KR20120100340A - Method for growing gan nanowire using pt catalyst - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 Pt촉매를 이용한 GaN 나노와이어의 성장방법에 관한 것으로, 두께가 일정하고 성장길이가 비슷한 수직성장이 유도된 GaN 나노와이어를 성장시킬 수 있고, GaN 나노와이어에 전극으로 이용할 수 있는 Pt 용적방울이 형성된 GaN 나노와이어를 성장시킬 수 있는 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for growing GaN nanowires using a Pt catalyst, which is capable of growing vertically induced GaN nanowires having a constant thickness and similar growth length, and a volume of Pt that can be used as an electrode for GaN nanowires. It relates to a method capable of growing droplet-formed GaN nanowires.
나노와이어는 직경이 나노미터(1 nm = 10-9m) 영역이고, 길이가 직경에 비해 훨씬 큰 수백 나노미터, 마이크로미터(1 ㎛ = 10-6m) 또는 더 큰 밀리미터(1mm = 10-3m) 단위를 갖는 선형 재료이다. 이러한 나노와이어의 물성은 그들이 갖는 직경과 길이에 의존한다.Nanowires nanometers in diameter (1 nm = 10 -9 m) is the area, hundreds of length much greater than the diameter of nanometers, micrometers (1 ㎛ = 10 -6 m) or greater millimeter (1mm = 10 - Linear material with units of 3 m). The physical properties of these nanowires depend on their diameter and length.
상기 나노와이어는 작은 크기로 인하여 미세 소자에 다양하게 응용될 수 있으며, 특정 방향에 따른 전자의 이동특성이나 편광 현상을 나타내는 광학 특성을 이용할 수 있는 장점이 있다.The nanowires may be applied to a variety of micro devices due to their small size, and may have an advantage of using optical characteristics indicating movement characteristics or polarization of electrons in a specific direction.
나노와이어를 현재 나노 기술 분야에서 널리 연구되고 있으며, 현재 레이저와 같은 광소자, 트랜지스터 및 메모리 소자 등 다양한 분야에 널리 응용되고 있는 차세대 기술이다. 현재 나노 와이어에 사용되는 재료는 실리콘, 아연 산화물과 발광반도체인 갈륨질화물 등의 III-V족 카드뮴설파이드계의 II-VI족 반도체 물질 등이 있다. 현재 나노와이어 제조 공정 기술은 나노 와이어의 길이 및 폭을 조절할 수 있는 수준까지 발전했으나 기판 위의 원하는 위치에 배열하여 소자화하기 위한 기술은 아직 성숙하지 못한 상황이다.
Nanowires are currently being widely studied in the field of nanotechnology, and are currently being applied to various fields such as optical devices such as lasers, transistors, and memory devices. Current materials used in nanowires include group III-V cadmium sulfide-based group II-VI semiconductor materials such as silicon, zinc oxide and gallium nitride, which are light emitting semiconductors. Current nanowire manufacturing process technology has been developed to the level that can control the length and width of nanowires, but the technology to arrange and device in a desired position on the substrate is not yet mature.
한편, 종래에 원하는 크기의 나노와이어를 성장시키기 위해 photo-lithography, nano-imprint, holo-lithgraphy 등의 방법으로 패턴을 형성하였으나, 고가의 비용이 소요되고, 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다.
Meanwhile, in order to grow a nanowire of a desired size in the past, a pattern was formed by a method such as photo-lithography, nano-imprint, holo-lithgraphy, etc., but it requires a high cost and a long time.
본 발명은 두께가 일정하고 성장길이가 비슷한 수직성장이 유도된 GaN 나노와이어를 성장시킬 수 있고, GaN 나노와이어에 전극으로 이용할 수 있는 Pt 용적방울이 형성된 GaN 나노와이어를 성장시킬 수 있는 GaN 나노와이어의 성장방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
According to the present invention, GaN nanowires capable of growing GaN nanowires having constant thickness and having similar growth lengths and growing GaN nanowires having Pt droplets usable as electrodes on GaN nanowires can be grown. Its purpose is to provide a growth method.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은,The present invention for achieving the above object,
a) 반도체기판 상에 Pt 촉매층을 형성하는 단계와;a) forming a Pt catalyst layer on the semiconductor substrate;
b) 상기 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층을 형성하는 단계와;b) forming a Ga thin film layer on the Pt catalyst layer;
c) 상기 반도체기판을 어닐링하여 Pt-Ga 용적방울을 형성하는 단계와;c) annealing the semiconductor substrate to form Pt-Ga droplets;
d) 상기 반도체기판을 MOCVD법으로 캐리어가스, TMGa, NH3를 공급하여 GaN 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 GaN 나노와이어의 성장방법을 제공한다.d) growing a GaN nanowire by supplying a carrier gas, TMGa, NH 3 to the semiconductor substrate by MOCVD; and providing a method of growing a GaN nanowire.
상기 a)단계의 상기 반도체기판은 Si 또는 사파이어로 이루어진다.The semiconductor substrate of step a) is made of Si or sapphire.
상기 a)단계는 상기 반도체기판 상에 Pt 촉매층을 DC Sputter를 사용하여 증착하는 것이 바람직하고, DC Sputter의 증착시간은 20~200초인 것이 바람직하다.
In the step a), the Pt catalyst layer is preferably deposited on the semiconductor substrate using DC Sputter, and the deposition time of the DC Sputter is preferably 20 to 200 seconds.
그리고 상기 b)단계는 MOCVD 챔버 내에 캐리어가스, TMGa을 공급하여 상기 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층을 형성하는 단계이고, 특히 MOCVD 챔버 내에 캐리어가스, TMGa을 공급하면서 700~1000℃의 온도로 20~150초동안 유지하여 상기 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층을 형성하는 것이 바람직하다.
And step b) is a step of forming a Ga thin film layer on the Pt catalyst layer by supplying a carrier gas, TMGa in the MOCVD chamber, in particular while supplying a carrier gas, TMGa in the MOCVD chamber at a temperature of 700 ~ 1000
상기 c)단계는 상기 반도체기판을 50~750℃에서 5~15분간 어닐링하여 Pt-Ga 용적방울을 형성하는 것이 바람직하다.
In step c), the semiconductor substrate is annealed at 50 to 750 ° C. for 5 to 15 minutes to form Pt—Ga droplets.
상기 d)단계는 TMGa, NH3를 각각 0.1~1.0 sccm, 2.5~3.5slm을 공급하면서 400~650 Torr, 850~1000℃에서 30~90분간 유지하여 GaN 나노와이어를 성장시키는 것이 바람직하다.
In step d), GaN nanowires are preferably grown by maintaining TMGa and NH3 at 400 to 650 Torr and 850 to 1000 ° C for 30 to 90 minutes while supplying 0.1 to 1.0 sccm and 2.5 to 3.5 slm, respectively.
본 발명의 GaN 나노와이어의 성장방법은 용적방울의 크기에 따라 나노와이어의 지름이 결정되기 때문에 용적방울의 크기를 조절하여, 크기가 일정하고 성장길이가 일정한 GaN 나노와이어를 성장시킬 수 있는 효과가 있다.
GaN nanowire growth method of the present invention is because the diameter of the nanowire is determined according to the size of the volume of the droplets by controlling the size of the droplets, the effect of growing a constant size and constant growth length GaN nanowires have.
도 1은 반도체기판 상에 Pt 촉매층이 증착된 상태를 나타내는 도면이다.
도 2는 Ga 박막층을 형성하기 위하여 TMGa 가스를 공급하는 상태를 나타내는 도면이고,
도 3은 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층이 형성된 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 반도체기판 상에 Pt-Ga 용적방울이 형성된 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는 MOCVD법으로 GaN 나노와이어를 성장시키는 상태를 나타내는 도면이고,
도 6은 GaN 나노와이어가 성장된 상태를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a state in which a Pt catalyst layer is deposited on a semiconductor substrate.
2 is a view showing a state in which a TMGa gas is supplied to form a Ga thin film layer,
3 is a view showing a state where a Ga thin film layer is formed on a Pt catalyst layer.
4 is a view showing a state in which Pt-Ga droplets are formed on a semiconductor substrate.
5 is a diagram illustrating a state in which GaN nanowires are grown by MOCVD;
6 is a view showing a state in which GaN nanowires are grown.
이하, 본 발명의 GaN 나노와이어의 성장방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the growth method of the GaN nanowires of the present invention will be described in detail.
본 발명의 GaN 나노와이어의 성장방법은 반도체기판 상에 Pt 촉매층을 형성하는 단계와; 상기 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층을 형성하는 단계와; 상기 반도체기판을 어닐링하여 Pt-Ga 용적방울을 형성하는 단계와; 상기 반도체기판을 MOCVD법으로 캐리어가스, TMGa, NH3를 공급하여 GaN 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하여 이루어진다.
The growth method of GaN nanowires of the present invention comprises the steps of forming a Pt catalyst layer on a semiconductor substrate; Forming a Ga thin film layer on the Pt catalyst layer; Annealing the semiconductor substrate to form Pt-Ga droplets; And growing a GaN nanowire by supplying a carrier gas, TMGa, and NH 3 to the semiconductor substrate by MOCVD.
도 1은 반도체기판 상에 Pt 촉매층이 증착된 상태를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a state in which a Pt catalyst layer is deposited on a semiconductor substrate.
먼저, 도 1과 같이 반도체기판 상에 Pt 촉매층을 형성한다. 여기서 반도체기판은 크게 한정되지 않고, Si 또는 사파이어를 사용할 수 있다.First, a Pt catalyst layer is formed on a semiconductor substrate as shown in FIG. 1. The semiconductor substrate is not particularly limited, and Si or sapphire may be used.
그리고 상기 반도체기판에 Pt 촉매층을 형성하는 방법은 크게 한정되는 것은 아니고, DC Sputter, E-beam evaporation, Thermal evaporation 등의 방법으로 촉매층을 증착할 수 있다. In addition, the method of forming the Pt catalyst layer on the semiconductor substrate is not particularly limited, and the catalyst layer may be deposited by a method such as DC sputter, E-beam evaporation, or thermal evaporation.
상기 DC Sputter 등에 의한 Au촉매층의 증착시간은 크게 한정되는 것은 아니나, 고품질의 나노와이어를 성장시키기 위해서 DC Sputter에 의한 증착시간은 20~200초인 것이 바람직하다. 증착시간이 20초 미만에서는 Pt와 Ga의 용적방울 형성이 어렵고, 200초 초과에서는 큰 용적방울이 형성되어 나노와이어 성장시 너무 큰 나노와이어가 형성되거나 박막이 형성되기 쉽다.
Although the deposition time of the Au catalyst layer by the DC Sputter or the like is not particularly limited, the deposition time by the DC Sputter is preferably 20 to 200 seconds in order to grow high quality nanowires. If the deposition time is less than 20 seconds, it is difficult to form droplets of Pt and Ga, and if it is larger than 200 seconds, large droplets are formed, and too large nanowires or thin films are easily formed during nanowire growth.
도 2는 Ga 박막층을 형성하기 위하여 TMGa 가스를 공급하는 상태를 나타내는 도면이고, 도 3은 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층이 형성된 상태를 나타내는 도면이다.FIG. 2 is a view showing a state in which TMGa gas is supplied to form a Ga thin film layer, and FIG. 3 is a view showing a state in which a Ga thin film layer is formed on a Pt catalyst layer.
다음으로, 상기 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층을 형성한다. Ga 박막층을 형성하는 방법은 크게 특정되는 것은 아니나, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법으로 형성하는 것이 바람직하다.Next, a Ga thin film layer is formed on the Pt catalyst layer. The method for forming the Ga thin film layer is not particularly specified, but it is preferable to form the Ga thin film layer by a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method.
구체적으로 MOCVD 챔버 내에 캐리어가스, TMGa을 공급하여 상기 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층을 형성한다. Specifically, a carrier gas, TMGa is supplied into the MOCVD chamber to form a Ga thin film layer on the Pt catalyst layer.
상기 캐리어가스의 종류는 크게 특정되는 것은 아니나, H2, N2, He 등 사용할 수 있다. The kind of the carrier gas is not particularly specified, but H 2 , N 2 , He, or the like can be used.
그리고 후공정에서 Pt-Ga 용적방울을 효과적으로 형성하기 위해 T MGa을 공급하면서 700~1000℃의 온도로 20~150초동안 유지하여 상기 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층을 형성하는 것이 바람직하다. 온도가 700℃ 미만에서는 Pt위에 Ga의 흡착이 잘 이루어지지 않으며, 1000℃ 초과에서는 Pt 박막의 형태가 변하게 된다. 10~200초의 범위안에서 가장 적절한 비율의 Pt-Ga 용적방울이 형성된다.
In order to effectively form Pt-Ga droplets in a later step, it is preferable to form a Ga thin film layer on the Pt catalyst layer by maintaining T for 20 to 150 seconds while supplying T MGa at a temperature of 700 to 1000 ° C. If the temperature is less than 700 ℃, the adsorption of Ga on the Pt is not well done, and the shape of the Pt thin film is changed above 1000 ℃. In the range of 10 to 200 seconds, the most suitable ratio of Pt-Ga droplets is formed.
도 4는 반도체기판 상에 Pt-Ga 용적방울이 형성된 상태를 나타내는 도면이다.4 is a view showing a state in which Pt-Ga droplets are formed on a semiconductor substrate.
그리고, 상기 반도체기판을 어닐링(annealing)하여 Pt-Ga 용적방울을 형성한다. 상기 반도체기판을 어닐링함으로서, Pt 및 Ga 두 성분의 합금비율이 결정되고, Pt-Ga 용적방울을 형성되고, 특히 500~750℃에서 5~15분간 어닐링하는 것이 바람직하다. 온도가 500℃ 미만에서는 Pt-Ga 용적방울 형성이 잘 이루어지지 않으며, 750℃ 초과에서는 균일한 크기와 거리의 용적방울이 형성되지 않는다. 5~15분의 조건 안에서 어닐링을 함으로써 가장 이상적인 용적방울의 모양을 만들 수 있다.The semiconductor substrate is annealed to form droplets of Pt-Ga. By annealing the semiconductor substrate, it is preferable to determine the alloy ratio of the two components of Pt and Ga, to form Pt-Ga droplets, and to anneal for 5 to 15 minutes, especially at 500 to 750 캜. If the temperature is less than 500 ° C Pt-Ga droplets are not formed well, and if the temperature is above 750 ° C droplets of uniform size and distance are not formed. Annealing in the condition of 5 to 15 minutes produces the most ideal drop shape.
상기 Pt-Ga 용적방울에 의해 나노와이어의 크기가 결정되기 때문에, Pt 촉매층 및 Ga 박막층의 두께를 조절하여 나노와이어의 크기를 조절할 수 있다.
Since the size of the nanowires is determined by the Pt-Ga droplets, the size of the nanowires may be controlled by controlling the thicknesses of the Pt catalyst layer and the Ga thin film layer.
도 5는 MOCVD법으로 GaN 나노와이어를 성장시키는 상태를 나타내는 도면이고, 도 6은 GaN 나노와이어가 성장된 상태를 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating a state in which GaN nanowires are grown by MOCVD, and FIG. 6 is a diagram illustrating a state in which GaN nanowires are grown.
마지막으로 상기 반도체기판을 MOCVD법으로 캐리어가스, TMGa, NH3를 공급하여 GaN 나노와이어를 수직방향으로 성장시킨다. Finally, the semiconductor substrate is supplied with carrier gas, TMGa, and NH 3 by MOCVD to grow GaN nanowires in a vertical direction.
상기 캐리어가스의 종류는 크게 특정되는 것은 아니나, H2, N2, He 등 사용할 수 있다. The kind of the carrier gas is not particularly specified, but H 2 , N 2 , He, or the like can be used.
상기 TMGa, NH3를 각각 0.1~1.0 sccm, 2.5~3.5slm을 공급하면서 400~650 Torr, 850~1000℃에서 30~90분간 유지하여 GaN 나노와이어를 성장시키는 것이 바람직하다. TMGa, NH3의 비율이 위의 조건일 때 나노와이어가 형성되며, 그 외의 조건하에서는 박막이 형성되거나 아무것도 형성되지 않는다. 30~90분간 형성함으로써 적절한 크기의 나노와이어를 형성할 수 있다. 그리고 압력과 온도에 따라서, 유량, 유속이 결정되고, 그에 따른 boundary layer의 두께, 확산거리가 달라지기 때문에, 위의 조건이 바람직하다.It is preferable to grow GaN nanowires by maintaining the TMGa and NH3 at 400 to 650 Torr and 850 to 1000 ° C. for 30 to 90 minutes while supplying 0.1 to 1.0 sccm and 2.5 to 3.5 slm, respectively. When the ratio of TMGa and NH 3 is the above conditions, nanowires are formed, and under the other conditions, a thin film is formed or nothing is formed. By forming for 30 to 90 minutes it is possible to form a nanowire of an appropriate size. Since the flow rate and the flow rate are determined according to the pressure and the temperature, and the thickness and the diffusion distance of the boundary layer are changed accordingly, the above conditions are preferable.
GaN 나노와이어는 크기가 조절된 용적방울에 의해서 두께가 일정하고 성장길이가 비슷한 수직성장이 유도되어 원활히 성장된다. 본 발명의 GaN 나노와이어의 성장방법으로 성장한 GaN 나노와이어의 선단부에 도 6과 같이 Pt 용적방울이 형성되었으며, Pt 용적방울은 Metal contact를 위한 전극으로서 사용할 수 있다.
GaN nanowires grow smoothly by inducing vertical growth with constant thickness and similar growth length by volume-adjusted volume drops. Pt droplets were formed on the tip of the GaN nanowires grown by the GaN nanowire growth method of the present invention as shown in FIG. 6, and Pt droplets can be used as electrodes for metal contact.
이하, 본 발명의 나노와이어의 제조방법을 실시예를 들어 상세히 설명하고, 본 발명의 권리범위는 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the method for producing a nanowire of the present invention will be described in detail with reference to Examples, and the scope of the present invention is not limited to the following Examples.
[실시예][Example]
Si 기판 위에 Au촉매층을 형성하였다. Pt 촉매층은 DC Sputter를 사용하여 10nm 두께의 Pt 촉매층을 Si 기판 위에 증착시켰고, 이때 증착시간은 120초가 소요되었다.Au catalyst layer was formed on the Si substrate. The Pt catalyst layer was deposited on a Si substrate using a 10 nm thick Pt catalyst layer using a DC Sputter, the deposition time was 120 seconds.
Pt 촉매층이 형성된 Si 기판을 MOCVD 챔버 내에 넣고, H2를 캐리어가스로 사용하여 TMGa을 챔버 내에 공급하면서 950℃의 온도로 30초 동안 유지하여 상기 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층을 형성하였다.The Si substrate on which the Pt catalyst layer was formed was placed in a MOCVD chamber, and the Ga thin film layer was formed on the Pt catalyst layer by maintaining the temperature at 950 ° C. for 30 seconds while supplying TMGa into the chamber using H 2 as a carrier gas.
Pt 촉매층 및 Ga 박막층이 형성된 Si 기판을 650℃에서 10분동안 어닐링하여 Pt-Ga 용적방울을 형성하였다.The Si substrate on which the Pt catalyst layer and the Ga thin film layer were formed was annealed at 650 ° C. for 10 minutes to form Pt—Ga droplets.
그리고 MOCVD법을 이용하여 H2를 캐리어가스로 사용하고, TMGa과 NH3를 각각 0.2 sccm, 3 slm을 흘려주면서 600 Torr, 950℃에서 60분간 유지하여 GaN 나노와이어를 성장시켰다.And by using a MOCVD method using H 2 as a carrier gas, and while keeping the flowing TMGa and NH 3, respectively 0.2 sccm, 3 slm 600 Torr, 60 minutes at 950 ℃ it was grown to a GaN nanowire.
성장된 GaN 나노와이어의 지름은 30~100nm이고, 길이는 약 0.8~1.5㎛ 이상인 것으로 측정되었고, 전체적으로 두께가 일정한 우수한 품질의 GaN 나노와이어이었다.
The grown GaN nanowires were measured to have a diameter of 30 to 100 nm and a length of about 0.8 to 1.5 μm or more.
10: 반도체기판,
20: Pt 촉매층,
30: Ga 박막층,
40: Pt-Ga 용적방울,
410: Pt 용적방울
50: 나노와이어10: semiconductor substrate,
20: Pt catalyst layer,
30: Ga thin film layer,
40: Pt-Ga volume drop,
410: Pt droplets
50: nanowire
Claims (8)
b) 상기 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층을 형성하는 단계와;
c) 상기 반도체기판을 어닐링하여 Pt-Ga 용적방울을 형성하는 단계와;
d) 상기 반도체기판을 MOCVD법으로 캐리어가스, TMGa, NH3를 공급하여 GaN 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Pt촉매를 이용한 GaN 나노와이어의 성장방법.
a) forming a Pt catalyst layer on the semiconductor substrate;
b) forming a Ga thin film layer on the Pt catalyst layer;
c) annealing the semiconductor substrate to form Pt-Ga droplets;
d) growing a GaN nanowire by supplying a carrier gas, TMGa, NH 3 to the semiconductor substrate by MOCVD; and growing a GaN nanowire using a Pt catalyst.
상기 a)단계의 상기 반도체기판은 Si 또는 사파이어로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Pt촉매를 이용한 GaN 나노와이어의 성장방법.
The method of claim 1,
The method of growing a GaN nanowire using a Pt catalyst, characterized in that the semiconductor substrate of step a) is made of Si or sapphire.
상기 a)단계는 상기 반도체기판 상에 Pt 촉매층을 DC Sputter, E-beam evaporation, Thermal evaporation 중 선택된 어느 한 방법을 사용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 Pt촉매를 이용한 GaN 나노와이어의 성장방법.
The method of claim 1,
Step a) is a method of growing a GaN nanowires using a Pt catalyst, characterized in that to deposit a Pt catalyst layer on the semiconductor substrate using any one method selected from DC Sputter, E-beam evaporation, Thermal evaporation.
상기 a)단계에서 Pt 촉매층의 증착시간은 20~200초인 것을 특징으로 하는 Pt촉매를 이용한 GaN 나노와이어의 성장방법.
The method of claim 3,
Deposition time of the Pt catalyst layer in step a) is a growth method of GaN nanowires using a Pt catalyst, characterized in that 20 ~ 200 seconds.
상기 b)단계는 MOCVD 챔버 내에 캐리어가스, TMGa을 공급하여 상기 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 Pt촉매를 이용한 GaN 나노와이어의 성장방법.
The method of claim 1,
The step b) is a method of growing a GaN nanowire using a Pt catalyst, characterized in that to form a Ga thin film layer on the Pt catalyst layer by supplying a carrier gas, TMGa in the MOCVD chamber.
상기 b)단계는 MOCVD 챔버 내에 캐리어가스, TMGa을 공급하면서 700~1000℃의 온도로 20~150초동안 유지하여 상기 Pt 촉매층 상에 Ga 박막층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 Pt촉매를 이용한 GaN 나노와이어의 성장방법.
The method of claim 5,
The step b) is a step of forming a Ga thin film layer on the Pt catalyst layer by maintaining a temperature of 700 ~ 1000 ℃ for 20 to 150 seconds while supplying a carrier gas, TMGa in the MOCVD chamber, GaN using a Pt catalyst Method of growing nanowires.
상기 c)단계는 상기 반도체기판을 500~750℃에서 5~15분간 어닐링하여 Au-In 용적방울을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 Pt촉매를 이용한 GaN 나노와이어의 성장방법.
The method of claim 1,
The step c) is a method of growing GaN nanowires using a Pt catalyst, characterized in that the annealing the semiconductor substrate at 500 ~ 750 ℃ for 5 to 15 minutes to form Au-In droplets.
상기 d)단계는 TMGa, NH3를 각각 0.1~1.0 sccm, 2.5~3.5slm을 공급하면서 400~650 Torr, 850~1000℃에서 30~90분간 유지하여 GaN 나노와이어를 성장시키는 것을 특징으로 하는 Pt촉매를 이용한 GaN 나노와이어의 성장방법.The method of claim 1,
In step d), GaN nanowires are grown by supplying TMGa and NH 3 by maintaining 0.1 to 1.0 sccm and 2.5 to 3.5 slm for 30 to 90 minutes at 400 to 650 Torr and 850 to 1000 ° C., respectively. GaN nanowire growth method using a catalyst.
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