KR20120007888U

KR20120007888U - Surge protector

Info

Publication number: KR20120007888U
Application number: KR2020110008523U
Authority: KR
Inventors: 홍 카오 즈
Original assignee: 웬델 인더스트리얼 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2011-05-09
Filing date: 2011-09-22
Publication date: 2012-11-19

Abstract

본 고안은 해로운 전기 장애로부터 전기 기기를 보호하기 위하여 보호되는 전기 기기 앞에 제공되는 서지 보호기에 관한 것으로, 신호 입력 단자, 신호 출력 단자 및 접지 단자를 포함한 적어도 세 개의 단자를 포함하고; 서지 보호기는, 신호 입력 단자 및 신호 출력 단자 사이에 제공되고 보호받는 전기 기기에 직렬로 전기적으로 연결되되, 전기 기기를 보호하기 위한 표준 방식에서 인가 전압이 안전 한계점보다 더 커질 때 동시에 개방 회로로 되는 적어도 한 개의 회로 보호 모듈; 및 분류 방식에서 서지 에너지가 접지로 되도록 회로 보호 모듈의 입력과 접지 단자의 사이에 제공된 적어도 한 개의 서지 전환 모듈을 포함한다. The present invention is directed to a surge protector provided in front of a protected electrical device to protect the electrical device from harmful electrical disturbances, comprising: at least three terminals including a signal input terminal, a signal output terminal and a ground terminal; The surge protector is electrically connected in series with the protected electrical equipment provided between the signal input terminal and the signal output terminal, and in an open circuit when the applied voltage is greater than the safety threshold in a standard way to protect the electrical equipment. At least one circuit protection module; And at least one surge switching module provided between the input of the circuit protection module and the ground terminal such that the surge energy is grounded in the classification scheme.

Description

서지 보호기{SURGE PROTECTOR}Surge Protector {SURGE PROTECTOR}

본 고안은 서지 보호기, 특히 개선된 특징들을 가진 서지 보호기에 관한 것이다.The present invention relates to a surge protector, in particular a surge protector with improved features.

전기공학에서는, 스파이크(spikes)는 전기회로의 내외에서 발생하는 전압(전압 스파이크), 전류(전류 스파이크), 또는 전달 에너지(에너지 스파이크)의 빠르고 짧은 기간의 전기 과도 현상이다. 전기회로 내에서 발생하는 스파이크는 거의 대개 전기회로의 온/오프 작동중 생성된다. 따라서, 그 스파이크는 스위칭 스파이크라 불린다. 전기회로 외에서 발생하는 스파이크는 거의 대개 전기회로나 전기회로 근처에 부딪히는 번개에 의해 생성된다. 따라서, 그 스파이크는 번개 스파이크라 불린다. In electrical engineering, spikes are fast and short periods of electrical transients in voltage (voltage spikes), current (current spikes), or transfer energy (energy spikes) that occur in and out of an electrical circuit. Spikes that occur in electrical circuits are almost always generated during on / off operation of the electrical circuit. Thus, the spike is called a switching spike. Spikes that occur outside electrical circuits are almost always generated by lightning strikes near or near an electrical circuit. Thus, the spikes are called lightning spikes.

스위칭 스파이크나 번개 스파이크는 전기회로의 오작동 및, 전기 구성요소의 유효수명의 단축 혹은 전기회로를 태우는 등에 의해 전기회로에 악영향을 줄 수도 있다. Switching spikes or lightning spikes may adversely affect electrical circuits by malfunctioning electrical circuits, shortening the useful life of electrical components, or burning electrical circuits.

스위칭 스파이크는 릴레이, 스위치, 휴즈, 사이리스터(thyristors) 등과 같은 전기 혹은 전자 구성요소들의 스위칭에 의해서 생성되는 것이 철저한 분석을 통해 밝혀졌다. 번개 스파이크는 외부전원에 부딪히는 번개에 의해 생성된다.Switching spikes have been found through thorough analysis to be generated by the switching of electrical or electronic components such as relays, switches, fuses, thyristors, and the like. Lightning spikes are generated by lightning strikes from external sources.

상기 스위칭 스파이크 제거를 위하여, 전형적으로 안정화 회로(혹은 전기 구성요소)는 스파이크 흡수용 전기회로의 노드(node)에 연결된다. 예를 들어, 축전기는 스파이크를 흡수한다. 그러나, 번개가 전기회로에 부딪히는 것을 완전히 막는다기 보다는 단지 전기회로에 미치는 악영향을 낮추도록 스파이크의 강도만 감소시킬 수 있다. 크게 증가된 규모의 수십 혹은 수백개의 단기 전기 과도 현상은 번개가 치는 것에 의해서 순식간에 전기회로에서 생성될 수 있다. 전기회로를 보호하는 전형적인 방법은 외부로 스파이크 에너지를 방출하기 위하여 회로를 즉시 개방하는 것이다. For the switching spike removal, a stabilization circuit (or electrical component) is typically connected to a node of the spike absorption electrical circuit. For example, a capacitor absorbs spikes. However, rather than completely preventing lightning from hitting the electrical circuit, the intensity of the spike can be reduced only to lower the adverse effect on the electrical circuit. Dozens or hundreds of short-term electrical transients of greatly increased magnitude can be generated in an electrical circuit in a flash by lightning strikes. A typical way to protect an electrical circuit is to immediately open the circuit to release spike energy to the outside.

종래에는, 스파이크를 흡수하거나 외부에 스파이크 에너지를 방출하는 기기는 전기회로를 보호하기 위하여 이용된다. 이 기기는 서지 보호기라 불린다. 서지 보호기는 전압 스파이크로부터 전기 기기를 보호하기 위하여 디자인된 응용장치이다. 서지 보호기는 안전 한계점은 넘어서는 불필요한 전압을 접지로 단락시키거나 혹은 차단시키는 것에 의해서 전기 기기에 제공된 전기 전압을 제한하려고 한다. 전형적으로, MOV(금속 산화물 배리스터)나 GDT(가스 방전관)가 서지 보호기에 결합된다. Conventionally, devices that absorb spikes or release spike energy to the outside are used to protect electrical circuits. This device is called a surge protector. Surge protectors are applications designed to protect electrical equipment from voltage spikes. Surge protectors attempt to limit the electrical voltage provided to electrical equipment by shorting or breaking unnecessary voltages to ground beyond safety limits. Typically, MOV (metal oxide varistor) or GDT (gas discharge tube) is coupled to the surge protector.

MOV는 산화 아연 및 산화 비스무스(bismuth)를 소성하여 형성된다. MOV는 또한 스파이크 흡수체로서 알려져 있다. MOV는 인가 전압이 낮을 때는 높은 저항을 가지며 인가 전압이 높을 때는 낮은 저항을 가지는 속성을 가지고 있다. MOV들은 그 구성요소가 다르면 다른 안전 한계점을 가진다. MOV의 저항은, 인가 전압이 안전 한계점보다 더 클 때 많은 양의 전류를 흐르게 하기 위해 감소될 것이다. 그러므로, 전기 기기에 인가된 전압에 대하여, 전기 기기에 전기적으로 연결된 서지 보호기에 결합된 MOV는 안전 한계점을 넘어서는 불필요한 전압을 접지로 단락시킬 수 있다. 결과적으로, 그 전기 기기는 보호된다. MOV is formed by firing zinc oxide and bismuth oxide. MOV is also known as spike absorber. MOV has high resistance when the applied voltage is low and low resistance when the applied voltage is high. MOVs have different safety limits if their components are different. The resistance of the MOV will be reduced to allow a large amount of current to flow when the applied voltage is greater than the safety threshold. Therefore, with respect to the voltage applied to the electrical equipment, the MOV coupled to the surge protector electrically connected to the electrical equipment can short the unnecessary voltages beyond the safety thresholds to ground. As a result, the electrical device is protected.

회로 보호의 또 다른 대표 장치는 GDT(가스 방전관)이다. GDT는 불활성 가스로 채워진다. 전형적으로, GDT는 보호될 회로에 병렬로 연결된다. GDT는 MOV의 속성과 비슷하여 높은 전압이 인가되면 낮은 저항을 갖는다. MOV와는 달리, GDT는 스파이크 에너지를 봉입된 불황성 가스로 방출할 수 있으며, 그 방출된 에너지는 소산하는 열로 전환된다. MOV와 비교해서, GDT는 더 높은 인가 전압 및 에너지 흡수 능력에 있어서 이점이 있다. 그와 반대로, MOV는 전력 허용오차가 한정적이다. 게다가, MOV는 인가된 초과 전압으로 인해 내부 에너지 흡수 구성요소가 소모되면 중화될 수도 있다. Another representative device of circuit protection is a GDT (Gas Discharge Tube). GDT is filled with inert gas. Typically, the GDT is connected in parallel to the circuit to be protected. GDT is similar to the property of MOV and has a low resistance when a high voltage is applied. Unlike MOVs, GDTs can release spike energy into encapsulated inert gases, which are converted into dissipating heat. Compared with MOV, GDT has an advantage in higher applied voltage and energy absorption capacity. In contrast, MOVs have limited power tolerances. In addition, the MOV may be neutralized when the internal energy absorbing component is consumed due to the applied excess voltage.

또한, GDT는 전압 정밀도가 MOV보다 훨씬 낮기 때문에 MOV보다 질이 낮다. 전형적으로, MOV는 GDT의 전압 정밀도의 ±20%보다 훨씬 더 우수한 대략 ±10% 의 전압 정밀도를 가지고 있다. 게다가, GDT의 반응시간은 MOV보다 훨씬 더 길다. 더욱이, 더 높은 내전압 및 가격과 같은 특징들은 GDT의 이점이다. 그러나, GDT의 다른 특징들은 MOV와 비교해서 뒤떨어진다. In addition, GDT is lower quality than MOV because the voltage accuracy is much lower than MOV. Typically, the MOV has a voltage accuracy of approximately ± 10% that is much better than ± 20% of the voltage precision of the GDT. In addition, the response time of GDT is much longer than MOV. Moreover, features such as higher withstand voltage and price are the benefits of GDT. However, other features of GDT lag behind MOV.

선행기술에도 불구하고, 비용이 효율적이며, 반응 시간이 빠르고, 더 높은 내전압을 가지며 유효수명이 긴 고안이 개시되지 않았고 또한 자명하지도 않았다. Despite the prior art, designs have not been disclosed and are not cost effective, have a fast reaction time, have a higher withstand voltage and have a long service life.

그러므로 해로운 전기 장애로부터 전기 기기를 보호하기 위하여 보호될 전기 기기 앞에 제공되는 서지보호기를 제공하는 것이 본 고안의 목적이다. It is therefore an object of the present invention to provide a surge protector provided in front of an electrical device to be protected in order to protect it from harmful electrical disturbances.

본 고안의 서지 보호기는, 신호 입력 단자, 신호 출력 단자 및 접지 단자를 포함한 적어도 세 개의 단자를 포함하고; 서지 보호기는, 신호 입력 단자 및 신호 출력 단자 사이에 제공되고 보호받는 전기 기기에 직렬로 전기적으로 연결되되, 전기 기기를 보호하기 위한 표준 방식에서 인가 전압이 안전 한계점보다 더 커질 때 동시에 개방 회로로 되는 적어도 한 개의 회로 보호 모듈; 및 분류 방식에서 서지 에너지가 접지로 되도록 상기 회로 보호 모듈의 입력과 접지 단자의 사이에 제공된 적어도 한 개의 서지 전환 모듈을 포함하되, 전기 기기는 표준 방식에서 적어도 하나의 회로 보호 모듈 및 분류 방식에서 적어도 하나의 서지 전환 모듈의 양자에 의해서 보호된다. The surge protector of the present invention includes at least three terminals including a signal input terminal, a signal output terminal, and a ground terminal; The surge protector is electrically connected in series with the protected electrical equipment provided between the signal input terminal and the signal output terminal, and in an open circuit when the applied voltage is greater than the safety threshold in a standard way to protect the electrical equipment. At least one circuit protection module; And at least one surge switching module provided between the input of the circuit protection module and the ground terminal such that the surge energy is grounded in the classification scheme, wherein the electrical device is at least one circuit protection module in the standard scheme and at least in the classification scheme. Protected by both surge switching modules.

본 고안의 서지 보호기에 의하면, 서지 전환 모듈은 직렬로 연결되는 금속 산화물 배리스터 및 가스 방전관을 포함하며, 금속 산화물 배리스터는 회로 보호 모듈의 입력에 연결되고 기체 방전관은 접지 단자에 연결된다. According to the surge protector of the present invention, the surge switching module includes a metal oxide varistor and a gas discharge tube connected in series, the metal oxide varistor is connected to the input of the circuit protection module and the gas discharge tube is connected to the ground terminal.

본 고안의 서지 보호기에 의하면, 복수의 서지 전환 모듈은 교차로 직렬로 연결되는 복수의 금속 산화물 배리스터 및 복수의 기체 방전관을 포함하는 것으로 필요하다면 사용될 수 있다. According to the surge protector of the present invention, a plurality of surge conversion modules may be used if necessary, including a plurality of metal oxide varistors and a plurality of gas discharge tubes connected in series in an intersection.

본 고안의 서지 보호기에 의하면, 회로 보호 모듈은 도핑된 반도체 기기인 적어도 하나의 과전류 보호 칩을 포함한다. 과전류 보호 칩의 전기는 전압 값 입력에 의해 변하게 된다. 입력 전압이 칩의 작동 전압의 상한치보다 적다면, 그 칩은 전압이 보호받는 회로 기기에 제공되기 위해서 단락 회로(즉, 저항기는 거의 제로이다)가 된다. 입력 전압이 칩의 작동 전압의 상한치보다 갑자기 더 높아진다면, 그 칩은 큰 전압 차이로 인해서 전압이 차단되도록 정지될 것이다. According to the surge protector of the present invention, the circuit protection module includes at least one overcurrent protection chip which is a doped semiconductor device. The electricity of the overcurrent protection chip is changed by the input of the voltage value. If the input voltage is less than the upper limit of the chip's operating voltage, the chip is short-circuited (i.e., the resistor is almost zero) to provide the voltage to the protected circuit device. If the input voltage suddenly rises above the upper limit of the chip's operating voltage, the chip will stop to cut off due to the large voltage difference.

상기 및 다른 목적들, 특징들 그리고 본 고안의 이점들은 도면을 포함한 다음의 상세한 설명을 통해 밝혀질 것이다. These and other objects, features, and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description, including the drawings.

해로운 전기 장애로부터 전기 기기를 보호하기 위하여 보호될 전기 기기 앞에 서지보호기를 제공한다. In order to protect the electrical equipment from harmful electrical disturbances, a surge protector is provided in front of the electrical equipment to be protected.

도 1은 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 서지 보호기의 회로 블록 다이어그램이다. 1 is a circuit block diagram of a surge protector according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 서지 보호기가 도시된다. 그 서지 보호기(1)은 교류 전원(AC)에 전기적으로 연결되는 신호 입력 단자(I), 보호받는 전기 기기(E)에 전기적으로 연결되는 신호 출력 단자(O) 및, 접지 단자(G)를 포함하여 적어도 세 개의 단자를 포함한다. 서지 보호기(1)는 또한 다음과 같이 상세하게 설명될 적어도 한 개의 회로 보호 모듈(10)과 적어도 한 개의 서지 전환 모듈(20)을 포함한다.1, there is shown a surge protector in accordance with a preferred embodiment of the present invention. The surge protector 1 has a signal input terminal I electrically connected to an AC power source AC, a signal output terminal O electrically connected to a protected electric device E, and a ground terminal G. Including at least three terminals. The surge protector 1 also includes at least one circuit protection module 10 and at least one surge switching module 20 which will be described in detail as follows.

회로 보호 모듈(10)은 도핑된 반도체(즉, 불순물 반도체)로부터 형성된 과전류 보호 칩이며, 보호받는 전기 기기(E) 뒤에 제공된다. 회로 보호 모듈(10)의 입력(A)는 신호 입력 단자(I)에 전기적으로 연결되며, 출력(B)는 신호 출력 단자(O)에 전기적으로 연결된 다음 전기 기기(E)에 연결된다. The circuit protection module 10 is an overcurrent protection chip formed from a doped semiconductor (ie an impurity semiconductor) and is provided behind the protected electrical device E. The input A of the circuit protection module 10 is electrically connected to the signal input terminal I, and the output B is electrically connected to the signal output terminal O and then to the electric device E.

서지 전환 모듈(20)은 회로 보호 모듈(10)의 입력(A)와 접지 단자(G) 사이에 제공되며, 회로 보호 모듈(10)의 입력(A)에 전기적으로 연결되는 MOV(금속 산화물 배리스터)(21) 및 한 단자가 MOV(21)에 직렬 연결되고 다른 쪽이 접지 라인(G)에 연결되는 GDT(가스 방전관)(22)를 포함한다.The surge switching module 20 is provided between the input A of the circuit protection module 10 and the ground terminal G and is electrically connected to the input A of the circuit protection module 10. 21 and one terminal are connected in series to the MOV 21 and the other is connected to a ground line (G) (GDT) 22.

본 고안의 작동은 아래에서 상세히 설명된다. 표준 방식에서, 교류는 회로 보호 모듈(10)의 작동 전압보다 작거나 같은 전압을 갖는다. 이와 같이, 그 회로 보호 모듈(10)은 교류가 전기 기기(E)에 공급되도록 전도된다(즉, 폐쇄 회로 배치 혹은 ON). 분류(shunt) 방식에서, 서지는 회로 보호 모듈(10)의 작동 전압보다 더 큰 전압을 갖고 있으므로, 신호 입력 단자(I)에 대한 서지는 회로 보호 모듈(10)을 절단할 것이다(즉, 개방 회로 배치 혹은 OFF). 이와 같이, 급격히 증가된 전압은 서지 전환 모듈(20)로 전환될 것이다. 그리고 차례로, MOV(21)이 전도될 것이며, GDT(22) 또한 전도될 것이다. 결과적으로, 서지는 MOV(21), GDT(22) 및 접지 단자(G)를 통해 접지로 전달될 것이다. 회로 보호 모듈(10)은 서지가 우회한 즉시 표준 방식으로 돌아올 것이다. The operation of the present invention is described in detail below. In a standard manner, the alternating current has a voltage less than or equal to the operating voltage of the circuit protection module 10. In this way, the circuit protection module 10 is conducted so that alternating current is supplied to the electric device E (ie, closed circuit arrangement or ON). In the shunt manner, the surge has a voltage greater than the operating voltage of the circuit protection module 10, so that the surge to the signal input terminal I will cut the circuit protection module 10 (ie, open). Circuit arrangement or OFF). As such, the rapidly increased voltage will be converted to the surge switching module 20. And in turn, the MOV 21 will be inverted, and the GDT 22 will also be inverted. As a result, the surge will be delivered to ground through the MOV 21, the GDT 22, and the ground terminal G. The circuit protection module 10 will return to the standard manner as soon as the surge is bypassed.

회로 보호 모듈(10)은 서지로부터 전기 기기(E)를 보호하기 위해 제공된다. 그 회로 보호 모듈(10)은 도핑된 반도체 기기인 적어도 하나의 과전류 보호 칩(101)을 포함한다. 입력 전압이 칩(101)의 작동 전압의 상한치보다 작다면, 그 칩은 전압이 보호받는 회로 기기에 제공되기 위해서 단락 회로(즉, 저항기는 거의 제로이다)가 된다. 입력 전압이 칩(101)의 작동 전압의 상한치보다 갑자기 더 높아진다면, 그 칩은 갑자기 높아진 전압 차이로 인해서 전압이 차단되도록 정지될 것이며, 그 고전압(서지)은 서지 전환 모듈(20)및 접지 단자(G)를 통해서 접지될 것이다. 이와 같이, 전압 스파이크가 보호받는 전기 기기(E)에 인가되지 못하게 한다. The circuit protection module 10 is provided to protect the electrical appliance E from surges. The circuit protection module 10 includes at least one overcurrent protection chip 101 which is a doped semiconductor device. If the input voltage is less than the upper limit of the operating voltage of the chip 101, the chip is short-circuited (i.e., the resistor is almost zero) for the voltage to be provided to the protected circuit device. If the input voltage suddenly becomes higher than the upper limit of the operating voltage of the chip 101, the chip will stop so that the voltage is cut off due to the suddenly increased voltage difference, and the high voltage (surge) is stopped by the surge switching module 20 and the ground terminal. It will be grounded through (G). As such, voltage spikes are prevented from being applied to the protected electrical appliance E.

다시 말해서, 표준 방식에서 인가 전압이 칩(반도체 기기)(101)의 안전 한계점보다 적으면, 전력이 보호받는 전기 기기(E)에 정상적으로 공급될 것이다(즉, 반도체 기기(101)는 접하는 전기 임피던스가 없이(혹은 매우 낮은) 단락된다). In other words, if the applied voltage is less than the safety limit of the chip (semiconductor device) 101 in the standard manner, power will normally be supplied to the protected electric device E (i.e., the semiconductor device 101 is in contact with the electrical impedance). (Or very low) short).

반대로, 입력(A)를 통해서 공급된 초과 전압은, 만약 초과 전압이 반도체 기기(101)의 안전 한계점 이상이면, 반도체 기기(101)가 개방(즉, 개방회로 전위차(OCP)로 인해 회로가 차단됨)되게 한다. 결과적으로, 전기 기기(E)는 보호된다. 그 반도체 기기(101)는, 인가 전압이 안전 한계점보다 작게 감소된다면, 보호받는 전기 기기(E)에 전력을 공급하기 위하여 정상적으로 작동되는데, 즉 반도체 기기(101)는 접하는 전기 임피던스가 없이(혹은 매우 낮은) 단락된다.On the contrary, the excess voltage supplied through the input A indicates that if the excess voltage is above the safety threshold of the semiconductor device 101, the circuit is blocked due to the opening of the semiconductor device 101 (ie, the open circuit potential difference OCP). Let's As a result, the electric device E is protected. The semiconductor device 101 operates normally to power the protected electrical device E if the applied voltage is reduced below the safety threshold, i.e. the semiconductor device 101 has no (or very) electrical impedance encountered. Low).

반도체 기기(101)의 구조와 도핑된 반도체 구성요소들은 본 고안의 대상이 아니며, 따라서 그 설명은 번잡을 피하기 위해 여기에서 생략된다. The structure of the semiconductor device 101 and the doped semiconductor components are not the subject of the present invention, and therefore the description is omitted here to avoid confusion.

서지 전환 모듈(20)은 회로 보호 모듈(10)의 입력(A)과 접지 단자(G) 사이에 제공되며, 스파이크 에너지를 우회하는데 맞춰져 있다. 서지 전환 모듈(20)은 입력(A)에 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 MOV와, 한 단자가 그 MOV에 직렬로 연결되고 다른 단자가 접지 단자(G)로 연결되는 적어도 하나의 GDT를 포함한다. 본 실시예에서, 더 높은 전압 정밀도 및 빠른 반응 시간(즉, 민감함)을 가지는 MOV는 GDT에 비해서 입력(A)에 가깝게 제공된다. 즉, 더 높은 내전압을 가지는 GDT는 MOV에 비해서 입력(A)에서 떨어져서 제공된다. 이와 같이, 더 높은 전압 정밀도 및 빠른 반응 시간을 가지는 MOV는 스파이크의 경우에 활성화된다. 그리고 차례로, MOV는 GDT 및 접지 단자(G)를 통해서 스파이크 에너지를 접지로 효과적이고 빠르게 보낼 것이다. The surge switching module 20 is provided between the input A of the circuit protection module 10 and the ground terminal G, and is adapted to bypass the spike energy. The surge switching module 20 includes at least one MOV electrically connected to the input A and at least one GDT with one terminal connected in series with the MOV and the other terminal connected with the ground terminal G. . In this embodiment, a MOV with higher voltage precision and faster response time (i.e., sensitive) is provided closer to the input A compared to the GDT. That is, a GDT having a higher withstand voltage is provided away from the input A compared to the MOV. As such, MOVs with higher voltage precision and faster response times are activated in the case of spikes. In turn, the MOV will effectively and quickly send spike energy to ground through the GDT and ground terminal (G).

본 고안에서, 회로 보호 모듈(10) 및 서지 전환 모듈(20)은 콤팩트 형이다. 따라서, 본 고안의 서지 보호기는 콤팩트 LED 조명이나 휴대용 전력 공급 장치에 설치될 수 있다. 회로 보호 모듈(10)에 연결된 전기기기나 회로에 관계없이 입력(A)에 인가된 초과 전압에 반응하여 회로 보호 모듈(10)은 갑자기 개방회로가 될 수 있다. 따라서, 전기기기(E)는 보호된다. 그 결과로서, 서지 전환 모듈(20)의 MOV는 초과 전압이 반도체 기기(101)의 안전 한계점 전압보다 더 크기 때문에 입력(A)를 통해 신호 입력 단자(I)로부터 공급된 초과 전압에 의해서 활성화된다. 이와 같이 MOV의 저항은 제로(혹은 매우 낮은) 값으로 감소한다. 그러므로, 스파이크 에너지는 분류 방식에서 MOV, GDT 및 접지 라인(G)를 통해 접지로 된다. 반도체 기기(101) 및 서지 전환 모듈(20)은 서지가 우회(즉, 스파이크 에너지를 접지로 보냄)한 즉시 표준 방식으로 되돌아오게 될 것이다. In the present invention, the circuit protection module 10 and the surge switching module 20 are of a compact type. Therefore, the surge protector of the present invention can be installed in a compact LED light or a portable power supply. The circuit protection module 10 may suddenly become an open circuit in response to the excess voltage applied to the input A regardless of the electric device or the circuit connected to the circuit protection module 10. Thus, the electric device E is protected. As a result, the MOV of the surge switching module 20 is activated by the excess voltage supplied from the signal input terminal I through the input A because the excess voltage is greater than the safety threshold voltage of the semiconductor device 101. . As such, the resistance of the MOV is reduced to zero (or very low). Therefore, the spike energy goes to ground through the MOV, GDT and ground line G in the classification scheme. The semiconductor device 101 and the surge switching module 20 will return to the standard manner as soon as the surge bypasses (i.e., sends spike energy to ground).

서지 전환 모듈(20)은 스파이크 에너지를 접지로 우회시키기 위해 제공되며 상기 언급된 배치에 한정되지 않는 것이 주목된다. 예를 들어, 다수의 서지 전환 모듈(20)이 사용될 것이다. 즉 직렬로 연결된 다수의 MOV 및 다수의 GDT는 적용에 따라 교차로 직렬 연결된다. 일례로, 더 높은 전압 유지 능력 및 오래 지속되는 유효수명을 원한다면, 직렬로 연결된 다수의 MOV 및 GDT 모두를 가지는 서지 전환 모듈(20)이 선호된다. It is noted that the surge switching module 20 is provided to divert the spike energy to ground and is not limited to the above mentioned arrangement. For example, multiple surge conversion modules 20 will be used. That is, a plurality of MOVs and a plurality of GDTs connected in series are alternately connected in series depending on the application. As an example, if a higher voltage holding capability and long lasting useful life are desired, the surge conversion module 20 with both multiple MOVs and GDTs in series is preferred.

본 고안이 바람직한 실시예에 관하여 설명되었지만, 당업자는 본 고안이 첨부된 청구항의 의미 및 범위 내에서 변형되어 실시될 수 있음을 인식할 것이다.
While the invention has been described in terms of preferred embodiments, those skilled in the art will recognize that the invention may be practiced with modification within the meaning and scope of the appended claims.

Claims

해로운 전기 장애로부터 전기 기기를 보호하기 위하여 전기 기기에 전기적으로 연결되는 서지 보호기에 있어서,
신호 입력 단자, 신호 출력 단자 및 접지 단자를 포함한 적어도 세 개의 단자를 포함하고; 상기 서지 보호기는,
신호 입력 단자 및 신호 출력 단자 사이에 제공되고 보호받는 전기 기기에 직렬로 전기적으로 연결되되, 전기 기기를 보호하기 위한 표준 방식에서 인가 전압이 안전 한계점보다 더 커질 때 동시에 개방 회로로 되는 적어도 한 개의 회로 보호 모듈; 및
분류 방식에서 서지 에너지가 접지로 되도록 상기 회로 보호 모듈의 입력과 접지 단자의 사이에 제공된 적어도 한 개의 서지 전환 모듈을 포함하되,
전기 기기는 표준 방식에서 적어도 하나의 회로 보호 모듈 및 분류 방식에서 적어도 하나의 서지 전환 모듈의 양자에 의해서 보호되는 것을 특징으로 하는 서지 보호기. In a surge protector electrically connected to an electrical device to protect it from harmful electrical disturbances,
At least three terminals including a signal input terminal, a signal output terminal, and a ground terminal; The surge protector,
At least one circuit which is electrically connected in series to the protected electrical equipment provided between the signal input and signal output terminals, and which is simultaneously open circuited when the applied voltage is greater than the safety threshold in a standard way to protect the electrical equipment Protection module; And
At least one surge switching module provided between the input of the circuit protection module and the ground terminal such that the surge energy is grounded in the classification scheme,
And the electrical appliance is protected by both at least one circuit protection module in a standard manner and at least one surge switching module in a classification manner.

제 1항에 있어서, 상기 서지 전환 모듈은 직렬로 연결되는 금속 산화물 배리스터 및 가스 방전관을 포함하며, 상기 금속 산화물 배리스터는 상기 회로 보호 모듈의 입력에 연결되고 상기 기체 방전관은 접지 단자에 연결되는 것을 특징으로 하는 서지 보호기. The method of claim 1, wherein the surge conversion module comprises a metal oxide varistor and a gas discharge tube connected in series, the metal oxide varistor is connected to the input of the circuit protection module and the gas discharge tube is connected to a ground terminal. Surge protector.

제 1항에 있어서, 상기 서지 전환 모듈은 교차로 직렬로 연결되는 복수의 금속 산화물 배리스터 및 복수의 기체 방전관을 포함하는 것을 특징으로 하는 서지 보호기. The surge protector of claim 1, wherein the surge conversion module includes a plurality of metal oxide varistors and a plurality of gas discharge tubes connected in series in an intersection.

제 1항에 있어서, 상기 회로 보호 모듈은 적어도 하나의 과전류 보호 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 서지 보호기. 2. The surge protector of claim 1, wherein the circuit protection module comprises at least one overcurrent protection chip.