KR20120005987A - Method for wafer dicing and composition useful thereof - Google Patents

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라즈쿠말 라마머씨
데이비드 배리 렌니
마드후칼 바스카라 라오
가우탐 바너제
진 에버래드 파리스
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Abstract

PURPOSE: A wafer dicing method and composition useful for the same are provided to prevent the adhesion of contamination residues/particles on a whole exposed surface, thereby suppressing the corrosion of the whole exposed surface. CONSTITUTION: A semiconductor wafer dicing solution includes one or more first compounds selected from a group comprised of organic acid and salt, one or more second compounds selected among a group comprised of surfactant and base, and residues materially existing as deionized water. The semiconductor wafer dicing solution suppresses the corrosion of a metalized part exposed and adhered to contamination residues.

Description

웨이퍼 다이싱 방법 및 이에 유용한 조성물{METHOD FOR WAFER DICING AND COMPOSITION USEFUL THEREOF} METHOD FOR WAFER DICING AND COMPOSITION USEFUL THEREOF

관련 출원 상호 참조Related application cross-reference

본 출원은 2010년 7월 9일 출원된 미국 가출원 No.61/362,896을 기초로 하는 우선권 주장 출원으로, 이를 본 명세서 전체에 걸쳐 참고하기로 한다.This application is a priority claim application based on US Provisional Application No. 61 / 362,896, filed Jul. 9, 2010, which is incorporated herein by reference.

본 발명은 오염 잔류물의 점착 및 노출된 전체 금속화 부위의 부식을 억제하는 반도체 웨이퍼 다이싱용 용액에 관한 것이다. 또한 본 발명은 웨이퍼 다이싱 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a solution for dicing semiconductor wafers that inhibits adhesion of contaminant residues and corrosion of the entire exposed metallization site. The invention also relates to a wafer dicing method.

일반적으로 집적회로는 웨이퍼 상에 제조된다. 단일 웨이퍼는 복수의 집적회로 칩, 또는 다이(die)를 포함한다. 집적회로 칩이나 다이스(dice)는 웨이퍼를 절삭하는 다이싱(dicing) 공정을 통해 얻어진다. In general, integrated circuits are fabricated on wafers. A single wafer includes a plurality of integrated circuit chips, or dies. Integrated circuit chips or dice are obtained through a dicing process of cutting a wafer.

다이싱 공정 중에, 웨이퍼를 절삭하면 나오는 작은 오염 잔류물/미립자(일반적으로는 실리콘 잔류물)가 웨이퍼의 표면에 점착되어 본딩 패드(bonding pads)와 홈이 파인 부위에 축적된다. 오염 잔류물/미립자는 일단 웨이퍼와 접촉하면 추후 세척 공정에서 제거하기 어려우며, 일단 깊은 홈(trench)에 끼면 사실상 제거하기 불가능하다. 또한, 다이싱 공정 중에 본딩 패드는 노출되어 부식이 일어날 수 있다. 부식은 본딩 패드에 손상을 입혀 불충분한 접합 성능, 불충분한 신뢰성, 또는 디바이스의 고장까지도 일으킨다. 오염 미립자와 부식은 추후 와이어본딩(wirebonding)과 같은 조립 작업시 문제를 야기할 수 있다. During the dicing process, small contaminants / particulates (typically silicon residues) from cutting the wafer adhere to the surface of the wafer and accumulate in the bonding pads and grooves. Contaminant residues / particulates are difficult to remove in later cleaning processes once they come into contact with the wafer, and are virtually impossible to remove once inserted into deep trenches. In addition, the bonding pads may be exposed during the dicing process to cause corrosion. Corrosion can damage the bonding pads, resulting in insufficient bonding performance, insufficient reliability, or even device failure. Contaminated particulates and corrosion can cause problems later in assembly operations such as wirebonding.

다이싱 중에 부식을 감소시키기 위한 한 방법은, 고순도의 탈이온수(DIW)를 다이싱 날(dicing blade)의 냉각제로 사용하는 것을 포함한다. 절삭 부위와 회전식 날은 보통 탈이온수의 상당한 유출로 적셔진다. 또 한가지 생각할 수 있는 것은 절삭 부위에 넘쳐 흐르는 냉각수에 의해 실리콘 잔류물이 씻겨나갈 것이라는 점이다. 불행히도, 상당한 흐름에도 불구하고, 작은 실리콘 미립자들은 완전히 씻겨나가지 않는다. 더 나쁜 것은, 냉각수가 정전하의 형성(build-up)을 유도하여 부식의 원인이 될 뿐만 아니라 본딩 패드 상에 실리콘 잔류물/미립자가 축적될 수 있다는 점이다.One method for reducing corrosion during dicing involves the use of high purity deionized water (DIW) as a coolant for a dicing blade. Cutting areas and rotary blades are usually wetted with a significant outflow of deionized water. Another thing to think about is that the silicon residue will be washed away by the coolant flowing over the cutting area. Unfortunately, despite the considerable flow, small silicon particles are not washed off completely. Worse, the coolant can induce build-up of static charges and cause corrosion as well as the accumulation of silicon residues / particulates on the bonding pads.

반도체 기술이 급속도로 진전됨에 따라, 웨이퍼의 크기는 줄었지만 다이 크기는 감소되었다. 이것이 다이싱의 소요시간을 늘렸고, 이는 해결해 볼 만한 문제이다.As semiconductor technology has advanced rapidly, wafer size has decreased but die size has decreased. This increased dicing time, which is worth solving.

본 발명의 목적은 다이싱 용액 또는 반도체 웨이퍼 다이싱용 용액, 및 상기 용액을 이용하는 방법을 제공하는 것으로, 이것은 노출된 표면 전체 부위에 오염 잔류물/미립자가 점착되는 것을 억제하고 노출된 표면 전체 부위의 부식을 억제하는데 효과적이다.It is an object of the present invention to provide a dicing solution or a semiconductor wafer dicing solution, and a method of using the solution, which suppresses adhesion of contaminant residues / particulates to an entire exposed surface area and It is effective to suppress corrosion.

본 발명의 일 구현예는 오염 잔류물의 점착 및 노출된 금속화 부위의 부식을 억제하는 반도체 웨이버 다이싱용 용액을 제공하며, 이는 유기산 및 이의 염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제 1 화합물; 계면활성제 및 염기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제 2 화합물; 및 실질적으로 탈이온수로 존재하는 잔여물을 포함하며; 상기 용액은 4를 초과하는 pH를 갖는다. One embodiment of the present invention provides a solution for semiconductor wafer dicing that inhibits adhesion of contaminant residues and corrosion of exposed metallization sites, which comprises at least one first compound selected from the group consisting of organic acids and salts thereof; At least one second compound selected from the group consisting of surfactants and bases; And a residue present substantially in deionized water; The solution has a pH above 4.

본 발명의 또 다른 구현예는 웨이퍼 다이싱 방법을 제공하며, 상기 웨이퍼는 본딩패드와 함께 톱으로 다이싱되고, 상기 와이퍼를 절삭함으로써 오염 잔류물이 생성되며, 노출된 전체 금속화 부위 상에 부식이 형성될 수 있고, 다이싱 중에 상기 와이퍼를 용액과 접촉시키는 단계를 포함하며, 상기 용액은 유기산 및 이의 염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제 1 화합물; 계면활성제 및 염기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제 2 화합물; 및 실질적으로 탈이온수로 존재하는 잔여물을 포함하고, 상기 용액은 4를 초과하는 pH를 갖는다.Another embodiment of the present invention provides a method of wafer dicing, wherein the wafer is diced with a bonding pad by a saw, and the cutting of the wiper produces contamination residues and corrosion on the exposed entire metallization site. Which may be formed, and contacting the wiper with a solution during dicing, wherein the solution comprises at least one first compound selected from the group consisting of organic acids and salts thereof; At least one second compound selected from the group consisting of surfactants and bases; And a residue substantially present in deionized water, wherein the solution has a pH above 4.

보다 구체적으로는, 상기 하나 이상의 제 1 화합물이 0.001wt% 내지 30wt%이고; 상기 계면활성제가 0.001wt% 내지 10wt%; 상기 염기가 0.001wt% 내지 20wt%이며, 여기에서 상기 용액은 탈이온수로 1:0 내지 1:10000으로 희석된다.More specifically, the at least one first compound is 0.001 wt% to 30 wt%; 0.001 wt% to 10 wt% of the surfactant; The base is 0.001 wt% to 20 wt%, wherein the solution is diluted 1: 0 to 1: 10000 with deionized water.

상기 용액은 킬레이트제, 소포제 또는 분산제를 추가로 포함할 수 있다. The solution may further comprise a chelating agent, an antifoaming agent or a dispersing agent.

본 발명의 또 다른 구현예는 오염 잔류물의 점착 및 노출된 금속화 부위의 부식을 억제하는 반도체 웨이퍼 다이싱용 용액을 제공하며, 이는 시트르산 및 옥살산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 산 0.001wt% 내지 30wt%; 0.001wt% 내지 20wt%의 염기 및 0.001wt% 내지 10wt%의 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물; 및 실질적으로 탈이온수로 존재하는 잔여물을 포함하고; 상기 용액은 4 초과 13 미만의 pH를 가지며; 상기 용액은 탈이온수로 1:0 내지 1:10000으로 희석되는 것으로; 여기에서 상기 염기는 수산화칼륨(KOH) 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)로 이루어진 군으로부터 선택되고; 상기 계면활성제는 2차 알코올 에톡실레이트 및 2차 알칸설포네이트로 이루어진 군으로부터 선택된다.Another embodiment of the present invention provides a solution for semiconductor wafer dicing that inhibits adhesion of contaminant residues and corrosion of exposed metallization sites, which is 0.001 wt% to 30 wt% of at least one acid selected from the group consisting of citric acid and oxalic acid %; At least one compound selected from the group consisting of 0.001 wt% to 20 wt% base and 0.001 wt% to 10 wt% surfactant; And a residue substantially present in deionized water; The solution has a pH greater than 4 and less than 13; The solution is diluted 1: 0 to 1: 10000 with deionized water; Wherein said base is selected from the group consisting of potassium hydroxide (KOH) and tetramethylammonium hydroxide (TMAH); The surfactant is selected from the group consisting of secondary alcohol ethoxylates and secondary alkanesulfonates.

전도성 및 저항Conductivity and resistance

다이싱 공정 중에 웨이퍼 상에 정전하가 축적될 수 있다. 이러한 전하의 형성 및/또는 추후 정전 방전(ESD)은 웨이퍼 상의 민감한 디바이스에 손상을 줄 수 있다. 또한 정전하는 웨이퍼 표면으로 미립자들을 끌어당길 수 있다. 따라서 다이싱 공정 중에는 어떠한 정전하의 형성도 분산시키는 것이 중요하다. 정전하를 분산시키는 한 가지 방법은 낮은 저항(높은 전도성)을 갖는 다이싱 액체를 사용하는 것이다. 전도성 액체는 다이싱 중에 전하가 분산되는 통로(path)를 제공한다. 일반적으로 탈이온수(DI water)는 톱날과 웨이퍼 사이의 마찰을 감소시키기 위해 다이싱 액체로써 사용된다. 또한 탈이온수는 톱날과 웨이퍼의 마찰에 의한 과열로부터 톱날을 보호하는 냉각제로서의 역할도 한다. 그러나, 탈이온수는 높은 저항(일반적으로 약 18 megaohms)를 가지기 때문에 전하 분산을 위한 좋은 액체는 아니다. 탈이온수의 저항을 낮추기 위해 일반적으로 사용되는 방법은 CO2를 탈이온수에 주입하는 것이다. 이것이 탈이온수의 저항을 낮춤으로써 액체가 전하를 분산시키기에 더욱 좋아진다. 본 발명에 개시된 다이싱 용액은 CO2가 뿌려진 탈이온수보다 낮은 저항을 갖는다. 따라서 본 발명의 다이싱 용액은 다이싱 중에 웨이퍼 상에 형성된 전하를 분산시키기에 더 좋을 것이다. Static charges may accumulate on the wafer during the dicing process. The formation of such charges and / or subsequent electrostatic discharge (ESD) can damage sensitive devices on the wafer. Electrostatics can also attract particulates to the wafer surface. Therefore, it is important to disperse any static charge formation during the dicing process. One way to dissipate the static charge is to use a dicing liquid with low resistance (high conductivity). The conductive liquid provides a path through which charges are dispersed during dicing. DI water is generally used as dicing liquid to reduce friction between saw blades and wafers. Deionized water also serves as a coolant to protect the saw blade from overheating caused by friction between the saw blade and the wafer. However, deionized water is not a good liquid for charge dissipation because it has a high resistance (typically about 18 megaohms). A commonly used method for lowering deionized water resistance is to inject CO 2 into deionized water. This lowers the resistance of deionized water, making the liquid better at distributing charge. The dicing solution disclosed in the present invention has a lower resistance than deionized water sprayed with CO 2 . Thus, the dicing solution of the present invention will be better at dispersing the charge formed on the wafer during dicing.

표면장력 및 Surface tension and 저기포Bubble

다이싱 공정 중에는 오염 잔류물, 일반적으로 실리콘 잔류물이 웨이퍼 표면에 점착되고 Al 본드 패드와 홈 부위에 축적된다. 이러한 실리콘 미립자는 Al 본드 패드의 기능성 검사/실험을 할 때에 문제를 일으킬 수 있다. 또한 실리콘 미립자는 Al 본드 패드에 다른 금속이 결합될 때 와이어본딩을 하는 동안 불충분한 점착을 일으킬 수도 있다. 따라서 이러한 Si 잔류물을 웨이퍼 표면으로부터 제거하여야 할 필요가 있다. 일반적으로 다이싱 용액은 다이싱 공정 중에 사용된다. 다이싱 용액은 톱날과 웨이퍼 상에 분사되는 액체이다. 다이싱 용액의 한 가지 기능은 웨이퍼 표면으로부터 Si 잔류물을 제거하는 것이다. 미립자 제거를 향상시키기 위해, 다이싱 용액은 흔히 계면활성제를 포함한다. 이것은 웨이퍼의 표면이 더 잘 젖도록 다이싱 용액의 표면장력을 감소시킨다. 표면이 잘 젖으면 미립자의 제거가 향상될 것이다. 비록 희석도는 높아도, 본 발명에 개시된 다이싱 용액이 탈이온수보다 훨씬 낮은 표면장력을 가진다. 이것은 본 발명의 다이싱 용액이 탈이온수보다 더 나은 미립자 제거 능력이 있다는 것을 의미한다. 또한 본 발명에 개시된 다이싱 용액은 일반적으로 사용되는 여러 상업용 다이싱 용액들보다 더 낮은 표면장력을 가진다.During the dicing process, contaminant residues, typically silicon residues, adhere to the wafer surface and accumulate in the Al bond pads and grooves. Such silicon fine particles may cause problems when performing functional tests / tests of Al bond pads. Silicon fine particles may also cause insufficient adhesion during wirebonding when other metals are bonded to the Al bond pads. Therefore, it is necessary to remove these Si residues from the wafer surface. Dicing solutions are generally used during the dicing process. Dicing solution is a liquid that is sprayed onto the saw blade and the wafer. One function of the dicing solution is to remove Si residues from the wafer surface. To enhance particulate removal, dicing solutions often include surfactants. This reduces the surface tension of the dicing solution so that the surface of the wafer is better wetted. Wet surfaces will improve the removal of particulates. Although the dilution is high, the dicing solution disclosed herein has a much lower surface tension than deionized water. This means that the dicing solution of the present invention has a better particulate removal capability than deionized water. Dicing solutions disclosed herein also have lower surface tensions than many commercial dicing solutions commonly used.

다이싱 용액에 있는 계면활성제는 표면장력을 감소시킴으로써 더 나은 미립자 제거를 제공할 수 있지만, 계면활성제에 관해서는 '기포'라는 한 가지 문제점이 있을 수 있다. 많은 계면활성제들은 다이싱 용액에서 기포의 발생을 일으킬 것이다. 기포는 다이싱 용액의 미립자 제거 능력을 방해할 수 있다. 기포 자체는 웨이퍼 상에서 건조되며 그 자신의 미립자를 남길 수 있다. 따라서 다이싱 용액에서 가능한 한 기포가 적게 생성되는 것이 중요하다. 실제로 다이싱 기계에 대한 시험에서 본 발명에 개시된 다이싱 용액은 톱날과 웨이퍼 표면에 사용시 경쟁사 제품에 비해 적은 기포가 발생되었다. 또한 본 발명에 개시된 다이싱 용액은 재순환 탱크에 일반적으로 사용되는 상용 다이싱 용액들보다 기포를 적게 발생시켰다.Surfactants in dicing solutions can provide better particulate removal by reducing surface tension, but there may be one problem with regard to surfactants, 'bubbles'. Many surfactants will generate bubbles in the dicing solution. Bubbles can hinder the ability to remove particulates from the dicing solution. The bubbles themselves dry on the wafer and can leave their own particulates. Therefore, it is important to generate as few bubbles as possible in the dicing solution. In fact, the dicing solution disclosed in the present invention in the test on the dicing machine generated less bubbles than the competitor products when used on the saw blade and wafer surface. The dicing solution disclosed herein also produced less bubbles than commercial dicing solutions commonly used in recycle tanks.

pHpH

Al 본드 패드는 다이싱 공정 중에 흔히 노출된다. 다이싱 용액은 윤활, 냉각, 미립자 제거 등을 위해 다이싱 중에 자주 사용된다. 흔히 탈이온수가 다이싱 용액으로 사용된다. 탈이온수를 사용함에 따라 생기는 문제는, 탈이온수의 pH가 약 7이고 이러한 pH에서는 Al 부식이 일어날 것이라는 점이다. 웨이퍼를 다이싱하는 데는 일반적으로 20~30분의 시간이 요구될 수 있다. 이 시간 동안 Al 본드 패드는 Al 부식을 일으킬 수 있는 탈이온수에 노출될 것이다. 탈이온수에서의 Al 부식을 방지하는 한 가지 방법은 탈이온수에 CO2를 주입하는 것이다. 이것이 탈이온수의 pH를 약 4~4.5로 낮춘다. 이러한 pH에서 Al 부식은 최소화될 것이다. 다이싱 중에 Al 부식을 방지하는 또 다른 방법은 탈이온수의 pH를 낮추는 다이싱 용액을 사용하는 것이다. 탈이온수로 1:0 내지 1:10000으로 희석된 일반적인 다이싱에 사용되는 희석도에서, 본 발명에 개시된 다이싱 용액의 pH는 4 내지 13이다. 이러한 pH에서 다이싱 용액은 다이싱 중에 노출되는 Al 본드 패드 상의 Al 부식을 최소화할 것이다. 이는 실제 웨이퍼에 대한 평가에서 나타났다.Al bond pads are often exposed during the dicing process. Dicing solutions are often used during dicing for lubrication, cooling, particulate removal, and the like. Deionized water is often used as dicing solution. The problem with using deionized water is that the pH of the deionized water is about 7 and Al corrosion will occur at this pH. Dicing a wafer may generally require a time of 20-30 minutes. During this time the Al bond pads will be exposed to deionized water, which can cause Al corrosion. One way to prevent Al corrosion in deionized water is to inject CO 2 into deionized water. This lowers the pH of the deionized water to about 4 to 4.5. Al corrosion at this pH will be minimized. Another way to prevent Al corrosion during dicing is to use a dicing solution that lowers the pH of deionized water. At a dilution degree used for general dicing diluted 1: 0 to 1: 10000 with deionized water, the pH of the dicing solution disclosed herein is 4 to 13. At this pH the dicing solution will minimize Al corrosion on the Al bond pads exposed during dicing. This was shown in the evaluation of the actual wafers.

구리 산화물의 제거Removal of copper oxides

노출된 Cu 표면(Cu 본드 패드 또는 그 밖의 Cu 표면)을 구비한 웨이퍼가 다이싱 공정에 이르면, Cu 표면은 이전 공정 단계들에 의해 표면 상에 산화층과 오염층을 가질 수 있다. 다이싱 후에, Cu 표면은 전기 기능성 부분의 체크를 위해 실험/검사 공정을 거칠 수 있다. 실험을 하는 동안 탐침(probe tip)이 Cu 표면으로 내려와 닿는다. 이상적으로는 Cu 표면과 탐침 사이의 접촉 저항이 가능한 한 작아야 한다. 그러나, Cu 표면이 그 위에 두꺼운 산화층 및/또는 오염층을 가지고 있다면 접촉 저항이 높을 수 있고 비록 그 부분이 기능부일 수 있다 하더라도 프로브 실험은 실패하게 된다. 이러한 "그릇된 실패"가 발생하는 것을 막기 위해, 산화층과 오염층을 제거하도록 Cu 표면을 세척할 수 있고, 이에 따라 Cu 표면에 탐침이 닿을 때 Cu 표면은 가능한 한 깨끗하다. Cu 표면 상의 두꺼운 산화층 및/또는 오염층으로 인한 문제점들은 금속 와이어가 Cu 표면에 결합될 때의 와이어본딩에서도 또한 발생할 수 있다. 다시 말해서, Cu 표면이 두꺼운 산화층/오염층을 가지고 있다면, 금속 와이어는 Cu 표면에 제대로 점착되지 않을 수 있다. 따라서, Cu 표면을 세척하는 공정은 와이어본딩을 위해서도 또한 이로울 것이다. 본 발명에 개시된 다이싱 용액은 Cu 표면 밑에 에칭을 극소화 하면서도 Cu 산화물을 제거할 수 있다. 따라서 다이싱 중에 본 발명에 개시된 다이싱 용액이 사용된다면, 다이싱 공정 자체를 하는 중에 Cu 표면이 깨끗해질 수 있다. When a wafer with an exposed Cu surface (Cu bond pad or other Cu surface) reaches a dicing process, the Cu surface may have an oxide layer and a contaminating layer on the surface by previous process steps. After dicing, the Cu surface can be subjected to an experimental / inspection process to check for electrically functional portions. During the experiment, the probe tip comes down to the Cu surface and touches it. Ideally the contact resistance between the Cu surface and the probe should be as small as possible. However, if the Cu surface has a thick oxide layer and / or contaminant layer thereon, the contact resistance may be high and the probe experiment will fail even though the portion may be functional. To prevent this “false failure” from occurring, the Cu surface can be cleaned to remove the oxide and contaminant layers, so that the Cu surface is as clean as possible when the probe touches the Cu surface. Problems due to thick oxide and / or contaminant layers on the Cu surface can also occur in wirebonding when metal wires are bonded to the Cu surface. In other words, if the Cu surface has a thick oxide layer / contamination layer, the metal wire may not adhere properly to the Cu surface. Thus, the process of cleaning the Cu surface would also be beneficial for wirebonding. The dicing solution disclosed in the present invention can remove Cu oxide while minimizing etching under the Cu surface. Thus, if the dicing solution disclosed herein is used during dicing, the Cu surface can be cleared during the dicing process itself.

따라서, 우리가 기대하는 다이싱 용액은 (a) 다이싱 중에 웨이퍼 상의 전하 형성을 분산하기 더 좋게 하는 낮은 저항(높은 전도성); (b) 미립자 제거 능력을 더 좋게 하는 낮은 표면장력; (c) 보다 적은 기포 발생; (d) 다이싱 중에 노출된 Al 본드 패드 상의 Al 부식을 최소화하는 pH; 및 (e) Cu 표면 밑에 에칭을 극소화 하면서도 Cu 산화물을 제거할 수 있어야 한다. 포뮬레이션(formulations) 또는 다이싱 용액은 (a) 유기산 또는 염과 이들의 혼합물; 및 (b) 계면활성제 또는 계면활성제들의 혼합물을 포함하며, 여기에서 포뮬레이션의 pH는 4 이상이다. Thus, the dicing solutions we expect include: (a) low resistance (high conductivity) to better distribute charge formation on the wafer during dicing; (b) low surface tension for better particulate removal capacity; (c) less foaming; (d) pH to minimize Al corrosion on Al bond pads exposed during dicing; And (e) be able to remove Cu oxide while minimizing etching under the Cu surface. Formulations or dicing solutions include (a) organic acids or salts and mixtures thereof; And (b) a surfactant or mixture of surfactants, wherein the pH of the formulation is at least 4.

유기산은 미량금속(trace metal)의 제거를 향상시키거나, 유기 잔류물의 제거, pH 조정 또는 금속의 부식을 감소시키는 기능을 한다. 유기산은 옥살산, 시트르산, 말레산, 말산, 말론산, 글로콘산, 글루타르산, 아스코르브산, 포름산, 아세트산, 에틸렌 디아민, 테트라아세트산, 디에틸렌 트리아민 펜타아세트산, 안트라닐산과 같은 아미노벤조산, 푸마르산, 글리신, 알라닌, 시스타인 등을 포함하는 넓은 범위의 산으로부터 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 이들 산의 염 역시 사용될 수 있다. 이들 산/염들의 혼합물이 또한 사용될 수 있다. Organic acids serve to enhance the removal of trace metals, to remove organic residues, to adjust pH or to reduce metal corrosion. Organic acids include aminobenzoic acid, fumaric acid, such as oxalic acid, citric acid, maleic acid, malic acid, malonic acid, gluconic acid, glutaric acid, ascorbic acid, formic acid, acetic acid, ethylene diamine, tetraacetic acid, diethylene triamine pentaacetic acid, anthranilic acid, It may be selected from a wide range of acids including glycine, alanine, cysteine and the like, but is not limited thereto. Salts of these acids can also be used. Mixtures of these acids / salts may also be used.

포뮬레이션 또는 다이싱 용액은 0.001wt% 내지 30wt%(중량 대비)의 유기산/염을 포함할 수 있다. 바람직한 유기산 농도는 0.01wt% 내지 5wt%이다. 용액을 원하는 수준으로 완충하기 위해 유기산과 염의 조합도 사용될 수 있다. The formulation or dicing solution may comprise from 0.001 wt% to 30 wt% (by weight) of organic acid / salt. Preferred organic acid concentrations are 0.01 wt% to 5 wt%. Combinations of organic acids and salts may also be used to buffer the solution to the desired level.

계면활성제는 다이싱 중에 표면(날과 웨이퍼 표면)의 젖음을 향상시키기 위해 포뮬레이션에 사용된다. 이는 윤활성을 향상시키고, 날의 수명을 연장시키며 커프 손실(kerf loss)을 감소시키는 것을 도와준다. 또한 계면활성제는 표면 상에 재증착(redepositing) 되는 일 없이 표면으로부터 미립자와 잔류물을 제거할 것이다. Surfactants are used in formulations to improve the wetting of the surfaces (blade and wafer surface) during dicing. This helps to improve lubricity, prolong blade life and reduce kerf loss. The surfactant will also remove particulates and residues from the surface without redepositing on the surface.

계면활성제의 선택은 젖음 특성, 거품 특성, 세척력, 린스작용(rinsability) 등을 포함한 여러 가지 기준에 따라 달라질 수 있다. 낮은 기포 특성을 갖고 저농도에서 매우 낮은 표면장력을 갖는 계면활성제는 본 출원 발명에 대단히 바람직하다. 계면활성제들의 조합 또한 사용될 수 있는데, 여기에서 하나의 계면활성제는 낮은 가용성의 소수성 계면활성제 분자를 가용화 하는데 사용된다. 선택적인 대용매(solvo) 계면활성제 분자는 아세틸렌 디올 계면활성제와 같이 용해시키기 어려운 계면활성제의 용해도를 증가시키는데 사용될 수 있다.The choice of surfactant can depend on several criteria, including wetting properties, foaming properties, detergency, rinsability, and the like. Surfactants with low bubble properties and very low surface tension at low concentrations are highly desirable in the present invention. Combinations of surfactants can also be used, where one surfactant is used to solubilize low soluble hydrophobic surfactant molecules. Optional solvent solvent molecules may be used to increase the solubility of surfactants that are difficult to dissolve, such as acetylene diol surfactants.

음이온성, 양이온성, 비이온성, 양쪽이온성 계면활성제 또는 이들의 조합과 같이 다양한 타입의 계면활성제들이 사용될 수 있다. Various types of surfactants can be used, such as anionic, cationic, nonionic, zwitterionic surfactants, or a combination thereof.

계면활성제들의 예들은 실리콘 계면활성제, 폴리(알킬렌 옥사이드) 계면활성제, 및 플루오로화합물 계면활성제를 포함하며, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 공정의 조성물로 사용하기에 적당한 비이온성 계면활성제는 Surfynol S-61과 같은 아세틸렌 알코올 타입의 계면활성제; TRITON®X-114, X-102, X-100, X-45, 및 X-15와 같은 옥틸 및 노닐 페놀 에톡실레이트; 및 BRI® 56 (C16H33(OCH2CH2)10OH) (ICI), BRIJ® 58 (C16H33(OCH2CH2)20OH) (ICI)과 같은 알코올 에톡실레이트, 및 Tergitol 15-S-7과 같은 2차 알코올 에톡실레이트를 포함하며, 이에 한정되는 것은 아니다. 음이온성 계면활성제는 직쇄 알킬벤젠설포네이트(LAS), 2차 알킬벤젠설포네이트, 지방 알코올 설페이트(FAS), Hostapur SAS와 같은 2차 알칸설포네이트(SAS); 그리고 어떠한 경우에는 지방 알코올 에테르 설페이트(FAES)도 포함할 수 있다. Examples of surfactants include, but are not limited to, silicone surfactants, poly (alkylene oxide) surfactants, and fluorocompound surfactants. Suitable nonionic surfactants for use in the compositions of this process include surfactants of the acetylene alcohol type such as Surfynol S-61; Octyl and nonyl phenol ethoxylates such as TRITON® X-114, X-102, X-100, X-45, and X-15; And alcohol ethoxylates such as BRI® 56 (C 16 H 33 (OCH 2 CH 2 ) 10 OH) (ICI), BRIJ® 58 (C 16 H 33 (OCH 2 CH 2 ) 20 OH) (ICI), and Secondary alcohol ethoxylates such as, but not limited to, Tergitol 15-S-7. Anionic surfactants include linear alkylbenzenesulfonates (LAS), secondary alkylbenzenesulfonates, fatty alcohol sulfates (FAS), secondary alkanesulfonates (SAS) such as Hostapur SAS; And in some cases fatty alcohol ether sulfate (FAES).

계면활성제의 추가적인 예들은 Dynol®604와 같은 아세틸렌 디올 타입의 계면활성제, 1차 알코올 에톡실레이트, 페닐 에톡실레이트, 아민 에톡실레이트, 글루코시드, 글루카마이드, 글루카마이드, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리(에틸렌 글리콜-코-프로필렌 글리콜); 다음의 참고문헌에 제시된 그 밖의 계면활성제들을 포함한다: McCutcheon's Emulsifiers and Detergents , North American Edition for the Year 2000 published by Manufacturers Confectioners Publishing Co . of Glen Rock , N.J..Additional examples of surfactants include acetylene diol type surfactants such as Dynol®604, primary alcohol ethoxylates, phenyl ethoxylates, amine ethoxylates, glucosides, glucamides, glucamides, polyethylene glycols, poly (Ethylene glycol-co-propylene glycol); Other surfactants set forth in the following references are included:McCutcheon's Emulsifiers and Detergents , North American Edition for the Year 2000 published by Manufacturers Confectioners Publishing Co . of Glen Rock , NJ.

포뮬레이션 또는 다이싱 용액은 0.001wt% 내지 10wt%의 농도 범위, 또는 바람직하게는 0.01wt% 내지 5wt%의 농도 범위를 갖는 계면활성제를 포함할 수 있다. 본 출원에 바람직한 계면활성제는 2차 알코올 에톡실레이트, 구체적인 예들은 Dow Chemicals의 Tergitol 15-S-7; Hostapur SAS와 같은 2차 알칸설포네이트(SAS); Surfynol S-61과 같은 아세틸렌 알코올; 및 TRITON®X 시리즈와 같은 옥틸 및 노닐 페톨 에실시레이트이다. The formulation or dicing solution may comprise a surfactant having a concentration range of 0.001 wt% to 10 wt%, or preferably of 0.01 wt% to 5 wt%. Preferred surfactants for the present application are secondary alcohol ethoxylates, specific examples are Tergitol 15-S-7 from Dow Chemicals; Secondary alkanesulfonates (SAS) such as Hostapur SAS; Acetylene alcohols such as Surfynol S-61; And octyl and nonyl phentol ecylates such as the TRITON®X series.

포뮬레이션 또는 다이싱 용액은 포뮬레이션의 pH를 원하는 수준(4 이상)으로 조절하기 위해 염기를 추가로 포함할 수 있다. 세척 용액은 4 초과 13 미만의 pH를 가질 수 있다. The formulation or dicing solution may further comprise a base to adjust the pH of the formulation to the desired level (4 or more). The wash solution may have a pH greater than 4 and less than 13.

염기는 수산화칼륨(KOH), 구아니딘 카보네이트(guanidiene carbonate), 암모니아수, 수산화암모늄 및 4차 수산화암모늄을 포함한 화합물들의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 유기 염기도 따로 혹은 다른 염기와 함께 사용될 수 있다.The base may be selected from a range of compounds including but not limited to potassium hydroxide (KOH), guanidiene carbonate, aqueous ammonia, ammonium hydroxide and quaternary ammonium hydroxide. Organic bases may also be used separately or in combination with other bases.

4차 암모늄 염의 구체적인 예들은 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄 하이드록사이드 및 (1-하이드록시프로필)트리메틸암모늄 하이드록사이드를 포함한다. Specific examples of quaternary ammonium salts include tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, trimethylethylammonium hydroxide, (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide , (2-hydroxyethyl) triethylammonium hydroxide, (2-hydroxyethyl) tripropylammonium hydroxide and (1-hydroxypropyl) trimethylammonium hydroxide.

포뮬레이션 또는 다이싱 용액은 0.001wt% 내지 20wt%의 농도 범위를 갖는 염기를 포함할 수 있다. The formulation or dicing solution may comprise a base having a concentration range of 0.001 wt% to 20 wt%.

포뮬레이션 또는 다이싱 용액은 킬레이트제를 포함할 수 있다. 킬레이트제는 안트라닐산과 같은 아미노벤조산, 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA), N-하이드록시에틸에틸렌디아민트리아세트산(NHEDTA), 니트릴로트리아세트산(NTA), 디에틸렌트리아민펜타아세트산(DPTA), 에탄올디글리시네이트, 시트르산, 글루콘산, 옥살산, 인산, 타르타르산, 메틸디포스폰산, 아미노트리스메틸렌포스폰산, 에틸리덴-디포스폰산, 1-하이드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산,1-하이드록시프로필리덴-1,1-디포스폰산, 에틸아미노비스메틸렌포스폰산, 도데실아미노비스메틸렌포스폰산, 니트릴로트리스메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민비스메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민테트라키스메틸렌포스폰산, 헥사디아민테트라키스메틸렌포스폰산, 디에틸렌트리아민펜타메틸렌포스폰산 및 1,2-프로판디아민테트라메틸렌포스폰산 또는 암모늄염, 유기 아민염, 말론산, 숙신산, 디메르캅토 숙신산, 글루타르산, 말레산, 프탈산, 푸마르산, 트리카바릴산과 같은 폴리카복실산, 프로판-1,1,2,3-테트라카복실산, 부탄-1,2,3,4-테트라카복실산, 피로멜리트산, 글리콜산과 같은 옥시카복실산, β-하이드록시프로피온산, 시트르산, 말산, 타르타르산, 피루브산, 디글리콜산, 살리실산, 갈산, 카테콜과 같은 폴리페놀, 피로갈롤, 피로인산과 같은 인산, 폴리인산, 8-옥시퀴놀린과 같은 헤테로고리 화합물, 에틸렌 글리콜, 글리세롤 및 α-디피리딜 아세틸아세톤과 같은 디케톤으로부터 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The formulation or dicing solution may comprise a chelating agent. Chelating agents include aminobenzoic acid such as anthranilic acid, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), N-hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (NHEDTA), nitrilotriacetic acid (NTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DPTA), ethanoldi Glycinate, citric acid, gluconic acid, oxalic acid, phosphoric acid, tartaric acid, methyldiphosphonic acid, aminotrismethylenephosphonic acid, ethylidene-diphosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, 1 -Hydroxypropylidene-1,1-diphosphonic acid, ethylaminobismethylenephosphonic acid, dodecylaminobismethylenephosphonic acid, nitrilotrismethylenephosphonic acid, ethylenediaminebismethylenephosphonic acid, ethylenediaminetetrakisethylenemethylenephosphonic acid Hexadiaminetetrakisethylenemethylenephosphonic acid, diethylenetriaminepentamethylenephosphonic acid and 1,2-propanediaminetetramethylenephosphonic acid or ammonium salt, organic amine salt, Polycarboxylic acids such as malonic acid, succinic acid, dimercapto succinic acid, glutaric acid, maleic acid, phthalic acid, fumaric acid, tricarbaric acid, propane-1,1,2,3-tetracarboxylic acid, butane-1,2,3,4 Oxycarboxylic acids such as tetracarboxylic acid, pyromellitic acid, glycolic acid, β-hydroxypropionic acid, citric acid, malic acid, tartaric acid, pyruvic acid, diglycolic acid, salicylic acid, gallic acid, polyphenols such as catechol, pyrogallol, pyrophosphoric acid Phosphoric acid, polyphosphoric acid, heterocyclic compounds such as 8-oxyquinoline, diketones such as ethylene glycol, glycerol and α-dipyridyl acetylacetone, but are not limited thereto.

포뮬레이션 또는 다이싱 용액은 0.001wt% 내지 10wt%의 농도 범위를 갖는 킬레이트제를 포함할 수 있다.The formulation or dicing solution may comprise a chelating agent having a concentration range of 0.001 wt% to 10 wt%.

포뮬레이션 또는 다이싱 용액은 소포제를 포함할 수 있다. 소포제는 실리콘, 유기 인산염, 폴리에틸렌 글리콜과 플리프로필렌 글리콜 공중합체를 포함하는 소포제 기반의 EO/PO, 알코올, 백색유 또는 식물유, 왁스, 장쇄 지방 알코올, 지방산 비누 또는 에스테르로부터 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. The formulation or dicing solution may comprise an antifoam. Antifoaming agents may be selected from antifoaming agents based EO / PO, alcohols, white oils or vegetable oils, waxes, long chain fatty alcohols, fatty acid soaps or esters, including, but not limited to, silicones, organic phosphates, polyethylene glycols and polypropylene glycol copolymers It doesn't happen.

포뮬레이션은 0.001wt% 내지 5wt%의 농도 범위를 갖는 소포제를 포함할 수 있다. The formulation may comprise an antifoaming agent having a concentration range of 0.001 wt% to 5 wt%.

포뮬레이션 또는 다이싱 용액은 분산제를 포함할 수 있다. 분산제는 음이온성 분산제, 비이온성 분산제, 양이온성 분산제, 양쪽성 분산제; 및 공중화된 성분으로써 아크릴산을 포함하는 폴리머 분산제로부터 선택될 수 있고, 이에 한정되는 것은 아니다. The formulation or dicing solution may comprise a dispersant. Dispersants include anionic dispersants, nonionic dispersants, cationic dispersants, amphoteric dispersants; And a polymer dispersant including acrylic acid as the vaccinated component, but is not limited thereto.

가용성 음이온성 분산제의 예들은 트리에탄올아민 라우릴설페이트, 암모늄 라우릴설페이트, 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르 트리에탄올아민 설페이트, 그리고 특히 폴리카복실산 타입의 폴리머 분산제를 포함한다. 가용성 비이온성 분산제의 예들은 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 세틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일 에테르, 폴리옥시에틸렌 고급 알코올 에테르, 폴리옥시에틸렌 옥틸 페닐 에테르, 폴리옥시에틸렌 노닐 페닐 에테르, 폴리옥시에틸렌 유도체, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 트리스테아레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노올레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 트리올레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비트 테트라올레이트, 폴리에틸렌 글리콜 모노라우레이트, 폴리에틸렌 글리콜 모노스테아레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디스테아레이트, 폴리에틸렌 글리콜 모노올레이트, 폴리옥시에틸렌 알킬아민, 폴리옥시에틸렌 경화 피마자유, 및 알킬알카놀아마이드를 포함한다. 가용성 양이온성 분산제의 예들은 폴리비닐피롤리돈, 코코넛아민 아세테이트, 및 스테아릴아민 아세테이트를 포함한다. 가용성 양쪽성 분산제의 예들은 라우릴베타인, 스테아릴베타인, 파우릴디메틸아민 옥사이드, 및 2-알킬-N-카복시메틸-N-하이드록시에틸이미다졸리늄 베타인을 포함한다. Examples of soluble anionic dispersants include triethanolamine lauryl sulfate, ammonium lauryl sulfate, polyoxyethylene alkyl ether triethanolamine sulfate, and especially polymer dispersants of the polycarboxylic acid type. Examples of soluble nonionic dispersants include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene higher alcohol ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxy Ethylene nonyl phenyl ether, polyoxyethylene derivative, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan tristearate, polyoxyethylene sorbate Non-elastic monooleate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbet tetraoleate, polyethylene glycol monolaurate, polyethylene glycol monostearate, polyethylene glycol distearate, polyethylene glycol monooleate, poly Reoxyethylene alkylamine, polyoxyethylene cured castor oil, and alkylalkanolamides. Examples of soluble cationic dispersants include polyvinylpyrrolidone, coconut amine acetate, and stearylamine acetate. Examples of soluble amphoteric dispersants include laurylbetaine, stearylbetaine, paulyldimethylamine oxide, and 2-alkyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethylimidazolinium betaine.

포뮬레이션은 0.001wt% 내지 5wt%의 농도 범위를 갖는 분산제를 포함한다. The formulation includes a dispersant having a concentration range of 0.001 wt% to 5 wt%.

다이싱의 사용에 있어서, 포뮬레이션은 추후 편의상 공정 툴에서 탈이온수로 대략 1:0 내지 1:10000으로 희석될 수 있다. 상기 혼합물은 웨이퍼를 개개의 다이로 자르는 다이싱 기계로 주입된다. 상기 다이싱 기계는 상기 혼합물을 웨이퍼의 표면 상에 뿌리는 스프레이 노즐을 갖는다. 상기 혼합물은 실온에서(일반적으로 약 25℃) 주입된다. 그 후 상기 혼합물은 웨이퍼 표면에 흘러나가서 배수로로 흘러 내려가거나 여과기를 통해 재순환되며 재차 웨이퍼 표면 상에 뿌려진다. 이러한 구조는 도 1에 간략한 도식으로 나타내었다. In the use of dicing, the formulation may later be diluted approximately 1: 0 to 1: 10000 with deionized water in the process tool for convenience. The mixture is injected into a dicing machine that cuts the wafer into individual dies. The dicing machine has a spray nozzle that sprays the mixture onto the surface of the wafer. The mixture is injected at room temperature (generally about 25 ° C.). The mixture then flows out onto the wafer surface and down into the drain or recycles through a filter and is again sprayed onto the wafer surface. This structure is shown in a simplified diagram in FIG.

도 1은 본 발명에 사용된 절삭에 의한 웨이퍼 다이싱을 위한 일반적인 장치를 나타낸다. 60000RPM의 다이아몬드-팁 휠을 구비한 NANOACE 절삭 툴, 및 약 30분/웨이퍼에서 x/y 다이싱 공정조건의 시험용 톱이 사용되며, 이송 속도(feed rate)는 약 5mm/s이다. 희석된 다이싱 용액은 노즐로부터 약 0.22 lit/min의 유동 속도로 주입된다. 웨이퍼 표면 상의 다이싱 용액과 탈이온수의 온도는 실온이다(20℃ 내지 30℃). 다이싱 용액은 절삭하는 동안 지속적으로 주입된다. 1 shows a general apparatus for wafer dicing by cutting used in the present invention. A NANOACE cutting tool with a diamond-tip wheel of 60000 RPM and a test saw for the x / y dicing process at about 30 minutes / wafer are used and the feed rate is about 5 mm / s. Diluted dicing solution is injected from the nozzle at a flow rate of about 0.22 lit / min. The temperature of dicing solution and deionized water on the wafer surface is room temperature (20 ° C to 30 ° C). Dicing solution is continuously injected during cutting.

웨이퍼는 절삭 후에 탈이온수와 스펀지로 세척된다. 그리고 나서 스핀 린스 모듈(spin rinse module) 내에서 탈이온수로 헹구어지고 청정건조공기(CDA)로 탈수된다. The wafer is cleaned with deionized water and sponge after cutting. It is then rinsed with deionized water in a spin rinse module and dewatered with clean dry air (CDA).

웨이퍼는 절삭 전에 세척 용액으로 세척될 수 있다(전-처리). 세척 용액의 하나의 예들은 N,N-디메틸아세트아마이드(DMAC), 암모늄 아세테이트, 아세트산(빙상 결정), 암모니아 플루오라이드(NH4F) 및 실질적으로 탈이온수로 존재하는 잔여물을 포함한다.Wafers can be cleaned with a cleaning solution prior to cutting (pre-treatment). One example of a wash solution includes N, N-dimethylacetamide (DMAC), ammonium acetate, acetic acid (ice crystal), ammonia fluoride (NH 4 F) and a residue present substantially in deionized water.

도 1은 절삭에 의한 웨이퍼 다이싱을 위한 일반적인 장치를 나타낸 도식이다.
도 2(a) 및 (b)는 다이싱 용액 38A 대 수돗물에 대한 갈바닉 전류 밀도를 나타낸 것이다.
도 3(a)는 볼 그리드 어레이(BGA) 상에서의 다이싱 용액 38A 대 탈이온수에 대한 평균 커프 크기(mm)를 나타낸 것이다.
도 3(b)는 세라믹 상에서의 다이싱 용액 38A 대 탈이온수에 대한 평균 커프 크기(mm)를 나타낸 것이다.
도 3(c)는 실리콘 웨이퍼 상에서의 다이싱 용액 38A 대 탈이온수에 대한 평균 커프 크기(mm)를 나타낸 것이다.
도 4(a)는 볼 그리드 어레이(BGA) 상에서의 다이싱 용액 38A 대 탈이온수에 대한 평균 칩 및 버르(burr) 크기를 나타낸 것이다.
도 4(b)는 세라믹 상에서의 다이싱 용액 38A 대 탈이온수의 평균 칩 및 버르 크기를 나타낸 것이다.
도 4(c)는 실리콘 웨이퍼 상에서의 다이싱 용액 38A 대 탈이온수의 평균 칩 및 버르 크기를 나타낸 것이다.1 is a schematic of a general apparatus for wafer dicing by cutting.
2 (a) and 2 (b) show a dicing solution 38Aversus The galvanic current density for tap water is shown.
3 (a) shows dicing solution 38A on a ball grid array (BGA).versus Average cuff size (mm) for deionized water is shown.
3 (b) shows dicing solution 38A on ceramic.versus Average cuff size (mm) for deionized water is shown.
3 (c) shows a dicing solution 38A on a silicon wafer.versus Average cuff size (mm) for deionized water is shown.
4 (a) shows dicing solution 38A on a ball grid array (BGA).versus Average chip and burr sizes for deionized water are shown.
4 (b) shows dicing solution 38A on ceramic.versus The average chip and burr size of deionized water is shown.
4C shows dicing solution 38A on a silicon wafer.versus The average chip and burr size of deionized water is shown.

실시예Example

그룹 IGroup I

물(95.28wt%), 시트르산(2wt%), 수산화칼륨(KOH)(0.72wt%), 및 Tergitol 15-S-7(2wt%)을 포함하는 다이싱 용액 38A을 제조하였다.A dicing solution 38A was prepared comprising water (95.28 wt%), citric acid (2 wt%), potassium hydroxide (KOH) (0.72 wt%), and Tergitol 15-S-7 (2 wt%).

pH를 6으로 조정하기 위해 물(>90wt%), Hostapur SAS(1wt%), Dynol 604(0.5wt%), 시트르산(2wt%) 및 수산화칼륨(KOH)(<7.5wt%)을 포함하는 다이싱 용액 38B를 다이싱 용액 38A와 마찬가지로 제조하였다.Die containing water (> 90 wt%), Hostapur SAS (1 wt%), Dynol 604 (0.5 wt%), citric acid (2 wt%) and potassium hydroxide (KOH) (<7.5 wt%) to adjust pH to 6 Singh solution 38B was prepared in the same manner as dicing solution 38A.

pH를 6으로 조정하기 위해 물(>90wt%), Triton X-100(2wt%), 시트르산(2wt%), 및 수산화칼륨(KOH)(<6wt%)을 포함하는 다이싱 용액 38C를 다이싱 용액 38A와 마찬가지로 제조하였다. Dicing a dicing solution 38C comprising water (> 90 wt%), Triton X-100 (2 wt%), citric acid (2 wt%), and potassium hydroxide (KOH) (<6 wt%) to adjust the pH to 6 Prepared as in solution 38A.

pH를 7로 조정하기 위해 물(>90wt%), 에틸렌 디아민테트라아세트산(2wt%), Tergitol 15-S-7(2wt%), 및 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(<6wt%)을 포함하는 다이싱용액 38D를 다이싱 용액 38A와 마찬가지로 제조하였다. Die containing water (> 90 wt%), ethylene diaminetetraacetic acid (2 wt%), Tergitol 15-S-7 (2 wt%), and tetraethylammonium hydroxide (<6 wt%) to adjust pH to 7 The fresh solution 38D was prepared in the same manner as the dicing solution 38A.

물(>90wt%), 글리신(2wt%), 및 Tergitol 15-S-7(2wt%)를 포함하는 다이싱용액 38E를 다이싱용액 38A와 마찬가지로 제조하였다 A dicing solution 38E containing water (> 90 wt%), glycine (2 wt%), and Tergitol 15-S-7 (2 wt%) was prepared in the same manner as dicing solution 38A.

그리고 나서 전술한 포뮬레이션 또는 다이싱 용액을 편의상 공정 툴에서 탈이온수로 대략 1:0 내지 1:10000으로 희석하였다.The formulation or dicing solution described above was then diluted approximately 1: 0 to 1: 10000 with deionized water in the process tool for convenience.

탈이온수 내에 2.0wt% 시트르산을 포함하는 다이싱 용액 58A을 다음과 같이 제조하였다: 1리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 29wt% 시트르산 용액 69.0gm을 첨가하였다. 10.04wt% Hostapur SAS 계면활성제 용액 18.7gm을 상기 보틀에 첨가하였다. 총 908.9gm의 탈이온수를 상기 보틀에 첨가하였다. pH 조정을 위해 48wt% KOH 용액 3.4gm을 첨가하여 최종 중량이 1000.0gm이 되게 하였다. 상기 보틀의 뚜껑을 덮고 흔들었다. 상기 다이싱 용액의 pH는 2.66인 것으로 측정되었다. 그 다음 상기 다이싱 용액을 탈이온화수로 1:1000으로 희석시켰다. 희석되지 않은 다이싱 용액 58A와 희석된 다이싱 용액 58A의 pH, 전도성, 저항, 및 표면장력을 표 1에 나타내었다.A dicing solution 58A comprising 2.0 wt% citric acid in deionized water was prepared as follows: 69.0 gm of 29 wt% citric acid solution was added to a 1 liter HDPE poly-bottle. 18.7 gm of 10.04 wt% Hostapur SAS surfactant solution was added to the bottle. A total of 908.9 gm of deionized water was added to the bottle. 3.4 gm of 48 wt% KOH solution was added for pH adjustment to a final weight of 1000.0 gm. The bottle was capped and shaken. The pH of the dicing solution was determined to be 2.66. The dicing solution was then diluted 1: 1000 with deionized water. The pH, conductivity, resistance, and surface tension of the undiluted dicing solution 58A and the diluted dicing solution 58A are shown in Table 1.

탈이온수 내에 2.0wt% 옥살산 및 0.5wt% 시트르산을 포함하는 다이싱 용액 58B을 다음과 같이 제조하였다: 1리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 물속에 8.2wt% 옥살산을 포함하는 수용액 243.3gm을 첨가하였다. 상기의 같은 1리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 29wt% 시트르산 용액 17.2gm을 첨가하였다. 상기 보틀에 10.04wt% Hostapur SAS 용액 18.7gm을 첨가하였다. 총 694.0gm의 탈이온수를 상기 보틀에 첨가하였다. pH 조정을 위해 48wt% KOH 용액 26.8gm을 첨가하여 최종 중량이 1000.0gm이 되게 하였다. 상기 보틀의 뚜껑을 덮고 흔들었다. 상기 다이싱 용액의 pH는 2.54인 것으로 측정되었다. 그 다음 상기 다이싱 용액을 탈이온화수로 1:1000으로 희석시켰다. 희석되지 않은 다이싱 용액 58B와 희석된 다이싱 용액 58B의 pH, 전도성, 저항, 및 표면장력을 표 1에 나타내었다.Dicing solution 58B comprising 2.0 wt% oxalic acid and 0.5 wt% citric acid in deionized water was prepared as follows: To a 1 liter HDPE poly-bottle was added 243.3 gm of an aqueous solution containing 8.2 wt% oxalic acid in water. 17.2 gm of 29 wt% citric acid solution was added to the same 1 liter HDPE poly-bottle. 18.7 gm of 10.04 wt% Hostapur SAS solution was added to the bottle. A total of 694.0 gm of deionized water was added to the bottle. 26.8 gm of 48 wt% KOH solution was added for pH adjustment to a final weight of 1000.0 gm. The bottle was capped and shaken. The pH of the dicing solution was determined to be 2.54. The dicing solution was then diluted 1: 1000 with deionized water. The pH, conductivity, resistance, and surface tension of the undiluted dicing solution 58B and the diluted dicing solution 58B are shown in Table 1.

탈이온수 내에 2.0wt% 시트르산을 포함하는 다이싱 용액 58C을 다음과 같이 제조하였다: 1리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 29wt% 시트르산 69.0gm을 첨가하였다. 순수한 Tergitol 15-S-7 계면활성제 10.0gm을 상기 보틀에 첨가하였다. 총 918.0gm의 탈이온수를 상기 보틀에 첨가하였다. pH 조정을 위해 48wt% KOH 용액 3.0gm을 첨가하여 최종 중량이 1000.0gm이 되게 하였다. 상기 보틀의 뚜껑을 덮고 흔들었다. 상기 다이싱 용액의 pH는 2.52인 것으로 측정되었다. 그 다음 상기 다이싱 용액을 탈이온화수로 1:1000으로 희석시켰다. 희석되지 않은 다이싱 용액 58C와 희석된 다이싱 용액 58C의 pH, 전도성, 저항, 및 표면장력을 표 1에 나타내었다.A dicing solution 58C containing 2.0 wt% citric acid in deionized water was prepared as follows: 69.0 gm of 29 wt% citric acid was added to a 1 liter HDPE poly-bottle. 10.0 gm of pure Tergitol 15-S-7 surfactant was added to the bottle. A total of 918.0 gm of deionized water was added to the bottle. 3.0 gm of 48 wt% KOH solution was added for pH adjustment to a final weight of 1000.0 gm. The bottle was capped and shaken. The pH of the dicing solution was determined to be 2.52. The dicing solution was then diluted 1: 1000 with deionized water. The pH, conductivity, resistance, and surface tension of the undiluted dicing solution 58C and the diluted dicing solution 58C are shown in Table 1.

2wt% 시트르산, 0.72wt% KOH, 1wt% Tergitol 15-S-7 및 96.86wt% 물을 포함하는 다이싱 용액 59C를 58C와 마찬가지로 제조하였으며, 다만 pH는 3.96으로 조정하였다. 상기 다이싱 용액을 탈이온수로 1:1000으로 희석시켰다. 희석되지 않은 다이싱 용액 59C와 희석된 다이싱 용액 59C의 pH, 전도성, 저항, 및 표면장력을 표 1에 나타내었다.A dicing solution 59C containing 2 wt% citric acid, 0.72 wt% KOH, 1 wt% Tergitol 15-S-7 and 96.86 wt% water was prepared in the same manner as 58C, except that the pH was adjusted to 3.96. The dicing solution was diluted 1: 1000 with deionized water. The pH, conductivity, resistance, and surface tension of the undiluted dicing solution 59C and the diluted dicing solution 59C are shown in Table 1.

다이싱Dicing 용액 solution 다이싱 용액Dicing solution 희석도Dilution pHpH 전도성
(uS/cm)conductivity
(uS / cm) 저항
(M-cm)resistance
(M-cm) 표면장력
(dynes/cm)Surface tension
(dynes / cm) 탈이온수Deionized water 없음none 77 0.710.71 1.411.41 7373 38A38A 희석되지 않음Not diluted 5.715.71 2352923529 0.0000420.000042 31.231.2 38A38A 1:501:50 6.466.46 769769 0.00130.0013 31.331.3 1:1001: 100 6.546.54 367367 0.00270.0027 31.431.4 1:2501: 250 6.586.58 169169 0.00590.0059 31.831.8 1:5001: 500 6.586.58 77.277.2 0.0130.013 32.632.6 1:10001: 1000 6.486.48 39.639.6 0.0250.025 34.734.7 58A58A 희석되지 않음Not diluted 2.662.66 37103710 0.000270.00027 31.631.6 1:10001: 1000 4.094.09 39.739.7 0.0250.025 75.175.1 58B58B 희석되지 않음Not diluted 2.542.54 2150021500 0.0000470.000047 29.029.0 1:10001: 1000 3.973.97 72.872.8 0.0140.014 74.974.9 58C58C 희석되지 않음Not diluted 2.522.52 31003100 0.000320.00032 31.531.5 1:10001: 1000 3.933.93 38.938.9 0.0260.026 42.142.1 59C59C 희석되지 않음Not diluted 3.963.96 1049010490 0.0000950.000095 측정되지 않음Not measured 1:10001: 1000 4.564.56 24.5824.58 0.0410.041 44.944.9 60C60C 희석되지 않음Not diluted 4.654.65 1518015180 0.0000660.000066 30.830.8 1:10001: 1000 5.135.13 26.3426.34 0.0380.038 44.144.1

2wt% 시트르산, 1.04wt% KOH, 1wt% Tergitol 15-S-7 및 95.96wt% 물을 포함하는 다이싱 용액 60C를 58C와 마찬가지로 제조하였으며, 다만 pH는 4.65로 조정하였다. 그 다음 다이싱 용액을 탈이온화수로 1:1000으로 희석시켰다. 희석되지 않은 다이싱 용액 60C와 희석된 다이싱 용액 60C의 pH, 전도성, 저항, 및 표면장력을 표 1에 나타내었다.A dicing solution 60C containing 2 wt% citric acid, 1.04 wt% KOH, 1 wt% Tergitol 15-S-7 and 95.96 wt% water was prepared in the same manner as for 58C, but the pH was adjusted to 4.65. The dicing solution was then diluted 1: 1000 with deionized water. The pH, conductivity, resistance, and surface tension of the undiluted dicing solution 60C and the diluted dicing solution 60C are shown in Table 1.

희석되지 않은 다이싱 용액 및 다양한 비율에서 탈이온수로 희석된 다이싱 용액의 pH, 전도성(㎲/cm), 저항(MΩ-cm), 표면장력(dynes/cm)을 표 1에 나타내었다. 또한 탈이온수 역시 표 1에 기준(reference)으로 나타내었다. The pH, conductivity (, / cm), resistance (MΩ-cm), and surface tension (dynes / cm) of the undiluted dicing solution and the dicing solution diluted with deionized water at various ratios are shown in Table 1. Deionized water is also shown in Table 1 as reference.

표 1에는 다이싱에 사용되는 일반적인 희석도에서 다이싱 용액의 pH가 4 내지 6.5임을 보여준다. 이러한 pH에서 다이싱 용액은 다이싱 중에 노출되는 Al 본드 패드 상의 Al 부식을 최소화할 것이다. Table 1 shows that the dicing solution has a pH of 4 to 6.5 at the general dilution used for dicing. At this pH the dicing solution will minimize Al corrosion on the Al bond pads exposed during dicing.

전술한 바와 같이, 본 발명의 정전하를 분산시키는 방법은 낮은 저항(높은 전도성)을 갖는 다이싱 용액을 사용하는 것이다. 전도성 다이싱 용액은 다이싱 중에 전하가 분산되도록 하는 통로를 제공한다. 다이싱 용액 38A은 낮은 저항과 높은 전도성을 가지기 때문에, 다이싱 중에 웨이퍼 상의 전하 형성을 분산시키는 데에 더욱 좋다. As mentioned above, the method of dispersing the electrostatic charge of the present invention is to use a dicing solution having a low resistance (high conductivity). The conductive dicing solution provides a passageway through which charge can be dispersed during dicing. Since dicing solution 38A has low resistance and high conductivity, it is better at dispersing charge formation on the wafer during dicing.

또한, 다이싱 공정 중에, 더 낮은 표면장력을 갖는 다이싱 용액이 웨이퍼의 표면에 더 잘 젖는다. 표면의 젖음이 더 좋으면 미립자 제거가 향상될 것이다. In addition, during the dicing process, the dicing solution with lower surface tension is better wetted to the surface of the wafer. Better wetting of the surface will improve particulate removal.

다양한 비율에서 탈이온수로 희석된 대부분의 다이싱 용액의 표면장력을 표 1에 나타내었다. 20℃에서 73dynes/cm인 탈이온수과 비교했을 때, 표 1의 데이터는 대부분의 다이싱 용액이 탈이온수보다 더 나은 미립자 제거 능력을 가지고 있음을 보여준다. Table 1 shows the surface tensions of most dicing solutions diluted with deionized water at various ratios. Compared to deionized water, 73 dynes / cm at 20 ° C., the data in Table 1 show that most dicing solutions have better particulate removal than deionized water.

그룹 group IIII

하기 실험들은 다이싱 공정을 시뮬레이션하기 위해 비커와 교반봉(stir bars)을 사용하여 수행하였다. The following experiments were performed using beakers and stir bars to simulate the dicing process.

다이싱 용액 38A, 58A, 58B, 58C, 59C 및 60C를 1:50 내지 1:1000으로 희석하고 CuOx 제거 실험을 하였다. 상기 실험들은 두 개의 그룹으로 수행하였다. 그룹 1은 다이싱 용액 38A에 관한 것이고, 그룹 2는 나머지 다이싱 용액들에 관한 것이다. 모든 실험 데이터는 표 2에 나타내었다. Dicing solutions 38A , 58A, 58B, 58C, 59C and 60C were diluted 1:50 to 1: 1000 and subjected to CuOx removal experiments. The experiments were performed in two groups. Group 1 relates to dicing solution 38A and Group 2 relates to the remaining dicing solutions. All experimental data is shown in Table 2.

다이싱Dicing 용액 38A Solution 38A

본 실험에서 실험한 웨이퍼는 Cu/열산화물/Si를 구비한 블랭킷 웨이퍼(blanket wafer)였다. 비커 내에 웨이퍼 액침(immersion)이 20분간 지속되도록 설치하였다. The wafer tested in this experiment was a blanket wafer with Cu / thermal oxide / Si. The wafer immersion was installed in the beaker for 20 minutes.

Cu 산화물 제거 실험은 다음과 같이 수행하였다. 다이싱 용액 38A의 비커를 자성 교반봉으로 교반시켰다. 플라스틱 집게로 Cu 웨이퍼 한 조각을 담아 다이싱 용액 38A에 액침시켰다. 다이싱 용액 38A의 온도는 25℃로 유지시켰다. 다이싱 용액 38A에 액침 시킨 지 20분 후, Cu 웨이퍼 세그먼트(segment)가 다이싱 용액 38A로부터 제거되었으며, 30초간 탈이온수로 헹구었다. 그리고 나서 N2로 탈이온수를 날려 Cu 웨이퍼 조각을 건조시켰다. Cu oxide removal experiments were performed as follows. The beaker of dicing solution 38A was stirred with a magnetic stir bar. One piece of Cu wafer was immersed in a dicing solution 38A with plastic tongs. The temperature of the dicing solution 38A was kept at 25 ° C. After 20 minutes of immersion in dicing solution 38A, the Cu wafer segment was removed from dicing solution 38A and rinsed with deionized water for 30 seconds. Then deionized water was blown with N 2 to dry the Cu wafer pieces.

타원편광(Ellipsometry) 실험은 Cu 산화물 두께를 측정하기 위해 타원편광계 상의 모형을 사용하여 수행하였다. 데이터는 표 2에 나타내었다. Cu 산화물의 처음 두께는 175Å이었다. Ellipsometry experiments were performed using a model on an ellipsoidal polarimeter to measure Cu oxide thickness. The data is shown in Table 2. The initial thickness of Cu oxide was 175 GPa.

상기 실험에서, Cu 산화물 두께는 다이싱 용액 38A에 액침하기 전과 액침한 후의 각각의 웨이퍼에 대해 측정하였다. In this experiment, Cu oxide thickness was measured for each wafer before and after immersion in dicing solution 38A.

희석되지 않은 다이싱 용액 38A에 대한 에칭률은 측정할 수 없었는데, 이는 Cu 산화물이 완전히 제거되었기 때문이다. Cu 산화물이 처음 5분 내에 제거되었는지 아니면 제거되는 데에 20분 전부가 걸렸는지는 알 수 없다. 최소한 농축된 다이싱 용액 38A에 대한 Cu 산화물 에칭률은 적어도 175Å/20min = 8.75 Å/min이지만, 에칭률이 이보다 높을 가능성도 매우 있다. The etch rate for the undiluted dicing solution 38A could not be measured because the Cu oxide was completely removed. It is not known whether Cu oxide was removed in the first five minutes or if it took all 20 minutes to remove. The Cu oxide etch rate for at least the concentrated dicing solution 38A is at least 175 kPa / 20 min = 8.75 kPa / min, but it is very likely that the etch rate is higher than this.

Cu 웨이퍼 표면의 실리콘 잔류물/미립자 점착과 표면 산화를 방지하기 위해서는 탈이온수 만으로 또는 전-처리용 세척 용액과 함께 사용하는 것은 효과적이지 않다. 표 2에 나타낸 바와 같이, 절삭에 의한 웨이퍼 다이싱 중에 다이싱 용액 38A을 사용하더라도, 산화층의 형성이 억제되고, Cu 웨이퍼 표면에 실리콘 잔류물/미립자들의 접착이 방지되며, 그리고 Cu 표면 밑에 작은 에칭을 갖고 있는 Cu 산화물의 제거도 가능하다. 따라서 다이싱 용액 38A가 다이싱 중에에 사용되면 Cu 표면은 다이싱 공정 중에 그 자체로 세척될 수 있다. In order to prevent silicon residue / particulate adhesion and surface oxidation of the Cu wafer surface, it is not effective to use with deionized water alone or with pre-treatment cleaning solutions. As shown in Table 2, even when the dicing solution 38A is used during wafer dicing by cutting, formation of an oxide layer is suppressed, adhesion of silicon residues / particulates to the Cu wafer surface is prevented, and a small etching under the Cu surface. It is also possible to remove Cu oxide having Thus, if dicing solution 38A is used during dicing, the Cu surface can be cleaned by itself during the dicing process.

웨이퍼를 다이싱 하는 데에는 일반적으로 20~30분의 시간이 요구될 수 있다. 이 시간 동안 Al 본드 패드가 노출될 것이고 이는 Al 부식을 일으킬 수 있다. Dicing a wafer typically requires 20 to 30 minutes. During this time the Al bond pads will be exposed which may cause Al corrosion.

다이싱 용액의 갈바닉 전류 밀도를 측정함으로써, 다이싱 용액이 Al 부식을 일으킬 것인지 아닌지를 알 수 있다. 갈바닉 전류 밀도가 0에 가까운 경우, 갈바닉 부식은 예측되지 않는다. By measuring the galvanic current density of the dicing solution, it can be known whether or not the dicing solution will cause Al corrosion. If the galvanic current density is close to zero, galvanic corrosion is not predicted.

도 2에는 다이싱 용액 38A 대 수돗물(다이싱 공정에 의해 미립자로 오염된 탈이온수와 비슷함)에 대한 갈바닉 전류 밀도가 나타나 있다. Al 및 Cu 필름을 연결하여 각각의 다이싱 용액에 액침시키고 이들의 갈바닉 전류 밀도를 측정하였다. Al과 Cu를 함께 연결한 이유는 Al 본드 패드가 Al 합금(0.5% Cu)으로 구성되었기 때문이다. 다이싱 용액 38A에 대한 전류 밀도는 0에 가까웠고 수돗물에 대한 전류 밀도보다 훨씬 작았다. 이는 다이싱 용액 38A가 다이싱 공정 중에 갈바닉 부식을 일으키지 않을 것임을 알려준다. 이는, 더 나은 와이어본딩 공정을 위해서는 다이싱 공정 후에 Al 표면에 가능한 한 부식이 없어야 하기 때문에 매우 중요하다. 2 shows the galvanic current density for dicing solution 38A versus tap water (similar to deionized water contaminated with particulates by the dicing process). Al and Cu films were connected and immersed in each dicing solution and their galvanic current density was measured. The reason Al and Cu are connected together is because the Al bond pads are made of Al alloy (0.5% Cu). The current density for dicing solution 38A was close to zero and much less than the current density for tap water. This indicates that dicing solution 38A will not cause galvanic corrosion during the dicing process. This is very important because for the better wirebonding process there should be as little corrosion as possible on the Al surface after the dicing process.

다이싱 날이 웨이퍼 또는 그 밖의 기판을 절삭할 때 날이 지나가는 통로를 의미하기 위해 사용되는 단어는 "커프(kerf)"이다. 이론적으로, 커프는 날과 동일한 너비이어야 한다. 그러나 날이 제대로 냉각 및 윤활되지 않고 날의 통로로부터 미립자들이 제거되지 않은 경우, 커프가 날의 너비보다 넓을 수 있다. 이는 절삭되면 안되는 웨이퍼나 기판 부위가 실제로 절삭되기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 양질의 다이싱 공정은 가능한 한 작은 커프 너비(최대한 날의 너비에 가깝게)를 가질 것이다.When a dicing blade cuts a wafer or other substrate, the word used to mean the passage through which the blade passes is "kerf." In theory, the cuff should be the same width as the blade. However, if the blade is not properly cooled and lubricated and particulates are not removed from the passageway of the blade, the cuff may be wider than the width of the blade. This is undesirable because the wafer or substrate portion that should not be cut is actually cut. Thus, a good dicing process will have as small a cuff width as possible (as close as possible to the width of the blade).

도 3(a) 내지 도 3(c)에 있는 데이터는 볼 그리드 어레이(BGA), 세라믹, 및 실리콘 웨이퍼의 전부 3가지 타입의 기판 상에 실험하였을 때, 다이싱 용액 38A가 일반적으로 다이싱 용액으로 사용되는 탈이온수보다 낮은 평균 커프를 가짐을 보여준다. BGA 및 세라믹 기판 상에서 다이싱 용액 38A는 일반적으로 사용되는 상업용 다이싱 용액에 비해 평균적으로 낮은 커프를 가진다. When the data in FIGS. 3 (a) to 3 (c) were tested on all three types of substrates of ball grid arrays (BGAs), ceramics, and silicon wafers, dicing solution 38A is generally a dicing solution. It shows that the average cuff is lower than the deionized water used as. Dicing solution 38A on BGA and ceramic substrates has an average lower cuff compared to commonly used commercial dicing solutions.

다이싱 날이 웨이퍼나 그 밖의 기판을 절삭하는 경우, 커프를 따라 칩과 버르가 있을 수 있다. 칩은 기판의 작은 조각들로써 다이싱 공정 중에 제동을 건다. 버르는 일반적으로 금속을 절삭하는 경우---금속이 깨끗하지 못하게 절삭되었을 때 생기며 커프를 따라 더럽힌다. 이들(칩/버르)은 모두 바람직하지 않다. 바람직한 다이싱 공정에는 커프를 따라 칩과 버르가 거의 없다---커프의 가장자리는 매끄러워야 한다. 또한, 칩과 버르의 평균 크기가 작을수록 더욱 바람직하다. If the dicing blade cuts a wafer or other substrate, there may be chips and burrs along the cuff. The chip is a small piece of substrate that brakes during the dicing process. Burrs are generally used when cutting metal --- when the metal is cut uncleanly and dirty along the cuff. All of these (chips / burrs) are undesirable. In the preferred dicing process, there are few chips and burrs along the cuff --- the edges of the cuff should be smooth. In addition, the smaller the average size of the chip and the bur is more preferable.

도 4(a) 내지 도 4(c)에 있는 데이터는 전부 3가지 타입의 기판(BGA, 세라믹, 및 실리콘 웨이퍼) 상에 실험하였을 때 다이싱 용액 38A가 일반적으로 다이싱 용액으로 사용되는 탈이온수보다 작은 평균 칩/버르 크기를 가진다는 것을 보여준다. BGA 및 세라믹 기판 상에서, 다이싱 용액 38A는 일반적으로 사용되는 상업용 다이싱 용액에 비해 작은 평균 칩/버르 크기를 가진다. The data in FIGS. 4 (a) to 4 (c) show deionized water in which dicing solution 38A is generally used as a dicing solution when tested on all three types of substrates (BGA, ceramic, and silicon wafers). It has a smaller average chip / burr size. On BGA and ceramic substrates, dicing solution 38A has a smaller average chip / burr size compared to commonly used commercial dicing solutions.

다이싱Dicing 용액 58A, 58B, 58C, 59C 및 60C Solutions 58A, 58B, 58C, 59C and 60C

다이싱 용액 58A, 58B, 58C, 59C 및 60C에 대해서는 Cu 산화물 에칭률이 높다. Cu 산화물 에칭률은 해당되는 곳에서 1, 3, 5, 10 및 30분 간격으로 측정된 두께의 직선회귀(linear regression)로부터 정의되며, 이것이 표 2에서 "a"가 가리키는 것이다.Cu oxide etch rate is high about dicing solutions 58A, 58B, 58C, 59C, and 60C . Cu oxide etch rates are defined from linear regression of thicknesses measured at intervals of 1, 3, 5, 10 and 30 minutes where applicable, as indicated by "a" in Table 2.

CuCu 산화물 제거  Oxide removal 다이싱 용액Dicing solution 희석도Dilution 최초 Cu산화물 두께(Å)Initial Cu Oxide Thickness 세척 후
Cu산화물 두께
(Å)After washing
Cu oxide thickness
(A) 20분 내에 제거되는 Cu산화물
(Å)Cu oxide removed in 20 minutes
(A) Cu산화물
에칭률
(Å/min)Cu oxide
Etching rate
(Å / min) 38A38A 희석되지 않음Not diluted 174174 00 174174 측정되지 않음Not measured 1:501:50 175175 118118 5757 2.852.85 1:1001: 100 170170 129129 4141 2.052.05 1:2501: 250 176176 136136 4040 2.002.00 1:5001: 500 169169 138138 3131 1.551.55 1:10001: 1000 177177 152152 2525 1.251.25 58A58A 1:10001: 1000 138138 00 aa 9.49.4 58B58B 1:10001: 1000 140140 00 aa 23.523.5 58C58C 1:10001: 1000 141141 00 aa 8.88.8 59C59C 1:10001: 1000 149149 aa aa 4.94.9 60C60C 1:10001: 1000 146146 aa aa 3.93.9

a. 해당 가능한 곳에서 1, 3, 5, 10 및 30분 간격으로 측정된 두께의 직선회귀로부터 정의됨a. Defined from linear regression of thicknesses measured at 1, 3, 5, 10 and 30 minute intervals where applicable

그룹 group IIIIII

A. 희석되지 않은 A. Undiluted 다이싱Dicing 용액 solution

실시예Example 3 3

SVMI로부터 338.24 ohms-Å/Sq의 저항을 갖는 티타늄 나이트라이드(TiN) 기판상의 Al(0.5% Cu) 금속을 얻었으며, 명목상 8000Å의 Al 두께를 가진다. 보관하는 동안 Al 기판은 산화층이 150Å까지 커질 수 있다. 따라서 에칭률 측정에 앞서, 2"×2"의 Al 조각을 25℃에서 2분간 탈이온수 내의 42.5wt% H3PO4 수용액에 액침시킴으로써 Al 기판을 전처리하였다. 2분간 액침시킨 후, Al 조각을 탈이온수로 3분간 헹구어내고, 질소건(N2 gun)으로 30초간 건조시킨 후에, Al 필름 두께를 측정했다. 이러한 방법으로 전처리된 Al 조각들은 에칭률 측정을 하는데에 곧바로 사용하였다. An Al (0.5% Cu) metal on a titanium nitride (TiN) substrate having a resistance of 338.24 ohms-kW / Sq was obtained from SVMI, which had a nominal Al thickness of 8000 kW. During storage, the Al substrate can have an oxide layer of up to 150 kV. Therefore, prior to the etching rate measurement, the Al substrate was pretreated by immersing 2 "x 2" Al pieces in 42.5 wt% H 3 PO 4 aqueous solution in deionized water at 25 ° C for 2 minutes. After immersion for 2 minutes, the Al pieces were rinsed for 3 minutes with deionized water, dried for 30 seconds with a nitrogen gun (N 2 gun), and then the Al film thickness was measured. Al pieces pretreated in this way were immediately used for etch rate measurements.

실시예Example 4 4

탈이온수 내에 2.0wt% 옥살산을 포함하는 다이싱 용액을 다음과 같이 제조하였다: 1 리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 8.92wt% 옥살산을 포함하는 수용액 224.2gm을 첨가하였다. 그 다음 추가적으로 탈이온화수 775.8gm을 상기 보틀에 첨가하여 최종적으로 1000.0gm의 중량이 되도록 하였다. 상기 보틀은 뚜껑을 덮고 흔들었다. 상기 다이싱 용액은 48A로 명명하였으며, 이 용액의 pH는 1.04인 것으로 측정되었다. A dicing solution comprising 2.0 wt% oxalic acid in deionized water was prepared as follows: To a 1 liter HDPE poly-bottle 224.2 gm of an aqueous solution comprising 8.92 wt% oxalic acid was added. An additional 775.8 gm of deionized water was then added to the bottle to finally weigh 1000.0 gm. The bottle was capped and shaken. The dicing solution was named 48A and the pH of this solution was determined to be 1.04.

다이싱 용액 48A은 열산화물(TOx) 기판 상의 1000Å Ni을 사용할 뿐만 아니라 전처리된 Al의 조각을 사용하여 25℃에서 에칭률을 측정하기 위해 제조하였다. Ni 기판은 2035.64 ohm-Å/Sq의 저항을 갖는다. 2"×2"의 Al 또는 Ni 기판 조각을 500ml 유리 비커에 있는 330ml의 48A 다이싱 용액에 액침하였으며, 그 용액을 교반 플레이트 상에서 300rpm으로 교반하였다. 온도를 기록하였다. 두께(Å) 측정은 3개를 한 벌로 하여 ResMap Four Point Probe를 사용하여 0, 20, 40, 60, 및 90분 후에 하였다. 그 후에 필름 두께 대 시간 데이터가 회귀되었다. 에칭률은 Al과 Ni에 대해 별도로 측정하여 각각 0.6Å/min과 3.3Å/min인 것으로 측정되었다. Dicing solution 48A was prepared to measure the etch rate at 25 ° C. using 1000 μs Ni on a thermal oxide (TOx) substrate as well as a piece of pretreated Al. Ni substrates have a resistance of 2035.64 ohm-kW / Sq. A 2 "x 2" piece of Al or Ni substrate was immersed in 330 ml of 48A dicing solution in a 500 ml glass beaker and the solution was stirred at 300 rpm on a stir plate. The temperature was recorded. Thickness measurements were made after 3, 0, 20, 40, 60, and 90 minutes using a ResMap Four Point Probe. The film thickness versus time data was then returned. Etch rates were measured separately for Al and Ni and were determined to be 0.6 mA / min and 3.3 mA / min, respectively.

25℃에서의 희석되지 않은 옥살산 용액에 대한 에칭률 Etch Rate for Undiluted Oxalic Acid Solution at 25 ° C 실시예Example 다이싱 용액Dicing solution pHpH 옥살산(wt%)Oxalic Acid (wt%) TMAHb (wt%)TMAH b (wt%) 에칭률(Å/min)Etch Rate (m / min) AlAl NiNi 44 48A48A 1.041.04 2.02.0 00 0.60.6 3.33.3 55 50B50B 1.321.32 1.01.0 00 3.83.8 6.26.2 66 50E50E 1.461.46 0.670.67 00 4.44.4 10.610.6 77 49A49A 3.303.30 2.02.0 8.78.7 1.51.5 18.918.9 88 55A55A 4.474.47 2.02.0 14.814.8 2.12.1 15.515.5 99 55B55B 5.455.45 2.02.0 16.116.1 1.71.7 1.41.4

b. 25wt% 수용액으로 존재함b. Present in 25wt% aqueous solution

48A에서와 마찬가지로 추가적인 다이싱 용액 50B, 50E, 49A, 55A, 및 55B를 제조하였으며, 다만 실시예 5-9에서는 옥살산 농도 및/또는 최종 pH를 각각 다르게 하였다. 에칭률 결과는 표 3에 요약하였다. Al과 Ni 금속에서의 에칭률은 모두 pH 대비 최고값을 넘었다.Additional dicing solutions 50B, 50E, 49A, 55A, and 55B were prepared as in 48A except that in Example 5-9 the oxalic acid concentration and / or final pH were different. Etch rate results are summarized in Table 3. Etch rates on both Al and Ni metals exceeded their peak values.

실시예Example 10 10

탈이온수 내에 2.0wt% 시트르산을 포함하는 다이싱 용액을 다음과 같이 제조하였다: 1 리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 29wt% 시트르산을 포함하는 수용액 6.9gm을 첨가하였다. 그 다음 탈이온수 993.1gm을 추가적으로 상기 보틀에 첨가하여 최종 중량이 1000.0gm이 되도록 하였다. 상기 보틀은 뚜껑을 덮고 흔들었다. 상기 다이싱 용액은 48B로 명명하였으며, 이 용액의 pH는 1.93인 것으로 측정되었다.A dicing solution comprising 2.0 wt% citric acid in deionized water was prepared as follows: To a 1 liter HDPE poly-bottle was added 6.9 gm of an aqueous solution containing 29 wt% citric acid. Then 993.1 gm of deionized water was additionally added to the bottle so that the final weight was 1000.0 gm. The bottle was capped and shaken. The dicing solution was named 48B and the pH of this solution was determined to be 1.93.

다이싱 용액 48B는 실시예 4에서와 마찬가지로 TOx 기판 상의 1000Å Ni과 전처리된 Al의 조각을 사용하여 에칭률을 측정하기 위해 제조하였다. 그 후에 필름 두께 대 시간 데이터가 회귀되었다. 에칭률은 Al과 Ni에 대해 별도로 측정하여 두 기판 모두에 대해 <1Å/min인 것으로 측정되었다. ResMap Four Point Probe는 >20Å인 필름 두께의 변화를 측정할 수 있으므로, 에칭률이 <1Å/min이라는 것은 30~90분의 실험에 걸쳐 필름에 충분한 에칭이 없었음을 알려준다. Dicing solution 48B was prepared as in Example 4 to measure the etch rate using a piece of 1000 kV Ni and pretreated Al on a TOx substrate. The film thickness versus time data was then returned. Etch rates were measured separately for Al and Ni and were determined to be <1 dB / min for both substrates. Since the ResMap Four Point Probe can measure changes in film thickness> 20 μs, an etch rate of <1 μs / min indicates that there was not enough etching on the film over a 30-90 minute experiment.

25℃에서의 희석되지 않은 시트르산 용액에 대한 에칭률Etch Rate for Undiluted Citric Acid Solution at 25 ° C 실시예Example 다이싱 용액Dicing solution pHpH 시트르산 (wt%)Citric Acid (wt%) TMAHc (wt%)TMAH c (wt%) 에칭률(Å/min)Etch Rate (m / min) AlAl NiNi 1010 48B48B 1.931.93 2.02.0 00 <1<1 <1<1 1111 49B49B 3.433.43 2.02.0 3.53.5 0.50.5 <1<1 1212 55E55E 4.384.38 2.02.0 6.36.3 <1<1 <1<1 1313 55F55F 5.345.34 2.02.0 9.29.2 <1<1 <1<1

c. 25wt% 수용액으로 존재함c. Present in 25wt% aqueous solution

실시예Example 11-13 11-13

48B에서와 마찬가지로 추가적인 다이싱 용액 49B, 55E, 및 55F를 제조하였으며, 다만 실시예 11~13에서는 시트르산 농도 및/또는 최종 pH를 각각 다르게 하였다. TMAH의 양과 최종 에칭률 결과는 표 4에 요약하였다. Al 및 Ni 금속에 대한 에칭률은 pH 5.3까지는 모두 <1Å/min이었다. Additional dicing solutions 49B, 55E, and 55F were prepared as in 48B except that in Examples 11-13 the citric acid concentration and / or final pH were different. The amount of TMAH and the final etch rate results are summarized in Table 4. The etching rates for Al and Ni metals were all <1 μs / min up to pH 5.3.

실시예Example 14 14

탈이온화수에 2.0wt% 푸마르산을 포함하는 다이싱 용액을 다음과 같이 제조하였다: 1 리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 고체 푸마르산 2.0gm을 첨가하였다. 그 다음 추가적으로 탈이온화수 998.0gm을 상기 보틀에 첨가하여 최종 중량이 1000.0gm이 되게 하였다. 상기 보틀은 뚜껑을 덮고 흔들었다. 불확실한 양의 푸마르산 결정이 용해되지 않은 채로 남아있었다. 상청액(supernatant solution)을 모아서 이를 다이싱 용액 48C로 명명하였다. 상기 용액의 pH는 2.13인 것으로 측정되었다.A dicing solution comprising 2.0 wt% fumaric acid in deionized water was prepared as follows: 2.0 gm of solid fumaric acid was added to a 1 liter HDPE poly-bottle. An additional 998.0 gm of deionized water was then added to the bottle to a final weight of 1000.0 gm. The bottle was capped and shaken. Uncertain amounts of fumaric acid crystals remained undissolved. The supernatant solution was collected and named dicing solution 48C . The pH of the solution was determined to be 2.13.

다이싱 용액 48C는 실시예 4에서와 마찬가지로 TOx 기판 상의 1000Å Ni과 전처리된 Al의 조각을 사용하여 에칭률을 측정하기 위해 제조하였다. 그 후에 필름 두께 대 시간 데이터가 회귀되었다. 에칭률은 Al과 Ni에 대해 별도로 측정하여 두 기판 모두에 대해 <1Å/min인 것으로 측정되었다.Dicing solution 48C was prepared as in Example 4 to measure the etch rate using a piece of 1000 kV Ni and pretreated Al on a TOx substrate. The film thickness versus time data was then returned. Etch rates were measured separately for Al and Ni and were determined to be <1 dB / min for both substrates.

25℃에서의 희석되지 않은 푸마르산 용액에 대한 에칭률Etch Rate for Undiluted Fumaric Acid Solution at 25 ° C 실시예Example 다이싱 용액Dicing solution pHpH 푸마르산 (wt%)Fumaric Acid (wt%) TMAHd (wt%)TMAH d (wt%) 에칭률 (Å/min)Etch Rate (Å / min) AlAl NiNi 1414 48C48C 2.132.13 <2.0<2.0 00 <1<1 <1<1 1515 49C49C 3.33.3 2.02.0 3.33.3 0.70.7 <1<1 1616 55G55G 4.274.27 2.02.0 9.989.98 0.40.4 <1<1 1717 55H55H 5.135.13 2.02.0 11.6511.65 0.40.4 <1<1

d. 25wt% 수용액으로 존재함d. Present in 25wt% aqueous solution

실시예Example 15-17 15-17

48C에서와 마찬가지로 추가적인 다이싱 용액 49C, 55G, 및 55H를 제조하였으며, 다만 실시예 15-17에서는 푸마르산 농도 및/또는 최종 pH를 각각 다르게 하였다. TMAH의 양과 최종 에칭률 결과는 표 5에 요약하였다. Al 및 Ni 금속에 대한 에칭률은 pH 5.1까지는 모두 <1Å/min이었다.Additional dicing solutions 49C, 55G, and 55H were prepared as in 48C, except in Examples 15-17 the fumaric acid concentration and / or final pH were different. The amount of TMAH and the final etch rate results are summarized in Table 5. The etching rates for Al and Ni metals were all <1 μs / min up to pH 5.1.

실시예Example 18 18

탈이온수 내에 2.0wt% 옥살산 및 0.2wt% 푸마르산을 포함하는 다이싱 용액을 다음과 같이 제조하였다: 1 리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 8.92wt% 옥살산을 포함하는 수용액 224.4gm을 첨가하였다. 상기와 같은 1 리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 고체 푸마르산을 2.0gm 첨가하였다. 탈이온수 총 679.4gm을 상기 보틀에 첨가하였다. pH 조정을 위해서 25wt% TMAH 용액 94.2gm을 첨가하여 최종 중량이 1000.0gm이 되게 하였다. 상기 보틀은 뚜껑을 덮고 흔들었다. 이를 다이싱 용액 53B으로 명명하였으며, 상기 용액의 pH는 3.44인 것으로 측정되었다. 에칭률은 Al과 Ni에 대해 별도로 측정하여 각각 0.6Å/min 및 1.4Å/min인 것으로 측정되었다. 표 6에는 비교예 7에 대한 결과도 나타내었으며, pH=3.3~3.5에서 0.2wt% 푸마르산을 0.2wt% 옥살산 용액에 첨가함으로써 Ni 금속 에칭률을 한 자릿수 이상 감소시킴을 보여준다. A dicing solution containing 2.0 wt% oxalic acid and 0.2 wt% fumaric acid in deionized water was prepared as follows: 224.4 gm of an aqueous solution containing 8.92 wt% oxalic acid was added to a 1 liter HDPE poly-bottle. To this 1 liter HDPE poly-bottle was added 2.0 gm of solid fumaric acid. A total of 679.4 gm of deionized water was added to the bottle. For pH adjustment 94.2 gm of 25 wt% TMAH solution was added to bring the final weight to 1000.0 gm. The bottle was capped and shaken. This was named Dicing Solution 53B , and the pH of the solution was determined to be 3.44. Etch rates were measured separately for Al and Ni and were determined to be 0.6 mA / min and 1.4 mA / min, respectively. Table 6 also shows the results for Comparative Example 7, and shows that the Ni metal etch rate is reduced by one or more orders of magnitude by adding 0.2 wt% fumaric acid to the 0.2 wt% oxalic acid solution at pH = 3.3 to 3.5.

실시예Example 19-20 19-20

53B에서와 마찬가지로 추가적인 다이싱 용액 53E 및 53F를 제조하였으며, 다만 푸마르산 농도 및/또는 최종 pH는 다르게 하였다. pH 조정을 위해, 25wt% TMAH 혼합물을 사용하였다. 최종 에칭률 결과 뿐만 아니라 푸마르산과 TMAH의 양을 표 6에 요약하였다. Al에 대한 에칭률은 본질적으로 변하지 않았다. 또한 Ni 금속 에칭률은 실시예 20 및 21에서 보는 바와 같이 현저히 감소했지만, 푸마르산의 증가에 따라 Ni 에칭률은 증가하였다. Additional dicing solutions 53E and 53F were prepared as in 53B with the exception of fumaric acid concentration and / or final pH. For pH adjustment, 25 wt% TMAH mixture was used. The amounts of fumaric acid and TMAH as well as the final etch rate results are summarized in Table 6. The etch rate for Al did not change essentially. In addition, the Ni metal etch rate was significantly reduced as shown in Examples 20 and 21, but Ni etch rate was increased with the increase of fumaric acid.

실시예Example 21 21

탈이온수 내에 2.0wt% 옥살산 및 0.5wt% 시트르산을 포함하는 다이싱 용액을 다음과 같이 제조하였다: 1 리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 8.2wt% 옥살산을 포함하는 수용액 243.92gm을 첨가하였다. 상기 같은 1 리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 29wt% 시트르산 용액 17.24gm을 첨가하였다. 총 625.92gm의 탈이온수를 상기 보틀에 첨가하였다. pH 조정을 위해 25wt% TMAH 용액 112.92gm을 첨가하여 최종 중량이 1000.0gm이 되게 하였다. 상기 보틀은 뚜껑을 덮고 흔들었다. 이를 다이싱 용액 56H으로 명명하였으며 상기 용액의 pH는 3.48인 것으로 측정되었다. 에칭률은 Al과 Ni에 대해 별도로 측정하여 각각 0.6Å/min 및 0.5Å/min인 것으로 측정되었다. 이러한 결과를 표 6에 요약하였으며, pH=3.3~3.5에서 0.5wt% 시트르산을 2.0wt% 옥살산 용액에 첨가함으로써 Ni 금속 에칭률을 한 자릿수 이상 감소시킴을 보여준다.A dicing solution comprising 2.0 wt% oxalic acid and 0.5 wt% citric acid in deionized water was prepared as follows: To a 1 liter HDPE poly-bottle was added 243.92 gm of an aqueous solution containing 8.2 wt% oxalic acid. 17.24gm of 29wt% citric acid solution was added to the same 1 liter HDPE poly-bottle. A total of 625.92 gm of deionized water was added to the bottle. 112.92 gm of 25 wt% TMAH solution was added for pH adjustment to a final weight of 1000.0 gm. The bottle was capped and shaken. This was named Dicing Solution 56H . The pH of the solution was determined to be 3.48. Etch rates were measured separately for Al and Ni and were determined to be 0.6 mA / min and 0.5 mA / min, respectively. These results are summarized in Table 6 and show that the Ni metal etch rate is reduced by one order or more by adding 0.5 wt% citric acid to a 2.0 wt% oxalic acid solution at pH = 3.3-3.5.

25℃에서의 희석되지 않은 옥살산, 푸마르산, 및 시트르산 용액에 대한 에칭률Etch Rate for Undiluted Oxalic Acid, Fumaric Acid, and Citric Acid Solution at 25 ° C 실시예Example 다이싱 용액Dicing solution pHpH 중량 %weight % 에칭률(Å/min)Etch Rate (m / min) 옥살산Oxalic acid 푸마르산Fumaric acid TMAHe TMAH e AlAl NiNi 77 49A49A 3.303.30 2.02.0 00 8.78.7 1.51.5 18.918.9 1818 53B53B 3.443.44 2.02.0 0.20.2 9.49.4 0.60.6 1.41.4 1919 53E53E 3.463.46 2.02.0 0.50.5 9.79.7 1.21.2 3.83.8 2020 53F53F 3.53.5 2.02.0 1.01.0 11.211.2 1.81.8 7.77.7 옥살산Oxalic acid 시트르산Citric acid TMAHe TMAH e 2121 56H56H 3.483.48 2.02.0 0.50.5 11.311.3 0.60.6 0.50.5

e. 25wt% 수용액으로 존재함e. Present in 25wt% aqueous solution

실시예Example 22 22

에칭률은 Al 및 Ni 상의 다이싱 용액 58A에 대해 별개로 측정하였으며 두 금속에서 모두 < 1Å/min인 것으로 측정되었다. 이러한 결과는 KOH가 TMAH를 대신할 수 있음을 나타내며, 실시예 10 내지 13에 나타낸 결과와 일치했다.Etch rates were measured separately for dicing solutions 58A on Al and Ni and were determined to be <1 μs / min on both metals. These results indicated that KOH could replace TMAH and were consistent with the results shown in Examples 10-13.

실시예Example 23 23

에칭률은 Al 및 Ni 상의 다이싱 용액 58B에 대해 별개로 측정하였으며 두 금속에서 모두 < 1Å/min인 것으로 측정되었다. pH를 조정한 옥살산 용액에 관한 표 3의 데이터와 비교했을 때, 이 결과는 Ni 에칭률의 현저한 감소를 다시금 보여준다. 또한 이러한 결과는 옥살산과 시트르산 혼합 다이싱 용액에서 KOH가 TMAH를 대신할 수 있음을 나타내며, 이는 pH 3.48에서의 실시예 22에 나타낸 결과와 일치한다. Etch rates were measured separately for dicing solutions 58B on Al and Ni and were determined to be <1 μs / min on both metals. Compared with the data in Table 3 for the pH-adjusted oxalic acid solution, the results again show a significant decrease in Ni etch rate. These results also indicate that KOH can replace TMAH in oxalic acid and citric acid mixed dicing solutions, which is consistent with the results shown in Example 22 at pH 3.48.

실시예Example 24 24

에칭률은 Al 및 Ni 상에서 다이싱 용액 58C에 대해 별개로 측정하였으며 두 금속에서 모두 < 1Å/min인 것으로 측정되었다. 이러한 결과는 Tergitol 계면활성제가 에칭률의 현저한 변화 없이도 실시예 22의 Hostapur SAS 계면활성제를 대신할 수 있음을 나타낸다. Etch rates were measured separately for the dicing solution 58C on Al and Ni and were determined to be <1 μs / min on both metals. These results indicate that Tergitol surfactant can replace the Hostapur SAS surfactant of Example 22 without significant change in etch rate.

실시예Example 25 25

탈이온수 내에 2.0wt% 옥살산 및 0.5wt% 시트르산을 포함하는 다이싱 용액을 다음과 같이 제조하였다: 1 리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 8.2wt% 옥살산을 포함하는 수용액 243.3gm을 첨가하였다. 상기 같은 1 리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 29wt% 시트르산 수용액 17.2gm을 첨가하였다. 순수한 Tergitol 15-S-7 계면활성제 10.0gm을 상기 보틀에 첨가하였다. 총 703.6gm의 탈이온수을 상기 보틀에 첨가하였다. pH 조정을 위해, 48wt% KOH 용액 25.9gm을 첨가하여 최종 중량이 1000.0gm이 되게 하였다. 상기 보틀은 뚜껑을 덮고 흔들었다. 이를 다이싱 용액 58E로 명명하였으며 상기 용액의 pH는 2.42인 것으로 측정되었다. 에칭률은 Al 및 Ni에 대해 별개로 측정하였으며 두 금속에서 모두 < 1Å/min인 것으로 측정되었다. 이러한 결과는 Tergitol 계면활성제가 현저한 에칭률의 변화 없이도 실시예 23의 HOSTAPUR SAS 계면활성제 대신 사용될 수 있음을 보여준다.A dicing solution comprising 2.0 wt% oxalic acid and 0.5 wt% citric acid in deionized water was prepared as follows: To a 1 liter HDPE poly-bottle was added 243.3 gm of an aqueous solution containing 8.2 wt% oxalic acid. 17.2 gm of an aqueous 29 wt% citric acid solution was added to the same 1 liter HDPE poly-bottle. 10.0 gm of pure Tergitol 15-S-7 surfactant was added to the bottle. A total of 703.6 gm of deionized water was added to the bottle. For pH adjustment, 25.9 gm of 48 wt% KOH solution was added to bring the final weight to 1000.0 gm. The bottle was capped and shaken. This was named Dicing Solution 58E and the pH of the solution was determined to be 2.42. Etch rates were measured separately for Al and Ni and were determined to be <1 μs / min for both metals. These results show that Tergitol surfactant can be used in place of the HOSTAPUR SAS surfactant of Example 23 without significant change in etch rate.

실시예Example 26-31 26-31

조성물과 pH를 다르게 하여 일련의 추가적인 다이싱 용액을 제조하였다. 다이싱 용액 59A 및 60A은 그룹 I의 58A 과 마찬가지로 시트르산과 HOSTAPUR SAS를 포함하였고; 다이싱 용액 59B 및 60B는 그룹 I의 58B와 마찬가지로 옥살산 및 시트르산을 포함하였으며; 다이싱 용액 59D 및 60D는 실시예 25에서와 같이 옥살산과 시트르산 그리고 Tergitol 15-S-7을 포함하였다.A series of additional dicing solutions were prepared at different pH from the composition. Dicing solutions 59A and 60A included citric acid and HOSTAPUR SAS as well as 58A of group I; Dicing solutions 59B and 60B included oxalic acid and citric acid as well as 58B of group I; Dicing solutions 59D and 60D included oxalic acid, citric acid and Tergitol 15-S-7 as in Example 25.

59A, 59B, 및 59D로 명명한 일련의 다이싱 용액들은 모두 KOH를 이용하여 pH=3.9~4.2의 범위로 pH를 조정하였다. 탈이온수로 1:1000으로 희석하였을 때, 이들 59-시리즈의 다이싱 용액들은 그룹 I의 59C에서와 같이 현장에서 대략 4.5의 pH를 나타냈다. 이와 유사하게, 60A, 60B, 및 60D로 명명한 일련의 다이싱 용액들은 모두 KOH를 이용하여 pH=4.5~4.7의 범위로 pH를 조정하였다. 탈이온수로 1:1000으로 희석하였을 때, 이들 60-시리즈의 다이싱 용액들은 그룹 I의 60C에서와 같이 현장에서 대략 5.0의 pH를 나타냈다. 다이싱 용액 산성 성분, 계면활성제 조성물 및 희석되지 않은 순수한 옥살산 및 시트르산 다이싱 용액의 pH는 표 7의 실시예 26-31에 요약하였다.A series of dicing solutions named 59A, 59B, and 59D were all adjusted to pH in the range of pH = 3.9-4.2 using KOH. When diluted 1: 1000 with deionized water, these 59-series dicing solutions exhibited a pH of approximately 4.5 in situ as in 59C of group I. Similarly, a series of dicing solutions named 60A, 60B, and 60D were all adjusted to pH in the range of pH = 4.5-4.7 using KOH. When diluted 1: 1000 with deionized water, these 60-series dicing solutions exhibited a pH of approximately 5.0 in situ, as at 60C of group I. Dicing Solution The pH of acidic components, surfactant compositions and undiluted pure oxalic acid and citric acid dicing solutions are summarized in Examples 26-31 of Table 7.

25℃에서의 순수한 옥살산 및 시트르산 Pure oxalic acid and citric acid at 25 ° C 다이싱Dicing 용액에 대한 에칭률 Etch Rate for Solution 실시예Example 다이싱 용액Dicing solution pHpH 중량 %weight % 옥살산Oxalic acid 시트르산Citric acid KOHf KOH f 계면활성제Surfactants 2626 59A59A 4.204.20 00 2.02.0 1.61.6 0.188wt% SAS100.188wt% SAS10 2727 59B59B 4.014.01 2.02.0 0.50.5 4.64.6 0.187wt% SAS100.187wt% SAS10 2828 59D59D 3.933.93 2.02.0 0.50.5 4.534.53 1.0wt% Tergitol1.0wt% Tergitol 2929 60A60A 4.664.66 00 2.02.0 2.22.2 0.188wt% SAS100.188wt% SAS10 3030 60B60B 4.574.57 2.02.0 0.50.5 5.45.4 0.188wt% SAS100.188wt% SAS10 3131 60D60D 4.504.50 2.02.0 0.50.5 5.265.26 1.0wt% Tergitol1.0wt% Tergitol

f. 48wt% 수용액으로 존재f. Present in 48wt% aqueous solution

B. 희석된 B. diluted 다이싱Dicing 용액 solution

실시예Example 32 32

다이싱 용액 58A 1.0gm을 1 리터짜리 HDPE 폴리-보틀에 첨가하였다. 추가적으로 1000gm의 탈이온수을 상기 보틀에 첨가하였다. 상기 보틀은 뚜껑을 덮고 흔들었다. 1:1000으로 희석한 결과 pH는 4.09인 것으로 측정되었다. 상기 시료는 Al, Ni, 및 Cu 금속 기판 상의 에칭률 및 Cu 기판상의 CuOx 에칭률 측정을 위해 제조하였다. 에칭률 결과는 표 8에 나타내었다. 1.0 gm of dicing solution 58A was added to a 1 liter HDPE poly-bottle. Additionally 1000 gm of deionized water was added to the bottle. The bottle was capped and shaken. Dilution to 1: 1000 resulted in a pH of 4.09. The samples were prepared for etch rates on Al, Ni, and Cu metal substrates and CuOx etch rates on Cu substrates. Etch rate results are shown in Table 8.

실시예Example 33-43 33-43

추가적인 다이싱 용액도 유사하게 1:1000으로 희석하였다. 이러한 희석도는 표 8의 실시예 33-43에 나타내었다. 각각의 희석된 용액들의 pH 값을 측정하였으며, 각 시료들의 에칭률 측정은 25℃에서 Cu 산화물 기판 상의 Cu 산화물(CuOx) 뿐만 아니라 Al, Ni, 및 Cu 금속들 상에서도 수행하였다. 그 결과는 표 8에 나타내었다. Additional dicing solution was similarly diluted to 1: 1000. This dilution is shown in Examples 33-43 in Table 8. The pH value of each diluted solution was measured, and the etch rate measurement of each sample was performed on Al, Ni, and Cu metals as well as Cu oxide (CuOx) on a Cu oxide substrate at 25 ° C. The results are shown in Table 8.

25℃에서의 At 25 ° C pHpH 및 에칭률 And etch rate 실시예Example 1:1000으로 희석된 Diluted 1: 1000 다이싱Dicing 용액 solution pHpH 에칭률 (Å/Etch Rate (Å / MinMin )) AlAl NiNi CuCu CuCu 상의 CuOx  Cux on Pinterest 3232 58A58A 4.094.09 0.4 0.4 <1<1 0.8 0.8 9.4 9.4 3333 58B58B 3.973.97 0.6 0.6 <1<1 0.9 0.9 23.523.5 3434 58C58C 4.194.19 0.4 0.4 <1<1 0.90.9 8.8 8.8 3535 58E58E 3.993.99 0.7 0.7 <1<1 1.0 1.0 17.417.4 3636 59A59A 4.634.63 0.30.3 <1<1 0.8 0.8 4.2 4.2 3737 59B59B 4.334.33 0.7 0.7 <1<1 1.2 1.2 3.8 3.8 3838 59C59C 4.564.56 0.3 0.3 <1<1 0.9 0.9 4.9 4.9 3939 59D59D 4.654.65 0.8 0.8 <1<1 1.3 1.3 4.8 4.8 4040 60A60A 5.105.10 1.4 1.4 <1<1 0.9 0.9 3.8 3.8 4141 60B60B 5.065.06 1.3 1.3 <1<1 5.7 5.7 <1<1 4242 60C60C 5.135.13 0.4 0.4 <1<1 1.0 1.0 3.9 3.9 4343 60D60D 5.155.15 1.3 1.3 <1<1 5.0 5.0 <1 <1

비교예Comparative example 44 44

또한, 58E, 59D, 및 60D의 1:1000으로 희석된 시료들을 가지고 45℃와 65℃에서 Al 및 Ni 에칭률 실험을 하였다. 에칭률 결과는 하기 표 9에 나타내었으며, 각각의 다이싱 용액에 대해 상기 표 6에 있는 결과와 비교하였다. 이들 세 개의 다이싱 용액은 모두 Tergitol 계면활성제뿐만 아니라 옥살산과 시트르산을 포함하기 때문에 에칭률의 차이는 본질적으로 pH와 온도 차이에 기인한 것이다. 이러한 결과는 ~5.0의 높은 pH가 높아진 온도에서 낮은 Ni 에칭률을 유지하는 요인임을 보여준다. Al and Ni etch rate experiments were also performed at 45 ° C. and 65 ° C. with samples diluted 1: 1000 of 58E, 59D, and 60D . Etch rate results are shown in Table 9 below, and compared to the results in Table 6 above for each dicing solution. Since all three dicing solutions contain not only Tergitol surfactants but also oxalic acid and citric acid, the difference in etch rates is essentially due to pH and temperature differences. These results show that a high pH of ˜5.0 is a factor in maintaining a low Ni etch rate at elevated temperatures.

25℃, 45℃, 및 65℃에서의 1:1000으로 희석된 Diluted 1: 1000 at 25 ° C, 45 ° C, and 65 ° C 다이싱Dicing 용액에 대한  For solution pHpH 및 에칭률 And etch rate 1:1000으로 희석된 다이싱 용액Dicing solution diluted 1: 1000 pHpH AlAl 에칭률 (Å/ Etch Rate (Å / minmin )) NiNi 에칭률 (Å/ Etch Rate (Å / minmin )) 25℃25 ℃ 45℃ 45 ℃ 65℃ 65 ℃ 25℃25 ℃ 45℃45 ℃ 65℃65 ℃ 58E58E 3.993.99 0.7 0.7 2.9 2.9 15.2 15.2 <1<1 13.313.3 16.916.9 59D59D 4.654.65 0.8 0.8 2.4 2.4 14.5 14.5 <1<1 <1<1 2.82.8 60D60D 5.155.15 1.3 1.3 4.7 4.7 19.7 19.7 <1<1 <1<1 <1<1

비교예Comparative example 45 45

다이싱 용액 60B, 60C, 및 60 DH의 시료들을 1 갤런(gallon)의 양으로 제조하였다. 60 DH시료는 60D 다이싱 용액 농도의 1/2를 포함하였다. 따라서 1:1000으로 희석된 다른 다이싱 용액들과 결과를 나란히 비교하기 위해 1:500으로 희석하였다. 상기 다이싱 용액들은 DNS 웨이퍼 다이싱 절삭 장비를 이용하여 온라인 실험으로 1:1000 당량의 희석도에서 실험하였다. 상기 다이싱 실험은 다이싱 날의 팁(tip)에 어떠한 파손도 생기기 전에 다이싱 날의 사용 가능한 수명이나 기간을 측정하기 위한 것이다. 다이싱 날은 DISCO사(社)의 것을 사용하였으며 "disco * NBC-ZH 2050 * 27HEDF"이라 표시하였다. 이는 Ni 팁을 구비한 알루미늄 금속 축을 포함하였다. Ni 팁은 임베디드 다이아몬드를 포함하였다. 모든 다이싱 용액은 다음의 동일한 다이싱 조건에서 실험하였다: 날 RPM: 30000; 날 이송 속도: 5mm/sec; Si 웨이퍼로의 절삭 깊이: 50%. 또한, 약간의 각 다이싱 용액은 Ni 및 Cu 금속, 그리고 Cu 기판 상의 CuOx에 대한 에칭률 실험에 사용하였다.Samples of dicing solutions 60B, 60C, and 60 DH were prepared in an amount of 1 gallon. The 60 DH sample contained half of the 60D dicing solution concentration. Thus it was diluted 1: 500 to compare the results side by side with other dicing solutions diluted 1: 1000. The dicing solutions were tested at a dilution of 1: 1000 equivalents in an online experiment using DNS wafer dicing cutting equipment. The dicing experiment is to measure the useful life or duration of the dicing blade before any breakage occurs at the tip of the dicing blade. The dicing blade was used by DISCO Co., Ltd. and indicated as "disco * NBC-ZH 2050 * 27HEDF". It included an aluminum metal shaft with a Ni tip. Ni tips included embedded diamond. All dicing solutions were tested at the same dicing conditions as follows: raw RPM: 30000; Blade feed rate: 5 mm / sec; Depth of cut to Si wafer: 50%. In addition, some of the dicing solutions were used for etch rate experiments for Ni and Cu metals, and CuOx on Cu substrates.

날 수명에 대한 결과는 하기 표 10에 나타내었다. 그 결과는 세 개의 다이싱 용액이 ~5.0의 pH에서 대략 동일한 날 수명을 나타낸다는 것을 보여준다. 추가적으로 60C 다이싱 용액은 유리하게 더 높은 CuOx 에칭률을 갖는다. 높은 CuOx 에칭률과 낮은 Cu 금속 에칭률을 갖는 다이싱 용액은 Cu 본드 패드의 손상 없이도 좋은 세척력을 확보한다 .The results for blade life are shown in Table 10 below. The results show that the three dicing solutions exhibit approximately the same blade life at pH of ˜5.0. Additionally the 60C dicing solution advantageously has a higher CuOx etch rate. Dicing solutions with high CuOx etch rates and low Cu metal etch rates ensure good cleaning power without damaging the Cu bond pads.

희석된 Diluted 다이싱Dicing 용액에 대한 날 수명 및 에칭률 Blade life and etch rate for solution 1:1000으로 희석된 다이싱 용액 Dicing solution diluted 1: 1000 날 수명
(Hrs)Day life
(Hrs) 1:1000에서의 에칭률(Å/Etch rate at 1: 1000 minmin )) CuCu (25℃)  (25 ℃) CuOxCuOx (25℃)  (25 ℃) NiNi (65℃)  (65 ℃) 60B60B > 16> 16 4.8 4.8 0.3 0.3 <1<1 60C60C ~ 20To 20 1.1 1.1 8.7 8.7

<1

<1 6060 DHDH gg ~19To 19 5.1 5.1 0.4 0.4

<1

<1

g. 60B 및 60C에 대해서는 다이싱 용액을 1:1000으로 희석하고, 60 DH에 대해서는 다이싱 용액을 1:500으로 희석함g. Dilute dicing solution 1: 1000 for 60B and 60C and dilute solution 1: 500 for 60 DH

비교예Comparative example 46 46

1:1000으로 희석한 후의 pH 값이 약 4, 4.5, 및 5인 다이싱 용액 58B, 59C, 및 60C에 대한 결과를 표 11에 나타내었다. 그 데이터들은 pH가 증가함에 따라 날 수명이 현저하게 증가한다는 것을 보여준다. 이러한 날 수명 결과들을 기준으로 했을 때, 표 4 및 5의 다이싱 용액 48A 및 48B는 짧은 날 수명을 가질 것으로 예상된다. 전술한 표 8의 결과에 이미 나와있지만, pH 증가에 따라 CuOx 에칭률 또한 감소된다. Cu 본드 패드의 세척력에 대한 긴 날 수명과 적당한 CuOx 에칭률을 갖도록 하는 낮은 Ni 에칭률을 최상으로 제공하는 값은 약 5.0의 pH인 것으로 보인다.The results for dicing solutions 58B, 59C, and 60C with pH values of about 4, 4.5, and 5 after dilution 1: 1000 are shown in Table 11. The data show that the blade life increases significantly with increasing pH. Based on these blade life results, the dicing solutions 48A and 48B in Tables 4 and 5 are expected to have short blade life. As already shown in the results of Table 8 above, the CuOx etch rate also decreases with increasing pH. A value that best provides a low Ni etch rate to have a long blade life for the Cu bond pad's cleaning power and a moderate CuOx etch rate appears to be a pH of about 5.0.

1:1000의 1: 1000 희석도에서At dilution 다이싱Dicing 용액  solution pHpH 가 날 수명에 미치는 영향Impact on autumn blade life 1:1000으로 희석된
다이싱 용액 Diluted 1: 1000
Dicing solution pHpH 날 수명(hrs)Blade life (hrs) 58B58B ~4.0~ 4.0 4.054.05 59C59C ~4.5~ 4.5 8-108-10 60C60C ~5.0~ 5.0 2020

비교예Comparative example 47 47

다이싱 용액은 더 많은 성분을 포함하였다. 표 12에 있는 조성물들은 약 pH 4에서 제조하였다. 62A는 2wt% 옥살산을 포함하였지만 62B는 2.0wt% 옥살산과 0.5wt% 시트르산을 포함하였다. 대조구 다이싱 용액 62A와 62B는 추가적인 성분(첨가물)을 포함하지 않았으며, KOH를 사용하여 pH를 약 4.0으로 조정하였다. 첨가물들은 일반적으로 0.5wt%의 농도로 존재하지만, 글루타르산 및 숙신산은 0.5wt% 시트르산과 거의 같은 몰이 되기 위해 0.34wt% 및 0.31wt%로 존재하였다. HOSTAPUR SAS 또는 Tergitol 계면활성제를 포함하는 다이싱 용액은 없었다. 그 결과는 첨가물들을 포함하는 희석되지 않은 이들 다이싱 용액들이 25℃에서 Ni 금속 에칭률의 감소를 야기할 수 있음을 보여준다. 이들 첨가물들 중에 안트라닐산이 Ni 에칭률을 감소시키는 데 가장 효과적인 것으로 보인다. The dicing solution contained more ingredients. The compositions in Table 12 were prepared at about pH 4. 62A included 2wt% oxalic acid but 62B included 2.0wt% oxalic acid and 0.5wt% citric acid. Control dicing solutions 62A and 62B contained no additional ingredients (additives) and the pH was adjusted to about 4.0 using KOH. The additives were generally present at concentrations of 0.5 wt%, but glutaric acid and succinic acid were present at 0.34 wt% and 0.31 wt% to be about the same mole as 0.5 wt% citric acid. There was no dicing solution comprising HOSTAPUR SAS or Tergitol surfactants. The results show that these undiluted dicing solutions containing additives can cause a reduction in Ni metal etch rate at 25 ° C. Of these additives, anthranilic acid appears to be the most effective at reducing Ni etch rate.

옥살릭Oxalic (( OxalicOxalic )-) - 시트릭Citrix (( CitricCitric )-첨가물 )-additive 다이싱Dicing 용액에 대한 25℃에서의  At 25 ° C. for the solution NiNi 에칭률 Etching rate 희석되지 않은
다이싱 용액Undiluted
Dicing solution pHpH 산 혼합Acid mix 첨가물additive 25℃에서의
Ni 에칭률 (Å/min ) At 25 ° C
Ni etching rate (Å / min ) 62A62A 4.054.05 옥살릭Oxalic -- 8.18.1 62C62C 4.024.02 옥살릭Oxalic 글루타릭(Glutaric)Glutaric 5.95.9 62D62D 4.064.06 옥살릭Oxalic 숙시닉(Succinic)Succinic 5.55.5 63A63A 4.024.02 옥살릭Oxalic 글리신Glycine 2.92.9 64A64A 3.963.96 옥살릭Oxalic Surfynol S-61Surfynol S-61 4.14.1 65A65A 4.04.0 옥살릭Oxalic 안트라닐산Anthranilic acid 0.3 - 1.20.3-1.2 62B62B 3.983.98 옥살릭+ 시트릭Oxalic + Citrix -- 2.02.0 63B63B 3.923.92 옥살릭+ 시트릭Oxalic + Citrix 글리신Glycine 1.01.0 64B64B 4.014.01 옥살릭+ 시트릭Oxalic + Citrix Surfynol S-61Surfynol S-61 0.30.3 65B65B 4.094.09 옥살릭+ 시트릭Oxalic + Citrix 안트라닐산Anthranilic acid <1<1

전술한 본 발명의 구현예들(실시예 포함)은 본 발명을 구성할 수 있는 대표적인 다수의 구현예들이다. 다수의 다른 공정 형태들이 사용될 수 있으며, 본 발명의 공정에서는 명세서 상에 특별히 개시된 물질들 이외에도 다른 다수의 물질들로부터 선택될 수 있음을 고려해야 한다.The above-described embodiments of the present invention (including embodiments) are representative of a number of embodiments that may constitute the present invention. It is to be appreciated that many other process forms may be used and that the process of the present invention may be selected from a number of other materials in addition to those specifically disclosed in the specification.

Claims (20)

오염 잔류물의 점착 및 노출된 금속화 부위의 부식을 억제하는 반도체 웨이퍼 다이싱용 용액으로,
유기산 및 이의 염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제 1 화합물;
계면활성제 및 염기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제 2 화합물;
실질적으로 탈이온수로 존재하는 잔여물을 포함하고;
상기 용액이 4를 초과하는 pH를 갖는,
반도체 웨이퍼 다이싱용 용액.A solution for dicing semiconductor wafers that inhibits adhesion of contaminant residues and corrosion of exposed metallization sites.
At least one first compound selected from the group consisting of organic acids and salts thereof;
At least one second compound selected from the group consisting of surfactants and bases;
Substantially including residue present in deionized water;
The solution has a pH above 4,
Solution for dicing semiconductor wafers. 제 1항에 있어서,
상기 하나 이상의 제 1 화합물이 0.001wt% 내지 30wt%이고;
상기 계면활성제가 0.001wt% 내지 10wt%이며;
상기 염기가 0.001wt% 내지 20wt%이고;
상기 pH가 4 초과 13 미만이며;
여기에서 상기 용액이 탈이온수로 1:0 내지 1:10000으로 희석되는,
반도체 웨이퍼 다이싱용 용액.The method of claim 1,
The at least one first compound is 0.001 wt% to 30 wt%;
The surfactant is 0.001 wt% to 10 wt%;
The base is 0.001 wt% to 20 wt%;
The pH is greater than 4 and less than 13;
Wherein the solution is diluted 1: 0 to 1: 10000 with deionized water,
Solution for dicing semiconductor wafers. 제 1항에 있어서,
상기 유기산이 옥살산, 시트르산, 말레산, 말산, 말론산, 글루콘산, 글루타르산, 아스코르브산, 포름산, 아세트산, 에틸렌 디아민 테트라아세트산, 디에틸렌 트리아민 펜타아세트산, 안트라닐산과 같은 아미노벤조산, 푸마르산, 글리신, 알라닌, 시스타인, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되고;
상기 계면활성제가 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽이온성 계면활성제, 실리콘 계면활성제, 폴리(알킬렌 옥사이드) 계면활성제, 플루오로화합물 계면활성제, 아세틸렌 디올 계면활성제, 1차 알코올 에톡실레이트, 2차 알코올 에톡실레이트, 아민 에톡실레이트, 글루코시드, 글루카마이드, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리(에틸렌 글리콜-코-프로필렌 글리콜), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
상기 염기가 수산화칼륨(KOH), 구아니딘 카보네이트(guanidiene carbonate), 암모니아수, 수산화암모늄 및 4차 수산화암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
여기에서 상기 계면활성제가 저기포를 갖고 저농도에서 낮은 표면장력을 갖는,
반도체 웨이퍼 다이싱용 용액.The method of claim 1,
The organic acid is aminobenzoic acid, fumaric acid, such as oxalic acid, citric acid, maleic acid, malic acid, malonic acid, gluconic acid, glutaric acid, ascorbic acid, formic acid, acetic acid, ethylene diamine tetraacetic acid, diethylene triamine pentaacetic acid, anthranilic acid, Glycine, alanine, cysteine, and mixtures thereof;
The surfactant is an anionic surfactant, cationic surfactant, nonionic surfactant, amphoteric surfactant, silicone surfactant, poly (alkylene oxide) surfactant, fluorocompound surfactant, acetylene diol surfactant, 1 Primary alcohol ethoxylate, secondary alcohol ethoxylate, amine ethoxylate, glucoside, glucamide, polyethylene glycol, poly (ethylene glycol-co-propylene glycol), and combinations thereof;
The base is selected from the group consisting of potassium hydroxide (KOH), guanidiene carbonate, aqueous ammonia, ammonium hydroxide and quaternary ammonium hydroxide,
Wherein the surfactant has a low bubble and has a low surface tension at low concentration,
Solution for dicing semiconductor wafers. 제 3항에 있어서,
상기 비이온성 계면활성제가 옥틸 및 노닐 페놀 에톡실레이트, 2차 알코올 에톡실레이트, 아세틸렌 알코올 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
상기 음이온성 계면활성제가 선형 알킬벤젠설포네이트(LAS), 2차 알킬벤젠설포네이트, 지방 알코올 설페이트(FAS), 2차 알칸설포네이트(SAS), 지방 알코올 에테르 설페이트(FAES), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
상기 4차 암모늄 염이 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄 하이드록사이드 및 (1-하이드록시프로필)트리메틸암모늄 하이드록사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는,
반도체 웨이퍼 다이싱용 용액.The method of claim 3, wherein
The nonionic surfactant is selected from the group consisting of octyl and nonyl phenol ethoxylates, secondary alcohol ethoxylates, acetylene alcohols, and combinations thereof;
The anionic surfactants are linear alkylbenzenesulfonates (LAS), secondary alkylbenzenesulfonates, fatty alcohol sulfates (FAS), secondary alkanesulfonates (SAS), fatty alcohol ether sulfates (FAES), and combinations thereof It is selected from the group consisting of;
The quaternary ammonium salts are tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, trimethylethylammonium hydroxide, (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide, Selected from the group consisting of (2-hydroxyethyl) triethylammonium hydroxide, (2-hydroxyethyl) tripropylammonium hydroxide and (1-hydroxypropyl) trimethylammonium hydroxide,
Solution for dicing semiconductor wafers. 제 1항에 있어서,
시트르산 및 옥살산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 산;
수산화칼륨(KOH) 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 염기;
2차 알코올 에톡실레이트 및 2차 알칸설포네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 계면활성제; 및
상기 실질적으로 탈이온수로 존재하는 잔여물을 포함하는,
반도체 웨이퍼 다이싱용 용액.The method of claim 1,
At least one acid selected from the group consisting of citric acid and oxalic acid;
At least one base selected from the group consisting of potassium hydroxide (KOH) and tetramethylammonium hydroxide (TMAH);
At least one surfactant selected from the group consisting of secondary alcohol ethoxylates and secondary alkanesulfonates; And
Comprising a residue present in said substantially deionized water,
Solution for dicing semiconductor wafers. 제 1항에 있어서,
아미노벤조산; 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA), N-하이드록시에틸에틸렌디아민트리아세트산(NHEDTA), 니트릴로트리아세트산(NTA), 디에틸렌트리아민펜타아세트산(DPTA), 에탄올디글리시네이트, 시트르산, 글루콘산, 옥살산, 인산, 타르타르산, 메틸디포스폰산(methyldiphosphonic acid), 아미노트리스메틸렌포스폰산, 에틸리덴-디포스폰산, 1-하이드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산,1-하이드록시프로필리덴-1,1-디포스폰산, 에틸아미노비스메틸렌포스폰산, 도데실아미노비스메틸렌포스폰산, 니트릴로트리스메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민비스메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민테트라키스메틸렌포스폰산, 헥사디아민테트라키스메틸렌포스폰산, 디에틸렌트리아민펜타메틸렌포스폰산, 1,2-프로판디아민테트라메틸렌포스폰산(1,2-propanediaminetetramethylenephosphonic acid), 암모늄염, 유기 아민염, 말론산, 숙신산, 디메르캅토 숙신산(dimercapto succinic acid), 글루타르산, 말레산, 프탈산, 푸마르산, 폴리카복실산, 프로판-1,1,2,3-테트라카복실산, 부탄-1,2,3,4-테트라카복실산, 피로멜리트산(pyromellitic acid), 옥시카복실산, β-하이드록시프로피온산, 시트르산, 말산, 타르타르산, 피루브산, 디글리콜산, 살리실산, 갈산, 폴리페놀, 피로갈롤, 인산, 폴리인산, 헤테로고리 화합물, 에틸렌 글리콜, 글리세롤과 디케톤, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 킬레이트제를 0.001wt% 내지 10wt% 추가로 포함하는,
반도체 웨이퍼 다이싱용 용액.The method of claim 1,
Aminobenzoic acid; Ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), N-hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (NHEDTA), nitrilotriacetic acid (NTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DPTA), ethanol diglycinate, citric acid, gluconic acid, oxalic acid , Phosphoric acid, tartaric acid, methyldiphosphonic acid, aminotrismethylenephosphonic acid, ethylidene-diphosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, 1-hydroxypropylidene- 1,1-diphosphonic acid, ethylaminobismethylenephosphonic acid, dodecylaminobismethylenephosphonic acid, nitrilotrismethylenephosphonic acid, ethylenediaminebismethylenephosphonic acid, ethylenediaminetetrakisethylene methylenephosphonic acid, hexadiaminetetrakisethylene Phosphonic acid, diethylenetriaminepentamethylenephosphonic acid, 1,2-propanediaminetetramethylenephosphonic acid (1,2-propanediaminetetramethylenephosphonic acid), ammonium salt, organic amine salt, Malonic acid, succinic acid, dimercapto succinic acid, glutaric acid, maleic acid, phthalic acid, fumaric acid, polycarboxylic acid, propane-1,1,2,3-tetracarboxylic acid, butane-1,2,3, 4-tetracarboxylic acid, pyromellitic acid, oxycarboxylic acid, β-hydroxypropionic acid, citric acid, malic acid, tartaric acid, pyruvic acid, diglycolic acid, salicylic acid, gallic acid, polyphenols, pyrogallol, phosphoric acid, polyphosphoric acid, hetero Further comprising 0.001 wt% to 10 wt% of a chelating agent selected from the group consisting of cyclic compounds, ethylene glycol, glycerol and diketone, and mixtures thereof,
Solution for dicing semiconductor wafers. 제 6항에 있어서,
상기 옥시카복실산이 글리콜산, β-하이드록시프로피온산, 시트르산, 말산, 타르타르산, 피루브산, 디글리콜산, 살리실산, 갈산, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되고;
상기 폴리페놀이 카테콜, 피로갈롤, 피로인산과 같은 인산, 폴리인산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며;
상기 헤테로고리 화합물이 8-옥시퀴놀린, α-디피리딜 아세틸아세톤과 같은 디케톤, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는,
반도체 웨이퍼 다이싱용 용액.The method of claim 6,
The oxycarboxylic acid is selected from the group consisting of glycolic acid, β-hydroxypropionic acid, citric acid, malic acid, tartaric acid, pyruvic acid, diglycolic acid, salicylic acid, gallic acid, and mixtures thereof;
The polyphenol is selected from the group consisting of catechol, pyrogallol, phosphoric acid such as pyrophosphoric acid, polyphosphoric acid and mixtures thereof;
The heterocyclic compound is selected from the group consisting of 8-oxyquinoline, diketone such as α-dipyridyl acetylacetone, and mixtures thereof,
Solution for dicing semiconductor wafers. 제1항에 있어서,
실리콘, 유기 인산염, 폴리에틸렌 글리콜과 플리프로필렌 글리콜 공중합체를 포함하는 소포제 기반의 EO 또는 PO, 알코올, 백색유(white oils), 식물유, 왁스, 장쇄 지방 알코올, 지방산 비누, 에스테르 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 소포제 0.001wt% 내지 5wt%; 및
수용성 음이온성 분산제, 수용성 비이온성 분산제, 수용성 양이온성 분산제, 수용성 양쪽성 분산제; 공중합된 성분으로써 아크릴산 염을 포함하는 폴리머 분산제, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 분산제 0.001wt% 내지 5wt%를 추가로 포함하는,
반도체 웨이퍼 다이싱용 용액.The method of claim 1,
Antifoam based EO or PO, including silicone, organic phosphate, polyethylene glycol and polypropylene glycol copolymer, consisting of alcohols, white oils, vegetable oils, waxes, long chain fatty alcohols, fatty acid soaps, esters and mixtures thereof 0.001 wt% to 5 wt% of an antifoaming agent selected from the group; And
Water soluble anionic dispersants, water soluble nonionic dispersants, water soluble cationic dispersants, water soluble amphoteric dispersants; Further comprising 0.001 wt% to 5 wt% of a dispersant selected from the group consisting of polymer dispersants comprising acrylic acid salts, and mixtures thereof as copolymerized components,
Solution for dicing semiconductor wafers. 제 8항에 있어서,
상기 수용성 음이온성 분산제가 트리에탄올아민 라우릴설페이트, 암모늄 라우릴설페이트, 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르 트리에탄올아민 설페이트, 폴리카복실산 타입의 폴리머 분산제, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되고;
상기 수용성 비이온성 분산제가 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 세틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일 에테르, 폴리옥시에틸렌 고급 알코올 에테르, 폴리옥시에틸렌 옥틸 페닐 에테르, 폴리옥시에틸렌 노닐 페닐 에테르, 폴리옥시에틸렌 유도체, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노라우레이트(polyoxyethylene sorbitan monolaurate), 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노팔미테이트(polyoxyethylene sorbitan monopalmitate), 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 트리스테아레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노올레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 트리올레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비트 테트라올레이트, 폴리에틸렌 글리콜 모노라우레이트, 폴리에틸렌 글리콜 모노스테아레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디스테아레이트, 폴리에틸렌 글리콜 모노올레이트, 폴리옥시에틸렌 알킬아민, 폴리옥시에틸렌 경화 피마자유, 알킬알카놀아마이드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며;
상기 수용성 양이온성 분산제가 폴리비닐피롤리돈, 코코넛아민 아세테이트(coconutamine acetate), 스테아릴아민 아세테이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되고;
상기 수용성 양쪽성 분산제가 라우릴베타인, 스테아릴베타인, 라우릴디메틸아민 옥사이드, 2-알킬-N-카복시메틸-N-하이드록시에틸이미다졸리늄 베타인, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는,
반도체 웨이퍼 다이싱용 용액.The method of claim 8,
The water soluble anionic dispersant is selected from the group consisting of triethanolamine laurylsulfate, ammonium laurylsulfate, polyoxyethylene alkyl ether triethanolamine sulfate, polymer dispersant of polycarboxylic acid type, and mixtures thereof;
The water-soluble nonionic dispersant may be polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene higher alcohol ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene Nonyl phenyl ether, polyoxyethylene derivative, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbate Non-triglycerides, polyoxyethylene sorbitan monooleate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tetraoleate, polyethylene glycol monolaurate, polyethylene glycol monostearate, polyethylene glycol Distearate, polyethylene glycol monooleate, polyoxyethylene alkyl amines, polyoxyethylene hardened castor oil, alkyl alkanolamines polyimide, and is selected from the group consisting of and mixtures thereof;
The water soluble cationic dispersant is selected from the group consisting of polyvinylpyrrolidone, coconut amine acetate, stearylamine acetate, and mixtures thereof;
The water-soluble amphoteric dispersant is a group consisting of laurylbetaine, stearylbetaine, lauryldimethylamine oxide, 2-alkyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethylimidazolinium betaine, and mixtures thereof Selected from
Solution for dicing semiconductor wafers. 오염 잔류물의 점착 및 노출된 금속화 부위의 부식을 억제하는 반도체 웨이퍼 다이싱용 용액으로,
시트르산 및 옥살산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 산 0.001wt% 내지 30wt%;
0.001wt% 내지 20wt%의 염기 및 0.001wt% 내지 10wt%의 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물; 및
실질적으로 탈이온수로 존재하는 잔여물을 포함하고;
상기 용액이 4 초과 13 미만의 pH를 가지며;
상기 용액이 탈이온수로 1:0 내지 1:10000으로 희석되고;
여기에서
상기 염기가 수산화칼륨(KOH), 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며;
상기 계면활성제가 2차 알코올 에톡실레이트, 2차 알칸설포네이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는,
반도체 웨이퍼 다이싱용 용액.A solution for dicing semiconductor wafers that inhibits adhesion of contaminant residues and corrosion of exposed metallization sites.
0.001 wt% to 30 wt% of at least one acid selected from the group consisting of citric acid and oxalic acid;
At least one compound selected from the group consisting of 0.001 wt% to 20 wt% base and 0.001 wt% to 10 wt% surfactant; And
Substantially including residue present in deionized water;
The solution has a pH greater than 4 and less than 13;
The solution is diluted 1: 0 to 1: 10000 with deionized water;
From here
The base is selected from the group consisting of potassium hydroxide (KOH), tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and mixtures thereof;
The surfactant is selected from the group consisting of secondary alcohol ethoxylates, secondary alkanesulfonates, and mixtures thereof,
Solution for dicing semiconductor wafers. 웨이퍼 다이싱 방법으로,
상기 웨이퍼는 본딩 패드와 함께 톱으로 다이싱되고, 상기 웨이퍼를 절삭함으로써 오염 잔류물이 생성되며, 노출된 전체 금속화 부위 상에 부식이 형성될 수 있고;
상기 다이싱 중에 상기 웨이퍼를 용액과 접촉시키는 단계를 포함하며,
상기 용액은
유기산 및 이의 염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제 1 화합물;
계면활성제 및 염기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제 2 화합물; 및
실질적으로 탈이온수로 존재하는 잔여물을 포함하고;
상기 용액이 4를 초과하는 pH를 갖는,
웨이퍼 다이싱 방법.By wafer dicing method,
The wafer is diced with a bonding pad into a saw, cutting off the wafer creates contaminant residues and corrosion may form on the entire exposed metallization site;
Contacting the wafer with a solution during the dicing,
The solution is
At least one first compound selected from the group consisting of organic acids and salts thereof;
At least one second compound selected from the group consisting of surfactants and bases; And
Substantially including residue present in deionized water;
The solution has a pH above 4,
Wafer dicing method. 제 11항에 있어서,
상기 하나 이상의 제 1 화합물이 0.001wt% 내지 30wt% 이고;
상기 계면활성제가 0.001wt% 내지 10wt%이며;
상기 염기가 0.001wt% 내지 20wt%이고;
상기 pH가 4 초과 13 미만이며;
여기에서 상기 용액이 탈이온수로 1:0 내지 1:10000으로 희석되는,
웨이퍼 다이싱 방법.12. The method of claim 11,
The at least one first compound is 0.001 wt% to 30 wt%;
The surfactant is 0.001 wt% to 10 wt%;
The base is 0.001 wt% to 20 wt%;
The pH is greater than 4 and less than 13;
Wherein the solution is diluted 1: 0 to 1: 10000 with deionized water,
Wafer dicing method. 제 11항에 있어서,
상기 유기산이 옥살산, 시트르산, 말레산, 말산, 말론산, 글루콘산, 글루타르산, 아스코르브산, 포름산, 아세트산, 에틸렌 디아민 테트라아세트산, 디에틸렌 트리아민 펜타아세트산, 안트라닐산과 같은 아미노벤조산, 푸마르산, 글리신, 알라닌, 시스타인, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되고;
상기 계면활성제가 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽이온성 계면활성제, 실리콘 계면활성제, 폴리(알킬렌 옥사이드) 계면활성제, 플루오로화합물 계면활성제, 아세틸렌 디올 계면활성제, 1차 알코올 에톡실레이트, 2차 알코올 에톡실레이트, 아민 에톡실레이트, 글루코시드, 글루카마이드, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리(에틸렌 글리콜-코-프로필렌 글리콜), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
상기 염기가 수산화칼륨(KOH), 구아니딘 카보네이트, 암모니아수, 수산화암모늄 및 4차 수산화암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
여기에서 상기 계면활성제가 저기포를 갖고 저농도에서 낮은 표면장력을 갖는,
웨이퍼 다이싱 방법.12. The method of claim 11,
The organic acid is aminobenzoic acid, fumaric acid, such as oxalic acid, citric acid, maleic acid, malic acid, malonic acid, gluconic acid, glutaric acid, ascorbic acid, formic acid, acetic acid, ethylene diamine tetraacetic acid, diethylene triamine pentaacetic acid, anthranilic acid, Glycine, alanine, cysteine, and mixtures thereof;
The surfactant is an anionic surfactant, cationic surfactant, nonionic surfactant, amphoteric surfactant, silicone surfactant, poly (alkylene oxide) surfactant, fluorocompound surfactant, acetylene diol surfactant, 1 Primary alcohol ethoxylate, secondary alcohol ethoxylate, amine ethoxylate, glucoside, glucamide, polyethylene glycol, poly (ethylene glycol-co-propylene glycol), and combinations thereof;
The base is selected from the group consisting of potassium hydroxide (KOH), guanidine carbonate, aqueous ammonia, ammonium hydroxide and quaternary ammonium hydroxide,
Wherein the surfactant has a low bubble and has a low surface tension at low concentration,
Wafer dicing method. 제 13항에 있어서,
상기 비이온성 계면활성제가 옥틸 및 노닐 페놀 에톡실레이트, 2차 알코올 에톡실레이트, 아세틸렌 알코올 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
상기 음이온성 계면활성제가 선형 알킬벤젠설포네이트(LAS), 2차 알킬벤젠설포네이트, 지방 알코올 설페이트(FAS), 2차 알칸설포네이트(SAS), 지방 알코올 에테르 설페이트(FAES), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
상기 4차 암모늄 염이 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄 하이드록사이드 및 (1-하이드록시프로필)트리메틸암모늄 하이드록사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는,
웨이퍼 다이싱 방법.The method of claim 13,
The nonionic surfactant is selected from the group consisting of octyl and nonyl phenol ethoxylates, secondary alcohol ethoxylates, acetylene alcohols, and combinations thereof;
The anionic surfactants are linear alkylbenzenesulfonates (LAS), secondary alkylbenzenesulfonates, fatty alcohol sulfates (FAS), secondary alkanesulfonates (SAS), fatty alcohol ether sulfates (FAES), and combinations thereof It is selected from the group consisting of;
The quaternary ammonium salts are tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, trimethylethylammonium hydroxide, (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide, Selected from the group consisting of (2-hydroxyethyl) triethylammonium hydroxide, (2-hydroxyethyl) tripropylammonium hydroxide and (1-hydroxypropyl) trimethylammonium hydroxide,
Wafer dicing method. 제 11항에 있어서,
상기 용액이
시트르산 및 옥살산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 산;
수산화칼륨(KOH) 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 염기;
2차 알코올 에톡실레이트 및 2차 알칸설포네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 계면활성제; 및
상기 실질적으로 탈이온수로 존재하는 잔여물을 포함하고;
상기 용액이 4 초과 13 미만의 pH를 갖는,
웨이퍼 다이싱 방법.12. The method of claim 11,
The solution
At least one acid selected from the group consisting of citric acid and oxalic acid;
At least one base selected from the group consisting of potassium hydroxide (KOH) and tetramethylammonium hydroxide (TMAH);
At least one surfactant selected from the group consisting of secondary alcohol ethoxylates and secondary alkanesulfonates; And
A residue present in said substantially deionized water;
The solution has a pH greater than 4 and less than 13,
Wafer dicing method. 제 11항에 있어서,
상기 용액이 아미노벤조산; 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA), N-하이드록시에틸에틸렌디아민트리아세트산(NHEDTA), 나이트릴로트리아세트산(NTA), 디에틸렌트리아민펜타아세트산(DPTA), 에탄올디글리시네이트, 시트르산, 글루콘산, 옥살산, 인산, 타르타르산, 메틸디포스폰산, 아미노트리스메틸렌포스폰산, 에틸리덴-디포스폰산, 1-하이드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산,1-하이드록시프로필리덴-1,1-디포스폰산, 에틸아미노비스메틸렌포스폰산, 도데실아미노비스메틸렌포스폰산, 니트릴로트리스메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민비스메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민테트라키스메틸렌포스폰산, 헥사디아민테트라키스메틸렌포스폰산, 디에틸렌트리아민펜타메틸렌포스폰산, 1,2-프로판디아민테트라메틸렌포스폰산, 암모늄염, 유기 아민염, 말론산, 숙신산, 디메르캅토 숙신산, 글루타르산, 말레산, 프탈산, 푸마르산, 폴리카복실산, 프로판-1,1,2,3-테트라카복실산, 부탄-1,2,3,4-테트라카복실산, 피로멜리트산, 옥시카복실산, β-하이드록시프로피온산, 시트르산, 말산, 타르타르산, 피루브산, 디글리콜산, 살리실산, 갈산, 폴리페놀, 피로갈롤, 인산, 폴리인산, 헤테로고리 화합물, 에틸렌 글리콜, 글리세롤과 디케톤, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 킬레이트제를 0.001wt% 내지 10wt% 추가로 포함하는,
웨이퍼 다이싱 방법.12. The method of claim 11,
The solution is aminobenzoic acid; Ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), N-hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (NHEDTA), nitrilotriacetic acid (NTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DPTA), ethanol diglycinate, citric acid, gluconic acid, Oxalic acid, phosphoric acid, tartaric acid, methyldiphosphonic acid, aminotrismethylenephosphonic acid, ethylidene-diphosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, 1-hydroxypropylidene-1,1 -Diphosphonic acid, ethylaminobismethylenephosphonic acid, dodecylaminobismethylenephosphonic acid, nitrilotrismethylenephosphonic acid, ethylenediaminebismethylenephosphonic acid, ethylenediaminetetrakisethylene methylenephosphonic acid, hexadiaminetetrakisethylene methylenephosphonic acid, Diethylenetriaminepentamethylenephosphonic acid, 1,2-propanediaminetetramethylenephosphonic acid, ammonium salt, organic amine salt, malonic acid, succinic acid, dimercapto succinic acid, glutaric acid, mal Acid, phthalic acid, fumaric acid, polycarboxylic acid, propane-1,1,2,3-tetracarboxylic acid, butane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid, pyromellitic acid, oxycarboxylic acid, β-hydroxypropionic acid, citric acid, A chelating agent selected from the group consisting of malic acid, tartaric acid, pyruvic acid, diglycolic acid, salicylic acid, gallic acid, polyphenol, pyrogallol, phosphoric acid, polyphosphoric acid, heterocyclic compound, ethylene glycol, glycerol and diketone, and mixtures thereof Further comprising 0.001wt% to 10wt%,
Wafer dicing method. 제 16항에 있어서,
상기 옥시카복실산이 글리콜산, β-하이드록시프로피온산, 시트르산, 말산, 타르타르산, 피루브산, 디글리콜산, 살리실산, 갈산, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되고;
상기 폴리페놀이 카테콜, 피로갈롤, 피로인산과 같은 인산, 폴리인산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며;
상기 헤테로고리 화합물이 8-옥시퀴놀린, α-디피리딜 아세틸아세톤과 같은 디케톤, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는,
웨이퍼 다이싱 방법.17. The method of claim 16,
The oxycarboxylic acid is selected from the group consisting of glycolic acid, β-hydroxypropionic acid, citric acid, malic acid, tartaric acid, pyruvic acid, diglycolic acid, salicylic acid, gallic acid, and mixtures thereof;
The polyphenol is selected from the group consisting of catechol, pyrogallol, phosphoric acid such as pyrophosphoric acid, polyphosphoric acid and mixtures thereof;
The heterocyclic compound is selected from the group consisting of 8-oxyquinoline, diketone such as α-dipyridyl acetylacetone, and mixtures thereof,
Wafer dicing method. 제 11항에 있어서, 상기 용액이
실리콘, 유기 인산염, 폴리에틸렌 글리콜과 플리프로필렌 글리콜 공중합체를 포함하는 소포제 기반의 EO 또는 PO, 알코올, 백색유, 식물유, 왁스, 장쇄 지방 알코올, 지방산 비누, 에스테르 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 소포제 0.001wt% 내지 5wt%; 및
수용성 음이온성 분산제, 수용성 비이온성 분산제, 수용성 양이온성 분산제, 수용성 양쪽성 분산제; 공중합된 성분으로써 아크릴산 염을 포함하는 폴리머 분산제, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 분산제(dispersing agent) 0.001wt% 내지 5wt%를 추가로 포함하는,
웨이퍼 다이싱 방법.The method of claim 11 wherein the solution is
Antifoam based EO or PO, including silicone, organic phosphate, polyethylene glycol and polypropylene glycol copolymer, selected from the group consisting of alcohols, white oils, vegetable oils, waxes, long chain fatty alcohols, fatty acid soaps, esters and mixtures thereof Antifoaming agent 0.001 wt% to 5 wt%; And
Water soluble anionic dispersants, water soluble nonionic dispersants, water soluble cationic dispersants, water soluble amphoteric dispersants; Further comprising 0.001 wt% to 5 wt% of a dispersing agent selected from the group consisting of polymer dispersants comprising acrylic acid salts, and mixtures thereof as copolymerized components,
Wafer dicing method. 제 18항에 있어서,
상기 수용성 음이온성 분산제가 트리에탄올아민 라우릴설페이트, 암모늄 라우릴설페이트, 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르 트리에탄올아민 설페이트, 및 특히 폴리카복실산 타입의 폴리머 분산제로 이루어진 군으로부터 선택되고;
상기 수용성 비이온성 분산제가 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 세틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일 에테르, 폴리옥시에틸렌 고급 알코올 에테르, 폴리옥시에틸렌 옥틸 페닐 에테르, 폴리옥시에틸렌 노닐 페닐 에테르, 폴리옥시에틸렌 유도체, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 트리스테아레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노올레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 트리올레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비트 테트라올레이트, 폴리에틸렌 글리콜 모노라우레이트, 폴리에틸렌 글리콜 모노스테아레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디스테아레이트, 폴리에틸렌 글리콜 모노올레이트, 폴리옥시에틸렌 알킬아민, 폴리옥시에틸렌 경화 피마자유, 알킬알카놀아마이드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며;
상기 수용성 양이온성 분산제가 폴리비닐피롤리돈, 코코넛아민 아세테이트, 스테아릴아민 아세테이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되고;
상기 수용성 양쪽성 분산제가 라우릴베타인, 스테아릴베타인, 라우릴디메틸아민 옥사이드, 2-알킬-N-카복시메틸-N-하이드록시에틸이미다졸리늄 베타인, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는,
웨이퍼 다이싱 방법.19. The method of claim 18,
The water soluble anionic dispersant is selected from the group consisting of triethanolamine laurylsulfate, ammonium laurylsulfate, polyoxyethylene alkyl ether triethanolamine sulfate, and in particular a polycarboxylic acid type polymer dispersant;
The water-soluble nonionic dispersant may be polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene higher alcohol ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene Nonyl phenyl ether, polyoxyethylene derivative, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan tristearate, polyoxyethylene sorbitan Monooleate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitol tetraoleate, polyethylene glycol monolaurate, polyethylene glycol monostearate, polyethylene glycol distearate, polyethylene glycol monooleate, poly Oxyethylene alkylamine, polyoxyethylene cured castor oil, alkylalkanolamides and mixtures thereof;
The water soluble cationic dispersant is selected from the group consisting of polyvinylpyrrolidone, coconut amine acetate, stearyl amine acetate, and mixtures thereof;
The water-soluble amphoteric dispersant is a group consisting of laurylbetaine, stearylbetaine, lauryldimethylamine oxide, 2-alkyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethylimidazolinium betaine, and mixtures thereof Selected from
Wafer dicing method. 제 11항에 있어서,
상기 용액이
시트르산 및 옥살산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 산 0.001wt% 내지 30wt%;
0.001wt% 내지 20wt%의 염기 및 0.001wt% 내지 10wt%의 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물; 및
실질적으로 탈이온수로 존재하는 잔여물을 포함하고;
상기 용액이 4 초과 13 미만의 pH를 가지며;
상기 용액이 탈이온수로 1:0 내지 1:10000으로 희석되고;
여기에서
상기 염기가 수산화칼륨(KOH), 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며;
상기 계면활성제가 2차 알코올 에톡실레이트, 2차 알칸설포네이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는,
웨이퍼 다이싱 방법.12. The method of claim 11,
The solution
0.001 wt% to 30 wt% of at least one acid selected from the group consisting of citric acid and oxalic acid;
At least one compound selected from the group consisting of 0.001 wt% to 20 wt% base and 0.001 wt% to 10 wt% surfactant; And
Substantially including residue present in deionized water;
The solution has a pH greater than 4 and less than 13;
The solution is diluted 1: 0 to 1: 10000 with deionized water;
From here
The base is selected from the group consisting of potassium hydroxide (KOH), tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and mixtures thereof;
The surfactant is selected from the group consisting of secondary alcohol ethoxylates, secondary alkanesulfonates, and mixtures thereof,
Wafer dicing method.
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