KR20120111306A - 나노 임프린팅과 포토 리소그래피 방법을 동시에 이용한 몰드 제조 방법, 및 상기 방법에 의하여 제조된 몰드를 이용한 미세 패턴 형성 방법 - Google Patents

나노 임프린팅과 포토 리소그래피 방법을 동시에 이용한 몰드 제조 방법, 및 상기 방법에 의하여 제조된 몰드를 이용한 미세 패턴 형성 방법 Download PDF

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이치영
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Abstract

본원은 나노 임프린트팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법 및 제작된 몰드를 이용하여 미세 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.

Description

나노 임프린팅과 포토 리소그래피 방법을 동시에 이용한 몰드 제조 방법, 및 상기 방법에 의하여 제조된 몰드를 이용한 미세 패턴 형성 방법 {METHOD FOR MANUFACTURING MOLD USING NANO IMPRINTING AND PHOTOLITHOGRAPHY, AND METHOD FOR FORMING FINE PATTERN USING THE MOLD}
본원은, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법, 및 상기 방법에 의하여 제조된 몰드를 이용하여 미세 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
기존의 미세 패턴을 구현하는 방법에는 포토 리소그래피(photo lithography)와 소프트 리소그래피(soft lithography)로 크게 두가지 방법으로 나눌 수 있다.
포토 리소그래피는 패턴형성용 포토레지스트(photoresist; PR)의 광학적 특성을 이용한 방법으로, 마스크를 이용하여 부분적으로 패턴형성용 포토레지스트에 빛이 노광이 되어 빛을 받은 부분이 제거가 되는 양각(positive) 포토 리소그래피와 빛을 받지 않은 부분이 제거가 되는 음각(negative) 포토 리소그래피로 구분할 수 있다.
소프트 리소그래피 방법은 패터닝된 몰드에 자기조립단분자막(self-assembled monolayers; SAMs) 등을 코팅하여 기판에 전사시키는 미세접촉인쇄법 (micro-contact printing), 패터닝된 몰드를 레진이 코팅된 기판에 압력을 가하여 패턴을 형성하는 임프린팅 방법(imprinting), 캐스트 몰딩(cast molding), 잉크젯 프린팅(ink-jet printing)등 다양한 방법이 있다.
패턴 사이즈가 점차 미세화가 되어가면서 100 nm 이하의 패턴에서는 포토 리소그래피의 경우 UV 파장이 단파장으로 바뀌어야 하며 소프트 리소그래피의 경우 몰드의 구현이 힘들다는 단점을 갖고 있다.
본원은, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법, 및 상기 방법에 의해 제조된 몰드를 사용하여 기판 상에 미세패턴을 형성하는 방법을 제공하고자 한다.
그러나, 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본원의 일 측면은, 기판에 자외선 차단 재료를 이용하여 제 1 패턴을 형성하고; 상기 제 1 패턴이 형성된 상기 기판 상에 몰드용 레진을 도포하고; 제 2 패턴이 형성된 마스터 몰드를 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴 간에 공유면이 존재하도록 상기 몰드용 레진이 도포된 기판에 가압하여 패턴을 임프린트하고; 상기 몰드용 레진을 경화시키고; 및, 상기 마스터 몰드를 상기 기판에서 분리하는 것:을 포함하는, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법을 제공할 수 있다.
일 구현예에 있어서, 상기 기판은 UV가 투과가 가능한 고분자(polymer), 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 다이아몬드(diamond) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
다른 구현예에 있어서, 상기 자외선 차단 재료는 Cr, W, Co, Mo, Au, Pt, Pd, Ag, Cu, Al, Ir, Rh, Te, Bi, Pb, Fe, Ce, Nb, Sb, Sn, V, Mn, Ni, Zn, Ti 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 있어서, 상기 자외선 차단 재료는 200 nm 내지 400 nm 범위의 파장을 차단하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 있어서, 상기 자외선 차단 재료는 물리기상증착(physical vapor deposition PVD), 플라즈마강화화학증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD), 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD), 원자층증착(atomic layer deposition; ALD), 금속유기 화학기상증착(metal organic CVD; MOCVD) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법으로 형성되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 있어서, 상기 마스터 몰드는 고분자(polymer), 석영(quartz), 유리(glass), 사파이어(sapphire), 다이아몬드(diamond) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 있어서, 상기 몰드용 레진을 도포하는 것은 스핀 코팅(spin coating), 슬릿 코팅(slit coating), 딥핑 코팅(dipping coating), 플로우 코팅(flow coating), 스프레이 코팅(spray coating), 액적 도포(droplet dispensing) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법을 사용하여 도포하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 있어서, 상기 몰드용 레진은 UV에 의해 경화되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 다른 측면은, 본원에 따른 방법에 의하여 제조된 몰드를 제공할 수 있다.
본원의 또 다른 측면은, 기판에 패턴형성용 레지스트를 도포하고; 상기 기판과 상기에 따른 방법에 의해 제조된 몰드를 정렬하고; 상기 몰드를 가압하여 상기 패턴형성용 레지스트에 미세패턴을 임프린팅하고; 상기 패턴형성용 레지스트를 경화시키고; 및, 상기 몰드를 상기 기판에서 분리하는 것:을 포함하는, 미세패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.
일 구현예에 있어서, 상기 기판은 고분자(polymer), 석영(quartz), 유리(glass), 사파이어(sapphire), 금속(metal), 다이아몬드(diamond) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
다른 구현예에 있어서, 상기 고분자 기판은 폴리-디메틸실록산(poly-dimethylsiloxane; PDMS), 폴리-메틸메타아크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리스티렌(polystyrene), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 있어서, 상기 패턴형성용 레지스트를 도포하는 것은 스핀 코팅(spin coating), 슬릿 코팅(slit coating), 딥핑 코팅(dipping coating), 플로우 코팅(flow coating), 스프레이 코팅(spray coating), 액적 도포(droplet dispensing) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법을 사용하여 도포하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 있어서, 상기 패턴형성용 레지스트는 UV에 의해 경화되는 레지스트를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 있어서, 상기 패턴형성용 레지스트는 포지티브 포토레지스트(positive photoresist), 네거티브 포토레지스트(negative photoresist) 또는 광경화용 레진을 사용하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 광경화용 레진은 휘발성 용제를 포함하는 것일 수 있으며, 상기 휘발성 용제는 비점(끓는점)이 200℃ 미만인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 있어서, 상기 미세 패턴은 다단 미세 패턴의 형태로 형성되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원에 의하면, 나노 임프린트팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용함으로써 다양한 형태의 미세패턴이 형성된 몰드를 제조할 수 있고, 상기 몰드를 이용하여 기판 상에 나노 사이즈의 라인 패턴을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 형태의 패턴, 예컨대 다단 패턴 또는 격자무늬 패턴 등을 형성할 수 있다. 또한, 상기 제조된 몰드를 반복적으로 이용함으로써 제조 비용을 감축하고, 제조 시간을 단축할 수 있다.
도 1a 내지 도 1e는 본원의 일 구현예에 따른 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
도 2a 내지 도 2e는 본원의 일 구현예에 따른 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드를 이용하여 다단 미세 패턴 형성 방법을 설명하는 공정도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다.
그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예 및 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.
본원에서 사용되는 용어 "공유면"은 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴이 겹쳐져 서로 공유되는 면을 의미하며, 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴 간에 형성되는 상기 공유면은 상기 제 1 패턴의 적어도 일부분과 상기 제 2 패턴의 적어도 일부분이 겹쳐져 형성될 수 있다. 상기 공유면의 모양은 원하는 최종 미세 패턴의 형상에 따라 다양한 모양으로 조절될 수 있으며, 이러한 공유면의 모양은 상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴의 상대적 위치를 조정함으로써 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 공유면은 정사각형, 직사각형 등의 다각형 모양을 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 본원의 미세 패턴 형성 방법의 일 구현예에 있어서, 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴의 공유면들에 의해 최종 얻고자 하는 미세 패턴인 제 3 패턴이 형성될 수 있다.
도 1a 내지 도 1e는 본원의 일 구현예에 따른 나노 임프린트팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
도 1a에서, 기판(110)에 자외선 차단 재료(120)를 이용하여 제 1 패턴을 ㅎ형성한다. 상기 기판(110)은 예를 들어, UV가 투과가 가능한 고분자(polymer), 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 다이아몬드(diamond) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 기판을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 상기 자외선 차단 재료(120)는 재료는 200 nm 내지 400 nm 범위의 파장을 차단하는 것으로서, 예를 들어, Cr, W, Co, Mo, Au, Pt, Pd, Ag, Cu, Al, Ir, Rh, Te, Bi, Pb, Fe, Ce, Nb, Sb, Sn, V, Mn, Ni, Zn, Ti 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 자외선 차단 재료는 물리기상증착(physical vapor deposition PVD), 플라즈마강화화학증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD), 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD), 원자층증착(atomic layer deposition; ALD), 금속유기 화학기상증착(metal organic CVD; MOCVD) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 방법으로 형성되어, 포토 리소그래피 또는 리프트오프 방법에 의해 제 1 패턴이 패터닝될 수 있다.
도 1b에서, 상기 자외선 차단 재료(120)가 패터닝된 상기 기판(110) 상에 몰드용 레진(130)을 도포한다. 상기 몰드용 레진(130)은 UV에 의해 경화되는 것으로서, 예를 들어, 포지티브 포토레지스트(positive photoresist), 네거티브 포토레지스트(negative photoresist) 또는 광경화용 레진으로 고분자 수지를 사용할 수 있다. UV에 의해 경화되는 레진은 반고화 상태를 만들기 위한 휘발성 용제를 포함할 수 있다. 상기 휘발성 용제는 수지에 용해하는 성능을 가진 것으로 저분자량의 200℃ 미만의 비점(끓는점)을 가진 것을 사용할 수 있다. 본원에서는, 예를 들어, 150℃ 미만의 저비점 용제를 사용할 수 있고, 예를 들어, 아세톤, 초산에틸, 이소프로필 알코올, MEK(메틸에틸케톤), 톨루엔, 크실렌, 부틸알코올 등과 같은 휘발성 용제에 광경화성 수지의 베이스가 되는 프리폴리머나 모노머를 용해 분산시켜 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 기판(110)에 상기 패턴형성용 레지스트(130)의 도포 방법은, 예를 들어, 스핀 코팅(spin coating), 슬릿 코팅(slit coating), 딥핑 코팅(dipping coating), 플로우 코팅(flow coating), 스프레이 코팅(spray coating), 액적 도포(droplet dispensing) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 여러가지 방법을 사용하여 도포할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 1c에서, 상기 몰드용 레진(130)이 도포된 기판(110)에 상기 제 1 패턴과 상이한 제 2 패턴이 형성된 마스터 몰드(140)를 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴 간에 공유면이 존재하도록 가압하여 패턴을 임프린트한다. 상기 마스터 몰드(140)는 양각과 음각을 교대로 형성하여 제 2 패턴이 각인되어 있는 구조물로서 상기 마스터 몰드(140)는 예를 들어, UV 투과가 가능한 고분자(polymer), 석영(quartz), 유리(glass), 사파이어(sapphire), 다이아몬드(diamond) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 1d에서, 상기 기판(110) 상에 상기 마스터 몰드(140)를 접촉한 상태로 UV를 조사하여 상기 기판(110)에 도포된 상기 몰드용 레진(130)을 노광(exposure)한다. 상기 몰드용 레진(130)은 UV에 의해 경화된다.
도 1e에서, 상기 마스터 몰드(140)를 상기 기판(110)에서 분리하여 기판(110)에 제 1 패턴의 자외선 차단 재료(120) 및 제 2 패턴의 몰드용 레진(130)이 패터닝되어 있는 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드(100)를 완성한다.
도 2a 내지 도 2e는 본원의 일 구현예에 따른 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드를 이용한 다단 미세 패턴 형성 방법을 설명하는 공정도이다.
도 2a에서, 본 발명의 일 구현예를 통해 완성된 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드(100)를 준비한다.
도 2b에서, 기판(210)에 패턴형성용 레지스트(220)를 도포한다. 상기 기판(210)은 예를 들어, 고분자(polymer), 석영(quartz), 유리(glass), 사파이어(sapphire), 금속(metal), 다이아몬드(diamond) 또는 이들의 조합을 포함하는 기판을 이용할 수 있으며, 상기 고분자 기판은, 예를 들어, 폴리-디메틸실록산(poly-dimethylsiloxane; PDMS), 폴리-메틸메타아크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 또는 폴리스티렌(polystyrene) 기판일 수 있다.
상기 패턴형성용 레지스트(220)는 UV에 의해 경화되는 것으로서, 예를 들어, 포지티브 포토레지스트(positive photoresist), 네거티브 포토레지스트(negative photoresist) 또는 광경화용 레진으로 고분자 수지를 사용할 수 있다. UV에 의해 경화되는 레진은 반고화 상태를 만들기 위한 휘발성 용제를 포함할 수 있다. 상기 휘발성 용제는 수지에 용해하는 성능을 가진 것으로 저분자량의 200℃ 미만의 비점(끊는점)을 가진 것을 사용할 수 있다. 본원에서는, 예를 들어, 150℃ 미만의 저비점 용제를 사용할 수 있고, 예를 들어, 아세톤, 초산에틸, 이소프로필 알코올, MEK(메틸에틸케톤), 톨루엔, 크실렌, 부틸알코올 등과 같은 휘발성 용제에 광경화성 수지의 베이스가 되는 프리폴리머나 모노머를 용해 분산시켜 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 기판(210)에 상기 패턴형성용 레지스트(220)의 도포 방법은, 예를 들어, 스핀 코팅(spin coating), 슬릿 코팅(slit coating), 딥핑 코팅(dipping coating), 플로우 코팅(flow coating), 스프레이 코팅(spray coating), 액적 도포(droplet dispensing) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 여러가지 방법을 사용하여 도포할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 2c에서, 상기 기판(210)과 상기 몰드(100)를 정렬하고, 상기 몰드(100)를 가압하여 상기 패턴형성용 레지스트(220)에 미세패턴을 임프린팅한다.
도 2d에서, 상기 기판(210) 상에 상기 몰드(100)를 접촉한 상태로 UV를 조사하여 상기 기판(210)에 도포된 상기 패턴형성용 레지스트(220)를 노광(exposure)한다. 상기 패턴형성용 레지스트(220)는 UV에 의해 경화된다.
도 2e에서는, 패턴형성용 레지스트(220)로서 포지티브 포토레지스트를 사용한 경우로서, 상기 몰드(100)를 상기 기판(210)에서 분리한 후 경화되지 않은 패턴형성용 레지스트(220)를 현상(develop)한다. 구체적으로, 상기 기판(210) 상에 패턴형성용 레지스트(220)는 상기 몰드(100) 제조 과정에서 형성된 자외선 차단 재료(120)로 형성된 상기 제 1 패턴 및 패턴형성용 레지스트(130)의 상기 제 2 패턴에 의해 현상 후에, UV에 의해 노광된 영역은 현상액에 의해 용해되어 제거되고, 패턴형성용 레지스트(220)의 노광되지 않은 영역이 남아 제 3 패턴이 형성된다. 이와 같은 경우, 도 2e에서 도시된 바와 같이, 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴의 공유면들에 의해 최종 얻고자 하는 미세 패턴인 제 3 패턴으로서 다단 패턴이 형성될 수 있다.
본원의 제조 방법에 따라 제조된 몰드를 이용하면 마이크로 사이즈를 갖는 라인 패턴을 이용하여 나노 사이즈의 라인 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 몰드만 제작하고 나면, 복잡한 공정을 여러 번 거치지 않고, 간단하게 다단 형태의 패턴 및 다양한 형태의 패턴을 형성할 수 있다.
본원의 제조 방법에 따라 제조된 몰드를 이용하면 마이크로 사이즈를 갖는 라인 패턴을 이용하여 나노 사이즈의 라인 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 몰드만 제작하고 나면, 복잡한 공정을 여러 번 거치지 않고, 간단하게 다단 형태의 패턴 및 다양한 형태의 패턴을 형성할 수 있다.
이상, 구현예를 들어 본원을 상세하게 설명하였으나, 본원은 상기 구현예 및 실시예들에 한정되지 않으며, 여러 가지 다양한 형태로 변형될 수 있으며, 본원의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함이 명백하다.
110: 기판
120: 자외선 차단 재료
130: 몰드용 레진
140: 마스터 몰드
210: 기판
220: 패턴형성용 레지스트

Claims (15)

  1. 기판에 자외선 차단 재료를 이용하여 제 1 패턴을 형성하고;
    상기 제 1 패턴이 형성된 상기 기판 상에 몰드용 레진을 도포하고;
    제 2 패턴이 형성된 마스터 몰드를 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴 간에 공유면이 존재하도록 상기 몰드용 레진이 도포된 기판에 가압하여 패턴을 임프린트하고;
    상기 몰드용 레진을 경화시키고; 및,
    상기 마스터 몰드를 상기 기판에서 분리하는 것:
    을 포함하는, 나노 임프린트팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 UV가 투과가 가능한 고분자(polymer), 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 다이아몬드(diamond) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 자외선 차단 재료는 Cr, W, Co, Mo, Au, Pt, Pd, Ag, Cu, Al, Ir, Rh, Te, Bi, Pb, Fe, Ce, Nb, Sb, Sn, V, Mn, Ni, Zn, Ti 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 자외선 차단 재료는 물리기상증착(physical vapor deposition PVD), 플라즈마강화화학증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD), 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD), 원자층증착(atomic layer deposition; ALD), 금속유기 화학기상증착(metal organic CVD; MOCVD) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법으로 형성되는 것인, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스터 몰드는 고분자(polymer), 석영(quartz), 유리(glass), 사파이어(sapphire), 다이아몬드(diamond) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 몰드용 레진을 도포하는 것은, 스핀 코팅(spin coating), 슬릿 코팅(slit coating), 딥핑 코팅(dipping coating), 플로우 코팅(flow coating), 스프레이 코팅(spray coating), 액적 도포(droplet dispensing) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법을 사용하여 도포하는 것인, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 몰드용 레진은 UV에 의해 경화되는 것인, 나노 임프린팅과 포토 리소그래피를 동시에 이용한 몰드 제조 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 몰드.
  9. 기판에 패턴형성용 레지스트를 도포하고;
    상기 기판과 제 8 항에 따른 상기 몰드를 정렬하고;
    상기 몰드를 가압하여 상기 패턴형성용 레지스트에 미세패턴을 임프린팅하고;
    상기 패턴형성용 레지스트를 경화시키고; 및,
    상기 몰드를 상기 기판에서 분리하는 것:
    을 포함하는, 미세패턴 형성 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판은 고분자(polymer), 석영(quartz), 유리(glass), 사파이어(sapphire), 금속(metal), 다이아몬드(diamond) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 미세패턴 형성 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 고분자 기판은 폴리-디메틸실록산(poly-dimethylsiloxane; PDMS), 폴리-메틸메타아크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리스티렌(polystyrene) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 미세패턴 형성 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 패턴형성용 레지스트를 도포하는 것은 스핀 코팅(spin coating), 슬릿 코팅(slit coating), 딥핑 코팅(dipping coating), 플로우 코팅(flow coating), 스프레이 코팅(spray coating), 액적 도포(droplet dispensing) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법을 사용하여 도포하는 것인, 미세패턴 형성 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 패턴형성용 레지스트는 UV에 의해 경화되는 레지스트를 포함하는 것인, 미세패턴 형성 방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 패턴형성용 레지스트는 포지티브 포토레지스트(positive photoresist), 네거티브 포토레지스트(negative photoresist) 또는 광경화용 레진을 사용하는 것인, 미세패턴 형성 방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 미세 패턴은 다단 미세 패턴의 형태로 형성되는 것인, 미세패턴 형성 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102164142B1 (ko) * 2020-05-11 2020-10-12 주식회사 우리옵토 다중 미세 패턴체 제조를 위한 포토 마스크 구조 및 그를 이용한 다중 미세 패턴체 제조 방법

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