KR20120137650A - A method for initializing a deposition chamber, a method for removing pollutions in a chamber and a method for manufacturing a chamber - Google Patents

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KR20120137650A
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이종우
조영수
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A method for initializing a deposition chamber and a method for removing contaminants from the chamber, and a chamber manufacturing method are provided to initialize the chamber within a short time by using a light source arranged inside the chamber to provide lights that gasify inner contaminants in the chamber. CONSTITUTION: A method for initializing a chamber(700) comprises the steps of: washing the chamber with electrolyte, cleaning the washed chamber with solvent, arranging a light source(100) in the cleaned chamber, irradiating the inside of the chamber with lights from the light source, and discharging the interior gas from the chamber using a vacuum pump.

Description

증착용 챔버의 초기화 방법, 챔버 내의 오염물 제거방법 및 챔버의 제조방법{A METHOD FOR INITIALIZING A DEPOSITION CHAMBER, A METHOD FOR REMOVING POLLUTIONS IN A CHAMBER AND A METHOD FOR MANUFACTURING A CHAMBER}A METHOD FOR INITIALIZING A DEPOSITION CHAMBER, A METHOD FOR REMOVING POLLUTIONS IN A CHAMBER AND A METHOD FOR MANUFACTURING A CHAMBER}

본 발명은 증착용 챔버의 초기화 방법에 대한 것으로서, 새로이 생산된 챔버를 증착용으로 사용하기 위하여, 전해질을 이용한 전해질 세정 및 용매를 이용한 용매 세정을 거친 후 챔버 내에 빛을 조사하여 챔버 내의 오염물을 제거함으로써 챔버를 초기화 하는 방법에 대한 것이다. 또한 본 발명은 챔버 내의 오염물 제거 방법 및 상기와 같이 오염물이 제거된 챔버의 제조방법에 대한 것이다.The present invention relates to a method of initializing a deposition chamber, in order to use a newly produced chamber for deposition, after cleaning an electrolyte using an electrolyte and a solvent using a solvent, irradiating light in the chamber to remove contaminants in the chamber. By resetting the chamber. The present invention also relates to a method for removing contaminants in a chamber and a method for manufacturing a chamber in which contaminants are removed as described above.

디스플레이 장치의 제조에 있어서, 기판에 전극 또는 발광층 등을 형성하기 위한 방법의 하나로서 증착 방법이 적용되고 있다. 이러한 디스플레이의 일례로서 유기전계발광소자(OLED)를 제작할 때에 적용되는 유기물 증착 방법의 하나로서 화학기상증착(Chemical vapor deposition; 이하 "CVD"라고 함) 방법이 있다. 상기 CVD 방법은 화학원료물질(source 또는 precursor)을 기체 상태로 만들어서 기판의 소정 위치에 도달하게 한 다음 기판 상에서 화학 반응이 일어나도록 하여 증착층(deposition layer)을 형성하게 하는 것이다. In the manufacture of a display apparatus, a vapor deposition method is applied as one of methods for forming an electrode, a light emitting layer, etc. on a board | substrate. An example of such a display is a chemical vapor deposition (hereinafter referred to as "CVD") method as one of organic vapor deposition methods applied when fabricating an organic light emitting diode (OLED). In the CVD method, a chemical raw material (source or precursor) is made into a gas state to reach a predetermined position of a substrate, and then a chemical reaction occurs on the substrate to form a deposition layer.

상기와 같은 증착 과정에서 증착층에 오염물 등이 유입되는 것을 방지하기 위하여 상기 증착은 주로 밀폐된 챔버 내에서 이루어진다. 이러한 증착에 사용되는 챔버를 증착용 챔버(deposition chamber)라고 하며, 증착 효율과 오염 방지 등을 위해서, 상기 증착은 챔버 내부를 진공상태(압력 수 mTorr 정도)로 형성한 다음 진행되는 것이 일반적이다.In order to prevent contaminants and the like from entering the deposition layer during the deposition process, the deposition is mainly performed in a closed chamber. The chamber used for such deposition is called a deposition chamber, and for the purpose of deposition efficiency and contamination prevention, the deposition is generally performed after forming the inside of the chamber in a vacuum state (about a few mTorr pressure).

상기 증착용 챔버는 그 내부가 항상 깨끗한 상태를 유지하여야 한다. 왜냐하면, 외부에서 유입된 불순물 또는 반응 잔류물과 같은 오염물이 챔버 내부에 존재하게 되면, 이러한 오염물로 인하여 증착층에 오염이 생겨 증착불량이 발생하게 되고, 상기와 같은 증착 불량은 제품 불량으로 이어지기 때문이다. 특히, 최근 디스플레이가 대형화되고 그에 따라 회로가 고집적화 되는 추세에 따라, 상기 증착층 역시 미세하고 정밀하게 형성되어야 한다. 이러한 미세하고 정밀한 증착층을 형성하기 위해서는 증착 공정이 진행되는 챔버 내부를 깨끗한 상태로 유지하는 것이 매우 중요하다. The deposition chamber should be kept clean at all times. Because, when contaminants such as impurities or reaction residues introduced from the outside are present in the chamber, such contaminants cause contamination in the deposition layer, resulting in poor deposition, and such poor deposition leads to product defects. Because. In particular, with the recent trend toward larger displays and higher integration of circuits, the deposition layer must also be formed finely and precisely. In order to form such a fine and precise deposition layer, it is very important to keep the inside of the chamber where the deposition process proceeds in a clean state.

한편 새로이 제조된 챔버를 증착용으로 사용하기 위해서도 챔버 내부의 오염물을 제거하는 것이 필요하다. 기계가공 및 조립에 의하여 새로이 제조된 챔버의 경우, 그 내에는 조립 부산물뿐만 아니라 눈에 보이지 않는 미세한 오염물들이 존재하는데, 이러한 오염물 들을 모두 제거해야만 상기 챔버를 증착용으로 사용할 수 있다. 상기와 같이, 새로이 제조된 챔버를 증착용으로 사용할 수 있도록 하는 과정을 챔버의 초기화라고 한다. 상기 챔버의 초기화는, 챔버 제조후 상기 챔버가 제품의 생산라인에서 셋업될 때까지 일회적으로, 또는 지속적으로 진행된다.Meanwhile, in order to use the newly manufactured chamber for deposition, it is necessary to remove contaminants inside the chamber. In the case of a newly manufactured chamber by machining and assembly, there are microscopic contaminants as well as assembly by-products, all of which must be removed before the chamber can be used for deposition. As described above, the process of enabling the newly manufactured chamber to be used for deposition is called initialization of the chamber. Initialization of the chamber takes place once or continuously after the chamber manufacture until the chamber is set up in the production line of the product.

챔버 제작 후 상기 챔버를 증착용으로 사용할 수 있도록 초기화하는 과정에서는 챔버 내부의 오염물을 제거하는 세정공정이 중요하다.In the process of initializing the chamber to be used for deposition after fabricating the chamber, a cleaning process for removing contaminants in the chamber is important.

상기 증착용 챔버의 세정공정은 통상적으로 전해질을 이용한 전해질 세정, 물을 이용한 세척 및 건조의 과정을 포함한다. 그런데, 상기와 같은 세정에 의해서도 제거되지 않은 잔류물들이 챔버 내부에 존재하게 된다. 즉, 상기 전해질 세정 및 세척을 한다고 하더라도 챔버 내에는 수분, 산소, 기타 화학물질과 같은 잔류물이 존재하게 된다. 상기와 같은 잔류물은 미량이 존재하더라도 증착층에 오염을 유발할 수 있는 오염물로서, 이들은 증착된 제품의 효율저하 또는 불량을 유발할 수 있다. 디스플레이 장치에 있어서 이러한 불량으로는, 예를 들어, 발광효율 저하, 휘도감소율의 빠른 증가 등이 있다.The cleaning process of the deposition chamber typically includes a process of cleaning an electrolyte using an electrolyte, a washing and drying using water. However, residues not removed by the above cleaning are present in the chamber. That is, even if the electrolyte is cleaned and cleaned, residues such as moisture, oxygen, and other chemicals are present in the chamber. Such residues are contaminants that may cause contamination in the deposited layer even when trace amounts are present, and they may cause deterioration or failure of the deposited product. Such defects in the display device include, for example, a decrease in luminous efficiency and a rapid increase in luminance reduction rate.

신규로 제조된 챔버의 경우에는, 특히 챔버 제조 당시의 오염원 및 세정 후의 잔류물이 중요한 오염물이다. 따라서, 챔버를 새로이 제작한 후 이를 증착용으로 사용하기 전에는 상기 오염물들을 최대한 제거하는 것이 필요하다. In the case of newly produced chambers, the pollutant at the time of chamber manufacture and the residue after cleaning are important contaminants. Therefore, it is necessary to remove the contaminants as much as possible after newly manufacturing the chamber and before using it for deposition.

상기와 같은 챔버 내 잔류 오염물을 제거하기 위하여, 물을 이용한 단순 세척방법을 개량한 다양한 세정 프로세스가 적용되고 있다. 예를 들어, 정제수를 이용한 순수 샤워(shower), 고압으로 분출되는 물을 이용한 고압세정, 세제를 이용한 화학 세정 등의 방법이 있다. In order to remove the remaining contaminants in the chamber as described above, various cleaning processes have been applied in which the simple washing method using water is improved. For example, there is a method such as a pure shower (shower) using purified water, high-pressure cleaning using water ejected at a high pressure, chemical cleaning using a detergent.

상기와 같은 세정 후에도 챔버 내부에는 아주 적은 양이기는 하지만 오염물이 존재하는데, 이들은 특히 챔버의 내벽 또는 챔버 내부 구조물의 연결부 등과 같은 곳에 극미량으로 존재하는 경우가 많아 그 제거가 용이하지 않다. 상기와 같이 극미량으로 존재하는 오염물이라고 하더라도 차후 증착과정에서 증착층의 오염물을 유발하는 바, 이들은 모두 제거되어야 한다.Even after such cleaning, there is a small amount of contaminants inside the chamber, and these are often present in a very small amount, such as the inner wall of the chamber or the connection portion of the chamber internal structure, and thus are not easily removed. Even if a very small amount of contaminants as described above causes contaminants in the deposition layer in the subsequent deposition process, they must all be removed.

구체적으로 도 1에서는, 증착용 챔버의 일례로서 기판을 직립시켜 세운 후 증착을 실시할 수 있도록 구성된 챔버(700)를 도시하고 있다.Specifically, FIG. 1 illustrates a chamber 700 configured to perform deposition after standing upright as an example of a deposition chamber.

도 1에서 보는 바와 같이, 상기 챔버(700)에는 기판 지지부(300), 기판 고정수단(400), 마스크 고정수단(500), 증착원 설치대(600) 등의 내부 구조물이 설치된다. 챔버 내부에 극미량으로 존재하는 잔존 오염물은 상기 내부 구조물의 모서리나 연결부 등에 존재하는 경우가 있으며, 또한 챔버의 내벽(710)에 존재하는 경우도 있다.As shown in FIG. 1, the chamber 700 is provided with an internal structure such as a substrate support 300, a substrate fixing means 400, a mask fixing means 500, and a deposition source mounting table 600. Residual contaminants present in the chamber in a very small amount may be present in the corners or connections of the internal structure, and may also be present on the inner wall 710 of the chamber.

도 2는 챔버(700)의 내벽(710)을 확대하여 도식적으로 표시한 도면이다. 상기 챔버의 내벽은 스테인리스 스틸(SUS) 재질로 형성되는 경우가 많은데, 상기 스테인리스 스틸을 미세가공 하더라도 표면에 미세한 틈새나 불균일면이 생길 수가 있으며, 챔버의 내벽(710)에 존재하는 상기와 같은 틈새나 불균일면에 오염물(810)이 극미량으로 잔류하는 경우가 생길 수 있다.2 is a diagram schematically illustrating an enlarged inner wall 710 of the chamber 700. The inner wall of the chamber is often formed of a stainless steel (SUS) material, even if the stainless steel is finely processed may have a small gap or non-uniform surface on the surface, such a gap present in the inner wall 710 of the chamber B. In some cases, the contamination 810 may remain in a very small amount on a nonuniform surface.

그렇기 때문에, 종래 세정공정에 의해서는 상기와 같은 극미량의 오염물까지는 제거되지 않는 경우가 많았다. 따라서 종래와 같은 통상적인 세정공정만을 거친 챔버를 이용하여 증착을 실시할 경우, 챔버 내의 잔류 오염물이 제대로 제거되지 않아, 초기 몇 개월간은 증착된 제품에 불량이 생기는 문제점이 있었다.Therefore, in the conventional cleaning process, even a very small amount of contaminants as described above was often not removed. Therefore, when the deposition is carried out using a chamber that has undergone only a conventional cleaning process as in the prior art, residual contaminants in the chamber are not properly removed, resulting in defects in the deposited product for the first few months.

상기와 같은 극미량으로 존재하는 챔버 내의 오염물을 제거하기 위하여, 초음파(ultrasonic)를 적용하는 방법을 고려할 수도 있다. 그런데, 초음파를 적용하여 세정을 하기에는 증착용 챔버의 크기가 너무 크기 때문에 초음파(ultrasonic)를 적용하는 데에 어려움이 있다.In order to remove contaminants in the chamber in which such trace amounts exist, a method of applying ultrasonics may be considered. However, since the size of the deposition chamber is too large for cleaning by applying ultrasonic waves, it is difficult to apply ultrasonic waves.

한편, 상기 극미량의 챔버내 오염물을 제거하기 위하여, 챔버에 선형의 히터(heater)를 도입하여 챔버의 벽(wall)을 가열함으로써 오염원을 가스화시켜 배출하는(outgassing) 방법이 있다. 이러한 방법을 "고온 베이킹 공정"이라고도 하는데, 챔버를 가열하면서 진공펌프를 작동시켜 챔버에서 발생하는 가스를 계속적으로 배출함으로써 오염물을 제거한다.On the other hand, in order to remove the trace amount of contaminants in the chamber, a linear heater (heater) is introduced into the chamber by heating the wall (wall) of the chamber there is a method for outgassing the contaminant (outgassing). This method, also referred to as a “hot baking process”, removes contaminants by operating the vacuum pump while heating the chamber to continually discharge the gas generated in the chamber.

그런데, 챔버 내에는 다양한 부품들, 예를 들어, 도어(door), 기판 배치수단, 마스크 배치수단, 증착원 설치대 등이 존재하기 때문에 상기 히터를 배치할 수 있는 위치에 제한이 있어서 상기 히터를 조밀하게 배치하는 데 한계가 있다. 따라서 상기 히터를 챔버 내부에 부분적으로 배치한 후, 챔버 재질을 통한 열전도에 의하여 챔버 내부 전체가 가열되도록 할 수밖에 없다. 그런데, 상기와 같이 챔버 재질을 통한 열전도에 의하여 챔버를 가열하는 경우 챔버 내부가 균일하게 가열되기 어렵고, 또한 챔버 내벽 외에 기타 정밀기구부 등의 온도까지 불필요하게 상승하게 되어 상기 정밀기구부에 손상이 생길 수 있다. 따라서, 히터를 이용하여 가열하는 고온 베이킹 공정의 경우 온도 상승 정도가 제한적이며, 가열이 선택적이지 못하다는 한계가 있다.However, since there are various components in the chamber, for example, a door, a substrate arranging means, a mask arranging means, an evaporation source mounting table, and the like, there is a limit to a position where the heater can be placed, thereby compacting the heater. There is a limit to the arrangement. Therefore, after the heater is partially disposed in the chamber, the entire inside of the chamber may be heated by heat conduction through the chamber material. However, when the chamber is heated by heat conduction through the chamber material as described above, the inside of the chamber is difficult to be uniformly heated, and also the temperature of the other precision instrument parts other than the inner wall of the chamber is unnecessarily raised, which may cause damage to the precision instrument part. have. Therefore, in the high temperature baking process of heating using a heater, the degree of temperature rise is limited, and there is a limitation that heating is not selective.

또한, 상기 히터를 이용하는 고온 베이킹 공정은 오염물 제거 효율이 좋지 못하여, 상기 고온 베이킹 공정을 수일간 실시한 챔버를 이용하여 증착을 하더라도 증착 초기에는 불량이 발생하는 것을 막을 수가 없다. 그 결과, 챔버 내 오염물이 만족할 만한 수준으로 제거되어 오염물에 의한 증착층의 손상이 발생하지 않도록 하기 위해서는 상기 고온 베이킹 공정을 수십일 내지 수개월 동안 실시하여야 한다. 즉, 수십일 내지 수개월 동안 히터를 이용하여 챔버를 가열하면서 진공펌프를 작동시켜 챔버 내부의 가스를 계속적으로 배출한 이후에 증착을 하여야만 오염물에 의한 증착층의 손상이 나타나지 않는 제품을 얻을 수 있다. 만약 상기와 같은 수개월간의 고온 베이킹 공정을 거치지 않고 챔버를 사용하게 되면, 상기 챔버의 사용 초기에 생산된 제품에서 품질저하 현상이 발생하는 것을 막을 수가 없다. 다시 말하면, 만족할 만한 증착층을 얻기 위해서는 길게는 수개월 간의 초기화 과정을 거쳐야 할 만큼 상기 고온 베이킹 공정은 세정 효율이 좋지 못하다.In addition, the high temperature baking process using the heater has poor contaminant removal efficiency, and thus, even if the high temperature baking process is carried out using a chamber in which the high temperature baking process is carried out for several days, it is impossible to prevent defects from occurring at the initial stage of deposition. As a result, the high temperature baking process should be carried out for several tens to several months in order to remove contaminants in the chamber to a satisfactory level so that damage of the deposition layer due to the contaminants does not occur. That is, a product which does not appear to damage the deposition layer by contaminants may be obtained only after the vapor deposition by continuously operating the vacuum pump while heating the chamber using a heater for several days to several months to deposit the contaminants. If the chamber is used without undergoing the high temperature baking process for several months as described above, deterioration may not be prevented from occurring in the product produced at the initial use of the chamber. In other words, the high temperature baking process is poor in cleaning efficiency, which requires a long period of several months of initialization to obtain a satisfactory deposition layer.

이와 같이 종래의 세정공정으로는 새로이 제조된 챔버에 존재하는 오염물, 특히 미세 잔류물을 무시할 수 있는 수준으로 제거하기가 용이하지 않고 또한 그 제거시간도 오래 걸린다. 또한 상기 종래의 세정공정만을 거친 챔버를 이용하여 증착을 실시할 경우, 초기에 제조된 증착제품에서는 불량이 발생하는 것을 막을 수 없다.As such, the conventional cleaning process is not easy to remove contaminants, particularly fine residues, present in the newly manufactured chamber to a negligible level, and the removal time is long. In addition, when the deposition is carried out using a chamber that has undergone only the conventional cleaning process, defects may not be prevented from occurring in the initially manufactured deposition product.

이에, 본 발명에서는 많은 시간이 소요되지 않으면서도 우수한 효과를 나타낼 수 있는 증착용 챔버의 초기화 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for initializing a deposition chamber that can exhibit excellent effects without requiring much time.

또한, 본 발명에서는 비교적 간단한 방법으로 챔버 내에 잔류하는 오염물을 빠른 시간 내에 제거할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a method capable of quickly removing contaminants remaining in a chamber in a relatively simple manner.

본 발명은 또한 상기와 같이 오염물이 제거된 유기물 증착용 챔버 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a chamber for depositing organic substances in which contaminants are removed as described above and a method of manufacturing the same.

본 발명에서는 기계적 조립에 의하여 신규로 제조된 챔버를 증착용으로 사용하기 위하여 챔버를 초기화하는 방법을 제공한다. 본 발명의 일례에 따른 챔버의 초기화 방법은, 신규 조립된 챔버를 전해질을 이용하여 세정하는 전해질 세정 단계; 상기 전해질 세정된 챔버를 용매를 이용하여 세정하는 용매 세정 단계; 상기 세정된 챔버 내부에 광원을 배치하는 단계; 상기 광원을 이용하여 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계; 및 진공펌프를 이용하여 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하는 단계;를 포함한다.The present invention provides a method of initializing a chamber for use in a chamber newly prepared by mechanical assembly for deposition. According to one embodiment of the present invention, a method of initializing a chamber includes: an electrolyte cleaning step of cleaning a newly assembled chamber using an electrolyte; A solvent cleaning step of cleaning the electrolyte cleaned chamber by using a solvent; Disposing a light source inside the cleaned chamber; Irradiating light into the chamber using the light source; And discharging the gas inside the chamber to the outside using a vacuum pump.

본 발명의 일례에 따르면, 상기 용매 세정 단계에서, 용매로서 물 및 알코올 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.According to an example of the present invention, in the solvent washing step, at least one of water and alcohol may be used as the solvent.

본 발명의 일례에 따르면, 상기 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계와 상기 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하는 단계는 동시에 진행할 수 있다.According to one example of the present invention, the step of irradiating the light inside the chamber and the step of discharging the gas inside the chamber to the outside may proceed simultaneously.

본 발명의 다른 일례에 따르면, 상기 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계를 실시하기 전에 상기 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하는 단계를 먼저 실시할 수도 있다. 즉, 상기 챔버 내부에 광원을 배치한 후 진공펌프를 이용하여 상기 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하면서 광원에 의하여 챔버 내부에 빛을 조사할 수도 있다. 예컨대, 상기 진공펌프를 먼저 작동시킨 후, 챔버 내에 일정한 수준의 진공이 만들어진 다음 광원을 온(on)시켜 빛을 조사할 수 있다.According to another example of the present invention, the step of discharging the gas inside the chamber to the outside before the step of irradiating the light inside the chamber may be performed first. That is, after arranging the light source in the chamber, it may be irradiated with light inside the chamber by the light source while discharging the gas inside the chamber to the outside using a vacuum pump. For example, the vacuum pump may be operated first, and then a certain level of vacuum may be generated in the chamber, and then light may be irradiated by turning on a light source.

이와 같이, 상기 빛의 조사는 챔버 내부를 진공으로 만든 후에 실시될 수도 있고, 빛의 조사와 동시에 진공 펌프를 가동하여 챔버 내부를 진공으로 만들 수도 있고, 빛의 조사 시작 후 일정 시간 후에 진공 펌프를 가동할 수도 있다.As described above, the irradiation of the light may be performed after the inside of the chamber is made into a vacuum, and the inside of the chamber may be made into a vacuum by operating a vacuum pump at the same time as the irradiation of the light. It can also run.

본 발명의 다른 일례에 따르면, 상기 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계는 1시간 내지 120시간 이루어질 수 있다.According to another example of the present invention, irradiating light into the chamber may be performed for 1 hour to 120 hours.

본 발명의 다른 일례에 따르면, 상기 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계를 실시하는 동안 계속적으로 상기 진공펌프를 작동시켜 챔버 내부의 가스가 지속적으로 외부로 배출되도록 할 수 있다.According to another exemplary embodiment of the present invention, while performing the step of irradiating light into the chamber, the vacuum pump may be continuously operated to continuously discharge the gas inside the chamber to the outside.

본 발명의 다른 일례에 따르면, 상기 빛을 조사하는 동안 진공펌프를 단속적으로 작동시킬 수도 있다. 예를 들어, 상기 진공펌프를 주기적으로 일정 시간 동안만 작동시키고, 진공펌프가 작동되지 않는 동안 발생한 가스는 진공펌프 작동될 때 일시에 배출되도록 할 수도 있다.According to another example of the present invention, the vacuum pump may be intermittently operated while irradiating the light. For example, the vacuum pump may be periodically operated only for a predetermined time, and gas generated while the vacuum pump is not operated may be temporarily discharged when the vacuum pump is operated.

본 발명의 일례에 따르면, 상기 진공펌프로서는 그 용량이 챔버 내부의 압력을 10Pa 이하로 만드는 것이 가능한 것을 사용할 수 있다. 본 발명에서 챔버 내부에 진공을 형성한다고 하는 것은 챔버 내부 압력이 10Pa 이하가 되도록 하는 것을 의미한다.According to an example of the present invention, the vacuum pump has a capacity of 10 Pa in the chamber. What can be made into the following can be used. In the present invention, to form a vacuum in the chamber, the chamber internal pressure is 10Pa It means to be as follows.

본 발명의 다른 일례로서, 진공 효율을 더 높이기 위해서는 챔버 내부의 압력을 10-2Pa 이하로 만드는 것이 가능한 진공펌프를 사용할 수 있다. 진공효율을 더욱 높이기 위해서는 챔버 내부의 압력을 10-5Pa 이하로 만드는 것이 가능한 진공펌프를 사용할 수도 있을 것이다.As another example of the present invention, in order to further increase the vacuum efficiency, the pressure inside the chamber is increased to 10 -2 Pa. The vacuum pump which can make it the following can be used. To further increase the vacuum efficiency, the pressure inside the chamber should be increased to 10 -5 Pa. It is also possible to use a vacuum pump which can be made as follows.

본 발명의 일례에 따르면, 상기 광원에서 발생하는 빛은 가시광선 및 적외선 중 적어도 하나를 포함한다. According to one embodiment of the invention, the light generated from the light source is at least one of visible light and infrared light .

본 발명의 일례에 따르면, 조명용 광원을 본 발명의 광원으로 사용할 수 있는데, 예를 들면, 할로겐 램프를 사용할 수 있다. 상기 할로겐 램프의 경우 복사열의 발생 효율이 우수하여 챔버 내부를 가열하는 데 효율적인 바, 본 발명에 용이하게 적용될 수 있다.According to an example of the present invention, an illumination light source can be used as the light source of the present invention, for example, a halogen lamp can be used. In the case of the halogen lamp is excellent in the generation efficiency of the radiant heat bar to efficiently heat the inside of the chamber, it can be easily applied to the present invention.

본 발명의 일례에 따르면, 상기 광원은 챔버 내부의 모서리 부분 및 챔버 내부의 공간 중 적어도 한 곳 이상에 배치될 수 있다. 상기 광원에 의하여 빛이 조사되는 부분은 챔버의 내벽 및 챔버 내부 구조물 중 적어도 하나 이상을 포함한다.According to an example of the present invention, the light source may be disposed in at least one of a corner portion inside the chamber and a space inside the chamber. The portion irradiated with light by the light source includes at least one of an inner wall of the chamber and an inner structure of the chamber.

구체적으로, 상기 광원은 챔버 내부의 모서리 부분에 배치할 수도 있고, 챔버 내부의 빈 공간 어느 부분에도 배치할 수 있다. 상기 광원을 챔버 내부 공간에 배치하여 벽면을 향하여 빛이 조사되도록 할 수도 있고, 상기 광원을 챔버 내부의 모서리 부분에 배치하여 챔버 내부 구조물을 향해 빛이 조사되도록 할 수도 있다.Specifically, the light source may be disposed at a corner portion of the inside of the chamber, or may be disposed at any portion of the empty space inside the chamber. The light source may be disposed in the interior space of the chamber to radiate light toward the wall, or the light source may be disposed at an edge portion inside the chamber to radiate light toward the internal structure of the chamber.

본 발명의 일례에 따르면, 상기 빛이 조사되는 면은 표면 온도가 70~200℃까지 상승되도록 할 수 있다.According to an example of the present invention, the surface to which the light is irradiated may be such that the surface temperature is raised to 70 ~ 200 ℃.

본 발명의 일례에 따르면, 상기 진공펌프에 의하여 외부로 배출되는 챔버 내부의 가스는 HNO3 및 H2SO4 중 적어도 하나를 포함한다.According to one embodiment of the present invention, the gas inside the chamber discharged to the outside by the vacuum pump includes at least one of HNO 3 and H 2 SO 4 .

본 발명의 일례에 따르면, 상기 챔버 내부에 광원을 배치하는 단계 전 또는 후에 상기 챔버 내부의 구조물 중 빛이 조사되지 않아도 되는 부분에는 빛 차단용 커버를 배치하여, 해당 부분에는 빛이 조사되지 않도록 할 수 있다.According to one embodiment of the invention, before or after the step of arranging the light source in the chamber of the structure inside the chamber of the light does not need to irradiate the cover to cover the light, so that the light is not irradiated to the portion Can be.

본 발명에 따른 상기 챔버는 증착용 챔버이다. 본 발명의 일례에 따르면, 상기 챔버는, 유기발광소자(OLED)의 제조 과정에서 유기물을 증착하기 위한 공정에 적용되는 증착용 챔버이다.The chamber according to the invention is a deposition chamber. According to one embodiment of the present invention, the chamber is a deposition chamber applied to a process for depositing an organic material in the manufacturing process of the organic light emitting device (OLED).

본 발명은 또한 신규 제조된 챔버를 증착용으로 사용하기 위하여 챔버 내의 오염물을 제거하는 방법을 제공한다. 본 발명의 일례에 따르면, 상기 오염물 제거방법은, 신규 조립된 챔버를 전해질을 이용하여 세정하는 전해질 세정 단계; 상기 전해질 세정된 챔버를, 용매를 이용하여 세정하는 용매 세정 단계; 상기 세정된 챔버 내부에 광원을 배치하는 단계; 상기 광원을 이용하여 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계; 및 진공펌프를 이용하여 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하는 단계;를 포함한다.The present invention also provides a method for removing contaminants in a chamber for use in a newly manufactured chamber for deposition. According to one embodiment of the present invention, the contaminant removal method, the electrolyte cleaning step of cleaning the newly assembled chamber with an electrolyte; A solvent cleaning step of cleaning the electrolyte cleaned chamber by using a solvent; Disposing a light source inside the cleaned chamber; Irradiating light into the chamber using the light source; And discharging the gas inside the chamber to the outside using a vacuum pump.

상기 챔버 내의 오염물 제거방법에 있어서, 상기 전해질 세정 단계, 용매 세정 단계, 챔버 내부에 광원을 배치하는 단계, 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계 및 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하는 단계는 상기 챔버의 초기화 방법에서 적용된 방법을 적용할 수 있다.In the method of removing contaminants in the chamber, the electrolyte cleaning step, solvent cleaning step, disposing a light source inside the chamber, irradiating light inside the chamber and discharging the gas inside the chamber to the outside of the chamber The method applied in the initialization method can be applied.

예컨대, 챔버 내의 오염물 제거방법에 있어서, 상기 용매 세정 단계에서 용매로서 물 및 알코올 중 적어도 하나를 사용할 수 있고, 상기 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계는 1시간 내지 120시간 이루어지도록 할 수 있다. 또한, 상기 진공펌프는 그 용량이 챔버 내부의 압력을 10Pa 이하로 만드는 것을 사용할 수 있다. For example, in the method for removing contaminants in the chamber, at least one of water and alcohol may be used as the solvent in the solvent cleaning step, and irradiating light into the chamber may be performed for 1 hour to 120 hours. In addition, the vacuum pump has a capacity of 10 Pa of pressure inside the chamber. The following makes it possible to use.

챔버 내의 오염물 제거방법에 적용되는 광원으로서 할로겐 램프를 사용할 수 있으며, 상기 광원에 의하여 빛이 조사되는 면은 표면 온도가 70~200℃까지 상승되도록 할 수 있다.A halogen lamp may be used as a light source applied to the method for removing contaminants in the chamber, and the surface to which the light is irradiated by the light source may increase the surface temperature to 70 to 200 ° C.

챔버 내의 오염물을 제거하는 과정에서 상기 진공펌프에 의하여 외부로 배출되는 챔버 내부의 가스는 HNO3 및 H2SO4 중 적어도 하나를 포함한다. 또한, 상기 챔버 내부에 광원을 배치하는 단계 전 또는 후에 상기 챔버 내부의 구조물 중 빛이 조사되지 않아도 되는 부분에 빛 차단용 커버를 배치하는 단계를 더 포함할 수도 있다.The gas inside the chamber discharged to the outside by the vacuum pump in the process of removing contaminants in the chamber includes at least one of HNO 3 and H 2 SO 4 . The method may further include disposing a light blocking cover on a portion of the structure inside the chamber that does not need to be irradiated with light before or after disposing the light source in the chamber.

본 발명에 따른 챔버 내의 오염물 제거방법은 특히 유기발광소자(OLED)의 제조 과정에서 유기물을 증착하기 위한 공정에 적용되는 챔버 내부의 오염물을 제거하는데 효율적으로 적용될 수 있다.The method of removing contaminants in the chamber according to the present invention can be effectively applied to remove contaminants in the chamber, which is applied to a process for depositing organic substances, in particular during the manufacturing of an organic light emitting diode (OLED).

본 발명은 또한, 기계적 조립에 의하여 챔버 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 설명한 챔버 내의 오염물 제거방법에 의하여 챔버 내의 오염물을 제거하는 단계;를 포함하는 유기발광소자(OLED)의 유기물 증착용 챔버의 제조방법을 제공한다.The invention also includes forming a chamber structure by mechanical assembly; And removing contaminants in the chamber by the method of removing contaminants in the chamber as described above.

본 발명은 또한 상기 방법으로 제조된 유기발광소자(OLED)의 유기물 증착용 챔버를 제공한다.The present invention also provides a chamber for organic material deposition of an organic light emitting device (OLED) manufactured by the above method.

본 발명에 따른 증착용 챔버의 초기화 방법에서는, 광원을 챔버 내부에 배치하여 챔버 내부에 빛을 조사함으로써 챔버 내의 오염물들을 기체화시켜 챔버 밖으로 배출함으로써 비교적 짧은 시간에 챔버 내부의 오염물을 제거하여 챔버를 초기화할 수 있다. In the method for initializing a deposition chamber according to the present invention, by placing a light source inside the chamber and irradiating light inside the chamber, the contaminants in the chamber are vaporized and discharged out of the chamber to remove the contaminants in the chamber in a relatively short time. Can be initialized.

본 발명에 의할 경우, 광원 배치 및 빛의 조사라는 비교적 간단한 방법을 적용하여 좀처럼 제거하기가 용이하지 않았던 챔버 내의 미세 잔류 오염물까지 용이하게 제거할 수 있게 되어 챔버의 세정 효율을 높일 수 있으며 챔버 초기화 시간을 줄일 수 있다. 그 결과 상기 챔버를 이용하여 제조되는 제품의 불량률을 현저하게 감소시킬 수 있다.According to the present invention, by applying a relatively simple method of light source placement and light irradiation, it is possible to easily remove even fine residual contaminants in the chamber which were not easily removed, thereby increasing the cleaning efficiency of the chamber and initializing the chamber. You can save time. As a result, the defective rate of the product manufactured using the chamber can be significantly reduced.

도 1은 증착용 챔버의 일례로서 기판을 직립시켜 세운 후 증착을 실시할 수 있도록 구성된 챔버(700)를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일례에 따른 증착용 챔버(700)의 내벽(710)을 확대하여 표시한 것으로서, 챔버 내벽의 표면에 극미량의 오염물(810)이 잔존하는 것을 표현한 것이다.
도 3a는 본 발명의 일례에 따른 챔버의 초기화 및 오염물 제거 공정을 나타낸다.
도 3b는 본 발명의 다른 일례에 따른 챔버의 초기화 및 오염물 제거 공정을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일례에 따라, 내부에 광원(100)을 배치하여 내부의 오염물을 제거하기 위한 챔버의 일례를 나타낸 것이다.
도 5는 도 4의 챔버를 개략적으로 도식화하여 표현한 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 챔버의 다른 일례로서, 챔버 내부의 공간에 광원(100)을 배치한 구조를 보여주는 도면이다.
도 7는 본 발명에 따른 광원(100)의 일례를 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 일례에 따른 증착용 챔버로서, 챔버 상부에 기판을 수평으로 배치한 후 증착을 실시하도록 구성된 챔버를 도식화하여 표현한 것이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일례에 따른 증착용 챔버로서, 기판을 챔버 하부에 수평으로 배치한 후 증착을 실시하도록 구성된 챔버를 도식화하여 개략적으로 표현한 것이다.
도 10는 본 발명의 일례에 따른 광원으로서, 할로겐 램프를 보여주는 사진이다.FIG. 1 illustrates a chamber 700 configured to perform deposition after standing up a substrate as an example of a deposition chamber.
FIG. 2 is an enlarged view of the inner wall 710 of the deposition chamber 700 according to an example of the present invention, and shows that a very small amount of contaminants 810 remain on the surface of the chamber inner wall.
3A illustrates a process of initialization and decontamination of a chamber in accordance with an example of the present invention.
3B illustrates a process of initializing and removing contaminants in a chamber in accordance with another example of the present invention.
4 illustrates an example of a chamber for removing contaminants therein by placing a light source 100 therein according to an example of the present invention.
FIG. 5 schematically illustrates the chamber of FIG. 4.
6 is a view showing a structure in which the light source 100 is disposed in a space inside the chamber as another example of the chamber according to the present invention.
7 is a view showing an example of a light source 100 according to the present invention.
Figure 8 is a deposition chamber according to another embodiment of the present invention, it is a schematic representation of the chamber configured to perform deposition after placing the substrate horizontally on the chamber.
FIG. 9 is a schematic diagram of a deposition chamber according to another embodiment of the present invention, in which a substrate configured to perform deposition after horizontally arranging a substrate under the chamber is schematically illustrated.
10 is a photograph showing a halogen lamp as a light source according to an example of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 하기 실시예에 의하여 한정하는 것은 아니며, 다양한 형태로 구현될 수 있다. 하기 실시예들은 본 발명에 대한 예시들일 뿐이다.
The present invention is not limited by the following examples and can be implemented in various forms. The following examples are merely illustrative of the present invention.

도 3a는 본 발명에 따른 챔버의 초기화 방법의 일례를 나타낸다. 도 3a에 의한 챔버의 초기화 공정에서는 챔버를 조립(S110)하고, 상기 조립된 챔버를 전해질 세정(S120)하고, 다시 용매세정 및 건조(S130)하고, 챔버내부에 광원을 배치(S140)하고, 상기 광원에 의하여 챔버 내부에 빛을 조사(S150)하고, 상기 빛 조사에 의하여 챔부 내부에서 발생한 가스를 외부로 배출(S160)하는 단계를 포함한다.3A illustrates an example of a method of initializing a chamber in accordance with the present invention. In the chamber initializing process of FIG. 3A, the chamber is assembled (S110), the assembled chamber is electrolyte cleaned (S120), the solvent is washed and dried again (S130), a light source is disposed in the chamber (S140), And irradiating light into the chamber by the light source (S150) and discharging the gas generated inside the chamber by the light irradiation to the outside (S160).

본 발명에서 챔버의 초기화라고 하면, 새로이 제조된 챔버를 증착용으로 사용할 수 있도록 하는 과정을 말한다. 구체적으로, 챔버를 제작하고 챔버 내부에 내부 구조물을 설치한 후, 상기 챔버를 증착공정의 제품 생산라인에 세팅하여 증착공정을 실시하기 전까지의 과정을 챔버의 초기화라고 한다. In the present invention, the initialization of the chamber refers to a process of allowing the newly manufactured chamber to be used for deposition. Specifically, after fabricating the chamber and installing the internal structure inside the chamber, the process until the deposition process is performed by setting the chamber on the product production line of the deposition process is called initialization of the chamber.

챔버 제작 후 상기 챔버를 증착용으로 사용할 수 있도록 초기화하는 과정에서는, 챔버 내부의 오염물을 제거하는 세정공정을 거친다.In the process of initializing the chamber so that it can be used for deposition after fabricating the chamber, a cleaning process of removing contaminants in the chamber is performed.

상기 챔버 내의 오염물 제거방법에 있어서도, 상기 챔버의 초기화 방법에서와 마찬가지로, 챔버에 대한 전해질 세정 단계, 용매 세정 단계, 챔버 내부에 광원을 배치하는 단계, 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계 및 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하는 단계가 적용된다. In the method for removing contaminants in the chamber, as in the method of initializing the chamber, the electrolyte cleaning step, the solvent cleaning step, the light source placed inside the chamber, the light irradiation inside the chamber and the inside of the chamber The step of evacuating the gas is applied.

전해질 세정 단계(S120)는 조립이 완료된 챔버(S110)를 전해질 용액을 이용하여 세정하는 단계이다. 상기 전해질 세정에서는 산 또는 염기 용액이 사용될 수 있다. 상기 전해질 세정은 전해질을 이용하기 때문에 전해연마라고 한다. 상기 전해질 세정 후에는 산 또는 염기의 잔류물이 남을 수 있다. 이러한 산 또는 염기의 잔류물로서 예를 들어 H2SO4, HNO3 등이 있다.Electrolyte cleaning step (S120) is a step of cleaning the assembly (S110) is completed using the electrolyte solution. In the electrolyte cleaning, an acid or base solution may be used. The electrolyte cleaning is called electropolishing because it uses an electrolyte. After the electrolyte wash, residues of acids or bases may remain. Residues of such acids or bases are for example H 2 SO 4 , HNO 3 and the like.

용매 세정 단계(S130)는 용매를 이용하는 세정으로서, 전해질 세정된 후 챔버를 다시 세정하는 과정이라고 할 수 있다. The solvent cleaning step (S130) is a cleaning using a solvent, and may be referred to as a process of cleaning the chamber again after the electrolyte is cleaned.

상기 용매 세정의 방법에는 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 용매로서, 예를 들어 물 또는 알코올을 사용할 수 있으며 이들을 혼합하여 사용할 수도 있다. 필요에 따라 다른 용매를 사용할 수도 있다. 용매로서 물을 이용하는 세정방법으로서, 예를 들어, 정제수(distilled water)를 이용한 순수 샤워, 고압으로 분사되는 물을 이용하는 고압세정, 스팀을 이용하는 스팀 세정 등의 방법을 적용할 수 있다. 간단한 방법으로는, 통상의 물로 세척한 후 정제수를 사용하여 재차 세척하는 방법을 적용할 수도 있다.There is no particular limitation on the method of the solvent washing. As the solvent, for example, water or alcohol may be used, or a mixture thereof may be used. You may use another solvent as needed. As a washing method using water as a solvent, for example, a pure shower using distilled water, high pressure washing using water sprayed at high pressure, steam washing using steam, and the like can be applied. As a simple method, washing with ordinary water and then washing with purified water may be applied again.

상기 용매 세정 후에는 챔버를 건조한다.After the solvent cleaning, the chamber is dried.

상기 용매세정(S130) 후 건조된 챔버의 내부에 광원을 배치(S140)한다. 상기 광원은 1개 이상 배치할 수 있는데, 챔버 내부의 필요한 부위에 빛이 조사될 수 있도록 필요에 따라 적절한 위치에 광원을 배치할 수 있다. After the solvent cleaning (S130) to place a light source in the interior of the dried chamber (S140). One or more light sources may be disposed, and light sources may be disposed at appropriate positions as needed so that light may be irradiated to a necessary portion inside the chamber.

도 4에서는 챔버(700) 내부의 모서리 부에 광원을 배치한 것을 보여준다. 도 5는 상기 도 4의 챔버를 개략적으로 도식화하여 표현한 것이다. 필요하다면 상기 모서리부분 외에 다른 부분에도 추가로 광원을 더 배치할 수 있음은 물론이다. 미세 잔류 오염물이 많이 존재할 것이라고 판단되는 부위, 예컨대 연결부 또는 장치 구조가 복잡한 부분에 빛이 더 잘 조사도록 하는 위치에 광원을 추가로 배치할 수 있다. 예를 들어, 도 4의 구성를 보강하여, 기판 지지부(300)와 기판 고정수단(400) 사이의 연결부 또는 마스크 고정수단(500) 하단부 등에 빛이 더 잘 조사될 수 있도록 하는 위치에 광원을 추가배치 할 수 있을 것이다.In FIG. 4, a light source is disposed at a corner of the inside of the chamber 700. FIG. 5 schematically illustrates the chamber of FIG. 4. If necessary, the light source may be further disposed at other portions besides the corner portions. The light source can be further placed at a location that allows better light irradiation at sites where it is determined that there will be many fine residual contaminants, such as connections or complex parts of the device structure. For example, by reinforcing the configuration of FIG. 4, the light source is additionally disposed at a position where the light can be better irradiated to the connection portion between the substrate support 300 and the substrate fixing means 400 or to the lower end of the mask fixing means 500. You can do it.

도 6은 본 발명에 따른 챔버의 다른 일례로서, 챔버 내부의 공간에 광원(100)을 배치한 구조를 보여준다. 상기 도 6에서 보는 바와 같이 광원(100)은 챔버의 모서리부 이외에 챔버 내부 공간에도 배치될 수 있으며, 필요에 따라 다른 어느 부분에도 용이하게 배치될 수 있다. 상기 광원(100)을 챔버의 내부 공간에 배치하기 위하여 별도의 거치 수단을 구비할 수 있다. 6 illustrates another example of a chamber according to the present invention, in which a light source 100 is disposed in a space inside the chamber. As shown in FIG. 6, the light source 100 may be disposed in the interior space of the chamber in addition to the edge of the chamber, and may be easily disposed in any other part as necessary. In order to arrange the light source 100 in the inner space of the chamber may be provided with a separate mounting means.

상기 광원(100)은 초기화 공정이 끝난 후 증착공정이 진행되기 전에 제거되는 바, 그 제거의 편의성도 고려하여 설치하는 것이 좋다. 도 6에서는 챔버 내벽에서 연장된 별도의 거치 수단을 이용하여 광원을 배치하는 구조로서, 상기 거치 수단과 광원은 증착 공정이 진행되기 전에 제거될 것이다.The light source 100 is removed after the initialization process and before the deposition process, the bar is preferably installed in consideration of the convenience of removal. In FIG. 6, the light source is disposed using a separate mounting means extending from the inner wall of the chamber, and the mounting means and the light source will be removed before the deposition process is performed.

광원에 전기를 공급하기 위한 전선의 통로로서 챔버의 벽에 기존에 형성되어 있던 관통홀을 이용할 수도 있고, 별도의 관통홀을 형성할 수도 있다. 상기 관통홀을 통하여 전선을 통과시킨 후 플런지 및 가스켓 등을 이용하여 관통홀을 밀폐시킴으로써 챔버 내부의 진공형성이 가능하도록 할 수 있다.As a passage of an electric wire for supplying electricity to the light source, a through hole previously formed in the wall of the chamber may be used, or a separate through hole may be formed. After passing the electric wire through the through hole, the through hole may be sealed by using a plunge and a gasket, and the vacuum may be formed in the chamber.

본 발명에 따른 광원(100)에서 발생되는 빛은 가시광선 및 적외선 중 적어도 하나를 포함한다. 본 발명의 일례에 따르면, 가시광선을 발생시킬 수 있는 조명용 광원을 사용할 수 있고, 가시광선 이외에 적외선을 발생시키는 광원을 사용할 수도 있다.Light generated from the light source 100 according to the present invention includes at least one of visible light and infrared light. According to an example of the present invention, an illumination light source capable of generating visible light may be used, and a light source generating infrared light in addition to visible light may be used.

상기 광원(100)으로서 램프 광원을 사용할 수 있는데, 이러한 램프 광원으로서 할로겐 램프를 사용할 수 있다. 상기 할로겐 램프의 경우 복사열의 발생 효율이 우수하기 때문에 챔버 내부를 가열하는 데 효율적이다. 상기 할로겐 램프를 조사할 경우 조사면의 온도를 200℃ 이상까지도 상승시킬 수 있기 때문에 챔버 내부를 가열하는 데 유용하게 사용할 수 있다.A lamp light source may be used as the light source 100, and a halogen lamp may be used as the lamp light source. Since the halogen lamp is excellent in generating radiant heat, it is effective for heating the inside of the chamber. When the halogen lamp is irradiated, the temperature of the irradiated surface may be raised to 200 ° C. or more, and thus may be useful for heating the inside of the chamber.

또한 상기와 같은 할로겐 램프는 조작과 사용이 편리하고 설치가 간편하기 때문에, 사용자의 필요에 따라 챔버 내부의 어떤 위치에라도 용이하게 배치할 수 있다. 따라서, 할로겐 램프 광원을 사용할 경우, 별도의 추가적인 큰 노력이나 손실 없이 챔버의 초기화를 실시할 수 있어 그 공정이 매우 간단해진다.In addition, since the halogen lamp as described above is convenient to operate and use and simple to install, the halogen lamp can be easily disposed at any position inside the chamber according to the needs of the user. Therefore, when using a halogen lamp light source, the chamber can be initialized without any additional great effort or loss, and the process becomes very simple.

도 7는 본 발명에 따른 광원(100)의 일례를 보여주는 도면이다. 도 7에 도시된 광원은 원통형의 광원으로서, 일반적으로 형광등이라고 불리는 광원에서 주로 볼 수 있는 형태이다. 상기 광원의 형태는 원통형 외에 구형(sphere)일 수도 있다. 필요에 따라 상기 광원의 형태는 달라질 수 있다. 형태뿐만 아니라 광원의 크기도 필요에 따라 달라질 수 있다. 예컨대, 좁은 영역을 조사하기 위하여 작은 구 형태의 광원을 사용할 수도 있을 것이다.7 is a view showing an example of a light source 100 according to the present invention. The light source shown in FIG. 7 is a cylindrical light source, and is generally found in a light source called a fluorescent lamp. The shape of the light source may be a sphere in addition to the cylinder. If necessary, the shape of the light source may vary. Not only the shape but also the size of the light source may vary as necessary. For example, a small spherical light source may be used to irradiate a narrow area.

도 7에 의한 광원(100)은 발광부(110) 및 반사판(120)을 포함한다. 본 발명의 일례에 따르면 상기 발광부가 할로겐 램프인 것을 사용할 수 있다. 상기 반사판은 전등갓이라고 불리어진다.The light source 100 of FIG. 7 includes a light emitter 110 and a reflector 120. According to an example of the present invention, the light emitting unit may be a halogen lamp. The reflector is called a lampshade.

도 10는 본 발명의 일례에 따른 광원으로서, 할로겐 램프를 보여주는 사진이다.10 is a photograph showing a halogen lamp as a light source according to an example of the present invention.

챔버(700) 내부에 광원(100)을 배치한 후, 상기 광원을 이용하여 챔버 내부에 빛을 조사한다(S150). 상기 빛의 조사에 의하여 챔버 내부의 온도가 상승하고, 그 결과 챔버 내부의 오염물이 기화되면 챔버 내부에 가스가 발생된다. 즉, 상기 빛의 조사에 의하여, 챔버의 내벽(710) 및 챔버 내부 구조물에 존재하던 잔류 오염물들이 기체화되어 챔버 내부 공간에 모이게 될 것이다. 따라서 상기 빛을 조사한 후에는 진공펌프를 작동시켜 챔버 내부에서 발생한 가스를 외부로 배출시킨다(S160). 상기와 같이 가스를 배출하여 챔버 내부의 오염물이 제거되면, 상기 챔버는 증착용으로 사용할 수 있을 정도로 초기화된다.After the light source 100 is disposed in the chamber 700, light is irradiated into the chamber using the light source (S150). When the temperature inside the chamber is increased by the irradiation of light, and contaminants in the chamber are vaporized, gas is generated in the chamber. That is, by the light irradiation, residual contaminants existing in the inner wall 710 and the chamber inner structure of the chamber will be gasified and collected in the chamber inner space. Therefore, after irradiating the light by operating a vacuum pump to discharge the gas generated in the chamber to the outside (S160). When the gas is discharged to remove contaminants in the chamber as described above, the chamber is initialized to the extent that it can be used for deposition.

한편, 상기 빛을 조사(S60)하기 전에 챔버 내부를 진공으로 만든 후에 빛을 조사할 수도 있다 (도 3b의 S250 참조). Meanwhile, the light may be irradiated after the inside of the chamber is vacuumed before the light is irradiated (S60) (see S250 of FIG. 3B).

또한, 빛의 조사(S150)와 동시에 진공 펌프를 가동하여 챔버 내부를 진공으로 만들면서 가스를 배출할 수도 있고(S160), 빛의 조사(S150)를 시작한 후 일정 시간 후에 진공 챔버를 가동하여 그 동안 생성된 가스를 배출할 수도 있다(S160). In addition, at the same time as the irradiation of light (S150) by operating a vacuum pump to make the interior of the chamber to evacuate the gas (S160), after starting the irradiation of light (S150) a certain time after the operation of the vacuum chamber It is also possible to discharge the gas generated during (S160).

챔버 내부에 진공을 형성하기 위한 진공 펌프는 상업적으로 시판되는 진공펌프를 사용할 수 있다. 일반적으로 증착용 챔버에는 진공 펌프가 설치되어 있는 경우가 많으며, 또한 당업자의 필요에 따라 상기 진공펌프를 적당한 위치에 설치할 수도 있다. 이에, 본 발명의 도면에서는 진공펌프를 별도로 표시하지 않았다. Vacuum pumps for forming a vacuum inside the chamber may use a commercially available vacuum pump. In general, a vacuum pump is often installed in the deposition chamber, and the vacuum pump may be installed at an appropriate position according to the needs of those skilled in the art. Thus, in the drawings of the present invention, the vacuum pump is not separately shown.

본 발명의 일례에 따르면, 상기 진공펌프는 챔버 내부의 압력을 10Pa 이하로 만들 수 있는 정도의 용량인 것이 가능하다. 챔버 내부의 압력이 10Pa 이하라면 본 발명의 목적에 적합한 정도의 진공을 얻을 수 있다. 오염물이 기화되어 발생된 가스를 배출하는데 있어서는 진공도가 높은 것이 가스배출 효율이 높다. 따라서, 보다 효율적인 가스 배출을 위해서는 챔버 내부의 압력을 10-2Pa 이하로 만들 수 있는 정도의 용량을 가진 진공펌프를 사용할 수도 있다. 보다 더 효율적인 가스 배출을 위해서는 챔버 내부의 압력을 10-5Pa이하로 만들 수 있는 진공펌프를 사용할 수도 있음은 물론이다. 상기 진공펌프는 당업자가 그 용도에 맞게 적의하게 선택할 수 있을 것이다.According to an example of the present invention, the vacuum pump may be of a capacity such that the pressure inside the chamber can be made 10 Pa or less. If the pressure inside the chamber is 10 Pa or less, a degree of vacuum suitable for the object of the present invention can be obtained. The higher the degree of vacuum, the higher the gas discharge efficiency in discharging the gas generated by the contaminant vaporization. Therefore, in order to discharge the gas more efficiently, a vacuum pump having a capacity that can make the pressure in the chamber below 10 -2 Pa may be used. Of course, for more efficient gas discharge, a vacuum pump can be used that can make the pressure inside the chamber below 10 -5 Pa. The vacuum pump may be appropriately selected by those skilled in the art to suit the purpose.

전해질 세정과 통상적인 용매 세정에 의하여 제거되지 않은 잔류 오염물들은 주로 챔버 내벽의 아주 미세한 홈이나 장치 구조의 연결 부위 등에 존재하는 아주 미세한 오염물들이다. 이러한 오염물로서 대표적인 예로서 HNO3 및 H2SO4가 있는데, 이들은 강산성을 나타내는 물질들로서 소량만 존재하여도 증착층의 오염을 유발할 수 있다. Residual contaminants that have not been removed by electrolyte cleaning and conventional solvent cleaning are very fine contaminants that are present mainly in the very fine grooves of the chamber inner wall or in the connection of the device structure. Typical examples of such contaminants include HNO 3 and H 2 SO 4 , which may cause contamination of the deposition layer even when only a small amount is present as materials exhibiting strong acidity.

이와 같이 챔버 내에 미세하게 존재하지만, 그 미량으로도 챔버에서 제조되는 제품에 형성되는 증착층에 치명적인 손상을 입힐 수 있는 물질들은 비교적 저분자량의 반응성 물질이다. 이러한 물질들은 70~200℃정도의 온도에서 기체화될 수 있는 물질들이다. As such, materials that are minutely present in the chamber, but which can cause fatal damage to the deposition layer formed in the product manufactured in the chamber, even at a small amount thereof, are relatively low molecular weight reactive materials. These materials are those that can be gasified at a temperature of about 70 ~ 200 ℃.

따라서, 본 발명의 일례에 따르면, 상기 빛이 조사되는 면은 표면 온도가 70~200℃까지 상승되도록 할 수 있다. Therefore, according to an example of the present invention, the surface to which the light is irradiated may be such that the surface temperature is raised to 70 ~ 200 ℃.

상기와 같은 미세 저분자량의 반응성 물질의 존재와 이를 제거할 수 있는 온도는 본 발명자들이 연구를 통하여 알아낸 사실이다. 광원에 의하여 챔버의 내벽 또는 챔버 구조물의 표면을 상기 정도의 온도로 가열하는 경우 이러한 물질들을 기체화시킬 수 있고, 상기와 같은 빛의 조사에 의해서는 챔버 내부의 다른 구조물에는 손상을 입히지 않는다.The presence of such a low molecular weight reactive material and the temperature at which it can be removed is a fact that the inventors have found through research. When the inner wall of the chamber or the surface of the chamber structure is heated to such a temperature by the light source, these materials can be vaporized, and the above light irradiation does not damage other structures inside the chamber.

이에, 본 발명에서는 할로겐 램프와 같은 램프를 광원으로 사용함으로써 상기 오염물을 제거하도록 한 것이다. 상기 할로겐 램프와 같은 램프 광원을 사용함으로써 챔버 세정을 위한 설비를 용이하게 구성할 수 있다. Thus, the present invention is to remove the contaminants by using a lamp such as a halogen lamp as a light source. By using a lamp light source such as the halogen lamp, the facility for chamber cleaning can be easily configured.

상기와 같이 광원을 이용하여 챔버 내부에 빛을 조사하면 챔버 내에 존재하던 오염물이 기체화되어 가스가 발생하고, 이와 같이 발생한 가스를 챔버 외부로 배출하여야 한다. 이를 위하여 빛을 조사하는 동안, 또는, 빛을 조사한 후에도 진공펌프를 작동시켜, 빛의 조사에 의하여 발생하는 가스를 외부로 배출시키는 가스 배출 단계(S160)를 거친다. 상기 가스 배출은 진공펌프를 이용하여 이루어지는 바 상기 공정을 진공펌핑이라고도 한다.When the light is irradiated inside the chamber using a light source as described above, the contaminants existing in the chamber are gasified to generate gas, and the gas thus generated must be discharged to the outside of the chamber. To this end, while irradiating light, or even after irradiating the light by operating a vacuum pump, a gas discharge step (S160) for discharging the gas generated by the irradiation of light to the outside. The gas is discharged using a vacuum pump, so the process is also called vacuum pumping.

본 발명자들에 의한 실험예에 의하면, 전해질 세정 및 정제수를 이용한 용매세정을 거친 챔버에 대하여, 내부 압력이 10-5Pa 수준이 되도록 진공을 형성한 다음 할로겐 램프를 이용하여 챔버 내부를 조사한 결과, 상기 할로겐 램프 조사 후 수분 이내에 챔버 내의 압력이 10-3Pa 수준으로 상승함을 확인하였다. 상기와 같이 챔버 내의 압력 증가하였다는 것은, 할로겐 램프 조사 후 챔버 내부에서 가스가 발생하였다는 것을 의미한다. According to the experimental example of the present inventors, as a result of irradiating the inside of the chamber using a halogen lamp after forming a vacuum so that the internal pressure to the level of 10 -5 Pa to the chamber after the solvent cleaning using the electrolyte cleaning and purified water, It was confirmed that the pressure in the chamber rose to a level of 10 −3 Pa within a few minutes after the halogen lamp irradiation. The increase in pressure in the chamber as described above means that gas is generated inside the chamber after halogen lamp irradiation.

이는 전해질 세정과 정제수를 이용한 용매 세정에 의하여 매우 깨끗하게 세정되었다고 생각되던 챔버에서조차 오염물이 어느 정도 존재하고 있음을 나타내는 것으로서, 상기 오염물들은 할로겐 램프의 조사에 의하여 기체화되었음을 의미한다.This indicates that some contaminants exist even in the chamber which was considered to be very clean by the electrolyte cleaning and the solvent cleaning using the purified water, which means that the contaminants were gasified by irradiation of a halogen lamp.

빛의 조사에 의하여 발생되는 가스를 진공펌프를 이용하여 외부로 배출하는 단계(S160)에서, 상기 진공펌프는 빛이 조사되는 동안 계속적으로 연속하여 작동하도록 할 수도 있지만, 단속적으로 작동시킬 수도 있다. 예를 들어, 상기 진공 펌프를 주기적으로 일정시간 동안만 작동시켜, 진공펌프가 작동되지 않은 동안 발생한 가스는 진공펌프 작동될 때 일시에 배출되도록 할 수도 있다.In the step (S160) of discharging the gas generated by the irradiation of light to the outside using the vacuum pump, the vacuum pump may be continuously operated while the light is irradiated, but may be operated intermittently. For example, the vacuum pump may be periodically operated for a predetermined time so that gas generated while the vacuum pump is not operated may be temporarily discharged when the vacuum pump is operated.

예컨대, 빛을 조사하는 시간이 1시간 이라면, 10분 단위로 진공펌프의 동작과 중지를 반복할 수 있고, 빛을 조사하는 시간이 120 시간이라면 1시간 내지 2시간 마다 진공펌프의 동작과 중지를 반복할 수 있을 것이다. 상기 시간 간격은 당업자가 필요에 따라 적의하게 선택할 수 있을 것이다.For example, if the light irradiation time is 1 hour, the operation and stop of the vacuum pump can be repeated in 10 minutes, and if the light irradiation time is 120 hours, the operation and stop of the vacuum pump every 1 to 2 hours. You can repeat it. The time interval may be appropriately selected by those skilled in the art as needed.

본 발명의 일례에 따르면, 상기 빛을 조사하는 단계는 1시간 내지 120시간 이루어지도록 할 수 있다. 본 발명에서는 1시간 내지 120시간 정도 챔버 내부에 빛을 조사하면서 이때 발생하는 가스를 외부로 배출할 경우 할 경우 만족할 만한 정도로 챔버 내부의 오염물을 제거할 수 있고 그 결과 챔버를 증착용으로 사용할 수 있도록 초기화 할 수 있음을 확인하였다.According to one example of the invention, the step of irradiating the light may be made from 1 hour to 120 hours. In the present invention, when irradiating light to the inside of the chamber for about 1 to 120 hours, the contaminants in the chamber can be removed to a satisfactory level when the generated gas is discharged to the outside, so that the chamber can be used for deposition. We confirmed that we can initialize.

이는 종래 히터를 사용하는 고온 베이킹 공정을 적용하는 경우와 크게 대비되는 부분이다. 종래 히터를 사용하는 고온 베이킹 공정을 적용하는 경우, 초기 단계에서 챔버 내 잔류 오염물에 의한 증착층의 손상이 없도록 하기 위해서는 상기 고온 베이킹 공정을 수십일 내지 수개월 동안 실시하여야 한다. 구체적으로 종래 고온 베이킹 공정을 적용하는 일례에 따르면, 챔버 제조 및 세정 후 약 4개월간 고온 베이킹을 해야만 만족할 만한 품질을 갖는 증착층을 안정적으로 얻을 수 있었다.This is a large contrast with the case of applying a high temperature baking process using a conventional heater. When applying a high temperature baking process using a conventional heater, the high temperature baking process should be carried out for several tens of days to several months in order to avoid damage of the deposited layer due to residual contaminants in the chamber in the initial stage. Specifically, according to an example of applying a conventional high temperature baking process, only a high temperature baking for about 4 months after the fabrication and cleaning of the chamber was able to stably obtain a deposition layer having satisfactory quality.

그런데 본 발명을 적용할 경우, 적게는 1시간 내지 1일 정도의 빛 조사와 가스 배출(진공 펌핑)에 의해서도 만족할 만한 증착층을 얻을 수 있을 정도로 오염물을 제거할 수 있다.However, when the present invention is applied, contaminants can be removed to the extent that a satisfactory deposition layer can be obtained even by light irradiation and gas discharge (vacuum pumping) for at least one hour to one day.

또한 발명에 의할 경우, 상기 챔버 내부에 광원을 배치하기 전 또는 후에 상기 챔버 내부의 구조물 중 빛이 조사되지 않아도 되는 부분에 빛이 조사되는 것을 방지하기 위하여 빛 차단용 커버를 배치할 수 있다. 상기 빛 차단용 커버는 광원에서 조사되는 빛을 가려 복사열을 차단할 수 있을 정도로 설치하면 된다. 예를 들어 알루미늄 호일 또는 광 반사성 필름을 이용하여 용이하게 빛 차단용 커버를 설치할 수 있다.In addition, according to the present invention, a light blocking cover may be disposed to prevent light from being irradiated to a portion of the structure inside the chamber that does not need to be irradiated before or after the light source is disposed in the chamber. The light blocking cover may be installed to cover the light emitted from the light source to block the radiant heat. For example, an aluminum foil or a light reflective film can be used to easily install a light blocking cover.

상기 빛 차단용 커버가 배치된 부분에는 빛이 조사되지 않아 복사열을 받지 않기 때문에 온도 상승이 크지 않다. 그렇기 때문에, 챔버 내 구조물 중 열에 민감한 구성요소 예컨대, 전자소자나 센서 등은 알루미늄 호일 등으로 감싸 빛을 차단시켜 줌으로써 그 부분의 온도가 상승하는 것을 막을 수 있다.Since the light is not irradiated to the portion where the light blocking cover is disposed, the temperature rise is not large because it does not receive radiant heat. Therefore, heat sensitive components such as electronic devices or sensors among the structures in the chamber may be wrapped in aluminum foil to block light to prevent the temperature of the portion from rising.

본 발명자들의 실험에 의하면, 빛이 조사된 부분의 온도가 200℃로 상승할 때에도, 알루미늄 호일을 이용하여 빛이 차단된 부분의 온도는 30℃ 정도로 유지됨을 확인할 수 있었다.According to the experiments of the present inventors, even when the temperature of the portion irradiated with light rises to 200 ° C., it was confirmed that the temperature of the portion where the light was blocked using aluminum foil was maintained at about 30 ° C.

이와 같이 본 발명에 의할 경우, 비교적 간단한 방법으로 빛의 조사를 선택적으로 차단하여 선택적으로 온도 상승을 억제할 수 있다. As described above, according to the present invention, the irradiation of light can be selectively blocked by a relatively simple method to selectively suppress the temperature rise.

본 발명에 따른 세정 방법은 특히 유기발광소자(OLED) 제조를 위한 증착용 챔버에 유용하게 적용될 수 있다. 상기 증착용 챔버는 크기가 크고, 내부에 다양한 구조물이 존재하는 바, 통상적으로 알려진 방법으로 미세 오염물을 세정하는 데는 한계가 있다. 그러나 본 발명에서와 같이 빛을 조사하는 방법을 적용할 경우 규모가 크고 구조가 복잡한 증착용 챔버 내부에 잔류하는 오염물도 용이하게 제거할 수 있고 그 결과 챔버의 초기화를 용이하게 이룰 수 있다. The cleaning method according to the present invention may be particularly useful in a deposition chamber for manufacturing an organic light emitting diode (OLED). The deposition chamber is large in size, and there are various structures therein. Therefore, there is a limit in cleaning fine contaminants by a commonly known method. However, when the method of irradiating light as in the present invention, contaminants remaining in the deposition chamber having a large and complicated structure can be easily removed, and as a result, initialization of the chamber can be easily achieved.

도 8은 본 발명의 다른 일례에 따른 증착용 챔버로서, 챔버 상부에 기판을 수평으로 배치한 후 증착을 실시하도록 구성된 챔버를 보여준다.8 is a deposition chamber according to another exemplary embodiment of the present invention, and shows a chamber configured to perform deposition after horizontally disposing a substrate on the chamber.

도 9는 기판을 챔버 하부에 수평으로 배치한 후 증착을 실시하도록 구성된 챔버를 보여준다.9 shows a chamber configured to deposit after placing the substrate horizontally below the chamber.

이와 같이 본 발명에 따른 챔버 내의 오염물 제거 방법은 다양한 종류 및 다양한 크기의 증착용 챔버에 적용할 수 있다.As such, the method for removing contaminants in the chamber according to the present invention may be applied to various types and various sizes of deposition chambers.

도 3b는 본 발명에 따른 챔버의 초기화 방법의 일례를 나타낸다.3B shows an example of a method of initializing a chamber according to the present invention.

도 3b에 의한 챔버의 초기화 공정에서는 챔버를 조립(S210)하고, 상기 조립된 챔버를 전해질 세정(S220)하고, 다시 용매세정 및 건조(S230)하고, 챔버내부에 광원을 배치(S240)하고, 진공펌프를 이용하여 상기 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하여 챔버 내부에 진공을 형성(S250)하고, 상기 광원에 의하여 챔버 내부에 빛을 조사(S260)하고, 상기 빛 조사에 의하여 챔부 내부에서 발생한 가스를 외부로 배출하여 가스를 제거(S270)하는 단계를 포함한다.In the initializing process of the chamber according to FIG. 3B, the chamber is assembled (S210), the assembled chamber is electrolyte cleaned (S220), the solvent is washed and dried again (S230), a light source is disposed in the chamber (S240), By discharging the gas inside the chamber to the outside by using a vacuum pump to form a vacuum in the chamber (S250), irradiating light into the chamber by the light source (S260), and generated inside the chamber by the light irradiation Discharging the gas to the outside to remove the gas (S270).

상기 도 3b에 의한 챔버의 초기화 공정에서는 챔버(700) 내부에 광원(100)을 배치한 후, 진공펌프를 이용하여 상기 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하여 챔버 내부에 진공을 형성한 후(S250), 챔버 내부에 빛을 조사한다는 점에서 도 3a에 의한 공정과 차이가 있을 뿐 다른 공정은 도 3a와 동일하다.In the initializing process of the chamber according to FIG. 3b, after the light source 100 is disposed in the chamber 700, a vacuum is formed inside the chamber by discharging the gas inside the chamber to the outside using a vacuum pump (S250). ), The process is different from the process according to FIG. 3a in that light is irradiated into the chamber, and the other processes are the same as in FIG. 3a.

본 발명은 또한, 신규로 제조된 챔버를 증착용으로 사용하기 위하여 챔버 내부의 오염물 제거방법을 제공한다. 상기 챔버 내부의 오염물 제거방법은 챔버에 대한 전해질 세정 단계, 용매 세정 단계, 챔버 내부에 광원을 배치하는 단계, 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계 및 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하는 단계를 포함한다. 상기 언급된 각각의 단계는 상기 챔버의 초기화 방법에서의 각각의 단계와 동일한 바, 상세한 설명은 생략한다.The present invention also provides a method for removing contaminants in a chamber for use in a newly manufactured chamber for deposition. The method for removing contaminants in the chamber may include cleaning an electrolyte in a chamber, cleaning a solvent, arranging a light source in the chamber, irradiating light inside the chamber, and discharging the gas inside the chamber to the outside. . Each step mentioned above is the same as each step in the method of initializing the chamber, and detailed description is omitted.

본 발명은 또한 유기발광소자(OLED)의 유기물 증착용 챔버의 제조방법을 제공한다. 상기 유기발광소자(OLED)의 유기물 증착용 챔버의 제조방법은 기계적 조립에 의하여 챔버 구조물을 형성하는 단계 및 상기 설명한 챔버 내의 오염물 제거방법에 의하여 챔버 내의 오염물을 제거하는 단계를 포함한다.The present invention also provides a method of manufacturing a chamber for organic material deposition of an organic light emitting device (OLED). The method of manufacturing an organic material deposition chamber of the organic light emitting diode (OLED) includes forming a chamber structure by mechanical assembly and removing contaminants in the chamber by the method of removing contaminants in the chamber described above.

본 발명은 또한 상기 방법으로 제조된 유기발광소자(OLED)의 유기물 증착용 챔버를 제공한다.The present invention also provides a chamber for organic material deposition of an organic light emitting device (OLED) manufactured by the above method.

100: 광원 110: 발광부
120: 반사판 200: 자석수단
300: 기판 지지부 400: 기판 고정 수단
500: 마스크 고정 수단 600: 증착원 설치대
611: 분사공 700: 챔버
710: 챔버 내벽 810: 오염원100: light source 110: light emitting unit
120: reflector 200: magnetic means
300: substrate support 400: substrate fixing means
500: mask fixing means 600: evaporation source mounting table
611: injection hole 700: chamber
710: inner wall of the chamber 810: source of contamination

Claims (26)

기계적 조립에 의하여 신규로 제조된 챔버를 증착용으로 사용하기 위하여 초기화하는 방법으로서,
신규 조립된 챔버를, 전해질을 이용하여 세정하는 전해질 세정 단계;
상기 전해질 세정된 챔버를, 용매를 이용하여 세정하는 용매 세정 단계;
상기 세정된 챔버 내부에 광원을 배치하는 단계;
상기 광원을 이용하여 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계; 및
진공펌프를 이용하여 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하는 단계;
를 포함하는 챔버의 초기화 방법.As a method for initializing a chamber newly manufactured by mechanical assembly for use in deposition,
An electrolyte cleaning step of cleaning the newly assembled chamber with an electrolyte;
A solvent cleaning step of cleaning the electrolyte cleaned chamber by using a solvent;
Disposing a light source inside the cleaned chamber;
Irradiating light into the chamber using the light source; And
Discharging the gas inside the chamber to the outside using a vacuum pump;
Initialization method of a chamber comprising a. 제 1항에 있어서, 상기 용매 세정 단계에서의 용매는 물 및 알코올 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법.The method of claim 1, wherein the solvent in the solvent cleaning step comprises at least one of water and alcohol. 제 1항에 있어서, 상기 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계와 상기 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하는 단계는 동시에 진행되는 것을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법.The method of claim 1, wherein irradiating light into the chamber and discharging the gas inside the chamber to the outside are performed at the same time. 제 1항에 있어서, 상기 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계를 실시하기 전에 상기 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하는 단계를 실시하는 것을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법.The method of claim 1, wherein the step of discharging the gas inside the chamber to the outside before the step of irradiating the light inside the chamber. 제 1항에 있어서, 상기 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계는 1시간 내지 120시간 이루어지는 것을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법.The method of claim 1, wherein irradiating light into the chamber is performed for 1 hour to 120 hours. 제 1항에 있어서, 상기 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계를 실시하는 동안 계속적으로 상기 진공펌프를 작동시켜 챔버 내부의 가스를 지속적으로 외부로 배출하는 것을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법.The method of claim 1, wherein the vacuum pump is continuously operated while continuously irradiating light into the chamber, thereby continuously discharging gas inside the chamber to the outside. 제 1항에 있어서, 상기 진공펌프는 그 용량이 챔버 내부의 압력을 10Pa 이하로 만드는 것이 가능한 것임을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법.The vacuum pump of claim 1, wherein the vacuum pump has a capacity of 10 Pa in the chamber. The chamber initializing method characterized by the following being possible. 제 1항에 있어서, 상기 광원에서 발생하는 빛은 가시광선 및 적외선 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법. The method of claim 1, wherein the light emitted from the light source is at least one of visible light and infrared light Initialization method of the chamber comprising a. 제 1항에 있어서, 상기 광원은 할로겐 램프인 것을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법.The method of claim 1, wherein the light source is a halogen lamp. 제 1항에 있어서, 상기 광원은 챔버 내부의 모서리 부분 및 챔버 내부의 공간 중 적어도 한 곳 이상에 배치되는 것을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법.The method of claim 1, wherein the light source is disposed at at least one of an edge portion inside the chamber and a space inside the chamber. 제 1항에 있어서, 상기 광원에 의하여 빛이 조사되는 부분은 챔버의 내벽 및 챔버 내부 구조물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법.The method of claim 1, wherein the light irradiated by the light source comprises at least one of an inner wall of the chamber and an inner structure of the chamber. 제 1항에 있어서, 상기 빛이 조사되는 면은 표면 온도가 70~200℃까지 상승되는 것을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법.The method according to claim 1, wherein the surface to which the light is irradiated is raised to a surface temperature of 70 ~ 200 ℃. 제 1항에 있어서, 상기 진공펌프에 의하여 외부로 배출되는 챔버 내부의 가스는 HNO3 및 H2SO4 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법.The method of claim 1, wherein the gas inside the chamber discharged to the outside by the vacuum pump comprises at least one of HNO 3 and H 2 SO 4 . 제 1항에 있어서, 상기 챔버 내부에 광원을 배치하는 단계 전 또는 후에 상기 챔버 내부의 구조물 중 빛이 조사되지 않아도 되는 부분에 빛 차단용 커버를 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법.The method of claim 1, further comprising disposing a light blocking cover on a portion of the structure inside the chamber where light does not need to be irradiated before or after disposing the light source in the chamber. Initialization method. 제 1항에 있어서, 상기 챔버는, 유기발광소자(OLED)의 제조 과정에서 유기물을 증착하기 위한 공정에 적용되는 챔버인 것을 특징으로 하는 챔버의 초기화 방법.The method of claim 1, wherein the chamber is a chamber applied to a process for depositing an organic material in a process of manufacturing an organic light emitting diode (OLED). 신규 제조된 챔버를 증착용으로 사용하기 위하여 챔버 내의 오염물을 제거하는 방법으로서,
전해질을 이용하여 신규 조립된 챔버를 세정하는 전해질 세정 단계;
상기 전해질 세정된 챔버를, 용매를 이용하여 세정하는 용매 세정 단계;
상기 세정된 챔버 내부에 광원을 배치하는 단계;
상기 광원을 이용하여 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계; 및
진공펌프를 이용하여 챔버 내부의 가스를 외부로 배출하는 단계;
를 포함하는 챔버 내의 오염물 제거방법.A method for removing contaminants in a chamber for use in a newly manufactured chamber for deposition,
An electrolyte cleaning step of cleaning the newly assembled chamber using the electrolyte;
A solvent cleaning step of cleaning the electrolyte cleaned chamber by using a solvent;
Disposing a light source inside the cleaned chamber;
Irradiating light into the chamber using the light source; And
Discharging the gas inside the chamber to the outside using a vacuum pump;
Contaminant removal method in the chamber comprising a. 제 16항에 있어서, 상기 용매 세정 단계에서의 용매는 물 및 알코올 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 내의 오염물 제거방법.17. The method of claim 16, wherein the solvent in the solvent cleaning step comprises at least one of water and alcohol. 제 16항에 있어서, 상기 챔버 내부에 빛을 조사하는 단계는 1시간 내지 120시간 이루어지는 것을 특징으로 하는 챔버 내의 오염물 제거방법.17. The method of claim 16, wherein irradiating light inside the chamber comprises 1 hour to 120 hours. 제 16항에 있어서, 상기 진공펌프는 그 용량이 챔버 내부의 압력을 10Pa 이하로 만드는 것이 가능한 것임을 특징으로 하는 챔버 내의 오염물 제거방법.17. The vacuum pump of claim 16, wherein the vacuum pump has a capacity of 10 Pa in the chamber. A method for removing contaminants in a chamber, characterized in that it can be made as follows. 제 16항에 있어서, 상기 광원은 할로겐 램프인 것을 특징으로 하는 챔버 내의 오염물 제거방법.17. The method of claim 16 wherein the light source is a halogen lamp. 제 16항에 있어서, 상기 빛이 조사되는 면은 표면 온도가 70~200℃까지 상승되는 것을 특징으로 하는 챔버 내의 오염물 제거방법.17. The method of claim 16, wherein the surface to which the light is irradiated increases surface temperature to 70 ~ 200 ℃. 제 16항에 있어서, 상기 진공펌프에 의하여 외부로 배출되는 챔버 내부의 가스는 HNO3 및 H2SO4 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 내의 오염물 제거방법.The method of claim 16, wherein the gas inside the chamber discharged to the outside by the vacuum pump comprises at least one of HNO 3 and H 2 SO 4 . 제 16항에 있어서, 상기 챔버 내부에 광원을 배치하는 단계 전 또는 후에 상기 챔버 내부의 구조물 중 빛이 조사되지 않아도 되는 부분에 빛 차단용 커버를 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 내의 오염물 제거방법.The method of claim 16, further comprising disposing a light blocking cover in a portion of the structure inside the chamber that does not need to be irradiated before or after the light source is disposed in the chamber. How to remove contaminants. 제 16항에 있어서, 상기 챔버는, 유기발광소자(OLED)의 제조 과정에서 유기물을 증착하기 위한 공정에 적용되는 챔버인 것을 특징으로 하는 챔버 내의 오염물 제거방법.The method of claim 16, wherein the chamber is a chamber applied to a process for depositing an organic material in a process of manufacturing an organic light emitting diode (OLED). 기계적 조립에 의하여 챔버 구조물을 형성하는 단계; 및
제 16항 내지 제 24항 중 어느 한 항에 의한 챔버 내의 오염물 제거방법에 의하여 챔버 내의 오염물을 제거하는 단계;
를 포함하는 유기발광소자(OLED)의 유기물 증착용 챔버의 제조방법.Forming a chamber structure by mechanical assembly; And
Removing contaminants in the chamber by a method for removing contaminants in the chamber according to any one of claims 16 to 24;
Method of manufacturing an organic material deposition chamber of the organic light emitting device (OLED) comprising a. 제 25항에 의한 방법으로 제조된 유기발광소자(OLED)의 유기물 증착용 챔버.A chamber for depositing organic materials of an organic light emitting device (OLED) manufactured by the method of claim 25.
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