KR20120032803A - Three dimensional porous structure, producing method of the same, and uses of the same - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 138
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 135
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 46
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 35
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 30
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 11
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 10
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 7
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 7
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 claims description 7
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CTSYMZHKWMVIIL-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C CTSYMZHKWMVIIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000779 poly(divinylbenzene) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920003053 polystyrene-divinylbenzene Polymers 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000007767 slide coating Methods 0.000 abstract description 20
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 16
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 5
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 4
- 238000001935 peptisation Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 4
- 229940083575 sodium dodecyl sulfate Drugs 0.000 description 4
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 3
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XREPTGNZZKNFQZ-UHFFFAOYSA-M 1-butyl-3-methylimidazolium iodide Chemical compound [I-].CCCCN1C=C[N+](C)=C1 XREPTGNZZKNFQZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- AUNGANRZJHBGPY-SCRDCRAPSA-N Riboflavin Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)CN1C=2C=C(C)C(C)=CC=2N=C2C1=NC(=O)NC2=O AUNGANRZJHBGPY-SCRDCRAPSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- AUNGANRZJHBGPY-UHFFFAOYSA-N D-Lyxoflavin Natural products OCC(O)C(O)C(O)CN1C=2C=C(C)C(C)=CC=2N=C2C1=NC(=O)NC2=O AUNGANRZJHBGPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002151 riboflavin Substances 0.000 description 1
- 229960002477 riboflavin Drugs 0.000 description 1
- 235000019192 riboflavin Nutrition 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
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Abstract
Description
본원은 슬라이드 코팅(slide coating) 방법을 이용하는 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법, 상기 방법에 의해 제조되는 상기 3 차원 다공성 구조체, 및 상기 3 차원 다공성 구조체의 용도에 관한 것이다.
The present application relates to a method for producing a three-dimensional porous structure using a slide coating method, the three-dimensional porous structure produced by the method, and the use of the three-dimensional porous structure.
일반적으로 광결정(photonic crystal)이란 빛의 일정한 진동수(frequency) 범위의 전달을 억제하는 밴드갭(band gap)을 가지는 주기적 유전체 구조를 말한다. 광결정에 관한 연구는 1987년 미국의 물리학자들이 빛의 파장 크기 수준의 주기로 굴절률이 반복되는 결정구조를 만들면, 특정 파장의 빛을 완전히 배제 또는 반사시킬 수 있음을 주장하면서 시작되었다. In general, a photonic crystal refers to a periodic dielectric structure having a band gap that suppresses the transmission of a constant frequency range of light. The study of photonic crystals began in 1987 when American physicists insisted that a crystal structure with repeated refractive indices at a wavelength level of light could completely exclude or reflect light at a particular wavelength.
이상적인 광결정 구조는 이론적으로 광 증폭 및 제어, 선택적 반사 등의 매우 매력적인 특성을 갖고 있어 여러 영역의 응용 분야의 관심을 받고 있으나, 실제로 이러한 구조를 제작하는 데에 많은 어려움을 안고 있으며, 이에 관한 연구가 현재 활발히 진행 중이다. 종래 광결정을 형성하는 방법으로는 주로 리소그래피(lithography)나 자기조립(self-assembly) 등을 이용하여 1, 2, 3 차원 광결정 구조를 만들 수 있으며, 광결정 구조(예를 들어, 역 오팔 구조)를 제조하는 대표적인 방법으로는 희생입자 주형(template)을 다양한 방식으로 제작하여 그 주형 사이사이의 틈으로 기능성 물질 전구체(precursor)를 주입한 후 반응시키고 희생입자를 제거하는 방법이 있다. 이러한 방식은 전구체 주입의 어려움과 전구체의 반응 시 발생하는 부산물 등으로 인해 광결정 구조제작이 쉽지 않다. 또한 기능성 입자를 수 나노 크기로 합성한 후 희생입자 주형에 주입하는 방법이 있는데, 이러한 방법에 의해 만들어진 광결정 구조는 비교적 완벽하지만, 희생입자 사이로의 주입이 더욱 어려워져, 제작 시간이 매우 오래 걸린다. The ideal photonic crystal structure is theoretically very attractive because it has very attractive characteristics such as optical amplification, control, and selective reflection, but it has been attracting attention in various fields of application, but in fact, there are many difficulties in fabricating such a structure. Currently active. Conventionally, as a method of forming a photonic crystal, one-, two-, or three-dimensional photonic crystal structures may be manufactured using lithography or self-assembly, and the photonic crystal structure (for example, an inverse opal structure) may be formed. Representative methods of manufacturing include a method of preparing a sacrificial particle template in various ways, injecting a functional material precursor into a gap between the molds, and then reacting and removing the sacrificial particles. This method is difficult to manufacture the photonic crystal structure due to the difficulty of precursor injection and by-products generated during the reaction of the precursor. In addition, there is a method of synthesizing the functional particles to a nanoscale size and then injected into the sacrificial particle template, the photonic crystal structure made by this method is relatively perfect, but the injection between the sacrificial particles is more difficult, the production time is very long.
광결정 구조의 다양한 활용에 거는 큰 기대와는 달리 원초적인 광결정 구조의 제작 방법에 대한 많은 지적들이 아직 해결되지 않았으며, 보다 완벽하고 비교적 간단한 광결정 제작 방법이 필요하다.
Contrary to the high expectations for various applications of the photonic crystal structure, many points on the method of fabricating the photonic crystal structure have not been solved yet, and a more complete and relatively simple photonic crystal manufacturing method is needed.
본원은 결함(defect)이나 크랙(crack)이 최소화된, 규칙적으로 정렬된 대면적의 3 차원의 다공성 구조체를 제공하고자 한다. 또한 슬라이드 코팅 방법을 사용하여 상기 3 차원의 다공성 구조체의 제조 공정을 단순화하고 제조 시간을 단축하고자 한다. 이에, 본원은 슬라이드 코팅(slide coating) 방법을 이용하는 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법, 상기 방법에 의해 제조되는 상기 3 차원 다공성 구조체, 및 상기 3 차원 다공성 구조체의 용도를 제공하고자 한다.The present invention seeks to provide a largely ordered, large-area, three-dimensional porous structure with minimal defects or cracks. In addition, the slide coating method is used to simplify the manufacturing process of the three-dimensional porous structure and to shorten the manufacturing time. Accordingly, the present application is to provide a method for producing a three-dimensional porous structure using a slide coating method, the three-dimensional porous structure manufactured by the method, and the use of the three-dimensional porous structure.
그러나, 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 기술한 과제로 제한되지 않으며, 기술되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
However, the problem to be solved by the present application is not limited to the problem described above, another problem that is not described will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본원의 일 측면은, 하부 기판 상에 스페이서(spacer)를 형성하는 단계; 상기 스페이서 상에 홀을 가지는 상부 기판을 배치하는 단계; 나노입자 및 상기 나노입자보다 큰 크기를 가지는 희생입자가 용매 중에 분산된 혼합 입자 분산액을 상기 상부 기판의 홀을 통하여 주입함으로써 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 상기 혼합 입자 분산액 층을 형성하는 단계; 상기 상부 기판을 상기 하부 기판에 대하여 평행한 방향으로 이동시키면서 상기 상부 기판의 이동에 의해 공기 중으로 노출되는 상기 혼합 입자 분산액 층을 건조시켜 나노입자-희생입자 복합층을 형성하는 단계; 및 상기 나노입자-희생입자 복합층으로부터 상기 희생입자를 제거하는 단계: 를 포함하는, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, an aspect of the present invention, forming a spacer (spacer) on the lower substrate; Disposing an upper substrate having holes on the spacers; Forming a mixed particle dispersion layer between the lower substrate and the upper substrate by injecting nanoparticles and a mixed particle dispersion having a larger size than the nanoparticles in a solvent through holes in the upper substrate; Drying the mixed particle dispersion layer exposed in the air by the movement of the upper substrate while moving the upper substrate in a direction parallel to the lower substrate to form a nanoparticle-sacrificial particle composite layer; And removing the sacrificial particles from the nanoparticle-sacrificial particle composite layer; provides a method of manufacturing a three-dimensional porous structure.
본원의 다른 측면은, 본원의 어느 한 방법에 의해 제조되는 3 차원 다공성 구조체를 제공한다.Another aspect of the present disclosure provides a three-dimensional porous structure produced by any of the methods herein.
본원의 또 다른 측면은, 본원의 어느 한 방법에 의해 제조되는 3 차원 다공성 구조체를 포함하는 광전 소자를 제공한다.Another aspect of the present disclosure provides a photovoltaic device comprising a three-dimensional porous structure produced by any of the methods herein.
본원의 또 다른 측면은, 본원의 어느 한 방법에 의해 제조되는 3 차원 다공성 구조체를 포함하는 광센서를 제공한다.Another aspect of the present disclosure provides an optical sensor comprising a three-dimensional porous structure produced by any of the methods herein.
본원의 또 다른 측면은, 본원의 어느 한 방법에 의해 제조되는 3 차원 다공성 구조체 및 상기 3 차원 다공성 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하는 광전극을 제공한다.Another aspect of the present application provides a photoelectrode comprising a three-dimensional porous structure manufactured by any one method of the present application and a photosensitive dye adsorbed to the three-dimensional porous structure.
본원의 또 다른 측면은, 본원의 어느 한 방법에 의해 제조되는 3 차원 다공성 구조체 및 상기 3 차원 다공성 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하는 광전극을 포함하는, 염료감응형 태양전지를 제공한다.Another aspect of the present application provides a dye-sensitized solar cell, comprising a three-dimensional porous structure produced by any one of the methods herein and a photoelectrode comprising a photosensitive dye adsorbed to the three-dimensional porous structure.
본원의 또 다른 측면은, 본원의 어느 한 방법에 의해 제조되는 광전극을 포함하는 광촉매 코팅제를 제공한다.Another aspect of the present application provides a photocatalyst coating comprising a photoelectrode prepared by any of the methods herein.
본원은 결함(Defect)이나 크랙(Crack)이 최소한으로 억제된, 규칙적으로 정렬된 대면적의 3 차원의 다공성 구조체를 제공한다. 또한 슬라이드 코팅이라는 간단한 공정에 의해 상기 대면적의 3 차원 다공성 구조체를 단시간에 제조할 수 있으며, 상기 슬리이드 코팅의 공정 조건을 달리하여 3 차원 다공성 구조체의 두께를 용이하게 조절할 수 있다. The present application provides a regularly arranged large area three dimensional porous structure with minimal defects or cracks. In addition, the large-area three-dimensional porous structure can be manufactured in a short time by a simple process called slide coating, and the thickness of the three-dimensional porous structure can be easily adjusted by changing the process conditions of the slide coating.
본원의 제조 방법에 의해 형성된 3 차원 다공성 구조체는 광반사 및 광제어, 증폭을 가능하게 하는 광결정 구조로서 사용이 가능하므로, 다양한 화합물 또는 바이오 물질 검출을 위한 광센서, 기체 센서, 광촉매 코팅제, 및, 광 가이드, 태양전지, 레이저 등의 광전 소자로 널리 응용될 수 있다.Since the three-dimensional porous structure formed by the manufacturing method of the present invention can be used as a photonic crystal structure that enables light reflection, light control, and amplification, an optical sensor, a gas sensor, a photocatalyst coating agent for detecting various compounds or biomaterials, and It can be widely applied as a photoelectric device such as a light guide, a solar cell, a laser.
도 1은 본원의 일 구현예에 따른 3 차원 다공성 구조체를 제조하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 2는 본원의 일 구현예에 따른 슬라이드 코팅(slide coating) 방법을 설명하는 그림이다.
도 3은 본원의 일 구현예에 따른 나노입자-희생입자 복합층을 형성하는 방법을 설명하는 그림이다.
도 4는 본원의 일 구현예에 따른 상부 기판의 이동속도와 나노입자-희생입자 복합층의 두께의 상관관계를 보여주는 그림이다.
도 5는 본원의 일 구현예에 따라 제조된 3 차원 다공성 구조체의 단면도이다.
도 6은 본원의 일 실시예에 따라 제조된 다양한 크기의 산화티탄(TiO2) 나노입자를 전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도 7은 본원의 일 실시예에 따라 제조된 다양한 크기의 산화티탄 나노입자에 대한 XRD 회절분석 그래프이다.
도 8은 본원의 일 실시예에 따라 제조된 다양한 크기의 폴리스타이렌 희생입자를 전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도 9는 본원의 일 실시예에 따라 제조된 다양한 크기의 폴리스타이렌 희생입자의 반사율을 측정한 그래프이다.
도 10은 본원의 일 실시예에 따라 제조된 3 차원 다공성 구조체의 윗면을 전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도 11은 본원의 일 실시예에 따라 제조된 3 차원 다공성 구조체의 단면을 전자현며경으로 관찰한 사진이다.
도 12는 본원의 일 실시예에 따라 제조된 희생입자의 크기에 따른 반사율과 반사파장을 나타낸 그래프이다.
도 13은 본원의 일 구현예에 따라 제조된 3 차원 다공성 구조체를 포함하는 염료감응형 태양전지의 단면도이다.
도 14는 서로 다른 두께의 3 차원 다공성 구조체를 가지는 염료감응형 태양전지의 전류밀도를 나타낸 그래프이다.1 is a flow chart illustrating a method of manufacturing a three-dimensional porous structure according to an embodiment of the present application.
2 is a diagram illustrating a slide coating method according to an embodiment of the present application.
3 is a diagram illustrating a method of forming a nanoparticle-sacrificial particle composite layer according to an embodiment of the present application.
4 is a view showing a correlation between the moving speed of the upper substrate and the thickness of the nanoparticle-sacrificial particle composite layer according to an embodiment of the present application.
5 is a cross-sectional view of a three-dimensional porous structure prepared according to one embodiment of the present application.
Figure 6 is a photograph of electron microscope observation of various sizes of titanium oxide (TiO 2 ) nanoparticles prepared according to an embodiment of the present application.
7 is an XRD diffraction graph of various sizes of titanium oxide nanoparticles prepared according to an embodiment of the present application.
8 is an electron microscope photograph of various sizes of polystyrene sacrificial particles prepared according to one embodiment of the present application.
Figure 9 is a graph measuring the reflectance of the polystyrene sacrificial particles of various sizes prepared according to an embodiment of the present application.
10 is a photograph of the top surface of the three-dimensional porous structure prepared according to an embodiment of the present application with an electron microscope.
Figure 11 is a photograph of the cross-sectional view of the three-dimensional porous structure prepared according to an embodiment of the present application with an electron microscope.
12 is a graph showing the reflectance and the reflection wavelength according to the size of the sacrificial particles prepared according to an embodiment of the present application.
13 is a cross-sectional view of a dye-sensitized solar cell including a three-dimensional porous structure prepared according to one embodiment of the present application.
14 is a graph showing the current density of the dye-sensitized solar cell having a three-dimensional porous structure of different thickness.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the embodiments and embodiments of the present application to be easily carried out by those of ordinary skill in the art.
그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예 및 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.It should be understood, however, that the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments and examples described herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout this specification, when an element is referred to as "including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise.
본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다.As used herein, the terms "about", "substantially", and the like, are used at, or in close proximity to, numerical values when manufacturing and material tolerances inherent in the meanings indicated are provided to aid the understanding herein. In order to prevent the unfair use of unscrupulous infringers.
본 명세서에서 사용되는 용어 “스페이서(spacer)” 는 두 개 또는 그 이상의 물체 사이에 공간(space)을 제공하기 위하여 사용되는 것을 의미한다. 예를 들어, 두 개의 기판 사이에 위치하여, 상기 두 개의 기판 사이에 공간을 형성하기 위해 사용되는 것을 의미하며, 상기 스페이서의 형상 및/또는 구조로서 당업계에 공지된 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다.As used herein, the term “spacer” means used to provide a space between two or more objects. For example, it is positioned between two substrates, and used to form a space between the two substrates, and the shape and / or structure of the spacer may be used without particular limitation in the art. .
본원의 일 측면에 따른 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법은, 하부 기판 상에 스페이서(spacer)를 형성하는 단계; 상기 스페이서 상에 홀을 가지는 상부 기판을 배치하는 단계; 나노입자 및 상기 나노입자보다 큰 크기를 가지는 희생입자가 용매 중에 분산된 혼합 입자 분산액을 상기 상부 기판의 홀을 통하여 주입함으로써 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 상기 혼합 입자 분산액 층을 형성하는 단계; 상기 상부 기판을 상기 하부 기판에 대하여 평행한 방향으로 이동시키면서 상기 상부 기판의 이동에 의해 공기 중으로 노출되는 상기 혼합 입자 분산액 층을 건조시켜 나노입자-희생입자 복합층을 형성하는 단계; 및 상기 나노입자-희생입자 복합층으로부터 상기 희생입자를 제거하는 단계: 를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. Method for producing a three-dimensional porous structure according to one aspect of the present application, forming a spacer (spacer) on the lower substrate; Disposing an upper substrate having holes on the spacers; Forming a mixed particle dispersion layer between the lower substrate and the upper substrate by injecting nanoparticles and a mixed particle dispersion having a larger size than the nanoparticles in a solvent through holes in the upper substrate; Drying the mixed particle dispersion layer exposed in the air by the movement of the upper substrate while moving the upper substrate in a direction parallel to the lower substrate to form a nanoparticle-sacrificial particle composite layer; And removing the sacrificial particles from the nanoparticle-sacrificial particle composite layer: but may not be limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 나노입자는 솔-젤(sol-gel) 반응에 의해 입자를 형성하고, 상기 입자를 탑-다운(top-down) 방식에 의하여 상기 나노입자를 형성하는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예시적 구현예에 있어서, 상기 탑-다운 방식은 펩티제이션(peptization) 방법을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In one embodiment of the present application, the nanoparticles include forming particles by a sol-gel reaction, and forming the nanoparticles by a top-down method. It may be, but is not limited thereto. In an exemplary embodiment, the top-down method may include, but is not limited to, a peptization method.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 나노입자를 형성하는 방법은 수열 합성(hydrothermal synthesis)하는 단계를 추가 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예시적 구현예에 있어서, 상기 수열합성은 1 시간 내지 10 시간 동안 실시되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present application, the method for forming the nanoparticles may further include, but is not limited to, hydrothermal synthesis. In an exemplary embodiment, the hydrothermal synthesis may include, but is not limited to, one hour to 10 hours.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 나노입자는 Mn, Ni, Gd, Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, 상기 금속 각각의 산화물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In one embodiment of the present invention, the nanoparticles are Mn, Ni, Gd, Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, an oxide of each of the metals, and combinations thereof may be selected from the group consisting of, but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 나노입자의 평균 입경은 약 1 nm 내지 약 30 nm 인 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 나노입자의 크기가 작을수록 보다 균일한 3 차원 다공성 구조체가 형성될 수 있다.In one embodiment of the present application, the average particle diameter of the nanoparticles may include about 1 nm to about 30 nm, but is not limited thereto. As the size of the nanoparticles is smaller, a more uniform three-dimensional porous structure can be formed.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 희생입자는 무기 입자, 유기 입자 또는 이들의 혼합 입자를 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 상기 희생입자는 실리카(SiO2), 폴리부틸메타크릴레이트(PBMA), 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/폴리디비닐벤젠(PS/DVB = polystyrene/divinylbenzene), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트-디비닐벤젠) (PBMA) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present application, the sacrificial particles may include inorganic particles, organic particles or mixed particles thereof. For example, the sacrificial particles may be silica (SiO 2 ), polybutyl methacrylate (PBMA), polystyrene (PS), polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene / polydivinylbenzene (PS / DVB = polystyrene / divinylbenzene), polyamide, poly (butyl methacrylate-divinylbenzene) (PBMA), and combinations thereof, but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 희생입자의 평균 입경은 약 0.1 ㎛ 내지 약 2 ㎛ 인 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 희생입자의 크기가 클수록, 슬라이드 코팅에 의해 나노입자-희생입자 복합층을 형성하는 과정에서 상기 복합층의 탈리를 줄일 수 있다. In one embodiment of the present application, the average particle diameter of the sacrificial particles may include, but is not limited to about 0.1 ㎛ to about 2 ㎛. As the size of the sacrificial particles increases, detachment of the composite layer may be reduced in the process of forming the nanoparticle-sacrificial particle composite layer by slide coating.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 희생입자의 제거는 산 용액에 의한 용해 처리, 유기 용매에 의한 용해 처리 또는 소성(calcination) 처리에 의하여 수행되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 희생입자는 실리카(SiO2) 입자인 경우, HF 수용액을 이용하여 실리카(SiO2) 입자를 용해하여 제거할 수 있다. 상기 희생입자가 상기한 바와 같은 고분자를 포함하는 유기 입자인 경우, 상기 유기 입자는 상기 유기 입자를 용해할 수 있는 적절한 유기 용매에 의한 용해 처리 또는 소성(calcination) 처리에 의하여 제거될 수 있다.In one embodiment of the present application, the removal of the sacrificial particles may include, but is not limited to being carried out by dissolution treatment with an acid solution, dissolution treatment with an organic solvent or a calcination (calcination) treatment. For example, when the sacrificial particles are silica (SiO 2 ) particles, the sacrificial particles may be removed by dissolving the silica (SiO 2 ) particles using an aqueous HF solution. When the sacrificial particles are organic particles including the polymer as described above, the organic particles may be removed by a dissolution treatment or a calcination treatment with an appropriate organic solvent capable of dissolving the organic particles.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 혼합 입자 분산액 층의 건조는, 상기 혼합 입자 분산액 층으로부터 용매의 제거 정도를 조절하여 상기 3 차원 다공성 구조의 두께를 조절하는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present application, drying of the mixed particle dispersion layer may include adjusting the thickness of the three-dimensional porous structure by controlling the degree of removal of the solvent from the mixed particle dispersion layer, but is not limited thereto. no.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 상부 기판의 홀 상에 속이 빈 형태의 구조체를 추가 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In one embodiment of the present application, the hollow structure may be further included on the hole of the upper substrate, but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 상부 기판 상의 홀의 크기는 약 1 mm 내지 약 5 mm 이내일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In one embodiment of the present application, the size of the hole on the upper substrate may be within about 1 mm to about 5 mm, but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 상부 기판의 이동 속도는 약 0.1 cm/h 내지 약 10 cm/h 로 조절할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예시적 구현예에 있어서, 상기 상부 기판은 상기 상부 기판의 이동 속도를 일정하게 조절할 수 있는 모터와 연결되어 있을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In one embodiment of the present application, the moving speed of the upper substrate may be adjusted to about 0.1 cm / h to about 10 cm / h, but is not limited thereto. In an exemplary embodiment, the upper substrate may be connected to a motor that can constantly adjust the moving speed of the upper substrate, but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 상부 기판의 표면은 소수성 물질이 코팅되어 있는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In one embodiment of the present application, the surface of the upper substrate may be coated with a hydrophobic material, but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 용매는 물, 유기 용매, 물-유기 혼합 용매 또는 고분자 매질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 유기 용매는, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 부탄올, 테트라하이드로퓨란(THF), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아마이드(DMAc) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 고분자 매질은, 예를 들어, 폴리에틸렌옥사이드(PEO) 등의 수용성 고분자 또는 그의 수용액을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present application, the solvent may include water, an organic solvent, a water-organic mixed solvent or a polymer medium, but is not limited thereto. The organic solvent is, for example, methanol, ethanol, butanol, tetrahydrofuran (THF), dimethylformamide (DMF), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), dimethylacetamide (DMAc) and these It may include one selected from the group consisting of, but is not limited thereto. The polymer medium may include, for example, a water-soluble polymer such as polyethylene oxide (PEO) or an aqueous solution thereof, but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 하부 기판은 유리, 금속, 금속 산화물, 반도체, 고분자 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present application, the lower substrate may include one selected from the group consisting of glass, metal, metal oxide, semiconductor, polymer, and combinations thereof, but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 하부 기판은 상기 하부 기판의 표면이 친수성 물질로 코팅되어 있는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In one embodiment of the present application, the lower substrate may include a surface of the lower substrate is coated with a hydrophilic material, but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 스페이서의 두께는 약 1 ㎛ 내지 약 200 ㎛ 인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 스페이서의 두께에 따라, 이후 제조되는 3 차원 다공성 구조체의 두께가 결정된다.In one embodiment of the present application, the thickness of the spacer may be about 1 μm to about 200 μm, but is not limited thereto. According to the thickness of the spacer, the thickness of the three-dimensional porous structure to be produced later is determined.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 3차원 다공성 구조체는 단순입방구조(simple cubic, SC), 면심입방구조(face-centered cubic, FCC), 또는 체심입방구조(body-centered cubic, BCC)로 배열되어 있는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present invention, the three-dimensional porous structure is arranged in a simple cubic (SC), face-centered cubic (FCC), or body-centered cubic (BCC) It may include, but is not limited to.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 3차원 다공성 구조체의 기공은 규칙적으로 정렬된 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment of the present application, the pores of the three-dimensional porous structure may include a regular alignment, but is not limited thereto.
본워의 다른 측면은 본원의 제조 방법에 의해 형성되는 3 차원 다공성 구조체를 제공한다. 일 구현예에서, 상기 3 차원 다공성 구조체의 두께는 약 1 ㎛ 내지 약 200 ㎛ 인 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. Another aspect of the present article provides a three-dimensional porous structure formed by the manufacturing method of the present application. In one embodiment, the thickness of the 3D porous structure may include, but is not limited to, about 1 μm to about 200 μm.
본원의 또 다른 측면은 본원의 제조 방법에 의해 형성되는 3 차원 다공성 구조체를 포함하는 광전 소자를 제공한다. Another aspect of the present disclosure provides an optoelectronic device comprising a three-dimensional porous structure formed by the manufacturing method of the present application.
본원의 또 다른 측면은 본원의 제조 방법에 의해 형성되는 3 차원 다공성 구조체를 포함하는 광전극을 제공한다. Another aspect of the present application provides a photoelectrode comprising a three-dimensional porous structure formed by the manufacturing method of the present application.
본원의 또 다른 측면은 본원의 제조 방법에 의해 형성되는 3 차원 다공성 구조체를 포함하는 광전극을 포함하는, 염료감응형 태양전지를 제공한다.Another aspect of the present application provides a dye-sensitized solar cell comprising a photoelectrode comprising a three-dimensional porous structure formed by the manufacturing method of the present application.
상기 3 차원 다공성 구조체, 상기 광전 소자, 상기 광전극 및 상기 염료감응형 태양전지는 상기 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법에 대하여 기술된 내용을 모두 포함할 수 있으며, 편의상 중복기재를 생략한다. The three-dimensional porous structure, the photovoltaic device, the photoelectrode and the dye-sensitized solar cell may include all the contents described for the manufacturing method of the three-dimensional porous structure, and the redundant substrate is omitted for convenience.
이하, 도 1 내지 도 14를 참조하여, 본원의 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법 및 이에 의해 제조되는 3 차원 다공성 구조체의 일 구현예에 대해 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, referring to FIGS. 1 to 14, a method of manufacturing the three-dimensional porous structure of the present application and one embodiment of the three-dimensional porous structure manufactured thereby will be described in detail. However, the present application is not limited thereto.
도 1을 참조하면, 본원의 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법은 하부 기판 상에 스페이서를 형성하는 단계(S1); 상기 스페이서 상에 홀을 가지는 상부 기판을 배치하는 단계(S2); 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 혼합 입자 분산액을 형성하는 단계(S3): 슬라이드 코팅에 의해 나노입자-희생입자 복합층을 형성하는 단계(S4); 및 상기 나노입자-희생입자 복합층에서 희생입자를 제거하는 단계(S5)를 포함한다.Referring to Figure 1, the manufacturing method of the three-dimensional porous structure of the present application step of forming a spacer on the lower substrate (S1); Disposing an upper substrate having a hole on the spacer (S2); Forming a mixed particle dispersion between the lower substrate and the upper substrate (S3): forming a nanoparticle-sacrificial particle composite layer by slide coating (S4); And removing the sacrificial particles from the nanoparticle-sacrificial particle composite layer (S5).
하부 기판과 상부 기판은 서로 평행하게 배치되어 있을 수 있으며, 상기 스페이서는 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 위치하여 상기 두 개의 기판 사이에 공간을 형성한다. 상기 스페이서는 두 개 또는 그 이상의 막대형 또는 판형 플레이트로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 스페이서가 두 개의 막대형 또는 판형 플레이트로 형성되는 경우, 상기 두 개의 플레이트 각각은 상기 하부 기판 양 말단부에 각각 평행하게 배치되어 있을 수 있다.The lower substrate and the upper substrate may be disposed parallel to each other, and the spacer is positioned between the lower substrate and the upper substrate to form a space between the two substrates. The spacer may be formed of two or more rod-shaped or plate-shaped plates. For example, when the spacer is formed of two rod-shaped or plate-shaped plates, each of the two plates may be disposed parallel to both ends of the lower substrate.
본원의 3 차원 다공성 구조체를 형성하기 위해서는 우선 나노입자와 희생입자를 합성한다. To form the three-dimensional porous structure of the present application, nanoparticles and sacrificial particles are first synthesized.
상기 나노입자는, 예를 들어, Mn, Ni, Gd, Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, 상기 금속 각각의 산화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있다. 상기 나노입자는 솔-젤(sol-gel) 반응에 의해 입자를 형성하고, 이후 탑-다운(top-down) 방식, 예를 들어 펩티제이션(peptization)에 의하여 제조될 수 있다. 상기 탑-다운(top-down) 방식은 당업계에서 나노입자를 제조 하기 위해 통상적으로 사용하는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들어, 상기 언급한 펩티제이션 방법을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The nanoparticles are, for example, Mn, Ni, Gd, Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm , Ga, an oxide of each of the metals, and combinations thereof. The nanoparticles may form particles by a sol-gel reaction and then be prepared by a top-down method, for example, peptization. The top-down method may be used without limitation as long as it is conventionally used to manufacture nanoparticles in the art, and for example, the above-described peptidation method may be used, but the present invention is not limited thereto. no.
상기 펩티제이션 공정은 당업계에 공지된 방법 및 펩티제이션제를 특별히 제한없이 사용하여 수행될 수 있다. 상기 펩티제이션제는 일반적인 산 또는 염기, 예를 들어, HNO3, H2SO4, HCl, NaOH, 또는 NH4OH 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 펩티제이션의 반응 시간은 상기 입자의 양이 증가함에 따라 길어질 수 있으며, 상기 펩티제이션의 반응 온도는 약 0℃ 내지 약 200℃ 에서, 약 1 시간 내지 약 48 시간 동안 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 펩티제이션 과정에 의해 형성되는 나노입자는 투명할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The peptidation process can be carried out using methods and peptidizing agents known in the art without particular limitation. The peptidizing agent may include a general acid or base, such as HNO 3 , H 2 SO 4 , HCl, NaOH, or NH 4 OH, but is not limited thereto. The reaction time of the peptidation may be increased as the amount of the particles increases, and the reaction temperature of the peptidation may be performed at about 0 ° C. to about 200 ° C. for about 1 hour to about 48 hours, but is not limited thereto. It doesn't happen. Nanoparticles formed by the peptization process may be transparent, but is not limited thereto.
상기 나노입자를 형성하는 방법은, 필요한 경우, 상기와 같이 형성된 나노입자에 수열 합성(Hydrothermal Synthesis) 과정을 추가 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이 경우, 상기 수열합성은 약 1 시간 내지 약 10 시간 동안, 약 70 ℃ 내지 약 300 ℃ 에서 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 수열 합성에 의해 상기 나노입자는 결정성과 굴절률이 향상될 수 있으며, 이를 이용하여, 상기 수열 합성의 반응 시간, 온도, 압력 등을 조절하여 필요에 따라 나노입자의 결정성과 굴절률을 조절할 수 있다.The method of forming the nanoparticles may include, but is not limited to, a hydrothermal synthesis process on the nanoparticles formed as described above, if necessary. In this case, the hydrothermal synthesis may be performed at about 70 ° C. to about 300 ° C. for about 1 hour to about 10 hours, but is not limited thereto. By the hydrothermal synthesis, the nanoparticles may have improved crystallinity and refractive index. By using this, the crystallinity and refractive index of the nanoparticles may be adjusted as necessary by controlling the reaction time, temperature, pressure, etc. of the hydrothermal synthesis.
희생입자는 고분자, 예를 들어, 실리카(SiO2), 폴리부틸메타크릴레이트(PBMA), 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/폴리디비닐벤젠(PS/DVB = polystyrene/divinylbenzene), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트-디비닐벤젠) (PBMA) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것에 의해 형성 될 수 있다. 상기 희생입자는 중합 반응, 예를 들어, 에멀션 중합(Emulsion polymerization) 반응에 의해 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 에멀션 중합은 당업계에 공지된 방법 및 물질들을 사용하여 수행될 수 있으며, 예를 들어, 상기 에멀션 중합 시 개시제, 계면활성제는 당업계에서 에멀션 중합을 위해 통상적으로 사용하는 것이라면, 제한없이 사용할 수 있다. 상기와 같은 방법에 의해 합성된 희생입자는 거의 일정한 입자 크기를 가지며, 개시제, 계면활성제 또는 단량체의 양을 조절함으로써 만들어지는 희생 입자의 크기를 조절할 수 있다. 도 8은 상기 언급한 방법에 따라 형성된 폴리스타이렌 희생입자를 전자현미경으로 분석한 사진으로, 상기 폴리스타이렌 희생입자는 거의 일정한 입자 크기를 가지는 것을 볼 수 있다.The sacrificial particles are polymers, for example silica (SiO 2 ), polybutyl methacrylate (PBMA), polystyrene (PS), polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene / polydivinylbenzene (PS / DVB = polystyrene / divinylbenzene), polyamide, poly (butylmethacrylate-divinylbenzene) (PBMA) and combinations thereof. The sacrificial particles may be formed by a polymerization reaction, for example, an emulsion polymerization reaction, but are not limited thereto. The emulsion polymerization can be carried out using methods and materials known in the art, for example, the initiator, the surfactant in the emulsion polymerization can be used without limitation, as long as it is conventionally used for emulsion polymerization in the art. have. The sacrificial particles synthesized by the above method have a substantially constant particle size, and can control the size of the sacrificial particles produced by adjusting the amount of the initiator, the surfactant, or the monomer. 8 is a photograph of an electron microscope analysis of the polystyrene sacrificial particles formed according to the above-mentioned method, and it can be seen that the polystyrene sacrificial particles have a substantially constant particle size.
이어서, 슬라이드 코팅을 위해 슬라이드 코팅 장치를 제작한다. 구체적으로 도 2를 참조하면, 하부 기판(10) 상에 스페이서(20; spacer)를 형성(S1)하고, 상기 스페이서 상에 홀을 가지는 상부 기판(30)을 배치하는 단계(S2)를 포함할 수 있다. 상기 스페이서는 복수개 일 수 있으며, 바람직하게는 두 개일 수 있다. 상기 스페이서는 상기 하부 기판 상의 어느 위치에라도 형성될 수 있으며, 예를 들어, 두 개의 상기 스페이서를 사용하는 경우 각각의 스페이서는 상기 하부 기판의 양 말단 부에 형성될 수 있다. 상기 복수개의 스페이서의 간격을 조절하여, 이후 형성될 3 차원 다공성 구조체의 폭을 조절할 수 있다. Subsequently, a slide coating apparatus is manufactured for slide coating. In detail, referring to FIG. 2, the method may include forming a
상기 상부 기판(30)은 홀을 가진 것이라면, 그 모양 및/또는 형태에 있어서 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들어, 상기 상부 기판의 홀 상에 속이 빈 형태의 구조체를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도 2를 참조하면, 상기 속이 빈 형태의 구조체는, 예를 들어, 속이 빈 형태의 원기둥 또는 튜브 형태일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 속이 빈 형태의 구조체의 직경은 상기 상부 기판의 홀의 직경과 동일하거나, 더 큰 것일 수 있다. 본원은 슬라이드 코팅(slide coating)이라는 간단한 방법에 의해 나노입자-희생입자 복합층을 형성하고자 한다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 본원의 슬라이드 코팅 방법이란, 나노입자 및 상기 나노입자보다 큰 크기를 가지는 희생입자가 용매 중에 분산된 혼합 입자 분산액을 상기 상부 기판의 홀을 통하여 주입함으로써 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 상기 혼합 입자 분산액 층을 형성(S3)하고, 상기 상부 기판을 상기 하부 기판에 대하여 평행한 방향으로 이동시키면서 상기 상부 기판의 이동에 의해 공기 중으로 노출되는 상기 혼합 입자 분산액 층을 공기를 이용하여 건조시켜 나노입자-희생입자 복합층(40)을 형성하는 단계(S5)를 포함하는 코팅 방법을 말한다. 상기 혼합 입자 분산액을 건조시켜 상기 분산액 상의 용매만을 제거함으로써 상기 나노입자와 상기 희생입자는 자기조립(self-assembly)에 의해, 상대적으로 크기가 큰 상기 희생입자는 단순입방구조(simple cubic, SC), 면심입방구조(face-centered cubic, FCC), 또는 체심입방구조(body-centered cubic, BCC) 구조로 쌓이고 상기 구조의 틈 사이(상기 희생 입자 사이의 공간)에 상기 나노입자가 들어가 있는 구조를 만들게 된다. 본원은 상기 언급한 슬리이드 코팅이라는 간단한 공정에 의하여 대면적의 나노입자-희생입자 복합층을 단시간에 제조할 수 있으며, 이후 상기 희생입자를 제거하는 공정에 의해 대면적 3 차원 다공성 구조체를 단시간에 용이하게 제조할 수 있다. If the
상기 나노입자-희생입자 분산액의 주입 방법으로는 당업계에서 통상적으로 사용되는 방법으로서, 분산액을 일정량만큼 주입하고, 주입 정도를 조절할 수 있는 방법이라면 제한없이 사용될 수 있다. As the method for injecting the nanoparticle-sacrificate particle dispersion, a method commonly used in the art may be used without limitation as long as the dispersion is injected in a predetermined amount and a method of controlling the degree of injection can be performed.
일 구현예에 있어서, 연속적인 코팅 공정을 위해 상기 분산액을 채우는 비율은 상기 분산액의 소모 비율을 고려하여 조절할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 분산액의 소모 비율은 상기 상부 기판과 상기 하부 기판, 그리고 상기 스페이서에 의해 둘러 싸인 공간과 상기 상부 기판의 이동 속도를 고려할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 지름 약 4 mm 의 실린지 펌프는, 상기 상부 기판을 약 20 ㎛/s 속도로 당길 때, 일반적으로 약 20 ㎕ /min 의 소모율(discharge rate)을 나타냈고, 그것은 유리 기판 상에 약 1 cm 폭과 약 10 ㎛ 두께의 콜로이드 결정 막을 코팅하는데 적당하다는 것을 알 수 있다. In one embodiment, the rate of filling the dispersion for the continuous coating process can be adjusted in consideration of the consumption rate of the dispersion. More specifically, the consumption ratio of the dispersion may consider the space surrounded by the upper substrate, the lower substrate, and the spacer, and the moving speed of the upper substrate. In one embodiment, a syringe pump with a diameter of about 4 mm exhibits a discharge rate of about 20 μl / min, when the upper substrate is pulled at a rate of about 20 μm / s, which is a glass substrate. It can be seen that the coating is suitable for coating a colloidal crystalline film about 1 cm wide and about 10 μm thick.
상기 슬라이드 코팅 시, 스페이서의 두께, 상부 기판의 이동 속도, 용매의 건조 정도를 조절하여, 및/또는 나노입자-희생입자 복합층의 두께를 조절할 수 있으며, 이후 상기 희생입자를 제거하는 공정에 의해 형성되는 3 차원 다공성 구조체의 두께를 조절할 수 있다. When the slide coating, the thickness of the spacer, the moving speed of the upper substrate, the degree of drying of the solvent may be adjusted, and / or the thickness of the nanoparticle-sacrificial particle composite layer may be adjusted, and then, by removing the sacrificial particles. The thickness of the three-dimensional porous structure to be formed can be adjusted.
상기 나노입자-희생입자 분산액을 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 상기 스페이서로 둘러싸인 공간 상에 주입 시, 상기 스페이서의 두께에 따라 슬라이드 코팅에 의해 형성되는 나노입자-희생입자 복합층 또는 3 차원 다공성 구조체의 두께가 결정된다. 상기 스페이서의 두께는 약 1 ㎛ 내지 약 200 ㎛ 의 두께일 수 있으며, 필요에 의해, 상기 범위 내에서 선택이 가능하다.When the nanoparticle-sacrificial particle dispersion is injected into a space surrounded by the spacer between the lower substrate and the upper substrate, a nanoparticle-sacrificial particle composite layer or three-dimensional porosity formed by slide coating according to the thickness of the spacer The thickness of the structure is determined. The spacer may have a thickness of about 1 μm to about 200 μm, and if necessary, may be selected within the above range.
상기 상부 기판의 이동 속도는 약 0.1 cm/h 내지 약 10 cm/h 일 수 있으며, 상기 상부 기판은 당기는 속도를 일정하게 조절할 수 있는 수단, 예를 들어, 펌프에 의해 일정 속도로 이동될 수 있다. 도 4는 상기 상부 기판의 이동속도와 상기 나노입자-희생입자 복합층의 두께와의 관계를 보여주는 그림이다. 도 4를 참조하면, 상기 상부 기판의 이동 속도가 빠를 경우, 상기 나노입자-희생입자 복합층의 두께는 얇아지고, 상기 상부 기판이 느리게 이동할 경우, 상기 나노입자-희생입자 복합층의 두께 역시 두꺼워 진다.The moving speed of the upper substrate may be about 0.1 cm / h to about 10 cm / h, and the upper substrate may be moved at a constant speed by means of constantly adjusting the pulling speed, for example, a pump. . 4 is a graph showing the relationship between the moving speed of the upper substrate and the thickness of the nanoparticle-sacrificial particle composite layer. Referring to FIG. 4, when the moving speed of the upper substrate is fast, the thickness of the nanoparticle-sacrificial particle composite layer becomes thin, and when the upper substrate moves slowly, the thickness of the nanoparticle-sacrificial particle composite layer is also thick. Lose.
일 구현예에서, 상기 상부 기판의 표면은 소수성 물질이 코팅되어 있는 것을 사용할 수 있다. 상기 상부 기판의 표면에 소수성 물질이 코팅되어 있는 경우, 슬라이드 코팅 시 발생할 수 있는 나노입자-희생입자 복합층의 균등성(evenness)을 악화시키는 기포(bubble) 발생을 막을 수 있다. 또한, 상기 소수성 물질이 코팅된 상부 기판은 코팅 시, 나노입자-희생입자 분산액이 의도치 않게 상기 상부 기판으로 흡수되는 것을 막을 수 있다.In one embodiment, the surface of the upper substrate may be coated with a hydrophobic material. When the hydrophobic material is coated on the surface of the upper substrate, it is possible to prevent the bubble (bubble) that worsens the evenness (evenness) of the nanoparticle-sacrificial particle composite layer that may occur during the slide coating. In addition, the upper substrate coated with the hydrophobic material may prevent the nanoparticle-sacrificial particle dispersion from being inadvertently absorbed into the upper substrate when coated.
일 구현예에서, 상기 하부 기판은 그의 표면이 친수성 물질로 코팅되어 있을 수 있다. 상기 친수성 물질이 코팅된 하부 기판은 친수성 나노입자와의 접착력이 강해짐으로써, 상기 상부 기판의 이동 시에 형성되는 상기 나노입자-희생입자 복합층의 탈리를 방지할 수 있다.In one embodiment, the lower substrate may be coated on its surface with a hydrophilic material. The lower substrate coated with the hydrophilic material has strong adhesion to the hydrophilic nanoparticles, thereby preventing detachment of the nanoparticle-sacrificial particle composite layer formed when the upper substrate is moved.
마지막으로, 상기 나노입자-희생입자 복합층에서 상기 희생입자를 제거함으로써 3 차원 다공성 구조체를 수득할 수 있다(S5). 상기 희생입자는 산 용액에 의한 용해 처리, 유기 용매에 의한 용해 처리 또는 소성(calcination) 처리에 의하여 제거될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 희생입자가 실리카(SiO2) 입자인 경우는 산 용액에 의해, 상기 희생입자가 고분자인 경우는 용액에 의한 용해 처리 또는 소성 처리에 의해 상기 희생입자를 제거하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도 5는 상기 나노입자-희생입자 복합층에서 상기 희생입자를 제거함으로써 형성되는 3 차원 다공성 구조체(50)의 단면을 나타낸 그림이다. 상기 3 차원 다공성 구조체의 공극은 상기 희생입자가 제거되면서 형성되는 바, 상기 희생입자의 크기를 달리하여, 상기 희생입자가 제거된 후 형성되는 3 차원 다공성 구조체의 공극의 크기를 조절할 수 있으며, 이에 의해 상기 3 차원 다공성 구조체에 의해 제어할 수 있는 빛의 파장을 조절할 수 있다. 상기 희생입자의 평균 입경은 약 0.1 ㎛ 내지 약 2 ㎛ 일 수 있으며, 이에 의해 상기 3 차원 다공성 구조체의 공극의 평균 입경도 약 0.1 ㎛ 내지 약 2 ㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도 10은 상기 언급한 본원의 제조 방법에 의해 형성된, 3 차원 다공성 구조체의 윗면을, 도 11은 상기 3 차원 다공성 구조체의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진이다. Finally, the three-dimensional porous structure can be obtained by removing the sacrificial particles from the nanoparticle-sacrificial particle composite layer (S5). The sacrificial particles may be removed by a dissolution treatment with an acid solution, a dissolution treatment with an organic solvent, or a calcination treatment, but are not limited thereto. Preferably, when the sacrificial particles are silica (SiO 2 ) particles, the sacrificial particles may be removed by an acid solution, and when the sacrificial particles are polymers, the sacrificial particles may be removed by dissolution or calcining with a solution. It is not limited. 5 is a cross-sectional view of the three-dimensional
본원의 제조 방법에 의해 형성된 3 차원 다공성 구조체는 광반사 및 광 제어, 증폭이 가능한 광결정 구조로서 사용이 가능하므로, 광 센서, 광 가이드, 태양전지, 레이저 등의 광전 소자로 널리 응용될 수 있다. Since the three-dimensional porous structure formed by the manufacturing method of the present application can be used as a light crystal structure capable of light reflection, light control, and amplification, it can be widely applied to photoelectric devices such as optical sensors, light guides, solar cells, and lasers.
본원의 제조 방법에 의해 형성된 3 차원 다공성 구조체는 상기 3 차원 다공성 구조체에 감광성 염료를 흡착시켜 광전극을 제조할 수 있으며, 상기 광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지를 제조할 수 있다. 이 경우, 상기 3 차원 다공성 구조체의 구조적 특징인 특정 광 제어 및 증폭을 통하여 염료감응형 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있다. 이하, 도 13을 참조하여, 본원의 일 구현예에 따른 제조 방법에 의해 형성되는 3 차원 다공성 구조체를 사용하여 제조된 염료감응형 태양전지에 대해 보다 구체적으로 언급한다.The three-dimensional porous structure formed by the manufacturing method of the present application may adsorb a photosensitive dye on the three-dimensional porous structure to manufacture a photoelectrode, and may produce a dye-sensitized solar cell including the photoelectrode. In this case, the efficiency of the dye-sensitized solar cell can be increased through specific light control and amplification, which are structural features of the three-dimensional porous structure. Hereinafter, referring to FIG. 13, the dye-sensitized solar cell manufactured by using the three-dimensional porous structure formed by the manufacturing method according to the exemplary embodiment of the present application will be described in more detail.
상기 광전극(170)의 제조 방법은 당업계에 통상적으로 광전극의 제조에 사용되는 방법이라면 제한 없이 사용될 수 있다. 일 구현예에 있어서, 상기 광전극의 제조 방법은, 투명 기판 상에 투명 전극(투명 전도성 필름)을 증착하여 전도성 투명 기판(110)을 형성하는 단계, 상기 전도성 투명 기판 상에 전극 물질로서 본원의 제조 방법에 의해 제조된 3 차원 다공성 구조체를 형성하는 단계, 및 상기 전도성 투명 기판 상의 3 차원 다공성 구조체에 감광성 연료를 흡착시키는 단계(130)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 전도성 투명 기판 상에 본원의 제조 방법에 의해 제조된 3 차원 다공성 구조체를 형성하는 단계 전에 상기 전도성 투명 기판 상에 차단층(120)을 형성할 수 있다. The method of manufacturing the
상기 투명 기판으로는 외부광의 입사가 가능하도록 투명성을 갖는 물질이라면 특별히 한정됨 없이 사용할 수 있다. 상기 전도성 투명 기판(110)은 당업계에서 사용되는 통상적인 것에서 선택하여 사용할 수 있으며, 투명 기판 상에, 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 및 SnO2-Sb2O3 중 어느 하나를 포함하는 투명 전극이 코팅된 것을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 투명 기판은 유리 기판 또는 투명 고분자 기판일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 투명 고분자 기판의 구체적인 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리이미드(polyimide, PI), 트리아세틸 셀룰로오스(triacetylcellulose, TAC), 또는 이들의 공중합체 등의 고분자를 포함하는 기판을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.As the transparent substrate, any material having transparency to enable incidence of external light may be used without particular limitation. The conductive
다음, 전도성 투명 기판 상에 필요한 경우 차단층(120)이 형성될 수도 있다. 상기 차단층은 전도성 투명 기판 상에 산화물을 일정한 두께로 코팅하여 형성한다. 상기 차단층은 산화물로 이루어져 있으며, 전도성 투명 기판과 다공성 상기 3 차원 다공성 구조체 사이의 접착력을 강화하는 역할을 한다. 상기 차단층은 Mn, Ni, Gd, Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 산화물을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 전도성 투명 기판 상에 0.1 M 사염화티타늄과 같은 TiO2 전구체 수용액을 스핀코팅 방법으로 균일하게 도포한 후 약 450℃에서 열처리하여 차단층을 완성할 수 있다. 그러나, 상기 차단층의 재료는 상술한 것에 한정되지 않으며, 열처리 횟수나 조건 등도 상술한 조건에 한정되지 않고 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위 내에서 다양하게 변형 가능하다.Next, a
상기 감광성 염료의 종류 및 흡착 방법은 당업자가 당업계에서 통상 사용되는 염료 및 흡착 방법을 적의 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들서, 상기 감광성 염료는 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 유로퓸(Eu), 납(Pb), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru) 등을 포함하는 금속 복합체를 포함할 수 있다. 여기서, 루테늄은 백금족에 속하는 원소로서 많은 유기 금속 복합체를 형성할 수 있어, 루테늄을 포함하는 염료가 많이 사용된다. 일례로, Ru(etc bpy)2(NCS)2CH3CN 타입이 많이 사용되고 있다. 여기서 etc는 (COOEt)2 또는 (COOH)2로서 상기 후처리된 전이금속 산화물 구조체 표면과 결합 가능한 반응기이다. 또한, 유기 색소 등을 포함하는 염료가 사용될 수도 있는데, 이러한 유기 색소로는 쿠마린(coumarin), 포르피린(porphyrin), 크산틴(xanthene), 리보플라빈(riboflavin), 트리페닐메탄(triphenylmethane) 등이 있다. 이들은 단독 또는 Ru 복합체와 혼합 사용하여 장파장의 가시광 흡수를 개선함으로써 광전 변환 효율을 보다 향상시킬 수 있다.Kinds and adsorption methods of the photosensitive dye may be appropriately selected by those skilled in the art using dyes and adsorption methods commonly used in the art. For example, the photosensitive dye includes a metal complex including aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), europium (Eu), lead (Pb), iridium (Ir), ruthenium (Ru), and the like. can do. Here, ruthenium can form many organometallic complexes as an element belonging to the platinum group, and a lot of dyes containing ruthenium are used. For example, many types of Ru (etc bpy) 2 (NCS) 2 CH 3 CN are used. Where etc is (COOEt) 2 or (COOH) 2 as reactor capable of bonding with the surface of the post-treated transition metal oxide structure. In addition, dyes including organic dyes may be used. Examples of such organic dyes include coumarin, porphyrin, xanthene, riboflavin, and triphenylmethane. They can be used alone or in combination with Ru composites to improve the absorption of visible light at long wavelengths, thereby further improving the photoelectric conversion efficiency.
도 13을 참조하면, 상기 상대전극(180)은 전도성 투명 기판 상(110)에 형성된 백금층(140)을 포함할 수 있으며, 상기 백금층이 광전극이 대향하도록 배치된다.Referring to FIG. 13, the
상대전극에 있어서 전도성 투명 기판은, 상기 광전극에서와 동일하게, 유리 기판 또는 투명 고분자 기판 등의 투명 기판 상, 예를 들어, 유리 기판 또는 투명 고분자 기판 상에, 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 및 SnO2-Sb2O3 중 어느 하나를 포함하는 투명 전극이 코팅된 것을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상대전극(200)에 있어서, 전도성 투명 기판(10) 상에 백금층(40)이 형성된다. 상기 백금층(40)은 산화-환원 쌍(redox couple)을 활성화시키는 역할을 하는 것으로, 백금(Pt), 금(Au), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 탄소(C), WO3, TiO2 및 전도성 고분자 등의 전도성 물질을 포함할 수 있다.In the counter electrode, the conductive transparent substrate is formed on a transparent substrate such as a glass substrate or a transparent polymer substrate, for example, on a glass substrate or a transparent polymer substrate, in the same manner as the photoelectrode. A coating of a transparent electrode including any one of lintin oxide (FTO), ZnO-Ga 2 O 3 , ZnO-Al 2 O 3 , and SnO 2 -Sb 2 O 3 may be used, but is not limited thereto. . In the
본원을 설명하는 명세서에서 투명이라는 단어의 의미는 소재의 광투과율이 100%인 경우뿐만 아니라 광투과율이 높은 경우를 모두 포함한다.The meaning of the word transparent in the description of the present application includes not only the case where the material has a light transmittance of 100% but also a case where the light transmittance is high.
상기 광전극과 상대전극 사이에는 전해질(150)이 주입되어 있다. 전해질은 예를 들어, 요오드화물(iodide)을 포함하며, 산화, 환원에 의해 상대 전극으로부터 전자를 받아 전자를 잃었던 염료분자에 받은 전자를 전달하는 역할을 수행한다. 전해질은 실제로는 광전극의 기공 내부로 균일하게 분산되어 있을 수 있다. 예를 들어, 전해질의 제조 방법은 다음과 같다. 상기 전해질은 전해액으로 이루어지며, 상기 전해액은 아이오다이드(iodide)/트리오다이드(triodide) 쌍으로서 산화, 환원에 의해 상대 전극으로부터 전자를 받아 염료 분자에 전달하는 역할을 수행한다. 예를 들어, 상기 전해질로서는 요오드를 아세토니트릴에 용해시킨 용액 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 홀 전도 기능이 있는 것이라면 어느 것이나 제한 없이 사용할 수 있다. 또는, 상기 전해질로서는 0.7 M 1-butyl-3-methylimidazolium iodide(BMⅡ). 0.03 M Iodine(I2), 0.1 M Guanidiumthiocyanate(GSCN), 0.5 M 4-tert-buthlpyridine(TBP), 위 4 개의 시약을 아세토나이트릴(CAN)과 발레노나이트릴(VN) 혼합액(부피비 85:15)에 용해하여 제조하여 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.An
상기 광전극과 상대전극의 가장 자리에는 밀봉부(160)가 형성될 수 있다. 상기 밀봉부는 열가소성 고분자물질을 포함하며, 열 또는 자외선에 의하여 경화된다. 구체적인 예로, 밀봉부는 에폭시 수지를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.An
상기와 같이 형성된 염료감응 태양전지에 있어서, 광전극은 전도성 투명 기판과 염료가 흡착된 상기 3 차원 다공성 구조체를 포함하며, 상기 3 차원 다공성 구조체는 일정한 규칙을 갖는 다공성의 3차원 구조로 되어 있어 효과적인 전자 전달 통로가 형성되어 염료감응 태양전지의 광전 변환 효율이 향상된다. 또한, 상기 3 차원 다공성 구조체의 3차원 면심입방 구조의 정렬된 벌크-공극(ordered bulk-pore)을 통하여 점성이 높은 고분자 또는 고체 전해질의 침투에 효율적인 통로를 제공해줌으로써 염료감응 태양전지의 장기 안정성이 향상된다. In the dye-sensitized solar cell formed as described above, the photoelectrode includes a conductive transparent substrate and the three-dimensional porous structure on which the dye is adsorbed, and the three-dimensional porous structure has a porous three-dimensional structure having a predetermined rule and is effective. An electron transfer path is formed to improve the photoelectric conversion efficiency of the dye-sensitized solar cell. In addition, long-term stability of the dye-sensitized solar cell is provided by providing an efficient passage for the penetration of high viscosity polymer or solid electrolyte through the ordered bulk-pore of the three-dimensional face-centered cubic structure of the three-dimensional porous structure Is improved.
본원에 따른 상기 방법에 의해 제조되는 상기 3 차원 다공성 구조체는 광반사 및 광 제어, 증폭을 가능하게 하는 광결정 구조로서 사용이 가능하므로, 다양한 화합물 또는 바이오 물질 검출을 위한 광센서, 기체 센서, 광촉매 코팅제, 및, 광 가이드, 태양전지, 레이저 등의 광전 소자로 널리 응용될 수 있다. 즉, 이산화티탄과 같이 광촉매로서 다양한 용도가 알려진 물질들에 대하여 상기 본원에 따른 상기 방법에 의해 3 차원 다공성 구조체를 제조하여, 이러한 이산화티탄과 같이 광촉매를 포함하는 3 차원 다공성 구조체를 광센서, 기체 센서, 광촉매 코팅제, 및, 광 가이드, 태양전지, 레이저 등의 광전 소자로 다양하게 응용할 수 있다.Since the three-dimensional porous structure manufactured by the method according to the present invention can be used as a photonic crystal structure that enables light reflection, light control, and amplification, an optical sensor, a gas sensor, a photocatalyst coating agent for detecting various compounds or biomaterials And, it can be widely applied to photoelectric devices such as light guides, solar cells, lasers. That is, a three-dimensional porous structure is prepared by the method according to the present application with respect to materials for which various uses are known as photocatalysts such as titanium dioxide, and a three-dimensional porous structure containing a photocatalyst such as titanium dioxide is used as an optical sensor, a gas. It can be variously applied to photoelectric devices such as sensors, photocatalyst coatings, and light guides, solar cells, and lasers.
이하, 비제한적이고 예시적인 실시예를 통하여 예시적인 구현예 중 하나를 더욱 상세히 설명하나, 본원이 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, one or more exemplary embodiments will be described in more detail with reference to non-limiting and exemplary embodiments, but the present disclosure is not limited thereto.
나노입자 합성 단계Nanoparticle Synthesis Step
솔-젤(sol-gel)법에 의해 기본적으로 산화티탄 입자를 만들고, 펩티제이션(peptization)에 의해 산화티탄 나노입자를 완성된 후 수열합성(hydrothermal treatment)에 의해 상기 나노입자의 결정성과 굴절률을 증가시키는 방법으로 산화티탄 나노입자를 합성하였다.Titanium oxide particles are basically made by the sol-gel method, and titanium oxide is produced by peptization. Titanium oxide is a method of increasing the crystallinity and refractive index of the nanoparticles by hydrothermal treatment after the nanoparticles are completed Nanoparticles were synthesized.
구체적인 합성방법으로는, 우선 타이타늄 아이소프로폭사이드(titanium isopropoxide)를 물(D.I Water)에 첨가하여 벌크(bulk)한 산화티탄 입자를 만들었다. 상기 벌크(bulk)한 산화티탄 입자를 원심분리방법으로 몇 차례 세척해준 후 펩티제이션제로서 테트라메틸암모늄하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide)를 첨가한 후 80℃ 조건에서, 밀폐된 용기 안에서 강한 교반에 의한 펩티제이션 반응을 일어나게 하였다. 상기 반응에 의해 만들어진 산화티탄 나노입자는 투명성을 유지할 수 있었다. 그리고 나서 상기 산화티탄 나노입자의 결정성과 굴절률을 증가시키기 위해 봄브-반응기(bomb-reactor)에 상기 산화티탄 나노입자 분산액을 넣고 1 시간 내지 4 시간 동안 수열합성을 하였다. 상기와 같은 방법에 의해 합성된 산화티탄 나노입자는 약 8 nm 내지 약 30 nm 크기로 나노입자의 크기가 상당히 균일하며 수용액 내에서 상당히 잘 분산되어 있는 것을 주사전자현미경(Scanning Electron Microscopy)에 의해 도 6과 같이 확인되었다. 또한 수열합성 시간이 증가할수록 나노입자의 결정성과 나노입자의 크기가 증가하는 것을 알 수 있었다. 또한 합성된 산화티탄 나노입자를 X선 회절(X-ray diffraction)실험에 의해 도 7과 같이 아나타제(anatase) 결정상으로 합성되었음을 알 수 있었다.As a specific synthesis method, first, titanium isopropoxide was added to DI water to make bulk titanium oxide particles. After the bulk titanium oxide particles were washed several times by centrifugation, tetramethylammonium hydroxide was added as a peptizing agent, and then, at 80 ° C., by strong stirring in a sealed container. Peptidation reactions occurred. The titanium oxide nanoparticles produced by the reaction could maintain transparency. Then the titanium oxide The titanium oxide in a bomb-reactor to increase the crystallinity and refractive index of the nanoparticles The nanoparticle dispersion was added and hydrothermally synthesized for 1 to 4 hours. Titanium oxide nanoparticles synthesized by the above method are about 8 nm to about 30 nm in size, and the size of the nanoparticles is fairly uniform and well dispersed in an aqueous solution by scanning electron microscopy (Scanning Electron Microscopy). It was confirmed as 6. In addition, as the hydrothermal synthesis time increases, the crystallinity and nanoparticle size of the nanoparticles increased. Also synthesized titanium oxide It was found that the nanoparticles were synthesized as an anatase crystal phase as shown in FIG. 7 by X-ray diffraction experiment.
희생입자 합성 단계Sacrificial Particle Synthesis Step
희생입자로서 폴리스타이렌(polystyrene, PS)이 합성되었으며, 계면활성제에 의한 유화중합으로 합성되었다. Polystyrene (polystyrene, PS) was synthesized as a sacrificial particle, and was synthesized by emulsion polymerization with a surfactant.
구체적인 합성방법으로는, 물에 질소를 약 1 시간 불어주어 물 안에 있는 산소를 최대한 없앴다. 이후 개시제로서 포타슘 퍼설페이트(potassium persulfate)와 계면활성제로써 소듐 도데실설페이트(sodium dodecylsulfate; SDS)를 0.3 mg 내지 4 mg 으로 달리하여 상기 준비된 물에 녹였다. 상기 물과 상기 개시제, 상기 계면활성제가 교반되고 있는 반응용기에 스타이렌(styrene) 단량체를 첨가했다. 약 14 시간의 반응이 지난 후 상기 혼합용액을 탈지면으로 여과하여 불순물을 제거하고, 이후 원심분리를 이용해 몇 차례 세척하였다. 상기와 같은 방법에 의해 합성된 서로 다른 크기(180 nm 내지 500 nm)의 폴리스타이렌 입자는 주사전자현미경에 의해 도 8과 같이 확인되었으며, 상당히 균일한 입자 크기를 갖는 구형입자로 합성되었음을 보여준다. 상기 계면활성제의 투입량이 증가할수록, 생성되는 희생입자의 크기가 증가함을 알 수 있었다. 또한, 도 9를 참조하면, 계면활성제로 사용된 소듐 도데실설페이트(sodium dodecylsulfate; SDS)을 달리한 경우, 흡수 파장과 반사율이 달라짐을 알 수 있었다.As a specific synthetic method, nitrogen was blown into the water for about 1 hour to eliminate oxygen in the water as much as possible. Thereafter, potassium dosyl sulfate (SODS) as an initiator and sodium dodecylsulfate (SDS) as a surfactant were dissolved in the prepared water by varying from 0.3 mg to 4 mg. A styrene monomer was added to the reaction vessel in which the water, the initiator, and the surfactant were stirred. After about 14 hours of reaction, the mixed solution was filtered through cotton wool to remove impurities, and then washed several times using centrifugation. Polystyrene particles of different sizes (180 nm to 500 nm) synthesized by the above method were identified as shown in FIG. 8 by scanning electron microscopy, showing that they were synthesized as spherical particles having a fairly uniform particle size. As the dosage of the surfactant increases, it was found that the size of the resulting sacrificial particles increased. In addition, referring to FIG. 9, when the sodium dodecylsulfate (SDS) used as the surfactant was changed, the absorption wavelength and the reflectance were different.
슬라이드 코팅 장치의 제작Fabrication of slide coating device
슬라이드 코팅 장치는 상부 기판, 하부 기판, 상부 기판을 천천히 잡아 당길 수 있고, 속도의 조절이 가능한 실린지(syringe) 펌프로 구성되었다. 상기 상부 기판은 고속의 벤치 드릴(mini bench drill; Seogwang T&M)을 사용하여 상기 상부 기판의 중심 상에 홀(지름 3 mm)을 만들었다. 상기 언급한 모든 기재는 피라냐 세정액(H2SO4: H2O2 = 3: 1, 부피비)에 의해 처리되었고, 순수한 물에 의해 몇차례 세척되었다. 1 mM 트리클로로옥타데실실라인(Trichlorooctadecylsilane)이 용해된 2,2,4-트리메틸펜탄(2,2,4-Trimethylpentane)에 30분간 홀을 가지는 상부 기판을 담궈 소수성(hydrophobic) 처리하였다. 그 후, 상기 상부 기판의 홀 상에 에폭시 수지를 사용하여 유리 튜브(길이 30 mm, 지름 5 mm)를 결합시켰다. 상기 하부 기판은 소수성 처리 없이 사용하였다. The slide coating apparatus was composed of a syringe pump capable of slowly pulling the upper substrate, the lower substrate, and the upper substrate, and adjusting the speed. The top substrate was made with a high speed bench drill (Seogwang T & M) to make a hole (3 mm in diameter) on the center of the top substrate. All the above-mentioned substrates are piranha cleaning liquid (H 2 SO 4 : H 2 O 2 = 3: 1, by volume) and washed several times with pure water. The upper substrate having holes for 30 minutes was immersed in 2,2,4-trimethylpentane dissolved in 1 mM Trichlorooctadecylsilane and hydrophobic. Thereafter, a glass tube (30 mm in length, 5 mm in diameter) was bonded to the hole of the upper substrate by using an epoxy resin. The lower substrate was used without hydrophobic treatment.
3 차원 다공성 구조체를 제조하는 단계Step of manufacturing a three-dimensional porous structure
우선 하부 기판 상에 100 ㎛ 내지 200 ㎛ 두께의 스페이서를 올린 후 상기 스페이서 상에 홀을 가지는 상부 기판을 올려 슬리이드 코팅 장치를 제작하였다. 이후, 상기 언급한 합성방법에 의해 제조된 상기 나노입자와 상기 희생입자를 섞어준 분산액을 상기 상부 기판의 홀을 통하여 상기 각 기재 사이의 공간에 주입하고, 상기 상부 기판을 일정한 속도(0.5 mm/min 내지 3.0 mm/min)로 당겨주면서 히팅 기구(heating gun)의 슬릿형 노즐을 통해 상기 당겨주는 반대편의 분산액 상에 뜨거운 공기를(hot air)를 불어주어 용매를 서서히 증발시켜 각각의 두 입자가 자기조립(self-assembly)에 의해 나노입자-희생입자 복합층을 형성하였다. 상기 나노입자-희생입자 복합층은 비교적 입자 크기가 큰 희생입자가 면심 입방(face-centered cubic, fcc)구조로 쌓이고, 상기 구조의 틈 사이사이에 상기 나노입자가 들어가 있는 구조를 형성하였다. 이후, 상기 나노입자-희생입자 복합층을 450℃에서 가열소성하여 상기 나노입자-희생입자 복합층의 희생입자를 제거하여 기능성 입자들만이 남아 도 5와 같은 역 오팔 구조의 3 차원 다공성 구조체를 제조하였다. 도 10은 300 nm 내지 500 nm 의 크기를 가지는 희생입자를 사용하여, 상기 언급한 방법에 의해 형성되는 각각의 3 차원 다공성 구조체를 전자현미경으로 관찰한 사진이다. 도 11는 280 nm 의 크기를 가지는 희생입자를 사용하여 형성된 3 차원 다공성 구조체의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진으로, 상기 3 차원 다공성 구조체는 17 ㎛ 로 관찰되었다. 또한 도 12를 참조하면, 희생입자의 크기가 240 nm 에서 500 nm 로 증가할수록, 반사파장은 증가하는 것을 알 수 있었다.
First, a spacer having a thickness of 100 μm to 200 μm was placed on a lower substrate, and then a slide coating apparatus was manufactured by raising an upper substrate having holes on the spacer. Subsequently, a dispersion solution in which the nanoparticles and the sacrificial particles are mixed by the aforementioned synthesis method is injected into the space between the respective substrates through the holes of the upper substrate, and the upper substrate is fixed at a constant speed (0.5 mm / min to 3.0 mm / min) blowing hot air through the slit nozzle of the heating gun on the opposite dispersion to slowly evaporate the solvent The nanoparticle-sacrificial particle composite layer was formed by self-assembly. In the nanoparticle-sacrificial particle composite layer, sacrificial particles having a relatively large particle size were stacked in a face-centered cubic (fcc) structure, and the nanoparticles were formed between the gaps of the structure. Thereafter, the nanoparticle-sacrificial particle composite layer was heated and fired at 450 ° C. to remove the sacrificial particles of the nanoparticle-sacrificial particle composite layer, thereby leaving only functional particles. It was. 10 is an electron microscope photograph of each three-dimensional porous structure formed by the above-mentioned method using sacrificial particles having a size of 300 nm to 500 nm. FIG. 11 is a photograph of a cross section of a three-dimensional porous structure formed using sacrificial particles having a size of 280 nm with an electron microscope, and the three-dimensional porous structure is observed to have a thickness of 17 μm. In addition, referring to Figure 12, as the size of the sacrificial particles increased from 240 nm to 500 nm, it was found that the reflected wavelength increases.
3 차원 다공성 구조체를 이용한 염료감응형 태양전지 제조Fabrication of Dye-Sensitized Solar Cell Using 3D Porous Structure
실시예 1의 방법에 의해 제조된 3 차원의 산화티탄 다공성 구조체를 포함하는 염료감응형 태양전지를 제조하여 효율을 측정하였다. The efficiency of the dye-sensitized solar cell including the three-dimensional titanium oxide porous structure prepared by the method of Example 1 was prepared.
보다 구체적으로, FTO 유리 기재 상에 산화티탄 전구체를 스핀코팅 방법에 의하여 코팅하여 차단층을 만들고 상기 차단층 상에 실시예 1의 방법에 의해 제조된 3 차원의 산화티탄 다공성 구조체를 제조한 후, 상기 3 차원의 산화티탄 다공성 구조체의 공극에 루테늄 계열의 염료를 코팅하여 광전극을 제조하였다. 상대전극으로써 백금 코팅한 FTO 유리 기재를 사용하였고, 상기 대전극을 상기 3 차원의 산화티탄 다공성 구조체 상부에 결합한 후, 전해질을 주입하여 염료감응형 태양전지를 완성하였다. More specifically, after forming a barrier layer by coating a titanium oxide precursor on the FTO glass substrate by a spin coating method to prepare a three-dimensional titanium oxide porous structure prepared by the method of Example 1 on the barrier layer, A photoelectrode was prepared by coating a ruthenium-based dye on the pores of the three-dimensional titanium oxide porous structure. Platinum coated FTO glass substrate was used as the counter electrode, and the counter electrode was bonded onto the three-dimensional titanium oxide porous structure, and then electrolyte was injected to complete the dye-sensitized solar cell.
상기 3 차원의 산화티탄 다공성 구조체의 두께를 달리하여 염료감응형 태양전지 제작에 사용하였으며, 이에 의해 제조되는 염료감응형 태양전지의 변환효율을 측정하여, 하기 표 1 및 도 14에 나타내었다. 측정 결과, 하기 표 1에서 알 수 있듯이, 두께가 2 ㎛ 인 3 차원의 산화티탄 다공성 구조체를 사용한 염료감응형 태양전지는 2.23%, 10 ㎛ 의 두께를 가지는 3 차원의 산화티탄 다공성 구조체로 만든 염료감응형 태양전지는 4.16% 의 변환효율을 나타내었다.The thickness of the three-dimensional titanium oxide porous structure was used to manufacture the dye-sensitized solar cell, and the conversion efficiency of the dye-sensitized solar cell manufactured thereby was measured, and is shown in Table 1 and FIG. 14. As a result of the measurement, as shown in Table 1, the dye-sensitized solar cell using a three-dimensional titanium oxide porous structure having a thickness of 2 ㎛ is 2.23%, a dye made of a three-dimensional titanium oxide porous structure having a thickness of 10 ㎛ The sensitized solar cell showed a conversion efficiency of 4.16%.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above description of the present application is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present application. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
The scope of the present application is indicated by the following claims rather than the above description, and it should be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are included in the scope of the present application.
10: 하부 기판
20: 스페이서(spacer)
30: 상부 기판
40: 나노입자-희생입자 복합층
50: 3 차원 다공성 구조체
110: 전도성 투명 기판
120: 차단층
130: 염료가 흡착된 3 차원 다공성 구조체
140: 백금층
150: 전해질
160: 밀봉부
170: 광전극
180: 상대전극10: lower substrate
20: spacer
30: upper substrate
40: nanoparticle-sacrificial particle composite layer
50: 3D porous structure
110: conductive transparent substrate
120: barrier layer
130: three-dimensional porous structure adsorbed dye
140: platinum layer
150: electrolyte
160: sealing part
170: photoelectrode
180: counter electrode
Claims (25)
상기 스페이서 상에 홀을 가지는 상부 기판을 배치하는 단계;
나노입자 및 상기 나노입자보다 큰 크기를 가지는 희생입자가 용매 중에 분산된 혼합 입자 분산액을 상기 상부 기판의 홀을 통하여 주입함으로써 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 상기 혼합 입자 분산액 층을 형성하는 단계;
상기 상부 기판을 상기 하부 기판에 대하여 평행한 방향으로 이동시키면서 상기 상부 기판의 이동에 의해 공기 중으로 노출되는 상기 혼합 입자 분산액 층을 건조시켜 나노입자-희생입자 복합층을 형성하는 단계; 및
상기 나노입자-희생입자 복합층으로부터 상기 희생입자를 제거하는 단계:
를 포함하는, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
Forming a spacer on the lower substrate;
Disposing an upper substrate having holes on the spacers;
Forming a mixed particle dispersion layer between the lower substrate and the upper substrate by injecting nanoparticles and a mixed particle dispersion having a larger size than the nanoparticles in a solvent through holes in the upper substrate;
Drying the mixed particle dispersion layer exposed in the air by the movement of the upper substrate while moving the upper substrate in a direction parallel to the lower substrate to form a nanoparticle-sacrificial particle composite layer; And
Removing the sacrificial particles from the nanoparticle-sacrificial particle composite layer:
Including, a three-dimensional porous structure manufacturing method.
상기 나노입자는 Mn, Ni, Gd, Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, 상기 금속 각각의 산화물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The nanoparticles are Mn, Ni, Gd, Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, the metal Each oxide, and a combination thereof, comprising a method selected from the group consisting of.
상기 나노입자의 평균 입경은 1 nm 내지 30 nm 인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The average particle diameter of the nanoparticles is 1 nm to 30 nm, the method of producing a three-dimensional porous structure.
상기 희생입자의 평균 입경은 0.1 ㎛ 내지 2 ㎛ 인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The average particle diameter of the sacrificial particles is 0.1 ㎛ to 2 ㎛ method of producing a three-dimensional porous structure.
상기 희생입자는 실리카(SiO2), 폴리부틸메타크릴레이트(PBMA), 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/폴리디비닐벤젠 (PS/DVB = polystyrene/divinylbenzene), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트-디비닐벤젠) (PBMA) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The sacrificial particles are silica (SiO 2 ), polybutyl methacrylate (PBMA), polystyrene (PS), polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene / polydivinylbenzene (PS / DVB = polystyrene / divinylbenzene), poly A method for producing a three-dimensional porous structure, including those selected from the group consisting of amide, poly (butyl methacrylate-divinylbenzene) (PBMA) and combinations thereof.
상기 용매는 물, 유기 용매, 물-유기 혼합 용매 또는 고분자 매질을 포함하는 것인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
Wherein the solvent comprises water, an organic solvent, a water-organic mixed solvent or a polymer medium.
상기 하부 기판은 유리, 금속, 금속 산화물, 반도체, 고분자 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The lower substrate is glass, metal, metal oxides, semiconductors, polymers, and a combination of these, will be selected from the group consisting of a method of producing a three-dimensional porous structure.
상기 하부 기판의 표면은 친수성 물질로 코팅되어 있는 것인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
Surface of the lower substrate is coated with a hydrophilic material, the method of manufacturing a three-dimensional porous structure.
상기 스페이서의 두께는 1 ㎛ 내지 200 ㎛ 인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The spacer has a thickness of 1 μm to 200 μm, the method of manufacturing a three-dimensional porous structure.
상기 희생 입자의 제거는 산 용액에 의한 용해 처리, 유기 용매에 의한 용해 처리 또는 소성(calcination) 처리에 의하여 수행되는 것인, 3차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The removal of the sacrificial particles is performed by dissolution treatment with an acid solution, dissolution treatment with an organic solvent or calcining (calcination), a method for producing a three-dimensional porous structure.
상기 혼합 입자 분산액 층의 건조는, 상기 혼합 입자 분산액 층으로부터 용매의 제거 정도를 조절하여 상기 3 차원 다공성 구조의 두께를 조절하는 것인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The drying of the mixed particle dispersion layer is to adjust the degree of removal of the solvent from the mixed particle dispersion layer to adjust the thickness of the three-dimensional porous structure, the manufacturing method of the three-dimensional porous structure.
상기 상부 기판의 표면은 소수성 물질이 코팅되어 있는 것인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
Surface of the upper substrate is coated with a hydrophobic material, the method of manufacturing a three-dimensional porous structure.
상기 상부 기판의 이동 속도는 0.1 cm/h 내지 10 cm/h 인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The moving speed of the upper substrate is 0.1 cm / h to 10 cm / h, the method of producing a three-dimensional porous structure.
상기 상부 기판은 상기 상부 기판의 이동 속도를 일정하게 조절할 수 있는 모터와 연결되어 있는 것인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The upper substrate is connected to a motor that can constantly adjust the moving speed of the upper substrate, a three-dimensional porous structure manufacturing method.
상기 상부 기판의 홀의 크기는 1 mm 내지 5 mm 인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The hole size of the upper substrate is 1 mm to 5 mm, the manufacturing method of the three-dimensional porous structure.
상기 상부 기판의 홀 상에 속이 빈 형태의 구조체를 추가 포함하는 것인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
Method for producing a three-dimensional porous structure further comprises a hollow structure on the hole of the upper substrate.
상기 3차원 다공성 구조체는 단순입방구조(Simple Cubic, SC), 면심입방구조(Face-Centered Cubic, FCC), 또는 체심입방구조(Body-Centered Cubic, BCC)로 배열되어 있는 것인, 3 차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The three-dimensional porous structure is arranged in a simple cubic (SC), face-centered cubic (FCC), or body-centered cubic structure (Body-Centered Cubic, BCC), three-dimensional porous Method of making the structure.
상기 3차원 다공성 구조체의 기공은 규칙적으로 정렬된 것인, 3차원 다공성 구조체의 제조 방법.
The method of claim 1,
The pores of the three-dimensional porous structure is regularly aligned, the method of manufacturing a three-dimensional porous structure.
A three-dimensional porous structure produced by the method of any one of claims 1 to 18.
상기 3 차원 다공성 구조체의 두께는 1 ㎛ 내지 200 ㎛ 인, 3 차원 다공성 구조체.
The method of claim 19,
The three-dimensional porous structure has a thickness of 1 μm to 200 μm.
Optoelectronic device comprising the three-dimensional porous structure according to claim 19.
An optical sensor comprising the three-dimensional porous structure according to claim 19.
20. A photoelectrode comprising a three-dimensional porous structure according to claim 19 and a photosensitive dye adsorbed on the three-dimensional porous structure.
A dye-sensitized solar cell comprising the photoelectrode according to claim 23.
A photocatalyst coating material comprising the photoelectrode according to claim 23.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100094337A KR101350376B1 (en) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | Three dimensional porous structure, producing method of the same, and uses of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100094337A KR101350376B1 (en) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | Three dimensional porous structure, producing method of the same, and uses of the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120032803A true KR20120032803A (en) | 2012-04-06 |
| KR101350376B1 KR101350376B1 (en) | 2014-01-16 |
Family
ID=46135732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100094337A KR101350376B1 (en) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | Three dimensional porous structure, producing method of the same, and uses of the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101350376B1 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160010828A (en) * | 2014-07-18 | 2016-01-28 | 경북대학교 산학협력단 | A biochip comprising covalently immobilized bioactive molecules through organic couplers thereon |
| KR101720437B1 (en) * | 2015-12-16 | 2017-03-27 | 한국과학기술원 | Synthesis Method for Fabricating Nano-porous Metal Structure Utilizing Electro Reduction Process |
| WO2017209517A1 (en) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 한양대학교에리카산학협력단 | Heat treatment method and nitrogen-doped metal oxide structure |
| KR20170135700A (en) * | 2016-05-31 | 2017-12-08 | 한양대학교 에리카산학협력단 | Method of annealing, and N-doped metal oxide structure |
| WO2019135490A1 (en) * | 2018-01-05 | 2019-07-11 | 한양대학교에리카산학협력단 | Method for preparing cathode active material |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101773124B1 (en) | 2015-09-24 | 2017-08-30 | 국민대학교 산학협력단 | Method of manufacture of dye-sensitized solar cell |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100830946B1 (en) | 2006-11-15 | 2008-05-20 | 한국과학기술연구원 | Dye sensitized solar cell and the fabrication method thereof |
| KR101092865B1 (en) * | 2009-01-20 | 2011-12-14 | 한국과학기술연구원 | Gas sensor and the fabrication method thereof |
-
2010
- 2010-09-29 KR KR1020100094337A patent/KR101350376B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160010828A (en) * | 2014-07-18 | 2016-01-28 | 경북대학교 산학협력단 | A biochip comprising covalently immobilized bioactive molecules through organic couplers thereon |
| US9671361B2 (en) | 2014-07-18 | 2017-06-06 | Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation | Biochip comprising covalently immobilized bioactive molecules through organic couplers thereon |
| KR101720437B1 (en) * | 2015-12-16 | 2017-03-27 | 한국과학기술원 | Synthesis Method for Fabricating Nano-porous Metal Structure Utilizing Electro Reduction Process |
| WO2017209517A1 (en) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 한양대학교에리카산학협력단 | Heat treatment method and nitrogen-doped metal oxide structure |
| KR20170135700A (en) * | 2016-05-31 | 2017-12-08 | 한양대학교 에리카산학협력단 | Method of annealing, and N-doped metal oxide structure |
| US11084011B2 (en) | 2016-05-31 | 2021-08-10 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus | Annealing method and nitrogen-doped metal oxide structure |
| WO2019135490A1 (en) * | 2018-01-05 | 2019-07-11 | 한양대학교에리카산학협력단 | Method for preparing cathode active material |
| US11605808B2 (en) | 2018-01-05 | 2023-03-14 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus | Method for preparing cathode active material |
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