KR20110126736A

KR20110126736A - Plasma display panel

Info

Publication number: KR20110126736A
Application number: KR1020117023102A
Authority: KR
Inventors: 가나메 미조까미; 신스께 요시다; 쇼조 오시오; 가즈히꼬 스기모또; 노부미쯔 아이바라; 요시히사 나가사끼; 유끼히꼬 스기오; 마사아끼 아까마쯔
Original assignee: 파나소닉 주식회사
Priority date: 2010-03-18
Filing date: 2011-03-11
Publication date: 2011-11-23
Also published as: CN102341883A; JPWO2011114673A1; WO2011114673A1; US20120104931A1

Abstract

플라즈마 디스플레이 패널의 보호층은, 유전체층 상에 형성된 기초층 및 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수의 응집 입자를 포함한다. 형광체층은, 1/10 잔광 시간이 2msec를 초과하고 5msec 미만의 Mn²⁺ 부활 단잔광 녹색 형광체와, 490㎚ 이상 560㎚ 미만의 파장 영역에 발광 피크를 갖는 Ce³⁺ 부활 녹색 형광체 또는 Eu²⁺ 부활 녹색 형광체 중 어느 하나를 포함하는 녹색 형광체를 포함하는 녹색 형광체층을 갖는다.The protective layer of the plasma display panel includes a base layer formed on the dielectric layer and a plurality of agglomerated particles dispersed over the entire surface of the base layer. The phosphor layer is a Ce ^{3 +} -activated green phosphor or Eu ² having an Mn ²⁺ -activated monoglow green phosphor having a 1/10 afterglow time exceeding 2 msec and less than 5 msec, and an emission peak in a wavelength region of 490 nm or more and less than 560 nm. ^And a green phosphor layer comprising a green phosphor comprising any one of an activated green phosphor.

Description

플라즈마 디스플레이 패널{PLASMA DISPLAY PANEL}Plasma Display Panel {PLASMA DISPLAY PANEL}

여기에 개시된 기술은, 표시 디바이스 등에 이용되는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.The technique disclosed herein relates to a plasma display panel used for a display device or the like.

플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP라고 칭함)은, 전면판과 배면판으로 구성된다. 전면판은, 글래스 기판과, 글래스 기판의 한쪽의 주면 상에 형성된 표시 전극과, 표시 전극을 덮어 컨덴서로서의 기능을 하는 유전체층과, 유전체층 상에 형성된 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 보호층으로 구성되어 있다. 한편, 배면판은, 글래스 기판과, 글래스 기판의 한쪽의 주면 상에 형성된 데이터 전극과, 데이터 전극을 덮는 기초 유전체층과, 기초 유전체층 상에 형성된 격벽과, 각 격벽 사이에 형성된 적색, 녹색 및 청색 각각으로 발광하는 형광체층으로 구성되어 있다.The plasma display panel (hereinafter referred to as PDP) is composed of a front plate and a back plate. The front plate is composed of a glass substrate, a display electrode formed on one main surface of the glass substrate, a dielectric layer covering the display electrode to function as a capacitor, and a protective layer made of magnesium oxide (MgO) formed on the dielectric layer. . On the other hand, the back plate includes a glass substrate, a data electrode formed on one main surface of the glass substrate, a base dielectric layer covering the data electrode, a partition wall formed on the base dielectric layer, and red, green, and blue formed between each partition wall, respectively. It consists of a phosphor layer which emits light.

전면판과 배면판은 전극 형성면측을 대향시켜 기밀 봉착된다. 격벽에 의해 구획된 방전 공간에는, 네온(Ne) 및 크세논(Xe)의 방전 가스가 봉입되어 있다. 방전 가스는, 표시 전극에 선택적으로 인가된 영상 신호 전압에 의해 방전한다. 방전에 의해 발생한 자외선은, 각 색 형광체층을 여기한다. 여기한 형광체층은, 적색, 녹색, 청색으로 발광한다. PDP는, 이와 같이 컬러 화상 표시를 실현하고 있다(특허 문헌 1 참조).The front plate and the back plate are hermetically sealed by facing the electrode forming surface side. Discharge gas of neon Ne and xenon Xe is enclosed in the discharge space partitioned by the partition. The discharge gas is discharged by the video signal voltage selectively applied to the display electrode. The ultraviolet rays generated by the discharge excite the respective phosphor layers. The excited phosphor layer emits light in red, green, and blue. The PDP realizes color image display in this manner (see Patent Document 1).

일본 특개 2003-128430호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2003-128430

제1 개시의 PDP는, 전면판과, 전면판과 대향 배치된 배면판을 구비한다. 전면판은, 표시 전극과 표시 전극을 덮는 유전체층과 유전체층을 덮는 보호층을 갖는다. 보호층은, 유전체층 상에 형성된 기초층 및 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수의 응집 입자를 포함한다. 응집 입자는, 복수의 응집된 금속 산화물 결정 입자로 이루어진다. 배면판은, 자외선에 의해 여기되는 형광체층을 갖는다. 형광체층은, 1/10 잔광 시간이 2msec를 초과하고 5msec 미만의 Mn²⁺ 부활 단잔광 녹색 형광체와, 490㎚ 이상 560㎚ 미만의 파장 영역에 발광 피크를 갖는 Ce³⁺ 부활 녹색 형광체 또는 Eu²⁺ 부활 녹색 형광체 중 어느 하나를 포함하는 녹색 형광체를 포함하는 녹색 형광체층을 갖는다.The PDP of the first disclosure includes a front plate and a rear plate disposed to face the front plate. The front plate has a display electrode, a dielectric layer covering the display electrode, and a protective layer covering the dielectric layer. The protective layer includes a base layer formed on the dielectric layer and a plurality of aggregated particles dispersed and disposed over the entire surface of the base layer. Aggregated particles consist of a plurality of aggregated metal oxide crystal particles. The back plate has a phosphor layer excited by ultraviolet rays. The phosphor layer is a Ce ^{3 +} -activated green phosphor or Eu ² having an Mn ²⁺ -activated monoglow green phosphor having a 1/10 afterglow time exceeding 2 msec and less than 5 msec, and an emission peak in a wavelength region of 490 nm or more and less than 560 nm. ^And a green phosphor layer comprising a green phosphor comprising any one of an activated green phosphor.

제2 개시의 PDP는, 전면판과, 전면판과 대향 배치된 배면판을 구비한다. 전면판은, 표시 전극과 표시 전극을 덮는 유전체층과 유전체층을 덮는 보호층을 갖는다. 보호층은, 유전체층 상에 형성된 기초층과, 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수개의 제1 입자와, 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수개의 제2 입자를 포함한다. 제1 입자는, 금속 산화물 결정 입자가 복수개 응집한 응집 입자이다. 제2 입자는 입방체 형상의 결정 입자이다. 배면판은, 자외선에 의해 여기되는 형광체층을 갖는다. 형광체층은, 1/10 잔광 시간이 2msec를 초과하고 5msec 미만의 Mn²⁺ 부활 단잔광 녹색 형광체와, 490㎚ 이상 560㎚ 미만의 파장 영역에 발광 피크를 갖는 Ce³⁺ 부활 녹색 형광체 또는 Eu²⁺ 부활 녹색 형광체 중 어느 하나를 포함하는 녹색 형광체를 포함하는 녹색 형광체층을 갖는다.The PDP of the second disclosure includes a front plate and a rear plate disposed to face the front plate. The front plate has a display electrode, a dielectric layer covering the display electrode, and a protective layer covering the dielectric layer. The protective layer includes a base layer formed on the dielectric layer, a plurality of first particles dispersedly disposed over the entire surface of the base layer, and a plurality of second particles dispersedly distributed over the entire surface of the base layer. The first particles are aggregated particles in which a plurality of metal oxide crystal particles are aggregated. The second particles are cubic crystal particles. The back plate has a phosphor layer excited by ultraviolet rays. The phosphor layer is a Ce ^{3 +} -activated green phosphor or Eu ² having an Mn ²⁺ -activated monoglow green phosphor having a 1/10 afterglow time exceeding 2 msec and less than 5 msec, and an emission peak in a wavelength region of 490 nm or more and less than 560 nm. ^And a green phosphor layer comprising a green phosphor comprising any one of an activated green phosphor.

도 1은 PDP의 구조를 도시하는 사시도이다.
도 2는 PDP의 전극 배열도이다.
도 3은 플라즈마 디스플레이 장치의 블록 회로도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 전압 파형도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 서브필드 구성을 도시하는 모식도이다.
도 6은 실시 형태에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 코딩을 도시하는 도면이다.
도 7은 실시 형태에 따른 전면판의 구성을 도시하는 개략 단면도이다.
도 8은 실시 형태에 따른 보호층 부분의 확대도이다.
도 9는 실시 형태에 따른 보호층 표면의 확대도이다.
도 10은 실시 형태에 따른 응집 입자의 확대도이다.
도 11은 실시 형태에 따른 결정 입자의 캐소드 루미네센스 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 12는 전자 방출 성능과 Vscn 점등 전압의 관계를 도시하는 도면이다.
도 13은 PDP의 점등 시간과 전자 방출 성능의 관계를 도시하는 도면이다.
도 14는 피복률에 대하여 설명하기 위한 확대도이다.
도 15는 유지 방전 전압을 비교하여 도시하는 특성도이다.
도 16은 응집 입자의 평균 입경과 전자 방출 성능의 관계를 도시하는 특성도이다.
도 17은 결정 입자의 입경과 격벽의 파손의 발생율과의 관계를 도시하는 특성도이다.
도 18은 실시 형태에 따른 보호층 형성의 공정을 도시하는 공정도이다.
도 19는 ZSM 형광체에서의 Mn 부활량에 대한 휘도 및 잔광 시간의 관계를 도시하는 도면이다.
도 20은 PDP에서의 녹색 발광의 잔광 특성을 도시하는 도면이다.
도 21은 PDP 점등 시간과 녹색 휘도 유지율과의 관계를 도시하는 도면이다.
도 22는 Mn 부활량이 8원자％의 ZSM 형광체에 YAG 형광체를 혼합한 녹색 형광체의 분체에서의 CIE 색도 좌표를 도시하는 도면이다.
도 23은 ZSM 형광체에서의 YAG 형광체의 혼합 비율과 발광 스펙트럼과의 관계를 도시하는 도면이다.
도 24는 ZSM 형광체에서의 YAG 형광체의 혼합 비율과 휘도와의 관계를 도시하는 도면이다.
도 25는 실시 형태에 따른 녹색 형광체가 적용된 PDP에서의 잔광 특성을 도시하는 도면이다.
도 26은 발광색이 상이한 Eu³⁺ 부활 적색 형광체의 분체의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 27은 실시 형태에 따른 적색 형광체의 분체에서의 잔광 특성을 도시하는 도면이다.
도 28은 YPV 형광체의 분체에서의 P 비율에 대한 발광 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 29는 YPV 형광체의 분체에서의 잔광 특성을 도시하는 도면이다.
도 30은 YPV 형광체의 분체에서의 적색광 강도에 대한 오렌지색광 강도의 강도 비율과 잔광 시간과의 관계를 도시하는 도면이다.
도 31은 YPV 형광체의 분체에서의 P 비율과 진공 자외선(147㎚) 여기 하에서 평가한 총 광자수와 휘도 상대값과의 관계를 도시하는 도면이다.
도 32는 실시 형태에 따른 PDP의 적색광, 녹색광 및 청색광의 잔광 특성의 일례를 도시하는 도면이다.1 is a perspective view showing the structure of a PDP.
2 is an arrangement diagram of electrodes of a PDP.
3 is a block circuit diagram of the plasma display device.
4 is a driving voltage waveform diagram of the plasma display device according to the embodiment.
5 is a schematic diagram illustrating a subfield configuration of the plasma display device according to the embodiment.
6 is a diagram illustrating coding of a plasma display device according to an embodiment.
It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the front plate which concerns on embodiment.
8 is an enlarged view of a protective layer portion according to the embodiment.
9 is an enlarged view of the protective layer surface according to the embodiment.
10 is an enlarged view of aggregated particles according to an embodiment.
It is a figure which shows the cathode luminescence spectrum of the crystal grain which concerns on embodiment.
12 is a diagram illustrating a relationship between electron emission performance and Vscn lighting voltage.
It is a figure which shows the relationship between the lighting time of PDP and electron emission performance.
14 is an enlarged view for explaining the coverage.
15 is a characteristic diagram comparing and showing sustain discharge voltage.
16 is a characteristic diagram showing a relationship between the average particle diameter of the aggregated particles and the electron emission performance.
17 is a characteristic diagram showing the relationship between the particle diameter of crystal grains and the incidence of breakage of partition walls.
18 is a flowchart illustrating a step of forming a protective layer according to the embodiment.
19 is a diagram illustrating a relationship between luminance and afterglow time with respect to Mn activation amount in a ZSM phosphor.
20 is a diagram showing the afterglow characteristic of green light emission in a PDP.
21 is a diagram illustrating a relationship between a PDP lighting time and a green luminance holding ratio.
It is a figure which shows the CIE chromaticity coordinate in the powder of the green fluorescent substance which Mn activation amount mixed YAG fluorescent substance with 8 atomic% ZSM fluorescent substance.
It is a figure which shows the relationship between the mixing ratio of a YAG fluorescent substance in a ZSM fluorescent substance, and an emission spectrum.
It is a figure which shows the relationship between the mixing ratio of a YAG fluorescent substance, and luminance in a ZSM fluorescent substance.
25 is a diagram illustrating the afterglow characteristic of the PDP to which the green phosphor according to the embodiment is applied.
It is a figure which shows the emission spectrum of powder of Eu3 ⁺ activating red fluorescent substance from which light emission color ^differs .
27 is a diagram showing afterglow characteristics in the powder of the red phosphor according to the embodiment.
It is a figure which shows the emission spectrum with respect to P ratio in the powder of YPV fluorescent substance.
It is a figure which shows the afterglow characteristic in the powder of YPV fluorescent substance.
It is a figure which shows the relationship between the intensity ratio of orange light intensity with respect to red light intensity in the powder of an YPV fluorescent substance, and an afterglow time.
Fig. 31 is a graph showing the relationship between the P ratio in the powder of the YPV phosphor and the total photon count and luminance relative value evaluated under vacuum ultraviolet (147 nm) excitation.
32 is a diagram illustrating an example of afterglow characteristics of red light, green light, and blue light of the PDP according to the embodiment.

[1. PDP(1)의 구성][One. Configuration of PDP (1)]

PDP의 기본 구조는, 일반적인 교류 면방전형 PDP이다. 도 1에 도시한 바와 같이, PDP(1)는 전면 글래스 기판(3) 등으로 이루어지는 전면판(2)과, 배면 글래스 기판(11) 등으로 이루어지는 배면판(10)이 대향하여 배치되어 있다. 전면판(2)과 배면판(10)은, 외주부가 글래스 프릿 등으로 이루어지는 봉착재에 의해 기밀 봉착되어 있다. 봉착된 PDP(1) 내부의 방전 공간(16)에는, 네온(Ne) 및 크세논(Xe) 등의 방전 가스가 53㎪(400Torr)∼80㎪(600Torr)의 압력으로 봉입되어 있다.The basic structure of a PDP is a general AC surface discharge type PDP. As shown in FIG. 1, the PDP 1 is disposed such that the front plate 2 made of the front glass substrate 3 and the like and the back plate 10 made of the back glass substrate 11 and the like are opposed to each other. The front plate 2 and the back plate 10 are hermetically sealed by a sealing material whose outer circumferential portion is made of glass frit or the like. Discharge gas, such as neon (Ne) and xenon (Xe), is sealed in the discharge space 16 inside the sealed PDP 1 at a pressure of 53 kPa (400 Torr) to 80 kPa (600 Torr).

전면 글래스 기판(3) 상에는, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)으로 이루어지는 한 쌍의 띠 형상의 표시 전극(6)과 블랙 스트라이프(7)가 서로 평행하게 각각 복수 열 배치되어 있다. 전면 글래스 기판(3) 상에는 표시 전극(6)과 블랙 스트라이프(7)를 덮도록 컨덴서로서의 기능을 하는 유전체층(8)이 형성된다. 또한 유전체층(8)의 표면에 산화마그네슘(MgO) 등으로 이루어지는 보호층(9)이 형성되어 있다.On the front glass substrate 3, a pair of strip | belt-shaped display electrodes 6 and the black stripe 7 which consist of the scanning electrode 4 and the sustain electrode 5 are arrange | positioned in multiple rows, respectively, in parallel. On the front glass substrate 3, a dielectric layer 8 which functions as a capacitor is formed so as to cover the display electrode 6 and the black stripe 7. A protective layer 9 made of magnesium oxide (MgO) or the like is formed on the surface of the dielectric layer 8.

주사 전극(4) 및 유지 전극(5)은, 각각 인듐 주석 산화물(ITO), 산화주석(SnO₂), 산화아연(ZnO) 등의 도전성 금속 산화물로 이루어지는 투명 전극 상에 Ag로 이루어지는 버스 전극이 적층되어 있다.The scan electrode 4 and the sustain electrode 5 each have a bus electrode made of Ag on a transparent electrode made of a conductive metal oxide such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO ₂ ), and zinc oxide (ZnO). It is stacked.

배면 글래스 기판(11) 상에는, 표시 전극(6)과 직교하는 방향으로, 은(Ag)을 주성분으로 하는 도전성 재료로 이루어지는 복수의 데이터 전극(12)이, 서로 평행하게 배치되어 있다. 데이터 전극(12)은, 기초 유전체층(13)으로 피복되어 있다. 또한, 데이터 전극(12) 사이의 기초 유전체층(13) 상에는 방전 공간(16)을 구획하는 소정 높이의 격벽(14)이 형성되어 있다. 격벽(14) 사이의 홈에는, 데이터 전극(12)마다, 자외선에 의해 적색으로 발광하는 적색 형광체층(31), 녹색으로 발광하는 녹색 형광체층(32) 및 청색으로 발광하는 청색 형광체층(33)이 순차적으로 도포되어 형성되어 있다. 이후, 적색 형광체층(31), 녹색 형광체층(32) 및 청색 형광체층(33)을 총칭하는 경우는, 형광체층(15)으로 기재된다. 표시 전극(6)과 데이터 전극(12)이 교차하는 위치에 방전 셀이 형성되어 있다. 표시 전극(6) 방향으로 배열된 형광체층(15)을 갖는 방전 셀이 컬러 표시를 위한 화소로 된다.On the back glass substrate 11, the some data electrode 12 which consists of electroconductive material which has silver (Ag) as a main component in the direction orthogonal to the display electrode 6 is arrange | positioned in parallel with each other. The data electrode 12 is covered with the base dielectric layer 13. In addition, on the base dielectric layer 13 between the data electrodes 12, the partition 14 of predetermined height which partitions the discharge space 16 is formed. In the grooves between the partitions 14, for each data electrode 12, a red phosphor layer 31 emitting red light by ultraviolet rays, a green phosphor layer 32 emitting green light, and a blue phosphor layer 33 emitting blue light. ) Is applied and formed sequentially. Subsequently, when the red phosphor layer 31, the green phosphor layer 32, and the blue phosphor layer 33 are collectively described, the phosphor layer 15 is described. Discharge cells are formed at positions where the display electrode 6 and the data electrode 12 cross each other. The discharge cells having the phosphor layer 15 arranged in the direction of the display electrode 6 become pixels for color display.

또한, 본 실시 형태에서, 방전 공간(16)에 봉입하는 방전 가스는, 10체적％이상 30％ 체적 이하의 Xe를 포함한다.In addition, in this embodiment, the discharge gas enclosed in the discharge space 16 contains Xe of 10 volume% or more and 30% volume or less.

도 2에 도시한 바와 같이, PDP(1)는, 긴 변 방향으로 연신하여 배열된 n개의 주사 전극 SC1∼SCn을 갖는다. 또한, PDP(1)는, 긴 변 방향으로 연신하여 배열된 n개의 유지 전극 SU1∼SUn을 갖는다. PDP(1)는, 짧은 변 방향으로 연신하여 배열된 m개의 데이터 전극 D1∼Dm을 갖는다. 주사 전극 SC1 및 유지 전극 SU1과 데이터 전극 D1이 교차한 부분에 방전 셀이 형성되어 있다. 방전 셀은 방전 공간 내에 m×n개 형성되어 있다. 방전 셀이 배치된 영역이 화상 표시 영역이다. 주사 전극 및 유지 전극은, 전면판의 화상 표시 영역 외의 주변 단부에 설치된 접속 단자에 접속되어 있다. 데이터 전극은, 배면판의 화상 표시 영역 외의 주변 단부에 설치된 접속 단자에 접속되어 있다.As shown in Fig. 2, the PDP 1 has n scan electrodes SC1 to SCn arranged in the longitudinal direction. In addition, the PDP 1 has n sustain electrodes SU1 to SUn arranged in the longitudinal direction. The PDP 1 has m data electrodes D1 to Dm arranged in a short side direction. Discharge cells are formed at portions where scan electrode SC1 and sustain electrode SU1 and data electrode D1 intersect. M x n discharge cells are formed in the discharge space. The area where the discharge cells are arranged is an image display area. The scan electrode and the sustain electrode are connected to a connection terminal provided at a peripheral end outside the image display area of the front plate. The data electrode is connected to a connection terminal provided at a peripheral end outside the image display area of the back plate.

[2. 플라즈마 디스플레이 장치(100)의 구성][2. Configuration of Plasma Display Device 100]

도 3에 도시한 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 장치(100)는, PDP(1), 화상 신호 처리 회로(21), 데이터 전극 구동 회로(22), 주사 전극 구동 회로(23), 유지 전극 구동 회로(24), 타이밍 발생 회로(25) 및 전원 회로(도시 생략)를 구비하고 있다.As shown in FIG. 3, the plasma display apparatus 100 includes a PDP 1, an image signal processing circuit 21, a data electrode driving circuit 22, a scan electrode driving circuit 23, and a sustain electrode driving circuit ( 24, a timing generating circuit 25 and a power supply circuit (not shown) are provided.

화상 신호 처리 회로(21)는, 우안용 화상 신호와 좌안용 화상 신호를 필드마다 교대로 입력한다. 또한, 화상 신호 처리 회로(21)는, 입력한 우안용 화상 신호를 서브필드마다의 발광 또는 비발광을 나타내는 우안용 화상 데이터로 변환한다. 또한, 화상 신호 처리 회로(21)는, 좌안용 화상 신호를 서브필드마다의 발광 또는 비발광을 나타내는 좌안용 화상 데이터로 변환한다. 데이터 전극 구동 회로(22)는, 우안용 화상 데이터 및 좌안용 화상 데이터를 데이터 전극 D1∼데이터 전극 Dm의 각각에 대응하는 기입 펄스로 변환한다. 또한, 데이터 전극 구동 회로(22)는, 데이터 전극 D1∼데이터 전극 Dm의 각각에 기입 펄스를 인가한다.The image signal processing circuit 21 alternately inputs the right eye image signal and the left eye image signal for each field. In addition, the image signal processing circuit 21 converts the input right eye image signal into right eye image data indicating light emission or non-light emission for each subfield. Further, the image signal processing circuit 21 converts the left eye image signal into left eye image data indicating light emission or non-light emission for each subfield. The data electrode drive circuit 22 converts the right eye image data and the left eye image data into write pulses corresponding to each of the data electrodes D1 to Dm. In addition, the data electrode driving circuit 22 applies a write pulse to each of the data electrodes D1 to Dm.

타이밍 발생 회로(25)는, 수평 동기 신호 H 및 신호 V에 기초하여 각종 타이밍 신호를 발생하여, 각 구동 회로 블록에 공급하고 있다. 또한, 셔터 안경의 셔터를 개폐하는 타이밍 신호를 타이밍 신호 출력부에 출력한다. 타이밍 신호 출력부(도시 생략)는, LED 등의 발광 소자를 이용하여 타이밍 신호를, 예를 들면 적외선의 신호로 변환하여 셔터 안경(도시 생략)에 공급한다. 주사 전극 구동 회로(23)는 타이밍 신호에 기초하여 주사 전극의 각각에 구동 전압 파형을 공급한다. 유지 전극 구동 회로(24)는 타이밍 신호에 기초하여 유지 전극에 구동 전압 파형을 공급한다. 셔터 안경(도시 생략)은, 타이밍 신호 출력부(도시 생략)로부터 출력된 타이밍 신호를 수신하는 수신부와 우안용 액정 셔터 R 및 좌안용 액정 셔터 L을 갖는다. 또한, 셔터 안경(도시 생략)은, 타이밍 신호에 기초하여 우안용 액정 셔터 R 및 좌안용 액정 셔터 L을 개폐한다.The timing generating circuit 25 generates various timing signals based on the horizontal synchronizing signal H and the signal V, and supplies them to the respective driving circuit blocks. The timing signal for opening and closing the shutter of the shutter glasses is also output to the timing signal output unit. The timing signal output unit (not shown) converts the timing signal into, for example, an infrared signal using a light emitting element such as an LED, and supplies it to the shutter glasses (not shown). The scan electrode driving circuit 23 supplies a driving voltage waveform to each of the scan electrodes based on the timing signal. The sustain electrode driving circuit 24 supplies a driving voltage waveform to the sustain electrode based on the timing signal. The shutter glasses (not shown) have a receiver for receiving timing signals output from the timing signal output unit (not shown), a liquid crystal shutter R for the right eye, and a liquid crystal shutter L for the left eye. In addition, the shutter glasses (not shown) open and close the liquid crystal shutter R for the right eye and the liquid crystal shutter L for the left eye based on the timing signal.

[3. PDP(1)의 구동 방법][3. Driving method of PDP 1]

도 4에 도시한 바와 같이 본 실시 형태에서의 PDP(1)는, 서브필드 구동법에 의해 구동된다. 서브필드 구동법에서는, 1필드가 복수의 서브필드에 의해 구성된다. 서브필드는, 초기화 기간과, 기입 기간, 유지 기간을 갖는다. 초기화 기간은 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 기간이다. 기입 기간은, 초기화 기간 후, 발광시키는 방전 셀을 선택하는 기입 방전을 발생시키는 기간이다. 유지 기간은, 기입 기간에서 선택된 방전 셀에 유지 방전을 발생시키는 기간이다.As shown in FIG. 4, the PDP 1 in this embodiment is driven by the subfield drive method. In the subfield driving method, one field is composed of a plurality of subfields. The subfield has an initialization period, a writing period, and a sustaining period. The initialization period is a period in which initialization discharge is generated in the discharge cells. The writing period is a period in which writing discharge for selecting discharge cells to emit light is generated after the initialization period. The sustain period is a period in which sustain discharge is generated in the discharge cells selected in the write period.

[3-1-1. 초기화 기간]3-1-1. Initialization period]

제1 서브필드의 초기화 기간에서는, 데이터 전극 D1∼Dm 및 유지 전극 SU1∼SUn이 0(V)으로 유지된다. 또한, 주사 전극 SC1∼SCn에 대하여 방전 개시 전압 이하로 되는 전압 Vi1(V)로부터 방전 개시 전압을 초과하는 전압 Vi2(V)를 향하여 완만하게 상승하는 램프 전압이 인가된다. 그렇게 하면, 모든 방전 셀에서 1회째의 미약한 초기화 방전이 발생한다. 초기화 방전에 의해, 주사 전극 SC1∼SCn 상에 마이너스의 벽전압이 축적된다. 유지 전극 SU1∼SUn 상 및 데이터 전극 D1∼Dm 상에 플러스의 벽전압이 축적된다. 벽전압이란 보호층(9)이나 형광체층(15) 상 등에 축적된 벽전하에 의해 생기는 전압이다.In the initialization period of the first subfield, the data electrodes D1 to Dm and the sustain electrodes SU1 to SUn are held at 0 (V). In addition, a ramp voltage that rises slowly from the voltage Vi1 (V) which becomes the discharge start voltage or less to the scan electrodes SC1 to SCn toward the voltage Vi2 (V) exceeding the discharge start voltage is applied. In this case, the first weak initialization discharge occurs in all the discharge cells. By the initialization discharge, a negative wall voltage is accumulated on the scan electrodes SC1 to SCn. Positive wall voltage is accumulated on sustain electrodes SU1 to SUn and on data electrodes D1 to Dm. The wall voltage is a voltage generated by wall charges accumulated on the protective layer 9, the phosphor layer 15, or the like.

그 후, 유지 전극 SU1∼SUn이 플러스의 전압 Ve1(V)로 유지된다. 주사 전극 SC1∼SCn에 전압 Vi3(V)으로부터 전압 Vi4(V)를 향하여 완만하게 하강하는 램프 전압이 인가된다. 그렇게 하면, 모든 방전 셀에서 2회째의 미약한 초기화 방전이 발생한다. 주사 전극 SC1∼SCn 상과 유지 전극 SU1∼SUn 상과의 사이의 벽전압이 약해진다. 데이터 전극 D1∼Dm 상의 벽전압이 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다. 이상에 의해, 모든 방전 셀에 대하여 강제적으로 초기화 방전을 행하는 강제 초기화 동작이 종료된다.Thereafter, sustain electrodes SU1 to SUn are held at positive voltage Ve1 (V). Ramp voltage gently falling from voltage Vi3 (V) toward voltage Vi4 (V) is applied to scan electrodes SC1 to SCn. Then, the second weak initialization discharge occurs in all the discharge cells. The wall voltage between the scan electrodes SC1 to SCn and the sustain electrodes SU1 to SUn is weakened. The wall voltage on the data electrodes D1 to Dm is adjusted to a value suitable for the write operation. By the above, the forced initialization operation | movement which forcibly performs initialization discharge with respect to all the discharge cells is complete | finished.

[3-1-2. 기입 기간]3-1-2. Entry period]

계속되는 기입 기간에서는, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Ve2가 인가된다. 주사 전극 SC1∼SC에는 전압 Vc가 인가된다. 다음으로, 주사 전극 SC1에 마이너스의 주사 펄스 전압 Va(V)가 인가된다. 또한, 데이터 전극 D1∼Dm 중 1행째에 표시할 방전 셀의 데이터 전극 Dk(k=1∼m)에 플러스의 기입 펄스 전압 Vd(V)가 인가된다. 이때 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1의 교차부의 전압은, 외부 인가 전압 (Vd-Va)(V)에 데이터 전극 Dk 상의 벽전압과 주사 전극 SC1 상의 벽전압이 가산된 것으로 된다. 즉, 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1의 교차부의 전압은, 방전 개시 전압을 초과한다. 그리고, 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1과의 사이 및 유지 전극 SU1과 주사 전극 SC1과의 사이에 기입 방전이 발생한다. 기입 방전이 발생한 방전 셀의 주사 전극 SC1 상에는 플러스의 벽전압이 축적된다. 기입 방전이 발생한 방전 셀의 유지 전극 SU1 상에는 마이너스의 벽전압이 축적된다. 기입 방전이 발생한 방전 셀의 데이터 전극 Dk 상에는 마이너스의 벽전압이 축적된다.In the subsequent writing period, the voltage Ve2 is applied to the sustain electrodes SU1 to SUn. The voltage Vc is applied to the scan electrodes SC1 to SC. Next, a negative scan pulse voltage Va (V) is applied to scan electrode SC1. In addition, a positive write pulse voltage Vd (V) is applied to the data electrodes Dk (k = 1 to m) of the discharge cells to be displayed in the first row of the data electrodes D1 to Dm. At this time, the voltage at the intersection of the data electrode Dk and the scan electrode SC1 is obtained by adding the wall voltage on the data electrode Dk and the wall voltage on the scan electrode SC1 to the externally applied voltage Vd-Va (V). In other words, the voltage at the intersection of the data electrode Dk and the scan electrode SC1 exceeds the discharge start voltage. Then, address discharge is generated between the data electrode Dk and the scan electrode SC1 and between the sustain electrode SU1 and the scan electrode SC1. Positive wall voltage is accumulated on scan electrode SC1 of the discharge cell in which the address discharge has occurred. Negative wall voltage is accumulated on sustain electrode SU1 of the discharge cell in which the address discharge has occurred. A negative wall voltage is accumulated on the data electrode Dk of the discharge cell in which the address discharge has occurred.

한편, 기입 펄스 전압 Vd(V)가 인가되지 않았던 데이터 전극 D1∼Dm과 주사 전극 SC1의 교차부의 전압은 방전 개시 전압을 초과하지 않는다. 따라서, 기입 방전은 발생하지 않는다. 이상의 기입 동작이 n행째의 방전 셀에 이르기까지 순차적으로 행해진다. 기입 기간의 종료는, n행째의 방전 셀의 기입 동작이 종료되었을 때이다.On the other hand, the voltage at the intersection of the data electrodes D1 to Dm and the scan electrode SC1 to which the write pulse voltage Vd (V) was not applied does not exceed the discharge start voltage. Therefore, address discharge does not occur. The above write operation is performed sequentially up to the n-th discharge cell. The end of the writing period is when the writing operation of the n-th discharge cell is completed.

[3-1-3. 유지 기간]3-1-3. Retention period]

계속되는 유지 기간에서는, 주사 전극 SC1∼SCn에는 제1 전압으로서 플러스의 유지 펄스 전압 Vs(V)가 인가된다. 유지 전극 SU1∼SUn에는 제2 전압으로서 접지 전위, 즉 0(V)가 인가된다. 이때 기입 방전이 발생한 방전 셀에서는, 주사 전극 SCi 상과 유지 전극 SUi 상과의 사이의 전압은 유지 펄스 전압 Vs(V)에 주사 전극 SCi 상의 벽전압과 유지 전극 SUi 상의 벽전압이 가산된 것으로 되어, 방전 개시 전압을 초과한다. 그리고, 주사 전극 SCi와 유지 전극 SUi와의 사이에 유지 방전이 발생한다. 유지 방전에 의해 발생한 자외선에 의해 형광체층이 여기되어 발광한다. 그리고 주사 전극 SCi 상에 마이너스의 벽전압이 축적된다. 유지 전극 SUi 상에 플러스의 벽전압이 축적된다. 데이터 전극 Dk 상에는 플러스의 벽전압이 축적된다.In the subsequent sustain period, a positive sustain pulse voltage Vs (V) is applied to the scan electrodes SC1 to SCn as the first voltage. The ground potential, that is, 0 (V), is applied to the sustain electrodes SU1 to SUn as the second voltage. At this time, in the discharge cell in which the address discharge has occurred, the voltage between the scan electrode SCi phase and the sustain electrode SUi phase is obtained by adding the wall voltage on the scan electrode SCi and the wall voltage on the sustain electrode SUi to the sustain pulse voltage Vs (V). Exceeds the discharge start voltage. Then, sustain discharge is generated between scan electrode SCi and sustain electrode SUi. The phosphor layer is excited by the ultraviolet rays generated by the sustain discharge, and emits light. A negative wall voltage is accumulated on scan electrode SCi. A positive wall voltage is accumulated on sustain electrode SUi. Positive wall voltage is accumulated on the data electrode Dk.

기입 기간에서 기입 방전이 발생하지 않았던 방전 셀에서는, 유지 방전은 발생하지 않는다. 따라서, 초기화 기간의 종료 시에서의 벽전압이 유지된다. 계속해서, 주사 전극 SC1∼SCn에는 제2 전압인 0(V)가 인가된다. 유지 전극 SU1∼SUn에는 제1 전압인 유지 펄스 전압 Vs(V)가 인가된다. 그렇게 하면, 유지 방전이 발생한 방전 셀에서는, 유지 전극 SUi 상과 주사 전극 SCi 상과의 사이의 전압이 방전 개시 전압을 초과한다. 따라서, 다시 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi와의 사이에 유지 방전이 발생한다. 즉, 유지 전극 SUi 상에 마이너스의 벽전압이 축적된다. 주사 전극 SCi 상에 플러스의 벽전압이 축적된다.In the discharge cells in which address discharge did not occur in the address period, sustain discharge does not occur. Therefore, the wall voltage at the end of the initialization period is maintained. Subsequently, 0 (V), which is the second voltage, is applied to the scan electrodes SC1 to SCn. The sustain pulse voltage Vs (V) as the first voltage is applied to the sustain electrodes SU1 to SUn. Then, in the discharge cell in which sustain discharge generate | occur | produced, the voltage between sustain electrode SUi phase and scan electrode SCi phase exceeds discharge start voltage. Therefore, sustain discharge is generated between sustain electrode SUi and scan electrode SCi again. That is, negative wall voltage is accumulated on sustain electrode SUi. Positive wall voltage is accumulated on scan electrode SCi.

이후 마찬가지로, 주사 전극 SC1∼SCn과 유지 전극 SU1∼SUn에 교대로 휘도 가중치에 따른 수의 유지 펄스 전압 Vs(V)가 인가됨으로써, 기입 기간에서 기입 방전이 발생한 방전 셀에서 유지 방전이 계속해서 발생한다. 소정 수의 유지 펄스 전압 Vs(V)의 인가가 완료되면 유지 기간에서의 유지 동작이 종료된다. 유지 기간의 마지막에는 전압 Vr을 향하여 완만하게 상승하는 경사 파형 전압이 주사 전극 SC1∼SCn에 인가된다. 데이터 전극 Dk 상에는, 플러스의 벽전압을 남긴 채로, 주사 전극 SCi 상 및 유지 전극 SUi 상의 벽전압이 약해진다. 이렇게 하여 유지 기간에서의 유지 동작이 종료된다.Thereafter, similarly, the number of sustain pulse voltages Vs (V) according to the luminance weight is applied to the scan electrodes SC1 to SCn and the sustain electrodes SU1 to SUn alternately, so that sustain discharge is continuously generated in the discharge cells in which the address discharge has occurred in the address period. do. When the application of the predetermined number of sustain pulse voltages Vs (V) is completed, the sustain operation in the sustain period is finished. At the end of the sustain period, the ramp waveform voltage gradually rising toward the voltage Vr is applied to the scan electrodes SC1 to SCn. On the data electrode Dk, the wall voltage on the scan electrode SCi and the sustain electrode SUi is weakened while leaving a positive wall voltage. In this way, the holding operation in the holding period is finished.

[3-1-4. 제2 서브필드 이후]3-1-4. After second subfield]

선택 초기화 동작을 행하는 SF2의 초기화 기간에서는, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Ve1이 인가된다. 데이터 전극 D1∼Dm에 전압 0(V)이 인가된다. 주사 전극 SC1∼SCn에는 전압 Vi4를 향하여 완만하게 하강하는 경사 파형 전압이 인가된다. 그렇게 하면 직전의 서브필드인 SF1에서 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는 미약한 초기화 방전이 발생하여, 주사 전극 SCi 상 및 유지 전극 SUi 상의 벽전압이 약해진다. 또한 데이터 전극 Dk에 대해서는, 직전의 유지 방전에 의해 데이터 전극 Dk 상에 충분한 플러스의 벽전압이 축적되어 있다. 벽전압의 과잉 부분이 방전됨으로써, 기입 동작에 적합한 벽전압으로 조정된다. 한편, 전의 서브필드에서 유지 방전을 일으키지 않았던 방전 셀에 대해서는 방전하는 일은 없어, 전의 서브필드의 초기화 기간 종료 시에서의 벽전압이 유지된다. 선택 초기화 동작은, 직전의 서브필드의 기입 기간에서 기입 동작을 행한 방전 셀, 따라서 유지 기간에서 유지 동작을 행한 방전 셀에 대하여 선택적으로 초기화 방전을 행하는 동작이다.In the initialization period of SF2 performing the selective initialization operation, the voltage Ve1 is applied to the sustain electrodes SU1 to SUn. A voltage of 0 (V) is applied to the data electrodes D1-Dm. Inclined waveform voltages that gently drop toward the voltage Vi4 are applied to the scan electrodes SC1 to SCn. In this case, a weak initializing discharge occurs in the discharge cell in which the sustain discharge is generated in the immediately preceding subfield SF1, and the wall voltage on scan electrode SCi and sustain electrode SUi is weakened. In the data electrode Dk, a sufficient positive wall voltage is accumulated on the data electrode Dk by the sustain discharge immediately before. The excess portion of the wall voltage is discharged to adjust the wall voltage suitable for the writing operation. On the other hand, the discharge cells which did not cause sustain discharge in the previous subfield are not discharged, and the wall voltage at the end of the initializing period of the previous subfield is maintained. The selective initialization operation is an operation for selectively initializing discharge to the discharge cells which performed the writing operation in the writing period of the immediately preceding subfield, and thus the discharge cells which performed the holding operation in the sustaining period.

계속되는 기입 기간의 동작은 SF1의 기입 기간의 동작과 마찬가지이다. 따라서 상세한 설명은 생략된다. 계속되는 유지 기간의 동작도, 유지 펄스의 수를 제외하고 SF1의 유지 기간의 동작과 마찬가지이다. 계속되는 SF3∼SF5의 동작은, 유지 펄스의 수를 제외하고 SF2의 동작과 마찬가지이다.The operation of the subsequent writing period is the same as that of the writing period of SF1. Therefore, detailed description is omitted. The operation of the sustain period is the same as the operation of the sustain period of SF1 except for the number of sustain pulses. Subsequent operations of SF3 to SF5 are similar to those of SF2 except for the number of sustain pulses.

또한, 본 실시 형태에서 각 전극에 인가하는 전압값은, 일례로서, 전압 Vi1=145(V), 전압 Vi2=335(V), 전압 Vi3=190(V), 전압 Vi4=-160(V), 전압 Va=-180(V), 전압 Vc=-35(V), 전압 Vs=190(V), 전압 Vr=190(V), 전압 Ve1=125(V), 전압 Ve2=130(V), 전압 Vd=60(V)이다. 이들 전압값은, PDP(1)의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치(100)의 사양 등에 맞추어, 적절히 최적의 값으로 설정할 수 있다.In addition, the voltage value applied to each electrode in this embodiment is an example: voltage Vi1 = 145 (V), voltage Vi2 = 335 (V), voltage Vi3 = 190 (V), voltage Vi4 = -160 (V) , Voltage Va = -180 (V), Voltage Vc = -35 (V), Voltage Vs = 190 (V), Voltage Vr = 190 (V), Voltage Ve1 = 125 (V), Voltage Ve2 = 130 (V) , The voltage Vd is 60 (V). These voltage values can be appropriately set to optimal values in accordance with the characteristics of the PDP 1, the specifications of the plasma display apparatus 100, and the like.

[3-1-5. 서브필드 구성]3-1-5. Subfield Configuration]

도 5에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에서는 입체 화상을 표시하기 위해서, 필드 주파수는 통상의 2배의 120㎐로 설정되어 있다. 또한, 우안용 필드와 좌안용 필드가 교대로 배치된다. 1개의 필드에는, 5개의 서브필드(SF1, SF2, SF3, SF4, 및 SF5)가 배치되어 있다.As shown in Fig. 5, in the present embodiment, in order to display a stereoscopic image, the field frequency is set to 120 kHz twice as normal. In addition, the right eye field and the left eye field are alternately arranged. Five subfields SF1, SF2, SF3, SF4, and SF5 are arranged in one field.

도 6에 도시한 바와 같이, 1필드는, 일례로서, 5개의 서브필드(SF1, SF2, SF3, SF4, 및 SF5)로 구성되어 있다. 필드의 최초에 배치된 서브필드인 SF1의 초기화 기간에서는, 강제 초기화 동작이 행해진다. SF1 이후에 배치된 서브필드인 SF2∼SF5의 초기화 기간에서는 선택 초기화 동작이 행해진다.As shown in Fig. 6, one field is composed of five subfields SF1, SF2, SF3, SF4, and SF5 as an example. A forced initialization operation is performed in the initialization period of SF1, which is a subfield disposed at the beginning of the field. In the initialization period of the subfields SF2 to SF5 which are arranged after SF1, the selective initialization operation is performed.

또한, SF1의 휘도 가중치는 1이다. SF2의 휘도 가중치는 16이다. SF3의 휘도 가중치는 8이다. SF4의 휘도 가중치는 4이다. SF5의 휘도 가중치는 2이다. 즉, 가장 휘도 가중치가 작은 서브필드는 최초의 서브필드인 SF1이다. 가장 휘도 가중치가 큰 서브필드는 2번째의 서브필드인 SF2이다. 3번째 이후의 서브필드는 휘도 가중치가 순서대로 작아진다. 서브필드의 휘도 가중치 배분은 전술한 대로이다.In addition, the luminance weight of SF1 is one. The luminance weight of SF2 is 16. The luminance weight of SF3 is eight. The luminance weight of SF4 is four. The luminance weight of SF5 is two. That is, the subfield with the smallest luminance weight is SF1, which is the first subfield. The subfield with the largest luminance weight is SF2, which is the second subfield. In the third and subsequent subfields, the luminance weights decrease in order. The luminance weight distribution of the subfields is as described above.

셔터 안경의 우안용 액정 셔터 R 및 좌안용 액정 셔터 L은, 타이밍 신호 출력부로부터 출력되는 타이밍 신호를 수신하여, 셔터 안경을 이하와 같이 제어한다. 셔터 안경의 우안용 액정 셔터 R은, 우안용 필드의 SF1의 기입 기간의 개시에 동기하여 셔터를 열고, 좌안용 필드의 SF1의 기입 기간의 개시에 동기하여 셔터를 닫는다. 또한 좌안용 액정 셔터 L은, 좌안용 필드의 SF1의 기입 기간의 개시에 동기하여 셔터를 열고, 우안용 필드의 SF1의 기입 기간의 개시에 동기하여 셔터를 닫는다.The right eye liquid crystal shutter R and the left eye liquid crystal shutter L of the shutter eyeglasses receive a timing signal output from the timing signal output unit and control the shutter eyeglasses as follows. The right eye liquid crystal shutter R of the shutter glasses opens the shutter in synchronization with the start of the writing period of SF1 of the right eye field, and closes the shutter in synchronization with the start of the writing period of SF1 of the left eye field. The left eye liquid crystal shutter L opens the shutter in synchronization with the start of the writing period of the SF1 of the left eye field and closes the shutter in synchronization with the start of the writing period of the SF1 of the right eye field.

이와 같은 서브필드 배치와 셔터 안경의 제어에 의해, 우안용 화상과 좌안용 화상의 크로스토크가 억제된다. 또한, 기입 방전을 안정시킴으로써, 고품질의 입체 화상을 표시할 수 있다.By such subfield arrangement and shutter eyeglasses control, crosstalk between the right eye image and the left eye image is suppressed. In addition, by stabilizing the write discharge, a high quality stereoscopic image can be displayed.

형광체의 잔광의 강도는, 형광체의 발광 시의 휘도에 비례한다. 또한, 형광체의 잔광의 강도는, 일정한 시상수로 감쇠한다. 유지 기간에서의 발광 휘도는 휘도 가중치가 큰 서브필드일수록 높다. 따라서, 잔광을 약하게 하기 위해서는 필드의 초기 시기에 휘도 가중치가 큰 서브필드를 배치하는 것이 바람직하다.The intensity of the afterglow of the phosphor is proportional to the luminance at the time of emitting the phosphor. In addition, the intensity | strength of the afterglow of a fluorescent substance decays by a fixed time constant. The light emission luminance in the sustain period is higher in a subfield having a larger luminance weight. Therefore, in order to reduce afterglow, it is preferable to arrange a subfield having a large luminance weight at an initial time of the field.

한편, 밝은 계조를 표시하는 방전 셀에서는 복수의 서브필드에서 유지 방전이 발생한다. 따라서, 방전 셀에는 유지 방전에 수반되는 충분한 양의 프라이밍이 공급된다. 따라서, 안정된 기입 방전을 발생시킬 수 있다. 그러나 어두운 계조, 특히 가장 휘도 가중치가 작은 필드만에서 발광시켜야 할 방전 셀에서는 프라이밍이 부족하다. 따라서, 기입 방전이 불안정해지기 쉽다.On the other hand, sustain discharge occurs in a plurality of subfields in a discharge cell displaying bright gradations. Therefore, the discharge cells are supplied with a sufficient amount of priming accompanying sustain discharge. Therefore, stable write discharge can be generated. However, priming is lacking in the discharge cells which should emit light in dark gradations, especially in fields with the smallest luminance weight. Therefore, the address discharge tends to be unstable.

따라서 본 실시 형태에서는, 초기화 기간에서 강제 초기화 동작을 행하는 최초의 서브필드의 휘도 가중치가 가장 작다. 그 때문에, 강제 초기화 동작에서 생긴 프라이밍이 잔존하는 동안에 기입 방전을 발생시킬 수 있다. 따라서, 가장 휘도 가중치가 작은 서브필드만에서 발광시키는 방전 셀이라도 안정된 기입 방전을 발생시킬 수 있다. 또한, 2번째의 서브필드는 가장 휘도 가중치가 크고, 3번째 이후의 서브필드는 순서대로 휘도 가중치가 작다. 따라서, 필드가 종료되는 시점에서 형광체의 잔광을 약하게 할 수 있다. 따라서, 우안과 좌안 사이에서의 크로스토크를 억제할 수 있다.Therefore, in this embodiment, the luminance weight of the first subfield which performs the forced initialization operation | movement in an initialization period is the smallest. Therefore, the write discharge can be generated while the priming generated in the forced initialization operation remains. Therefore, even when the discharge cells emit light in only the subfield having the smallest luminance weight, stable write discharge can be generated. In addition, the second subfield has the largest luminance weight, and the third and subsequent subfields have the smallest luminance weight in order. Therefore, afterglow of the phosphor can be weakened when the field ends. Therefore, crosstalk between the right eye and the left eye can be suppressed.

[3-1-6. 계조 표시 방법]3-1-6. Gradation display method]

도 6에 도시한 바와 같이, 표시해야 할 계조와 그때의 서브필드의 기입 동작의 유무와의 관계(이하, 코딩이라고 칭함)에서, 「1」은 기입 동작이 행해지는 것을 나타낸다. 「0」은 기입 동작이 행해지지 않는 것을 나타낸다.As shown in Fig. 6, in the relationship (hereinafter referred to as coding) between the gradation to be displayed and the presence or absence of the write operation of the subfield at that time, " 1 " indicates that the write operation is performed. "0" indicates that the write operation is not performed.

전술한 코딩에 따라서, 예를 들면 계조 「0」, 즉 흑을 표시하는 방전 셀에서는, SF1∼SF5의 모든 서브필드에서 기입 동작이 행해지지 않는다. 그렇게 하면 그 방전 셀은 한 번도 유지 방전하지 않아, 휘도는 가장 낮아진다.In accordance with the above-described coding, for example, in the discharge cells displaying gradation "0", that is, black, the write operation is not performed in all subfields of SF1 to SF5. As a result, the discharge cells are not sustained discharged at all, and the luminance is the lowest.

또한 계조 「1」을 표시하는 방전 셀에서는, 휘도 가중치 「1」을 갖는 서브필드인 SF5에서만 기입 동작이 행해진다. 또한, SF1∼SF4에서는 기입 동작이 행해지지 않는다. 따라서, 그 방전 셀은, 휘도 가중치 「1」에 따른 횟수의 유지 방전을 발생함으로써 「1」의 밝기가 표시된다.Moreover, in the discharge cell which displays gradation "1", a write operation is performed only in SF5 which is a subfield which has the luminance weight "1". In addition, the write operation is not performed in SF1 to SF4. Therefore, the discharge cell displays the brightness of "1" by generating sustain discharge of the number of times according to the brightness weight "1".

또한 계조 「7」을 표시하는 방전 셀에서는 휘도 가중치 「4」를 갖는 SF3과, 휘도 가중치 「2」를 갖는 SF4와, 휘도 가중치 「1」을 갖는 SF5에서 기입 동작이 행해진다. 그렇게 하면 그 방전 셀은 SF3의 유지 기간에 휘도 가중치 「4」에 따른 횟수의 유지 방전이 발생한다. SF4의 유지 기간에는, 휘도 가중치 「2」에 따른 횟수의 유지 방전이 발생한다. SF5의 유지 기간에는, 휘도 가중치 「1」에 따른 횟수의 유지 방전이 발생한다. 따라서, 합계 「7」의 밝기가 표시된다.In the discharge cell displaying the gray scale "7", the write operation is performed in SF3 having the luminance weight "4", SF4 having the luminance weight "2", and SF5 having the luminance weight "1". Then, the discharge cells generate sustain discharges of the number of times corresponding to the luminance weight "4" in the sustain period of SF3. In the sustain period of SF4, sustain discharges of the number of times corresponding to the luminance weight "2" occur. In the sustain period of SF5, the sustain discharge of the number of times according to the luminance weight "1" occurs. Therefore, the brightness of total "7" is displayed.

다른 계조의 표시도 마찬가지이다. 즉, 도 6에 도시한 코딩에 따라서, 각각의 서브필드에서의 기입 동작의 유무에 따라서 유지 방전의 유무가 제어된다.The same applies to the display of other gray levels. That is, according to the coding shown in Fig. 6, the presence or absence of sustain discharge is controlled in accordance with the presence or absence of the write operation in each subfield.

[4. PDP(1)의 제조 방법][4. Method of Manufacturing PDP (1)]

[4-1. 전면판(2)의 제조 방법][4-1. Manufacturing Method of Front Panel 2]

포토리소그래피법에 의해, 전면 글래스 기판(3) 상에, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)과 블랙 스트라이프(7)가 형성된다. 도 7에 도시한 바와 같이, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)은, 도전성을 확보하기 위한 은(Ag)을 포함하는 금속 버스 전극(4b, 5b)을 갖는다. 또한, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)은, 투명 전극(4a, 5a)을 갖는다. 금속 버스 전극(4b)은, 투명 전극(4a)에 적층된다. 금속 버스 전극(5b)은, 투명 전극(5a)에 적층된다.By the photolithography method, the scan electrode 4, the sustain electrode 5, and the black stripe 7 are formed on the front glass substrate 3. As shown in FIG. 7, the scan electrode 4 and the sustain electrode 5 have metal bus electrodes 4b and 5b containing silver (Ag) for securing conductivity. In addition, the scan electrode 4 and the sustain electrode 5 have transparent electrodes 4a and 5a. The metal bus electrode 4b is laminated on the transparent electrode 4a. The metal bus electrode 5b is laminated on the transparent electrode 5a.

투명 전극(4a, 5a)의 재료에는, 투명도와 전기 전도도를 확보하기 위해서 ITO 등이 이용된다. 우선, 스퍼터법 등에 의해, ITO 박막이 전면 글래스 기판(3)에 형성된다. 다음으로 리소그래피법에 의해 소정 패턴의 투명 전극(4a, 5a)이 형성된다.ITO etc. are used for the material of the transparent electrodes 4a and 5a in order to ensure transparency and electrical conductivity. First, the ITO thin film is formed on the front glass substrate 3 by the sputtering method or the like. Next, the transparent electrodes 4a and 5a of a predetermined pattern are formed by the lithography method.

금속 버스 전극(4b, 5b)의 재료에는, 은(Ag)과 은을 결착시키기 위한 글래스 프릿과 감광성 수지와 용제 등을 포함하는 금속 버스 전극 페이스트가 이용된다. 우선, 스크린 인쇄법 등에 의해, 금속 버스 전극 페이스트가, 전면 글래스 기판(3)에 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 금속 버스 전극 페이스트 중의 용제가 제거된다. 다음으로, 소정 패턴의 포토마스크를 통하여, 금속 버스 전극 페이스트가 노광된다.As the material of the metal bus electrodes 4b and 5b, a metal bus electrode paste containing a glass frit, a photosensitive resin, a solvent, and the like for binding silver (Ag) and silver is used. First, the metal bus electrode paste is applied to the front glass substrate 3 by the screen printing method or the like. Next, the solvent in the metal bus electrode paste is removed by the drying furnace. Next, the metal bus electrode paste is exposed through a photomask of a predetermined pattern.

다음으로, 금속 버스 전극 페이스트가 현상되어, 금속 버스 전극 패턴이 형성된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 금속 버스 전극 패턴이 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 금속 버스 전극 패턴 중의 감광성 수지가 제거된다. 또한, 금속 버스 전극 패턴 중의 글래스 프릿이 용융한다. 용융한 글래스 프릿은, 소성 후에 다시 글래스화한다. 이상의 공정에 의해, 금속 버스 전극(4b, 5b)이 형성된다.Next, the metal bus electrode paste is developed to form a metal bus electrode pattern. Finally, the metal bus electrode pattern is fired at a predetermined temperature by the firing furnace. That is, the photosensitive resin in the metal bus electrode pattern is removed. In addition, the glass frit in the metal bus electrode pattern melts. The molten glass frit is glassed again after firing. By the above process, metal bus electrodes 4b and 5b are formed.

블랙 스트라이프(7)는, 흑색 안료를 포함하는 재료에 의해 형성된다.The black stripe 7 is formed of a material containing a black pigment.

다음으로, 유전체층(8)이 형성된다. 유전체층(8)의 재료에는, 유전체 글래스 프릿과 수지와 용제 등을 포함하는 유전체 페이스트가 이용된다. 우선 다이 코트법 등에 의해, 유전체 페이스트가 소정의 두께로 주사 전극(4), 유지 전극(5) 및 블랙 스트라이프(7)를 덮도록 전면 글래스 기판(3) 상에 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 유전체 페이스트 중의 용제가 제거된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 유전체 페이스트가 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 유전체 페이스트 중의 수지가 제거된다. 또한, 유전체 글래스 프릿이 용융한다. 용융한 글래스 프릿은, 소성 후에 다시 글래스화한다. 이상의 공정에 의해, 유전체층(8)이 형성된다. 여기서, 유전체 페이스트를 다이 코드하는 방법 이외에도, 스크린 인쇄법, 스핀 코트법 등을 이용할 수 있다. 또한, 유전체 페이스트를 이용하지 않고, CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등에 의해, 유전체층(8)으로 되는 막을 형성할 수도 있다.Next, a dielectric layer 8 is formed. As the material of the dielectric layer 8, a dielectric paste containing a dielectric glass frit, a resin, a solvent, and the like is used. First, a dielectric paste is applied onto the front glass substrate 3 so as to cover the scan electrode 4, the sustain electrode 5, and the black stripe 7 with a predetermined thickness by the die coating method or the like. Next, the solvent in the dielectric paste is removed by the drying furnace. Finally, the dielectric paste is baked at a predetermined temperature by the firing furnace. That is, the resin in the dielectric paste is removed. In addition, the dielectric glass frit melts. The molten glass frit is glassed again after firing. Through the above steps, the dielectric layer 8 is formed. Here, in addition to the method of die coding the dielectric paste, a screen printing method, a spin coating method, or the like can be used. In addition, a film serving as the dielectric layer 8 can be formed by a CVD (chemical vapor deposition) method or the like without using a dielectric paste.

다음으로, 유전체층(8) 상에 보호층(9)이 형성된다. 보호층(9)의 상세는 후술된다.Next, a protective layer 9 is formed on the dielectric layer 8. The detail of the protective layer 9 is mentioned later.

이상의 공정에 의해 전면 글래스 기판(3) 상에 소정의 구성을 갖는 전면판(2)이 완성된다.By the above process, the front plate 2 which has a predetermined structure on the front glass substrate 3 is completed.

[4-2. 배면판(10)의 제조 방법]4-2. Manufacturing Method of Back Plate 10]

포토리소그래피법에 의해, 배면 글래스 기판(11) 상에, 데이터 전극(12)이 형성된다. 데이터 전극(12)의 재료에는, 도전성을 확보하기 위한 은(Ag)과 은을 결착시키기 위한 글래스 프릿과 감광성 수지와 용제 등을 포함하는 데이터 전극 페이스트가 이용된다. 우선, 스크린 인쇄법 등에 의해, 데이터 전극 페이스트가 소정의 두께로 배면 글래스 기판(11) 상에 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 데이터 전극 페이스트 중의 용제가 제거된다. 다음으로, 소정 패턴의 포토마스크를 통하여, 데이터 전극 페이스트가 노광된다. 다음으로, 데이터 전극 페이스트가 현상되어, 데이터 전극 패턴이 형성된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 데이터 전극 패턴이 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 데이터 전극 패턴 중의 감광성 수지가 제거된다. 또한, 데이터 전극 패턴 중의 글래스 프릿이 용융한다. 용융한 글래스 프릿은, 소성 후에 다시 글래스화한다. 이상의 공정에 의해, 데이터 전극(12)이 형성된다. 여기서, 데이터 전극 페이스트를 스크린 인쇄하는 방법 이외에도, 스퍼터법, 증착법 등을 이용할 수 있다.By the photolithography method, the data electrode 12 is formed on the back glass substrate 11. As the material of the data electrode 12, a data electrode paste containing silver (Ag) for securing conductivity, a glass frit for binding silver, a photosensitive resin, a solvent, and the like are used. First, the data electrode paste is applied onto the back glass substrate 11 to a predetermined thickness by screen printing or the like. Next, the solvent in the data electrode paste is removed by the drying furnace. Next, the data electrode paste is exposed through a photomask of a predetermined pattern. Next, the data electrode paste is developed to form a data electrode pattern. Finally, the data electrode pattern is fired at a predetermined temperature by the firing furnace. That is, the photosensitive resin in a data electrode pattern is removed. In addition, the glass frit in the data electrode pattern melts. The molten glass frit is glassed again after firing. Through the above steps, the data electrode 12 is formed. Here, in addition to the method of screen-printing a data electrode paste, the sputtering method, vapor deposition method, etc. can be used.

다음으로, 기초 유전체층(13)이 형성된다. 기초 유전체층(13)의 재료에는, 유전체 글래스 프릿과 수지와 용제 등을 포함하는 기초 유전체 페이스트가 이용된다. 우선, 스크린 인쇄법 등에 의해, 기초 유전체 페이스트가 소정 두께로 데이터 전극(12)이 형성된 배면 글래스 기판(11) 상에 데이터 전극(12)을 덮도록 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 기초 유전체 페이스트 중의 용제가 제거된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 기초 유전체 페이스트가 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 기초 유전체 페이스트 중의 수지가 제거된다. 또한, 유전체 글래스 프릿이 용융한다. 용융한 글래스 프릿은, 소성 후에 다시 글래스화한다. 이상의 공정에 의해, 기초 유전체층(13)이 형성된다. 여기서, 기초 유전체 페이스트를 스크린 인쇄하는 방법 이외에도, 다이 코트법, 스핀 코트법 등을 이용할 수 있다. 또한, 기초 유전체 페이스트를 이용하지 않고, CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등에 의해, 기초 유전체층(13)으로 되는 막을 형성할 수도 있다.Next, the base dielectric layer 13 is formed. As the material of the base dielectric layer 13, a base dielectric paste containing a dielectric glass frit, a resin, a solvent, and the like is used. First, a base dielectric paste is applied to cover the data electrode 12 on the back glass substrate 11 on which the data electrode 12 is formed to a predetermined thickness by screen printing or the like. Next, the solvent in the base dielectric paste is removed by the drying furnace. Finally, the base dielectric paste is fired at a predetermined temperature by the firing furnace. That is, the resin in the base dielectric paste is removed. In addition, the dielectric glass frit melts. The molten glass frit is glassed again after firing. Through the above steps, the base dielectric layer 13 is formed. Here, in addition to the method of screen printing the base dielectric paste, a die coating method, a spin coating method, or the like can be used. In addition, a film serving as the base dielectric layer 13 can be formed by a chemical vapor deposition (CVD) method or the like without using a base dielectric paste.

다음으로, 포토리소그래피법에 의해, 격벽(14)이 형성된다. 격벽(14)의 재료에는, 필러와, 필러를 결착시키기 위한 글래스 프릿과, 감광성 수지와, 용제 등을 포함하는 격벽 페이스트가 이용된다. 우선, 다이 코트법 등에 의해, 격벽 페이스트가 소정 두께로 기초 유전체층(13) 상에 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 격벽 페이스트 중의 용제가 제거된다. 다음으로, 소정 패턴의 포토마스크를 통하여, 격벽 페이스트가 노광된다. 다음으로, 격벽 페이스트가 현상되어, 격벽 패턴이 형성된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 격벽 패턴이 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 격벽 패턴 중의 감광성 수지가 제거된다. 또한, 격벽 패턴 중의 글래스 프릿이 용융한다. 용융한 글래스 프릿은, 소성 후에 다시 글래스화한다. 이상의 공정에 의해, 격벽(14)이 형성된다. 여기서, 포토리소그래피법 이외에도, 샌드 블러스트법 등을 이용할 수 있다.Next, the partition 14 is formed by the photolithography method. As the material of the partition 14, a partition paste containing a filler, a glass frit for binding the filler, a photosensitive resin, a solvent and the like is used. First, a partition paste is applied on the base dielectric layer 13 to a predetermined thickness by the die coating method or the like. Next, the solvent in a partition paste is removed by a drying furnace. Next, the partition paste is exposed through a photomask of a predetermined pattern. Next, the partition paste is developed to form a partition pattern. Finally, the partition wall pattern is baked at a predetermined temperature by the firing furnace. That is, the photosensitive resin in a partition pattern is removed. In addition, the glass frit in the partition pattern melts. The molten glass frit is glassed again after firing. The partition 14 is formed by the above process. Here, in addition to the photolithography method, a sand blast method or the like can be used.

다음으로, 형광체층(15)이 형성된다. 형광체층(15)의 재료에는, 형광체 입자와 바인더와 용제 등을 포함하는 형광체 페이스트가 이용된다. 우선, 디스펜스법 등에 의해, 형광체 페이스트가 소정 두께로 인접하는 격벽(14) 사이의 기초 유전체층(13) 상 및 격벽(14)의 측면에 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 형광체 페이스트 중의 용제가 제거된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 형광체 페이스트가 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 형광체 페이스트 중의 수지가 제거된다. 이상의 공정에 의해, 형광체층(15)이 형성된다. 여기서, 디스펜스법 이외에도, 스크린 인쇄법 등을 이용할 수 있다. 또한, 형광체층(15)에 대해서는, 후에 상세하게 설명된다.Next, the phosphor layer 15 is formed. As the material of the phosphor layer 15, a phosphor paste containing phosphor particles, a binder, a solvent and the like is used. First, the phosphor paste is applied on the base dielectric layer 13 between the adjacent partition walls 14 and the side surfaces of the partition walls 14 by a dispensing method or the like. Next, the solvent in the phosphor paste is removed by a drying furnace. Finally, the phosphor paste is baked at a predetermined temperature by the firing furnace. That is, the resin in the phosphor paste is removed. Through the above steps, the phosphor layer 15 is formed. Here, in addition to the dispensing method, a screen printing method or the like can be used. In addition, the phosphor layer 15 is demonstrated in detail later.

이상의 공정에 의해, 배면 글래스 기판(11) 상에 소정의 구성 부재를 갖는 배면판(10)이 완성된다.By the above process, the back plate 10 which has a predetermined structural member on the back glass substrate 11 is completed.

[4-3. 전면판(2)과 배면판(10)의 조립 방법][4-3. Assembling Method of Front Plate (2) and Back Plate (10)]

다음으로, 전면판(2)과, 배면판(10)이 조립된다. 우선, 디스펜스법에 의해, 배면판(10)의 주위에 봉착재(도시 생략)가 형성된다. 봉착재(도시 생략)의 재료에는, 글래스 프릿과 바인더와 용제 등을 포함하는 봉착 페이스트가 이용된다. 다음으로 건조로에 의해, 봉착 페이스트 중의 용제가 제거된다. 다음으로, 표시 전극(6)과 데이터 전극(12)이 직교하도록, 전면판(2)과 배면판(10)이 대향 배치된다. 다음으로, 전면판(2)과 배면판(10)의 주위가 글래스 프릿으로 봉착된다. 마지막으로, 방전 공간(16)에 Ne, Xe 등을 포함하는 방전 가스가 봉입됨으로써 PDP(1)가 완성된다.Next, the front plate 2 and the back plate 10 are assembled. First, a sealing material (not shown) is formed around the back plate 10 by the dispensing method. As a material of a sealing material (not shown), the sealing paste containing a glass frit, a binder, a solvent, etc. is used. Next, the solvent in the sealing paste is removed by the drying furnace. Next, the front plate 2 and the back plate 10 are disposed to face each other such that the display electrode 6 and the data electrode 12 are perpendicular to each other. Next, the circumference | surroundings of the front plate 2 and the back plate 10 are sealed by the glass frit. Finally, the discharge gas containing Ne, Xe, etc. is enclosed in the discharge space 16, and the PDP 1 is completed.

[5. 유전체층(8)의 상세][5. Details of the dielectric layer 8]

유전체 재료는, 이하의 성분을 포함한다. 산화비스무트(Bi₂O₃)가 20중량％∼40중량％, 산화칼슘(CaO), 산화스트론튬(SrO), 산화바륨(BaO)으로부터 선택되는 적어도 1종이 0.5중량％∼12중량％, 산화몰리브덴(MoO₃), 산화텅스텐(WO₃), 산화세륨(CeO₂), 이산화망간(MnO₂)으로부터 선택되는 적어도 1종이 0.1중량％∼7중량％, 산화아연(ZnO)이 0중량％∼40중량％, 산화붕소(B₂O₃)가 0중량％∼35중량％, 이산화규소(SiO₂)가 0중량％∼15중량％, 산화알루미늄(Al₂O₃)이 0중량％∼10중량％이다. 유전체 재료는, 실질적으로 납 성분을 포함하지 않는다.The dielectric material contains the following components. Bismuth oxide (Bi ₂ O ₃ ) is 20% to 40% by weight, at least one selected from calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), barium oxide (BaO) is 0.5% to 12% by weight, molybdenum oxide 0.1 wt% to 7 wt% of at least one selected from (MoO ₃ ), tungsten oxide (WO ₃ ), cerium oxide (CeO ₂ ), and manganese dioxide (MnO ₂ ); and 0 wt% to 40 wt% of zinc oxide (ZnO). %, 0 wt% to 35 wt% of boron oxide (B ₂ O ₃ ), 0 wt% to 15 wt% of silicon dioxide (SiO ₂ ), and 0 wt% to 10 wt% of aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) to be. The dielectric material is substantially free of lead components.

또한, 유전체층(8)의 막 두께는, 40㎛ 이하이다. 유전체층(8)의 비유전율 ε는, 4 이상 7 이하이다. 유전체층(8)의 비유전율 ε가 4 이상 7 이하인 이유는 후술된다.In addition, the film thickness of the dielectric layer 8 is 40 micrometers or less. The dielectric constant ε of the dielectric layer 8 is 4 or more and 7 or less. The reason why the dielectric constant epsilon of the dielectric layer 8 is 4 or more and 7 or less is mentioned later.

이들 조성 성분으로 이루어지는 유전체 재료가, 습식 제트 밀이나 볼 밀에 의해 평균 입경이 0.5㎛∼2.5㎛로 되도록 분쇄되어 유전체 재료 분말이 제작된다. 다음으로 이 유전체 재료 분말 55중량％∼70중량％와, 바인더 성분 30중량％∼45중량％가 3본 롤에 의해 잘 혼련되어 다이 코트용, 또는 인쇄용의 제1 유전체층용 페이스트가 완성된다.The dielectric material composed of these composition components is pulverized by a wet jet mill or a ball mill so as to have an average particle diameter of 0.5 µm to 2.5 µm to produce a dielectric material powder. Next, 55 weight%-70 weight% of this dielectric material powder, and 30 weight%-45 weight% of a binder component are knead | mixed well by three rolls, and the paste for diecoat or the 1st dielectric layer for printing is completed.

바인더 성분은 에틸 셀룰로오스, 또는 아크릴 수지 1중량％∼20중량％를 포함하는 터피네올, 또는 부틸 카르비톨 아세테이트이다. 또한, 페이스트 중에는, 필요에 따라서 가소제로서 프탈산디옥틸, 프탈산디부틸, 인산 트리페닐, 인산 트리 부틸을 첨가하고, 분산제로서 글리세롤 모노올레이트, 소르비탄 세스퀴올리에이트, 호모게놀(Kao 코퍼레이션사 제품명), 알킬알릴기의 인산에스테르 등이 첨가되어도 된다. 분산제가 첨가되면, 인쇄성이 향상된다.The binder component is ethyl cellulose or terpineol containing 1% by weight to 20% by weight of acrylic resin, or butyl carbitol acetate. In the paste, dioctyl phthalate, dibutyl phthalate, triphenyl phosphate and tributyl phosphate are added as plasticizers as necessary, and glycerol monooleate, sorbitan sesquioleate, and homogenol (product name of Kao Corporation) as dispersant. And an phosphate ester of an alkyl allyl group may be added. When the dispersant is added, printability is improved.

[6. 보호층(9)의 상세][6. Details of the protective layer 9]

보호층에는, 주로 4개의 기능이 있다. 1번째는, 방전에 의한 이온 충격으로부터 유전체층을 보호하는 것이다. 2번째는, 어드레스 방전을 발생시키기 위한 초기 전자를 방출하는 것이다. 3번째는, 방전을 발생시키기 위한 전하를 유지하는 것이다. 4번째는, 유지 방전 시에 2차 전자를 방출하는 것이다. 이온 충격으로부터 유전체층이 보호됨으로써, 방전 전압의 상승이 억제된다. 초기 전자 방출수가 증가함으로써, 화상의 깜박거림의 원인으로 되는 어드레스 방전 미스가 저감된다. 전하 유지 성능이 향상됨으로써, 인가 전압이 저감된다. 2차 전자 방출수가 증가함으로써, 유지 방전 전압이 저감된다. 초기 전자 방출수를 증가시키기 위해서, 예를 들면 보호층의 MgO에 규소(Si)나 알루미늄(Al)을 첨가하는 등의 시도가 행해지고 있다.The protective layer mainly has four functions. The first is to protect the dielectric layer from ion bombardment caused by discharge. The second is to emit initial electrons for generating address discharge. The third is to hold electric charges for generating a discharge. Fourth, secondary electrons are emitted during sustain discharge. By protecting the dielectric layer from ion bombardment, an increase in the discharge voltage is suppressed. By increasing the initial electron emission number, an address discharge miss that causes flickering of an image is reduced. By improving the charge retention performance, the applied voltage is reduced. By increasing the number of secondary electron emission, the sustain discharge voltage is reduced. In order to increase the initial electron emission number, for example, attempts have been made to add silicon (Si) or aluminum (Al) to MgO of the protective layer.

그러나, MgO에 불순물을 혼재시킴으로써, 초기 전자 방출 성능을 개선한 경우, 보호층에 축적된 전하가 시간과 함께 감소하는 감쇠율이 커지게 된다. 따라서, 감쇠한 전하를 보충하기 위해서 인가 전압을 크게 하는 등의 대책이 필요로 된다. 보호층은, 높은 초기 전자 방출 성능을 가짐과 함께, 전하의 감쇠율을 작게 하는, 즉 높은 전하 유지 성능을 갖는다고 하는, 상반되는 2개의 특성을 아울러 갖는 것이 요구되고 있다.However, by mixing impurities in MgO, when the initial electron emission performance is improved, the attenuation rate at which the charge accumulated in the protective layer decreases with time becomes large. Therefore, countermeasures such as increasing the applied voltage are necessary to compensate for the attenuated charge. The protective layer has a high initial electron emission performance and is required to have two opposite characteristics, that is, to reduce the charge attenuation rate, that is, to have a high charge retention performance.

또한, 우안용 필드와 좌안용 필드를 교대로 반복하여 표시하도록 하는 기입 기간이 짧은 고속 구동 시에, 방전 지연이 생기면 기입 불량, 즉 화상의 깜박거림이 발생한다.In addition, during high-speed driving with a short write period in which the right eye field and the left eye field are alternately displayed repeatedly, if a discharge delay occurs, writing failure, that is, image flickering occurs.

[6-1. 보호층(9)의 구성]6-1. Configuration of Protective Layer 9]

도 8에 도시한 바와 같이, 보호층(9)은, 기초층인 기초막(91)과 제1 입자인 응집 입자(92)와 제2 입자인 결정 입자(93)를 포함한다. 기초막(91)은, 일례로서, 알루미늄(Al)을 불순물로서 함유하는 산화마그네슘(MgO)막이다. 응집 입자(92)는, MgO의 결정 입자(92a)에, 결정 입자(92a)보다 입경이 작은 결정 입자(92b)가 복수개 응집한 것이다. 결정 입자(93)는, MgO로 이루어지는 입방체 형상의 결정 입자이다. 형상은 주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 확인할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 복수개의 응집 입자(92)가, 기초막(91)의 전체면에 걸쳐 분산 배치되어 있다. 복수개의 결정 입자(93)가, 기초막(91)의 전체면에 걸쳐 분산 배치되어 있다.As shown in FIG. 8, the protective layer 9 contains the base film 91 which is a base layer, the aggregation particle 92 which is a 1st particle, and the crystal particle 93 which is a 2nd particle. The base film 91 is, for example, a magnesium oxide (MgO) film containing aluminum (Al) as an impurity. In the aggregated particle 92, a plurality of crystal particles 92b having a smaller particle size than the crystal particles 92a are aggregated on the crystal particles 92a of MgO. Crystal particle 93 is a cube-shaped crystal particle made of MgO. The shape can be confirmed by a scanning electron microscope (SEM). In this embodiment, the plurality of aggregated particles 92 are dispersed and disposed over the entire surface of the base film 91. The plurality of crystal particles 93 are dispersed and disposed over the entire surface of the base film 91.

결정 입자(92a)는 평균 입경이 0.9㎛∼2㎛의 범위의 입자이다. 결정 입자(92b)는 평균 입경이 0.3㎛∼0.9㎛의 범위의 입자이다. 또한, 본 실시 형태에서, 평균 입경이란, 체적 누적 평균 직경(D50)이다. 또한, 평균 입경의 측정에는, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치 MT-3300(니키소 주식회사제)이 이용되었다.The crystal grains 92a are particles having an average particle diameter in the range of 0.9 μm to 2 μm. Crystal particles 92b are particles having an average particle diameter in the range of 0.3 μm to 0.9 μm. In addition, in this embodiment, an average particle diameter is a volume cumulative average diameter (D50). In addition, the laser diffraction type particle size distribution analyzer MT-3300 (made by Nikiso Corporation) was used for the measurement of an average particle diameter.

도 9에 도시한 바와 같이, 보호층(9)의 표면은, 기초막(91) 상에, 다면체 형상의 결정 입자(92a)에 다면체 형상의 결정 입자(92b)가 수개 응집한 응집 입자(92)와, 입방체 형상의 결정 입자(93)가 분산 배치되어 있다. 입방체 형상의 결정 입자(93)에는, 입경이 약 200㎚의 입자와, 입경이 100㎚ 이하의 나노 입자 사이즈의 입자가 존재한다. 실제의 PDP(1)의 관찰에 의하면, 입방체 형상의 결정 입자(93)끼리가 응집하고 있는 것, 다면체 형상의 결정 입자(92a) 또는 다면체 형상의 결정 입자(92b), 혹은 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)의 응집 입자(92)에, MgO의 입방체 형상의 결정 입자(93)가 부착되어 있는 것이 존재하고 있었다. 또한, 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)는, 액상법에 의해 제작되었다. 입방체 형상의 결정 입자(93)는, 기상법에 의해 제작되었다.As shown in FIG. 9, the surface of the protective layer 9 is agglomerated particles 92 in which several polyhedral crystal particles 92b are aggregated on polyhedral crystal particles 92a on a base film 91. ) And cubic crystal particles 93 are dispersed. In the cubic crystal particles 93, particles having a particle size of about 200 nm and particles having a nanoparticle size of 100 nm or less exist. According to the actual observation of the PDP 1, the cube-shaped crystal particles 93 are agglomerated with each other, polyhedral crystal particles 92a or polyhedral crystal particles 92b, or polyhedral crystal particles. MgO cubic crystal particles 93 were attached to the aggregated particles 92 of 92a and 92b. In addition, the polyhedral crystal grains 92a and 92b were produced by the liquid phase method. The cubic crystal particles 93 were produced by a vapor phase method.

또한 「입방체 형상」이란 기하학적인 의미에서의 엄밀한 입방체를 가리키는 것은 아니다. 전자 현미경 사진을 목시로 관찰함으로써 대략 입방체라고 인식 가능한 형상을 가리킨다. 또한 「다면체 형상」이란, 전자 현미경 사진을 목시로 관찰함으로써 대략 7면 이상의 면을 갖는 것으로 인식 가능한 형상을 가리킨다.In addition, a "cubic shape" does not refer to a rigid cube in a geometric sense. By visually observing an electron micrograph, it points out the shape which can be recognized as a substantially cube. In addition, a "polyhedron shape" refers to the shape which can be recognized as having about seven or more surfaces by visually observing an electron micrograph.

[6-2. 응집 입자(92)]6-2. Agglomerated particles (92)]

응집 입자(92)란, 도 10에 도시한 바와 같이, 소정의 1차 입경의 결정 입자(92a, 92b)가 복수개 응집한 상태의 것이다. 혹은, 응집 입자(92)는, 소정의 1차 입경의 결정 입자(92a)가 복수개 응집한 상태의 것이다. 응집 입자(92)는, 고체로서 강한 결합력에 의해 결합하고 있는 것은 아니다. 응집 입자(92)는, 정전기나 반데르 발스 힘 등에 의해 복수의 1차 입자가 집합한 것이다. 또한, 응집 입자(92)는, 초음파 등의 외력에 의해, 그 일부 또는 전부가 1차 입자의 상태로 분해될 정도의 힘으로 결합하고 있다. 응집 입자(92)의 입경으로서는, 약 1㎛ 정도의 것이며, 결정 입자(92a, 92b)로서는, 14면체나 12면체 등의 7면 이상의 면을 갖는 다면체 형상을 갖는다. 또한, 결정 입자(92a, 92b)는, 탄산마그네슘이나 수산화마그네슘 등의 MgO 전구체의 용액을 소성함으로써 생성하는 액상법에 의해 제작되었다. 액상법에 의한 소성 온도나 소성 분위기를 조정함으로써, 입경의 제어를 할 수 있다. 소성 온도는 700℃ 정도 내지 1500℃ 정도의 범위에서 선택할 수 있다. 소성 온도가 1000℃ 이상에서는, 1차 입경을 0.3∼2㎛ 정도로 제어가능하다. 결정 입자(92a, 92b)는 액상법에 의한 생성 과정에서, 복수개의 1차 입자끼리가 응집한 응집 입자(92)의 상태로 얻어진다.As shown in FIG. 10, the aggregated particles 92 are in a state in which a plurality of crystal particles 92a and 92b having a predetermined primary particle diameter are aggregated. Alternatively, the aggregated particles 92 are in a state in which a plurality of crystal particles 92a having a predetermined primary particle size are aggregated. The aggregated particles 92 are not bound by a strong bonding force as a solid. The aggregated particles 92 are a plurality of primary particles aggregated by static electricity, van der Waals forces, or the like. In addition, the aggregated particles 92 are bonded by a force such that a part or all of them are decomposed into a state of primary particles by an external force such as ultrasonic waves. The particle diameter of the aggregated particle 92 is about 1 micrometer, and as crystal grains 92a and 92b, it has a polyhedron shape which has 7 or more surfaces, such as a 14-sided body and a 12-sided body. In addition, the crystal grains 92a and 92b were produced by the liquid phase method produced by baking the solution of MgO precursors, such as magnesium carbonate and magnesium hydroxide. The particle size can be controlled by adjusting the firing temperature and the firing atmosphere by the liquid phase method. The firing temperature can be selected in the range of about 700 ° C to about 1500 ° C. When the firing temperature is 1000 ° C. or higher, the primary particle size can be controlled to about 0.3 to 2 μm. Crystal particles 92a and 92b are obtained in the form of agglomerated particles 92 in which a plurality of primary particles are aggregated in a production process by a liquid phase method.

한편, 입방체 형상의 결정 입자(93)는, 마그네슘을 비점 이상으로 가열하여 마그네슘 증기를 발생시켜, 기상 산화하는 기상법에 의해 얻어지는 것이다. 입경이 200㎚ 이상(BET법에 의한 측정 결과)의 입방체 형상의 단결정 구조를 갖는 결정 입자나, 결정체가 서로 끼워 넣어진 다중 결정 구조의 것이 얻어진다. 예를 들면, 이 기상법에 의한 마그네슘 분말의 합성 방법에 대해서는, 학회지 「재료」의 제36권 제410호의 「기상법에 의한 마그네시아 분말의 합성과 그 성질」 등에서 알려져 있다.On the other hand, the cubic crystal particles 93 are obtained by a gas phase method of heating magnesium above its boiling point to generate magnesium vapor and vapor-phase oxidation. Crystal grains having a single crystal structure having a cubic shape having a particle diameter of 200 nm or more (measurement result by the BET method), or those having a multi-crystal structure in which crystals are sandwiched with each other are obtained. For example, the synthesis | combination method of the magnesium powder by this gas phase method is known by the "synthesis | combination of the magnesia powder by the gas phase method, and its properties" etc. of the 36th volume 410 of the journal "Material".

또한, 평균 입경이 200㎚ 이상의 입방체 형상의 단결정 구조의 결정 입자를 형성하는 경우에는, 마그네슘 증기를 발생시킬 때의 가열 온도를 높게 하여, 마그네슘과 산소가 반응하는 불꽃의 길이를 길게 한다. 불꽃과 주위의 온도차가 커짐으로써, 보다 입경이 큰 기상법에 의한 MgO의 결정 입자가 얻어진다.In addition, when forming the crystal grain of the cubic shape single crystal structure whose average particle diameter is 200 nm or more, the heating temperature at the time of generating magnesium vapor is made high, and the length of the flame which magnesium and oxygen react is lengthened. As the temperature difference between the flame and the surroundings increases, crystal grains of MgO by a gas phase method having a larger particle diameter are obtained.

다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)와, 입방체 형상의 결정 입자(93)에 대하여, 캐소드 루미네센스(CL) 발광 특성이 측정되었다. 도 11에 도시한 바와 같이, 가는 실선이 MgO의 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)의 발광 강도, 즉 응집 입자(92)의 캐소드 루미네센스(발광) 강도이다. 굵은 실선이 MgO의 입방체 형상의 결정 입자(93)의 캐소드 루미네센스(발광) 강도이다.The cathode luminescence (CL) luminescence properties were measured for the polyhedral crystal particles 92a and 92b and the cubic crystal particles 93. As shown in Fig. 11, the thin solid line is the light emission intensity of the MgO polyhedral crystal particles 92a and 92b, that is, the cathode luminescence (light emission) intensity of the aggregated particle 92. The thick solid line is the cathode luminescence (luminescence) intensity of the cubic crystal particles 93 of MgO.

도 11에 도시한 바와 같이, 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)가 수개 응집한 응집 입자(92)는, 파장 200㎚ 이상 300㎚ 이하, 특히 파장 230㎚ 이상 250㎚ 이하의 파장 영역에 발광 강도의 피크를 갖는다. MgO의 입방체 형상의 결정 입자(93)는, 파장 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역에 발광 강도의 피크를 갖지 않는다. 그러나 파장 400㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장 영역에 발광 강도의 피크를 갖는다. 즉, 기초막(91) 상에 부착시킨, MgO의 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)가 수개 응집한 응집 입자(92)와, MgO의 입방체 형상의 결정 입자(93)는, 발광 강도 피크의 파장에 대응한 에너지 준위를 갖는다.As illustrated in FIG. 11, the aggregated particles 92 in which several polyhedral crystal particles 92a and 92b aggregated emit light in a wavelength region of 200 nm to 300 nm, particularly 230 nm to 250 nm. Has a peak of intensity. The cubic crystal particles 93 of MgO do not have peaks in luminescence intensity in the wavelength range of 200 nm to 300 nm. However, it has a peak of luminescence intensity in the wavelength region of 400 nm or more and 450 nm or less. That is, the aggregated particle 92 in which several MgO polyhedral crystal grains 92a and 92b adhered on the base film 91, and the cubical crystal particle 93 of MgO have a light emission intensity peak. It has an energy level corresponding to the wavelength of.

[7. 시작품 평가 결과][7. Trial product evaluation results]

[7-1. 시작품의 구성]7-1. Configuration of Trial Products]

구성이 상이한 보호층을 갖는 복수의 PDP가 시작되었다.A plurality of PDPs having protective layers having different configurations have been started.

시작품 1은, MgO막만으로 이루어지는 보호층을 갖는 PDP이다.Prototype 1 is a PDP having a protective layer made of only an MgO film.

시작품 2는 Al, Si 등의 불순물이 도프된 MgO만으로 이루어지는 보호층을 갖는 PDP이다.Prototype 2 is a PDP having a protective layer made of only MgO doped with impurities such as Al and Si.

시작품 3은 MgO로 이루어지는 기초막 상에 금속 산화물로 이루어지는 결정 입자의 1차 입자만이 분산 배치된 PDP이다.Prototype 3 is a PDP in which only primary particles of crystal grains made of metal oxides are dispersed and placed on a base film made of MgO.

시작품 4는 MgO로 이루어지는 기초막(91) 상에, 동등한 입경을 갖는 MgO의 결정 입자끼리를 응집시킨 응집 입자(92)를 전체면에 걸쳐 분포하도록 부착시킨 PDP(1)이다. 즉, 시작품 4는, 복수개의 응집 입자(92)가 기초막(91) 상에, 전체면에 걸쳐 분산 배치된 PDP(1)이다.Prototype 4 is a PDP (1) in which agglomerated particles (92) in which crystal particles of MgO having an equivalent particle diameter are agglomerated on the base film (91) made of MgO are distributed so as to be distributed over the entire surface. That is, the prototype 4 is the PDP 1 in which the plurality of aggregated particles 92 are arranged and dispersed over the entire surface on the base film 91.

시작품 5는 MgO로 이루어지는 기초막(91) 상에, 평균 입경이 0.9㎛∼2㎛의 범위에 있는 MgO의 결정 입자(92a)의 주위에, 결정 입자(92a)보다도 작은 입경을 갖는 MgO의 결정 입자(92b)가 응집한 다면체 형상의 응집 입자(92)와, 입방체 형상의 MgO의 결정 입자(93)를 전체면에 걸쳐 분포하도록 부착시킨 보호층(9)을 갖는 PDP이다. 즉, 시작품 5는, 복수개의 응집 입자(92)와, 복수개의 결정 입자(93)가 기초막(91) 상에, 전체면에 걸쳐 분산 배치된 PDP(1)이다. 또한, 복수개의 응집 입자(92)와, 복수개의 결정 입자(93)가 기초막(91) 상에, 전체면에 걸쳐 균일하게 분산 배치된 PDP(1)는, 보다 바람직하다. PDP(1)의 면내에서 방전 특성의 변동을 억제할 수 있기 때문이다.Prototype 5 is a crystal of MgO having a particle size smaller than that of crystal grains 92a around the crystal grains 92a of MgO having an average particle diameter in the range of 0.9 μm to 2 μm on the base film 91 made of MgO. It is a PDP which has the polyhedral aggregated particle 92 which the particle | grains 92b aggregated, and the protective layer 9 which adhered so that the cubic MgO crystal particle 93 may be distributed over the whole surface. That is, the prototype 5 is the PDP 1 in which the plurality of aggregated particles 92 and the plurality of crystal particles 93 are dispersed and disposed over the entire surface on the base film 91. Furthermore, the PDP 1 in which the plurality of aggregated particles 92 and the plurality of crystal particles 93 are uniformly dispersed and disposed on the base film 91 over the entire surface is more preferable. This is because fluctuations in discharge characteristics in the plane of the PDP 1 can be suppressed.

[7-2. 성능 평가]7-2. Performance evaluation]

시작품 1∼5에 대하여, 전자 방출 성능과 전하 유지 성능이 측정되었다.For prototypes 1 to 5, electron emission performance and charge retention performance were measured.

또한, 전자 방출 성능은, 클수록 전자 방출량이 많은 것을 나타내는 수치이다. 전자 방출 성능은, 방전의 표면 상태 및 가스종과 그 상태에 따라서 정해지는 초기 전자 방출량으로서 표현된다. 초기 전자 방출량은, 표면에 이온 혹은 전자 빔을 조사하여 표면으로부터 방출되는 전자 전류량을 측정하는 방법에 의해 측정할 수 있다. 그러나, 비파괴로 실시하는 것이 곤란하다. 따라서, 일본 특개 2007-48733호 공보에 기재되어 있는 방법이 이용되었다. 즉, 방전 시의 지연 시간 중, 통계 지연 시간이라고 불리는 방전의 발생 용이성의 기준으로 되는 수치가 측정되었다. 통계 지연 시간의 역수를 적분함으로써, 초기 전자의 방출량과 선형 대응하는 수치로 된다. 방전 시의 지연 시간이란, 기입 방전 펄스의 상승부터 기입 방전이 지연되어 발생할 때까지의 시간이다. 방전 지연은, 기입 방전이 발생할 때의 트리거로 되는 초기 전자가 보호층 표면으로부터 방전 공간 중으로 방출되기 어려운 것이 주요한 요인으로서 생각되고 있다.In addition, an electron emission performance is a numerical value which shows that there is more amount of electron emission. The electron emission performance is expressed as the initial electron emission amount determined according to the surface state and gas species of the discharge and the state. The initial electron emission amount can be measured by a method of measuring the amount of electron current emitted from the surface by irradiating the surface with ions or electron beams. However, it is difficult to carry out by nondestructive. Therefore, the method described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-48733 was used. That is, among the delay time at the time of discharge, the numerical value used as the reference of the ease of generation of discharge called a statistical delay time was measured. By integrating the inverse of the statistical delay time, a numerical value corresponding to the initial electron emission amount is obtained. The delay time at the time of discharge is the time from the rise of a write discharge pulse until the write discharge is delayed and arises. The discharge delay is considered to be a major factor in that the initial electrons, which are triggers when the write discharge occurs, are difficult to be emitted from the surface of the protective layer into the discharge space.

또한, 전하 유지 성능은, 그 지표로서, PDP로서 제작한 경우에 전하 방출 현상을 억제하기 위해서 필요로 하는 주사 전극에 인가하는 전압(이하 Vscn 점등 전압이라고 칭함)의 전압값이 이용되었다. 즉, Vscn 점등 전압이 낮은 쪽이, 전하 유지 능력이 높은 것을 나타낸다. Vscn 점등 전압이 낮으면, PDP를 저전압으로 구동할 수 있다. 따라서, 전원이나 각 전기 부품으로서, 내압 및 용량이 작은 부품을 사용하는 것이 가능하게 된다. 현상의 제품에서, 주사 전압을 순차적으로 패널에 인가하기 위한 MOSFET 등의 반도체 스위칭 소자에는, 내압 150V 정도의 소자가 사용되고 있다. Vscn 점등 전압으로서는, 온도에 의한 변동을 고려하여, 120V 이하로 억제하는 것이 바람직하다.As the index of the charge retention performance, the voltage value of the voltage (hereinafter referred to as Vscn lighting voltage) applied to the scan electrode required for suppressing the charge emission phenomenon when produced as a PDP was used. That is, the lower the Vscn lighting voltage indicates the higher charge holding ability. When the Vscn lighting voltage is low, the PDP can be driven at a low voltage. Therefore, it is possible to use components with a small breakdown voltage and a capacity as a power supply or each electric component. In the current product, an element having a breakdown voltage of about 150 V is used for a semiconductor switching element such as a MOSFET for sequentially applying a scanning voltage to a panel. As Vscn lighting voltage, it is preferable to suppress it to 120V or less in consideration of the change by temperature.

도 12로부터 명백해지는 바와 같이, 시작품 4, 5는, 전하 유지 성능의 평가에서, Vscn 점등 전압을 120V 이하로 할 수 있었다. 또한, 시작품 4, 5는, 전자 방출 성능이 6 이상의 양호한 특성을 얻을 수 있었다.As apparent from FIG. 12, the prototypes 4 and 5 were able to set the Vscn lighting voltage to 120 V or less in the evaluation of the charge retention performance. Moreover, the prototypes 4 and 5 were able to acquire the favorable characteristic of electron emission performance 6 or more.

일반적으로는 PDP의 보호층의 전자 방출 능력과 전하 유지 능력은 상반된다. 예를 들면, 보호층의 성막 조건의 변경, 혹은, 보호층 중에 Al이나 Si, Ba 등의 불순물을 도핑하여 성막함으로써, 전자 방출 성능을 향상시키는 것은 가능하다. 그러나, 부작용으로서 Vscn 점등 전압도 상승하게 된다.In general, the electron emission ability and charge retention ability of the protective layer of the PDP are opposite. For example, it is possible to improve the electron emission performance by changing the film forming conditions of the protective layer or by doping an impurity such as Al, Si, or Ba in the protective layer. However, as a side effect, the Vscn lighting voltage also increases.

본 실시 형태의 보호층(9)을 갖는 PDP(1)에서는, 전자 방출 능력으로서는, 6 이상의 특성이며, 전하 유지 능력으로서는 Vscn 점등 전압이 120V 이하의 것을 얻을 수 있다. 즉, 고정밀화에 의해 주사선수가 증가하고, 또한 셀 사이즈가 작아지는 경향이 있는 PDP에 대응할 수 있는 전자 방출 능력과 전하 유지 능력의 양방을 구비한 보호층을 얻을 수 있다.In the PDP 1 having the protective layer 9 of the present embodiment, the electron emission capability is 6 or more, and the charge retention capability can be obtained with a Vscn lighting voltage of 120 V or less. In other words, a protective layer having both an electron emission capability and a charge retention capability that can cope with a PDP that increases the number of injections and decreases the cell size due to high precision can be obtained.

여기서, 보호층(9)의 전자 방출 성능의 경시 변화에 대하여 검토한 결과에 대하여 설명한다. PDP의 장기 수명화를 위해서는, 보호층(9)의 전자 방출 성능이 경시적으로 열화되지 않는 것이 요구된다.Here, the result of having examined about the time-dependent change of the electron emission performance of the protective layer 9 is demonstrated. In order to prolong the life of the PDP, it is required that the electron emission performance of the protective layer 9 does not deteriorate with time.

도 12에서 양호한 특성을 얻은 시작품 4, 5의 전자 방출 성능의 경시 열화를 조사한 결과로서, PDP의 점등 시간에 대한 전자 방출 성능의 추이를 도 13에 도시하고 있다. 도 13에 도시한 바와 같이, MgO를 포함하는 기초막(91) 상에, 평균 입경이 0.9㎛∼2㎛의 범위에 있는 MgO의 결정 입자(92a)의 주위에, 결정 입자(92a)보다도 작은 입경을 갖는 MgO의 결정 입자(92b)가 응집한 다면체 형상의 응집 입자(92)와, 입방체 형상의 MgO의 결정 입자(93)를 전체면에 걸쳐 분산 배치한 시작품 5는, 시작품 4와 비교하여 전자 방출 성능의 경시 열화가 적다.The transition of electron emission performance with respect to the lighting time of a PDP is shown in FIG. 13 as a result of the time-dependent deterioration of the electron emission performance of the prototypes 4 and 5 which obtained the favorable characteristic in FIG. As shown in FIG. 13, on the base film 91 containing MgO, the average particle diameter is smaller than the crystal grains 92a around the crystal grains 92a of MgO in the range of 0.9 µm to 2 µm. The polyhedral aggregated particle 92 in which MgO crystal grains 92b having a particle diameter were aggregated and the prototype 5 in which the cubic MgO crystal grains 93 were dispersed and disposed over the entire surface were compared with the prototype 4. There is little deterioration of electron emission performance over time.

시작품 4에서는, PDP 셀 내에서의 방전에 의해 발생하는 이온이 보호층에 충격을 줌으로써, 응집 입자(92)가 박리된 것으로 추측된다. 한편, 시작품 5에서는, 평균 입경이 0.9㎛∼2㎛의 범위에 있는 MgO의 결정 입자(92a)의 주위에, 더 작은 평균 입경을 갖는 MgO의 결정 입자(92b)가 응집하고 있다. 즉, 작은 입경을 갖는 결정 입자(92b)는 표면적이 크기 때문에, 기초막(91)과의 접착성을 높이고 있어, 이온 충격에 의해 응집 입자(92)가 박리되는 경우가 적다고 추측된다.In the prototype 4, the aggregated particle 92 is estimated to have peeled off because the ion generated by the discharge in the PDP cell impacts the protective layer. On the other hand, in the prototype 5, MgO crystal particles 92b having a smaller average particle diameter are aggregated around the MgO crystal particles 92a in the range of 0.9 µm to 2 µm. That is, since the crystal particle 92b having a small particle size has a large surface area, the adhesion with the base film 91 is enhanced, and it is estimated that the aggregated particles 92 are rarely peeled off by ion bombardment.

시작품 5의 PDP에서는, 전자 방출 성능의 경시 열화가 작기 때문에, 보다 장기간에 걸쳐 안정된 화질을 얻을 수 있다.In the PDP of the prototype 5, since the deterioration of the electron emission performance with time is small, stable picture quality can be obtained over a longer period.

본 실시 형태에서는, 응집 입자(92)와 결정 입자(93)는, 기초막(91) 상에 부착시키는 경우, 10％ 이상 20％ 이하의 범위의 피복률로 또한 전체면에 걸쳐 분포하도록 부착되어 있다. 피복률이란, 1개의 방전 셀의 영역에서, 응집 입자(92)와 결정 입자(93)가 부착되어 있는 면적 a를 1개의 방전 셀의 면적 b의 비율로 나타낸 것이며, 피복률(％)＝a/b×100의 식에 의해 구한 것이다. 실제의 측정 방법은, 예를 들면 도 14에 도시한 바와 같이, 격벽(14)에 의해 구획된 1개의 방전 셀에 상당하는 영역의 화상이 촬영된다. 다음으로, 화상이 x×y의 1셀의 크기로 트리밍된다. 다음으로, 트리밍 후의 화상이 흑백 데이터로 2치화된다. 다음으로, 2치화된 데이터에 기초하여 응집 입자(92) 및 결정 입자(93)에 의한 흑 에리어의 면적 a를 구한다. 마지막으로, a/b×100에 의해 연산된다.In this embodiment, when the agglomerated particles 92 and the crystal particles 93 are attached onto the base film 91, the aggregated particles 92 and the crystal particles 93 are attached so as to be distributed over the entire surface at a coverage ratio of 10% or more and 20% or less. have. The coverage refers to the area a to which the aggregated particles 92 and the crystal particles 93 adhere in the area of one discharge cell as the ratio of the area b of one discharge cell, and the coverage (%) = a It is calculated | required by the formula of / b * 100. In the actual measuring method, for example, as shown in FIG. 14, an image of a region corresponding to one discharge cell partitioned by the partition wall 14 is captured. Next, the image is trimmed to the size of one cell of x x y. Next, the trimmed image is binarized into black and white data. Next, the area a of the black area by the aggregated particle 92 and the crystal particle 93 is calculated | required based on the binarized data. Finally, it is calculated by a / b × 100.

다음으로, 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)와 입방체 형상의 결정 입자(93)를 부착시킨 보호층을 갖는 PDP의 효과를 확인하기 위해서, 시작품을 더 제작하고, 유지 방전 전압을 조사하였다. 도 15에 도시한 바와 같이, 시작품 A는 MgO에 의한 기초막(91) 상에 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역에 CL 발광의 피크를 갖는 MgO의 결정 입자(92a, 92b)로 이루어지는 응집 입자(92)만을 산포하여, 부착시킨 PDP이다. 시작품 B, C는, MgO에 의한 기초막 상에 평균 입경이 0.9㎛∼2㎛의 범위에 있는 MgO의 다면체 형상의 결정 입자(92a)의 주위에, 상기 결정 입자(92a)보다도 작은 입경을 갖는 MgO의 다면체 형상의 결정 입자(92b)가 응집한 응집 입자(92)와, 입방체 형상의 MgO의 결정 입자(93)를 전체면에 걸쳐 분산 배치한 PDP이다. 또한, 시작품 B와 시작품 C는, 유전체층(8)의 비유전율 ε가 상이하다. 즉, 시작품 B는, 유전체층(8)의 비유전율 ε가 9.7 정도이다. 시작품 C는, 유전체층(8)의 비유전율 ε가 7이다. 피복률에 대해서는, 모두 20％ 이하의 13％ 정도이다.Next, in order to confirm the effect of the PDP which has the protective layer which adhered the polyhedral crystal particle 92a, 92b and the cubic crystal particle 93, the prototype was further produced and the sustain discharge voltage was investigated. As shown in Fig. 15, the prototype A is made of agglomerated particles composed of crystal particles 92a and 92b of MgO having a peak of CL emission in a wavelength region of 200 nm to 300 nm on the base film 91 by MgO. It is a PDP which scatters and attaches only 92. Prototypes B and C have a particle size smaller than the crystal grains 92a around the MgO polyhedral crystal grains 92a having an average particle diameter in the range of 0.9 μm to 2 μm on the base film formed by MgO. It is the PDP which disperse | distributed and arrange | positioned the aggregated particle 92 which the MgO polyhedral crystal particle 92b aggregated, and the cubic MgO crystal particle 93 over the whole surface. In addition, the prototype B and the prototype C have different dielectric constants epsilon of the dielectric layer 8. That is, in the prototype B, the dielectric constant ε of the dielectric layer 8 is about 9.7. In the prototype C, the dielectric constant ε of the dielectric layer 8 is 7. About coverage, it is all about 13% of 20% or less.

도 15에 도시한 바와 같이, 시작품 B, C는, 시작품 A에 대하여 유지 방전 전압을 저하시킬 수 있다. 즉, 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 특성의 MgO의 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)의 응집 입자(92)와, 400㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장 영역에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 특성의 MgO의 입방체 형상의 결정 입자(93)를 부착시킨 보호층을 갖는 PDP는, 유지 방전 전압을 저하시킬 수 있다. 즉, PDP의 저소비 전력화를 도모할 수 있다. 또한, 시작품 B, C의 특성으로부터 명백해지는 바와 같이, 유전체층(8)의 비유전율 ε를 작게 한 쪽이, 보다 유지 방전 전압을 저하시킬 수 있다. 특히, 본 발명자들의 실험에 의하면, 유전체층(8)의 비유전율 ε를 4 이상 7 이하로 함으로써, 보다 현저하게 효과가 얻어지는 것을 알 수 있었다.As shown in FIG. 15, prototypes B and C can lower the sustain discharge voltage with respect to prototype A. FIG. That is, agglomerated particles 92 of MgO polyhedral crystal particles 92a and 92b having a characteristic of performing CL emission having a peak in a wavelength region of 200 nm to 300 nm, and a wavelength region of 400 nm to 450 nm. The PDP having the protective layer to which the cubic crystal particles 93 of MgO having the characteristic of performing light emission with a peak attached thereto can be lowered. In other words, the power consumption of the PDP can be reduced. In addition, as apparent from the characteristics of the prototypes B and C, the smaller dielectric constant? Of the dielectric layer 8 can lower the sustain discharge voltage. In particular, according to the experiments of the present inventors, it was found that the effect is more remarkably obtained by setting the relative dielectric constant? Of the dielectric layer 8 to 4 or more and 7 or less.

도 16은, 보호층에서, MgO의 응집 입자(92)의 평균 입경을 변화시켜 전자 방출 성능을 조사한 실험 결과를 도시하는 것이다. 도 16에서, 응집 입자(92)의 평균 입경은, 응집 입자(92)를 SEM 관찰함으로써 측장(測長)되었다.FIG. 16 shows experimental results of investigating electron emission performance by changing the average particle diameter of the aggregated particles 92 of MgO in the protective layer. In FIG. 16, the average particle diameter of the aggregated particles 92 was measured by SEM observation of the aggregated particles 92.

도 16에 도시한 바와 같이, 평균 입경이 0.3㎛ 정도로 작아지면, 전자 방출 성능이 낮아지고, 거의 0.9㎛ 이상이면, 높은 전자 방출 성능이 얻어진다.As shown in FIG. 16, when average particle diameter becomes small about 0.3 micrometer, electron emission performance will become low, and when about 0.9 micrometer or more, high electron emission performance will be obtained.

방전 셀 내에서의 전자 방출수를 증가시키기 위해서는, 보호층(9) 상의 단위 면적당의 결정 입자수는 많은 쪽이 바람직하다. 본 발명자들의 실험에 의하면, 보호층(9)과 밀접하게 접촉하는 격벽(14)의 꼭대기부에 상당하는 부분에 결정 입자(92a, 92b, 93)가 존재하면, 격벽(14)의 꼭대기부를 파손시키는 경우가 있다. 이 경우, 파손된 격벽(14)의 재료가 형광체 상에 올라타거나 함으로써, 해당하는 셀이 정상적으로 점등 또는 소등하지 않게 되는 현상이 발생하는 것을 알 수 있었다. 격벽 파손의 현상은, 결정 입자(92a, 92b, 93)가 격벽 꼭대기부에 대응하는 부분에 존재하지 않으면 발생하기 어렵기 때문에, 부착시키는 결정 입자수가 많아지면, 격벽(14)의 파손 발생 확률이 높아진다.In order to increase the number of electron emission in the discharge cell, the number of crystal grains per unit area on the protective layer 9 is preferably higher. According to the experiments of the present inventors, when the crystal grains 92a, 92b, 93 are present in the portion corresponding to the top of the partition 14 in close contact with the protective layer 9, the top of the partition 14 is broken. It may be made. In this case, it was found that when the material of the damaged partition wall 14 rises on the phosphor, a phenomenon in which the corresponding cell does not turn on or off normally occurs. The phenomenon of partition breakage is unlikely to occur unless the crystal grains 92a, 92b, 93 are present in the portion corresponding to the top of the partition wall. Therefore, when the number of crystal grains to be adhered increases, the probability of breakage of the partition wall 14 increases. Increases.

도 17에 도시한 바와 같이, 입경이 2.5㎛ 정도로 커지면, 격벽 파손의 확률이 급격하게 높아진다. 그러나, 2.5㎛보다 작은 입경이면, 격벽 파손의 확률은 비교적 작게 억제할 수 있는 것을 알 수 있다.As shown in Fig. 17, when the particle diameter becomes large about 2.5 mu m, the probability of partition wall breakage increases rapidly. However, if the particle diameter is smaller than 2.5 µm, it can be seen that the probability of breakage of the partition wall can be suppressed to be relatively small.

이상의 결과에 기초하면, 응집 입자(92)는, 평균 입경이 0.9㎛ 이상 2.5㎛ 이하의 것이 바람직하다고 생각된다. PDP로서 실제로 양산하는 경우에는, 결정 입자의 제조상에서의 변동이나 보호층을 형성하는 경우의 제조상에서의 변동을 고려할 필요가 있다.Based on the above result, it is thought that the aggregate particle 92 has a preferable average particle diameter of 0.9 micrometer or more and 2.5 micrometers or less. In the case of mass production as a PDP, it is necessary to consider the fluctuation | variation in manufacture of a crystal grain, and the fluctuation in manufacture when forming a protective layer.

이와 같은 제조상에서의 변동 등의 요인을 고려하기 위해서, 입경 분포가 상이한 결정 입자를 이용하여 실험을 행한 결과, 평균 입경이 0.9㎛∼2㎛의 범위에 있는 응집 입자(92)를 사용하면, 전술한 효과가 안정적으로 얻어지는 것을 알 수 있었다.In order to take into account such factors such as variations in manufacturing, experiments were conducted using crystal grains having different particle size distributions. As a result, when the aggregated particles 92 having an average particle diameter in the range of 0.9 µm to 2 µm were used, It was found that one effect can be obtained stably.

[8. 보호층(9)의 형성 방법][8. Method of Forming Protective Layer 9]

도 18에 도시한 바와 같이, 유전체층(8)을 형성하는 유전체층 형성 공정 A1을 행한 후, 기초막 증착 공정 A2에서는, Al을 포함하는 MgO의 소결체를 원재료로 한 진공 증착법에 의해, 불순물로서 Al을 포함하는 MgO로 이루어지는 기초막(91)이 유전체층(8) 상에 형성된다.As shown in Fig. 18, after performing the dielectric layer forming step A1 for forming the dielectric layer 8, in the base film deposition step A2, Al is formed as an impurity by a vacuum deposition method using a sintered body of MgO containing Al as a raw material. A base film 91 made of MgO containing is formed on the dielectric layer 8.

그 후, 미소성의 기초막(91) 상에, 복수개의 응집 입자(92)와, 복수개의 결정 입자(93)가 이산적으로 산포되어, 부착된다. 즉 기초막(91)의 전체면에 걸쳐, 응집 입자(92)와 결정 입자(93)가 분산 배치된다.Thereafter, the plurality of aggregated particles 92 and the plurality of crystal particles 93 are dispersed and adhered on the unbaked base film 91. In other words, the aggregated particles 92 and the crystal particles 93 are dispersed and disposed over the entire surface of the base film 91.

우선, 소정의 입경 분포를 갖는 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)를 용매에 혼합한 응집 입자 페이스트가 제작된다. 또한, 입방체 형상의 결정 입자(93)를 용매에 혼합한 결정 입자 페이스트가 제작된다. 즉, 응집 입자 페이스트와 결정 입자 페이스트는 따로따로 준비된다. 그 후, 응집 입자 페이스트와 결정 입자 페이스트가 혼합됨으로써, 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)와 결정 입자(93)를 용매에 혼합한 혼합 결정 입자 페이스트가 제작된다. 그 후, 결정 입자 페이스트 도포 공정 A3에서, 혼합 결정 입자 페이스트가 기초막(91) 상에 도포됨으로써, 평균 막 두께 8㎛∼20㎛의 혼합 결정 입자 페이스트막이 형성된다. 또한, 혼합 결정 입자 페이스트를 기초막(91) 상에 도포하는 방법으로서, 스크린 인쇄법, 스프레이법, 스핀 코트법, 다이 코트법, 슬릿 코트법 등도 이용할 수 있다.First, agglomerated particle pastes in which polyhedral crystal particles 92a and 92b having a predetermined particle size distribution are mixed in a solvent are produced. Moreover, the crystal grain paste which mixed the cube-shaped crystal grain 93 in the solvent is produced. That is, the aggregated particle paste and the crystal particle paste are prepared separately. Thereafter, the aggregated particle paste and the crystal particle paste are mixed to produce a mixed crystal particle paste obtained by mixing polyhedral crystal particles 92a and 92b and the crystal particles 93 in a solvent. Thereafter, in the crystal particle paste coating step A3, the mixed crystal particle paste is applied onto the base film 91, whereby a mixed crystal particle paste film having an average film thickness of 8 μm to 20 μm is formed. Moreover, as a method of apply | coating the mixed crystal particle paste on the base film 91, the screen printing method, the spray method, the spin coat method, the die coat method, the slit coat method, etc. can also be used.

여기서, 응집 입자 페이스트나 결정 입자 페이스트의 제작에 사용하는 용매로서는, MgO의 기초막(91)이나 응집 입자(92)나 결정 입자(93)와의 친화성이 높고, 또한 다음 공정의 건조 공정 A4에서의 증발 제거를 용이하게 하기 위해서 상온에서의 증기압이 수십㎩ 정도의 것이 적합하다. 예를 들면 메틸메톡시부탄올, 테르피네올, 프로필렌 글리콜, 벤질 알코올 등의 유기 용제 단체 혹은 그들의 혼합 용매가 이용된다. 이들 용매를 포함한 페이스트의 점도는 수m㎩ㆍs∼수십m㎩ㆍs이다.Here, as a solvent used for preparation of agglomerated particle paste or a crystalline particle paste, affinity with MgO base film 91, agglomerated particle 92, and crystal grain 93 is high, and it is the drying process A4 of the next process. In order to facilitate the evaporation removal, the vapor pressure at room temperature is preferably about several tens of Pa. For example, a single organic solvent such as methylmethoxybutanol, terpineol, propylene glycol, benzyl alcohol, or a mixed solvent thereof is used. The viscosity of the paste containing these solvents is several mPa * s-tens of mPa * s.

혼합 결정 입자 페이스트가 도포된 기판은, 바로 건조 공정 A4로 옮겨진다. 건조 공정 A4에서는, 혼합 결정 입자 페이스트막이 감압 건조된다. 구체적으로는, 혼합 결정 입자 페이스트막은 진공 챔버 내에서, 수십초 이내에서 급속하게 건조된다. 따라서, 가열 건조에서는 현저한 막 내의 대류가 발생하지 않는다. 따라서, 응집 입자(92) 및 결정 입자(93)가 보다 균일하게 기초막(91) 상에 부착된다. 또한, 이 건조 공정 A4에서의 건조 방법으로서는, 혼합 결정 입자 페이스트를 제작할 때에 이용하는 용매 등에 따라서, 가열 건조 방법을 이용해도 된다.The board | substrate with which the mixed crystal particle paste was apply | coated is immediately transferred to drying process A4. In drying process A4, the mixed crystal particle paste film is dried under reduced pressure. Specifically, the mixed crystal particle paste film is rapidly dried within a few tens of seconds in a vacuum chamber. Therefore, convection in the film that does not occur remarkably in heat drying. Accordingly, the aggregated particles 92 and the crystal particles 93 are more uniformly deposited on the base film 91. In addition, as a drying method in this drying process A4, you may use the heat drying method according to the solvent etc. which are used when producing a mixed crystal particle paste.

다음으로, 보호층 소성 공정 A5에서는, 기초막 증착 공정 A2에서 형성된 미소성의 기초막(91)과, 건조 공정 A4를 거친 혼합 결정 입자 페이스트막이, 수백℃의 온도에서 동시에 소성된다. 소성에 의해, 혼합 결정 입자 페이스트막에 남아 있는 용제나 수지 성분이 제거된다. 그 결과, 기초막(91) 상에 복수개의 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)로 이루어지는 응집 입자(92)와, 입방체 형상의 결정 입자(93)가 부착된 보호층(9)이 형성된다.Next, in protective layer baking process A5, the unbaked base film 91 formed in base film deposition process A2 and the mixed crystal particle paste film which passed through drying process A4 are baked at the temperature of several hundred degreeC simultaneously. By baking, the solvent and resin component which remain in the mixed crystal particle paste film | membrane are removed. As a result, agglomerated particles 92 composed of a plurality of polyhedral crystal particles 92a and 92b and a protective layer 9 having cubic crystal particles 93 are formed on the base film 91. .

이 방법에 의하면, 기초막(91)에 응집 입자(92)와 결정 입자(93)를 전체면에 걸쳐 분산 배치하는 것이 가능하다.According to this method, it is possible to disperse | distribute the aggregate particle 92 and the crystal particle 93 to the base film 91 over the whole surface.

또한, 이와 같은 방법 이외에도, 용매 등을 이용하지 않고, 입자군을 직접 가스 등과 함께 분무하는 방법이나, 단순히 중력을 이용하여 산포하는 방법 등을 이용해도 된다.In addition to such a method, a method of spraying the particle group directly with a gas or the like without using a solvent or the like, or simply spreading using gravity, may be used.

또한, 소정의 입경 분포를 갖는 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)를 용매에 혼합한 응집 입자 페이스트만을 이용함으로써, 기초막(91)에 결정 입자(92a, 92b)가 응집한 응집 입자(92)를 전체면에 걸쳐 분산 배치하는 것이 가능하다.Further, by using only the aggregated particle paste in which polyhedral crystal particles 92a and 92b having a predetermined particle size distribution are mixed in a solvent, the aggregated particles 92 in which the crystal particles 92a and 92b are aggregated in the base film 91. It is possible to disperse | distribute) throughout the whole surface.

또한, 결정 입자(92a)를 용매에 혼합한 응집 입자 페이스트만을 이용함으로써, 기초막(91)에 복수의 결정 입자(92a)가 응집한 응집 입자(92)를 전체면에 걸쳐 분산 배치하는 것이 가능하다.Moreover, by using only the aggregated particle paste which mixed the crystal particle 92a with the solvent, it is possible to disperse | distribute the aggregated particle 92 which the several crystal particle 92a aggregated in the base film 91 over the whole surface. Do.

[9. 녹색 형광체에 대하여][9. About green phosphor]

본 실시 형태에 따른 녹색 형광체층(32)을 구성하는 녹색 형광체는, 500㎚ 이상 560㎚ 미만의 파장 영역에 발광 피크를 갖고 잔광 시간이 2msec를 초과하고 5msec 미만의 Mn²⁺ 부활 단잔광 녹색 형광체와, 490㎚ 이상 560㎚ 미만의 파장 영역에 발광 피크를 갖는 Ce³⁺ 부활 녹색 형광체 또는 Eu²⁺ 부활 녹색 형광체 중 어느 하나를 포함하는 형광체이다. 구체적으로는, 녹색 형광체는, Mn 부활량을 조정하여 단잔광으로 한 단잔광 ZSM 형광체에, 초단잔광 녹색 형광체인 YAG 형광체를 소정량 혼합한 구성이다.The green phosphor constituting the green phosphor layer 32 according to the present embodiment has a light emission peak in a wavelength region of 500 nm or more and less than 560 nm, an afterglow time of more than 2 msec, and an Mn ²⁺ -activated short afterglow green phosphor of less than 5 msec. And a Ce ³⁺ -activated green phosphor or an Eu ²⁺ -activated green phosphor having an emission peak in a wavelength region of 490 nm or more and less than 560 nm. Specifically, the green phosphor is a configuration in which a predetermined amount of YAG phosphor, which is an ultra-short afterglow green phosphor, is mixed with a short afterglow ZSM phosphor obtained by adjusting the amount of Mn activation to short afterglow.

[9-1. ZSM 형광체의 Mn 부활량에 대하여]9-1. Mn Revitalization Amount of ZSM Phosphor]

도 19에 도시한 바와 같이, ZSM 형광체는, Mn 부활량의 증가와 함께 잔광 시간과 휘도가 감소한다. 잔광 시간은 Mn 부활량이 4원자％를 초과하면 급격하게 감소하고, 휘도는 Mn 부활량이 8원자％를 초과하면 급격하게 감소한다. 또한, Mn 부활량이 10원자％를 초과하는 고Mn 부활량의 영역에서는, 휘도 저하가 지나치게 커서, 잔광 시간의 평가가 불가능하게 된다.As shown in FIG. 19, the ZSM phosphor decreases afterglow time and luminance with increasing Mn activation amount. Afterglow time rapidly decreases when the Mn activation amount exceeds 4 atomic%, and the brightness decreases rapidly when the Mn activation amount exceeds 8 atomic%. Moreover, in the area | region of the high Mn revitalization amount which Mn revitalization amount exceeds 10 atomic%, luminance fall too much and evaluation of afterglow time becomes impossible.

Mn 부활량이란, ZSM 형광체의 Zn 원자에 대한 Mn 원자의 치환 비율(Mn/(Zn+Mn))을 원자％로 나타낸 것이다. 또한, 도 19에서 검은색 기호(● 및 ◆)로 나타내는 결과는, ZSM 형광체 분말의 진공 자외선(147㎚) 여기 조건 하에서의 평가 결과이다. 흰색 기호(○ 및 ◇)는, PDP에 적용하였을 때의 평가 결과이다. 형광체 분말의 결과와, PDP에 녹색 형광체층(32)으로서 적용하였을 때의 평가 결과는, 큰 차가 없다.The Mn activating amount represents the substitution ratio (Mn / (Zn + Mn)) of Mn atoms to Zn atoms of the ZSM phosphor in atomic%. In addition, the result shown with the black symbols (● and ◆) in FIG. 19 is an evaluation result under the vacuum ultraviolet (147 nm) excitation condition of ZSM fluorescent substance powder. White symbols (○ and ◇) are evaluation results when applied to the PDP. There is no significant difference between the results of the phosphor powder and the evaluation results when the PDP is applied as the green phosphor layer 32.

도 19에 도시한 바와 같이, Mn 부활량을 6.5원자％ 이상 10원자％ 미만으로 함으로써, 잔광 시간을 2msec 이상 5msec 미만으로 제어할 수 있다. 본 실시 형태에서는, Mn 부활량을 6.5원자％ 이상 10원자％ 미만으로 한 단잔광의 ZSM 형광체가, Mn²⁺ 부활 단잔광 녹색 형광체로 정의된다(이후, 단잔광 ZSM 형광체라고 칭함). 한편, Mn 부활량이 10원자％ 이상일 때는 휘도가 대폭 저하되게 된다. 따라서, Mn 부활량은, 7원자％ 이상 9원자％ 이하가 더욱 바람직하다.As shown in FIG. 19, by making Mn activation amount into 6.5 atomic% or more and less than 10 atomic%, afterglow time can be controlled to 2 msec or more and less than 5 msec. In the present embodiment, a short afterglow ZSM phosphor having an Mn activation amount of 6.5 atomic% or more and less than 10 atomic% is defined as an Mn ²⁺ activating monoglow green phosphor (hereinafter referred to as a short afterglow ZSM phosphor). On the other hand, when Mn activation amount is 10 atomic% or more, brightness will fall significantly. Therefore, as for Mn activation amount, 7 atomic% or more and 9 atomic% or less are more preferable.

[9-2. ZSM 형광체와 YAG 형광체의 혼합]9-2. Mixing of ZSM and YAG Phosphors]

발명자들은, 잔광 시간이 1msec 이하의 Ce³⁺ 부활 이트륨 알루미늄 가넷 형광체인 YAG 형광체에 주목하여, YAG 형광체의 진공 자외선 여기 하에서의 발광 특성과 PDP로서의 특성을 조사하였다. 그 결과, YAG 형광체는, PDP에 적용하였을 때의 휘도가, 문헌 등에서 보고되는 결과나 형광체 분말 단체에서의 평가 결과로부터 예상되는 값 이상으로 높고, 또한, PDP의 점등 시간에 대한 안정성이 매우 양호하였다.The inventors focused on the YAG phosphor, which is a Ce ³⁺ activated yttrium aluminum garnet phosphor having an afterglow time of 1 msec or less, and investigated the light emission characteristics under vacuum ultraviolet excitation of the YAG phosphor and its characteristics as PDP. As a result, the brightness of YAG phosphor when applied to the PDP was higher than expected from the results reported in the literature and the evaluation results of the phosphor powder alone, and the stability to the lighting time of the PDP was very good. .

도 20, 도 21에서, (a)는 Mn 부활량을 8원자％로 한 ZSM 형광체에, YAG 형광체를 10mol％(23중량％) 혼합시킨 형광체, (b)는 Mn 부활량을 8원자％로 한 ZSM 형광체 단체, (c)는 Mn 부활량을 9원자％로 한 ZSM 형광체 단체, (d)는 YAG 형광체 단체의 형광체이다. 이들 형광체 중에서, (a)가 본 실시 형태에서의 PDP의 녹색 형광체이다.20 and 21, (a) is a phosphor obtained by mixing 10 mol% (23% by weight) of YAG phosphor with a ZSM phosphor having an Mn activation amount of 8 atomic%, and (b) an Mn activation amount of 8 atomic% One ZSM phosphor alone, (c) is a ZSM phosphor alone having a Mn activation amount of 9 atomic%, and (d) is a phosphor of a YAG phosphor alone. Among these phosphors, (a) is the green phosphor of the PDP in this embodiment.

도 20에 도시한 바와 같이, 녹색 형광체의 잔광 시간은, (a)가 3.4msec, (b)가 3.7msec, (c)가 2.4msec, 또한, (d)가 0.7msec이었다. 각각의 녹색 형광체는, 단잔광화가 실현되었다. 특히, 초단잔광의 특성을 갖는 YAG 형광체 (d)는, 여기원으로 되는 진공 자외선의 발생이 멈추면 순식간에 발광이 멈추는 것을 나타내고 있다.As shown in FIG. 20, the afterglow time of the green phosphor was (a) 3.4 msec, (b) 3.7 msec, (c) 2.4 msec, and (d) 0.7 msec. For each green phosphor, short afterglow was realized. In particular, the YAG phosphor (d) having the characteristics of ultra-short afterglow shows that light emission stops immediately when the generation of vacuum ultraviolet rays serving as excitation sources stops.

또한, 도 19에 도시한 바와 같이, 휘도를 중시한 종래의 ZSM 형광체에서는, Mn 부활량이 6원자％ 미만이다. 그 결과로서 잔광 시간은, 7msec 이상으로 된다. 그러나, 본 실시 형태에 따른 녹색 형광체는, Mn 부활량이 8원자％의 ZSM 형광체에 YAG 형광체가 10mol％ 혼합된 것이다. 본 실시 형태에 따른 녹색 형광체는, 입체 화상 표시 장치로서 실용 가능한 3.5msec 이하의 잔광 시간을 실현하고 있다.In addition, as shown in FIG. 19, in the conventional ZSM fluorescent substance which focused on brightness | luminance, Mn activation amount is less than 6 atomic%. As a result, the afterglow time is 7 msec or more. However, in the green phosphor according to the present embodiment, 10 mol% of the YAG phosphor is mixed with a ZSM phosphor having an Mn activation amount of 8 atomic%. The green phosphor according to the present embodiment realizes an afterglow time of 3.5 msec or less that can be used as a stereoscopic image display device.

또한, ZSM 형광체의 Mn 부활량을 증가시키는 것이나, YAG 형광체의 혼합 비율을 증가시킴으로써, 3.0msec 미만의 단잔광화를 실현하는 것은 가능하다.In addition, by increasing the Mn activation amount of the ZSM phosphor and increasing the mixing ratio of the YAG phosphor, it is possible to realize short afterglow of less than 3.0 msec.

도 21에 도시한 바와 같이, ZSM 형광체 단체에서 Mn 부활량을 8％(b), 9％(c)로 증가시키면, PDP 점등 시간에 대한 휘도 유지율이 저하된다. 이것은, Mn²⁺ 부활량을 증가시킨 단잔광의 ZSM 형광체에 공통적으로 인지되는 현상이다. 따라서, ZSM 형광체의 Mn 부활량을 증가시키는 것만으로 단잔광화를 도모하는 것은 실용적이지 않다.As shown in Fig. 21, when the Mn activation amount is increased to 8% (b) and 9% (c) in the ZSM phosphor alone, the luminance retention with respect to the PDP lighting time is lowered. This is a phenomenon commonly recognized by the short afterglow ZSM phosphor in which the amount of Mn ²⁺ activation is increased. Therefore, it is not practical to aim at short afterglow only by increasing the Mn activation amount of the ZSM phosphor.

YAG 형광체의 단체 (d)는, 휘도 유지율이 저하되지 않는다. 그러나, 후술하는 바와 같이, YAG 형광체는 발광의 색 순도가 Mn²⁺ 부활 녹색 형광체에 비해 뒤떨어진다. 따라서, YAG 형광체 단독으로는 PDP의 녹색 형광체층(32)에의 적용이 어렵다.As for the single element (d) of the YAG phosphor, the luminance retention does not decrease. However, as will be described later, the color purity of the light emitting YAG phosphor is inferior to that of the Mn ²⁺ -activated green phosphor. Therefore, application of the PDP to the green phosphor layer 32 alone is difficult with the YAG phosphor alone.

한편, (a)에서는, 단순히 Mn 부활량을 증가시킨 것만의 (b)나 (c)에 비해, PDP 점등 시간에 대한 휘도 유지율의 저하가 작다.On the other hand, in (a), the fall of the brightness | luminance retention with respect to PDP lighting time is small compared with (b) and (c) only by simply increasing Mn activation amount.

또한, (e)는, ZSM 형광체에 YAG 형광체를 혼합시켰을 때의 계산값이다. (e)는, 단독의 형광체 분말의 결과로부터 계산되었다.In addition, (e) is a calculated value at the time of mixing a YAG fluorescent substance with a ZSM fluorescent substance. (e) was calculated from the results of the phosphor powder alone.

실측값인 (a)의 결과는, 계산값인 (e)와 달리, PDP에의 적용이 가능한 것을 나타내고 있다.The result of (a) which is a measured value shows that application to a PDP is applicable unlike (e) which is a calculated value.

또한, (a)의 결과가, (e)와 상이한 이유에 대해서는 다음과 같이 생각된다. 휘도의 경시 변화는 ZSM 형광체의 Mn에 기인한다. 그러나, ZSM 형광체에 YAG 형광체가 혼합됨으로써, ZSM 형광체의 최표층부가 그 혼합 비율로부터 예측되는 이상으로 YAG 형광체에 의해 피복된다. 즉, 이온 충격에 의한 ZSM 형광체의 열화가 억제되어 있다고 생각된다.In addition, the reason why the result of (a) differs from (e) is considered as follows. The change in luminance over time is due to the Mn of the ZSM phosphor. However, by mixing the YAG phosphor with the ZSM phosphor, the outermost layer portion of the ZSM phosphor is covered with the YAG phosphor more than expected from the mixing ratio. In other words, it is considered that deterioration of the ZSM phosphor due to ion bombardment is suppressed.

따라서, (a)는, 단잔광 시간이면서, 장시간에 걸치는 고휘도를 실현할 수 있다.Therefore, (a) can realize high brightness over a long time while being a short afterglow time.

또한, 이들 형광체의 PDP 점등 초기 휘도는, 잔광 시간이 3.6msec의 형광체 (b)의 경우를 1로 하면, (c)는 0.79, (d)는 1.15이고, 본 실시 형태의 (a)는 1.06으로 고휘도를 실현할 수 있었다.The initial luminance of PDPs of these phosphors is 0.79, (d) is 1.15, and (a) of the present embodiment is 1.06 when the case of the phosphor (b) having an afterglow time of 3.6 msec is 1. High brightness could be achieved.

[9-2-1. YAG 형광체의 혼합 비율]9-2-1. Mixing Ratio of YAG Phosphor]

도 22에 도시한 바와 같이, YAG 형광체의 혼합 비율이 증가함에 따라서, 화살표 A의 방향으로 xy 좌표가 시프트한다. 즉, YAG 형광체의 혼합 비율이 증가함에 따라서, 녹색광의 색조가 서서히 황록색으로 변화해 간다. YAG 형광체의 혼합 비율은, 0mol％, 3mol％, 10mol％, 20mol％, 30mol％, 40mol％, 60mol％, 80mol％ 및 100mol％의 9종류이다. 녹색의 색 순도로서, x값은 0.3 이하, y값은 0.6 이상이 바람직하다. y값을 0.6 이상으로 하기 위해서는, YAG 형광체의 혼합 비율이 40mol％ 이하인 것이 바람직하다.As shown in FIG. 22, as the mixing ratio of the YAG phosphor increases, the xy coordinate shifts in the direction of the arrow A. FIG. That is, as the mixing ratio of the YAG phosphor increases, the color tone of green light gradually changes to yellowish green. The mixing ratio of YAG fluorescent substance is 9 types of 0 mol%, 3 mol%, 10 mol%, 20 mol%, 30 mol%, 40 mol%, 60 mol%, 80 mol%, and 100 mol%. As green color purity, x value is 0.3 or less and y value is 0.6 or more is preferable. In order to make y value 0.6 or more, it is preferable that the mixing ratio of a YAG fluorescent substance is 40 mol% or less.

또한, 도 23에 도시한 바와 같이, YAG 형광체의 혼합 비율이 증가함에 따라서, 단잔광 ZSM 형광체에 의한 530㎚ 부근의 발광 피크 강도가 저하된다. YAG 형광체의 황록색광의 광 성분이 부가됨으로써, 발광 스펙트럼의 반값 폭이 넓어진다. 즉, YAG 형광체 단체에서는 490㎚ 이상 560㎚ 미만의 파장 영역에 발광 피크를 갖는다.Further, as shown in FIG. 23, as the mixing ratio of the YAG phosphor increases, the emission peak intensity around 530 nm due to the short afterglow ZSM phosphor decreases. By adding the light component of the yellow-green light of a YAG fluorescent substance, the half value width of an emission spectrum becomes wider. In other words, the YAG phosphor alone has an emission peak in the wavelength region of 490 nm or more and less than 560 nm.

또한, 도 24에 도시한 바와 같이, YAG 형광체의 혼합 비율이 증가함에 따라서, 녹색 형광체 분체로서의 휘도가 저하된다. 그러나, 녹색 형광체를 녹색 형광체층(32)으로서 PDP에 적용한 경우, YAG 형광체의 혼합 비율이 증가함에 따라서, 녹색 형광체 분체로서의 휘도가 상승한다. 즉, 녹색 형광체 분체에서의 평가와, PDP에 적용한 경우의 평가는 상반되는 결과이었다. As shown in Fig. 24, as the mixing ratio of the YAG phosphor increases, the luminance as the green phosphor powder decreases. However, when the green phosphor is applied to the PDP as the green phosphor layer 32, as the mixing ratio of the YAG phosphor increases, the luminance as the green phosphor powder increases. In other words, the evaluation in the green phosphor powder and the evaluation in the case of application to the PDP were opposite results.

분체에서의 평가는, 일반적으로는 진공 자외선을 연속 점등하는 조건 하에서 이루어진다. 한편, PDP에 적용한 경우의 평가는, 고주파 펄스에 의해 진공 자외선을 단속적으로 조사하는 조건 하에서 이루어진다. 그 때문에, 잔광 시간이 짧은 형광체일수록 높은 휘도가 얻어진다. 초단잔광 형광체에서는, 더욱 높은 휘도가 얻어진다. 또한, 분체에서의 평가는 엑시머 광원을 이용하여 파장 147㎚의 진공 자외선 여기 하에서 이루어진다. 즉, 단파장의 진공 자외선이 조사된다. 한편, PDP에 적용한 경우의 평가는, Ne-Xe 방전에 의한 진공 자외선 여기 하에서 이루어진다. 즉, 다파장의 진공 자외선이 조사된다. 그 때문에, 파장 147㎚ 이외의 진공 자외선이 YAG 형광체를 여기시킨 것으로 생각된다.Evaluation in powder is generally performed on the conditions which continuously light a vacuum ultraviolet-ray. In addition, evaluation in the case of applying to PDP is made on the conditions which irradiate a vacuum ultraviolet-ray intermittently by a high frequency pulse. For this reason, the higher luminance is obtained with a phosphor having a shorter afterglow time. In the ultra-short afterglow phosphor, higher luminance is obtained. In addition, evaluation in powder is made under the vacuum ultraviolet excitation of wavelength 147nm using an excimer light source. That is, short-wavelength vacuum ultraviolet rays are irradiated. On the other hand, evaluation in the case of applying to PDP is made under vacuum ultraviolet excitation by Ne-Xe discharge. That is, vacuum ultraviolet rays of multiple wavelengths are irradiated. Therefore, it is thought that vacuum ultraviolet-rays other than wavelength 147nm excited the YAG fluorescent substance.

또한, 도 25에 도시한 바와 같이, YAG 형광체의 혼합 비율이 증가함에 따라서, 잔광 시간이 짧아진다. 녹색 화소에서의 잔광 특성을 나타내고 있다. YAG 형광체의 혼합 비율은, 0mol％, 10mol％(23중량％), 15mol％(32중량％), 20mol％(40중량％), 및 100mol％이다. YAG 형광체의 혼합 비율이 증가함에 따라서, 도면 중 화살표로 나타내는 바와 같이, 잔광 시간이, 3.6msec로부터, 3.4msec, 3.1msec, 2.7msec, 1msec 미만으로 짧아진다.As shown in Fig. 25, the afterglow time is shortened as the mixing ratio of the YAG phosphor increases. The afterglow characteristic in the green pixel is shown. The mixing ratio of the YAG phosphor is 0 mol%, 10 mol% (23 weight%), 15 mol% (32 weight%), 20 mol% (40 weight%), and 100 mol%. As the mixing ratio of the YAG phosphor increases, the afterglow time is shortened from 3.6 msec to less than 3.4 msec, 3.1 msec, 2.7 msec, and 1 msec, as indicated by the arrow in the figure.

또한, 도 25에는, 비교예로서 종래의 Mn²⁺ 부활 녹색 형광체의 잔광 특성도 도시된다. 일반적인 Mn²⁺ 부활 녹색 형광체란, Mn 부활량이 조정되어 있지 않은 형광체이다. 즉, Mn 부활량이 증가되어 있지 않은 형광체이다. 비교예의 잔광 시간은, 7msec∼8msec이다. 그 때문에, 입체 화상 표시를 할 수 있는 PDP에의 적용은 할 수 없다.25, the afterglow characteristic of the conventional Mn2 ⁺ activating green fluorescent substance is also shown as a comparative example. The general Mn ²⁺ -activated green phosphor is a phosphor in which the amount of Mn activation is not adjusted. That is, it is a phosphor in which the Mn activation amount does not increase. The afterglow time of a comparative example is 7 msec-8 msec. Therefore, it cannot be applied to a PDP capable of stereoscopic image display.

표 1에는, 일본 특개 2009-185276호 공보에 개시되어 있는 종래예가 나타내어진다. 표 2에는, 본 실시 형태에 따른 녹색 형광체에 대한 결과가 나타내어진다.In Table 1, the conventional example disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-185276 is shown. In Table 2, the result with respect to the green fluorescent substance which concerns on this embodiment is shown.

[표 1]TABLE 1

표 1에서, 평가 결과는 「A」, 「B」, 「C」 및 「D」로 나타내어져 있다. 「A」는 「실용 요건을 충분히 충족시키는 레벨인 것」을 나타낸다. 「B」는, 「실용 요건을 충족시키는 레벨인 것」을 나타낸다. 「C」는, 「실용화에의 검토가 가능한 레벨인 것」을 나타낸다. 「D」는, 「실용 요건을 충족시키지 않는 레벨인 것」을 나타낸다. 각각의 평가 항목에서, 하나라도 「D」가 있으면, 종합 평가에서도 「D」이다. 후에 설명되는 표 2 및 표 3에서도 마찬가지이다. 또한, (A) 등의 괄호쓰기의 평가값은, 실측값으로부터의 추측값이다.In Table 1, evaluation results are shown by "A", "B", "C", and "D". "A" represents "at a level which fully satisfies practical requirements." "B" represents "at a level which meets practical requirements." "C" represents "at the level which can examine to practicalization". "D" represents "at a level which does not satisfy a practical requirement". In each evaluation item, if there is even one "D", it is "D" also in comprehensive evaluation. The same applies to Tables 2 and 3 described later. In addition, the evaluation value of bracket writing, such as (A), is an estimated value from an actual value.

표 1은, Mn 부활량이 3.0원자％ 이하의 ZSM 형광체에, YAG 형광체를 혼합시킨 녹색 형광체의 결과이다. 평가 항목은, YAG 형광체의 혼합 비율에 대한 녹색의 색조, 잔광 시간, PDP 휘도이다. 색조는, 색 좌표의 y값이 0.6 이상인지의 여부로 평가되었다. 잔광 시간은 3.5msec 미만인지의 여부로 평가되었다. 휘도는 ZSM 형광체 단체에서의 평가 결과와의 상대값으로 평가되었다.Table 1 is the result of the green fluorescent substance which mixed YAG fluorescent substance with ZSM fluorescent substance whose Mn activation amount is 3.0 atomic% or less. Evaluation items are green hue, afterglow time, and PDP luminance with respect to the mixing ratio of the YAG phosphor. The color tone was evaluated by whether or not the y value of the color coordinates was 0.6 or more. Afterglow time was evaluated whether it was less than 3.5 msec. Luminance was evaluated relative to the evaluation results of the ZSM phosphor alone.

표 1에 나타내는 바와 같이, 통상의 ZSM 형광체에 YAG 형광체를 혼합시키는 경우에는, 색조와 잔광 시간이 양립하는 범위는 존재하지 않는다.As shown in Table 1, when mixing a YAG fluorescent substance with a normal ZSM fluorescent substance, there exists no range in which a hue and an afterglow time are compatible.

[표 2]TABLE 2

표 2는, Mn 부활량이 8.0원자％의 단잔광 ZSM 형광체에, YAG 형광체를 혼합시킨 녹색 형광체의 결과이다. 평가 항목은 표 1에 수명(휘도 유지율)이 가해졌다.Table 2 is the result of the green fluorescent substance which mixed YAG fluorescent substance with the short afterglow ZSM fluorescent substance whose Mn activation amount is 8.0 atomic%. As for the evaluation item, the lifetime (luminance retention) was added to Table 1.

표 2에 나타내는 바와 같이, 단잔광 ZSM 형광체에 YAG 형광체를 혼합시키는 경우에는, YAG 형광체의 혼합 비율은, 3mol％ 이상 40mol％ 이하가 바람직하다. 또한, YAG 형광체의 혼합 비율은, 8mol％ 이상 15mol％ 이하가 보다 바람직하다. 상기 범위에서, 휘도, 색조, 잔광 시간 및 수명(휘도 유지율)의 종합 특성을 만족시킨다.As shown in Table 2, when mixing a YAG fluorescent substance with a short afterglow ZSM fluorescent substance, 3 mol% or more and 40 mol% or less of the mixing ratio of a YAG fluorescent substance is preferable. Moreover, as for the mixing ratio of a YAG fluorescent substance, 8 mol% or more and 15 mol% or less are more preferable. Within this range, the overall characteristics of luminance, color tone, afterglow time and lifetime (luminance retention) are satisfied.

한편, YAG 형광체의 혼합 비율이 40mol％를 초과하면 녹색 색조가 어긋난다. YAG 형광체의 혼합 비율이 3mol％ 미만에서는 잔광 시간, 휘도 및 수명이 불충분하다.On the other hand, when the mixing ratio of the YAG phosphor exceeds 40 mol%, the green color tone is shifted. When the mixing ratio of the YAG phosphor is less than 3 mol%, afterglow time, brightness and lifetime are insufficient.

[9-2-2. 형광체의 입자경]9-2-2. Particle size of phosphor]

본 실시 형태에 따른 녹색 형광체는, 1차 입자경(직경)이 0.5㎛∼2㎛ 정도의 입자의 집합체인 것이 바람직하다. 또한, 형광체 입자의 평균 입경(D50)은, 1.5㎛ 이상 4.0㎛ 미만이 바람직하다. 게다가, 1.8㎛ 이상 3.5㎛ 미만인 것이 보다 바람직하다. 즉, ZSM 형광체와 YAG 형광체의 혼합이 저해되지 않도록, 1차 입자경 및 평균 입경을 조정하는 것이 바람직하다.It is preferable that the green fluorescent substance which concerns on this embodiment is an aggregate of particle whose primary particle diameter (diameter) is about 0.5 micrometer-2 micrometers. In addition, the average particle diameter (D50) of the phosphor particles is preferably 1.5 µm or more and less than 4.0 µm. Furthermore, it is more preferable that they are 1.8 micrometers or more and less than 3.5 micrometers. That is, it is preferable to adjust primary particle diameter and average particle diameter so that mixing of a ZSM fluorescent substance and a YAG fluorescent substance may not be inhibited.

1차 입자경 및 평균 입경을 전술한 범위로 함으로써, PDP에서의 녹색 형광체층(32) 표면의 평활화나 방전 공간의 확대가 가능하다. 따라서 녹색 형광체층(32)의 방전 효율이 높아진다. 또한, 격벽 등에 대한 형광체 입자의 피복률을 높여 고휘도화를 실현할 수 있다. 또한, 녹색 형광체층(32)의 치밀화에 의해 불순 가스의 발생 등을 억제할 수 있다. 따라서 방전의 안정성이 향상된다.By making the primary particle diameter and average particle diameter into the above-mentioned range, the surface of the green fluorescent substance layer 32 in PDP can be smoothed, and enlargement of a discharge space is possible. Therefore, the discharge efficiency of the green phosphor layer 32 is increased. In addition, it is possible to realize higher luminance by increasing the coverage of phosphor particles on partition walls and the like. In addition, the densification of the green phosphor layer 32 can suppress generation of impurities and the like. Therefore, the stability of the discharge is improved.

[9-2-3. 그 밖의 실시 형태][9-2-3. Other embodiments]

Mn 부활량을 조정한 단잔광 ZSM 형광체로서, 모재에 개선 처리를 실시한 형광체를 이용해도 된다. 즉, 모재의 표면에 MgO나 SiO₂ 등이 코트 처리된 ZSM 형광체를 이용해도 된다. 또는, Zn 혹은 Si의 조성비를 화학 양론 조성 (Zn, Mn)₂SiO₄로부터 약간 어긋나도록 하여, Si 원자 1개에 대하여, (Zn+Mn)의 총 원자수의 반수(半數)값이 0.5를 초과하고, 2.0 미만으로 되도록 한 ZSM 형광체 등도 포함된다. 예를 들면, (Zn, Mg)₂SiO₄: Mn²⁺, Zn₂(Si, Ge)O₄: Mn²⁺나 불순물 첨가한 ZSM 형광체 등을 이용해도 된다.As a short afterglow ZSM phosphor which adjusted Mn activation amount, you may use the phosphor which gave the base material the improvement process. In other words, a ZSM phosphor coated with MgO, SiO ₂ , or the like may be used for the surface of the base material. Alternatively, the composition ratio of Zn or Si is slightly shifted from the stoichiometric composition (Zn, Mn) ₂ SiO ₄ , and half of the total number of atoms of (Zn + Mn) is 0.5 for one Si atom. ZSM phosphor etc. which exceeded and became less than 2.0 are also included. For example, (Zn, Mg) ₂ SiO ₄ : Mn ²⁺ , Zn ₂ (Si, Ge) O ₄ : Mn ²⁺ or a ZSM phosphor added with impurities may be used.

또한, 인 화합물로 표면 코트된 ZSM 형광체 등을 이용해도 된다. 표면이 코트된 단잔광 ZSM 형광체는, 이온 충격 등이 억제된다. 따라서, 형광체의 안정성이 개선된다.Moreover, you may use ZSM fluorescent substance etc. which were surface-coated with a phosphorus compound. As for the afterglow ZSM fluorescent substance coated on the surface, ion bombardment etc. are suppressed. Thus, the stability of the phosphor is improved.

본 실시 형태에 따른 YAG 형광체는, Ce³⁺로 부활되어 있고, 형광체 결정을 구성하는 기본 골격의 주성분 원소로서, 적어도 이트륨과 알루미늄과 산소를 포함하는 형광체를 가리키는 것이다.The YAG phosphor according to this embodiment refers to a phosphor containing at least yttrium, aluminum, and oxygen as a main component element of the basic skeleton constituting the phosphor crystal, which is revived by Ce ³⁺ .

본 실시 형태에서는, Mn 부활량을 조정한 단잔광 ZSM 형광체에, Ce³⁺ 부활 녹색 형광체로서의 YAG 형광체를 혼합한 녹색 형광체가 예시되었다. 그러나, 일례로서, YAG 형광체 대신에 Eu²⁺ 부활 녹색 형광체인 Ca₂MgSi₂O₇: Eu²⁺를 이용해도 된다. 또한, 발광 중심으로서 기능하는 Ce³⁺나 Eu²⁺는, 이온 가수 변화의 용이성의 면에서, Mn²⁺보다 안정된다. 그 때문에, Ce³⁺ 부활 YAG 형광체 이외의 Ce³⁺ 부활 녹색 형광체, 또는, Eu²⁺ 부활 녹색 형광체 중 적어도 하나를 혼합한 경우에는, 정도의 차는 있지만 마찬가지의 작용 효과를 기대할 수 있다.In this embodiment, the green fluorescent substance which mixed the YAG fluorescent substance as Ce ³⁺ activating green fluorescent substance with the short afterglow ZSM fluorescent substance which adjusted Mn activating amount was illustrated. However, as an example, Ca ₂ MgSi ₂ O ₇ : Eu ^2+, which is an Eu ²⁺ -activated green phosphor, may be used instead of the YAG phosphor. In addition, Ce ³⁺ and Eu ²⁺ serving as a light emitting center are more stable than Mn ²⁺ in view of the ease of ion valence change. Therefore, when at least one of Ce ³⁺ -activated green phosphors or Eu ²⁺ -activated green phosphors other than Ce ³⁺ -activated YAG phosphors is mixed, a similar effect can be expected although there is a degree of difference.

예를 들면, Y₃(Al, Ga)₅O₁₂: Ce³⁺나 MgY₂SiAl₄O₁₂: Ce³⁺ 등도 Ce³⁺ 부활 YAG 형광체에 포함된다.For example, Y ₃ (Al, Ga) ₅ O ₁₂ : Ce ³⁺ , MgY ₂ SiAl ₄ O ₁₂ : Ce ^{3+, and the like} are also included in the Ce ³⁺ -activated YAG phosphor.

Ce³⁺ 부활 YAG 형광체 이외에서는, Eu²⁺ 부활 산질화규산염 녹색 형광체(예를 들면, Ba₃Si₆O₁₂N₂: Eu²⁺(통칭 BSON)), Eu²⁺ 부활 산질화알루미노규산염 녹색 형광체(예를 들면, SiSiAl₂O₃N₂: Eu²⁺), Eu²⁺ 부활 알칼리 토류 금속 할로규산염 녹색 형광체(예를 들면, Sr₄Si₃O₈Cl₄: Eu²⁺(통칭 클로로실리케이트), Ca₈Mg(SiO₄)₄Cl₂: Eu²⁺, Ca₃SiO₄Cl₂: Eu²⁺), Eu²⁺ 부활 알칼리 토류 금속 규산염 녹색 형광체(예를 들면, Ba₂MgSi₂O₇: Eu²⁺나 Ca₂MgSi₂O₇: Eu²⁺나 BaSi₂O₅: Eu²⁺), Eu²⁺ 부활 알칼리 토류 금속붕화인산염 녹색 형광체(예를 들면, Sr₆BP₅O₂₀: Eu²⁺), Eu²⁺ 부활 알칼리 토류 금속 알루민산염 녹색 형광체(예를 들면, Ba_0.82Al₁₂O_18.82: Eu²⁺) 등을 이용해도 된다.Except for Ce ³⁺ activated YAG phosphors, Eu ²⁺ activated oxynitride silicate green phosphors (eg, Ba ₃ Si ₆ O ₁₂ N ₂ : Eu ²⁺ (common name BSON)), Eu ²⁺ activated oxynitride aluminosilicates Green phosphor (eg SiSiAl ₂ O ₃ N ₂ : Eu ²⁺ ), Eu ²⁺ Revitalized alkaline earth metal halosilicate Green phosphor (eg Sr ₄ Si ₃ O ₈ Cl ₄ : Eu ²⁺ (collectively chloro Silicates), Ca ₈ Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : Eu ²⁺ , Ca ₃ SiO ₄ Cl ₂ : Eu ²⁺ ), Eu ²⁺ activated alkaline earth metal silicate green phosphors (eg, Ba ₂ MgSi ₂ O ₇ : Eu ²⁺ or Ca ₂ MgSi ₂ O ₇ : Eu ²⁺ or BaSi ₂ O ₅ : Eu ²⁺ ), Eu ²⁺ revitalized alkaline earth metal boron phosphate green phosphor (for example, Sr ₆ BP ₅ O ₂₀ : Eu ²⁺ ), Eu ²⁺ activating alkaline earth metal aluminate green phosphor (for example, Ba _0.82 Al ₁₂ O _18.82 : Eu ²⁺ ), or the like may be used.

[10. 적색 형광체에 대하여][10. About red phosphor]

본 실시 형태에 따른 적색 형광체층(31)을 구성하는 적색 형광체는, 610㎚ 이상 630㎚ 미만의 파장 영역(이하, 제1 파장 영역이라고 칭함)에 주발광 피크를 갖는다. 또한, 적색 형광체는, 580㎚ 이상 600㎚ 미만의 파장 영역(이하, 제2 파장 영역이라고 칭함)에 오렌지색의 발광 피크를 갖는다.The red phosphor constituting the red phosphor layer 31 according to the present embodiment has a main emission peak in a wavelength region (hereinafter referred to as a first wavelength region) of 610 nm or more and less than 630 nm. In addition, the red phosphor has an orange emission peak in a wavelength region of 580 nm or more and less than 600 nm (hereinafter referred to as a second wavelength region).

본 실시 형태에 따른 적색 형광체는, 제2 파장 영역에서의 발광 피크 강도가 제1 파장 영역에서의 주발광 피크 강도의 5％ 이상 20％ 미만인 Eu³⁺ 부활 적색 형광체이다. 또한, 「제1 파장 영역에 주발광 피크를 갖고 Eu³⁺를 부활제로 하는 적색 형광체」란, Eu³⁺를 부활제로서 포함하고, 또한, Eu³⁺가 발하는 발광 성분 중에서, 발광 강도가 가장 큰 발광 성분이, 제1 파장 영역에 있는 적색 형광체를 의미한다. 이 때문에, 예를 들면, 전자관용 형광체로서 알려진 InBO₃ : Eu³⁺나 YGB 형광체와 같이, 593㎚ 부근에 주발광 피크를 갖는 오렌지색/적오렌지색 형광체는 포함되지 않는다.The red phosphor according to the present embodiment is an Eu ³⁺ -activated red phosphor whose emission peak intensity in the second wavelength region is 5% or more and less than 20% of the main emission peak intensity in the first wavelength region. In addition, "a red phosphor which has a main light emission peak in a 1st wavelength range and uses Eu ³⁺ as an activator" contains Eu ³⁺ as an activator, and, among the light emitting components which Eu ³⁺ emits, luminescence intensity is the most A large light emitting component means the red fluorescent substance in a 1st wavelength range. For this reason, for example, orange / red orange phosphors having a main emission peak around 593 nm are not included, such as InBO ₃ : Eu ³⁺ or YGB phosphors known as electron tube phosphors.

제1 파장 영역에 주발광 피크를 갖는 Eu³⁺ 부활 형광체는, 590㎚ 부근에 주발광 피크를 갖는 YGB 형광체 등과는 달리, Eu³⁺ 이온의 전자 쌍극자 천이에 기초하는 발광 성분 비율이 많다. 따라서, 잔광 시간은, 2msec∼5msec 정도로, 비교적 짧다.The Eu ³⁺ activating phosphor having a main emission peak in the first wavelength region has a large ratio of light emission components based on the electron dipole transition of Eu ³⁺ ions, unlike the YGB phosphor having a main emission peak near 590 nm. Therefore, afterglow time is comparatively short about 2 msec-5 msec.

또한, 적색 형광체로부터의 적색광은, 제2 파장 영역에서의 발광 피크 강도가, 제1 파장 영역에서의 주발광 피크 강도의 20％ 미만인 것이 바람직하다. 보다, 바람직하게는 15％ 미만이다. 또한, 보다 바람직하게는 13％ 미만이다. 적색의 색 순도를 유지할 수 있기 때문이다.In addition, the red light from the red phosphor preferably has a peak emission intensity in the second wavelength region of less than 20% of the main peak emission intensity in the first wavelength region. More preferably, it is less than 15%. Moreover, More preferably, it is less than 13%. This is because red color purity can be maintained.

전술한 적색 형광체로부터 발광되는 적색광은, 전체로서 Eu³⁺ 이온의 자기 쌍극자 천이에 기초하는 발광의 비율이 적다. 또한, Eu³⁺ 이온의 전자 쌍극자 천이에 기초하는 발광 성분 비율이 많다. 전자 쌍극자 천이에 기초하는 발광의 잔광 시간은, 2msec∼5msec 정도이다. 한편, 자기 쌍극자 천이에 기초하는 발광의 잔광 시간은, 10msec 정도 이상이다. 따라서, 전술한 적색 형광체는, 3msec 정도 이하의 단잔광 특성을 갖는 적색광을 얻는 데 있어서 바람직하다.The red light emitted from the above-mentioned red phosphor has a small ratio of light emission based on the magnetic dipole transition of Eu ³⁺ ions as a whole. Moreover, there are many ratios of the light emission component based on the electron dipole transition of Eu3 ⁺ ion. The afterglow time of light emission based on electron dipole transition is about 2 msec to 5 msec. On the other hand, the afterglow time of light emission based on the magnetic dipole transition is about 10 msec or more. Therefore, the above-mentioned red fluorescent substance is preferable in obtaining red light which has a short afterglow characteristic of about 3 msec or less.

또한, 적색 형광체로서는, YOX 형광체, (Y, Gd)₂O₃ : Eu³⁺(이하, YGX 형광체라고 칭함) 및 YPV 형광체 등을 이용할 수 있다.As the red phosphor, a YOX phosphor, (Y, Gd) ₂ O ₃ : Eu ³⁺ (hereinafter referred to as a YGX phosphor), an YPV phosphor, or the like can be used.

본 실시 형태에 따른 PDP의 적색 형광체는, Ln₂O₃ : Eu³⁺, 및, Ln(P, V)O₄: Eu³⁺로부터 선택되는 적어도 하나의 형광체이다. 또한, Ln은 Sc, Y, 및 Gd로부터 선택되는 적어도 하나의 원소인 것이 바람직하다.The red phosphor of the PDP according to the present embodiment is at least one phosphor selected from Ln ₂ O ₃ : Eu ³⁺ , and Ln (P, V) O ₄ : Eu ³⁺ . In addition, Ln is preferably at least one element selected from Sc, Y, and Gd.

또한, 적색광은, PDP의 전면에 별도로 설치된 광학 필터를 통과하기 전의 적색광이어도 된다. 그러나, 적어도 파장 590㎚∼595㎚ 부근의 오렌지색광 성분을 과잉으로 흡수하도록 광학 설계된 광학 필터를 통과한 후의 적색광인 것이 바람직하다. 이와 같이, 적색 형광체와 광학 필터를 조합함으로써, Ne 방전으로부터 방출되는 오렌지색광을 저감시킬 수 있다. 또한, Eu³⁺ 부활 적색 형광체가 발하는, 잔광 시간이 긴 593㎚ 부근의 오렌지색광 성분의 출력 비율도 작게 할 수 있다. 그 결과, 컬러 화상의 콘트라스트나 적색의 색조가 향상된다. 또한, 긴 잔광의 오렌지색광 성분 비율이 많은 적색 형광체가 이용된 경우라도, 잔광 시간을 짧게 하는 것이 가능하게 된다.In addition, the red light may be red light before passing through the optical filter separately provided on the front surface of the PDP. However, it is preferable that it is red light after passing through the optical filter designed so that the orange light component of the wavelength 590 nm-595 nm vicinity at least may be absorbed excessively. In this way, by combining the red phosphor and the optical filter, the orange light emitted from the Ne discharge can be reduced. Moreover, the output ratio of the orange light component of 593 nm vicinity which long afterglow time which Eu ³⁺ activating red fluorescent substance emits can also be made small. As a result, the contrast and red hue of the color image are improved. Further, even when a red phosphor having a large proportion of long afterglow orange light component is used, the afterglow time can be shortened.

예를 들면, YPV 형광체에서는, 인의 비율이 많고 긴 잔광의 오렌지색광 성분 비율이 많을수록 진공 자외선 여기 하에서 많은 광자수를 방출할 수 있다. 즉, 인의 비율이 많을수록, 광자 변환 효율이 높은 형광체로 된다. 따라서, 광학 필터와 조합함으로써, 광자 변환 효율은 높지만 긴 잔광의 YPV 형광체 등을 이용하여, 소정의 단잔광 고효율 적색광을 얻을 수 있다. For example, in the YPV phosphor, the higher the ratio of phosphorus and the higher the proportion of the long-afterglow orange light component, the more photons can be emitted under vacuum ultraviolet excitation. That is, the more phosphorus ratio, the higher the photon conversion efficiency becomes. Therefore, by combining with the optical filter, a predetermined short afterglow high efficiency red light can be obtained by using a long afterglow YPV phosphor having a high photon conversion efficiency.

[10-1. 적색 형광체의 평가]10-1. Evaluation of red phosphor]

도 26에 도시한 바와 같이, 적색 형광체의 종류에 따라서, 발광 스펙트럼이 상이하다. Eu³⁺ 부활 적색 형광체의 일례로서, (a)는 ScBO₃ : Eu³⁺(SBE 형광체), (b)는 YGB 형광체, (c)는 YPV 형광체, (d)는 YOX 형광체이다. 모두, 형광체 분말로서의 평가이다.As shown in Fig. 26, the emission spectrum is different depending on the type of the red phosphor. As an example of Eu ³⁺ activating red phosphor, (a) is ScBO ₃ : Eu ³⁺ (SBE phosphor), (b) is YGB phosphor, (c) is YPV phosphor, and (d) is YOX phosphor. All are evaluation as fluorescent substance powder.

도 27에 도시한 바와 같이, 잔광 시간은, (a), (b), (c), (d)의 순으로 짧아진다. 도 26 및 도 27에 도시한 바와 같이, Eu³⁺ 부활 적색 형광체의 잔광 시간은, 제1 파장 영역에서의 전자 쌍극자 천이에 기초하는 발광인 적색 발광 성분과, 제2 파장 영역에서의 자기 쌍극자 천이에 기초하는 발광인 오렌지색 발광 성분의 강도비와 상관이 있다. 제1 파장 영역에서의 적색 발광 성분 비율이 많은 형광체일수록 단잔광이다.As shown in FIG. 27, afterglow time is shortened in the order of (a), (b), (c), and (d). As shown in FIGS. 26 and 27, the afterglow time of the Eu ³⁺ -activated red phosphor is a red luminescent component which is light emission based on electron dipole transition in the first wavelength region, and a magnetic dipole transition in the second wavelength region. It has a correlation with the intensity ratio of the orange light emitting component which is light emission based on. The larger the phosphor of the red light emission component in the first wavelength region is, the shorter the afterglow is.

본 실시 형태에서는, 적색 형광체로서, Eu³⁺ 이온의 전자 쌍극자 천이에 기초하는 발광 비율이 많은 Eu³⁺ 부활 적색 형광체인 YPV 형광체가 이용되었다. 따라서, 적색 발광의 잔광 시간이 짧아졌다. YPV 형광체에서는, YPV 형광체 중에서의 P와 V의 총량에 대한 P의 비율(이후, P 비율이라고 칭함)이 적을수록, 자기 쌍극자천이에 기초하는 오렌지색의 발광 성분 비율이 적어지고, 전자 쌍극자 천이에 기초하는 적색의 발광 성분 비율이 많아진다. 따라서 P 비율이 적은 YPV 형광체를 이용함으로써, 잔광 시간이 보다 짧아진다.In the present embodiment, as the red phosphor, an YPV phosphor which is an Eu ³⁺ activating red phosphor having a large emission ratio based on the electron dipole transition of Eu ³⁺ ions is used. Therefore, the afterglow time of red light emission became short. In the YPV phosphor, the smaller the ratio of P (hereinafter referred to as P ratio) to the total amount of P and V in the YPV phosphor, the smaller the ratio of the orange light emission component based on the magnetic dipole transition, and based on the electron dipole transition. The ratio of red light emission components increases. Therefore, afterglow time becomes shorter by using the YPV phosphor with a small P ratio.

[10-1-1. YPV 형광체의 평가]10-1-1. Evaluation of YPV Phosphors]

도 28에 도시한 바와 같이, P 비율이 변하면, 제1 파장 영역에서의 주발광 피크 강도와, 제2 파장 영역에서의 발광 피크 강도가 변화한다. 도 28에서의 P 비율은, (a)가 0％, (b)가 10％, (c)가 20％, (d)가 30％, (e)가 40％, (f)가 50％, (g)가 60％, (h)가 70％, (i)가 80％, (j)가 90％, (k)가 100％이다. 단위는 모두 원자％이다.As shown in Fig. 28, when the P ratio is changed, the main emission peak intensity in the first wavelength region and the emission peak intensity in the second wavelength region change. As for the P ratio in FIG. 28, (a) is 0%, (b) is 10%, (c) is 20%, (d) is 30%, (e) is 40%, (f) is 50%, (g) is 60%, (h) is 70%, (i) is 80%, (j) is 90%, and (k) is 100%. All units are atomic%.

도 29에 도시한 바와 같이, P 비율이 변하면, 잔광 시간이 변화한다. 도 29에서의 P 비율은, (a)가 0％, (b)가 20％, (c)가 40％, (d)가 60％, (e)가 80％, (f)가 100％이다. 단위는 모두 원자％이다. 즉, P 비율이 적을수록, 잔광 시간이 짧아진다.As shown in Fig. 29, when the P ratio changes, the afterglow time changes. In the ratio P in FIG. 29, (a) is 0%, (b) is 20%, (c) is 40%, (d) is 60%, (e) is 80%, and (f) is 100%. . All units are atomic%. In other words, the smaller the P ratio, the shorter the afterglow time.

또한, 도 28∼도 32에 도시한 결과는, 모두 YPV 형광체 분체에서의 평가이다.In addition, the results shown in FIGS. 28-32 are all evaluation in YPV fluorescent substance powder.

도 30에 도시한 바와 같이, 제1 파장 영역에서의 주발광 피크의 강도에 대한 제2 파장 영역에서의 발광 피크 강도의 비율과, 잔광 시간은 상관이 있다. 즉, 강도의 비율이 작아짐에 따라서, 잔광 시간은 급격하게 짧아진다라고 하는 관계를 나타내는 도면이다. 강도의 비율이 10％ 이상 20％ 미만일 때, 잔광 시간은, 2.0msec 이상 4.5msec 미만이다. 또한, 강도의 비율이 10％ 이상 15％ 미만일 때, 잔광 시간은, 2.0msec 이상 3.5msec 이하이다. 강도의 비율이 10％ 이상 12％ 미만일 때, 잔광 시간은, 2.0msec 이상 3.0msec 이하이다. 따라서, 실험 오차 등을 고려한 후에, 잔광 시간이 3.5msec 미만의 적색 형광체를 얻기 위해서는, 강도의 비율은 5％ 이상 15％ 미만이 바람직하다. 또한, 강도의 비율은 5％ 이상 12％ 미만이 보다 바람직하다.As shown in Fig. 30, the ratio of the emission peak intensity in the second wavelength region to the intensity of the main emission peak in the first wavelength region is correlated with the afterglow time. That is, it is a figure which shows the relationship that an afterglow time becomes short shortly as a ratio of intensity becomes small. When the ratio of intensity | strength is 10% or more and less than 20%, afterglow time is 2.0 msec or more and less than 4.5 msec. Moreover, when the ratio of intensity | strength is 10% or more and less than 15%, afterglow time is 2.0 msec or more and 3.5 msec or less. When the ratio of intensity | strength is 10% or more and less than 12%, afterglow time is 2.0 msec or more and 3.0 msec or less. Therefore, after considering the experimental error and the like, in order to obtain a red phosphor having an afterglow time of less than 3.5 msec, the ratio of the intensity is preferably 5% or more and less than 15%. Moreover, as for the ratio of intensity | strength, 5% or more and less than 12% are more preferable.

발명자들은, YPV 형광체에서의 P 비율이 상이한 분체와, YPV 형광체를 PDP에 적용하였을 때의 평가 결과로부터, 적색광의 잔광 시간이 3.5msec 미만으로 되는 P 비율은 0원자％ 이상 75원자％ 미만인 것을 발견하였다. 또한, 잔광 시간을 보다 짧은 3.0msec 미만으로 하기 위해서는, P 비율이 0원자％ 이상 70원자％ 미만이면 된다.The inventors found that the P ratio at which the afterglow time of red light becomes less than 0 atomic% and less than 75 atomic% from powders having different P ratios in the YPV phosphor and evaluation results when the YPV phosphor was applied to the PDP. It was. In addition, in order to make the afterglow time shorter than 3.0 msec, P ratio may be 0 atomic% or more and less than 70 atomic%.

본 실시 형태의 PDP에서의 적색 형광체층(31)은, YPV 형광체, 또는, (Y, Gd) (P, V)O₄: Eu³⁺(이하, YGPV 형광체라고 부름) 중 어느 하나의 적색 형광체를 포함한다. 또한, P 비율이, 0원자％ 이상 75원자％ 미만이다. 본 실시 형태에 따른 적색 형광체는, 잔광 시간이 3.5msec 이하이다.The red phosphor layer 31 in the PDP of this embodiment is either a YPV phosphor or a red phosphor of any one of (Y, Gd) (P, V) O ₄ : Eu ³⁺ (hereinafter referred to as YGPV phosphor). It includes. Moreover, P ratio is 0 atomic% or more and less than 75 atomic%. The afterglow time of the red fluorescent substance which concerns on this embodiment is 3.5 msec or less.

또한, 도 31에 도시한 바와 같이, YPV 형광체에서의 총 광자수와 휘도 상대값은, P 비율에 의존한다. 여기서 총 광자수와 휘도 상대값은, YPV 형광체를 파장 147㎚의 진공 자외선에 의해 여기함으로써 평가되었다. P 비율이 0％로부터 증가함에 따라서, 총 광자수는 증가한다. 그러나, P 비율이 70％ 정도일 때에 피크를 갖는다. P 비율이 더 증가함에 따라서, 총 광자수는 감소한다. P 비율이 100％일 때의 총 광자수는, P 비율이 20％일 때의 총 광자수와 동등하다. 또한, 총 광자수가 많다고 하는 것은, 광 변환 효율이 높은 것을 의미한다.As shown in Fig. 31, the total photon count and the relative value of luminance in the YPV phosphor depend on the P ratio. Here, the total photon count and the luminance relative value were evaluated by exciting the YPV phosphor with a vacuum ultraviolet ray having a wavelength of 147 nm. As the P ratio increases from 0%, the total photon count increases. However, it has a peak when the P ratio is about 70%. As the P ratio increases further, the total photon count decreases. The total number of photons when the P ratio is 100% is equivalent to the total number of photons when the P ratio is 20%. In addition, the large number of photons means high light conversion efficiency.

표 3에는, 전술한 평가 결과에 기초한 YPV 형광체에서의 P 비율에 대한 적색의 색조, 잔광 시간 및 PDP 휘도가 나타내어진다.In Table 3, red hue, afterglow time, and PDP luminance with respect to P ratio in the YPV phosphor based on the above-mentioned evaluation result are shown.

[표 3][Table 3]

표 3에 나타내는 바와 같이, P 비율이 많은 YPV 형광체는 잔광 시간이 길다. 그러나, 오렌지색광 성분을 과잉으로 흡수하도록 광학 설계된 광학 필터를 이용함으로써 적색광을 단잔광으로 할 수 있다. 따라서, 적색 형광체의 분체에서의 평가 시에 3.0msec를 초과하는 잔광 시간을 갖는 형광체라도, PDP에 적용되었을 때에 잔광 시간을 3.0msec 이하로 할 수 있다.As shown in Table 3, the YPV phosphor with a large P ratio has a long afterglow time. However, red light can be made short afterglow by using the optical filter optically designed to absorb the orange light component excessively. Therefore, even after the phosphor having an afterglow time exceeding 3.0 msec at the time of evaluation in the powder of the red phosphor, the afterglow time can be made 3.0 msec or less when applied to the PDP.

표 3에 나타내는 바와 같이, 적색광의 총 광자수가 많은 YPV 형광체는, P 비율이 50원자％ 이상 90원자％ 이하이다. 바람직하게는, P 비율이 60원자％ 이상 90원자％ 이하이다. 보다 바람직하게는, P 비율이 60원자％ 이상 80원자％ 이하이다.As shown in Table 3, P ratio is 50 atomic% or more and 90 atomic% or less in the YPV fluorescent substance with many total photons of red light. Preferably, P ratio is 60 atomic% or more and 90 atomic% or less. More preferably, P ratio is 60 atomic% or more and 80 atomic% or less.

따라서, 잔광 시간과 총 광자수를 양립시키기 위해서는, P 비율이 50원자％ 이상 80원자％ 이하의 YPV 형광체를 이용하는 것이 바람직하다.Therefore, in order to make an afterglow time and total photon number compatible, it is preferable to use the YPV fluorescent substance whose P ratio is 50 atomic% or more and 80 atomic% or less.

[10-1-2. 그 밖의 실시 형태]10-1-2. Other embodiments]

또한, PDP에 짙은 적색의 색조를 요구하는 경우에는, YPV 형광체를 적색 형광체로서 단독으로 이용해도 된다. 또한, 적색의 휘도를 요구하는 경우에는, 시감도가 양호한 적색광을 발하는 YOX 형광체 또는 YGX 형광체 중 어느 하나를 적색 형광체로서 단독으로 이용해도 된다.In the case where a deep red color tone is required for the PDP, the YPV phosphor may be used alone as a red phosphor. In addition, when red brightness | luminance is requested | required, you may use independently as a red fluorescent substance, either YOX fluorescent substance or YGX fluorescent substance which emits red light with favorable visibility.

또한, 적색의 색조를 중시하고, 또한, 높은 휘도를 요구하는 경우에는, YPV 형광체에 YOX 형광체 또는 YGX 형광체 중 적어도 한쪽을 가하여 이루어지는 혼합 적색 형광체를 이용하는 것이 바람직하다. 전술한 혼합 적색 형광체를 이용함으로써, 적색광의 시감도가 향상된다.In addition, when a red hue is emphasized and high luminance is requested | required, it is preferable to use the mixed red fluorescent substance which adds at least one of a YOX fluorescent substance or a YGX fluorescent substance to a YPV fluorescent substance. By using the above-mentioned mixed red phosphor, the visibility of red light is improved.

[11. 청색 형광체에 대하여][11. About blue phosphor]

본 실시 형태에 따른 청색 형광체층(33)을 구성하는 청색 형광체는, 420㎚ 이상 500㎚ 미만의 파장 영역에 주발광 피크를 갖는 Eu²⁺ 부활 청색 형광체이다. 이와 같은, Eu²⁺를 부활제로 하는 청색 형광체는, Eu²⁺ 이온의 4f⁶5d¹→4f⁷ 전자 에너지 천이에 기초하여 발광한다. 그 때문에, 1msec 미만의 잔광 시간의 청색광 발광을 실현할 수 있다.The blue fluorescent substance which comprises the blue fluorescent substance layer 33 which concerns on this embodiment is Eu2 ⁺ activating blue fluorescent substance which has a main emission peak in the wavelength range of 420 nm or more and less than 500 nm. Such a blue phosphor using Eu ²⁺ as an activator emits light based on the transition of 4f ⁶ 5d ¹ → 4f ⁷ electron energy of Eu ²⁺ ions. Therefore, blue light emission with an afterglow time of less than 1 msec can be realized.

보다 구체적인 청색 형광체로서는, BAM 형광체, CaMgSi₂O₆ : Eu²⁺(CMS 형광체), Sr₃MgSi₂O₈ : Eu²⁺(SMS 형광체) 등을 이용할 수 있다.As a more specific blue phosphor, a BAM phosphor, CaMgSi ₂ O ₆ : Eu ²⁺ (CMS phosphor), Sr ₃ MgSi ₂ O ₈ : Eu ²⁺ (SMS phosphor) and the like can be used.

[12. 형광체층에 대한 요약][12. Summary of Phosphor Layer]

이상과 같이, 본 실시 형태에서의 PDP는, 이하의 형광체를 구비하고 있다. 적색 형광체는, 제1 파장 영역에 주발광 피크를 갖고, 제2 파장 영역의 발광 피크 강도가 주발광 피크의 5％ 이상 20％ 미만의 적색광을 발광하는 Eu³⁺ 부활 적색 형광체이다.As described above, the PDP according to the present embodiment includes the following phosphors. The red phosphor is an Eu ³⁺ -activated red phosphor which has a main emission peak in the first wavelength region and emits red light having a light emission peak intensity in the second wavelength region of 5% or more and less than 20% of the main emission peak.

녹색 형광체는, 500㎚ 이상 560㎚ 미만의 파장 영역에 발광 피크를 가짐과 함께, 잔광 시간이 2msec를 초과하고 5msec 미만의 녹색광을 발광하는 Mn²⁺ 부활 단잔광 녹색 형광체와, 490㎚ 이상 560㎚ 미만의 파장 영역에 발광 피크를 갖는 Ce³⁺ 부활 녹색 형광체와의 혼합 형광체이다.The green phosphor has an emission peak in a wavelength region of 500 nm or more and less than 560 nm, and an Mn ²⁺ -activated monoglow green phosphor that emits green light having an afterglow time of more than 2 msec and less than 5 msec, and 490 nm or more and 560 nm. It is a mixed phosphor with a Ce ³⁺ -activated green phosphor having an emission peak in the wavelength region below.

청색 형광체는, 420㎚ 이상 500㎚ 미만의 파장 영역에 주발광 피크를 갖는 Eu²⁺ 부활 청색 형광체이다.The blue phosphor is an Eu ²⁺ -activated blue phosphor having a main emission peak in a wavelength region of 420 nm or more and less than 500 nm.

도 32에 도시한 바와 같이, 상기의 형광체를 PDP에 적용하였을 때의 잔광 시간은, 적색광(a)이 3.3msec, 녹색광(b)이 3.0msec, 청색광(c)이 1msec 이하이었다. 적색 형광체층(31)을 구성하는 적색 형광체에는, 일례로서, YPV 형광체의 P 비율이 40원자％의 YPV 형광체가 이용되었다. 녹색 형광체층(32)을 구성하는 녹색 형광체에는, 일례로서, Mn 부활량이 8원자％의 ZSM 형광체에 YAG 형광체가 15mol％ 혼합된 것으로 한 혼합 형광체가 이용되었다. 청색 형광체층(33)을 구성하는 청색 형광체에는, 일례로서, BAM 형광체가 이용되었다.As shown in Fig. 32, the afterglow time when the above-mentioned phosphor was applied to the PDP was 3.3 msec for red light (a), 3.0 msec for green light (b), and 1 msec or less for blue light (c). As the red phosphor constituting the red phosphor layer 31, for example, an YPV phosphor having an atomic ratio of 40 atomic percent (P) of the YPV phosphor was used. As a green fluorescent substance which comprises the green fluorescent substance layer 32, the mixed fluorescent substance which mixed 15 mol% of YAG fluorescent substance with 8 atomic% ZSM fluorescent substance by Mn activation amount was used as an example. As the blue phosphor constituting the blue phosphor layer 33, a BAM phosphor was used as an example.

따라서, 입체 화상 표시 장치용으로서 본 실시 형태에서의 PDP를 응용하고, 액정 셔터를 120㎐에서 개폐해도, 화상이 이중으로 보이는 현상인 크로스토크의 발생이 억제된다. 즉, 눈에 편안한 입체 화상 표시가 가능하게 된다.Therefore, even if the PDP in the present embodiment is applied for a three-dimensional image display device and the liquid crystal shutter is opened and closed at 120 Hz, the generation of crosstalk, a phenomenon in which the image is seen as double, is suppressed. That is, three-dimensional image display that is comfortable for the eyes can be performed.

또한, 적색광은 녹색광보다도 시감도의 면에서 뒤떨어진다. 따라서, 적색광의 잔광은, 녹색광의 잔광보다도 어둡게 느껴진다. 따라서, 도 32에 도시한 바와 같이, 적색광의 잔광 시간을 녹색광의 잔광 시간보다도 길게 하는 것이 바람직하다. 이 경우, 적색광의 휘도를, 녹색광 및 청색광과 비교하여 상대적으로 높게 할 수 있다. 따라서 크로스토크의 발생을 억제하면서 PDP를 고휘도화할 수 있다.In addition, red light is inferior to green light in terms of visibility. Therefore, the afterglow of red light feels darker than the afterglow of green light. Therefore, as shown in FIG. 32, it is preferable to make afterglow time of red light longer than the afterglow time of green light. In this case, the luminance of the red light can be made relatively high as compared with the green light and the blue light. Therefore, the PDP can be made high while suppressing the occurrence of crosstalk.

또한, ZSM 형광체에 혼합된 YAG 형광체 대신에, YAG 형광체 이외의 Ce³⁺ 부활 녹색 형광체나 Eu²⁺ 부활 녹색 형광체, 또한 Tb³⁺ 부활 녹색 형광체를 이용해도 된다. 재료 물성의 유사성으로부터 마찬가지의 작용 효과를 기대할 수 있다. 특히, Eu²⁺ 부활 녹색 형광체는, Ce³⁺ 부활 녹색 형광체보다도 발광 스펙트럼의 반값 폭이 좁아, 색 순도가 양호한 녹색광을 발생한다. 따라서, 녹색의 색조를 개선할 수 있다. 또한, 시감도가 양호한 545㎚ 부근에 발광 피크를 갖는 YAB 형광체 등의 Tb³⁺ 부활 녹색 형광체를 포함함으로써, 고휘도화를 실현할 수 있다.Instead of the YAG phosphor mixed with the ZSM phosphor, a Ce ³⁺ activated green phosphor, an Eu ²⁺ activated green phosphor, or a Tb ³⁺ activated green phosphor other than the YAG phosphor may be used. Similar effects can be expected from the similarity of material properties. In particular, the Eu ²⁺ -activated green phosphor has a narrower half-value width of the emission spectrum than the Ce ³⁺ -activated green phosphor, and generates green light with good color purity. Therefore, the color tone of green can be improved. In addition, high luminance can be realized by including Tb ³⁺ -activated green phosphors such as YAB phosphors having an emission peak near 545 nm having good visibility.

또한, 도 32에 도시한 녹색광의 잔광과 적색광의 잔광 시간은, 재료 설계에 의해 모두 3.0msec 이하로 할 수 있는 것은 물론이다.It goes without saying that the afterglow time of the green light and the red light shown in Fig. 32 can both be 3.0 msec or less depending on the material design.

[13. 요약][13. summary]

본 실시 형태에 따른 제1 PDP(1)는, 전면판(2)과, 전면판(2)과 대향 배치된 배면판(10)을 갖는다. 전면판(2)은, 표시 전극(6)과 표시 전극(6)을 덮는 유전체층(8)과 유전체층(8)을 덮는 보호층(9)을 갖는다. 보호층(9)은, 유전체층(8) 상에 형성된 기초층인 기초막(91) 및 기초막(91)의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수의 응집 입자(92)를 포함한다. 응집 입자(92)는, 복수의 응집된 금속 산화물의 결정 입자(92a)로 이루어진다. 배면판(10)은, 자외선에 의해 여기되는 형광체층(15)을 갖는다. 형광체층(15)은, 1/10 잔광 시간이 2msec를 초과하고 5msec 미만의 Mn²⁺ 부활 단잔광 녹색 형광체와, 490㎚ 이상 560㎚ 미만의 파장 영역에 발광 피크를 갖는 Ce³⁺ 부활 녹색 형광체 또는 Eu²⁺ 부활 녹색 형광체 중 어느 하나를 포함하는 녹색 형광체를 포함하는 녹색 형광체층(32)을 갖는다.The first PDP 1 according to the present embodiment has a front plate 2 and a back plate 10 disposed to face the front plate 2. The front plate 2 has a display electrode 6, a dielectric layer 8 covering the display electrode 6, and a protective layer 9 covering the dielectric layer 8. The protective layer 9 includes a base film 91, which is a base layer formed on the dielectric layer 8, and a plurality of aggregated particles 92 dispersed and disposed over the entire surface of the base film 91. The aggregated particle 92 consists of the crystal particle 92a of the several aggregated metal oxide. The back plate 10 has a phosphor layer 15 excited by ultraviolet rays. The phosphor layer 15 has a Mn ²⁺ -activated monoglow green phosphor having a 1/10 afterglow time exceeding 2 msec and less than 5 msec, and a Ce ^{3 +} -activated green phosphor having an emission peak in a wavelength region of 490 nm or more and less than 560 nm. Or a green phosphor layer 32 including a green phosphor including any one of Eu ²⁺ -activated green phosphors.

본 실시 형태에 따른 제2 PDP(1)는, 전면판(2)과, 전면판(2)과 대향 배치된 배면판(10)을 갖는다. 전면판(2)은, 표시 전극(6)과 표시 전극(6)을 덮는 유전체층(8)과 유전체층(8)을 덮는 보호층(9)을 갖는다. 보호층(9)은, 유전체층(8) 상에 형성된 기초막(91)과, 기초막(91)의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수개의 제1 입자와, 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수개의 제2 입자를 포함한다. 제1 입자는, 금속 산화물의 결정 입자(92a)가 복수개 응집한 응집 입자(92)이다. 제2 입자는, 산화마그네슘으로 이루어지는 입방체 형상의 결정 입자(93)이다. 배면판(10)은, 자외선에 의해 여기되는 형광체층(15)을 갖는다. 형광체층(15)은, 1/10 잔광 시간이 2msec를 초과하고 5msec 미만의 Mn²⁺ 부활 단잔광 녹색 형광체와, 490㎚ 이상 560㎚ 미만의 파장 영역에 발광 피크를 갖는 Ce³⁺ 부활 녹색 형광체 또는 Eu²⁺ 부활 녹색 형광체 중 어느 하나를 포함하는 녹색 형광체를 포함하는 녹색 형광체층(32)을 갖는다.The second PDP 1 according to the present embodiment has a front plate 2 and a back plate 10 disposed to face the front plate 2. The front plate 2 has a display electrode 6, a dielectric layer 8 covering the display electrode 6, and a protective layer 9 covering the dielectric layer 8. The protective layer 9 is formed by dispersing the base film 91 formed on the dielectric layer 8, the plurality of first particles dispersed throughout the entire surface of the base film 91, and the entire surface of the base layer. A plurality of second particles. The first particles are aggregated particles 92 in which a plurality of crystal particles 92a of metal oxide are aggregated. The second particles are cubic crystal particles 93 made of magnesium oxide. The back plate 10 has a phosphor layer 15 excited by ultraviolet rays. The phosphor layer 15 has a Mn ²⁺ -activated monoglow green phosphor having a 1/10 afterglow time exceeding 2 msec and less than 5 msec, and a Ce ^{3 +} -activated green phosphor having an emission peak in a wavelength region of 490 nm or more and less than 560 nm. Or a green phosphor layer 32 including a green phosphor including any one of Eu ²⁺ -activated green phosphors.

본 실시 형태에 따른 PDP(1)는, 높은 초기 전자 방출 성능과, 높은 전하 유지 성능을 갖는다. 또한, 우안용 필드와 좌안용 필드를 교대로 반복하여 표시하도록 하는 기입 기간이 짧은 고속 구동 시에, 발생하는 방전 지연이 억제된다. 따라서 기입 불량에 의한 화상의 깜박거림의 발생이 억제된다. 또한, 잔광 시간이 짧기 때문에, 우안용 화상과 좌안용 화상의 크로스토크가 억제된다.The PDP 1 according to the present embodiment has high initial electron emission performance and high charge retention performance. In addition, the discharge delay that occurs during high-speed driving with a short writing period for repeatedly displaying the right eye field and the left eye field alternately is suppressed. Therefore, the occurrence of flickering of the image due to writing failure is suppressed. In addition, since the afterglow time is short, crosstalk between the right eye image and the left eye image is suppressed.

또한, 이상의 설명에서는, 기초막(91)으로서, MgO를 예로 들었다. 그러나, 기초막(91)에 요구되는 성능은 어디까지나 이온 충격으로부터 유전체를 보호하기 위한 높은 내스퍼터 성능을 갖는 것이다. 종래의 PDP에서는, 일정 이상의 전자 방출 성능과 내스퍼터 성능이라고 하는 2개를 양립시키기 위해서, MgO를 주성분으로 한 보호층을 형성하는 경우가 매우 많았다. 본 실시 형태에서는, 전자 방출 성능이 응집 입자(92)에 의해 지배적으로 제어되는 구성을 취하기 때문에, MgO일 필요는 전혀 없고, Al₂O₃ 등의 내충격성이 우수한 다른 재료를 이용해도 전혀 상관없다.In addition, in the above description, MgO was mentioned as the base film 91 as an example. However, the performance required for the base film 91 only has a high sputter resistance for protecting the dielectric from ion bombardment. In the conventional PDP, in order to make two or more of a fixed electron emission performance and sputter resistance compatible, there were many cases where the protective layer which consists mainly of MgO was formed. In this embodiment, since the electron emission performance has a configuration that is dominantly controlled by the agglomerated particles 92, it does not need to be MgO at all, and it is not necessary to use any other material having excellent impact resistance such as Al ₂ O ₃ . .

또한, 본 실시 형태에서는, 단결정 입자로서 MgO 입자를 이용하여 설명하였지만, 이 외의 단결정 입자이어도, MgO와 마찬가지로 높은 전자 방출 성능을 갖는 Sr, Ca, Ba, Al 등의 금속의 산화물에 의한 결정 입자를 이용해도 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 입자종으로서는 MgO에 한정되는 것은 아니다.In addition, in this embodiment, although MgO particle was demonstrated as single crystal particle, even if it is other single crystal particle, crystal particle by the oxide of metals, such as Sr, Ca, Ba, Al, etc. which has high electron emission performance similarly to MgO, The same effect can also be obtained. Therefore, the particle species is not limited to MgO.

이상과 같이 본 실시 형태에 개시된 기술은, 고정밀이며 고휘도의 표시 성능을 구비하고, 또한 저소비 전력의 PDP를 실현하는 데 있어서 유용하다.As described above, the technique disclosed in the present embodiment is useful for realizing a PDP with high precision and high luminance display performance and low power consumption.

1 : PDP
2 : 전면판
3 : 전면 글래스 기판
4 : 주사 전극
4a, 5a : 투명 전극
4b, 5b : 금속 버스 전극
5 : 유지 전극
6 : 표시 전극
7 : 블랙 스트라이프
8 : 유전체층
9 : 보호층
10 : 배면판
11 : 배면 글래스 기판
12 : 데이터 전극
13 : 기초 유전체층
14 : 격벽
15 : 형광체층
16 : 방전 공간
21 : 화상 신호 처리 회로
22 : 데이터 전극 구동 회로
23 : 주사 전극 구동 회로
24 : 유지 전극 구동 회로
25 : 타이밍 발생 회로
31 : 적색 형광체층
32 : 녹색 형광체층
33 : 청색 형광체층
91 : 기초막
92 : 응집 입자
92a, 92b, 93 : 결정 입자
100 : 플라즈마 디스플레이 장치1: PDP
2: front panel
3: front glass substrate
4: scanning electrode
4a, 5a: transparent electrode
4b, 5b: metal bus electrode
5: holding electrode
6: display electrode
7: black stripe
8: dielectric layer
9: protective layer
10: back plate
11: back glass substrate
12: data electrode
13: base dielectric layer
14: bulkhead
15: phosphor layer
16: discharge space
21: image signal processing circuit
22: data electrode driving circuit
23: scan electrode driving circuit
24: sustain electrode driving circuit
25: timing generating circuit
31: red phosphor layer
32: green phosphor layer
33: blue phosphor layer
91: foundation membrane
92: aggregated particles
92a, 92b, 93: crystal grain
100: plasma display device

Claims

전면판과,
상기 전면판과 대향 배치된 배면판을 구비하고,
상기 전면판은, 표시 전극과 상기 표시 전극을 덮는 유전체층과 상기 유전체층을 덮는 보호층을 갖고,
상기 보호층은, 상기 유전체층 상에 형성된 기초층 및 상기 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수의 응집 입자를 포함하고,
상기 응집 입자는, 복수의 응집된 금속 산화물 결정 입자로 이루어지고,
상기 배면판은, 자외선에 의해 여기되는 형광체층을 갖고,
상기 형광체층은, 1/10 잔광 시간이 2msec를 초과하고 5msec 미만의 Mn²⁺ 부활 단잔광 녹색 형광체와, 490㎚ 이상 560㎚ 미만의 파장 영역에 발광 피크를 갖는 Ce³⁺ 부활 녹색 형광체 또는 Eu²⁺ 부활 녹색 형광체 중 어느 하나를 포함하는 녹색 형광체를 포함하는 녹색 형광체층을 갖는
플라즈마 디스플레이 패널.With the front panel,
A rear plate disposed to face the front plate;
The front plate has a display electrode, a dielectric layer covering the display electrode, and a protective layer covering the dielectric layer,
The protective layer includes a base layer formed on the dielectric layer and a plurality of aggregated particles dispersed over the entire surface of the base layer,
The aggregated particles are composed of a plurality of aggregated metal oxide crystal particles,
The back plate has a phosphor layer excited by ultraviolet rays,
The phosphor layer is a Ce ^{3 +} -activated green phosphor or Eu having an luminescence peak in a wavelength region of 490 nm or more and less than 560 nm, with Mn ²⁺ -activated monoglow green phosphor having a 1/10 afterglow time exceeding 2 msec and less than 5 msec. ^Having a green phosphor layer comprising a green phosphor comprising any one of ²⁺ activated green phosphors
Plasma display panel.

전면판과,
상기 전면판과 대향 배치된 배면판을 구비하고,
상기 전면판은, 표시 전극과 상기 표시 전극을 덮는 유전체층과 상기 유전체층을 덮는 보호층을 갖고,
상기 보호층은, 상기 유전체층 상에 형성된 기초층과, 상기 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수개의 제1 입자와, 상기 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수개의 제2 입자를 포함하고,
상기 제1 입자는, 금속 산화물 결정 입자가 복수개 응집한 응집 입자이고,
상기 제2 입자는, 입방체 형상의 결정 입자이고,
상기 배면판은, 자외선에 의해 여기되는 형광체층을 갖고,
상기 형광체층은, 1/10 잔광 시간이 2msec를 초과하고 5msec 미만의 Mn²⁺ 부활 단잔광 녹색 형광체와, 490㎚ 이상 560㎚ 미만의 파장 영역에 발광 피크를 갖는 Ce³⁺ 부활 녹색 형광체 또는 Eu²⁺ 부활 녹색 형광체 중 어느 하나를 포함하는 녹색 형광체를 포함하는 녹색 형광체층을 갖는
플라즈마 디스플레이 패널.With the front panel,
A rear plate disposed to face the front plate;
The front plate has a display electrode, a dielectric layer covering the display electrode, and a protective layer covering the dielectric layer,
The protective layer includes a base layer formed on the dielectric layer, a plurality of first particles dispersed over the entire surface of the base layer, and a plurality of second particles dispersed over the entire surface of the base layer. and,
The first particles are aggregated particles in which a plurality of metal oxide crystal particles are aggregated,
The second particles are cubic crystal particles,
The back plate has a phosphor layer excited by ultraviolet rays,
The phosphor layer is a Ce ^{3 +} -activated green phosphor or Eu having an luminescence peak in a wavelength region of 490 nm or more and less than 560 nm, with Mn ²⁺ -activated monoglow green phosphor having a 1/10 afterglow time exceeding 2 msec and less than 5 msec. ^Having a green phosphor layer comprising a green phosphor comprising any one of ²⁺ activated green phosphors
Plasma display panel.

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 응집 입자의 평균 입경은 0.9㎛ 이상 2.0㎛ 이하인 플라즈마 디스플레이 패널.The method according to claim 1 or 2,
The average particle diameter of the said agglomerated particle is 0.9 micrometer or more and 2.0 micrometers or less.

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 금속 산화물 결정 입자는, 7면 이상의 면을 갖는 다면체 형상인 플라즈마 디스플레이 패널.The method according to claim 1 or 2,
And said metal oxide crystal particles are polyhedral in shape having seven or more faces.

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기초층은, 산화마그네슘을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.The method according to claim 1 or 2,
And the base layer comprises magnesium oxide.

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 Mn²⁺ 부활 단잔광 녹색 형광체는, Mn²⁺ 부활 규산 아연 녹색 형광체이고,
상기 Mn²⁺ 부활 규산 아연 녹색 형광체는, 6.5원자％ 이상 10원자％ 미만의 아연 원자가 망간으로 치환되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널.The method according to claim 1 or 2,
The Mn ²⁺ -activated monoglow green phosphor is an Mn ²⁺ -activated zinc silicate green phosphor,
The plasma display panel in which the Mn ²⁺ -activated zinc silicate green phosphor is substituted with manganese of 6.5 atomic% or more and less than 10 atomic%.

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 녹색 형광체는, 상기 Ce³⁺ 부활 녹색 형광체를 3mol％ 이상 40mol％ 이하 포함하고,
상기 Ce³⁺ 부활 녹색 형광체는, Ce³⁺ 부활 이트륨 알루미늄 가넷 형광체인 플라즈마 디스플레이 패널.The method according to claim 1 or 2,
The green phosphor contains 3 mol% or more and 40 mol% or less of the Ce ³⁺ -activated green phosphor,
The Ce ³⁺ -activated green phosphor is a Ce ³⁺ -activated yttrium aluminum garnet phosphor.