(130)의 개구가 위치하는 영역이 상기 발광 영역에 해당되며, 상기 개구에 인접하는 영역이 상기 비발광 영역에 해당된다. 절연층(110)의 경사 구조(120)는 상기 발광 영역에 위치하며, 상기 발광 영역에서 제1 전극(125)은 경사 구조(120)의 저면과 측벽 상에 실질적으로 균일하게 형성될 수 있다. 화소 정의막(130)은 상기 발광 영역의 일부까지 연장되어 경사 구조(120)의 저면의 일부와 측벽 상부에 형성된다. 다시 말하면, 상기 발광 영역에서 화소 정의막(130)은 제1 전극(125)의 측부를 커버한다. 이에 따라, 상기 발광 영역에 위치하는 화소 정의막(130)의 일부(즉, 상기 개구의 측벽)도 경사 구조(120)의 제4 경사각(θ2)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 발광 영역에 위치하는 화소 정의막(130)은 제1 기판(50)에 실질적으로 평행한 축선에 대해 약 20°내지 약 70°정도의 경사각을 가지면서 제1 전극(125) 상에 배치될 수 있다.As the opening is formed in the pixel defining layer 130, the emission area and the non-emission area of the organic light emitting diode display are defined. That is, the region where the opening of the pixel defining layer 130 is located corresponds to the light emitting region, and the region adjacent to the opening corresponds to the non-emitting region. The inclined structure 120 of the insulating layer 110 is positioned in the emission region, and the first electrode 125 may be formed on the bottom surface and the sidewall of the inclined structure 120 substantially uniformly. The pixel defining layer 130 extends to a part of the emission area and is formed on a portion of the bottom of the inclined structure 120 and an upper sidewall. In other words, the pixel defining layer 130 covers the side of the first electrode 125 in the emission region. Accordingly, a portion of the pixel defining layer 130 (ie, the sidewall of the opening) positioned in the emission region may have an inclination angle that is substantially the same as or substantially similar to the fourth inclination angle θ2 of the inclination structure 120. have. For example, the pixel defining layer 130 positioned in the emission region has an inclination angle of about 20 ° to about 70 ° with respect to an axis substantially parallel to the first substrate 50, and the first electrode 125. It can be placed on.

상기 발광 영역의 화소 정의막(130) 및 제1 전극(125) 상에 유기 발광 구조물(135)이 형성된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(135)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 유기 발광 구조물(135)은 상기 유기 발광 표시 장치의 각 화소에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(135)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 또 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 유기 발광 구조물(135)은 상기 발광 물질들에 비하여 실질적으로 큰 밴드 갭(band gap)을 갖는 호스트 물질을 추가적으로 포함할 수 있다.The organic light emitting structure 135 is formed on the pixel defining layer 130 and the first electrode 125 of the emission area. In example embodiments, the organic light emitting structure 135 may include an organic light emitting layer EL, a hole injection layer HIL, a hole transport layer HTL, an electron transport layer ETL, an electron injection layer EIL, or the like. It may have a multilayer structure. The organic light emitting structure 135 may be formed using light emitting materials capable of generating different color lights such as red light, green light, and blue light according to each pixel of the organic light emitting diode display. In other exemplary embodiments, the organic light emitting structure 135 may have a multilayer structure in which a plurality of light emitting materials that may implement different color lights such as red light, green light, and blue light are stacked to emit white light. According to still other exemplary embodiments, the organic light emitting structure 135 may further include a host material having a band gap substantially larger than the light emitting materials.

예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(135)은 상기 발광 영역의 경사 구조(120) 상에 위치한다. 또한, 유기 발광 구조물(135)은 상기 발광 영역에서 제1 전극(125) 및 화소 정의막(130)에 접촉된다. 즉, 유기 발광 구조물(135)의 저면은 제1 전극(125) 상에 위치하며, 유기 발광 구조물(135)의 측부는 화소 정의막(130)에 접촉된다. 따라서, 유기 발광 구조물(135)의 측부도 경사 구조(120)의 측벽의 제4 경사각(θ2)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 구조물(135)의 측부는 제1 기판(50)에 대해 실질적으로 평행한 축선에 대하여 약 20°내지 약 70°정도의 경사각을 가질 수 있다.In example embodiments, the organic light emitting structure 135 is positioned on the inclined structure 120 of the light emitting region. In addition, the organic light emitting structure 135 contacts the first electrode 125 and the pixel defining layer 130 in the emission region. That is, the bottom of the organic light emitting structure 135 is positioned on the first electrode 125, and the side portion of the organic light emitting structure 135 is in contact with the pixel defining layer 130. Therefore, the side of the organic light emitting structure 135 may also have an inclination angle that is substantially the same as or substantially similar to the fourth inclination angle θ2 of the sidewall of the inclination structure 120. For example, the side portion of the organic light emitting structure 135 may have an inclination angle of about 20 ° to about 70 ° with respect to an axis substantially parallel to the first substrate 50.

제2 전극(140)은 유기 발광 구조물(135)과 화소 정의막(130) 상에 형성된다. 제2 전극(140)은 유기 발광 구조물(135)과 화소 정의막(130) 상에 균일한 두께로 형성될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치가 전면 발광 방식을 가질 경우, 제2 전극(140)은 투명 도전성 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(140)은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 갈륨 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.The second electrode 140 is formed on the organic light emitting structure 135 and the pixel defining layer 130. The second electrode 140 may be formed to have a uniform thickness on the organic light emitting structure 135 and the pixel defining layer 130. When the organic light emitting diode display has a top emission type, the second electrode 140 may be formed using a transparent conductive material. For example, the second electrode 140 may include indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc tin oxide, zinc oxide, tin oxide, gallium oxide, or the like. These may be used alone or in combination with each other.

예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(140)은 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 연장될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 전극(140)은 상기 발광 영역에만 위치할 수도 있다. 예를 들면, 제2 전극(140)은 유기 발광 구조물(135)과 화소 정의막(130)의 일부(즉, 화소 정의막(130)의 개구의 측벽) 상에 배치될 수 있다. 이 경우, 유기 발광 구조물(135)과 화소 정의막(130) 상에 제2 전극층(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 제2 전극층을 패터닝하여 상기 발광 영역에 제2 전극(140)을 형성할 수 있다.In example embodiments, the second electrode 140 may extend from the light emitting area to the non-light emitting area. According to other exemplary embodiments, the second electrode 140 may be located only in the emission area. For example, the second electrode 140 may be disposed on the organic light emitting structure 135 and a portion of the pixel defining layer 130 (that is, the sidewall of the opening of the pixel defining layer 130). In this case, after forming a second electrode layer (not shown) on the organic light emitting structure 135 and the pixel defining layer 130, the second electrode layer is patterned to form a second electrode 140 in the emission region. can do.

절연층(110)의 경사 구조(120) 측벽의 제4 경사각(θ2)에 따라 제2 전극(140)도 상기 발광 영역에서 제4 경사각(θ2)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 발광 영역의 화소 정의막(130) 상에 위치하는 제2 전극(140)의 측부는 제1 기판(50)에 실질적으로 평행한 축선에 대해 약 20°내지 약 70°정도의 경사각을 가질 수 있다.According to the fourth inclination angle θ2 of the sidewall of the inclined structure 120 of the insulating layer 110, the second electrode 140 may also have an inclination angle that is substantially the same as or substantially similar to the fourth inclination angle θ2 in the emission region. have. For example, a side portion of the second electrode 140 positioned on the pixel defining layer 130 of the emission region may be about 20 ° to about 70 ° with respect to an axis substantially parallel to the first substrate 50. It may have an inclination angle.

하부 전극, 유기 발광층 및 상부 전극을 구비하는 종래의 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 유기 발광층으로부터 발생되는 광이 상기 유기 발광층과 상기 상부 및 하부 전극 사이에서 전반사되어 실질적으로 약 30% 정도의 광 손실(loss)이 발생하게 된다. 이에 비하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 리세스 형상을 갖는 경사 구조(120)로 인하여 유기 발광 구조물(135), 제1 전극(125) 및 제2 전극(140)의 측부들이 각기 유기 발광 구조물(135)로부터 발생되는 광의 전반사를 방지할 수 있는 경사각을 가지기 때문에, 상기 유기 발광 표시 장치는 종래의 유기 발광 표시 장치에 비하여 적어도 약 30% 이상 증가된 광 효율을 확보할 수 있다. 또한, 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는, 유기 발광 구조물(135)로부터 발생되는 광의 광학적 공진을 위하여 상대적으로 복잡한 구성을 가질 필요가 없기 때문에, 광학적 공진 구조를 갖는 종래의 유기 발광 표시 장치에 비하여 보다 간단한 구성을 가질 수 있으며, 보다 향상된 측면 시인성을 확보할 수 있다.In a conventional organic light emitting display device having a lower electrode, an organic light emitting layer, and an upper electrode, light generated from the organic light emitting layer is totally reflected between the organic light emitting layer and the upper and lower electrodes to substantially lose about 30% of light. (loss) will occur. In contrast, according to the exemplary embodiments of the present invention, the side portions of the organic light emitting structure 135, the first electrode 125 and the second electrode 140 are respectively formed due to the inclined structure 120 having the recess shape. Since the organic light emitting display device has an inclination angle that can prevent total reflection of the light emitted from the organic light emitting structure 135, the organic light emitting diode display may have an increased light efficiency by at least about 30% compared to the conventional organic light emitting diode display. In addition, the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiments does not need to have a relatively complicated configuration for optical resonance of light generated from the organic light emitting structure 135, and thus, a conventional organic light emitting diode display having an optical resonance structure. Compared to the device, it can have a simpler configuration and can secure more improved side visibility.

도 11을 참조하면, 제2 전극(140) 상에 제2 보호막(145)을 형성한다. 제2보호막(145)은 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 연장될 수 있다. 제2 보호막(145)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 보호막(145)은 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제2 보호막(145)을 구성하는 물질에 따라, 제2 보호막(145)은 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.Referring to FIG. 11, a second passivation layer 145 is formed on the second electrode 140. The second passivation layer 145 may extend from the light emitting area to the non-light emitting area. The second passivation layer 145 may be formed using an organic material, an inorganic material, or the like. For example, the second protective film 145 may be a photoresist, an acrylic polymer, a polyimide polymer, a polyamide polymer, a siloxane polymer, a polymer including a photosensitive acrylic carboxyl group, a novolak resin, an alkali soluble resin, a silicon oxide, Silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxycarbide, silicon carbonitride, aluminum, magnesium, zinc, hafnium, zirconium, titanium, tantalum, aluminum oxide, titanium oxide, tantalum oxide, magnesium oxide, zinc oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, Titanium oxide, and the like. These may be used alone or in combination with each other. Depending on the material constituting the second protective film 145, the second protective film 145 may be a spin coating process, a printing process, a sputtering process, a chemical vapor deposition process, an atomic layer deposition process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, a high density plasma- It can be obtained using a chemical vapor deposition process, a vacuum deposition process and the like.

제2 보호막(145) 상에는 제2 기판(150)이 배치된다. 제2 기판(150)은 유리, 투명 플라스틱, 투명 세라믹 등과 같은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 영역의 제2 보호막(145)과 제2 기판(150) 사이의 공간(148)은 공기 또는 질소와 같은 불활성 기체 등으로 채워질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광 영역의 공간(148)은 광 투과성과 흡습성을 갖는 수지로 충진될 수도 있다.The second substrate 150 is disposed on the second passivation layer 145. The second substrate 150 may include a transparent insulating substrate such as glass, transparent plastic, transparent ceramic, or the like. In example embodiments, the space 148 between the second passivation layer 145 and the second substrate 150 of the emission region may be filled with inert gas such as air or nitrogen. According to other exemplary embodiments, the space 148 of the emission region may be filled with a resin having light transmittance and hygroscopicity.

도 12 및 도 13은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 12 및 도 13에 있어서, 절연층, 제1 전극, 유기 발광 구조물 등을 제외하면 도 5 내지 도 11을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예시적으로 설명하지만, 도 12 및 도 13에 도시한 제조 방법은 스위칭 소자, 보호막(들), 전극들, 절연층(들), 유기 발광 구조물 등이 다양한 구조로 배치된 구성을 가지는 다른 유기 발광 표시 장치들에도 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 변경이 적용 가능함을 이해할 수 있을 것이다.12 and 13 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention. 12 and 13, except for an insulating layer, a first electrode, an organic light emitting structure, and the like, the organic light emitting diode display has a structure substantially the same as or similar to that of the organic light emitting diode display described with reference to FIGS. 5 to 11. 12 and 13 illustrate a method in which a switching element, a protective film (s), electrodes, insulating layer (s), and an organic light emitting structure are arranged in various structures. It will be appreciated that the changes apparent to those skilled in the art may be applied to other organic light emitting display devices.

도 12를 참조하면, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 수행하여 제1 기판(50) 상에 버퍼층(55), 스위칭 소자, 제1 보호막(105) 등을 형성한다.Referring to FIG. 12, the buffer layer 55, the switching element, and the first passivation layer 105 are formed on the first substrate 50 by performing processes substantially the same as or similar to those described with reference to FIGS. 7 and 8. ) And the like.

제1 보호막(105) 상에 경사 구조(120)와 드레인 전극(100)의 일부를 노출시키는 홀을 포함하는 절연층(110)을 형성한 후, 경사 구조(120)의 저면을 구성하는 절연층(110)에 복수의 돌기(128)들을 형성한다. 절연층(110)의 경사 구조(120)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 수행하여 수득될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(110)의 돌기(128)들은 경사 구조(120)의 저면을 구성하는 절연층(110)의 표면에 대하여 추가적으로 하프 톤 마스크 또는 하프 톤 슬릿 마스크를 사용하는 노광 공정, 현상 공정, 부분 식각 공정 등을 수행하여 수득될 수 있다. 예를 들면, 절연층(110)의 돌기(128)들은 각기 실질적으로 원형의 형상, 실질적으로 타원형의 형상, 실질적으로 원추형의 형상, 실질적으로 마름모의 형상, 실질적으로 삼각형의 형상 등의 다양한 평면 형상을 가질 수 있다. 또한, 돌기(128)들은 각기 실질적으로 섬(island)의 형상, 실질적으로 라인(line)의 형상, 실질적으로 바(bar)의 형상, 실질적으로 육면체의 형상 등과 같은 여러 가지 입체 형상을 가질 수 있다.After forming the insulating layer 110 including a hole exposing a part of the drain electrode structure 100 and the inclined structure 120 on the first protective film 105, the insulating layer constituting the bottom surface of the inclined structure 120 A plurality of protrusions 128 are formed at 110. The inclined structure 120 of the insulating layer 110 may be obtained by performing processes substantially the same as or similar to those described with reference to FIGS. 1 to 4. In example embodiments, the protrusions 128 of the insulating layer 110 may further use a halftone mask or a halftone slit mask with respect to the surface of the insulating layer 110 constituting the bottom of the inclined structure 120. It can be obtained by performing an exposure process, a developing process, a partial etching process and the like. For example, the protrusions 128 of the insulating layer 110 may each have various planar shapes, such as a substantially circular shape, a substantially elliptical shape, a substantially conical shape, a substantially rhombus shape, a substantially triangular shape, and the like. Can have In addition, the protrusions 128 may each have a variety of three-dimensional shapes such as substantially island shape, substantially line shape, substantially bar shape, substantially hexahedral shape, and the like. .

제1 전극(133)은 드레인 전극(100)을 노출시키는 상기 홀을 채우면서 경사 구조(120) 및 돌기(128)들을 갖는 절연층(110) 상에 형성된다. 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역에 대응되는 경사 구조(120)의 저면 상에 위치하는 제1 전극(133)에는 절연층(110)의 돌기(128)들에 따라 복수의 돌출부(134)들이 형성되며, 경사 구조(120)의 측벽 상에 배치되는 제1 전극(133)의 측부는 원하는 경사각을 가진다. 여기서, 제1 전극(133)의 돌출부(134)들은 각기 절연층(110)의 돌기(128)들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 형상을 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층(110)의 돌기(128)들로부터 유래되는 제1 전극(133)의 돌출부(134)들로 인하여 유기 발광 구조물(155)(도 13 참조)로부터 발생되는 광이 제1 전극(133)의 돌출부(134)들로부터도 효과적으로 반사될 수 있기 때문에 상기 유기 발광 표시 장치의 광 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.The first electrode 133 is formed on the insulating layer 110 having the inclined structure 120 and the protrusions 128 while filling the hole exposing the drain electrode 100. A plurality of protrusions 134 are formed on the first electrode 133 disposed on the bottom surface of the inclined structure 120 corresponding to the emission area of the organic light emitting diode display according to the protrusions 128 of the insulating layer 110. The side of the first electrode 133 disposed on the sidewall of the inclined structure 120 has a desired inclination angle. Here, the protrusions 134 of the first electrode 133 may have a shape substantially the same as or substantially similar to the protrusions 128 of the insulating layer 110. According to exemplary embodiments, the protrusions 134 of the first electrode 133 derived from the protrusions 128 of the insulating layer 110 may be generated from the organic light emitting structure 155 (see FIG. 13). Since light may be effectively reflected from the protrusions 134 of the first electrode 133, the light efficiency of the organic light emitting diode display may be further improved.

도 13을 참조하면, 절연층(110)과 제1 전극(133) 상에 화소 정의막(130)을 형성한다. 화소 정의막(130)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 화소 정의막(130)을 부분적으로 식각하여 제1 전극(125)의 돌출부(134)들이 형성된 부분을 노출시키는 개구를 형성한다. 이 경우, 화소 정의막(130)의 개구의 측벽은 경사 구조(120)의 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.Referring to FIG. 13, a pixel defining layer 130 is formed on the insulating layer 110 and the first electrode 133. The pixel defining layer 130 may be formed using an organic material, an inorganic material, or the like. The pixel defining layer 130 is partially etched to form an opening that exposes a portion where the protrusions 134 of the first electrode 125 are formed. In this case, the sidewall of the opening of the pixel defining layer 130 may have an inclination angle that is substantially the same as or substantially similar to that of the inclination structure 120.

화소 정의막(130)에 개구가 형성됨에 따라서 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역이 정의된다. 여기서, 화소 정의막(130)의 개구가 위치하는 영역이 상기 발광 영역에 해당되며, 상기 개구에 인접하는 영역이 상기 비발광 영역에 해당된다. 절연층(110)의 경사 구조(120)는 상기 발광 영역에 위치하며, 상기 발광 영역에서 돌출부(134)들을 포함하는 제1 전극(133)은 경사 구조(120)의 저면과 측벽 상에 실질적으로 균일하게 형성될 수 있다. 또한, 화소 정의막(130)은 상기 발광 영역까지 연장되어 경사 구조(120)의 저면의 일부와 측벽 상부에도 위치한다. 따라서 상기 발광 영역에 위치하는 화소 정의막(130)의 일부도 경사 구조(120)의 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.As the opening is formed in the pixel defining layer 130, the emission area and the non-emission area of the organic light emitting diode display are defined. Here, an area in which the opening of the pixel defining layer 130 is located corresponds to the light emitting area, and an area adjacent to the opening corresponds to the non-light emitting area. The inclined structure 120 of the insulating layer 110 is located in the emission area, and the first electrode 133 including the protrusions 134 in the emission area is substantially formed on the bottom surface and the sidewall of the inclination structure 120. It can be formed uniformly. In addition, the pixel defining layer 130 extends to the emission region and is also positioned on a portion of the bottom surface and the sidewall of the inclined structure 120. Accordingly, a part of the pixel defining layer 130 positioned in the emission area may also have an inclination angle that is substantially the same as or substantially similar to that of the inclination structure 120.

상기 발광 영역의 화소 정의막(130)과 제1 전극(133) 상에 유기 발광 구조물(155)이 형성된다. 유기 발광 구조물(155)은 유기 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 유기 발광 구조물(155)은 상기 발광 영역에서 제1 전극(133)과 화소 정의막(130)에 접촉된다. 따라서, 유기 발광 구조물(155)의 측부도 경사 구조(120)의 측벽의 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.The organic light emitting structure 155 is formed on the pixel defining layer 130 and the first electrode 133 of the emission area. The organic light emitting structure 155 may have a multilayer structure including an organic emission layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. The organic light emitting structure 155 contacts the first electrode 133 and the pixel defining layer 130 in the emission area. Accordingly, the side of the organic light emitting structure 155 may also have an inclination angle that is substantially the same as or substantially similar to that of the sidewall of the inclination structure 120.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 영역에 위치하는 제1 전극(133)이 복수의 돌출부(134)들을 구비하기 때문에, 유기 발광 구조물(155)에는 돌출부(134)들에 대응하는 복수의 리세스들, 그루브(groove)들 또는 덴트(dent)들이 형성된다. 즉, 유기 발광 구조물(155)의 하부에는 돌출부(134)들에 실질적으로 대응되는 형상을 가지는 리세스들, 그루브들 또는 덴트들이 형성된다. 유기 발광 구조물(155)은 제1 전극(133)의 돌출부(134)들에 의해 부분적으로 복수의 발광 부분들로 구획될 수 있다.In example embodiments, since the first electrode 133 positioned in the emission region includes a plurality of protrusions 134, the organic light emitting structure 155 may include a plurality of recesses corresponding to the protrusions 134. Seths, grooves or dents are formed. That is, recesses, grooves, or dents having a shape substantially corresponding to the protrusions 134 are formed under the organic light emitting structure 155. The organic light emitting structure 155 may be partially partitioned into a plurality of light emitting portions by the protrusions 134 of the first electrode 133.

다시 도 13을 참조하면, 제2 전극(140)을 유기 발광 구조물(155)과 화소 정의막(130) 상에 형성한다. 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 방식에 따라 제2 전극(140)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 제2 전극(140)도 상기 발광 영역에서 경사 구조(120) 측벽의 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.Referring to FIG. 13 again, the second electrode 140 is formed on the organic light emitting structure 155 and the pixel defining layer 130. The second electrode 140 may include a transparent conductive material according to the light emitting method of the organic light emitting diode display. The second electrode 140 may also have an inclination angle that is substantially the same as or substantially similar to that of the sidewall of the inclined structure 120 in the emission region.

제2 전극(140) 상에는 제2 보호막(145)이 형성된다. 제2 보호막(145)은 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 형성될 수 있다. 제2 보호막(145)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 제2 보호막(145) 상에는 제2 기판(150)이 제공된다. 제2 기판(150)은 유리, 투명 플라스틱, 투명 세라믹 등과 같은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 제2 보호막(145)과 제2 기판(150) 사이의 공간(148)은 공기 혹은 질소와 같은 불활성 기체 등으로 채워질 수 있으며, 광 투과성과 흡습성을 가지는 수지로 채워질 수도 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 추가적인 충진 물질에 따라 제2 전극(140)과 제2 기판(150) 사이에 제2 보호막(145)이 형성되지 않을 수도 있다.The second passivation layer 145 is formed on the second electrode 140. The second passivation layer 145 may be formed from the light emitting area to the non-light emitting area. The second passivation layer 145 may be formed using an organic material, an inorganic material, or the like. The second substrate 150 is provided on the second passivation layer 145. The second substrate 150 may include a transparent insulating substrate such as glass, transparent plastic, transparent ceramic, or the like. The space 148 between the second passivation layer 145 and the second substrate 150 may be filled with inert gas such as air or nitrogen, or may be filled with a resin having light transmittance and hygroscopicity. According to other exemplary embodiments, the second passivation layer 145 may not be formed between the second electrode 140 and the second substrate 150 according to the additional filling material.

도 14 내지 도 19는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 14 내지 도 19에 있어서, 스위칭 소자, 경사 구조를 갖는 절연층 등을 제외하면 도 5 내지 도 11을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예시적으로 설명하지만, 도 14 내지 도 19에 도시한 제조 방법은 스위칭 소자, 보호막(들), 절연층, 전극들, 유기 발광 구조물 등이 다양한 구조로 배치된 구성을 가지는 다른 유기 발광 표시 장치들에도 적용 가능함을 이해할 수 있을 것이다.14 to 19 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to still another exemplary embodiment of the present invention. 14 to 19 of the organic light emitting diode display having a configuration substantially the same as or similar to that of the organic light emitting diode display described with reference to FIGS. Although the manufacturing method is exemplarily described, the manufacturing method shown in FIGS. 14 to 19 has a structure in which the switching element, the protective film (s), the insulating layer, the electrodes, the organic light emitting structure, and the like are arranged in various structures. It will be appreciated that it is also applicable to display devices.

도 14를 참조하면, 제1 기판(200) 상에 버퍼층(205)을 형성한 후, 버퍼층(205) 상에 게이트 전극(210)을 형성한다. 버퍼층(205)은 실리콘 화합물을 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 공정 등으로 제1 기판(200) 상에 도포하여 수득될 수 있다.Referring to FIG. 14, after forming the buffer layer 205 on the first substrate 200, the gate electrode 210 is formed on the buffer layer 205. The buffer layer 205 may be obtained by applying a silicon compound on the first substrate 200 by a chemical vapor deposition process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, a spin coating process, a high density plasma chemical vapor deposition process, or the like.

게이트 전극(210)은 금속, 합금, 금속 화합물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있으며, 버퍼층(205)의 일측에는 게이트 전극(210)에 연결되는 게이트 라인(도시되지 않음)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(210)과 상기 게이트 라인은 버퍼층(205) 상에 제1 도전층(도시되지 않음)을 형성한 후, 이러한 제1 도전층을 부분적으로 식각하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따라, 제1 기판(200) 상에 버퍼층(205)이 제공되지 않을 경우에는, 게이트 전극(210)과 상기 게이트 라인은 제1 기판(200) 상에 직접 형성될 수도 있다.The gate electrode 210 may be formed using a metal, an alloy, a metal compound, a transparent conductive material, or the like, and a gate line (not shown) connected to the gate electrode 210 may be formed at one side of the buffer layer 205. Can be. The gate electrode 210 and the gate line may be formed by partially etching the first conductive layer after forming a first conductive layer (not shown) on the buffer layer 205. According to other exemplary embodiments, when the buffer layer 205 is not provided on the first substrate 200, the gate electrode 210 and the gate line may be directly formed on the first substrate 200. have.

도 15를 참조하면, 버퍼층(205) 상에 게이트 전극(210)을 덮는 게이트 절연막(215)을 형성한다. 게이트 절연막(215)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정, 열산화 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정, 스핀 코팅 공정 등으로 버퍼층(205) 상에 도포하여 수득될 수 있다.Referring to FIG. 15, a gate insulating layer 215 covering the gate electrode 210 is formed on the buffer layer 205. The gate insulating film 215 may be formed by sputtering a silicon oxide or a metal oxide, a chemical vapor deposition process, a printing process, a thermal oxidation process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, a high density plasma-chemical vapor deposition process, a vacuum deposition process, a spin coating process. It can be obtained by applying on the buffer layer 205 or the like.

게이트 절연막(215)은 게이트 전극(210)의 프로파일을 따라 버퍼층(205) 상에 실질적으로 균일하게 형성될 수 있다. 이 경우, 게이트 절연막(215)은 게이트 전극(210)에 인접하는 단차부를 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 절연막(215)은 게이트 전극(210)을 충분하게 덮으면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와 같은 게이트 절연막(215)의 평탄한 상면을 확보하기 위하여, 게이트 절연막(215)에 대해 화학 기계적 연마 공정 및/또는 에치 백 공정을 포함하는 평탄화 공정을 수행할 수 있다.The gate insulating layer 215 may be formed substantially uniformly on the buffer layer 205 along the profile of the gate electrode 210. In this case, the gate insulating layer 215 may have a stepped portion adjacent to the gate electrode 210. According to other exemplary embodiments, the gate insulating layer 215 may have a substantially flat upper surface while sufficiently covering the gate electrode 210. In order to secure the flat upper surface of the gate insulating layer 215, a planarization process including a chemical mechanical polishing process and / or an etch back process may be performed on the gate insulating layer 215.

도 16을 참조하면, 게이트 절연막(215) 상에 소스 전극(220)과 드레인 전극(225)을 형성한다. 소스 및 드레인 전극(220, 225)은 각기 금속, 합금, 금속 화합물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 게이트 절연막(215)의 일측 상에는 소스 전극(220)에 연결되는 데이터 라인(도시되지 않음)이 형성된다. 상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인에 대하여 실질적으로 직교하는 방향을 따라 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(215) 상에 제2 도전층(도시되지 않음)을 형성한 다음, 상기 제2 도전층을 부분적으로 식각하여 상기 데이터 라인과 소스 및 드레인 전극(220, 225)을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 제2 도전층은 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 프린팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 16, a source electrode 220 and a drain electrode 225 are formed on the gate insulating layer 215. The source and drain electrodes 220 and 225 may be formed using metals, alloys, metal compounds, transparent conductive materials, and the like, respectively. A data line (not shown) connected to the source electrode 220 is formed on one side of the gate insulating layer 215. The data line may extend in a direction substantially perpendicular to the gate line. In example embodiments, a second conductive layer (not shown) is formed on the gate insulating layer 215, and then the second conductive layer is partially etched to form the data line, the source and drain electrodes 220. 225 may be formed. The second conductive layer may be formed using a sputtering process, a vacuum deposition process, a printing process, a chemical vapor deposition process, an atomic layer deposition process, or the like.

소스 및 드레인 전극(220, 225)은 게이트 전극(210)을 중심으로 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 게이트 절연막(215)이 단차부를 가질 경우, 소스 및 드레인 전극(220, 225)도 각기 게이트 절연막(215)의 단차부에 기인하는 단차부를 포함할 수 있다. 이 때, 소스 및 드레인 전극(220, 225)의 단차부들은 각기 게이트 전극(210)의 양측부에 인접하여 형성될 수 있다. 소스 및 드레인 전극(220, 225)이 형성되면, 아래에 게이트 전극(210)이 위치하는 부분의 게이트 절연막(215)이 노출된다.The source and drain electrodes 220 and 225 may be spaced apart from each other at predetermined intervals with respect to the gate electrode 210. When the gate insulating layer 215 has a stepped portion, the source and drain electrodes 220 and 225 may each include a stepped portion due to the stepped portion of the gate insulating layer 215. In this case, the stepped portions of the source and drain electrodes 220 and 225 may be formed adjacent to both sides of the gate electrode 210, respectively. When the source and drain electrodes 220 and 225 are formed, the gate insulating layer 215 of the portion where the gate electrode 210 is positioned is exposed.

소스 전극(220), 노출된 게이트 절연막(215) 및 드레인 전극(225) 상에 액티브 패턴(230)이 형성된다. 액티브 패턴(230)은 반도체 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 액티브 패턴(230)은 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 갈륨 아연 산화물(GaZnxOy), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연 마그네슘 산화물(ZnMgxOy), 아연 주석 산화물(ZnSnxOy), 아연 지르코늄 산화물(ZnZrxOy), 아연 산화물(ZnOx), 갈륨 산화물(GaOx), 티타늄 산화물(TiOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 인듐-갈륨-하프늄 산화물(IGHO), 주석-알루미늄-아연 산화물(TAZO), 인듐-갈륨-주석 산화물(IGSO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.The active pattern 230 is formed on the source electrode 220, the exposed gate insulating layer 215, and the drain electrode 225. The active pattern 230 may include a semiconductor oxide. For example, the active pattern 230 may be indium-gallium-zinc oxide (IGZO), gallium zinc oxide (GaZnxOy), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc magnesium oxide (ZnMgxOy), or zinc tin. Oxide (ZnSnxOy), Zinc Zirconium Oxide (ZnZrxOy), Zinc Oxide (ZnOx), Gallium Oxide (GaOx), Titanium Oxide (TiOx), Tin Oxide (SnOx), Indium Oxide (InOx), Indium-Gallium-Hafnium Oxide (IGHO ), Tin-aluminum-zinc oxide (TAZO), indium-gallium-tin oxide (IGSO), and the like. These may be used alone or in combination with each other.

예시적인 실시예들에 따르면, 소스 및 드레인 전극(220, 225)과 게이트 절연막(215) 상에 액티브층(도시되지 않음)을 형성한 후, 이와 같은 액티브층을 패터닝하여 액티브 패턴(230)을 수득할 수 있다. 상기 액티브층은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정, 스프레이 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층 공정, 졸-겔 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.In example embodiments, an active layer (not shown) is formed on the source and drain electrodes 220 and 225 and the gate insulating layer 215, and then the active layer 230 is patterned to form the active pattern 230. Can be obtained. The active layer may be formed using a sputtering process, a chemical vapor deposition process, a printing process, a spray process, a vacuum deposition process, an atomic layer deposition process, a sol-gel process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, or the like.

액티브 패턴(230)이 형성됨에 따라, 제1 기판(200) 상에는 게이트 전극(210), 게이트 절연막(215), 소스 전극(220), 드레인 전극(225) 및 액티브 패턴(230)을 포함하는 산화물 반도체 소자가 상기 유기 발광 표시 장치의 스위칭 소자로서 제공될 수 있다.As the active pattern 230 is formed, an oxide including a gate electrode 210, a gate insulating layer 215, a source electrode 220, a drain electrode 225, and an active pattern 230 on the first substrate 200. A semiconductor device may be provided as a switching device of the organic light emitting display device.

도 17을 참조하면, 게이트 절연막(215) 상에 액티브 패턴(230)과 소스 및 드레인 전극(220, 225)을 덮는 제1 보호막(235)을 형성한다. 제1 보호막(235)은 액티브 패턴(230)을 충분하게 커버하는 두께를 가질 수 있다. 제1 보호막(235)은 유기 물질, 무기 물질 등을 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등으로 게이트 절연막(215) 상에 도포하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 후속하여 형성되는 절연층(245)의 구성 물질, 치수 등에 따라 제1 보호막(235)이 형성되지 않을 수도 있다.Referring to FIG. 17, a first passivation layer 235 is formed on the gate insulating layer 215 to cover the active pattern 230 and the source and drain electrodes 220 and 225. The first passivation layer 235 may have a thickness sufficiently covering the active pattern 230. The first passivation layer 235 may be formed of a spin coating process, a printing process, a sputtering process, a chemical vapor deposition process, an atomic layer deposition process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, a high density plasma-chemical vapor deposition process, and a vacuum. It may be formed by applying on the gate insulating film 215 by a deposition process or the like. In other example embodiments, the first passivation layer 235 may not be formed according to a material, a dimension, and the like of the subsequently formed insulating layer 245.

제1 보호막(235) 상에 절연층(245)을 형성한다. 절연층(245)은 2 이상의절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 절연층(110)의 절연막들은 각기 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 제1 및 제2 절연막(5, 15)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 절연층(245)의 절연막들은 각기 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 제1 및 제2 절연막(5, 15)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 통해 제1 보호막(235) 상에 형성될 수 있다.An insulating layer 245 is formed on the first passivation layer 235. The insulating layer 245 may be formed in a multilayer structure including two or more insulating layers. In this case, the insulating layers of the insulating layer 110 may be formed using materials substantially the same as or similar to those of the first and second insulating layers 5 and 15 described with reference to FIGS. 1 and 2, respectively. In addition, the insulating layers of the insulating layer 245 may be formed on the first passivation layer 235 through processes substantially the same as or substantially similar to those of the first and second insulating layers 5 and 15 described with reference to FIGS. 1 and 2, respectively. Can be formed.

절연층(245)에 측벽이 제5 경사각(θ3)을 갖는 경사 구조(255)를 형성한다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 보호막(235) 상에 제1 절연막(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 제1 절연막에 소정의 간격으로 이격되는 제1 리세스들(도시되지 않음)을 형성한다. 이 때, 인접하는 제1 리세스들 사이의 거리는 후속하여 형성되는 돌출된 형태의 경사 구조(255)의 폭과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사하다. 상기 제1 절연막 상에 상기 제1 리세스들을 개재하여 제2 절연막을 형성한 다음, 상기 제1 리세스들 상부에 위치하는 상기 제2 절연막을 부분적으로 식각한다. 이에 따라, 상기 제2 절연막에는 상기 제1 리세스들에 연통되는 제2 리세스들이 형성된다. 다음에, 상기 제1 및 제2 절연막을 리플로우시킴으로써, 절연층(245)에 돌출되는 형태의 경사 구조(255)를 형성한다. 여기서, 경사 구조(255)는 상기 제1 및 제2 리세스들로부터 형성되는 인접하는 리세스들 사이에 위치한다. 예를 들면, 2개의 인접하는 리세스들 사이에 돌출되는 경사 구조(255)가 위치할 수 있다. 경사 구조(255)의 제5 경사각(θ3)은 인접하는 리세스들의 측벽 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사하다. 예를 들면, 돌출된 형상의 경사 구조(255)는 제5 경사각(θ3)은 제1 기판(200)에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 약 20°내지 약 70°정도가 될 수 있다.An inclined structure 255 having sidewalls having a fifth inclination angle θ3 is formed on the insulating layer 245. In example embodiments, after forming a first insulating layer (not shown) on the first passivation layer 235, first recesses (not shown) spaced apart from the first insulating layer by a predetermined interval. To form. At this time, the distance between the adjacent first recesses is substantially the same or substantially similar to the width of the subsequently formed protruding inclined structure 255. A second insulating layer is formed on the first insulating layer through the first recesses, and then the second insulating layer positioned on the first recesses is partially etched. Accordingly, second recesses are formed in the second insulating layer to communicate with the first recesses. Next, by reflowing the first and second insulating films, an inclined structure 255 protruding from the insulating layer 245 is formed. Here, the inclined structure 255 is located between adjacent recesses formed from the first and second recesses. For example, an inclined structure 255 may be located that protrudes between two adjacent recesses. The fifth inclination angle θ3 of the inclined structure 255 is substantially the same as or substantially similar to the inclination angle of the sidewalls of adjacent recesses. For example, in the protruding inclined structure 255, the fifth inclination angle θ3 may be about 20 ° to about 70 ° with respect to a direction substantially parallel to the first substrate 200.

다시 도 17을 참조하면, 절연층(245)과 제1 보호층(215)을 관통하여 드레인 전극(225)을 부분적으로 노출시키는 홀(250)이 형성된다. 이러한 홀(250)은 절연층(245)에 돌출된 경사 구조(255)를 형성하는 공정 동안 형성될 수 있지만, 절연층(245)에 돌출된 경사 구조(255)를 형성한 후에도 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 17 again, a hole 250 is formed through the insulating layer 245 and the first protective layer 215 to partially expose the drain electrode 225. The hole 250 may be formed during the process of forming the inclined structure 255 protruding in the insulating layer 245, but may be formed even after the protruding inclined structure 255 is formed in the insulating layer 245. .

예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(245)의 경사 구조(255) 측벽의 제5 경사각(θ3)은 도 4를 참조하여 설명한 경사 구조(25)의 측벽의 제3 경사각(θ1)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사할 수 있다. 절연층(245)의 경사 구조(255)가 도 17에 예시한 바와 같이 돌출된 형상을 가질 경우, 절연층(245)을 포함하는 상기 유기 발광 표시 장치는 배면 발광 방식을 가질 수 있다.In example embodiments, the fifth inclination angle θ3 of the sidewall of the inclined structure 255 of the insulating layer 245 may be substantially the same as the third inclination angle θ1 of the sidewall of the inclined structure 25 described with reference to FIG. 4. May be identical or substantially similar. When the inclined structure 255 of the insulating layer 245 has a protruding shape as illustrated in FIG. 17, the organic light emitting diode display including the insulating layer 245 may have a bottom emission method.

도 18을 참조하면, 상술한 바와 같이 돌출된 형상의 경사 구조(255)를 갖는 절연층(245) 상에 홀(250)을 채우는 제1 전극(260)을 형성한다. 제1 전극(260)은 드레인 전극(225)에 접촉되며, 돌출된 경사 구조(255)의 양측벽들과 상면 상에 배치된다. 제1 전극(260)이 돌출된 경사 구조(255)를 커버하기 때문에, 제1 전극(260)의 양측부도 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 경사 구조(255)의 양측벽들 상에 위치하는 제1 전극(260)의 양측부의 경사각은 각기 약 20°내지 약 70°정도가 될 수 있다.Referring to FIG. 18, the first electrode 260 filling the hole 250 is formed on the insulating layer 245 having the inclined structure 255 having the protruding shape as described above. The first electrode 260 contacts the drain electrode 225 and is disposed on both sidewalls and the top surface of the protruding inclined structure 255. Since the first electrode 260 covers the protruding inclined structure 255, both sides of the first electrode 260 may also have an inclination angle that is substantially the same as or substantially similar to the fifth inclination angle θ3. For example, the inclination angles of both sides of the first electrode 260 positioned on both sidewalls of the inclined structure 255 may be about 20 degrees to about 70 degrees, respectively.

절연층(245)과 제1 전극(260) 상에는 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막(265)이 형성된다. 화소 정의막(265)은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 화소 정의막(265)은 상기 비발광 영역으로부터 상기 발광 영역에 위치하는 경사 구조(255)의 측벽들의 상부까지 연장될 수 있다. 즉, 화소 정의막(265)은 경사 구조(255)의 상면 상에는 위치하지 않는다. 경사 구조(255)의 측벽들 상에 위치하는 제1 전극(260) 상에도 화소 정의막(265)이 형성되기 때문에, 화소 정의막(265)의 측부들도 경사 구조(255)의 측벽들 상에서 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.The pixel defining layer 265 is formed on the insulating layer 245 and the first electrode 260 to define a light emitting area and a non-light emitting area of the organic light emitting diode display. The pixel defining layer 265 may be formed using an organic material or an inorganic material. The pixel defining layer 265 may extend from the non-emission area to the upper sidewalls of the inclined structure 255 positioned in the emission area. That is, the pixel defining layer 265 is not positioned on the top surface of the inclined structure 255. Since the pixel defining layer 265 is also formed on the first electrode 260 positioned on the sidewalls of the inclined structure 255, the sides of the pixel defining layer 265 are also formed on the sidewalls of the inclined structure 255. The inclination angle may be substantially the same as or substantially similar to the fifth inclination angle θ3.

화소 정의막(265)의 일부와 제1 전극(260) 상에는 유기 발광 구조물(270)이 형성된다. 유기 발광 구조물(270)은 유기 발광층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 유기 발광 구조물(270)은 다양한 색광을 발생시킬 수 있는 발광 물질로 구성될 수 있지만, 이러한 발광 물질들이 적층된 구성을 가질 수도 있다.An organic light emitting structure 270 is formed on a portion of the pixel defining layer 265 and the first electrode 260. The organic light emitting structure 270 may have a multilayer structure including an organic light emitting layer. The organic light emitting structure 270 may be formed of a light emitting material capable of generating various color lights, but may have a stacked structure.

예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(270)은 상기 발광 영역에만 배치될 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 구조물(270)은 경사 구조(255)의 상면과 화소 정의막(265)의 일부 상에 형성될 수 있다. 따라서, 유기 발광 구조물(270)의 측부는 상대적으로 큰 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 구조물(270)의 측벽은 제1 기판(200)에 실질적으로 수평한 축선에 대하여 약 40°내지 약 90°정도의 경사각을 가질 수 있다. 그 결과, 돌출된 경사 구조(255)의 측벽, 제1 전극(260)의 측부 및 화소 정의막(265)의 측부의 경사각들에 대한 유기 발광 구조물(270)의 측부의 경사각의 비율은 약 1.0: 0.2 내지 약 1.0: 1.8 정도가 될 수 있다.In example embodiments, the organic light emitting structure 270 may be disposed only in the light emitting area. For example, the organic light emitting structure 270 may be formed on an upper surface of the inclined structure 255 and a part of the pixel defining layer 265. Thus, the side of the organic light emitting structure 270 may have a relatively large inclination angle. For example, the sidewalls of the organic light emitting structure 270 may have an inclination angle of about 40 ° to about 90 ° with respect to an axis substantially horizontal to the first substrate 200. As a result, the ratio of the inclination angle of the side of the organic light emitting structure 270 to the inclination angles of the sidewall of the protruding inclined structure 255, the side of the first electrode 260 and the side of the pixel defining layer 265 is about 1.0 : From 0.2 to about 1.0: 1.8.

도 19를 참조하면, 화소 정의막(265)과 유기 발광 구조물(270) 상에 제2 전극(275)을 형성한다. 상기 유기 발광 표시 장치가 배면 발광 방식을 가질 경우, 제2 전극(275)은 반사성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 유기 발광 구조물(270)의 구조에 따라 제2 전극(275)은 화소 정의막(265)과 유기 발광 구조물(270) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 전극(275) 중에서 돌출된 경사 구조(255)의 측벽에 인접하는 부분은 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.Referring to FIG. 19, a second electrode 275 is formed on the pixel defining layer 265 and the organic light emitting structure 270. When the organic light emitting diode display has a bottom emission method, the second electrode 275 may be formed using a reflective material. According to the structure of the organic light emitting structure 270, the second electrode 275 may be formed to have a substantially uniform thickness on the pixel defining layer 265 and the organic light emitting structure 270. In this case, a portion of the second electrode 275 adjacent to the sidewall of the protruding inclined structure 255 may have an inclination angle substantially the same as or substantially similar to the fifth inclination angle θ3.

제2 전극(275) 상에는 제2 보호막(280)이 형성된다. 제2 보호막(280)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 연장될 수 있다. 제2 보호막(280) 상에는 투명 절연 기판인 제2 기판(290)이 배치된다. 이 경우, 상기 비발광 영역에서 제2 보호막(280)과 제2 기판(290) 사이에는 소정의 공간(285)이 제공될 수 있다. 이와 같은 공간(285)에는 공기 혹은 질소와 같은 불활성 기체 등이 채워질 수 있으며, 광 투과성과 흡습성을 갖는 수지가 충진될 수도 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 추가적인 충진 물질의 존재에 따라 제2 전극(275)과 제2 기판(290) 사이에 제2 보호막(280)이 제공되지 않을 수도 있다.The second passivation layer 280 is formed on the second electrode 275. The second passivation layer 280 may be formed using an organic material, an inorganic material, or the like, and may extend from the light emitting area to the non-light emitting area. The second substrate 290, which is a transparent insulating substrate, is disposed on the second passivation layer 280. In this case, a predetermined space 285 may be provided between the second passivation layer 280 and the second substrate 290 in the non-light emitting area. The space 285 may be filled with an inert gas such as air or nitrogen, and may be filled with a resin having light transmittance and hygroscopicity. In other exemplary embodiments, the second passivation layer 280 may not be provided between the second electrode 275 and the second substrate 290 depending on the presence of the additional filling material.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 전극(260), 화소 정의막(265) 및 제2 전극(275)의 측부들이 각기 돌출된 형상을 갖는 경사 구조(255) 인하여 유기 발광 구조물(270)로부터 발생되는 광의 전반사를 방지할 수 있는 원하는 경사각을 가지기 때문에, 상기 유기 발광 표시 장치의 광 효율을 크게 향상시킬 수 있다.According to exemplary embodiments of the present invention, the organic light emitting structure may be formed due to the inclined structure 255 in which the sides of the first electrode 260, the pixel defining layer 265, and the second electrode 275 each protrude. Since it has a desired inclination angle that can prevent total reflection of light generated from the light source 270, the light efficiency of the organic light emitting diode display can be greatly improved.

도 20 및 도 21은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 12 내지 도 13에 있어서, 절연층, 제1 전극, 유기 발광 구조물 등을 제외하면 도 5 내지 도 11을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예시적으로 설명하지만, 도 12 및 도 13에 도시한 제조 방법은 스위칭 소자, 보호층(들), 전극들, 유기 발광 구조물 등이 다양한 구조로 배치된 구성을 가지는 다른 유기 발광 표시 장치들에도 적용 가능함을 이해할 수 있을 것이다.20 and 21 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to still another exemplary embodiment of the present invention. 12 to 13, except for an insulating layer, a first electrode, an organic light emitting structure, and the like, the organic light emitting diode display may have a structure substantially the same as or similar to that of the organic light emitting diode display described with reference to FIGS. 5 to 11. Although the manufacturing method of FIG. 12 and FIG. 13 is exemplarily described, another organic light emitting display having a configuration in which switching elements, protective layer (s), electrodes, organic light emitting structures, and the like are arranged in various structures is described. It will be appreciated that it is also applicable to devices.

도 20을 참조하면, 도 14 내지 도 17을 참조하여 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 수행하여, 제1 기판(200) 상에 스위칭 소자, 제1 보호막(235) 및 경사 구조(255)을 갖는 절연층(245)을 형성한다.Referring to FIG. 20, the switching element, the first passivation layer 235, and the inclined structure on the first substrate 200 may be performed by performing processes substantially the same as or similar to those described with reference to FIGS. 14 to 17. An insulating layer 245 having 255 is formed.

도 20에 도시한 바와 같이, 절연층(245)에 도 12를 참조하여 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 수행함으로써, 돌출된 경사 구조(255)에 복수의 돌기(258)들을 형성한다. 따라서, 절연층(245)은 복수의 돌기(258)들을 포함하며, 절연층(245)에는 양측벽들이 각기 제5 경사각(θ3)을 가지는 경사 구조(255)가 제공된다.As shown in FIG. 20, the plurality of protrusions 258 are formed on the protruding inclined structure 255 by performing the processes substantially the same as or substantially similar to those described with reference to FIG. 12. Form. Accordingly, the insulating layer 245 includes a plurality of protrusions 258, and the insulating layer 245 is provided with an inclined structure 255 having both side walls each having a fifth inclination angle θ3.

제1 전극(300)은 절연층(245)과 제1 보호막(235)을 관통하는 홀을 채우며 절연층(245)과 경사 구조(245) 상에 형성된다. 제1 전극(300)의 측부들도 돌출된 경사 구조(245)의 양측벽들 상에서 각기 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가진다. 또한, 제1 전극(300)에는 절연층(245)의 돌기(258)들에 기인하는 복수의 돌출부(303)들이 형성된다.The first electrode 300 fills a hole passing through the insulating layer 245 and the first passivation layer 235 and is formed on the insulating layer 245 and the inclined structure 245. Sides of the first electrode 300 also have inclination angles substantially the same as or substantially similar to the fifth inclination angle θ3 on both side walls of the protruding inclined structure 245. In addition, a plurality of protrusions 303 may be formed in the first electrode 300 due to the protrusions 258 of the insulating layer 245.

제1 전극(300)과 절연층(245) 상에는 발광 영역과 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막(265)이 형성된다. 화소 정의막(265)은 상기 비발광 영역으로부터 상기 발광 영역에 위치하는 경사 구조(255)의 양측벽들 상으로 연장될 수 있다. 돌출된 경사 구조(255)의 양측벽들 상에 위치하는 제1 전극(300) 상에도 화소 정의막(265)이 위치하기 때문에, 화소 정의막(265)의 측부들도 경사 구조(255)의 양측벽들 상에서 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가진다.The pixel defining layer 265 defining the emission area and the non-emission area is formed on the first electrode 300 and the insulating layer 245. The pixel defining layer 265 may extend from both the non-emission region and on both sidewalls of the inclined structure 255 positioned in the emission region. Since the pixel defining layer 265 is also positioned on the first electrode 300 positioned on both sidewalls of the protruding inclined structure 255, the sides of the pixel defining layer 265 also have the inclined structure 255. It has an inclination angle substantially equal to or substantially similar to the fifth inclination angle θ3 on both side walls.

제1 전극(300)과 화소 정의막(265)의 일부 상에는 유기 발광 구조물(315)이 형성된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(315)은 돌출된 경사 구조(255)의 상면과 화소 정의막(265)의 일부 상에만 형성된다. 따라서, 유기 발광 구조물(315)의 양측부들은 각기 상대적으로 큰 경사각을 가질 수 있다. 유기 발광 구조물(315)이 돌출부(303)들을 갖는 제1 전극(300) 상에 형성될 경우, 유기 발광 구조물(315)에는 돌출부(303)들에 대응하는 복수의 리세스들 또는 그루브들이 형성된다. 이와 같은 리세스들 또는 그루브들에 따라 유기 발광 구조물(315)은 복수의 부분들로 구분될 수도 있다.An organic light emitting structure 315 is formed on a portion of the first electrode 300 and the pixel defining layer 265. In example embodiments, the organic light emitting structure 315 may be formed only on an upper surface of the protruding inclined structure 255 and a part of the pixel defining layer 265. Accordingly, both sides of the organic light emitting structure 315 may have relatively large inclination angles. When the organic light emitting structure 315 is formed on the first electrode 300 having the protrusions 303, the organic light emitting structure 315 is formed with a plurality of recesses or grooves corresponding to the protrusions 303. . According to the recesses or grooves, the organic light emitting structure 315 may be divided into a plurality of portions.

도 21을 참조하면, 화소 정의막(265)과 유기 발광 구조물(315) 상에 제2 전극(275)을 형성한다. 유기 발광 표시 장치가 배면 발광 방식을 가질 경우, 제2 전극(275)은 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 제2 전극(275)은 유기 발광 구조물(315)의 프로파일을 따라 화소 정의막(265)과 유기 발광 구조물(315) 상에 균일한 두께로 형성될 수 있다. 또한, 경사 구조(255)의 측벽에 인접하는 제2 전극(275)의 일부는 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.Referring to FIG. 21, a second electrode 275 is formed on the pixel defining layer 265 and the organic light emitting structure 315. When the OLED display has a bottom emission method, the second electrode 275 may include a reflective material. The second electrode 275 may be formed to have a uniform thickness on the pixel defining layer 265 and the organic light emitting structure 315 along the profile of the organic light emitting structure 315. In addition, a portion of the second electrode 275 adjacent to the sidewall of the inclined structure 255 may have an inclination angle that is substantially the same as or substantially similar to the fifth inclination angle θ3.

제2 전극(275) 상에는 제2 보호막(280)이 형성된다. 제2 보호막(280)은 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 배치될 수 있다. 제2 보호막(280) 상에는 제2 기판(290)이 배치된다. 이 때, 상기 비발광 영역에서 제2 보호막(280)과 제2 기판(290) 사이에는 소정의 공간(285)이 마련될 수 있다. 그러나, 추가적인 충진 물질의 존재에 따라 제2 전극(275)과 제2 기판(290) 사이에는 제2 보호막(280)이 형성되지 않을 수 있다.The second passivation layer 280 is formed on the second electrode 275. The second passivation layer 280 may be disposed in the emission area and the non-emission area. The second substrate 290 is disposed on the second passivation layer 280. In this case, a predetermined space 285 may be provided between the second passivation layer 280 and the second substrate 290 in the non-light emitting area. However, the second passivation layer 280 may not be formed between the second electrode 275 and the second substrate 290 according to the presence of the additional filling material.

도 22 내지 도 24는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 22 내지 도 24에 있어서, 절연층, 제1 전극, 화소 정의막, 유기 발광 구조물 등을 제외하면 도 5 내지 도 11을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예시적으로 설명하지만, 도 22 내지 도 24에 도시한 제조 방법은 스위칭 소자, 보호막(들), 전극들, 절연층(들), 유기 발광 구조물 등이 다양한 구조로 배치된 구성을 가지는 다른 유기 발광 표시 장치들에도 적용 가능함을 이해할 수 있을 것이다.22 to 24 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to still another exemplary embodiment of the present invention. 22 to 24, except for an insulating layer, a first electrode, a pixel defining layer, and an organic light emitting structure, the organic light emitting diode display may have a structure substantially the same as or similar to that of the organic light emitting diode display described with reference to FIGS. 5 through 11. A manufacturing method of the organic light emitting diode display will be exemplarily described, but the manufacturing method illustrated in FIGS. 22 to 24 may have various structures including a switching element, a protective film (s), electrodes, insulating layer (s), and an organic light emitting structure. It will be appreciated that the present invention can be applied to other organic light emitting display devices having the arranged configuration.

도 22를 참조하면, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 수행하여 제1 기판(350) 상에 버퍼층(355), 스위칭 소자, 제1 보호막(395) 등을 형성한다. 여기서, 상기 스위칭 소자는 반도체 패턴, 게이트 절연막(360), 게이트 전극(363), 층간 절연막(380), 소스 전극(385), 드레인 전극(390) 등을 포함한다. 상기 스위칭 소자의 반도체 패턴은 소스 영역(365), 드레인 영역(370) 및 채널 영역(375)으로 구분될 수 있다.Referring to FIG. 22, the buffer layer 355, the switching element, and the first passivation layer 395 are formed on the first substrate 350 by performing processes substantially the same as or similar to those described with reference to FIGS. 7 and 8. ) And the like. The switching element may include a semiconductor pattern, a gate insulating layer 360, a gate electrode 363, an interlayer insulating layer 380, a source electrode 385, a drain electrode 390, and the like. The semiconductor pattern of the switching device may be divided into a source region 365, a drain region 370, and a channel region 375.

제1 보호막(395) 상에는 돌출된 경사 구조(405)를 포함하는 절연층(400)이 형성된다. 또한, 절연층(400)에는 드레인 전극(390)을 부분적으로 노출시키는 홀이 형성된다. 절연층(400)은 적어도 2 이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다. 절연층(400)의 절연막들은 각기 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 제1 및 제2 절연막(5, 15)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 절연층(400)의 절연막들은 각기 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 제1 및 제2 절연막(5, 15)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 통해 제1 보호막(395) 상에 형성될 수 있다.An insulating layer 400 including a protruding inclined structure 405 is formed on the first passivation layer 395. In addition, a hole for partially exposing the drain electrode 390 is formed in the insulating layer 400. The insulating layer 400 may be formed in a multilayer structure including at least two insulating films. The insulating layers of the insulating layer 400 may be formed using a material substantially the same as or substantially similar to the first and second insulating layers 5 and 15 described with reference to FIGS. 1 and 2, respectively. In addition, the insulating layers of the insulating layer 400 are formed on the first passivation layer 395 through processes substantially the same as or substantially similar to those of the first and second insulating layers 5 and 15 described with reference to FIGS. 1 and 2, respectively. Can be formed.

예시적인 실시예들에 따르면, 제1 보호막(395) 상에 제1 절연막(도시되지 않음)과 제2 절연막(도시되지 않음)을 형성한다. 여기서, 상기 제1 및 제2 절연막들은 각기 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 상기 제2 절연막에 소정의 간격으로 이격되는 제1 리세스들(도시되지 않음)을 형성한다. 이 경우, 인접하는 제1 리세스들 사이의 거리는 후속하여 형성되는 돌출된 형태의 경사 구조(405)의 폭과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사하다. 상기 제2 절연막 상에 상기 제1 리세스들을 개재하여 제3 절연막을 형성한 후, 상기 제1 리세스들 상부에 위치하는 상기 제3 절연막을 부분적으로 제거한다. 따라서, 상기 제3 절연막에는 상기 제1 리세스들에 연통되는 제2 리세스들이 형성된다. 이후에, 상기 제2 및 제3 절연막을 리플로우시켜, 절연층(400)에 돌출된 형상의 경사 구조(405)를 형성한다. 돌출된 경사 구조(405)는 인접하는 제1 리세스들 사이 또는 인접하는 제2 리세스들 사이에 형성된다. 절연층(400)의 경사 구조(405)가 돌출된 형상을 가질 경우, 이러한 경사 구조(405)를 포함하는 상기 유기 발광 표시 장치는 배면 발광 방식을 가질 수 있다. 경사 구조(405)의 제5 경사각(θ3)은 인접하는 리세스들의 측벽 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사하다. 예를 들면, 돌출된 경사 구조(405)의 측벽은 제1 기판(350)에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 약 20°내지 약 70°정도의 제5 경사각(θ3)을 가질 수 있다.In example embodiments, a first insulating layer (not shown) and a second insulating layer (not shown) are formed on the first passivation layer 395. Here, the first and second insulating layers may each have a substantially flat upper surface. First recesses (not shown) are formed in the second insulating layer to be spaced apart at predetermined intervals. In this case, the distance between adjacent first recesses is substantially the same or substantially similar to the width of the subsequently formed protruding inclined structure 405. After the third insulating layer is formed on the second insulating layer through the first recesses, the third insulating layer positioned on the first recesses is partially removed. Thus, second recesses are formed in the third insulating layer to communicate with the first recesses. Thereafter, the second and third insulating layers are reflowed to form an inclined structure 405 protruding from the insulating layer 400. The protruding inclined structure 405 is formed between adjacent first recesses or between adjacent second recesses. When the inclined structure 405 of the insulating layer 400 has a protruding shape, the organic light emitting diode display including the inclined structure 405 may have a bottom emission method. The fifth inclination angle θ3 of the inclined structure 405 is substantially the same as or substantially similar to the inclination angle of the sidewalls of adjacent recesses. For example, the sidewall of the protruding inclined structure 405 may have a fifth inclination angle θ3 of about 20 ° to about 70 ° with respect to a direction substantially parallel to the first substrate 350.

돌출된 경사 구조(405)를 갖는 절연층(400) 상에 드레인 전극(390)을 부분적으로 노출시키는 홀을 채우면서 제1 전극(410)을 형성한다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 홀을 채우면서 절연층(400) 상에 경사 구조(405)를 커버하는 제1 전극층(도시되지 않음)을 형성한다. 상기 제1 전극층 상에 식각 마스크(도시되지 않음)를 형성한 후, 상기 식각 마스크를 이용하여 상기 제1 전극층을 패터닝함으로써, 인접하는 화소 영역들에서 서로 분리되는 제1 전극(410)들을 형성한다. 제1 전극(410)은 드레인 전극(390)에 접속되고, 절연층(400)의 돌출된 경사 구조(405)의 양측벽들과 상면 상에 배치된다. 제1 전극(410)이 돌출된 경사 구조(405) 상에 형성되기 때문에, 제1 전극(410)의 양측부도 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(410)의 양측부의 경사각은 각기 제1 기판(350)에 실질적으로 평행한 축선에 대하여 약 20°내지 약 70°정도가 될 수 있다.The first electrode 410 is formed on the insulating layer 400 having the protruding inclined structure 405 while filling a hole that partially exposes the drain electrode 390. In example embodiments, a first electrode layer (not shown) covering the inclined structure 405 is formed on the insulating layer 400 while filling the hole. After forming an etching mask (not shown) on the first electrode layer, the first electrode layer is patterned using the etching mask to form first electrodes 410 separated from each other in adjacent pixel regions. . The first electrode 410 is connected to the drain electrode 390 and is disposed on both sidewalls and the top surface of the protruding inclined structure 405 of the insulating layer 400. Since the first electrode 410 is formed on the protruding inclined structure 405, both sides of the first electrode 410 may also have an inclination angle that is substantially the same as or substantially similar to the fifth inclination angle θ3. For example, the inclination angles of both sides of the first electrode 410 may be about 20 ° to about 70 ° with respect to an axis substantially parallel to the first substrate 350, respectively.

도 23을 참조하면, 절연층(400)과 제1 전극(410) 상에 화소 정의막(415)을 형성하여 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역을 정의한다. 화소 정의막(415)은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 화소 정의막(415)은 상기 비발광 영역으로부터 상기 발광 영역에 위치하는 경사 구조(405)의 상부까지 연장될 수 있다.Referring to FIG. 23, a pixel defining layer 415 is formed on the insulating layer 400 and the first electrode 410 to define a light emitting area and a non-light emitting area of the organic light emitting diode display. The pixel defining layer 415 may be formed using an organic material or an inorganic material. The pixel defining layer 415 may extend from the non-emission area to an upper portion of the inclined structure 405 positioned in the emission area.

예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(415)은 상기 발광 영역에서 제1 전극(410)을 커버하도록 연장될 수 있다. 이 경우, 화소 정의막(415)에는 경사 구조(405)의 상면 상에 위치하는 제1 전극(410)을 노출시키는 개구가 형성된다. 화소 정의막(415)의 개구의 측벽은 상기 제5 경사각(θ3)과 다른 제6 경사각(θ4)을 가질 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(415)의 개구의 측벽의 제6 경사각(θ4)은 제1 기판(350)에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 약 110°내지 약 160°정도가 될 수 있다. 화소 정의막(415)의 개구에 의해 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역이 정의될 수 있다. 한편, 경사 구조(405)의 측벽들 상부에 위치하는 화소 정의막(415)의 측부들은 경사 구조(405)의 측벽들 상에서 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.In example embodiments, the pixel defining layer 415 may extend to cover the first electrode 410 in the emission area. In this case, an opening is formed in the pixel defining layer 415 to expose the first electrode 410 positioned on the top surface of the inclined structure 405. A sidewall of the opening of the pixel defining layer 415 may have a sixth inclination angle θ4 that is different from the fifth inclination angle θ3. For example, the sixth inclination angle θ4 of the sidewall of the opening of the pixel defining layer 415 may be about 110 ° to about 160 ° with respect to a direction substantially parallel to the first substrate 350. An emission region of the organic light emitting diode display may be defined by an opening of the pixel defining layer 415. On the other hand, the side portions of the pixel defining layer 415 positioned on the sidewalls of the inclined structure 405 may have an inclination angle substantially the same as or substantially similar to the fifth inclination angle θ3 on the sidewalls of the inclined structure 405. have.

유기 발광 구조물(420)은 화소 정의막(415)의 개구 내에서 제1 전극(410) 상에 형성된다. 예시적인 실시예들에 따르면, 유기 발광 구조물(420)은 화소 정의막(415)의 개구 내에 매립될 수 있다. 즉, 유기 발광 구조물(420)은 화소 정의막(415)의 개구를 완전히 채우면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 따라서, 유기 발광 구조물(420)의 측벽도 화소 정의막(415)의 개구의 제6 경사각(θ4)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 구조물(420)의 측벽은 제1 기판(350)에 실질적으로 평행한 축선에 대하여 약 110°내지 약 160°정도의 경사각을 가질 수 있다. 이에 따라, 돌출된 경사 구조(405)의 측벽, 제1 전극(410)의 측부 및 화소 정의막(415)의 측부의 경사각들에 대한 유기 발광 구조물(420)의 측부의 경사각의 비율은 약 1.0: 1.6 내지 약 1.0: 8.0 정도로 상대적으로 커질 수 있다. 유기 발광 구조물(420)은 각 화소마다 유기 발광층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 유기 발광 구조물(420)은 화소들에 따라 다양한 색광을 발생시킬 수 있는 발광 물질을 포함할 수 있지만, 이러한 다양한 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발생시키는 구성을 가질 수도 있다.The organic light emitting structure 420 is formed on the first electrode 410 in the opening of the pixel defining layer 415. In example embodiments, the organic light emitting structure 420 may be buried in the opening of the pixel defining layer 415. That is, the organic light emitting structure 420 may have a substantially flat upper surface while completely filling the opening of the pixel defining layer 415. Accordingly, the sidewall of the organic light emitting structure 420 may also have an inclination angle that is substantially the same as or substantially similar to the sixth inclination angle θ4 of the opening of the pixel defining layer 415. For example, the sidewalls of the organic light emitting structure 420 may have an inclination angle of about 110 ° to about 160 ° with respect to an axis substantially parallel to the first substrate 350. Accordingly, the ratio of the inclination angle of the side of the organic light emitting structure 420 to the inclination angles of the sidewall of the protruding inclined structure 405, the side of the first electrode 410, and the side of the pixel defining layer 415 is about 1.0. : 1.6 to about 1.0: 8.0 can be relatively large. The organic light emitting structure 420 may have a multilayer structure including an organic light emitting layer for each pixel. The organic light emitting structure 420 may include a light emitting material capable of generating various color lights according to the pixels, but may have a configuration in which the various light emitting materials are stacked to generate white light.

도 24를 참조하면, 화소 정의막(415)과 유기 발광 구조물(420) 상에 제2 전극(425)을 형성한다. 상기 유기 발광 표시 장치가 배면 발광 방식을 가질 경우, 제2 전극(425)은 반사성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 제2 전극(425)은 화소 정의막(415)과 유기 발광 구조물(420) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 여기서, 제2 전극(425) 중에서 돌출된 경사 구조(405)의 측벽에 인접하는 부분은 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.Referring to FIG. 24, a second electrode 425 is formed on the pixel defining layer 415 and the organic light emitting structure 420. When the organic light emitting diode display has a bottom emission method, the second electrode 425 may be formed using a material having a reflective property. The second electrode 425 may be formed on the pixel defining layer 415 and the organic light emitting structure 420 to have a substantially uniform thickness. Here, a portion of the second electrode 425 adjacent to the sidewall of the protruding inclined structure 405 may have an inclination angle that is substantially the same as or substantially similar to the fifth inclination angle θ3.

제2 전극(425) 상에는 제2 보호막(430)이 형성된다. 제2 보호막(430)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 연장될 수 있다. 제2 보호막(430) 상에는 투명 절연 기판인 제2 기판(430)이 배치된다. 여기서, 상기 유기 발광 표시 장치의 비발광 영역에서 제2 보호막(430)과 제2 기판(450) 사이에는 소정의 공간(435)이 제공될 수 있다. 이러한 공간(435)에는 공기 또는 질소와 같은 불활성 기체 등이 충진될 수 있지만, 경우에 따라 광 투과성과 흡습성을 갖는 수지가 채워질 수도 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 추가적인 충진 물질의 존재에 따라 제2 전극(425)과 제2 기판(450) 사이에는 제2 보호막(430)이 형성되지 않을 수도 있다.The second passivation layer 430 is formed on the second electrode 425. The second passivation layer 430 may be formed using an organic material, an inorganic material, or the like, and may extend from the light emitting area to the non-light emitting area. The second substrate 430, which is a transparent insulating substrate, is disposed on the second passivation layer 430. Here, a predetermined space 435 may be provided between the second passivation layer 430 and the second substrate 450 in the non-emission area of the organic light emitting diode display. The space 435 may be filled with inert gas such as air or nitrogen, but in some cases, a resin having light transmittance and hygroscopicity may be filled. According to other exemplary embodiments, the second passivation layer 430 may not be formed between the second electrode 425 and the second substrate 450 according to the presence of the additional filling material.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 전극(410), 화소 정의막(415) 및 제2 전극(425)의 측부들이 각기 돌출된 형상을 갖는 경사 구조(405) 인하여 유기 발광 구조물(420)로부터 발생되는 광의 전반사를 방지할 수 있는 원하는 경사각을 가지기 때문에, 상기 유기 발광 표시 장치의 광 효율을 크게 향상시킬 수 있다. 특히, 유기 발광 구조물(420)이 화소 정의막(415)의 개구에 매립될 수 있으므로, 유기 발광 구조물(420)로부터 발생되어 상기 비발광 영역으로 진행되는 광을 돌출된 경사 구조(405) 상부에 위치하는 제2 전극(425)에 의해 다시 상기 발광 영역으로 반사시킬 수 있다.According to exemplary embodiments of the present invention, the organic light emitting structure may be formed due to the inclined structure 405 having the protruding shape of the sides of the first electrode 410, the pixel defining layer 415, and the second electrode 425. Since it has a desired inclination angle that can prevent total reflection of light generated from 420, the light efficiency of the organic light emitting diode display may be greatly improved. In particular, since the organic light emitting structure 420 may be buried in the opening of the pixel defining layer 415, the light emitted from the organic light emitting structure 420 and proceeding to the non-light emitting area may be disposed on the protruding inclined structure 405. The second electrode 425 may be reflected to the emission area.

본 발명의 예시적인 실시예들에 있어서, 경사 구조를 갖는 절연층을 구비하는 유기 발광 표시 장치는 광학적 공진을 요구하지 않는 간단한 구성을 가지면서도 종래의 유기 발광 표시 장치에 비하여 크게 향상된 광 효율을 가지기 때문에 상기 유기 발광 표시 장치가 나타내는 영상의 휘도, 콘트라스트, 측면 시인성 등을 개선시킬 수 있다.In exemplary embodiments of the present invention, an organic light emitting display device having an insulator layer having an inclined structure has a simple configuration that does not require optical resonance, but has a greatly improved light efficiency compared to a conventional organic light emitting display device. Therefore, luminance, contrast, side visibility, etc. of the image displayed by the organic light emitting diode display may be improved.

5: 제1 절연막 10: 제1 리세스
15: 제2 절연막 20: 제2 리세스
25, 120, 255, 405: 경사 구조 30, 110, 245, 400: 절연층
50, 200, 350: 제1 기판 55, 205, 355: 버퍼층
60: 반도체 패턴 65, 215, 360: 게이트 절연막
70, 210, 363: 게이트 전극 75, 365: 소스 영역
80, 370: 드레인 영역 85, 375: 채널 영역
90, 380: 층간 절연막 95, 220, 385: 소스 전극
100, 225, 390: 드레인 전극 105, 235, 395: 제1 보호막
125, 133, 260, 300, 410: 제1 전극
128, 258: 절연층의 돌기 134, 303: 제1 전극의 돌출부
130, 265, 415: 화소 정의막
135, 155, 270, 315: 유기 발광 구조물
140, 275, 425: 제2 전극 145, 280, 430: 제2 보호막
150, 290, 450: 제2 기판 230: 액티브 패턴5: first insulating film 10: first recess
15: second insulating film 20: second recess
25, 120, 255, 405: inclined structure 30, 110, 245, 400: insulating layer
50, 200, 350: first substrate 55, 205, 355: buffer layer
60: semiconductor pattern 65, 215, 360: gate insulating film
70, 210, 363: gate electrode 75, 365: source region
80, 370: drain region 85, 375: channel region
90, 380: interlayer insulating film 95, 220, 385: source electrode
100, 225, 390: drain electrodes 105, 235, 395: first passivation film
125, 133, 260, 300, and 410: first electrode
128, 258: projections of the insulating layer 134, 303: protrusions of the first electrode
130, 265, 415: pixel defining layer
135, 155, 270, and 315 organic light emitting structures
140, 275, 425: second electrode 145, 280, 430: second protective film
150, 290, 450: second substrate 230: active pattern

Claims (27)

제1 절연막에 제1 리세스를 형성하는 단계;
상기 제1 리세스를 개재하여 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성하는 단계;
상기 제2 절연막에 제2 리세스를 형성하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 절연막을 리플로우시켜, 상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스로부터 경사 구조를 형성하는 단계를 포함하는 절연층의 경사 구조 형성 방법.Forming a first recess in the first insulating film;
Forming a second insulating film on the first insulating film through the first recess;
Forming a second recess in the second insulating film; And
Reflowing the first and second insulating films to form an inclined structure from the first and second recesses. 제1항에 있어서, 상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막은 각기 유기 물질, 실리콘 화합물, 금속 및 금속 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 절연층의 경사 구조 형성 방법.The method of claim 1, wherein the first insulating film and the second insulating film are each formed using one or more selected from the group consisting of an organic material, a silicon compound, a metal, and a metal oxide. . 제2항에 있어서, 상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막은 각기 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물 및 티타늄 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 절연층의 경사 구조 형성 방법.3. The polymer of claim 2, wherein each of the first insulating film and the second insulating film is a photoresist, an acrylic polymer, a polyimide polymer, a polyamide polymer, a siloxane polymer, or a polymer including a photosensitive acrylic carboxyl group. Soluble resin, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxycarbide, silicon carbonitride, aluminum, magnesium, zinc, hafnium, zirconium, titanium, tantalum, aluminum oxide, titanium oxide, tantalum oxide, magnesium oxide, zinc oxide, Method for forming the inclined structure of the insulating layer, characterized in that formed using at least one selected from the group consisting of hafnium oxide, zirconium oxide and titanium oxide. 제1항에 있어서, 상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스는 각기 차광 영역과 반투과 영역을 포함하는 마스크를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 절연층의 경사 구조 형성 방법.The method of claim 1, wherein the first recess and the second recess are formed using a mask including a light blocking region and a transflective region, respectively. 제1항에 있어서, 상기 제1 리세스는 상기 제2 리세스 보다 큰 깊이를 가지며, 상기 제2 리세스는 상기 제1 리세스 보다 큰 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 절연층의 경사 구조 형성 방법.The method of claim 1, wherein the first recess has a greater depth than the second recess, and the second recess has a larger width than the first recess. . 제1항에 있어서, 상기 제1 리세스를 형성한 후, 상기 제1 리세스의 측벽과 저면에 대하여 표면 처리 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 절연층의 경사 구조 형성 방법.The method of claim 1, wherein after forming the first recess, a surface treatment process is performed on the sidewalls and the bottom surface of the first recess. 제1항에 있어서, 상기 리플로우 공정은 상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막의 녹는 점의 50% 내지 80%의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 절연층의 경사 구조 형성 방법.The method of claim 1, wherein the reflow process is performed at a temperature of 50% to 80% of the melting point of the first insulating film and the second insulating film. 제1항에 있어서, 상기 경사 구조는 리세스 형상 또는 돌출되는 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 절연층의 경사 구조 형성 방법.The method of claim 1, wherein the inclined structure has a recessed shape or a protruding shape. 제8항에 있어서, 상기 경사 구조의 측벽의 경사각과 상기 제1 및 제2 리세스의 측벽들의 경사각 사이의 비는 1.0: 0.2 내지 1.0: 1.8인 것을 특징으로 하는 절연층의 경사 구조 형성 방법.The method of claim 8, wherein the ratio between the inclination angle of the sidewalls of the inclined structure and the inclination angles of the sidewalls of the first and second recesses is 1.0: 0.2 to 1.0: 1.8. 제1 기판;
상기 제1 기판 상에 배치되며, 경사 구조를 구비하는 절연층;
상기 절연층 상에 배치되는 제1 전극;
상기 절연층 및 상기 제1 전극 상에 배치되며, 발광 영역과 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막;
상기 발광 영역의 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기 발광 구조물;
상기 화소 정의막 및 상기 유기 발광 구조물 상에 배치되는 제2 전극; 및
상기 제2 전극 상에 배치되는 제2 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치.A first substrate;
An insulating layer disposed on the first substrate and having an inclined structure;
A first electrode disposed on the insulating layer;
A pixel defining layer disposed on the insulating layer and the first electrode and defining a light emitting area and a non-light emitting area;
An organic light emitting structure disposed on the first electrode of the light emitting region;
A second electrode on the pixel defining layer and the organic light emitting structure; And
An organic light emitting display device comprising a second substrate on the second electrode. 제10항에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 경사 구조의 측벽 상에 위치하는 상기 제1 전극 상으로 연장되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode display of claim 10, wherein the pixel defining layer extends on the first electrode on the sidewall of the inclined structure. 제10항에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 경사 구조의 상면 상에 위치하는 상기 제1 전극 상으로 연장되며, 상기 발광 영역에서 상기 제1 전극을 노출시키는 개구를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting display of claim 10, wherein the pixel defining layer extends on the first electrode on the top surface of the inclined structure and includes an opening exposing the first electrode in the emission area. Device. 제12항에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은 상기 화소 정의막의 개구에 매립되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode display of claim 12, wherein the organic light emitting structure is buried in an opening of the pixel defining layer. 제13항에 있어서, 상기 유기 발광 구조물의 측벽은 상기 제1 기판에 평행한 방향에 대해 110°내지 160°의 경사각을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode display of claim 13, wherein a sidewall of the organic light emitting structure has an inclination angle of 110 ° to 160 ° with respect to a direction parallel to the first substrate. 제10항에 있어서, 상기 경사 구조의 측벽은 상기 제1 기판에 평행한 방향에 대해 20°내지 70°의 경사각을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode display of claim 10, wherein the sidewall of the inclined structure has an inclination angle of about 20 ° to about 70 ° with respect to a direction parallel to the first substrate. 제15항에 있어서, 상기 경사 구조 상에 위치하는 상기 제1 전극의 측부 및 상기 제2 전극의 측부는 각기 상기 경사 구조의 측벽과 동일한 경사각을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode display of claim 15, wherein the side of the first electrode and the side of the second electrode disposed on the inclined structure have the same inclination angle as the sidewall of the inclined structure. 제10항에 있어서, 상기 절연층은 상기 경사 구조에 형성되는 복수의 돌기들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode display of claim 10, wherein the insulating layer further comprises a plurality of protrusions formed in the inclined structure. 제17항에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 절연층의 돌기들 상에 형성되는 복수의 돌출부들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode display of claim 17, wherein the first electrode further comprises a plurality of protrusions formed on the protrusions of the insulating layer. 제18항에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은 상기 제1 전극의 돌출부들에 의해 구분되는 복수의 부분들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode display of claim 18, wherein the organic light emitting structure includes a plurality of portions separated by protrusions of the first electrode. 제10항에 있어서, 상기 경사 구조는 리세스의 형상을 가지며, 상기 경사 구조의 측벽과 상기 유기 발광 구조물의 측부는 동일한 경사각을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode display of claim 10, wherein the inclined structure has a recessed shape, and the sidewall of the inclined structure and the side portion of the organic light emitting structure have the same inclination angle. 제10항에 있어서, 상기 경사 구조는 돌출되는 형상을 가지며, 상기 경사 구조의 측벽의 경사각과 상기 유기 발광 구조물의 측부의 경사각 사이의 비는 1.0: 0.2 내지 1.0: 1.8 또는 1.0: 1.6 내지 1.0: 8.0인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 10, wherein the inclined structure has a protruding shape, and a ratio between the inclination angle of the sidewall of the inclined structure and the inclination angle of the side of the organic light emitting structure is 1.0: 0.2 to 1.0: 1.8 or 1.0: 1.6 to 1.0: An organic light emitting display device, characterized in that 8.0. 제1 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층에 경사 구조를 형성하는 단계;
상기 절연층 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 절연층 및 상기 제1 전극 상에 화소 정의막을 형성하는 단계;
상기 화소 정의막을 부분적으로 식각하여 상기 경사 구조 상에 위치하는 상기 제1 전극을 노출시키는 개구를 형성하는 단계;
상기 노출된 제1 전극 상에 유기 발광 구조물을 형성하는 단계;
상기 화소 정의막 및 상기 유기 발광 구조물 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및
상기 제2 전극 상에 제2 기판을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.Forming an insulating layer on the first substrate;
Forming an inclined structure on the insulating layer;
Forming a first electrode on the insulating layer;
Forming a pixel defining layer on the insulating layer and the first electrode;
Partially etching the pixel defining layer to form an opening exposing the first electrode on the inclined structure;
Forming an organic light emitting structure on the exposed first electrodes;
Forming a second electrode on the pixel defining layer and the organic light emitting structure; And
And forming a second substrate on the second electrode. 제22항에 있어서, 상기 경사 구조를 형성하는 단계는,
상기 제1 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 단계;
상기 제1 절연막에 제1 리세스를 형성하는 단계;
상기 제1 리세스를 개재하여 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성하는 단계;
상기 제2 절연막에 제2 리세스를 형성하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 절연막을 리플로우시켜, 상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스로부터 상기 경사 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 22, wherein forming the inclined structure,
Forming a first insulating film on the first substrate;
Forming a first recess in the first insulating film;
Forming a second insulating film on the first insulating film through the first recess;
Forming a second recess in the second insulating film; And
And reflowing the first and second insulating layers to form the inclined structure from the first and second recesses. 제22항에 있어서, 상기 경사 구조를 형성하는 단계는,
상기 제1 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 단계;
상기 제1 절연막에 이격되는 제1 리세스들을 형성하는 단계;
상기 제1 리세스들을 개재하여 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성하는 단계;
상기 제1 리세스들 상부의 상기 제2 절연막에 제2 리세스들을 형성하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 절연막을 리플로우시켜, 인접하는 리세스들 사이에 돌출되는 상기 경사 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 22, wherein forming the inclined structure,
Forming a first insulating film on the first substrate;
Forming first recesses spaced apart from the first insulating layer;
Forming a second insulating film on the first insulating film through the first recesses;
Forming second recesses in the second insulating layer over the first recesses; And
And reflowing the first and second insulating layers to form the inclined structure that protrudes between adjacent recesses. 제22항에 있어서, 상기 경사 구조의 저면에 복수의 돌기들을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 22, further comprising forming a plurality of protrusions on a bottom surface of the inclined structure. 제25항에 있어서, 상기 절연층의 돌기들에 의해 상기 제1 전극에 복수의 돌출부들이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 25, wherein a plurality of protrusions are formed on the first electrode by protrusions of the insulating layer. 제26항에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은 상기 제1 전극의 돌출부들에 의해 복수의 부분들로 구분되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.27. The method of claim 26, wherein the organic light emitting structure is divided into a plurality of parts by protrusions of the first electrode.

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