KR20120109737A - 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

발광 소자 패키지 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 발광 소자 패키지는 형광체 및 수지를 포함하는 혼합물 형태로 형성된 패키지 몰드의 캐버티 내에 미리 형성된 발광칩을 삽입하여 형성된 것일 수 있다.

Description

발광 소자 패키지 및 그 제조 방법{Light emitting device package and manufacturing method of the same}
개시된 실시예는 발광 소자 패키지에 관한 것으로, 형광체 및 수지를 포함하는 사출물 내에 발광칩을 삽입한 구조의 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 소자(light emitting device)는 전기적인 신호를 빛으로 변화시키는 반도체 발광 장치로서, 발광 소자의 하나인 발광 다이오드(light emitting diode:LED)는 비교적 수명이 길며, 저전압 구동이 가능한 장점이 있다.
발광 다이오드는 응답 속도가 빠르며 청색 녹색 및 적색 발광 다이오드의 광량 조절이 용이하여 휘도 및 색온도를 변경할 수 있어 색재현성이 우수하여 최근 고휘도를 지닌 백색 LED를 이용한 조명 장치가 종래의 발광 장치를 대체하여 사용되고 있다.
백색 LED(White LED)는 청색이나 자외선 계열의 빛을 방출하는 발광 소자에 적색, 녹색 또는 황색 등의 형광체를 도포함으로써 형성될 수 있다. 종래의 LED 패키지 공정에서는 백색 LED를 형성하기 위해 블루 칩에 형광체를 디스펜싱(dispensing)하거나, 시트 형태(sheet type)의 형광체를 프리컷(pre-cut)하여 LED 칩 상에 부착하거나, 또는 웨이퍼 레벨(wafer level)에서 스크린 프린팅(screen printing)을 하는 방법 등을 사용하였다.
본 발명의 일측면에서는 형광체 및 수지를 포함하는 몰드 및 몰드 내에 삽입된 발광칩을 포함하는 발광 소자 패키지를 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 측면에서는 형광체 및 수지를 섞어 몰드를 형성하고, 몰드 내에 발광칩을 삽입하는 발광 소자 패키지의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예에서는,
형광체 및 수지를 포함하여 형성된 패키지 몰드;
상기 패키지 몰드의 캐비티 내에 삽입된 발광칩;을 포함하는 발광 소자 패키지를 제공한다.
상기 패키지 몰드는 다각형, 원형 또는 타원형 구조일 수 있으며, 상기 패키지 몰드의 표면에 요철 구조 또는 패턴이 형성될 수 있다.
상기 발광칩 상면에 형성된 전극 연결부;를 포함할 수 있다.
상기 패키지 몰드를 관통하여 형성된 전극 연결부;를 포함할 수 있다.
상기 패키지 몰드 및 상기 발광칩 사이에 접합 물질이 더 포함될 수 있다.
상기 발광칩은 플립칩 또는 에피업 구조일 수 있다.
또한, 발광 소자 패키지가 다수개 포함된 어레이 구조를 지닐 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는, 발광 소자 패키지의 제조 방법에 있어서,
형성체 및 수지를 포함하는 패키지 몰드를 형성하는 단계; 및
상기 패키지 몰드의 캐비티 내에 발광칩을 접합하는 단계;를 포함하는 발광 소자 패키지의 제조 방법을 제공한다.
상기 패키지 몰드는 금형을 이용하여 사출 공정에 의해 형성될 수 있다.
상기 패키지 몰드의 캐비티 내에 발광칩을 접합하는 단계;는,
상기 패키지 몰드의 가경화 후 상기 발광칩을 상기 패키지 몰드의 캐비티 내에 삽입하고 큐어링을 실시하여 상기 패키지 몰드를 경화시키면서, 상기 패키지 몰드 및 상기 발광칩을 접합할 수 있다.
상기 패키지 몰드의 캐비티 내에 발광 소자 칩을 접합하는 단계;는,
상기 패키지 몰드의 캐버티 내에 접합 물질을 삽입한 후, 상기 발광칩을 상기 패키지 몰드의 상기 캐비티 내에 삽입하여 상기 패키지 몰드 및 상기 발광칩을 접합할 수 있다.
상기 패키지 몰드를 다이싱 공정에 의해 개별 발광 소자 패키지로 분리할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 패키지 몰드를 형광체 및 수지를 포함한 형태로 형성하고, 패키지 몰드 내에 발광칩을 삽입하여 매우 간단한 구조를 지닌 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지의 어레이 형태로 제조하는 실시예를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지에서 몰드 하부에 전극 연결부를 포함하는 발광 소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 6은 상기 도 5에 나타낸 발광 소자 패키지의 몰드를 나타낸 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법에 대해 상세히 설명하고자 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지의 구조를 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지는 형광체 및 수지를 포함하는 패키지 몰드(10) 및 몰드 내에 삽입된 발광칩(11)을 포함한다. 그리고, 발광칩(11) 상에는 전극 연결부(12)가 형성될 수 있으며, 전극 연결부(12)는 범프(bump)일 수 있다. 도 1에서는 플립-칩(flip-chip) 형태의 발광 소자 패키지의 구조를 나타내었으나, 다른 형태의 발광 소자 패키지에도 적용될 수 있다.
패키지 몰드(10)는 발광칩(11)에서 발생하는 자외선 또는 청색광을 받아들여 백생광을 발광시킬 수 있는 형광체 물질 및 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 패키지 몰드(10)는 하나 또는 그 이상의 형광체 물질을 일정한 배합 비에 따라 수지에 혼합된 상태로 형성될 수 있다. 수지는 높은 접착도, 내열성, 낮은 흡습 및 높은 광투과성을 지닌 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 수지는 폴리머 재질이며 에폭시 또는 실리콘 기판의 경화성 수지를 사용할 수 있다. 패키지 몰드(10)는 금형 내부에서 형광체의 경화 공정으로 형성될 수 있으므로, 열경화성 수지를 사용할 수 있다. 여기서 형광체의 종류 및 함량은 제한되지 않으며, 발광 소자의 광특성과 패키지 레벨에 따라 조절하여 사용할 수 있다. 예를 들어 규산염, 아규산염, 과산화인산염, 알칼리 토류 산화물 또는 히토류 원소를 포함할 수 있으며, 중량비로 수 내지 수십 % 정도를 사용할 수 있다. 그리고, 패키지 몰드(10) 제조 시 경화제(hardener), 촉진제(accelerator), 이형제(mold release agent) 등의 첨가물이 더 포함될 수 있다.
패키지 몰드(10)는 발광칩(11)이 실장될 수 있는 형태 및 크기를 지닌 캐비티를 포함하는 형상으로 제조될 수 있으며, 예를 들어 금형을 이용하여 발광칩(11)이 삽입될 수 있는 캐버티를 포함하는 구조로 사출 공정을 통해 제조될 수 있다.
패키지 몰드(10)와 패키지 몰드(10) 내의 캐버티의 형상은 다양하게 변형 가능하며, 패키지 몰드(10) 제작 시 금형의 형태를 조절하여 구현 가능하다. 패키지 몰드(10) 및 패키지 몰드(10) 내의 캐비티(C)가 사각형 구조일 수 있으나, 이에 한정되지 않고 다각형, 원형 또는 타원형의 구조일 수 있다. 그리고, 패키지 몰드(10)의 단부가 각진 모서리 형태인 것을 나타내었으나, 소정의 곡률을 지닌 형태로 형성될 수 있다. 또한, 패키지 몰드(10) 표면에는 필요한 경우 요철 구조나 소정의 패턴이 형성된 구조를 지니도록 할 수 있다.
발광칩(11)은 예를 들어 GaN 계 반도체를 포함하는 반도체 발광 소자일 수 있으며, 종류에 한정되지 않으며, 플립칩 방식, 에피업 방식 등 제한되지 않고 사용될 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지의 제조 방법에 대해 설명하고자 한다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 2a를 참조하면, 먼저 베이프 필름(100) 상에 형광체 및 수지를 포함하는 패키지 몰드(10)을 위치시키고, 도 2b에 나타낸 바와 같이 패키지 몰드(10)의 캐비티 내부에 발광칩(11)을 삽입한다. 이 때 패키지 몰드(10)는 완전히 경화되지 않은 가경화 상태일 수 있다. 발광칩(11)을 패키지 몰드(10)의 캐비티 내에 삽입한 후 큐어링(curing)을 실시하여 가경화 상태인 패키지 몰드(10)를 경화시키면서 발광칩(11)과 접합될 수 있도록 할 수 있다. 발광칩(11)은 미리 제조된 상태에서 요구되는 성능을 만족하는 것들만 선택하여 패키지 몰드(10)의 캐비티 내에 삽입될 수 있다.
패키지 몰드(10) 및 발광칩(11)의 접합 방식은 큐어링에 의한 직접 접합 방식 외에 별도의 접합 물질을 부가하여 접합하는 방식을 사용할 수 있다. 이를 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 설명한다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 3a를 참조하면, 베이프 필름(100) 상에 형광체 및 수지를 포함하는 패키지 몰드(10)을 위치시키고, 패키지 몰드(10)의 캐비티 내부에 접합 물질(101)을 투입한다. 이 때, 패키지 몰드(10)는 가경화 또는 완전 경화된 상태일 수 있다.
그리고 도 3b 및 도 3c를 참조하면, 패키지 몰드(10)의 캐비티 내부에 발광칩(11)을 투입하고 큐어링을 실시하여 발광칩(11)을 패키지 몰드(10) 내에 부착시킨다. 패키지 몰드(10)의 캐비티 내에는 미리 주입된 접합 물질(101)이 존재하고 있으므로 패키지 몰드(10)이 캐비티 내에 발광칩(11)이 용이하게 접합될 수 있다. 여기서, 접합 물질(101)은 예를 들어 감광성 접착제(photo-sensitive adhesive; PSA)로 형성된 것일 수 있으며, Polyolefin 및 광중합 아크릴계 수지의 단독 또는 복합재를 사용할 수 있으며, 폴리이미드계의 광중합재, 에폭시(Epoxy)계열의 광중합재, 또는 실리콘(Silicone) 기반의 광중합재 등을 단독 또는 복합재의 형태로 형성된 것일 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지는 어레이 형태로 대량 생산될 수 있으며, 패키지 몰드(10)는 예를 들어 금형을 이용하여 사출 성형을 통하여 어레이 구조로 제조될 수 있다. 이를 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지의 어레이 형태로 제조하는 실시예를 나타낸 도면이다.
도 4a에서는 패키지 몰드(10)가 다수의 캐비티(C)를 포함하는 어레이 형태로 제조된 것을 나타낸 평면도이다. 패키지 몰드(10)에 형성되는 캐비티(C)의 갯수는 제한이 되지 않으며, 캐비티(C)의 깊이, 직경 등은 발광칩(11)의 형태에 따라 선택적으로 제조될 수 있다. 캐비티(C)들 사이의 간격은 추후 다이싱 공정에 의해 분리시키는 공정을 염두에 두고 선택적으로 정해질 수 있다.
도 4a에서는 패키지 몰드(10)와 캐비티(C)가 사각 형상인 것으로 나타내었으나, 이에 한정되지 않으며 선택적으로 다양하게 변형될 수 있다. 패키지 몰드(10) 및 패키지 몰드(10) 내의 캐비티(C)는 사각 구조 뿐만 아니라, 다각형, 원형 또는 타원형의 구조일 수 있다. 또한, 패키지 몰드(10)의 단부는 각진 모서리 형태 뿐만 아니라 소정의 곡률을 지닌 형태로 형성될 수 있다. 발광칩(11)이 장착되는 패키지 몰드(10) 표면에는 필요한 경우 요철 구조나 소정의 패턴이 형성된 구조를 지니도록 할 수 있다.
도 4b는 어레이 구조로 제조된 패키지 몰드(10)의 각 캐버티(C) 내에 발광칩을 삽입하여 접합시킨 구조를 나타낸 단면도이다. 도 4b에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지의 제조 방법에 따르면 패키지 몰드(10)를 형광체 및 수지를 포함하는 형태로 제조하고 발광칩(11)을 삽입하여 패키지 몰드(10)와 접합시키는 간단한 공정으로 발광 소자 패키지를 제조할 수 있다.
도 4c는 상기 도 4b에 나타낸 어레이 형태의 발광 소자 패키지를 다이싱하는 공정을 나타낸 도면이다. 제조의 효율성을 높이기 위해 발광 소자 패키지를 어레이 구조로 대량 제조한 다음 필요에 따라 절단 부재(13)를 이용하여 다이싱 공정으로 개별 패키지로 분리할 수 있다.
상술한 도면에서는 플립 칩 형태의 패키지 구조를 나타내어 발광칩(11) 상면에 전극 연결부(12)가 형성된 구조를 도시하였다. 그러나, 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지는 다양한 형태의 발광칩(11)을 채용하여 형성할 수 있으며, 이를 위하여 패키지 몰드(10)가 전극 연결부 형성을 위한 관통 홀을 포함하는 형태로 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 패키지에서 몰드 하부에 전극 연결부를 위한 관통홀을 포함하는 발광 소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 패키지 몰드(20)가 마련되며, 패키지 몰드(20)의 캐비티 내에는 발광칩(21)이 형성되어 있으며, 발광칩(21) 하부에는 패키지 몰드(20)를 관통하여 전극 연결부(22)가 형성되어 있다. 전극 연결부(22)는 발광칩(21)의 측면을 통해 연결될 수 있으며, 이를 위해 패키지 몰드(20) 제조 시 관통홀의 위치를 조절할 수 있다.
도 6은 상기 도 5에 나타낸 발광 소자 패키지의 패키지 몰드를 나타낸 평면도이다. 도 6을 참조하면, 패키지 몰드(20)는 다수의 발광 소자 패키지의 형성을 위하여 다수의 캐비티(C)를 포함하는 어레이 구조로 형성될 수 있으며, 각 캐비티(C) 내부에는 전극 연결부 형성을 위한 관통홀(200)이 형성될 수 있다.
패키지 몰드(20)와 패키지 몰드(20) 내의 캐버티의 형상은 다양하게 변형되어 사용할 수 있으며, 패키지 몰드(20) 제작 시 금형의 형태를 조절함으로써 구현할 수 있다. 도 6에서는 패키지 몰드(20) 및 패키지 몰드(20) 내의 캐비티(C)가 사각형 구조인 것을 나타내었으나, 이에 한정되지 않고 다각형, 원형 또는 타원형의 구조일 수 있다. 그리고, 패키지 몰드(20)의 단부가 각진 모서리 형태일 수 있으며, 또한 소정의 곡률을 지닌 형태로 형성될 수 있다. 패키지 몰드(20) 표면에는 필요한 경우 요철 구조나 소정의 패턴이 형성된 구조를 지니도록 할 수 있다.
이상에서 첨부된 도면을 참조하여 설명된 본 발명의 실시예들은 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
10, 20... 패키지 몰드 11, 21... 발광칩
12, 22... 전극 연결부 13... 절단 부재
100... 베이스 필름 101... 접합 물질
200... 관통홀 C... 캐비티

Claims (13)

  1. 형광체 및 수지를 포함하여 형성된 패키지 몰드;
    상기 패키지 몰드의 캐비티 내에 삽입된 발광칩;을 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 패키지 몰드는 다각형, 원형 또는 타원형 구조인 발광 소자 패키지.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 패키지 몰드의 표면에 요철 구조 또는 패턴이 형성된 발광 소자 패키지.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 발광칩 상면에 형성된 전극 연결부;를 포함하는 발광 소자 패키지.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 패키지 몰드를 관통하여 형성된 전극 연결부;를 포함하는 발광 소자 패키지.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 패키지 몰드 및 상기 발광칩 사이에 접합 물질이 더 포함된 발광 소자 패키지.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 발광칩은 플립칩 또는 에피업 구조인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  8. 제 1항의 발광 소자 패키지가 다수개 포함된 어레이 구조를 지닌 발광 소자 패키지.
  9. 발광 소자 패키지의 제조 방법에 있어서,
    형성체 및 수지를 포함하는 패키지 몰드를 형성하는 단계; 및
    상기 패키지 몰드의 캐비티 내에 발광칩을 접합하는 단계;를 포함하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 패키지 몰드는 금형을 이용하여 사출 공정에 의해 형성되는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 패키지 몰드의 캐비티 내에 발광칩을 접합하는 단계;는,
    상기 패키지 몰드의 가경화 후 상기 발광칩을 상기 패키지 몰드의 캐비티 내에 삽입하고, 상기 패키지 몰드를 경화시키면서 상기 패키지 몰드 및 상기 발광칩을 접합하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 패키지 몰드의 캐비티 내에 발광칩을 접합하는 단계;는,
    상기 패키지 몰드의 캐버티 내에 접합 물질을 삽입한 후, 상기 발광칩을 상기 패키지 몰드의 상기 캐비티 내에 삽입하여 상기 패키지 몰드 및 상기 발광칩을 접합하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 패키지 몰드를 다이싱 공정에 의해 개별 발광 소자 패키지로 분리하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
KR1020110027021A 2011-03-25 2011-03-25 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 KR20120109737A (ko)

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KR1020110027021A KR20120109737A (ko) 2011-03-25 2011-03-25 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
TW101110053A TWI489656B (zh) 2011-03-25 2012-03-23 發光二極體、發光二極體之製造方法、發光二極體模組及發光二極體模組之製造方法
EP20153837.8A EP3664167B1 (en) 2011-03-25 2012-03-23 Light emitting diode
EP12161008.3A EP2503606B1 (en) 2011-03-25 2012-03-23 Light Emitting Diode, Manufacturing Method Thereof, Light Emitting Diode Module, and Manufacturing Method Thereof
US13/428,726 US8785953B2 (en) 2011-03-25 2012-03-23 Light emitting diode, manufacturing method thereof, light emitting diode module, and manufacturing method thereof
US14/310,664 US9153759B2 (en) 2011-03-25 2014-06-20 Light emitting diode, manufacturing method thereof, light emitting diode module, and manufacturing method thereof

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160009691A (ko) * 2013-05-20 2016-01-26 코닌클리케 필립스 엔.브이. 돔을 가진 칩 규모 발광 디바이스 패키지
KR20180008712A (ko) * 2015-08-18 2018-01-24 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 정제 광변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법 및 정제 장비 시스템
KR20180011159A (ko) * 2015-08-18 2018-01-31 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법
KR20180022861A (ko) * 2015-08-18 2018-03-06 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 이형 유기 실리콘 수지 광변환체로 led를 본딩 패키징하는 장비 시스템
KR20180022863A (ko) * 2015-08-18 2018-03-06 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 장비 시스템
KR20180022862A (ko) * 2015-08-18 2018-03-06 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법
KR20180022848A (ko) * 2015-08-18 2018-03-06 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광변환체로 led를 본딩 패키징하는 장비시스템
KR20190056611A (ko) * 2017-11-17 2019-05-27 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 제조방법
CN112639544A (zh) * 2018-09-26 2021-04-09 松下知识产权经营株式会社 波长转换构件及使用了它的白色光输出设备

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160009691A (ko) * 2013-05-20 2016-01-26 코닌클리케 필립스 엔.브이. 돔을 가진 칩 규모 발광 디바이스 패키지
KR20200029519A (ko) * 2013-05-20 2020-03-18 루미리즈 홀딩 비.브이. 돔을 가진 칩 규모 발광 디바이스 패키지
KR20180008712A (ko) * 2015-08-18 2018-01-24 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 정제 광변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법 및 정제 장비 시스템
KR20180011159A (ko) * 2015-08-18 2018-01-31 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법
KR20180022861A (ko) * 2015-08-18 2018-03-06 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 이형 유기 실리콘 수지 광변환체로 led를 본딩 패키징하는 장비 시스템
KR20180022863A (ko) * 2015-08-18 2018-03-06 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 장비 시스템
KR20180022862A (ko) * 2015-08-18 2018-03-06 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법
KR20180022848A (ko) * 2015-08-18 2018-03-06 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광변환체로 led를 본딩 패키징하는 장비시스템
KR20190056611A (ko) * 2017-11-17 2019-05-27 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 제조방법
CN112639544A (zh) * 2018-09-26 2021-04-09 松下知识产权经营株式会社 波长转换构件及使用了它的白色光输出设备
CN112639544B (zh) * 2018-09-26 2022-10-28 松下知识产权经营株式会社 波长转换构件及使用了它的白色光输出设备

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