KR20120069258A - Vertical memory cell of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 매몰 비트라인(BL: Buried Bit line) 및 매몰 게이트라인(BG: Buried Gate line)을 포함하는 수직형 메모리 셀(memory cell) 구조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a vertical memory cell structure including a buried bit line (BL) and a buried gate line (BG).
반도체 소자의 집적도가 증가됨에 따라 제한된 기판 면적 내에 보다 많은 수의 트랜지스터(transitor)와 같은 단위 소자를 집적하기 위한 노력들이 많이 수행되고 있다. 디램(DRAM) 소자의 메모리 셀은 트랜지스터(transistor)와 커패시터(capacitor)를 포함하여 구성되는 데, 소자가 작아짐에 따라 트랜지스터와 비트라인을 연결하는 비트라인 연결 콘택(contact)과, 커패시터의 스토리지노드(storage node)와 트랜지스터를 연결하는 스토리지노드 연결콘택을 형성할 때, 단락성 불량(short fail)에 극심하게 취약해지고 있다. As the degree of integration of semiconductor devices increases, efforts have been made to integrate more unit devices, such as a larger number of transistors, within a limited substrate area. The memory cell of a DRAM device includes a transistor and a capacitor, and as the device becomes smaller, a bit line connection contact connecting a transistor and a bit line and a storage node of the capacitor When forming a storage node connection contact that connects a storage node and a transistor, it is extremely vulnerable to short fail.
기판 표면에 형성된 평판형 트랜지스터(planar type transistor)와 비트라인을 연결하기 위해서 형성되는 비트라인 연결콘택은, 게이트들 사이를 수직하게 지나게 형성되고, 스토리지노드 연결콘택은 비트라인들 사이를 수직하게 지나게 형성되므로, 이러한 연결콘택을 형성하는 공정 중에 연결콘택과 게이트 또는 연결콘택과 비트라인이 단락되는 불량이 유발되거나 또는 연결콘택이 트랜지스터가 형성된 반도체 기판에 접촉되지 못하는 불량도 유발될 수 있다.The bit line connection contact formed to connect the planar type transistor and the bit line formed on the substrate surface is formed to pass vertically between the gates, and the storage node connection contact passes vertically between the bit lines. Since the connection contact is formed, a defect in which the connection contact and the gate or the connection contact and the bit line are shorted may be caused during the process of forming the connection contact, or a defect in which the connection contact does not contact the semiconductor substrate on which the transistor is formed may be caused.
본 발명은 반도체 기판 내에 형성되는 트랜지스터와 비트라인 또는 트랜지스터와 커패시터를 연결할 때 연결 불량이 발생되는 것을 억제할 수 있는 반도체 소자의 메모리 셀 구조를 제시하고자 한다. An object of the present invention is to provide a memory cell structure of a semiconductor device capable of suppressing occurrence of a connection failure when connecting a transistor and a bit line formed in a semiconductor substrate or a transistor and a capacitor.
본 발명의 일 관점에 따르면, 반도체 기판에 돌출된 활성 기둥; 상기 활성 기둥의 제1측면 상에 위치하는 매몰 게이트(gate); 상기 게이트에 교차되게 연장되고 상기 제1측면에 교차되는 상기 활성 기둥의 제2측면 상에 위치하는 매몰 비트라인(bit line); 상기 활성 기둥의 제1측면의 하단부에 형성된 제1정션(junction); 상기 제1정션에 대응되게 상기 활성 기둥의 제1측면의 상단부에 형성된 제2정션; 상기 제1정션과 상기 매몰 비트라인을 연결하게 상기 매몰 비트라인의 측면으로부터 상기 제1측면의 하단부 상으로 연장되어 상기 게이트의 하측에 중첩되게 위치하는 매몰 비트라인 콘택(contact); 및 상기 제2정션에 직접 연결되게 상기 활성 기둥 상단부에 연결되는 커패시터의 스토리지노드(storage node)를 포함하는 반도체 소자의 메모리 셀을 제시한다. According to one aspect of the invention, the active pillar protruding from the semiconductor substrate; An embedded gate located on the first side of the active pillar; A buried bit line extending on the second side of the active pillar extending to intersect the gate and intersecting the first side; A first junction formed at a lower end of the first side of the active pillar; A second junction formed at an upper end of the first side surface of the active pillar to correspond to the first junction; An embedded bit line contact extending from a side of the embedded bit line to a lower end of the first side to overlap the first junction and the embedded bit line and overlapping a lower side of the gate; And a storage node of a capacitor connected to an upper end of the active pillar to be directly connected to the second junction.
본 발명에 따르면, 수직형 메모리 셀을 포함하는 반도체 소자의 구조를 제시할 수 있어, 수직한 활성 영역의 측면으로 게이트 및 비트라인이 구비되고, 게이트 측면에 수직 방향으로 트랜지스터의 채널(channel)이 구비되게 할 수 있다. 연결콘택의 도입없이 커패시터의 스토리지노드가 활성 영역에 직접 접촉할 수 있어, 수직한 연결콘택의 도입이 생략될 수 있으며, 수직한 연결콘택의 형성 시 유발될 수 있는 단락 불량이나 콘택홀(contact hole) 미오픈(not open) 불량을 억제할 수 있다. 메모리 셀이 수직 구조로 구현되므로, 30㎚ 급 또는 그 이하의 디자인 룰(desing rule)의 반도체 소자를 구현할 때 발생될 수 있는 공정 마진(margin) 부족을 극복할 수 있다. 스토리지노드와의 연결을 위한 콘택홀 형성 및 콘택 형성 과정이 생략될 수 있어, 이에 요구되는 마스크(mask) 형성 과정을 생략할 수 있어, 전체 공정 단계의 감축을 구현할 수 있다. According to the present invention, a structure of a semiconductor device including a vertical memory cell can be provided, and a gate and a bit line are provided on the side of the vertical active region, and a channel of the transistor is perpendicular to the gate side. Can be provided. The storage node of the capacitor can directly contact the active area without the introduction of a connection contact, so that the introduction of a vertical connection contact can be omitted, and a short-circuit defect or contact hole that can be caused when a vertical connection contact is formed. ) It can suppress not open defects. Since the memory cell is implemented in a vertical structure, a lack of process margin that may occur when implementing a semiconductor device having a design rule of 30 nm or less may be overcome. The process of forming a contact hole and forming a contact for connecting to the storage node may be omitted, and thus, a mask forming process required for the connection may be omitted, thereby reducing overall process steps.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 수직형 메모리 셀 구조를 보여주는 도면들이다.1 to 4 are diagrams illustrating a vertical memory cell structure of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 메모리 셀은, 반도체 기판(100) 상에 돌출된 활성 기둥(active pillar: 110)의 제1측면(111)에 수직 방향으로 트랜지스터가 구성된다. 활성 기둥(110)은, 도 2의 평면도 및 도 3의 사시도에 제시된 바와 같이, 반도체 기판(100)에 대해 수직하게 돌출되는 기둥 형상으로 배치되고, 이때, 활성 기둥(110)들은 반도체 기판(110)에 상호 교차하게 형성되는 제1트렌치(121) 및 제2트렌치(123)에 의해 상호 격리되게 형성된다. Referring to FIG. 1, a memory cell of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a transistor in a direction perpendicular to a
도 2 및 도 3을 도 1과 함께 참조하면, 제1트렌치(121)는 반도체 기판(100)에 매몰 게이트(210)가 라인(line) 형상으로 연장되는 방향인 Y축 방향으로 연장되게 형성될 수 있고, 제2트렌치(123)는 반도체 기판(100)에 매몰 비트라인(230)가 연장되는 방향인 X축 방향으로 연장되게 형성될 수 있다. 매몰 게이트(210)와 매몰 비트라인(230)이 상호 수직하게 교차되게 배치되므로, 활성 기둥(110)들은 매몰 게이트(210)와 매몰 비트라인(230)이 교차되는 지점에 위치하게 배치된다. 활성 기둥(110)의 선폭 크기(size)가 최소 선폭 크기인 1F로 주어질 때, 활성 기둥(110)들의 배치는 4F2 셀 배열을 따르게 된다. 2 and 3 together with FIG. 1, the
매몰 게이트(210)는 활성 기둥(110)의 제1측면(111) 상에 중첩되게 배치되고, 매몰 게이트(210)에 수직하게 교차되는 매몰 비트라인(230)은 활성 기둥(110)의 제2측면(113) 상에 중첩되게 배치된다. 이때, 활성 기둥(110)은 제1 및 제2트렌치들(121, 123)이 상호 수직하게 교차되게 형성됨에 따라, 사각 기둥 형상으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 활성 기둥(110)의 제1측면(111)과 제2측면(113)은 상호 교차되는 방향으로 각각 면방향을 가지게 된다. 매몰 게이트(210)는 제1트렌치(121) 내에 매몰되는 형상으로 배치되고, 매몰 비트라인(230)은 제2트렌치(123) 내에 매몰되는 형상으로 배치되므로, 매몰 게이트(210) 및 매몰 비트라인(230)은 반도체 기판(100) 내에 매립된 형상으로 매몰되게 된다. The buried
도 1을 다시 참조하면, 매몰 게이트(210)는 활성 기둥(110)의 제1측면(111) 상에 위치하게 형성되고, 이때, 활성 기둥(110)의 제1측면(111)과의 계면에 절연 라이너(liner: 211)가 도입되어, 활성 기둥(110)과 매몰 게이트(210)가 전기적으로 격리되게 한다. 매몰 게이트(210)에 중첩되는 절연 라이너(211) 부분은 트랜지스터의 게이트 유전층으로 이용될 수 있으므로, 열산화에 의한 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하여 형성될 수 있다. Referring back to FIG. 1, the buried
매몰 게이트(210)는 활성 기둥(110)의 중간 부분에 측면으로 중첩되게 형성되며, 활성 기둥(110)의 하단부에는 트랜지스터의 드레인(drain)으로 이용될 제1정션(junction: 213)이 형성된다. 제1정션(213)은 활성 기둥(110)의 하단부의 제1측면(111)의 일부를 여는 오프닝(opening: 214)을 절연 라이너(211)에 형성하고, 오프닝을 통해 인(P) 또는 비소(As)와 같은 불순물을 도핑(doping)함으로써 형성될 수 있다. 이때, 제1정션(213)은 제1측면(111)에만 형성되고, 제1측면(111)에 반대되는 반대 측면에는 형성되지 않게 편측 정션으로 형성한다. 이러한 제1정션(213)은 바디 플로팅(body floating) 구조를 배제하기 위해서, 반대 측면에까지 연장되지 않은 프로파일(profile)을 가지게 형성된다. The buried
매몰 게이트(210)를 중심으로 제1정션(213)에 대응되는 활성 기둥(110)의 상단부의 제1측면(111) 부분에 소스(source)로 이용될 제2정션(215)이 불순물 도핑에 의해 형성될 수 있다. 매몰 게이트(210)를 중심으로 활성 기둥(110)의 하단부에 제1정션(213) 및 상단부에 제2정션(215)이 배치되므로, 제1정션(213)과 제2정션(215) 사이의 제1측면(111) 부분, 즉, 매몰 게이트(210)에 중첩되는 제1측면(111) 아래 부분에 트랜지스터의 채널(channel: 101)이 설정되게 된다. 이때, 제1정션(213)과 제2정션(215)이 모두 활성 기둥(110)의 제1측면(111) 부분에 형성되므로, 채널(101)과 정션들(213, 215)이, 도 4에 제시된 바와 같이, 동일한 제1측면(111) 아래에 수직하게 배치되게 된다. 따라서, 채널(101)이 매몰 게이트(210)에 측방향으로 정확하게 중첩되고, 매몰 게이트(210)가 연장되는 Y축 방향에 대해 수직한 방향으로 채널(101)의 경로(path) 방향이 도 4의 화살표와 같이 형성되게 된다. 따라서, 매몰 게이트(210)에 쓰기 또는 읽기를 위한 온-오프(on-off) 동작 전압(V)이 인가될 때, 채널(101)에 인가되는 전계의 분포가 보다 균일해질 수 있어, 채널(101)의 효율적인 형성이 가능하다. A
이와 같이 채널(101)의 경로 방향이 Y축 방향에 대해 수직하게 형성되도록 제1정션(213)을 제1측면(111)에 형성함에 따라, 제1정션(213)이 제2측면(113) 상에 중첩되게 연장되는 매몰 비트라인(230)과 전기적으로 직접 연결되기는 어렵다. 매몰 비트라인(230)과 제1정션(213)이 직접 연결되기 위해서는, 제1정션(213)이 제3측면(113)에 형성되어야 하는 데, 이러한 경우 채널(101)의 경로 방향은 Y축이나 X축에 수직하지 않고, 일정 각도 경사진 방향으로 기울어지게 된다. 이에 따라, 채널(101)을 온-오프하기 위해 매몰 게이트(210)에 전압을 인가할 때, 채널(101)에 인가되는 전계의 분포는 균일하지 못하고, 이에 따라 채널(101)의 경로가 효율적으로 형성되기 어렵고, 또한, 채널(101)의 경로의 길이를 균일하게 형성 또는 유지하기 어렵다. 이는 트랜지스터의 동작 신뢰성을 저하시키는 요인으로 작용할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 채널(101)의 경로 방향이 Y축인 매몰 게이트(210)의 연장 방향에 대해 수직하게 형성되므로, 경로 길이를 보다 균일하게 형성 및 유지할 수 있어, 트랜지스터의 동작 신뢰성을 개선할 수 있다. As such, the
이러한 제1정션(213)과 제2트렌치(도2의 123)의 바닥 부분을 채우게 형성되는 매몰 비트라인(230)을 연결하기 위해서, 매몰 비트라인(230)의 측면으로부터 연장되어 매몰 게이트(210)의 하측에 중첩되게 위치하는 매몰 비트라인 콘택(contact: 235)를 형성한다. 매몰 비트라인 콘택(235)은 매몰 비트라인(230)과 대등한 높이 수준으로 형성되며, 매몰 비트라인(230)을 형성하는 증착 및 식각 과정에서 함께 형성되거나, 또는 매몰 비트라인(230)을 형성하기 이전에 형성할 수 있다. In order to connect the buried
제1트렌치(121)만 우선적으로 형성한 후, 제1트렌치(121)의 바닥 부분에 매몰 비트라인 콘택(235)을 위한 도전층, 예컨대, 폴리실리콘층을 채우고, 연후에 제2트렌치(123)를 형성함으로써, 매몰 비트라인 콘택(235)이 제2트렌치(123)에 의해 노드분리(node separation)되게 할 수 있다. 이에 따라, 매몰 비트라인 콘택(235)이 제1정션(213)에 연결된 형상으로 제1트렌치(121) 바닥 부분에 위치하게 형성될 수 있다. 이후에, 제2트렌치(123)의 바닥 부분을 채우게 매몰 비트라인(230)을 도전성 폴리실리콘 또는 텅스텐(W) 등의 금속층을 포함하게 형성함으로써, 매몰 비트라인 콘택(235)과 매몰 비트라인(230)이 전기적으로 연결되게 할 수 있다. 이때, 절연 라이너(211)는 매몰 비트라인(230) 및 매몰 비트라인 콘택(235)과 활성 기둥(110)이 절연되게 그 사이로 연장되거나 또는 다른 절연층의 증착하여 절연 라이너(211)와 연결되게 할 수 있다. After first forming only the
도 1 및 도 4를 다시 참조하면, 매몰 게이트(210)와 하측에 교차되게 위치하는 매몰 비트라인(230) 또는 매몰 비트라인 콘택(235)과의 절연을 위해서, 매몰 게이트(210)와의 계면에 제1층간 절연층(251)이 형성된다. 또한, 매몰 게이트(210)가 매립하는 제2층간 절연층(255)을 매몰 게이트(210)를 덮고 제1트렌치(121) 및 제2트렌치(123)을 채우게 형성한다. 또한, 매몰 게이트(210) 및 매몰 비트라인 콘택(235)이 이웃하는 다른 활성 기둥(110)들과 절연되게 하는 필드 절연층(257)이 또한 제1 및 제2트렌치(121, 123)을 채우게 형성될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 4 again, in order to insulate the buried
활성 기둥(110)의 상단부에 형성되는 제2정션(215)에 직접적으로 연결되게 커패시터의 스토리지노드(300)가 형성된다. 스토리지노드(300)는 기둥 형상이나 또는 실린더(cylinder) 형상으로 형성될 수 있으며, 활성 기둥(110)의 상단부 상측면에 직접적으로 바닥이 접촉되게 형성된다. 이에 따라, 스토리지노드(300)와 활성 기둥(110)의 제2정션(215)는 중간의 연결 콘택의 도입없이 직접적으로 접합될 수 있다. 이에 따라, 공정 단순화가 구현될 수 있다. 한편, 스토리지노드(300)는 바닥이 활성 기둥(110)과 제2층간 절연층(255) 상에 걸쳐지게 배치될 수 있다. 또한, 스토리지노드(300)에 정렬되게 제2정션(215)이 불순물 도핑으로 형성될 수 있다. 제2정션(215)이 활성 기둥(110)의 제1측면(111)에 위치하게 함으로써, 채널(101)의 경로 방향이 수직 방향이 되게 유도할 수 있다. 활성 기둥(110) 상에 스토리지노드(300)가 정확하게 정렬되게 형성될 경우, 채널의 형성에 불량이 유발될 수 있어, 셀 특성을 확보하기 어려울 수 있다. 즉, 제2정션(215)의 프로파일 바닥이 제1측면(111)의 반대측 측면에 까지 연장되어 채널(101)이 제1측면(111)의 표면 아래에서 형성되기 어려워질 수 있으며, 이에 따라, 셀 트랜지스터의 동작 특성이 열화될 수 있다. The
스토리지노드(300) 상에 유전층 및 플레이트노드(plate node: 도시되지 않음)을 형성하여 셀 커패시터를 형성함으로써, 커패시터 및 수직형 트랜지스터를 포함하는 수직형 메모리 셀 구조가 구현될 수 있다. By forming a dielectric layer and a plate node (not shown) on the
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예는 반도체 소자가 30㎚ 수준 이하로 작아지면서 심각한 극복해야할 문제로 나타나는 공정 마진 부족에 의한 단락이나 콘택홀 미오픈(not open)과 같은 자기정렬콘택(SAC) 형성시의 불량을 억제할 수 있다. 등을 대체할 셀구조라 할 수 있다. 스토리지노드 콘택을 생략함으로써, 공정 및 포토마스크(photo mask) 수를 줄일 수 있다. As described above, the embodiment of the present invention forms a self-aligned contact (SAC) such as short-circuit or not-open contact hole due to lack of process margin, which is a serious problem to overcome as the semiconductor device becomes smaller than 30 nm level. Poor defects can be suppressed. It can be said that the cell structure to replace. By omitting the storage node contacts, the number of processes and photo masks can be reduced.
100...반도체 기판 110...활성 기둥
210...매몰 게이트 230...매몰 비트라인
235...매몰 비트라인 콘택 300...스토리지노드.100 ...
210 ... burying
235 ... buried
Claims (4)
상기 활성 기둥의 제1측면 상에 위치하는 매몰 게이트(gate);
상기 게이트에 교차되게 연장되고 상기 제1측면에 교차되는 상기 활성 기둥의 제2측면 상에 위치하는 매몰 비트라인(bit line);
상기 활성 기둥의 제1측면의 하단부에 형성된 제1정션(junction);
상기 제1정션에 대응되게 상기 활성 기둥의 제1측면의 상단부에 형성된 제2정션;
상기 제1정션과 상기 매몰 비트라인을 연결하게 상기 매몰 비트라인의 측면으로부터 상기 제1측면의 하단부 상으로 연장되어 상기 게이트의 하측에 중첩되게 위치하는 매몰 비트라인 콘택(contact); 및
상기 제2정션에 직접 연결되게 상기 활성 기둥 상단부에 연결되는 커패시터의 스토리지노드(storage node)를 포함하는 반도체 소자의 메모리 셀.
An active pillar protruding from the semiconductor substrate;
An embedded gate located on the first side of the active pillar;
A buried bit line extending on the second side of the active pillar extending to intersect the gate and intersecting the first side;
A first junction formed at a lower end of the first side of the active pillar;
A second junction formed at an upper end of the first side surface of the active pillar to correspond to the first junction;
An embedded bit line contact extending from a side of the embedded bit line to a lower end of the first side to overlap the first junction and the embedded bit line and overlapping a lower side of the gate; And
And a storage node of a capacitor connected to an upper end of the active pillar to be directly connected to the second junction.
상기 매몰 게이트와 상기 매몰 비트라인 콘택 사이에 위치하게 매립되어 상호 절연하는 제1층간 절연층; 및
상기 매몰 게이트를 매립하여 상기 게이트와 상기 커패시터의 스토리지노드를 상호 절연하는 제2층간 절연층을 더 포함하는 반도체 소자의 메모리 셀.
The method of claim 1,
A first interlayer insulating layer buried between the buried gate and the buried bit line contact to insulate each other; And
And a second interlayer insulating layer filling the buried gate to insulate the gate and the storage node of the capacitor from each other.
상기 커패시터의 스토리지노드는
바닥이 상기 활성 기둥의 상단부의 상측면과 인접한 상기 제2층간 절연층의 상측면에 걸쳐지게 위치하는 반도체 소자의 메모리 셀.
The method of claim 1,
The storage node of the capacitor
A memory cell of a semiconductor device, the bottom of which is located over the upper surface of the second interlayer insulating layer adjacent to the upper surface of the upper end of the active pillar.
상기 활성 기둥에 이웃하게 돌출된 다른 활성 기둥과 상기 게이트 사이에 매립되어 상기 활성 기둥을 격리하는 필드(field) 절연층을 더 포함하는 반도체 소자의 메모리 셀.
The method of claim 1,
And a field insulating layer buried between the other active pillars protruding adjacent to the active pillars and the gate to isolate the active pillars.
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9754944B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-09-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
WO2019022944A1 (en) * | 2017-07-27 | 2019-01-31 | Micron Technology, Inc. | Memory cells which include transistors having gap channel material |
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WO2020101715A1 (en) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays comprising memory cells |
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US11201207B2 (en) | 2017-01-09 | 2021-12-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming an array of capacitors, methods of forming an array of memory cells individually comprising a capacitor and a transistor, arrays of capacitors, and arrays of memory cells individually comprising a capacitor and a transistor |
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9754944B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-09-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US11201207B2 (en) | 2017-01-09 | 2021-12-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming an array of capacitors, methods of forming an array of memory cells individually comprising a capacitor and a transistor, arrays of capacitors, and arrays of memory cells individually comprising a capacitor and a transistor |
USRE49715E1 (en) | 2017-05-08 | 2023-10-24 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays |
US10607995B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-03-31 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays |
US11374007B2 (en) | 2017-05-08 | 2022-06-28 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays |
US10825815B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-11-03 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays |
US11043499B2 (en) | 2017-07-27 | 2021-06-22 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays comprising memory cells |
US11631678B2 (en) | 2017-07-27 | 2023-04-18 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays comprising memory cells |
WO2019022944A1 (en) * | 2017-07-27 | 2019-01-31 | Micron Technology, Inc. | Memory cells which include transistors having gap channel material |
US11145656B2 (en) | 2018-04-27 | 2021-10-12 | Micron Technology, Inc. | Transistors, arrays of transistors, arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor, and methods of forming an array of transistors |
US11545492B2 (en) | 2018-04-27 | 2023-01-03 | Micron Technology, Inc. | Transistors, arrays of transistors, arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor, and methods of forming an array of transistors |
WO2020101715A1 (en) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays comprising memory cells |
US10950618B2 (en) | 2018-11-29 | 2021-03-16 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays |
US11404440B2 (en) | 2018-11-29 | 2022-08-02 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays |
US11864386B2 (en) | 2018-11-29 | 2024-01-02 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays |
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