KR20120080024A - Both side coating device for substrate and method thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An apparatus for coating both sides of a substrate and a method thereof are provided to improve the performance of a substrate because one electrode is served as a main electrode for generating plasma and the other electrode is used as an electrode for applying radio frequency bias. CONSTITUTION: An apparatus for coating both sides of a substrate comprises a chamber(110) and first and second rolling units(151,152). A substrate(170) is coated in the chamber and consecutively moves in the chamber through the first and second rolling units. The first and second rolling units are correspondently installed in both sides of the chamber. The chamber comprises a first plasma generating unit(111) and a second plasma generating unit(112). The substrate moves between upper and lower electrodes through the first and second rolling units.

Description

기판 양면 코팅 장치 및 그 방법{BOTH SIDE COATING DEVICE FOR SUBSTRATE AND METHOD THEREOF}Substrate double-side coating device and method therefor {BOTH SIDE COATING DEVICE FOR SUBSTRATE AND METHOD THEREOF}

본 발명은 기판 양면을 코팅하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for coating both sides of a substrate.

실리콘 산화물 박막은 금속과 폴리머를 보호하는데 탁월한 특성이 있으며, 마이크로 전자 분야, 광학분야에서 널리 사용되고 있다. 그리고, 실리콘 산화물 박막을 이용한 코팅막은 투명하고 화학적으로 비활성이며 충분한 경도를 가지고 있다. 이러한 특성에 따라, 자동차나 휴대폰의 보호막, 폴리카보네이트(PC)나 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)와 같은 투명 폴리머들의 보호막으로 사용될 수 있다. 이러한 실리콘 산화물 박막을 형성하기 위하여 주로 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치를 사용한다.Silicon oxide thin films have excellent properties for protecting metals and polymers, and are widely used in microelectronics and optics. The coating film using the silicon oxide thin film is transparent, chemically inert and has sufficient hardness. According to these characteristics, it can be used as a protective film of transparent polymers such as polycarbonate (PC) or polymethyl methacrylate (PMMA) of a car or mobile phone. In order to form such a silicon oxide thin film, a substrate processing apparatus mainly using plasma is used.

이러한, 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 박막 증착을 위한 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 증착된 박막을 패터닝하기 위해 에칭하는 식각장치(Etcher), 스퍼터(Sputter), 애싱(ashing) 장치 등이 있다. 특히, PECVD 장치는 산업적으로 중요한 여러 코팅막들을 형성하는데 사용된다. 예를 들면, 방수 코팅막, 저마찰 코팅막, 부식 방지 코팅막, 기타 특수한 광학 특성 및 전자 특성을 요구하는 각종 코팅막을 형성하는데 사용된다. 이하, 도 1을 통해 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 대해서 보다 구체적으로 설명하기로 한다.Such substrate processing apparatuses using plasma include PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) apparatus for thin film deposition, etching (Etcher), sputter, ashing apparatus, etc. for etching the deposited thin film. have. In particular, PECVD apparatus is used to form several coatings of industrial importance. For example, it is used to form a waterproof coating film, a low friction coating film, an anti-corrosion coating film, and various coating films requiring special optical and electronic properties. Hereinafter, a substrate processing apparatus using plasma will be described in more detail with reference to FIG. 1.

도 1은 종래의 플라즈마 기판 처리 장치를 도시한다.1 shows a conventional plasma substrate processing apparatus.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 플라즈마 기판 처리 장치(10)는 챔버(11), 제 1 전극(12), 제 2 전극(13), 전원부(21) 및 가스 공급부(22)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the conventional plasma substrate processing apparatus 10 includes a chamber 11, a first electrode 12, a second electrode 13, a power supply unit 21, and a gas supply unit 22. .

챔버(11)는 기판 처리 공정이 진행되는 공간으로서, 제 1 전극(12) 및 제 2 전극(13)을 포함한다. 챔버(11)는 기판(14)이 반입 또는 반출되는 출입구를 포함할 수 있다. The chamber 11 is a space where a substrate processing process is performed and includes a first electrode 12 and a second electrode 13. The chamber 11 may include an entrance through which the substrate 14 is carried in or taken out.

제 1 전극(12)과 제 2 전극(13)은 서로 대향하도록 구성되며, RF 전력의 인가에 따라 양 전극사이에 RF 전기장이 형성된다.The first electrode 12 and the second electrode 13 are configured to face each other, an RF electric field is formed between the two electrodes in accordance with the application of RF power.

전원부(21)는 제 1 전극(12)에 RF 전력을 공급하며, 이때 전극의 크기에 따라 인가되는 RF 전력은 달라질 수 있다.The power supply unit 21 supplies RF power to the first electrode 12, and the RF power applied according to the size of the electrode may vary.

가스 공급부(22)는 챔버(11)내에 플라즈마 생성을 위한 가스를 공급한다. 예컨대, 가스 공급부(22)는 질소, 산소, 아르곤 또는 헬륨 가스등을 공급한다. 또한, 전구체로서 Tetraethylorthosilicate(TEOS), Hexamethyldisiloxane(HMDSO) 또는 Octamethylcyclotetrasiloxane(OMCTS) 등이 공급될 수 있다.The gas supply unit 22 supplies a gas for generating plasma into the chamber 11. For example, the gas supply part 22 supplies nitrogen, oxygen, argon, or helium gas. In addition, Tetraethylorthosilicate (TEOS), Hexamethyldisiloxane (HMDSO) or Octamethylcyclotetrasiloxane (OMCTS) may be supplied as a precursor.

그러나, 상술한 도 1의 기판 처리 방식은 기판의 일면만 코팅이 되며, 코팅 품질도 좋지 않고, 대량으로 기판을 코팅할 경우 생산이 효율적으로 이루어지기 어려운 구조를 갖고 있다.However, the above-described substrate processing method of FIG. 1 has a structure in which only one surface of the substrate is coated, coating quality is not good, and production is difficult when the substrate is coated in large quantities.

따라서, 상술한 도 1의 기판 처리 방식을 벗어나 한 공정에서 기판의 고품질의 양면 코팅이 수행되도록 하고, 이를 통해 대량으로 기판이 생산되도록 함으로써, 원가 절감 및 생산 효율성을 높일 필요성이 제기된다.Therefore, the high-quality double-sided coating of the substrate is performed in one process out of the substrate processing scheme of FIG. 1 described above, thereby producing a large amount of substrate, thereby raising the need for cost reduction and increasing production efficiency.

한편, 플렉시블(flexible) 전자 관련 산업의 발달과 함께 폴리머 기판이 많이 사용되고 있다. 즉, TSP(Touch Screed Pad), 3-dim 안경, OTFT, OLED, RFID 등의 기판으로 폴리머 기판이 많이 사용되고 있다. On the other hand, with the development of the flexible electron-related industry, polymer substrates have been used a lot. That is, polymer substrates are widely used as substrates such as TSP (Touch Screed Pad), 3-dim glasses, OTFT, OLED, RFID, and the like.

그러나 폴리머 기판은 기존의 유리 기판에 비해 강도가 약해 외부의 충격에 의해 쉽게 손상될 수 있다. 또한, 폴리머 기판은 투습도(WVTR, Water Vapor Transmission Rate), 투산소도(OTR, Oxygen Transmission Rate)가 취약하다. 따라서, 폴리머 기판의 손상을 방지하고 성능을 향상시키도록 폴리머 기판상에 효과적으로 박막 코팅을 형성할 필요성이 있다.However, polymer substrates are weaker than conventional glass substrates and can be easily damaged by external shocks. In addition, the polymer substrate has poor water vapor transmission rate (WVTR) and oxygen transmission rate (OTR). Accordingly, there is a need to effectively form a thin film coating on a polymer substrate to prevent damage to the polymer substrate and improve performance.

본 발명의 일 실시예는 기판의 양면에 대한 효과적인 박막 코팅으로 기판의 성능을 향상시키고 원가 절감 및 생산 효율성을 높이는 기판 양면 코팅 장치 및 그 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.One object of the present invention is to provide a substrate double-side coating apparatus and a method for improving the performance of the substrate by the effective thin film coating on both sides of the substrate to increase the cost reduction and production efficiency.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 양면 코팅 장치는 기판의 코팅이 수행되는 챔버 및 챔버 내에서 기판의 연속적인 이동이 이루어지도록 챔버의 양측에 대응되게 설치된 제 1 롤링부 및 제 2 롤링부를 포함하되, 챔버는 기판의 상부면의 표면에 플라즈마를 발생시키는 제 1 플라즈마 생성부 및 기판의 하부면의 표면에 플라즈마를 발생시키는 제 2 플라즈마 생성부를 포함하고, 제 1 롤링부 및 제 2 롤링부를 통해 기판을 각각의 제 1 플라즈마 생성부 및 제 2 플라즈마 생성부에 각각 포함되고, 서로 대향하도록 배치된 상부 전극 및 하부 전극 사이로 이동시킨다.As a technical means for achieving the above-described technical problem, the substrate double-sided coating apparatus according to an embodiment of the present invention is to correspond to both sides of the chamber to the continuous movement of the substrate in the chamber and the chamber is the coating of the substrate is performed A first rolling part and a second rolling part installed, wherein the chamber includes a first plasma generating part generating plasma on a surface of an upper surface of the substrate and a second plasma generating part generating plasma on a surface of a lower surface of the substrate; The substrate is moved between the upper electrode and the lower electrode included in each of the first plasma generating unit and the second plasma generating unit, respectively, and disposed to face each other through the first rolling unit and the second rolling unit.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 양면 코팅 방법은 (a) 기판의 코팅이 수행되는 챔버의 양측에 대응되게 설치된 롤링부에 기판을 배치시키는 단계 및 (b) 롤링부를 통해 기판을 이동시키면서 챔버의 제 1 영역에서 기판의 상부면의 표면에 플라즈마를 발생시키고, 챔버의 제 2 영역에서 기판의 하부면의 표면에 플라즈마를 발생시키는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present disclosure, a method of coating a substrate on both sides of a substrate may include (a) arranging the substrate in a rolling part provided to correspond to both sides of the chamber in which the coating of the substrate is performed, and (b) moving the substrate through the rolling part. Generating a plasma on the surface of the upper surface of the substrate in the first region and generating a plasma on the surface of the lower surface of the substrate in the second region of the chamber.

전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 기판의 양면에 대한 효과적인 박막 코팅으로 기판의 성능을 향상시키고 원가 절감 및 생산 효율성을 높일 수 있다.According to any one of the problem solving means of the present invention described above, the effective thin film coating on both sides of the substrate can improve the performance of the substrate, reduce the cost and increase the production efficiency.

또한, 전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 챔버 내의 각각의 플라즈마 생성부에 배치된 전극을 상부 전극과 하부 전극으로 구성하여, 한쪽 전극은 플라즈마 생성을 위한 주 전극으로 사용하고 다른 한쪽 전극은 RF 바이어스 인가 전극으로 사용함으로써 강도, 투습도 및 투산소도에 약한 기판의 성능을 한층 향상시킬 수 있다. In addition, according to any one of the problem solving means of the present invention described above, the electrode disposed in each plasma generating unit in the chamber is composed of an upper electrode and a lower electrode, one electrode is used as the main electrode for plasma generation and the other By using one electrode as an RF bias applying electrode, the performance of the substrate which is weak in strength, moisture permeability, and oxygen permeability can be further improved.

도 1은 종래의 플라즈마 기판 처리 장치를 도시한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 양면 코팅 장치의 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 양면 코팅 방법의 순서도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극이 배치된 제 1 플라즈마 생성부를 도시한다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극의 배향 구조를 나타내는 평면도이다.
도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 보조 전극의 배향 구조를 나타내는 평면도이다.1 shows a conventional plasma substrate processing apparatus.
2 is a block diagram of a substrate double-sided coating apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a flow chart of the substrate double-sided coating method according to an embodiment of the present invention.
4A illustrates a first plasma generation unit in which an auxiliary electrode is disposed according to an embodiment of the present invention.
4B is a plan view illustrating an alignment structure of an auxiliary electrode according to an exemplary embodiment of the present invention.
4C is a plan view illustrating an alignment structure of an auxiliary electrode according to another exemplary embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, which will be readily apparent to those skilled in the art. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another part in between . Also, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 양면 코팅 장치의 구성도이다. 2 is a block diagram of a substrate double-sided coating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기판 양면 코팅 장치(100)는 기판(170)의 코팅이 동시에 수행되는 챔버(110) 및 롤투롤(roll to roll) 방식으로 챔버(110) 내에서 기판(170)의 연속적인 이동이 이루어지도록 챔버(110)의 양측에 대응되게 설치된 롤링부(151, 152)를 포함한다. 롤링부(151, 152)는 제 1 롤링부(151)와 제 2 롤링부(152)를 포함한다. 제 1 롤링부(151)는 롤 피더(roll feeder)로 구현될 수 있으며, 제 2 롤링부(152)는 리와인더(rewinder)로 구현될 수 있다.As shown in FIG. 2, the substrate double-sided coating apparatus 100 of the present invention includes a chamber 110 in which coating of the substrate 170 is simultaneously performed, and a substrate in the chamber 110 in a roll to roll manner. Rolling parts 151 and 152 are installed to correspond to both sides of the chamber 110 so that the continuous movement of the 170 is made. The rolling parts 151 and 152 include a first rolling part 151 and a second rolling part 152. The first rolling unit 151 may be implemented as a roll feeder, and the second rolling unit 152 may be implemented as a rewinder.

여기서, 롤링부(151, 152)가 챔버(110) 내부에 서로 대응되게 설치될 경우, 제 1 영역의 제 1 플라즈마 생성부(111) 및 제 2 영역의 제 2 플라즈마 생성부(112)와 경계를 짓도록 격벽(a’, b’)이 설치될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 다른 실시 예에서는, 격벽(a’, b’)이 제거된 상태로 롤링부(151, 152)가 챔버(110) 외부에 서로 대응되게 설치될 수도 있다.Here, when the rolling units 151 and 152 are installed to correspond to each other in the chamber 110, the rolling units 151 and 152 may be bordered with the first plasma generator 111 in the first region and the second plasma generator 112 in the second region. Partition walls (a ', b') can be installed to build. However, the present invention is not limited thereto, and in other embodiments, the rolling units 151 and 152 may be installed to correspond to each other outside the chamber 110 with the partitions a 'and b' removed.

또한, 또 다른 실시 예에서는 (메인) 챔버(110)를 둘러싸는 다른 챔버를 구성하여 본 발명의 챔버를 이중 챔버로 구성할 수도 있으며, 이외에도 롤링부(151, 152)가 다양한 형태로 챔버(110) 양측에 서로 대응되게 설치될 수 있다. Further, in another embodiment, the chamber of the present invention may be configured as a double chamber by configuring another chamber surrounding the (main) chamber 110, and in addition, the rolling units 151 and 152 may have various shapes. It can be installed to correspond to each other on both sides.

챔버(110)는 제 1 플라즈마 생성부(111) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)를 포함한다. 제 1 플라즈마 생성부(111) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)의 각각은 서로 대향하도록 배치된 상부 전극(113, 114) 및 하부 전극(115, 116)을 포함한다. The chamber 110 includes a first plasma generator 111 and a second plasma generator 112. Each of the first plasma generating unit 111 and the second plasma generating unit 112 includes upper electrodes 113 and 114 and lower electrodes 115 and 116 disposed to face each other.

즉, 제 1 플라즈마 생성부(111)의 상부 전극(113) 및 하부 전극(115)이 서로 대향하도록 배치되고, 제 2 플라즈마 생성부(112)의 상부 전극(114) 및 하부 전극(116)이 서로 대향하도록 배치된다. 그리고, 기판(170)은 롤링부(151, 152)에 의해 각각의 제 1 플라즈마 생성부(111) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)에 서로 대향하도록 배치된 상부 전극(113, 114) 및 하부 전극(115, 116) 사이로 연속적으로 이동한다.That is, the upper electrode 113 and the lower electrode 115 of the first plasma generator 111 are disposed to face each other, and the upper electrode 114 and the lower electrode 116 of the second plasma generator 112 are disposed. Are arranged to face each other. In addition, the substrate 170 is disposed by the rolling units 151 and 152 to face the first plasma generating unit 111 and the second plasma generating unit 112 so as to face each other. It moves continuously between the electrodes 115 and 116.

또한, 보다 구체적으로 상술한 제 1 플라즈마 생성부(111)는 제 1 플라즈마 생성부(111)의 상부 전극(113)에 가스를 공급하는 제 1 가스 공급부(131) 및 제 1 플라즈마 생성부(111)의 상부 전극(114)에 RF 전력을 인가하는 제 1 전원부(121)를 포함한다. 또한, 제 1 플라즈마 생성부(111)는 제 1 플라즈마 생성부(111)의 하부 전극(115)에 RF 바이어스(bias)를 공급하는 제 1 RF 바이어스 공급부(123)를 포함한다.In addition, more specifically, the first plasma generating unit 111 described above includes a first gas supply unit 131 and a first plasma generating unit 111 that supply gas to the upper electrode 113 of the first plasma generating unit 111. It includes a first power supply 121 for applying RF power to the upper electrode 114 of. In addition, the first plasma generator 111 includes a first RF bias supply unit 123 for supplying an RF bias to the lower electrode 115 of the first plasma generator 111.

이때, 제 1 플라즈마 생성부(111)는 공급된 가스 및 RF 전력을 통해 플라즈마를 발생시키고, 발생시킨 플라즈마에 의해 기판(170)의 상부면의 표면에 박막 코팅이 형성되도록 한다. 이때, 실리콘 산화물로 이루어진 단층 또는 다층의 박막 코팅이 형성될 수 있으며, 이하에서는 실리콘 산화물 박막 코팅을 예로 들어 설명하기로 한다.In this case, the first plasma generator 111 generates a plasma through the supplied gas and the RF power, and the thin film coating is formed on the surface of the upper surface of the substrate 170 by the generated plasma. In this case, a single layer or a multilayer thin film coating made of silicon oxide may be formed, and hereinafter, the silicon oxide thin film coating will be described as an example.

또한, 제 2 플라즈마 생성부(112)는 제 2 플라즈마 생성부(112)의 하부 전극(116)에 가스를 공급하는 제 2 가스 공급부(132) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)의 하부 전극(116)에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 발생시킨 플라즈마에 의해 기판(170)의 하부면에 실리콘 산화물 박막 코팅이 형성되도록 하는 제 2 전원부(122)를 포함한다. 또한, 제 2 플라즈마 생성부(112)는 제 2 플라즈마 생성부(112)의 상부 전극(114)에 RF 바이어스를 공급하는 제 2 RF 바이어스 공급부(124)를 포함한다.In addition, the second plasma generator 112 may supply a gas to the lower electrode 116 of the second plasma generator 112 and a lower electrode of the second plasma generator 112. And a second power source 122 for applying RF power to generate plasma and forming a silicon oxide thin film coating on the lower surface of the substrate 170 by the generated plasma. In addition, the second plasma generator 112 includes a second RF bias supply unit 124 for supplying an RF bias to the upper electrode 114 of the second plasma generator 112.

상술한 제 1 전원부(121) 및 제 2 전원부(122)를 통해 공급되는 RF 전력은 예를 들어, 전극의 직경이 200mm 인 경우 50~150W 정도이다. 또한, RF 전력의 주파수는 30kHZ ~ 13.56MHz 정도의 주파수를 가질 수 있다. 그리고, RF 전력 이외에도 DC, AC, unipolar pulse 방식, bipolar pulse 방식 등 다양한 전력이 사용될 수 있다.RF power supplied through the first power supply unit 121 and the second power supply unit 122 described above is, for example, about 50 to 150W when the diameter of the electrode is 200 mm. In addition, the frequency of the RF power may have a frequency of about 30kHZ ~ 13.56MHz. In addition to RF power, various powers such as DC, AC, unipolar pulse, and bipolar pulse methods may be used.

또한, 상술한 제 1 플라즈마 생성부(111)의 하부 전극(115) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)의 상부 전극(114)은 각각 기판(170)의 홀더로서 RF 바이어스 공급부(123, 124)로부터 RF 바이어스를 공급받아 기판(170)에 인가하는 전극으로 작용하여, 주 전극으로 작용하는 제 1 플라즈마 생성부(111)의 상부 전극(113) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)의 하부 전극(116)과 함께 강도, 투습도 및 투산소도에 취약한 기판(170)의 성능을 보다 향상시킬 수 있다.In addition, the lower electrode 115 of the first plasma generator 111 and the upper electrode 114 of the second plasma generator 112 are RF holders 123 and 124 as holders of the substrate 170, respectively. The upper electrode 113 of the first plasma generating unit 111 and the lower electrode of the second plasma generating unit 112 serving as the electrode applied to the substrate 170 by receiving the RF bias from the substrate 170. 116 may further improve the performance of the substrate 170 which is vulnerable to strength, moisture permeability and oxygen permeability.

또한, 기판 양면 코팅 장치(100)는 제 1 플라즈마 생성부(111) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)를 통과하는 기판(170)을 평평하게 유지시키는 장력 조절부(141, 142)를 포함한다. 장력 조절부(141, 142)는 기판(170)의 평평도 및 장력을 조절하여 기판(170)이 평평하게 유지된 채 챔버(110)내에서 이동되도록 한다.In addition, the substrate double-side coating apparatus 100 includes tension adjusting units 141 and 142 for keeping the substrate 170 passing through the first plasma generating unit 111 and the second plasma generating unit 112 flat. . The tension adjusting units 141 and 142 adjust the flatness and the tension of the substrate 170 to allow the substrate 170 to move in the chamber 110 while being kept flat.

이때, 기판(170)은 제 1 플라즈마 생성부(111)의 하부 전극(115) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)의 상부 전극(114)으로부터 일정 거리만큼 떨어져 비접촉식으로 이동하여 스크래취(scratch)가 나지 않도록 할 수 있다. 예컨대, 기판(170)은 제 1 플라즈마 생성부(111)의 하부 전극(115) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)의 상부 전극(114)으로부터 0.1 내지 0.5 mm 거리만큼 떨어져 이동할 수 있다. At this time, the substrate 170 is moved in a non-contact manner by a predetermined distance away from the lower electrode 115 of the first plasma generating unit 111 and the upper electrode 114 of the second plasma generating unit 112 to scratch. You can prevent it. For example, the substrate 170 may move a distance of 0.1 to 0.5 mm from the lower electrode 115 of the first plasma generator 111 and the upper electrode 114 of the second plasma generator 112.

또한, 이에 한정되지 않고, 기판(170)이 접촉식으로 이동할 수도 있음은 물론이다. 이때, RF 바이오스에 의한 쉬스(sheath) 영역으로 인해 접촉식 또는 비접촉식의 박막 코팅이 거의 차이가 나지 않게 된다.In addition, the present invention is not limited thereto, and the substrate 170 may move in a contact manner. At this time, the contact area or the non-contact thin film coating hardly makes a difference due to the sheath area caused by the RF bios.

또한, 기판 양면 코팅 장치(100)는 각각의 제 1 플라즈마 생성부(111) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)에 서로 대향하도록 배치된 상부 전극(113, 114) 및 하부 전극(115, 116) 사이에 삽입되어 플라즈마의 밀도를 높이는 보조 전극을 포함할 수 있으며, 이에 대해서는 하기 도 4a 내지 도 4c를 통해 구체적으로 설명하기로 한다.In addition, the substrate double-side coating apparatus 100 is disposed on the first plasma generating unit 111 and the second plasma generating unit 112 to face each other, the upper electrodes 113 and 114 and the lower electrodes 115 and 116. It may include an auxiliary electrode inserted between to increase the density of the plasma, which will be described in detail with reference to Figures 4a to 4c.

또한, 기판 양면 코팅 장치(100)는 챔버(110)의 내부를 진공화하기 위한 진공펌프(160)를 포함한다. 진공펌프(160)를 통한 배기는 챔버(110) 중앙 또는 제 1 플라즈마 생성부(111) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)의 각각에 배기 홀(hole)을 형성함으로써 이루어질 수 있다. 이러한 배기를 통해 기판(170)의 코팅 균일도를 높이고, 반응 가스가 기판(170)에 균일하게 유지될 수 있도록 할 수 있다.In addition, the substrate double coating apparatus 100 includes a vacuum pump 160 for evacuating the interior of the chamber 110. Exhaust through the vacuum pump 160 may be performed by forming an exhaust hole in the center of the chamber 110 or in each of the first plasma generating unit 111 and the second plasma generating unit 112. The exhaust may increase the coating uniformity of the substrate 170 and may allow the reaction gas to be uniformly maintained on the substrate 170.

한편, 상술한 기판(170)은 유리 기판, 메탈 포일(metal foil), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA, polymethyl methacrylate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리에테르에테르케톤(PEEK, Polyetheretherketone), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리에테르 술폰(PES, polyether sulfone), 폴리아릴라이트(polyarylite) 및 사이클릭 올레핀 코폴리머(COC, Cyclic Olefin Copolymer) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.On the other hand, the substrate 170 is a glass substrate, metal foil (metal foil), polymethyl methacrylate (PMMA, polymethyl methacrylate), polyethylene terephthalate (PET, polyethylene terephthalate), polyethylene naphthalate (PEN, polyethylene naphthalate) , Polyetheretherketone (PEEK, polyetheretherketone), polycarbonate (PC, polycarbonate), polyimide (PI, polyimide), polyether sulfone (PES, polyether sulfone), polyarylite and cyclic olefin copolymer ( COC, Cyclic Olefin Copolymer).

또한, 제 1 플라즈마 생성부(111) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)는 화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 공정 방법에 의해 기판(170)의 양면 코팅을 수행할 수 있다. 예컨대, CVD 공정 방법은 열적 CVD, 핫 와이어(hot wire) CVD, 플라즈마 강화 화학적 증착(PECVD), 마이크로파 플라즈마 강화 화학적 증착(MPECVD), D.C. PECVD(DCPECVD), R.F. PECVD(RFPECVD), 확장형 MPECVD(WMPECVD) 및 전자사이클로트론 공명(ECR, Electron Cyclotron Resonance) 중 하나 이상을 포함한다.In addition, the first plasma generating unit 111 and the second plasma generating unit 112 may perform double-side coating of the substrate 170 by a chemical vapor deposition (CVD) process method. For example, CVD process methods include thermal CVD, hot wire CVD, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPECVD), D.C. PECVD (DCPECVD), R.F. One or more of PECVD (RFPECVD), extended MPECVD (WMPECVD), and Electron Cyclotron Resonance (ECR).

여기서, 기판(170)의 양면에 발생된 플라즈마로 인한 SiOx, SiOxNy 등의 실리콘 산화물 박막 코팅이 형성될 수 있다. 이러한 실리콘 산화물 박막 코팅으로 인해 투습도를 떨어뜨려, 본 발명의 기판(170)은 플렉시블 LCD 등의 기판으로 활용될 수 있다. 그리고, 예컨대 기판(170)에 SiOx 박막을 1um 정도의 두께로 코팅하게 되면 유리와 비슷한 정도의 강도를 보유할 수 있다. 또한, 한 공정에서 대량으로 기판(170)의 양면 코팅이 이루어져 원가 절감 및 생산 효율성을 높일 수 있게 된다.Here, a silicon oxide thin film coating, such as SiOx, SiOxNy, due to the plasma generated on both sides of the substrate 170 may be formed. Due to the silicon oxide thin film coating to reduce the moisture permeability, the substrate 170 of the present invention can be used as a substrate such as a flexible LCD. For example, when the SiOx thin film is coated on the substrate 170 with a thickness of about 1 μm, the substrate 170 may have a strength similar to that of glass. In addition, both sides of the substrate 170 are coated in a large amount in one process, thereby reducing cost and increasing production efficiency.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 양면코팅방법의 순서도이다.3 is a flow chart of a substrate double-side coating method according to an embodiment of the present invention.

먼저, 양면코팅공정을 수행할 기판(170)을 챔버(110)의 양측에 서로 대응되게 설치된 롤링부(151, 152)에 배치시킨다(S301). 여기서, 기판(170)은 예컨대 폴리머 기판으로서 PET, PC, PI, PEN, 메탈 포일(metal foil) 등을 포함할 수 있다. First, the substrate 170 to be subjected to the double-side coating process is disposed on the rolling parts 151 and 152 installed to correspond to each other on both sides of the chamber 110 (S301). Here, the substrate 170 may include, for example, PET, PC, PI, PEN, metal foil, or the like as a polymer substrate.

다음으로, 롤링부(151, 152)를 회전시키면서 챔버(110)내의 기판(170)을 이동시킨다(S311).Next, the substrate 170 in the chamber 110 is moved while rotating the rolling units 151 and 152 (S311).

다음으로, 챔버(110) 내의 제 1 플라즈마 생성부(111) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)에 가스를 공급한다(S321). 이때, 질소, 산소, 아르곤 또는 헬륨 가스 등이 공급될 수 있다. Next, gas is supplied to the first plasma generating unit 111 and the second plasma generating unit 112 in the chamber 110 (S321). At this time, nitrogen, oxygen, argon or helium gas may be supplied.

다음으로, 제 1 플라즈마 생성부(111) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)에 RF 전력을 공급하여 각각의 영역(111, 112)에 플라즈마를 발생시킨다(S331).Next, RF power is supplied to the first plasma generating unit 111 and the second plasma generating unit 112 to generate plasma in each of the regions 111 and 112 (S331).

다음으로, 발생시킨 플라즈마에 의하여 기판(170)의 상부면 및 하부면에 박막이 형성되도록 한다(S341). 여기서, 제 1 플라즈마 생성부(111)에서 기판(170)의 상부면에 대한 실리콘 산화물 박막 코팅이 수행되고, 제 2 플라즈마 생성부(112)에서 기판(170)의 하부면에 대한 실리콘 산화물 박막 코팅이 수행된다.Next, the thin film is formed on the upper and lower surfaces of the substrate 170 by the generated plasma (S341). Here, the silicon oxide thin film coating is performed on the upper surface of the substrate 170 in the first plasma generating unit 111, and the silicon oxide thin film coating on the lower surface of the substrate 170 in the second plasma generating unit 112. This is done.

이때, 제 1 플라즈마 생성부(111)의 상부 전극(113) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)의 하부 전극(116)이 주 전극이 되어 각각 플라즈마를 발생시키게 된다.In this case, the upper electrode 113 of the first plasma generating unit 111 and the lower electrode 116 of the second plasma generating unit 112 become main electrodes to generate plasma, respectively.

그리고, 제 1 플라즈마 생성부(111)의 하부 전극(115) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)의 상부 전극(114)에 RF 바이어스가 공급되어 보다 효과적으로 플라즈마 발생에 의한 기판(170)의 박막 형성이 이루어져 기판(170)의 성능을 향상시킬 수 있다.In addition, an RF bias is supplied to the lower electrode 115 of the first plasma generating unit 111 and the upper electrode 114 of the second plasma generating unit 112 to form a thin film of the substrate 170 by plasma generation more effectively. This can be made to improve the performance of the substrate 170.

도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극이 배치된 제 1 플라즈마 생성부를 도시한다. 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극의 배향 구조를 나타내는 평면도이다. 그리고, 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 보조 전극의 배향 구조를 나타내는 평면도이다. 참고로, 도 4a 내지 도 4c는 보조 전극(133, 134)이 각각 배치된 챔버(110)내 제 1 플라즈마 생성부(111) 및 제 2 플라즈마 생성부(112) 중 제 1 플라즈마 생성부(111)만 설명의 편의상 별도로 도시하였지만, 하기의 내용이 제 2 플라즈마 생성부(112)에도 적용될 수 있음은 물론이다.4A illustrates a first plasma generation unit in which an auxiliary electrode is disposed according to an embodiment of the present invention. 4B is a plan view illustrating an alignment structure of an auxiliary electrode according to an exemplary embodiment of the present invention. 4C is a plan view illustrating an alignment structure of an auxiliary electrode according to another exemplary embodiment of the present invention. For reference, FIGS. 4A to 4C illustrate the first plasma generator 111 of the first plasma generator 111 and the second plasma generator 112 in the chamber 110 in which the auxiliary electrodes 133 and 134 are disposed. ) Is shown separately for convenience of description, the following may be applied to the second plasma generating unit 112 as well.

도 4a에 도시된 바와 같이, 제 1 플라즈마 생성부(111)에 포함된 제 1 보조 전극(133)과 제 2 보조 전극(134)은 플라즈마 발생을 위한 기전력을 발생시키는 보조 전극부로서, 제 1 플라즈마 생성부(111) 내에서 상호 수평 대향 구비되며 전력의 인가에 따라 전기장을 형성시킨다. As shown in FIG. 4A, the first auxiliary electrode 133 and the second auxiliary electrode 134 included in the first plasma generating unit 111 are auxiliary electrode units generating electromotive force for plasma generation. The plasma generating unit 111 is provided to face each other horizontally to form an electric field in accordance with the application of power.

이때, 밀도 및 온도 등의 플라즈마 변수들을 조절하기 위해 플라즈마 발생용 안테나(antenna)가 보조 전극(133, 134)으로 사용될 수 있다. 그리고, 이러한 안테나는 커패시턴스 값이 낮은 절연 안테나 및 구리 물질과 같은 재질의 안테나 등을 포함할 수 있다. 이와 마찬가지로, 플라즈마를 발생시키는 제 2 플라즈마 생성부(112)에도 보조 전극(133, 144)이 구성될 수 있다.In this case, an antenna for generating plasma may be used as the auxiliary electrodes 133 and 134 to adjust plasma parameters such as density and temperature. In addition, the antenna may include an insulation antenna having a low capacitance value and an antenna made of a material such as a copper material. Similarly, auxiliary electrodes 133 and 144 may be configured in the second plasma generator 112 that generates plasma.

또한, 도 4b에 도시된 바와 같이, 하나의 제 1 보조 전극(133)과 하나의 제 2 보조 전극(134)이 수평 대향하여 제 1 플라즈마 생성부(111)에 구비될 수 있다. 이때, 제 1 보조 전극(133)에는 전원(139)으로부터 RF 전력이 인가되고 제 2 보조 전극(134)은 접지되며, 두 보조 전극 사이에 전기장이 형성된다. 이와 같은 전기장 형성으로 인해 하전 입자들이 ±y 방향으로 교번 가속되어 더 높은 플라즈마 밀도가 형성될 수 있다.In addition, as illustrated in FIG. 4B, one first auxiliary electrode 133 and one second auxiliary electrode 134 may be provided in the first plasma generator 111 to face each other horizontally. In this case, RF power is applied to the first auxiliary electrode 133 from the power source 139, the second auxiliary electrode 134 is grounded, and an electric field is formed between the two auxiliary electrodes. Such electric field formation may cause the charged particles to alternately accelerate in the ± y direction to form a higher plasma density.

또한, 도 4c에 도시된 바와 같이, 복수의 제 1 보조 전극(135, 137)과 복수의 제 2 보조 전극(136, 138)이 수평으로 상호 교차하여 구비될 수 있다. 이때, 두 개의 제 1 보조 전극(135, 137)에 전원(139)으로부터 전력이 인가되고, 두 개의 제 2 보조 전극(136, 138)이 접지되어 각각 교차 배치된 제 1 보조 전극(135, 137)과 제 2 보조 전극(136, 138) 간에 전기장이 형성된다. In addition, as illustrated in FIG. 4C, the plurality of first auxiliary electrodes 135 and 137 and the plurality of second auxiliary electrodes 136 and 138 may be provided to cross each other horizontally. In this case, power is applied from the power source 139 to the two first auxiliary electrodes 135 and 137, and the second auxiliary electrodes 135 and 137 are disposed to cross the two second auxiliary electrodes 136 and 138. ) And the second auxiliary electrode 136, 138.

한편, 또 다른 실시예에서 제 1 보조 전극과 제 2 보조 전극의 개수가 제 1 플라즈마 생성부(111) 및 제 2 플라즈마 생성부(112)의 수용 가능한 개수 내에서 다양하게 설정될 수 있다. 즉, 제 1 플라즈마 생성부(111) 및 제 2 플라즈마 생성부(112) 내 제 1 보조 전극과 제 2 보조 전극이 서로 동일한 개수로 구비되거나, 비대칭 개수로 구비될 수 있다. 예를 들어, 비대칭 개수로 구비될 경우, 3개의 제 1 보조 전극과 2개의 제 2 보조 전극이 수평으로 상호 교차하여 배치될 수 있다.Meanwhile, in another embodiment, the number of the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode may be variously set within an acceptable number of the first plasma generating unit 111 and the second plasma generating unit 112. That is, the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode in the first plasma generating unit 111 and the second plasma generating unit 112 may be provided in the same number or in an asymmetrical number. For example, when provided with an asymmetric number, three first auxiliary electrodes and two second auxiliary electrodes may be disposed to cross each other horizontally.

그리고, 도 4a 내지 도 4c에서는 주 전극부(상부 전극(113) 및 하부 전극(115))과 보조 전극(제 1 보조 전극(133) 및 제 2 보조 전극(134))이 서로 직교하는 형태로 배치되어 있지만, 이에 한정되는 것이 아니며, 직교 배치 형태 이외에 다른 형태의 배치 또한 가능하다. 이를테면, 보조 전극부의 제 1 보조 전극(133) 및 제 1 보조 전극(134) 중 적어도 하나의 보조 전극의 일단이 +z 방향 또는 -z 방향으로 더 이동 배치되어 주 전극부가 대향하는 방향과 보조 전극부가 대향하는 방향이 직각이 아닌 소정의 경사각을 이루어 배치될 수도 있다. 이러한 경우, 주 전극부에 의한 하전 입자들의 ±z 방향의 교번 가속과 보조 전극부에 의한 하전 입자들의 ±y 방향의 교번 가속이 중첩되는 영역이 더 넓어지게 되어 플라즈마 생성 효율이 더욱 향상될 수 있다.4A to 4C, the main electrode part (upper electrode 113 and lower electrode 115) and the auxiliary electrode (first auxiliary electrode 133 and second auxiliary electrode 134) are perpendicular to each other. Although arranged, it is not limited to this, and other forms of arrangement other than the orthogonal arrangement are also possible. For example, one end of at least one auxiliary electrode of the first auxiliary electrode 133 and the first auxiliary electrode 134 of the auxiliary electrode part may be further moved in the + z direction or the -z direction so that the main electrode part faces the auxiliary electrode and the auxiliary electrode. The direction in which the additional opposing sides are arranged may be arranged at a predetermined inclination angle instead of the right angle. In this case, the area where the alternating acceleration in the ± z direction of the charged particles by the main electrode part and the alternating acceleration in the ± y direction of the charged particles by the auxiliary electrode part becomes wider so that the plasma generation efficiency may be further improved. .

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present invention is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the above description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

110: 챔버
111: 제 1 플라즈마 생성부
112: 제 2 플라즈마 생성부
113, 114: 상부 전극
115, 116: 하부 전극
121, 122: 전원부
123, 124: RF 바이어스 공급부
131, 132: 가스 공급부
133, 134: 보조 전극
141, 142: 장력 조절부
151, 152: 롤링부
160: 진공펌프
170: 기판110: chamber
111: the first plasma generation unit
112: second plasma generating unit
113, 114: upper electrode
115, 116: lower electrode
121, 122: power supply
123, 124: RF bias supply
131, 132: gas supply unit
133 and 134: auxiliary electrode
141, 142: tension adjustment unit
151, 152: rolling section
160: vacuum pump
170: substrate

Claims (13)

기판 양면 코팅 장치에 있어서,
기판의 코팅이 수행되는 챔버 및
상기 챔버 내에서 상기 기판의 연속적인 이동이 이루어지도록 상기 챔버의 양측에 대응되게 설치된 제 1 롤링부 및 제 2 롤링부를 포함하되,
상기 챔버는
상기 기판의 상부면의 표면에 플라즈마를 발생시키는 제 1 플라즈마 생성부 및
상기 기판의 하부면의 표면에 플라즈마를 발생시키는 제 2 플라즈마 생성부를 포함하고,
상기 제 1 롤링부 및 제 2 롤링부를 통해 상기 기판을 각각의 상기 제 1 플라즈마 생성부 및 제 2 플라즈마 생성부에 각각 포함되고, 서로 대향하도록 배치된 상부 전극 및 하부 전극 사이로 이동시키는 것인
기판 양면 코팅 장치.
In the substrate double-sided coating apparatus,
A chamber in which the coating of the substrate is carried out and
A first rolling part and a second rolling part installed to correspond to both sides of the chamber to continuously move the substrate in the chamber,
The chamber is
A first plasma generating unit generating plasma on a surface of an upper surface of the substrate;
A second plasma generating unit generating plasma on a surface of a lower surface of the substrate;
The substrate is moved between the upper electrode and the lower electrode which are respectively included in the first plasma generating unit and the second plasma generating unit and disposed to face each other through the first rolling unit and the second rolling unit.
Substrate double-sided coating device.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 플라즈마 생성부는
상기 제 1 플라즈마 생성부의 상부 전극에 가스를 공급하는 제 1 가스 공급부,
상기 제 1 플라즈마 생성부의 상부 전극에 RF 전력을 인가하는 제 1 전원부 및
상기 제 1 플라즈마 생성부의 하부 전극에 RF 바이어스(bias)를 제공하는 제 1 RF 바이어스 공급부를 포함하고,
상기 제 1 플라즈마 생성부는
상기 공급받은 가스 및 RF 전력을 통해 상기 기판의 상부면의 표면에 상기 플라즈마를 발생시키는 것인 기판 양면 코팅 장치.
The method of claim 1,
The first plasma generating unit
A first gas supply part supplying gas to an upper electrode of the first plasma generation part;
A first power supply unit applying RF power to an upper electrode of the first plasma generation unit;
A first RF bias supply unit configured to provide an RF bias to a lower electrode of the first plasma generation unit;
The first plasma generating unit
And generating the plasma on the surface of the upper surface of the substrate through the supplied gas and the RF power.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 플라즈마 생성부의 하부 전극에 가스를 공급하는 제 2 가스 공급부,
상기 제 2 플라즈마 생성부의 하부 전극에 RF 전력을 인가하는 제 2 전원부 및
상기 제 2 플라즈마 생성부의 상부 전극에 RF 바이어스를 제공하는 제 2 RF 바이어스 공급부를 포함하고,
상기 제 2 플라즈마 생성부는
상기 공급받은 가스 및 RF 전력을 통해 상기 기판의 하부면의 표면에 상기 플라즈마를 발생시키는 것인 기판 양면 코팅 장치.
The method of claim 1,
A second gas supply part supplying gas to a lower electrode of the second plasma generation part;
A second power supply unit applying RF power to the lower electrode of the second plasma generation unit;
A second RF bias supply unit configured to provide an RF bias to an upper electrode of the second plasma generation unit;
The second plasma generation unit
And coating the plasma on the surface of the lower surface of the substrate through the supplied gas and RF power.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 플라즈마 생성부 및 상기 제 2 플라즈마 생성부는
열적 CVD(Chemical Vapor Deposition), 핫 와이어(hot wire) CVD, 플라즈마 강화 화학적 증착(PECVD), 마이크로파 플라즈마 강화 화학적 증착(MPECVD), D.C. PECVD(DCPECVD), R.F. PECVD(RFPECVD), 확장형 MPECVD(WMPECVD) 및 전자사이클로트론 공명(ECR, Electron Cyclotron Resonance) 중 어느 하나의 공정 방법으로 상기 기판의 상부면과 하부면에 상기 플라즈마를 발생시켜 실리콘 산화물로 이루어진 박막 코팅이 이루어지도록 하는 것인 기판 양면 코팅 장치.
The method of claim 1,
The first plasma generator and the second plasma generator
Thermal Vapor Deposition, Hot Wire CVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (MPECVD), DC PECVD (DCPECVD), RF PECVD (RFPECVD), Expandable MPECVD (WMPECVD) And Electron cyclotron resonance (ECR, Electron Cyclotron Resonance) by using any one of the process method to generate the plasma on the upper and lower surfaces of the substrate to a thin film coating made of silicon oxide to be made.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 플라즈마 생성부 및 제 2 플라즈마 생성부를 통과하는 상기 기판을 평평하게 유지시키는 장력 조절부를 더 포함하는 기판 양면 코팅 장치.
The method of claim 1,
And a tension controller for keeping the substrate flat through the first plasma generator and the second plasma generator.
제 1 항에 있어서,
상기 기판은
상기 제 1 플라즈마 생성부의 하부 전극 및 상기 제 2 플라즈마 생성부의 상부 전극으로부터 일정 거리만큼 떨어져 비접촉식으로 이동하는 것인 기판 양면 코팅 장치.
The method of claim 1,
The substrate
2. The apparatus of claim 1, wherein the substrate is moved in a non-contact manner away from the lower electrode of the first plasma generator and the upper electrode of the second plasma generator.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 플라즈마 생성부 및 제 2 플라즈마 생성부 중 하나 이상에 삽입되어 상기 플라즈마의 밀도를 높이는 보조 전극을 더 포함하는 기판 양면 코팅 장치.
The method of claim 1,
And an auxiliary electrode inserted into at least one of the first plasma generator and the second plasma generator to increase the density of the plasma.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 롤링부는 롤 피더(roll feeder)로 구현된 것이고,
상기 제 2 롤링부는 리와인더(rewinder)로 구현된 것인 기판 양면 코팅 장치.
The method of claim 1,
The first rolling unit is implemented as a roll feeder,
The second rolling unit is a substrate double-sided coating apparatus implemented as a rewinder (rewinder).
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판은
메탈 포일(metal foil), 유리 기판, 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA, polymethyl methacrylate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리에테르에테르케톤(PEEK, Polyetheretherketone), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리에테르 술폰(PES, polyether sulfone), 폴리아릴라이트(polyarylite) 및 사이클릭 올레핀 코폴리머(COC, cyclic olefin copolymer) 중 하나 이상을 포함하는 것인 기판 양면 코팅 장치.
The method according to any one of claims 1 to 8,
The substrate
Metal foil, glass substrate, polymethyl methacrylate (PMMA), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyetheretherketone (PEEK) ), Polycarbonate (PC, polycarbonate), polyimide (PI, polyimide), polyether sulfone (PES, polyether sulfone), polyarylite and cyclic olefin copolymer (COC) Substrate both sides coating apparatus comprising a.
기판 양면 코팅 장치를 이용한 기판 양면 코팅 방법에 있어서,
(a) 기판의 코팅이 수행되는 챔버의 양측에 대응되게 설치된 롤링부에 상기 기판을 배치시키는 단계 및
(b) 상기 롤링부를 통해 상기 기판을 이동시키면서 상기 챔버의 제 1 영역에서 상기 기판의 상부면의 표면에 플라즈마를 발생시키고, 상기 챔버의 제 2 영역에서 상기 기판의 하부면의 표면에 플라즈마를 발생시키는 단계를 포함하는 기판 양면 코팅 방법.
In the substrate double-side coating method using a substrate double-side coating device,
(a) disposing the substrate on a rolling part provided corresponding to both sides of the chamber in which the coating of the substrate is performed;
(b) generating plasma on the surface of the upper surface of the substrate in the first region of the chamber while moving the substrate through the rolling portion, and generating plasma on the surface of the lower surface of the substrate in the second region of the chamber; A substrate double-sided coating method comprising the step of making.
제 10 항에 있어서,
상기 (b) 단계는
상기 제 1 영역 및 제 2 영역에 각각 가스를 공급하는 단계,
상기 제 1 영역에 구비된 제 1 플라즈마 생성부의 상부 전극에 RF 전력을 공급하고, 상기 제 1 플라즈마 생성부의 하부 전극에 RF 바이어스를 공급하는 단계 및
상기 제 2 영역에 구비된 제 2 플라즈마 생성부의 하부 전극에 RF 전력을 공급하고, 상기 제 2 플라즈마 생성부의 상부 전극에 RF 바이어스를 공급하는 단계를 포함하는 기판 양면 코팅 방법.
11. The method of claim 10,
The step (b)
Supplying gas to the first region and the second region, respectively;
Supplying RF power to an upper electrode of the first plasma generation unit provided in the first region, and supplying an RF bias to the lower electrode of the first plasma generation unit;
And supplying RF power to the lower electrode of the second plasma generator in the second region and supplying an RF bias to the upper electrode of the second plasma generator.
제 10 항에 있어서,
상기 제 1 영역 및 제 2 영역에 공급된 가스 및 RF 전력을 통해 상기 기판의 상부면 및 하부면에 상기 플라즈마를 발생시켜 실리콘 산화물로 이루어진 박막 코팅이 이루어지도록 하는 것인 기판 양면 코팅 방법.
11. The method of claim 10,
And coating the plasma on the upper and lower surfaces of the substrate through the gas and the RF power supplied to the first and second regions to form a thin film coating made of silicon oxide.
제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판은
메탈 포일(metal foil), 유리 기판, 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA, polymethyl methacrylate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리에테르에테르케톤(PEEK, Polyetheretherketone), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리에테르 술폰(PES, polyether sulfone), 폴리아릴라이트(polyarylite) 및 사이클릭 올레핀 코폴리머(COC, cyclic olefin copolymer) 중 하나 이상을 포함하는 것인 기판 양면 코팅 방법.
The method according to any one of claims 10 to 12,
The substrate
Metal foil, glass substrate, polymethyl methacrylate (PMMA), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyetheretherketone (PEEK) ), Polycarbonate (PC, polycarbonate), polyimide (PI, polyimide), polyether sulfone (PES, polyether sulfone), polyarylite and cyclic olefin copolymer (COC) It comprises a substrate double-sided coating method.
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