KR20120073817A

KR20120073817A - Hardmask composition and method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Info

Publication number: KR20120073817A
Application number: KR1020100135697A
Authority: KR
Inventors: 최유정; 김민수; 전환승; 송지윤; 오승배
Original assignee: 제일모직주식회사
Priority date: 2010-12-27
Filing date: 2010-12-27
Publication date: 2012-07-05
Also published as: KR101344793B1

Abstract

PURPOSE: A hard mask composition, a method for forming patterns using the same, and a semiconductor integrated circuit device including the patterns are provided to improve optical characteristic and to secure resistance to multiple etching. CONSTITUTION: A hard mask composition includes an aromatic ring containing compound and a solvent, and the aromatic ring containing compound includes a structural unit represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, L is a single bond, a substituted or non-substituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or non-substituted C6 to C30 arylene group, or the combination of the same; m is more than or equal to 1 and is less than 100; and either A1 or A2 is a substituent group which is represented by chemical formula 2. In chemical formula 2, R1 to R10 are respectively substituted or non-substituted C1 to C20 alkyl groups, substituted or non-substituted C3 to C30 cycloalkyl groups, substituted or non-substituted C6 to C30 aryl groups, substituted or non-substituted C3 to C30 cycloalkenyl groups, substituted or non-substituted C7 to C20 arylalkyl groups, substituted or non-substituted C1 to C20 heteroalkyl groups, substituted or non-substituted C2 to C30 heterocycloalkyl groups, substituted or non-substituted C2 to C30 heteroaryl groups, substituted or non-substituted C2 to C30 alkenyl groups, substituted or non-substituted C2 to C30 alkynyl groups, substituted or non-substituted C1 to C30 alkoxy groups, or the combination of the same; X1 to X10 are respectively hydrogen elements, hydroxyl groups, substituted or non-substituted C1 to C30 alkoxy groups, substituted or non-substituted C1 to C20 alkylamine groups, substituted or non-substituted amino groups, or the combination of the same; and n1 to n9 are 0 or 1.

Description

하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스{HARDMASK COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE PATTERNS} A hard mask composition, a method of forming a pattern using the same, and a semiconductor integrated circuit device including the pattern, and a semiconductor integrated circuit device including the pattern, and a semiconductor integrated circuit device including the pattern.

하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스에 관한 것이다.
A hard mask composition, a pattern forming method using the same, and a semiconductor integrated circuit device including the pattern.

마이크로일렉트로닉스 뿐만 아니라 마이크로스코픽 구조물(예를 들어, 마이크로머신, 마그네토레지스트 헤드 등)의 제작을 비롯한 산업 분야에서 패턴의 크기를 감소시켜 주어진 칩 크기에 보다 많은 양의 회로를 제공하고자 하는 요구가 존재한다.There is a need to reduce the size of patterns to provide larger amounts of circuitry for a given chip size, as well as in microelectronics as well as in the fabrication of microscopic structures (eg, micromachines, magnetoresist heads, etc.). .

효과적인 리쏘그래픽 기법은 패턴 크기의 감소를 달성하는데 필수적이다. 리쏘그래픽은 소정의 기판 상에 패턴을 직접적으로 이미지화시킨다는 측면에서 뿐만 아니라 그러한 이미지화에 전형적으로 사용된 마스크를 제조한다는 측면에서 마이크로스코픽 구조물의 제조에 영향을 미친다.Effective lithographic techniques are essential to achieving a reduction in pattern size. Lithographic influences the fabrication of microscopic structures not only in terms of directly imaging the pattern on a given substrate, but also in the manufacture of masks typically used for such imaging.

전형적인 리쏘그래픽 공정은 이미지화 방사선에 방사선-민감성 레지스트를 패턴 방식으로 노출시킴으로써 패턴화된 레지스트 층을 형성하는 단계를 포함한다. 이어서, 노출된 레지스트 층을 현상액으로 현상한다. 이어서, 패턴은 패턴화된 레지스트 층의 개구부 내에 있는 물질을 에칭함으로써 이면 재료에 전사시킨다. 전사가 완료된 후, 잔류하는 레지스트 층은 제거한다.Typical lithographic processes include forming a patterned resist layer by patterning exposing the radiation-sensitive resist to imaging radiation. The exposed resist layer is then developed with a developer. The pattern is then transferred to the backing material by etching the material in the openings of the patterned resist layer. After the transfer is completed, the remaining resist layer is removed.

그러나, 일부 리쏘그래픽 이미지화 공정의 경우, 사용된 레지스트는 레지스트 이면에 있는 층으로 소정의 패턴을 효과적으로 전사시킬 수 있을 정도로 후속적인 에칭 단계에 대한 충분한 내성을 제공하지 못한다. 따라서, 예컨대 초박막 레지스트 층이 필요한 경우, 에칭 처리하고자 하는 이면 재료가 두꺼운 경우, 상당할 정도의 에칭 깊이가 필요한 경우 및/또는 소정의 이면 재료에 특정한 에칭액(etchant)을 사용하는 것이 필요한 경우, 일명 하드마스크 층을 레지스트 층과 패턴화된 레지스트로부터 전사에 의해 패턴화될 수 있는 이면 재료 사이에 중간층으로서 사용한다. However, for some lithographic imaging processes, the resist used does not provide sufficient resistance to subsequent etching steps to effectively transfer the desired pattern to the layer behind the resist. Thus, for example, when an ultra thin resist layer is required, when the backing material to be etched is thick, when a considerable etching depth is required and / or when it is necessary to use a specific etchant for a given backing material, The hardmask layer is used as an intermediate layer between the resist layer and the backing material that can be patterned by transfer from the patterned resist.

상기 하드마스크 층은 패턴화된 레지스트 층으로부터 패턴을 수용하고, 이면 재료로 패턴을 전사시키는 데 필요한 에칭 공정을 견디어 낼 수 있어야 한다.The hardmask layer must be able to withstand the etching process necessary to receive the pattern from the patterned resist layer and transfer the pattern to the backing material.

상기 하드마스크 층은 에칭 선택성이 높고, 다중 에칭에 대한 내성이 충분하며, 레지스트와 이면층 간의 반사성을 최소화하는 하드마스크 조성물을 사용하여 리쏘그래픽 기술을 수행하는 것이 요망된다. 이러한 하드마스크 조성물을 사용한 패턴은 광학적 특성이 개선될 수 있다.
It is desirable to perform lithographic techniques using hardmask compositions that have high etch selectivity, sufficient resistance to multiple etching, and minimize reflectivity between resist and backing layers. Patterns using such hardmask compositions may have improved optical properties.

본 발명의 일 측면은 에칭 선택성이 높고 광학적 특성을 개선할 수 있는 하드마스크 조성물을 제공한다.One aspect of the present invention provides a hard mask composition having high etching selectivity and improving optical properties.

본 발명의 다른 측면은 상기 하드마스크 조성물을 사용한 패턴 형성 방법을 제공한다.Another aspect of the invention provides a pattern forming method using the hard mask composition.

본 발명의 또 다른 측면은 상기 방법으로 형성된 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스를 제공한다.
Another aspect of the invention provides a semiconductor integrated circuit device comprising a pattern formed by the above method.

본 발명의 일 측면에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 구조 단위를 포함하는 방향족 고리 함유 화합물 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다.According to one aspect of the invention, there is provided a hard mask composition comprising an aromatic ring-containing compound and a solvent comprising a structural unit represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

L은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 또는 이들의 조합이고,L is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, or a combination thereof,

1≤m<100이고,1≤m <100,

A1 및 A2 중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표현되는 치환기이고,At least one of A1 and A2 is a substituent represented by the following formula (2),

[화학식 2][Formula 2]

상기 화학식 2에서, In Formula 2,

R₁ 내지 R₁₀은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고,R ₁ to R ₁₀ are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cyclo Alkenyl group, substituted or unsubstituted C7 to C20 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, substituted Or an unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, or a combination thereof,

X₁ 내지 X₁₀은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민, 치환 또는 비치환된 아미노기 또는 이들의 조합이고,X ₁ To X ₁₀ are each independently hydrogen, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylamine, a substituted or unsubstituted amino group, or a combination thereof,

n1 내지 n9는 0 또는 1이고,n1 to n9 are 0 or 1,

n1=0 인 경우 n2 내지 n9는 0이며, n2=0 인 경우 n3 내지 n9는 0이며, n3=0 인 경우 n4 내지 n9는 0이며, n4=0 인 경우 n5 내지 n9는 0이며, n5=0 인 경우 n6 내지 n9는 0이며, n6=0 인 경우 n7 내지 n9는 0이며, n7=0 인 경우 n8 및 n9는 0이며, n8이 0 인 경우 n9도 0이고,n2 = n9 is 0 when n1 = 0, n3 through n9 is 0 when n2 = 0, n4 to n9 is 0 when n3 = 0, n5 to n9 is 0 when n4 = 0, and n5 = 0 is n6 to n9 is 0, n6 = 0 is n7 to n9 is 0, n7 = 0 is n8 and n9 are 0, n8 is 0, n9 is also 0,

상기 A1 및 A2 중 어느 하나만 상기 화학식 2로 표현되는 치환기인 경우 다른 하나는 수소이다. When only one of A1 and A2 is a substituent represented by Formula 2, the other is hydrogen.

상기 L은 하기 화학식 A 내지 화학식 G에서 선택되는 하나일 수 있다.L may be one selected from the following Formula A to Formula G.

[화학식 A](A)

*-CH₂-** -CH _2- *

[화학식 B][Formula B]

[화학식 C][Formula C]

[화학식 D][Formula D]

[화학식 E][Formula E]

[화학식 F]Formula F]

[화학식 G][Formula G]

상기 화학식 A 내지 화학식 G에서,In Chemical Formulas A to G,

R₄₇ 내지 R₉₁은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 할로겐기 또는 이들의 조합이다.R ₄₇ to R ₉₁ are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C7 to C20 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group , A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, a halogen group or a combination thereof.

상기 방향족 고리 함유 화합물은 중량 평균 분자량이 약 500 내지 4000 일 수 있다.The aromatic ring-containing compound may have a weight average molecular weight of about 500 to 4000.

상기 방향족 고리 함유 화합물 및 상기 용매는 상기 하드마스크 조성물의 총 함량에 대하여 각각 약 1 내지 20중량% 및 약 80 내지 99중량%로 포함될 수 있다. The aromatic ring-containing compound and the solvent may be included in about 1 to 20% by weight and about 80 to 99% by weight relative to the total content of the hard mask composition.

상기 용매는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME), 사이클로헥사논 및 에틸락테이트에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.The solvent may include at least one selected from propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), cyclohexanone and ethyl lactate.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계, 상기 재료 층 위에 하기 화학식 1로 표현되는 구조 단위를 포함하는 방향족 고리 함유 화합물 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 적용하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 레지스트 층을 노광 및 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 레지스트 패턴을 이용하여 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.According to another aspect of the invention, the step of providing a material layer on a substrate, by applying a hard mask composition comprising a solvent and an aromatic ring containing compound comprising a structural unit represented by the following formula 1 on the material layer and a hard mask layer Forming a resist layer on the hardmask layer, exposing and developing the resist layer to form a resist pattern, selectively removing the hardmask layer using the resist pattern, and forming the material layer Exposing a portion of the substrate and etching the exposed portion of the material layer.

[화학식 1][Formula 1]

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

1≤m<100이고,1≤m <100,

[화학식 2] [Formula 2]

상기 화학식 2에서, In Formula 2,

n1 내지 n9는 0 또는 1이고,n1 to n9 are 0 or 1,

상기 L은 하기 화학식 A 내지 화학식 G 중에서 선택되는 하나일 수 있다.L may be one selected from Chemical Formulas A to G.

[화학식 A](A)

*-CH₂-** -CH _2- *

[화학식 B][Formula B]

[화학식 C][Formula C]

[화학식 D][Formula D]

[화학식 E][Formula E]

[화학식 F]Formula F]

[화학식 G][Formula G]

상기 화학식 A 내지 화학식 G에서,In Chemical Formulas A to G,

상기 용매는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME), 사이클로헥사논 및 에틸락테이트에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The solvent may include at least one selected from propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), cyclohexanone and ethyl lactate.

상기 하드마스크 층을 형성하는 단계는 스핀-온-코팅 방법으로 수행할 수 있다.The forming of the hard mask layer may be performed by a spin-on-coating method.

상기 제조 방법은 상기 레지스트 층을 형성하는 단계 전에 상기 재료 층 위에 실리콘을 함유하는 보조층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing method may further include forming an auxiliary layer containing silicon on the material layer prior to forming the resist layer.

상기 제조 방법은 상기 하드마스크 층을 형성하는 단계 전에 바닥 반사 방지 층(BARC)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing method may further include forming a bottom anti-reflective layer BARC before forming the hard mask layer.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상술한 패턴 형성 방법으로 형성된 복수의 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스를 제공한다.
According to still another aspect of the present invention, a semiconductor integrated circuit device including a plurality of patterns formed by the pattern forming method described above is provided.

에칭 선택성을 높이고 다중 에칭에 대한 내성을 확보하며 광학적 특성을 개선할 수 있다.
Improve etch selectivity, ensure resistance to multiple etch and improve optical properties.

이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 알킬기, C2 내지 C20의 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30의 아릴알킬기, C1 내지 C4의 알콕시기, C1 내지 C20의 헤테로알킬기, C3 내지 C20의 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15의 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless otherwise defined herein, "substituted" means that a hydrogen atom in a compound is a halogen atom (F, Br, Cl, or I), a hydroxyl group, an alkoxy group, a nitro group, a cyano group, an amino group, an azido group, an amino Dino group, hydrazino group, hydrazono group, carbonyl group, carbamyl group, thiol group, ester group, carboxyl group or salt thereof, sulfonic acid group or salt thereof, phosphoric acid or salt thereof, alkyl group, C2 to C20 alkenyl group, C2 to C20 Alkynyl group, C6 to C30 aryl group, C7 to C30 arylalkyl group, C1 to C4 alkoxy group, C1 to C20 heteroalkyl group, C3 to C20 heteroarylalkyl group, C3 to C30 cycloalkyl group, C3 to C15 cycloalkene Substituted with a substituent selected from a niyl group, a C6 to C15 cycloalkynyl group, a C3 to C30 heterocycloalkyl group, and a combination thereof.

또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란 N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.In addition, unless otherwise defined herein, "hetero" means containing 1 to 3 hetero atoms selected from N, O, S and P.

이하 일 구현예에 따른 하드마스크 조성물을 설명한다.Hereinafter, a hard mask composition according to one embodiment is described.

일 구현예에 따른 하드마스크 조성물은 방향족 고리 함유 화합물 및 용매를 포함한다.The hardmask composition according to one embodiment includes an aromatic ring containing compound and a solvent.

상기 방향족 고리 함유 화합물은 하기 화학식 1로 표현되는 구조 단위를 포함할 수 있다.The aromatic ring-containing compound may include a structural unit represented by the following Chemical Formula 1.

[화학식 1][Formula 1]

상기 화학식 1은 치환된 벤조퍼릴렌(benzo-perylene) 기를 포함하는 방향족 고리 함유 화합물이다.Formula 1 is an aromatic ring-containing compound containing a substituted benzo-perylene group.

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

L은 연결기로서, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 또는 이들의 조합이고,L is a linking group which is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, or a combination thereof,

1≤m<100이다.1 ≦ m <100.

A1 및 A2는 벤조퍼릴렌 기에 연결되어 있는 치환기로, A1 및 A2 중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표현되는 치환기이다.A1 and A2 are substituents connected to the benzoperylene group, and at least one of A1 and A2 is a substituent represented by the following formula (2).

[화학식 2] [Formula 2]

상기 화학식 2에서, In Formula 2,

n1 내지 n9는 0 또는 1이고,n1 to n9 are 0 or 1,

n1=0 인 경우 n2 내지 n9는 0이며, n2=0 인 경우 n3 내지 n9는 0이며, n3=0 인 경우 n4 내지 n9는 0이며, n4=0 인 경우 n5 내지 n9는 0이며, n5=0 인 경우 n6 내지 n9는 0이며, n6=0 인 경우 n7 내지 n9는 0이며, n7=0 인 경우 n8 및 n9는 0이며, n8이 0 인 경우 n9도 0이다.n2 = n9 is 0 when n1 = 0, n3 through n9 is 0 when n2 = 0, n4 to n9 is 0 when n3 = 0, n5 to n9 is 0 when n4 = 0, and n5 = When n0 to n9 is 0, when n6 = 0, n7 to n9 are 0, when n7 = 0, n8 and n9 are 0, and when n8 is 0, n9 is also 0.

상기 A1 및 A2 중 어느 하나만 상기 화학식 2로 표현되는 치환기일 수 있고, 상기 A1 및 A2가 각각 독립적으로 상기 화학식 2로 표현되는 치환기일 수 있다.Only one of A1 and A2 may be a substituent represented by Formula 2, and A1 and A2 may each independently be a substituent represented by Formula 2.

상기 A1 및 A2 중 어느 하나만 상기 화학식 2로 표현되는 치환기일 경우, 다른 하나는 수소이다.When only one of A1 and A2 is a substituent represented by Formula 2, the other is hydrogen.

상기 L은 예컨대 하기 화학식 A 내지 화학식 G에서 선택되는 하나일 수 있다.L may be, for example, one selected from Chemical Formulas A to G.

[화학식 A](A)

*-CH₂-** -CH _2- *

[화학식 B][Formula B]

[화학식 C][Formula C]

[화학식 D][Formula D]

[화학식 E][Formula E]

[화학식 F]Formula F]

[화학식 G][Formula G]

상기 화학식 A 내지 화학식 G에서,In Chemical Formulas A to G,

상기 화학식 1에 포함된 방향족 고리기는 소정 파장 영역의 빛을 흡수할 수 있으며, 소정 파장 영역의 빛은 예컨대 약 193nm 또는 243nm의 단파장 영역일 수 있다.The aromatic ring group included in Formula 1 may absorb light of a predetermined wavelength region, and the light of the predetermined wavelength region may be, for example, a short wavelength region of about 193 nm or 243 nm.

상기 방향족 고리 함유 화합물은 치환기가 서로 상이한 2개 이상의 구조 단위를 포함하거나 치환기가 서로 상이한 2개 이상의 방향족 고리 함유 화합물이 혼합물의 형태로 포함될 수 있다.The aromatic ring-containing compound may include two or more structural units having different substituents or two or more aromatic ring-containing compounds having different substituents in the form of a mixture.

상기 방향족 고리 함유 화합물의 중량 평균 분자량은 약 500 내지 4000일 수 있다. 상기 범위의 중량 평균 분자량을 가짐으로써 용해성을 확보하여 목적하는 코팅 두께를 구현할 수 있어서 양호한 박막을 형성할 수 있다.The weight average molecular weight of the aromatic ring-containing compound may be about 500 to 4000. By having a weight average molecular weight in the above range can ensure the solubility to implement the desired coating thickness can form a good thin film.

상기 방향족 고리 함유 화합물은 상기 하드마스크 조성물의 총 함량에 대하여 약 1 내지 20중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 약 6 내지 15 중량%로 포함될 수 있다. 상기 방향족 고리 함유 화합물이 상기 범위로 포함됨으로써 도포 특성을 확보하면서도 광학적 특성을 개선할 수 있다. The aromatic ring-containing compound may be included in about 1 to 20% by weight based on the total content of the hard mask composition. It may be included in about 6 to 15% by weight within the above range. By including the aromatic ring-containing compound in the above range, it is possible to improve the optical properties while securing the coating properties.

상기 용매는 상기 방향족 고리 함유 화합물에 대한 충분한 용해성 또는 분산성을 가지는 것이라면 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME), 사이클로헥사논 및 에틸락테이트에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The solvent is not particularly limited as long as it has sufficient solubility or dispersibility in the aromatic ring-containing compound, for example, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), cyclohexanone and ethyl lactate. It may include at least one selected from.

상기 용매는 상기 하드마스크 조성물의 총 함량에 대하여 약 80 내지 99중량%로 포함될 수 있다. 상기 용매가 상기 범위로 포함됨으로써 안정적인 용해도를 확보하여 도포 특성을 개선할 수 있다. The solvent may be included in about 80 to 99% by weight relative to the total content of the hard mask composition. By including the solvent in the above range it is possible to ensure stable solubility to improve the coating properties.

상기 하드마스크 조성물은 추가적으로 계면 활성제, 가교제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다. The hard mask composition may further include additives such as a surfactant and a crosslinking agent.

계면 활성제는 예컨대 알킬벤젠설폰산 염, 알킬피리디늄 염, 폴리에틸렌글리콜, 제4 암모늄 염 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The surfactant may be, for example, alkylbenzenesulfonic acid salt, alkylpyridinium salt, polyethylene glycol, quaternary ammonium salt, and the like, but is not limited thereto.

상기 가교제는 자기 가교가 보다 잘 일어나도록 하기 위하여 사용하는 것으로,에테르화된 아미노 수지와 같은 아미노 수지; 하기 화학식 a1 또는 a2로 표시되는 화합물과 같은 글리콜루릴 화합물; 하기 화학식 b로 표현되는 화합물과 같은 비스에폭시 화합물; 예컨대 N-메톡시메틸 멜라민 수지, N-부톡시메틸 멜라민 수지 또는 하기 화학식 c로 표현되는 화합물과 같은 멜라민 수지; 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.The crosslinking agent is used for better self-crosslinking, and may include an amino resin such as an etherified amino resin; Glycoluril compounds such as compounds represented by the formula a1 or a2 below; Bisepoxy compounds, such as a compound represented by following General formula (b); Melamine resins such as, for example, N-methoxymethyl melamine resin, N-butoxymethyl melamine resin, or a compound represented by the following Chemical Formula c; Or mixtures thereof.

[화학식 a1][Formula a1]

[화학식 a2][Formula a2]

[화학식 b][Formula b]

[화학식 c][Formula c]

상기 계면 활성제 및 가교제는 상기 하드마스크 조성물 100중량부에 대하여 각각 약 0.01 내지 1중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함함으로써 하드마스크 조성물의 광학적 특성을 변경시키지 않으면서 용해도 및 가교성을 확보할 수 있다.The surfactant and the crosslinking agent may be included in an amount of about 0.01 to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the hard mask composition. By including in the above range, solubility and crosslinkability can be ensured without changing the optical properties of the hard mask composition.

이하 상술한 하드마스크 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of forming a pattern using the hard mask composition described above will be described.

일 구현예에 따른 패턴 형성 방법은 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계, 상기 재료 층 위에 방향족 고리 함유 화합물 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 적용하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 레지스트 층을 노광 및 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 레지스트 패턴을 이용하여 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함한다.According to one or more exemplary embodiments, a method of forming a pattern includes: providing a material layer on a substrate, applying a hardmask composition including an aromatic ring-containing compound and a solvent on the material layer to form a hardmask layer, and on the hardmask layer Forming a resist layer, exposing and developing the resist layer to form a resist pattern, selectively removing the hardmask layer and exposing a portion of the material layer using the resist pattern, and the material Etching the exposed portion of the layer.

기판은 예컨대 실리콘웨이퍼, 유리 기판 또는 고분자 기판일 수 있다.The substrate may be, for example, a silicon wafer, a glass substrate or a polymer substrate.

상기 재료 층은 최종적으로 패턴하고자 하는 재료이며, 예컨대 알루미늄, 구리 등과 같은 금속층, 실리콘과 같은 반도체 층 또는 산화규소, 질화규소 등과 같은 절연층일 수 있다. 상기 재료 층은 예컨대 스퍼터링 또는 화학기상증착방법으로 형성될 수 있다.The material layer is a material to be finally patterned, and may be, for example, a metal layer such as aluminum or copper, a semiconductor layer such as silicon, or an insulating layer such as silicon oxide, silicon nitride, or the like. The material layer can be formed, for example, by sputtering or chemical vapor deposition.

상기 하드마스크 층은 하드마스크 조성물을 도포하여 형성할 수 있다.The hard mask layer may be formed by applying a hard mask composition.

상기 하드마스크 조성물은 방향족 고리 함유 화합물 및 용매를 포함한다.The hard mask composition includes an aromatic ring containing compound and a solvent.

[화학식 1][Formula 1]

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

1≤m<100이다.1 ≦ m <100.

A1 및 A2는 각각 독립적으로 하기 화학식 2로 표현될 수 있다.A1 and A2 may be each independently represented by the following formula (2).

[화학식 2] [Formula 2]

상기 화학식 2에서, In Formula 2,

n1 내지 n9는 0 또는 1이고,n1 to n9 are 0 or 1,

상기 A1 및 A2 중 어느 하나만 상기 화학식 2로 표현되는 치환기일 경우, 다른 하나는 수소일 수 있다.When only one of A1 and A2 is a substituent represented by Formula 2, the other may be hydrogen.

상기 L은 예컨대 하기 화학식 A 내지 화학식 G에서 선택된 하나일 수 있다.L may be, for example, one selected from Formulas (A) to (G).

[화학식 A](A)

*-CH₂-** -CH _2- *

[화학식 B][Formula B]

[화학식 C][Formula C]

[화학식 D][Formula D]

[화학식 E][Formula E]

[화학식 F]Formula F]

[화학식 G][Formula G]

상기 화학식 A 내지 화학식 G에서,In Chemical Formulas A to G,

상기 하드마스크 조성물은 용액 형태로 제조되어 스핀-온-코팅(spin-on-coating) 방법으로 도포될 수 있다. 이어서 도포된 상기 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성한다. The hard mask composition may be prepared in a solution form and applied by a spin-on-coating method. The applied composition is then heat treated to form a hard mask layer.

이 때 상기 하드마스크 조성물의 도포 두께, 열처리 조건 등은 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 약 500 내지 7000Å 두께로 도포되고 예컨대 약 100 내지 500℃에서 10초 내지 10분간 열처리할 수 있다.At this time, the coating thickness, heat treatment conditions, etc. of the hard mask composition are not particularly limited, but, for example, may be applied to a thickness of about 500 to 7000 kPa and may be heat treated at about 100 to 500 ° C. for 10 seconds to 10 minutes.

상기 하드마스크 층을 형성하기 전에 또 다른 보조층을 더 형성할 수도 있다. 이 때 상기 보조층은 실리콘 함유 박막일 수 있으며, 예컨대 질화규소 또는 산화규소로 만들어진 박막일 수 있다.Another auxiliary layer may be further formed before the hard mask layer is formed. In this case, the auxiliary layer may be a silicon-containing thin film, for example, a thin film made of silicon nitride or silicon oxide.

또한 상기 보조층을 형성하기 전에 바닥 반사방지 층(bottom anti-reflective coating, BARC)을 더 형성할 수도 있다.In addition, a bottom anti-reflective coating (BARC) may be further formed before forming the auxiliary layer.

이어서 상기 하드마스크 층 위에 레지스트 층을 도포한다. 상기 레지스트 층은 감광성 물질을 포함하는 방사선-민감성 이미지화 층일 수 있다.Subsequently, a resist layer is applied on the hard mask layer. The resist layer may be a radiation-sensitive imaging layer that includes a photosensitive material.

이어서 상기 레지스트 층을 노광 및 현상하여 레지스트 패턴을 형성한다.The resist layer is then exposed and developed to form a resist pattern.

이어서 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거한다. 이 때 상기 보조층 및/또는 바닥 반사방지 층이 형성되어 있는 경우에는 이들도 함께 제거될 수 있다. 이에 따라 하부의 상기 재료 층의 일부를 노출할 수 있다.Subsequently, the hard mask layer is selectively removed using the resist pattern as a mask. In this case, when the auxiliary layer and / or the bottom antireflection layer are formed, these may be removed together. This may expose a portion of the underlying material layer.

이어서 상기 재료 층의 노출된 부분을 에칭한다. 이 때 에칭은 에칭 가스를 사용한 건식 식각으로 이루어질 수 있으며, 에칭 가스는 예컨대 CHF₃, CF₄, CH₄, Cl₂, BCl₃ 및 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다.The exposed portion of the material layer is then etched. In this case, the etching may be performed by dry etching using an etching gas, and the etching gas may use, for example, CHF ₃ , CF ₄ , CH ₄ , Cl ₂ , BCl _3, and a mixed gas thereof.

이어서 상기 하드마스크 층 및 레지스트 층 등은 통상의 박리제(stripper)를 사용하여 제거하여 상기 재료 층으로부터 형성된 복수의 패턴을 형성한다.The hardmask layer, resist layer and the like are then removed using a conventional stripper to form a plurality of patterns formed from the material layer.

상기 복수의 패턴은 금속 패턴, 반도체 패턴, 절연 패턴 등 다양할 수 있으며, 반도체 집적 회로 디바이스 내의 다양한 패턴일 수 있다. 반도체 집적 회로 디바이스에 상기 패턴이 포함되는 경우 예컨대 금속 배선; 반도체 패턴; 접촉 구멍, 바이어스 홀, 다마신 트렌치(damascene trench) 등을 포함하는 절연막일 수 있다.
The plurality of patterns may vary from metal patterns, semiconductor patterns, insulating patterns, and the like, and may be various patterns in a semiconductor integrated circuit device. A metal wiring when the pattern is included in a semiconductor integrated circuit device; Semiconductor pattern; And an insulating layer including a contact hole, a bias hole, a damascene trench, and the like.

이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
Through the following examples will be described in more detail the embodiment of the present invention. The following examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the invention.

방향족 고리 함유 화합물의 합성Synthesis of Aromatic Ring-containing Compounds

합성예Synthetic example 1 One

2ℓ의 3구 플라스크에 벤조퍼릴렌 27.6g (0.1 mol), 아세틸클로라이드 31.4g (0.4 mol) 및 클로로포름/다이클로로메탄(4:6) 혼합액 500g을 넣고 교반 자석(stirring bar)을 사용하여 실온에서 10시간 동안 교반하여 반응을 수행하였다. 교반시, 트리클로로알루미늄 98g (0.4 mol)을 조금씩 투입하였다. 반응 종료 후 물을 사용하여 트리클로로알루미늄을 제거한 후, 건조하였다. Into a 2 L three-necked flask, 27.6 g (0.1 mol) of benzoperylene, 31.4 g (0.4 mol) of acetyl chloride and 500 g of chloroform / dichloromethane (4: 6) mixture were added and the mixture was stirred at room temperature using a stirring bar. The reaction was carried out by stirring for 10 hours. At the time of stirring, 98 g (0.4 mol) of trichloroaluminum was added little by little. After the reaction was completed, trichloroaluminum was removed using water, and then dried.

이어서 온도계, 콘덴서 및 기계교반기를 구비한 500ml 3구 플라스크에 상기에서 얻어진 화합물, 파라포름알데히드 6g (0.2 mol) 및 p-톨루엔 술폰산 모노하이드레이트 1.9g (0.01 mol)를 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 200g에 녹여 용액을 만든 후, 90 내지 100℃ 항온조에서 상기 용액을 교반하여 반응을 수행하였다.Subsequently, 6 g (0.2 mol) of the compound obtained above, 1.9 g (0.01 mol) of p-toluene sulfonic acid monohydrate, and propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) were added to a 500 ml three-necked flask equipped with a thermometer, a condenser and a mechanical stirrer. After dissolving in 200 g to make a solution, the reaction was carried out by stirring the solution in a 90 to 100 ℃ thermostat.

1시간 간격으로 상기 반응물로부터 시료를 채취하여 그 시료의 중량 평균 분자량을 측정하여, 중량 평균 분자량이 3000 내지 3500 일 때, 반응을 완료하였다. 이 때 중량 평균 분자량은 상기 중합물로부터 시료 1g을 채취하여 상온으로 급냉한 후 그 중 0.02g을 취하여 테트라하이드로퓨란(THF)을 사용하여 고형분이 4중량%가 되도록 희석시킨 후 측정하였다.Samples were taken from the reactants at 1 hour intervals and the weight average molecular weight of the sample was measured. When the weight average molecular weight was 3000 to 3500, the reaction was completed. At this time, the weight average molecular weight was measured after taking 1 g of the sample from the polymerized product, quenching it to room temperature, then diluting 0.02 g of the sample to 4% by weight using tetrahydrofuran (THF).

중합 반응이 완료된 후, 반응물을 상온에서 서서히 냉각하였다.After the polymerization reaction was completed, the reaction was cooled slowly at room temperature.

상기 반응물을 증류수 40g 및 메탄올 400g에 투입하여 강하게 교반한 후, 정치시켰다. 이어서 상등액을 제거하고 침전물을 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA) 80g에 녹인 후, 메탄올 320g을 사용하여 강하게 교반한 후 정치시켰다. The reactant was poured into 40 g of distilled water and 400 g of methanol, and stirred vigorously, followed by standing still. Subsequently, the supernatant was removed, and the precipitate was dissolved in 80 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), followed by vigorous stirring using 320 g of methanol, followed by standing.

얻어진 중합체에 리튬 알루미늄 하이드라이드 18.98g (0.5mol)을 조금씩 넣어준 후 테트라하이드로퓨란/메탄올 혼합물 하에서 12시간 동안 반응을 수행하였다. 반응 종료 후 물/메탄올 혼합물을 사용하여 반응 부산물을 제거하고, 하기 화학식 1a로 표현되는 화합물을 얻었다. 18.98 g (0.5 mol) of lithium aluminum hydride was added to the obtained polymer little by little, and the reaction was performed for 12 hours under a tetrahydrofuran / methanol mixture. After the reaction, the reaction by-products were removed using a water / methanol mixture to obtain a compound represented by the following Chemical Formula 1a.

하기 화학식 1a로 표현되는 화합물의 중량 평균 분자량은 3,300이었다.The weight average molecular weight of the compound represented by the following formula (1a) was 3,300.

[화학식 1a] [Formula 1a]

합성예Synthetic example 2 2

아세틸클로라이드 31.4g (0.4 mol) 대신 벤조일클로라이드 56.2g (0.4 mol)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 하기 화학식 1b로 표현되는 화합물을 얻었다.Except for using 56.2 g (0.4 mol) of benzoyl chloride instead of 31.4 g (0.4 mol) of acetyl chloride was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1 to obtain a compound represented by the formula (1b).

하기 화학식 1b로 표현되는 화합물의 중량 평균 분자량은 2,800이었다.The weight average molecular weight of the compound represented by the following general formula (1b) was 2,800.

[화학식 1b] [Chemical Formula 1b]

합성예Synthetic example 3 3

아세틸클로라이드 31.4g (0.4 mol) 대신 2-나프토일클로라이드 76.2g (0.4 mol)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 하기 화학식 1c로 표현되는 화합물을 얻었다.Synthesis was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 76.2 g (0.4 mol) of 2-naphthoyl chloride was used instead of 31.4 g (0.4 mol) of acetyl chloride to obtain a compound represented by the following Chemical Formula 1c.

하기 화학식 1c로 표현되는 화합물의 중량 평균 분자량은 2,600이었다.The weight average molecular weight of the compound represented by the following formula (1c) was 2,600.

[화학식 1c] [Chemical Formula 1c]

합성예Synthetic example 4 4

아세틸클로라이드 31.4g (0.4 mol) 대신 사이클로헥산카보닐클로라이드 58.6g (0.4 mol)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 하기 화학식 1d로 표현되는 화합물을 얻었다.Synthesis was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 58.6 g (0.4 mol) of cyclohexanecarbonyl chloride was used instead of 31.4 g (0.4 mol) of acetyl chloride to obtain a compound represented by Chemical Formula 1d.

하기 화학식 1d로 표현되는 화합물의 중량 평균 분자량은 2,900이었다.The weight average molecular weight of the compound represented by the following formula (1d) was 2,900.

[화학식 1d] &Lt; RTI ID = 0.0 &

합성예Synthetic example 5 5

아세틸클로라이드 31.4g (0.4 mol) 대신 2-나프토일클로라이드 38.13g (0.2 mol)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 하기 화학식 1e로 표현되는 화합물을 얻었다.Except for using 38.13 g (0.2 mol) of 2-naphthoyl chloride instead of 31.4 g (0.4 mol) of acetyl chloride was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1 to obtain a compound represented by the formula (1e).

하기 화학식 1e로 표현되는 화합물의 중량 평균 분자량은 3,100이었다.The weight average molecular weight of the compound represented by the following formula (1e) was 3,100.

[화학식 1e] [Formula 1e]

비교합성예Comparative Synthesis Example 1 One

기계교반기, 냉각관, 300ml 적가깔대기, 질소가스 도입관을 구비한 1ℓ의 4구 플라스크에 질소가스를 유입하면서 α,α'-디클로로-p-크실렌 8.75g (0.05 mol), 알루미늄 클로라이드 26.66g 및 γ-부티로락톤 200g을 투입한 후 교반하였다.8.75 g (0.05 mol) of α, α'-dichloro-p-xylene, 26.66 g of aluminum chloride, while introducing nitrogen gas into a 1 L four-necked flask equipped with a mechanical stirrer, a cooling tube, a 300 ml dropping funnel and a nitrogen gas introduction tube. 200 g of γ-butyrolactone was added and stirred.

10분 후에, 상기 혼합액에 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디페놀 35.03g(0.10 mol)을 γ-부티로락톤 200g에 녹인 용액을 30분간 천천히 적가한 다음, 12시간 동안 교반하여 중합을 실시하였다.After 10 minutes, a solution of 35.03 g (0.10 mol) of 4,4 '-(9-fluorenylidene) diphenol in 200 g of γ-butyrolactone was slowly added dropwise to the mixed solution for 30 minutes, followed by stirring for 12 hours. The polymerization was carried out.

반응 종료 후 물을 사용하여 산을 제거한 후에 증발기로 농축하였다. 이어서 메틸아밀케톤과 메탄올을 사용하여 중합 생성물을 희석하고, 다시 15중량% 농도의 메틸아밀케톤/메탄올(4/1, 중량비)의 용액을 첨가하여 농도를 조절하였다. 이 용액을 3ℓ 분액깔대기에 넣고 이것에 n-헵탄을 첨가하여 저분자량체를 제거하고 하기 화학식 1f로 표현되는 중합체를 얻었다.After the reaction was completed, the acid was removed using water, and then concentrated by an evaporator. Subsequently, the polymerization product was diluted with methyl amyl ketone and methanol, and the concentration was adjusted by adding a solution of methyl amyl ketone / methanol (4/1, weight ratio) at a concentration of 15% by weight again. The solution was placed in a 3 L separatory funnel and n-heptane was added thereto to remove the low molecular weight to obtain a polymer represented by the following Chemical Formula 1f.

하기 화학식 1f로 표현되는 중합체는 중량 평균 분자량이 12,000이고, 분산도가 2.0 이었다.The polymer represented by the following formula (1f) had a weight average molecular weight of 12,000 and a degree of dispersion of 2.0.

[화학식 1f] (1f)

하드마스크Hard mask 조성물의 제조 Preparation of the composition

실시예Example 1 One

합성예 1에서 얻은 방향족 고리 함유 화합물을 0.8g을 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA)/사이클로헥사논 혼합물 9g에 녹인 후 여과하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
0.8 g of the aromatic ring-containing compound obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 9 g of a propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) / cyclohexanone mixture and filtered to prepare a hard mask composition.

실시예Example 2 2

합성예 1에서 얻은 방향족 고리 함유 화합물 대신 합성예 2에서 얻은 방향족 고리 함유 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
A hardmask composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the aromatic ring-containing compound obtained in Synthesis Example 2 was used instead of the aromatic ring-containing compound obtained in Synthesis Example 1.

실시예Example 3 3

합성예 1에서 얻은 방향족 고리 함유 화합물 대신 합성예 3에서 얻은 방향족 고리 함유 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
A hardmask composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the aromatic ring-containing compound obtained in Synthesis Example 3 was used instead of the aromatic ring-containing compound obtained in Synthesis Example 1.

실시예Example 4 4

합성예 1에서 얻은 방향족 고리 함유 화합물 대신 합성예 4에서 얻은 방향족 고리 함유 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
A hardmask composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the aromatic ring-containing compound obtained in Synthesis Example 4 was used instead of the aromatic ring-containing compound obtained in Synthesis Example 1.

실시예Example 5 5

합성예 1에서 얻은 방향족 고리 함유 화합물 대신 합성예 5에서 얻은 방향족 고리 함유 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
A hardmask composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the aromatic ring-containing compound obtained in Synthesis Example 5 was used instead of the aromatic ring-containing compound obtained in Synthesis Example 1.

비교예Comparative example 1 One

합성예 1에서 얻은 방향족 고리 함유 화합물 대신 비교합성예 1에서 얻은 중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
A hardmask composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the polymer obtained in Comparative Synthesis Example 1 was used instead of the aromatic ring-containing compound obtained in Synthesis Example 1.

하드마스크Hard mask 층의 형성 - 1 Formation of layers-1

질화규소가 형성되어 있는 실리콘웨이퍼 위에 상기 실시예 1 내지 5와 비교예 1에 따른 하드마스크 조성물을 스핀 코팅 방법으로 도포한 후 400℃에서 60초 간 베이킹하여 약 2000Å 두께의 하드마스크 층을 형성하였다.
After applying the hard mask composition according to Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 on a silicon wafer on which silicon nitride is formed by spin coating, baking was performed at 400 ° C. for 60 seconds to form a hard mask layer having a thickness of about 2000 μs.

평가 - 1Rating-1

실시예 1 내지 5에 따른 하드마스크 조성물로 형성된 하드마스크 층의 굴절률(refractive index, n) 및 흡광 계수(extinction coefficient, k)를 측정하였다. 굴절률 및 흡광 계수는 193nm 광을 조사하면서 Ellipsometer(J.A.Woollam사 제조)를 사용하여 측정하였다.The refractive index (n) and extinction coefficient (k) of the hard mask layer formed of the hard mask compositions according to Examples 1 to 5 were measured. The refractive index and the extinction coefficient were measured using an Ellipsometer (manufactured by J.A. Woollam) while irradiating 193 nm light.

그 결과는 표 1과 같다.The results are shown in Table 1.

광학 특성(193nm)Optical properties (193 nm) 굴절률(n)Refractive index (n) 흡광계수(k)Extinction coefficient (k) 실시예 1Example 1 1.181.18 0.590.59 실시예 2Example 2 1.201.20 0.540.54 실시예 3Example 3 1.211.21 0.530.53 실시예 4Example 4 1.251.25 0.530.53 실시예 5Example 5 1.231.23 0.550.55

표 1을 참고하면, 실시예 1 내지 5에 따른 하드마스크 조성물로 형성된 하드마스크 층은 193nm 광에 대하여 하드마스크 층으로 사용하기에 적합한 굴절률(n) 및 흡광계수(k)를 나타냄을 알 수 있다.
Referring to Table 1, it can be seen that the hard mask layer formed of the hard mask compositions according to Examples 1 to 5 exhibits a refractive index (n) and an extinction coefficient (k) suitable for use as a hard mask layer for 193 nm light. .

레지스트Resist 패턴의 형성 Formation of patterns

상기 하드마스크 층 위에 ArF용 레지스트를 도포하고 110℃에서 60초간 베이킹한 후, ArF 노광장비인 ASML1250 (FN70 5.0 active, NA 0.82)을 사용하여 노광을 하였다. 이어서 테트라메틸암모늄 히드록시드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH) 2.38wt% 수용액으로 현상하였다.
An ArF resist was applied on the hard mask layer and baked at 110 ° C. for 60 seconds, and then exposed to light using an ArF exposure apparatus ASML1250 (FN70 5.0 active, NA 0.82). It was then developed with a 2.38 wt% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH).

평가 - 2Rating-2

노광량의 변화에 따른 EL(expose latitude) 마진과 광원과의 거리 변동에 따른 DoF(depth of focus) 마진을 고찰하였다. 또한 FE-SEM을 사용하여 상기 패터닝된 하드마스크 층에 언더컷(undercut) 발생 여부를 관찰하였다. The exposure latitude (EL) margin and the depth of focus (DoF) margin due to the variation of the distance between the light source and the light exposure are discussed. In addition, FE-SEM was used to observe whether an undercut occurred in the patterned hard mask layer.

그 결과는 표 2와 같다.The results are shown in Table 2.

EL마진
(△CD/exposure energy, mJ)EL margin
(△ CD / exposure energy, mJ) DoF 마진(㎛)DoF margin (μm) 언더컷 발생여부Undercut occurrence 실시예 1Example 1 3.53.5 0.210.21 XX 실시예 2Example 2 4.04.0 0.240.24 XX 실시예 3Example 3 3.23.2 0.230.23 XX 실시예 4Example 4 3.63.6 0.270.27 XX 실시예 5Example 5 3.43.4 0.250.25 XX 비교예 1Comparative Example 1 1.11.1 0.180.18 ○○

표 2를 참고하면, 실시예 1 내지 5에 따른 하드마스크 조성물로 형성된 하드마스크 층은 비교예 1에 따른 하드마스크 조성물로 형성된 하드마스크 층과 비교하여 EL 마진 및 DoF 마진이 모두 높은 것을 알 수 있다. 또한 실시예 1 내지 5에 따른 하드마스크 조성물로 형성된 하드마스크 층은 언더컷이 관찰되지 않고 양호한 프로파일로 형성되었음을 알 수 있다.
Referring to Table 2, it can be seen that the hard mask layer formed of the hard mask composition according to Examples 1 to 5 has a higher EL margin and a DoF margin than the hard mask layer formed of the hard mask composition according to Comparative Example 1. . In addition, it can be seen that the hard mask layer formed of the hard mask composition according to Examples 1 to 5 was formed with a good profile without an undercut observed.

패턴의 형성Formation of patterns

상기 패터닝된 하드마스크 층을 마스크로 하여 CHF₃/CF₄ 혼합가스를 사용하여 드라이 에칭을 진행하고 이어서 BCl₃/Cl₃ 혼합가스를 사용하여 다시 드라이 에칭을 진행하였다. 이어서 O₂ 가스를 사용하여 남아있는 유기물을 모두 제거하였다.
Dry etching was performed using the CHF ₃ / CF ₄ mixed gas using the patterned hard mask layer as a mask, followed by dry etching again using the BCl ₃ / Cl ₃ mixed gas. The remaining organics were then removed using O ₂ gas.

평가 - 3Evaluation-3

FE-SEM을 사용하여 상기 질화규소 패턴을 고찰하였다. 그 결과는 표 3과 같다.The silicon nitride pattern was considered using FE-SEM. The results are shown in Table 3.

질화규소 패턴 모양Silicon nitride pattern shape 실시예 1Example 1 수직모양(anisotropic)Anisotropic 실시예 2Example 2 수직모양(anisotropic)Anisotropic 실시예 3Example 3 수직모양(anisotropic)Anisotropic 실시예 4Example 4 수직모양(anisotropic)Anisotropic 실시예 5Example 5 수직모양(anisotropic)Anisotropic 비교예 1Comparative Example 1 테이퍼진 모양, 거친 표면Tapered shape, rough surface

표 3을 참고하면, 실시예 1 내지 5에 따른 하드마스크 조성물을 사용하여 형성된 패턴은 모두 수직모양으로 등방성 패터닝된 반면, 비교예 1에 따른 하드마스크 조성물을 사용하여 형성된 패턴은 등방성으로 패터닝되지 못하고 테이퍼진 모양 및 거친 표면을 나타내는 것을 알 수 있다. Referring to Table 3, the patterns formed using the hard mask compositions according to Examples 1 to 5 were all isotropically patterned in a vertical shape, whereas the patterns formed using the hard mask compositions according to Comparative Example 1 were not isotropically patterned. It can be seen that it shows a tapered shape and rough surface.

이는 실시예 1 내지 5에 따른 하드마스크 조성물을 사용한 경우 에칭 가스에 대한 내성이 충분하여 에칭이 양호하게 수행되는 반면, 비교예 1에 따른 하드마스크 조성물을 사용한 경우 에칭 가스에 대한 내성이 불충분하여 양호한 모양으로 패터닝하기 위한 에칭 선택비가 부족한 것으로 판단된다.
This is because when the hard mask composition according to Examples 1 to 5 is used, the etching is performed well because the resistance to the etching gas is sufficient, whereas when the hard mask composition according to Comparative Example 1 is used, the resistance to the etching gas is insufficient. It is judged that the etching selectivity for patterning to a shape is lacking.

평가 - 4Evaluation-4

실리콘웨이퍼 위에 상기 실시예 1 내지 5와 비교예 1에 따른 하드마스크 조성물을 스핀 코팅 방법으로 도포한 후 200℃에서 60초 간 베이킹하여 약 4000Å 두께의 박막을 형성하였다. 그런 다음 400℃에서 120초 간 베이킹하였다.After applying the hard mask composition according to Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 on the silicon wafer by a spin coating method and baked for 60 seconds at 200 ℃ to form a thin film of about 4000Å thickness. It was then baked at 400 ° C. for 120 seconds.

이 때, 200℃와 400℃에서 베이킹했을 때의 박막 두께 차이를 하기 수학식 1에 의해 측정하였다.At this time, the film thickness difference at the time of baking at 200 degreeC and 400 degreeC was measured by following formula (1).

[수학식 1][Equation 1]

또한 육안으로 아웃가스(outgas) 발생 유무를 평가하였다.In addition, the presence of outgas was visually evaluated.

그 결과는 표 4와 같다.The results are shown in Table 4.

박막 두께 차이(%)Thin film thickness difference (%) 아웃가스 발생시간(초)Outgassing time (sec) 실시예 1Example 1 9.29.2 00 실시예 2Example 2 8.58.5 00 실시예 3Example 3 8.88.8 00 실시예 4Example 4 8.18.1 00 실시예 5Example 5 8.48.4 00 비교예 1Comparative Example 1 21.821.8 3030

표 4를 참고하면, 실시예 1 내지 5에 따른 하드마스크 조성물을 사용하여 형성된 박막은 비교예 1에 따른 하드마스크 조성물을 사용하여 형성된 박막과 비교하여 온도 변화에 따른 박막 두께 차이가 크지 않았고 아웃가스도 발생하지 않은 것을 알 수 있다. 이로부터 실시예 1 내지 5에 따른 하드마스크 조성물을 사용하여 형성된 박막은 내열성이 우수한 것을 알 수 있다.
Referring to Table 4, the thin film formed by using the hard mask composition according to Examples 1 to 5 was not large difference in the thickness of the thin film according to the temperature change compared to the thin film formed using the hard mask composition according to Comparative Example 1 and outgas It can be seen that also did not occur. From this, it can be seen that the thin film formed using the hard mask compositions according to Examples 1 to 5 has excellent heat resistance.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of the invention.

Claims

하기 화학식 1로 표현되는 구조 단위를 포함하는 방향족 고리 함유 화합물 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물:
[화학식 1]

상기 화학식 1에서,
L은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
1≤m<100이고,
A1 및 A2 중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표현되는 치환기이고,
[화학식 2]

상기 화학식 2에서,
R₁ 내지 R₁₀은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고,
X₁ 내지 X₁₀은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민, 치환 또는 비치환된 아미노기 또는 이들의 조합이고,
n1 내지 n9는 0 또는 1이고,
n1=0 인 경우 n2 내지 n9는 0이며, n2=0 인 경우 n3 내지 n9는 0이며, n3=0 인 경우 n4 내지 n9는 0이며, n4=0 인 경우 n5 내지 n9는 0이며, n5=0 인 경우 n6 내지 n9는 0이며, n6=0 인 경우 n7 내지 n9는 0이며, n7=0 인 경우 n8 및 n9는 0이며, n8이 0 인 경우 n9도 0이고,
상기 A1 및 A2 중 어느 하나만 상기 화학식 2로 표현되는 치환기인 경우 다른 하나는 수소이다.
A hard mask composition comprising an aromatic ring-containing compound and a solvent comprising a structural unit represented by Formula 1 below:
[Formula 1]

In Chemical Formula 1,
L is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, or a combination thereof,
1≤m <100,
At least one of A1 and A2 is a substituent represented by the following formula (2),
(2)

In Formula 2,
R ₁ to R ₁₀ are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cyclo Alkenyl group, substituted or unsubstituted C7 to C20 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, substituted Or an unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, or a combination thereof,
X ₁ To X ₁₀ are each independently hydrogen, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylamine, a substituted or unsubstituted amino group, or a combination thereof,
n1 to n9 are 0 or 1,
n2 = n9 is 0 when n1 = 0, n3 through n9 is 0 when n2 = 0, n4 to n9 is 0 when n3 = 0, n5 to n9 is 0 when n4 = 0, and n5 = 0 is n6 to n9 is 0, n6 = 0 is n7 to n9 is 0, n7 = 0 is n8 and n9 are 0, n8 is 0, n9 is also 0,
When only one of A1 and A2 is a substituent represented by Formula 2, the other is hydrogen.

제1항에서,
상기 L은 하기 화학식 A 내지 화학식 G에서 선택되는 하나인 하드마스크 조성물:
[화학식 A]
*-CH₂-*
[화학식 B]

[화학식 C]

[화학식 D]

[화학식 E]

[화학식 F]

[화학식 G]

상기 화학식 A 내지 화학식 G에서,
R₄₇ 내지 R₉₁은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 할로겐기 또는 이들의 조합이다.
In claim 1,
Wherein L is one selected from formulas (A) to (G):
[Formula A]
* -CH _2- *
[Formula B]

[Formula C]

[Formula D]

[Formula E]

Formula F]

[Formula G]

In Chemical Formulas A to G,
R ₄₇ to R ₉₁ are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C7 to C20 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group , A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, a halogen group or a combination thereof.

제1항에서,
상기 방향족 고리 함유 화합물은 중량 평균 분자량이 500 내지 4000인 하드마스크 조성물.
In claim 1,
The aromatic ring-containing compound has a weight average molecular weight of 500 to 4000 hard mask composition.

제1항에서,
상기 방향족 고리 함유 화합물 및 상기 용매는 상기 하드마스크 조성물의 총 함량에 대하여 각각 1 내지 20중량% 및 80 내지 99중량%로 포함되어 있는 하드마스크 조성물.
In claim 1,
Wherein the aromatic ring-containing compound and the solvent are included in an amount of 1 to 20% by weight and 80 to 99% by weight based on the total content of the hard mask composition.

제1항에서,
상기 용매는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME), 사이클로헥사논 및 에틸락테이트에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 하드마스크 조성물.
In claim 1,
The solvent comprises at least one selected from propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), cyclohexanone and ethyl lactate.

기판 위에 재료 층을 제공하는 단계,
상기 재료 층 위에 하기 화학식 1로 표현되는 구조 단위를 포함하는 방향족 고리 함유 화합물 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 적용하여 하드마스크 층을 형성하는 단계,
상기 하드마스크 층 위에 레지스트 층을 형성하는 단계,
상기 레지스트 층을 노광 및 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계,
상기 레지스트 패턴을 이용하여 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고
상기 재료 층의 노출된 부분을 에칭하는 단계
를 포함하는 패턴 형성 방법:
[화학식 1]

상기 화학식 2에서,
R₁ 내지 R₁₀은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고,
X₁ 내지 X₁₀은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민, 치환 또는 비치환된 아미노기 또는 이들의 조합이고,
n1 내지 n9는 0 또는 1이고,
n1=0 인 경우 n2 내지 n9는 0이며, n2=0 인 경우 n3 내지 n9는 0이며, n3=0 인 경우 n4 내지 n9는 0이며, n4=0 인 경우 n5 내지 n9는 0이며, n5=0 인 경우 n6 내지 n9는 0이며, n6=0 인 경우 n7 내지 n9는 0이며, n7=0 인 경우 n8 및 n9는 0이며, n8이 0 인 경우 n9도 0이고,
상기 A1 및 A2 중 어느 하나만 상기 화학식 2로 표현되는 치환기인 경우 다른 하나는 수소이다.
Providing a layer of material over the substrate,
Forming a hard mask layer on the material layer by applying a hard mask composition comprising an aromatic ring-containing compound and a solvent comprising a structural unit represented by Formula 1 below;
Forming a resist layer on the hardmask layer,
Exposing and developing the resist layer to form a resist pattern,
Selectively removing the hardmask layer and exposing a portion of the material layer using the resist pattern, and
Etching the exposed portion of the material layer
Pattern Forming Method Including:
[Formula 1]

제6항에서,
상기 L은 하기 화학식 A 내지 화학식 G에서 선택되는 하나인 패턴 형성 방법:
[화학식 A]
*-CH₂-*
[화학식 B]

[화학식 C]

[화학식 D]

[화학식 E]

[화학식 F]

[화학식 G]

상기 화학식 A 내지 화학식 G에서,
R₄₇ 내지 R₉₁은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 할로겐기 또는 이들의 조합이다.
The method of claim 6,
Wherein L is one selected from formulas (A) to (G):
[Formula A]
* -CH _2- *
[Formula B]

[Formula C]

[Formula D]

[Formula E]

Formula F]

[Formula G]

제6항에서,
상기 방향족 고리 함유 화합물은 중량 평균 분자량이 500 내지 4000인 패턴 형성 방법.
The method of claim 6,
The aromatic ring-containing compound has a weight average molecular weight of 500 to 4000 pattern formation method.

제6항에서,
상기 용매는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME), 사이클로헥사논 및 에틸락테이트에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 패턴 형성 방법.
The method of claim 6,
The solvent comprises at least one selected from propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), cyclohexanone and ethyl lactate.

제6항에서,
상기 하드마스크 층을 형성하는 단계는 스핀-온-코팅 방법으로 수행하는 패턴 형성 방법.
The method of claim 6,
Forming the hard mask layer is a pattern forming method performed by a spin-on-coating method.

제6항에서,
상기 레지스트 층을 형성하는 단계 전에
상기 재료 층 위에 실리콘을 함유하는 보조층을 형성하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법.
The method of claim 6,
Before the step of forming the resist layer
And forming an auxiliary layer containing silicon over said material layer.

제11항에서,
상기 하드마스크 층을 형성하는 단계 전에
바닥 반사 방지 층(BARC)을 형성하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법.

In claim 11,
Before forming the hardmask layer
And forming a bottom antireflective layer (BARC).

제6항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 패턴 형성 방법으로 형성된 복수의 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스.A semiconductor integrated circuit device comprising a plurality of patterns formed by the pattern forming method according to any one of claims 6 to 12.