KR20120071150A - Light emitting device package - Google Patents

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KR20120071150A
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김경준
안중인
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device package is provided to prevent light generated from a light emitting device from being attenuated due to a zener diode by including a support part for mounting the zener diode within the same cavity. CONSTITUTION: A body(110) includes a plurality of cavities and a wall portion(120). The cavities include a first cavity(170) with a constant voltage device and second and third cavities(180,190) with a light emitting device. The floor side area of the first cavity is equal to or narrower than those of the second and third cavities. Lead frames(140,150) are included in the body. Light emitting devices(130,135) are electrically connected to the lead frame.

Description

발광 소자 패키지{Light emitting device package}Light emitting device package

실시예는 제너다이오드(zener diode)를 실장시키는 캐비티를 구비하여 광효율을 개선한 발광소자 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package having a cavity for mounting a zener diode to improve light efficiency.

LED(Light Emitting Diode:발광 소자)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고 있으며, 점차 사용영역이 넓어지고 있는 추세이다.LED (Light Emitting Diode) is a device that converts an electric signal into infrared, visible light or light by using the characteristics of compound semiconductor.It is used in home appliances, remote controls, electronic signs, indicators, and various automation devices. Increasingly, the usage area is expanding.

일반적으로, GaN 계열의 화합물 반도체는 결정결함의 발생을 줄이기 위해 결정구조 및 격자상수가 유사한 사파이어 기판 상에 에피택셜(Epitaxial) 성장된다. 사파이어는 절연물질이므로, 발광 다이오드의 전극패드 들은 에피층의 성장면상에 형성된다. 그러나 사파이어와 같은 절연물질의 기판을 사용할 경우, 외부로부터 유입된 정전기에 의한 정전 방전(Electro-static discharge)을 방지하기 어려우며, 따라서 다이오드의 손상이 유발되기 쉬워 소자의 신뢰성을 저하시킨다. 따라서 발광소자를 패키징할 때, 정전 방전을 방지하기 위해 별개의 제너다이오드(Zener Diode)를 발광 다이오드와 함께 장착하여 사용한다. 그러나 제너다이오드(Zener Diode)는 검은색 계열로 발광소자에서 제너다이오드(Zener Diode)로 향하는 광을 감쇄시켜 광량을 저하시킨다. In general, GaN-based compound semiconductors are epitaxially grown on a sapphire substrate having a similar crystal structure and lattice constant to reduce the occurrence of crystal defects. Since sapphire is an insulating material, electrode pads of the light emitting diode are formed on the growth surface of the epi layer. However, when an insulating substrate such as sapphire is used, it is difficult to prevent electrostatic discharge from static electricity introduced from the outside, and thus damage of the diode is likely to be caused, thereby degrading the reliability of the device. Therefore, when packaging a light emitting device, a separate zener diode is used together with the light emitting diode to prevent electrostatic discharge. However, a zener diode is a black series and attenuates the light from the light emitting element toward the zener diode to reduce the amount of light.

실시예는 복수의 발광소자로부터 나오는 빛이 제너다이오드에 의해 감쇄되는 것을 막아 광효율을 증가시킬 수 있는 발광소자 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.An embodiment of the present invention is to provide a light emitting device package capable of increasing light efficiency by preventing light emitted from a plurality of light emitting devices from being attenuated by a zener diode.

상술한 과제를 해결하기 위한 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 복수의 캐비티를 구비하는 몸체와, 몸체에 구비되는 리드프레임과, 리드프레임과 전기적으로 연결되는 발광소자를 포함하며, 캐비티는, 정전압소자를 구비하는 제1 캐비티와 제1 캐비티와 이격되고, 발광소자를 구비하는 제2 및 제3 캐비티를 포함한다. A light emitting device package according to an embodiment for solving the above problems includes a body having a plurality of cavities, a lead frame provided in the body, and a light emitting device electrically connected to the lead frame, wherein the cavity is a constant voltage It includes a first cavity having a device and a second and third cavity spaced apart from the first cavity, and having a light emitting device.

실시예에 따르면, 발광소자가 실장되는 캐비티내에 제너다이오드를 실장시키지 않고, 별도의 제너다이오드 실장용 캐비티를 구비함으로써, 발광소자에서 발한 광이 제너다이오드에 의해 감쇄되는 현상을 방지하여 광효율을 증가시킬 수 있다.According to the embodiment, a zener diode mounting cavity is provided in the cavity in which the light emitting device is mounted, and thus a zener diode mounting cavity is provided to prevent the light emitted from the light emitting device from being attenuated by the zener diode to increase light efficiency. Can be.

또한, 동일 캐비티 내에 제너다이오드 실장용 받침부를 구비함으로써 발광소자에서 발한 광이 제너다이오드에 의해 감쇄되는 현상을 방지할 수 있다. In addition, the presence of the zener diode mounting base in the same cavity can prevent a phenomenon that light emitted from the light emitting device is attenuated by the zener diode.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 기본 구조를 도시한 사시도이다.
도 2 내지 도 4는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 5 내지 도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 리드프레임과 발광소자 및 정전압 다이오드의 연결 상태를 도시한 도이다.
도 7은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 회로도이다.
도 8a는 실시예에 따른 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 8b는 도 8a의 조명장치의 A-A' 단면을 도시한 단면도이다.
도 9는 실시예에 따른 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 10은 실시예에 따른 액정표시장치의 분해 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a basic structure of a light emitting device package according to an embodiment.
2 to 4 are cross-sectional views of the light emitting device package according to the embodiment.
5 to 6 are views illustrating a connection state of a lead frame, a light emitting device, and a constant voltage diode of the light emitting device package according to the embodiment.
7 is a circuit diagram of a light emitting device package according to an embodiment.
8A is a perspective view illustrating a lighting apparatus according to an embodiment, and FIG. 8B is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional view taken along line AA ′ of the lighting apparatus of FIG. 8A.
9 is an exploded perspective view of a liquid crystal display according to an embodiment.
10 is an exploded perspective view of a liquid crystal display according to an embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Thus, in some embodiments, well known process steps, well known device structures, and well-known techniques are not specifically described to avoid an undesirable interpretation of the present invention. Like reference numerals refer to like elements throughout.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when flipping a device shown in the figure, a device described as "below" or "beneath" of another device may be placed "above" of another device. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The device can also be oriented in other directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or does not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들. 성분들. 영역들. 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안된다는 것을 이해할 것이다.Although the terms first, second, etc. may be used to describe various elements, components, regions, layers and / or regions, such elements. Ingredients. Areas. It will be appreciated that the layers and / or regions should not be limited by this term.

도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장, 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of the component does not fully reflect its actual size.

이하에서는, 실시예를 첨부된 도 1 내지 도 10을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 10.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 기본 구조를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a basic structure of a light emitting device package according to an embodiment.

발광소자 패키지(100)는 복수의 캐비티(170, 180, 190)와 벽부(120)를 포함한 몸체(110), 몸체(110)에 구비되는 리드프레임(140, 150), 리드프레임(140, 150)과 전기적으로 연결되는 복수의 발광소자(130, 135)를 포함하고, 복수의 캐비티(170, 180, 190)는 정전압 다이오드(160)를 구비하는 적어도 하나의 제1 캐비티(170)와 각각 발광소자(130, 135)를 구비하는 제2 캐비티(180) 및 제3 캐비티(190)를 포함할 수 있다. The light emitting device package 100 includes a body 110 including a plurality of cavities 170, 180, and 190 and a wall part 120, lead frames 140 and 150 provided in the body 110, and lead frames 140 and 150. ) And a plurality of light emitting devices 130 and 135 electrically connected to each other, and the plurality of cavities 170, 180 and 190 respectively emit light with at least one first cavity 170 including a constant voltage diode 160. The second cavity 180 and the third cavity 190 including the elements 130 and 135 may be included.

몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(110)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 110 is made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), liquid crystal polymer (PSG, photo sensitive glass), polyamide 9T (PA9T) ), Neo geotactic polystyrene (SPS), a metal material, sapphire (Al 2 O 3 ), beryllium oxide (BeO), may be formed of at least one of a printed circuit board (PCB, Printed Circuit Board). The body 110 may be formed by injection molding, etching, or the like, but is not limited thereto.

몸체(110)는 복수의 캐비티(170, 180, 190) 및 벽부(120)를 포함할 수 있다.Body 110 may include a plurality of cavities (170, 180, 190) and the wall portion 120.

벽부(120)의 내측에는 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(130, 135)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다.An inclined surface may be formed inside the wall part 120. The reflection angle of the light emitted from the light emitting devices 130 and 135 may vary according to the angle of the inclined surface, and thus the directivity angle of the light emitted to the outside may be adjusted.

광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(130, 135)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향각이 클수록 발광소자(130, 135)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다. As the directivity of the light decreases, the concentration of light emitted from the light emitting devices 130 and 135 to the outside increases, and conversely, the greater the directivity of the light, the less the concentration of light emitted from the light emitting devices 130 and 135 to the outside.

벽부(120)는 경사면에 반사층(미도시)을 더 포함할 수 있으며, 이로 인해 광도 및 광효율이 향상될 수 있다. 반사층(미도시)은 반사율이 높은 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 한편, 반사층(미도시) 및 벽부(120)의 경사면 사이에는 계면 접합력을 강화시키기 위한 접착층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지 아니한다. 벽부(120)의 경사면에 반사층(미도시)이 형성되면 빛의 산란이 방지되어 발광소자 패키지(100)의 발광 효율이 개선될 수 있다.The wall part 120 may further include a reflective layer (not shown) on the inclined surface, and thus the brightness and the light efficiency may be improved. The reflective layer (not shown) may be formed of a metal or an alloy including at least one of silver (Ag), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), or copper (Cu) having high reflectance, and the like. Not. Meanwhile, an adhesive layer (not shown) may be formed between the reflective layer (not shown) and the inclined surface of the wall part 120 to enhance the interface bonding force, but is not limited thereto. When a reflective layer (not shown) is formed on the inclined surface of the wall part 120, light scattering may be prevented, thereby improving luminous efficiency of the light emitting device package 100.

한편, 몸체(110)에 형성되는 복수의 캐비티(170, 180, 190)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, the shape of the plurality of cavities (170, 180, 190) formed on the body 110 as viewed from above may be circular, rectangular, polygonal, elliptical, and the like, may be a curved corner, but is not limited thereto. no.

발광소자(130, 135)는 복수의 리드프레임(140, 150)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도면에 도시한 리드프레임을 제1 리드프레임(140)과 제2 리드프레임(150)이라고 분류하면, 일 예로 발광소자(135)가 제1 리드프레임(140)에 실장되고, 발광소자(130)와 제2 리드프레임(150)은 와이어에 의해서 와이어 본딩될 수 있으며, 또는 발광소자(130)는 제1 리드프레임(140) 및 제2 리드프레임(150)과 와이어에 의해 와이어 본딩될 수도 있으나, 이에 한정되지 아니한다.The light emitting devices 130 and 135 may be electrically connected to the plurality of lead frames 140 and 150. When the lead frame illustrated in the drawing is classified as the first lead frame 140 and the second lead frame 150, for example, the light emitting device 135 is mounted on the first lead frame 140, and the light emitting device 130 is provided. The second lead frame 150 may be wire bonded by a wire, or the light emitting device 130 may be wire bonded by a wire with the first lead frame 140 and the second lead frame 150. It is not limited to this.

구체적인 리드프레임(140, 150)과 발광소자(130, 135)간의 연결은 도 6에서 후술하기로 한다.Specifically, the connection between the lead frames 140 and 150 and the light emitting devices 130 and 135 will be described later with reference to FIG. 6.

발광소자(130)는 일 예로 발광 다이오드일 수 있다. 발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광 다이오드는 제1 캐비티(180) 또는 제2 캐비티(190)마다 각각 적어도 한 개 이상 실장될 수 있다.The light emitting device 130 may be, for example, a light emitting diode. The light emitting diode may be, for example, a colored light emitting diode emitting light of red, green, blue, white, or the like, or an Ultra Violet (UV) emitting diode emitting ultraviolet light, but is not limited thereto. In addition, at least one light emitting diode may be mounted in each of the first cavity 180 or the second cavity 190.

또한, 발광 다이오드는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type), 상하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type) 또는 플립칩 타입일 수 있다. In addition, the light emitting diode may be a horizontal type in which all of its electrical terminals are formed on an upper surface, a vertical type formed in an upper and a lower surface, or a flip chip type.

한편, 수지층(미도시)이 발광소자(130, 135) 및 정전압 다이오드(160)를 덮도록 복수의 캐비티(170, 180, 190)에 형성될 수 있다. Meanwhile, a resin layer (not shown) may be formed in the plurality of cavities 170, 180, and 190 to cover the light emitting devices 130 and 135 and the constant voltage diode 160.

수지층(미도시)은 실리콘, 에폭시 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있다. 또한 수지층(미도시)중 발광소자(130, 135)를 덮는 수지층(미도시)의 경우 형광체를 포함할 수 있으며, 형광체는 발광소자(130, 135)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자 패키지(100)로 하여금 백색광이 구현되도록 할 수 있다.The resin layer (not shown) may be formed of silicon, epoxy, and other resin materials. In addition, the resin layer (not shown) covering the light emitting devices 130 and 135 in the resin layer (not shown) may include a phosphor, and the phosphors may be classified according to the wavelength of light emitted from the light emitting devices 130 and 135. The light emitting device package 100 may be selected to implement white light.

형광체를 포함하는 수지층(미도시)은 발광소자(130, 135)가 실장된 캐비티(180, 190)에 형성될 수 있으며, 각각의 캐비티(180, 190)에는 서로 다른 형광체를 포함하는 수지층이 형성될 수 있다. The resin layer (not shown) including the phosphor may be formed in the cavities 180 and 190 in which the light emitting devices 130 and 135 are mounted, and the resin layers including the different phosphors in the respective cavities 180 and 190. This can be formed.

이러한 형광체는 발광소자(130, 135)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.  Such phosphors are blue light emitting phosphors, cyan light emitting phosphors, green light emitting phosphors, yellow green light emitting phosphors, yellow light emitting phosphors, yellow red light emitting phosphors, orange light emitting phosphors, and red light emitting phosphors according to wavelengths of light emitted from the light emitting devices 130 and 135. One of the above may be applied, but is not limited thereto.

형광체는 발광소자(130, 135)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(130, 135)중 어느 하나가 청색 발광 다이오드이고 형광체가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(100)는 백색 빛을 제공할 수 있다. 또한, 발광소자 패키지(100)는 녹색 빛, 청색 빛 등을 제공할 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. The phosphor may be excited by light having the first light emitted from the light emitting devices 130 and 135 to generate the second light. For example, when one of the light emitting devices 130 and 135 is a blue light emitting diode and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to emit yellow light, and the blue light generated from the blue light emitting diode As the yellow light generated by being excited by the blue light is mixed, the light emitting device package 100 may provide white light. In addition, the light emitting device package 100 may provide green light, blue light, and the like, but is not limited thereto.

이와 유사하게, 발광소자(130, 135)중 어느 하나가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체를 혼용하는 경우, 발광소자(130, 135)중 어느 하나가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.Similarly, when either one of the light emitting devices 130 and 135 is a green light emitting diode, when a magenta phosphor or a blue and red phosphor is mixed, one of the light emitting devices 130 and 135 is a red light emitting diode. An example is the case where Cyan phosphor or blue and green phosphors are mixed.

이러한 형광체는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 형광체일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.Such phosphors may be known phosphors such as YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride, phosphate, etc. Do not.

리드프레임(140, 150)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 각각의 리드프레임(140, 150)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있고, 각각의 리드프레임(140, 150)은 몸체(110)에 의해 지지될 수 있다. 도시한 리드프레임(140, 150)외에도 수개의 리드프레임(미도시)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The lead frames 140 and 150 are made of metal, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), and platinum (Pt). , Tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge), hafnium (Hf) It may include one or more materials or alloys among ruthenium (Ru) and iron (Fe). In addition, each of the lead frames 140 and 150 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, and each of the lead frames 140 and 150 may be supported by the body 110. Several lead frames (not shown) may be disposed in addition to the lead frames 140 and 150 shown in the drawings, but are not limited thereto.

리드프레임(140, 150)들은 서로 이격되어 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 리드프레임(140, 150)과 발광소자(130, 135)는 직접 접촉하거나 또는 전도성을 갖는 와이어를 통해서 와이어 본딩되어 연결될 수 있다. 리드프레임(140, 150) 각각은 외부전원에 전기적으로 연결되기 위해 각각 몸체(110)의 외부로 돌출되어 있다. 외부로 돌출된 리드프레임(140, 150)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 다양한 형태로 절곡될 수 있다. 리드프레임(140, 150)에 외부 전원이 연결되면 발광소자(130, 135)에 전원이 인가될 수 있다.  The lead frames 140 and 150 may be spaced apart from each other and electrically separated from each other. The lead frames 140 and 150 and the light emitting devices 130 and 135 may be directly connected or connected by wire bonding through a conductive wire. Each of the lead frames 140 and 150 protrudes out of the body 110 to be electrically connected to an external power source. The lead frames 140 and 150 protruding to the outside may have various shapes and may be bent in various shapes. When an external power source is connected to the lead frames 140 and 150, power may be applied to the light emitting devices 130 and 135.

몸체(110)는 리드프레임(140, 150)을 노출시키는 복수의 캐비티(170, 180, 190)를 갖는다. 구체적으로, 복수의 캐비티(170, 180, 190) 중 적어도 하나는 정전압다이오드(160)를 실장하는 제1 캐비티(170)이고, 나머지 캐비티는 각각 발광소자(130, 135)를 실장하는 제2 캐비티(180) 및 제3 캐비티(190)이다. 제1 캐비티(170), 제2 캐비티(180) 및 제3 캐비티(190)의 개수, 형태, 위치는 도면에 한정되지 않는다. The body 110 has a plurality of cavities 170, 180, 190 exposing the leadframes 140, 150. Specifically, at least one of the plurality of cavities 170, 180, 190 is a first cavity 170 in which the constant voltage diode 160 is mounted, and the remaining cavities are second cavities in which the light emitting devices 130, 135 are mounted, respectively. 180 and the third cavity 190. The number, shape, and position of the first cavity 170, the second cavity 180, and the third cavity 190 are not limited to the drawings.

제1 캐비티(170)에 실장되는 정전압 다이오드(160)는, 역방향 전류에 대하여 일정의 정전 내압을 갖는 물성을 갖는다. 따라서 발광소자(130, 135)에 정전기 등에 의하여 역방향 전류가 인가되는 경우, 정전압 다이오드(160)에 의해 전류가 바이패스(By-pass)되어 정전기에 의한 손상을 방지할 수 있다. 여기서 정전압 다이오드(160)에는 제너 다이오드(Zener Diode)를 포함하나, 정전압의 효과를 가지는 소자라면, 에벌랜치 다이오드(Avalanche Diode), 스위칭 다이오드(Switching Diode) 및 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)를 포함할 수 있다.The constant voltage diode 160 mounted in the first cavity 170 has physical properties having a constant electrostatic breakdown voltage with respect to the reverse current. Therefore, when a reverse current is applied to the light emitting devices 130 and 135 by static electricity or the like, current is bypassed by the constant voltage diode 160 to prevent damage due to static electricity. Here, the constant voltage diode 160 includes a Zener diode, but if the device has the effect of constant voltage, it may include an Avalanche diode, a switching diode, and a Schottky diode. Can be.

정전압 다이오드(160)는 와이어를 구비하여, 리드프레임(140, 150)에 연결되어 발광소자(130, 135)와 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. The constant voltage diode 160 includes a wire and may be connected to the lead frames 140 and 150 to be connected in series or in parallel with the light emitting devices 130 and 135.

제2 캐비티(180) 및 제3 캐비티(190)의 각각에는 적어도 한 개의 발광소자(130, 135)가 실장된다. At least one light emitting device 130 or 135 is mounted in each of the second cavity 180 and the third cavity 190.

한편, 제1 캐비티(170), 제2 캐비티(180) 및 제3 캐비티(190)의 깊이, 바닥면 면적은 상이할 수 있으며, 제1 캐비티(170), 제2 캐비티(180) 및 제3 캐비티(190)가 복수개인 경우, 각각의 캐비티(170, 180, 190)의 깊이, 바닥면 면적등이 상이할 수 있으며, 도면에 한정되지 않는다. Meanwhile, the depths and bottom surface areas of the first cavity 170, the second cavity 180, and the third cavity 190 may be different, and the first cavity 170, the second cavity 180, and the third cavity 3 may be different from each other. When there are a plurality of cavities 190, the depths, the bottom surface areas, and the like of the respective cavities 170, 180, and 190 may be different, and are not limited to the drawings.

한편, 제1 캐비티(170)는 상기 제2 캐비티(180) 및 제3 캐비티(190) 중 적어도 하나와 분리되어 위치할 수 있다. 즉, 제1 캐비티(170)는 제2 캐비티(180)와 제3 캐비티(190) 모두와 분리되어 별개의 캐비티를 가지고 형성될 수 있고, 제2 캐비티(180) 혹은 제3 캐비티(190) 중 하나와는 이격되나, 나머지 하나의 캐비티 내부에 다시 제1 캐비티(170)를 형성할 수도 있다.The first cavity 170 may be separated from at least one of the second cavity 180 and the third cavity 190. That is, the first cavity 170 may be formed with a separate cavity separated from both the second cavity 180 and the third cavity 190, and among the second cavity 180 or the third cavity 190. Although spaced apart from one, the first cavity 170 may be formed again inside the other cavity.

캐비티(170, 180, 190)의 깊이, 모양 또는 바닥면 면적의 차이에 따른 실시예는 이후의 도면에서 후술하기로 한다. Embodiments according to differences in depth, shape, or bottom surface area of the cavities 170, 180, and 190 will be described later in the drawings.

실시예에 따르면, 발광소자(130, 135)각각을 제2 캐비티(180) 및 제3 캐비티(190)에 실장시키고, 정전압 다이오드(160) 각각을 적어도 하나의 제1 캐비티(170)에 실장시킴에 따라, 발광소자(130, 135)에서 출사된 광이 정전압 다이오드(160)에 의해 감쇄되는 것을 방지하여 발광효율을 증가시킬 수 있다.According to an embodiment, each of the light emitting devices 130 and 135 is mounted in the second cavity 180 and the third cavity 190, and each of the constant voltage diodes 160 is mounted in the at least one first cavity 170. Accordingly, the light emitted from the light emitting devices 130 and 135 may be prevented from being attenuated by the constant voltage diode 160 to increase the luminous efficiency.

도 2 내지 도 4는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.2 to 4 are cross-sectional views of the light emitting device package according to the embodiment.

도 2a는, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)의 리드프레임의 연결구조를 제외하고 캐비티(170, 180, 190)의 형태와 발광소자(130, 135) 및 정전압다이오드(160)의 실장상태를 도시하였다.2A illustrates the shape of the cavities 170, 180, 190 and the mounting states of the light emitting devices 130, 135, and the constant voltage diode 160 except for the lead structure of the light emitting device package 100 according to the embodiment. Is shown.

도 1에서 도시한 바와 같이, 발광소자 패키지(100)는 몸체(110), 벽부(120), 발광소자(130, 135), 정전압 다이오드(160), 제1 캐비티(170), 제2 캐비티(180), 제3 캐비티(190), 리드프레임(140, 150)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, the light emitting device package 100 includes a body 110, a wall 120, light emitting devices 130 and 135, a constant voltage diode 160, a first cavity 170, and a second cavity ( 180, the third cavity 190, and lead frames 140 and 150 may be included.

도 2a는, 도 1의 a-a'라인을 기준으로 한 단면도이며, 도 2a는 도 1과는 다른 실시예를 도시한 것이다. 단면에서 봤을 때 제1 캐비티(170)는 보이지 않지만, 제1 캐비티(170)는 몸체(110)의 중앙부분에 위치할 수도 있고, 제2 캐비티(180) 및 제3 캐비티(190)사이 임의의 위치에 위치할 수 있다. 정전압 다이오드(160)가 실장된 제1 캐비티(170)의 위치는 몸체(110)상의 어느 부분에나 배치될 수 있으며, 도면에 한정되지 않으나, 바람직하게는 몸체(110)의 중앙에 위치함으로써, 리드프레임(미도시)과의 연결이 용이하도록 구현할 수 있다. FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line a-a 'of FIG. 1, and FIG. 2A illustrates an embodiment different from FIG. 1. When viewed in cross section, the first cavity 170 is not visible, but the first cavity 170 may be located in the center portion of the body 110, and may be located between the second cavity 180 and the third cavity 190. May be located at the location. The position of the first cavity 170 in which the constant voltage diode 160 is mounted may be disposed on any portion of the body 110 and is not limited to the drawing. Preferably, the lead is located at the center of the body 110. It can be implemented to facilitate connection with a frame (not shown).

한편, 제1 캐비티(170)와 제2 캐비티(180)사이의 거리는 제1 캐비티(170)와 제3 캐비티(190)사이의 거리와 상이할 수 있다. Meanwhile, the distance between the first cavity 170 and the second cavity 180 may be different from the distance between the first cavity 170 and the third cavity 190.

또한, 제1 캐비티(170)의 경사면 높이는 정전압 다이오드(160)의 실장 높이보다 높을 수 있다. 이로써, 발광소자(130, 135)에서 발하는 빛이 정전압 다이오드(160)에 의해 감쇄되는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다. In addition, the height of the inclined surface of the first cavity 170 may be higher than the mounting height of the constant voltage diode 160. As a result, the light emitted from the light emitting devices 130 and 135 may be more effectively prevented from being attenuated by the constant voltage diode 160.

도 2b 내지 도 2c는 도 1의 a-a'라인 또는 약간의 라인변형에 따른 발광소자 패키지(100)의 단면도이며, 도 2b의 경우 제2 캐비티(180)와 제3 캐비티(190) 각각의 깊이, 바닥면 면적이 상이한 것을 도시한 것이다. 도시한 바와 같이 제1 캐비티(170)의 깊이, 바닥면 면적은 제2 캐비티(180) 또는 제3 캐비티(190) 중 적어도 하나의 깊이, 바닥면 면적과 상이할 수 있다. 2B to 2C are cross-sectional views of the light emitting device package 100 according to the a-a 'line or a slight line deformation of FIG. 1. In FIG. 2B, each of the second cavity 180 and the third cavity 190 is shown. It shows that the depth and bottom surface area differ. As illustrated, the depth and bottom surface area of the first cavity 170 may be different from the depth and bottom surface area of at least one of the second cavity 180 and the third cavity 190.

또한, 제1 캐비티(170)의 바닥면 면적은 제2 및 제3 캐비티(180, 190)의 바닥면 면적과 동일하거나 더 좁게 형성될 수 있다.In addition, the bottom surface area of the first cavity 170 may be formed to be the same as or smaller than the bottom surface areas of the second and third cavities 180 and 190.

제1 캐비티(170)는 몸체(110)의 어느 부분에나 위치할 수 있으며, 도면에 한정되는 것이 아니다. 이외에는 도 1, 도 2a, 도 2b에서 도시한 바와 동일하므로 설명은 생략한다. 도시한 바와 같이, 제1 내지 제3 캐비티의 깊이와 바닥면 면적은 상이할 수 있다.The first cavity 170 may be located at any portion of the body 110 and is not limited to the drawings. Other details are the same as those shown in FIGS. 1, 2A, and 2B, and thus descriptions thereof are omitted. As shown, the depths and bottom surface areas of the first to third cavities may be different.

도 2c의 경우, 단면을 보았을때, 제1 캐비티(170), 제2 캐비티(180) 및 제3 캐비티(190)가 모두 드러나는 발광소자 패키지(100)의 단면도이다. 이외의 구성은 전술한 바와 동일하므로, 설명은 생략한다. 2C, a cross-sectional view of the light emitting device package 100 in which all of the first cavity 170, the second cavity 180, and the third cavity 190 are exposed when the cross section is viewed. Since the other structure is the same as that mentioned above, description is abbreviate | omitted.

도 3은, 제1 캐비티, 제2 캐비티 또는 제3 캐비티 중 적어도 하나의 경사면에 단차가 형성된 발광소자 패키지의 단면을 도시한 도이다. 3 is a cross-sectional view of a light emitting device package in which a step is formed on at least one inclined surface of the first cavity, the second cavity, or the third cavity.

즉, 제1 캐비티(170), 제2 캐비티(180), 또는 제3 캐비티(190)의 적어도 하나는 경사면에 단차(210)를 구비하여, 발광소자(130, 135)에서 발하는 빛이 정전압 다이오드(160)에 의해 감쇄되는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다. That is, at least one of the first cavity 170, the second cavity 180, or the third cavity 190 is provided with a step 210 on the inclined surface, so that light emitted from the light emitting elements 130 and 135 is a constant voltage diode. The attenuation by 160 can be prevented more effectively.

구체적으로, 제2 캐비티(180) 또는 제3 캐비티(190)의 경사면에 단차(210)가 구비됨으로써, 빛이 제1 캐비티(170)쪽으로 이동하는 것을 더욱 효과적으로 차단할 수 있으며, 이를 위해서 단차(210)의 상부면에 반사층(미도시)을 추가로 구비할 수 있다. Specifically, since the step 210 is provided on the inclined surface of the second cavity 180 or the third cavity 190, light may be more effectively blocked from moving toward the first cavity 170. A reflection layer (not shown) may be further provided on the upper surface of the substrate.

도 4는, 제2 캐비티(180) 및 제3 캐비티(190)에 차광댐(201)을 추가로 구비한 발광소자 패키지(100)의 단면도이다. 4 is a cross-sectional view of the light emitting device package 100 further including the light blocking dam 201 in the second cavity 180 and the third cavity 190.

차광댐(201)은 제1 캐비티(170), 제2 캐비티(180) 및/또는 제3 캐비티(190)의 경사면에 위치할 수 있다. 차광댐(201)은 몸체(110)와 일체로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 차광댐(201)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 및 플라스틱 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. The light blocking dam 201 may be located on an inclined surface of the first cavity 170, the second cavity 180, and / or the third cavity 190. The shading dam 201 may be formed integrally with the body 110, but is not limited thereto. The light blocking dam 201 may be made of any one of aluminum (Al), silver (Ag), and plastic.

차광댐(201)은 제2 캐비티(180, 182) 및 제3 캐비티(184, 190) 에 각각 하나씩 실장되어 있는 발광소자(130, 132, 134, 135)에서 발한 광을 외부로 반사시킬 수 있으며, 차광댐(201)이 발광소자(130, 135)와 인접하는 부분이 경사지게 형성 될 수 있다. 발광소자(130, 135)와 인접하는 부분의 경사도는 조절이 가능하며, 제2 캐비티(180) 및 제3 캐비티(190)의 경사면보다 더 경사지게 형성함이 바람직하다. 제2 캐비티(180) 및 제3 캐비티(190)의 경사면 보다 더 경사지게 형성되는 경우, 발광소자(130, 132, 134, 135)에서 나오는 빛이 정전압 다이오드(160) 방향으로 진행하는 것을 더 잘 반사시킬 수 있다. 즉, 발광소자(130, 132, 134, 135)에서 정전압 다이오드(160)로 향하는 광이 차광댐(201)의 경사진 면에 의해 반사되어 외부로 방출되도록 하여 발광효율을 향상시킬 수 있다. 발광소자(130, 132, 134, 135)의 개수가 증가할수록, 차광댐(201)을 형성시켜 정전압 다이오드(160)에 의해 감쇄되는 빛의 양을 줄일 수 있다. The light blocking dam 201 may reflect light emitted from the light emitting devices 130, 132, 134, and 135 mounted on the second and second cavities 180 and 182 and 184 and 190, respectively. The light blocking dam 201 may be inclined to be adjacent to the light emitting devices 130 and 135. The inclination of the portions adjacent to the light emitting devices 130 and 135 can be adjusted, and it is preferable that the inclination of the portions of the second cavity 180 and the third cavity 190 is inclined more than the inclined surfaces. When the inclination surfaces of the second cavity 180 and the third cavity 190 are formed to be more inclined, the light emitted from the light emitting devices 130, 132, 134, and 135 is better reflected toward the constant voltage diode 160. You can. That is, light emitted from the light emitting devices 130, 132, 134, and 135 toward the constant voltage diode 160 may be reflected by the inclined surface of the light blocking dam 201 to be emitted to the outside, thereby improving luminous efficiency. As the number of light emitting devices 130, 132, 134, and 135 increases, the shading dam 201 may be formed to reduce the amount of light attenuated by the constant voltage diode 160.

도 5 내지 도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 리드프레임과 발광소자 및 정전압 다이오드의 연결 상태를 도시한 도이다.5 to 6 are views illustrating a connection state of a lead frame, a light emitting device, and a constant voltage diode of the light emitting device package according to the embodiment.

도 5에서 도시한 실시예에 따른 발광소자 패키지는 리드프레임을 3개를 구비한다. 설명의 편의상 3개의 리드프레임 각각을 제1 리드프레임(140), 제2 리드프레임(150), 및 제3 리드프레임(155)이라고 한다. The light emitting device package according to the embodiment shown in FIG. 5 includes three lead frames. For convenience of description, each of the three lead frames is referred to as a first lead frame 140, a second lead frame 150, and a third lead frame 155.

정전압 다이오드(160)를 실장하는 제1 캐비티(170)는 제1 리드프레임(140)과 제2 리드프레임(150)이 노출되어, 정전압 다이오드(160)는 제1 리드프레임(140)과 제2 리드프레임(150)에 연결될 수 있다. The first cavity 170, in which the constant voltage diode 160 is mounted, is exposed to the first lead frame 140 and the second lead frame 150, so that the constant voltage diode 160 is formed of the first lead frame 140 and the second lead frame 140. It may be connected to the lead frame 150.

또한, 발광소자(135)를 실장하는 제2 캐비티(180)는 제1 리드프레임(140)과 제3 리드프레임(155)이 노출되어, 발광소자(135)는 제1 리드프레임(140)과 제3 리드프레임(155)에 연결될 수 있다.In addition, a first lead frame 140 and a third lead frame 155 are exposed in the second cavity 180 in which the light emitting device 135 is mounted, so that the light emitting device 135 may be connected to the first lead frame 140. It may be connected to the third leadframe 155.

또한 발광소자(130)를 실장하는 제3 캐비티(190)는 제2 리드프레임(150)과 제3 리드프레임(155)이 노출되어, 발광소자(130)는 제2 리드프레임(150)과 제3 리드프레임(155)에 연결될 수 있다. In addition, a second lead frame 150 and a third lead frame 155 are exposed in the third cavity 190 in which the light emitting device 130 is mounted, and the light emitting device 130 is formed of the second lead frame 150 and the second lead frame 150. 3 may be connected to the lead frame 155.

실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 도 6에 도시된 바와 같이 리드프레임(140, 150, 155)이 배치되어 발광소자(130, 135) 및 정전압 다이오드(160)에 외부 전원을 공급할 수 있다.In the light emitting device package 100 according to the embodiment, as shown in FIG. 6, lead frames 140, 150, and 155 may be disposed to supply external power to the light emitting devices 130, 135, and the constant voltage diode 160. .

도 5는, 제1 리드프레임(140), 및 제2 리드프레임(150)에는 (+) 또는 (-) 전압이 인가되어 발광소자(130, 135)와 정전압 다이오드(160)이 직렬로 연결된 일 실시예를 도시한 것이다. 제3 리드프레임(155)은 특별한 전압이 인가되지 않고, 제1 리드프레임(140)과 제2 리드프레임(150)을 연결하는 브릿지 역할을 할 수 있다. 이로써, 발광소자(130, 135) 및 정전압 다이오드(160)는 리드프레임(140, 150, 155)을 통하여 직렬로 연결된다. FIG. 5 illustrates that the light emitting devices 130 and 135 and the constant voltage diode 160 are connected in series by applying a positive or negative voltage to the first lead frame 140 and the second lead frame 150. An example is shown. The third lead frame 155 may serve as a bridge connecting the first lead frame 140 and the second lead frame 150 without applying a special voltage. As a result, the light emitting devices 130 and 135 and the constant voltage diode 160 are connected in series through the lead frames 140, 150 and 155.

도 6에 도시한 실시예에 따른 발광소자 패키지는 리드프레임을 2개를 구비한다. 설명의 편의상 2개의 리드프레임 각각을 제1 리드프레임(140), 제2 리드프레임(150)이라고 한다. 제1 리드프레임(140), 및 제2 리드프레임(150)에는 (+) 또는 (-) 전압이 인가되어 발광소자(130, 135)와 정전압 다이오드(160)이 병렬로 연결된 일 실시예를 도시한 것이다.The light emitting device package according to the embodiment shown in FIG. 6 includes two lead frames. For convenience of description, each of the two lead frames is referred to as a first lead frame 140 and a second lead frame 150. The first lead frame 140 and the second lead frame 150 is applied to the positive (+) or (-) voltage is shown an embodiment in which the light emitting device 130, 135 and the constant voltage diode 160 is connected in parallel It is.

정전압 다이오드(160)를 실장하는 제1 캐비티(170)와 발광소자(130)를 실장하는 제2 캐비티(180) 및 발광소자(135)를 실장하는 제3 캐비티(190)에는 제1 리드프레임(140)과 제2 리드프레임(150)이 노출되어, 정전압 다이오드(160) 및 발광소자(130, 135)는 제1 리드프레임(140)과 제2 리드프레임(150)에 연결될 수 있다. The first lead frame (170) for mounting the constant voltage diode 160, the second cavity (180) for mounting the light emitting device 130 and the third cavity (190) for mounting the light emitting device (135) The 140 and the second lead frame 150 may be exposed, such that the constant voltage diode 160 and the light emitting devices 130 and 135 may be connected to the first lead frame 140 and the second lead frame 150.

도 5 및 도 6과 같이 리드프레임이 발광소자(130, 135) 및 정전압 다이오드(160)에 연결되어, 외부전원을 발광소자(130, 135) 및 정전압 다이오드(160)에 공급할 수 있으며, 도시한 바와 같이 연결하는 경우, 정전압 다이오드(160)와 발광소자(130, 135)를 직렬 또는 병렬로 연결하여, 정전압 다이오드(160)의 기능을 수행할 수 있다.As shown in FIGS. 5 and 6, the lead frame is connected to the light emitting devices 130 and 135 and the constant voltage diode 160 to supply external power to the light emitting devices 130 and 135 and the constant voltage diode 160. When connected as described above, the constant voltage diode 160 and the light emitting devices 130 and 135 may be connected in series or in parallel to perform a function of the constant voltage diode 160.

도 7은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 회로도이다.7 is a circuit diagram of a light emitting device package according to an embodiment.

도 7은 실시예 중, 도 6과 같이 병렬 연결인 경우를 간략히 도시한 것이다. 도 7을 참조하여 설명하면, 정전압 다이오드(160)와 발광소자(130)는 리드프레임(140, 150)에 병렬로 연결되어 있다. 간략히 도시하여, 발광소자(130)는 한 개한 도시하였다. 병렬로 연결될 수 있는 발광소자는 복수개일 수 있다.FIG. 7 briefly illustrates a case where the parallel connection is performed as shown in FIG. 6 in the embodiment. Referring to FIG. 7, the constant voltage diode 160 and the light emitting device 130 are connected to the lead frames 140 and 150 in parallel. For simplicity, one light emitting device 130 is shown. There may be a plurality of light emitting devices that may be connected in parallel.

정전압 다이오드(160)와 발광소자(130)가 병렬로 연결되었을 경우, 발광소자 패키지에 순방향의 전류가 인가되는 경우, 이 전류는 리드프레임 및 와이어를 통하여 발광소자(130)에 공급됨으로써 발광소자(130)가 R, G, B등 소정의 색을 갖는 광을 조사하게 된다. 이 때, 정전압 다이오드(160)는 역방향 상태이므로, 전기적으로는 오픈(Open)상태이며, 과전압인 일정 전압이상에서는 쇼트(Short)상태로 발광소자(130)를 보호한다. 따라서 일정 범위이내의 정방향 전압을 갖는 전류가 발광소자(130)에 공급되는 상태가 유지됨으로써 발광소자(130)는 안정적으로 발광할 수 있다.When the constant voltage diode 160 and the light emitting device 130 are connected in parallel, when a forward current is applied to the light emitting device package, the current is supplied to the light emitting device 130 through the lead frame and the wires so that the light emitting device ( 130 is irradiated with light having a predetermined color such as R, G, B. At this time, since the constant voltage diode 160 is in the reverse state, the light is electrically in the open state, and the light emitting device 130 is protected in the short state above a predetermined voltage which is an overvoltage. Therefore, the light emitting device 130 can stably emit light by maintaining a state in which a current having a forward voltage within a predetermined range is supplied to the light emitting device 130.

이러한 과정 중, 정전기 등으로 인하여 역방향 전압이 인가되면, 역방향의 전압은 전기적으로 순방향인 정전압 다이오드(160)로 공급된다. 이 때 발광소자(130)는 전기적으로 오픈(Open)상태이다. 역방향으로 전압이 인가될 때에는 정전압 다이오드(160)가 쇼트(Short)상태로 전류를 바이패스(By-Pass)시켜 발광소자(130)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 정전압 다이오드(160)를 발광소자(130, 135)와 병렬로 배치하면, 순방향 및 역방향 전류로 인한 발광소자(130, 135)의 손상을 방지할 수 있다.During this process, if a reverse voltage is applied due to static electricity or the like, the reverse voltage is supplied to the constant voltage diode 160 which is electrically forward. In this case, the light emitting device 130 is electrically open. When voltage is applied in the reverse direction, the constant voltage diode 160 bypasses the current in a short state, thereby preventing the light emitting device 130 from being damaged. Therefore, when the constant voltage diode 160 is disposed in parallel with the light emitting devices 130 and 135, damage to the light emitting devices 130 and 135 due to the forward and reverse currents can be prevented.

도 8a는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 8b는 도 8a의 조명장치의 A-A' 단면을 도시한 단면도이다.FIG. 8A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 8B is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along line AA ′ of the lighting device of FIG. 8A.

이하에서는, 실시 예에 따른 조명장치(300)의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 조명장치(300)의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.Hereinafter, in order to describe the shape of the lighting apparatus 300 according to the embodiment in more detail, the longitudinal direction (Z) of the lighting apparatus 300, the horizontal direction (Y) perpendicular to the longitudinal direction (Z), and the length The height direction X perpendicular to the direction Z and the horizontal direction Y will be described.

즉, 도 8b는 도 8a의 조명장치(300)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.That is, FIG. 8B is a cross-sectional view of the lighting apparatus 300 of FIG. 8A cut in the plane of the longitudinal direction Z and the height direction X, and viewed in the horizontal direction Y. FIG.

도 8a 및 도 8b를 참조하면, 조명장치(300)는 몸체(310), 몸체(310)와 체결되는 커버(330) 및 몸체(310)의 양단에 위치하는 마감캡(350)을 포함할 수 있다.8A and 8B, the lighting device 300 may include a body 310, a cover 330 fastened to the body 310, and a closing cap 350 positioned at both ends of the body 310. have.

몸체(310)의 하부면에는 발광소자모듈(340)이 체결되며, 몸체(310)는 발광 소자(344)에서 발생된 열이 몸체(310)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.The lower surface of the body 310 is fastened to the light emitting device module 340, the body 310 is conductive and so as to emit heat generated from the light emitting device 344 to the outside through the upper surface of the body 310 It may be formed of a metal material having an excellent heat dissipation effect.

발광소자 패키지(344)는 PCB기판(342) 상에 다색, 다열로 실장될 수 있어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 PCB기판(342)으로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다.The light emitting device package 344 may be mounted on the PCB substrate 342 in multiple colors and in multiple rows to form an array. The light emitting device package 344 may be mounted at the same interval or may be mounted at various separation distances as necessary to adjust brightness. Can be. The PCB substrate 342 may be a MCPCB (Metal Core PCB) or a PCB made of FR4.

커버(330)는 몸체(310)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The cover 330 may be formed in a circular shape to surround the lower surface of the body 310, but is not limited thereto.

커버(330)는 내부의 발광소자모듈(340)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(330)는 발광소자 패키지(344)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 330 protects the light emitting device module 340 from the outside and the like. In addition, the cover 330 may include diffusing particles to prevent the glare of the light generated from the light emitting device package 344 and to uniformly emit light to the outside, and may also include at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 330. A prism pattern or the like may be formed on either side. In addition, a phosphor may be applied to at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 330.

한편, 발광소자 패키지(344)에서 발생한 광은 커버(330)를 통해 외부로 방출되므로 커버(330)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광 소자에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(330)는 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polyca rbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, since the light generated from the light emitting device package 344 is emitted to the outside through the cover 330, the cover 330 should have excellent light transmittance, and should have sufficient heat resistance to withstand the heat generated by the light emitting device. The cover 330 may be formed of a material including polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or the like.

마감캡(350)은 몸체(310)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(350)에는 전원핀(352)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(300)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.Closing cap 350 is located at both ends of the body 310 may be used for sealing the power supply (not shown). In addition, the closing cap 350 is formed with a power pin 352, the lighting device 300 according to the embodiment can be used immediately without a separate device to the terminal from which the existing fluorescent lamps are removed.

도 9는 실시예에 따른 액정표시장치의 분해 사시도이다.9 is an exploded perspective view of a liquid crystal display according to an embodiment.

도 9는 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(400)는 액정표시패널(410)과 액정표시패널(410)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(470)을 포함할 수 있다.9 is an edge-light method, and the liquid crystal display device 400 may include a liquid crystal display panel 410 and a backlight unit 470 for providing light to the liquid crystal display panel 410.

액정표시패널(410)은 백라이트 유닛(470)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(410)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(412) 및 박막 트랜지스터 기판(414)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 410 may display an image using light provided from the backlight unit 470. The liquid crystal display panel 410 may include a color filter substrate 412 and a thin film transistor substrate 414 facing each other with the liquid crystal interposed therebetween.

컬러 필터 기판(412)은 액정표시패널(410)을 통해 디스플레이 되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 412 may implement a color of an image displayed through the liquid crystal display panel 410.

박막 트랜지스터 기판(414)은 구동 필름(417)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(418)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(414)은 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 414 is electrically connected to the printed circuit board 418 on which a plurality of circuit components are mounted through the driving film 417. The thin film transistor substrate 414 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 418 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 418.

박막 트랜지스터 기판(414)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 414 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed of a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(470)은 빛을 출력하는 발광소자모듈(420), 발광소자모듈(420)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(410)로 제공하는 도광판(430), 도광판(430)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(450, 466, 464) 및 도광판(430)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(430)으로 반사시키는 반사 시트(440)로 구성된다.The backlight unit 470 may convert the light provided from the light emitting device module 420, the light emitting device module 420 into a surface light source, and provide the light guide plate 430 to the liquid crystal display panel 410. Reflective sheet reflecting the light emitted to the light guide plate 430 to the plurality of films 450, 466, 464 and the light guide plate 430 to uniform the luminance distribution of the light provided from the light source 430 and to improve vertical incidence ( 440).

발광소자 모듈(420)은 복수의 발광소자 패키지(424)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(422)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 420 may include a PCB substrate 422 such that a plurality of light emitting device packages 424 may be mounted to form an array.

한편, 백라이트유닛(470)은 도광판(430)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(410) 방향으로 확산시키는 확산필름(466)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(450)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(450)를 보호하기 위한 보호필름(464)을 포함할 수 있다.On the other hand, the backlight unit 470 is a diffusion film 466 for diffusing light incident from the light guide plate 430 toward the liquid crystal display panel 410, and a prism film 450 for condensing the diffused light to improve vertical incidence. It may be configured as), and may include a protective film 464 for protecting the prism film 450.

도 10은 실시예에 따른 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 9에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.10 is an exploded perspective view of a liquid crystal display according to an embodiment. However, the parts shown and described in FIG. 9 will not be repeatedly described in detail.

도 10은 직하 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(570)을 포함할 수 있다.10 illustrates a direct method, the liquid crystal display 500 may include a liquid crystal display panel 510 and a backlight unit 570 for providing light to the liquid crystal display panel 510.

액정표시패널(510)은 도 9에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 510 is the same as that described with reference to FIG. 9, a detailed description thereof will be omitted.

백라이트 유닛(570)은 복수의 발광소자모듈(523), 반사시트(524), 발광소자모듈(523)과 반사시트(524)가 수납되는 하부 섀시(530), 발광소자모듈(523)의 상부에 배치되는 확산판(540) 및 다수의 광학필름(560)을 포함할 수 있다.The backlight unit 570 includes a plurality of light emitting device modules 523, a reflective sheet 524, a lower chassis 530 in which the light emitting device modules 523 and the reflective sheet 524 are accommodated, and an upper portion of the light emitting device module 523. It may include a diffusion plate 540 and a plurality of optical film 560 disposed in the.

발광소자모듈(523)은 복수의 발광소자 패키지(522)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(521)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 523 may include a PCB substrate 521 so that a plurality of light emitting device packages 522 may be mounted to form an array.

반사 시트(524)는 발광소자 패키지(522)에서 발생한 빛을 액정표시패널(510)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflective sheet 524 reflects the light generated from the light emitting device package 522 in the direction in which the liquid crystal display panel 510 is positioned to improve light utilization efficiency.

한편, 발광소자모듈(523)에서 발생한 빛은 확산판(540)에 입사하며, 확산판(540)의 상부에는 광학 필름(560)이 배치된다. 광학 필름(560)은 확산 필름(566), 프리즘필름(550) 및 보호필름(564)를 포함하여 구성된다.Meanwhile, the light generated by the light emitting device module 523 is incident on the diffusion plate 540, and the optical film 560 is disposed on the diffusion plate 540. The optical film 560 includes a diffusion film 566, a prism film 550, and a protective film 564.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the invention as defined by the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention.

100, 200, 344, 424, 522 : 발광소자 패키지 110 : 몸체
120, 220 : 벽부 130, 132, 134, 135, 230, 235 : 발광소자
140, 150, 155 : 리드프레임 160 : 정전압 다이오드
170 : 제1 캐비티 180 : 제2 캐비티
190 : 제3 캐비티 215 : 받침부
270 : 격벽100, 200, 344, 424, 522: light emitting device package 110: body
120, 220: wall portion 130, 132, 134, 135, 230, 235: light emitting element
140, 150, 155: lead frame 160: constant voltage diode
170: first cavity 180: second cavity
190: third cavity 215: supporting part
270: bulkhead

Claims (19)

복수의 캐비티를 구비하는 몸체;
상기 몸체에 구비되는 리드프레임;및
상기 리드프레임과 전기적으로 연결되는 발광소자;를 포함하며,
상기 캐비티는, 정전압소자를 구비하는 제1 캐비티와 상기 발광소자를 구비하는 제2 및 제3 캐비티를 포함하는 발광소자 패키지.A body having a plurality of cavities;
Lead frame provided in the body; And
And a light emitting device electrically connected to the lead frame.
The cavity includes a first cavity having a constant voltage device and a second and third cavity having the light emitting device. 제 1항에 있어서,
상기 제1 캐비티는 상기 제2 및 제3 캐비티 중 적어도 하나와 분리되어 위치하는 발광소자 패키지. The method of claim 1,
The first cavity is a light emitting device package is located separately from at least one of the second and third cavities. 제 1항에 있어서,
상기 제1 캐비티, 제2 캐비티 또는 제3 캐비티 중 적어도 하나의 바닥면 면적이 서로 상이한 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The light emitting device package of which at least one bottom surface area of the first cavity, the second cavity, or the third cavity is different from each other. 제 3항에 있어서,
상기 제1 캐비티의 바닥면 면적은,
상기 제2 및 제3 캐비티의 바닥면 면적과 동일하거나 더 좁은 발광소자 패키지.The method of claim 3, wherein
The bottom surface area of the first cavity is
The light emitting device package of claim 2, wherein the light emitting device package is equal to or smaller than the bottom surface area of the second and third cavities. 제 1항에 있어서,
상기 제1 캐비티의 깊이는, 상기 제2 및 제3 캐비티의 깊이와 동일하거나 더 얕은 발광소자 패키지.The method of claim 1,
And a depth of the first cavity is equal to or less than that of the second and third cavities. 제 1항에 있어서,
상기 제1 캐비티, 상기 제2 캐비티 및 상기 제3 캐비티 중 적어도 하나는 경사면에 단차가 형성된 발광소자 패키지.The method of claim 1,
And at least one of the first cavity, the second cavity, and the third cavity has a step formed on an inclined surface. 제 1항에 있어서,
상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티 사이의 거리는 상기 제1 캐비티와 상기 제3 캐비티 사이의 거리와 상이한 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The light emitting device package of claim 1, wherein the distance between the first cavity and the second cavity is different from the distance between the first cavity and the third cavity. 제 1항에 있어서,
상기 정전압다이오드는, 제너다이오드 또는 에벌런치 다이오드인 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The constant voltage diode is a zener diode or a light-emitting diode package. 제 1항에 있어서,
상기 제2 및 제3 캐비티에는 상이한 형광체를 구비하는 수지물이 충진되는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The light emitting device package is filled with a resin material having different phosphors in the second and third cavities. 제 1항에 있어서,
상기 제2 및 제3 캐비티는,
상이한 바닥면 면적을 갖는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The second and third cavities,
Light emitting device package having a different bottom area. 제 1항에 있어서,
상기 제2 및 제3 캐비티는,
상이한 깊이를 갖는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The second and third cavities,
Light emitting device package having a different depth. 제 1항에 있어서,
상기 제1 캐비티의 경사면 높이는,
상기 정전압 다이오드의 높이보다 높은 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The slope height of the first cavity is
A light emitting device package higher than the height of the constant voltage diode. 제 1항에 있어서,
상기 제1 캐비티는, 상기 제2 및 제3 캐비티 사이에 위치하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The first cavity is a light emitting device package located between the second and third cavities. 제 1항에 있어서,
상기 제1 캐비티는 상기 몸체의 중앙에 위치하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The first cavity is a light emitting device package located in the center of the body. 제 1항에 있어서,
상기 제2 및 제3 캐비티 각각은,
상이한 색의 빛을 발하는 발광소자를 구비하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
Each of the second and third cavities,
A light emitting device package comprising a light emitting device for emitting light of different colors. 제 1항에 있어서,
상기 제1 캐비티, 상기 제2 캐비티 또는 상기 제3 캐비티 사이에 차광댐을 더 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The light emitting device package further comprises a light shielding dam between the first cavity, the second cavity or the third cavity. 제 16항에 있어서,
상기 차광댐은 상기 제1 캐비티의 경사면, 상기 제2 캐비티의 경사면 또는 상기 제3 캐비티의 경사면 중 적어도 하나의 경사면에 위치하는 발광소자 패키지. 17. The method of claim 16,
The light blocking dam may be disposed on at least one of the inclined surfaces of the first cavity, the inclined surface of the second cavity, and the inclined surface of the third cavity. 제 16항에 있어서,
상기 차광댐은 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 플라스틱 중 어느 하나로 이루어지는 발광소자 패키지.17. The method of claim 16,
The light blocking dam is made of any one of aluminum (Al), silver (Ag) and plastic. 제 1항 내지 제 18항 중 어느 한 항의 발광소자 패키지를 포함하는 조명 시스템.

19. An illumination system comprising the light emitting device package of any one of claims 1-18.

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