KR20120076320A - 전류 측정 시스템 및 그 조립 방법 - Google Patents
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Abstract
도체(46)를 통과하는 전류를 측정하기 위한 전류 측정 시스템(10)이 기재되어 있다. 시스템은 제 1 자속을 측정하며 제 1 자속에 비례하는 제 1 신호(20)를 발생시키도록 구성된 제 1 센서(16)를 포함한다. 또한, 시스템은 제 2 자속을 측정하며 제 2 자속에 비례하는 제 2 신호(22)를 제공하도록 구성되며, 제 1 센서보다 높은 표유 자계에 대한 감도를 갖는 제 2 센서(18)를 포함한다. 또한, 시스템은 제 1 센서 및 제 2 센서에 연결되며 제 1 신호 및 제 2 신호를 수신하도록 구성된 프로세서(14)를 포함한다. 프로세서는 제 1 신호 및 제 2 신호를 비교함으로써 표유 자계의 존재를 결정하도록 더 구성된다.
Description
본 개시의 분야는 일반적으로 전류 측정 시스템 및 그 조립 방법에 관한 것으로서, 특히 다수의 자계 센서를 포함하는 전류 측정 시스템에 관한 것이다.
예를 들어, 거주 또는 상업적 환경을 보호하기 위해 현재 사용되는 회로 차단기는 통상 과전류 상태의 존재를 검출하고 동작 기구를 해제해서 회로 차단기의 접점을 분리한다. 전류 흐름은 전류 경로에 분로 저항(shunt resistor)을 위치시키며 분로 저항에 걸친 전압 강하를 측정함으로써 모니터링될 수 있다. 그러나, 전류가 이와 같이 모니터링될 때 바람직하지 못한 열이 분로 저항에 의해 발생된다. 센스 변압기는 전류 경로에 분로 저항을 위치시키지 않고 도체 내에서 교류(AC)의 레벨을 검출하는데 사용될 수 있다. 고체 자계 센서, 예를 들어 홀 효과 장치 또는 거대 자기 저항(GMR) 장치는 전류 경로에 분로 저항을 위치시키지 않고 도체에 흐르는 AC 또는 직류(DC)를 측정하는데 사용될 수 있다. 홀 효과 장치는 자속을 측정하고 측정된 자속의 레벨에 대응하는 전압을 출력한다. 그러나, 그러한 센서는 주위 환경으로부터의 표유 자계에 노출되면 에러에 영향을 받게 된다. 홀 효과 장치는 도체에서의 전류에 의해 야기되는 자계와 표유 자계를 구별할 수 없다. 홀 효과 장치는 단순히 자속의 레벨을 측정한다.
인접한 장치로부터의 자계는 잡음을 야기시키고 도체를 통과하는 전류의 정확한 측정을 방해한다. 이것은 높은 돌입 또는 단락 전류를 인식할 수 있는 다수의 장치에 근접해 있는 곳에서의 적용에 사용될 때 회로 차단기의 중요한 문제일 수 있다. 이 높은 전류가 통상 일시적일지라도, 높은 전류는 넓은 자계를 생성한다. 예를 들어, 다상 회로는 다수의 회로 차단기를 포함할 수 있고, 각 회로 차단기는 다상에서의 전류가 과전류 레벨를 초과하면 위상을 분리하도록 구성된다. 다상 회로에서, 단상 내의 과전류 발생은 바로 인접한 위상에서의 회로 차단기가 그 인접한 위상에서의 과전류 발생의 고장 표시를 제공하게 하기에 충분한 자속을 발생시킬 수 있다.
통상, 거리 및 자기 차폐는 도체 내에서 전류 레벨을 측정하기 위해 위치된 홀 효과 장치 상에 표유 자계의 효과를 감소시키는데 사용되었다. 차폐되지 않으면, 인접한 극의 전류는 홀 효과 장치의 출력이 도체 내의 실제 전류보다 큰 전류 레벨에 대응하게 할 수 있다(즉, 홀 효과 장치는 도체 내에서 실제 전류의 정확한 측정을 제공하지 못한다). 이 고장 신호는 회로 차단기를 트립핑하는 회로 차단기의 공칭 설정보다 클 수 있다. 도체 내의 실제 전류가 과전류 레벨보다 아래일 때의 회로 차단기의 트립핑은 여기서 방해 트립핑으로 지칭된다. 예를 들어, 자기 코어는 도체의 자계를 집중시키고 표유 자계로부터 센서를 차폐하기 위해 사용될 수 있다. 자계 차폐재는 자속을 끌어당겨 센서로부터 떨어져서 유지한다. 더욱이, 센서와 표유 자계 소스 사이의 거리를 증가시키는 것은 표유 자계가 센서에 미치는 영향을 감소시킨다.
넓은 자계의 포텐셜을 갖는 시스템에 대해서는, 양호한 신호 대 잡음비(즉, 인접한 장치로부터의 저잡음)를 확보하기에 충분한 차폐 또는 거리를 제공하는 것이 가능하지 않을 수 있다. 일부 회로 차단기 적용, 예를 들어 배선용 회로 차단기의 크기 제약은 회로 차단기의 근접 간격으로 인해 차폐 및 거리의 유효성을 제한한다. 크기가 제약되지 않을지라도, 차폐재는 비용을 회로 차단기에 추가시킨다.
하나의 양상에 있어서, 도체를 통과하는 전류를 측정하기 위한 전류 측정 시스템이 제공된다. 상기 시스템은 제 1 자속을 측정하며 제 1 자속에 비례하는 제 1 신호를 발생시키도록 구성된 제 1 센서를 포함한다. 또한, 상기 시스템은 제 2 자속을 측정하며 제 2 자속에 비례하는 제 2 신호를 제공하도록 구성된 제 2 센서를 포함하며, 제 2 센서는 제 1 센서보다 높은 표유 자계를 갖는다. 또한, 상기 시스템은 제 1 센서 및 제 2 센서에 연결되며 제 1 신호 및 제 2 신호를 수신하도록 구성된 프로세서를 포함한다. 또한, 상기 프로세서는 제 1 신호 및 제 2 신호를 비교함으로써 표유 자계의 존재를 판단하도록 구성된다.
다른 양상에 있어서, 전원과 부하 사이에 위치된 회로 장치가 제공된다. 적어도 하나의 도체는 전원을 부하에 연결한다. 상기 장치는 제 1 자속을 측정하며 제 1 자속에 비례하는 제 1 신호를 제공하도록 구성된 제 1 센서를 포함한다. 또한, 상기 장치는 제 2 자속을 측정하며 제 2 자속에 비례하는 제 2 신호를 제공하도록 구성된 제 2 센서를 포함한다. 제 2 센서는 제 1 센서보다 높은 표유 자계에 대한 감도를 갖는다. 또한, 상기 장치는 제 1 센서 및 제 2 센서에 연결되고 제 1 신호 및 제 2 신호를 수신하도록 구성된 프로세서를 포함한다. 또한, 프로세서는 표유 자계의 존재를 판단하기 위해 제 1 신호 및 제 2 신호를 비교하도록 구성된다. 또한, 프로세서는 트립 신호를 발생시키도록 구성된다. 또한, 상기 장치는 프로세서에 연결되고 전원을 트립 신호에 응답하여 부하로부터 접속 해제하도록 구성된 트립 장치를 포함한다.
또 다른 양상에 있어서, 전원과 부하 사이에 위치된 회로 보호 장치를 조립하는 방법이 제공된다. 적어도 하나의 도체는 전원을 부하에 연결한다. 상기 방법은 제 1 자속을 측정하기 위한 제 1 자계 센서를 제공하기 위한 단계, 및 제 2 자속을 측정하기 위한 제 2 자계 센서를 제공하는 단계를 포함한다. 제 2 자계 센서는 제 1 자계 센서보다 높은 표유 자계에 대한 감도를 갖는다. 또한, 상기 방법은 제 1 자속 및 제 2 자속의 비교에 적어도 부분적으로 기초하여 트립 신호를 발생시키도록 프로세서를 구성하는 단계를 포함한다.
도 1은 전류 측정 시스템의 예시적인 실시예의 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 전류 측정 시스템을 포함하는 예시적인 회로 보호 장치의 블록도이다.
도 3은 도 1에 도시된 감지 장치의 예시적인 실시예의 사시도이다.
도 4는 도 1에 도시된 감지 장치의 제 1 대안적 실시예의 사시도이다.
도 5는 도 1에 도시된 감지 장치의 제 2 대안적 실시예의 사시도이다.
도 6은 도체를 통하는 전류를 결정하기 위한 예시적인 방법의 흐름도이다.
도 7은 도 2에 도시된 회로 보호 장치를 조립하기 위한 예시적인 방법의 흐름도이다.
도 2는 도 1에 도시된 전류 측정 시스템을 포함하는 예시적인 회로 보호 장치의 블록도이다.
도 3은 도 1에 도시된 감지 장치의 예시적인 실시예의 사시도이다.
도 4는 도 1에 도시된 감지 장치의 제 1 대안적 실시예의 사시도이다.
도 5는 도 1에 도시된 감지 장치의 제 2 대안적 실시예의 사시도이다.
도 6은 도체를 통하는 전류를 결정하기 위한 예시적인 방법의 흐름도이다.
도 7은 도 2에 도시된 회로 보호 장치를 조립하기 위한 예시적인 방법의 흐름도이다.
여기에 기재된 방법, 시스템, 및 장치는 도체에서의 전류 측정을 용이하게 해주며, 예를 들어 회로 보호 장치를 동작시키기 위해 전류 측정을 사용하는 것을 용이하게 해준다. 회로 보호 장치의 예는 회로 차단기이다. 여기에서 회로 보호 장치에 대해 기재되었을지라도, 여기서 기재된 방법, 시스템, 및 장치는 또한 다른 종류의 시스템, 예를 들어 전기 모터와 제어 시스템, 및 전기 자동차 내에 포함되거나 관련하여 사용될 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 여기서 기재된 방법, 시스템, 및 장치는 복수의 자계 센서 및 표유 자계의 존재를 식별하도록 구성된 프로세서를 포함한다. 더욱이, 프로세서는 도체에 흐르는 전류에 의해 발생되는 측정된 자속의 부분과 표유 자계와 관련되는 측정된 자속의 부분을 구별할 수 있다.
여기서 기재된 방법, 시스템, 및 장치의 기술적 효과는 (a) 제 1 자속을 측정하는 것; (b) 제 2 자속을 측정하는 것; 및 (c) 제 1 자속 및 제 2 자속을 비교함으로써 표유 자계의 존재를 결정하는 것 중 적어도 하나를 포함한다.
도 1은 전류 측정 시스템(10)의 예시적인 실시예의 블록도이다. 전류 측정 시스템(10)은 도체(도 2에 도시되는)에 흐르는 전류의 레벨을 측정하도록 구성된다. 예시적인 실시예에 있어서, 전류 측정 시스템(10)은 자속 감지 장치(12) 및 처리 장치(14)를 포함한다. 예시적인 실시예에 있어서, 자계 감지 장치(12)는 제 1 센서(16) 및 제 2 센서(18)를 포함한다. 대안적 실시예에 있어서, 감지 장치(12)는 전류 측정 시스템(10)이 여기서 기재된 바와 같이 기능하게 하게 하는 임의 수의 센서를 포함한다. 감지 장치(12)는 처리 장치(14)에 연결되며 처리 장치(14)에 적어도 하나의 자속 신호, 예를 들어 제 1 플럭스 신호(20) 및 제 2 플럭스 신호(22)를 제공한다. 처리 장치(14)는 제 1 플럭스 신호(20) 및 제 2 플럭스 신호(22)를 처리하며 전류 레벨 신호(24)를 출력한다. 전류 레벨 신호(24)는 사용자에게 도체에 흐르는 전류의 표시를 제공하도록 구성된 표시 장치(26)에 의해 수신될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(26)는 전류 레벨 신호(24)를 사용자에 의해 판독될 수 있는 수로 변환하도록 구성된 표시 화면을 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치(26)는 알람을 포함할 수 있다. 처리 장치(14)는 대응하는 전류 레벨이 소정 임계값보다 높을 때에만 전류 레벨 신호(24)를 출력하도록 구성될 수 있다. 전류 레벨 신호(24)를 수신하는 대로, 알람은 사용자에게 측정된 전류가 소정 임계값보다 높다는 것을 지시한다. 또한, 전류 레벨 신호(24)는 회로 보호 장치(도 2에 도시되는)의 트립 장치(도 2에 도시되는)에 제공될 수 있다.
도 2는 회로 보호 장치(30)의 예시적인 실시예의 블록도이다. 회로 보호 장치의 비제한적인 예는 회로 차단기이다. 그러나, 회로 보호 장치(30)는 여기서 기재된 바와 같이 회로를 과전류 상태로부터 보호하도록 구성된 임의 장치일 수 있다. 예시적인 실시예에 있어서, 회로 보호 장치(30)는 전류 측정 시스템(10) 및 트립 장치(34)를 포함한다. 예시적인 실시예에 있어서, 처리 장치(14)는 전자 트립 제어 장치로 지칭될 수 있다. 더욱이, 회로 보호 장치(30) 내에 포함된 것으로 기재되었을지라도, 전류 측정 시스템(10)은 자속의 측정을 사용하여 도체 흐르는 전류를 측정하기 위해 임의 시스템 및/또는 장치 내에 포함될 수 있다. 그러한 시스템 및/또는 장치는 모터, 모터 제어 시스템, 및 전기 자동차를 포함할 수 있지만 이들에 한정되지 않는다. 또한, 회로 보호 장치(30)는 전원(36)을 포함할 수 있다. 회로 보호 장치(30)는 적어도 하나의 도체(46)에 연결되는 전원(42) 및 부하(44)도 포함하는 회로(40) 내에 포함된다. 회로 보호 장치(30)는 과전류 상태를 감지하는 대로 개방함으로써(즉, 회로(40)를 차단함으로써) 회로(40)를 보호한다. 과전류 상태는 여기서 소정 임계값 전류 레벨을 초과하는 도체 내의 전류 레벨의 존재로 규정된다. 예를 들어, 처리 장치(14)는 소정 회로 차단기 트립 커브에 종속될 수 있는 순시, 단시간, 및/또는 장시간 과전류 상태를 결정하도록 구성될 수 있다.
예시적인 실시예에 있어서, 처리 장치(14)는 신호 조정 회로(50) 및 프로세서(52)를 포함한다. 여기서 사용되는 프로세서라는 용어는 여기서 기재된 기능을 수행할 수 있는 중앙 처리 장치, 마이크로프로세서, 마이크로컨트롤러, 간략 명령어 세트 회로(RISC), 주문형 집적 회로(ASIC), 논리 회로, 및 어떤 다른 회로 또는 프로세서를 지칭한다.
예시적인 실시예에 있어서, 감지 장치(12)는 복수의 자속 센서, 예를 들어 홀 효과 센서 거대 자기 저항 필드 센서, 이방성 자기 저항(AMR) 센서, 플럭스게이트/마이크로플럭스게이트 센서, 거대 자기 임피던스(GMI) 센서, 및/또는 터널링 자기 저항 효과(TMR) 센서를 포함하지만, 이들에 한정되지 않는다. 감지 장치(12)는 자속을 측정하고 측정된 신호를 나타내는 신호(54)를 제공한다. 도체(46)에 흐르는 전류는 도체(46)로부터 나오는 자계를 발생시킨다. 표유 자계가 존재하지 않을 때, 감지 장치(12)에 의해 측정된 자속이 도체(46)에 흐르는 전류량에 비례한다. 그러므로, 도체(46)를 둘러싸는 자계를 측정함으로써, 도체(46)에 흐르는 전류량이 결정될 수 있다. 예를 들어, 신호(54)는 측정된 자속에 비례하는 전압 레벨을 갖는 전압을 포함할 수 있다. 신호 조정 회로(50)는 신호(54)를 수신하고, 신호(54)를 조정하며, 신호(56)를 프로세서(52)에 출력한다. 예를 들어, 신호 조정 회로(50)는 아날로그 신호(54)를 수신해서 아날로그 신호(54)를 디지털 신호(56)로 변환하는 아날로그 디지털 변환기를 포함할 수 있다. 프로세서(52)는 도체(46)에 흐르는 전류의 레벨을 결정하기 위해 신호(56)를 수신해서 처리한다. 예시적인 실시예에 있어서, 도체(46)에 흐르는 전류 레벨이 소정 임계값 전류 레벨보다 높은 것으로 결정되면, 프로세서(52)는 전류 레벨 신호(60)를 발생시키고 전류 레벨 신호(60)를 트립 장치(34)에 송신한다. 또한, 전류 레벨 신호(60)는 여기서 트립 신호로 지칭될 수 있다. 소정 임계 전류는 도체(46) 내의 과전류 상태와 관련되는 전류의 레벨이다.
예시적인 실시예에 있어서, 트립 장치(34)는 트립 모듈(64), 액추에이터(66), 및 동작 기구(68)를 포함한다. 예시적인 실시예에 있어서, 전원(36)은 동작 전압(78)을 프로세서(52)에 제공하며, 작동 전압(80)을 트립 모듈(64)에 제공한다. 트립 모듈(64)은 전류 레벨 신호(60)를 프로세서(52)로부터 수신하며, 전류 레벨 신호(60)에 응답하여 작동 전압(80)을 액추에이터(66)에 제공한다. 액추에이터(66)는 작동 신호(82)를 발생시켜 동작 기구(68), 예를 들어 동작 기구(68)를 트립하는 솔레노이드에 제공한다. 동작 기구(68)는 회로 차단기 접점(88)을 차례로 개방한다. 회로 차단기 접점(88)을 개방하는 것은 폐쇄될 때 접점(88)에 의해 제공되는 전원(42)과 부하(44) 사이에 전기적 접속을 접속 해제한다.
상술한 바와 같이, 감지 장치(12)는 자속을 측정하고 측정된 자속을 나타내는 신호(54)를 발생시킨다. 감지 장치(12)는 감지 장치(12)에 의해 측정된 자속이 적어도 하나의 도체(46)에 흐르는 전류에 의해 발생되도록 회로(40) 내에 위치된다. 감지 장치(12)를 이와 같이 위치시킴으로써, 감지 장치(12)에 의해 측정된 자속 레벨은 적어도 하나의 도체(46)에 흐르는 전류량에 비례한다. 그러나, 감지 장치(12)는 주위 환경으로부터의 표유 자계에 노출될 수도 있다. 구체적인 예에 있어서, 홀 효과 센서는 도체(46)에서의 전류에 의해 생성된 자계와 표유 자계를 구별하지 못한다. 그러므로, 표유 자계는 자계 센서를 포함하는 전류 측정 시스템이 정확한 전류 측정을 제공하는 것을 방해할 수 있는 잡음을 생성한다. 예를 들어, 회로 보호 장치(30)는 높은 돌입 전류 및/또는 단락 전류에 영향을 받게 되는 다수의 장치에 근접해 있는 곳에서의 적용 내에 포함될 수 있다. 이 높은 전류가 통상 일시적일지라도, 높은 전류는 회로 보호 장치(30)의 동작을 방해할 수 있는 넓은 자계를 발생시킨다.
보다 구체적으로, 감지 장치(12)에 의해 측정되는 자속은 다른 소스에 의해 발생되는 자계(즉, 표유 자계)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 회로 차단기 장치(30)는 다상 회로의 제 1 위상 내에서 과전류 상태를 검출하기 위해 구성될 수 있다. 다상 회로는 과전류 상태가 그 위상 내에서 검출될 때 전원(42)으로부터 부하를 연결 해제하도록 각각 구성된 다수의 회로 차단기 장치(30)를 포함한다. 그러나, 제 1 위상 내의 과전류 상태는 바로 인접한 위상에서 실질적인 자속을 발생시켜, 인접한 위상에서의 과전류 상태를 잘못 표시할 수 있다. 그러므로, 감지 장치(12)에 의해 측정된 자속은 적어도 하나의 도체(46)에 흐르는 전류에 의해 발생되는 자계 및 표유 자계를 포함할 수 있다.
도 3은 감지 장치(12)(도 1에 도시되는)의 예시적인 실시예(98)의 사시도이다. 예시적인 실시예에 있어서, 감지 장치(98)는 제 1 자계 센서(16) 및 제 2 자계 센서(18)를 포함한다. 여기서 2개의 자계 센서를 포함하는 것으로 기재되었을지라도, 감지 장치(98)는 이 감지 장치(98)가 여기서 기재된 바와 같이 기능하게 하는 임의 수의 센서를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에 있어서, 감지 장치(98)는 자기 차폐(104)도 포함한다.
예시적인 실시예에 있어서, 자기 차폐(104)는 제 1 센서(16) 주위에 적어도 부분적으로 위치된다. 보다 구체적으로, 자기 차폐(104)는 제 1 센서(16)와 표유 자계 소스 사이에 위치되므로, 제 1 센서(16)를 표유 자계로부터 적어도 부분적으로 차폐한다. 예시적인 실시예에 있어서, 제 2 센서(18)는 표유 자계로부터 차폐되지 않으므로, 제 1 센서(16)보다 표유 자계에 더 민감하다. 대안으로, 자기 차폐의 상이한 강도는 제 1 센서(16) 및/또는 제 2 센서(18)를 차폐하기 위해 제공될 수 있다. 선택된 차폐 강도는 원하는 센서 감도의 생성을 용이하게 한다. 자기 차폐(104)는 두께, 위치 결정, 및/또는 재료 종류에 따라 변화될 수 있다. 예시적인 실시예에 있어서, 신호(54)(도 2에 도시되는)는 제 1 센서(16)로부터의 제 1 출력 신호(20) 및 제 2 센서(18)로부터의 제 2 출력 신호(22)를 포함한다. 예를 들어, 제 1 출력 신호(20)는 제 1 센서(16)에 의해 검출되는 자속에 비례하는 전압 레벨이고 제 2 출력 신호(22)는 제 2 센서(18)에 의해 검출되는 자속에 비례하는 전압 레벨이다. 더욱이, 자기 차폐(104)는 적어도 하나의 도체(46)에 흐르는 전류에 의해 발생되는 자계를 제 1 센서(16) 상에 집중시킬 수 있다.
예시적인 실시예에 있어서, 제 1 센서(16)는 도체(46)에 흐르는 전류에 의해 발생되는 자계에 제 1 감도를 갖도록 구성되고 제 2 센서(18)는 도체(46)에 흐르는 전류에 의해 발생되는 자계에 제 2 감도를 갖도록 구성된다. 예시적인 실시예에 있어서, 제 1 감도는 제 2 감도보다 크거나 같다. 예를 들어, 제 1 센서(16)는 도체(46)로부터 반경방향 외부로의 제 1 거리(130)에 위치되고 제 2 센서(18)는 도체(46)로부터 반경방향 외부로의 제 2 거리(132)에 위치된다. 예시적인 실시예에 있어서, 제 1 거리(130)는 제 2 거리(132)보다 작거나 같다. 자속은 도체(46)로부터의 거리가 증가함에 따라 방산되므로, 제 1 센서(16)는 적어도 제 2 센서(18)만큼 도체(46)에 흐르는 전류에 의해 발생되는 자속에 민감하다. 따라서, 도체(46)에 흐르는 전류에 발생되는 플럭스에 대해서는, 제 1 센서(16)의 제 1 출력 신호(20)는 제 2 센서(18)의 제 2 출력 신호(22)와 같거나 보다 크다.
프로세서(52)는 제 1 출력 신호(20) 및 제 2 출력 신호(22)를 비교함으로써 표유 자계가 존재할 때를 결정하도록 구성된다. 전형적인 동작 상태(예를 들어, 표유 자계가 없거나 표유 자계의 낮은 레벨) 동안, 제 1 출력 신호(20)는 제 1 센서(16)가 적어도 제 2 센서(18)만큼 도체(46)에 흐르는 전류에 의해 발생되는 자계에 민감하므로 제 2 출력 신호(22)와 같거나 보다 크다. 그러므로, 그것은 제 1 출력 신호(20)가 제 2 출력 신호(22)보다 크거나 같을 때 제 1 센서(16) 및 제 2 센서(18)가 표유 자계에 영향을 받지 않게 된다는 표시이다. 제 1 출력 신호(20)가 제 2 출력 신호(22)와 같거나 보다 크며 제 1 출력 신호(20)가 과전류 상태의 존재를 나타내면, 프로세서(52)는 전류 레벨 신호(60)를 트립 장치(34)에 출력하도록 구성된다. 예를 들어, 제 1 출력 신호(20)가 제 2 출력 신호(22)보다 크거나 같다면 또는 제 1 센서(16)가 포화되면, 제 1 출력 신호(20)는 실질적으로 축적되는 것으로 결정되며, 제 1 출력 신호(20)가 소정 과전류 임계값보다 큰 전류 레벨에 대응하면, 프로세서(52)는 전류 레벨 신호(60)를 발생시키고 트립 장치(34)가 트립핑된다.
그러나, 그것은 제 2 출력 신호(22)가 제 1 출력 신호(20)보다 클 때 제 1 센서(16) 및 제 2 센서(18)가 표유 자계에 영향을 받게 된다는 표시이다. 이것은 높은 표유 자계에 대한 감도를 갖고 제 1 센서(16)와 비교되는 제 2 센서(18)로 인한 것이다. 예시적인 실시예에 있어서, 프로세서(52)는 제 2 출력 신호(22)가 제 1 출력 신호(20)보다 크면 표유 자계가 존재한다고 결정한다. 예시적인 실시예에 있어서, 프로세서(52)는 표유 자계가 존재할 때 제 1 출력 신호(20)를 무시하도록 구성된다. 예를 들어, 제 2 출력 신호(22)가 제 1 출력 신호(20)보다 크면, 제 1 출력 신호(20)가 과전류 상태를 나타낼지라도, 프로세서(52)는 제 1 출력 신호(20)를 무시하고 전류 레벨 신호(60)를 트립 장치(34)에 제공하지 못한다. 표유 자계가 존재하는 것으로 결정될 때 제 1 출력 신호(20)를 무시함으로써, 표유 자계에 기인한 것이고 도체(46) 내의 과전류 상태에 기인한 것이 아닌 제 1 출력 신호(20)가 높으므로 트립 장치(34)의 방해 트립핑이 회피된다.
제 1 대안적 실시예에 있어서, 제 2 출력 신호(22)가 제 1 출력 신호(20)보다 크면(즉, 표유 자계가 존재하면), 프로세서(52)는 표유 자계에 기인하는 제 1 센서(16)에 의해 측정된 자속의 일부를 결정한다. 그 다음, 프로세서(52)는 도체(46)에 흐르는 실제 전류를 결정하고 도체(46)에 흐르는 실제 전류가 소정 과전류 임계값보다 높으면 전류 레벨 신호(60)를 출력한다. 프로세서(52)는 표유 자계에 의해 야기되는 자속의 일부에 기초하여 제 1 출력 신호(20)를 조정할 수 있다. 제 1 출력 신호(20)는 예를 들어 제 2 출력 신호(22)와 제 1 출력 신호(20) 사이의 차이, 거리(130)와 거리(132) 사이의 차이, 및/또는 자기 차폐(104)에 의해 제공되는 차폐 레벨에 기초하여 결정된 양에 의해 감소될 수 있다.
제 2 센서(18)의 이상적인 출력은 저장된 룩업 테이블 또는 저장된 계산을 사용함으로써 제 1 출력 신호(20)에 기초하여 결정될 수 있다. 구체적인 실시예에 있어서, 조정된 제 1 출력 신호는 조정된 일차 센서 값 = 제 1 출력 신호(20) - (제 2 센서(18)의 이상적인 출력 - 제 2 출력 신호(22))*(스케일링 계수)에 결정될 수 있으며, 여기서 스케일링 계수는 제 1 센서(16) 및 제 2 센서(18)의 상이한 방위를 조정하는데 사용될 수 있다. 제 1 출력 신호(20)를 조정해서 표유 자계를 보정하는 것은 일시적인 표유 자계를 보정하는 것뿐만 아니라, 일시적이지 않은 표유 자계도 보정하는 것을 용이하게 한다. 다른 예에서, 제 1 출력 신호(20) 및 제 2 출력 신호(22)가 평균화되고, 평균화된 출력 신호는 과전류 상태를 식별하는데 사용된다. 지속적인 표유 자계에 의해 야기되는 장시간 과전류 상태 및 단시간 과전류 상태 계산의 에러는 제 1 출력 신호를 연속적으로 조정함으로써 회피된다.
제 2 대안적 실시예에 있어서, 제 2 출력 신호(22)가 제 1 출력 신호(20)보다 크면, 프로세서(52)는 표유 자계에 기인하는 제 1 센서(16)에 의해 측정된 자속의 일부를 결정하고 소정 임계 과전류 값을 조정해서 표유 자계에 기인하는 자속의 일부를 보정한다. 예를 들어, 프로세서(52)는 표유 자계가 검출될 때 임계 과전류 값을 증가시킬 수 있다.
제 3 대안적 실시예에 있어서, 제 2 출력 신호(22)가 제 1 출력 신호(20)보다 크면, 프로세서(52)는 제 2 출력 신호(22)가 강한 표유 자계를 식별할 때를 회로 보호 장치(30)가 트립핑하지 못하도록 제 1 센서(16)의 축적을 제한한다. 예를 들어, 프로세서(52)는 제 1 센서(16)로부터 데이터를 수신해서 처리하게 되지만, 어큐뮬레이터는 트립 임계값을 초과하게 되지 않는다. 보다 구체적으로, 어큐뮬레이터는 제 2 출력 신호(22)가 표유 자계의 존재에 대응할 때 예를 들어 트립 임계값의 80% 내지 90%에 한정될 수 있다. 어큐뮬레이터를 한정함으로써, 회로 보호 장치(30)는 트립핑되지 않지만, 상승하는 어큐뮬레이터는 완전히 무시된다. 표유 자계가 방산되더라도, 고장 전류가 전류 임계값보다 높으면, 어큐뮬레이터는 트립핑 임계값에 가까워져, 그 상태에 보다 신속하게 응답할 것이다. 표유 자계가 방산되더라도, 고장 전류가 전류 임계값보다 낮으면, 어큐뮬레이터는 낮은 전류 레벨로 인해 감소될 것이다.
어큐뮬레이터가 한정되는 트립 임계값의 백분율은 소정의 고정값일 수 있다. 또한, 그 백분율은 제 2 센서(18)에 의해 측정된 자계의 강도에 역 비례하며, 그 결과 제 2 센서(18)에 의해 측정된 강한 자계는 약한 자계보다 어큐뮬레이터에 큰 영향을 줄 것이다. 더욱이, 어큐뮬레이터가 한정되는 트립 임계값의 백분율은 최적 한정이 특징인 실험으로부터 유도된 백분율을 포함하는 테이블에도 저장될 수 있다. 게다가, 트립 장치(34)가 여기서 기재된 바와 같이 기능하게 하고 어큐뮬레이터 한정 백분율을 계산하는 어떤 적당한 방법이 사용될 수 있다.
도 4는 감지 장치(12)(도 1에 도시되는)의 대안적 실시예(150)의 사시도이다. 또한, 감지 장치(150)는 제 1 센서(16) 및 제 2 센서(18)를 포함한다. 대안적 실시예에 있어서, 제 1 센서(16)가 제 2 센서(18)보다 표유 자계 소스로부터 더 멀리 위치되기 때문에 제 1 센서(16)는 제 2 센서(18)보다 표유 자계에 덜 민감하다. 제 1 센서(16)는 도체(46)로부터 제 1 반경방향 거리(160)에 위치되며, 제 2 센서(18)는 도체(46)로부터 긴 제 2 반경방향 거리(162)에 위치된다. 따라서, 제 2 센서(18)가 제 1 센서(16)보다 표유 자계 소스에 더 가깝게 위치되므로, 제 2 센서(18)는 제 1 센서(16)보다 표유 자계에 보다 민감하다. 감지 장치(98)에 대해 상술한 바와 같이, 프로세서(52)는 감지 장치(150)에 의해 측정되고 표유 자계에 의해 발생되는 자속의 일부, 및 감지 장치(150)에 의해 측정되고 도체(46)에 흐르는 전류에 의해 발생되는 자속의 일부를 결정한다.
도 5는 감지 장치(12)(도 1에 도시되는)의 제 2 대안적 실시예(164)의 사시도이다. 감지 장치(12)의 제 1 대안적 실시예(150) 및 제 2 대안적 실시예(164) 사이에 공유된 구성요소는 동일한 참조 번호로 식별된다. 제 1 센서(16)는 도체(46)로부터 제 1 반경방향 거리(160)에 위치되고 제 2 센서(18)는 도체(46)로부터 제 2 반경방향 거리(162)에 위치된다. 제 2 대안적 실시예에 있어서, 감지 장치(164)는 제 1 센서(16) 주위에 적어도 부분적으로 위치된 자기 차폐(104)를 포함한다. 보다 구체적으로, 자기 차폐(104)는 제 1 센서(16)와 표유 자계 소스 사이에 위치되므로, 제 1 센서(16)를 표유 자계로부터 적어도 부분적으로 차폐한다. 제 2 센서(18)는 표유 자계로부터 차폐되지 않으므로 제 1 센서(16)보다 표유 자계에 보다 민감하다. 더욱이, 제 2 센서(18)는 도체(46)로부터 긴 거리이고, 표유 자계 소스에 더 가깝기 때문에 제 2 센서(18)는 제 1 센서(16)보다 표유 자계에도 보다 민감하다.
도 6은 회로 보호 장치, 예를 들어 회로 보호 장치(30)(도 2에 도시되는)를 동작시키기 위한 예시적인 방법(182)의 흐름도(180)이다. 예시적인 실시예에 있어서, 상기 방법(182)은 제 1 센서, 예를 들어 제 1 센서(16)(도 3에 도시되는)를 사용하여 제 1 자속을 측정하는 단계(190)를 포함한다. 또한, 상기 방법(182)은 제 2 센서, 예를 들어 제 2 센서(18)(도 3에 도시되는)를 사용하여 제 2 자속을 측정하는 단계(192)를 포함한다. 상술한 바와 같이, 제 2 센서(18)는 제 1 센서(16)보다 표유 자계에 보다 민감하다. 또한, 상기 방법(182)은 제 1 자속 및 제 2 자속을 비교하는 단계(194) 및 제 1 자속 및 제 2 자속의 비교에 적어도 부분적으로 기초하여 트립 신호를 제공하는 단계(196)를 포함한다. 예를 들어, 프로세서(52)(도 2에 도시되는)는 제 1 센서(16)에 의해 측정된 제 1 자속과 제 2 센서(18)에 의해 측정되는 제 2 자속을 비교하도록(194) 구성된다.
보다 구체적으로, 상기 비교(194)는 제 1 자속이 제 2 자속보다 크거나 같은 지를 판단하는 단계(200)를 포함한다. 더욱이, 제 1 자속이 제 2 자속보다 크거나 같은 것으로 판단되면(200), 상기 비교(194)는 제 1 자속이 소정 전류 레벨 임계값보다 큰 지를 판단하는 단계(202)를 또한 포함한다. 소정 전류 레벨 임계값은 도체(46)에서의 과전류 상태에 대응하는 자속이다. 제 1 자속이 소정 전류 레벨 임계값보다 큰 것으로 판단되면(202), 프로세서(52)는 트립 신호(60)를 발생시켜 트립 장치(34)에 제공한다(196). 트립 장치(34)는 트립 신호(60)에 응답하여 동작 기구(68)(도 2에 도시되는)를 트립핑하도록 구성된다.
제 1 자속이 제 2 자속보다 크지 않거나 같은 것으로 판단되면(200), 상기 방법(182)은 표유 자계를 보정하는 단계(204)를 또한 포함한다. 상술한 바와 같이, 제 2 센서(18)는 제 1 센서(16)와 비교될 때 표유 자계에 보다 민감하므로, 표유 자계는 제 2 자속이 제 1 자속보다 크면 존재한다. 예를 들어, 단락이 회로 보호 장치(30) 근방에 발생될 때, 제 1 센서(16)에 의해서 보다 제 2 센서(18)에 의해 보다 넓은 범위까지 감지되는 표유 자계가 생성된다. 이것은 표유 자계(도 3에 도시되는)로부터 차폐되는 제 1 센서(16) 및/또는 제 2 센서(18)(도 4에 도시되는)보다 표유 자계 소스로부터 더 멀리 위치되는 제 1 센서(16)로 인한 것이다.
이 정보를 사용하면, 프로세서(52)는 표유 자계를 보정해서(204), 회로 차단기의 방해 트랩핑을 감소시킨다. 상기 보정(204)은 일시적인 경우 동안 제 1 자속을 무시하는 것, 트립 회로(34)가 일시적인 경우 동안 트립핑하지 못하도록 제 1 센서(16)의 축적을 한정하는 것, 및/또는 표유 자계에 기인하는 제 1 센서(16)에 의해 측정된 자속의 일부를 결정하는 것과 제 1 센서(16)에 의해 측정된 전체 자속으로부터 표유 자계의 결과를 차감함으로써 도체(46)를 통과하는 실제 전류를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 프로세서(52)는 도체(46)를 통과하는 실제 전류를 결정하기 위해 전달 함수를 적용하도록, 및/또는 제 1 센서(16)로부터의 제 1 신호(20) 및 제 2 센서(18)로부터의 제 2 신호(22)에 기초하여 표유 자계로부터 기여를 제거하기 위해 제 1 자속을 정정하도록 구성될 수 있다.
도 7은 회로 보호 장치(30)(도 2에 도시되는)를 조립하기 위한 예시적인 방법(232)의 흐름도(230)이다. 예시적인 실시예에 있어서, 상기 방법(232)은 제 1 자속을 측정하기 위한 제 1 자계 센서, 예를 들어 제 1 자계 센서(16)(도 3에 도시되는)를 제공하는 단계(240)를 포함한다. 또한, 상기 방법(232)은 제 2 자속을 측정하기 위한 제 2 자계 센서, 예를 들어 제 2 자계 센서(18)(도 3에 도시되는)를 제공하는 단계(242)를 포함한다. 제 2 자계 센서(18)는 제 1 자계 센서(16)보다 높은 표유 자계에 대한 감도를 갖는다. 예시적인 실시예에 있어서, 상기 방법(232)은 자기 차폐, 예를 들어 자기 차폐(104)(도 3에 도시되는) 제 1 자계 센서(16) 주위에 적어도 부분적으로 위치시키는 단계를 또한 포함한다. 자기 차폐(104)는 제 1 자계 센서(16)에 의해 측정된 표유 자계를 감소시킨다. 제 1 자계 센서(16)와 표유 자계 소스 사이에, 그리고 제 2 자계 센서(18)와 표유 자계 소스 사이가 아닌 곳에 자기 차폐(104)를 위치시킴으로써, 제 1 자계 센서(16)의 표유 자계에 대한 감도는 제 2 자계 센서(18)의 표유 자계에 대한 감도와 비교될 때 감소된다.
대안적 실시예에 있어서, 제 1 자계 센서(16)를 제공하는 단계(240) 및 제 2 자계 센서(18)를 제공하는 단계(242)는 제 1 자계 센서(16)를 제 1 거리, 예를 들어 도체(46)로부터의 제 1 거리(160)(도 4에 도시되는)에 그리고 제 2 자계 센서(18)를 제 2 거리, 예를 들어 도체(46)로부터의 제 2 거리(162)(도 4에 도시되는)에 위치시키는 단계를 포함하며, 여기서 제 2 거리(162)는 제 1 거리(160)보다 크다. 제 2 자계 센서(18)를 도체(46)로부터 멀리 그리고 표유 자계 소스에 가깝게 위치시킴으로써, 표유 자계는 제 1 자계 센서(16)에 영향을 주는 것보다 제 2 자계 센서(18)에 큰 영향을 준다.
예시적인 실시예에 있어서, 상기 방법(232)은 트립 신호, 예를 들어 전류 레벨 신호(60)(도 2에 도시되는)를 발생시키기 위해 처리 장치, 예를 들어 프로세서(52)(도 2에 도시되는)를 구성하는 단계(244)를 또한 포함한다. 트립 신호(60)는 제 1 자속 및 제 2 자속의 비교에 적어도 부분적으로 기초한다. 또한, 트립 신호(60)는 제 1 자속 및 제 2 자속 중 적어도 하나에 기초할 수 있다.
또한, 상기 방법(232)은 트립 신호(60)를 트립 장치, 예를 들어 트립 장치(34)(도 2에 도시되는)에 제공하기 위해 프로세서(52)를 구성하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서 트립 장치(34)는 부하, 예를 들어 부하(44)(도 2에 도시되는)를 트립 신호(60)에 응답하여 전원, 예를 들어 전원(42)(도 2에 도시되는)으로부터 접속 해제하도록 구성된다. 예를 들어, 프로세서(52)는 제 1 자속이 제 2 자속보다 크거나 같고 소정 과전류 임계값보다 크거나 같을 때 트립 신호(60)를 제공한다. 트립 신호(60)를 트립 장치(34)에 제공하기 위해 프로세서(52)를 구성하는 단계는 도체(46) 내에서 실제 전류 레벨을 결정하기 위해 프로세서(52)를 구성하는 단계를 더 포함한다. 실제 전류 레벨은 제 1 자속을 제 2 자계 센서(18)에 의해 측정된 표유 자속과 관련되는 양만큼 감소시킴으로써 결정된다.
전류를 측정하기 위한 예시적인 방법, 시스템, 및 장치가 여기에 기재되어 있다. 보다 구체적으로, 여기서 기재된 방법, 시스템, 및 장치는 표유 자계에 의해 야기되는 측정된 자속의 일부 및 도체에 흐르는 전류에 의해 발생되는 측정된 자속의 일부를 결정하는 것을 용이하게 한다. 예를 들어, 다수의 회로 차단기는 근접하여 위치될 때 모든 표유 자계가 자계 센서에 도달하는 것을 차단할 수 있는 자기 차폐를 포함하기에 충분히 넓은 공간에 의해 분리될 수 없다. 그 대신에, 보정은 표유 자계에 의해 야기되는 측정된 자속의 일부에 대해 이루어져서, 회로 보호 장치의 방해 트랩핑을 감소시킨다. 여기서 기재된 방법, 시스템, 및 장치는 다수의 회로 보호 장치들 사이의 근접 간격을 허용해서, 소형 회로 차단기 박스의 제조 및 동작을 용이하게 한다. 더욱이, 여기서 제조된 방법, 시스템, 및 장치는 홀 효과 센서의 잡음 내성 문제를 극복한다. 잡음 내성에 대한 해결방안 없이, 인접한 장치가 돌입 또는 단락 전류를 경험했다면 회로 차단기가 아마 트립을 방해하기 때문에 홀 효과 센서가 전자 트립 장치에 사용될 수 없다.
여기서 기재된 방법, 시스템, 및 장치는 표유 자계의 존재를 결정하기 위해 그리고 회로 보호 장치가 표유 자계에 응답하는 것을 방지하기 위해 2개 이상의 홀 효과 센서를 사용한다. 일차 센서는 이차 센서보다 표유 자계에 덜 민감하다. 그러므로, 정상 동작 동안, 일차 센서가 도체를 통과하는 전류를 모니터링하고 있을지라도, 일차 센서 출력은 이차 센서 출력보다 크거나 같을 것이다. 표유 자계는 이차 센서 출력이 일차 센서 출력보다 클 때 존재하는 것으로 결정된다.
여기서 기재된 방법, 시스템, 및 장치는 전류의 효율적이며 경제적인 측정을 용이하게 한다. 방법, 시스템, 및 장치의 예시적인 실시예가 여기서 상세히 기재되며 그리고/또는 예시된다. 그 방법 및 시스템은 여기서 기재된 특정 실시예에 한정되는 것이 아니지만, 오히려 각 시스템의 구성요소뿐만 아니라 각 방법의 단계도 여기서 기재된 다른 구성요소 및 단계에서 독립적으로 그리고 개별적으로 사용될 수 있다. 또한, 각 구성요소, 및 각 방법은 다른 구성요소 및/또는 방법 단계와 조합하여 사용될 수 있다.
여기서 기재된 그리고/또는 예시된 방법, 시스템, 및 장치의 요소/구성요소/등을 도입할 때, 관사("a", "an", "the") 및 "상기"는 요소/구성요소/등 중 하나 이상이 존재하는 것을 의미하도록 의도된다. "포함하는", "구비하는", 및 "갖는"이라는 용어는 모든 것을 포함하도록 그리고 열거된 요소/구성요소/등 이외에 추가적인 요소/구성요소/등이 존재할 수 있다는 것을 의미하도록 의도된다.
이 서면 명세서는 최적 모드를 포함하는 본 발명을 공개하기 위해서 그리고 당업자가 어떤 장치나 시스템을 제조 및 사용하는 것 및 어떤 통합 방법을 수행하는 것을 포함하는 본 발명을 실시가능하도록 하기 위해서 예를 사용한다. 본 발명의 특허가능한 범위는 청구범위에 의해 규정되며, 당업자에게 떠오르는 다른 예를 포함할 수 있다. 그러한 다른 예는 청구범위의 문언과 다르지 않은 구조적 요소를 갖거나 청구범위의 문언과 실질적이지 않은 차이를 갖는 균등한 구조적 요소를 포함한다면 청구범위의 범위 내에 있도록 의도된다.
10 : 전류 측정 시스템 12, 98, 150 : 감지 장치
14 : 처리 장치 16 : 제 1 센서
18 : 제 2 센서 26 : 표시 장치
30 : 회로 보호 장치 34 : 트립 장치
16, 42 : 전원 44 : 부하
50 : 신호 조정 회로 52 : 프로세서
64 : 트립 모듈 66 : 액추에이터
68 : 동작 기구
14 : 처리 장치 16 : 제 1 센서
18 : 제 2 센서 26 : 표시 장치
30 : 회로 보호 장치 34 : 트립 장치
16, 42 : 전원 44 : 부하
50 : 신호 조정 회로 52 : 프로세서
64 : 트립 모듈 66 : 액추에이터
68 : 동작 기구
Claims (10)
- 도체(46)를 통과하는 전류를 측정하기 위한 전류 측정 시스템(10)에 있어서,
제 1 자속을 측정하며 상기 제 1 자속에 비례하는 제 1 신호(20)를 발생시키도록 구성된 제 1 센서(16)와,
제 2 자속을 측정하며 상기 제 2 자속에 비례하는 제 2 신호(22)를 제공하도록 구성되며, 상기 제 1 센서보다 높은 표유 자계에 대한 감도를 갖는 제 2 센서(18)와,
상기 제 1 센서 및 상기 제 2 센서에 연결되며 상기 제 1 신호 및 상기 제 2 신호를 수신하도록 구성되며, 상기 제 1 신호 및 상기 제 2 신호를 비교함으로써 표유 자계의 존재를 결정하도록 또한 구성된 프로세서(14)를 포함하는
전류 측정 시스템(10).
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 센서(16)는 홀 효과 센서 및 거대 자기 저항 필드 센서 중 적어도 하나를 포함하는
전류 측정 시스템(10).
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 센서(16)는 상기 도체(46)로부터 제 1 거리(130)에 위치되고, 상기 제 2 센서(18)는 상기 도체로부터 제 2 거리(132)에 위치되며, 상기 제 2 거리는 상기 제 1 거리보다 긴
전류 측정 시스템(10).
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 센서(16) 주위에 적어도 부분적으로 위치되는 자기 차폐(104)를 더 포함하며, 상기 자기 차폐는 상기 제 1 센서를 표유 자계로부터 보호하도록 구성된
전류 측정 시스템(10).
- 제 1 항에 있어서,
상기 프로세서(14)는 전류 레벨 신호(60)를 출력하도록 더 구성된
전류 측정 시스템(10).
- 제 5 항에 있어서,
상기 전류 레벨 신호(60)는 상기 제 1 신호(20) 및 상기 제 2 신호(22)의 가중 평균에 기초하는
전류 측정 시스템(10).
- 제 5 항에 있어서,
상기 전류 레벨 신호(60)는 트립 신호, 실제 전류 레벨 신호, 및 표유 자계 레벨 신호 중 적어도 하나를 포함하는
전류 측정 시스템(10).
- 제 7 항에 있어서,
상기 프로세서(14)는 상기 제 1 신호(20)가 상기 제 2 신호(22) 및 사전 정의된 과전류 레벨 둘 다보다 클 때 상기 트립 신호를 출력하도록 더 구성된
전류 측정 시스템(10).
- 전원(42)과 부하(44) 사이에 위치되되, 적어도 하나의 도체(46)가 상기 전원을 상기 부하에 연결시키는 회로 보호 장치(30)에 있어서,
제 1 자속을 측정하며 상기 제 1 자속에 비례하는 제 1 신호(20)를 제공하도록 구성된 제 1 센서(16)와,
제 2 자속을 측정하며 상기 제 2 자속에 비례하는 제 2 신호(22)를 제공하도록 구성되며, 상기 제 1 센서보다 높은 표유 자계에 대한 감도를 갖는 제 2 센서(18)와,
상기 제 1 센서 및 상기 제 2 센서에 연결되며 상기 제 1 신호 및 상기 제 2 신호를 수신하도록 구성되고, 표유 자계의 존재를 결정하기 위해 상기 제 1 신호 및 상기 제 2 신호를 비교하도록 더 구성되며, 트립 신호(60)를 발생시키도록 더 구성된 프로세서(14)와,
상기 프로세서에 연결되며 상기 트립 신호에 응답하여 상기 전원을 상기 부하로부터 접속 해제하도록 구성된 트립 장치(34)를 포함하는
회로 보호 장치(30).
- 제 9 항에 있어서,
상기 프로세서(14)는 상기 제 2 신호(22)가 상기 제 1 신호(20)보다 작으며 상기 제 1 신호가 임계 과전류 값보다 크거나 같은 자계 레벨에 대응할 때 상기 트립 신호(60)를 상기 트립 장치(34)에 출력하도록 구성된
회로 보호 장치(30).
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