KR20120125819A - 실리콘 잉곳 제조 장치 - Google Patents

실리콘 잉곳 제조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20120125819A
KR20120125819A KR1020110043500A KR20110043500A KR20120125819A KR 20120125819 A KR20120125819 A KR 20120125819A KR 1020110043500 A KR1020110043500 A KR 1020110043500A KR 20110043500 A KR20110043500 A KR 20110043500A KR 20120125819 A KR20120125819 A KR 20120125819A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
crucible
cooling
ingot
heat
silicon
Prior art date
Application number
KR1020110043500A
Other languages
English (en)
Inventor
김재진
Original Assignee
(주) 포인트카본코리아
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주) 포인트카본코리아 filed Critical (주) 포인트카본코리아
Priority to KR1020110043500A priority Critical patent/KR20120125819A/ko
Publication of KR20120125819A publication Critical patent/KR20120125819A/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명은 잉곳 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 잉곳 제조 장치는 원료를 담는 도가니와, 도가니를 가열하는 가열 수단과, 도가니를 지지하는 지지대와, 가열 수단 외부에 마련되며 지지대와 소정 간격 이격되는 단열재와, 도가니 지지대 하부에 마련되며, 회전 가능한 냉각 수단을 포함한다.
본 발명에 의하면 회전하는 냉각 수단의 냉각열이 도가니 하부 뿐만 아니라 단열재의 하부와 지지대 사이의 공간을 통해 도가니 측부까지 전달되어 실리콘 융액이 중심부와 측부에서 동시에 응고되도록 하여 결정의 방향성이 우수한 실리콘 잉곳을 제조할 수 있다.

Description

실리콘 잉곳 제조 장치{APPARATUS MANUFACTURING SILIONE INGOT}
본 발명은 잉곳 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것으로, 특히 열 손실이 없으며, 중심부와 측부의 응고 속도를 동일하게 하는 잉곳 제조 장치에 관한 것이다.
최근 환경 문제와 에너지 고갈에 대한 관심이 높아지면서, 에너지 자원이 풍부하고 환경 오염에 대한 문제점이 없으며 에너지 효율이 높은 대체 에너지로서 태양 전지에 대한 관심이 높아지고 있다.
태양 전지는 사용 원료에 따라 결정계, 비정질계, 화합물계 등으로 분류되고, 그 중에서도 현재 시장에 유통되고 있는 대부분은 결정계 실리콘 태양 전지이다.
결정계 실리콘 태양 전지는 단결정형과 다결정형으로 분류된다. 단결정 실리콘 태양 전지는 기판의 품질이 좋기 때문에 변환 효율이 높은 장점이 있지만, 기판의 제조 비용이 높다는 단점을 갖는다. 이에 반해, 다결정 실리콘 태양 전지는 단결정 실리콘 태양 전지에 비해 변환 효율이 낮지만, 제조 비용이 낮은 장점이 있다.
따라서, 최근에는 다결정 실리콘 태양 전지의 수요가 증가하고 있고, 보다 저비용으로 높은 변환 효율을 갖는 다결정 실리콘 태양 전지가 요구되고 있다.
이러한 요구에 대처하기 위해서는 다결정 실리콘 기판의 저비용화, 고품질화가 필요하다. 특히, 고순도의 다결정 실리콘 잉곳을 수율 좋게 제조하는 것이 요구되고 있다.
다결정 실리콘 잉곳은 실리콘 원료를 도가니 내에 넣고 용융시킨 후 도가니 바닥부터 한방향으로 응고시켜서 형성하는 방법이 일반적이다.
상기 방법으로 다결정 실리콘 잉곳을 제조하는 장치는 일반적으로 도가니 하부에 냉각 수단이 위치하게 된다.
그런데, 냉각 수단은 실리콘 원료가 용융되는 동안에도 계속적으로 냉각수를 흘려주게 되고 냉각 수단이 도가니 쪽으로 노출되게 된다. 따라서, 실리콘 원료를 용융시키기 위한 열이 손실되어 용융 시간이 오래 걸리고, 그에 따른 공정 시간이 증가하는 문제점이 있었다.
상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 열 손실이 없고, 공정 시간을 줄일 수 있는 잉곳 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 중심부와 측부의 응고 속도를 동일하게 하여 결정의 방향성이 우수한 잉곳을 제조하는 잉곳 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면, 실리콘 잉곳을 제조하기 위한 장치에 있어서, 로(furnace) 안에 제공되고, 단일 시드 결정 및 공급 원료 물질을 수용하도록 구성된 도가니; 상기 도가니에 수용된 상기 시드 결정을 가열하여 적어도 부분적으로 용융시키고, 상기 도가니에 수용된 상기 공급 원료 물질을 완전히 용융시키기 위한 적어도 하나의 가열 요소; 상기 적어도 부분적으로 용융된 시드 결정 및 상기 공급 원료 물질로부터 상기 단결정 잉곳의 성장을 촉진시키기 위하여, 상기 도가니로부터의 열추출을 제어하기 위한 열교환기; 및 상기 로 안에 포함되고, 상기 단결정 잉곳의 냉각 및 일방향성 응고를 촉진시키기 위하여 상기 도가니를 기준으로 이동하도록 구성된 절연재를 포함하는 것을 특징으로 하는 잉곳 제조장치가 제공된다.
상기 도가니는 상기 도가니를 상기 로 안에 유지하기 위한 리테이너(retainer)를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 도가니 안의 상기 시드 결정의 용융 속도를 제어하기 위하여, 상기 열교환기는 복수의 단계에서 작동가능한 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 잉곳 제조 장치에 의하면, 실리콘 원료가 용융되는 동안에는 차단되고 실리콘 융액을 응고시키는 동안에는 서서히 개방되도록 회전하는 냉각 수단을 도가니 하부에 설치하여 열 손실을 없앨 수 있다.
또한, 핫존의 열을 외부와 차단하기 위한 단열재와 도가니 및 몰드를 지지하는 지지대 사이에 소정의 공간이 마련되도록 하고, 냉각 차단재와 냉각 전달재가 냉각 라인을 둘러싸며 회전하는 냉각 수단을 지지대 하부에 마련한다.
그리고, 회전하는 냉각 수단의 냉각열이 도가니 하부 뿐만 아니라 단열재와 지지대 사이의 공간을 통해 도가니 측부까지 전달되어 원료 융액이 중심부와 측부에서 동시에 응고되도록 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 다결정 실리콘 잉곳 제조 장치의 개략 단면도.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고, 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니고, 본 발명의 기술 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 식으로 이해 되어야 하고, 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하며, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 이에 대해 중복되는 설명을 생략하기로 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 다결정 실리콘 잉곳 제조 장치의 개략 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 잉곳 제조 장치(100)는 도가니(120)는 상부가 개방된 직육면체 형상으로 제작될 수 있으며, 도가니(120) 내에서 실리콘이 용융 및 응고된다. 도가니(120)는 실리콘을 용융시키는 약 1450℃의 고온에서도 형상 안정성이 뛰어난 물질을 이용하여 제작되는데, 석영 또는 흑연 등을 이용할 수 있다. 또한, 도가니(120)는 일체형 또는 조립형으로 제작될 수 있는데, 조립형은 예를 들어 판상의 바닥 부재와 측면 부재를 제작하고 이들을 조립 및 나사 고정하여 제작될 수 있다.
몰드(130)는 도가니(120), 특히 석영으로 제작된 도가니(120)를 둘러싸도록 마련될 수 있으며, 상부가 개방된 직육면체 형상으로 제작될 수 있다. 몰드(130)는 흑연을 이용하여 제작될 수 있다.
지지대(140)는 몰드(130) 하부에서 도가니(120) 및 몰드(130)를 지지하며, 열 전도성이 우수한 물질, 예를들어 흑연으로 제작될 수 있다.
가열 수단(150)은 도가니(120) 내의 실리콘을 가열하여 용융시키기 위해 설치되며, 도가니(120) 상부에 마련된 상부 히터(151) 및 도가니(120) 측부에 마련된 측부 히터(152)를 포함한다. 상부 히터(151) 및 측부 히터(152)는 챔버(100) 외부의 전원 공급 장치(미도시)와 연결되어 전원 공급 장치로부터 공급된 전원에 의하여 열을 발하게 된다.
또한, 상부 히터(151) 및 측부 히터(152) 부근에는 복수의 온도 센서(미도시)가 구비될 수 있으며, 온도 센서에 의해 측정된 온도는 챔버(100) 외부에 표시될 수 있다.
단열재(160)는 핫존(10)의 열이 외부로 전달되는 것을 방지하기 위해 마련되며, 가열 수단(150)을 포함한 핫존(10)의 상부 및 측부를 감싸도록 마련된 제 1 및 제 2 단열재(161 및 162)와, 핫존(10)의 하부 영역에 마련된 제 3 단열재(163)와, 제 3 단열재(163)의 하부로부터 챔버(100)의 하부면으로 마련된 제 4 단열재(164)를 포함한다.
단열재(160)는 핫존(10)을 둘러싸게 된다. 이때, 단열재(160)의 형상은 핫존(10)을 내부에 설치할 수 있는 다양한 형상으로 변경될 수 있으며, 일체형 또는 분리형으로 제작될 수 있다. 또한, 제 1 단열재(161)는 제2 단열재(162)로부터 분리 가능하도록 마련되고, 제 3 단열재(163)는 지지대(140)와 소정 간격 이격되어 제 3단열재(163)와 지지대(140) 사이에는 소정의 공간이 마련된다.
제 3 단열재(163)와 지지대(140) 사이의 공간을 통해 냉각 수단(170)의 냉각열이 유입되어 도가니(120) 측부, 즉 도가니(120)와 측부 히터(152) 사이에도 냉각
열이 전달될 수 있다.
냉각 수단(170)은 핫존(10)을 냉각시켜 도가니(120) 내에서 용융된 실리콘을 응고시킨다. 냉각 수단(170)은 핫존(10) 하부에 복수개 마련되며, 각각의 냉각수단(170)은 냉매 또는 냉각수가 흐르는 냉각 라인(171)과, 냉각라인(171)을 감싸며 냉각열을 조절하는 냉각 조절부(174)를 포함한다. 또한, 냉각 조절부(174)는 냉각 라인(171)을 감싸도록 서로 결합된 냉각 차단재(172) 및 냉각 전달재(173)를 포함한다. 냉각 라인(171)은 핫존(10)하부, 즉 지지대(140) 하부를 가로질러 배치되며, 예를들어 원통, 사각통, 다각통 등의 통형으로 제작될 수 있다.
냉각 차단재(172) 및 냉각 전달재(173)는 예를 들어 각각 반통형으로 제작되며, 냉각 라인(171)을 사이에 두고 결합되어 냉각 라인(171)을 감싸게 된다. 여기서, 냉각 차단재(172)는 열 차단성 물질로 제작되고, 냉각 전달재(173)는 열 전도성 물질로 제작된다. 냉각 수단(170)은 챔버(100) 외부에 마련된 회전 구동 수단(미도시)에 의해 회전하는데, 냉각 라인(171)을 포함한 냉각 수단(170) 전체가 회전할 수도 있고, 냉각 라인(171)을 제외한 냉각 조절부(174)만이 회전할 수도 있다.
냉각 수단(170)은 회전에 의해 핫존(10)의 온도를 낮추거나 유지할 수 있다. 즉, 실리콘의 용융 시에는 냉각 차단재(172)가 냉각 라인(171)의 상부에 위치하여 도가니(120)는 실리콘의 용융 온도를 유지하고, 실리콘의 응고 시에는 냉각 수단(170)이 회전하여 냉각 전달재(173)가 냉각 라인(171)의 상부로 이동하면서 핫존(10)의 온도를 낮추게 된다.
실리콘 응고 시 냉각 수단(170)이 회전하면서 냉각전달재(173)가 냉각 라인(171) 상부에 위치하는 영역이 점차 증가하면서 핫존(10)의 온도를 서서히 낮추게 된다.
이때, 핫존(10) 하부 뿐만 아니라 제 3 단열재(163)와 지지대(140) 사이의 공간을 통해 도가니(120) 측부에도 냉각열이 전달되어 도가니(120) 측부에서도 도가니(120) 하부와 동시에 실리콘의 응고가 이루어진다.
한편, 모든 냉각 수단(170)은 동일 방향으로 회전할 수도 있고, 서로 다른 방향으로 회전할 수도 있는데, 예를들어 중앙부를 중심으로 일측의 적어도 하나의 냉각 수단(170)이 시계 방향으로 회전하고, 나머지 냉각 수단(170)이 반시계 방향으로 회전할 수도 있다.
또한, 예를 들어 홀수번째 냉각 수단(170)이 시계 방향으로 회전하고, 짝수번째 냉각 수단(170)이 반시계 방향으로 회전할 수 있다. 이외에도 다양한 방법으로 냉각 수단(170)이 서로 다른 방향으로 회전할 수도 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 다결정 실리콘 잉곳 제조 장치는 도가니(120) 하부에 위치하는 냉각 수단(170)이 실리콘 원료 용융 시에는 냉각 차단재(172)가 냉각 라인(171) 상부에 위치하고, 실리콘 응고시에는 회전하여 냉각 전달재(173)가 서서히 냉각 라인(171) 상부에 위치하도록 함으로써 열 손실을 방지할 수 있다.
이와 같이 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 이루어질 수 있음은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이러한 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100 : 챔버
110 : 챔버 냉각 라인
120 : 도가니
130 : 몰드

Claims (3)

  1. 실리콘 잉곳을 제조하기 위한 장치에 있어서,
    로(furnace) 안에 제공되고, 단일 시드 결정 및 공급 원료 물질을 수용하도록 구성된 도가니;
    상기 도가니에 수용된 상기 시드 결정을 가열하여 적어도 부분적으로 용융시키고, 상기 도가니에 수용된 상기 공급 원료 물질을 완전히 용융시키기 위한 적어도 하나의 가열 요소;
    상기 적어도 부분적으로 용융된 시드 결정 및 상기 공급 원료 물질로부터 상기 단결정 잉곳의 성장을 촉진시키기 위하여, 상기 도가니로부터의 열추출을 제어하기 위한 열교환기; 및
    상기 로 안에 포함되고, 상기 단결정 잉곳의 냉각 및 일방향성 응고를 촉진시키기 위하여 상기 도가니를 기준으로 이동하도록 구성된 절연재를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도가니는 상기 도가니를 상기 로 안에 유지하기 위한 리테이너(retainer)를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 도가니 안의 상기 시드 결정의 용융 속도를 제어하기 위하여, 상기 열교환기는 복수의 단계에서 작동가능한 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조 장치.
KR1020110043500A 2011-05-09 2011-05-09 실리콘 잉곳 제조 장치 KR20120125819A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110043500A KR20120125819A (ko) 2011-05-09 2011-05-09 실리콘 잉곳 제조 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110043500A KR20120125819A (ko) 2011-05-09 2011-05-09 실리콘 잉곳 제조 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120125819A true KR20120125819A (ko) 2012-11-19

Family

ID=47511308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110043500A KR20120125819A (ko) 2011-05-09 2011-05-09 실리콘 잉곳 제조 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120125819A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105386123A (zh) * 2015-12-21 2016-03-09 晶科能源有限公司 多晶铸锭炉及其侧部保温装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105386123A (zh) * 2015-12-21 2016-03-09 晶科能源有限公司 多晶铸锭炉及其侧部保温装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Lan et al. Grain control in directional solidification of photovoltaic silicon
KR20100024675A (ko) 잉곳 제조 장치 및 제조 방법
US8172944B2 (en) Device for producing a block of crystalline material with modulation of the thermal conductivity
US20090280050A1 (en) Apparatus and Methods for Casting Multi-Crystalline Silicon Ingots
US9263624B2 (en) High-output apparatus for manufacturing a polycrystal silicon ingot for a solar cell
JPH11310496A (ja) 一方向凝固組織を有するシリコンインゴットの製造方法およびその製造装置
CN103882517A (zh) 多晶硅锭的制备方法
CN103014833A (zh) 硅锭的制备方法
JP2010508237A (ja) 指向性凝固による金属シリコンの精製方法
CN102965727B (zh) 多晶硅锭及其铸造方法
CN101597787B (zh) 在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法
WO1993017158A1 (en) Method and apparatus for growing shaped crystals
US20180347071A1 (en) Systems and methods for low-oxygen crystal growth using a double-layer continuous czochralski process
CN103628127A (zh) 一种定向凝固法准单晶硅生长炉及准单晶硅的生长方法
US20130011320A1 (en) Method for purifying silicon
KR20120125819A (ko) 실리콘 잉곳 제조 장치
CN103409789B (zh) 一种多晶硅定向凝固装置
KR101199562B1 (ko) 다결정 실리콘 잉곳 제조장치
KR20120061837A (ko) 다결정 실리콘 잉곳을 생산하기 위한 장치
CN103334154A (zh) 一种应用热交换生产多晶硅铸锭的方法
CN104419978A (zh) 单晶炉的导流筒
KR101116235B1 (ko) 일체형 단열-히터를 구비한 태양전지용 다결정 실리콘 잉곳 제조장치
CN201296663Y (zh) 多晶硅静态温梯定向凝固提纯炉
CN206768276U (zh) 一种高晶体质量多晶硅铸锭热场
CN205839189U (zh) 一种用于生产多晶硅铸锭的石英坩埚

Legal Events

Date Code Title Description
WITB Written withdrawal of application