KR20120079796A - 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20120079796A
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박상희
황치선
유병곤
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한국전자통신연구원
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Abstract

본 발명은 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판; 상기 기판의 상부 일측에 형성되는 블랙 매트릭스; 상기 블랙 매트릭스의 상부에 형성되는 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터의 전면을 덮는 보호막; 상기 보호막의 상부에 형성되는 평탄층; 상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터가 형성된 반대 측 평탄층 상부에 형성되는 컬러 필터; 및 상기 컬러 필터의 상부에 형성되는 유기 전계 발광 소자를 포함한다.

Description

액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법{Active Matrix Organic Light Emitting Diode and Method for Manufacturing the Same}
본 발명은 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 명암비 개선을 위한 배면발광(Bottom Emission) 방식의 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
풀 컬러(Full Color) 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치(Active Matrix Organic Light Emitting Diode; 이하, 'AMOLED')를 제작하기 위해서는 R(빨강), G(녹색), B(청색)을 발광하는 각 픽셀의 패터닝이 필수적인데, 이를 위해 일반적으로 금속 마스크(Metal Mask)를 이용하여 R, G, B 컬러 필터를 분리하여 증착하는 방법을 사용하고 있다.
한편, 이와 관련하여 두 가지 심각한 문제가 대두되고 있다.
첫째, 중소형 디스플레이의 경우 TFT-LCD 대비 해상도(Resolution)가 낮다. 왜냐하면, 금속 마스크를 이용한 패터닝 방법은 컬러 필터의 혼색 문제와 마스크 제작 상의 어려움 때문에 R, G, B 컬러 필터 사이의 간격을 줄이는 데 한계가 있기 때문이다.
둘째, 대형 TV의 경우, 금속 마스크의 무게가 증가하여 공정상 어려움을 초래한다. 동시에 유리기판의 처짐으로 인해 기판과 마스크 사이가 벌어지는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해, 백색 OLED(White OLED)를 증착한 후 컬러 필터(Color Filter)를 이용하여 R, G, B 색을 분리하는 방법이 부각되고 있다. 백색 OLED를 이용한 AMOLED는 금속 마스크를 이용한 패터닝 방법에 비해 패터닝 방법 자체가 매우 간단하다는 장점이 있으나, 발광 효율 측면에서는 R, G, B 방법에 비해 약 30% 정도 불리한 것으로 알려져 있다.
또한, 새로운 발광재료 개발과 소자 구조 개선을 통해 발광 효율을 높이려는 노력이 지속되고 있으나, 원리상 R, G, B 방법에 비해서 발광 효율 자체가 상당히 낮을 수밖에 없는 한계가 있다.
따라서, 간접적인 방법으로 발광 효율을 높인 것과 같은 효과를 낼 수 있는 방안을 찾을 필요가 있다. 그 한가지 방법으로 AMOLED의 명암비를 높이기 위해 일반적으로 디스플레이 표면에 부착되는 원형 폴라라이저(Circular Polarizer)를 제거하거나 그 광투과도를 높이는 방법이 있다. 일반적으로 원형 폴라라이저의 광투과율은 45% 정도이나 그 특성을 희생하여 투과도를 70% 정도로 올린 예도 알려져 있다.
그러나, 원형 폴라라이저를 제거하거나 원형 폴라라이저의 투과도를 개선하는 경우, AMOLED의 명암비(Contrast Ratio) 저하는 필연적이다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 배면발광(Bottom Emission) 방식의 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 명암비를 개선하기 위한 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 제1 측면에 따르면, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치는, 기판; 상기 기판의 상부 일측에 형성되는 블랙 매트릭스; 상기 블랙 매트릭스의 상부에 형성되는 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터의 전면을 덮는 보호막; 상기 보호막의 상부에 형성되는 평탄층; 상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터가 형성된 반대 측 평탄층 상부에 형성되는 컬러 필터; 및 상기 컬러 필터의 상부에 형성되는 유기 전계 발광 소자를 포함한다.
본 발명의 제2 측면에 따르면, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법은, 기판의 상부 일측에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계; 상기 블랙 매트릭스의 상부에 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터의 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막의 상부에 평탄층을 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터가 형성된 반대 측 평탄층 상부에 컬러 필터를 형성하는 단계; 및 상기 컬러 필터의 상부에 유기 전계 발광 소자를 형성하는 단계를 포함한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 박막 트랜지스터를 형성하기 전에 기판의 일부 구간에 먼저 블랙 매트릭스를 형성하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법을 제공함으로써, 휘도를 높이는 데 필요한 폴라라이저 사용으로 인해 수반되는 명암비 저하 문제를 해결할 수 있고, 대면적 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 구성을 나타낸 단면도,
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 흐름도이다.
액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치(Active Matrix Organic Light Emitting Diode; 이하, 'AMOLED')에서 컬러 필터 측면에 블랙 매트릭스를 형성하는 것이 일반적이나, 이는 배면발광(Bottom Emission) 방식의 AMOLED의 경우 명암비 개선에 별로 도움이 되지 못한다. 왜냐하면, 전면에서 입사된 외광이 블랙 매트릭스에 도달하기 전에 박막 트랜지스터의 금속면에서 반사되기 때문이다.
따라서, 본 발명의 일실시예에서는 배면발광 방식의 AMOLED에 있어서, 박막 트랜지스터를 형성하기 전에 기판의 일부 구간에 블랙 매트릭스를 형성한다.
이하, 본 발명의 일실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치(Active Matrix Organic Light Emitting Diode; 이하, 'AMOLED')는 기판(110), 블랙 매트릭스(120), 복수의 박막 트랜지스터(130), 보호막(140), 평탄층(150), 컬러 필터(160), 오버코트막(170) 및 유기 전계 발광 소자(180) 등을 포함한다. 비록, 도면에는 도시되지 않았지만, 블랙 매트릭스(120)와 복수의 박막 트랜지스터(130) 사이에 유기 물질로 이루어진 평탄막을 더 포함할 수 있다.
기판(110)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질, 금속 재질 및 플라스틱 재질 등을 포함하는 다양한 재질로 형성될 수 있다.
블랙 매트릭스(120)는 단일 또는 복수의 층으로 이루어지고, 복수의 박막 트랜지스터(130)가 형성되는 기판(110)의 상부 일측에 형성된다. 블랙 매트릭스(120)는 유기물, 무기물 또는 그 복합 재료로 구성되고, 투과도가 0 ~ 50%이며, 100 ~ 10000Å의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 예컨대, 블랙 매트릭스(120)는 1500Å 두께의 Cr과 1500Å 두께의 CrOx로 이루어질 수 있다.
복수의 박막 트랜지스터(130)는 블랙 매트릭스(120)의 상부에 형성된다. 복수의 박막 트랜지스터(130)는 각 화소별로 적어도 하나씩 형성되고, 반도체층(132), 게이트 절연막(134) 및 게이트 전극(136)을 포함한다.
반도체층(132)은 블랙 매트릭스(120)의 상부에 형성되고, 비정질 실리콘(Amorphous Silicon) 또는 폴리 실리콘(Poly-silicon)과 같은 무기 반도체 또는 유기 반도체 등으로 형성될 수 있으며, 도면에는 도시되지 않았지만, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(134)은 반도체층(132)의 상부에 형성되고, SiO2, SiNx 등으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(136)은 게이트 절연막(134)의 상부 소정 영역에 형성되고, 박막 트랜지스터에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결된다.
보호막(140)은 복수의 박막 트랜지스터(130)의 전면에 형성되어, 복수의 박막 트랜지스터(130)를 보호한다. 이를 위해, 보호막(140)은 무기 절연막 또는 유기 절연막을 사용할 수 있다. 무기 절연막으로는 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST 및 PZT 등을 포함할 수 있고, 유기 절연막으로는 일반 범용고분자(PMMA, PS), 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 보호막(140)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로도 형성될 수 있다.
또한, 보호막(140)에는 컨택홀을 통하여 소스 전극(142) 및 드레인 전극(144)이 각각 박막 트랜지스터(130)의 소스 영역 및 드레인 영역에 접하도록 형성된다. 여기서, 소스 전극(142) 및 드레인 전극(144)은 투과도가 0 ~ 70%이고, 전도도를 갖는 금속 물질로 이루어진다.
평탄층(150)은 투명한 유기 물질로 이루어지고, 보호막(140)의 상부에 형성되어, 후술하는 유기 전계 발광 소자(180)의 제1 전극층(182)이 박막 트랜지스터(130)의 소스 전극(142) 또는 드레인 전극(144)과 전기적으로 연결될 수 있도록 제1 비아홀(152)을 포함한다.
컬러 필터(160)는 평탄층(150)의 상부 일측에 형성된다. 자세하게는, 컬러 필터(160)는 복수의 박막 트랜지스터(130)의 반대 측에 위치하는 유기 전계 발광 소자(180)의 제1 전극층(182) 하부에 형성된다. 컬러 필터(160)는 적색 영역의 파장을 통과시키는 컬러 필터, 녹색 영역의 파장을 통과시키는 컬러 필터 및 청색 영역의 파장을 통과시키는 컬러 필터 등이 될 수 있다.
오버코트막(170)은 아크릴계 화합물 따위의 감광성 유기 물질로 만들어질 수 있고, 컬러 필터(160)를 포함하는 평탄층(150) 상부에 형성되어, 컬러 필터(160)로 인한 단차를 제거하고 표면을 평탄화한다. 이와 더불어, 오버코드막(170)은 후술하는 유기 전계 발광 소자(180)의 제1 전극층(182)이 박막 트랜지스터(130)의 소스 전극(142) 또는 드레인 전극(144)과 전기적으로 연결될 수 있도록 평탄층(150)의 제1 비아홀(152)에 연장되는 제2 비아홀(172)을 포함한다.
유기 전계 발광 소자(180)는 컬러 필터(160)가 위치하는 오버코트막(170) 상부에 형성되고, 서로 대향된 제1 전극층(182)과 제2 전극층(186)을 포함하며, 이 사이에 개재된 유기 발광층(184)을 포함한다.
제1 전극층(182)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물로 형성된 반사막과, 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등으로 형성된 투명막을 포함하고, 외부 단자와 연결되어 애노드 전극으로서 동작한다.
제1 전극층(182) 상에는 이를 덮는 절연물인 화소 정의막(190)이 형성된다. 유기 발광층(184)은 화소 정의막(190) 상에 소정의 개구부를 형성한 후, 이 개구부로 한정된 영역에 형성된다. 물론, 본 발명과 같이 백색광이 방출되는 유기 전계 발광 소자의 경우 유기 발광층(184)이 반드시 개구부로 한정된 영역에만 형성될 필요는 없으며, 제1 전극층(182)의 개구부 및 화소 정의막(190) 상부 전체에 걸쳐서 형성될 수도 있다.
제2 전극층(186)은 투과형 전극으로 구비되는 것이 바람직하며, 일함수가 작은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 Ag 등의 금속을 얇게 형성한 반투과막일 수 있다. 물론, 이러한 금속 반투과막 상에 ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 등의 투명도전막을 형성하여, 얇은 금속 반투과막의 두께에서 기인하는 고저항의 문제를 보완할 수 있다. 이에, 제2 전극층(186)은 외부 단자와 연결되어 캐소드 전극으로서 동작한다.
상기와 같은 제1 전극층(182)과 제2 전극층(186)은 그 극성이 서로 반대가 되어도 무방하다.
한편, 제1 전극층(182)과 제2 전극층(186)의 사이에 개재된 유기 발광층(184)은 제1 전극층(182)과 제2 전극층(186)의 전기적 구동에 의해 백색광이 방출된다. 이때 유기 발광층(184)에서 방출되는 백색광은 연색성 지수(CRI)(>75)가 좋고, CIE 다이어그램에서 (0.33, 0.33)의 좌표에 가까운 것이 바람직하나, 반드시 여기에 한정되는 것은 아니다.
유기 발광층(184)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물을 사용할 수 있다. 유기 발광층(184)이 저분자 유기물로 형성된 저분자 유기층인 경우에는 유기 발광층(184)을 중심으로 제1 전극층(182)의 방향으로 홀 수송층(Hole Transport Layer: HTL) 및 홀 주입층(Hole Injection Layer: HIL)등이 적층되고, 제2 전극층(186)의 방향으로 전자 수송층(Electron Transport Layer: ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer: EIL) 등이 적층된다. 물론, 이들 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 외에도 다양한 층들이 필요에 따라 적층되어 형성될 수 있다.
한편, 고분자 유기물로 형성된 고분자 유기층의 경우에는 유기 발광층(184)을 중심으로 제1 전극층(182)의 방향으로 홀 수송층만이 구비될 수 있다. 고분자 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜 (PEDOT: Poly-(2, 4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나 폴리아닐린(PANI: Polyaniline) 등을 사용하여 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅의 방법에 의해 제1 전극층(182) 상부에 형성된다.
유기 발광층(184)에서 백색 발광을 구현하는 방법으로, 파란색 또는 보라색 빛으로 형광체를 여기시킨 후 여기서 방출된 다양한 색상들을 섞어, 넓고 풍부한 영역의 파장 스펙트럼을 형성하는 다운 컨버전(Down Conversion)식의 파장 변형(Wave Conversion) 방식과, 두 가지의 기본색상(파란색과 주황색) 또는 세 가지의 기본색상(적색, 녹색, 청색)을 혼합하여 백색광을 형성하는 색상 혼합(Color Mixing) 방식 등을 사용할 수 있다. 물론 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 백색광을 구현할 수 있는 다양한 재료 및 다양한 방식이 적용될 수 있음은 물론이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 흐름도이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 유리, 금속 및 플라스틱 중 어느 하나의 재질로 이루어진 기판(110)의 상부 일측에 100 ~ 10000Å의 두께로 단일 또는 복수의 층으로 이루어진 블랙 매트릭스(120)를 형성한다. 여기서, 블랙 매트릭스(120)는 유기물, 무기물 또는 그 복합 재료로 구성되고, 투과도가 0 ~ 50%이다. 예를 들면, 블랙 매트릭스(120)는 1500Å 두께의 Cr과 1500Å 두께의 CrOx로 이루어질 수 있다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 블랙 매트릭스(120)의 상부에 복수의 박막 트랜지스터(130)를 형성한다. 자세하게는, 블랙 매트릭스(120)의 상부에 비정질 실리콘(Amorphous Silicon) 또는 폴리 실리콘(Poly-silicon)과 같은 무기 반도체 또는 유기 반도체 등으로 이루어진 반도체층(132)을 형성하고, 반도체층(132)의 상부에 SiO2, SiNx 등으로 이루어진 게이트 절연막(134)을 형성하며, 게이트 절연막(134)의 상부 소정 영역에 게이트 전극(136)을 형성함으로써, 복수의 박막 트랜지스터(130)를 형성한다.
비록, 도면에는 도시되지 않았지만, 복수의 박막 트랜지스터(130)를 형성하기 이전에 블랙 매트릭스(120) 상에 유기 물질로 이루어진 평탄막을 형성할 수도 있다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 복수의 박막 트랜지스터(130)의 전면에 복수의 박막 트랜지스터(130)를 보호하는 보호막(140)을 형성한다. 여기서, 보호막(140)은 무기 절연막 또는 유기 절연막을 사용할 수 있다. 또한, 보호막(140)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로도 형성될 수 있다.
그리고, 보호막(140)에 컨택홀을 형성하고, 컨택홀에 투과도가 0 ~ 70%이고, 전도도를 갖는 금속 물질을 충진하여 박막 트랜지스터(130)의 소스 영역 및 드레인 영역에 접하도록 소스 전극(142) 및 드레인 전극(144)을 각각 형성한다.
도 2d에 도시된 바와 같이, 보호막(140)의 상부에 투명한 유기 물질로 이루어진 평탄층(150)을 형성한다. 이때, 평탄층(150)에 후술하는 유기 전계 발광 소자(180)의 제1 전극층(182)이 박막 트랜지스터(130)의 소스 전극(142) 또는 드레인 전극(144)과 전기적으로 연결될 수 있도록 제1 비아홀(152)을 형성한다.
그리고, 평탄층(150)의 상부 일측에 컬러 필터(160)를 형성한다. 이때, 컬러 필터(160)는 복수의 박막 트랜지스터(130)의 반대 측에 위치하는 유기 전계 발광 소자(180)의 제1 전극층(182) 하부에 형성된다.
이후, 컬러 필터(160)를 포함하는 평탄층(150) 상부에 컬러 필터(160)로 인한 단차를 제거하고 표면을 평탄화하는 아크릴계 화합물 따위의 감광성 유기 물질로 이루어진 오버코트막(170)을 형성한다. 이때, 오버코트막(170)에 유기 전계 발광 소자(180)의 제1 전극층(182)이 박막 트랜지스터(130)의 소스 전극(142) 또는 드레인 전극(144)과 전기적으로 연결될 수 있도록 평탄층(150)의 제1 비아홀(152)에 연장되는 제2 비아홀(172)을 형성한다.
도 2e에 도시된 바와 같이, 컬러 필터(160)가 위치하는 오버코트막(170) 상부에 유기 전계 발광 소자(180)를 형성한다. 자세하게는, 오버코트막(170) 상에 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물로 형성된 반사막과, 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등으로 형성된 투명막을 포함하는 제1 전극층(182)을 형성한다.
그리고 제1 전극층(182) 상에 이를 덮는 절연물인 화소 정의막(190)을 형성하고, 화소 정의막(190) 상에 소정의 개구부를 형성한 후, 이 개구부로 한정된 영역에 유기 발광층(184)을 형성한다.
그리고 유기 발광층(184) 상에 제2 전극층(186)을 형성한다. 여기서, 제2 전극층(186)은 투과형 전극으로 구비되는 것이 바람직하며, 일함수가 작은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 Ag 등의 금속을 얇게 형성한 반투과막일 수 있다.
본 발명의 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.
110: 기판 120: 블랙 매트릭스
130: 박막 트랜지스터 132: 반도체층
134: 게이트 절연막 136: 게이트 전극
140: 보호막 142: 소스 전극
144: 드레인 전극 150: 평탄층
152: 제1 비아홀 160: 컬러 필터
170: 오버코트막 172: 제2 비아홀
180: 유기 전계 발광 소자 182: 제1 전극층
184: 유기 발광층 186: 제2 전극층
190: 화소 정의막

Claims (18)

  1. 기판;
    상기 기판의 상부 일측에 형성되는 블랙 매트릭스;
    상기 블랙 매트릭스의 상부에 형성되는 적어도 하나의 박막 트랜지스터;
    상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터의 전면을 덮는 보호막;
    상기 보호막의 상부에 형성되는 평탄층;
    상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터가 형성된 반대 측 평탄층 상부에 형성되는 컬러 필터; 및
    상기 컬러 필터의 상부에 형성되는 유기 전계 발광 소자;
    를 포함하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 유리, 금속 및 플라스틱 중 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스의 투과도는 0 ~ 50%인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스와 상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터 사이에 위치하는 평탄막;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서, 각각의 박막 트랜지스터는,
    소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 반도체층;
    상기 반도체층의 상부에 형성되는 게이트 절연막; 및
    상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 게이트 전극;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 보호막은,
    상기 소스 영역과 접하도록 형성되는 소스 전극; 및
    상기 드레인 영역과 접하도록 형성되는 드레인 전극;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 투과도가 0 ~ 70%이고, 전도도를 갖는 금속 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는 유기물 또는 무기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스의 두께는 100 ~ 10000Å인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는 단일 또는 복수의 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 유기 전계 발광 소자는 백색 유기 전계 발광 소자인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치.
  12. 기판의 상부 일측에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계;
    상기 블랙 매트릭스의 상부에 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터의 전면에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막의 상부에 평탄층을 형성하는 단계;
    상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터가 형성된 반대 측 평탄층 상부에 컬러 필터를 형성하는 단계; 및
    상기 컬러 필터의 상부에 유기 전계 발광 소자를 형성하는 단계;
    를 포함하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 기판은 유리, 금속 및 플라스틱 중 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스의 투과도는 0 ~ 50%인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스를 형성하는 단계 이후에,
    상기 블랙 매트릭스와 상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터 사이에 평탄막을 형성하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는 유기물 또는 무기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법.
  17. 제12항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스를 형성하는 단계에서,
    상기 블랙 매트릭스는 100 ~ 10000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법.
  18. 제12항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스를 형성하는 단계에서,
    상기 블랙 매트릭스는 단일 또는 복수의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법.
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KR20160008020A (ko) * 2014-07-11 2016-01-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

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