KR20120006257A - Electrode, light emitting device, light emitting device package, and lighting system - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An electrode, a light emitting device package, and a lighting system are provided to cover a reflecting layer of an electrode in order to not expose the reflecting layer to the outside, thereby preventing damage of the reflecting layer by fluorescent materials or other materials. CONSTITUTION: A contact layer(191) is arranged on a first conductivity type semiconductor layer(110). A reflecting layer(192) is arranged on the contact layer. A capping layer(193) covering at least a lateral surface of the reflecting layer is arranged. A bonding layer(194) is arranged on the reflecting layer. The bonding layer is touched with a part of the upper surface of the reflecting layer.

Description

전극, 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템{ELECTRODE, LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM}ELECTRODE, LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM}

실시예는 전극, 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to electrodes, light emitting devices, light emitting device packages, and lighting systems.

발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor device that converts electrical energy into light. Light emitting diodes have the advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. Accordingly, many researches are being conducted to replace existing light sources with light emitting diodes, and the use of light emitting diodes is increasing as a light source for lighting devices such as various lamps, liquid crystal displays, electronic displays, and street lamps that are used indoors and outdoors.

실시예는 새로운 구조를 갖는 전극, 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides an electrode, a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system having a new structure.

실시예는 형광체에 의한 손상이 감소된 전극 및 상기 전극을 포함하는 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공한다.Embodiments provide an electrode having reduced damage by a phosphor and a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system including the electrode.

실시예는 광 효율이 향상된 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system having improved light efficiency.

실시예에 따른 전극은 접촉층; 상기 접촉층 상에 반사층; 상기 반사층의 적어도 측면을 감싸는 캡핑층; 및 상기 반사층 상에 본딩층을 포함한다.Electrode according to the embodiment is a contact layer; A reflective layer on the contact layer; A capping layer surrounding at least a side of the reflective layer; And a bonding layer on the reflective layer.

실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형의 반도체층; 제2 도전형의 반도체층; 상기 제1 도전형의 반도체층과 상기 제2 도전형의 반도체층 사이에 배치되는 활성층; 및 상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나에 배치되는 청구항 제 1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항에 기재된 전극을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment may include a first conductive semiconductor layer; A second conductive semiconductor layer; An active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; And an electrode according to any one of claims 1 to 5 disposed in at least one of the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer.

실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형의 반도체층, 제2 도전형의 반도체층, 및 상기 제1 도전형의 반도체층과 상기 제2 도전형의 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조층; 및 상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나에 형성된 리세스 내에 적어도 일부분이 배치되는 전극을 포함하고, 상기 전극은 접촉층과, 상기 접촉층 상에 반사층과, 상기 반사층 상에 본딩층을 포함하고, 상기 반사층의 측면은 상기 반사층이 배치되는 상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나에 둘러싸여 배치되고, 상기 반사층의 상면은 상기 반사층이 배치되는 상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나의 상면보다 낮게 배치된다.The light emitting device according to the embodiment includes a light emitting device including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer. Structural layer; And an electrode disposed at least partially in a recess formed in at least one of the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, wherein the electrode comprises a contact layer, a reflective layer on the contact layer, And a bonding layer on the reflective layer, wherein a side surface of the reflective layer is surrounded by at least one of the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer on which the reflective layer is disposed, and an upper surface of the reflective layer. Is lower than an upper surface of at least one of the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer on which the reflective layer is disposed.

실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형의 반도체층, 제2 도전형의 반도체층, 및 상기 제1 도전형의 반도체층과 상기 제2 도전형의 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조층; 상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나에 배치되는 전극; 및 상기 발광 구조층의 측면 및 상면에 형성되어 상기 전극의 측면과 접하는 패시베이션층을 포함하고, 상기 전극은 접촉층과, 상기 접촉층 상에 반사층과, 상기 반사층 상에 본딩층을 포함하고, 상기 패시베이션층은 상기 반사층의 측면을 둘러싸고, 상기 패시베이션층의 상면은 상기 반사층의 상면보다 높다.The light emitting device according to the embodiment includes a light emitting device including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer. Structural layer; An electrode disposed on at least one of the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; And a passivation layer formed on side and top surfaces of the light emitting structure layer, the passivation layer being in contact with the side surface of the electrode, wherein the electrode includes a contact layer, a reflective layer on the contact layer, and a bonding layer on the reflective layer. The passivation layer surrounds the side of the reflective layer, and the top surface of the passivation layer is higher than the top surface of the reflective layer.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체; 상기 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 청구항 제 6항에 기재된 발광 소자; 및 상기 발광 소자를 포위하는 형광체를 포함하는 몰딩부재를 포함한다.The light emitting device package according to the embodiment includes a body; A first electrode layer and a second electrode layer provided on the body; A light emitting element according to claim 6, installed on the body and electrically connected to the first electrode layer and the second electrode layer; And a molding member including a phosphor surrounding the light emitting device.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체; 상기 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 청구항 제 7항 내지 제 11항 중 어느 하나에 기재된 발광 소자; 및 상기 발광 소자를 포위하는 형광체를 포함하는 몰딩부재를 포함한다.The light emitting device package according to the embodiment includes a body; A first electrode layer and a second electrode layer provided on the body; A light emitting element according to any one of claims 7 to 11 installed on the body and electrically connected to the first electrode layer and the second electrode layer; And a molding member including a phosphor surrounding the light emitting device.

실시예는 새로운 구조를 갖는 전극, 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.Embodiments can provide an electrode, a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system having a new structure.

실시예는 형광체에 의한 손상이 감소된 전극 및 상기 전극을 포함하는 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.The embodiment can provide an electrode having reduced damage by a phosphor and a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system including the electrode.

실시예는 광 효율이 향상된 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system having improved light efficiency.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면.
도 2는 제1 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 3은 제2 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 4는 제3 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 5는 제4 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 6은 제5 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 7은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도.
도 8은 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면.
도 9는 실시예들에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도. 1 illustrates a light emitting element according to an embodiment.
2 shows an electrode according to a first embodiment;
3 shows an electrode according to a second embodiment;
4 shows an electrode according to a third embodiment;
5 shows an electrode according to a fourth embodiment;
6 shows an electrode according to a fifth embodiment;
7 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment.
8 illustrates a backlight unit including a light emitting device or a light emitting device package according to an embodiment.
9 is a perspective view of a lighting unit including a light emitting device or a light emitting device package according to the embodiments.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 전극, 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템에 대해 설명한다.Hereinafter, an electrode, a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면이다.1 is a view illustrating a light emitting device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 전도성 지지기판(175)과, 상기 전도성 지지기판(175) 상에 접합층(170)과, 상기 접합층(170) 상에 반사부재(160)와, 상기 반사부재(160) 상에 오믹 접촉층(150)과, 상기 접합층(170)의 상면의 둘레 영역에 보호층(140)과, 상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 보호층(140) 상에 형성되어 빛을 생성하는 발광 구조층(135)과, 상기 발광 구조층(135)을 보호하는 패시베이션층(180)과, 상기 반사부재(160)와 발광 구조층(135) 사이에 전류 차단층(145)과, 상기 발광 구조층(135) 상에 전극(115)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the light emitting device 100 according to the embodiment includes a conductive support substrate 175, a bonding layer 170 on the conductive support substrate 175, and a reflective member on the bonding layer 170. A protective layer 140, an ohmic contact layer 150, and the protective layer 160 on the reflective member 160, an ohmic contact layer 150, and a peripheral region of an upper surface of the bonding layer 170. The light emitting structure layer 135 formed on the layer 140 to generate light, the passivation layer 180 protecting the light emitting structure layer 135, the reflective member 160 and the light emitting structure layer 135. The current blocking layer 145 and an electrode 115 are disposed on the light emitting structure layer 135.

상기 전도성 지지기판(175)은 상기 발광 구조층(135)을 지지하며 상기 전극(115)과 함께 상기 발광 구조층(135)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전도성 지지기판(175)는 예를 들어, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 또는 캐리어 웨이퍼(예를 들어, Si, Ge, GaAs, ZnO, Sic 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The conductive support substrate 175 may support the light emitting structure layer 135 and provide power to the light emitting structure layer 135 together with the electrode 115. The conductive support substrate 175 may be formed of, for example, copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), or a carrier wafer (eg, Si). , Ge, GaAs, ZnO, Sic, etc.).

상기 전도성 지지기판(175)의 두께는 상기 발광 소자(100)의 설계에 따라 달라질 수 있으나, 예를 들어, 50μm 내지 300μm의 두께를 가질 수 있다.The thickness of the conductive support substrate 175 may vary depending on the design of the light emitting device 100, but may have, for example, a thickness of 50 μm to 300 μm.

상기 전도성 지지기판(175) 상에는 상기 접합층(170)이 형성될 수 있다. 상기 접합층(170)은 본딩층으로서, 상기 반사부재(160)와 상기 보호층(140)의 아래에 형성된다. 상기 접합층(170)은 상기 반사부재(160), 상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 보호층(140)에 접촉되어, 상기 반사부재(160), 오믹 접촉층(150) 및 보호층(140)이 상기 전도성 지지기판(175)에 접합될 수 있도록 한다.The bonding layer 170 may be formed on the conductive support substrate 175. The bonding layer 170 is a bonding layer and is formed under the reflective member 160 and the protective layer 140. The bonding layer 170 is in contact with the reflective member 160, the ohmic contact layer 150, and the protective layer 140, so that the reflective member 160, the ohmic contact layer 150, and the protective layer 140 are formed. ) May be bonded to the conductive support substrate 175.

상기 접합층(170)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The bonding layer 170 may include a barrier metal or a bonding metal, and may include, for example, at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, or Ta. .

상기 접합층(170) 상에는 상기 반사부재(160)가 형성될 수 있다. 상기 반사부재(160)는 상기 발광 구조층(135)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The reflective member 160 may be formed on the bonding layer 170. The reflective member 160 may reflect light incident from the light emitting structure layer 135, thereby improving light extraction efficiency.

상기 반사부재(160)는 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, 또는 Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사부재(160)는 상기 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. For example, the reflective member 160 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, or Hf. In addition, the reflective member 160 may be formed in a multilayer using a light transmitting conductive material such as the metal or alloy and IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, for example, IZO / Ni, It can be laminated with AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni and the like.

실시예에서는 상기 반사부재(160)의 상면이 상기 오믹 접촉층(150)과 접촉하는 것이 예시되어 있으나, 상기 반사부재(160)는 상기 보호층(140), 전류 차단층(145), 또는 발광 구조층(135)과 접촉할 수도 있다.In the exemplary embodiment, the upper surface of the reflective member 160 is in contact with the ohmic contact layer 150, but the reflective member 160 is the protective layer 140, the current blocking layer 145, or the light emission. It may be in contact with the structural layer 135.

상기 반사부재(160) 상에는 상기 오믹 접촉층(150)이 형성될 수 있다. 상기 오믹 접촉층(150)은 상기 제2 도전형의 반도체층(130)에 오믹 접촉되어 상기 발광 구조층(135)에 전원이 원활히 공급되도록 하며, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, 또는 ATO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The ohmic contact layer 150 may be formed on the reflective member 160. The ohmic contact layer 150 is in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 130 so that power is smoothly supplied to the light emitting structure layer 135, and ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, At least one of AZO and ATO.

즉, 상기 오믹 접촉층(150)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.That is, the ohmic contact layer 150 may selectively use a translucent conductive layer and a metal, and may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), and indium aluminum zinc oxide (AZO). ), Indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrO x , RuO x , RuO x / ITO, One or more of Ni, Ag, Ni / IrO x / Au, or Ni / IrO x / Au / ITO may be used to implement a single layer or multiple layers.

실시예에서는 상기 오믹 접촉층(150)이 상기 전류 차단층(145)의 하면 및 측면과 접촉하는 것이 예시되어 있으나, 상기 오믹 접촉층(150)은 상기 전류 차단층(145)과 이격되어 배치되거나 상기 전류 차단층(145)의 측면에만 접촉할 수도 있다.In the exemplary embodiment, the ohmic contact layer 150 contacts the bottom and side surfaces of the current blocking layer 145, but the ohmic contact layer 150 is disposed to be spaced apart from the current blocking layer 145. Only the side of the current blocking layer 145 may be in contact.

상기 오믹 접촉층(150)과 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 사이에는 상기 전류 차단층(Current Blocking Layer, CBL)(145)이 형성될 수 있다. 상기 전류 차단층(145)의 상면은 상기 제2 도전형의 반도체층(130)과 접촉하고, 상기 전류 차단층(145)의 하면 및 측면은 상기 오믹 접촉층(150)과 접촉한다.The current blocking layer (CBL) 145 may be formed between the ohmic contact layer 150 and the second conductive semiconductor layer 130. The upper surface of the current blocking layer 145 is in contact with the second conductive semiconductor layer 130, and the lower surface and side surfaces of the current blocking layer 145 are in contact with the ohmic contact layer 150.

상기 전류 차단층(145)은 상기 전극(115)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되도록 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 전극(115)과 상기 전도성 지지기판(175) 사이의 최단 거리로 전류가 집중되는 현상을 완화하여 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The current blocking layer 145 may be formed such that at least a portion of the current blocking layer 145 overlaps with the electrode 115 in the vertical direction, thereby concentrating the current at the shortest distance between the electrode 115 and the conductive support substrate 175. The light emitting efficiency of the light emitting device 100 may be improved by alleviating the phenomenon.

상기 전류 차단층(145)은 상기 반사부재(160) 또는 상기 오믹 접촉층(150)보다 전기 전도성이 낮은 물질, 상기 제2 도전형의 반도체층(130)과 쇼트키 접촉을 형성하는 물질, 또는 전기 절연성 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 , TiOx, Ti, Al, 또는 Cr 중 적어도 하나를 포함한다.The current blocking layer 145 is a material having lower electrical conductivity than the reflective member 160 or the ohmic contact layer 150, a material forming Schottky contact with the second conductive semiconductor layer 130, or It can be formed using an electrically insulating material, for example, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , At least one of Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO x , Ti, Al, or Cr.

상기 보호층(140)은 상기 접합층(170)의 상면의 둘레 영역에 형성될 수 있다. 즉, 상기 보호층(140)은 상기 발광 구조층(135)과 상기 접합층(170) 사이의 둘레 영역에 형성될 수 있으며, ZnO 또는 SiO2와 같은 전기 절연성 물질로 형성될 수 있다. 상기 보호층(140)은 일부분이 상기 발광 구조층(135)과 수직 방향으로 중첩된다.The protective layer 140 may be formed in a peripheral area of the upper surface of the bonding layer 170. That is, the protective layer 140 may be formed in the peripheral region between the light emitting structure layer 135 and the bonding layer 170, and may be formed of an electrically insulating material such as ZnO or SiO 2 . A portion of the passivation layer 140 overlaps the light emitting structure layer 135 in a vertical direction.

상기 보호층(140)은 상기 접합층(170)과 상기 활성층(120) 사이의 측면에서의 거리를 증가시킨다. 따라서, 상기 접합층(170)과 상기 활성층(120) 사이의 전기적 단락이 발생될 가능성을 감소시킬 수 있다.The protective layer 140 increases the distance at the side surface between the bonding layer 170 and the active layer 120. Therefore, the possibility of an electrical short between the bonding layer 170 and the active layer 120 may be reduced.

또한, 상기 보호층(140)은 칩 분리 공정에서 상기 발광 구조층(135)을 단위 칩으로 분리하기 위해 아이솔레이션 에칭을 실시하는 경우. 상기 접합층(170)에서 파편이 발생되어 상기 파편이 상기 제2 도전형의 반도체층(130)과 활성층(120) 사이 또는 상기 활성층(120)과 제1 도전형의 반도체층(110) 사이에 부착되어 전기적 단락이 발생되는 것을 방지한다. In addition, when the protective layer 140 is isolated etching to separate the light emitting structure layer 135 into a unit chip in the chip separation process. Debris is generated in the bonding layer 170 so that the fragment is between the second conductive semiconductor layer 130 and the active layer 120 or between the active layer 120 and the first conductive semiconductor layer 110. Attached to prevent electrical shorts.

또한, 상기 보호층(140)은 아이솔레이션 에칭시 깨지거나 파편이 발생되지 않는 물질 또는 극히 일부분이 깨지거나 소량의 파편이 발생되더라도 전기적 단락을 일으키지 않는 전기 절연성 또는 전기 전도성을 가진 물질로 형성될 수도 있다.In addition, the protective layer 140 may be formed of a material having no electrical breakage or debris during isolation etching or a material having electrical insulation or electric conductivity that does not cause an electrical short even if a very small portion of the protective layer is broken or a small amount of debris is generated. .

상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 보호층(140) 상에는 상기 발광 구조층(135)이 형성될 수 있다.The light emitting structure layer 135 may be formed on the ohmic contact layer 150 and the passivation layer 140.

상기 발광 구조층(135)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 형성될 수 있으며, 상기 경사면의 일부는 상기 보호층(140)과 수직 방향에서 중첩된다.Side surfaces of the light emitting structure layer 135 may be formed with an inclined surface in an isolation etching process divided into unit chips, and a portion of the inclined surface overlaps with the protective layer 140 in a vertical direction.

상기 보호층(140)의 상면 일부는 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 노출될 수 있다. 따라서, 상기 보호층(140)은 상기 발광 구조층(135)과 일부 영역이 수직 방향으로 중첩되고 상기 발광 구조층(135)과 나머지 영역이 수직 방향으로 중첩되지 않는다.A portion of the upper surface of the protective layer 140 may be exposed by the isolation etching. Accordingly, the protective layer 140 overlaps the light emitting structure layer 135 and some regions in a vertical direction, and the light emitting structure layer 135 and the remaining regions do not overlap in the vertical direction.

상기 발광 구조층(135)은 복수의 Ⅲ족 내지 Ⅴ족 원소의 화합물 반도체층을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 제1 도전형의 반도체층(110), 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 아래에 활성층(120), 상기 활성층(120) 아래에 상기 제2 도전형의 반도체층(130)을 포함할 수 있다. The light emitting structure layer 135 may include a compound semiconductor layer of a plurality of group III to V elements. For example, the first conductive semiconductor layer 110 and the first conductive semiconductor layer ( The active layer 120 may be formed under the active layer 120, and the semiconductor layer 130 of the second conductivity type may be included under the active layer 120.

상기 제1 도전형의 반도체층(110)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1 도전형의 반도체층(110)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 N형 도펀트를 포함한다. 상기 제1 도전형의 반도체층(110)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first conductive semiconductor layer 110 may be a compound semiconductor of a group III-V element doped with a first conductive dopant, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and the like can be selected. When the first conductivity type semiconductor layer 110 is an N type semiconductor layer, the first conductivity type dopant includes an N type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The first conductive semiconductor layer 110 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

상기 활성층(120)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 아래에 형성되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조, 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(120)은 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층 또는 InGaN 우물층/AlGaN 장벽층으로 형성될 수 있다.The active layer 120 is formed under the first conductive semiconductor layer 110 and may include any one of a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, and a quantum line structure. . The active layer 120 may be formed of a well layer and a barrier layer, for example, an InGaN well layer / GaN barrier layer or an InGaN well layer / AlGaN barrier layer, using a compound semiconductor material of a group III-V element.

상기 활성층(120)과 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 사이 또는 상기 활성층(120)과 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 사이에는 클래드층이 형성될 수도 있으며, 상기 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다. A clad layer may be formed between the active layer 120 and the first conductive semiconductor layer 110 or between the active layer 120 and the second conductive semiconductor layer 130. It may be formed of an AlGaN-based semiconductor.

상기 제2 도전형의 반도체층(130)은 상기 활성층(120) 아래에 형성되며, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체, 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2 도전형의 반도체층(130)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn 등과 같은 P형 도펀트를 포함한다. 상기 제2 도전형의 반도체층(130)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The second conductive semiconductor layer 130 is formed under the active layer 120 and is a compound semiconductor of a group III-V element doped with a second conductive dopant, eg, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and the like can be selected. When the second conductivity type semiconductor layer 130 is a P type semiconductor layer, the second conductivity type dopant includes a P type dopant such as Mg and Zn. The second conductive semiconductor layer 130 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

한편, 상기 발광 구조층(135)은 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 아래에 N형 반도체층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조층(135)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합 또는 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light emitting structure layer 135 may include an N-type semiconductor layer under the second conductive semiconductor layer 130. For example, the light emitting structure layer 135 may include at least one of an N-P junction, a P-N junction, an N-P-N junction, or a P-N-P junction structure.

상기 제1 도전형의 반도체층(110)의 상면은 광 추출 효율을 위해 러프니스(미도시)가 형성될 수 있다. 상기 러프니스는 홀 또는 기둥을 포함할 수 있다.Roughness (not shown) may be formed on the top surface of the first conductive semiconductor layer 110 for light extraction efficiency. The roughness may include holes or pillars.

상기 발광 구조층(135)의 적어도 측면에는 패시베이션층(180)이 형성될 수 있고, 상기 발광 구조층(135)의 측면 및 상면에도 형성될 수 있다. 또한, 상기 패시베이션층(180)은 상기 보호층(140)의 상면에 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The passivation layer 180 may be formed on at least a side of the light emitting structure layer 135, and may also be formed on the side and the top surface of the light emitting structure layer 135. In addition, the passivation layer 180 may be formed on the upper surface of the protective layer 140, but is not limited thereto.

상기 패시베이션층(180)은 상기 발광 구조층(135)을 전기적으로 보호하기 위하여 형성될 수 있으며, 상기 패시베이션층(180)은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 등으로 형성될 수 있다.The passivation layer 180 may be formed to electrically protect the light emitting structure layer 135, and the passivation layer 180 may be, for example, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 To be formed Can be.

상기 패시베이션층(180)은 상기 전극(115)의 측면과 접촉할 수 있으며, 상기 발광 구조층(135)을 완전히 감쌀 수도 있다.The passivation layer 180 may contact the side surface of the electrode 115 and may completely cover the light emitting structure layer 135.

상기 발광 구조층(135) 상에는 상기 전극(115)이 형성된다. 상기 전극(115)은 와이어 본딩이 이루어지는 패드부와, 상기 패드부로부터 연장된 핑거부를 포함할 수도 있다. 상기 핑거부는 소정의 패턴 형상으로 분기될 수 있으며, 다양한 형태로 형성될 수 있다.The electrode 115 is formed on the light emitting structure layer 135. The electrode 115 may include a pad portion to which wire bonding is performed and a finger portion extending from the pad portion. The finger portion may be branched in a predetermined pattern shape, and may be formed in various shapes.

본 발명에서 상기 전극(115)은 다층 구조를 가지며, 다양한 형태로 형성될 수 있다. In the present invention, the electrode 115 has a multilayer structure and may be formed in various forms.

도 2는 제1 실시예에 따른 전극을 도시한 도면이다.2 is a view showing an electrode according to the first embodiment.

도 2를 참조하면, 상기 전극(190)은 접촉층(191)과, 반사층(192)과, 캡핑층(193)과, 본딩층(194)을 포함한다. 도 2에서는 4층 구조의 전극(190)이 예시되어 있으나, 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, the electrode 190 includes a contact layer 191, a reflective layer 192, a capping layer 193, and a bonding layer 194. Although the electrode 190 having a four-layer structure is illustrated in FIG. 2, the bonding layer 194 may be formed of a plurality of layers.

상기 접촉층(191)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 상에 형성되며, 상기 제1 도전형의 반도체층(110)과 오믹 접촉을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 접촉층(191)은 Ti 및 Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The contact layer 191 may be formed on the first conductive semiconductor layer 110 and form ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 110. For example, the contact layer 191 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ti and Cr.

상기 반사층(192)은 반사도가 높은 물질로 형성되어 상기 활성층(120)에서 방출된 빛이 효과적으로 반사될 수 있도록 한다. 예를 들어, 상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The reflective layer 192 is formed of a material having high reflectivity so that the light emitted from the active layer 120 can be effectively reflected. For example, the reflective layer 192 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag and Al.

상기 캡핑층(193)은 상기 접촉층(191) 및 반사층(192) 상에 형성되며, 상기 반사층(192)을 보호한다. 상기 캡핑층(193)은 상기 반사층(192)의 상면 및 측면과 접촉하며, 상기 반사층(12)의 상면 및 측면을 완전히 감싸도록 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(193)은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, 또는 Nb 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The capping layer 193 is formed on the contact layer 191 and the reflective layer 192 and protects the reflective layer 192. The capping layer 193 may be in contact with the top and side surfaces of the reflective layer 192 and may completely cover the top and side surfaces of the reflective layer 12. For example, the capping layer 193 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ti, Ni, Pt, Cr, V, or Nb.

상기 반사층(192)은 상기 접촉층(191) 및 캡핑층(193)에 의해 포위되어 외부로 노출되지 않는다.The reflective layer 192 is surrounded by the contact layer 191 and the capping layer 193 and is not exposed to the outside.

상기 본딩층(194)은 상기 캡핑층(193) 상에 형성되며, 접착력이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 본딩층(194)은 Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, 또는 Pt 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수도 있다.The bonding layer 194 is formed on the capping layer 193 and may be formed of a material having excellent adhesion. The bonding layer 194 may be formed of a plurality of layers. For example, the bonding layer 194 may include at least one of Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, or Pt.

상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있는데, 상기 Ag 또는 Al은 형광체 또는 다른 물질에 의해 변성되어 성능이 저하될 수도 있다. 따라서, 실시예에서는 상기 반사층(192)이 외부로 노출되어 형광체와 접촉하지 않도록 상기 반사층(192)을 감싸도록 상기 캡핑층(193)을 형성한다. 따라서, 상기 반사층(192)이 형광체 또는 다른 물질에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 상기 반사층(192)을 고려하지 않고 다양한 형광체를 선택할 수 있는 장점이 있다. 아울러, 상기 반사층(192)이 손상되지 않으므로 상기 발광 소자(100)의 광 효율이 향상될 수 있다.The reflective layer 192 may be formed of a material including at least one of Ag and Al. The Ag or Al may be modified by phosphors or other materials, thereby degrading performance. Therefore, in the exemplary embodiment, the capping layer 193 is formed to surround the reflective layer 192 so that the reflective layer 192 is not exposed to the outside and contacts the phosphor. Accordingly, the reflective layer 192 may be prevented from being damaged by phosphors or other materials, and various phosphors may be selected without considering the reflective layer 192. In addition, since the reflective layer 192 is not damaged, the light efficiency of the light emitting device 100 may be improved.

상기 접촉층(191)은 20~30㎛의 폭을 가지며, 상기 반사층(192)은 10~16㎛의 폭을 가진다. 따라서, 상기 반사층(192)의 양측면에 배치되는 상기 캡핑층(193)은 각각 2~5㎛의 폭으로 형성된다. The contact layer 191 has a width of 20 ~ 30㎛, the reflective layer 192 has a width of 10 ~ 16㎛. Accordingly, the capping layers 193 disposed on both side surfaces of the reflective layer 192 are each formed to have a width of 2 to 5 μm.

도 3은 제2 실시예에 따른 전극을 도시한 도면이다.3 is a view showing an electrode according to a second embodiment.

도 3을 참조하면, 상기 전극(190)은 접촉층(191)과, 반사층(192)과, 캡핑층(193)과, 본딩층(194)을 포함한다. 도 3에서는 4층 구조의 전극(190)이 예시되어 있으나, 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, the electrode 190 includes a contact layer 191, a reflective layer 192, a capping layer 193, and a bonding layer 194. In FIG. 3, the electrode 190 having a four-layer structure is illustrated, but the bonding layer 194 may be formed of a plurality of layers.

상기 접촉층(191)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 상에 형성되며, 상기 제1 도전형의 반도체층(110)과 오믹 접촉을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 접촉층(191)은 Ti 및 Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The contact layer 191 may be formed on the first conductive semiconductor layer 110 and form ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 110. For example, the contact layer 191 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ti and Cr.

상기 반사층(192)은 반사도가 높은 물질로 형성되어 상기 활성층(120)에서 방출된 빛이 효과적으로 반사될 수 있도록 한다. 예를 들어, 상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The reflective layer 192 is formed of a material having high reflectivity so that the light emitted from the active layer 120 can be effectively reflected. For example, the reflective layer 192 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag and Al.

상기 캡핑층(193)은 상기 접촉층(191) 및 반사층(192) 상에 형성되며, 상기 반사층(192)을 보호한다. 상기 캡핑층(193)은 상기 반사층(192)의 상면 일부 및 측면과 접촉하며, 상기 반사층(12)의 측면을 완전히 감싸도록 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(193)은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, Nb, 또는 절연층 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The capping layer 193 is formed on the contact layer 191 and the reflective layer 192 and protects the reflective layer 192. The capping layer 193 may be in contact with a portion of the upper surface and the side surface of the reflective layer 192, and may be formed to completely surround the side surface of the reflective layer 12. For example, the capping layer 193 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ti, Ni, Pt, Cr, V, Nb, or an insulating layer.

상기 본딩층(194)은 상기 반사층(192) 및 상기 캡핑층(193) 상에 형성되며, 접착력이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 본딩층(194)은 Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, 또는 Pt 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수도 있다.The bonding layer 194 is formed on the reflective layer 192 and the capping layer 193 and may be formed of a material having excellent adhesion. The bonding layer 194 may be formed of a plurality of layers. For example, the bonding layer 194 may include at least one of Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, or Pt.

상기 반사층(192)은 상기 접촉층(191), 캡핑층(193), 및 본딩층(194)에 의해 포위되어 외부로 노출되지 않는다.The reflective layer 192 is surrounded by the contact layer 191, the capping layer 193, and the bonding layer 194 and is not exposed to the outside.

상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있는데, 상기 Ag 또는 Al은 형광체 또는 다른 물질에 의해 변성되어 성능이 저하될 수도 있다. 따라서, 실시예에서는 상기 반사층(192)이 외부로 노출되어 형광체와 접촉하지 않도록 상기 반사층(192)을 감싸도록 상기 캡핑층(193) 및 본딩층(194)을 형성한다. 따라서, 상기 반사층(192)이 형광체 또는 다른 물질에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 상기 반사층(192)을 고려하지 않고 다양한 형광체를 선택할 수 있는 장점이 있다. 아울러, 상기 반사층(192)이 손상되지 않으므로 상기 발광 소자(100)의 광 효율이 향상될 수 있다.The reflective layer 192 may be formed of a material including at least one of Ag and Al. The Ag or Al may be modified by phosphors or other materials, thereby degrading performance. Therefore, in the exemplary embodiment, the capping layer 193 and the bonding layer 194 are formed to surround the reflective layer 192 so that the reflective layer 192 is not exposed to the outside and contacts the phosphor. Accordingly, the reflective layer 192 may be prevented from being damaged by phosphors or other materials, and various phosphors may be selected without considering the reflective layer 192. In addition, since the reflective layer 192 is not damaged, the light efficiency of the light emitting device 100 may be improved.

상기 접촉층(191)은 20~30㎛의 폭을 가지며, 상기 반사층(192)은 10~16㎛의 폭을 가진다. 따라서, 상기 반사층(192)의 양측면에 배치되는 상기 캡핑층(193)은 각각 2~5㎛의 폭으로 형성된다. The contact layer 191 has a width of 20 ~ 30㎛, the reflective layer 192 has a width of 10 ~ 16㎛. Accordingly, the capping layers 193 disposed on both side surfaces of the reflective layer 192 are each formed to have a width of 2 to 5 μm.

도 4는 제3 실시예에 따른 전극을 도시한 도면이다.4 is a diagram illustrating an electrode according to a third embodiment.

도 4를 참조하면, 상기 전극(190)은 접촉층(191)과, 반사층(192)과, 캡핑층(193)과, 본딩층(194)을 포함한다. 도 4에서는 4층 구조의 전극(190)이 예시되어 있으나, 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the electrode 190 includes a contact layer 191, a reflective layer 192, a capping layer 193, and a bonding layer 194. In FIG. 4, the electrode 190 having a four-layer structure is illustrated, but the bonding layer 194 may be formed of a plurality of layers.

상기 접촉층(191)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 상에 형성되며, 상기 제1 도전형의 반도체층(110)과 오믹 접촉을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 접촉층(191)은 Ti 및 Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The contact layer 191 may be formed on the first conductive semiconductor layer 110 and form ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 110. For example, the contact layer 191 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ti and Cr.

상기 반사층(192)은 상기 접촉층(191) 상에 형성되며, 반사도가 높은 물질로 형성되어 상기 활성층(120)에서 방출된 빛이 효과적으로 반사될 수 있도록 한다. 예를 들어, 상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The reflective layer 192 is formed on the contact layer 191, and is formed of a material having high reflectivity to effectively reflect light emitted from the active layer 120. For example, the reflective layer 192 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag and Al.

상기 캡핑층(193)은 상기 반사층(192) 상에 형성되며, 상기 반사층(192)을 보호한다. 예를 들어, 상기 캡핑층(193)은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, 또는 Nb 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The capping layer 193 is formed on the reflective layer 192 and protects the reflective layer 192. For example, the capping layer 193 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ti, Ni, Pt, Cr, V, or Nb.

상기 본딩층(194)은 상기 캡핑층(193) 상에 형성되며, 접착력이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 본딩층(194)은 Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, 또는 Pt 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수도 있다.The bonding layer 194 is formed on the capping layer 193 and may be formed of a material having excellent adhesion. The bonding layer 194 may be formed of a plurality of layers. For example, the bonding layer 194 may include at least one of Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, or Pt.

상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있는데, 상기 Ag 또는 Al은 형광체 또는 다른 물질에 의해 변성되어 성능이 저하될 수도 있다. 따라서, 실시예에서는 상기 반사층(192)이 외부로 노출되어 형광체와 접촉하지 않도록 상기 반사층(192)을 감싸도록 상기 패시베이션층(180)을 형성한다.The reflective layer 192 may be formed of a material including at least one of Ag and Al. The Ag or Al may be modified by phosphors or other materials, thereby degrading performance. Therefore, in the exemplary embodiment, the passivation layer 180 is formed to surround the reflective layer 192 so that the reflective layer 192 is not exposed to the outside and contacts the phosphor.

즉, 상기 반사층(192)은 하면은 상기 접촉층(191)과 접하고, 상면이 상기 캡핑층(193)과 접하며, 측면이 상기 패시베이션층(180)과 접한다.That is, the reflective layer 192 has a lower surface in contact with the contact layer 191, an upper surface in contact with the capping layer 193, and a side surface in contact with the passivation layer 180.

상기 패시베이션층(180)은 상기 전극(190)의 측면과 접촉하는데, 상기 전극(190)의 접촉층(191), 반사층(192), 및 캡핑층(193)의 측면을 둘러싸는 것에 의해 상기 반사층(192)이 외부로 노출되지 않도록 할 수 있다.The passivation layer 180 is in contact with the side surface of the electrode 190, which surrounds the side surfaces of the contact layer 191, the reflective layer 192, and the capping layer 193 of the electrode 190. 192 may not be exposed to the outside.

즉, 상기 패시베이션층(180)은 상기 캡핑층(193)의 적어도 일부를 둘러싸도록 함으로써 상기 반사층(192)이 외부로 노출되지 않도록 한다.That is, the passivation layer 180 surrounds at least a portion of the capping layer 193 so that the reflective layer 192 is not exposed to the outside.

도 5는 제4 실시예에 따른 전극을 도시한 도면이다.5 is a diagram illustrating an electrode according to a fourth embodiment.

도 5를 참조하면, 상기 전극(190)은 접촉층(191)과, 반사층(192)과, 캡핑층(193)과, 본딩층(194)을 포함한다. 도 5에서는 4층 구조의 전극(190)이 예시되어 있으나, 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5, the electrode 190 includes a contact layer 191, a reflective layer 192, a capping layer 193, and a bonding layer 194. Although the electrode 190 having a four-layer structure is illustrated in FIG. 5, the bonding layer 194 may be formed of a plurality of layers.

상기 접촉층(191)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 상에 형성되며, 상기 제1 도전형의 반도체층(110)과 오믹 접촉을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 접촉층(191)은 Ti 및 Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The contact layer 191 may be formed on the first conductive semiconductor layer 110 and form ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 110. For example, the contact layer 191 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ti and Cr.

상기 반사층(192)은 상기 접촉층(191) 상에 형성되며, 반사도가 높은 물질로 형성되어 상기 활성층(120)에서 방출된 빛이 효과적으로 반사될 수 있도록 한다. 예를 들어, 상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The reflective layer 192 is formed on the contact layer 191, and is formed of a material having high reflectivity to effectively reflect light emitted from the active layer 120. For example, the reflective layer 192 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag and Al.

상기 캡핑층(193)은 상기 반사층(192) 상에 형성되며, 상기 반사층(192)을 보호한다. 예를 들어, 상기 캡핑층(193)은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, 또는 Nb 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The capping layer 193 is formed on the reflective layer 192 and protects the reflective layer 192. For example, the capping layer 193 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ti, Ni, Pt, Cr, V, or Nb.

상기 본딩층(194)은 상기 캡핑층(193) 상에 형성되며, 접착력이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 본딩층(194)은 Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, 또는 Pt 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수도 있다.The bonding layer 194 is formed on the capping layer 193 and may be formed of a material having excellent adhesion. The bonding layer 194 may be formed of a plurality of layers. For example, the bonding layer 194 may include at least one of Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, or Pt.

상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있는데, 상기 Ag 또는 Al은 형광체 또는 다른 물질에 의해 변성되어 성능이 저하될 수도 있다. 따라서, 실시예에서는 상기 반사층(192)이 외부로 노출되어 형광체와 접촉하지 않도록 상기 전극(190)의 적어도 일부가 상기 제1 도전형의 반도체층(110)에 매립되도록 한다.The reflective layer 192 may be formed of a material including at least one of Ag and Al. The Ag or Al may be modified by phosphors or other materials, thereby degrading performance. Therefore, in the exemplary embodiment, at least a part of the electrode 190 is embedded in the first conductive semiconductor layer 110 so that the reflective layer 192 is not exposed to the outside and contacts the phosphor.

즉, 상기 접촉층(191), 반사층(192), 및 캡핑층(193)의 적어도 일부는 상기 제1 도전형의 반도체층(110)에 형성된 리세스에 삽입되어 형성된다. 따라서, 상기 반사층(192)은 하면은 상기 접촉층(191)과 접하고, 상면이 상기 캡핑층(193)과 접하며, 측면이 상기 제1 도전형의 반도체층(191)과 접한다.That is, at least a portion of the contact layer 191, the reflective layer 192, and the capping layer 193 may be inserted into a recess formed in the first conductive semiconductor layer 110. Accordingly, the reflective layer 192 has a lower surface in contact with the contact layer 191, an upper surface in contact with the capping layer 193, and a side surface in contact with the first conductive semiconductor layer 191.

따라서, 상기 반사층(192)은 외부로 노출되지 않고 형광체와 접촉하지 않는다. Thus, the reflective layer 192 is not exposed to the outside and does not contact the phosphor.

도 6은 제5 실시예에 따른 전극을 도시한 도면이다.6 is a diagram illustrating an electrode according to a fifth embodiment.

도 6을 참조하면, 상기 전극(190)은 접촉층(191)과, 반사층(192)과, 캡핑층(193)과, 본딩층(194)을 포함한다. 도 6에서는 4층 구조의 전극(190)이 예시되어 있으나, 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, the electrode 190 includes a contact layer 191, a reflective layer 192, a capping layer 193, and a bonding layer 194. Although the electrode 190 having a four-layer structure is illustrated in FIG. 6, the bonding layer 194 may be formed of a plurality of layers.

상기 접촉층(191)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 상에 형성되며, 상기 제1 도전형의 반도체층(110)과 오믹 접촉을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 접촉층(191)은 Ti 및 Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The contact layer 191 may be formed on the first conductive semiconductor layer 110 and form ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 110. For example, the contact layer 191 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ti and Cr.

상기 반사층(192)은 상기 접촉층(191) 상에 형성되며, 반사도가 높은 물질로 형성되어 상기 활성층(120)에서 방출된 빛이 효과적으로 반사될 수 있도록 한다. 예를 들어, 상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The reflective layer 192 is formed on the contact layer 191, and is formed of a material having high reflectivity to effectively reflect light emitted from the active layer 120. For example, the reflective layer 192 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag and Al.

상기 캡핑층(193)은 상기 반사층(192) 상에 형성되며, 상기 반사층(192)을 보호한다. 예를 들어, 상기 캡핑층(193)은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, 또는 Nb 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.The capping layer 193 is formed on the reflective layer 192 and protects the reflective layer 192. For example, the capping layer 193 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ti, Ni, Pt, Cr, V, or Nb.

상기 본딩층(194)은 상기 캡핑층(193) 상에 형성되며, 접착력이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 본딩층(194)은 Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, 또는 Pt 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수도 있다.The bonding layer 194 is formed on the capping layer 193 and may be formed of a material having excellent adhesion. The bonding layer 194 may be formed of a plurality of layers. For example, the bonding layer 194 may include at least one of Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, or Pt.

상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있는데, 상기 Ag 또는 Al은 형광체 또는 다른 물질에 의해 변성되어 성능이 저하될 수도 있다. 따라서, 실시예에서는 상기 반사층(192)이 외부로 노출되어 형광체와 접촉하지 않도록 상기 전극(190)의 적어도 일부가 상기 제1 도전형의 반도체층(110)에 매립되도록 한다.The reflective layer 192 may be formed of a material including at least one of Ag and Al. The Ag or Al may be modified by phosphors or other materials, thereby degrading performance. Therefore, in the exemplary embodiment, at least a part of the electrode 190 is embedded in the first conductive semiconductor layer 110 so that the reflective layer 192 is not exposed to the outside and contacts the phosphor.

즉, 상기 접촉층(191), 반사층(192), 및 캡핑층(193)의 적어도 일부는 상기 제1 도전형의 반도체층(110)에 형성된 리세스에 삽입되어 형성된다. 따라서, 상기 반사층(192)은 하면은 상기 접촉층(191)과 접하고, 상면이 상기 캡핑층(193)과 접하며, 측면이 상기 제1 도전형의 반도체층(191)과 접한다.That is, at least a portion of the contact layer 191, the reflective layer 192, and the capping layer 193 may be inserted into a recess formed in the first conductive semiconductor layer 110. Accordingly, the reflective layer 192 has a lower surface in contact with the contact layer 191, an upper surface in contact with the capping layer 193, and a side surface in contact with the first conductive semiconductor layer 191.

또한, 상기 제1 도전형의 반도체층(191) 상에 상기 패시베이션층(180)은 상기 전극(190)의 측면과 접촉하는데, 상기 패시베이션층(180)이 적어도 상기 캡핑층(193)의 측면과 접촉함으로써 상기 반사층(192)이 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the passivation layer 180 is in contact with the side surface of the electrode 190 on the first conductive semiconductor layer 191, the passivation layer 180 and at least the side surface of the capping layer 193. The contact may prevent the reflective layer 192 from being exposed to the outside.

즉, 상기 패시베이션층(180)은 상기 캡핑층(193)의 적어도 일부와 접촉함으로써 상기 반사층(192)이 외부로 노출되지 않도록 한다. 따라서, 상기 반사층(192)은 외부로 노출되지 않고 형광체와 접촉하지 않는다.That is, the passivation layer 180 is in contact with at least a portion of the capping layer 193 so that the reflective layer 192 is not exposed to the outside. Thus, the reflective layer 192 is not exposed to the outside and does not contact the phosphor.

상술한 바와 같이, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 상기 전극(190)의 반사층(192)이 외부로 노출되지 않도록 포위함으로써, 상기 반사층(192)이 형광체나 다른 물질들에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 그에 따라 상기 반사층(192)의 성능이 저하되지 않는 장점이 있다. 아울러, 상기 반사층(192)이 손상되지 않으므로 상기 발광 소자(100)의 광 효율이 향상될 수 있다.As described above, the light emitting device 100 according to the embodiment surrounds the reflective layer 192 of the electrode 190 so as not to be exposed to the outside, thereby preventing the reflective layer 192 from being damaged by phosphors or other materials. It can be prevented, and accordingly there is an advantage that the performance of the reflective layer 192 is not degraded. In addition, since the reflective layer 192 is not damaged, the light efficiency of the light emitting device 100 may be improved.

한편, 실시예에서는 상기 전극(115) 및 상기 전도성 지지기판(175)이 상기 발광 구조층(135)의 상하에 배치되는 수직형 발광 소자가 예시되어 있으나, 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 및 제2 도전형의 반도체층(130)의 상측에 각각 전극이 배치되는 수평형 발광 소자의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.Meanwhile, in the embodiment, the vertical light emitting device in which the electrode 115 and the conductive support substrate 175 are disposed above and below the light emitting structure layer 135 is illustrated, but the semiconductor layer 110 of the first conductivity type is illustrated. ) And a horizontal type light emitting device in which electrodes are disposed on the upper side of the second conductive semiconductor layer 130, respectively.

또한, 실시예들에 따른 전극(115)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 및 제2 도전형의 반도체층(130) 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있다.In addition, the electrode 115 may be disposed on at least one of the first conductive semiconductor layer 110 and the second conductive semiconductor layer 130.

도 7은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다. 7 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment.

도 7을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 몸체(30)와, 상기 몸체(30)에 설치된 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과, 상기 몸체(30)에 설치되어 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the light emitting device package 200 according to the embodiment may include a body 30, a first electrode layer 31 and a second electrode layer 32 installed on the body 30, and the body 30. The light emitting device 100 according to the embodiment, which is installed at and electrically connected to the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32, and a molding member 40 surrounding the light emitting device 100. .

상기 몸체(30)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 30 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device 100. In addition, the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 may increase light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100, and externally generate heat generated from the light emitting device 100. May also act as a drain.

상기 발광 소자(100)는 상기 몸체(30) 상에 설치되거나 상기 제1 전극층(31) 또는 제2 전극층(32) 상에 설치될 수 있다.The light emitting device 100 may be installed on the body 30 or on the first electrode layer 31 or the second electrode layer 32.

상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 by any one of a wire method, a flip chip method, or a die bonding method.

상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 40 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 40 may include a phosphor to change the wavelength of the light emitted from the light emitting device 100.

한편, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 상기 반사층(192)가 외부로 노출되지 않기 때문에, 상기 몰딩부재(40)에 포함된 형광체와 직접 접촉하지 않는다. 따라서, 상기 형광체에 의해 상기 반사층(192)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device 100 according to the embodiment does not directly contact the phosphor included in the molding member 40 because the reflective layer 192 is not exposed to the outside. Therefore, it is possible to prevent the reflective layer 192 from being damaged by the phosphor.

실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다. A plurality of light emitting device packages 200 according to an embodiment may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, and the like, which are optical members, may be disposed on a path of light emitted from the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit or as a lighting unit. For example, the lighting system may include a backlight unit, a lighting unit, an indicator device, a lamp, and a street lamp.

도 8은 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 8의 백라이트 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.8 is a view illustrating a backlight unit including a light emitting device or a light emitting device package according to an embodiment. However, the backlight unit 1100 of FIG. 8 is an example of an illumination system, but is not limited thereto.

도 8을 참조하면, 상기 백라이트 유닛(1100)은 바텀 프레임(1140)과, 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치된 광가이드 부재(1120)와, 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사시트(1130)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 8, the backlight unit 1100 may include a bottom frame 1140, an optical guide member 1120 disposed in the bottom frame 1140, and at least one side or bottom surface of the optical guide member 1120. It may include a light emitting module 1110 disposed in. In addition, a reflective sheet 1130 may be disposed under the light guide member 1120.

상기 바텀 프레임(1140)은 상기 광가이드 부재(1120), 상기 발광 모듈(1110) 및 상기 반사시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom frame 1140 may be formed by forming a box having an upper surface open to accommodate the light guide member 1120, the light emitting module 1110, and the reflective sheet 1130. Or it may be formed of a resin material but is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1110)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재된 복수개의 실시예들에 따른 발광 소자(100) 또는 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 복수개의 발광 소자 패키지(200)는 상기 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공할 수 있다. 실시예에서는 상기 기판(300) 상에 상기 발광 소자 패키지(200)가 설치된 것이 예시되어 있다.The light emitting module 1110 may include a substrate 300 and a light emitting device 100 or a light emitting device package 200 according to a plurality of embodiments mounted on the substrate 300. The plurality of light emitting device packages 200 may provide light to the light guide member 1120. In the embodiment, the light emitting device package 200 is installed on the substrate 300.

도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 하나의 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.As shown, the light emitting module 1110 may be disposed on at least one of the inner surfaces of the bottom frame 1140, thereby providing light toward at least one side of the light guide member 1120. can do.

다만, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 아래에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.However, the light emitting module 1110 may be disposed under the bottom frame 1140 to provide light toward the bottom surface of the light guide member 1120, which is according to the design of the backlight unit 1100. Since various modifications are possible, the present invention is not limited thereto.

상기 광가이드 부재(1120)는 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1120)는 상기 발광 모듈(1110)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다. The light guide member 1120 may be disposed in the bottom frame 1140. The light guide member 1120 may guide the light provided from the light emitting module 1110 to a display panel by surface light source.

상기 광가이드 부재(1120)는 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다. 상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다. The light guide member 1120 may be, for example, a light guide panel (LGP). The light guide plate may be formed of, for example, one of an acrylic resin series such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), COC, and polyethylene naphthalate (PEN) resin.

상기 광가이드 부재(1120)의 상측에는 광학 시트(1150)가 배치될 수도 있다.The optical sheet 1150 may be disposed above the light guide member 1120.

상기 광학 시트(1150)는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트, 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트(1150)는 상기 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트(1150)는 상기 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승 시트는 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 또한, 상기 휘도상승 시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film) 일 수 있다. 또한, 상기 형광 시트는 형광체가 포함된 투광성 플레이트 또는 필름이 될 수도 있다.The optical sheet 1150 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, a light collecting sheet, a luminance rising sheet, and a fluorescent sheet. For example, the optical sheet 1150 may be formed by stacking the diffusion sheet, the light collecting sheet, the luminance increasing sheet, and the fluorescent sheet. In this case, the diffusion sheet 1150 may evenly diffuse the light emitted from the light emitting module 1110, and the diffused light may be focused onto a display panel (not shown) by the light collecting sheet. In this case, the light emitted from the light collecting sheet is randomly polarized light, and the luminance increasing sheet may increase the degree of polarization of the light emitted from the light collecting sheet. The light collecting sheet may be, for example, a horizontal or / and vertical prism sheet. In addition, the luminance increase sheet may be, for example, a roughness enhancement film. In addition, the fluorescent sheet may be a translucent plate or film containing a phosphor.

상기 광가이드 부재(1120)의 아래에는 상기 반사시트(1130)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1130)는 상기 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다. The reflective sheet 1130 may be disposed under the light guide member 1120. The reflective sheet 1130 may reflect light emitted through the bottom surface of the light guide member 1120 toward the exit surface of the light guide member 1120.

상기 반사시트(1130)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective sheet 1130 may be formed of a resin material having good reflectance, for example, PET, PC, PVC resin, etc., but is not limited thereto.

도 9는 실시예들에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도이다. 다만, 도 9의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.9 is a perspective view of a lighting unit including a light emitting device or a light emitting device package according to embodiments. However, the lighting unit 1200 of FIG. 9 is an example of a lighting system, but is not limited thereto.

도 9를 참조하면, 상기 조명 유닛(1200)은 케이스 몸체(1210)와, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230)과, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9, the lighting unit 1200 is installed in the case body 1210, the light emitting module 1230 installed in the case body 1210, and the case body 1210, and provides power from an external power source. It may include a receiving connection terminal 1220.

상기 케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case body 1210 is preferably formed of a material having good heat dissipation characteristics, for example, may be formed of a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1230)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자(100) 또는 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 실시예에서는 상기 기판(300) 상에 상기 발광 소자 패키지(200)가 설치된 것이 예시되어 있다.The light emitting module 1230 may include a substrate 300 and a light emitting device 100 or a light emitting device package 200 according to at least one embodiment mounted on the substrate 300. In the embodiment, the light emitting device package 200 is installed on the substrate 300.

상기 기판(300)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The substrate 300 may have a circuit pattern printed on an insulator, and for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and the like. It may include.

또한, 상기 기판(300)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.In addition, the substrate 300 may be formed of a material that reflects light efficiently, or the surface may be formed of a color that reflects light efficiently, for example, white, silver, or the like.

상기 기판(300) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 각각 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The light emitting device package 200 according to the at least one embodiment may be mounted on the substrate 300. Each of the light emitting device packages 200 may include at least one light emitting diode (LED). The light emitting diodes may include colored light emitting diodes emitting red, green, blue, or white colored light, and UV light emitting diodes emitting ultraviolet (UV) light.

상기 발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 다이오드의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 상기 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 상기 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.The light emitting module 1230 may be arranged to have a combination of various light emitting diodes in order to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be combined to secure high color rendering (CRI). In addition, a fluorescent sheet may be further disposed on a path of the light emitted from the light emitting module 1230, and the fluorescent sheet changes the wavelength of light emitted from the light emitting module 1230. For example, when the light emitted from the light emitting module 1230 has a blue wavelength band, the fluorescent sheet may include a yellow phosphor, and the light emitted from the light emitting module 1230 finally passes white light through the fluorescent sheet. Will be shown.

상기 연결 단자(1220)는 상기 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 9에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1220 may be electrically connected to the light emitting module 1230 to supply power. According to FIG. 9, the connection terminal 1220 is inserted into and coupled to an external power source in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1220 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

상술한 바와 같은 조명 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.In the lighting system as described above, at least one of a light guide member, a diffusion sheet, a light collecting sheet, a luminance rising sheet, and a fluorescent sheet may be disposed on a propagation path of light emitted from the light emitting module to obtain a desired optical effect.

이상에서 설명한 바와 같이, 실시예들에 따른 조명 시스템은 실시예들에 따른 발광 소자(100) 또는 발광 소자 패키지(200)를 포함함으로써 광 효율이 우수한 장점을 가진다.As described above, the lighting system according to the embodiments has the advantage of excellent light efficiency by including the light emitting device 100 or the light emitting device package 200 according to the embodiments.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

Claims (13)

접촉층;
상기 접촉층 상에 반사층;
상기 반사층의 적어도 측면을 감싸는 캡핑층; 및
상기 반사층 상에 본딩층을 포함하는 전극.Contact layer;
A reflective layer on the contact layer;
A capping layer surrounding at least a side of the reflective layer; And
And a bonding layer on the reflective layer. 제 1항에 있어서,
상기 캡핑층은 상기 반사층의 측면, 및 상면의 적어도 일부를 감싸는 전극.The method of claim 1,
The capping layer surrounds at least a portion of the side and the upper surface of the reflective layer. 제 2항에 있어서,
상기 본딩층은 상기 반사층의 상면 일부와 접촉하는 전극.The method of claim 2,
The bonding layer is in contact with a portion of the upper surface of the reflective layer. 제 1항에 있어서,
상기 캡핑층은 상기 반사층의 측면, 및 상면 전체를 감싸는 전극.The method of claim 1,
The capping layer is an electrode surrounding the entire side and the upper surface of the reflective layer. 제 1항에 있어서
상기 캡핑층은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, 또는 Nb 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극.The method of claim 1
The capping layer includes at least one of Ti, Ni, Pt, Cr, V, or Nb. 제1 도전형의 반도체층;
제2 도전형의 반도체층;
상기 제1 도전형의 반도체층과 상기 제2 도전형의 반도체층 사이에 배치되는 활성층; 및
상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나에 배치되는 청구항 제 1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항에 기재된 전극을 포함하는 발광 소자.A first conductive semiconductor layer;
A second conductive semiconductor layer;
An active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; And
A light emitting element comprising the electrode according to any one of claims 1 to 5 disposed in at least one of the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer. 제1 도전형의 반도체층, 제2 도전형의 반도체층, 및 상기 제1 도전형의 반도체층과 상기 제2 도전형의 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조층; 및
상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나에 형성된 리세스 내에 적어도 일부분이 배치되는 전극을 포함하고,
상기 전극은 접촉층과, 상기 접촉층 상에 반사층과, 상기 반사층 상에 본딩층을 포함하고,
상기 반사층의 측면은 상기 반사층이 배치되는 상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나에 둘러싸여 배치되고, 상기 반사층의 상면은 상기 반사층이 배치되는 상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나의 상면보다 낮게 배치되는 발광 소자.A light emitting structure layer including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; And
An electrode disposed at least partially in a recess formed in at least one of the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer,
The electrode comprises a contact layer, a reflective layer on the contact layer, and a bonding layer on the reflective layer,
A side surface of the reflective layer is disposed surrounded by at least one of the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer on which the reflective layer is disposed, and the upper surface of the reflective layer is the first conductive type on which the reflective layer is disposed. A light emitting element disposed lower than an upper surface of at least one of a semiconductor layer and a second conductive semiconductor layer. 제 7항에 있어서,
상기 전극은 상기 반사층과 상기 본딩층 사이에 캡핑층을 더 포함하고, 상기 캡핑층은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, 또는 Nb 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자.The method of claim 7, wherein
The electrode further comprises a capping layer between the reflective layer and the bonding layer, the capping layer comprises at least one of Ti, Ni, Pt, Cr, V, or Nb. 제1 도전형의 반도체층, 제2 도전형의 반도체층, 및 상기 제1 도전형의 반도체층과 상기 제2 도전형의 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조층;
상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나에 배치되는 전극; 및
상기 발광 구조층의 측면 및 상면에 형성되어 상기 전극의 측면과 접하는 패시베이션층을 포함하고,
상기 전극은 접촉층과, 상기 접촉층 상에 반사층과, 상기 반사층 상에 본딩층을 포함하고,
상기 패시베이션층은 상기 반사층의 측면을 둘러싸고, 상기 패시베이션층의 상면은 상기 반사층의 상면보다 높은 발광 소자.A light emitting structure layer including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
An electrode disposed on at least one of the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; And
A passivation layer formed on side and top surfaces of the light emitting structure layer and in contact with the side surface of the electrode,
The electrode comprises a contact layer, a reflective layer on the contact layer, and a bonding layer on the reflective layer,
The passivation layer surrounds a side surface of the reflective layer, and the upper surface of the passivation layer is higher than the upper surface of the reflective layer. 제 9항에 있어서,
상기 전극은 상기 반사층과 상기 본딩층 사이에 캡핑층을 더 포함하고, 상기 캡핑층은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, 또는 Nb 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자.The method of claim 9,
The electrode further comprises a capping layer between the reflective layer and the bonding layer, the capping layer comprises at least one of Ti, Ni, Pt, Cr, V, or Nb. 제 9항에 있어서,
상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나는 리세스를 포함하고, 상기 전극은 상기 리세스에 배치되는 발광 소자.The method of claim 9,
At least one of the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer includes a recess, and the electrode is disposed in the recess. 몸체;
상기 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층;
상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 청구항 제 6항에 기재된 발광 소자; 및
상기 발광 소자를 포위하는 형광체를 포함하는 몰딩부재를 포함하는 발광 소자 패키지.Body;
A first electrode layer and a second electrode layer provided on the body;
A light emitting element according to claim 6, installed on the body and electrically connected to the first electrode layer and the second electrode layer; And
A light emitting device package comprising a molding member including a phosphor surrounding the light emitting device. 몸체;
상기 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층;
상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 청구항 제 7항 내지 제 11항 중 어느 하나에 기재된 발광 소자; 및
상기 발광 소자를 포위하는 형광체를 포함하는 몰딩부재를 포함하는 발광 소자 패키지.Body;
A first electrode layer and a second electrode layer provided on the body;
A light emitting element according to any one of claims 7 to 11 installed on the body and electrically connected to the first electrode layer and the second electrode layer; And
A light emitting device package comprising a molding member including a phosphor surrounding the light emitting device.
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