KR20120033226A - Substrate transfer apparatus, substrate transfer method and recording medium recorded program to execute substrate transfer mehod - Google Patents

Substrate transfer apparatus, substrate transfer method and recording medium recorded program to execute substrate transfer mehod Download PDF

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KR20120033226A
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야스노리 도요다
히로키 하라다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: A substrate transfer apparatus, a substrate transfer method, and a recording medium in which a program is stored in order to execute a substrate transfer process are provided to perform a proper transfer control process according to a retention state of a substrate on a fork. CONSTITUTION: A retention frame(3A,3B) is movably installed on a substrate placement part. A retention part is installed with a gap along the inner circumference of the retention frame. A detection part(4A,4B) detects a relative position of the substrate with respect to the retention frame. A heating module(7) comprises a processing container(71), a thermal plate(72), a lifting pin(73), and a lifting device(74). A controller(5) comprises an operation processing part(51), a memory unit(52), a display part(53), and an alarm generation part(54).

Description

기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 그 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체{SUBSTRATE TRANSFER APPARATUS, SUBSTRATE TRANSFER METHOD AND RECORDING MEDIUM RECORDED PROGRAM TO EXECUTE SUBSTRATE TRANSFER MEHOD}SUBSTRATE TRANSFER APPARATUS, SUBSTRATE TRANSFER METHOD AND RECORDING MEDIUM RECORDED PROGRAM TO EXECUTE SUBSTRATE TRANSFER MEHOD}

본 발명은 기판을 반송하는 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 그 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate transfer apparatus for carrying a substrate, a substrate transfer method, and a recording medium on which a program for executing the substrate transfer method is recorded.

반도체 디바이스 또는 LCD(Liquid Crystal Display) 기판의 제조 프로세스에서는 장치 내에 기판(이하 ‘웨이퍼’라고도 함)에 대해 처리를 행하는 처리 모듈을 복수 개 설치하고, 이들 처리 모듈로 기판 반송 장치에 의해 기판을 차례로 반송함으로써 소정의 처리가 행해지고 있다. 기판 반송 장치는, 예를 들면 기판을 보지(保持)하는 포크가 기대(基臺)를 따라 진퇴 가능하게 설치되고, 기판이 수직축을 중심으로 회전 가능, 승강 가능하게 구성되어 있다.In the manufacturing process of a semiconductor device or LCD (Liquid Crystal Display) substrate, a plurality of processing modules for processing a substrate (hereinafter also referred to as a "wafer") are provided in the apparatus, and the substrates are sequentially turned by the substrate transfer device by these processing modules. The predetermined process is performed by conveying. The board | substrate conveying apparatus is comprised so that a fork holding a board | substrate can move forward and backward along a base, for example, and a board | substrate is rotatable about the vertical axis, and is comprised so that elevating is possible.

이러한 기판 반송 장치 중에는 포크의 위치가 정상인지 아닌지를 확인하기 위한 센서가 설치되어 있는 것이 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 또한, 처리 모듈로부터 포크가 기판을 수취하였는지 아닌지를 확인하기 위한 센서가 설치되어 있는 것이 있다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조).Some of these board | substrate conveying apparatuses are provided with the sensor for checking whether the position of a fork is normal (for example, refer patent document 1). In addition, there are some sensors provided for checking whether or not the fork has received the substrate from the processing module (see Patent Document 2, for example).

특허 문헌 1에는 포크에 광의 반사체가 설치되고, 반사체의 하방에 광을 투광(投光) 및 수광(受光)할 수 있는 광 센서가 설치되어 있어, 포크가 정상 위치로부터 이탈된 것을 검출 가능하게 한 기판 반송 장치가 개시되어 있다. 또한, 특허 문헌 2에는 포크에 기판이 지지되어 있는 것을 검출하기 위한 광 센서가 설치되어 있어, 기판이 광축을 차단함으로써 포크에 기판이 지지되어 있는 것을 검출 가능하게 한 기판 반송 장치가 개시되어 있다.In Patent Document 1, a light reflector is provided in the fork, and an optical sensor capable of transmitting and receiving light is provided below the reflector to detect that the fork is separated from its normal position. A substrate conveyance apparatus is disclosed. Further, Patent Document 2 discloses a substrate conveying apparatus in which an optical sensor for detecting that the substrate is supported on the fork is provided, and the substrate is blocked by the optical axis so that the substrate is supported on the fork.

일본특허공보 제4047182호Japanese Patent Publication No. 4047182 일본특허공보 제3965131호Japanese Patent Publication No. 3965131

그런데, 상기한 기판을 반송하는 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법에서는 다음과 같은 문제가 있다.By the way, the board | substrate conveying apparatus and board | substrate conveyance method which conveys said board | substrate have the following problems.

특허 문헌 1에 개시된 예에서는 포크의 위치가 정상 위치로부터 이탈된 것을 검지할 수는 있다. 그러나, 포크에 보지(保持)되어 있는 기판이 포크에 대하여 위치 이탈되어 있는 것은 검지할 수 없다.In the example disclosed in Patent Document 1, it is possible to detect that the position of the fork deviates from the normal position. However, it cannot detect that the board | substrate held by the fork is displaced with respect to the fork.

한편, 특허 문헌 2에 개시된 예에서는 포크에 보지되어 있는 기판이 센서가 설치되어 있는 측에서 센서가 설치되지 않은 측으로 위치 이탈되었을 때에는 광축을 차단하지 않은 상태가 되므로 그 위치 이탈을 용이하게 검지할 수 있다. 그러나, 포크에 보지되어 있는 기판이 센서가 설치되지 않은 측에서 센서가 설치되어 있는 측으로 위치 이탈되었을 때에는 광축을 차단한 상태가 변함없기 때문에 그 위치 차이를 용이하게 검지할 수 없다.On the other hand, in the example disclosed in Patent Document 2, when the substrate held by the fork is deviated from the side where the sensor is installed to the side where the sensor is not installed, the optical axis is not blocked so that the position deviation can be easily detected. have. However, when the substrate held by the fork is displaced from the side where the sensor is not installed to the side where the sensor is installed, the state difference of the optical axis remains unchanged, so the position difference cannot be easily detected.

통상적으로, 광 센서는 포크의 근원측에 설치되어 있는 경우가 많다. 이 때에는 기판이 포크의 근원측에 보지 상태를 검지할 수 없다. 예를 들면, 기판이 포크의 근원측으로 이탈된 상태로 포크가 기판을 보지했을 때에는 기판의 이탈을 검지할 수 없기 때문에, 포크가 기판을 보지하고 있는 위치가 위치 이탈되어 있는지 아닌지가 불명한 상태로 후퇴 동작이 행해진다. 그 결과, 예를 들면 다음 처리 모듈로 기판을 전달했을 때 기판의 위치가 이탈되거나 또는 기판이 처리 모듈 내의 다른 부분에 접촉하여 파손되는 등의 트러블이 발생할 우려가 있다.Usually, an optical sensor is installed in the source side of a fork in many cases. At this time, the board | substrate cannot detect a holding state at the base side of a fork. For example, when the fork does not detect the board when the board is detached from the base side of the fork, it is not possible to detect the board. Therefore, it is unknown whether the position where the fork holds the board is out of position. The retraction operation is performed. As a result, for example, when the substrate is transferred to the next processing module, there is a possibility that a trouble occurs such that the position of the substrate is deviated or the substrate is in contact with another part of the processing module and is broken.

본 발명은 상기의 점을 감안하여 이루어진 것이며, 포크에 보지되어 있는 기판이 정상 위치로부터 위치 이탈되어 있는지를 용이하게 검출할 수 있고, 포크 상의 기판의 보지 상태에 따라 적절한 반송 제어를 행할 수 있는 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법을 제공한다.This invention is made | formed in view of said point, The board | substrate which can detect whether the board | substrate hold | maintained at the fork is deviated from a normal position easily, and can perform appropriate conveyance control according to the holding state of the board | substrate on a fork. A conveying apparatus and a substrate conveying method are provided.

상기의 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는, 이어서 설명하는 각 수단을 강구한 것을 특징으로 하는 것이다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve said subject, this invention is characterized by taking each means described next.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 재치(載置)하는 기판 재치부로부터 기판을 수취하고, 수취한 상기 기판을 반송하는 기판 반송 장치에 있어서, 반송하는 기판의 주위를 둘러싸도록 설치되며 상기 기판 재치부에 진퇴 가능한 보지 프레임과, 상기 보지 프레임의 내연을 따라 서로 간격을 두고 설치되어 있으며, 상기 기판의 주연부가 재치됨으로써 상기 기판을 보지하는 3 개 이상의 보지부와, 상기 보지부 각각에 설치되어 상기 보지 프레임에 대한 상기 기판의 상대 위치를 검출하는 검출부와, 상기 보지 프레임을 상기 기판 재치부에 진퇴 구동시키는 구동부와, 상기 구동부에 의해 상기 보지 프레임을 전진시켜 상기 기판 재치부로부터 상기 보지부에 상기 기판을 전달했을 때 상기 검출부에 의해 상기 보지 프레임에 대한 상기 기판의 상대 위치를 검출하고, 각각의 상기 검출부의 검출치에 기초해 상기 상대 위치의 보정 여부를 판정하여, 상기 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정했을 때에는 보정 동작을 행하고, 상기 상대 위치의 보정이 불필요하다고 판정했을 때에는 상기 구동부의 구동을 정지하거나 또는 상기 기판의 반송을 계속하는 제어부를 가지는 기판 반송 장치가 제공된다.According to one embodiment of the present invention, in a substrate transfer device for receiving a substrate from a substrate placing portion for placing the substrate and for conveying the received substrate, the substrate transfer apparatus is provided so as to surround the periphery of the substrate to be conveyed. It is provided in the board | substrate mounting part and the holding | maintenance frame which can advance and retreat, and mutually spaced along the inner edge of the said holding frame, The three or more holding | maintenance parts which hold | maintain the said board | substrate by mounting the peripheral part of the said board | substrate, and each holding | maintenance part are provided, respectively. A detection unit that detects a relative position of the substrate relative to the holding frame, a driving unit for driving the holding frame forward and backward in the substrate placing unit, and the holding unit to move the holding frame forward to move the holding unit from the substrate placing unit. The relative position of the substrate relative to the holding frame is determined by the detection unit when the substrate is transferred to the And detecting the correction of the relative position based on the detection value of each of the detection units. When it is determined that the correction of the relative position is necessary, a correction operation is performed, and when it is determined that the correction of the relative position is unnecessary. There is provided a substrate transfer device having a control unit which stops driving of the drive unit or continues the transfer of the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 반송하는 기판의 주위를 둘러싸도록 설치되며 기판을 재치(載置)하는 기판 재치부에 진퇴 가능한 보지(保持) 프레임과, 상기 보지 프레임의 내연을 따라 서로 간격을 두고 설치되어 있으며, 상기 기판의 주연부가 재치됨으로써 상기 기판을 보지하는 3 개 이상의 보지부와, 상기 보지부 각각에 설치되어 상기 보지 프레임에 대한 상기 기판의 상대 위치를 검출하는 검출부와, 상기 보지 프레임을 상기 기판 재치부에 진퇴 구동시키는 구동부를 가지며, 상기 기판 재치부로부터 기판을 수취하고, 수취한 상기 기판을 반송하는 기판 반송 장치에서의 기판 반송 방법으로서, 상기 구동부에 의해 상기 보지 프레임을 전진시켜 상기 기판 재치부로부터 상기 보지부에 상기 기판을 전달했을 때 상기 검출부에 의해 상기 보지 프레임에 대한 상기 기판의 상대 위치를 검출하고, 각각의 상기 검출부의 검출치에 기초해 상기 상대 위치의 보정 여부를 판정하는 판정 공정을 가지며, 상기 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정했을 때에는 보정 동작을 행하고, 상기 상대 위치의 보정이 불필요하다고 판정했을 때에는 상기 구동부의 구동을 정지하거나 또는 상기 기판의 반송을 계속하는 기판 반송 방법이 제공된다.Further, according to one embodiment of the present invention, a holding frame which is installed to surround the substrate to be transported and which can be moved back and forth to the substrate placing portion on which the substrate is placed, and each other along the inner edge of the holding frame Three or more holding portions for holding the substrate by placing the periphery of the substrate, a detection portion for each of the holding portions to detect a relative position of the substrate with respect to the holding frame; A substrate conveying method in a substrate conveying apparatus which has a driving portion for driving a retaining frame forward and backward in said substrate placing portion, and receives a substrate from said substrate placing portion and conveys the received substrate. The holding portion is held by the detecting portion when the substrate is transferred to the holding portion from the substrate placing portion. A determination step of detecting the relative position of the substrate with respect to the frame and determining whether or not the relative position is corrected based on the detection value of each detection unit; When it determines that correction | amendment of the said relative position is unnecessary, the board | substrate conveyance method which stops the drive of the said drive part or continues conveyance of the said board | substrate is provided.

본 발명에 따르면, 기판을 반송하는 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법에서 포크에 보지(保持)되어 있는 기판이 정상 위치로부터 위치 이탈되어 있는지를 용이하게 검출할 수 있고, 포크 상의 기판의 보지 상태에 따라 적절한 반송 제어를 행할 수 있다.According to the present invention, it is possible to easily detect whether or not the substrate held by the fork is out of the normal position in the substrate transfer device and substrate transfer method for transferring the substrate, and according to the holding state of the substrate on the fork. Appropriate conveyance control can be performed.

도 1은 실시예에 따른 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시한 평면도이다.
도 2는 실시예에 따른 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시한 개략 사시도이다.
도 3은 실시예에 따른 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시한 측면도이다.
도 4는 제 3 블록의 구성을 도시한 사시도이다.
도 5는 실시예에 따른 반송 암을 도시한 사시도이다.
도 6은 실시예에 따른 반송 암을 도시한 평면도 및 측면도이다.
도 7은 실시예에 따른 반송 암의 포크를 확대하여 도시한 평면도이다.
도 8은 실시예에 따른 반송 암의 포크를 확대하여 도시한 단면도이다.
도 9는 보지 클로(claw)에 웨이퍼가 정상적으로 재치되어 있을 때의 포크 및 웨이퍼를 도시한 평면도 및 단면도이다.
도 10은 보지 클로에 웨이퍼가 정상적으로 재치되지 않았을 때의 포크 및 웨이퍼를 도시한 평면도 및 단면도이다.
도 11은 보지 클로에 웨이퍼가 정상적으로 재치되지 않았을 때의 다른 예에서의 포크 및 웨이퍼를 도시한 평면도이다.
도 12는 레지스트 패턴 형성 장치에 설치된 가열 모듈 및 제어부를 도시한 구성도이다.
도 13은 기판 반송 방법에서의 각 공정의 순서를 나타낸 순서도이다.
도 14는 웨이퍼를 전달할 때의 가열 모듈과 반송 암의 상태를 도시한 도면이다.
도 15는 실시예의 변형예에 따른 반송 암의 포크를 확대하여 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing the configuration of a resist pattern forming apparatus according to an embodiment.
2 is a schematic perspective view showing the configuration of a resist pattern forming apparatus according to an embodiment.
3 is a side view showing the configuration of a resist pattern forming apparatus according to an embodiment.
4 is a perspective view illustrating a configuration of a third block.
5 is a perspective view illustrating a transport arm according to an embodiment.
6 is a plan view and a side view of the transport arm according to the embodiment.
7 is an enlarged plan view of the fork of the transport arm according to the embodiment.
8 is an enlarged cross-sectional view of the fork of the transfer arm according to the embodiment.
9 is a plan view and a sectional view of the fork and the wafer when the wafer is normally placed in a retaining claw.
10 is a plan view and a sectional view of the fork and the wafer when the wafer is not normally placed in the retaining claw.
11 is a plan view showing a fork and a wafer in another example when the wafer is not normally placed in the retaining claw.
12 is a configuration diagram showing a heating module and a control unit installed in the resist pattern forming apparatus.
It is a flowchart which shows the procedure of each process in a board | substrate conveyance method.
It is a figure which shows the state of a heating module and a conveyance arm at the time of conveying a wafer.
15 is an enlarged plan view of a fork of a transfer arm according to a modification of the embodiment.

이하, 본 발명에 따른 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 장치를 도포 현상 장치에 적용한 경우를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, the case where the substrate processing apparatus provided with the board | substrate conveyance apparatus which concerns on this invention is applied to the coating-developing apparatus is demonstrated as an example.

먼저, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 도포 현상 장치에 노광 장치를 접속시킨 레지스트 패턴 형성 장치에 대해 도면을 참조하여 간단히 설명한다.First, referring to FIGS. 1 to 4, a resist pattern forming apparatus in which an exposure apparatus is connected to a coating and developing apparatus will be briefly described with reference to the drawings.

도 1은 본 실시예에 따른 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시한 평면도이다. 도 2는 본 실시예에 따른 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시한 개략 사시도이다. 도 3은 본 실시예에 따른 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시한 측면도이다. 도 4는 제 3 블록(COT층)(B3)의 구성을 도시한 사시도이다.1 is a plan view showing the configuration of a resist pattern forming apparatus according to the present embodiment. 2 is a schematic perspective view showing the configuration of a resist pattern forming apparatus according to the present embodiment. 3 is a side view showing the configuration of the resist pattern forming apparatus according to the present embodiment. 4 is a perspective view showing the configuration of the third block (COT layer) B3.

레지스트 패턴 형성 장치는, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 캐리어 블록(S1), 처리 블록(S2), 인터페이스 블록(S3)을 가진다. 또한, 레지스트 패턴 형성 장치의 인터페이스 블록(S3)측에 노광 장치(S4)가 설치되어 있다. 처리 블록(S2)은 캐리어 블록(S1)에 인접하도록 설치되어 있다. 인터페이스 블록(S3)은 처리 블록(S2)의 캐리어 블록(S1)측과 반대측에 처리 블록(S2)에 인접하도록 설치되어 있다. 노광 장치(S4)는 인터페이스 블록(S3)의 처리 블록(S2)측과 반대측에 인터페이스 블록(S3)에 인접하도록 설치되어 있다.1 and 2, the resist pattern forming apparatus has a carrier block S1, a processing block S2, and an interface block S3. Moreover, the exposure apparatus S4 is provided in the interface block S3 side of a resist pattern forming apparatus. Processing block S2 is provided adjacent to carrier block S1. The interface block S3 is provided adjacent to the processing block S2 on the side opposite to the carrier block S1 side of the processing block S2. The exposure apparatus S4 is provided adjacent to the interface block S3 on the side opposite to the processing block S2 side of the interface block S3.

캐리어 블록(S1)은 캐리어(20), 재치대(21) 및 전달 수단(C)을 가진다. 캐리어(20)는 재치대(21) 상에 재치(載置)되어 있다. 전달 수단(C)은 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(S2)으로 전달하고, 처리 블록(S2)에서 처리된 처리 완료 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(20)로 반환하기 위한 것이다.The carrier block S1 has a carrier 20, a mounting table 21, and a delivery means C. The carrier 20 is mounted on the mounting table 21. The transfer means C takes the wafer W out of the carrier 20, transfers it to the processing block S2, receives the processed wafer W processed in the processing block S2, and returns it to the carrier 20. It is to.

처리 블록(S2)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 선반 유닛(U1), 선반 유닛(U2), 제 1 블록(DEV층)(B1), 제 2 블록(BCT층)(B2), 제 3 블록(COT층)(B3), 제 4 블록(TCT층)(B4)을 가진다. 제 1 블록(DEV층)(B1)은 현상 처리를 행하기 위한 것이다. 제 2 블록(BCT층)(B2)은 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 것이다. 제 3 블록(COT층)(B3)은 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 것이다. 제 4 블록(TCT층)(B4)은 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 것이다.As shown in FIG. 3, the processing block S2 includes the shelf unit U1, the shelf unit U2, the first block (DEV layer) B1, the second block (BCT layer) B2, and the first block. 3 blocks (COT layer) B3 and 4th block (TCT layer) B4. The first block (DEV layer) B1 is for performing development processing. The second block (BCT layer) B2 is for performing a process of forming an antireflection film formed on the lower layer side of the resist film. The third block (COT layer) B3 is for applying a resist liquid. The fourth block (TCT layer) B4 is for forming the antireflection film formed on the upper layer side of the resist film.

선반 유닛(U1)은 각종 모듈이 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U1)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 예를 들면 아래에서부터 차례로 적층된 전달 모듈(TRS1, TRS1, CPL11, CPL2, BF2, CPL3, BF3, CPL4, TRS4)을 가진다. 또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 선반 유닛(U1)의 근방에는 승강 가능한 전달 암(D)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U1)의 각 처리 모듈끼리의 사이에서는 전달 암(D)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다.The shelf unit U1 is configured by stacking various modules. The shelf unit U1 has the transfer modules TRS1, TRS1, CPL11, CPL2, BF2, CPL3, BF3, CPL4, and TRS4 laminated | stacked sequentially from the bottom, for example as shown in FIG. In addition, as shown in FIG. 1, the transfer arm D which can be elevated is provided in the vicinity of the shelf unit U1. The wafer W is conveyed by the transfer arm D between each processing module of the shelf unit U1.

선반 유닛(U2)은 각종 처리 모듈이 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U2)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 예를 들면 아래에서부터 차례로 적층된 전달 모듈(TRS6, TRS6, CPL12)을 가진다.The shelf unit U2 is configured by stacking various processing modules. The shelf unit U2 has the transfer modules TRS6, TRS6, and CPL12 laminated | stacked sequentially from the bottom, for example as shown in FIG.

또한, 도 3에서 CPL이 부여되어 있는 전달 모듈은 온도 조절용의 냉각 모듈을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 모듈은 복수 매의 웨이퍼(W)를 재치 가능한 버퍼 모듈을 겸하고 있다.In addition, the transfer module provided with CPL in FIG. 3 also serves as the cooling module for temperature regulation, and the transfer module provided with BF also serves as the buffer module which can mount several wafer W. As shown in FIG.

제 1 블록(DEV층)(B1)은, 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 현상 모듈(22), 반송 암(A1) 및 셔틀 암(E)을 가진다. 현상 모듈(22)은 1 개의 제 1 블록(DEV층)(B1) 내에 상하 2 단으로 적층되어 있다. 반송 암(A1)은 2 단의 현상 모듈(22)로 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 것이다. 즉, 반송 암(A1)은 2 단의 현상 모듈(22)로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암이 공통화되어 있는 것이다. 셔틀 암(E)은 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL11)로부터 선반 유닛(U2)의 전달 모듈(CPL12)로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 것이다.As shown in FIGS. 1 and 3, the first block (DEV layer) B1 includes a developing module 22, a transfer arm A1, and a shuttle arm E. FIG. The developing module 22 is stacked in two stages up and down in one first block (DEV layer) B1. The conveying arm A1 is for conveying the wafer W to the two-stage developing module 22. That is, as for the conveyance arm A1, the conveyance arm which conveys the wafer W to the two stage developing module 22 is common. The shuttle arm E is for directly conveying the wafer W from the transfer module CPL11 of the shelf unit U1 to the transfer module CPL12 of the shelf unit U2.

제 2 블록(BCT층)(B2), 제 3 블록(COT층)(B3) 및 제 4 블록(TCT층)(B4)은 각각 도포 모듈, 가열?냉각계의 처리 모듈군 및 반송 암(A2, A3, A4)을 가진다. 처리 모듈군은 도포 모듈에서 행해지는 처리의 전 처리 및 후 처리를 행하기 위한 것이다. 반송 암(A2, A3, A4)은 도포 모듈과 처리 모듈군 사이에 설치되어 있으며, 도포 모듈 및 처리 모듈군의 각 처리 모듈의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다.The 2nd block (BCT layer) B2, the 3rd block (COT layer) B3, and the 4th block (TCT layer) B4 respectively apply a coating module, the processing module group of a heating and cooling system, and a conveyance arm (A2). , A3, A4). The processing module group is for performing pre-treatment and post-treatment of the treatments performed in the coating module. The transfer arms A2, A3, and A4 are provided between the application module and the processing module group, and transfer the wafer W between the application module and each processing module of the processing module group.

제 2 블록(BCT층)(B2) 내지 제 4 블록(TCT층)(B4)의 각 블록은 제 2 블록(BCT층)(B2) 및 제 4 블록(TCT층)(B4)에서의 약액이 반사 방지막용의 약액이고, 제 3 블록(COT층)(B3)에서의 약액이 레지스트액인 것을 제외하고 동일한 구성을 가진다.Each block of the second block (BCT layer) B2 to the fourth block (TCT layer) B4 is a chemical solution of the second block (BCT layer) B2 and the fourth block (TCT layer) B4. It is a chemical liquid for an antireflection film and has the same configuration except that the chemical liquid in the third block (COT layer) B3 is a resist liquid.

또한, 반송 암(A1 ~ A4)은 특허청구의 범위에서의 기판 반송 장치에 상당하는 것으로서, 반송 암(A1 ~ A4)의 구성에 대해서는 후술한다. 또한, 재치대(21), 각 처리 모듈에서의 기판을 재치하는 부분은 특허청구의 범위에서의 기판 재치부에 상당한다.In addition, conveyance arms A1-A4 correspond to the board | substrate conveyance apparatus in a claim, The structure of conveyance arms A1-A4 is mentioned later. In addition, the mounting base 21 and the part which mounts the board | substrate in each processing module correspond to the board | substrate mounting part in a claim.

여기서, 도 4를 참조하여, 제 2 블록(BCT층)(B2), 제 3 블록(COT층)(B3) 및 제 4 블록(TCT층)(B4)을 대표해서 제 3 블록(COT층)(B3)의 구성을 설명한다.Here, referring to FIG. 4, the third block (COT layer) is representative of the second block (BCT layer) B2, the third block (COT layer) B3, and the fourth block (TCT layer) B4. The structure of (B3) is demonstrated.

제 3 블록(COT층)(B3)은 도포 모듈(23), 선반 유닛(U3) 및 반송 암(A3)을 가진다. 선반 유닛(U3)은 가열 모듈, 냉각 모듈 등의 열처리 모듈군을 구성하도록 적층된 복수의 처리 모듈을 가진다. 선반 유닛(U3)은 도포 모듈(23)과 대향하도록 배열되어 있다. 반송 암(A3)은 도포 모듈(23)과 선반 유닛(U3) 사이에 설치되어 있다. 도 4 중 24는 각 처리 모듈과 반송 암(A3)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 반송구이다.The 3rd block (COT layer) B3 has the application | coating module 23, the shelf unit U3, and the conveyance arm A3. The shelf unit U3 has a plurality of processing modules stacked so as to constitute a heat treatment module group such as a heating module and a cooling module. The shelf unit U3 is arranged to face the application module 23. The conveying arm A3 is provided between the application module 23 and the shelf unit U3. 24 in FIG. 4 is a conveyance port for transferring the wafer W between each processing module and the transfer arm A3.

인터페이스 블록(S3)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 인터페이스 암(F)을 가진다. 인터페이스 암(F)은 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U2)의 근방에 설치되어 있다. 선반 유닛(U2)의 각 처리 모듈끼리의 사이 및 노광 장치(S4)와의 사이에서는 인터페이스 암(F)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다.The interface block S3 has the interface arm F, as shown in FIG. The interface arm F is provided in the vicinity of the shelf unit U2 of the processing block S2. The wafer W is conveyed by the interface arm F between the respective processing modules of the shelf unit U2 and between the exposure apparatus S4.

캐리어 블록(S1)으로부터의 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1) 중 1 개의 전달 모듈, 예를 들면 제 2 블록(BCT층)(B2)에 대응되는 전달 모듈(CPL2)로 전달 수단(C)에 의해 차례로 반송된다. 전달 모듈(CPL2)로 반송된 웨이퍼(W)는 제 2 블록(BCT층)(B2)의 반송 암(A2)으로 전달되고, 반송 암(A2)을 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열?냉각계의 처리 모듈군의 각 처리 모듈)로 반송되어, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 반사 방지막이 형성된다.The wafer W from the carrier block S1 is transferred to the transfer module CPL2 corresponding to one transfer module of the shelf unit U1, for example, the second block (BCT layer) B2. Are conveyed in turn. The wafer W transferred to the transfer module CPL2 is transferred to the transfer arm A2 of the second block (BCT layer) B2, and each processing module (application module and heating and cooling) is transferred through the transfer arm A2. Each processing module of the processing module group of the system), and the processing is performed by each processing module. As a result, an antireflection film is formed on the wafer (W).

반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 암(A2), 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(BF2), 전달 암(D), 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL3)을 거쳐 제 3 블록(COT층)(B3)의 반송 암(A3)으로 전달된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 반송 암(A3)을 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열?냉각계의 처리 모듈군의 각 처리 모듈)로 반송되어, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 레지스트막이 형성된다.The wafer W on which the anti-reflection film is formed is passed through the transfer arm A2, the transfer module BF2 of the shelf unit U1, the transfer arm D, and the transfer module CPL3 of the shelf unit U1. It is delivered to the conveyance arm A3 of the COT layer) B3. And the wafer W is conveyed to each process module (each process module of the processing module group of a coating module and a heating / cooling system) through the conveyance arm A3, and a process is performed by each process module. As a result, a resist film is formed on the wafer (W).

레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 암(A3)을 통해 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(BF3)로 전달된다.The wafer W on which the resist film is formed is transferred to the transfer module BF3 of the shelf unit U1 through the transfer arm A3.

또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 제 4 블록(TCT층)(B4)에서 추가로 반사 방지막이 형성되는 경우도 있다. 이 경우에, 웨이퍼(W)는 전달 모듈(CPL4)을 통해 제 4 블록(TCT층)(B4)의 반송 암(A4)으로 전달되고, 반송 암(A4)을 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열?냉각계의 처리 모듈군의 각 처리 모듈)로 반송되어, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 반사 방지막이 형성된다. 그리고, 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 암(A4)을 통해 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS4)로 전달된다.In the wafer W on which the resist film is formed, an anti-reflection film may be further formed in the fourth block (TCT layer) B4. In this case, the wafer W is transferred to the transfer arm A4 of the fourth block (TCT layer) B4 via the transfer module CPL4, and each processing module (application module and the transfer module A4) is transferred through the transfer arm A4. Each processing module of the processing module group of a heating and cooling system), and processing is performed in each processing module. As a result, an antireflection film is formed on the wafer (W). The wafer W on which the antireflection film is formed is transferred to the transfer module TRS4 of the shelf unit U1 through the transfer arm A4.

레지스트막이 형성된 웨이퍼(W) 또는 레지스트막 상에 추가로 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 암(D), 전달 모듈(BF3) 또는 전달 모듈(TRS4)을 통해 전달 모듈(CPL11)로 전달된다. 전달 모듈(CPL11)로 전달된 웨이퍼(W)는 셔틀 암(E)에 의해 선반 유닛(U2)의 전달 모듈(CPL12)로 직접 반송된 후, 인터페이스 블록(S3)의 인터페이스 암(F)으로 전달된다.The wafer W on which the resist film is formed or the wafer W on which the anti-reflection film is further formed is transferred to the transfer module CPL11 through the transfer arm D, the transfer module BF3, or the transfer module TRS4. . The wafer W transferred to the transfer module CPL11 is directly transferred to the transfer module CPL12 of the shelf unit U2 by the shuttle arm E, and then transferred to the interface arm F of the interface block S3. do.

인터페이스 암(F)으로 전달된 웨이퍼(W)는 노광 장치(S4)로 반송되어 소정의 노광 처리가 행해진다. 소정의 노광 처리가 행해진 웨이퍼(W)는 인터페이스 암(F)을 통해 선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS6)에 재치되어 처리 블록(S2)으로 되돌려진다. 처리 블록(S2)으로 되돌려진 웨이퍼(W)는 제 1 블록(DEV층)(B1)에서 현상 처리가 행해진다. 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는 반송 암(A1), 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS1), 전달 수단(C)을 통해 캐리어(20)로 되돌려진다.The wafer W transferred to the interface arm F is conveyed to the exposure apparatus S4 and a predetermined exposure process is performed. The wafer W subjected to the predetermined exposure process is placed on the transfer module TRS6 of the shelf unit U2 via the interface arm F and returned to the processing block S2. The wafer W returned to the processing block S2 is subjected to development in the first block (DEV layer) B1. The wafer W subjected to the development treatment is returned to the carrier 20 via the transfer arm A1, the transfer module TRS1 of the shelf unit U1, and the transfer means C.

이어서, 도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명에서의 기판 반송 장치인 반송 암(A1 ~ A4)에 대해 설명한다. 반송 암(A1 ~ A4)은 동일하게 구성되어 있으므로, 제 3 블록(COT층)(B3)에 설치된 반송 암(A3)을 대표로 설명한다. 도 5는 반송 암(A3)을 도시한 사시도이다. 도 6은 반송 암(A3)을 도시한 평면도 및 측면도이다.Next, with reference to FIGS. 4-6, the conveyance arms A1-A4 which are the board | substrate conveying apparatus in this invention are demonstrated. Since the transfer arm A1-A4 is comprised similarly, the transfer arm A3 provided in 3rd block (COT layer) B3 is demonstrated as a representative. 5 is a perspective view illustrating the transfer arm A3. 6 is a plan view and a side view of the transport arm A3.

도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 반송 암(A3)은 2 매의 포크(3(3A, 3B)), 기대(基臺)(31), 회전 기구(32), 진퇴 기구(33A, 33B) 및 승강대(34)를 가진다.As shown in FIGS. 4-6, the conveyance arm A3 has two forks 3 (3A, 3B), the base 31, the rotation mechanism 32, the retraction mechanism 33A, 33B) and platform 34.

2 매의 포크(3A, 3B)는 상하로 중첩되도록 설치되어 있다. 기대(31)는 회전 기구(32)에 의해 수직축을 중심으로 회전 가능하게 설치되어 있다. 또한, 포크(3A, 3B)는 각각 그 기단측이 각각 진퇴 기구(33A, 33B)에 지지되어 있으며, 진퇴 기구(33A, 33B)에 의해 기대(31)에서부터, 예를 들면 후술하는 가열 모듈(7)의 승강 핀(73)에 진퇴 가능하게 설치되어 있다.Two forks 3A and 3B are provided so as to overlap up and down. The base 31 is rotatably provided around the vertical axis by the rotation mechanism 32. In addition, the fork 3A, 3B is respectively supported by the retraction mechanisms 33A, 33B at its proximal end, respectively, from the base 31 by the retraction mechanisms 33A, 33B, for example, a heating module (to be described later) ( It is provided in the lifting pin 73 of 7) so that advancing and retreating is possible.

또한, 포크(3(3A, 3B))는 특허청구의 범위에서의 보지 프레임에 상당한다.In addition, the fork 3 (3A, 3B) is corresponded to the holding frame in the claim.

진퇴 기구(33A, 33B)는 기대(31) 내부에 설치된 구동 기구인 모터(M)에 전달 기구를 이용하여 연결되어 있어, 포크(3A, 3B)를 진퇴 구동시킨다(도 12 참조). 전달 기구로는 볼 나사 기구 또는 타이밍 벨트를 이용한 기구 등 주지의 구성을 이용할 수 있다.The retraction mechanisms 33A and 33B are connected to the motor M, which is a drive mechanism provided inside the base 31, using a transmission mechanism to drive the forks 3A and 3B to advance and retreat (see Fig. 12). As the transmission mechanism, a known configuration such as a ball screw mechanism or a mechanism using a timing belt can be used.

또한, 진퇴 기구(33A, 33B)는 특허청구의 범위에서의 구동부에 상당한다. 또한, 후술하는 도 12에는 기대(31)의 하방측에 진퇴 기구(33A)의 구동 기구(33)를 도시하고 있다. 진퇴 기구(33A)는 기대(31) 내부에 설치된 구동 기구(33)를 모터(M)에 의해 회전시킴으로써, 포크(3A, 3B)를 기대(31)에서부터, 예를 들면 후술하는 가열 모듈(7)의 승강 핀(73)으로 진퇴 구동시키도록 구성되어 있다. 모터(M)는 엔코더(38)에 접속되어 있다. 도 12 중 39는 엔코더(38)의 펄스 수를 카운트하는 카운터이다.Incidentally, the retreat mechanisms 33A and 33B correspond to the drive portion in the claims. In addition, in FIG. 12 mentioned later, the drive mechanism 33 of the advance mechanism 33A is shown below the base 31. As shown in FIG. The advance mechanism 33A rotates the drive mechanism 33 provided in the base 31 by the motor M, thereby rotating the forks 3A and 3B from the base 31, for example, a heating module 7 described later. It is configured to drive forward and backward with the lifting pin 73 of the (). The motor M is connected to the encoder 38. 39 in FIG. 12 is a counter that counts the number of pulses of the encoder 38.

승강대(34)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 회전 기구(32)의 하방측에 설치되어 있다. 승강대(34)는 상하 방향(도 4 중 Z 축 방향)으로 직선 형상으로 연장되는 도시하지 않은 Z 축 가이드 레일을 따라 승강 기구에 의해 승강 가능하게 설치되어 있다. 승강 기구로는 볼 나사 기구 또는 타이밍 벨트를 이용한 기구 등 주지의 구성을 이용할 수 있다. 이 예에서, Z 축 가이드 레일 및 승강 기구는 각각 커버체(35)에 의해 덮여 있으며, 예를 들면 상부측에서 접속되어 일체로 되어 있다. 또한, 커버체(35)는 Y 축 방향으로 직선 형상으로 연장되는 Y 축 가이드 레일(36)을 따라 슬라이드 이동하도록 구성되어 있다.The lifting table 34 is provided below the rotating mechanism 32 as shown in FIG. The lifting platform 34 is provided to be liftable by a lifting mechanism along a Z axis guide rail (not shown) extending in a straight line shape in the vertical direction (Z axis direction in FIG. 4). As the lifting mechanism, a known structure such as a ball screw mechanism or a mechanism using a timing belt can be used. In this example, the Z-axis guide rail and the lifting mechanism are respectively covered by the cover body 35, and are connected to, for example, the upper side and are integrated. Moreover, the cover body 35 is comprised so that it may slide along the Y-axis guide rail 36 extended linearly in a Y-axis direction.

이어서, 도 5 내지 도 11을 참조하여, 포크(3), 보지 클로(30) 및 보지 클로(30)에 설치된 근접 센서(4)에 대해 설명한다. 또한, 이하에서는 포크(3A, 3B)를 대표하여 포크(3A)에 대해 설명하지만, 포크(3B)도 포크(3A)와 완전히 동일하게 구성할 수 있다.Next, the proximity sensor 4 provided in the fork 3, the holding claw 30, and the holding claw 30 is demonstrated with reference to FIGS. In addition, although the fork 3A is demonstrated on behalf of the forks 3A and 3B below, the fork 3B can also be comprised exactly the same as the fork 3A.

또한, 근접 센서(4)는 특허청구의 범위에서의 검출부에 상당한다.In addition, the proximity sensor 4 is corresponded to the detection part in a claim.

도 7은 포크(3A)를 확대하여 도시한 평면도이다. 도 8은 포크(3A)를 확대하여 도시한 단면도이다. 도 8은 도 7에서의 A - A 선을 따른 단면도이다. 또한, 도 8에서는 4 개의 보지 클로(30) 및 4 개의 근접 센서(4) 중 2 개의 보지 클로 및 2 개의 근접 센서를 도시하고 있다. 도 9의 (a) 및 도 9의 (b)는 각각 보지 클로(30)에 웨이퍼(W)가 정상적으로 재치되어 있을 때의 포크(3A) 및 웨이퍼(W)를 도시한 평면도 및 단면도이다. 도 9의 (b)는 도 9의 (a)에서의 A - A 선을 따른 단면도이다. 도 10의 (a) 및 도 10의 (b)는 각각 보지 클로(30)에 웨이퍼(W)가 정상적으로 재치되지 않았을 때의 포크(3A) 및 웨이퍼(W)를 도시한 평면도 및 단면도이다. 도 10의 (b)는 도 10의 (a)에서의 A - A 선을 따른 단면도이다. 도 11은 보지 클로(30)에 웨이퍼(W)가 정상적으로 재치되지 않았을 때의 다른 예에서의 포크(3A) 및 웨이퍼(W)를 도시한 평면도이다. 또한, 도 7 내지 도 11에서는 도시를 용이하게 하기 위해, 포크(3A)에 대하여 보지 클로(30) 및 근접 센서(4)를 조금 확대하여 도시하였다.7 is an enlarged plan view of the fork 3A. 8 is an enlarged cross-sectional view of the fork 3A. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 7. 8 shows two holding claws and two proximity sensors among four holding claws 30 and four proximity sensors 4. 9A and 9B are a plan view and a sectional view of the fork 3A and the wafer W when the wafer W is normally placed in the retaining claw 30, respectively. (B) is sectional drawing along the A-A line | wire in (a) of FIG. 10A and 10B are a plan view and a sectional view of the fork 3A and the wafer W when the wafer W is not normally placed on the retaining claw 30, respectively. (B) is sectional drawing along the A-A line | wire in (a) of FIG. 11 is a plan view showing the fork 3A and the wafer W in another example when the wafer W is not normally placed on the retaining claw 30. In addition, in FIGS. 7-11, the retaining claw 30 and the proximity sensor 4 were enlarged slightly with respect to the fork 3A, for ease of illustration.

도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이, 포크(3A)는 원호 형상으로 형성되며, 반송하는 기판의 주위를 둘러싸도록 설치되어 있다. 또한, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 포크(3A, 3B)에는 각각 보지 클로(30)가 형성되어 있다. 보지 클로(30)는 포크(3A, 3B)의 내연으로부터 각각 내측으로 돌출되고, 내연을 따라 서로 간격을 두고 설치되어 있으며, 웨이퍼(W)의 주연부가 재치됨으로써 웨이퍼(W)를 보지하는 것이다. 보지 클로(30)는 3 개 이상이 설치된다. 도 5 및 도 6에 도시한 예에서는 웨이퍼(W)의 주연부의 4 개소를 보지하기 위하여 4 개의 보지 클로(30A, 30B, 30C, 30D)가 설치되어 있다.As shown to FIG. 7 and FIG. 8, 3 A of forks are formed in circular arc shape, and it is provided so that the periphery of the board | substrate to convey may be provided. 5 and 6, retaining claws 30 are formed in the forks 3A and 3B, respectively. The retaining claws 30 protrude inwardly from the inner edges of the forks 3A and 3B, and are provided at intervals from each other along the inner edges, and hold the wafer W by placing the peripheral edge portions of the wafer W thereon. Three or more retaining claws 30 are provided. In the example shown in FIG. 5 and FIG. 6, four holding claws 30A, 30B, 30C, and 30D are provided in order to hold four places of the peripheral part of the wafer W. As shown in FIG.

보지 클로(30A ~ 30D) 각각에는 보지 클로(30A ~ 30D)에 웨이퍼(W)가 재치되었을 때 피검출체인 웨이퍼(W)를 검출하기 위한 근접 센서(4A, 4B, 4C, 4D)가 설치되어 있다. 도 7 및 도 8에 도시한 예에서는 근접 센서(4A ~ 4D)로서 정전 용량형 근접 센서(이하, 간단히 ‘정전 용량 센서’라고 함)가 이용되고 있다.Each of the holding claws 30A to 30D is provided with proximity sensors 4A, 4B, 4C, and 4D for detecting the wafer W, which is a detected object, when the wafer W is placed on the holding claws 30A to 30D. have. In the example shown in FIGS. 7 and 8, a capacitive proximity sensor (hereinafter, simply referred to as a “capacitive sensor”) is used as the proximity sensors 4A to 4D.

도 8에 도시한 바와 같이, 정전 용량 센서(4A, 4B, 4C, 4D)는 각각 정전 용량 측정부(41A, 41B, 41C, 41D)에 전기적으로 접속되어 있으며, 정전 용량 센서(4A ~ 4D)에서 검출된 정전 용량의 변화를 이들 정전 용량 측정부(41A ~ 41D)에 의해 소정의 전기 신호, 예를 들면 정전 용량의 증가에 따라 큰 전압 신호로 변화 출력하도록 구성되어 있다. 정전 용량 센서(4A ~ 4D) 상에 웨이퍼(W)가 재치되지 않았을 때에는 정전 용량 센서(4A ~ 4D)가 검출하는 정전 용량(출력)은 대략 0이다. 또한, 정전 용량 센서(4A ~ 4D) 상에 웨이퍼(W)가 재치되어 있을 때 정전 용량 센서(4A ~ 4D)가 검출하는 정전 용량(출력)은 정전 용량 센서(4A ~ 4D) 상에 웨이퍼(W)가 재치되지 않았을 때 정전 용량 센서(4A ~ 4D)가 검출하는 정전 용량(출력)보다 크다. 또한, 도 8에서의 점선으로 도시한 바와 같이, 정전 용량 센서(4A ~ 4D)와 웨이퍼(W)와의 사이의 거리가 정상적인 상태보다 클 때 정전 용량 센서(4A ~ 4D)가 검출하는 정전 용량(출력)은 웨이퍼(W)가 전혀 재치되지 않았을 때의 정전 용량(출력)보다는 크지만, 정상적인 상태로 웨이퍼(W)가 재치되어 있을 때의 정전 용량(출력)보다 작다.As shown in FIG. 8, the capacitive sensors 4A, 4B, 4C, and 4D are electrically connected to the capacitance measuring units 41A, 41B, 41C, and 41D, respectively, and the capacitive sensors 4A to 4D. These capacitance measuring units 41A to 41D are configured to output a change in capacitance as a large voltage signal in accordance with an increase in a predetermined electric signal, for example, capacitance. When the wafer W is not placed on the capacitance sensors 4A to 4D, the capacitance (output) detected by the capacitance sensors 4A to 4D is approximately zero. In addition, the capacitance (output) detected by the capacitive sensors 4A to 4D when the wafers W are placed on the capacitive sensors 4A to 4D is measured on the wafers on the capacitive sensors 4A to 4D. It is larger than the capacitance (output) detected by the capacitance sensors 4A to 4D when W) is not mounted. In addition, as shown by the dotted line in FIG. 8, when the distance between the capacitance sensors 4A to 4D and the wafer W is larger than the normal state, the capacitances detected by the capacitance sensors 4A to 4D ( Output) is larger than the capacitance (output) when the wafer W is not placed at all, but smaller than the capacitance (output) when the wafer W is placed in a normal state.

정전 용량 측정부(41A, 41B, 41C, 41D)의 출력은 비교부(42A, 42B, 42C, 42D)에 입력되도록 구성되어 있다. 그리고, 비교부(42A, 42B, 42C, 42D)의 출력은 후술하는 제어부(5)에 입력되도록 구성되어 있다. 비교부(42A ~ 42D)는 정전 용량 측정부(41A ~ 41D)의 출력을 미리 설정된 하한치와 비교한다.The outputs of the capacitance measuring units 41A, 41B, 41C, and 41D are configured to be input to the comparing units 42A, 42B, 42C, and 42D. The outputs of the comparison units 42A, 42B, 42C, and 42D are configured to be input to the control unit 5 described later. The comparing units 42A to 42D compare the outputs of the capacitance measuring units 41A to 41D with a preset lower limit value.

본 실시예에서는 하한치로서 제 1 하한치와, 제 1 하한치보다 큰 제 2 하한치를 이용한다.In this embodiment, the first lower limit and the second lower limit larger than the first lower limit are used as the lower limit.

제 1 하한치는 대략 0에 가까운 값이며, 정전 용량 센서(4A ~ 4D)가 설치되어 있는 보지 클로(30A ~ 30D)에 웨이퍼(W)가 보지되지 않았을 때 정전 용량 측정부(41A ~ 41D)의 출력이 제 1 하한치보다 작아지는 값으로서 설정되어 있다.The first lower limit is a value close to 0. When the wafer W is not held in the holding claws 30A to 30D in which the capacitance sensors 4A to 4D are installed, the first lower limit value of the capacitance measuring sections 41A to 41D is determined. The output is set as a value smaller than the first lower limit.

제 2 하한치는 제 1 하한치보다 큰 값이다. 또한, 제 2 하한치는 웨이퍼(W)가 정상적으로 보지 클로(30A ~ 30D)에 재치되어 있을 때 정전 용량 측정부(41A ~ 41D)의 출력이 제 2 하한치보다 커지는 값으로서 설정되어 있다. 정전 용량 측정부(41A ~ 41D)의 출력이 제 2 하한치보다 작아질 때에는 웨이퍼(W)가 정상적으로 보지 클로(30A ~ 30D)에 재치되지 않았을 때, 즉 포크(3A)에 대한 웨이퍼(W)의 상대 위치가 정상 위치로부터 이탈되어 있을 때이다. 이 때는, 후술하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 포크(3A)로부터 특허청구의 범위에서의 기판 재치부에 상당하는 각 처리 모듈의 승강 핀 또는 재치대로 반환하여 포크(3A)의 위치를 보정한 후, 재차 웨이퍼(W)를 각 처리 모듈의 승강 핀 또는 재치대로부터 포크(3A)에 전달한다.The second lower limit value is larger than the first lower limit value. The second lower limit is set as a value at which the output of the capacitance measuring units 41A to 41D becomes larger than the second lower limit when the wafer W is normally placed in the retaining claws 30A to 30D. When the output of the capacitance measuring sections 41A to 41D becomes smaller than the second lower limit, when the wafer W is not normally placed in the retaining claws 30A to 30D, that is, of the wafer W to the fork 3A, It is when the relative position deviates from the normal position. At this time, as will be described later, the wafer W is returned from the fork 3A to the lifting pins or the mounting base of each processing module corresponding to the substrate placing unit in the claims, thereby correcting the position of the fork 3A. Then, the wafer W is again transferred to the fork 3A from the lifting pins or the mounting table of each processing module.

비교부(42A ~ 42D)는, 예를 들면 이하와 같이 비교 처리를 행하도록 구성되어 있다. 즉, 비교부(42A ~ 42D)는 정전 용량 측정부(41A ~ 41D)의 출력이 제 2 하한치보다 커질 때에는 제어부(5)에 대하여 재치 신호를 발생시킨다. 또한, 비교부(42A ~ 42D)는 정전 용량 측정부(41A ~ 41D)의 출력이 제 1 하한치보다 작아질 때에는 제어부(5)에 대하여 경고 신호를 발생시킨다. 또한, 비교부(42A ~ 42D)는 정전 용량 측정부(41A ~ 41D)의 출력이 제 1 하한치보다 크고 제 2 하한치보다 작을 때에는 재치 신호 및 경고 신호 모두 발생시키지 않는다.The comparison sections 42A to 42D are configured to perform comparison processing, for example, as follows. That is, the comparators 42A to 42D generate a mounting signal to the controller 5 when the output of the capacitance measuring units 41A to 41D is larger than the second lower limit. In addition, the comparison units 42A to 42D generate a warning signal to the control unit 5 when the output of the capacitance measurement units 41A to 41D becomes smaller than the first lower limit. In addition, the comparison units 42A to 42D do not generate both the placement signal and the warning signal when the output of the capacitance measurement units 41A to 41D is larger than the first lower limit and smaller than the second lower limit.

먼저, 도 9의 (a) 및 도 9의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 보지 클로(30A ~ 30D)에 정상적으로 재치되어 있는 경우에 대하여 설명한다. 이러한 때에는 모든 정전 용량 측정부(41A ~ 41D)의 출력이 제 2 하한치보다 커져, 비교부(42A ~ 42D) 모두는 제어부(5)에 대하여 재치 신호를 출력한다. 그리고, 비교부(42A ~ 42D) 모두로부터 재치 신호가 입력된 제어부(5)는 웨이퍼(W)가 보지 클로(30A ~ 30D)에 정상적으로 재치되어 있어 포크(3A)에 대한 웨이퍼(W)의 상대 위치의 보정이 필요없다고 판정한다. 보정이 필요없다고 판정한 제어부(5)는 진퇴 기구(33A) 및 승강대(34)를 제어하고 포크(3A)를 구동시켜 웨이퍼(W)를 반송한다.First, as shown in FIGS. 9A and 9B, the case where the wafer W is normally placed in the retaining claws 30A to 30D will be described. At this time, the outputs of all the capacitance measuring units 41A to 41D become larger than the second lower limit value, and all of the comparing units 42A to 42D output the mounting signals to the control unit 5. Then, the controller 5 in which the placement signal is input from all of the comparison units 42A to 42D is normally placed on the retaining claws 30A to 30D so that the wafer W is relative to the fork 3A. It is determined that the position correction is not necessary. The control part 5 which determined that correction is not necessary controls the advance mechanism 33A and the lifting platform 34, drives the fork 3A, and conveys the wafer W. As shown in FIG.

이어서, 도 10의 (a), 도 10의 (b) 및 도 11에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 보지 클로(30A ~ 30D)에 정상적으로 재치되지 않은 경우에 대하여 설명한다. 도 10의 (a) 및 도 10의 (b)는 웨이퍼(W)가 포크(3A)의 진퇴 방향인 X 방향과 대략 직교하는 Y 방향으로 이탈되었을 때를 도시하고 있고, 도 11은 웨이퍼(W)가 포크(3A)의 진퇴 방향인 X 방향으로 이탈되었을 때를 도시하고 있다. 이러한 때에는 정전 용량 측정부(41A ~ 41D) 중 어느 하나에서 출력이 제 2 하한치보다 작아져, 비교부(42A ~ 42D) 중 어느 하나는 제어부(5)에 대하여 재치 신호를 출력하지 않는다. 그리고, 비교부(42A ~ 42D) 중 어느 하나로부터 재치 신호가 입력되지 않은 제어부(5)는 웨이퍼(W)가 보지 클로(30A ~ 30D)에 정상적으로 재치되지 않아, 포크(3A)에 대한 웨이퍼(W)의 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정한다. 보정이 필요하다고 판정한 제어부(5)는 진퇴 기구(33A) 및 승강대(34)를 제어하여, 웨이퍼(W)를 포크(3A)의 보지 클로(30A ~ 30D)로부터 각 처리 모듈의 승강 핀 또는 재치대로 반환하여 포크(3A)의 위치를 보정한다. 그리고, 보정 후 재차 웨이퍼(W)를 각 모듈의 승강 핀 또는 재치대로부터 포크(3A)의 보지 클로(30A ~ 30D)에 전달한다.Next, as shown in FIGS. 10A, 10B, and 11, the case where the wafer W is not normally placed in the retaining claws 30A to 30D will be described. 10 (a) and 10 (b) show when the wafer W is separated in the Y direction substantially orthogonal to the X direction, which is the advancing direction of the fork 3A, and FIG. 11 shows the wafer W ) Is separated in the X direction, which is the advance direction of the fork 3A. At this time, the output is smaller than the second lower limit in any one of the capacitance measuring units 41A to 41D, and any one of the comparing units 42A to 42D does not output the mounting signal to the control unit 5. And the control part 5 to which the mounting signal was not input from any of the comparison parts 42A-42D is not normally mounted in the holding claws 30A-30D, and the wafer (with respect to the fork 3A) It is determined that correction of the relative position of W) is necessary. The control part 5 which determined that correction is necessary controls the advance mechanism 33A and the lifting platform 34, and lifts the wafer W from the holding claws 30A to 30D of the fork 3A or the lifting pins of the respective processing modules. Return to the mounting tray to correct the position of the fork 3A. After the correction, the wafer W is transferred from the lifting pins or the mounting table of each module to the holding claws 30A to 30D of the fork 3A.

또한, 웨이퍼(W)의 위치가 정상 위치로부터 매우 이탈되어 있거나 또는 웨이퍼(W)가 보지 클로(30A ~ 30D) 중 어느 하나에 전혀 재치되지 않았을 때에는 정전 용량 측정부(41A ~ 41D) 중 어느 하나에서 출력이 제 2 하한치보다 작은 제 1 하한치보다 더 작아진다. 이때, 이 정전 용량 측정부(41A ~ 41D)에 대응되는 비교부(42A ~ 42D)는 경고 신호를 발생시킨다. 제어부(5)는 비교부(42A ~ 42D) 중 어느 하나로부터 경고 신호가 입력되었을 때에는 웨이퍼(W)의 위치가 정상 위치로부터 매우 이탈되어 있거나 또는 웨이퍼(W)가 보지 클로(30A ~ 30D) 중 어느 하나에 전혀 재치되지 않았다고 판정하여 포크(3A)의 이동을 정지한다.In addition, when the position of the wafer W is very far from the normal position, or when the wafer W is not placed in any of the retaining claws 30A to 30D, any one of the capacitance measuring units 41A to 41D is used. The output is smaller than the first lower limit than the second lower limit. At this time, the comparison units 42A to 42D corresponding to the capacitance measuring units 41A to 41D generate a warning signal. When the warning signal is input from any of the comparing units 42A to 42D, the control unit 5 is very far from the normal position of the wafer W, or the wafer W is held in the holding claws 30A to 30D. It is judged that no one is placed at all, and the movement of the fork 3A is stopped.

이어서, 도 12를 참조하여, 반송 암과 처리 모듈과의 사이의 웨이퍼(W)의 전달을 제어하는 제어부(5)에 대해 설명한다.Next, with reference to FIG. 12, the control part 5 which controls the transfer of the wafer W between a conveyance arm and a processing module is demonstrated.

또한, 이하에서는 기판 반송 방법의 설명도 포함하여 반송 암이 웨이퍼(W)를 전달하는 처리 모듈로서 가열 모듈(7)을 예시하여 설명한다. 가열 모듈(7)은, 전술한 도 3 및 도 4를 이용하여 설명한 바와 같이, 제 1 블록(DEV층)(B1), 제 2 블록(BCT층)(B2), 제 3 블록(COT층)(B3), 제 4 블록(TCT층)(B4) 각각에서 선반 유닛(U3)에 내장되어 있다.In addition, below, the heating module 7 is illustrated and demonstrated as a processing module in which a conveyance arm delivers the wafer W, including description of the board | substrate conveyance method. As described above with reference to FIGS. 3 and 4, the heating module 7 includes a first block (DEV layer) B1, a second block (BCT layer) B2, and a third block (COT layer). (B3) and 4th block (TCT layer) B4 are each built in the shelf unit U3.

도 12는 제어부(5)를 제 3 블록(COT층)(B3)에서의 반송 암(A3) 및 가열 모듈(7)과 함께 도시한 구성도이다.FIG. 12: is a block diagram which showed the control part 5 with the conveyance arm A3 and the heating module 7 in 3rd block (COT layer) B3.

도 12에 도시한 바와 같이, 가열 모듈(7)은 처리 용기(71), 열판(72), 승강 핀(73), 승강 기구(74)를 가진다. 가열 모듈(7)은 웨이퍼(W)에 대해 열처리를 행하는 것이다. 처리 용기(71) 내에는 열판(72)이 설치되어 있다. 열판(72)에는 승강 핀(73)이 설치되어 있다. 승강 기구(74)는 승강 핀(73)을 승강시키기 위한 것이다. 승강 핀(73)은 특허청구의 범위에서의 기판 재치부에 상당한다. 또한, 도 12 중 70은 웨이퍼(W)의 반송구이다.As shown in FIG. 12, the heating module 7 has a processing container 71, a hot plate 72, a lifting pin 73, and a lifting mechanism 74. The heating module 7 heat-processes the wafer W. As shown in FIG. The heat plate 72 is provided in the processing container 71. The elevating pin 73 is provided on the hot plate 72. The lifting mechanism 74 is for lifting up and down the lifting pin 73. The lifting pin 73 corresponds to the substrate placing part in the claims. In addition, 70 in FIG. 12 is a conveyance port of the wafer W. As shown in FIG.

제어부(5)는 연산 처리부(51), 기억부(52), 표시부(53) 및 알람 발생부(54)를 가진다.The control unit 5 has a calculation processing unit 51, a storage unit 52, a display unit 53, and an alarm generating unit 54.

연산 처리부(51)는, 예를 들면 메모리, CPU(Central Processing Unit)를 가지는 데이터 처리부인 컴퓨터이다. 연산 처리부(51)는 기억부(52)에 기록된 프로그램을 판독하고, 이 프로그램에 포함되는 명령(커멘드)에 따라 레지스트 패턴 형성 장치의 각 부로 제어 신호를 송신하여, 레지스트 패턴 형성 처리에 포함되는 각종 기판 처리를 실행한다. 구체적으로, 연산 처리부(51)는 반송 암(A3)의 진퇴 기구(33A, 33B)의 구동 기구(33)에 설치된 모터(M), 엔코더(38) 또는 카운터(39) 등에 대하여 소정의 제어 신호를 송신하여 웨이퍼(W)의 전달 및 반송을 실행한다.The arithmetic processing part 51 is a computer which is a data processing part which has a memory and a Central Processing Unit (CPU), for example. The arithmetic processing unit 51 reads a program recorded in the storage unit 52, transmits a control signal to each part of the resist pattern forming apparatus in accordance with a command (command) included in the program, and is included in the resist pattern forming process. Various substrate processes are performed. Specifically, the arithmetic processing unit 51 controls a predetermined control signal to the motor M, the encoder 38, the counter 39, and the like provided in the drive mechanism 33 of the advance mechanisms 33A and 33B of the transfer arm A3. Is transmitted to transfer and convey the wafer W. FIG.

기억부(52)는 연산 처리부(51)에 각종 처리를 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체이다. 기록 매체로서, 예를 들면 플렉서블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 광자기(Magnetoptical; MO) 디스크 등을 이용할 수 있다.The storage unit 52 is a computer-readable recording medium that records a program for causing the arithmetic processing unit 51 to execute various processes. As the recording medium, for example, a flexible disk, a compact disk, a hard disk, a magneto-optical (MO) disk, or the like can be used.

표시부(53)는, 예를 들면 컴퓨터의 화면으로 이루어진다. 표시부(53)에서는 각종 기판 처리의 선택 또는 각 기판 처리에서의 파라미터의 입력 조작을 행할 수 있다.The display part 53 consists of a screen of a computer, for example. In the display unit 53, various substrate processes can be selected or parameters can be input in each substrate process.

알람 발생부(54)는 반송 암(A3)을 포함하여 레지스트 패턴 형성 장치의 각 부에 이상이 발생했을 때 알람을 발생시킨다.The alarm generator 54 generates an alarm when an abnormality occurs in each part of the resist pattern forming apparatus including the transfer arm A3.

이어서, 도 12 내지 도 14를 참조하여, 반송 암(A3)의 포크(3A)가 가열 모듈(7)로부터 웨이퍼(W)를 수취할 때의 공정을 예시하여 본 실시예에 따른 기판 반송 방법에 대해 설명한다. 도 13은 기판 반송 방법에서의 각 공정의 순서를 나타낸 순서도이다. 도 14는 웨이퍼(W)를 전달할 때의 가열 모듈(7)과 반송 암(A3)의 상태를 도시한 도면이다.Next, with reference to FIGS. 12-14, the process when the fork 3A of the transfer arm A3 receives the wafer W from the heating module 7 is illustrated, and the board | substrate conveyance method which concerns on this embodiment is illustrated. Explain. It is a flowchart which shows the procedure of each process in a board | substrate conveyance method. FIG. 14: is a figure which shows the state of the heating module 7 and the conveyance arm A3 at the time of conveying the wafer W. As shown in FIG.

본 실시예에 따른 기판 반송 방법은 제어부(5)가 진퇴 기구(33A)에 의해 포크(3A)를 전진시켜 승강 핀(73)으로부터 보지 클로(30A ~ 30D)에 웨이퍼(W)를 전달했을 때 정전 용량 센서(4A ~ 4D)에 의해 포크(3A)에 대한 웨이퍼(W)의 상대 위치를 검출하고, 각각의 정전 용량 센서(4A ~ 4D)의 검출치에 기초하여 상대 위치의 보정 여부를 판정하는 것이다. 그리고, 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정했을 때에는 보정 동작을 행하고, 상대 위치의 보정이 불필요하다고 판정했을 때에는 진퇴 기구(33A)의 구동을 정지하거나 또는 웨이퍼(W)의 반송을 계속하는 것이다.In the substrate conveyance method according to the present embodiment, when the control unit 5 advances the fork 3A by the advance mechanism 33A and transfers the wafer W from the lift pins 73 to the retaining claws 30A to 30D. The relative position of the wafer W with respect to the fork 3A is detected by the capacitance sensors 4A-4D, and it is determined whether the relative position is correct | amended based on the detection value of each capacitance sensor 4A-4D. It is. When it is determined that the correction of the relative position is necessary, the correction operation is performed. When it is determined that the correction of the relative position is unnecessary, the driving of the advance mechanism 33A is stopped or the conveyance of the wafer W is continued.

도 13에 도시한 바와 같이, 기판 반송 방법은 전달 공정(단계(S11)), 검출 공정(단계(S12)), 판정 공정(단계(S13), 단계(S14)), 보정 공정(단계(S15)), 반출 공정(단계(S16)) 및 정지 공정(단계(S17))을 가진다.As shown in Fig. 13, the substrate transfer method includes a transfer step (step S11), a detection step (step S12), a determination step (step S13, step S14), and a correction step (step S15). ), A carrying out process (step S16) and a stopping process (step S17).

전달 공정(단계(S11))에서는, 도 14의 (a)에 도시한 바와 같이, 가열 모듈(7)에서 승강 핀(73)에 의해 웨이퍼(W)를 밀어올려 웨이퍼(W)를 열판(72)의 상방 위치까지 상승시킨다. 이어서, 도 14의 (b)에 도시한 바와 같이, 제어부(5)에 의해 제어된 진퇴 기구(33A)에 의해 가열 모듈(7)의 외방에서부터 웨이퍼(W)의 하방측으로 포크(3A)를 전진시킨다. 그리고, 도 14의 (c)에 도시한 바와 같이, 제어부(5)에 의해 제어된 승강대(34)에 의해 포크(3A)를 상승시켜 웨이퍼(W)를 하방측에서 들어올리듯이 하여 보지 클로(30A ~ 30D)에 보지시킴으로써, 웨이퍼(W)를 승강 핀(73)으로부터 포크(3A)의 보지 클로(30A ~ 30D)에 전달한다.In the transfer process (step S11), as shown in FIG. 14A, the heating module 7 pushes up the wafer W by the lifting pins 73 to heat the wafer W to heat the plate 72. To the position above. Subsequently, as shown in FIG. 14B, the fork 3A is advanced from the outside of the heating module 7 to the lower side of the wafer W by the retreat mechanism 33A controlled by the controller 5. Let's do it. As shown in FIG. 14C, the fork 3A is lifted by the lift table 34 controlled by the control unit 5 so that the wafer W is lifted from the lower side. By holding at 30A to 30D, the wafer W is transferred from the lifting pin 73 to the holding claws 30A to 30D of the fork 3A.

이어서, 검출 공정(단계(S12))에서는 보지 클로(30A ~ 30D)에 웨이퍼(W)를 전달했을 때, 웨이퍼(W)를 보지 클로(30A ~ 30D)에 보지시킨 상태로 보지 클로(30A ~ 30D)에 설치된 정전 용량 센서(4A ~ 4D)의 정전 용량(출력)을 검출한다.Subsequently, in the detection step (step S12), when the wafer W is transferred to the holding claws 30A to 30D, the holding claws 30A to 30D are held in the state where the wafer W is held by the holding claws 30A to 30D. The capacitance (output) of the capacitance sensors 4A to 4D provided at 30D) is detected.

제어부(5)에서는 비교부(42A ~ 42D)에 의해 정전 용량 센서(4A ~ 4D)의 검출치인 정전 용량(출력)과 제 1 하한치, 제 2 하한치를 비교한다. 정전 용량(출력)이 제 1 하한치보다 작을 때에는 비교부(42A ~ 42D)로부터 경고 신호가 출력된다. 정전 용량(출력)이 제 2 하한치보다 클 때에는 비교부(42A ~ 42D)로부터 재치 신호가 출력된다. 또한, 정전 용량(출력)이 제 1 하한치보다 크고 제 2 하한치보다 작을 때는 비교부(42A ~ 42D)로부터는 재치 신호 및 경고 신호 모두 출력되지 않는다.The control part 5 compares the capacitance (output) which is a detection value of the capacitance sensors 4A-4D, a 1st lower limit value, and a 2nd lower limit value by the comparison parts 42A-42D. When the capacitance (output) is smaller than the first lower limit value, a warning signal is output from the comparators 42A to 42D. When the capacitance (output) is larger than the second lower limit value, a placement signal is output from the comparators 42A to 42D. In addition, when the capacitance (output) is larger than the first lower limit and smaller than the second lower limit, neither the placing signals nor the warning signals are output from the comparators 42A to 42D.

이어서, 판정 공정(단계(S13), 단계(S14))에서는 제어부(5)가 4 개의 정전 용량 센서(4A ~ 4D)에 대응되는 4 개의 비교부(42A ~ 42D)로부터 출력되는 재치 신호 및 경고 신호의 유무에 기초해 포크(3A)에 대한 웨이퍼(W)의 상대 위치가 정상인지 아닌지를 판정하여 상대 위치의 보정 여부를 판정한다. 즉, 제어부(5)는 4 개의 정전 용량 센서(4A ~ 4D)의 검출치인 정전 용량(출력)에 기초하여 상대 위치의 보정 여부를 판정한다.Subsequently, in the determination process (steps S13 and S14), the control unit 5 outputs the wit signals and warnings output from the four comparison units 42A to 42D corresponding to the four capacitance sensors 4A to 4D. Based on the presence or absence of the signal, it is determined whether or not the relative position of the wafer W with respect to the fork 3A is normal or not to determine whether the relative position is corrected. That is, the control part 5 determines whether the relative position is correct | amended based on the capacitance (output) which is the detection value of four capacitance sensors 4A-4D.

단계(S13)에서는 4 개의 비교부(42A ~ 42D) 중 어느 하나로부터 경고 신호가 출력되고 있는지를 판정한다.In step S13, it is determined whether any one of the four comparison units 42A to 42D is outputting a warning signal.

4 개의 비교부(42A ~ 42D) 중 어느 하나로부터 경고 신호가 출력되고 있을 때에는 정지 공정(단계(S17))으로 진행된다. 정지 공정(단계(S17))에서 반송 암(A3)은 도 14의 (d) 및 도 14의 (e)에 도시한 바와 같은 후퇴 위치로의 후퇴가 금지되고, 가열 모듈(7) 내에서 웨이퍼(W)를 수취한 상태에서 구동이 정지된다. 그리고, 반송 암(A3)의 구동이 정지되었을 때에는 오퍼레이터에 의해 웨이퍼(W)의 위치에 이상이 발생한 원인의 특정 또는 리커버리 처리, 메인트넌스 등이 행해진다.When a warning signal is output from any one of the four comparison sections 42A to 42D, the process proceeds to a stop step (step S17). In the stopping step (step S17), the conveyance arm A3 is prohibited from retreating to the retracted position as shown in FIGS. 14D and 14E, and the wafer is heated in the heating module 7. The drive is stopped in the state of receiving (W). And when the drive of the conveyance arm A3 is stopped, the operator identifies, recovers, maintains, etc. the cause which the abnormality generate | occur | produced in the position of the wafer W.

한편, 4 개의 비교부(42A ~ 42D) 중 어디에서도 경고 신호가 출력되지 않았을 때에는 단계(S14)로 진행된다. 단계(S14)에서는 모든 비교부(42A ~ 42D)로부터 재치 신호가 출력되고 있는지를 판정한다.On the other hand, when no warning signal is output in any of the four comparison units 42A to 42D, the process proceeds to step S14. In step S14, it is determined whether the placing signals are output from all the comparing units 42A to 42D.

모든 비교부(42A ~ 42D)로부터 재치 신호가 출력되고 있을 때에는 웨이퍼(W)의 위치가 정상이며 포크(3A)에 대한 웨이퍼(W)의 상대 위치의 보정은 필요없다고 판정하여 반출 공정(단계(S16))으로 진행된다. 반출 공정(단계(S16))에서는, 도 14의 (d) 및 도 14의 (e)에 도시한 바와 같이, 승강 핀(73)을 하강시키고 포크(3A)를 후퇴시킴으로써, 승강 핀(73)으로부터 포크(3A)의 보지 클로(30A ~ 30D)로 웨이퍼(W)를 전달한다. 그리고 포크(3A)를 후퇴시킨 후, 보지하고 있는 웨이퍼(W)를 다음 반송처까지 이동시킨다.When the placement signals are output from all the comparison units 42A to 42D, it is determined that the position of the wafer W is normal and that the correction of the relative position of the wafer W with respect to the fork 3A is not necessary, and the carrying out process (step ( S16)). In the unloading process (step S16), as shown in FIGS. 14D and 14E, the lifting pins 73 are lowered and the fork 3A is retracted to lift the lifting pins 73. The wafer W is transferred from the holding claws 30A to 30D of the fork 3A from the back. After the fork 3A is retracted, the held wafer W is moved to the next transfer destination.

한편, 어느 한 비교부(42A ~ 42D)로부터 재치 신호가 출력되지 않았을 때에는 웨이퍼(W)의 위치는 경고 신호를 출력할 정도로 이탈되어 있지는 않지만 일정 정도의 이탈량으로 이탈되어 있어, 포크(3A)에 대한 웨이퍼(W)의 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정한다. 이 때는 보정 공정(단계(S15))으로 진행된다.On the other hand, when the placement signal is not output from any of the comparison sections 42A to 42D, the position of the wafer W is not separated to the extent that the warning signal is output, but is separated by a certain amount of deviation, and thus the fork 3A. It is determined that correction of the relative position of the wafer W with respect to is necessary. In this case, the process proceeds to the correction process (step S15).

보정 공정(단계(S15))에서는 제어부(5)에 의해 제어된 승강대(34)에 의해 포크(3A)를 하강시켜, 웨이퍼(W)를 보지 클로(30A ~ 30D)로부터 승강 핀(73)으로 되돌린다. 그 결과, 도 14의 (b)에 도시한 상태로 되돌아오게 된다. 그리고, 제어부(5)에 의해 제어된 진퇴 기구(33A)에 의해 웨이퍼(W)의 하방측에서부터 가열 모듈(7)의 외방으로 포크(3A)를 후퇴시킨다. 그 결과, 도 14의 (a)에 도시한 상태에서 되돌리게 된다. 그리고, 가열 모듈(7)의 외방에서 조금 전의 웨이퍼(W)의 위치의 이탈을 보상하도록 포크(3A)의 위치를 보정한다.In the correction process (step S15), the fork 3A is lowered by the lifting platform 34 controlled by the control unit 5 to move the wafer W from the holding claws 30A to 30D to the lifting pin 73. Return As a result, it returns to the state shown in FIG.14 (b). Then, the fork 3A is retracted outward from the heating module 7 from the lower side of the wafer W by the retreat mechanism 33A controlled by the controller 5. As a result, it returns in the state shown to Fig.14 (a). Then, the position of the fork 3A is corrected to compensate for the deviation of the position of the wafer W just outside of the heating module 7.

예를 들면, 4 개의 정전 용량 센서 중 4A, 4B의 정전 용량(출력)은 제 2 하한치보다 크지만 4C, 4D의 정전 용량(출력)은 제 2 하한치보다 작을 때에는, 도 10에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 위치가 - Y 방향으로 일정 이탈량만큼 이탈되어 있었다고 생각된다. 또한, 그 이탈량은 4A, 4B의 정전 용량(출력)과 제 2 하한치와의 차이에 기초하여 산출이 가능하다. 정전 용량 센서의 정전 용량(출력)은 정전 용량 센서의 표면 중 피검출물에 덮여 있는 영역의 면적에 의존하기 때문이다. 따라서, 정전 용량 센서의 정전 용량(출력)에 기초하여 보지 클로(30A ~ 30D)의 상면 중 웨이퍼(W)에 덮여 있는 영역의 면적을 산출할 수 있다. 그리고, 산출된 - Y 방향의 이탈량을 보상, 즉 상쇄하도록 포크(3A)의 위치를 보정한다.For example, when the capacitances (outputs) of 4A and 4B of the four capacitance sensors are larger than the second lower limit, but the capacitances (outputs) of 4C and 4D are smaller than the second lower limit, as shown in FIG. 10. It is considered that the position of the wafer W has been separated by a certain amount of deviation in the -Y direction. The deviation can be calculated based on the difference between the capacitances (outputs) of 4A and 4B and the second lower limit. This is because the capacitance (output) of the capacitive sensor depends on the area of the area of the surface of the capacitive sensor covered with the detected object. Therefore, the area of the area | region covered with the wafer W among the upper surfaces of the holding | maintenance claws 30A-30D can be calculated based on the capacitance (output) of the capacitance sensor. Then, the position of the fork 3A is corrected to compensate, i.e., offset the calculated deviation amount in the -Y direction.

혹은, 예를 들면 4 개의 정전 용량 센서 중 4A, 4D의 정전 용량(출력)은 제 2 하한치보다 크지만 4B, 4C의 정전 용량(출력)은 제 2 하한치보다 작을 때에는, 도 11에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 위치가 - X 방향으로 일정 이탈량만큼 이탈되어 있었다고 생각된다. 또한, 그 이탈량은 도 10을 이용하여 설명한 경우와 마찬가지로, 4B, 4C의 정전 용량(출력)과 제 2 하한치와의 차이에 기초하여 산출이 가능하다. 그리고, 산출된 - X 방향의 이탈량을 보상, 즉 상쇄하도록 포크(3A)의 위치를 보정한다.Or, for example, when the capacitances (outputs) of 4A and 4D of the four capacitance sensors are larger than the second lower limit, but the capacitances (outputs) of 4B and 4C are smaller than the second lower limit, as shown in FIG. Similarly, it is considered that the position of the wafer W has been separated by a certain amount of deviation in the -X direction. In addition, the deviation amount can be calculated based on the difference between the capacitances (outputs) of 4B and 4C and the second lower limit as in the case described with reference to FIG. 10. Then, the position of the fork 3A is corrected so as to compensate, that is, cancel the calculated deviation amount in the -X direction.

이와 같이 하여 포크(3A)의 이탈량을 보정한 후, 전달 공정(단계(S11))으로 재차 되돌아온다. 전달 공정(단계(S11))에서는, 도 14의 (b)에 도시한 바와 같이, 위치가 보정된 포크(3A)를 제어부(5)에 의해 제어된 진퇴 기구(33A)에 의해 재차 가열 모듈(7)의 외방에서부터 웨이퍼(W)의 하방측으로 전진시킨다. 그리고, 도 14의 (c)에 도시한 바와 같이, 제어부(5)에 의해 제어된 승강대(34)에 의해 포크(3A)를 상승시켜 웨이퍼(W)를 하방측에서 들어올리듯이 하여 보지 클로(30A ~ 30D)에 보지시킨다. 그리고, 웨이퍼(W)를 보지 클로(30A ~ 30D)에 보지시킨 후, 재차 검출 공정(단계(S12)) 및 판정 공정(단계(S13), 단계(S14))을 행한다.In this way, after correct | amending the departure amount of 3 A of forks, it returns to a delivery process (step S11) again. In the delivery step (step S11), as shown in Fig. 14B, the fork 3A whose position is corrected is again heated by the retraction mechanism 33A controlled by the control unit 5 (the heating module ( From the outside of 7), the wafer W is advanced downward. As shown in FIG. 14C, the fork 3A is lifted by the lift table 34 controlled by the control unit 5 so that the wafer W is lifted from the lower side. 30A ~ 30D). After the wafer W is held by the retaining claws 30A to 30D, the detection step (step S12) and the determination step (step S13 and step S14) are performed again.

검출 공정(단계(S12))에서는 재차 보지 클로(30A ~ 30D)에 설치된 정전 용량 센서(4A ~ 4D)의 정전 용량(출력)을 검출한다. 그리고, 단계(S13)에서 4 개의 비교부(42A ~ 42D) 중 어디에서도 경고 신호가 출력되지 않고, 단계(S14)에서 모든 비교부(42A ~ 42D)로부터 재치 신호가 출력되었을 때에는 웨이퍼(W)의 위치가 정상이라고 판정하여 반출 공정(단계(S16))으로 진행된다.In the detection step (step S12), the capacitance (output) of the capacitance sensors 4A to 4D provided in the holding claws 30A to 30D is detected again. Then, when no warning signal is output in any of the four comparison units 42A to 42D in step S13, and when the batch signals are output from all the comparison units 42A to 42D in step S14, the wafer W It is judged that the position of is normal, and it progresses to a carrying out process (step S16).

본 실시예에서는 판정 공정(단계(S13), 단계(S14)) 및 보정 공정(단계(S15))에 의해, 보지 클로(30A ~ 30D)에 보지되어 있는 웨이퍼(W)의 포크(3A)에 대한 상대 위치가 정상 위치로부터 위치 이탈되어 있는지를 용이하게 검출할 수 있다. 또한, 포크(3A)에 대한 웨이퍼(W)의 상대 위치가 정상 위치로부터 위치 이탈되어 있었던 경우에는 웨이퍼(W)를 낙하시키거나 처리 모듈의 다른 부분에 접촉시키지 않고 포크(3A)에 대한 웨이퍼(W)의 상대 위치가 정상 위치가 되도록 다시 보지할 수 있다.In this embodiment, the fork 3A of the wafer W held by the retaining claws 30A to 30D is determined by the determination step (step S13, step S14) and the correction step (step S15). It is easy to detect whether the relative position with respect to the position is out of the normal position. In addition, when the relative position of the wafer W with respect to the fork 3A has shifted from the normal position, the wafer with respect to the fork 3A without dropping the wafer W or contacting another part of the processing module ( It can be held back so that the relative position of W) becomes a normal position.

또한, 어느 한 비교부(42A ~ 42D)로부터 경고 신호가 출력되었을 때 반송 암(A3)의 구동을 정지함으로써, 정상적인 상태로 재치되지 않았던 웨이퍼(W)가 포크(3A)의 후퇴 도중에 낙하되는 것 또는 낙하된 웨이퍼(W)와 반송 암(A3)이 충돌하는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 웨이퍼(W)의 위치에 이상이 있는 경우에도 웨이퍼(W)의 위치를 정상 위치로 되돌리는 대응을 행하면 되므로, 그 대응 후에 신속하게 처리를 재개할 수 있다.In addition, when the warning signal is output from any of the comparing sections 42A to 42D, the driving of the transfer arm A3 is stopped so that the wafer W, which has not been placed in a normal state, falls during the retreat of the fork 3A. Alternatively, collision of the dropped wafer W and the transfer arm A3 can be prevented. And even if there is an abnormality in the position of the wafer W, what is necessary is just to perform the correspondence which returns the position of the wafer W to a normal position, and can immediately resume processing after the correspondence.

즉, 본 실시예에 따르면 포크(3A) 상의 웨이퍼(W)의 보지 상태에 따라 적절한 반송 제어를 행할 수 있다.That is, according to this embodiment, appropriate conveyance control can be performed according to the holding state of the wafer W on the fork 3A.

또한, 승강 핀(73)으로부터 포크(3A)의 보지 클로(30A ~ 30D)에 웨이퍼(W)를 전달했을 때 포크(3A)에 대한 웨이퍼(W)의 상대 위치가 정상인지 아닌지를 판정하여, 경우에 따라서는 포크(3A)의 후퇴를 정지한다. 이 때문에, 처리 모듈 내에서 웨이퍼(W)가 파손되는 등의 문제가 있었을 때 문제가 발생한 시점에서의 상태를 그대로 관찰할 수 있고, 문제가 발생한 직후의 포크(3A) 또는 처리 모듈 내의 모습을 용이하게 확인할 수 있다. 따라서, 문제가 처리 모듈에 기인한 것인지 혹은 문제가 웨이퍼(W)의 전달 동작에 기인한 것인지를 특정하기 쉬워, 문제의 재발을 용이하게 방지할 수 있다.Further, when the wafer W is transferred from the lifting pin 73 to the retaining claws 30A to 30D of the fork 3A, it is determined whether or not the relative position of the wafer W with respect to the fork 3A is normal. In some cases, the retraction of the fork 3A is stopped. For this reason, when there is a problem such as damage to the wafer W in the processing module, the state at the time of the problem can be observed as it is, and the appearance in the fork 3A or the processing module immediately after the problem occurs is easy. You can check it. Therefore, it is easy to specify whether the problem is due to the processing module or the problem is due to the transfer operation of the wafer W, and the recurrence of the problem can be easily prevented.

또한, 본 실시예에서는 전달 공정(단계(S11)) 및 보정 공정(단계(S15))에서 진퇴 기구(33A)뿐만 아니라 승강대(34)를 구동시키는 예에 대하여 설명하였다. 그러나, 승강대(34)를 구동시키지 않고 가열 모듈(7)의 승강 기구(74)를 구동시켜 승강 핀(73)을 승강시킴으로써, 웨이퍼(W)를 포크(3A)의 보지 클로(30A ~ 30D)와의 사이에서 전달하도록 해도 좋다.In addition, in this embodiment, the example which drives not only the advance mechanism 33A but also the platform 34 in the delivery process (step S11) and the correction process (step S15) was demonstrated. However, the wafer W is held by the holding claws 30A to 30D of the fork 3A by driving the lifting mechanism 74 of the heating module 7 to lift the lifting pin 73 without driving the lifting table 34. You may transfer between and.

또한, 본 실시예에서는 웨이퍼(W)를 승강 핀(73)으로 되돌린 후, 포크(3A)를 가열 모듈(7)로부터 후퇴시켜 가열 모듈(7)의 외방에서 포크(3A)의 이탈량을 보정하고, 재차 포크(3A)를 가열 모듈(7)에 전진시켜 웨이퍼(W)를 승강 핀(73)으로부터 포크(3A)에 전달하게 하는 예에 대하여 설명하였다. 그러나, 보정량이 비교적 작을 때에는 포크(3A)가 웨이퍼(W) 또는 가열 모듈(7) 내에서의 다른 부분에 접촉할 우려가 없다. 이 때는 웨이퍼(W)를 포크(3A)의 보지 클로(30A ~ 30D)로부터 승강 핀(73)으로 되돌린 후, 포크(3A)를 가열 모듈(7) 내에 전진시킨 상태로 가열 모듈(7) 내에서 포크(3A)의 이탈량을 보정한 후, 재차 승강 핀(73)으로부터 포크(3A)의 보지 클로(30A ~ 30D)에 웨이퍼(W)를 전달하도록 해도 좋다.In addition, in this embodiment, after returning the wafer W to the lifting pin 73, the fork 3A is retracted from the heating module 7 to release the fork 3A from the outside of the heating module 7. The example which correct | amends again and advanced the fork 3A to the heating module 7 to transfer the wafer W from the lifting pin 73 to the fork 3A was demonstrated. However, when the correction amount is relatively small, there is no fear that the fork 3A may come into contact with the wafer W or another part within the heating module 7. At this time, the wafer W is returned from the retaining claws 30A to 30D of the fork 3A to the lifting pin 73, and then the fork 3A is advanced in the heating module 7 while the heating module 7 After correcting the amount of detachment of the fork 3A within, the wafer W may be transferred from the lifting pin 73 to the retaining claws 30A to 30D of the fork 3A again.

또한, 근접 센서(4A ~ 4D)로서 정전 용량 센서를 이용할 때에는 검출되는 정전 용량(출력)은 피검출물의 유전율에 의존한다. 즉, 동일한 형상을 가지는 웨이퍼(W)라도, 예를 들면 실리콘, 글라스, 사파이어, 알루미늄 등의 각종 재질에 의존하여 검출되는 정전 용량(출력)이 변화된다.In addition, when using a capacitance sensor as the proximity sensors 4A to 4D, the detected capacitance (output) depends on the permittivity of the object to be detected. That is, even in the wafer W having the same shape, the capacitance (output) detected depending on various materials, such as silicon, glass, sapphire, aluminum, etc., changes.

따라서, 본 실시예에 따르면 정전 용량 센서(4A ~ 4D)에 의해 웨이퍼(W)의 종류(재질)를 검출할 수 있다. 그리고, 웨이퍼(W)의 종류(재질)에 따라 포크(3A)의 이동 속도를 변경한다. 이에 따라, 예를 들면 웨이퍼(W)가 포크(3A)로부터 낙하되어 파손되었을 때의 손실에 따른 비용 증대와 공정 시간(택트 시간) 단축에 따른 비용 절감이 최적이 되도록 웨이퍼(W)마다 조정한 제조 프로세스를 행할 수 있다.Therefore, according to this embodiment, the kind (material) of the wafer W can be detected by the capacitance sensors 4A to 4D. And the moving speed of 3 A of forks is changed according to the kind (material) of wafer W. As shown in FIG. As a result, for example, adjustments are made for each wafer W so that the cost increase due to the loss when the wafer W falls from the fork 3A and is broken and the cost reduction due to the shortening of the process time (tact time) are optimized. A manufacturing process can be performed.

혹은, 복수 종류(재질)의 웨이퍼(W)를 처리하는 경우에는 웨이퍼(W)의 종류(재질)에 따라 웨이퍼(W)를 처리하는 처리 파라미터가 상이한 경우가 있다. 본 실시예에 따르면 웨이퍼(W)의 종류(재질)를 검출할 수 있기 때문에, 검출한 웨이퍼(W)의 종류(재질)에 따라 처리 파라미터를 자동적으로 변경할 수 있다. 이에 따라, 복수 종류(재질)의 웨이퍼(W)를 처리하는 경우에도 동일한 기판 처리 장치에 의해 처리를 행할 수 있어 복수의 기판 처리 장치를 준비할 필요가 없다.Or when processing the several types (material) of wafer W, the processing parameter which processes the wafer W may differ according to the kind (material) of the wafer W. According to this embodiment, since the type (material) of the wafer W can be detected, the processing parameters can be automatically changed in accordance with the type (material) of the detected wafer W. FIG. Thereby, even when processing the several types (material) of the wafer W, a process can be performed by the same substrate processing apparatus, and it is not necessary to prepare several substrate processing apparatuses.

또한, 근접 센서(4A ~ 4D)로서 정전 용량 센서를 이용할 때에는 검출되는 정전 용량(출력)은 피검출물의 대전 상태에도 의존한다. 따라서, 근접 센서(4A ~ 4D)에 의해 웨이퍼(W)의 대전(帶電)을 검지하여 알람을 발생시키도록 해도 좋다.In addition, when the capacitive sensor is used as the proximity sensors 4A to 4D, the detected capacitance (output) also depends on the state of charge of the object to be detected. Therefore, the charging of the wafer W may be detected by the proximity sensors 4A to 4D to generate an alarm.

또한, 근접 센서(4A ~ 4D)로서 정전 용량 센서 대신에 변형 게이지를 이용해도 좋다. 또한, 광전 센서, 접촉 센서, 자기 센서 등 각종 다른 근접 스위치를 이용한 변형예도 가능하다. 도 15를 참조하여 이러한 변형예에 대해 설명한다. 도 15는 본 변형예에 따른 반송 암의 포크(3A)를 확대하여 도시한 평면도이다. 또한, 도 7과 마찬가지로, 도 15에서도 도시를 용이하게 하기 위해, 포크(3A)에 대하여 보지 클로(30A ~ 30D) 및 근접 스위치(4A ~ 4D)를 조금 확대하여 도시하였다.As the proximity sensors 4A to 4D, a strain gauge may be used instead of the capacitive sensor. In addition, modifications using various other proximity switches such as photoelectric sensors, contact sensors, and magnetic sensors are also possible. This modification will be described with reference to FIG. 15. 15 is an enlarged plan view of the fork 3A of the transfer arm according to the present modification. In addition, similarly to FIG. 7, in FIG. 15, the retaining claws 30A to 30D and the proximity switches 4A to 4D are enlarged slightly with respect to the fork 3A.

도 15에 도시한 바와 같이, 근접 스위치(4A ~ 4D)는 보지 클로(30A ~ 30D) 각각에 보지되는 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 복수 개 설치되어 있다. 그리고, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 복수 개 설치된 근접 스위치(4A ~ 4D) 각각이 검출하는 검출치에 기초하여 포크(3A)에 대한 웨이퍼(W)의 상대 위치의 보정 여부를 판정한다.As shown in FIG. 15, a plurality of proximity switches 4A to 4D are provided along the radial direction of the wafer W held by the holding claws 30A to 30D, respectively. And based on the detection value which each of the proximity switches 4A-4D provided in multiple numbers along the radial direction of the wafer W detects, it determines whether the relative position of the wafer W with respect to the fork 3A is correct | amended.

구체적으로는, 일정 보지 클로(30A ~ 30D)에 설치된 복수 개의 근접 스위치(4A ~ 4D) 중 검출치가 소정의 하한치보다 작은 근접 스위치(4A ~ 4D)의 수가 미리 설정된 개수보다 많을 때 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정한다.Specifically, the correction of the relative position when the number of the proximity switches 4A to 4D whose detection value is smaller than the predetermined lower limit among the plurality of proximity switches 4A to 4D provided in the constant holding claws 30A to 30D is larger than the preset number. It is determined that this is necessary.

도 15에 도시한 예에서는 1 개의 보지 클로(30A ~ 30D)에, 예를 들면 근접 스위치(4A ~ 4D)를 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 4 개 설치하였다. 그리고, 검출치가 소정의 하한치보다 커지는 경우를 ON 치, 검출치가 당해 하한치보다 작아지는 경우를 OFF 치로 한다. 그리고, OFF 치를 출력한 근접 스위치의 수가 4 개 중, 예를 들면 미리 설정된 개수인 2 개보다 많을 때 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정한다.In the example shown in FIG. 15, four proximity switches 4A-4D were provided in one holding claw 30A-30D along the radial direction of the wafer W, for example. The ON value is a case where the detected value is larger than the predetermined lower limit, and the OFF value is a case where the detected value is smaller than the lower limit. And when the number of the proximity switches which outputs OFF value is more than four, for example, two which is a preset number, it determines with the correction of a relative position.

근접 스위치는 전술한 정전 용량 센서와 상이하여, 근접 스위치의 표면이 피검출물에 덮여 있는지 아닌지로 ON 치, OFF 치의 2 치로 변화하는 근접 스위치의 출력을 검출하는 것이다. 따라서, 보지 클로(30A ~ 30D)의 상면 중 웨이퍼(W)에 덮여 있는 근접 스위치가 몇 개인지에 기초하여 보지 클로(30A ~ 30D)의 상면 중 웨이퍼(W)에 덮여 있는 영역의 면적을 산출할 수 있다.The proximity switch is different from the above-mentioned capacitive sensor and detects the output of the proximity switch which changes to two values of ON value and OFF value whether or not the surface of the proximity switch is covered by the detected object. Therefore, the area of the area covered with the wafer W among the upper surfaces of the retaining claws 30A to 30D can be calculated based on the number of proximity switches covered with the wafer W among the upper surfaces of the retaining claws 30A to 30D. Can be.

이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 기술하였으나, 본 발명은 이러한 특정의 실시예에 한정되지 않으며, 특허 청구의 범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서 다양한 변형?변경이 가능하다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this specific embodiment, A various deformation | transformation and a change are possible within the scope of the summary of this invention described in the claim.

3, 3A, 3B: 포크(보지 프레임)
30, 30A ~ 30D: 보지 클로(보지부)
33, 33A, 33B: 진퇴 기구(구동부)
4, 4A, 4B, 4C, 4D: 정전 용량 센서(검출부)
5: 제어부
73: 기판 재치부3, 3A, 3B: Fork (holding frame)
30, 30 A-30 D: pussy claw
33, 33A, 33B: Retraction mechanism (drive section)
4, 4A, 4B, 4C, 4D: Capacitive Sensor (detector)
5: control unit
73: substrate placement unit

Claims (13)

기판을 재치(載置)하는 기판 재치부로부터 기판을 수취하고, 수취한 상기 기판을 반송하는 기판 반송 장치에 있어서,
반송하는 기판의 주위를 둘러싸도록 설치되며, 상기 기판 재치부에 진퇴 가능한 보지(保持) 프레임과,
상기 보지 프레임의 내연(內緣)을 따라 서로 간격을 두고 설치되어 있으며, 상기 기판의 주연부가 재치됨으로써 상기 기판을 보지하는 3 개 이상의 보지부와,
상기 보지부 각각에 설치되고, 상기 보지 프레임에 대한 상기 기판의 상대 위치를 검출하는 검출부와,
상기 보지 프레임을 상기 기판 재치부에 진퇴 구동시키는 구동부와,
상기 구동부에 의해 상기 보지 프레임을 전진시켜 상기 기판 재치부로부터 상기 보지부에 상기 기판을 전달했을 때 상기 검출부에 의해 상기 보지 프레임에 대한 상기 기판의 상대 위치를 검출하여, 각각의 상기 검출부의 검출치에 기초하여 상기 상대 위치의 보정 여부를 판정하고, 상기 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정했을 때에는 보정 동작을 행하고, 상기 상대 위치의 보정이 불필요하다고 판정했을 때에는 상기 구동부의 구동을 정지시키거나 또는 상기 기판의 반송을 계속하는 제어부
를 가지는 기판 반송 장치.
In the substrate transfer apparatus which receives a board | substrate from the board | substrate mounting part which mounts a board | substrate, and conveys the said board | substrate which received,
A holding frame provided to surround the substrate to be transported and capable of advancing and retreating to the substrate placing unit;
Three or more holding portions which are provided at intervals along the inner edge of the holding frame and hold the substrate by placing the peripheral edge portion of the substrate;
A detection section provided at each of the holding sections and detecting a relative position of the substrate with respect to the holding frame;
A driving unit for driving the holding frame forward and backward in the substrate placing unit;
When the holding unit is advanced by the driving unit and the substrate is transferred from the substrate placing unit to the holding unit, the detection unit detects a relative position of the substrate with respect to the holding frame, thereby detecting the detected value of each detecting unit. Determining whether or not the relative position is corrected, and if it is determined that correction of the relative position is necessary, a correction operation is performed; when it is determined that correction of the relative position is unnecessary, the driving of the driving unit is stopped or the Control part which continues conveyance of board
Substrate conveying apparatus having a.
제 1 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정했을 때, 상기 기판을 상기 보지부로부터 상기 기판 재치부로 되돌려 상기 보지 프레임의 위치를 보정한 후, 상기 기판 재치부로부터 상기 보지부에 상기 기판을 전달하는 것인 기판 반송 장치.
The method of claim 1,
When the control unit determines that the relative position needs to be corrected, the control unit returns the substrate from the holding unit to the substrate placing unit to correct the position of the holding frame, and then the substrate is mounted on the holding unit from the holding unit. The substrate conveyance apparatus which is to deliver.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제어부는, 각각의 상기 검출치가 모두 제 1 하한치보다 크고, 상기 검출치 중 어느 하나가 제 2 하한치보다 작을 때 상기 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정하는 것인 기판 반송 장치.
The method according to claim 1 or 2,
The said control part determines that each said detection value is larger than a 1st lower limit, and when any one of the said detection values is smaller than a 2nd lower limit, correction of the said relative position is necessary.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제어부는, 각각의 상기 검출치 중 어느 하나가 제 1 하한치보다 작을 때 상기 구동부에 의한 상기 보지 프레임의 구동을 정지하는 것인 기판 반송 장치.
The method according to claim 1 or 2,
The said control part stops the drive of the said holding frame by the said drive part, when any one of each said detection value is smaller than a 1st lower limit value.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 검출부는 정전 용량형 근접 센서인 기판 반송 장치.
The method according to claim 1 or 2,
And the detection unit is a capacitive proximity sensor.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 검출부는, 상기 보지부 각각에 보지되는 상기 기판의 직경 방향을 따라 복수 개 설치된 근접 센서를 가지며,
상기 제어부는, 1 개의 상기 보지부에 설치된 복수 개의 상기 근접 센서 중 상기 검출치가 소정의 하한치보다 작은 상기 근접 센서의 수가 미리 설정된 개수보다 많을 때 상기 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정하는 것인 기판 반송 장치.
The method according to claim 1 or 2,
The detection unit has a plurality of proximity sensors provided in the radial direction of the substrate held in each of the holding unit,
The control unit determines that the relative position needs to be corrected when the number of the proximity sensors whose detection value is smaller than a predetermined lower limit among a plurality of the proximity sensors provided in one holding unit is larger than a preset number. Device.
반송하는 기판의 주위를 둘러싸도록 설치되며 기판을 재치(載置)하는 기판 재치부에 진퇴 가능한 보지(保持) 프레임과, 상기 보지 프레임의 내연(內緣)을 따라 서로 간격을 두고 설치되어 있으며, 상기 기판의 주연부가 재치됨으로써 상기 기판을 보지하는 3 개 이상의 보지부와, 상기 보지부 각각에 설치되어 상기 보지 프레임에 대한 상기 기판의 상대 위치를 검출하는 검출부와, 상기 보지 프레임을 상기 기판 재치부에 진퇴 구동시키는 구동부를 가지며, 상기 기판 재치부로부터 기판을 수취하고, 수취한 상기 기판을 반송하는 기판 반송 장치에서의 기판 반송 방법으로서,
상기 구동부에 의해 상기 보지 프레임을 전진시켜 상기 기판 재치부로부터 상기 보지부에 상기 기판을 전달했을 때 상기 검출부에 의해 상기 보지 프레임에 대한 상기 기판의 상대 위치를 검출하고, 각각의 상기 검출부의 검출치에 기초해 상기 상대 위치의 보정 여부를 판정하는 판정 공정을 가지며,
상기 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정했을 때에는 보정 동작을 행하고, 상기 상대 위치의 보정이 불필요하다고 판정했을 때에는 상기 구동부의 구동을 정지하거나 또는 상기 기판의 반송을 계속하는 기판 반송 방법.
It is provided so as to surround the board | substrate to be conveyed, and it is provided in the board | substrate mounting part which mounts a board | substrate, and is mutually spaced apart along the inner edge of the said holding frame, 3 or more holding parts holding the said board | substrate by mounting the periphery of the said board | substrate, a detection part provided in each holding part and detecting the relative position of the said board | substrate with respect to the said holding frame, and the said holding frame with the said board | substrate mounting part As a substrate conveyance method in the board | substrate conveying apparatus which has a drive part to drive forward and backward, receives a board | substrate from the said board | substrate mounting part, and conveys the received said board | substrate,
When the holding unit advances the holding frame to transfer the substrate from the substrate placing unit to the holding unit, the detection unit detects a relative position of the substrate with respect to the holding frame, and detects the detected value of each detecting unit. Has a determination step of determining whether to correct the relative position based on
A correction operation is performed when it is determined that the correction of the relative position is necessary, and the driving of the drive unit is stopped or the conveyance of the substrate is continued when it is determined that correction of the relative position is unnecessary.
제 7 항에 있어서,
상기 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정했을 때, 상기 기판을 상기 보지부로부터 상기 기판 재치부로 되돌려 상기 보지 프레임의 위치를 보정하는 보정 공정과,
상기 보지 프레임의 위치를 보정한 후, 상기 기판 재치부로부터 상기 보지부에 상기 기판을 전달하는 전달 공정
을 가지는 기판 반송 방법.
The method of claim 7, wherein
A correction step of returning the substrate from the holding portion to the substrate placing portion when correcting the relative position is necessary, and correcting the position of the holding frame;
After correcting the position of the holding frame, the transfer step of transferring the substrate from the substrate placing portion to the holding portion
Substrate conveyance method having a.
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 판정 공정은, 각각의 상기 검출치가 모두 제 1 하한치보다 크고, 상기 검출치 중 어느 하나가 제 2 하한치보다 작을 때 상기 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정하는 것인 기판 반송 방법.
The method according to claim 7 or 8,
The said judgment process is a board | substrate conveying method of determining that each said detection value is larger than a 1st lower limit, and the correction of the said relative position is necessary when any one of the said detection values is smaller than a 2nd lower limit.
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
각각의 상기 검출치 중 어느 하나가 제 1 하한치보다 작을 때 상기 구동부에 의한 상기 보지 프레임의 구동을 정지하는 정지 공정을 가지는 기판 반송 방법.
The method according to claim 7 or 8,
And a stopping step of stopping driving of the holding frame by the driving unit when any one of the detected values is smaller than a first lower limit value.
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 검출부는 정전 용량형 근접 센서인 기판 반송 방법.
The method according to claim 7 or 8,
And the detection unit is a capacitive proximity sensor.
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 검출부는, 상기 보지부 각각에 보지되는 상기 기판의 직경 방향을 따라 복수 개 설치된 근접 센서를 가지며,
상기 판정 공정은, 1 개의 상기 보지부에 설치된 복수 개의 상기 근접 센서 중 상기 검출치가 소정의 하한치보다 작은 상기 근접 센서의 수가 미리 설정된 개수보다 많을 때 상기 상대 위치의 보정이 필요하다고 판정하는 것인 기판 반송 방법.
The method according to claim 7 or 8,
The detection unit has a plurality of proximity sensors provided in the radial direction of the substrate held in each of the holding unit,
The determination step is a substrate which determines that correction of the relative position is necessary when the number of the proximity sensors whose detection value is smaller than a predetermined lower limit among a plurality of the proximity sensors provided in one of the holding portions is larger than a preset number. Bounce method.
컴퓨터에 청구항 7 또는 청구항 8에 기재된 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.A computer-readable recording medium having recorded thereon a program for causing a computer to execute the substrate transfer method according to claim 7.
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