KR20120026311A - Wafer inspection device and wafer inspection system having the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼 검사장치에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 웨이퍼의 테두리 영역에 크랙, 칩핑 등의 결함의 유무와 웨이퍼의 연마 상태를 검사하기 위한 웨이퍼 검사장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer inspection apparatus. More specifically, the present invention relates to a wafer inspection apparatus for inspecting the presence or absence of defects such as cracking and chipping in the edge region of the wafer and the polishing state of the wafer.
일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 상에 회로패턴을 형성하는 공정, 패키징 공정 등을 통해 제조된다. 웨이펴 상에 회로패턴을 형성하기 위해서는 소정의 박막을 형성하는 박막증착공정, 증착된 박막에 포토레지스트를 도포하고 노광 및 현상을 통해 포토레지스터 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 박막을 패터닝하는 식각 공정, 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하는 이온주입공정, 불순물을 제거하는 세정공정 등을 거치고, 회로패턴을 형성하는 공정 후 웨이퍼를 소정의 크기로 절단하여 에폭시 수지 등으로 봉지하는 패키징 공정 등을 거치게 된다.In general, a semiconductor device is manufactured through a process of forming a circuit pattern on a wafer, a packaging process, or the like. In order to form a circuit pattern on the wafer, a thin film deposition process for forming a predetermined thin film, a photolithography process for forming a photoresist pattern by applying photoresist to the deposited thin film and exposing and developing the photoresist pattern, Through the etching process of patterning the thin film, the ion implantation process of injecting specific ions into a predetermined region of the substrate, the cleaning process of removing impurities, etc. It will go through a packaging process such as encapsulation.
웨이퍼로부터 각각의 반도체 소자로 생산되기 위해서는 전술한 과정 이외에도 많은 세부 공정들을 거치게된다.In order to produce each semiconductor device from a wafer, many detailed processes are required in addition to the above-described processes.
만일 웨이퍼가 크랙 등의 하자를 갖는 경우, 전술한 공정을 거치더라도 반도체 소자로서 기능할 수 없다. 또한, 크랙이란 시간이 흐를수록 성장하는 성질을 갖으므로, 많은 비용과 시간이 투여되는 후속공정을 진행하기 전에 크랙과 같은 하자를 갖는 웨이퍼를 선별하여 분리하는 일은 아주 중요하다.If the wafer has a defect such as a crack, it cannot function as a semiconductor element even after the above-described process. In addition, since cracks have a property of growing over time, it is very important to sort and separate wafers having cracks and the like defects before proceeding with subsequent cost and time-consuming processes.
웨이퍼는 웨이퍼의 중심부 보다 웨이퍼의 테두리에 크랙 등이 발생할 가능성이 높으며, 웨이퍼의 테두리에 존재하는 크랙은 웨이퍼 중심부로 성장할 수 있으므로, 웨이퍼 테두리에 크랙이 존재하는 웨이퍼를 조기에 선별하여 분리할 필요가 있다.The wafer is more likely to have cracks on the edge of the wafer than the center of the wafer, and cracks on the edge of the wafer can grow to the center of the wafer, so it is necessary to sort and separate the wafers with cracks early on the wafer edge. have.
본 발명은 웨이퍼의 테두리 영역에 크랙 등의 하자의 유무를 검사 하기 위한 웨이퍼 검사장치를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.An object of the present invention is to provide a wafer inspection apparatus for inspecting the presence or absence of defects such as cracks in an edge region of a wafer.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상을 웨이퍼의 측면과 수직한 제1방향으로 반사시키는 적어도 1개 이상의 웨이퍼 반사경, 상기 웨이퍼 반사경에서 반사된 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상 및 웨이퍼의 측면 영상을 함께 촬영하는 카메라, 상기 카메라에서 촬영된 영상을 통해 웨이퍼 테두리의 결함을 판단하는 제어부;를 포함하는 웨이퍼 검사장치를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention is at least one wafer reflector for reflecting the image of the upper or lower surface of the wafer rim in a first direction perpendicular to the side of the wafer, the upper or lower surface of the wafer rim reflected by the wafer reflector It provides a wafer inspection apparatus comprising a camera for taking a picture of the image and the side image of the wafer together, a controller for determining a defect of the wafer edge through the image taken by the camera.
여기서, 상기 웨이퍼 반사경에서 반사된 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상 및 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상을 상기 제1방향과 다른 제2방향으로 반사시키는 반사부재를 더 포함하고, 상기 카메라는 상기 반사부재에 의해 반사된 영상을 촬영할 수 있다.The apparatus may further include a reflecting member reflecting an image of an upper surface or a lower surface of the wafer rim reflected by the wafer reflector and a side image of the wafer rim in a second direction different from the first direction. The reflected image can be taken.
또한, 상기 제1방향과 상기 제2방향은 서로 수직할 수 있다.In addition, the first direction and the second direction may be perpendicular to each other.
그리고, 상기 제1방향은 수평방향일 수 있다.The first direction may be a horizontal direction.
이 경우, 상기 카메라는 웨이퍼 테두리의 측면, 상면 및 하면 영상을 함께 촬영할 수 있다.In this case, the camera may capture the side, top and bottom images of the wafer rim together.
이 경우, 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상과 상기 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면 영상의 광경로의 길이 차이를 보상하는 광경로 보상장치가 더 구비될 수 있다.In this case, an optical path compensation device may be further provided to compensate for the difference in length of the optical path between the side image of the wafer edge and the top or bottom surface of the wafer edge.
또한, 상기 광경로 보상장치는 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상을 적어도 2회 이상 반사시키는 적어도2개 이상의 반사미러를 포함할 수 있다.In addition, the optical path compensation device may include at least two or more reflection mirrors reflecting at least two times the side image of the edge of the wafer.
그리고, 상기 반사미러는 몸체를 구성하는 바디부 및 바디부의 외측면에 구비된 반사면을 구비하며, 상기 반사미러 중 하나의 반사미러는 2개의 반사면을 갖을 수 있다.The reflection mirror may include a body part constituting the body and a reflection surface provided on an outer surface of the body part, and one of the reflection mirrors may have two reflection surfaces.
여기서, 상기 반사미러의 바디부의 단면 형상은 직각 이등변 삼각형일 수 있다.Here, the cross-sectional shape of the body portion of the reflective mirror may be a right angle isosceles triangle.
또한, 복수 개의 반사미러의 반사면은 서로 평행하거나 수직할 수 있다.In addition, the reflective surfaces of the plurality of reflective mirrors may be parallel or perpendicular to each other.
그리고, 상기 반사미러의 반사면은 상기 제1방향에 대하여 45도 기울어질 수 있다.The reflective surface of the reflective mirror may be inclined 45 degrees with respect to the first direction.
이 경우, 상기 광경로 보상장치는 상기 웨이퍼 테두리 측면 영상을 상기 제1방향과 수직한 제3방향, 제1방향, 제3방향의 역방향 및 제1방향으로 순차적으로 반사시키는 4개의 반사면을 구비할 수 있다.In this case, the optical path compensator includes four reflective surfaces that sequentially reflect the wafer edge side image in a third direction, a first direction, a reverse direction of the third direction, and a first direction perpendicular to the first direction. can do.
이 경우, 상기 반사면 중 2개의 반사면은 하나의 반사미러의 바디부의 외측면에 구비될 수 있다.In this case, two of the reflective surfaces may be provided on an outer surface of the body part of one reflective mirror.
이 경우, 하나의 반사미러의 바디부의 외측면에 구비되는 한 쌍의 반사면은 서로 수직할 수 있다.In this case, the pair of reflective surfaces provided on the outer surface of the body portion of one reflective mirror may be perpendicular to each other.
또한, 4개의 반사면에 의하여 반사되는 웨이퍼 테두리의 측면 영상의 광경로는 검사 대상 웨이퍼와 동일평면 또는 평행한 평면 상에 존재할 수 있다.In addition, the optical path of the side image of the edge of the wafer reflected by the four reflective surfaces may be present on the same plane or parallel to the wafer to be inspected.
그리고, 수평방향으로 이송되는 검사대상 웨이퍼의 테두리가 통과하는 삽입홈이 구비되고, 상기 삽입홈 상부와 하부에 웨이퍼 반사경이 경사진 상태로 장착되는 검사부를 더 포함할 수 있다.In addition, an insertion groove through which an edge of the inspection target wafer transferred in the horizontal direction may be provided, and an inspection unit may be mounted to the upper and lower portions of the insertion groove in a state where the wafer reflector is inclined.
여기서, 상기 검사부의 삽입홈으로 테두리가 통과되는 웨이퍼는 상기 제1방향과 수직한 제3방향으로 이송되거나, 상기 삽입홈에 테두리가 삽입된 상태로 회전될 수 있다.Here, the wafer passing through the rim to the insertion groove of the inspection unit may be transferred in a third direction perpendicular to the first direction, or may be rotated while the rim is inserted into the insertion groove.
또한, 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 이송 또는 회전되는 웨이퍼의 테두리를 촬영하기 위하여 웨이퍼의 테두리가 통과되는 검사부, 상기 검사부를 통과하는 웨이퍼의 테두리를 촬영하는 촬영부, 상기 촬영부에서 촬영된 영상을 통해 웨이퍼 테두리에 존재하는 결함의 유무를 판단하는 제어부를 포함하는 웨이퍼 검사장치를 제공한다.In addition, in order to solve the above problems, the present invention to shoot the edge of the wafer to be transported or rotated, the inspection unit passing the edge of the wafer, the imaging unit for taking a picture of the edge of the wafer passing through the inspection unit, the imaging unit It provides a wafer inspection apparatus including a control unit for determining the presence or absence of a defect present on the edge of the wafer through the image.
그리고, 상기 검사부를 통과하는 웨이퍼는 수평방향으로 이송되거나 수평상태로 회전되며, 상기 촬영부는 수직방향으로 웨이퍼의 테두리를 촬영할 수 있다.In addition, the wafer passing through the inspection unit may be transferred in a horizontal direction or rotated in a horizontal state, and the photographing unit may photograph the edge of the wafer in the vertical direction.
여기서, 상기 검사부를 통과하는 웨이퍼 테두리의 영상을 상기 촬영부의 촬영방향으로 반사시키는 반사부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a reflector configured to reflect an image of the wafer edge passing through the inspection unit in the photographing direction.
또한, 상기 촬영부에서 촬영되는 영상은 웨이퍼 테두리의 측면 영상을 포함할 수 있다.In addition, the image photographed by the photographing unit may include a side image of the wafer edge.
그리고, 상기 촬영부에 의하여 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상과 함께 웨이퍼 테두리의 상면 영상 또는 웨이퍼 테두리의 하면 영상이 촬영되도록 하기 위하여, 상기 검사부는 웨이퍼 테두리의 상면 영상 또는 웨이퍼 테두리의 하면 영상을 반사시키는 적어도 1개 이상의 반사경을 포함할 수 있다.The inspection unit reflects the top image of the wafer rim or the bottom image of the wafer rim together with the side image of the wafer rim by the photographing unit. It may include one or more reflectors.
이 경우, 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상의 광경로의 길이를 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상의 광경로의 길이 또는 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상의 광경로의 길이에 대응되도록 상기 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상의 광경로의 길이를 증가시키기 위하여 상기 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상의 광경로를 변경시키는 복수 개의 반사미러가 구비될 수 있다.In this case, the view length of the side image of the wafer rim so that the length of the light path of the side image of the wafer rim corresponds to the length of the light path of the top image of the wafer rim or the length of the light path of the bottom image of the wafer rim. In order to increase the length of the furnace, a plurality of reflective mirrors for changing an optical path of the side image of the wafer edge may be provided.
이 경우, 상기 반사미러에 반사되기 전의 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상의 광경로는 상기 반사미러에 의하여 반사 후의 복수 개의 상기 반사미러에 반사된 후의 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상의 광경로와 일치하거나 평행할 수 있다.In this case, the optical path of the side image of the wafer edge before being reflected by the reflection mirror may be the same as or parallel to the optical path of the side image of the wafer edge after being reflected by the reflection mirror to the plurality of reflection mirrors after the reflection. Can be.
또한, 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상을 웨이퍼의 측면과 수직하고 수평한 제1방향으로 반사시키는 적어도 1개 이상의 웨이퍼 반사경,In addition, in order to solve the above problems, the present invention is at least one wafer reflector for reflecting the image of the upper or lower surface of the wafer border in a first direction perpendicular to the side of the wafer,
상기 웨이퍼 반사경에서 반사된 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상 및 웨이퍼의 측면 영상을 함께 촬영하는 카메라, 상기 카메라에서 촬영된 영상을 통해 웨이퍼 테두리의 결함을 판단하는 제어부 및, 웨이퍼를 상기 제1방향과 수직한 제3방향으로 이송하거나, 회전시키는 구동장치를 포함하는 웨이퍼 검사 시스템을 제공한다.A camera for capturing an image of the upper or lower surface of the wafer edge and the side surface of the wafer reflected by the wafer reflector, a controller for determining a defect of the wafer edge through the image captured by the camera, and a wafer in the first direction. Provided is a wafer inspection system including a driving device for transferring or rotating in a third vertical direction.
그리고, 상기 구동장치는 웨이퍼가 안착되는 한쌍의 컨베이어 벨트 및 상기 컨베이어 벨트를 구동하는 복수 개의 구동축을 포함할 수 있다.In addition, the driving device may include a pair of conveyor belts on which a wafer is seated and a plurality of driving shafts for driving the conveyor belts.
여기서, 상기 구동장치는 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착부 및 상기 웨이퍼 안착부를 회전시키는 회전축을 포함할 수 있다.Here, the driving device may include a wafer seating portion on which the wafer is seated and a rotating shaft for rotating the wafer seating portion.
또한, 상기 웨이퍼 반사경에서 반사된 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상 및 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상을 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 반사시키는 반사부재를 더 포함하고, 상기 카메라는 상기 반사부재에 의해 반사된 영상을 촬영할 수 있다.The apparatus may further include a reflecting member reflecting an image of an upper or lower surface of the wafer rim reflected by the wafer reflector and a side image of the wafer rim in a second direction perpendicular to the first direction. The reflected image can be taken.
그리고, 상기 카메라는 웨이퍼 테두리의 측면, 상면 및 하면 영상을 함께 촬영할 수 있다.In addition, the camera can take images of the side, top and bottom of the wafer edge.
이 경우, 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상과 상기 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면 영상의 광경로의 길이 차이를 보상하기 위하여, 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상을 적어도 2회 이상 반사시키는 적어도 2개 이상의 반사미러를 구비하는 광경로 보상장치를 더 포함할 수 있다.In this case, at least two or more reflection mirrors reflecting the side image of the wafer edge at least two times to compensate for the difference in the optical path length between the side image of the wafer edge and the top or bottom surface of the wafer edge. It may further include a light path compensation device.
또한, 상기 반사미러의 반사면은 상기 제1방향에 대하여 45도 기울어진 상태로 구비되고, 복수 개의 반사미러의 반사면은 서로 평행하거나 수직할 수 있다.The reflective surfaces of the reflective mirror may be inclined at 45 degrees with respect to the first direction, and the reflective surfaces of the plurality of reflective mirrors may be parallel or perpendicular to each other.
여기서, 상기 광경로 보상장치는 상기 웨이퍼 테두리 측면 영상을 상기 제1방향과 수직한 제3방향, 제1방향, 제3방향의 역방향 및 제1방향으로 순차적으로 반사시키는 4개의 반사면을 구비할 수 있다.The optical path compensation device may include four reflective surfaces that sequentially reflect the wafer edge side image in a third direction, a first direction, a reverse direction of the third direction, and a first direction perpendicular to the first direction. Can be.
본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치 및 웨이퍼 검사 시스템에 의하면, 테두리 영역에 크랙이 존재하는 웨이퍼를 조기에 식별할 수 있다.According to the wafer inspection apparatus and the wafer inspection system according to the present invention, it is possible to identify the wafer in which the crack exists in the edge region at an early stage.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치 및 웨이퍼 검사 시스템에 의하면, 하나의 검사용 카메라를 이용하여, 복수 개의 검사지점을 동시에 촬영하여 크랙의 유무를 판단하는 웨이퍼 검사과정의 효율을 극대화할 수 있다.In addition, according to the wafer inspection apparatus and the wafer inspection system according to the present invention, it is possible to maximize the efficiency of the wafer inspection process for determining the presence of cracks by simultaneously photographing a plurality of inspection points using one inspection camera.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치 및 웨이퍼 검사 시스템에 의하면, 테두리 영역에 크랙이 존재하는 웨이퍼를 조기에 식별할 수 있으므로, 불필요한 후공정을 생략하여, 비용의 낭비를 예방할 수 있다.In addition, according to the wafer inspection apparatus and the wafer inspection system according to the present invention, since the wafer in which the crack exists in the edge region can be identified at an early stage, unnecessary post-processing can be omitted, and waste of cost can be prevented.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치 및 웨이퍼 검사 시스템에 의하면, 태양광 웨이퍼 또는 반도체 소자용 웨이퍼 모두를 검사할 수 있으므로, 웨이퍼 검사장치의 적용범위를 확대할 수 있다.In addition, according to the wafer inspection apparatus and the wafer inspection system according to the present invention, both solar wafers and wafers for semiconductor elements can be inspected, and thus the application range of the wafer inspection apparatus can be expanded.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템의 하나의 실시예를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템의 다른 실시예를 도시한다.
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 검사 시스템의 평면도를 도시한다.
도 4는 도 3에 도시된 웨이퍼 검사 시스템의 요부의 확대도를 도시한다.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템의 다른 실시예의 요부의 확대도를 도시한다.
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템의 다른 실시예를 도시한다.
도 7은 도 6에 도시된 웨이퍼 검사 시스템의 평면도를 도시한다.
도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템의 다른 실시예의 평면도를 도시한다.1 illustrates one embodiment of a wafer inspection system in accordance with the present invention.
2 illustrates another embodiment of a wafer inspection system in accordance with the present invention.
3 shows a top view of the wafer inspection system shown in FIG. 2.
FIG. 4 shows an enlarged view of the main part of the wafer inspection system shown in FIG. 3.
Figure 5 shows an enlarged view of the main parts of another embodiment of a wafer inspection system according to the present invention.
6 illustrates another embodiment of a wafer inspection system in accordance with the present invention.
FIG. 7 shows a top view of the wafer inspection system shown in FIG. 6.
8 shows a top view of another embodiment of a wafer inspection system according to the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Like numbers refer to like elements throughout.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템(2000)의 하나의 실시예를 도시한다. 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템(2000)은 웨이퍼 검사장치(1000) 및 상기 웨이퍼 검사장치(1000)에 의해 검사되는 웨이퍼를 변위시키는 구동장치(700)를 포함할 수 있다.1 illustrates one embodiment of a
여기서, 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치(1000)는 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상(l1 또는 l3)을 웨이퍼의 측면과 수직한 제1 방향(D1)으로 반사시키는 적어도 1개 이상의 웨이퍼 반사경(510), 상기 웨이퍼 반사경(510)에서 반사된 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상(l1 또는 l3) 및 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)을 함께 촬영하는 촬영부를 구성하는 카메라(100), 상기 카메라(100)에서 촬영된 영상(l1, l2, l3)을 통해 웨이퍼 테두리의 결함을 판단하는 제어부(미도시)를 포함하는 웨이퍼 검사장치(1000)를 포함한다.Here, the
웨이퍼(w)의 결함이란 웨이퍼에 존재하는 크랙, 칩핑 또는 오염물질일 수 있다. 또한, 웨이퍼 검사장치는 웨이퍼의 연마 상태를 검사할 수도 있다.Defects in the wafer w may be cracks, chipping or contaminants present on the wafer. The wafer inspection apparatus can also inspect the polishing state of the wafer.
도 1에 도시된 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치(1000)는 구동장치(700)에 의하여 일방향으로 이송되는 웨이퍼 테두리에 크랙 또는 오염물질의 유무를 판단할 수 있다.The
웨이퍼 테두리 영역에 존재하는 크랙 또는 오염물질의 유무를 판단하는 방법은 웨이퍼 테두리의 영상을 촬영하여 촬영된 영상에 크랙 또는 오염물질이 촬영되었는지 여부에 의하여 크랙 또는 오염물질의 유무를 판단하게 된다.In the method for determining the presence of cracks or contaminants in the wafer edge region, the image of the wafer edge is taken to determine the presence of cracks or contaminants based on whether the cracks or contaminants are captured in the photographed image.
설명의 편의상 웨이퍼 테두리의 상면 영상을 도면부호 l1으로, 웨이퍼 테두리의 측면 영상을 도면부호 l2으로, 그리고 웨이퍼 테두리의 하면 영상을 도면부호 l3으로 표시한다. 웨이퍼 테두리의 상면, 하면 또는 측면 영상이란 웨이퍼 테두리의 상면, 하면 또는 측면의 상이 포함된 빛을 의미하는 것으로 도 1 이하에서 도시의 편의를 위하여 각각의 영상을 직선화하여 표시하였다.For convenience of explanation, the top image of the wafer edge is indicated by reference numeral l1, the side image of the wafer edge is denoted by reference numeral l2, and the bottom image of the wafer edge is denoted by reference numeral l3. The top, bottom, or side image of the wafer edge refers to light including an image of the top, bottom, or side of the wafer edge. In FIG. 1 and below, each image is linearly displayed for convenience of illustration.
따라서, 도시된 도면부호 l1, l2 및 l3는 웨이퍼 테두리의 크랙 또는 오염물질의 유무를 판단하기 위하여 카메라에 의하여 촬영되는 웨이퍼 테두리의 상면, 측면 및 하면의 일정 영역의 이미지가 포함된 영상을 의미하는 것으로 해석되어야 한다.Accordingly, the reference numerals l1, l2, and l3 denote images that include images of certain areas of the top, side, and bottom surfaces of the wafer edge photographed by the camera to determine the presence of cracks or contaminants on the wafer edge. Should be interpreted as
본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치(1000)는 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상(l1 또는 l3) 및 웨이퍼의 측면을 함께 촬영하는 카메라(100)와 상기 카메라(100)에서 촬영된 영상(l1, l2, l3)을 통해 웨이퍼 테두리의 결함을 판단하는 제어부(미도시)를 포함할 수 있다.The
웨이퍼 검사장치(1000)의 제어부는 웨이퍼를 구동하는 구동장치 제어부와 연동되어 웨이퍼의 위치정보 등을 참조하여 크랙 또는 오염물질의 유무와 함께 그 위치까지 판단하도록 설정될 수 있다.The control unit of the
상기 제어부는 상기 카메라(100)에서 촬영된 영상(l1, l2, l3)을 통해 크랙 등의 유무를 판단하기 위한 알고리즘에 의하여 연산되는 처리장치를 포함할 수 있다. 또한, 연속적으로 촬영된 복수 개의 웨이퍼에 대한 영상 및 검사결과를 저장하기 위한 저장공간을 포함할 수 있다.The controller may include a processing device that is calculated by an algorithm for determining the presence or absence of a crack, etc. through the images l1, l2, and l3 captured by the
상기 카메라(100)는 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상(l1 또는 l3) 및 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)을 함께 촬영할 수 있다.The
일정한 방향에서 입사되는 영상을 촬영하기 위한 카메라(100)가 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상(l1 또는 l3) 및 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)을 함께 촬영하기 위해서 본 발명은 웨이퍼 반사경(510)을 구비할 수 있다.The
도 1에 도시된 실시예에서, 웨이퍼 반사경(510)은 웨이퍼 테두리의 상면 영상을 반사시키기 위한 제1 웨이퍼 반사경(510a)과 웨이퍼 테두리의 하면 영상을 반사시키기 위한 제2 웨이퍼 반사경(510b)을 포함할 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 1, the
웨이퍼 테두리의 측면과 수직하고, 웨이퍼의 측면이 멀어지는 방향을 제1 방향(D1)이라고 정의하면, 상기 제1 웨이퍼 반사경(510a)은 웨이퍼 테두리의 상면의 영상(l1)을 제1 방향(D1)으로 반사시키며, 상기 제2 웨이퍼 반사경(510b)은 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3)을 제1 방향(D1)으로 반사시킨다. 상기 제1 방향(D1)은 수평방향일 수 있다.When the direction perpendicular to the side of the wafer edge and the side of the wafer away from each other is defined as the first direction D1, the
웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)은 별도의 반사과정이 없어도 제1 방향(D1)으로 출사되어 영상이 관찰될 수 있다.The side image l2 of the edge of the wafer may be emitted in the first direction D1 even without a separate reflection process to observe the image.
상기 제1 웨이퍼 반사경(510a)과 제2 웨이퍼 반사경(510b)은 어느 하나만 구비되어도 되고, 모두 구비될 수도 있다.Only one of the
상기 제1 웨이퍼 반사경(510a)과 제2 웨이퍼 반사경(510b)이 모두 구비되는 경우, 상기 카메라(100)에 의하여 촬영되는 영상은 웨이퍼 테두리의 상면 및 하면의 영상(l1 및 l3)이 모두 포함되며, 제1 웨이퍼 반사경(510a)과 제2 웨이퍼 반사경(510b) 중 어느 하나만 구비되는 경우에는 상기 카메라(100)에 의하여 촬영되는 영상은 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상(l1 또는 l3)이다.When both the
웨이퍼 테두리의 상면 영상 및 웨이퍼 테두리의 하면 영상은 각각 제1 웨이퍼 반사경(510a)과 제2 웨이퍼 반사경(510b)에 의하여 반사되어 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)이 관찰되는 방향인 제1 방향(D1)으로 반사될 수 있다.The top image of the wafer rim and the bottom image of the wafer rim are respectively reflected by the
도 1에 도시된 실시예에서, 지면과 수직하게 이송되는 웨이퍼(w)는 검사부(500)를 통해 촬영된다.In the embodiment shown in FIG. 1, the wafer w transferred perpendicular to the ground is photographed through the
도 1에 도시된 실시예에서, 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치(1000)는 웨이퍼 테두리의 상면과 하면의 영상을 반사시키는 제1 웨이퍼 반사경(510a) 및 제2 웨이퍼 반사경(510b)을 구비할 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 1, the
상기 검사부(500)는 검사부(500) 하우징을 구비할 수 있으며, 상기 검사부(500) 하우징은 웨이퍼의 테두리가 이송되는 과정에서 촬영되기 위하여 웨이퍼의 테두리가 삽입되는 삽입홈(550)이 구비되고, 상기 제1 웨이퍼 반사경(510a)과 제2 웨이퍼 반사경(510b)은 상기 삽입홈(550)을 사이에 두고 수직방향으로 대칭된 위치에 서로 반대방향 경사를 갖으며 장착될 수 있다.The
그리고, 상기 제1 웨이퍼 반사경(510a)과 제2 웨이퍼 반사경(510b)은 상기 웨이퍼의 테두리의 상면과 하면에 대하여 대략 45도 정도 기울어지도록 대칭된 각도로 장착될 수 있다.The
상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1) 및 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3)을 포함하는 빛은 45도로 기울어진 상기 제1 웨이퍼 반사경(510a)과 제2 웨이퍼 반사경(510b)에 의하여 반사되어 상기 웨이퍼 테두리의 측면과 수직한 방향으로 반사될 수 있다.The light including the top image l1 of the wafer rim and the bottom image l3 of the wafer rim is reflected by the
따라서, 상기 제1 웨이퍼 반사경(510a)과 제2 웨이퍼 반사경(510b)을 통해, 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1), 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3) 및 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)은 웨이퍼 테두리의 측면과 수직한 제1 방향(D1)으로 반사될 수 있다.Therefore, through the
즉, 서로 다른 방향에서 관찰되어야 하는 상기 웨이퍼 테두리의 상면, 상기 웨이퍼 테두리의 하면 및 웨이퍼 테두리의 측면은 한 방향, 즉 웨이퍼 테두리의 측면과 수직한 제1 방향(D1)에서 관찰될 수 있고, 하나의 카메라(100)에 의하여 촬영될 수 있다.That is, the upper surface of the wafer rim, the lower surface of the wafer rim, and the side surface of the wafer rim to be observed in different directions may be observed in one direction, that is, in the first direction D1 perpendicular to the side of the wafer rim, Can be taken by the
따라서, 서로 다른 방향에서 관찰되어야 하는 상기 웨이퍼 테두리의 상면 및 상기 웨이퍼 테두리의 하면은 제1 웨이퍼 반사경(510a)과 제2 웨이퍼 반사경(510b)을 통해 웨이퍼 테두리의 측면과 동일한 방향에서 관찰될 수 있다.Therefore, the upper surface of the wafer rim and the lower surface of the wafer rim to be observed in different directions may be observed in the same direction as the side of the wafer rim through the
따라서, 크랙 등의 유무를 판단하기 위하여 상기 웨이퍼 테두리의 상면, 상기 웨이퍼 테두리의 하면 및 웨이퍼 테두리의 측면을 촬영하는 상기 카메라(100)는 상기 제1 방향(D1)에서 입사되는 빛을 촬영할 수 있도록 설치될 수 있다.Therefore, in order to determine the presence of cracks, the
그러나, 제1 방향(D1)으로 입사되는 빛을 제1 방향(D1)과 다른 제2 방향(D2)으로 반사시키는 반사부(400)를 더 포함할 수 있다.However, the method may further include a
도 1에 도시된 실시예에서, 상기 반사부(400)는 그 내부에 제1 방향(D1)으로 입사되는 빛을 제1 방향(D1)과 다른 제2 방향(D2)으로 반사시키는 반사부재(410)가 구비된다. 상기 반사부재(410)는 반사용 미러일 수 있다.In the exemplary embodiment shown in FIG. 1, the
상기 반사부재(410)는 상기 제1 방향(D1)에서 입사되는 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1), 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3) 및 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)을 동일한 반사각을 갖도록 반사시켜 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1), 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3) 및 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)이 제1 방향(D1)과 다른 제2 방향(D2)으로 반사되도록 한다.The
상기 제2 방향(D2)은 제1 방향(D1)과 수직한 방향일 수 있으며, 제1 방향(D1)은 도 1에 도시된 바와 같이 수직방향일 수 있다.The second direction D2 may be a direction perpendicular to the first direction D1, and the first direction D1 may be a vertical direction as illustrated in FIG. 1.
상기 반사부(400)에 구비된 반사부재(410)는 검사부(500)의 반사경과 마찬가지로 45도 경사를 갖으며, 장착될 수 있다.The reflecting
상기 반사부재(410)에 의하여 상기 카메라(100)의 촬영각도를 필요에 따라 변경시킬 수 있다.The photographing angle of the
도 1에 도시된 실시예에서, 상기 카메라(100)는 촬영각도가 제2 방향(D2)이 되도록 카메라(100) 장착부에 장착되어 제2 방향(D2)인 수직방향으로 입사되는 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1), 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3) 및 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)을 촬영할 수 있다.In the embodiment shown in Figure 1, the
상기 반사부(400)와 상기 카메라(100) 장착부는 동일한 지지부(300)에 고정될 수 있다.The
상기 카메라(100) 장착부는 상기 반사부(400)와의 거리, 즉 제2 방향(D2)으로 반사부(400)와의 거리를 조절할 수 있도록 상기 지지부(300)에 승강가능하게 장착될 수도 있다.The mounting part of the
본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치(1000)는 상기 반사부(400)를 구비하여, 카메라(100)의 촬영각도를 변경할 수 있으므로, 웨이퍼 검사장치(1000)가 차지하는 수평방향(또는 제1 방향(D1)) 면적을 줄일 수 있다.Since the
도 1에 도시된 실시예에서, 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1), 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3) 및 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로를 검토하면 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1) 및 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3)의 광경로가 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로보다 길다는 것을 알 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 1, when the optical paths of the top image image l1 of the wafer rim, the bottom image l3 of the wafer rim, and the side image l2 of the wafer rim are examined, the top image of the wafer rim ( It can be seen that the optical path of l1) and the lower surface image l3 of the wafer edge is longer than the optical path of the side image l2 of the wafer edge.
즉, 이송되는 웨이퍼(w)가 수평상태를 유지하고, 상기 반사부(400)의 반사부재(410) 및 상기 검사부(500)의 웨이퍼 반사경(510)이 모두 45도 각도로 기울어져 설치되어, 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)이 서로 수직하고, 상기 카메라(100)의 촬영방향이 제2 방향(D2)과 일치한다면, 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1) 및 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3)의 광경로는 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로보다 x+y만큼 더 길다는 것을 도 1에 도시된 확대도로부터 확인할 수 있다.That is, the wafer w to be transported is maintained in a horizontal state, and both the
즉, 평행하게 반사되는 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1), 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3) 및 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)은 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면에서 각각의 웨이퍼 반사경(510)까지의 거리(x)와 각각의 웨이퍼 반사경(510)에서 웨이퍼 측면까지의 거리(y)의 합만큼의 광경로의 차이를 갖게 된다.That is, the upper surface image l1 of the wafer rim, the lower surface image l3 of the wafer rim, and the side image l2 of the wafer rim, which are reflected in parallel, from the upper or lower surface of the wafer rim to the
따라서, 상기 반사부재(410), 웨이퍼 반사경(510)의 설치각도에 오차가 없더라도 상기 카메라(100)에 입사되는 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1), 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3) 및 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)은 광경로의 길이 차이를 갖게 된다.Therefore, even if there is no error in the installation angles of the
따라서, 상기 카메라(100)에 의하여 촬영되는 영상(l1, l2, l3)은 초점거리가 일치해야 선명한 영상을 얻을 수 있다.Therefore, the images (11, l2, l3) taken by the
초점거리란 카메라의 렌즈의 중심, 즉 주점과 초점과의 거리이며, 동일한 렌즈를 통해 입사되는 영상이 웨이퍼 테두리의 상면, 하면 및 측면의 영상을 포함하므로, 각각의 영상의 초점거리는 일치해야 3가지 영상이 선명하게 촬영될 수 있다. 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치에서 카메라(100)의 초점거리는 결국 웨이퍼 테두리의 각각의 영상(l1, l2, l3)의 광경로의 길이와 각각 일치해야 카메라에 의하여 촬영되는 웨이퍼 테두리의 각각의 영상(l1, l2, l3)의 초점이 모두 맞게 되어 선명한 영상을 얻을 수 있다.The focal length is the center of the lens of the camera, that is, the distance between the main point and the focal point. Since the image incident through the same lens includes the image of the top, bottom, and side of the wafer edge, the focal length of each image must be identical. Images can be taken clearly. In the wafer inspection apparatus according to the present invention, the focal length of the
즉, 상기 카메라(100)의 초점을 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1) 또는 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l2)을 기준으로 하면, 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)은 초점이 맞지 않게 되며, 반대로 상기 카메라(100)의 초점을 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)에 맞추면 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1) 또는 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l2)은 초점이 맞지 않게 될 수 있다.That is, when the focus of the
따라서, 하나의 카메라(100)로 3개의 분할된 영상이 촬영되는 경우, 광경로의 차이가 있다면, 초점이 모든 영상에 대하여 동시에 초점을 맞출 수 없다.Therefore, when three divided images are photographed by one
따라서, 후술하는 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치(1000)는 전술한 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1), 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3) 및 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로차를 보상하기 위한 광경로 보상장치(600)를 구비할 수 있다.Therefore, the
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템(2000)의 다른 실시예를 도시한다. 도 1을 참조한 설명과 중복된 설명은 생략한다.2 illustrates another embodiment of a
도 2에 도시된 실시예에서, 검사대상 웨이퍼가 통과하는 검사부(500) 내부에 광경로 보상장치(600)가 구비된다. 상기 광경로 보상장치(600)는 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1) 및 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3)은 제외하고 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로를 보상한다.In the embodiment shown in Figure 2, the optical
전술한 바와 같이, 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1) 및 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3)은 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)보다 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면에서 각각의 웨이퍼 반사경(510)까지의 거리(x)와 각각의 웨이퍼 반사경(510)에서 웨이퍼 측면까지의 거리(y)의 합만큼 더 긴 광경로를 갖으므로, 상기 광경로 보상장치(600)는 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로를 인위적으로 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면에서 각각의 웨이퍼 반사경(510)까지의 거리(x)와 각각의 웨이퍼 반사경(510)에서 웨이퍼 측면까지의 거리(y)의 합만큼의 광경로를 증가시키는 역할을 수행한다.As described above, the top image l1 of the wafer rim and the bottom image l3 of the wafer rim are from the top or bottom surface of the wafer rim to each
즉, 광경로가 짧은 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로를 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상또는 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상의 광경로의 길이로 증가시켜 광경로의 길이를 보상하게 된다.That is, the length of the optical path is compensated by increasing the optical path of the side image l2 of the wafer edge having a short optical path to the length of the optical path of the top image of the wafer edge or the bottom image of the wafer edge.
상기 광경로 보상장치(600)는 복수 개의 반사미러를 조합하여 구성할 수 있으며, 광경로 보상장치(600)에 관한 설명은 아래의 도 3을 참조하여 설명한다.The optical path compensator 600 may be configured by combining a plurality of reflective mirrors, and the optical path compensator 600 will be described with reference to FIG. 3 below.
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 검사 시스템(2000)의 평면도를 도시한다.FIG. 3 shows a top view of the
또한, 설명의 편의를 위하여, 카메라(100) 및 카메라(100) 장착부가 제거된 상태를 가정하여 설명한다. 또한, 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1) 및 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3)은 광경로의 보상이 발생되지 않으므로, 도시를 생략하였다.In addition, for convenience of description, it will be described on the assumption that the
도 3에 도시된 실시예에서, 검사대상 웨이퍼는 태양광 웨이퍼일 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 3, the inspection target wafer may be a solar wafer.
일반적으로 태양광 웨이퍼는 전체적으로 사각형 형태를 갖지만, 낭비되는 영역을 최소화하기 위하여 모서리가 라운딩 처리된 준사각형(pseudo-square) 형태를 갖을 수 있다.In general, the solar wafer generally has a rectangular shape, but may have a pseudo-square shape with rounded corners to minimize wasted areas.
따라서, 웨이퍼(w)의 테두리에 크랙이 존재하는지를 검사하기 위해서는 전체적으로 사각형의 4개의 테두리 영역에 각각 크랙 등의 유무를 검사해야 한다.Therefore, in order to check whether cracks exist at the edge of the wafer w, it is necessary to inspect the presence or absence of cracks, etc., on the four edge regions of the quadrangle as a whole.
따라서, 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템(2000)은 준사각형 형태를 갖는 웨이퍼의 평행하는 2개의 긴 테두리를 2개의 웨이퍼 검사장치(1000x, 1000y)로 검사하고, 웨이퍼를 90도 회전시켜 검사되지 않은 한쌍의 평행한 긴 테두리를 검사하여, 전체 웨이퍼의 테두리 영역의 크랙 등의 유무를 검사할 수 있다.Therefore, the
상기 구동장치(700)는 웨이퍼를 일정한 방향으로 이송시키는 컨베이어 벨트(720)와 구동축(710)으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 구동장치는 로봇 암(robot arm)으로 구성될 수도 있다. 상기 로봇 암은 웨이퍼를 공급 또는 반출하거나, 웨이퍼의 검사방향을 변경하기 위하여 웨이퍼를 미리 결정된 각도로 회전시키는 역할을 수행할 수 있다.The
따라서, 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템(2000)은 총 4개의 웨이퍼 검사장치(1000)를 적용하여, 웨이퍼(w)가 일방향으로만 진행하며, 크랙 등의 결함의 유무를 검사받도록 할 수 있다.Accordingly, the
상기 광경로 보상장치(600)는 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로를 보상하기 위하여 복수 개의 반사미러를 사용한다.The optical path compensator 600 uses a plurality of reflection mirrors to compensate the optical path of the side image l2 of the wafer edge.
상기 광경로 보상장치(600)의 원리는 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로를 적어도 2회 이상 반사시키는 방법을 사용한다. 다만, 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로 중 광경로 보상장치(600)에 입사되는 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로와 상기 광경로 보상장치(600)에서 출사되는 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로는 일치하거나 서로 평행하도록 광경로 보상장치(600)의 반사경을 구성해야 한다.The principle of the optical path compensator 600 uses a method of reflecting the optical path of the side image l2 of the wafer edge at least twice. However, the light path of the side image l2 of the wafer edge incident to the optical path compensator 600 among the light paths of the side image l2 of the wafer edge and the light path emitted from the
상기 광경로 보상장치(600)의 자세한 설명은 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다.A detailed description of the optical
도 4는 도 3에 도시된 웨이퍼 검사 시스템(2000)의 요부의 확대도를 도시한다.4 shows an enlarged view of the main part of the
본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치의 광경로 보상장치는 상기 웨이퍼 테두리 측면 영상을 상기 제1 방향과 수직한 제3 방향(D3), 제1 방향(D1), 제3 방향(D3)의 역방향 및 제1 방향(D1)으로 순차적으로 반사시키는 4개의 반사면을 구비할 수 있다.The optical path compensation device of the wafer inspection apparatus according to the present invention includes the wafer edge side image in the third direction D3, the first direction D1, and the third direction D3 perpendicular to the first direction. Four reflective surfaces that sequentially reflect in one direction D1 may be provided.
도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1) 및 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l3)은 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)보다 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면에서 각각의 웨이퍼 반사경(510a, 510b)까지의 거리(x)와 각각의 웨이퍼 반사경(510)에서 웨이퍼 측면까지의 거리(y)의 합만큼 더 긴 광경로를 갖는다.As described with reference to FIG. 2, the upper surface image l1 of the wafer rim and the lower surface image l3 of the wafer rim are each wafer reflectors on the upper or lower surface of the wafer rim than the side image l2 of the wafer rim. Has a longer optical path by the sum of the distance x to 510a and 510b and the distance y to the side of the wafer at each
따라서, 상기 카메라(100)의 초첨거리는 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면 영상(l1 또는 l2)의 광경로의 길이로 설정될 수 있으므로, 상기 광경로 보상장치(600)는 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로의 길이를 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면 영상(l1 또는 l2)의 광경로의 길이로 증가시킨다.Therefore, since the focal length of the
상기 광경로 보상장치(600)는 빛의 직진성 및 반사성을 사용하여, 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로를 인위적으로 증가시킨다.The optical path compensator 600 artificially increases the optical path of the side image l2 of the edge of the wafer by using the linearity and reflectivity of the light.
상기 광경로 보상장치(600)는 복수 개의 반사경을 구비할 수 있다. 도 4에 도시된 실시예에서, 상기 광경로 보상장치(600)는 제1 내지 제3 반사미러(610, 620, 630)을 구비한다.The optical path compensator 600 may include a plurality of reflectors. In the embodiment shown in FIG. 4, the optical path compensator 600 includes first to third
각각의 반사미러는 적어도 1개의 반사면을 갖을 수 있다. 도 4에 도시된 실시에서, 각각의 반사경은 반사미러의 몸체를 구성하는 바디부(611, 621, 631)의 일측면에 반사면(612, 622, 632a, 632b)이 구비된 형태를 갖을 수 있다.Each reflecting mirror may have at least one reflecting surface. In the embodiment illustrated in FIG. 4, each reflector may have a shape in which reflecting
각각의 반사경의 바디부(611, 621, 631)는 동일한 단면 형상을 갖을 수 있다.The
도 4에 도시된 실시예에서, 상기 바디부(611, 621, 631)의 단면 형상은 직각 이등변 삼각형일 수 있다. 또한, 특정 반사미러는 반사면이 2개 구비될 수 있다. 상기 반사면 중 2개의 반사면은 하나의 반사미러의 바디부의 수직한 외측면에 구비될 수 있다.In the embodiment shown in Figure 4, the cross-sectional shape of the body portion (611, 621, 631) may be a right angle isosceles triangle. In addition, the specific reflective mirror may be provided with two reflective surfaces. Two reflective surfaces of the reflective surface may be provided on a vertical outer surface of the body portion of one reflective mirror.
상기 제3반사경(630)은 서로 다른 2개의 반사면(632a, 632b)을 갖으며, 그 중 하나의 반사면(632a)은 제1 반사경(610)의 반사면(612)과 평행하며, 다른 하나의 반사면은 제2 반사경의 반사면과 평행하게 배치될 수 있다. 그리고, 상기 반사미러의 반사면은 각각 상기 제1 방향(D1)에 대하여 45도 기울어질 수 있다.The third reflecting
도 4에 도시된 제1 내지 제3 반사미러(610, 620, 630)의 반사면(612, 622, 632a, 632b)은 광경로 보상장치(600)로 입사되는 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)에 대하여 45도 정도 기울어지도록 배치되어, 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)을 4회 반사시켜 도 1에 도시된 실시예의 광경로에 비해, b+d 거리 만큼을 증가시킬 수 있다.Reflecting
a+c+e에 해당되는 광경로의 길이는 광경로 보상장치(600)가 없는 경우의 광경로의 길이와 동일하기 때문이다.This is because the length of the optical path corresponding to a + c + e is the same as the length of the optical path when the optical path compensator 600 is not present.
따라서, 광경로 보상장치(600)가 없는 경우의, 웨이퍼 테두리의 상면 영상 또는 웨이퍼 테두리의 하면 영상의 광경로와 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로의 길이차(x+y)와 보상거리(b+d)를 동일하게 하여, 웨이퍼 테두리의 상면 영상(l1) 또는 웨이퍼 테두리의 하면 영상(l2)의 광경로와 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로의 길이를 일치시켜, 상기 카메라(100)의 초점거리와 광경로의 길이를 일치시킬 수 있다.Therefore, in the absence of the optical path compensator 600, the difference between the optical path of the top image of the wafer edge or the bottom image of the wafer edge and the optical path of the optical path of the side image l2 of the wafer edge and compensation is compensated. By making the distance b + d the same, the optical path of the upper surface image l1 of the wafer rim or the lower surface image l2 of the wafer rim coincides with the length of the optical path of the side image l2 of the wafer rim. The focal length of the
상기 반사미러의 반사면의 각도 또는 위치를 적절히 조절하는 경우, 상기 보상거리(b+d)는 2b(또는 2d)일 수 있다.When the angle or position of the reflective surface of the reflective mirror is properly adjusted, the compensation distance b + d may be 2b (or 2d).
그리고, 4개의 반사면에 의하여 반사되는 웨이퍼 테두리의 측면 영상의 광경로는 검사 대상 웨이퍼와 동일평면 또는 평행한 평면 상에 존재할 수 있다.In addition, the optical path of the side image of the edge of the wafer reflected by the four reflective surfaces may be present on the same plane or parallel to the inspection target wafer.
도 4에 도시된 실시예에서, 상기 광경로 보상장치(600)는 총 3개의 반사경이 구비되는 경우를 도시하였으나, 웨이퍼 테두리에 존재하는 크랙 등의 하자를 검사하기 위하여, 웨이퍼 테두리의 상면, 웨이퍼 테두리의 하면 및 웨이퍼 테두리의 측면의 관찰지점이 동일 평면 상에 위치되어야 하는 것은 아니다.In the embodiment shown in FIG. 4, the optical path compensator 600 is provided with a total of three reflecting mirrors. However, in order to inspect defects such as cracks present on the wafer edge, the top surface of the wafer edge and the wafer are provided. Observation points on the bottom of the rim and on the side of the wafer rim need not be located on the same plane.
즉, 도 2 내지 도 4에 도시된 실시예에서, 웨이퍼 테두리의 상면, 웨이퍼 테두리의 하면 및 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로는 모두 웨이퍼(w) 및 웨이퍼의 이송방향인 제3 방향(D3)과 수직한 가상의 평면상에 존재하지만, 웨이퍼의 크랙 등의 유무를 판단하기 위해서는 웨이퍼 테두리의 상면, 웨이퍼 테두리의 하면 및 웨이퍼 테두리의 측면을 빠짐없이 검사하면 되는 것이므로, 각각의 영상의 광경로가 동일 평면상에 존재하지 않을 수도 있다.That is, in the embodiments illustrated in FIGS. 2 to 4, the optical paths of the upper surface of the wafer rim, the lower surface of the wafer rim, and the side image l2 of the wafer rim are all in the third direction, which is the wafer w and the transfer direction of the wafer. Although it exists on the virtual plane perpendicular to (D3), in order to determine whether there is a crack or the like of the wafer, the upper surface of the wafer rim, the lower surface of the wafer rim, and the side of the wafer rim need to be thoroughly inspected. The light path may not be on the same plane.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템(2000)의 다른 실시예의 요부의 확대도를 도시한다.5 shows an enlarged view of the main parts of another embodiment of a
도 5에 도시된 광경로 보상장치(600)는 전술한 실시예들과 달리 광경로 보상장치(600)를 구성하는 반사미러가 2개인 경우를 도시한다.The optical path compensator 600 illustrated in FIG. 5 illustrates a case in which two reflective mirrors constituting the optical path compensator 600 are different from the above-described embodiments.
도 5에 도시된 실시예에서, 상기 광경로 보상장치(600)는 반사면(612' ,622')이 평행하도록 2개의 반사미러(610, 620)가 구비된다.In the embodiment shown in FIG. 5, the optical path compensator 600 includes two
도 5에 도시된 광경로 보상장치(600)를 구성하는 상부 반사미러(610')의 반사면(612')은 광경로 보상장치(600)로 입사되는 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로에 대하여 45도 정도 기울어지도록 배치되어, 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)을 하방으로 반사시키고, 상기 상부 반사미러(610')와 이격된 위치에 구비된 하부 반사미러(630')는 상기 상부 반사미러(610')에 의하여 반사된 영상을 광경로 보상장치(600)로 입사되는 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로와 평행하게 다시 반사시킨다.The
웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)을 2회 반사시켜 도 1에 도시된 실시예의 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로에 비해, b' 거리 만큼 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로를 증가시킬 수 있다.By reflecting the side image l2 of the wafer rim twice, the optical path of the side image l2 of the wafer rim is b'd by the distance b ', compared to the optical path of the side image l2 of the wafer rim of the embodiment shown in FIG. Can be increased.
a+c+e에 해당되는 광경로의 길이는 광경로 보상장치(600)가 없는 경우의 광경로의 길이에 해당되기 때문이다.This is because the length of the optical path corresponding to a + c + e corresponds to the length of the optical path when the optical path compensator 600 is not present.
도 5에 도시된 실시예에서 광경로 보상장치(600)는 반사미러의 개수가 줄어들었지만, 도 2 내지 도 3에 도시된 광경로 보상장치(600)와 마찬가지로 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)의 광경로의 길이를 증가시켜, 카메라(100)의 초점을 확보하여 웨이퍼의 정밀한 검사를 가능하게 한다.In the embodiment shown in FIG. 5, the optical path compensator 600 reduces the number of reflection mirrors, but similarly to the optical path compensator 600 shown in FIGS. By increasing the length of the optical path, the focus of the
다만, 도 4에 도시된 실시예와 달리, 도 5에 도시된 실시예의 광경로 보상장치(600)는 광경로 보상장치(600)를 구성하는 반사미러의 개수를 줄이므로, 광경로 보상장치(600)를 통과하는 동안 반사미러에 의한 영상의 반사 횟수를 줄을 수 있으므로, 광경로의 오차 발생가능성을 줄일 수 있고, 광경로 보상장치(600)의 구성을 단순화할 수 있다는 장점을 갖는다.However, unlike the embodiment illustrated in FIG. 4, since the optical path compensator 600 of the embodiment illustrated in FIG. 5 reduces the number of reflection mirrors constituting the optical path compensator 600, the optical path compensator ( Since the number of reflections of the image by the reflection mirror may be reduced while passing through 600, the possibility of error in the optical path may be reduced, and the configuration of the optical
전술한 바와 같이, 상기 광경로 보상장치(600)로 입사되는 웨이퍼 테두리의 상면, 하면 및 측면 영상(l1, l2, l3)의 광경로가 웨이퍼 및 웨이퍼의 이송방향과 수직한 가상의 동일한 평면 상에 존재할 필요는 없으므로, 광경로 보상장치(600)를 구성하는 반사경의 개수를 줄일 있다.As described above, the optical paths of the top, bottom, and side images (l1, l2, l3) of the wafer edge incident to the optical path compensator 600 are on the same virtual plane where the optical paths are perpendicular to the wafer and the transfer direction of the wafer. Since it does not need to exist in, the number of reflectors constituting the optical
본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치(1000)의 제어부는 상기 광경로 보상장치(600)로 입사되는 웨이퍼 테두리의 상면, 하면 및 측면 영상의 광경로가 웨이퍼 및 웨이퍼의 이송방향과 수직한 가상의 동일한 평면 상에 존재하지 않는 경우, 이송되는 웨이퍼의 크랙 유무를 판단하는 경우, 웨이퍼 테두리의 측면 영상(l2)과 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면 영상(l1, l3)의 광경로의 거리차(b')를 감안하여, 발견된 크랙의 위치에 반영할 수 있다.The control unit of the
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템(2000)의 다른 실시예를 도시하며, 도 7은 도 6에 도시된 웨이퍼 검사 시스템(2000)의 평면도를 도시한다.6 shows another embodiment of a
도 1 내지 도 5를 참조한 설명과 중복된 설명은 생략한다.Descriptions duplicated with those described with reference to FIGS. 1 through 5 will be omitted.
전술한 실시예들은 웨이퍼 검사장치(1000)에서 검사되는 준사각형 웨이퍼를 특정한 방향으로 이송시키기 위하여 웨이퍼를 일정한 방향으로 이송시키는 컨베이어 벨트와 이를 구동하는 구동축으로 구성될 수 있다.The above-described embodiments may be composed of a conveyor belt and a driving shaft for driving the wafer in a predetermined direction to transfer the quasi-square wafer to be inspected in the
그러나, 원형의 반도체 웨이퍼 등을 검사하기 위해서는 새로운 구동장치(700)를 필요로 한다.However, in order to inspect circular semiconductor wafers and the like, a
원형 웨이퍼(w')의 테두리에 존재하는 크랙 등을 발견하기 위하여, 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템(2000)은 웨이퍼 안착부(730) 및 회전축(740)을 구비하는 구동장치(700)를 포함할 수 있다. 상기 회전축(740)은 웨이퍼 안착부(730)를 회전시킬 수 있다.In order to detect cracks or the like existing on the edge of the circular wafer w ', the
도 6에 도시된 웨이퍼 검사 시스템(2000)은 원형 웨이퍼(w')를 회전시켜 웨이퍼 테두리에 존재하는 크랙 등의 유무를 판단할 수 있다. 원형 웨이퍼(w')를 한바퀴 회전시키는 방법으로 하나의 웨이퍼 전체 테두리의 크랙 등의 유무를 판단할 수 있다.The
도 1 내지 도 7에 도시된 실시예를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치를 구성하는 검사부(500)의 삽입홈(550)으로 테두리가 통과되는 웨이퍼는 상기 제1 방향과 수직한 제3 방향으로 이송되거나, 상기 삽입홈(550)에 테두리가 삽입된 상태로 회전될 수 있다.1 to 7, a wafer whose edge is passed through the
도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 검사 시스템(2000)의 다른 실시예의 평면도를 도시한다.8 shows a top view of another embodiment of a
도 1 내지 도 7을 참조한 설명과 중복된 설명은 생략한다. 도 8에 도시된 실시예도 도 7에 도시된 웨이퍼 검사 시스템(2000)과 마찬가지로, 원형 웨이퍼(w')를 회전시키는 구동장치(700)를 구비하지만, 카메라(100)를 구비하는 웨이퍼 검사장치(1000)의 개수가 2개란 점에서 차이가 있다.Descriptions duplicated with those described with reference to FIGS. 1 through 7 will be omitted. The embodiment shown in FIG. 8 also has a
웨이퍼 검사장치(1000)의 개수가 2개이며, 2개의 웨이퍼 검사장치(1000x, 1000y)가 검사대상 웨이퍼의 지름방향 단부에 배치되는 경우에는 하나의 원형 웨이퍼(w')의 테두리에 존재하는 크랙 등의 유무를 판단하기 위하여 상기 구동장치(700)는 웨이퍼를 1회전 시킬 필요가 없으므로, 웨이퍼 검사 속도가 향상될 수 있다.When the number of
웨이퍼 검사과정의 속도를 향상시키기 위해서는 웨이퍼의 회전속도를 증가시켜야 하지만 회전속도를 증가시키면, 웨이퍼(w')의 안착상태가 보장될 수 없으므로, 회전속도에는 한계가 있으므로, 원형 웨이퍼를 검사하는 경우, 웨이퍼 검사장치(1000)를 복수 개 구비하여 검사속도를 증가시킬 수 있다.In order to increase the speed of the wafer inspection process, the rotational speed of the wafer should be increased. However, if the rotational speed is increased, the seating state of the wafer w 'cannot be guaranteed. In addition, a plurality of
본 명세서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. . It is therefore to be understood that the modified embodiments are included in the technical scope of the present invention if they basically include elements of the claims of the present invention.
w : 웨이퍼 100 : 카메라
200 : 카메라 장착부 300 : 지지부
400 : 반사부 500 : 검사부
600 : 광경로 보상장치 700 : 구동장치w: wafer 100: camera
200: camera mounting portion 300: support portion
400: reflection unit 500: inspection unit
600: optical path compensation device 700: driving device
Claims (32)
상기 웨이퍼 반사경에서 반사된 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상 및 웨이퍼의 측면 영상을 함께 촬영하는 카메라;
상기 카메라에서 촬영된 영상을 통해 웨이퍼 테두리의 결함을 판단하는 제어부;를 포함하는 웨이퍼 검사장치.At least one wafer reflector for reflecting an image of the upper or lower surface of the wafer rim in a first direction perpendicular to the side of the wafer;
A camera for capturing an image of an upper surface or a lower surface of a wafer edge reflected from the wafer reflector and a side image of the wafer;
And a controller which determines a defect of a wafer edge based on the image photographed by the camera.
상기 웨이퍼 반사경에서 반사된 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상 및 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상을 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 반사시키는 반사부재를 더 포함하고, 상기 카메라는 상기 반사부재에 의해 반사된 영상을 촬영하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 1,
And a reflecting member for reflecting the image of the upper or lower surface of the wafer edge reflected from the wafer reflector and the side image of the wafer edge in a second direction different from the first direction, wherein the camera is reflected by the reflecting member. Wafer inspection apparatus, characterized in that for taking a photographed image.
상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 서로 수직한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 2,
And the first direction and the second direction are perpendicular to each other.
상기 제1 방향은 수평방향인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 2,
And the first direction is a horizontal direction.
상기 카메라는 웨이퍼 테두리의 측면, 상면 및 하면 영상을 함께 촬영하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 1,
The camera is a wafer inspection device, characterized in that to shoot the side, top and bottom images of the wafer edge.
상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상과 상기 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면 영상의 광경로의 길이 차이를 보상하는 광경로 보상장치가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 1,
And a light path compensation device for compensating for the difference in length of the light paths of the side image of the wafer edge and the top or bottom surface of the wafer edge.
상기 광경로 보상장치는 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상을 적어도 2회 이상 반사시키기 위하여, 적어도 2개 이상의 반사미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 6,
The optical path compensation device includes at least two reflecting mirrors for reflecting at least two side images of the edge of the wafer.
상기 반사미러는 몸체를 구성하는 바디부 및 바디부의 외측면에 구비된 반사면을 구비하며, 상기 반사미러 중 하나의 반사미러는 2개의 반사면을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 7, wherein
The reflecting mirror has a body portion constituting the body and a reflecting surface provided on the outer surface of the body portion, one of the reflecting mirror is a wafer inspection apparatus, characterized in that having two reflecting surfaces.
상기 반사미러의 바디부의 단면 형상은 직각 이등변 삼각형인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 8,
The cross-sectional shape of the body portion of the reflection mirror is a wafer inspection device, characterized in that the right isosceles triangle.
복수 개의 반사미러의 반사면은 서로 평행하거나 수직한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 7, wherein
Wafer inspection apparatus, characterized in that the reflecting surfaces of the plurality of reflecting mirrors are parallel or perpendicular to each other.
상기 반사미러의 반사면은 상기 제1 방향에 대하여 45도 기울어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 10,
The reflective surface of the reflective mirror is inclined 45 degrees with respect to the first direction.
상기 광경로 보상장치는 상기 웨이퍼 테두리 측면 영상을 상기 제1 방향과 수직한 제3 방향, 제1 방향, 제3 방향의 역방향 및 제1 방향으로 순차적으로 반사시키는 4개의 반사면을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 7, wherein
The optical path compensator includes four reflective surfaces that sequentially reflect the wafer edge side image in a third direction, a first direction, a reverse direction of the third direction, and a first direction perpendicular to the first direction. Wafer inspection apparatus.
상기 반사면 중 2개의 반사면은 하나의 반사미러의 바디부의 외측면에 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 12,
Two reflecting surfaces of the reflective surface is provided on the outer surface of the body portion of one reflective mirror.
하나의 반사미러의 바디부의 외측면에 구비되는 한 쌍의 반사면은 서로 수직한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 13,
Wafer inspection apparatus, characterized in that the pair of reflective surfaces provided on the outer surface of the body portion of one reflective mirror are perpendicular to each other.
4개의 반사면에 의하여 반사되는 웨이퍼 테두리의 측면 영상의 광경로는 검사 대상 웨이퍼와 동일평면 또는 평행한 평면 상에 존재하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 12,
The optical path of the side image of the edge of the wafer reflected by the four reflecting surfaces are present on the same plane or parallel to the wafer to be inspected.
수평방향으로 이송되는 검사대상 웨이퍼의 테두리가 통과하는 삽입홈이 구비되고, 상기 삽입홈 상부와 하부에 웨이퍼 반사경이 경사진 상태로 장착되는 검사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 1,
And an insertion groove provided with an insertion groove through which an edge of the inspection target wafer to be transferred in a horizontal direction passes, and the wafer reflection mirror being mounted to the insertion groove upper and lower portions in an inclined state.
상기 검사부의 삽입홈으로 테두리가 통과되는 웨이퍼는 상기 제1 방향과 수직한 제3 방향으로 이송되거나, 상기 삽입홈에 테두리가 삽입된 상태로 회전되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 1,
The wafer inspection apparatus, characterized in that the wafer is passed through the insertion groove of the inspection unit in the third direction perpendicular to the first direction, or rotated in the state that the edge is inserted into the insertion groove.
상기 검사부를 통과하는 웨이퍼의 테두리를 촬영하는 촬영부;
상기 촬영부에서 촬영된 영상을 통해 웨이퍼 테두리에 존재하는 결함의 유무를 판단하는 제어부;를 포함하는 웨이퍼 검사장치.An inspection unit through which the edge of the wafer passes in order to photograph the edge of the wafer to be transferred or rotated;
A photographing unit which photographs the edge of the wafer passing through the inspection unit;
And a controller configured to determine whether a defect exists in a wafer edge based on the image photographed by the photographing unit.
상기 검사부를 통과하는 웨이퍼는 수평방향으로 이송되거나 수평상태로 회전되며, 상기 촬영부는 수직방향으로 웨이퍼의 테두리를 촬영하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 18,
The wafer passing through the inspection unit is transferred in a horizontal direction or rotated in a horizontal state, the photographing unit wafer inspection apparatus, characterized in that to shoot the edge of the wafer in the vertical direction.
상기 검사부를 통과하는 웨이퍼 테두리의 영상을 상기 촬영부의 촬영방향으로 반사시키는 반사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.20. The method of claim 19,
Wafer inspection apparatus further comprises a reflecting unit for reflecting the image of the edge of the wafer passing through the inspection unit in the shooting direction of the photographing unit.
상기 촬영부에서 촬영되는 영상은 웨이퍼 테두리의 측면 영상을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 18,
The image photographed by the photographing unit includes a wafer inspection apparatus comprising a side image of a wafer edge.
상기 촬영부에 의하여 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상과 함께 웨이퍼 테두리의 상면 영상 또는 웨이퍼 테두리의 하면 영상이 촬영되도록 하기 위하여, 상기 검사부는 웨이퍼 테두리의 상면 영상 또는 웨이퍼 테두리의 하면 영상을 반사시키는 적어도 1개 이상의 반사경을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 21,
The inspection unit reflects the top image of the wafer edge or the bottom image of the wafer edge together with the side image of the wafer edge by the imaging unit. Wafer inspection apparatus comprising the above reflector.
상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상의 광경로의 길이를 상기 웨이퍼 테두리의 상면 영상의 광경로의 길이 또는 상기 웨이퍼 테두리의 하면 영상의 광경로의 길이에 대응되도록 상기 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상의 광경로의 길이를 증가시키기 위하여 상기 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상의 광경로를 변경시키는 복수 개의 반사미러가 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 22,
The length of the optical path of the side image of the wafer rim so that the length of the optical path of the side image of the wafer rim corresponds to the length of the optical path of the top image of the wafer rim or the length of the optical path of the bottom image of the wafer rim. Wafer inspection apparatus is provided with a plurality of reflecting mirrors for changing the optical path of the side image of the wafer edge to increase the.
상기 반사미러에 반사되기 전의 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상의 광경로는 상기 반사미러에 의하여 반사 후의 복수 개의 상기 반사미러에 반사된 후의 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상의 광경로와 일치하거나 평행한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치.The method of claim 22,
The optical path of the side image of the wafer edge before being reflected by the reflective mirror is characterized in that it is coincident with or parallel to the optical path of the side image of the wafer edge after being reflected by the reflection mirror by the plurality of reflection mirrors. Wafer inspection apparatus.
상기 웨이퍼 반사경에서 반사된 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상 및 웨이퍼의 측면 영상을 함께 촬영하는 카메라;
상기 카메라에서 촬영된 영상을 통해 웨이퍼 테두리의 결함을 판단하는 제어부; 및,
웨이퍼를 상기 제1 방향과 수직한 제3 방향으로 이송하거나, 회전시키는 구동장치를 포함하는 웨이퍼 검사 시스템.At least one wafer reflector for reflecting an image of the upper or lower surface of the wafer rim in a first direction perpendicular to and horizontal to the side of the wafer;
A camera for capturing an image of an upper surface or a lower surface of a wafer edge reflected from the wafer reflector and a side image of the wafer;
A controller for determining a defect of a wafer edge based on the image photographed by the camera; And,
And a driving device for transferring or rotating the wafer in a third direction perpendicular to the first direction.
상기 구동장치는 웨이퍼가 안착되는 한쌍의 컨베이어 벨트 및 상기 컨베이어 벨트를 구동하는 복수 개의 구동축을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 시스템.The method of claim 25,
The driving device includes a pair of conveyor belts on which the wafer is seated, and a plurality of drive shafts for driving the conveyor belts.
상기 구동장치는 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착부 및 상기 웨이퍼 안착부를 회전시키는 회전축을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 시스템.The method of claim 25,
The driving apparatus includes a wafer seating portion on which a wafer is seated and a rotation axis for rotating the wafer seating portion.
상기 웨이퍼 반사경에서 반사된 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상 및 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상을 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 반사시키는 반사부재를 더 포함하고, 상기 카메라는 상기 반사부재에 의해 반사된 영상을 촬영하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 시스템.The method of claim 25,
And a reflecting member for reflecting an image of the upper or lower surface of the wafer edge reflected from the wafer reflector and a side image of the wafer edge in a second direction perpendicular to the first direction, wherein the camera is provided by the reflecting member. Wafer inspection system, characterized in that for taking the reflected image.
상기 카메라는 웨이퍼 테두리의 측면, 상면 및 하면 영상을 함께 촬영하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 시스템.The method of claim 25,
The camera is a wafer inspection system, characterized in that to shoot the side, top and bottom images of the wafer edge together.
상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상과 상기 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면 영상의 광경로의 길이 차이를 보상하기 위하여, 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상을 적어도 2회 이상 반사시키는 적어도 2개 이상의 반사미러를 구비하는 광경로 보상장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 시스템.The method of claim 25,
In order to compensate for the difference in the optical path length between the side image of the wafer edge and the top or bottom image of the wafer edge, an optical path including at least two reflection mirrors reflecting the side image of the wafer edge at least twice A wafer inspection system, further comprising a compensation device.
상기 반사미러의 반사면은 상기 제1 방향에 대하여 45도 기울어진 상태로 구비되고, 복수 개의 반사미러의 반사면은 서로 평행하거나 수직한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 시스템.The method of claim 30,
The reflective surface of the reflective mirror is provided in a state inclined 45 degrees with respect to the first direction, the reflective surface of the plurality of reflective mirrors, characterized in that the parallel or perpendicular to each other.
상기 광경로 보상장치는 상기 웨이퍼 테두리 측면 영상을 상기 제1 방향과 수직한 제3 방향, 제1 방향, 제3 방향의 역방향 및 제1 방향으로 순차적으로 반사시키는 4개의 반사면을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 시스템.The method of claim 25,
The optical path compensator includes four reflective surfaces that sequentially reflect the wafer edge side image in a third direction, a first direction, a reverse direction of the third direction, and a first direction perpendicular to the first direction. Wafer inspection system.
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