KR20120011194A - Chemical vapor deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A chemical vapor deposition system is provided to arrange more substrates in the same space by spirally forming wing portions of a susceptor. CONSTITUTION: A reaction chamber(190) is separated from the outside to perform a thin film process. A gas injection device(120) is arranged on a top part of the reaction chamber and supplies a reaction gas to the inside of the reaction chamber. A heater(180) controls the temperature of the reaction chamber. A susceptor(150) rotates the substrate in the reaction chamber. A plurality of wing parts(160) is arranged along the circumference of the susceptor in a spiral shape.

Description

화학기상증착장비{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}Chemical Vapor Deposition Equipment {CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 화학기상증착장비에 사용되는 서셉터(Susceptor)에 관한 것이다.The present invention relates to a susceptor for use in chemical vapor deposition equipment.

일반적으로 반도체는 원자재인 기판에 확산, 사진, 식각, 박막공정을 여러 차례 반복하여 진행하면서 전기회로를 구성하는 과정을 거쳐 제조된다.In general, a semiconductor is manufactured through a process of constructing an electric circuit by repeatedly performing diffusion, photography, etching, and thin film processes on a substrate, which is a raw material.

상기한 반도체 제조공정 중 박막공정은, 기판에 원하는 막을 원하는 두께로 증착하는 공정을 말하고, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition), 이온주입, 금속증착 등의 방법이 있다. 화학기상증착의 하나인 유기금속 화학기상증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)은, 반응기에 주입된 가스의 열분해와 재반응을 이용하여 가열된 기판 상에 박막을 형성하는 방법으로서, 반응기 내로 Ⅲ족과 암모니아 가스를 주입하여 가스들의 열분해와 화학반응을 통하여 기판 위에 질화물박막을 성장시키는 방법이며, 성장층의 조성, 유지관리가 쉬우며, 가격이 저렴하고, 특성의 정밀제어가 가능하여 많이 사용되고 있다.The thin film process in the semiconductor manufacturing process refers to a process of depositing a desired film on a substrate to a desired thickness, and there are methods such as chemical vapor deposition, ion implantation, and metal deposition. Metal organic chemical vapor deposition, which is one of chemical vapor deposition, is a method of forming a thin film on a heated substrate by pyrolysis and re-reaction of gas injected into the reactor. It is a method of growing a nitride thin film on a substrate through thermal decomposition and chemical reaction of gases by injecting ammonia gas, and the composition of the growth layer is easy to maintain and maintain, the price is low, and precise control of the characteristics is widely used.

도 1은 종래 기술에 따른 화학기상증착 반응기를 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 서셉터를 도시한 도면이다. 1 is a cross-sectional view showing a chemical vapor deposition reactor according to the prior art, Figure 2 is a view showing the susceptor of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 외부와 격리되어 진공상태를 유지하는 반응실(10)과, 반응실(10)의 내부에 설치되며 기판(P)이 안착되는 서셉터(25)(susceptor)와, 서셉터(25)에 안착된 기판(P) 상에 박막을 형성하기 위하여 이종의 가스를 분사하는 가스 분사장치(30)로 이루어진다.1 and 2, a reaction chamber 10 isolated from the outside and maintaining a vacuum state, and a susceptor 25 installed inside the reaction chamber 10 and having a substrate P seated thereon. And a gas injector 30 for injecting heterogeneous gases to form a thin film on the substrate P seated on the susceptor 25.

도 2에 도시된 바와 같이, 기판(P)이 안착될 수 있도록 서셉터(25)에는 기판(P)과 대응되도록 서셉터(25) 상에 다수개의 원형 홈이 형성되어 있다.As shown in FIG. 2, the susceptor 25 has a plurality of circular grooves formed on the susceptor 25 so as to correspond to the substrate P so that the substrate P may be seated.

가스 분사장치(30)는 예컨대, 제1가스(G1)를 주입하는 제1가스 분사관(31), 제2가스(G2)를 주입하는 제2가스 분사관(32), 도면 기준 상측에서부터 수평의 분리벽(33,34,35)을 통해 서로 독립된 경로로 형성되는 제1가스유로(36), 제2가스유로(37) 및 냉각수 유로(38)를 포함하여 구성된다.The gas injector 30 is, for example, a first gas injector 31 for injecting the first gas G1, a second gas injector 32 for injecting the second gas G2, and horizontal from the upper side of the drawing reference. The first gas passage 36, the second gas passage 37, and the cooling water passage 38 are formed in separate paths through the partition walls 33, 34, and 35.

제1 및 제2가스(G1,G2)가 각각의 유로(36,37)를 따라 주입될 수 있도록 튜브 형태의 제1 및 제2가스 분사관(31,32)은 서로 다른 길이로 이루어지며, 가스 분리벽(33)은 제1 및 제2가스 분사관(31,32)의 입구측 사이에 설치되어 제1 및 제2가스유로(36,37)를 상하로 구획한다.The first and second gas injection pipes 31 and 32 in the form of tubes may have different lengths so that the first and second gases G1 and G2 may be injected along the respective flow paths 36 and 37. The gas separation wall 33 is provided between the inlet sides of the first and second gas injection pipes 31 and 32 to partition the first and second gas passages 36 and 37 up and down.

제1 및 제2가스 분사관(31,32)의 분사구측인 분사면(35a)과 서셉터(25)의 표면은 모두 평면으로 이루어지며, 전 영역에 걸쳐 동일한 간격을 유지한다.The surface of the injection surface 35a and the susceptor 25, which are the injection port side of the first and second gas injection pipes 31 and 32, are both flat and maintain the same spacing over the entire area.

냉각수 유로(38)는 제2가스유로(37)의 하부에 배치되어 각각의 가스분사관(31,32)이 관통된다.The cooling water flow path 38 is disposed below the second gas flow passage 37 so that the respective gas injection pipes 31 and 32 penetrate.

이와 같은 종래 기술에 의하면, 제1 및 제2가스(G1,G2)는 제1분리벽(33)에 의해 구획된 각각의 가스유로(36,37)를 따라 흐르다가 제1 및 제2가스 분사관(31,32)을 통해 서셉터(25)에 의해 회전하는 기판(P)에 분사되며, 이와 동시에, 기판(P)이 가열되어 가스(G1,G2)가 열분해 및 재반응됨에 따라 기판(P) 상에 박막을 형성한다. 한편, 냉각수유로(38)를 따라 흐르는 냉각수에 의해 가스 분사장치(30)의 온도가 조절된다. 도면에서는 도시하였지만, 설명하지 않은 20은 샤프트(shaft)이고, 서셉터(25)가 회전될 수 있도록 지지하는 역할을 한다.According to this prior art, the first and second gases G1 and G2 flow along the respective gas flow passages 36 and 37 partitioned by the first separation walls 33 and then the first and second gas fractions. It is sprayed onto the substrate P which is rotated by the susceptor 25 through the pipes 31 and 32, and at the same time, the substrate P is heated so that the gases G1 and G2 are pyrolyzed and re-reacted. A thin film is formed on P). On the other hand, the temperature of the gas injector 30 is adjusted by the cooling water flowing along the cooling water channel 38. Although shown in the figure, 20 which is not described is a shaft, and serves to support the susceptor 25 so that it can be rotated.

상술한 바와 같이, 화학기상증착은 제1 및 제2가스(G1,G2)가 각각 가열된 서셉터(25) 위에서 열분해되어 서로 기판(P) 위에서 재반응함으로써 기판(P) 위에 박막을 성장하는 것이기 때문에 가스의 속도, 농도, 온도가 밀접한 관계를 갖고 있다.As described above, chemical vapor deposition is a process in which the first and second gases G1 and G2 are thermally decomposed on the heated susceptor 25 and re-reacted on the substrate P to grow thin films on the substrate P. The velocity, concentration and temperature of the gas are closely related.

또한 박막 성장에 있어서 가스의 흐름은 층류흐름(Laminar flow)이며, 박막의 성장률은 반응가스의 속도가 빠를수록, 반응가스들의 농도(혼합비)가 클수록 박막성장이 빨라지게 된다.In addition, in the growth of the thin film, the gas flow is a laminar flow, and the growth rate of the thin film is faster as the reaction gas is faster and the concentration (mixing ratio) of the reactant gases is faster.

이러한 조건을 맞추기 위한 종래 기술에 따른 화학기상증착 반응기는 다음과 같은 문제점이 있다.Chemical vapor deposition reactor according to the prior art to meet these conditions has the following problems.

첫째, 제 1 및 제 2 가스(G1,G2)의 공급량을 반응기(10)에서의 펌핑(Pumping)만으로 조절하기 때문에 반응가스의 속도를 제어하는데 한계가 있다. 이로 인하여, 다양한 두께의 박막을 형성하는데 한계가 있다.First, since the supply amounts of the first and second gases G1 and G2 are adjusted only by pumping in the reactor 10, there is a limit in controlling the speed of the reaction gas. For this reason, there is a limit in forming thin films of various thicknesses.

둘째, 현재 계속적으로 증착장비가 대형화되어 감에 따라 서셉터(25) 상부에 균일한 반응가스 밀도를 유지하기 어려운 단점이 있다. 또한, 장비가 대형화되어 감에 따라 가스 분사장치(30)의 크기도 계속적으로 대형화되어야 하는 문제가 있다.Second, as the deposition equipment continues to increase in size, it is difficult to maintain a uniform reaction gas density on the susceptor 25. In addition, as the equipment becomes larger, there is a problem that the size of the gas injector 30 must be continuously increased.

셋째, 동시에 다수개의 기판(P)들에 박막을 형성하기 위해서는 서셉터(25)의 면적이 비례적으로 대형화되어야 하는 문제가 있다. 서셉터(25)가 대형화되면 회전에 의해 기판(P) 상에 균일한 두께의 박막을 형성하는데 어려움이 있다.
Third, in order to simultaneously form thin films on the plurality of substrates P, there is a problem that the area of the susceptor 25 needs to be proportionally enlarged. When the susceptor 25 is enlarged, it is difficult to form a thin film of uniform thickness on the substrate P by rotation.

본 발명은 증착장비에 배치되는 서셉터의 가장자리에 다수개의 날개부(Impeller)들을 임펠러(impeller) 형상으로 형성하여, 박막 증착을 위한 기판 상에서 균일한 반응가스가 유입될 수 있도록 한 화학기상증착장비를 제공함에 목적이 있다.The present invention forms a plurality of impeller (impeller) on the edge of the susceptor disposed in the deposition equipment in the shape of an impeller (impeller), chemical vapor deposition equipment that allows a uniform reaction gas flows on the substrate for thin film deposition The purpose is to provide.

또한, 본 발명은 증착장비에 배치되는 가스 분사장치의 구조를 서셉터에 형성된 날개부와 대응되도록 형성하여 가스 분사장치의 크기를 줄일 수 있는 화학기상증착장비를 제공함에 다른 목적이 있다.In addition, the present invention has another object to provide a chemical vapor deposition apparatus that can reduce the size of the gas injector by forming a structure of the gas injector disposed in the deposition equipment to correspond to the wing portion formed in the susceptor.

또한, 본 발명은 기판이 안착되는 서셉터의 날개부들을 나선형으로 형성함으로써, 동일한 공간에 더 많은 기판들을 배치할 수 있는 화학기상증착장비를 제공함에 또 다른 목적이 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a chemical vapor deposition apparatus capable of placing more substrates in the same space by spirally forming the wing portions of the susceptor on which the substrate is seated.

또한, 본 발명은 서셉터의 날개부들을 나선 방향으로 배치하여 공정 중 기판에 파티클 또는 미반응 가스가 침투되는 것을 방지할 수 있는 화학기상증착장비를 제공함에 또 다른 목적이 있다.
Another object of the present invention is to provide a chemical vapor deposition apparatus capable of preventing particles or unreacted gas from penetrating into a substrate during a process by arranging wings of a susceptor in a spiral direction.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 화학기상증착장비는, 박막 공정을 진행할 수 있도록 외부와 격리시키는 반응실; 상기 반응실의 상부에 배치되어 반응실 내에 반응가스를 공급하는 가스 분사장치; 상기 반응실의 온도를 조절하는 히터; 및 상기 반응실 내부에서 기판을 회전시키는 서셉터를 포함하고, 상기 서셉터의 둘레를 따라 나선 형태로 배치된 다수개의 날개부를 포함하고, 상기 날개부에는 기판이 안착된 것을 특징으로 한다.Chemical vapor deposition equipment of the present invention for solving the above problems, the reaction chamber to isolate from the outside to proceed with the thin film process; A gas injector disposed above the reaction chamber to supply a reaction gas into the reaction chamber; A heater for controlling the temperature of the reaction chamber; And a susceptor for rotating the substrate in the reaction chamber, and includes a plurality of wings disposed in a spiral form along the circumference of the susceptor, wherein the substrate is mounted on the wings.

여기서, 상기 날개부에는 기판이 수납된 기판수납기가 체결되어 상기 기판이 날개부에 안착되고, 상기 가스 분사장치는 상기 서셉터의 둘레를 따라 배치되어 있는 날개부에 대응되도록 도넛 구조로 형성되며, 상기 서셉터는 상기 가스 분사장치의 중앙 오픈 영역을 관통하여 상기 반응실 내부로 인출된 샤프트와 연결되어 있는 것을 특징으로 한다.
Here, the substrate containing the substrate is fastened to the wing portion is fastened to the substrate seated on the wing portion, the gas injector is formed in a donut structure to correspond to the wing portion disposed along the circumference of the susceptor, The susceptor is connected to a shaft drawn through the central open area of the gas injector into the reaction chamber.

본 발명은 증착장비에 배치되는 서셉터의 가장자리에 다수개의 날개부(Impeller)들을 임펠러(impeller) 형상으로 형성하여, 박막 증착을 위한 기판 상에서 균일한 반응가스가 유입될 수 있도록 한 효과가 있다.According to the present invention, a plurality of impellers are formed in an impeller shape at the edge of a susceptor disposed in a deposition apparatus, so that a uniform reaction gas may be introduced onto a substrate for thin film deposition.

또한, 본 발명은 증착장비에 배치되는 가스 분사장치의 구조를 서셉터에 형성된 날개부와 대응되도록 형성하여 가스 분사장치의 크기를 줄일 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of reducing the size of the gas injector by forming the structure of the gas injector disposed in the deposition equipment to correspond to the wing portion formed in the susceptor.

또한, 본 발명은 기판이 안착되는 서셉터의 날개부들을 나선형으로 형성함으로써, 동일한 공간에 더 많은 기판들을 배치할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of placing more substrates in the same space by spirally forming the wings of the susceptor on which the substrate is seated.

또한, 본 발명은 서셉터의 날개부들을 나선 방향으로 배치하여 공정 중 기판에 파티클 또는 미반응 가스가 침투되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
In addition, the present invention has the effect of preventing the particles or unreacted gas from penetrating the substrate during the process by placing the wings of the susceptor in a spiral direction.

도 1은 종래 기술에 따른 화학기상증착 반응기를 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 서셉터를 도시한 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 화학기상증착 장비의 구조를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 화학기상증착 장비의 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 화학기상증착 장비에 사용되는 서셉터의 구조를 도시한 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a chemical vapor deposition reactor according to the prior art.
FIG. 2 illustrates the susceptor of FIG. 1.
3A and 3B are cross-sectional views showing the structure of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
4 is an exploded perspective view of the chemical vapor deposition apparatus of the present invention.
5 is a view showing the structure of a susceptor used in the chemical vapor deposition apparatus of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 화학기상증착 장비의 구조를 도시한 단면도이다.3A and 3B are cross-sectional views showing the structure of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 화학기상증착장비(100)는 외부와 격리되어 진공 상태를 유지하는 반응실(190)과, 상기 반응실(190)의 상부를 덮고 박막 형성을 위해 동일 또는 이종의 가스를 분사하는 가스 분사장치(120)와, 상기 반응실(190) 내부의 중앙에 배치된 서셉터(150)와, 상기 서셉터(150) 하부에 배치되어 반응실(190)의 온도를 조절하는 히터(180)를 포함한다.3A and 3B, the chemical vapor deposition apparatus 100 of the present invention is isolated from the outside to maintain a vacuum state, the reaction chamber 190 and the top of the reaction chamber 190 to form a thin film A gas injector 120 for injecting the same or different gases, a susceptor 150 disposed in the center of the reaction chamber 190, and a reaction chamber 190 disposed under the susceptor 150. The heater 180 to adjust the temperature of the.

본 발명의 서셉터(150)는 샤프트(110)로부터 전달되는 회전동력에 의해 회전하고, 서셉터(150)의 둘레에는 다수개의 날개부(160)들이 나선 형태로 형성되어 있다. 상기 날개부(160)에는 기판이 안착 되는데, 기판은 기판수납기에 체결된 후, 기판수납기가 날개부(160)에 체결되는 방식으로 배치된다. 구체적인 설명은 도 4에서 설명한다.The susceptor 150 of the present invention is rotated by the rotational power transmitted from the shaft 110, the plurality of wings 160 are formed in the form of a spiral around the susceptor 150. The substrate is mounted on the wing 160, and the substrate is fastened to the board receiver, and then the board receiver is disposed in the wing 160. A detailed description will be given in FIG. 4.

상기 히터(180)는 기판 상에 박막을 형성할 때, 요구되는 반응실(190)의 온도를 조절하는 역할을 하는데, 히터(180)는 히터커버(170)에 의해 반응실(190) 내부와 차단되어 있다.The heater 180 serves to control the temperature of the reaction chamber 190 required when forming a thin film on the substrate, the heater 180 is the inside of the reaction chamber 190 by the heater cover 170 It is blocked.

본 발명에서는 종래 기술과 달리 박막을 형성하기 위한 기판들이 임펠러(impeller) 형태로 배치되어 있는 서셉터(150)의 날개부(160)들에 안착된다. 이와 같이, 서셉터(150)의 둘레를 따라 나선 형태로 날개부(160)들을 형성하면, 가스 분사장치(120)에서 분사되는 반응가스의 흐름을 용이하게 제어할 수 있다.In the present invention, unlike the prior art, the substrates for forming the thin film are seated on the wing portions 160 of the susceptor 150 arranged in the form of an impeller. As such, when the wing portions 160 are formed in a spiral form along the circumference of the susceptor 150, the flow of the reaction gas injected from the gas injector 120 may be easily controlled.

특히, 본 발명에서는 서셉터(150)의 둘레를 따라 날개부(160)들이 소정의 기울기를 가지면서 나선형으로 배치되어 있기 때문에 동일 면적 대비 더 많은 기판이 배치할 수 있다.In particular, in the present invention, since the wing portions 160 are disposed helically along a circumference of the susceptor 150, a plurality of substrates may be disposed in the same area.

또한, 본 발명의 가스 분사장치(120)는 서셉터(150)의 날개부(160)와 대응되도록 도넛 형태로 형성되기 때문에 가스 분사장치(120)의 크기(면적)를 최소화할 수 있다.In addition, since the gas injector 120 of the present invention is formed in a donut shape so as to correspond to the wing portion 160 of the susceptor 150, the size (area) of the gas injector 120 may be minimized.

아울러, 본 발명의 서셉터(150)에 형성된 날개부(160)들은 임펠러 형태로 회전하기 때문에 가스 분사장치(120)에서 분사되는 반응가스가 일정부분 겹치도록 배치된 날개부(160)들의 사이로 유입된다. 이로 인하여 기판 상부에만 반응가스들이 균일하게 유입되고, 기판의 전 영역에서 반응가스의 속도도 일정하다.In addition, since the wing parts 160 formed on the susceptor 150 of the present invention rotate in an impeller shape, the reaction gases injected from the gas injector 120 flow into the wing parts 160 disposed to overlap a part of the wing parts 160. do. As a result, the reaction gases are uniformly introduced only in the upper portion of the substrate, and the velocity of the reaction gases is constant throughout the entire region of the substrate.

또한, 상기 서셉터(150)의 날개부(160) 상부를 통과한 가스는 그대로 날개부(160) 배면 방향의 반응실(190) 하부로 빠져나가기 때문에 미반응된 가스(gas)나 파티클(particle)이 다른 날개부(160)에 안착된 기판에 침투하지 않는다.
In addition, since the gas passing through the upper portion of the wing portion 160 of the susceptor 150 exits to the lower portion of the reaction chamber 190 in the rear direction of the wing portion 160, unreacted gas or particles (particle). ) Does not penetrate the substrate seated on the other wing (160).

도 4는 본 발명의 화학기상증착 장비의 분해 사시도이고, 도 5는 본 발명의 화학기상증착 장비에 사용되는 서셉터의 구조를 도시한 도면이다.4 is an exploded perspective view of the chemical vapor deposition apparatus of the present invention, Figure 5 is a view showing the structure of the susceptor used in the chemical vapor deposition equipment of the present invention.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 화학기상증착 장비는 원통형 반응실(190) 하측에 히터(180)가 배치되어 있고, 상기 히터(180)는 원통형 덮개 모양의 히터커버(170)에 의해 반응실(190) 내부와 격리된다. 즉, 기판(200) 상에 박막을 형성할 때, 반응실(190) 내부에는 다양한 반응가스들이 존재하는데, 이러한 반응가스들이 히터(180)를 손상시키는 것을 방지하도록 히터커버(170)가 히터(180)를 덮는다.4 and 5, in the chemical vapor deposition apparatus of the present invention, a heater 180 is disposed below the cylindrical reaction chamber 190, and the heater 180 is disposed on the heater cover 170 having a cylindrical cover shape. It is isolated from the reaction chamber 190 by the. That is, when the thin film is formed on the substrate 200, various reaction gases exist in the reaction chamber 190, and the heater cover 170 is configured to prevent the reaction gases from damaging the heater 180. 180).

상기 히터커버(170) 상부에는 다수개의 날개부(160)를 구비한 서셉터(150)가 위치하는데, 상기 서셉터(150)는 샤프트(110)에 고정되어 있다. 상기 샤프트(110)는 반응실(190)의 덮개 역할을 하는 가스 분사장치(120)의 중앙 오픈 영역을 관통하여 상기 서셉터(150)를 고정한다. 상기 샤프트(110)의 일측에는 외부 동력기(미도시)와 연결되어 있다.The susceptor 150 having a plurality of wings 160 is positioned on the heater cover 170, and the susceptor 150 is fixed to the shaft 110. The shaft 110 penetrates through the central open area of the gas injector 120 serving as a cover of the reaction chamber 190 to fix the susceptor 150. One side of the shaft 110 is connected to an external motor (not shown).

즉, 상기 서셉터(150)는 샤프트(110)에 고정되어 상기 반응실(190) 천장으로부터 히터커버(170) 상부에 매달린 구조로 배치된다.That is, the susceptor 150 is fixed to the shaft 110 and is arranged in a structure suspended from the ceiling of the reaction chamber 190 on the heater cover 170.

또한, 상기 서셉터(150)의 둘레를 따라 형성된 날개부(160)들은 인접한 날개부(160)와 함께 소정의 기울기를 갖기 때문에 전체적으로 임펠러(impeller) 모양으로 배치된다. 도 3a를 참조하면, 서셉터(150)와 날개부(160)들의 단면도가 도시되어 있다. 여기에서는 날개부(160)들이 서셉터(150)의 측면을 따라 3개의 돌출부로 형태로 도시되어 있지만, 실질적으로는 나선 방향으로 날개부(160)들이 배치되어 있다. 이로 인하여 날개부(160)들은 인접한 날개부(160)들과 일정 영역 오버랩된다.In addition, since the wing portions 160 formed along the circumference of the susceptor 150 have a predetermined inclination with the adjacent wing portions 160, they are generally disposed in an impeller shape. Referring to FIG. 3A, a cross-sectional view of susceptor 150 and wing 160 is shown. Although the wing portions 160 are shown in the form of three protrusions along the side of the susceptor 150, the wing portions 160 are disposed in a substantially spiral direction. As a result, the wing portions 160 overlap with the adjacent wing portions 160 in a predetermined area.

따라서, 동일한 평면적을 기준으로 종래보다 약 2배의 기판(200)을 화학기상증착장비의 반응실(190)에 배치할 수 있다.Accordingly, about twice the substrate 200 as the conventional planar area may be disposed in the reaction chamber 190 of the chemical vapor deposition apparatus.

박막이 형성되는 기판(200)은 곧바로 서셉터(150)의 날개부(160)에 안착되지 않고, 기판(200)을 수납하는 기판수납기(201)에 체결된다. 이와 같이, 기판(200)이 기판수납기(201)에 체결되면, 기판수납기(201)는 서셉터(150)의 날개부(160)에 체결된다.The substrate 200 on which the thin film is formed is fastened to the substrate receiver 201 that accommodates the substrate 200 without being seated on the wing portion 160 of the susceptor 150. As such, when the substrate 200 is fastened to the substrate receiver 201, the substrate receiver 201 is fastened to the wing 160 of the susceptor 150.

본 발명에서는 기판(200)이 서셉터(150)의 날개부(160)에 용이하게 체결될 수 있도록 날개부(160)의 일측이 오픈된 홈을 형성하였다. 따라서, 기판수납기(201)에 기판(200)이 수납되면, 기판수납기(201)는 날개부(160)에 형성된 홈에 슬라이드 방식으로 체결된다.In the present invention, a groove in which one side of the wing portion 160 is opened is formed so that the substrate 200 can be easily fastened to the wing portion 160 of the susceptor 150. Therefore, when the substrate 200 is accommodated in the substrate storage device 201, the substrate storage device 201 is fastened to a groove formed in the wing 160 by a slide method.

도 5를 참조하면, 상기 기판수납기(201)가 서셉터(150)의 날개부(160)에 체결된 모습이 도시되어 있다. 상기 서셉터(150)의 날개부(160)들이 소정의 기울기로 기울어져 있어 인접한 날개부(160)들과 일부 오버랩되어 있는 것을 볼 수 있다.Referring to FIG. 5, the substrate holder 201 is shown fastened to the wing 160 of the susceptor 150. It can be seen that the wing portions 160 of the susceptor 150 are inclined at a predetermined inclination and partially overlap with the adjacent wing portions 160.

따라서, 상기 샤프트(110)의 상부에서 서셉터(150)와 날개부(160)들을 바라보면 날개부(160)들이 수평하게 배치되는 경우보다 더 많은 기판(200)들이 배치된다. 즉, 종래에는 기판들이 수평으로 놓여진 서셉터 상에 배치되었지만, 본 발명에서는 기판이 놓이는 날개부(160)들이 소정의 기울기로 기울어져 있기 때문에 수평면에 놓일 때보다 더 많은 기판(200)을 배치할 수 있다.Accordingly, when the susceptor 150 and the wing portions 160 are viewed from the top of the shaft 110, more substrates 200 are disposed than when the wing portions 160 are horizontally disposed. That is, although the substrates are conventionally disposed on a susceptor placed horizontally, in the present invention, since the wing portions 160 on which the substrate is placed are inclined at a predetermined inclination, more substrates 200 may be disposed than when placed on a horizontal plane. Can be.

따라서, 본 발명의 서셉터(150)를 구비한 화학기상증착 장비를 사용하면 종래 동일한 크기의 장비를 사용할 때 보다 많은 기판(200)들에 박막을 형성할 수 있다.
Accordingly, when the chemical vapor deposition apparatus having the susceptor 150 of the present invention is used, a thin film may be formed on more substrates 200 when using the same size equipment.

100: 화학기상증착 장비 110: 샤프트(shaft)
120: 가스 분사장치 150: 서셉터
160: 날개부 170: 히터커버
180: 히터 190: 반응실100: chemical vapor deposition equipment 110: shaft
120: gas injector 150: susceptor
160: wing 170: heater cover
180: heater 190: reaction chamber

Claims (5)

박막 공정을 진행할 수 있도록 외부와 격리시키는 반응실;
상기 반응실의 상부에 배치되어 반응실 내에 반응가스를 공급하는 가스 분사장치;
상기 반응실의 온도를 조절하는 히터; 및
상기 반응실 내부에서 기판을 회전시키는 서셉터를 포함하고,
상기 서셉터의 둘레를 따라 나선 형태로 배치된 다수개의 날개부를 포함하고, 상기 날개부에는 기판이 안착된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장비.
A reaction chamber that is isolated from the outside so as to proceed with the thin film process;
A gas injector disposed above the reaction chamber to supply a reaction gas into the reaction chamber;
A heater for controlling the temperature of the reaction chamber; And
A susceptor for rotating the substrate inside the reaction chamber,
Chemical vapor deposition equipment comprising a plurality of wings arranged in a spiral form along the circumference of the susceptor, the substrate is seated on the wing.
제1항에 있어서, 상기 날개부에는 기판이 수납된 기판수납기가 체결되어 상기 기판이 날개부에 안착되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장비.
2. The chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the wing is fastened to a substrate storage device in which a substrate is stored and the substrate is seated on the wing.
제1항에 있어서, 상기 가스 분사장치는 상기 서셉터의 둘레를 따라 배치되어 있는 날개부에 대응되도록 도넛 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장비.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the gas injector is formed in a donut structure so as to correspond to a wing portion disposed along the circumference of the susceptor. 제3항에 있어서, 상기 서셉터는 상기 가스 분사장치의 중앙 오픈 영역을 관통하여 상기 반응실 내부로 인출된 샤프트와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장비.4. The chemical vapor deposition apparatus according to claim 3, wherein the susceptor is connected to a shaft drawn through the central open area of the gas injector into the reaction chamber. 제1항에 있어서, 상기 서셉터에 형성된 날개부들은 소정의 기울기로 기울어져 있어 인접한 날개부들과 일부 오버랩되도록 형성된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장비.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the wing portions formed on the susceptor are inclined at a predetermined inclination to partially overlap with the adjacent wing portions.
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