KR20120045866A - 레이저 결정화 시스템 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법 - Google Patents

레이저 결정화 시스템 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법 Download PDF

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Abstract

활성층의 특성을 향상하고 활성층을 용이하게 형성하도록 본 발명은 비정질 반도체층이 형성된 적어도 제1, 2, 3 표시 영역이 제1 방향으로 순차적으로 배열되는 원장 기판, 상기 원장 기판을 지지하고 상기 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 이동하는 스테이지, 상기 제1, 2, 3 표시 영역 중 일 표시 영역의 상기 제1 방향의 변의 폭보다 크거나 같은 폭을 갖는 제1 레이저 빔을 조사하는 제1 레이저 조사부 및 상기 제1 레이저 조사부와 이격되고 상기 제1, 2, 3 표시 영역 중 일 표시 영역의 상기 제1 방향의 변의 폭보다 크거나 같은 폭 갖는 제2 레이저 빔을 조사하는 제2 레이저 조사부를 포함하고, 상기 제1 레이저 빔은 제1 표시 영역의 상기 제1 방향의 변의 폭에 대응하고, 상기 제2 레이저 빔은 상기 제3 표시 영역의 상기 제1 방향으로 변의 폭에 대응하는 레이저 결정화 시스템 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법을 제공한다.

Description

레이저 결정화 시스템 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법{Laser crystallization system and method of manufacturing display apparatus using the same}
본 발명은 레이저 결정화 시스템 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 활성층의 특성을 향상하고 활성층을 용이하게 형성하는 레이저 결정화 시스템 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 표시 장치 중에서도 유기 발광 표시 장치 및 액정 표시 장치는 자발광형 표시 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가져서 차세대 디스플레이 장치로 주목받고 있다.
이러한 표시 장치는 활성층을 포함하는데, 통상적으로 활성층은 비정질 반도체층을 형성하고 나서 결정화 공정을 진행한 후 패터닝하여 형성된다. 결정화 공정은 다양한 방법을 이용하여 수행할 수 있는데 주로 레이저를 이용하여 진행하는 경우가 많다.
한편 표시 장치는 공정 편의를 위하여 원장 기판에 복수의 표시 영역을 형성하고, 각 표시 영역마다 최종적으로 표시 장치를 형성하게 된다. 최근 제조 효율성 및 대량 표시 장치 요구에 따라 원장 기판의 크기가 커지고 있다.
그러나 대형 원장 기판에 형성된 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하는 공정이 용이하지 않아 원하는 특성의 활성층을 형성하는데 한계가 있다.
본 발명은 활성층의 특성을 향상하고 활성층을 용이하게 형성하는 레이저 결정화 시스템 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 비정질 반도체층이 형성된 적어도 제1, 2, 3 표시 영역이 제1 방향으로 순차적으로 배열되는 원장 기판, 상기 원장 기판을 지지하고 상기 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 이동하는 스테이지, 상기 제1, 2, 3 표시 영역 중 일 표시 영역의 상기 제1 방향의 변의 폭보다 크거나 같은 폭을 갖는 제1 레이저 빔을 조사하는 제1 레이저 조사부 및 상기 제1 레이저 조사부와 이격되고 상기 제1, 2, 3 표시 영역 중 일 표시 영역의 상기 제1 방향의 변의 폭보다 크거나 같은 폭 갖는 제2 레이저 빔을 조사하는 제2 레이저 조사부를 포함하고, 상기 제1 레이저 빔은 제1 표시 영역의 상기 제1 방향의 변의 폭에 대응하고, 상기 제2 레이저 빔은 상기 제3 표시 영역의 상기 제1 방향으로 변의 폭에 대응하는 레이저 결정화 시스템을 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 제1 레이저 조사부는 제1 셔터부를 구비하고, 상기 제2 레이저 조사부는 제2 셔터부를 구비하고, 상기 제1 레이저 빔은 상기 제1 셔터부에 의하여 폭이 제어되고, 상기 제2 레이저 빔은 상기 제2 셔터부에 의하여 폭이 제어될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 레이저 조사부 및 상기 제2 레이저 조사부는 고정된 채 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 구동하면서 상기 비정질 반도체층을 결정화할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 원장 기판은 제8 세대 기판으로서 일 방향의 폭이 2500 밀리미터, 다른 일 방향의 폭이 2200 밀리미터일 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 원장 기판은 제8 세대 기판으로서 상기 제1 방향의 폭이 2200 밀리미터, 상기 제2 방향의 폭이 2500 밀리미터이고, 상기 각 표시 영역은 55인치 크기의 표시 장치를 형성하기 위한 크기를 가질 수 있다.
본 발명에 있어서 제4, 5 및 6 표시 영역을 더 포함하고, 상기 제4 표시 영역은 상기 제1 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제5 표시 영역은 상기 제2 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제6 표시 영역은 상기 제3 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 원장 기판은 제8 세대 기판으로서 상기 제1 방향의 폭이 2500 밀리미터, 상기 제2 방향의 폭이 2200 밀리미터이고, 상기 각 표시 영역은 46인치 크기의 표시 장치를 형성하기 위한 크기를 가질 수 있다.
본 발명에 있어서 제4, 5, 6, 7 및 8 표시 영역을 더 포함하고, 상기 제4 표시 영역은 제3 표시 영역의 상기 제1 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제5 표시 영역은 상기 제1 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제6 표시 영역은 상기 제2 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제7 표시 영역은 상기 제3 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제8 표시 영역은 상기 제4 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 레이저 조사부 및 상기 제2 레이저 조사부가 이격된 공간은 일정하게 유지되면서 복수의 결정화 공정을 진행할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 비정질 반도체층이 형성된 적어도 제1, 2, 3 표시 영역이 제1 방향으로 순차적으로 배열된 원장 기판을 준비하는 단계, 상기 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 이동하는 스테이지상에 상기 원장 기판을 배치하는 단계, 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서, 상기 원장 기판 상부에 배치된 제1 레이저 조사부로부터 조사되고 상기 제1 표시 영역의 상기 제1 방향의 변의 폭에 대응하는 제1 레이저 빔 및 상기 원장 기판 상부에 상기 제1 레이저 조사부와 이격되도록 배치되는 제2 레이저 조사부로부터 조사되고 상기 제3 표시 영역의 상기 제1 방향의 변의 폭에 대응하는 제2 레이저 빔을 조사하여, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제3 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하여 활성층을 형성하는 단계 및 상기 활성층 상부에 표시 소자를 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법을 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 제1 레이저 빔은 상기 제1 레이저 조사부에 구비된 제1 셔터부에 의하여 그 폭이 제어되고, 상기 제2 레이저 빔은 상기 제2 레이저 조사부에 구비된 제2 셔터부에 의하여 폭이 제어될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 비정질 반도체층을 결정화하는 단계는 상기 제1 레이저 조사부 및 상기 제2 레이저 조사부는 고정하고 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서 진행할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 표시 영역 및 상기 제3 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화한 후에 상기 스테이지를 상기 제1 방향으로 이동하여 상기 제1 레이저 빔 또는 상기 제2 레이저 빔이 상기 제2 표시 영역에 대응되도록 한후에 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제2 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 원장 기판은 제8 세대 기판으로서 일 방향의 폭이 2500 밀리미터, 다른 일 방향의 폭이 2200 밀리미터일 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 원장 기판은 제8 세대 기판으로서 상기 제1 방향의 폭이 2200 밀리미터, 상기 제2 방향의 폭이 2500 밀리미터이고, 상기 각 표시 영역은 55인치 크기의 표시 장치를 제조하기 위한 크기를 갖도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 제4, 5 및 6 표시 영역을 더 포함하고, 상기 제4 표시 영역은 상기 제1 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제5 표시 영역은 상기 제2 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제6 표시 영역은 상기 제3 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제3 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하고 나서 연속적으로 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제4 표시 영역 및 상기 제6 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 표시 영역, 제3 표시 영역, 제4 표시 영역 및 제6 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화한 후에 상기 스테이지를 상기 제1 방향으로 이동하여 상기 제1 레이저 빔 또는 상기 제2 레이저 빔이 상기 제2 표시 영역에 대응되도록 한 후에 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제2 표시 영역을 결정화하고, 상기 스테이지를 연속적으로 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제5 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 원장 기판은 제8 세대 기판으로서 상기 제1 방향의 폭이 2500 밀리미터, 상기 제2 방향의 폭이 2200 밀리미터이고, 상기 각 표시 영역은 46인치 크기의 표시 장치를 제조하기 위한 크기를 갖도록 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 제4, 5, 6, 7 및 8 표시 영역을 더 포함하고, 상기 제4 표시 영역은 제3 표시 영역의 상기 제1 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제5 표시 영역은 상기 제1 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제6 표시 영역은 상기 제2 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제7 표시 영역은 상기 제3 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제8 표시 영역은 상기 제4 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제3 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하고 나서 연속적으로 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제5 표시 영역 및 상기 제7 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 표시 영역, 제3 표시 영역, 제5 표시 영역 및 제7 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화한 후에, 상기 스테이지를 상기 제1 방향으로 이동하여 상기 제1 레이저 빔이 상기 제2 표시 영역에 대응되고 상기 제2 레이저 빔이 상기 제4 표시 영역에 대응되도록 한 후에, 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제2 표시 영역 및 상기 제4 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하고, 상기 스테이지를 연속적으로 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제6 표시 영역 및 상기 제8 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 레이저 조사부 및 상기 제2 레이저 조사부가 이격된 공간은 일정하게 유지되면서 복수의 결정화 공정을 진행할 수 있다.
본 발명에 관한 레이저 결정화 시스템 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법 은 활성층의 특성을 향상하고 활성층을 용이하게 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 레이저 결정화 시스템 및 이를 이용하여 원장 기판을 결정화하는 것을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 평면도이다.
도 3은 도 1의 레이저 결정화 시스템을 이용하여 다른 원장 기판을 결정화하는 것을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 도 1의 레이저 결정화 시스템을 이용하여 결정화를 진행한 후에 최종적으로 제조된 표시 장치용 원장 패널을 도시하는 개략적인 사시도이다.
도 5는 도 4의 A선을 따라 절취한 단면도이다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 레이저 결정화 시스템 및 이를 이용하여 원장 기판을 결정화하는 것을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면 레이저 결정화 시스템(1000)은 결정화를 진행하기 위한 원장 기판(101), 스테이지(1100), 제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)를 포함한다.
스테이지(1100)는 제1 방향(도 1의 X 방향) 및 제2 방향(도 1의 Y 방향)으로 구동되도록 구동부(미도시)를 구비한다.
스테이지(1100)상부에는 원장 기판(101)이 배치된다. 원장 기판(101)은 1회의 공정으로 55인치 크기의 표시 장치를 6개 제조하는 제8 세대형 크기를 갖는다. 구체적으로 원장 기판(101)의 제1 방향의 폭(L)은 2200 밀리미터, 제2 방향의 폭(W)은 2500 밀리미터이다.
원장 기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 원장 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재질로 형성할 수도 있다. 이 때 기판(101)을 형성하는 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
원장 기판(101)은 복수의 표시 영역(102a, 102b, 102c, 102d, 102e, 102f)을 구비한다. 도시하지 않았으나 복수의 표시 영역(102a, 102b, 102c, 102d, 102e, 102f)에는 비정질 반도체층이 형성되어 있다. 구체적으로 비정질 반도체층은 비정질 실리콘을 함유할 수 있다.
복수의 표시 영역(102a, 102b, 102c, 102d, 102e, 102f)은 추후 공정을 진행하여 형성될 복수의 표시 장치에 대응된다. 즉 추후 공정을 진행하여 최종적으로 형성되는 복수의 표시 장치들 각각은 복수의 표시 영역(102a, 102b, 102c, 102d, 102e, 102f)중 일 표시 영역을 구비한다. 또한 각 표시 장치는 복수의 표시 영역(102a, 102b, 102c, 102d, 102e, 102f)들간의 이격된 공간(D1, D2, D3, D4)에 추후 형성되는 회로부(미도시)를 포함하게 된다. 또한 각 표시 장치는 공간(D1, D2, D3, D4)의 소정의 영역을 절단하여 분할된다.
공정의 조건을 참조하여 공간 (D1, D2, D3, D4)의 폭을 각각 결정할 수 있다.
복수의 표시 영역(102a, 102b, 102c, 102d, 102e, 102f)은 각각 제1 표시 영역(102a), 제2 표시 영역(102b), 제3 표시 영역(102c), 제4 표시 영역(102d), 제5 표시 영역(102e) 및 제6 표시 영역(102f)으로 정의된다.
원장 기판(101)의 상부에 제1 방향으로 제1 표시 영역(102a), 제2 표시 영역(102b) 및 제3 표시 영역(102c)이 차례로 배열된다. 원장 기판(101)의 하부에 제1 방향으로 제4 표시 영역(102d), 제5 표시 영역(102e) 및 제6 표시 영역(102f)이 차례로 배열된다. 제1 표시 영역(102a) 및 제4 표시 영역(102d)은 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 제2 표시 영역(102b) 및 제5 표시 영역(102e)은 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 제3 표시 영역(102c) 및 제6 표시 영역(102f)은 제2 방향으로 나란하게 배치된다.
제1, 2, 3, 4, 5, 6 표시 영역(102a, 102b, 102c, 102d, 102e, 102f)은 동일한 형태와 크기를 갖는다. 제1, 2, 3, 4, 5, 6 표시 영역(102a, 102b, 102c, 102d, 102e, 102f)들 각각은 55인치의 표시 장치에 대응하는 형태와 크기를 갖는다.
예를 들면 제1 표시 영역(102a)의 제1 방향의 폭은 703 밀리미터이고, 제2 방향의 폭은 1232.8 밀리미터일 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 제1 표시 영역(102a)의 주변에 형성될 회로 영역의 설계 조건에 따라 위의 폭의 값은 약간의 차이가 날 수 있다.
제2, 3, 4, 5, 6 표시 영역(102b, 102c, 102d, 102e, 102f)도 제1 표시 영역(102a)과 같은 크기를 갖도록 형성됨은 물론이다.
원장 기판(101)상부에는 제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)가 배치된다. 제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)는 일정한 간격(G)으로 이격되어 있다. 제1 레이저 조사부(1210)는 제1 셔터부(1211)를 구비하고, 제2 레이저 조사부(1220)는 제2 셔터부(1221)를 구비한다.
제1 레이저 조사부(1210)로부터 제1 표시 영역(102a)을 향하도록 제1 레이저 빔(1215)이 조사된다. 제1 레이저 빔(1215)은 제1 방향으로 폭(P1)을 갖는다. 제1 레이저 빔(1215)은 제1 셔터부(1211)에 의하여 폭(S1)이 줄어들어 결과적으로 폭(P1)을 갖는다. 즉 제1 레이저 조사부(1210)에서 생성할 수 있는 빔의 최대폭은 (S1+P1)이다. 빔의 최대폭(S1+P1)은 740 밀리미터 내외이다.
또한 제1 셔터부(1211)가 차단할 수 있는 폭(S1)의 크기는 다양하게 제어될 수 있다. 또한 도 2에는 제1 셔터부(1211)에 의하여 우측 부분의 폭이 줄어든 제1 레이저 빔(1215)을 도시하고 있으나 제1 셔터부(1211)에 의하여 좌측 부분의 폭이 줄어든 제1 레이저 빔(1215)을 형성할 수 있음은 물론이다.
제2 레이저 조사부(1220)로부터 제3 표시 영역(102c)을 향하도록 제2 레이저 빔(1225)이 조사된다. 제2 레이저 빔(1225)은 제1 방향으로 폭(P2)을 갖는다. 제2 레이저 빔(1225)은 제2 셔터부(1221)에 의하여 폭(S2)이 줄어들어 결과적으로 폭(P2)을 갖는다. 즉 제2 레이저 조사부(1220)에서 생성할 수 있는 빔의 최대폭은 (S2+P2)이다. 빔의 최대폭(S2+P2)은 740 밀리미터 내외이다.
또한 제2 셔터부(1221)가 차단할 수 있는 폭(S2)의 크기는 다양하게 제어될 수 있다. 또한 도 2에는 제2 셔터부(1221)에 의하여 좌측 부분의 폭이 줄어든 제2 레이저 빔(1225)을 도시하고 있으나 제2 셔터부(1221)에 의하여 우측 부분의 폭이 줄어든 제2 레이저 빔(1225)을 형성할 수 있음은 물론이다.
제1 레이저 빔(1215)의 폭(P1)은 제1 표시 영역(102a)의 제1 방향의 폭 이상이다. 예를들면 제1 레이저 빔(1215)의 폭(P1)은 703 밀리미터 이상이다.
또한 제1 레이저 빔(1215)이 제1 표시 영역(102a)의 제1 방향의 폭 전체와 중첩되도록 제1 레이저 조사부(1210)를 제어한다.
제2 레이저 빔(1225)의 폭(P2)은 제3 표시 영역(102c)의 제1 방향의 폭 이상이다. 예를들면 제2 레이저 빔(1225)의 폭(P2)은 703 밀리미터 이상이다.
또한 제2 레이저 빔(1225)이 제3 표시 영역(102c)의 제1 방향의 폭 전체와 중첩되도록 제2 레이저 조사부(1220)를 제어한다.
제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)는 간격(G)을 갖고 이격된다. 간격(G)은 대략적으로 650 밀리미터 내외가 되도록 한다.
간격(G) 및 제1, 2 차단부(1211, 1221)에 의하여 제1 표시 영역(102a)과 제3 표시 영역(102c)사이에 배치된 제2 표시 영역(102b)에는 제1 레이저 빔(1215) 및 제2 레이저 빔(1225)이 조사되지 않는다.
제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)가 고정된 채로 스테이지(1100)를 스캔 방향(S), 즉 제2 방향으로 이동한다. 이를 통하여 제1 레이저 빔(1215)은 제1 표시 영역(102a) 및 제4 표시 영역(102d)에 형성된 비정질 반도체층을 순차적으로 결정화한다. 또한 제1 레이저 빔(1215)과 동시에 조사되는 제2 레이저 빔(1225)은 제3 표시 영역(102c) 및 제6 표시 영역(102f)에 형성된 반도체층을 순차적을 결정화한다. 즉 스테이지(1100)가 이동되면서 먼저 제1 표시 영역(102a) 및 제3 표시 영역(102c)에서 동시에 결정화 공정이 진행되고, 그 후에 제4 표시 영역(102d) 및 제6 표시 영역(102f)에서 동시에 결정화 공정이 진행된다.
결정화 공정이 진행되지 않은 제2 표시 영역(102b) 및 제5 표시 영역(102e)은 스테이지(1100)를 제1 방향으로 이동한 후에 제1 레이저 빔(1215) 또는 제2 레이저 빔(1225)을 제2 표시 영역(102b)에 대응되도록 정렬한 후에 스테이지(1100)를 스캔 방향(S)으로 이동하면서 결정화 공정을 진행하게 된다. 이 때 제1 레이저 빔(1215) 및 제2 레이저 빔(1225) 중 제2 표시 영역(102b)에 대응되지 않는 빔은 셔터부를 이용하여 모두 차단하는 것이 바람직하다.
도 3은 도 1의 레이저 결정화 시스템을 이용하여 다른 원장 기판을 결정화하는 것을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3을 참조하면 레이저 결정화 시스템(1000)은 도 1의 레이저 결정화 시스템(1000)과 동일하다. 단 제1 셔터부(1211) 및 제2 셔터부(1221)가 도 1 및 도 2와 다르게 작동한다. 즉 도 3에서 제1 셔터부(1211)에 의하여 줄어든 빔의 폭(S1)의 크기, 제2 셔터부(1221)에 의하여 줄어든 빔의 폭(S2)의 크기 및 위치가 도 1 및 도 2와 상이하다.
스테이지(1100)상부에는 원장 기판(101)이 배치된다. 원장 기판(101)은 1회의 공정으로 46인치 크기의 표시 장치를 8개 제조하는 8 세대형 크기로서 도 1 및 도 2에 도시한 원장 기판(101)과 동일한 크기를 갖는다. 구체적으로 원장 기판(101)은 도 1 및 도 2의 원장 기판(101)을 회전시킨 형태로서 제1 방향의 폭(W)은 2500 밀리미터, 제2 방향의 폭(L)은 2200 밀리미터이다.
원장 기판(101)은 복수의 표시 영역(103a, 103b, 103c, 103d, 103e, 103f, 103g, 103h)을 구비한다. 도시하지 않았으나 복수의 표시 영역(103a, 103b, 103c, 103d, 103e, 103f, 103g, 103h)에는 비정질 반도체층이 형성되어 있다. 구체적으로 비정질 반도체층은 비정질 실리콘을 함유할 수 있다.
복수의 표시 영역(103a, 103b, 103c, 103d, 103e, 103f, 103g, 103h)은 추후 공정을 진행하여 형성될 복수의 표시 장치에 대응된다. 즉 추후 공정을 진행하여 최종적으로 형성되는 복수의 표시 장치들 각각은 복수의 표시 영역(103a, 103b, 103c, 103d, 103e, 103f, 103g, 103h)중 일 표시 영역을 구비한다. 또한 각 표시 장치는 복수의 표시 영역(103a, 103b, 103c, 103d, 103e, 103f, 103g, 103h)들간의 이격된 공간(E1, E2, E3, E4, E5)에 추후 형성되는 회로부(미도시)를 포함하게 된다. 또한 각 표시 장치는 공간(E1, E2, E3, E4, E5)의 소정의 영역을 절단하여 분할된다. 공정의 조건을 참조하여 공간 (E1, E2, E3, E4, E5)의 폭을 각각 결정할 수 있다.
복수의 표시 영역(103a, 103b, 103c, 103d, 103e, 103f, 103g, 103h)은 각각 제1 표시 영역(103a), 제2 표시 영역(103b), 제3 표시 영역(103c), 제4 표시 영역(103d), 제5 표시 영역(103e), 제6 표시 영역(103f), 제7 표시 영역(103g) 및 제8 표시 영역(103h)으로 정의된다.
원장 기판(101)의 상부에 제1 방향으로 제1 표시 영역(103a), 제2 표시 영역(103b), 제3 표시 영역(103c) 및 제4 표시 영역(103d)이 차례로 배열된다. 원장 기판(101)의 하부에 제1 방향으로 제5 표시 영역(103e), 제6 표시 영역(103f), 제7 표시 영역(103g) 및 제8 표시 영역(103h)이 차례로 배열된다. 제1 표시 영역(103a) 및 제5 표시 영역(103e)은 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 제2 표시 영역(103b) 및 제6 표시 영역(103f)은 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 제3 표시 영역(103c) 및 제7 표시 영역(103g)은 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 제4 표시 영역(103d) 및 제8 표시 영역(103h)은 제2 방향으로 나란하게 배치된다.
제1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 및 8 표시 영역(103a, 103b, 103c, 103d, 103e, 103f, 103g, 103h)은 동일한 형태와 크기를 갖고, 각각의 표시 영역은 46인치의 표시 장치에 대응하는 형태와 크기를 갖는다.
예를들면 제1 표시 영역(103a)의 제1 방향의 폭은 591.3 밀리미터이고, 제2 방향의 폭은 1041.35 밀리미터일 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 제1 표시 영역(103a)의 주변에 형성될 회로 영역의 설계 조건에 따라 위의 폭의 값은 약간의 차이가 날 수 있다.
제2, 3, 4, 5, 6, 7 및 8 표시 영역(103b, 103c, 103d, 103e, 103f, 103g, 103h)도 제1 표시 영역(103a)과 같은 크기를 갖도록 형성됨은 물론이다.
원장 기판(101)상부에는 제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)가 배치된다. 제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)는 일정한 간격(G)으로 이격되어 있다. 즉 도 1에서와 같은 간격(G)으로 제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)는 이격되어 있다. 예를들면 간격(G)은 전술한대로 대략적으로 650 밀리미터 내외가 되도록 한다.
제1 레이저 조사부(1210)로부터 제1 표시 영역(103a)을 향하도록 제1 레이저 빔(1215)이 조사된다. 제1 레이저 빔(1215)은 제1 방향으로 폭(P1)을 갖는다. 제1 레이저 빔(1215)은 제1 셔터부(1211)에 의하여 폭(S1)이 줄어들어 결과적으로 폭(P1)을 갖는다. 제1 레이저 빔(1215)의 폭(P1)은 도 1 및 도 2에 도시한 제1 레이저 빔(1215)의 폭(P1)보다는 작다. 즉 제1 셔터부(1211)에 의하여 줄어든 폭(S1)은 도 1 및 도 2에 도시한 폭(S1)보다 크다.
제1 레이저 조사부(1210)에서 생성할 수 있는 빔의 최대폭은 (S1+P1)이고 도 1 및 도 2에서의 경우와 동일하다. 구체적으로 빔의 최대폭인 (S1+P1)은 740 밀리미터 내외이다.
또한 제1 셔터부(1211)가 차단할 수 있는 폭(S1)의 크기는 다양하게 제어될 수 있다. 도 3에는 제1 셔터부(1211)에 의하여 우측 부분의 폭이 줄어든 제1 레이저 빔(1215)을 도시하고 있으나 제1 셔터부(1211)에 의하여 좌측 부분의 폭이 줄어든 제1 레이저 빔(1215)을 형성할 수 있음은 물론이다.
제2 레이저 조사부(1220)로부터 제3 표시 영역(103c)을 향하도록 제2 레이저 빔(1225)이 조사된다. 제2 레이저 빔(1225)은 제1 방향으로 폭(P2)을 갖는다. 제2 레이저 빔(1225)은 제2 셔터부(1221)에 의하여 폭(S2)이 줄어들어 결과적으로 폭(P2)을 갖는다. 제2 레이저 빔(1225)의 폭(P2)은 도 1 및 도 2에 도시한 제2 레이저 빔(1225)의 폭(P2)보다는 작다. 즉 제2 셔터부(1221)에 의하여 줄어든 폭(S2)은 도 1 및 도 2에 도시한 폭(S2)보다 크다.
제2 레이저 조사부(1220)에서 생성할 수 있는 빔의 최대폭은 (S2+P2)이고 도 1 및 도 2에서의 경우와 동일하다. 구체적으로 빔의 최대폭인 (S1+P1)은 740 밀리미터 내외이다.
또한 제2 셔터부(1221)가 차단할 수 있는 폭(S2)의 크기는 다양하게 제어될 수 있다. 도 3에는 제2 셔터부(1221)에 의하여 우측 부분의 폭이 줄어든 제2 레이저 빔(1225)을 도시하고 있으나 제2 셔터부(1221)에 의하여 좌측 부분의 폭이 줄어든 제2 레이저 빔(1225)을 형성할 수 있음은 물론이다.
제1 레이저 빔(1215)의 폭(P1)은 제1 표시 영역(103a)의 제1 방향의 폭 이상이다. 예를들면 제1 레이저 빔(1215)의 폭(P1)은 591.3 밀리미터 이상이다.
또한 제1 레이저 빔(1215)이 제1 표시 영역(103a)의 제1 방향의 폭 전체와 중첩되도록 제1 레이저 조사부(1210)를 제어한다.
제2 레이저 빔(1225)의 폭(P2)은 제3 표시 영역(103c)의 제1 방향의 폭 이상이다. 예를들면 제2 레이저 빔(1225)의 폭(P2)은 591.3 밀리미터 이상이다.
또한 제2 레이저 빔(1225)이 제3 표시 영역(103c)의 제1 방향의 폭 전체와 중첩되도록 제2 레이저 조사부(1220)를 제어한다.
간격(G) 및 제1, 2 차단부(1211, 1221)에 의하여 제1 표시 영역(103a)과 제3 표시 영역(103c)사이에 배치된 제2 표시 영역(103b)에는 제1 레이저 빔(1215) 및 제2 레이저 빔(1225)이 조사되지 않는다.
제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)가 고정된 채로 스테이지(1100)를 스캔 방향(S), 즉 제2 방향으로 이동한다. 이를 통하여 제1 레이저 빔(1215)은 제1 표시 영역(103a) 및 제5 표시 영역(103e)에 형성된 비정질 반도체층을 순차적으로 결정화한다. 또한 제1 레이저 빔(1215)과 동시에 조사되는 제2 레이저 빔(1225)은 제3 표시 영역(103c) 및 제7 표시 영역(103g)에 형성된 반도체층을 순차적을 결정화한다. 즉 스테이지(1100)가 구동되면서 먼저 제1 표시 영역(103a) 및 제3 표시 영역(103c)에서 동시에 결정화 공정이 진행되고, 그 후에 제5 표시 영역(103e) 및 제7 표시 영역(103g)에서 동시에 결정화 공정이 진행된다.
결정화 공정이 진행되지 않은 제2 표시 영역(103b) 및 제4 표시 영역(103d)은 스테이지(1100)를 제1 방향으로 이동한 후에 제1 레이저 빔(1215)을 제2 표시 영역(103b)에, 제2 레이저 빔(1225)을 제4 표시 영역(103d)에 대응되도록 정렬한 후에 스테이지(1100)를 스캔 방향(S), 제2 방향으로 이동하면서 결정화 공정을 진행하게 된다.
본 실시예의 레이저 결정화 시스템(1000)을 이용하면 원장 기판(101)에 형성되는 각 표시 영역의 일 변의 폭에 대응하는 폭을 갖는 빔을 조사하여 연속적으로 결정화 공정을 진행하므로 결정화된 반도체층의 특성이 향상된다. 또한 균일한 특성을 갖는 결정화된 반도체층을 형성하는 것이 용이하다.
또한 제1 레이저 빔(1215) 및 제2 레이저 빔(1225)을 동시에 조사하면서 결정화 공정을 진행하므로 공정의 편의성이 향상된다.
그리고 제어가 까다로운 제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)를 고정한 채 원장 기판(101)이 놓여진 스테이지(1100)를 이동하면서 결정화 공정을 진행하므로 결정화된 반도체층의 특성 향상 효과가 증대된다.
특히 제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)는 일정한 간격(G)을 갖고 이격된 채 고정된다. 또한 제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)는 각각 제1 셔터부(1211) 및 제2 셔터부(1221)를 구비한다. 제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)는 일정한 간격(G)을 갖고 이격된 채 고정시키고, 제1 셔터부(1211) 및 제2 셔터부(1221)만을 제어하여 1대의 레이저 결정화 시스템(1000)으로 8세대 원장 기판에서 55인치 표시 장치를 형성하기 위한 결정화 공정과 46인치 표시 장치를 형성하기 위한 결정화 공정을 모두 진행할 수 있다. 2가지 크기의 표시 장치를 형성하기 위한 각각의 결정화 공정 시 제1, 2 레이저 조사부(1210, 1220)의 이동 없이 수행하므로 제1, 2 레이저 조사부(1210, 1220)의 이동에 따른 레이저 빔의 변동 및 그로 인한 결정화 특성 감소를 방지한다.
이를 통하여 다량의 대형 표시 장치를 형성하기 위한 차세대 원장 기판인 8세대 원장 기판에서 다양한 크기의 표시 장치를 제조하는 공정이 용이해진다.
도 4는 도 1의 레이저 결정화 시스템을 이용하여 비정질 반도체층을 결정화한 후에 최종적으로 제조된 표시 장치용 원장 패널을 도시하는 개략적인 사시도이고, 도 5는 도 4의 A선을 따라 절취한 단면도이다.
원장 기판(101)상에 비정질 실리콘층이 형성되기 전에 버퍼층(111)이 형성된다. 버퍼층(111)은 SiO2또는 SiNx 를 함유할 수 있다. 버퍼층(111)은 원장 기판(101)의 상부에 평탄한 면을 제공하고 원장 기판(101)방향으로 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지한다.
버퍼층(111)상에 소정 패턴의 활성층(112)이 형성된다. 활성층(112)은 비정질 실리콘층을 형성한 후에 전술한 대로 레이저 결정화 시스템(1000)을 이용하여 결정화하여 형성된다.
활성층(112)의 상부에는 게이트 절연막(113)이 형성되고, 게이트 절연막(113)상부의 소정 영역에는 게이트 전극(114)이 형성된다. 게이트 전극(114)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, 또는 Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 금속 또는 금속의 합금으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
게이트 전극(114)의 상부로는 층간 절연막(1115)을 형성하는데 활성층(112)의 소정의 영역을 노출하도록 형성한다. 그리고 활성층(112)의 노출된 영역에 접하도록 소스 전극(116) 및 드레인 전극(117)이 형성된다.
소스 전극(116) 및 드레인 전극(117)을 덮도록 패시베이션층(118)이 형성된다. 패시베이션층(118)상에 유기 발광 소자(120)가 형성된다. 본 실시예에서는 표시 소자로서 유기 발광 소자(120)가 구비되었으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명은 액정 소자 기타 다양한 표시 소자에 적용이 가능하다.
유기 발광 소자(120)는 제1 전극(121), 제2 전극(122) 및 중간층(123)을 구비한다.
구체적으로 설명하면 패시베이션층(118)상에 제1 전극(121)이 형성된다. 패시베이션층(118)은 드레인 전극(117)을 노출하도록 형성되고 제1 전극(121)은 노출된 드레인 전극(117)과 연결된다.
제1 전극(121)상에는 화소 정의막(119)이 형성된다. 화소 정의막(119)은 다양한 절연 물질을 함유하고 제1 전극(121)의 소정의 영역을 노출하도록 형성된다.
제1 전극(121)상에 중간층(123)을 형성한다. 중간층(123)은 가시 광선을 발생하는 유기 발광층(미도시)을 구비한다. 중간층(123)상에는 제2 전극(122)이 형성된다. 제1 전극(121) 및 제2 전극(122)을 통하여 전압이 인가되면 중간층(123)의 유기 발광층에서 가시 광선이 구현된다.
제2 전극(122) 상에 밀봉 부재(170)가 배치되어 최종적으로 표시 장치용 원장 패널(190)이 형성된다. 도시하지 않았으나 표시 장치용 원장 패널(190)을 절단하여 6개의 55인치 크기의 표시 장치 또는 8개의 46인치 크기의 표시 장치를 형성할 수 있다.
밀봉 부재(170)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 중간층(123) 및 기타층을 보호하기 위해 형성하는 것으로 밀봉 부재(170)는 투명한 재질로 형성된다. 이를 위해 글라스, 플라스틱 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
또한 도 5에는 밀봉 부재(170)가 제2 전극(122)과 이격된 것으로 도시되어 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않고 밀봉 부재(170)와 제2 전극(122)이 접촉할 수도 있다.
본 실시예에 도시된 활성층(112)은 레이저 결정화 시스템(1000)을 이용하여 형성되어 표시 장치용 원장 패널(190)전체에서 균일한 특성을 갖는다. 또한 레이저 빔이 조사되는 제1 레이저 조사부(1210) 및 제2 레이저 조사부(1220)를 고정한 채 결정화 공정이 연속적으로 진행되어 활성층(112)은 연속적이고 향상된 전기적 특성을 갖는다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1000: 레이저 결정화 시스템 1100: 스테이지
1210: 제1 레이저 조사부 1220: 제2 레이저 조사부
1211: 제1 셔터부 1221: 제2 셔터부
1215: 제1 레이저 빔 1225: 제2 레이저 빔
101: 원장 기판
102a, 102b, 102c, 102d, 102e, 102f: 표시 영역
103a, 103b, 103c, 103d, 103e, 103f, 103g, 103h: 표시 영역

Claims (21)

  1. 비정질 반도체층이 형성된 적어도 제1, 2, 3 표시 영역이 제1 방향으로 순차적으로 배열되는 원장 기판;
    상기 원장 기판을 지지하고 상기 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 이동하는 스테이지;
    상기 제1, 2, 3 표시 영역 중 일 표시 영역의 상기 제1 방향의 변의 폭보다 크거나 같은 폭을 갖는 제1 레이저 빔을 조사하는 제1 레이저 조사부 및
    상기 제1 레이저 조사부와 이격되고 상기 제1, 2, 3 표시 영역 중 일 표시 영역의 상기 제1 방향의 변의 폭보다 크거나 같은 폭 갖는 제2 레이저 빔을 조사하는 제2 레이저 조사부를 포함하고,
    상기 제1 레이저 빔은 제1 표시 영역의 상기 제1 방향의 변의 폭에 대응하고, 상기 제2 레이저 빔은 상기 제3 표시 영역의 상기 제1 방향으로 변의 폭에 대응하는 레이저 결정화 시스템.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 레이저 조사부는 제1 셔터부를 구비하고, 상기 제2 레이저 조사부는 제2 셔터부를 구비하고, 상기 제1 레이저 빔은 상기 제1 셔터부에 의하여 폭이 제어되고, 상기 제2 레이저 빔은 상기 제2 셔터부에 의하여 폭이 제어되는 레이저 결정화 시스템.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 레이저 조사부 및 상기 제2 레이저 조사부는 고정된 채 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 구동하면서 상기 비정질 반도체층을 결정화하는 레이저 결정화 시스템.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 원장 기판은 제8 세대 기판으로서 일 방향의 폭이 2500 밀리미터, 다른 일 방향의 폭이 2200 밀리미터인 레이저 결정화 시스템.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 원장 기판은 제8 세대 기판으로서 상기 제1 방향의 폭이 2200 밀리미터, 상기 제2 방향의 폭이 2500 밀리미터이고, 상기 각 표시 영역은 55인치 크기의 표시 장치를 형성하기 위한 크기를 갖는 레이저 결정화 시스템.
  6. 제5 항에 있어서,
    제4, 5 및 6 표시 영역을 더 포함하고,
    상기 제4 표시 영역은 상기 제1 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제5 표시 영역은 상기 제2 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제6 표시 영역은 상기 제3 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되는 레이저 결정화 시스템.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 원장 기판은 제8 세대 기판으로서 상기 제1 방향의 폭이 2500 밀리미터, 상기 제2 방향의 폭이 2200 밀리미터이고, 상기 각 표시 영역은 46인치 크기의 표시 장치를 형성하기 위한 크기를 갖는 레이저 결정화 시스템.
  8. 제7 항에 있어서,
    제4, 5, 6, 7 및 8 표시 영역을 더 포함하고,
    상기 제4 표시 영역은 제3 표시 영역의 상기 제1 방향으로 나란하게 배치되고,
    상기 제5 표시 영역은 상기 제1 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제6 표시 영역은 상기 제2 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제7 표시 영역은 상기 제3 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제8 표시 영역은 상기 제4 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되는 레이저 결정화 시스템.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 레이저 조사부 및 상기 제2 레이저 조사부가 이격된 공간은 일정하게 유지되면서 복수의 결정화 공정을 진행하는 레이저 결정화 시스템.
  10. 비정질 반도체층이 형성된 적어도 제1, 2, 3 표시 영역이 제1 방향으로 순차적으로 배열된 원장 기판을 준비하는 단계;
    상기 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 이동하는 스테이지상에 상기 원장 기판을 배치하는 단계;
    상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서, 상기 원장 기판 상부에 배치된 제1 레이저 조사부로부터 조사되고 상기 제1 표시 영역의 상기 제1 방향의 변의 폭에 대응하는 제1 레이저 빔 및 상기 원장 기판 상부에 상기 제1 레이저 조사부와 이격되도록 배치되는 제2 레이저 조사부로부터 조사되고 상기 제3 표시 영역의 상기 제1 방향의 변의 폭에 대응하는 제2 레이저 빔을 조사하여, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제3 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하여 활성층을 형성하는 단계; 및
    상기 활성층 상부에 표시 소자를 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 레이저 빔은 상기 제1 레이저 조사부에 구비된 제1 셔터부에 의하여 그 폭이 제어되고, 상기 제2 레이저 빔은 상기 제2 레이저 조사부에 구비된 제2 셔터부에 의하여 폭이 제어되는 표시 장치 제조 방법.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 비정질 반도체층을 결정화하는 단계는 상기 제1 레이저 조사부 및 상기 제2 레이저 조사부는 고정하고 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서 진행하는 표시 장치 제조 방법.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 표시 영역 및 상기 제3 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화한 후에 상기 스테이지를 상기 제1 방향으로 이동하여 상기 제1 레이저 빔 또는 상기 제2 레이저 빔이 상기 제2 표시 영역에 대응되도록 한 후에 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제2 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 원장 기판은 제8 세대 기판으로서 일 방향의 폭이 2500 밀리미터, 다른 일 방향의 폭이 2200 밀리미터인 표시 장치 제조 방법.
  15. 제10 항에 있어서,
    상기 원장 기판은 제8 세대 기판으로서 상기 제1 방향의 폭이 2200 밀리미터, 상기 제2 방향의 폭이 2500 밀리미터이고, 상기 각 표시 영역은 55인치 크기의 표시 장치를 제조하기 위한 크기를 갖도록 형성되는 표시 장치 제조 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    제4, 5 및 6 표시 영역을 더 포함하고,
    상기 제4 표시 영역은 상기 제1 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제5 표시 영역은 상기 제2 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제6 표시 영역은 상기 제3 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고,
    상기 제1 표시 영역 및 상기 제3 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하고 나서 연속적으로 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제4 표시 영역 및 상기 제6 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하는 표시 장치 제조 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 표시 영역, 제3 표시 영역, 제4 표시 영역 및 제6 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화한 후에 상기 스테이지를 상기 제1 방향으로 이동하여 상기 제1 레이저 빔 또는 상기 제2 레이저 빔이 상기 제2 표시 영역에 대응되도록한 후에 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제2 표시 영역을 결정화하고, 상기 스테이지를 연속적으로 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제5 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  18. 제10 항에 있어서,
    상기 원장 기판은 제8 세대 기판으로서 상기 제1 방향의 폭이 2500 밀리미터, 상기 제2 방향의 폭이 2200 밀리미터이고, 상기 각 표시 영역은 46인치 크기의 표시 장치를 제조하기 위한 크기를 갖도록 형성되는 표시 장치 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    제4, 5, 6, 7 및 8 표시 영역을 더 포함하고,
    상기 제4 표시 영역은 제3 표시 영역의 상기 제1 방향으로 나란하게 배치되고,
    상기 제5 표시 영역은 상기 제1 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제6 표시 영역은 상기 제2 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제7 표시 영역은 상기 제3 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 제8 표시 영역은 상기 제4 표시 영역의 상기 제2 방향으로 나란하게 배치되고,
    상기 제1 표시 영역 및 상기 제3 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하고 나서 연속적으로 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제5 표시 영역 및 상기 제7 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하는 표시 장치 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 표시 영역, 제3 표시 영역, 제5 표시 영역 및 제7 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화한 후에, 상기 스테이지를 상기 제1 방향으로 이동하여 상기 제1 레이저 빔이 상기 제2 표시 영역에 대응되고 상기 제2 레이저 빔이 상기 제4 표시 영역에 대응되도록 한 후에, 상기 스테이지를 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제2 표시 영역 및 상기 제4 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하고, 상기 스테이지를 연속적으로 상기 제2 방향으로 이동하면서 상기 제6 표시 영역 및 상기 제8 표시 영역의 비정질 반도체층을 결정화하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  21. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 레이저 조사부 및 상기 제2 레이저 조사부가 이격된 공간은 일정하게 유지되면서 복수의 결정화 공정을 진행하는 표시 장치 제조 방법.
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