KR20110112956A - 사이드 뷰 방식의 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법 - Google Patents

사이드 뷰 방식의 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광 지향각을 향상시켜 적은 수량의 발광다이오드 칩이 사용되어, 제조 비용을 줄일 수 있는 사이드 뷰 방식의 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, LED 어레이는 기판의 길이 방향을 따라 실장되는 적어도 하나 이상의 LED 칩을 구비하는 LED 어레이에 있어서, 상기 기판의 길이 방향에 대해 직교하는 일 측 방향으로 상기 LED 칩으로부터의 빛을 방출시키는 메인 윈도우를 구비하고, 상기 메인 윈도우를 제외한 타 측 방향은 라운드 형상의 배면부를 구비하는 몰딩부; 및 상기 배면부에 형성되어 상기 LED 칩으로부터의 빛을 상기 메인 윈도우를 향해 반사시키는 리플렉터;를 포함한다.

Description

사이드 뷰 방식의 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법{LED array of side view type and manufacturing process of the same}
본 발명은 발광다이오드 어레이에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광 지향각을 향상시켜 적은 수량의 발광다이오드 칩이 사용되어, 제조 비용을 줄일 수 있는 사이드 뷰 방식의 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법에 관한 것이다.
전자기기 산업이 발전함에 따라 소형이며 에너지 소비율이 적은 각종 표시장치들이 개발되고 있으며, 이를 이용한 영상기기, 컴퓨터, 이동통신 단말기 등이 개발되고 있는 추세이다. 이러한 추세를 반영하여 등장한 LCD(액정표시장치, Liquid Crystal Display)는 현재 모니터와 이동통신 단말기등의 디스플레이 장치로 각광받고 있다.
이러한 LCD는 자발적으로 빛을 발생시키지 못하는 비 발광성 소자이기 때문에 액정패널에 균일하게 빛을 조사하는 백라이트 유닛이 필수적으로 요구된다. LCD와 같은 평면표시장치에 채용되는 백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 에지형(edgy type)과 직하형(direct type)의 백라이트 유닛으로 구분되는데, 에지형 백라이트 유닛은 도광판의 측부에 광원인 LED가 배치되어 도광판 내부로 빛을 조사시키는 구조이고, 직하형 백라이트 유닛은 확산판의 하부에 광원인 LED를 일렬로 배열시켜 평판형 표시장치에 전면적으로 빛을 조사하는 구조이다.
또한, 광원으로는 형광램프와 LED(발광다이오드, Light Emitting Diode)가 주로 이용되지만, 최근에는 수명이 길고 별도의 인버터를 필요로 하지 않는 장점을 가진 LED가 형광램프를 대체하는 추세이다.
에지형 백라이트 유닛은 도 1에 도시된 바와 같이, 도광판(1), 기판(2)에 LED 패키지(3)가 전기적으로 탑재된 LED 어레이(4), 도광판(1)의 하부에 배치되는 반사판(5) 및 도광판 상부에 배치되는 각종 광학 시트(6) 등으로 구성된다.
광원인 LED 패키지(3)에서 출사되는 빛은 도광판(1)의 입광면을 통하여 내부로 입사되며, 입사된 빛은 도광판(1) 내부에서 전반사 및 산란되어 상측으로 출사되면서 백라이트 기능을 수행하게 된다.
여기서 LED 패키지(3)는 일반적으로 RGB(적색, 녹색, 청색)의 LED 칩을 패키지(3) 본체에 본딩(Bonding)하고, LED 칩을 수지 등의 재료로 몰딩하여 제조되며, 기판(2)으로는 일반적으로 PCB(Printed Circuit Board) 또는 방열 성능이 우수한 MCPCB(Metal Core PCB)가 사용된다.
이와 같은 에지형 백라이트 유닛은 여러 개의 LED 패키지(3)가 기판(1)의 일면에 일렬로 배열되는 어레이 형태로 제조되는데, 각각의 LED 패키지(3)들로부터의 빛이 일정한 지향각으로 도광판(1) 내부로 입사된다.
종래의 기술에 따른 LED 어레이는 도 2에 도시된 바와 같이, 길이 방향을 가지는 띠 형상의 기판(2)에 복수 개의 LED 패키지(3)가 일정 간격으로 실장되는 구조를 이룬다.
즉, 종래의 기술에 따른 LED 어레이(4)는 별도로 제작된 LED 패키지(3)가 각각 기판(1)에 실장되므로, 제조 공정이 복잡하고 제조 비용이 상승하는 문제점이 있었다.
또한, 광 지향각은 LED 패키지(3) 자체의 지향각에만 의존하므로 지향각의 확보에 한계가 있고, 이로 인하여 열점(Hot spot)이나 흑점(Dark spot) 현상을 방지하기 위해서는 많은 수의 LED 패키지(3)를 밀하게 배치하여야 하므로, 제조 시간과 비용에 있어서 불합리한 점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 제반 문제점들을 해결하기 위하여 제안된 것으로, LED 칩으로부터의 빛을 일 측에 형성되는 라운드 형상의 리플렉터에 반사시켜 타 측으로 출사시키는 사이드 뷰 방식을 채택하여 집광 효율과 광 지향각을 향상시킴으로써, 백라이팅의 효율을 향상시키고 적은 수의 LED 칩으로 대면적 백라이팅을 구현할 수 있는 LED 어레이를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 LED 칩을 회로기판에 칩 온 보드(Chip On Board) 형태로 실장한 후 일체로 몰딩 및 다이싱하는 일괄 공정으로 간단하게 LED 어레이를 제조하여, 제조 시간 및 제조 비용을 대폭 절감할 수 있는 LED 어레이 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 LED 어레이는 기판의 길이 방향을 따라 실장되는 적어도 하나 이상의 LED 칩을 구비하는 LED 어레이에 있어서, 상기 기판의 길이 방향에 대해 직교하는 일 측 방향으로 상기 LED 칩으로부터의 빛을 방출시키는 메인 윈도우를 구비하고, 상기 메인 윈도우를 제외한 타 측 방향은 라운드, 선형 또는 다각형 형상의 배면부를 구비하는 몰딩부; 및 상기 배면부에 형성되어 상기 LED 칩으로부터의 빛을 상기 메인 윈도우를 향해 반사시키는 리플렉터;를 포함한다.
전술한 구성에 있어서, 상기 몰딩부는 이웃하는 상기 LED 칩의 중간에서 메인 윈도우를 향해 오목한 홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.
전술한 구성에 있어서, 상기 리플렉터는 상기 반투과성의 내측 리플렉터와 비투과성의 외측 리플렉터로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 LED 어레이 제조 방법은 기판에 복수개의 LED 칩을 가로 및 세로 방향으로 실장하는 단계; 상기 기판의 LED 칩들을 길이 방향(가로 방향)을 따라 대향하는 한 쌍의 LED 칩으로 구획되도록 라운드 또는 다각형 형상으로 일체로 밀봉하여 몰딩부를 형성하는 단계; 상기 몰딩부 외면을 따라 리플렉터를 형성하는 단계; 한 쌍의 LED 칩으로 구획되는 상기 몰딩부와 리플렉터를 길이 방향으로 1차로 절단하는 단계; 및 한 쌍의 상기 LED 칩의 중앙부를 따라 상기 몰딩부와 리플렉터를 길이 방향으로 2차로 절단하는 단계;를 포함한다.
상기와 같은 구성의 LED 어레이 넓은 광 지향각을 나타내는 사이드 뷰 방식의 LED 패키지에 의하여 상대적으로 적은 수의 LED 칩을 사용하여 제조 비용을 절감시킬 수 있으며, 리플렉터의 형상을 변형하거나 이웃하는 LED 패키지 사이에 홈을 형성하여 메인 윈도우를 통한 광 투과율을 향상시킬 수 있고, 반투과성 및 비투과성 재질의 리플렉터를 사용하여 광 투과율을 배가시킬 수 있다.
또한, 상기와 같은 구성의 LED 어레이 제조방법에 의하면, 별도의 LED 패키지를 기판에 SMT하는 공정을 수행하지 않고, COB 공정, 일괄 몰딩 및 다이싱 공정에 의해 제조 공정을 단순화시키고, 동시에 복수개의 LED 어레이를 제조할 수 있어 제조 시간과 비용을 현저히 줄일 수 있다.
도 1은 에지형 백라이트 유닛을 나타낸 정단면도,
도 2는 종래의 기술에 따른 LED 어레이를 나타낸 사시도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 LED 어레이를 나타낸 정면 사시도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 LED 어레이를 나타내 배면 사시도,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 LED 어레이를 나타낸 정면도,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 LED 어레이를 나타낸 측단면도,
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 LED 어레이에 대한 곡률을 달리하는 몰딩부를 나타낸 측단면도,
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 LED 어레이에 대한 몰딩부의 다양한 형상을 나타낸 측단면도,
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 어레이를 나타낸 정면도,
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 어레이를 나타낸 측단면도,
도 11은 본 발명의 실시예에 따라 LED 칩이 배치된 기판을 나타낸 평면도,
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 1차 몰딩부가 형성된 상태를 나타낸 평면도,
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 2차 몰딩부가 형성된 상태를 나타낸 평면도,
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 LED 어레이의 다이싱 상태를 나타낸 평면도.
본 발명과 본 발명의 실시에 의해 달성되는 기술적 과제는 다음에서 설명하는 바람직한 실시예들에 의해 명확해질 것이다. 다음의 실시예들은 단지 본 발명을 설명하기 위하여 예시된 것에 불과하며, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것은 아니다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 살펴보기로 한다.
도 3 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 LED 어레이를 나타낸 정면 사시도, 배면 사시도, 정면도 및 측단면도이고, 도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 어레이를 나타낸 정면도 및 측단면도이다.
도 3 내지 도 6를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 LED 어레이(100)는 기판(10) 상에 LED 칩(20)이 안착되고, LED 칩(20)을 덮으면서 전방으로는 메인 윈도우(31)가 구비되는 몰딩부(30)가 형성되며, 몰딩부(30)의 외면을 따라서 리플렉터(40)가 형성되는 구조를 이룬다.
이를 구체적으로 살펴보면, 전술한 기판(10)은 직사각의 긴 띠 형상으로 인쇄회로기판(PCB)이나 리드프레임이 이용될 수 있으며, 기판(10) 상에는 전원을 인가하기 위한 전극(도 11의 11)과 전극 라인(미도시)이 직렬 또는 병렬로 미리 형성된다.
전술한 LED 칩(20)은 백라이트 유닛의 광원 역할을 하는 구성으로, 전위 차이에 의하여 전기 에너지를 빛 에너지로 전환시키는 반도체 소자이다. 이를 위하여 LED 칩(20)에는 상대적으로 서로 다른 전위의 전원이 인가되어야 하므로, 기판(10)에는 한 쌍의 서로 다른 전위의 전극(11)이 구비되고, LED 칩(20)은 리드 와이어(21)에 의해 각 전극(11)에 연결된다. 이러한 LED 칩(20)은 기판(10) 상에서 길이 방향을 따라 일정 간격으로 복수개가 안착된다. 여기서 길이 방향이란 직사각 기판의 길이가 긴 방향을 말하며, 이러한 긴 방향을 따라서 LED 칩(20)들이 일정한 간격을 두고 실장되어 있는 것이다.
전술한 몰딩부(30)는 통상적으로 LED 칩(20) 및 리드 와이어(21)를 밀봉하여 외부에 대해 보호하는 기능을 수행하여, 본 발명에서는 기판(10)의 길이 방향인 LED 칩(20)이 일렬로 실장된 방향을 따라 길게 형성되어 있다. 이러한 몰딩부(30)는 에폭시 수지나 실리콘 수지와 같은 수지 계열의 재료에 형광체를 혼합하여 몰딩 성형법으로 형성할 수 있다. 몰딩 성형법으로는 트랜스퍼몰딩방법을 사용할 수 있다. 몰딩부(30)에 혼합되는 형광체는 LED 칩(20)으로부터의 빛을 파장 변환시켜 백색광을 구현한다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 몰딩부(30)는 도시된 바와 같이, 길이 방향에 대하여 직교하는 전방으로 LED 칩(20)의 빛이 방출되기 위한 메인 윈도우(31)가 형성되며, 후방으로는 메인 윈도우(31)의 상단부가 기판(10)의 후단부에 연결되는 라운드 형상의 배면부(32)가 형성된다. 이러한 배면부(32)는 그 단면이 원 형상뿐만 아니라 도 7에 되시된 바와 같이 타원 형상과 같은 다양한 곡률 반경(R)을 가지는 라운드 형상으로 형성될 수 있으며, 도 8에 도시된 바와 같이 선형이나 적어도 하나 이상의 모서리를 가지는 다각형 형상으로 형성될 수도 있다.
또한, 몰딩부(30)는 이웃하는 LED 칩(20)의 중간부에서 전방으로 소정의 깊이를 가지는 오목한 홈(33)이 형성되며, 이러한 홈(33)은 전방과 기판으로 가까울수록 좁은 폭으로 형성된다. 결국 몰딩부(30)의 배면부(32)는 좁고 메인 윈도우(31)는 넓은 형상으로 형성되는데, 이러한 형상에 의하여 몰딩부(30) 내부에서 그 길이 방향을 따라서 전반사되는 빛을 전방으로 효율적으로 반사시킬 수 있게 된다. 여기서 오목한 홈(33)의 각도를 메인 윈도우(31)에 대하여 적절히 조절함으로써, 메인 윈도우(31)를 향해 반사되는 빛의 양과 지향각을 변화시킬 수 있다.
전술한 리플렉터(40)는 LED 칩(20)에서 발생되는 빛이 의도하지 않은 후방으로 누설되는 것을 방지하여 휘도를 향상시키기 위한 구성으로, 메인 윈도우(31)를 제외한 몰딩부(30)의 배면부(32) 외면을 따라 라운드 형상으로 형성된다. 이에 의해 몰딩부(30) 내부의 빛이 리플렉터(40)에 반사되어 메인 윈도우(31)를 통하여 전방으로 출사되도록 유도된다.
한편, 이러한 리플렉터(40)는 소정의 광 투과성을 가지는 재질로 도 3 내지 도 8에 도시된 바와 같이 단일 구조로 형성될 수 있으나, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 반투과성 재질의 내측 리플렉터(41)의 외면에 비투과성 재질의 외측 리플렉터(42)가 형성되는 이중 구조를 이룰 수 있다.
여기서 리플렉터(40)는 몰딩 성형법 또는 증착법으로 형성될 수 있으며, 이중 구조의 리플렉터의 경우 내측 리플렉터(41)는 몰딩 성형법으로 형성하고, 외측 리플렉터(42)는 증착법으로 형성할 수 있다.
상기와 같은 구조의 LED 어레이(100)는 몰딩부(30) 내부에서 전반사 및 산란되는 LED 칩으로부터의 빛이 라운드 형상의 리플렉터(40)와 반사층(50)에 의하여 메인 윈도우(31)를 통하여 효율적으로 출사되며, 메인 윈도우(31)는 이웃하는 메인 윈도우(31)와 연통되어 길이 방향(좌우 방향)의 광 지향각을 향상시킬 수 있다. 이로 인하여 에지형 백라이트 유닛에 적용되는 경우 적은 수의 LED 칩(20)으로 대면적의 백라이트을 구현할 수 있어, 제조 비용을 절감시키게 된다. 이하에서는 상기와 같은 구조의 LED 어레이를 제조하는 과정을 살펴본다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따라 LED 칩이 배치된 기판을 나타낸 평면도이고, 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 1차 몰딩부가 형성된 상태를 나타낸 평면도이며, 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 2차 몰딩부가 형성된 상태를 나타낸 평면도이고, 도 14는 본 발명의 실시예에 따른 LED 어레이의 다이싱 상태를 나타낸 평면도이다.
먼저, 도 11과 같이 소정의 크기를 가지는 사각 형상의 기판(10)에 가로 및 세로 방향의 일정한 간격으로 복수개의 LED 칩(20)들을 칩 온 보드(Chip On Board) 방식으로 실장한다. 기판(10) 상에는 전원을 인가하기 위한 전극(11)과 직렬 또는 병렬 형태의 전극 라인(미도시)이 미리 인쇄되어 있으며, 각 LED 칩(20)은 리드 와이어(21)에 의해 각 전극(11)에 연결되면서 실장된다. 이때 도시된 바와 같이 가로 방향으로는 2행(行)의 LED 칩(20)들이 한 쌍을 이루도록 실장되는 것이 바람직하다.
그리고, 도 12에 도시된 바와 같이 가로 방향으로 한 쌍을 이루는 복수개의 LED 칩(20)들을 길이 방향을 따라 밀봉시키면서 반원통 또는 터널 형상(이를 반원통 형상이라 통칭한다)으로 1차 몰딩하여 몰딩부(30)를 형성한다. 이때 이웃하는 LED 칩(20)의 중간에서 내측으로 오목한 홈(33)이 대칭적으로 형성되도록 몰딩하며, 이러한 홈(33)은 중앙부로 갈수록 폭이 좁게 형성된다.
이러한 1차 몰딩부(30)는 백색광을 현출하는 수지를 이용하며, 일 예로 형광체가 혼합된 수지를 사용하여 트랜스퍼몰딩법으로 형성할 수 있다. 형광체는 LED 칩(20)으로부터의 출사되는 상대적으로 단파장인 빛의 일부를 장파장으로 파장 변환시키며, LED 칩(20)의 나머지 단파장 빛과 형광체에 의해 파장 변환된 장파장의 빛이 혼합되어 백색광이 구현된다. 이때 길이 방향(가로 방향)으로는 한 쌍을 이루는 복수개의 LED 칩(20)들이 일체로 밀봉되지만, 세로 방향으로는 소정의 간격으로 구획된다.
몰딩부(30)를 형성한 후, 몰딩부(30)의 외면에는 도 13에 도시된 바와 같이 리플렉터(40)를 형성한다. 이러한 리플렉터(40)는 화이트 실리콘과 같은 반사성이 우수한 수지 재질을 이용하여 몰딩부(30)의 외면에 2차 몰딩으로 형성될 수 있다. 또한, 리플렉터(40)는 알루미늄(Al)이나 니켈(Ni), 구리(Cu), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 은(Ag)과 같은 금속 물질을 스퍼터링 증착(Sputtering Deposition)시킨 구조로 형성될 수 있으며, 경우에 따라서는 몰딩이나 스퍼터링 증착이 혼합된 구조로 형성될 수 있다. 이때 리플렉터(40)는 반투과성 재질을 이용하여 단일 구조로 형성하거나 반투과성과 비투과성 재질을 이용한 이중 구조로 형성할 수 있다. 이러한 리플렉터(40)의 재질 및 구조의 변화를 통하여, 빛의 전반사 또는 반투과 효과를 달성할 수 있다.
리플렉터(40)를 형성한 후, 도 14에 도시된 바와 같이 수개로 구획된 반원통 형상의 몰딩부와 리플렉터를 길이 방향(A-A)을 따라 1차 다이싱하여 대향되는 한 쌍의 LED 어레이(100)를 분리하며, 다시 분리된 한 쌍의 LED 어레이(100)의 중앙부(B-B)를 따라 2차 다이싱한다. 이러한 과정에 의하여 최종적으로 도 3에 도시된 바와 같이 길이 방향에 대해 직교하는 일 측 방향으로 빛이 방출되는 LED 어레이(100)가 제조된다.
이때, 1차 다이싱(A-A)과 2차 다이싱(B-B)은 순차적으로 이루어질 수도 있지만, 동시에 이루어지거나 2차 다이싱이 먼저 이루어질 수도 있다. 또한, 도시되지는 않았지만, 리플렉터(40)를 형성한 후 그 외면에 반사층(50)을 몰딩이나 증착 등의 방법으로 더 형성할 수 있다.
살펴본 바와 같이 상기와 같은 과정으로 제조되는 LED 어레이는 기판에 LED 칩을 칩 온 보드(Chip On Board) 방식으로 본딩하고, 일괄 몰딩 공정과 다이싱 공정에 의하여 동시에 복수개의 LED 어레이가 제조되므로, 제조 공정이 단순해지고 제조 시간과 비용을 줄일 수 있으며, 생산성을 크게 향상시킬 수 있게 된다.
이상에서 본 발명에 있어서 실시예를 참고로 설명되었으나, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
10 : 기판 20 : LED 칩
30 : 몰딩부 31 : 메인 윈도우
32 : 배면부 33 : 홈
40 : 리플렉터 50 : 반사층
100 : LED 어레이

Claims (4)

  1. 기판의 길이 방향을 따라 실장되는 적어도 하나 이상의 LED 칩을 구비하는 LED 어레이에 있어서,
    상기 기판의 길이 방향에 대해 직교하는 일 측 방향으로 상기 LED 칩으로부터의 빛을 방출시키는 메인 윈도우를 구비하고, 상기 메인 윈도우를 제외한 타 측 방향은 라운드, 선형 또는 다각형 형상의 배면부를 구비하는 몰딩부; 및
    상기 배면부에 형성되어 상기 LED 칩으로부터의 빛을 상기 메인 윈도우를 향해 반사시키는 리플렉터;를 포함하는 LED 어레이.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩부는 이웃하는 상기 LED 칩의 중간에서 메인 윈도우를 향해 오목한 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 리플렉터는 상기 반투과성의 내측 리플렉터와 비투과성의 외측 리플렉터로 구성되는 것을 특징으로 하는 LED 어레이.
  4. 기판에 복수개의 LED 칩을 가로 및 세로 방향으로 실장하는 단계;
    상기 기판의 LED 칩들을 길이 방향(가로 방향)을 따라 대향하는 한 쌍의 LED 칩으로 구획되도록 라운드 또는 다각형 형상으로 일체로 밀봉하여 몰딩부를 형성하는 단계;
    상기 몰딩부 외면을 따라 리플렉터를 형성하는 단계;
    한 쌍의 LED 칩으로 구획되는 상기 몰딩부와 리플렉터를 길이 방향으로 1차로 절단하는 단계; 및
    한 쌍의 상기 LED 칩의 중앙부를 따라 상기 몰딩부와 리플렉터를 길이 방향으로 2차로 절단하는 단계;를 포함하는 LED 어레이 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3868675B2 (ja) * 1999-08-19 2007-01-17 ローム株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP2001155510A (ja) * 1999-11-25 2001-06-08 Matsushita Electric Works Ltd ライン状光源装置
KR100674871B1 (ko) 2005-06-01 2007-01-30 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US7736044B2 (en) 2006-05-26 2010-06-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Indirect lighting device for light guide illumination

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9316776B2 (en) 2013-06-26 2016-04-19 Samsung Display Co., Ltd. Light source assembly including hexahedron-shaped light source, display apparatus including the same, and method of manufacturing the same

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