KR20120008339A - Method for fabricating solar cell - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a solar battery is provided to improve property of the solar battery by effectively eliminating a phosphor-silicate glass film, a metal compound, and an organic compound which is formed in a diffusion process. CONSTITUTION: A p-type silicon board is prepared(S201). A texturing process is executed on the upper side of the p-type silicon board(S202). Solution which contains an n-type impurity ion is spread on the p-type silicon board(S203). An n-type semiconductor layer is formed on the upper side of the p-type silicon board by treating the p-type silicon board by heat(S204). A metal compound, an organic compound, and a PSG(Phosphor-Silicate Glass) film are eliminated using hydrofluoric acid(S205). The metal compound and the organic compound which remains are eliminated using standard chemistry solution(S206). The metal compound, the organic compound, and the PSG film which remains are eliminated using the hydrofluoric acid(S207).

Description

태양전지의 제조방법{Method for fabricating solar cell}Manufacturing method of solar cell {Method for fabricating solar cell}

본 발명은 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 확산 공정에 의해 상기 실리콘 기판 상에 형성된 PSG막, PSG막과 실리콘 기판의 계면 상에 존재하는 금속 화합물 및 유기물을 용이하게 제거할 수 있는 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing a solar cell, and more particularly, a metal compound and an organic substance present on an interface between a PSG film, a PSG film, and a silicon substrate formed on the silicon substrate may be easily removed by a diffusion process. It relates to a method of manufacturing a solar cell.

태양전지는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자로서, 기본적으로 p-n 접합으로 이루어진 다이오드(diode)라 할 수 있다. A solar cell is a key element of photovoltaic power generation that converts sunlight directly into electricity, and is basically a diode composed of a p-n junction.

태양광이 태양전지에 의해 전기로 변환되는 과정을 살펴보면, 태양전지의 p-n 접합부에 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되고, 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 이동하게 되어 p-n 접합부 사이에 광기전력이 발생되며, 이 때 태양전지의 양단에 부하나 시스템을 연결하면 전류가 흐르게 되어 전력을 생산할 수 있게 된다. In the process of converting sunlight into electricity by solar cells, when solar light is incident on the pn junction of solar cells, electron-hole pairs are generated, and electrons move to n layers and holes move to p layers by the electric field. Photovoltaic power is generated between the pn junctions, and when a load or a system is connected to both ends of the solar cell, current flows to generate power.

한편, 태양전지는 p-n 접합층인 광흡수층의 물질, 형태에 따라 다양하게 구분되는데 광흡수층으로는 대표적으로 실리콘(Si)을 들 수 있으며, 이와 같은 실리콘계 태양전지는 형태에 따라 실리콘 웨이퍼를 광흡수층으로 이용하는 기판형과, 실리콘을 박막 형태로 증착하여 광흡수층을 형성하는 박막형으로 구분된다. On the other hand, solar cells are classified into various types according to the material and the shape of the light absorption layer, which is a pn junction layer. Examples of the light absorption layer include silicon (Si). And a thin film type for forming a light absorption layer by depositing silicon in a thin film form.

실리콘계 태양전지 중 기판형의 구조를 살펴보면 다음과 같다. 도 1에 도시한 바와 같이 p형 반도체층(101) 상에 n형 반도체층(102)이 구비되며, 상기 n형 반도체층(102)의 상부 및 p형 반도체층의 하부에 각각 전면전극(104)과 후면전극(105)이 구비된다. 이 때, 상기 p형 반도체층(101) 및 n형 반도체층(102)은 하나의 기판에 구현되는 것으로서, 기판의 하부는 p형 반도체층(101), 기판의 상부는 n형 반도체층(102)이라 할 수 있으며, 일반적으로 p형 실리콘 기판이 준비된 상태에서 p형 실리콘 기판의 상층부에 n형 불순물 이온을 주입, 확산(diffusion)시켜 n형 반도체층(102)을 형성한다. 또한, 상기 n형 반도체층(102) 상에는 표면 반사를 최소화하기 위한 반사방지막(103)이 구비된다.The structure of the substrate type of the silicon-based solar cell is as follows. As shown in FIG. 1, an n-type semiconductor layer 102 is provided on the p-type semiconductor layer 101, and the front electrode 104 is disposed above the n-type semiconductor layer 102 and below the p-type semiconductor layer, respectively. ) And a rear electrode 105 is provided. In this case, the p-type semiconductor layer 101 and the n-type semiconductor layer 102 is implemented in one substrate, the lower portion of the substrate is a p-type semiconductor layer 101, the upper portion of the substrate is an n-type semiconductor layer 102 In general, an n-type semiconductor layer 102 is formed by implanting and diffusing n-type impurity ions into an upper layer of a p-type silicon substrate in a state where a p-type silicon substrate is prepared. In addition, an anti-reflection film 103 is provided on the n-type semiconductor layer 102 to minimize surface reflection.

이와 같은 실리콘계 태양전지는 p형 실리콘 기판의 준비, 실리콘 기판의 표면 텍스쳐링(요철 형성), n형 불순물 이온 주입 및 확산, 반사방지막 적층, 전면전극 및 후면전극의 형성 등의 공정을 거쳐 제조된다. 이 때, n형 불순물 이온을 주입, 확산시켜 상기 n형 반도체층(102)을 형성하는 공정을 구체적으로 살펴보면, p형 실리콘 기판 상에 인산 용액을 도포하고, 고온의 열처리를 통해 인산 용액의 인(P)이 p형 실리콘 기판 내부로 확산(diffusion)되도록 하여 n형 반도체층(120)이 형성되도록 한다. Such silicon-based solar cells are manufactured through processes such as preparation of a p-type silicon substrate, surface texturing (formation of irregularities) on the silicon substrate, implantation and diffusion of n-type impurity ions, lamination of an antireflection film, and formation of front and rear electrodes. In this case, the process of forming the n-type semiconductor layer 102 by implanting and diffusing n-type impurity ions is described in detail. The phosphoric acid solution is coated on a p-type silicon substrate, and (P) is diffused into the p-type silicon substrate so that the n-type semiconductor layer 120 is formed.

인(P)의 확산 공정이 고온 하에서 진행됨에 따라, 실리콘 기판 상에 인(P)과 실리콘(Si) 등이 반응한 PSG(phosphor-silicate glass)막이 형성되는데, 이와 같은 PSG막은 제거되어야 할 부산물로서, 일반적으로 불산(HF) 등의 식각 용액을 통해 제거된다. As the diffusion process of phosphorus (P) proceeds under high temperature, a phosphor-silicate glass (PSG) film in which phosphorus (P), silicon (Si), etc. reacts is formed on a silicon substrate. Such a PSG film is a by-product to be removed. As a general rule, it is removed through an etching solution such as hydrofluoric acid (HF).

한편, 상기 확산 공정에서, PSG막 이외에 공기 중 또는 장치 내의 부유하는 금속이 인(P), 실리콘(Si) 등과 반응하여 형성된 금속 화합물이 PSG막과 실리콘 기판 사이의 계면 또는 PSG막 상에 존재하게 된다. On the other hand, in the diffusion process, a metal compound formed by the reaction of the metal floating in the air or in the device other than the PSG film with phosphorus (P), silicon (Si) or the like is present on the interface or PSG film between the PSG film and the silicon substrate. do.

이와 같은 금속 화합물은 불산을 이용한 PSG막 식각 공정에서 제거되지 않고 실리콘 기판 상에 잔존하게 되며, 암모니아계의 에천트를 이용하더라도 용이하게 제거되지 않는 특성을 갖는다. Such a metal compound remains on the silicon substrate without being removed in the PSG film etching process using hydrofluoric acid, and has a characteristic that the metal compound is not easily removed even when an ammonia-based etchant is used.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 확산 공정에 의해 상기 실리콘 기판 상에 형성된 PSG막, PSG막과 실리콘 기판의 계면 상에 존재하는 금속 화합물 및 유기물을 용이하게 제거할 수 있는 태양전지의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above problems, it is possible to easily remove the PSG film formed on the silicon substrate, the metal compound and the organic material present on the interface between the PSG film and the silicon substrate by a diffusion process. Its purpose is to provide a method of manufacturing a solar cell.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은 p형 실리콘 기판 상에 n형 불순물 이온을 함유한 용액을 도포하는 제1 단계와, 상기 p형 실리콘 기판을 열처리하여 상기 p형 실리콘 기판의 상층부에 n형 반도체층을 형성하는 제2 단계 및 상기 제2 단계에 의해 상기 실리콘 기판 상에 형성된 PSG막 및 금속 화합물을 제거하는 제3 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제3 단계는, 불산(HF)을 이용하여 상기 PSG막 상 및 상기 PSG막과 실리콘 기판 사이의 계면 사이에 존재하는 금속 화합물, 및 상기 PSG막을 제거하는 제1 세정 공정과, 표준화학용액(SC1)을 이용하여 잔존하는 상기 금속 화합물 및 유기물을 제거하는 제2 세정 공정과, 불산을 이용하여 잔존하는 상기 금속 화합물 및 잔존하는 상기 PSG막을 제거하는 제3 세정 공정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. A solar cell manufacturing method according to the present invention for achieving the above object is a first step of applying a solution containing n-type impurity ions on a p-type silicon substrate, and the p-type silicon substrate by heat treatment And a third step of forming an n-type semiconductor layer on the silicon substrate and a third step of removing the PSG film and the metal compound formed on the silicon substrate by the second step. Using a hydrofluoric acid (HF) to remove the metal compound present on the PSG film and the interface between the PSG film and the silicon substrate, and the PSG film, and using a standard chemical solution (SC1). A second cleaning step of removing the remaining metal compound and organic matter, and a third cleaning step of removing the remaining metal compound and the remaining PSG film using hydrofluoric acid. Characterized in that.

상기 제2 세정 공정의 표준화학용액은 0.1% 내지 5% 농도의 과산화수소와 0.1% 내지 5% 농도의 수산화암모늄이 혼합되어 있는 것을 특징으로 할 수 있다.The standard chemical solution of the second cleaning process may be characterized in that the mixture of hydrogen peroxide at a concentration of 0.1% to 5% and ammonium hydroxide at a concentration of 0.1% to 5%.

상기 제2 세정 공정은 상기 실리콘 기판을 25℃ 내지 80℃ 온도의 표준화학용액에 침지하는 것을 특징으로 할 수 있다.The second cleaning process may be characterized in that the silicon substrate is immersed in a standard chemical solution of 25 ℃ to 80 ℃ temperature.

상기 제1 및 제3 세정 공정은 상기 실리콘 기판을 0.1% 내지 15% 농도의 불산 용액에 침지하는 것을 특징으로 할 수 있다. The first and third cleaning process may be characterized in that the silicon substrate is immersed in a hydrofluoric acid solution of 0.1% to 15% concentration.

상기 제2 세정 공정은 상기 실리콘 기판을 2분 내지 4분동안 표준화학용액에 침지하는 것을 특징으로 할 수 있다.The second cleaning process may be characterized in that the silicon substrate is immersed in a standard chemical solution for 2 to 4 minutes.

상기 제1 및 제3 세정 공정은 상기 실리콘 기판을 2분 내지 4분동안 불산 용액에 침지하는 것을 특징으로 할 수 있다.The first and third cleaning processes may be immersed in the hydrofluoric acid solution for 2 minutes to 4 minutes.

본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다. The manufacturing method of the solar cell according to the present invention has the following effects.

확산 공정에서 생성될 수 있는 PSG막, 금속 화합물, 및 유기물을 효과적으로 제거할 수 있어 태양전지의 특성을 향상시킬 수 있게 된다. 특히, 기존의 PSG 제거 공정에서 실리콘 기판을 표준화학용액(SC1)에 침지하는 공정을 추가하여 세정력을 향상시킬 수 있다.It is possible to effectively remove the PSG film, the metal compound, and the organic material that can be produced in the diffusion process it is possible to improve the characteristics of the solar cell. In particular, the cleaning power may be improved by adding a process of immersing the silicon substrate in the standard chemical solution (SC1) in the existing PSG removal process.

도 1은 일반적인 태양전지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a typical solar cell.
2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention.
3A to 3F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 상세히 설명하기로 한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다. Hereinafter, a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention, Figures 3a to 3e is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 2 및 도 3a에 도시한 바와 같이 제1 도전형의 실리콘 기판(310)을 준비한다(S201). 여기서, 상기 제1 도전형은 p형 또는 n형일 수 있으며 일 예로, 이하의 설명에서는 제1 도전형은 p형인 것을 기준으로 한다. 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(310)이 준비된 상태에서, 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(310)의 상부면에 요철(301)이 형성되도록 텍스쳐링(texturing) 공정을 진행한다(S202). 상기 텍스쳐링 공정은 기판 표면에서의 빛 반사를 줄이기 위한 것이며, 습식 식각 또는 플라즈마를 이용한 건식 식각을 통해 상기 요철(301)을 형성할 수 있다. First, as shown in FIGS. 2 and 3A, a first conductive silicon substrate 310 is prepared (S201). Here, the first conductivity type may be p type or n type, for example, in the following description, the first conductivity type is based on p type. In a state in which the first conductive silicon substrate 310 is prepared, a texturing process is performed such that an unevenness 301 is formed on an upper surface of the first conductive silicon substrate 310 (S202). The texturing process is to reduce light reflection on the surface of the substrate, and may form the unevenness 301 through wet etching or dry etching using plasma.

이와 같은 상태에서, 도 3b에 도시한 바와 같이 n형 불순물 이온을 함유한 불순물 용액 예를 들어, 인산 용액을 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(310) 상에 도포한다. 그런 다음, 상기 실리콘 기판(310)을 대상으로 열처리 과정을 적용하여 상기 인산 용액 내의 인(P) 이온이 상기 실리콘 기판(310)의 내부로 확산(diffusion)되도록 하고, 이를 통해 상기 실리콘 기판(310)의 상층부에 n형 반도체층(312)을 형성한다(S203). 이에 따라, 상기 실리콘 기판(310)의 하층부, 상층부에 각각 p형 반도체층(311), n형 반도체층(312)이 구비되어 P-N 접합을 이루게 된다. In this state, as shown in FIG. 3B, an impurity solution containing n-type impurity ions, for example, a phosphoric acid solution, is applied onto the silicon substrate 310 of the first conductivity type. Thereafter, a heat treatment process is applied to the silicon substrate 310 to cause phosphorus (P) ions in the phosphoric acid solution to diffuse into the silicon substrate 310, thereby through the silicon substrate 310. The n-type semiconductor layer 312 is formed on the upper layer (S203). Accordingly, a p-type semiconductor layer 311 and an n-type semiconductor layer 312 are provided at the lower and upper portions of the silicon substrate 310 to form a P-N junction.

한편, 상기 불순물 이온의 도포 및 확산 공정으로 인해, 도 3c에 도시한 바와 같이 상기 실리콘 기판(310) 상에는 PSG막(313) 및 금속 화합물(314) 등의 부산물이 형성된다(S204). 상기 PSG막(313)은 인산 용액의 인(P)과 실리콘 기판(310)의 실리콘(Si) 등이 반응하여 형성된 것이며, 상기 금속 화합물(314)은 확산 장치 내에 부유하는 금속 입자 등이 인(P), (Si) 등과 반응하여 형성된 것으로서, 상기 PSG막(313)과 실리콘 기판(310) 사이의 계면 또는 상기 PSG막(313) 상에 형성된다. 여기서, 상기 PSG막(313) 및 금속 화합물(314) 이외에 탄소계의 유기물이 더 생성하여 상기 실리콘 기판(310) 상에 존재할 수 있다. On the other hand, as a result of the application and diffusion of the impurity ions, by-products such as the PSG film 313 and the metal compound 314 are formed on the silicon substrate 310 as shown in FIG. 3C (S204). The PSG film 313 is formed by reaction of phosphorus (P) in a phosphoric acid solution with silicon (Si) in the silicon substrate 310, and the metal compound 314 is formed of phosphorus (metal particles floating in a diffusion device). It is formed in response to P), (Si), etc., and is formed on the interface between the PSG film 313 and the silicon substrate 310 or on the PSG film 313. Here, in addition to the PSG film 313 and the metal compound 314, a carbon-based organic material may be further generated and present on the silicon substrate 310.

이와 같은, PSG막(313) 및 금속 화합물(314) 등은 태양전지에 있어서 전기저항을 증가시켜 효율을 저하하는 인자로 작용하기 때문에 필수적으로 제거되어야 한다. 본 발명에는 이의 제거를 위해 다음과 같은 3단계의 세정 공정을 적용한다(도 3d 내지 도 3f 참조). As described above, the PSG film 313 and the metal compound 314 must be removed because the PSG film 313 and the metal compound 314 act as a factor for decreasing the efficiency by increasing the electrical resistance in the solar cell. In the present invention, the following three steps of cleaning processes are applied to remove the same (see FIGS. 3D to 3F).

먼저, 제1 세정 공정은 불산(HF)을 이용하여 상기 금속 화합물(314), 유기물 및 PSG막(313)을 제거하는 공정(S205)이며, 제2 세정 공정은 상기 표준화학용액(SC1)을 이용하여 잔존하는 상기 금속 화합물(314) 및 유기물을 제거하는 공정(S206)이며, 제3 세정 공정은 불산(HF)을 이용하여 잔존하는 상기 금속 화합물(314), 유기물 및 잔존하는 상기 PSG막(313)을 제거하는 공정(S207)이다.First, the first cleaning step is a step (S205) of removing the metal compound 314, the organic material, and the PSG film 313 using hydrofluoric acid (HF), and the second cleaning step is to remove the standard chemical solution (SC1). The remaining metal compound 314 and the organic substance are removed (S206), and the third cleaning process is performed using the hydrofluoric acid (HF). The remaining metal compound 314, the organic substance and the remaining PSG film ( 313), and the step (S207).

상기 제1 및 제3 세정 공정에서 이용되는 불산(HF)은 0.1% 내지 15%의 농도로 희석된 용액으로 사용하며, 약 3분 내외의 시간동안 실리콘 기판을 상기 불산 용액에 침지함으로써 진행된다.The hydrofluoric acid (HF) used in the first and third cleaning processes is used as a diluted solution at a concentration of 0.1% to 15%, and proceeds by immersing the silicon substrate in the hydrofluoric acid solution for about 3 minutes.

상기 표준화학용액(SC1)은 과산화수소(H2O2), 수산화암모늄(NH4OH)이 혼합된 용액이다. 상기 제2 세정 공정에서, 상기 표준화학용액은 과산화수소(H2O2)가 0.1% 내지 5%의 농도로, 수산화 암모늄(NH4OH)은 0.1% 내지 5%의 농도로 혼합되어 있을 수 있다. 상기 제2 세정 공정은 약 3분 내외의 시간동안 실리콘 기판(310)을 상기 표준화학용액에 침지함으로써 진행될 수 있고, 상기 표준화학용액은 상온(약 25℃) 내지 약 80℃의 온도를 갖도록 미리 준비할 수 있다. 불산만을 이용한 기존의 PSG막 제거 공정에 더하여, 본 발명에서는 표준화학용액을 이용하는 제2 세정 공정(S206)을 더 추가함으로써, 불산을 이용하는 금속 화합물, 유기물 및 PSG막 제거 단계(S205) 이후에, 잔존하는 금속 화합물을 한번 더 제거하여 세정력이 더 향상될 수 있다.The standard chemical solution (SC1) is a solution in which hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and ammonium hydroxide (NH 4 OH) are mixed. In the second cleaning process, the standard chemical solution may be mixed at a concentration of 0.1% to 5% hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), ammonium hydroxide (NH 4 OH) at a concentration of 0.1% to 5%. . The second cleaning process may be performed by immersing the silicon substrate 310 in the standard chemical solution for about 3 minutes or so, and the standard chemical solution may have a temperature of about 25 ° C. to about 80 ° C. in advance. You can prepare. In addition to the existing PSG film removal process using only hydrofluoric acid, in the present invention, by adding a second cleaning step (S206) using a standard chemical solution, after removing the metal compound, organic material and PSG film using hydrofluoric acid (S205), The cleaning power may be further improved by removing the remaining metal compound once more.

한편, 표준화학용액을 이용하는 상기 제2 세정 공정(S206)을 거치면서 친수성으로 유도된 실리콘 기판(310)은 다시 한번 불산을 이용하는 제3 세정 공정(S207)을 거치면서 소수성으로 유도된다. 제3 세정 공정(S207)은 불산을 이용하여, 제1 및 제2 세정 공정(S205, S206)을 거친 후의 잔존하는 상기 금속 화합물(314), 유기물 및 잔존하는 상기 PSG막(313)을 최종적으로 제거하는 역할도 수행하게 된다.On the other hand, the silicon substrate 310 induced by hydrophilicity through the second cleaning process (S206) using a standard chemical solution is guided to hydrophobicity once again through the third cleaning process (S207) using hydrofluoric acid. In the third cleaning step S207, hydrofluoric acid is used to finally remove the remaining metal compound 314, the organic material, and the remaining PSG film 313 after the first and second cleaning steps S205 and S206. It also serves to remove it.

또한, 상기 제3 세정 공정의 불산을 이용한 공정(S207)의 진행으로써, 세정 공정시 상기 실리콘 기판(310) 상에 형성된 자연산화막(native oxide)이 제거될 수도 있다. In addition, as the process (S207) using hydrofluoric acid of the third cleaning process is performed, a native oxide formed on the silicon substrate 310 may be removed during the cleaning process.

301 : 요철 310 : 실리콘 기판
311 : p형 반도체층 312 : n형 반도체층
313 : PSG막 314 : 금속 화합물301: unevenness 310: silicon substrate
311: p-type semiconductor layer 312: n-type semiconductor layer
313 PSG film 314 metal compound

Claims (6)

p형 실리콘 기판 상에 n형 불순물 이온을 함유한 용액을 도포하는 제1 단계;
상기 p형 실리콘 기판을 열처리하여 상기 p형 실리콘 기판의 상층부에 n형 반도체층을 형성하는 제2 단계; 및
상기 제2 단계에 의해 상기 실리콘 기판 상에 형성된 PSG막, 금속 화합물 및 유기물을 제거하는 제3 단계를 포함하여 이루어지며,
상기 제3 단계는,
불산을 이용하여 상기 PSG막 상 및 상기 PSG막과 실리콘 기판 사이의 계면 사이에 존재하는 금속 화합물, 유기물 및 상기 PSG막을 제거하는 제1 세정 공정과,
표준화학용액을 이용하여 잔존하는 상기 금속 화합물 및 유기물을 제거하는 제2 세정 공정과,
불산을 이용하여 잔존하는 상기 금속 화합물, 유기물 및 잔존하는 상기 PSG막을 제거하는 제3 세정 공정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법. applying a solution containing n-type impurity ions onto a p-type silicon substrate;
Heat treating the p-type silicon substrate to form an n-type semiconductor layer on an upper layer of the p-type silicon substrate; And
And a third step of removing the PSG film, the metal compound, and the organic material formed on the silicon substrate by the second step.
In the third step,
Using a hydrofluoric acid to remove the metal compound, organic matter and the PSG film present on the PSG film and between the interface between the PSG film and the silicon substrate;
A second cleaning step of removing the remaining metal compound and organic matter using a standard chemical solution;
And a third cleaning step of removing the remaining metal compound, organic material and the remaining PSG film using hydrofluoric acid. 제1항에 있어서,
상기 제2 세정 공정의 표준화학용액은 0.1% 내지 5% 농도의 과산화수소와 0.1% 내지 5% 농도의 수산화암모늄이 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법. The method of claim 1,
The standard chemical solution of the second cleaning process is a method of manufacturing a solar cell, characterized in that the mixture of hydrogen peroxide at a concentration of 0.1% to 5% and ammonium hydroxide at a concentration of 0.1% to 5%. 제1항에 있어서,
상기 제2 세정 공정은 상기 실리콘 기판을 25℃ 내지 80℃ 온도의 표준화학용액에 침지하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법. The method of claim 1,
The second cleaning process is a method of manufacturing a solar cell, characterized in that the silicon substrate is immersed in a standard chemical solution of 25 ℃ to 80 ℃ temperature. 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제3 세정 공정은 상기 실리콘 기판을 0.1% 내지 15% 농도의 불산 용액에 침지하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법. The method of claim 1,
The first and third cleaning process is a method of manufacturing a solar cell, characterized in that the silicon substrate is immersed in a hydrofluoric acid solution of 0.1% to 15% concentration. 제3항에 있어서,
상기 제2 세정 공정은 상기 실리콘 기판을 2분 내지 4분동안 표준화학용액에 침지하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.The method of claim 3,
The second cleaning process is a method of manufacturing a solar cell, characterized in that the silicon substrate is immersed in a standard chemical solution for 2 to 4 minutes. 제4항에 있어서,
상기 제1 및 제3 세정 공정은 상기 실리콘 기판을 2분 내지 4분동안 불산 용액에 침지하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
The method of claim 4, wherein
In the first and third cleaning process, the silicon substrate is immersed in a hydrofluoric acid solution for 2 to 4 minutes.
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