KR20120048769A - 휴대폰용 유리의 연삭 가공 방법 - Google Patents

휴대폰용 유리의 연삭 가공 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전착 다이아몬드 숫돌을 사용한 휴대폰용 유리의 연삭시에, 숫돌 수명이 길고, 가공 능률이 높으며, 연삭면에서의 균열 발생이 없고, 연삭면의 표면거칠기가 양호한 휴대폰용 유리의 연삭 가공 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 숫돌 본체의 연삭부 표면에 피착된 니켈 도금층에 다이아몬드 입자가 결합되어 있는 전착 숫돌에 있어서, 상기 니켈 도금층의 표면에 니켈 도금층 보다도 내마모성 및 비점착성이 우수한 도금층을 피착 함에 의해 2층의 전착층으로 형성되며, 니켈 도금층의 표면에 피착되는 도금층으로는 Ni-P 합금을 전기 도금법에 의해 25?30㎛의 두께로 형성시키고, 니켈 도금층의 상층을 이루는 Ni-P 도금층은, 전기 도금 개시 초기의 9?10분간 평균 전류 밀도를 12?13A/dm2의 범위로 하고, 후기의 평균 전류 밀도를 4?5A/dm2의 범위에서 도금한 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌 속도 1100?1200m/min, 재료제거율 70?130(mm3/min?mm), 테이블 이송속도 7?13m/min, 연삭 깊이 9?11μm의 범위에서 연삭 가공하는 방법을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전착 다이아몬드 숫돌을 사용한 휴대폰용 유리의 연삭시에 숫돌 수명이 길고, 가공 능률이 높으며, 연삭면에서의 균열 발생이 없고, 연삭면의 표면거칠기가 양호하게 된다.
전착다이아몬드 숫돌, 휴대폰용 유리, 니켈, Ni-P 합금, 전기 도금, 공구 수명

Description

휴대폰용 유리의 연삭 가공 방법{Grinding method for the glass of mobile phone}
본 발명은 전착 다이아몬드 숫돌을 사용한 휴대폰용 유리의 연삭 시에, 전착 다이아몬드 숫돌의 수명이 길고, 가공 능률이 높으며, 연삭면의 균열 발생이 없고, 연삭면의 표면거칠기가 양호한 휴대폰용 유리의 연삭 가공 방법에 관한 것이다.
피삭재인 휴대폰용 유리는 휴대폰을 구성하는 중요 부품으로, 최근에 휴대폰의 사용량이 극히 많아 다량의 휴대폰용 유리가 제조되고 있다. 이 휴대폰용 유리는 경도 및 취성이 매우 높은 특성을 가지고 있으므로, 전착 숫돌의 입자로써 CBN 등의 고경도 입자를 사용하더라도 마멸에 의한 공구 수명이 매우 짧기 때문에 경도가 가장 높은 다이아몬드 입자가 전착숫돌의 구성 재료로 주로 사용되어 왔으며, 다이아몬드 입자를 지지하기 위한 도금층의 형성을 위하여, 니켈을 1층만 전기 도금하는 방식을 주로 채택하여 왔다.
다이아몬드 전착 숫돌을 사용하여 휴대폰용 유리 재료를 연삭할 때, 휴대폰용 유리의 경도가 매우 높기 때문에 다이아몬드 입자의 마멸과 동시에 니켈 도금층도 피삭재에 접촉됨에 의해 단시간에 심하게 마멸되며, 절삭칩이 경질의 분말로 되 어 있기 때문에 도금층의 이러한 마멸 현상이 다른 재료의 연삭에 비해 현저히 나타나게 된다. 니켈 도금층이 마멸되면, 다이아몬드 입자를 지지하고 있는 도금층의 두께가 얇아져서 다이아몬드 입자를 지지하는 니켈 도금층의 지지력이 약해지게 된다. 따라서 다이아몬드 입자가 도금층으로부터 탈락하게 되며, 종래의 전착 다이아몬드 숫돌은 다이아몬드 입자가 1층으로 되어 있기 때문에 다이아몬드 입자의 탈락은 공구 수명을 현저하게 저하시키는 문제가 있었다.
종래의 휴대폰용 유리 연삭용 다이아몬드 전착 숫돌은 상기한 바와 같이, 본드층이 1개층으로 니켈 도금된 것이며, 경도가 낮기 때문에 본드층의 마멸이 상당히 빠르고, 다이아몬드 입자의 탈락이 큰 문제로 되어 왔다. 또한, 니켈 도금은 비점착성이 낮기 때문에 절삭칩이 본드층의 표면에 부착되기 쉽고, 연삭성이 나쁜 문제가 있었다.
종래에, 전착다이아몬드 숫돌을 사용하여 유리와 같이 경도와 취성이 높은 재료를 연삭하는 경우에 연삭저항이 상당히 크다는 것과, 전착 다이아몬드 숫돌을 사용한 경취 재료의 연삭에서 상기의 높은 연삭저항에 의해 다이아몬드 입자의 탈락이 현저히 발생하고 있는 것은 공지의 사실이다. 또한, 휴대폰용 유리와 같이 경도와 취성이 높은 재료의 연삭에서 다이아몬드 입자의 탈락이 전착 숫돌의 수명에 현저한 영향을 미친다는 것도 공지의 사실이다.
이러한 다이아몬드 입자의 탈락을 억제하기 위한 수단으로 일본특허공보 제 소63-72466호와 같이 숫돌 본체의 연삭부 표면에 전착 도금법에 의한 니켈 도금 및 화학 도금법에 의한 Ni-P 합금 도금을 교대로 행하여 4개 층 이상의 다층의 도금층 을 형성한 후에 열처리를 실시하는 방법, 일본특허공보 제 평8-22507호와 같이 숫돌 본체의 연삭부 표면에 전착 도금법에 의한 니켈 도금 및 화학 도금법에 의한 Ni-P 합금 도금을 교대로 행하여 4개 다층의 도금층을 형성시키고 열처리를 실시하는 방법, 일본특허공보 제 평8-309666호와 같이 숫돌 본체의 연삭부 표면에 전착 도금법에 의한 니켈 도금을 행하고, 화학 도금법에 의한 Ni-P 합금 도금층을 중간층으로 두고, 그 위에 전착 도금법에 의한 니켈 도금을 행함에 의해 3개 층으로 도금층을 형성시키고 열처리를 실시하는 방법이 제안되어 있다. 그러나 이러한 방법들은 다이아몬드 입자의 결합력 향상에는 효과가 있으나, 도금 공정이 매우 복잡하고 열처리를 추가적으로 행하여야 하기 때문에 제조 비용이 너무 높아서 실용화에는 많은 문제가 있었다.
또한, 전착 다이아몬드 숫돌을 사용한 휴대폰용 유리의 연삭 시에, 연삭 조건이 적절하지 않음에 따라서 전착 다이아몬드 숫돌의 수명이 짧아지고, 피삭재인 유리에 균열이 발생하며, 표면 거칠기가 나쁜 문제가 있었으나, 유리의 연삭 가공에 대한 종래의 연구가 그다지 없어서 적절한 연삭 조건을 도출하는 것이 매우 어려웠다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 전착 다이아몬드 숫돌을 사용한 휴대폰용 유리의 연삭 시에, 숫돌 수명이 길고, 가공 능률이 높으며, 연삭면에서의 균열 발생이 없고, 연삭면의 표면거칠기가 양호한 휴대폰용 유리의 연삭 가공 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 휴대폰용 유리의 연삭 가공 방법은, 숫돌 본체의 표면에 피착된 니켈 도금층에 다이아몬드 입자가 결합되어 있는 전착 숫돌에 있어서, 상기 니켈 도금층의 표면에 니켈 도금층 보다도 내마모성 및 비점착성이 우수한 도금층을 피착시킴에 의해 2층의 전착층으로 형성된 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서 사용되는 전착 다이아몬드 숫돌은, 하층인 니켈 도금층의 표면에 피착되는 도금층으로는 Ni-P 합금을 전기 도금법에 의해 25?30㎛의 두께로 형성시키고, 니켈 도금층의 상층을 이루는 Ni-P 도금층은, 전기 도금 개시 초기의 9?10분간의 평균 전류 밀도를 12?13A/dm2의 범위로 하고, 그 이후는 전기 도금의 종료시 까지 평균 전류 밀도를 4?5A/dm2의 범위에서 도금한 것을 특징으로 한다.
니켈 도금층의 표면에 Ni-P 도금층을 전기 도금법으로 형성하는 때에, 전기 도금 개시로부터 9?10분 동안의 평균 전류 밀도를 12?13A/dm2의 범위로 하여, 니켈 도금층과 접하는 Ni-P 합금 도금층의 P함량을 낮추어서 하층인 니켈 도금층과의 밀착성을 좋도록 하며, Ni-P 합금 도금의 후기는 평균 전류 밀도를 4?5A/dm2의 범위에서 도금하여 Ni-P 도금층 중에서 전착 숫돌 표면부 및 표면부와 가까운 부분의 P함량을 높여서 경도를 높게 함에 의해 표층부의 내마멸성을 향상시킨다.
니켈 도금층의 표면에, 니켈 도금에 비하여 경도가 높고, 내마멸성이 우수한 Ni-P 도금층이 피착되므로, 휴대폰용 유리의 연삭시에 도금층의 조기 마멸이 방지되고, 그 결과 다이아몬드 입자의 조기 탈락이 방지되어 공구수명이 증가된다. 또한, 니켈 도금층의 표면에 피착된 Ni-P 도금층은 니켈 도금층이 비하여 절삭칩에 대한 비점착성이 우수하기 때문에, 절삭칩이 다이아몬드 입자간의 표면에 부착하기 어렵게 되어 연삭성이 향상된다.
본 발명에서 사용되는 전착 다이아몬드 숫돌의 도금층은 2층으로 형성되고, 2층의 도금 모두 전기 도금에 의해 행해지며, 열처리가 필요 없기 때문에 공정이 간단하며 제조비가 저렴하고, 하층인 니켈 도금층과 상층인 Ni-P 도금층과의 밀착성이 높아서, 하층부와 상층부의 박리가 발생하지 않는다.
또한, 하층인 니켈 도금층의 표면에 피착되는 도금층으로는 Ni-P 합금을 전기 도금법에 의해 25?30㎛의 두께로 형성시키고, 니켈 도금층의 상층을 이루는 Ni-P 도금층은, 전기 도금 개시 초기의 9?10분간의 평균 전류 밀도를 12?13A/dm2의 범위로 하고, 그 이후는 전기 도금의 종료시 까지 평균 전류 밀도를 4?5A/dm2의 범위에서 도금한 전착 다이아몬드 숫돌을 사용한 본 발명의 연삭 조건은, 숫돌속도 1100?1200m/min, 재료제거율 70?130(mm3/min?mm), 테이블 이송속도 7?13m/min, 연삭 깊이 9?11μm의 범위이다. 숫돌속도가 1250m/min 이상이면 연삭열이 증가하여 숫돌 수명이 짧아지고, 숫돌 속도가 1050m/min 이하이면 연삭 저항이 커져서 숫돌 수명이 짧아지므로 숫돌 속도는 1100?1200m/min의 범위로 한다. 재료제거율이 131(mm3/min?mm) 보다 커지면 연삭 저항이 증가하여 숫돌 수명이 짧아지고, 69(mm3/min?mm) 이하이면 가공 능률이 낮기 때문에 재료제거율은 70?130(mm3/min?mm)의 범위로 한다.
이상에서 서술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 전착 다이아몬드 숫돌을 사용한 휴대폰용 유리의 연삭시에, 숫돌 수명이 길고, 가공 능률이 높으며, 연삭면에서의 균열이 방지되고, 표면거칠기가 양호하게 된다.
본 발명에서 사용되는 전착 다이아몬드 숫돌의 구성은, 숫돌 본체의 표면에 피착된 니켈 도금층에 다이아몬드 입자가 결합되어 있는 전착 숫돌에 있어서, 상기 니켈 도금층의 표면에 니켈 도금층 보다도 내마모성 및 비점착성이 우수한 도금층을 피착시킴에 의해 2층의 전착층으로 형성되도록 하고, 하층인 니켈 도금층의 표면에 피착되는 도금층으로는 Ni-P 합금을 전기 도금법에 의해 25?30㎛의 두께로 형성시키고, 니켈 도금층의 상층을 이루는 Ni-P 도금층은, 전기 도금 개시 초기의 9?10분간의 평균 전류 밀도를 12?13A/dm2의 범위로 하여 도금하고, 그 이후는 전기 도금의 종료시까지 평균 전류 밀도를 4?5A/dm2의 범위에서 도금한 것을 특징으로 한다.
니켈 도금층의 표면에 Ni-P 도금층을 전기 도금법으로 형성하는 때에, 전기 도금 개시로부터 9?10분 동안의 평균 전류 밀도를 12?13A/dm2의 범위로 하여, 니켈 도금층과 접하는 Ni-P 합금 도금층의 P함량을 낮추어서 하층인 니켈 도금층과의 밀착성을 좋도록 하며, Ni-P 합금 도금의 후기는 평균 전류 밀도를 4?5A/dm2의 범위에서 도금하여 Ni-P 도금층 중에서 전착 숫돌 표면부 및 표면부와 가까운 부분의 P함량을 높여서 경도를 높게 함에 의해 표층부의 내마멸성을 향상시킨다.
니켈 도금층의 표면에, 니켈 도금에 비하여 경도가 높고, 내마멸성이 우수한 Ni-P 도금층이 피착되므로, 휴대폰용 유리의 연삭시에 도금층의 조기 마멸이 방지되고, 그 결과 다이아몬드 입자의 조기 탈락이 방지되어 공구수명이 증가된다. 또한, 니켈 도금층의 표면에 피착된 Ni-P 도금층은 니켈 도금층이 비하여 절삭칩에 대한 비점착성이 우수하기 때문에, 절삭칩이 다이아몬드 입자간의 표면에 부착하기 어렵게 되어 연삭성이 향상된다.
본 발명에서 사용되는 전착 다이아몬드 숫돌의 도금층은 2층으로 형성되고, 2층의 도금 모두 전기 도금에 의해 행해지며, 열처리가 필요 없기 때문에 공정이 간단하며 제조비가 저렴하고, 하층인 니켈 도금층과 상층인 Ni-P 도금층과의 밀착성이 높아서, 하층부와 상층부의 박리가 발생하지 않는다.
또한, 하층인 니켈 도금층의 표면에 피착되는 도금층으로는 Ni-P 합금을 전기 도금법에 의해 25?30㎛의 두께로 형성시키고, 니켈 도금층의 상층을 이루는 Ni-P 도금층은, 전기 도금 개시 초기의 9?10분간의 평균 전류 밀도를 12?13A/dm2 의 범위로 하고, 그 이후는 전기 도금의 종료시 까지 평균 전류 밀도를 4?5A/dm2의 범위로 도금한다. 상기한 전착 다이아몬드 숫돌을 사용한 본 발명의 연삭 조건은, 숫돌 속도 1100?1200m/min, 재료제거율 70?130(mm3/min?mm), 테이블 이송속도 7?13m/min, 연삭 깊이 9?11μm의 범위이다.
표 1은 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1?비교예 4의 전착조건을 보인다. 실시예 1 및 실시예 2는 금속으로 된 숫돌의 본체 표면에 전기도금법에 의하여 평균 전류밀도를 2.0A/dm2로 하여 3시간 통전하여 니켈 도금층을 100㎛의 두께로 형성시킨 후에, 상기 니켈 도금층의 표면에 Ni-P 합금을 전기도금 하였으며, 전기 도금액의 조성으로는, NiSO4?6H2O 260g/ℓ, NiCl2?6H2O 60g/ℓ, 아인산 10g/ℓ를 사용하여, 도금액의 온도를 65℃, 도금초기의 PH는 1.3으로 하며, 각반을 행하지 않고 전기 도금 개시 초기의 10분 동안에 평균 전류 밀도를 13A/dm2로 하여 전류를 가하였으며, 그 이후는 전기 도금의 종료시 까지 평균 전류 밀도를 4.5A/dm2로 낮추어 25분간 통전함에 의해 합계 26㎛ 두께의 Ni-P합금의 전기 도금 피막을 형성시켰다. 다이아몬드 입자는 파쇄율이 28.2 (wt％) 및 37.9 (wt％)인 2종류를 사용하였고, 다이아몬드 입자의 크기는 ＃80이다. 숫돌 입자의 파쇄율은 입자 크기를 균일하게 한 후에 진동밀 장치에 4분간 넣어둔 후의 중량 ％를 측정한 것이다. 비교예 1 및 비교예 2는 하층의 니켈 도금은 실시예 1 및 실시예 2와 동일하게 하였으나, 비교 예 1은 상층부인 Ni-P 합금을 도금할 때는 초기의 10분 동안의 평균 전류 밀도를 3A/dm2로 하고, 후기의 평균 전류 밀도를 8A/dm2로 한 것이다. 또한, 비교예 2는 상층부인 Ni-P 합금의 도금에서 초기와 후기의 구분 없이 35분 동안의 평균 전류 밀도를 7A/dm2로 일정하게 유지하였다. 비교예 3 및 비교예 4는 휴대폰용 유리 연삭용의 통상적인 전착 다이아몬드 숫돌로서 단층의 니켈 도금층으로 형성되어 있으며, 비교예 3과 비교예 4는 다이아몬드 입자의 파쇄율을 달리한 것 이외의 다른 모든 조건은 동일하며, 평균 전류 밀도를 2.5A/dm2로 하여 3.6시간 통전함에 의하여 단일층의 도금을 실시하였다.
표 1에서 Ni 전기 도금층의 빅커스 경도는 120이나 Ni-P 합금의 전기 도금층 경도는 모든 조건에서 2배 이상이 됨을 알 수 있다. 상층부에 Ni-P 합금을 도금한 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1 및 비교예 2에서의 도금층의 경도를 비교하면 실시예 1과 실시예 2의 빅커스 경도가 290으로 가장 높기 때문에, 내마멸성이 가장 높다.
또한, 실시예 1과 실시예 2의 다이아몬드 탈락율은 0％를 보이므로, 비교예 3 및 비교예 4에서 보이는 종래의 전착 다이아몬드숫돌에 비해 현저히 향상됨을 나타내었다.
Figure 112010503694765-PAT00001
표 2는 표 1의 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1?비교예 4의 전착 다이몬드 숫돌을 사용하여서, 숫돌속도와 재료 제거율을 달리하여 휴대폰용 유리를 연삭한 경우의 숫돌수명, 연삭초기의 연삭면에서의 연삭 길이 30mm당 0.1mm 이상의 균열 개수, 연삭면의 표면거칠기를 나타낸다.
피삭재로는 가로 3.5cm, 세로 6cm, 두께 1mm의 크기를 가지는 휴대폰용 유리를 사용하였으며, 사용된 휴대폰용 유리는 누프 경도 180kgf/mm, 인장강도는 210kgf/cm2이다. 연삭방식은 상향 플런지 연삭이며, 숫돌원주속도는 800, 1150 및 1500m/min으로 변경하였으며, 숫돌연삭깊이는 10 및 20μm으로 변경하였고, 테이블 이송속도는 8, 12m/min로 변경하였으며, 절삭액은 KS W2 절삭유를 사용하였다. 또한, 다이아몬드 입자의 탈락율은 연삭 개시 30분 후와 연삭 개시 3시간 후의 다이아몬드 입자의 탈락 개수를 비교한 것으로, 광학 현미경으로 전착 다이아몬드 숫돌의 마멸면을 관찰하고 다이아몬드 입자의 탈락 상태를 관찰하였다.
Figure 112010503694765-PAT00002
표 2에서 보이는 바와 같이, 니켈 도금층의 표면에 니켈 도금층 보다도 내마모성 및 비점착성이 우수한 도금층을 피착함에 의해 2층의 전착층으로 형성되며, 니켈 도금층의 표면에 피착되는 도금층으로는 Ni-P 합금을 전기 도금법에 의해 25?30㎛의 두께로 형성시키고, 니켈 도금층의 상층을 이루는 Ni-P 도금층은, 전기 도금 개시 초기의 9?10분간 평균 전류 밀도를 12?13A/dm2의 범위로 하고, 후기의 평균 전류 밀도를 4?5A/dm2의 범위에서 도금한 전착 다이아몬드 숫돌은 우수한 성능을 발휘한다.
도 1은 본 발명의 전착 숫돌의 단면도.
도 2는 실시예 1의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1150m/min), 재료 제거율 120(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 전착 다이아몬드 입자의 마모상태를 보이는 현미경 사진
도 3은 실시예 1의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1150m/min), 재료 제거율 120(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 전착 다이아몬드 입자의 마모상태를 보이는 것으로 도 2를 더욱 확대한 현미경 사진
도 4는 실시예 2의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1150m/min), 재료 제거율 120(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 전착 다이아몬드 입자의 마모상태를 보이는 현미경 사진
도 5는 실시예 1의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1150m/min), 재료 제거율 120(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 전착 다이아몬드 입자의 마모상태를 보이는 것으로 도 4를 더욱 확대한 현미경 사진
도 6은 비교예 1의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1500m/min), 재료 제거율 80(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 전착 다이아몬드 입자의 마모 상태를 보이는 현미경 사진
도 7은 비교예 1의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1150m/min), 재료 제거율 120(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 전착 다이아몬드 입자의 마모상태를 보이는 것으로 도 6을 더욱 확대한 현미경 사진
도 8은 비교예 2의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1500m/min), 재료 제거율 80(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 전착 다이아몬드 입자의 마모 상태를 보이는 현미경 사진
도 9는 비교예 2의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1150m/min), 재료 제거율 120(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 전착 다이아몬드 입자의 마모상태를 보이는 것으로 도 8을 더욱 확대한 현미경 사진
도 10은 비교예 3의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1150m/min), 재료제거율 120(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 전착 다이아몬드 입자의 마모 상태를 보이는 현미경 사진
도 11은 실시예 1의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1150m/min), 재료 제거율 80(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 연삭면의 상태를 보이는 현미경 사진
도 12는 실시예 1의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1150m/min), 재료 제거율 120(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 연삭면의 상태를 보이는 현미경 사진
도 13은 실시예 2의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1500m/min), 재료 제거율 80(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 연삭면의 상태를 보이는 현미경 사진
도 14는 실시예 2의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1150m/min), 재료 제거율 120(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 연삭면의 상태를 보이는 현미경 사진
도 15는 비교예 1의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1150m/min), 재료 제거율 120(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 연삭면의 상태를 보이는 현미경 사진
도 16은 비교예 2의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1150m/min), 재료 제거율 120(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 연삭면의 상태를 보이는 현미경 사진
도 17은 비교예 3의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1150m/min), 재료 제거율 80(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 연삭면의 상태를 보이는 현미경 사진
도 18은 비교예 3의 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도(1500m/min), 재료 제거율 80(mm3/min?mm)에서 연삭한 경우의 연삭면의 상태를 보 이는 현미경 사진.
[부호의 설명]
1 : 전착 다이아몬드 숫돌
2 : 다이아몬드 입자
3 : 니켈 도금층
4 : Ni-P합금 도금층
5 : 숫돌 본체

Claims (1)

  1. 숫돌 본체의 연삭부 표면에 피착된 니켈 도금층에 다이아몬드 입자가 결합되어 있는 전착 숫돌에 있어서, 상기 니켈 도금층의 표면에 니켈 도금층 보다도 내마모성 및 비점착성이 우수한 도금층을 피착 함에 의해 2층의 전착층으로 형성되며, 니켈 도금층의 표면에 피착되는 도금층으로는 Ni-P 합금을 전기 도금법에 의해 25?30㎛의 두께로 형성시키고, 니켈 도금층의 상층을 이루는 Ni-P 도금층은, 전기 도금 개시 초기의 9?10분간 평균 전류 밀도를 12?13A/dm2의 범위로 하고, 후기의 평균 전류 밀도를 4?5A/dm2의 범위에서 도금한 전착 다이아몬드 숫돌을 사용하여, 숫돌속도 1100?1200m/min, 재료제거율 70?130(mm3/min?mm), 테이블 이송속도 7?13m/min, 연삭 깊이 9?11μm의 범위에서 연삭 가공하는 방법.
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